JPS58295Y2 - 半導体用ウエハ搭載装置 - Google Patents
半導体用ウエハ搭載装置Info
- Publication number
- JPS58295Y2 JPS58295Y2 JP2752378U JP2752378U JPS58295Y2 JP S58295 Y2 JPS58295 Y2 JP S58295Y2 JP 2752378 U JP2752378 U JP 2752378U JP 2752378 U JP2752378 U JP 2752378U JP S58295 Y2 JPS58295 Y2 JP S58295Y2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- wafer
- mask
- semiconductor wafer
- wafer mounting
- vacuum
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired
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Description
【考案の詳細な説明】
本考案は半導体ウェハ（以下単にウェハという）にマス
クパターンを焼付ける露光装置において半導体ウェハと
マスクを密着あるいは分離するウェハ搭載装置に関する
ものである。
クパターンを焼付ける露光装置において半導体ウェハと
マスクを密着あるいは分離するウェハ搭載装置に関する
ものである。
ウェハにマスクパターンを転写させる装置においては、
高解像度を得るためにウェハとマスクとを密着させて紫
外線を照射するいわゆる密着露光方式がとられている。
高解像度を得るためにウェハとマスクとを密着させて紫
外線を照射するいわゆる密着露光方式がとられている。
しかしパターン焼付は後ウェハとマスクとを分離する際
に、ウェハとマスクとの密着が強いために両者がはがれ
にくくなり、装置の信頼性が低下する。
に、ウェハとマスクとの密着が強いために両者がはがれ
にくくなり、装置の信頼性が低下する。
このため、密着露光終了後、ウェハとマスクとをはがれ
やすくする方法が必要とされる。
やすくする方法が必要とされる。
第１図は従来の装置の断面図である。
図においてウェハ１はウェハ搭載台４の上に置かれ、該
搭載台に設けられた穴７に弾力性のあるチューブを介し
て真空を供給することによって吸着されている。
搭載台に設けられた穴７に弾力性のあるチューブを介し
て真空を供給することによって吸着されている。
該搭載台の下方は球面になっており、マスク２に対し、
ウェハ１を平行に位置決めすることができる。
ウェハ１を平行に位置決めすることができる。
また位置決め後は空洞９に真空を供給することにより、
チャック受５にウェハ搭載台４を固定することができる
。
チャック受５にウェハ搭載台４を固定することができる
。
マスク２は溝１０に真空を供給することによってマスク
ホールダ３に吸着固定されている。
ホールダ３に吸着固定されている。
さらにマスク２は溝１１に真空を供給することにより、
マスク受台６に吸着固定される。
マスク受台６に吸着固定される。
チャック受５はマスク受台６に対して、平面内でＸ、Ｙ
およびθの動きをすることができ、さらに垂直方向にも
動くことができる。
およびθの動きをすることができ、さらに垂直方向にも
動くことができる。
次に本装置の動作の概略を示す。
筐ず溝１１に供給されている真空を切り、マスタホール
ダ３を上方に持ち上げ、（機構は図示せず）ウェハ１を
ウェハ搭載台４の上に置き、穴７に真空を供給すること
によって吸着する。
ダ３を上方に持ち上げ、（機構は図示せず）ウェハ１を
ウェハ搭載台４の上に置き、穴７に真空を供給すること
によって吸着する。
次に空洞９の真空を切ってウェハチャック受５を上昇さ
せ、マスク２にウェハ１を当てて平行とし、空洞９に真
空を供給し固定する。
せ、マスク２にウェハ１を当てて平行とし、空洞９に真
空を供給し固定する。
ウェハチャック受５を下げ、ウェハ１とマスク２の間に
わずかのすき１を設けた状態でマスク２の上方より顕微
鏡などで見ながらマスク２のパターンとウェハ１のパタ
ーンが合うように、チャック受５をＸ、Ｙ、θに動かす
。
わずかのすき１を設けた状態でマスク２の上方より顕微
鏡などで見ながらマスク２のパターンとウェハ１のパタ
ーンが合うように、チャック受５をＸ、Ｙ、θに動かす
。
パターン合わせの終了後、チャック受５を上昇させ、マ
スク２とウェハ１を密着させる。
スク２とウェハ１を密着させる。
ここでさらに密着を良くするために、バルブ１２を切り
換え、穴γに正圧のガスを供給し、その圧力でウェハ１
をマスク２に押し付ける。
換え、穴γに正圧のガスを供給し、その圧力でウェハ１
をマスク２に押し付ける。
この状態でマスりの上方より紫外線などの光線を当てて
マスクパターンの焼付けを行なう。
マスクパターンの焼付けを行なう。
焼付は終了後は再びバルブ１２を切り換え、穴７に真空
を供給しウェハ搭載台４にウェハ１を吸着固定してチャ
ック受５を下げ、ウェハ１どマスク２を分離する。
を供給しウェハ搭載台４にウェハ１を吸着固定してチャ
ック受５を下げ、ウェハ１どマスク２を分離する。
しかし、焼付は時のウェハ１とマスク２の密着が強いと
、ウェハ搭載台４の真空力ではたりずウェハ１とマスク
２がはがれないというトラブルが生じることがある。
、ウェハ搭載台４の真空力ではたりずウェハ１とマスク
２がはがれないというトラブルが生じることがある。
本考案は上記した従来技術のトラブルをなくしパターン
焼付後におけるマスクとウェハの分離を確実に行なうよ
うにしたウェハ搭載装置を提供するにある。
焼付後におけるマスクとウェハの分離を確実に行なうよ
うにしたウェハ搭載装置を提供するにある。
上記目的を達成するため、本考案は、ウェハ搭載台の搭
載面に、ウェハの直径より径の小さい平坦部と、この平
坦部につらなる傾斜面を形成し、この傾斜面にウェハの
外周部を真空吸引するための複数個の穴を形成し、パタ
ーン焼付後、昔ずウェハの外周部を真空吸引してマスク
から引はがしたのち、マスクとウェハを分離することに
よってマスクとウェハの分離を容易にするようにしたこ
とを特徴とする。
載面に、ウェハの直径より径の小さい平坦部と、この平
坦部につらなる傾斜面を形成し、この傾斜面にウェハの
外周部を真空吸引するための複数個の穴を形成し、パタ
ーン焼付後、昔ずウェハの外周部を真空吸引してマスク
から引はがしたのち、マスクとウェハを分離することに
よってマスクとウェハの分離を容易にするようにしたこ
とを特徴とする。
以下、本考案の実施例を第２図により説明する。
第１図と同じものは第１図と同じ符号を付けて示しであ
る。
る。
ウェハ搭載台１３の外周に傾斜部１４を設け、さらにそ
の傾斜部１４に穴８を設けそこに真空を供給できるよう
にしである。
の傾斜部１４に穴８を設けそこに真空を供給できるよう
にしである。
従来技術と同様に、ウェハ１にマスク２のパターンを焼
付けた後、バルブ１２を切り換えてウェハ１をウェハ搭
載台１３に真空吸着する。
付けた後、バルブ１２を切り換えてウェハ１をウェハ搭
載台１３に真空吸着する。
次に、穴８に真空を供給することによってウェハ１の外
周部をウェハ搭載台１３の外周の傾斜部１４に吸着され
る。
周部をウェハ搭載台１３の外周の傾斜部１４に吸着され
る。
これによりウェハ１の外周部とマスク２の間に空気層が
でき両者の密着が弱する。
でき両者の密着が弱する。
この状態でウェハチャック受５を下げると容易にウェハ
１とマスク２を分離することができる。
１とマスク２を分離することができる。
以上述べた如く、本考案によれば、ウェハ搭載台の外周
に傾斜部を形成し、かつこの傾斜部にウェハの外周部を
真空吸引するための複数個の穴を形成し、パターン焼付
後、ウェハの外周部をマスクからはがしたのち、マスク
とウェハを分離するようにしたので、マスクとウェハの
分離を確実に行なうことができる。
に傾斜部を形成し、かつこの傾斜部にウェハの外周部を
真空吸引するための複数個の穴を形成し、パターン焼付
後、ウェハの外周部をマスクからはがしたのち、マスク
とウェハを分離するようにしたので、マスクとウェハの
分離を確実に行なうことができる。
第１図は現在用いられているウェハ搭載装置の側面断面
図、第２図は本考案によるウェハ搭載装置の側面断面図
である。 ８・・・・・・穴、１３・・・・・・ウェハ搭載台、１
４・・・・・・傾斜部。
図、第２図は本考案によるウェハ搭載装置の側面断面図
である。 ８・・・・・・穴、１３・・・・・・ウェハ搭載台、１
４・・・・・・傾斜部。
Claims (1)
- 半導体用ウェハを、ウェハ搭載台上に載置し真空で吸引
して固定したのち、パターン焼付用のマスクに半導体用
ウェハを密着させるようにした半導体ウェハの搭載装置
において、前記ウェハ搭載台のウェハ搭載面に、前記半
導体用ウェハの直径より小さな径の平坦部と、この平坦
部につながる傾斜部を形成し、この傾斜部に前記半導体
用ウェハの外周部を真空吸引するための複数個の穴を設
けたことを特徴とする半導体用ウェハの搭載装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2752378U JPS58295Y2 (ja) | 1978-03-06 | 1978-03-06 | 半導体用ウエハ搭載装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2752378U JPS58295Y2 (ja) | 1978-03-06 | 1978-03-06 | 半導体用ウエハ搭載装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS54132270U JPS54132270U (ja) | 1979-09-13 |
| JPS58295Y2 true JPS58295Y2 (ja) | 1983-01-06 |
Family
ID=28871793
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2752378U Expired JPS58295Y2 (ja) | 1978-03-06 | 1978-03-06 | 半導体用ウエハ搭載装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS58295Y2 (ja) |
-
1978
- 1978-03-06 JP JP2752378U patent/JPS58295Y2/ja not_active Expired
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPS54132270U (ja) | 1979-09-13 |
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