KR102046973B1 - 기판의 세정방법 및 세정장치 - Google Patents

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Abstract

본 발명의 일 실시예는, 용매에 열반응성 고분자 수지가 포함된 액상의 세정액을 기판에 공급하는 단계; 액상의 세정액을 제1열처리를 통해 겔화함으로써 파티클을 트랩하는 단계; 파티클을 트랩한 겔 상태의 세정액을 제2열처리를 통해 액화하는 단계; 액화된 세정액에 린스액을 공급하여 세정액 및 파티클을 제거하는 단계;를 포함하는 기판의 세정방법을 제공한다.

Description

기판의 세정방법 및 세정장치{METHOD AND APPARATUS FOR SUBSTRATE CLEANING}
본 발명은 기판의 세정방법 및 세정장치에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 열반응성 고분자를 이용하여 기판에 부착된 파티클을 제거하는 방법 및 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체, 디스플레이 등의 전자 소자는 박막 형성, 포토레지스트 패턴 형성, 식각 및 세정 등의 단위 공정을 수행하여 제조된다. 반도체 소자를 제조하기 위한 단위 공정들을 진행할 경우, 웨이퍼 등의 기판 표면이나 패턴에는 파티클이 흡착될 수 있다.
이에 따라 기판에 부착된 파티클을 제거하기 위한 다양한 세정방법이 제안되어 있다.
예를 들어, 도 1 및 도 2에는 한국공개특허 제10-2015-0055591호의 기판 세정 방법이 도시되어 있다.
이와 같은 종래 기술은 휘발 성분이 포함된 성막 처리액을 기판(10)에 공급하고, 고온으로 가열하여 성막액에 포함된 휘발 성분을 휘발시킨다. 이 과정에서 성막액이 고화 또는 경화되면서 기판 표면에 부착된 파티클이 포획된다.
그 다음 박리 처리액을 공급하여 고화 또는 경화된 성막액을 기판 표면에서 박리시킨 다음, 용해 처리액을 공급하여 성막액을 용해시킨 후 린스 처리를 통해 제거한다. 이 과정에서 성막액에 포획된 파티클도 함께 제거된다.
그러나, 이러한 종래기술은 성막액의 고화 또는 경화를 위한 휘발을 위해 100℃ 이상의 고온이 필요한 문제가 있다.
또한, 성막층을 제거하기 위해서는 박리 처리액 및 용해 처리액을 공급하는 공정이 필요하므로, 공정이 복잡하고 고가의 재료가 사용되는 문제가 있다. 더욱이 세정 공정 후에 세정 챔버로부터 배출되는 배출액은 성막 처리액, 박리 처리액 및 용해 처리액이 혼합된 상태가 되고, 통상 용해 처리액이 성막 처리액 내의 폴리머 네트워크를 끊어버리므로, 성막액의 재사용이 어려운 단점이 있다.
또한, 용해 처리액으로 알칼리성 액체를 사용하는 경우 기판(10)에 형성된 금속 패턴(2) 등 하지막이 손상될 수 있는 등의 문제점이 있다.
이외에도 한국등록특허 제1376911호에는 고체 성분이 분산된 점성액을 세정액으로 도포하고, 고체 성분과 기판 오염 물질 사이의 상호 작용에 의해 오염 물질을 제거하는 기술이 개시되어 있다. 그러나 이 기술은 세정액에 포함된 고체 성분이 기판 상의 오염 물질과 물리적으로 상호 작용하여 오염 물질이 제거되도록 하는 것이므로 패턴이 형성된 웨이퍼에 적용이 어렵고, 점성액을 기판에 공급하는 것이 쉽지 않을 뿐만 아니라, 세정이 완료된 후 점성액을 기판으로부터 완벽히 제거하는 것이 어려워 잔류물이 남게 되는 문제가 있다.
한국공개특허 10-2015-0055591호 한국등록특허 제1376911호
본 발명은 기판에 대한 세정 공정을 단순화할 수 있는 기판의 세정방법 및 세정장치를 제공한다.
또한, 본 발명은 패턴이 적용된 기판에도 적용하여 패턴의 손상을 방지할 수 있는 기판의 세정방법 및 세정장치를 제공한다.
본 발명의 목적은 전술한 바에 제한되지 않으며, 언급되지 않은 본 발명의 다른 목적 및 장점들은 하기의 설명에 의해서 이해될 수 있다.
본 발명의 실시예에 의한 기판의 세정방법은, 용매에 열반응성 고분자 수지가 포함된 액상의 세정액을 기판에 공급하는 단계; 액상의 세정액을 제1열처리를 통해 겔화함으로써 파티클을 트랩하는 단계; 파티클을 트랩한 겔 상태의 세정액을 제2열처리를 통해 액화하는 단계; 액화된 세정액에 린스액을 공급하여 세정액 및 파티클을 제거하는 단계;를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 열반응성 고분자 수지는 졸-겔 전이(sol-gel transition) 온도 이상으로 가열 시 겔화되고 졸-겔 전이 온도 이하로 냉각 시 액화될 수 있다.
예를 들면, 상기 열반응성 고분자 수지는 Poly(N-isopropylacrylamide), Poly(N, N-diethylacrylamide), Poly(N-ethylmethacylamide), Poly(methyl vinyl ether), Poly(2-ethoxyethyl vinyl ether), Poly(N-vinylcaprolactam), Poly(N-vinylisobutyramide), Poly(N-N-vinyl-n-butyramide), Poly(dimethylaminoethyl methacrylate), Poly(N-(L)-(1-hydroxymethyl) propyl methacrylamide, Poly(ethylene glycol)/(poly(lactide-co-glicolide), Polyoxyethylene-polyoxypropylene, polyoxyethylene-polyoxypropylene-polyoxyethylene, Poly(ethylene glycol)-poly(lactic acid)-poly(ethylene glycol) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 열반응성 고분자 수지는 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열 시 액화되고 졸-겔 전이 온도 이하로 냉각 시 겔화될 수 있다.
예를 들면, 상기 열반응성 고분자 수지는 Gelatin, Poly(N-acryloylglycinamide), Poly(acrylamide-co-acrylonitrile), Poly(methacrylamide), Poly(acrylic acid), Poly(allylamine-co-allylurea), Poly(ethylene oxide), Poly(vinylmethylether), Poly(hydroxyethyl methacrylate), N-vinylimidazole, 1-vinyl-2-(hydroxylmethyl)imidazole 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 열반응성 고분자 수지의 졸-겔 전이 온도는 20℃~60℃의 범위일 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 세정액의 용매는 극성 양자성 용매(Polar Protic Solvent)일 수 있다.
예를 들면, 상기 세정액의 용매는 Water, Methanol, Ethanol, IPA, Acetic acid 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 린스액은 세정액의 용매와 동일한 용매가 적용될 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 세정액과 린스액이 혼합된 배출액을 필터링한 후 세정액으로 재활용하는 단계를 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에서, 상기 필터링된 용액으로부터 용제를 증발시켜 세정액의 농도를 조절하거나 또는 상기 필터링된 용액에 열반응성 고분자 수지를 첨가하여 세정액의 농도를 조절하는 단계를 더 포함할 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 장치는, 기판에 부착된 파티클을 제거하기 위한 기판 처리 장치로서, 용매에 열반응성 고분자 수지가 포함된 액상의 세정액을 기판에 공급하는 세정액 공급 수단; 상기 기판에 공급된 세정액을 제1 열처리를 통해 겔화시키기 위한 제1 열처리 수단; 상기 겔화된 세정액을 제2 열처리를 통해 다시 액화시키기 위한 제2 열처리 수단; 및 상기 기판에 린스액을 공급하여 상기 액화된 세정액을 제거하기 위한 린스액 공급 수단을 포함할 수 있다.
이때, 상기 열반응성 고분자 수지가 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열 시 겔화되고 졸-겔 전이 온도 이하로 냉각 시 액화되는 물질인 경우, 상기 제1 열처리 수단은 가열 수단이고 상기 제2 열처리 수단은 냉각 수단일 수 있다.
또는 상기 열반응성 고분자 수지가 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열 시 액화되고 졸-겔 전이 온도 이하로 냉각 시 겔화되는 물질인 경우, 상기 제1 열처리 수단은 냉각 수단이고, 상기 제2 열처리 수단은 가열 수단일 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 장치는, 세정 후 배출되는 배출액을 필터링하여 파티클을 제거하는 필터링 수단 및 상기 필터링한 용액을 세정액으로 재사용할 수 있도록 농도를 조절하는 농도 조절 수단을 더 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 따르면, 액상의 세정액을 기판에 공급하고, 열처리를 통해 세정액을 겔 상태로 전이하여 기판에 부착된 파티클을 트랩한 후 린스액으로 제거함으로써 세정 효율을 높일 수 있다. 더욱이 세정공정이 단순화되고, 세정액을 액상으로 공급하므로 세정액의 공급이 용이하다.
또한, 본 발명의 실시예는 물리적 세정이 아니므로 패턴이 형성된 기판에도 충분히 적용 가능하며, 패턴의 손상을 방지할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 파티클을 트랩하기 위해 겔화된 세정액을 다시 액화한 후 린스하므로 세정 후 파티클이 기판에 잔류하는 것을 최소화할 수 있다.
또한, 본 발명의 실시예에 따르면, 린스액으로서 세정액에 사용된 용매를 사용하는 경우 세정 후 배출되는 용액은 농도가 낮은 세정액이 되므로, 필터링을 통해 파티클만 제거한 후 농도조절 공정(폴리머 추가, 용액 증발 등)을 거쳐 세정액으로 재사용함으로써 공정 비용을 절감할 수 있다.
본 발명의 효과는 상기한 효과로 한정되는 것은 아니며, 본 발명의 상세한 설명 또는 특허청구범위에 기재된 발명의 구성으로부터 추론 가능한 모든 효과를 포함하는 것으로 이해되어야 한다.
도 1은 종래 기술에 의한 기판의 세정방법을 도시한 개략도이다.
도 2는 종래 기술에 의한 기판의 세정방법을 도시한 흐름도이다.
도 3은 본 발명의 제1실시예에 의한 기판의 세정방법을 도시한 개략도이다.
도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판의 세정방법을 도시한 흐름도이다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 의한 기판의 세정방법을 도시한 흐름도이다.
이하, 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시예에 대하여 상세히 설명한다. 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시예에 한정되지 않는다.
또한, 어떤 부분이 어떤 구성요소를 "포함"한다고 할 때, 이는 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있는 것을 의미한다. 여기서 사용되는 전문 용어는 단지 특정 실시 예를 언급하기 위한 것이며, 본 발명을 한정하도록 의도되지 않으며, 본 명세서에서 다르게 정의되지 않는 한 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에 의해 이해되는 개념으로 해석될 수 있다.
도 3 및 도 4는 본 발명의 제1실시예에 의한 기판의 세정방법을 도시한 것이다.
도 3 및 도 4를 참고하면, 제1실시예에 의한 기판의 세정방법은 기판 반입 단계(S10), 세정액 공급 단계(S20), 세정액 열처리 단계(S30), 린스 단계(S40), 건조 단계(S50), 기판 반출 단계(S60)를 포함한다.
기판 반입 단계(S10)에서는, 기판(10)을 공정챔버 내로 반송한다. 예컨대, 기판(10)은 기판 반송장치에 의해 이송되어 세정공정이 진행되는 세정챔버로 이송될 수 있다.
세정챔버 내에는 기판(10)이 안착되어 소정 속도로 회전하는 스핀척이 구비될 수 있고, 기판(10)은 패턴(11)이 형성된 면이 상측 방향을 향하도록 스핀척에 배치될 수 있다.
세정액 공급 단계(S20)에서는, 세정챔버로 이송된 기판에 세정액을 공급한다. 세정액은 세정챔버의 상부에 배치된 노즐로부터 패턴이 형성된 기판의 일면에 공급될 수 있다. 이때, 기판은 스핀척 등의 회전에 의해 소정 속도로 회전할 수 있고, 기판에 공급된 세정액은 기판의 회전에 수반되는 원심력에 의해 기판의 상면에 확산됨으로써 패턴들 간의 간극에도 고르게 도포될 수 있다.
제1실시예에서, 세정액은 용매에 열반응성 고분자 수지가 포함된 용액이 이용된다. 이때, 세정액의 용매는 높은 유전상수(High Dielectric Constant)와 높은 극성을 갖는 극성 양자성 용매(Polar Protic Solvent)가 적용될 수 있다. 예컨대, 용매로는 Water, Methanol, Ethanol, IPA, Acetic acid 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
한편, 제1실시예에 적용되는 열반응성 고분자 수지는 20℃~60℃ 범위의 비교적 낮은 졸-겔 전이(sol-gel transition) 온도를 갖는 고분자 수지가 적용될 수 있다. 따라서, 기판에 공급된 세정액은 비교적 낮은 온도에서 가열 또는 냉각 등의 열처리를 통해 겔(Gel) 상태로 전이될 수 있다.
이때, 열반응성 고분자 수지는 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열 시 겔화되고 졸-겔 전이 온도 이하로 냉각 시 액화되는 고분자 수지일 수 있다.
예컨대, 열반응성 고분자 수지는 Poly(N-isopropylacrylamide), Poly(N, N-diethylacrylamide), Poly(N-ethylmethacylamide), Poly(methyl vinyl ether), Poly(2-ethoxyethyl vinyl ether), Poly(N-vinylcaprolactam), Poly(N-vinylisobutyramide), Poly(N-N-vinyl-n-butyramide), Poly(dimethylaminoethyl methacrylate), Poly(N-(L)-(1-hydroxymethyl) propyl methacrylamide, Poly(ethylene glycol)/(poly(lactide-co-glicolide), Polyoxyethylene-polyoxypropylene, polyoxyethylene-polyoxypropylene-polyoxyethylene, Poly(ethylene glycol)-poly(lactic acid)-poly(ethylene glycol) 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
또한, 열반응성 고분자 수지는 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열 시 액화되고 졸-겔 전이 온도 이하로 냉각 시 겔화되는 고분자 수지일 수 있다.
예컨대, 열반응성 고분자 수지는 Gelatin, Poly(N-acryloylglycinamide), Poly(acrylamide-co-acrylonitrile), Poly(methacrylamide), Poly(acrylic acid), Poly(allylamine-co-allylurea), Poly(ethylene oxide), Poly(vinylmethylether), Poly(hydroxyethyl methacrylate), N-vinylimidazole, 1-vinyl-2-(hydroxylmethyl)imidazole 중 적어도 하나를 포함할 수 있다.
세정액 열처리 단계(S30)는 세정액을 겔화하는 제1열처리 단계(S31) 및 겔 상태의 세정액을 액화하는 제2열처리 단계(S32)로 구분될 수 있다.
세정액 열처리 단계(S30) 중 제1열처리 단계(S31)에서는, 기판에 공급된 세정액을 열처리를 통해 세정액을 겔(Gel) 상태로 형성한다.
세정액이 겔 상태로 전이되면 그 체적이 변화하게 되며, 이에 따라 전이된 세정물질은 기판 표면에 부착된 파티클(P)을 트랩하게 된다.
예를 들어, 제1실시예의 세정액에 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열을 함으로써 액상에서 겔 상태로 전이되는 열반응성 고분자가 적용될 경우, 기판에 열반응성 고분자를 포함한 액상의 세정액을 도포하고, 열반응성 고분자 용액의 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열하면 열반응성 고분자 용액은 액상에서 겔 상태가 된다.
열반응성 고분자 용액이 겔화되면, 겔 상태의 세정액은 기판에 부착된 파티클을 트랩하게 된다. 따라서 파티클은 기판의 표면이나 패턴으로부터 분리될 수 있다.
세정액 열처리 단계(S30) 중 제2열처리 단계(S32)에서는, 겔 상태로 전이된 세정액을 열처리를 통해 다시 액화시킨다.
제2열처리 단계(S32)를 통해 겔 상태의 세정액을 액화시키면, 이후 단계인 린스 단계에서 기판의 표면으로부터 세정액을 제거하는 것이 보다 용이해진다.
린스 단계(S40)는, 기판에 린스액을 공급해 세정액 및 파티클을 기판 표면에서 제거하는 단계로, 세정액과 린스액이 혼합된 배출액은 배수라인을 통해 세정챔버 외부로 배출된다.
린스 단계(S40) 이후에는 기판의 건조 단계(S50)를 진행하여 기판을 건조시킨 후 세정챔버 외부로 반출할 수 있다. 기판의 건조 단계(S50)에서는 기판의 회전 속도를 증가시켜 기판에 잔존하는 린스액을 건조할 수 있다.
이와 같이 본 발명은 비교적 저온에서 액상에서 겔 상태로 전이하는 용액을 세정액으로 사용하므로, 고화 또는 경화를 위한 고온 가열 공정 없이도 파티클을 효과적으로 제거할 수 있다.
또한, 세정액은 액체 상태에서 기판에 공급되므로 세정액 공급이 용이하고, 겔화된 세정액을 다시 액화시킨 후 린스액을 이용하여 제거하므로 고가의 박리 처리액이나 용해 처리액이 불필요하고 기판 표면에 폴리머가 잔류하는 문제가 없다.
또한, 세정액이 겔화되는 과정에서 파티클이 트랩되므로, 세정 과정에서 기판에 형성된 패턴이 손상되는 문제가 최소화되는 효과가 있다.
도 5는 본 발명의 제2실시예에 의한 기판의 세정방법을 도시한 것이다.
도 5를 참고하면, 제2실시예에 의한 기판의 세정방법은 기판 반입 단계(S10), 세정액 공급 단계(S20), 세정액 열처리 단계(S30), 린스 단계(S40), 건조 단계(S50), 기판 반출 단계(S60), 용액 재사용 단계(S70)를 포함한다.
즉, 제2실시예에 의한 기판의 세정방법은 제1실시예에 의한 기판의 세정방법과 유사하지만, 제2실시예에 의한 기판의 세정방법은 용액 재사용 단계를 더 포함한다. 따라서, 이하에서는 제1실시예에 의한 기판의 세정방법과 유사한 구성에 대해서는 상세한 설명은 생략한다.
용액 재사용 단계(S70)는 이물질을 필터링(S71)한 세정액을 재사용하기 위한 것이다.
즉, 겔 상태에서 기판에 부착된 파티클을 트랩한 세정액은 다시 액화된 후 린스액과 함께 배출액으로서 배수라인을 통해 배출된다. 이때, 린스액이 세정액의 용매와 동일한 용액이 사용될 경우, 린스액은 열반응성 고분자 수지를 제외하면 세정액과 동일한 성분을 가질 수 있다. 즉, 배수라인을 통해 배출되는 배출액을 필터링하여 파티클을 제거하면, 초기에 공급된 세정액의 희석된 성분과 동일하게 된다. 따라서, 세정공정에 요구되는 세정액의 농도를 조절하는 단계(S72)를 거치면 배수라인 및 필터를 통과한 용액은 세정액으로 재사용이 가능하다.
이때, 세정액의 농도를 조절하는 방법으로는, 필터링된 용액으로부터 용제를 증발시켜 세정액의 농도를 조절하거나, 또는 필터링된 용액에 열반응성 고분자 수지를 첨가하여 세정액의 농도를 조절할 수 있다.
이와 같이 본 발명의 실시예는, 세정액에 사용된 용매와 동일한 성분의 린스액을 사용하는 경우 기판의 세정 후 배수라인으로 배출되는 용액은 농도가 낮은 세정액이 되므로, 필터링을 통해 파티클만 제거한 후 농도조절 공정(폴리머 추가, 용액 증발 등)을 거쳐 세정액으로 재사용함으로써 공정 비용을 절감할 수 있다.
본 발명의 실시예들에 따른 기판의 세정 방법을 수행하기 위한 기판 처리 장치는, 용매에 열반응성 고분자 수지가 포함된 액상의 세정액을 기판에 공급하는 세정액 공급 수단, 상기 기판에 공급된 세정액을 제1 열처리를 통해 겔화시키기 위한 제1 열처리 수단, 상기 겔화된 세정액을 제2 열처리를 통해 다시 액화시키기 위한 제2 열처리 수단 및 상기 기판에 린스액을 공급하여 상기 액화된 세정액을 제거하기 위한 린스액 공급 수단을 포함하여 구성할 수 있다.
이때 열반응성 고분자 수지가 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열 시 겔화되고 졸-겔 전이 온도 이하로 냉각 시 액화되는 물질인 경우, 상기 제1 열처리 수단은 가열 수단이고, 상기 제2 열처리 수단은 냉각 수단일 수 있다. 반대로, 상기 열반응성 고분자 수지가 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열 시 액화되고 졸-겔 전이 온도 이하로 냉각 시 겔화되는 물질인 경우에는, 상기 제1 열처리 수단은 냉각 수단이고, 상기 제2 열처리 수단은 가열 수단일 수 있다.
가열 수단과 냉각 수단은 기판이 재치되는 재치대에 구비되는 히터, 냉매 유로 등일 수 있고, 또는 기판 상면으로 온도가 조절된 기체를 공급하는 수단일 수 있으나, 이에 한정되지 않는 다양한 수단일 수 있다. 경우에 따라, 가열 수단과 냉각 수단은 가열과 냉각 기능을 모두 수행할 수 있는 하나의 수단으로 구성될 수 있다.
또한, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는, 세정 후 배출되는 배출액을 필터링하여 파티클을 제거하는 필터링 수단과, 상기 필터링한 용액을 세정액으로 재사용할 수 있도록 농도를 조절하는 농도 조절 수단을 더 포함하여 구성될 수 있다.
본 발명이 속하는 기술 분야의 당업자는 본 발명이 그 기술적 사상이나 필수적 특징을 변경하지 않고서 다른 구체적인 형태로 실시될 수 있으므로, 이상에서 기술한 실시 예들은 모든 면에서 예시적인 것이며 한정적인 것이 아닌 것으로서 이해해야만 한다.
본 발명의 범위는 상세한 설명보다는 후술하는 특허청구범위에 의하여 나타내어지며, 특허청구범위의 의미 및 범위 그리고 그 등가개념으로부터 도출되는 모든 변경 또는 변형된 형태가 본 발명의 범위에 포함되는 것으로 해석되어야 한다.
10; 기판
11; 패턴
P; 파티클

Claims (16)

  1. 용매에 열반응성 고분자 수지가 포함된 액상의 세정액을 기판에 공급하는 단계;
    액상의 세정액을 제1열처리를 통해 겔화함으로써 파티클을 트랩하는 단계;
    파티클을 트랩한 겔 상태의 세정액을 제2열처리를 통해 액화하는 단계; 및
    액화된 세정액을 린스액을 공급하여 제거하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 열반응성 고분자 수지는 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열 시 겔화되고 졸-겔 전이 온도 이하로 냉각 시 액화되는 기판의 세정방법.
  2. 삭제
  3. 제1항에 있어서,
    상기 열반응성 고분자 수지는 Poly(N-isopropylacrylamide), Poly(N, N-diethylacrylamide), Poly(N-ethylmethacylamide), Poly(methyl vinyl ether), Poly(2-ethoxyethyl vinyl ether), Poly(N-vinylcaprolactam), Poly(N-vinylisobutyramide), Poly(N-N-vinyl-n-butyramide), Poly(dimethylaminoethyl methacrylate), Poly(N-(L)-(1-hydroxymethyl) propyl methacrylamide, Poly(ethylene glycol)/poly(lactide-co-glicolide), Polyoxyethylene-polyoxypropylene, polyoxyethylene-polyoxypropylene-polyoxyethylene, Poly(ethylene glycol)-poly(lactic acid)-poly(ethylene glycol) 중 적어도 하나를 포함하는 기판의 세정방법.
  4. 용매에 열반응성 고분자 수지가 포함된 액상의 세정액을 기판에 공급하는 단계;
    액상의 세정액을 제1열처리를 통해 겔화함으로써 파티클을 트랩하는 단계;
    파티클을 트랩한 겔 상태의 세정액을 제2열처리를 통해 액화하는 단계; 및
    액화된 세정액을 린스액을 공급하여 제거하는 단계;
    를 포함하고,
    상기 열반응성 고분자 수지는 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열 시 액화되고 졸-겔 전이 온도 이하로 냉각 시 겔화되는 기판의 세정방법.
  5. 제4항에 있어서,
    상기 열반응성 고분자 수지는 Gelatin, Poly(N-acryloylglycinamide), Poly(acrylamide-co-acrylonitrile), Poly(methacrylamide), Poly(acrylic acid), Poly(allylamine-co-allylurea), Poly(ethylene oxide), Poly(vinylmethylether), Poly(hydroxyethyl methacrylate), N-vinylimidazole, 1-vinyl-2-(hydroxylmethyl)imidazole 중 적어도 하나를 포함하는 기판의 세정방법.
  6. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 열반응성 고분자 수지의 졸-겔 전이 온도는 20℃~60℃의 범위인 기판의 세정방법.
  7. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 세정액의 용매는 극성 양자성 용매(Polar Protic Solvent)인 기판의 세정방법.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 세정액의 용매는 Water, Methanol, Ethanol, IPA, Acetic acid 중 적어도 하나를 포함하는 기판의 세정방법.
  9. 제1항 또는 제4항에 있어서,
    상기 린스액은 세정액의 용매와 동일한 성분이 적용되는 기판의 세정방법.
  10. 제9항에 있어서,
    세정액과 린스액이 혼합된 배출액을 필터링한 후 세정액으로 재활용하는 단계를 더 포함하는 기판의 세정방법.
  11. 제10항에 있어서,
    상기 필터링한 용액의 농도를 조절하는 단계를 더 포함하는 기판의 세정방법.
  12. 제11항에 있어서,
    상기 필터링한 용액의 농도를 조절하는 단계는,
    상기 필터링한 용액으로부터 용제를 증발시키거나, 또는 상기 필터링한 용액에 열반응성 고분자 수지를 첨가하는 것인 기판의 세정방법.
  13. 기판에 부착된 파티클을 제거하기 위한 기판 처리 장치로서,
    용매에 열반응성 고분자 수지가 포함된 액상의 세정액을 기판에 공급하는 세정액 공급 수단;
    상기 기판에 공급된 세정액을 제1 열처리를 통해 겔화시키기 위한 제1 열처리 수단;
    상기 겔화된 세정액을 제2 열처리를 통해 다시 액화시키기 위한 제2 열처리 수단;
    상기 기판에 린스액을 공급하여 상기 액화된 세정액을 제거하기 위한 린스액 공급 수단;
    을 포함하고,
    상기 열반응성 고분자 수지는 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열 시 겔화되고 졸-겔 전이 온도 이하로 냉각 시 액화되는 물질이고, 상기 제1 열처리 수단은 가열 수단이고, 상기 제2 열처리 수단은 냉각 수단이거나, 또는
    상기 열반응성 고분자 수지는 졸-겔 전이 온도 이상으로 가열 시 액화되고 졸-겔 전이 온도 이하로 냉각 시 겔화되는 물질이고, 상기 제1 열처리 수단은 냉각 수단이고, 상기 제2 열처리 수단은 가열 수단인 것을 특징으로 하는 기판 처리 장치.
  14. 삭제
  15. 삭제
  16. 제13항에 있어서,
    세정 후 배출되는 배출액을 필터링하여 파티클을 제거하는 필터링 수단;
    상기 필터링한 용액을 세정액으로 재사용할 수 있도록 농도를 조절하는 농도 조절 수단;
    을 더 포함하는 기판 처리 장치.
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