CN103730331B - 干燥方法及干燥装置 - Google Patents
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Abstract
本发明公开一种干燥方法，其应用于半导体、太阳能、LED等产业工艺中，主要包含高温气体加压步骤、降压步骤、差压循环判断步骤、低压干燥步骤、压力回复步骤及总循环判断步骤，而根据差压循环设定及总循环设定来干燥处理槽中的被干燥物，其中通过重复加热、加压及降压的循环而使被干燥物表面的水分完全被去除；本发明另公开一种干燥装置，用于执行该干燥方法；本发明可达成快速干燥工艺中的被干燥物的目的，并可维持被干燥物的高洁净度。
Description
技术领域
本发明涉及一种干燥方法及干燥装置，特别涉及可应用于半导体、太阳能及LED等产业工艺中的一种通过加热、加压及降压的干燥方法及干燥装置。
背景技术
干燥技术与干燥设备广泛地用于半导体、太阳能或LED等产业的制造过程中，举例而言，在半导体工艺中，为了避免基板表面或晶圆盒的灰尘、微粒等污染物影响工艺及产品合格率，故基板或晶圆盒等被干燥物的清洗及干燥技术是影响工艺合格率的关键，其中干燥技术是将清洗后的基板或晶圆盒等被干燥物上的水分完全去除，而现有用于半导体工艺的技术有异丙酮蒸气干燥法(IPAVaporDry)、旋转干燥法(Spindry)、IPA及马兰哥尼干燥法(Marangonidry)等。
然而，异丙酮蒸气干燥法主要使用一低蒸气压的异丙醇(isopropylalcohol,IPA)的有机溶剂，其为一种高挥发性质的化学溶剂，并且需要浸泡在溶液中操作过程较为复杂而导致达到完全干燥工艺所需耗时较长；马兰哥尼干燥法是通过液面温度或液体组成的浓度变化所产生的表面张力进行干燥，而具有危险性、效率低、无法完全干燥且无法抑制氧化层产生等缺点；旋转干燥法是使基板高速旋转，而使水分通过离心力脱离基板表面，然而旋转干燥法固定基板并高速旋转的方式可能使基板内部结构产生机械应力，并且旋转干燥法具有粒子极限(particlelimit)及无法完全去除水痕的缺点，而限制了工艺的应用性。
发明内容
本发明的主要目的在于公开一种干燥方法，其应用于半导体、太阳能或LED等产业工艺中，以快速地完全干燥被干燥物。
本发明的另一目的在于公开一种干燥装置，其应用于半导体、太阳能或LED等产业工艺中，以用于执行一种可快速地完全被干燥物的干燥方法。
为达上述目的及其它目的，本发明的一种干燥方法，用于根据一差压循环设定及一总循环设定来干燥一处理槽中的一被干燥物，该干燥方法包含以下步骤：高温气体加压步骤，提供高温的气体至该处理槽中，以使该处理槽内的压力大于760托（torr），并通过该高温气体加热该被干燥物；降压步骤，开启连接该处理槽的一排气阀以使该处理槽内的压力降低；差压循环判断步骤，根据该差压循环设定以依序地执行该高温气体加压步骤及该降压步骤至少一次以上；低压干燥步骤，开启连接该处理槽的一真空装置以使该处理槽内的确压力降低至180托（torr）以下；压力回复步骤，填充气体至该处理槽中，以使该处理槽内的压力回升；总循环判断步骤，根据该总循环设定依序执行该高温气体加压步骤至该压力回复步骤至少一次以上。
在一实施例中，该高温气体加压步骤中，该处理槽内的压力增加至大于760托（torr）且小于等于1460托（torr）的范围。
在一实施例中，该低压干燥步骤中，该处理槽内的压力降低至0.1-180托（torr）。
有一实施例中，该高温气体加压步骤中，该被干燥物的表面温度增加至30-160℃；此外，该高温气体加压步骤至该压力回复步骤的期间，该处理槽内部维持在30-160℃。
在一实施例中，该高温气体加压步骤中，该被干燥物的表面温度增加至30-80℃；此外，该高温气体加压步骤至该压力回复步骤的期间，该处理槽内部维持在30-80℃。
在一实施例中，该差压循环判断步骤后还包含：结束循环判断步骤，其是当该总循环设定为二次以上时，根据一结束循环设定判断是否结束。
在一实施例中，该高温气体加压步骤前还包含：预处理步骤，其通过HFlast或SC1工艺在一预处理槽中进行该被干燥物的洗净，其中该被干燥物为基板。
在一实施例中，该高温气体加压步骤前还包含：预干燥步骤，其通过将该被干燥物浸泡于一预处理槽的清洗液中再利用马兰哥尼效应(Marangonieffect)使该被干燥物表面的液体去除，其中该被干燥物为基板。
在一实施例中，该差压循环设定为该高温气体加压步骤及该降压步骤依序循环执行二次。
在一实施例中，该气体为氮气或洁净气体(CleanDryAir,CDA)。
在一实施例中，该气体是通过气体加热器或红外线加热器加热。
为达上述另一目的及其它目的，本发明又公开一种干燥装置，其用于执行上述的干燥方法，该干燥装置包含：处理槽，其具有用于容置该被干燥物的容置空间；气体供应单元，连接该处理槽，用于提供气体至该处理槽中；气体加热单元，连接该气体供应单元，用以加热供应至该处理槽的气体；降压单元，具有分别连接该处理槽的排气阀及用于抽气的真空装置，以降低该处理槽内部气压；主控计算机设备，电性连接该气体供应单元、该气体加热单元及该降压单元，该主控计算机设备接收该差压循环设定及该总循环设定来控制该气体供应单元、该气体加热单元及该降压单元。
在一实施例中，该处理槽上设置有加热装置，用以维持该处理槽内的温度或使该处理槽内的温度上升。
在一实施例中，该加热装置与该主控计算机设备电性连接。
在一实施例中，该处理槽内另包含一预处理槽。
在一实施例中，该干燥装置另包含一预处理槽，其通过一输送单元与该处理槽连接，以使该被干燥物由该预处理槽输送至该处理槽。
在一实施例中，该处理槽内设置有量测装置，该量测装置与该主控计算机设备电性连接，以量测或纪录该处理槽内的温度、压力及湿度的至少其中一个。
在一实施例中，该气体供应单元通过一气体管路连接该处理槽，该气体管路上设置有控制阀、气体过滤器及流量控制器的至少其中一个。
在一实施例中，该气体加热单元为电热式气体加热器或红外线加热器。
借此，本发明一种干燥方法及干燥装置，其应用于半导体、太阳能或LED等产业工艺中，而可达成快速干燥的目的，以缩短工艺所需时间，并使工艺中的被干燥物可维持高洁净度。
附图说明
图1为本发明一实施例中干燥方法的流程图。
图2为用于执行本发明一实施例的干燥方法的干燥装置的示意图。
图3为干燥装置的功能方块图。
图4为本发明另一实施例的干燥方法的流程图。
图5为本发明又一实施例的干燥方法的流程图。
【主要组件符号说明】
10处理槽
11加热装置
12量测装置
20气体供应单元
21气体管路
22控制阀
23气体过滤器
24流量控制器
30气体加热单元
40降压单元
41排气阀
42真空装置
43真空泵
44真空阀
50主控计算机设备
60预处理槽
61输送单元
100被干燥物
T1差压循环设定
T2总循环设定
T3结束循环设定
S11-S80步骤
具体实施方式
为充分了解本发明的目的、特征及功效，现通过下述具体的实施例，并配合附图，对本发明做一详细说明，说明如后：
本发明一实施例的干燥方法可应用于半导体、太阳能及LED等产业工艺中，例如半导体、太阳能或LED等产业工艺中的基板或装载基板的载具等需要清洗、干燥的组件，举例而言，半导体工艺中的基板在每一工艺的前后必须通过洗净流程与干燥流程，来去除工艺中附着于基板表面的污染物及水分，才能输送往下一工艺区，以保持单一工艺中基板的干燥度及/或洁净度，进而提高工艺合格率。
首先请参阅图1并配合图2及图3所示，图1为本发明一实施例中干燥方法的流程图；图2为用于执行本发明一实施例的干燥方法的干燥装置的示意图；图3为干燥装置的功能方块图。
本发明一实施例的干燥方法用于根据一差压循环设定及一总循环设定来干燥一处理槽10中的一被干燥物100，该干燥方法包含以下步骤：
高温气体加压步骤S20：提供高温的气体至该处理槽中，以使该处理槽10内的压力大于760托（torr），并通过该高温气体加热该被干燥物100。
降压步骤S30：开启连接该处理槽10的一排气阀41以使该处理槽10内的压力降低。
差压循环判断步骤S40：根据该差压循环设定以依序地执行该高温气体加压步骤S20及该降压步骤S30至少一次以上。
低压干燥步骤S60：开启连接该处理槽10的一真空装置42以使该处理槽10内的压力降低至180托（torr）以下。
压力回复步骤S70：填充气体至该处理槽10中，以使该处理槽10内的压力回升。
总循环判断步骤S80：根据该总循环设定依序执行该高温气体加压步骤S20至该压力回复步骤S70至少一次以上。
如图2所示，应用本实施例的干燥方法的干燥装置1主要包含处理槽10、气体供应单元20、气体加热单元30、降压单元40及主控计算机设备50；其中，该处理槽10具有用于容置该被干燥物100的容置空间；该气体供应单元20连接该处理槽10，用于提供气体至该处理槽10中；该气体加热单元30连接该气体供应单元20，用以加热供应至该处理槽10的气体；该降压单元40具有分别连接该处理槽10的排气阀41及用于抽气的真空装置42，以降低该处理槽内部气压；该主控计算机设备50电性连接该气体供应单元20、该气体加热单元30及该降压单元40，该主控计算机设备50接收该差压循环设定及该总循环设定来控制该气体供应单元20、该气体加热单元30及该降压单元40。
以下配合图2及图3所示的干燥装置1来说明本发明实施例的干燥方法，此外，本实施例以应用于半导体、太阳能或LED等产业工艺中的基板作为被干燥物的示例说明，然而被干燥物的种类不限于此，其可为装载基板的载具或其它相关组件等。
首先，该高温气体加压步骤S20是通过高温加热单元30加热由该气体供应单元20输出的气体(例如氮气或洁净气体)，被加热后的高温的气体供应至该处理槽10中，以使该处理槽内的压力大于760托（torr），较佳地是，该处理槽10内的压力增加至大于760托（torr）且小于等于1460托（torr）的范围；此时，高温的气体加热该被干燥物100，其中，该被干燥物100的表面温度增加至30-160℃，较佳为35-160℃，因此，残留于被干燥物100的表面大部份的水分将因高温汽化而被去除，同时可防止氧化膜的产生。
其次，该降压步骤S30将连接于该处理槽100的排气阀41开启，以使气体由该处理槽10排出，而使该处理槽10内的气体压力降低。
接着，该差压循环判断步骤S40是根据该差压循环设定T1(图3)以依序地执行该高温气体加压步骤S20及该降压步骤S30至少一次以上，用以初步地去除该被干燥物100表面大部份的水分；其中，该差压循环设定T1可为由用户输入该主控计算机设备50在一开始手动预设的参数值，该差压循环设定T1是代表该高温气体加压步骤S20及该降压步骤S30依序循环执行的次数，本实施例中示例该差压循环设定T1为二次，然而，本领域技术人员应了解的是，该差压循环设定T1可依该被干燥物100的材料种类、数量及相关工艺参数来调整变换，而不限于本实施例。
然后，该低压干燥步骤S60开启连接该处理槽10的一真空装置42，以使该处理槽内的压力降低至180托（torr）以下，较佳地是，该处理槽10内的压力降低至0.1-180托（torr）；当该处理槽10内的压力下降至愈接近真空状态时，该被干燥物100表面的水分的蒸发速率愈快；其中，该真空装置42可为一真空泵。
接下来，该压力回复步骤S70中是通过该气体供应单元20填充气体至该处理槽10的容置空间中，较佳地是通过该气体加热单元30使气体被加热后再供应至，以使该处理槽10内的压力回升，借此补充该被干燥物100在蒸发过程中被带走的潜热，并防止该被干燥物100上残留水分或表面形成水痕(watermark)。
最后，该总循环判断步骤S80是根据该总循环设定T2(图3)依序执行该高温气体加压步骤S20至该压力回复步骤S70至少一次以上，借以达成该被干燥物100完全干燥的目的；其中，该总循环设定T2可为由用户输入该主控计算机设备50在一开始手动预设的参数值，该总循环设定T2是代表该高温气体加压步骤S20至该压力回复步骤S70依序循环执行的次数，其可依该被干燥物100的材料种类、数量及相关工艺参数来调整变换。
此外，该高温气体加压步骤S20至该压力回复步骤S70中，该处理槽10内部可维持在30-160℃的范围内，较佳为35-160℃，换句话说，该高温气体加压步骤S20至该压力回复步骤S70均于高温下进行。
据此，上述本发明一实施例的干燥方法可达成该被干燥物100在高温下经过加压与降压的差压控制来达成快速干燥及高洁净度的目的。举例来说，本发明一实施例以50片基板执行干燥流程后，基板边缘以3mm作为排除量时，所量测的微粒量可达到0.1um小于30PPW的功效，其中该微粒量测可通过KLATencorSurfscanSP1/TBI仪器进行量测，借此，本发明一实施例相较于现有技术还可达成快速干燥及高洁净度的功效。
请参照图4，其为本发明另一实施例的干燥方法的流程图，本发明另一实施例是在该差压循环判断步骤S40后还包含：结束循环判断步骤S50，其是当该总循环设定为二次以上时，根据一结束循环设定T3(图3)判断是否结束，也就是说，在本实施例中，由于该被干燥物100在该高温气体加压步骤S10至该压力回复步骤S80进行二次以上之后可达到预期的干燥程度，换句话说，本发明另一实施例中，每一干燥流程的最后一次循环不一定要再经过低压干燥步骤S60及压力回复步骤S70，其可在完成差压循环判断步骤S40之后直接结束该干燥流程，以更加缩短干燥时间。
类似于该差压循环设定或该总循环设定，该结束循环设定可为由用户输入该主控计算机设备50在一开始手动预设的参数值，该结束循环设定是代表完成该总循环设定及该差压循环设定的次数后，结束干燥流程；同样地，本领域技术人员应了解的是，该结束循环设定可依该被干燥物100的材料种类、数量及相关工艺参数与经验法则来调整变换，而不限于本实施例。
请参照图5，其为本发明又一实施例的干燥方法的流程图，本发明另一实施例是在该高温气体加压步骤S20前可选择性地执行一预处理步骤S11及一预干燥步骤S12的其中一个。
该预处理步骤S11中，是通过HFlast或SC1工艺在一预处理槽60中进行该被干燥物100的洗净，其可去除表面增生的氧化层或污染物与改变该被干燥物100表面性质，再进行后续的该高温气体加压步骤S20至该压力回复步骤S70，而可增进洁净的效果。
该预干燥步骤S11中，是通过将该被干燥物100浸泡于一预处理槽60的清洗液中，再利用马兰哥尼效应(Marangonieffect)使该被干燥物表面的清洗液与水分等液体去除，残存于该被干燥物100表面的清洗液沿着最佳路径流回该预处理槽60中该清洗液的液面，而可减少干燥所需的时间并增进干燥效果；其中，该清洗液为异丙醇。
上述本发明一实施例的干燥方法主要以应用于半导体、太阳能或LED等产业工艺中的基板作为被干燥物的示例，以利于详细说明上述本发明一实施例的干燥方法，而本领域技术人员应了解的是，上述工艺中例如升压、降压及温度的参数范围可依该被干燥物的材料、种类、数量及设备等因素来调整变换，以达到所需的干燥效果。举例而言，当本发明的干燥方法应用于装载基板的载具(例如晶圆盒)作为被干燥物100时，不同于上述本发明一实施例之处尤其在于，所执行的干燥方法的高温气体加压步骤S70中，该被干燥物100的表面温度通过高温的气体加热而增加至30-80℃，并且该高温气体加压步骤至该压力回复步骤的期间该处理槽内部维持在30-80℃，其它例如各步骤的循环次数、加压与降压等参数设定同样依被干燥物的数量或设备等来调整变换。
以下参照图2再进一步详细说明应用上述本发明一实施例的干燥装置的各种实施方式。
在本实施例中，该处理槽10上设置有加热装置11，用以维持该处理槽10内的温度或使该处理槽10内的温度上升；该加热装置11可环绕地设置于该处理槽10侧壁或为一贴附式桶状加热器，而可提供该处理槽10均匀的加热，并在执行该干燥方法的过程中使该处理槽10的内部维持高温环境。
此外，如图2所示，该干燥装置1另可进一步包含一预处理槽，该预处理槽60通过一输送单元61与该处理槽10连接，以使该被干燥物100由该预处理槽60输送至该处理槽10，该预处理槽60可用于装载清洗液或化学药剂，以进行例如另一实施例的预处理步骤S11或预干燥步骤S12，而在执行该预处理步骤S11或该预干燥步骤S12并离开该预处理槽60之后，再通过该输送单元61将该被干燥物100输送至该处理槽10，接着进行后续的该高温气体加压步骤S20至该压力回复步骤S70。
或者，该处理槽10内可进一步包含一预处理槽60，即该预处理槽60是容置于该处理槽10的容置空间中(图未示)，相同于上述，该预处理槽60可用于装载清洗液或化学药剂，以进行例如另一实施例的预处理步骤S11或预干燥步骤S12，而在执行该预处理步骤S11或该预干燥步骤S12并离开该预处理槽60之后，再进行后续的该高温气体加压步骤S20至该压力回复步骤S70。
另外，该处理槽10内可设置有量测装置12，用以量测处理槽内的温度、压力或湿度，借以监控该处理槽10内的环境状态。
本实施例的干燥装置1中，该气体供应单元20通过一气体管路21连接该处理槽10，该气体管路21上设置有控制阀22、气体过滤器23及流量控制器24的至少其中一个，该控制阀22用于开启或关闭气体的流通，该气体过滤器23用于过滤该气体供应单元20所输出的气体，该流量控制器24用于控制该气体管路21中气体的流量，以控制输入该处理槽10中的气体流率。其中，该气体供应单元20所供应的气体为氮气或洁净气体。
本实施例的干燥装置1中，该气体加热单元30可为电热式气体加热器或红外线加热器，以使提供至该处理槽10内的气体通过该电热式气体加热器或红外线加热器加热。
本实施例的干燥装置1中，该降压单元40具有分别连接该处理槽10的排气阀41及用于抽气的真空装置42，以降低该处理槽10内部气压，其中，该真空装置42可包含一真空阀44及一真空泵43，用以抽取该处理槽10内部的气体以达成降压。
请同时图2及图3，本实施例的干燥装置1中，该主控计算机设备50电性连接该气体供应单元20、该气体加热单元30及该降压单元40，并还可电性连接例如该处理槽10上的加热装置11、该预处理槽60、该输送单元61或气体管路21上的控制阀22、气体过滤器23及流量控制器24等，用以达成干燥装置1中每一个运作的单元的控制而利于自动化整合；并且，该主控计算机设备50接收该差压循环设定T1、该总循环设定T2及/或该结束循环设定T3来进行干燥流程中运作的单元的控制，借以完成被干燥物100的干燥流程。
综上所述，本发明的这些实施例的干燥方法及干燥装置相较于现有技术可大幅降低有机溶剂的使用量，并可避免如旋转干燥法造成的机械应力的产生，尤其是，本发明中这些实施例还可达成快速干燥的目的而大幅缩短了工艺所需时间，并使工艺中的被干燥物可维持高洁净度。
本发明在上文中已以较佳实施例公开，然而本领域的技术人员应理解的是，该实施例仅用于描绘本发明，而不应解读为限制本发明的范围。应注意的是，举凡与该实施例等效的变化与置换，均应设为涵盖于本发明的范畴内。因此，本发明的保护范围当以权利要求所界定者为准。
Claims (21)
1.一种干燥方法，用于根据一差压循环设定及一总循环设定来干燥一处理槽中的一被干燥物，该干燥方法包含以下步骤：
高温气体加压步骤，提供高温的气体至该处理槽中，以使该处理槽内的压力大于760托，并通过该高温气体加热该被干燥物；
降压步骤，开启连接该处理槽的一排气阀以使该处理槽内的压力降低；
差压循环判断步骤，根据该差压循环设定以依序地执行该高温气体加压步骤及该降压步骤至少一次以上；
低压干燥步骤，开启连接该处理槽的一真空装置以使该处理槽内的压力降低至180托以下；
压力回复步骤，填充气体至该处理槽中，以使该处理槽内的压力回升；及
总循环判断步骤，根据该总循环设定依序执行该高温气体加压步骤至该压力回复步骤至少一次以上。
2.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，在该高温气体加压步骤中，该处理槽内的压力增加至大于760托且小于等于1460托的范围。
3.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，在该低压干燥步骤中，该处理槽内的压力降低至0.1-180托。
4.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，在该高温气体加压步骤中，该被干燥物的表面温度增加至30-160℃。
5.如权利要求4所述的干燥方法，其特征在于，在该高温气体加压步骤至该压力回复步骤的期间，该处理槽内部维持在30-160℃。
6.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，在该高温气体加压步骤中，该被干燥物的表面温度增加至30-80℃。
7.如权利要求6所述的干燥方法，其特征在于，在该高温气体加压步骤至该压力回复步骤的期间，该处理槽内部维持在30-80℃。
8.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，该差压循环判断步骤后还包含：结束循环判断步骤,其是当该总循环设定为二次以上时，根据一结束循环设定判断是否结束。
9.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，该高温气体加压步骤前还包含：预处理步骤，其是通过HFlast或SC1工艺在一预处理槽中进行该被干燥物的洗净，其中该被干燥物为基板。
10.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，在该高温气体加压步骤前还包含：预干燥步骤,其是通过将该被干燥物浸泡于一预处理槽的清洗液中再利用马兰哥尼效应使该被干燥物表面的液体去除,其中该被干燥物为基板。
11.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，该差压循环设定为该高温气体加压步骤及该降压步骤依序循环执行二次。
12.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，该气体为氮气。
13.如权利要求1所述的干燥方法，其特征在于，该气体是通过气体加热器或红外线加热器加热。
14.一种干燥装置，用于执行如权利要求1至13中任一项所述的干燥方法，其特征在于，该干燥装置包含：
处理槽，具有用于容置该被干燥物的容置空间；
气体供应单元，连接该处理槽，用于提供气体至该处理槽中；
气体加热单元，连接该气体供应单元,用以加热供应至该处理槽的气体；
降压单元，具有分别连接该处理槽的排气阀及用于抽气的真空装置，以降低该处理槽内部气压；及
主控计算机设备,其电性连接该气体供应单元、该气体加热单元及该降压单元,该主控计算机设备接收该差压循环设定及该总循环设定来控制该气体供应单元、该气体加热单元及该降压单元。
15.如权利要求14所述的干燥装置，其特征在于，该处理槽上设置有加热装置，用以维持该处理槽内的温度或使该处理槽内的温度上升。
16.如权利要求15所述的干燥装置，其特征在于，该加热装置与该主控计算机设备电性连接。
17.如权利要求14所述的干燥装置，其特征在于，该处理槽内另包含一预处理槽。
18.如权利要求14所述的干燥装置，其特征在于，该干燥装置另包含一预处理槽,其通过一输送单元与该处理槽连接,以使该被干燥物由该预处理槽输送至该处理槽。
19.如权利要求14所述的干燥装置，其特征在于，该处理槽内设置有量测装置,该量测装置与该主控计算机设备电性连接,以量测或记录该处理槽内的温度、压力及湿度的至少其中一个。
20.如权利要求14所述的干燥装置，其特征在于，该气体供应单元通过一气体管路连接该处理槽,该气体管路上设置有控制阀、气体过滤器及流量控制器的至少其中一个。
21.如权利要求14所述的干燥装置，其特征在于，该气体加热单元为电热式气体加热器或红外线加热器。
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|---|---|---|---|---|
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