JP2003218097A

JP2003218097A - 基板処理装置

Info

Publication number: JP2003218097A
Application number: JP2002011530A
Authority: JP
Inventors: Tetsuro Yamashita; 哲朗山下
Original assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Current assignee: Dainippon Screen Manufacturing Co Ltd
Priority date: 2002-01-21
Filing date: 2002-01-21
Publication date: 2003-07-31

Abstract

(57)【要約】【課題】端縁部から樹脂膜を除去した後にリンス液を
迅速に乾燥させてスループットの低下を抑制できるとと
もに、滲み出しのない良好な樹脂膜除去処理を行うこと
ができる基板処理装置を提供する。【解決手段】塗布ノズル１０から樹脂を溶媒に溶かし
た樹脂液が基板Ｗに吐出され、基板Ｗが回転されて樹脂
膜が成膜される。次に、リンスノズル２０から基板Ｗの
端縁部に樹脂膜の溶剤がリンス液として吐出されＥＢＲ
処理が行われる。その後、基板Ｗがさらに回転されて、
リンス液が乾燥される。リンス液を樹脂液の溶媒よりも
低沸点のものにするとともに、リンス液の乾燥処理時の
基板回転数をＥＢＲ処理時の基板の回転数よりも低くし
ている。このため、リンス液を迅速に乾燥させつつも、
遠心力を小さくして樹脂膜からの滲み出しを防止するこ
とができる。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体基板、液晶
表示装置用ガラス基板、フォトマスク用ガラス基板、光
ディスク用基板等（以下、単に「基板」と称する）の表
面に樹脂膜、例えばＳｉＬＫ（登録商標）の膜やポリイ
ミド膜を形成するとともに、該基板の端縁部にリンス液
を吐出して該端縁部の樹脂膜を除去する基板処理装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】従来より半導体デバイス等を製造する処
理工程においては、種々の目的にて基板の表面に樹脂膜
が形成される。例えば、層間絶縁のための低誘電率膜と
してガラス系材料を用いた無機絶縁膜や有機樹脂材料を
用いた有機絶縁膜が基板表面に形成される。また、有機
絶縁膜の一種であるポリイミド膜は基板表面の保護のた
めにも使用される。

【０００３】一般にこのような樹脂膜は、樹脂を溶媒に
溶かした溶液（樹脂液）を基板の表面に吐出し、該基板
を回転させて基板表面に樹脂液を均一に塗布して塗布膜
を形成するとともに、その塗布膜を基板の回転により乾
燥させて成膜されるものである。樹脂膜が形成された基
板を搬送したり位置決めしたりするときに基板の端縁部
と搬送アーム等とが接触して膜が削られて発塵するおそ
れがある。このため、従来より表面に樹脂膜が形成され
た基板の端縁部にその樹脂膜の溶剤をリンス液として供
給して該端縁部から樹脂膜を除去するＥＢＲ（Edge Bea
d Remover）処理が行われている。一般に半導体基板等
のＥＢＲ処理では、表面に樹脂膜が形成された基板を回
転させつつ、吐出ノズルからその基板の端縁部へのリン
ス液吐出が行われ、さらに樹脂膜が除去された後も基板
を回転させてリンス液をスピン乾燥させる。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】ところで、樹脂膜を成
膜する際に、基板の径が２００ｍｍ以下の場合には、樹
脂液が吐出された基板を３０００ｒｐｍ以上の高い回転
数にて回転させて塗布膜の形成・乾燥を行っていた。そ
して、高速回転によって完全に乾燥された樹脂膜が形成
された基板に対してＥＢＲ処理を行っていた。

【０００５】しかし、近年導入されつつあるφ３００ｍ
ｍの基板を３０００ｒｐｍで回転させると、風の流れの
乱れに起因したムラ（風切り跡）が発生するため、φ３
００ｍｍの基板では成膜時の回転数を２０００ｒｐｍ以
下としていた。２０００ｒｐｍ以下の回転数では塗布膜
に含まれる樹脂の溶媒を十分に揮発させるのに相当の長
時間を要するため、φ２００ｍｍの基板に比較してφ３
００ｍｍの基板の成膜のスループットは大幅に低下する
こととなる。このため、φ３００ｍｍの基板では後工程
に支障のない程度にまで塗布膜を乾燥させた時点で成膜
処理を終了し、ＥＢＲ処理を行うようにしていた。ここ
で、後工程に支障のない程度とは、溶媒が十分には揮発
していないものの、樹脂膜が流動しない程度である。

【０００６】ところが、十分に乾燥していない樹脂膜に
ＥＢＲ処理を行うと、基板の端縁部から良好に樹脂膜が
除去されたとしても、その後のリンス液の乾燥工程にお
いて基板の回転の遠心力によって除去対象外の樹脂膜の
周縁部分から樹脂分が滲み出すことがあった。特に、樹
脂膜が有機樹脂材料系の有機絶縁膜である場合には、沸
点が１５０℃以上である高沸点溶剤が樹脂の溶媒として
用いられることが多く、樹脂膜が乾燥しにくいためリン
ス液の乾燥工程に除去対象外の樹脂膜の周縁部分から樹
脂分が滲み出す傾向が顕著であった。これを防止するた
めには、リンス液の乾燥工程において基板Ｗの回転数を
低くすれば良いのであるが、そのような低速回転にてリ
ンス液の乾燥を行うとさらにスループットが低下すると
いう問題が生じていた。

【０００７】本発明は、上記課題に鑑みてなされたもの
であり、端縁部から樹脂膜を除去した後にリンス液を迅
速に乾燥させてスループットの低下を抑制できるととも
に、滲み出しのない良好な樹脂膜除去処理を行うことが
できる基板処理装置を提供することを目的とする。

【０００８】

【課題を解決するための手段】上記課題を解決するた
め、請求項１の発明は、基板の表面に樹脂膜を形成する
とともに、該基板の端縁部にリンス液を吐出して該端縁
部の樹脂膜を除去する基板処理装置であって、基板を略
水平姿勢にて保持する保持手段と、前記保持手段に保持
された基板を水平面内にて回転する回転手段と、前記保
持手段に保持された基板の表面に前記樹脂膜を形成する
ための樹脂を溶媒に溶かした状態にて吐出する樹脂吐出
手段と、前記樹脂膜が形成された基板の端縁部に前記溶
媒よりも低沸点のリンス液を吐出するリンス液吐出手段
と、を備える。

【０００９】また、請求項２の発明は、請求項１の発明
に係る基板処理装置において、前記保持手段に保持され
た基板が所定の回転数にて回転するように前記回転手段
を制御する回転制御手段をさらに備え、前記回転制御手
段に、前記樹脂吐出手段から前記樹脂が前記溶媒に溶か
された状態にて吐出された基板を第１の回転数にて回転
させて該基板の表面に前記樹脂膜を形成させ、前記リン
ス液吐出手段から前記リンス液を吐出させつつ前記基板
を前記第１の回転数よりも低い第２の回転数にて回転さ
せて前記端縁部の樹脂膜を除去させ、前記リンス液吐出
手段からの前記リンス液の吐出が終了した後に、前記基
板を前記第２の回転数よりも低い第３の回転数にて回転
させて前記リンス液を乾燥させている。

【００１０】また、請求項３の発明は、請求項１または
請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記樹脂
膜を有機絶縁膜とし、前記リンス液をテトラヒドロフラ
ンとしている。

【００１１】また、請求項４の発明は、請求項１または
請求項２の発明に係る基板処理装置において、前記樹脂
膜を有機絶縁膜とし、前記リンス液をジオキサンとして
いる。

【００１２】

【発明の実施の形態】以下、図面を参照しつつ本発明の
実施の形態について詳細に説明する。

【００１３】図１は、本発明に係る基板処理装置の要部
構成を示す図である。この基板処理装置１は、基板Ｗの
表面に有機樹脂材料系の有機絶縁膜を形成した後にＥＢ
Ｒ処理を行う装置である。

【００１４】基板Ｗはスピンチャック４１によって略水
平姿勢に保持されている。スピンチャック４１は、基板
Ｗの裏面を真空吸着することによって基板Ｗを保持する
いわゆるバキュームチャックである。なお、スピンチャ
ック４１には、基板Ｗの端縁部を機械的に把持するいわ
ゆるメカチャックを採用するようにしても良い。

【００１５】スピンチャック４１の下面側中央部にはモ
ータ４５のモータ軸４２が垂設されている。モータ４５
が駆動してモータ軸４２を正または逆方向に回転させる
ことにより、スピンチャック４１およびそれに保持され
た基板Ｗも水平面内にて回転する。

【００１６】モータ４５の動作は回転制御部５０によっ
て制御されている。回転制御部５０はコンピュータを用
いて構成されており、予め定められた回転数パターンに
従ってスピンチャック４１に保持された基板Ｗが回転す
るようにモータ４５を制御する。

【００１７】また、基板処理装置１には有機樹脂材料の
塗布処理時およびＥＢＲ処理時に回転する基板Ｗから飛
散する処理液（樹脂液およびリンス液）を受け止めて回
収するカップ４３が設けられている。カップ４３はスピ
ンチャック４１に対して相対的に昇降自在とされてお
り、基板Ｗに塗布処理およびＥＢＲ処理を行うときには
図１に示す如くスピンチャック４１に保持された基板Ｗ
の周囲にカップ４３が位置する。この状態においては、
回転する基板Ｗから飛散する処理液がカップ４３の内壁
面によって受け止められ、下方の排出口（図示省略）へ
と導かれる。また、装置外部の搬送ロボットが基板処理
装置１に対して基板Ｗの搬出入を行うときには、カップ
４３の上端よりもスピンチャック４１が突き出た状態と
なる。

【００１８】樹脂液を吐出する塗布ノズル１０は配管１
６を介して樹脂液供給源１５と連通接続されている。配
管１６には図示を省略するフィルター、ポンプ、電磁バ
ルブ等が介設されている。塗布ノズル１０は、スピンチ
ャック４１に基板Ｗが保持されているときに、その基板
Ｗの中心近傍に樹脂液を着液できるように構成されてい
る。なお、本明細書において「樹脂液」とは樹脂膜を形
成するための樹脂を溶媒に溶かした状態の溶液を示し、
本実施形態では有機樹脂材料の溶液である。

【００１９】一方、リンス液を吐出するリンスノズル２
０は配管２６を介してリンス液供給源２５と連通接続さ
れている。配管２６には図示を省略するフィルター、ポ
ンプ、電磁バルブ等が介設されている。リンスノズル２
０は、スピンチャック４１に基板Ｗが保持されていると
きに、その基板Ｗの端縁部にリンス液を着液できるよう
に構成されている。

【００２０】従って、モータ４５によって円形の基板Ｗ
を回転させつつリンスノズル２０から基板Ｗの端縁部に
リンス液を吐出すると、吐出されたリンス液の着液地点
がスピンチャック４１に保持された基板Ｗの端縁に沿っ
て移動することとなる。

【００２１】ここで、本実施形態においては、塗布ノズ
ル１０から吐出する樹脂液として有機樹脂材料系のＳｉ
ＬＫ（登録商標）を用いている。ＳｉＬＫ（登録商標）
は、有機樹脂を溶媒たるシクロヘキサノン（Ｃ₆Ｈ
₁₀Ｏ）やγブチロラクトン（Ｃ₄Ｈ ₆Ｏ₂）などの溶剤に
溶かした樹脂液であり、基板Ｗに塗布・乾燥されること
によって基板Ｗの表面に有機絶縁膜が形成される。溶媒
であるシクロヘキサノンおよびγブチロラクトンの沸点
はそれぞれ１５６℃および約２００℃（１９８℃〜２０
８℃）である。

【００２２】また、リンスノズル２０から吐出するリン
ス液として１，４−ジオキサンを用いている。１，４−
ジオキサンは、シクロヘキサンの２個のメチレン結合を
酸素で置換した化合物であって、芳香を持つ無色の液体
であり、ＳｉＬＫ（登録商標）の樹脂膜の溶剤として機
能する。次の化１に１，４−ジオキサンの構造式を示
す。

【００２３】

【化１】

【００２４】１，４−ジオキサンは、エチレングリコー
ルまたはポリエチレングリコールを触媒を用いて加熱蒸
留することによって得られる物質であるため、リンス液
中に塩素系物質が混入することはない。また、１，４−
ジオキサンの沸点は１０１℃である。すなわち、樹脂液
の溶媒の沸点よりもリンス液たる１，４−ジオキサンの
沸点の方が低沸点である。

【００２５】次に、基板処理装置１における処理手順に
ついて図２を用いつつ説明する。図２は、基板Ｗの回転
数の変化を示す図である。図２に示す回転数パターンが
予め回転制御部５０に入力されており、回転制御部５０
は基板Ｗが図２に示された回転数にて回転するようにモ
ータ４５を制御する。

【００２６】まず、装置外の搬送ロボットによって未処
理の基板Ｗが基板処理装置１に搬入され、スピンチャッ
ク４１に渡される。スピンチャック４１が基板Ｗを水平
姿勢にて保持した後、その基板Ｗの周囲にカップ４３が
位置する状態となる（図１の状態）。そして、モータ４
５がスピンチャック４１に保持された基板Ｗを回転数Ｒ
４にて回転させる。

【００２７】次に、時刻ｔ１にて塗布ノズル１０から基
板Ｗの中心近傍に樹脂液（本実施形態ではＳｉＬＫ（登
録商標））を吐出する。その後、時刻ｔ２から時刻ｔ３
にかけてモータ４５が基板Ｗの回転数をＲ４からＲ１に
上げる。そして、時刻ｔ３から時刻ｔ４の間は基板Ｗが
回転数Ｒ１（第１の回転数）にて回転され続け、吐出さ
れた樹脂液が遠心力によって基板Ｗの表面に均一に拡が
るとともにスピン乾燥され、基板Ｗの表面に樹脂膜（本
実施形態では有機絶縁膜の一種であるＳｉＬＫ（登録商
標）の膜）が形成される。樹脂液は遠心力によって基板
Ｗの中心部から端縁部に拡がるため、有機絶縁膜は端縁
部をも含む基板Ｗの表面に均一に成膜される。すなわ
ち、時刻ｔ３から時刻ｔ４の間が塗布ノズル１０から樹
脂液が吐出された基板Ｗを回転数Ｒ１にて回転させて基
板Ｗの表面に樹脂膜を形成する成膜工程である。

【００２８】成膜がなされた後、時刻ｔ４から時刻ｔ５
にかけてモータ４５が基板Ｗの回転数をＲ１からＲ２に
下げる。そして、時刻ｔ５から時刻ｔ６の間は基板Ｗが
回転数Ｒ２（第２の回転数）にて回転される状態が維持
される。なお、回転数Ｒ２は回転数Ｒ１よりも低い。ま
た、時刻ｔ５にてリンスノズル２０から基板Ｗの端縁部
に向けたリンス液（１，４−ジオキサン）の吐出が開始
される。モータ４５によって基板Ｗを回転させつつリン
スノズル２０から基板Ｗの端縁部にリンス液を吐出する
ことにより、吐出されたリンス液の着液地点が基板Ｗの
端縁に沿って移動し、基板Ｗの端縁部全体にリンス液が
供給される。リンス液である１，４−ジオキサンは基板
Ｗの端縁部に形成された有機絶縁膜を溶解して除去す
る。そして、時刻ｔ６にはリンスノズル２０からのリン
ス液吐出が停止される。すなわち、時刻ｔ５から時刻ｔ
６の間がリンスノズル２０からリンス液を吐出させつつ
基板Ｗを回転数Ｒ２にて回転させて表面に樹脂膜が形成
された基板Ｗの端縁部から該樹脂膜を除去するＥＢＲ処
理工程である。

【００２９】ＥＢＲ処理の後、時刻ｔ６から時刻ｔ７に
かけてモータ４５が基板Ｗの回転数をＲ２からＲ３に下
げる。時刻ｔ７から時刻ｔ８の間は基板Ｗが回転数Ｒ３
（第３の回転数）にて回転され続ける。なお、回転数Ｒ
３は回転数Ｒ２よりも低い。これによって、リンス液の
スピン乾燥が実行される。すなわち、時刻ｔ７から時刻
ｔ８の間がリンスノズル２０からのリンス液を吐出が終
了した後に、基板Ｗを回転数Ｒ３にて回転させてリンス
液をスピン乾燥させる乾燥工程である。

【００３０】その後、モータ４５が基板Ｗの回転数を下
げて時刻ｔ９に回転を停止する。これにより、一連の成
膜・ＥＢＲ処理が終了する。

【００３１】図２に示すように、成膜処理時の基板Ｗの
回転数Ｒ１よりもＥＢＲ処理時の基板Ｗの回転数Ｒ２の
方が低く、ＥＢＲ処理時の基板Ｗの回転数Ｒ２よりも乾
燥処理時の基板Ｗの回転数Ｒ３の方がさらに低い。従っ
て、乾燥工程に基板Ｗに作用する遠心力は小さく、除去
対象外の樹脂膜の周縁部分から樹脂分が滲み出すことが
防止される。

【００３２】特に、既述したように、処理対象の基板Ｗ
の径が３００ｍｍの場合、回転数Ｒ１の上限が２０００
ｒｐｍ程度であり、成膜処理時の時刻ｔ３から時刻ｔ４
に至るまでの時間内では溶媒（ここではシクロヘキサノ
ンおよびγブチロラクトン）が十分に揮発せず、成膜後
の樹脂膜が十分に乾燥していない。これを十分に乾燥さ
せようとすると時刻ｔ３から時刻ｔ４の間が長時間とな
ってスループットが大幅に低下するため、やむなく成膜
後の樹脂膜を乾燥不十分なものとしていることも既に述
べた通りである。十分に乾燥していない樹脂膜をリンス
液の乾燥工程においてＥＢＲ処理時の回転数Ｒ２よりも
高い回転数にて回転させると除去対象外の樹脂膜の周縁
部分から樹脂分が滲み出すおそれが強い。本実施形態で
は、ＥＢＲ処理時の基板Ｗの回転数Ｒ２よりも乾燥処理
時の回転数Ｒ３の方が低いため、φ３００ｍｍの基板Ｗ
のように樹脂膜が十分に乾燥していない場合であっても
除去対象外の樹脂膜の周縁部分から樹脂分が滲み出すこ
とが防止される。

【００３３】乾燥処理時の回転数Ｒ３を低くすると、樹
脂膜からの樹脂分の浸み出しは防止することが出来るも
のの、それに伴ってリンス液の乾燥時間が長くなりスル
ープット低下の原因となる。ここで、本実施形態で使用
されるリンス液である１，４−ジオキサンは従来より用
いられてきたリンス液（シクロヘキサノン等）よりも低
沸点の溶剤であり、その沸点は樹脂膜を形成するための
ＳｉＬＫ（登録商標）の溶媒の沸点よりも低い。従っ
て、乾燥処理時の回転数Ｒ３がＥＢＲ処理時の基板Ｗの
回転数Ｒ２よりも低くてもリンス液が迅速に乾燥し、リ
ンス液の乾燥処理時間（時刻ｔ７から時刻ｔ８の間）の
長時間化を防いでスループットの低下を抑制することが
できる。

【００３４】すなわち、本実施形態のように、リンス液
をＳｉＬＫ（登録商標）の溶媒であるシクロヘキサノン
（沸点１５６℃）やγブチロラクトン（沸点約２００
℃）などの溶剤よりも低沸点の１，４−ジオキサン（沸
点１０１℃）として、乾燥処理時の回転数Ｒ３をＥＢＲ
処理時の基板Ｗの回転数Ｒ２よりも低くすれば、基板Ｗ
の端縁部から樹脂膜を除去した後にリンス液を迅速に乾
燥させてスループットの低下を抑制できるとともに、滲
み出しのない良好な樹脂膜除去処理を行うことができる
のである。

【００３５】さらに、１，４−ジオキサンであれば時刻
ｔ７から時刻ｔ８に至る乾燥処理時に、有機絶縁膜に滲
み込むよりも速く乾燥するため、基板Ｗの端縁部から有
機絶縁膜を除去した後に除去対象外の有機絶縁膜の周縁
の良好な形状を確保することができる。

【００３６】以上、本発明の実施の形態について説明し
たが、この発明は上記の例に限定されるものではない。
例えば、上記実施形態においては、ＥＢＲ処理に使用す
るリンス液を１，４−ジオキサンとしていたが、リンス
液をテトラヒドロフラン（ＴＨＦ）としても良い。次の
化２にテトラヒドロフランの構造式を示す。

【００３７】

【化２】

【００３８】テトラヒドロフランも樹脂膜の溶剤として
使用することが出来、その沸点は６６℃である。すなわ
ち、樹脂液の溶媒（シクロヘキサノンおよびγブチロラ
クトン）の沸点よりもリンス液たるテトラヒドロフラン
の沸点の方が低沸点である。従って、リンス液をテトラ
ヒドロフランとしても上記の１，４−ジオキサンと同様
に、乾燥処理時の回転数Ｒ３がＥＢＲ処理時の基板Ｗの
回転数Ｒ２よりも低くてもリンス液が迅速に乾燥し、リ
ンス液の乾燥処理時間（時刻ｔ７から時刻ｔ８の間）の
長時間化を防いでスループットの低下を抑制することが
できる。

【００３９】また、リンス液としては１，４−ジオキサ
ンまたはテトラヒドロフランと他の物質との混合液とす
るようにしても良い。他の物質としては、例えばリンス
液の沸点を調整する液等があり得る。

【００４０】また、上記実施形態においては、塗布ノズ
ル１０から吐出する樹脂液として有機樹脂材料系のＳｉ
ＬＫ（登録商標）を用いているが、これを有機樹脂材料
系のポリイミドとしても良い。ポリイミドは、有機樹脂
であるポリイミド樹脂を溶媒たる１−メチル−２−ピロ
リドン（ＮＭＰ；Ｃ₅Ｈ₉ＮＯ）およびＮ−Ｎ−ジメチル
アセトアミド（ＤＭＡＣ；ＣＨ₃ＣＯＮ（ＣＨ₃）₂）に
溶かした樹脂液であり、基板Ｗに塗布・乾燥されること
によって基板Ｗの表面に有機絶縁膜が形成される。溶媒
である１−メチル−２−ピロリドンおよびＮ−Ｎ−ジメ
チルアセトアミドの沸点はそれぞれ２０４℃および１６
６℃である。

【００４１】樹脂液としてポリイミドを用いた場合も、
上記溶媒の沸点よりもリンス液たる１，４−ジオキサン
またはテトラヒドロフランの沸点の方が低沸点である。
従って、乾燥処理時の回転数Ｒ３がＥＢＲ処理時の基板
Ｗの回転数Ｒ２よりも低くてもリンス液が迅速に乾燥
し、リンス液の乾燥処理時間の長時間化を防いでスルー
プットの低下を抑制することができる。

【００４２】さらに、樹脂液としては有機樹脂材料系の
ものに限定されず、無機材料系のもの（例えばＳＯＧ(S
pin-on-Glass)等のガラス系材料）であっても良い。無
機材料系の樹脂液が基板Ｗに塗布・乾燥されることによ
って基板Ｗの表面に樹脂膜として無機絶縁膜が形成され
る場合であっても、その溶媒よりも低沸点のリンス液を
使用することによって上記実施形態と同様の効果を得る
ことができる。

【００４３】

【発明の効果】以上、説明したように、請求項１の発明
によれば、樹脂膜が形成された基板の端縁部に樹脂の溶
媒よりも低沸点のリンス液を吐出するため、端縁部から
樹脂膜を除去した後に基板の回転数が低くてもリンス液
が迅速に乾燥してスループットの低下が抑制されるとと
もに、滲み出しのない良好な樹脂膜除去処理を行うこと
ができる。

【００４４】また、請求項２の発明によれば、樹脂吐出
手段から樹脂が溶媒に溶かされた状態にて吐出された基
板を第１の回転数にて回転させて該基板の表面に樹脂膜
を形成し、リンス液吐出手段からリンス液を吐出させつ
つ基板を第１の回転数よりも低い第２の回転数にて回転
させて端縁部の樹脂膜を除去し、リンス液吐出手段から
のリンス液の吐出が終了した後に、基板を第２の回転数
よりも低い第３の回転数にて回転させてリンス液を乾燥
させるため、樹脂膜が十分に乾燥していなくても、滲み
出しのない良好な樹脂膜除去処理を行うことができる。

【００４５】また、請求項３の発明によれば、樹脂膜が
有機絶縁膜であり、リンス液がテトラヒドロフランであ
るため、端縁部から樹脂膜を除去した後に低沸点のテト
ラヒドロフランを迅速に乾燥させてスループットの低下
を抑制できるとともに、滲み出しのない良好な樹脂膜除
去処理を行うことができる。

【００４６】また、請求項４の発明によれば、樹脂膜が
有機絶縁膜であり、リンス液がジオキサンであるため、
端縁部から樹脂膜を除去した後に低沸点のジオキサンを
迅速に乾燥させてスループットの低下を抑制できるとと
もに、滲み出しのない良好な樹脂膜除去処理を行うこと
ができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明に係る基板処理装置の要部構成を示す図
である。

【図２】基板の回転数の変化を示す図である。

【符号の説明】

１基板処理装置１０塗布ノズル２０リンスノズル４１スピンチャック４５モータ５０回転制御部Ｗ基板

Claims

【特許請求の範囲】

【請求項１】基板の表面に樹脂膜を形成するととも
に、該基板の端縁部にリンス液を吐出して該端縁部の樹
脂膜を除去する基板処理装置であって、基板を略水平姿勢にて保持する保持手段と、前記保持手段に保持された基板を水平面内にて回転する
回転手段と、前記保持手段に保持された基板の表面に前記樹脂膜を形
成するための樹脂を溶媒に溶かした状態にて吐出する樹
脂吐出手段と、前記樹脂膜が形成された基板の端縁部に前記溶媒よりも
低沸点のリンス液を吐出するリンス液吐出手段と、を備
えることを特徴とする基板処理装置。
【請求項２】請求項１記載の基板処理装置において、前記保持手段に保持された基板が所定の回転数にて回転
するように前記回転手段を制御する回転制御手段をさら
に備え、前記回転制御手段は、前記樹脂吐出手段から前記樹脂が前記溶媒に溶かされた
状態にて吐出された基板を第１の回転数にて回転させて
該基板の表面に前記樹脂膜を形成し、前記リンス液吐出手段から前記リンス液を吐出させつつ
前記基板を前記第１の回転数よりも低い第２の回転数に
て回転させて前記端縁部の樹脂膜を除去し、前記リンス液吐出手段からの前記リンス液の吐出が終了
した後に、前記基板を前記第２の回転数よりも低い第３
の回転数にて回転させて前記リンス液を乾燥させること
を特徴とする基板処理装置。
【請求項３】請求項１または請求項２に記載の基板処
理装置において、前記樹脂膜は有機絶縁膜であり、前記リンス液はテトラヒドロフランであることを特徴と
する基板処理装置。
【請求項４】請求項１または請求項２に記載の基板処
理装置において、前記樹脂膜は有機絶縁膜であり、前記リンス液はジオキサンであることを特徴とする基板
処理装置。