JPS59155130A - マスクアライナ - Google Patents
マスクアライナInfo
- Publication number
- JPS59155130A JPS59155130A JP59005561A JP556184A JPS59155130A JP S59155130 A JPS59155130 A JP S59155130A JP 59005561 A JP59005561 A JP 59005561A JP 556184 A JP556184 A JP 556184A JP S59155130 A JPS59155130 A JP S59155130A
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- mask
- wafer
- ring
- gas
- nitrogen gas
- Prior art date
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- Pending
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Classifications
-
- G—PHYSICS
- G03—PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
- G03F—PHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
- G03F7/00—Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
- G03F7/70—Microphotolithographic exposure; Apparatus therefor
- G03F7/70691—Handling of masks or workpieces
Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
本発明は写真処理用のマスクアライナ、特に被処理体た
るウェハとマスクの密着度及びアライメント精度の向上
を図るためのマスクアライナに関する。
るウェハとマスクの密着度及びアライメント精度の向上
を図るためのマスクアライナに関する。
半導体装置の製造に用いられるマスクアライナ（マスク
アライメント装置）は、微小パターンを取扱うため解偉
度及びアライメント精度が問題となる。この解儂度の良
否はウエノ・とマスクの密着度に関係し、アライメント
精度はピッチズレによりて大ぎく影響される。
アライメント装置）は、微小パターンを取扱うため解偉
度及びアライメント精度が問題となる。この解儂度の良
否はウエノ・とマスクの密着度に関係し、アライメント
精度はピッチズレによりて大ぎく影響される。
第１図は押上げ密着方式を用いたマスクアライナの構造
を示す縦断面図である。同図において１は周縁でマスク
３を保持するマスクホルダであり、２はマスクホルダ１
の内縁に接しかつマスクの背面に接するように設けられ
たマスク保持を補強するガラス製のバックアッププレー
トであり、５はホトレジストを塗布したウェハ４をマス
ク３に対面させるためのウェハチャックであり、６はウ
ェハチャックを押上げるピストンである。なお、１３は
マスクの位置決め用ピンである。この装置は次のように
して使用される。
を示す縦断面図である。同図において１は周縁でマスク
３を保持するマスクホルダであり、２はマスクホルダ１
の内縁に接しかつマスクの背面に接するように設けられ
たマスク保持を補強するガラス製のバックアッププレー
トであり、５はホトレジストを塗布したウェハ４をマス
ク３に対面させるためのウェハチャックであり、６はウ
ェハチャックを押上げるピストンである。なお、１３は
マスクの位置決め用ピンである。この装置は次のように
して使用される。
マスク３は、マスクホルダ１とバックアッププ。
レート２とに亘って設けられた吸引孔７での真空（Ｖａ
。）吸引によって、バックアッププレート２に固定され
る。ウェハ４は、ウェハチャック５からの送出チッ素ガ
スＮ、′でマスク表面に押当てられる。露光作業開始直
前には、ウエノ・チャツク５０周縁部に設けられた送出
孔８からチッ素ガスＮ、″が送出され、ウェハ周囲にガ
スカーテンが形成される。その後バックアッププレート
２の背面から元を当てて露光作業を行うのであるが、こ
の時ウェハ上のホトレジスト膜は、紫外線の照射により
架橋反応を起し、その反応によってチッ素ガスＮＲ″が
ホトレジスト膜から発生する。発生チッ素ガスＮ２
はマスク・ウェハ間を抜けて総排出チッ素ガスＴＮ、に
混って外部に押し出されることになる。
。）吸引によって、バックアッププレート２に固定され
る。ウェハ４は、ウェハチャック５からの送出チッ素ガ
スＮ、′でマスク表面に押当てられる。露光作業開始直
前には、ウエノ・チャツク５０周縁部に設けられた送出
孔８からチッ素ガスＮ、″が送出され、ウェハ周囲にガ
スカーテンが形成される。その後バックアッププレート
２の背面から元を当てて露光作業を行うのであるが、こ
の時ウェハ上のホトレジスト膜は、紫外線の照射により
架橋反応を起し、その反応によってチッ素ガスＮＲ″が
ホトレジスト膜から発生する。発生チッ素ガスＮ２
はマスク・ウェハ間を抜けて総排出チッ素ガスＴＮ、に
混って外部に押し出されることになる。
ところで、上記発生チッ素ガスＮ２は、マスクとウェハ
チャックの狭隙部を通過しなければならないが、そこに
はウェハ密着用のチッ素ガス馬′とガスカーテン用のチ
ッ素ガスＮ２＃が存するため、微量、徹夜の発生チッ素
ガスＮ２ は容易に外部に抜けることが出来ず、ウェハ
・マ・スフ間にこもったままになってしまう。このため
、ウェハとマスク間が遊離して密着状態を維持できなく
なり解像度が悪くなるという欠点が生ずる。
チャックの狭隙部を通過しなければならないが、そこに
はウェハ密着用のチッ素ガス馬′とガスカーテン用のチ
ッ素ガスＮ２＃が存するため、微量、徹夜の発生チッ素
ガスＮ２ は容易に外部に抜けることが出来ず、ウェハ
・マ・スフ間にこもったままになってしまう。このため
、ウェハとマスク間が遊離して密着状態を維持できなく
なり解像度が悪くなるという欠点が生ずる。
本発明の目的は、このような問題点のないマスクアライ
ナを提供することにある。
ナを提供することにある。
よって、本発明の一実施例は、ウェハを吹上げて密着露
光するものにおいて、ゴムのシールリング、ウェハーマ
スク間の空間部をシールし、真空引きと供給Ｎ、ガスの
バランスにより、所望の負圧状態に設定するマスクアラ
イナである。
光するものにおいて、ゴムのシールリング、ウェハーマ
スク間の空間部をシールし、真空引きと供給Ｎ、ガスの
バランスにより、所望の負圧状態に設定するマスクアラ
イナである。
第２図は真空密着方式を用いた本発明の実施例のマスク
アライナの構造を示す縦断面図である。
アライナの構造を示す縦断面図である。
同図において１はマスクホルダであり、内周縁上部にマ
スク３が載置されるとともに、このマスクを固定するた
めの真空（Ｖａｏｌ）吸引孔１０及び、゛ガスカーテン
用のチッ素ガスＮ、を送出するための送出孔１１を有す
る。５はウェハ４を保持してマスクに対面させるウェハ
チャックである。このウェハチャック５の径はウェハ４
の径よりも小さくされる。このウェハ４とウェハチャッ
ク５はピストン６とこのピストン周縁に設けられたシー
ルリングによってシールされている。このシールされた
室内Ｒはマスクホルダ２に設けられた真空吸引孔１２で
の真空（ｖａｏ２）引きによって負圧状態にされる。
スク３が載置されるとともに、このマスクを固定するた
めの真空（Ｖａｏｌ）吸引孔１０及び、゛ガスカーテン
用のチッ素ガスＮ、を送出するための送出孔１１を有す
る。５はウェハ４を保持してマスクに対面させるウェハ
チャックである。このウェハチャック５の径はウェハ４
の径よりも小さくされる。このウェハ４とウェハチャッ
ク５はピストン６とこのピストン周縁に設けられたシー
ルリングによってシールされている。このシールされた
室内Ｒはマスクホルダ２に設けられた真空吸引孔１２で
の真空（ｖａｏ２）引きによって負圧状態にされる。
上記装置では、シール室内Ｒが、送出孔１１から送出さ
れるチッ素ガスＮ２＃′にょるガスカーテンによりチッ
素ガス雰囲気となるとともに、吸引孔１２での真空引き
によって負圧状態となるため、ウェハとマスクは大気圧
Ｆ、とピストンの押上げ圧Ｆ、との相対的圧力によって
十分に密着されるものとなる。また、露光時にホトレジ
スト膜から発生するチッ素ガスＮ、はシール室内Ｒが負
圧であり、かつウェハ径よりもウェハチャック径の方が
小さいため、吸着用チッ素ガスＮ、′及びガスカーテン
Ｎ２＃に妨げられることなく容易に排出される。このた
め露光時においてもウェハとマ゛スク間は、初期の密着
状態を保つものとなる。
れるチッ素ガスＮ２＃′にょるガスカーテンによりチッ
素ガス雰囲気となるとともに、吸引孔１２での真空引き
によって負圧状態となるため、ウェハとマスクは大気圧
Ｆ、とピストンの押上げ圧Ｆ、との相対的圧力によって
十分に密着されるものとなる。また、露光時にホトレジ
スト膜から発生するチッ素ガスＮ、はシール室内Ｒが負
圧であり、かつウェハ径よりもウェハチャック径の方が
小さいため、吸着用チッ素ガスＮ、′及びガスカーテン
Ｎ２＃に妨げられることなく容易に排出される。このた
め露光時においてもウェハとマ゛スク間は、初期の密着
状態を保つものとなる。
しかし、上記真空密着方式では大気圧Ｆ、とピストン圧
Ｆ２とのバランスでマスクの水平状態を保っているが、
大気圧Ｆ、が等分荷重であるのに対し、ピストン圧は集
中荷重であること、及び通常ピストン圧Ｆ２の方が大気
圧Ｆ１ より大きいこトニよりマスクが凸状にベンドし
てしまう。このとき、同時にウェハもベンドすることに
なり前ホトレジスト工程で焼付けられたパターンとのピ
ッチ寸法が狂うためピッチズレが生じてしまう。このた
めアライメント精度が悪くなるという欠点が生ずる。
Ｆ２とのバランスでマスクの水平状態を保っているが、
大気圧Ｆ、が等分荷重であるのに対し、ピストン圧は集
中荷重であること、及び通常ピストン圧Ｆ２の方が大気
圧Ｆ１ より大きいこトニよりマスクが凸状にベンドし
てしまう。このとき、同時にウェハもベンドすることに
なり前ホトレジスト工程で焼付けられたパターンとのピ
ッチ寸法が狂うためピッチズレが生じてしまう。このた
めアライメント精度が悪くなるという欠点が生ずる。
本発明者は、さらに、上記問題点を解決することができ
るアライメント精度の高いマスクアライナを検討した。
るアライメント精度の高いマスクアライナを検討した。
すなわち、マスクを周縁で保持するマスクホルダと、こ
のマスクホルダの内縁に接するとともにマスクの背面に
接するようにされたバックアッププレート及び、上記マ
スク表面に接するようにウェハな背面から押えるととも
にウェハに対向する面の外周部にリング状の溝が設けら
れたウェハチャックとを有し、上記溝部分な負圧状態に
保持するようにしたことを特徴とするものである。
のマスクホルダの内縁に接するとともにマスクの背面に
接するようにされたバックアッププレート及び、上記マ
スク表面に接するようにウェハな背面から押えるととも
にウェハに対向する面の外周部にリング状の溝が設けら
れたウェハチャックとを有し、上記溝部分な負圧状態に
保持するようにしたことを特徴とするものである。
以下実施例により本発明を具体的に説明する。
第３図は本発明に係るマスクアライナの構造の−例を示
す縦断面図である。同図において上記第１図及び第２図
に示したものと同一のものは同一の符号にて表示する。
す縦断面図である。同図において上記第１図及び第２図
に示したものと同一のものは同一の符号にて表示する。
このマスクアライナは、マスクホルダ１とこれに接して
設けられたバックアッププレート２とに亘って存する吸
引用孔７を有する。この孔７は、マスク３をバックアッ
ププレート２に固定するための真空（■ａＣ１）引き用
として使用される。また、マスクホルダ１の底部にはマ
スク位置決め用ビン１３．１３が設けられ、一方のビン
１３はマスク固定用バネ１９を介してマスクに接触して
いる。
設けられたバックアッププレート２とに亘って存する吸
引用孔７を有する。この孔７は、マスク３をバックアッ
ププレート２に固定するための真空（■ａＣ１）引き用
として使用される。また、マスクホルダ１の底部にはマ
スク位置決め用ビン１３．１３が設けられ、一方のビン
１３はマスク固定用バネ１９を介してマスクに接触して
いる。
ウェハチャック５は、ウェハに対向する面の内部からは
ウェハをマスクに密着せしめるためのチッ素ガスＮ！′
が送出されるようになっており、また、ウェハに対向す
る面の外側にはリング状の溝１５゜１５が設けられてお
り、さらに、このウェハチャックの外周部にはガスカー
テン用のチッ素ガスＮ＊″を送出する２つのリング状送
出孔１４ ａ、 １４ ｂが設けられている。そして
、上記リング状の溝１５．１５は真空（Ｖａｏ２）引き
されるようになっている。この真空引きによって上記溝
１５部分は負圧状態となっている。
ウェハをマスクに密着せしめるためのチッ素ガスＮ！′
が送出されるようになっており、また、ウェハに対向す
る面の外側にはリング状の溝１５゜１５が設けられてお
り、さらに、このウェハチャックの外周部にはガスカー
テン用のチッ素ガスＮ＊″を送出する２つのリング状送
出孔１４ ａ、 １４ ｂが設けられている。そして
、上記リング状の溝１５．１５は真空（Ｖａｏ２）引き
されるようになっている。この真空引きによって上記溝
１５部分は負圧状態となっている。
上記装置は次のようにして使用される。
マスク３は先ず位置決め用ビン１３とバネ１９とによっ
て位置決めされた後吸引孔７での真空（ｖ、ＩｃＩ）引
きによってバックアッププレート２に固定される。ウェ
ハ４はチッ素ガスＮ、′でマスクに押当てられる。この
とぎ、ウェハチャック５の有効径がウェハ径と同一とな
るように負圧形成用の溝１５が設けられていることより
ウエノ・部分の圧力分布は中央部が最も高くなるように
なるからウェハ全面が均等にマスクに押当てられる。し
たがってウェハとマスクの密着度が増す。なお、ウェハ
押当て用のチッ素ガスＮ、′はウェハ４ から外れた処
で負圧形成用の溝１５内に吸引されるから溝１５部分の
圧力が上昇することはない。
て位置決めされた後吸引孔７での真空（ｖ、ＩｃＩ）引
きによってバックアッププレート２に固定される。ウェ
ハ４はチッ素ガスＮ、′でマスクに押当てられる。この
とぎ、ウェハチャック５の有効径がウェハ径と同一とな
るように負圧形成用の溝１５が設けられていることより
ウエノ・部分の圧力分布は中央部が最も高くなるように
なるからウェハ全面が均等にマスクに押当てられる。し
たがってウェハとマスクの密着度が増す。なお、ウェハ
押当て用のチッ素ガスＮ、′はウェハ４ から外れた処
で負圧形成用の溝１５内に吸引されるから溝１５部分の
圧力が上昇することはない。
ガスカーテン用のチッ素ガスＮＪはウェハチャック周縁
に設けられた２個のリング状の送出孔１４ ａ、 １
４ ｂより送出され、ウェハチャックとマスク間にガス
カーテンを形成する。このチッ素ガス馬″けウェハチャ
ック中央部に向う本のは背圧形成溝１５の真空（Ｖａｏ
２）吸引で排出され、外に向うものは総排出ガスＴＮ、
となって放出される。このようにＮｌ＃送出孔を多重リ
ング構造とすることにより外気の酸素の進入をより有効
に防止できる。
に設けられた２個のリング状の送出孔１４ ａ、 １
４ ｂより送出され、ウェハチャックとマスク間にガス
カーテンを形成する。このチッ素ガス馬″けウェハチャ
ック中央部に向う本のは背圧形成溝１５の真空（Ｖａｏ
２）吸引で排出され、外に向うものは総排出ガスＴＮ、
となって放出される。このようにＮｌ＃送出孔を多重リ
ング構造とすることにより外気の酸素の進入をより有効
に防止できる。
次に、露光時にホトレジスト膜からチッ素ガスＮ２ か
発生するが、この発生ガスＮ、は、リング状溝１５部が
、このガスＮ、よりも大幅に低圧となるので完全に排出
される。したがって、溝１５部の真空（Ｖａｃ２）引き
は、上記チッ素ガスＮ、′。
発生するが、この発生ガスＮ、は、リング状溝１５部が
、このガスＮ、よりも大幅に低圧となるので完全に排出
される。したがって、溝１５部の真空（Ｖａｃ２）引き
は、上記チッ素ガスＮ、′。
Ｎ！″′の一部、Ｎ、の各ガスを排出できるような容量
とする必要がある。
とする必要がある。
なお、バックアッププレート２が存することより、ピス
トン６による押上げ圧が高くても露光作業時にマスクが
ベンドしてしまうことはない。したがって、マスクとウ
ェハ間にピッチズレが生ずるようなことはない。
トン６による押上げ圧が高くても露光作業時にマスクが
ベンドしてしまうことはない。したがって、マスクとウ
ェハ間にピッチズレが生ずるようなことはない。
以上説明したような装置によれば、作業開始時及び露光
作業中におけるウェハ・マスク間の密着度が増大するか
ら解儂度が向上し、かつピッチズレが生じないからアラ
イメント精度が向上する。
作業中におけるウェハ・マスク間の密着度が増大するか
ら解儂度が向上し、かつピッチズレが生じないからアラ
イメント精度が向上する。
したがって、前述した押上げ密着方式及び真空密着方式
の両者の利点を兼ね備えたマスクアライナとなる。
の両者の利点を兼ね備えたマスクアライナとなる。
本発明は上記実施例に限定されず、種々の変形を用いる
ことができる。例えば、ガスカーテン用チッ素ガスＮＪ
は、上記実施例のようにウエノ・チャック５から送出す
るのではなく、第４図に示した部分断面図のように、専
用リング１６を設けて、ここから送出するようにしても
よい。すなわち、この専用リング１６を、吸引孔１７で
真空（■ａｏ３）吸引することによりマスクホルダ１側
で固定し、リング内径はウェハチャック５の外径よりも
僅かに太きくし、両者のスキマに、送出孔１８を介して
チッ素ガスＮｌ＃を送出しガスカーテンを形成する。こ
の−ようにすれば、ウェハチャック５が小さくて済むと
ともに構造が簡単になるという利点をも備えたものとな
る。
ことができる。例えば、ガスカーテン用チッ素ガスＮＪ
は、上記実施例のようにウエノ・チャック５から送出す
るのではなく、第４図に示した部分断面図のように、専
用リング１６を設けて、ここから送出するようにしても
よい。すなわち、この専用リング１６を、吸引孔１７で
真空（■ａｏ３）吸引することによりマスクホルダ１側
で固定し、リング内径はウェハチャック５の外径よりも
僅かに太きくし、両者のスキマに、送出孔１８を介して
チッ素ガスＮｌ＃を送出しガスカーテンを形成する。こ
の−ようにすれば、ウェハチャック５が小さくて済むと
ともに構造が簡単になるという利点をも備えたものとな
る。
本発明はマスクアライナとして広く利用できる。
第１図は、従来のマスクアライナの断面図、第２図は、
本発明のマスクアライナの断面図、第３図は本発明に係
すマスクアライナの他の一例を示す縦断面図、第４図は
本発明の他側を示す部分断面図である。 １・・・マスクホルダ、２・・・バック、アッププレー
ト、３・・・マスク、４・・・ウェハ、５・・・ウェハ
チャック、６・・・ピストン、７・・・吸引孔、１３・
・・位置決めピン、１４ ａ、 １４ ｂ・・・リン
グ状ガス送出孔、１５・・・リング状溝、１９・・・固
定用バネ。 第 １ 図 第 ２ 図 光 第 ３ 図 第 ４ 図
本発明のマスクアライナの断面図、第３図は本発明に係
すマスクアライナの他の一例を示す縦断面図、第４図は
本発明の他側を示す部分断面図である。 １・・・マスクホルダ、２・・・バック、アッププレー
ト、３・・・マスク、４・・・ウェハ、５・・・ウェハ
チャック、６・・・ピストン、７・・・吸引孔、１３・
・・位置決めピン、１４ ａ、 １４ ｂ・・・リン
グ状ガス送出孔、１５・・・リング状溝、１９・・・固
定用バネ。 第 １ 図 第 ２ 図 光 第 ３ 図 第 ４ 図
Claims (1)
- 【特許請求の範囲】 １、 （ａ） マスク・ホルダと （ｂ） マスクに対向して、被処理体ウェハをガス吹
出しにより上記マスクに密着させるた間部と （ｄ） 上記空間部を外部と区分するためのシール機
構と （ｅ） 上記空間部のガスを排気する機構よりなり、
露光時には上記空間部のガス圧を負圧忙保持するように
したことを特徴とするマスクアライナ。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005561A JPS59155130A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | マスクアライナ |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP59005561A JPS59155130A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | マスクアライナ |
Related Parent Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP12452477A Division JPS5458365A (en) | 1977-10-19 | 1977-10-19 | Mask aligner |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPS59155130A true JPS59155130A (ja) | 1984-09-04 |
Family
ID=11614612
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP59005561A Pending JPS59155130A (ja) | 1984-01-18 | 1984-01-18 | マスクアライナ |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPS59155130A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5026660A (en) * | 1989-09-06 | 1991-06-25 | Codenoll Technology Corporation | Methods for making photodectors |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5131189A (ja) * | 1974-09-11 | 1976-03-17 | Sony Corp | Handotaisochi |
| JPS5177072A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-03 | Fujitsu Ltd | Handotaikibannoshashinshorihoho oyobisochi |
-
1984
- 1984-01-18 JP JP59005561A patent/JPS59155130A/ja active Pending
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS5131189A (ja) * | 1974-09-11 | 1976-03-17 | Sony Corp | Handotaisochi |
| JPS5177072A (ja) * | 1974-12-27 | 1976-07-03 | Fujitsu Ltd | Handotaikibannoshashinshorihoho oyobisochi |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5026660A (en) * | 1989-09-06 | 1991-06-25 | Codenoll Technology Corporation | Methods for making photodectors |
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