CN116364530A - 基板处理装置和基板处理方法 - Google Patents

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姜元荣
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Abstract

本发明涉及基板处理装置和基板处理方法。本发明的示例性实施方案提供了一种基板处理方法，该基板处理方法包括通过连续地执行如下工艺去除在基板上形成的颗粒：将包括聚合物和溶剂的处理液供应到该基板上；通过使该处理液中的溶剂挥发，形成固化的液膜；通过将剥离液供应到该基板上，从该基板去除该固化的液膜；以及将冲洗液供应到该基板上。

Description

基板处理装置和基板处理方法
相关申请的交叉引用
本申请要求于2021年12月28日提交韩国知识产权局的、申请号为10-2021-0189942的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本发明涉及一种用于处理基板的装置，并且更特别地涉及一种通过将液体供应到基板用该液体来处理基板的基板处理装置和基板处理方法。
背景技术
一般地，为了制造半导体设备，执行各种工艺，诸如光刻工艺、蚀刻工艺、离子注入工艺和沉积工艺。此外，在执行这些工艺之前和之后，执行对残留在基板上的颗粒进行清洁的清洁工艺。
清洁工艺包括将化学品供应到由支承单元支承并旋转的基板的工艺、通过将诸如去离子水(deionized water，DIW)等清洁液供应到基板来从基板去除化学品的工艺、将诸如异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)等有机溶剂(其具有比清洁液更低的表面张力)供应到基板以用该有机溶剂替换基板上的清洁液的工艺、以及去除基板上的替换后的有机溶剂的工艺。
当执行上述清洁工艺时，残留在基板上的特定尺寸或更大尺寸的颗粒容易被去除，但是具有精细尺寸的颗粒的去除效率低。此外，沉积在基板上形成的图案的边缘区域上的颗粒不容易被去除。
发明内容
本发明致力于提供一种能够有效地处理基板的基板处理装置和基板处理方法。
本发明也致力于提供一种能够有效地去除沉积在基板上的颗粒的基板处理装置和基板处理方法。
本发明也致力于提供一种基板处理装置和基板处理方法，其中，处理液可以容易地渗透到在基板上形成的图案中。
本发明的目的不限于此，并且本领域普通技术人员将从以下描述清楚地理解未提及的其他目的。
本发明的示例性实施方案提供了一种基板处理方法，该基板处理方法包括通过连续地执行如下工艺去除在基板上形成的颗粒：将包括聚合物和溶剂的处理液供应到该基板上；通过使该处理液中的溶剂挥发，形成固化的液膜；通过将剥离液供应到该基板上，从该基板去除该固化的液膜；以及将冲洗液供应到该基板上。
根据示例性实施方案，该工艺可以被执行两次。
根据示例性实施方案，在第二次工艺中，该处理液可以在该基板涂覆有冲洗液的状态下被供应到该基板上。
根据示例性实施方案，在第一次工艺中，该处理液可以被供应到以第一速度旋转的该基板，并且在该第二次工艺中，该处理液可以被供应到以低于该第一速度的第二平均速度旋转的该基板。
根据示例性实施方案，在该处理液在该第二次工艺中被供应到该基板的情况下，该基板的旋转速度可以从低于该第二平均速度的第三速度变化到该第一速度。
根据示例性实施方案，该第二次工艺中的该剥离液可以被提供有过氧化氢溶液、或者过氧化氢溶液和去离子水的混合溶液。
根据示例性实施方案，该第一次工艺中的该剥离液可以被提供有去离子水。
根据示例性实施方案，该第一次工艺中的该剥离液和该第二次工艺中的该剥离液可以被不同地提供。
根据示例性实施方案，该冲洗液可以是异丙醇。
根据示例性实施方案，该基板可以在去除该颗粒的工艺期间旋转。
本发明的另一示例性实施方案提供了一种基板处理方法，该基板处理方法包括：去除基板上形成的污染物的在先去除操作(prior removal operation)；以及进一步去除在该在先去除操作之后残留在该基板上的残余污染物的在后去除操作(post removaloperation)，其中，该在先去除操作和该在后去除操作中的每一者均包括：将包括聚合物和溶剂的处理液供应到该基板上的处理液供应操作；通过使该处理液中的溶剂挥发而形成液膜的液膜形成操作；将剥离液供应到该基板上以从该基板去除固化的液膜的剥离操作；以及将冲洗液供应到该基板以清洁该基板的冲洗操作。
根据示例性实施方案，该在先去除操作中的该剥离液可以被提供有去离子水，并且该在后去除操作中的该剥离液可以被提供有过氧化氢溶液、或者过氧化氢溶液和去离子水的混合溶液。
根据示例性实施方案，该在后去除操作的该处理液供应操作可以包括：将该处理液供应到涂覆有在该在先去除操作中供应的该冲洗液的该基板。
根据示例性实施方案，在该在先去除操作的该处理液供应操作中，该处理液可以被供应到以第一速度旋转的该基板，并且在该在后去除操作的该处理液供应操作中，该处理液可以被供应到以低于该第一速度的第二平均速度旋转的该基板，并且在该处理液被供应到该基板的情况下，该基板的旋转速度从低于该第二平均速度的第三速度变化到该第一速度。
根据示例性实施方案，该冲洗液可以是异丙醇。
本发明的又一示例性实施方案提供了一种基板处理装置，该基板处理装置包括：壳体，该壳体具有处理空间；支承单元，该支承单元用于支承并旋转该处理空间中的该基板；支承单元，该支承单元用于支承并旋转该处理空间中的该基板；以及控制器，该控制器用于控制该支承单元和该液体供应单元，其中，该液体供应单元包括：处理液供应喷嘴，该处理液供应喷嘴用于将包括聚合物和溶剂的处理液供应到该基板；第一剥离液供应喷嘴，该第一剥离液供应喷嘴用于将第一剥离液供应到该基板；第二剥离液供应喷嘴，该第二剥离液供应喷嘴用于将第二剥离液供应到该基板；以及冲洗液供应喷嘴，该冲洗液供应喷嘴用于将冲洗液供应到该基板，并且该控制器控制该液体供应单元，以便将该处理液、该第一剥离液、该冲洗液、该处理液、该第二剥离液和该冲洗液依序地供应到该基板，并且将该处理液供应到残留有该冲洗液的该基板。
根据示例性实施方案，该控制器可以控制该支承单元，使得在供应该冲洗液的情况下，由该支承单元支承的该基板以第一速度旋转，并且在将该处理液供应到供应了该冲洗液的该基板的情况下，由该支承单元支承的该基板以低于该第一速度的第二平均速度旋转。
根据示例性实施方案，该控制器可以控制该支承单元，使得在该处理液被供应到供应了该冲洗液的该基板的情况下，该基板的旋转速度从低于该第二平均速度的第三速度变化到该第一速度。
根据示例性实施方案，该第一速度可以为1500rpm，并且该第三速度可以为100rpm。
根据示例性实施方案，该第一剥离液可以被提供有去离子水，并且该第二剥离液可以被提供有过氧化氢溶液、或者过氧化氢溶液和去离子水的混合溶液。
根据本发明的示例性实施方案，能够有效地处理基板。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，能够有效地去除在基板上沉积的颗粒。
进一步地，根据本发明的示例性实施方案，处理液可以容易地渗透到在基板上形成的图案中。
本发明的效果不限于前述效果，并且本领域的技术人员可以从本说明书和附图中清楚地理解未提及的效果。
附图说明
图1为示意性展示了根据本发明的基板处理装置的示例性实施方案的图示。
图2为示意性展示了图1的工艺腔室的示例性实施方案的图示。
图3为根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法的流程图。
图4为示意性展示了在图3的基板处理方法中基板的旋转速度的图表。
图5为示意性展示了在图3的在先去除操作中将处理液供应到基板的状态的图示。
图6为示意性展示了图5的A部的放大状态的图示。
图7为示意性展示了在图3的在先去除操作中使基板旋转以形成液膜的状态的图示。
图8为示意性展示了图7的A部的放大状态的图示。
图9为示意性展示了在图3的在先去除操作中将第一剥离液供应到基板的状态的图示。
图10为示意性展示了图9的A部的放大状态的图示。
图11为示意性展示了在图3的在先去除操作中将冲洗液供应到基板的状态的图示。
图12为示意性展示了图11的B部的放大状态的视图。
图13为示意性展示了在图3的在后去除操作中将处理液供应到基板的状态的图示。
图14为示意性展示了图13的A部的放大状态的图示。
图15为示意性展示了在图3的在后去除操作中使基板旋转以形成液膜的状态的图示。
图16为示意性展示了图15的A部的放大状态的图示。
图17为示意性展示了在图3的在后去除操作中将第二剥离液供应到基板的状态的图示。
图18为示意性展示了图17的A部的放大状态的图示。
图19为示意性展示了在图3的在后去除操作中将冲洗液供应到基板的状态的图示。
具体实施方案
在下文中，将参照附图更加详细地描述本发明的示例性实施方案。本发明的示例性实施方案可以以多种形式进行修改，并且本发明的范围不应被解释为受下面描述的示例性实施方案的限制。提供本示例性实施方案以向本领域的技术人员更完全地解释本发明。因此，附图中的部件的形状被夸大以强调更清楚的描述。
在下文中，将参照图1至图19详细地描述本发明的示例。
图1为示意性地示出了根据本发明的示例性实施方案的基板处理装置的俯视平面图。参照图1，基板处理装置1包括索引模块10和处理模块20。根据示例性实施方案，索引模块10和处理模块20沿一个方向设置。在下文中，布置索引模块10和处理模块20的方向被定义为第一方向2，并且当从上方观察时，与第一方向2垂直的方向被定义为第二方向4，以及与包括第一方向2和第二方向4的平面垂直的方向被定义为第三方向6。
索引模块10将基板W从容置基板W的容器F传送到处理基板W的处理模块20。索引模块10将已经在处理模块20中完全处理的基板W容置到容器F中。索引模块10的纵向方向为第二方向4。索引模块10包括装载端口120和索引框架140。
容置基板W的容器F位于装载端口120中。装载端口120基于索引框架140定位于与处理模块20的相反的一侧处。可以设置多个装载端口120。多个装载端口120可以沿第二方向4布置成线。装载端口120的数量可以根据处理模块20的工艺效率和占地面积条件等来增加或减少。
多个狭槽(未示出)可以在容器F中形成，这些狭槽用于在多个基板W相对于地面水平地布置的状态下容置这些基板W。可以使用诸如前开式晶圆传送盒(Front OpeningUnified Pod，FOUP)等密封容器作为容器F。容器F可以通过诸如高架传送机、高架运输机或自动引导车辆等传送装置(未示出)，或者由操作者放置在装载端口120上。
索引轨道142和索引机械手144设置在索引框架140内部。索引轨道142被设置成在索引框架140中在其纵向方向上沿着第二方向4。索引机械手144可以传送基板W。索引机械手144可以在索引模块10与稍后要描述的缓冲单元220之间传送基板W。
索引机械手144可以包括索引手部1440。基板W可以放置在索引手部1440上。索引手部1440可以被设置成在索引轨道142上沿第二方向4为可移动的。因此，索引手部1440沿索引轨道142为可向前和向后移动的。进一步地，索引手部1440可以被设置成围绕第三方向6为可旋转的、并且沿第三方向6为可移动的。可以设置多个索引手部1440。多个索引手部1440可以被设置成在竖直方向上彼此间隔开。多个索引手部1440可以彼此独立地向前、向后和旋转地移动。索引手部1440的配置与稍后将描述的传送手部2240的配置相同或相似。
控制器30可以控制基板处理装置。控制器30可以包括工艺控制器、用户界面、显示器和存储单元，该工艺控制器由微处理器(计算机)构成，该微处理器执行基板处理装置的控制，该用户界面由键盘构成，操作者在该键盘中执行命令输入操作等以便管理基板处理装置，该显示器用于视觉化并且显示基板处理装置的运行状况等，该存储单元存储用于执行在工艺控制器的控制下在基板处理装置中执行的工艺的控制程序，或者存储用于根据各种数据和处理条件在各部件中执行工艺的程序(即处理方案)。进一步地，用户界面和存储单元可以连接到工艺控制器。处理方案可以存储在存储单元中的存储介质中，并且该存储介质可以是硬盘，也可以是便携式磁盘(诸如，CD-ROM或DVD)或半导体存储器(诸如，闪存)。
控制器30可以控制基板处理装置1以执行下面描述的基板处理方法。例如，控制器30可以控制在稍后要描述的工艺腔室260中设置的部件，从而执行下面描述的基板处理方法。
处理模块20包括缓冲单元220、传送框架240和工艺腔室260。缓冲单元220提供了装载到处理模块20的基板W以及从处理模块20卸载的基板W暂时停留的空间。传送框架240提供了用于在缓冲单元220与工艺腔室260之间、以及在工艺腔室260之间传送基板W的空间。工艺腔室260可以通过将液体供应到基板W上来执行液体处理基板W的液体处理工艺。例如，液体处理工艺可以是用清洁液来清洁基板的清洁工艺。化学处理、冲洗处理和干燥处理全部可以在工艺腔室260中在基板上执行。然而，与上述示例不同，用于干燥基板的工艺腔室260可以与用于执行液体处理的工艺腔室260分开设置。
缓冲单元220可以设置在索引框架140与传送框架240之间。缓冲单元220可以定位在传送框架240的一端处。放置基板W的狭槽(未示出)设置在缓冲单元220内部。多个狭槽(未示出)可以被设置以便沿第三方向6彼此间隔开。缓冲单元220的正面和背面是敞开的。该正面可以是面向索引模块10的表面，并且该背面可以是面向传送框架240的表面。索引机械手144可以通过正面接近缓冲单元220，并且下面要描述的传送机械手244可以通过背面接近缓冲单元220。
在传送框架240中，纵向方向可以设置在第一方向2上。工艺腔室260可以设置在传送框架240的两侧上。工艺腔室260可以设置在传送框架240的一侧上。传送框架240和工艺腔室260可以沿第二方向4设置。
根据一个示例，工艺腔室260可以设置在传送框架240的两侧上，并且工艺腔室260可以以A×B(A和B均为1或者为大于1的自然数)的布置沿第一方向2和第三方向6设置在传送框架240的一侧上。此处，“A”为沿第一方向2被设置成线的工艺腔室260的数量，以及“B”为沿第三方向6被设置成线的工艺腔室260的数量。例如，当在传送框架240的一侧处设置四个或六个工艺腔室260时，工艺腔室260可以以2×2或3×2的布置来设置。工艺腔室260的数量可以增加或减少。与上述不同，工艺腔室260可以仅设置在传送框架240的一侧上。此外，工艺腔室260可以作为单层设置在传送框架240的一侧上和两侧上。
传送框架240包括导轨242和传送机械手244。导轨242设置在传送框架240中，使得纵向方向是第一方向2。传送机械手244可以被设置成在导轨242上沿第一方向2为线性可移动的。传送机械手244在缓冲单元220与工艺腔室260之间、以及工艺腔室260之间传送基板W。
传送机械手244包括传送手部2440，基板W放置在该传送手部上。传送手部2440可以被设置成在导轨242上沿第一方向2为可移动的。相应地，传送手部2440沿导轨242为向前和向后可移动的。此外，传送手部2440可以被设置成围绕第三方向6为可旋转的、并且沿第三方向6为可移动的。可以设置多个传送手部2440。多个传送手部2440可以被设置成在竖直方向上彼此间隔开。多个传送手部2440可以彼此独立地向前、向后和旋转地移动。
工艺腔室260在基板W上执行液体处理工艺。例如，工艺腔室260可以是执行用于去除附着到基板W的工艺副产品的清洁工艺的腔室，或者类似的腔室。工艺腔室260可以根据用于处理基板W的工艺类型而具有不同的结构。替代地，这些工艺腔室260中的各工艺腔室可以具有相同的结构。
图2为示意性展示了图1的工艺腔室的示例性实施方案的图示。参照图2，工艺腔室260包括壳体2610、处理容器2620、支承单元2630、液体供应单元2640和升降单元2650。
壳体2610具有内部空间。壳体2610被设置成大致长方体(rectangularparallelepiped)的形状。开口(未示出)在壳体2610的一侧处形成。该开口(未示出)可以作用为入口，通过该入口将基板W装载到内部空间中或从内部空间卸载基板W。处理容器2620、支承单元2630和液体供应单元2640设置在壳体2610内。
处理容器2620具有顶部敞开的处理空间。处理容器2620可以是具有处理空间的碗状部(bowl)。处理容器2620可以被设置成围绕处理空间。处理容器2620的处理空间可以是稍后要描述的支承单元2630支承并旋转基板W的空间。该处理空间可以是通过稍后要描述的液体供应单元2640将液体供应到基板W上来处理基板W的空间。
根据示例，处理容器2620可以具有引导壁2621以及多个收集容器2623、2625和2627。收集容器2623、2625和2627分别地分开和回收来自用于处理基板的液体的不同液体。收集容器2623、2625和2627中的各个收集容器可以具有用于回收用于处理基板W的处理液的收集空间。
引导壁2621，以及收集容器2623、2625和2627中的各个收集容器被设置成围绕支承单元2630的圆环形状(annular ring shape)。当进行液体处理工艺时，通过基板W的旋转而溅射出的处理液可以通过收集容器2623、2625和2627的稍后要描述的入口2623a、2625a和2627a而被引入到收集空间中。可以将不同类型的液体分别引入到收集容器2623、2625和2627中。
处理容器2620具有引导壁2621、第一收集容器2623、第二收集容器2625和第三收集容器2627。引导壁2621被设置成围绕支承单元2630的圆环形状。第一收集容器2623被设置成围绕引导壁2621的圆环形状。第二收集容器2625被设置成围绕第一收集容器2623的圆环形状。第三收集容器2627被设置成围绕第二收集容器2625的圆环形状。第一收集容器2623与引导壁2621之间的空间用作引入液体所通过的第一入口2623a。第一收集容器2623与第二收集容器2625之间的空间用作引入液体所通过的第二入口2625a。第二收集容器2625与第三收集容器2627之间的空间用作引入液体所通过的第三入口2627a。第二入口2625a可以定位在第一入口2623a的上方，并且第三入口2627a可以定位在第二入口2625a的上方。
引导壁2621的下端与第一收集容器2623之间的空间用作第一出口2623b，从液体产生的烟雾和气流通过该第一出口排出。第一收集容器2623的下端与第二收集容器2625之间的空间用作第二出口2625b，从液体产生的烟雾和气流通过该第二出口排出。第二收集容器2625的下端与第三收集容器箱2627之间的空间用作第三出口2627b，从液体产生的烟雾和气流通过该第三出口排出。从第一出口2623b、第二出口2625b和第三出口2627b排出的烟雾和气流通过稍后要描述的排放单元2670排出到外侧。
从收集容器2623、2625和2627的底表面竖直向下延伸的收集管线2623c、2625c和2627c分别连接到收集容器2623、2625和2627。收集管线2623c、2625c和2627c分别排出通过收集容器2623、2625和2627引入的处理液。被排出的处理液可以通过外部处理液再生系统(未示出)重新使用。
支承单元2630在处理空间中支承并旋转基板W。支承单元2630可以包括自旋卡盘(spin chuck)2631、支承销2633、卡盘销2635、旋转轴2637和驱动器2639。
当从上方观察时，自旋卡盘2631具有被设置成大致圆形形状的上表面。自旋卡盘2631的上表面可以被设置成具有比基板W更大的直径。
设置多个支承销2633。支承销2633设置在自旋卡盘2631的上表面上。支承销2633以预定的间隔彼此间隔开地设置在自旋卡盘2631的上表面的边缘部分上、并且从自旋卡盘2631的上表面向上突出。支承销2633被布置成通过彼此组合作为整体具有圆环形状。支承销2633支承基板W的后表面的边缘，使得基板W与自旋卡盘2631的上表面以预定距离间隔开。
设置多个卡盘销2635。卡盘销2635被设置成比支承销2633更远离自旋卡盘2631的中心。卡盘销2635被设置成从自旋卡盘2631的上表面突出。卡盘销2635支承基板W的侧部，使得当基板W旋转时不会从原始位置侧向地分开。卡盘销2635被设置成沿着自旋卡盘2631的径向方向在待用位置与支承位置之间为线性可移动的。待用位置是相比于支承位置更远离自旋卡盘2631的中心的位置。当基板W被装载到支承单元2630上或从该支承单元卸载时，卡盘销2635被定位在待用位置处，并且当在基板W上执行工艺时，卡盘销2635被定位在支承位置处。在该支承位置处，卡盘销2635与基板W的侧部接触。
旋转轴2637与自旋卡盘2631联接。旋转轴2637可以联接到自旋卡盘2631的下表面。旋转轴2637可以被设置成使得纵向方向面向竖直方向。旋转轴2637被设置成通过接收来自驱动器2639的动力是可旋转的。旋转轴2637通过驱动器2639旋转以使自旋卡盘2631旋转。驱动器2639可以改变旋转轴2637的旋转速度。驱动器2639可以是提供驱动力的马达。然而，本发明不限于此，并且驱动器可以被各种修改成提供驱动力的公知设备。
液体供应单元2640将液体供应到基板W。液体供应单元2640将液体供应到由支承单元2630支承的基板W。由液体供应单元2640供应的液体可以设置成多种类型，并且多种类型的液体可以被依序地供应到基板W上。根据本发明的示例性实施方案的液体可以是处理液C1、第一剥离液C2、第二剥离液C3和冲洗液C4中的任一种。液体供应单元2640包括支承杆2641、臂2642、驱动器2643、处理液供应喷嘴2644、第一剥离液供应喷嘴2645、第二剥离液供应喷嘴2646和冲洗液供应喷嘴2647。
支承杆2641定位在壳体2610的内部空间中。支承杆2641在内部空间中定位在处理容器2620的一侧上。支承杆2641可以具有杆形状，其中纵向方向面向第三方向6。支承杆2641被设置成通过稍后要描述的驱动器2643是可旋转的。
臂2642联接到支承杆2641的上端。臂2642从支承杆2641的纵向方向竖直地延伸。稍后将描述的处理液供应喷嘴2644、第一剥离液供应喷嘴2645、第二剥离液供应喷嘴2646和冲洗液供应喷嘴2647可以固定地联接到臂2642的一端。臂2642可以被设置成在其纵向方向上是可向前和向后移动的。臂2642可以随着稍后将描述的驱动器2643旋转支承杆2641而摆动和移动。由于臂2642的旋转，处理液供应喷嘴2644、第一剥离液供应喷嘴2645、第二剥离液供应喷嘴2646和冲洗液供应喷嘴2647也摆动和移动，以在工艺位置与待用位置之间移动。
工艺位置是处理液供应喷嘴2644、第一剥离液供应喷嘴2645、第二剥离液供应喷嘴2646和冲洗液供应喷嘴2647中的任一者面向由支承单元2630支承的基板W的位置。待用位置是处理液供应喷嘴2644、第一剥离液供应喷嘴2645、第二剥离液供应喷嘴2646和冲洗液供应喷嘴2647全部偏离工艺位置的位置。
驱动器2643与支承杆2641联接。驱动器2643可以设置在壳体2610的底表面上。驱动器2643提供用于使支承杆2641旋转的驱动力。驱动器2643可以被设置为提供驱动力的已知马达。
处理液供应喷嘴2644将处理液C1供应到基板W。根据示例，处理液供应喷嘴2644可以将处理液C1供应到由支承单元2630支承的基板W上。处理液C1可以包括聚合物和溶剂(溶媒，solvent)。根据示例，该聚合物可以包括树脂。该树脂可以是丙烯酸树脂(acrylicresin)、酚醛树脂(phenolic resin)或另一种类的树脂。溶剂可以是溶解聚合物并具有挥发性成分的溶液。当溶剂在被供应在基板W上的处理液C1中挥发时，处理液C1可以在基板W上固化。
第一剥离液供应喷嘴2645可以将第一剥离液C2供应到基板W。根据示例，第一剥离液供应喷嘴2645可以将第一剥离液C2供应到由支承单元2630支承的基板W上。第一剥离液C2可以是去离子水(deionized water，DIW)。第一剥离液C2可以剥离通过处理液C1在基板W上的固化而形成的液膜S。
第二剥离液供应喷嘴2646可以将第二剥离液C3供应到基板W。根据示例，第二剥离液供应喷嘴2646可以将第二剥离液C3供应到由支承单元2630支承的基板W上。第二剥离液C3可以是过氧化氢(H2O2)。
可选地，第二剥离液C3可以是过氧化氢溶液(H2O2)和去离子水(DIW)的混合物。第二剥离液C3可以剥离通过处理液C2在基板W上的固化而形成的液膜S。
冲洗液供应喷嘴2647可以将冲洗液C4供应到基板W。根据示例，冲洗液供应喷嘴2647可以将冲洗液C4供应到由支承单元2630支承的基板W上。冲洗液C4可以是有机溶剂。根据示例，冲洗液C4可以包括醇，诸如异丙醇(isopropyl alcohol，IPA)。
作为示例，根据本发明的示例性实施方案的上述液体供应单元2640已经基于所有处理液供应喷嘴2644、第一剥离液供应喷嘴2645、第二剥离液供应喷嘴2646和冲洗液供应喷嘴2647联接到臂2642的情况进行了描述，但是本发明不限于此。例如，联接到臂2642的处理液供应喷嘴2644、第一剥离液供应喷嘴2645、第二剥离液供应喷嘴2646和冲洗液供应喷嘴2647中的每一者可以独立地具有臂、支承杆和驱动器，并且可以独立地前后摆动和移动。
升降单元2650设置在壳体2610内。升降单元2650调节处理容器2620与支承单元2630之间的相对高度。升降单元2650沿第三方向6线性地移动处理容器2620。相应地，由于用于回收液体的收集容器2623、2625和2627的高度根据被供应到基板W的液体的类型而改变，因此可以分开和收集这些液体。与以上描述不同，可以固定地安装处理容器2620，并且升降单元2650可以在竖直方向上移动支承单元2630。
气流供应单元2660将气流供应到壳体2610的内部空间。气流供应单元2660可以将下降气流供应到内部空间。气流供应单元2660可以安装在壳体2610中。气流供应单元2660可以安装在处理容器2620和支承单元2630的上方。通过气流供应单元2660供应到壳体2610的内部空间的气体在内部空间中形成下降气流。在处理空间中由处理工艺产生的气态副产物由下降气流通过稍后要描述的的排放单元2670排出到壳体2610的外侧。气流供应单元2660可以被设置为风扇过滤器单元。
排放单元2670排放处理空间中产生的烟雾和气体。排放单元2670排放在用液体处理基板W时产生的烟雾和气体。排放单元2650可以联接到处理容器2620的底表面。在示例性实施方案中，排放单元2670可以设置在旋转轴2637与处理容器2620的内壁之间的空间中。排放单元2670包括减压单元(未示出)。在对基板W进行液体处理时产生的烟雾和气体通过减压单元(未示出)从处理空间排放到处理空间的外侧。
在下文中，将详细地描述根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法。下面描述的基板处理方法可以通过工艺腔室260来执行。并且，控制器30可以控制工艺腔室260的部件，以便工艺腔室260可以执行下面描述的基板处理方法。例如，控制器30可以产生用于控制支承单元2630和液体供应单元2640中的至少一者的控制信号，以便可以在工艺腔室260中执行下面描述的基板处理方法。
图3为根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法的流程图。图4为示意性展示了在图3的基板处理方法中基板的旋转速度的图表。参照图3和图4，根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法可以是向基板W供应液体以去除附着到基板W的颗粒P的清洁工艺。
根据本发明的示例性实施方案的基板处理方法可以包括在先去除操作S10、在后去除操作S20和干燥操作S30。在先去除操作S10可以先发地去除附着到基板W的颗粒P。在在先去除操作S10中，可以将液体供应到基板W以捕获并去除存在于基板W上的颗粒P。在先去除操作S10可以是第一次工艺。例如，在先去除操作S10可以是第一次清洁工艺。
在在后去除操作S20中，可以捕获并去除在先去除操作S10中未去除的残余颗粒P。在在后去除操作S20中，可以将液体供应到基板W以二次捕获并去除残留在基板W上的颗粒P。在后去除操作S20可以是在执行在先去除操作S10之后执行的第二次工艺。例如，在后去除操作S20可以是第二次清洁工艺。
在干燥操作S30中，可以在执行在后去除操作S20之后，通过以高速旋转基板W来干燥残留在基板W上的液体。干燥操作S30可以在工艺腔室260中执行。可选地，干燥操作S30也可以在与工艺腔室260分开设置的腔室中执行。
在先去除操作S10可以包括处理液供应操作S11、液膜形成操作S12、剥离操作S13和冲洗操作S14。可以依序地执行在先去除操作的处理液供应操作S11、液膜形成操作S12、剥离操作S13和冲洗操作S14。在后去除操作S20可以包括处理液供应操作S21、液膜形成操作S22、剥离操作S23和冲洗操作S24。可以依序地执行在后去除操作S20的处理液供应操作S21、液膜形成操作S22、剥离操作S23和冲洗操作S24。
在在先去除操作S10和在后去除操作S20中，基板W通过支承单元2630的旋转而旋转。在在先去除操作S10的处理液供应操作S11中，基板W可以以第一速度旋转。根据示例，第一速度可以是1500rpm。在在先去除操作S10的液膜形成操作S12中，基板W可以以第一速度旋转。根据示例，第一速度可以是1500rpm。在在先去除操作S10的剥离操作S13中，基板W可以以第四速度旋转。根据示例，第四速度可以是1000rpm。在在先去除操作S10的冲洗操作S14中，基板W可以以第五速度旋转。例如，第五速度可以是500rpm。
在在后去除操作S20的处理液供应操作S21中，基板W可以以第二平均速度旋转。根据示例，在在后去除操作S20的处理液供应操作S21中，将处理液C1供应到基板W时，基板W可以以第三速度旋转。此外，在停止处理液C1在在后去除操作S20的处理液供应操作S21中向基板W供应的终点时，基板W可以以第一速度旋转。例如，第三速度可以是100rpm，并且第一速度可以是1500rpm。
根据示例，在在后去除操作S20的处理液供应操作S21中，当处理液C1被供应到基板W时，基板W以恒定的加速率从第三速度以第一速度旋转，并且可以改变旋转速度。然而，本发明不限于此，在在后去除操作S20的处理液供应操作S21中，当处理液C1被供应到基板W时，基板W可以以第三速度的恒定速度旋转，并且在处理液C1被完全供应之后，基板W可以第一速度的恒定速度旋转。
在在后去除操作S20的液膜形成操作S22中，基板W可以以第一速度旋转。第一速度可以是1500rpm。在在后去除操作S20的剥离操作S23中，基板W可以以第四速度旋转。根据示例，第四速度可以是1000rpm。在在后去除操作S20的冲洗操作S24中，基板W可以以第五速度旋转。例如，第五速度可以是500rpm。
图5为示意性展示了在图3的在先去除操作中将处理液供应到基板的状态的图示。图6为示意性展示了图5的A部的放大状态的图示。
参照图5，在在先去除操作S10的处理液供应操作S11中，可以将处理液C1供应到由支承单元2630支承的基板W。并且，在处理液供应操作S11中，可以将处理液C1供应到由支承单元2630旋转的基板W。如上所述，在处理液供应操作S11中，基板W可以以1500rpm的速度旋转。处理液C1可以包括聚合物和溶剂。
在处理液供应操作S11中，处理液供应喷嘴2644可以将处理液C1从基板W的上部供应到基板W的中心。例如，当从顶部观察时，处理液供应喷嘴2644的中心可以与基板W的中心一致。当基板W旋转时，被施加到基板W的中心区域的处理液C1可以流向基板W的边缘区域。
参照图6，处理液C1被施加到形成有图案的基板W。处理液C1可以在基板W上的多个图案之间流动。相应地，处理液C1可以覆盖定位在基板W上形成的图案的上表面上的颗粒P。
图7为示意性展示了在图3的在先去除操作中旋转基板以形成液膜的状态的图示。图8为示意性展示了图7的A部的放大状态的图示。
参照图7，在先去除操作S10中的液膜形成操作S12旋转支承单元2630。随着支承单元2630的旋转，由支承单元2630支承的基板W也旋转。在液膜形成操作S12中，基板W可以以1500rpm的速度旋转。在液膜形成操作S12中，液体供应单元2640可以定位在待用位置中。在液膜形成操作S12中，可以通过旋转基板W，使被供应到基板W上的处理液C1中所包含的聚合物和溶剂中的溶剂挥发。
参照图8，固化的处理液C1的液膜S通过旋转基板W使溶剂挥发而在基板W上形成。当溶剂在处理液C1中挥发时，发生体积收缩，并且处理液C1固化。当处理液C1的体积收缩时，在基板W上形成的图案中的颗粒和沉积在图案的上表面上的颗粒P可以被捕获在处理液C1中的液膜S中。
图9为示意性展示了在图3的在先去除操作中将第一剥离液供应到基板的状态的图示。图10为示意性展示了图9的A部的放大状态的图示。
参照图9，在在先去除操作S10中的剥离操作S13中，可以将第一剥离液C2供应到由支承单元2630支承的基板W。此外，在剥离操作S13中，可以将第一剥离液C2供应到由支承单元2630旋转的基板W。在剥离操作S13中，第一剥离液供应喷嘴2645将第一剥离液C2排出到基板W。如上所述，在剥离操作S13中，基板W可以以1000rpm的速度旋转。根据示例，第一剥离液C2可以被提供有去离子水(DIW)。
在剥离操作S13中，第一剥离液供应喷嘴2645可以将第一剥离液C2从基板W的顶部供应到基板W的中心。例如，当从顶部观察时，第一剥离液供应喷嘴2645的中心可以与基板W的中心一致。随着基板W的旋转，被排出到基板W的中心区域的第一剥离液C2可以流向基板W的边缘区域。
参照图10，第一剥离液C2可以在形成有图案的基板W上流动。液膜S可以通过第一剥离液C2从形成有图案的基板W剥离。第一剥离液C2可以渗透到固化的处理液C1的液膜S中。当第一剥离液C2渗透处理液C1的液膜S与基板W之间的界面时，处理液C1中的液膜S可以从基板W剥离。因此，附着到基板W的图案形成表面的颗粒P可以与液膜S一起从基板W上剥离。
图11为示意性展示了在图3的在先去除操作中将冲洗液供应到基板的状态的图示，以及图12为示意性展示了图11的B部的放大状态的视图。
参照图11，在在先去除操作S10中的冲洗操作S14中，可以将冲洗液C4供应到由支承单元2630支承的基板W。并且，在冲洗操作S14中，可以将冲洗液C4供应到由支承单元2630旋转的基板W。如上所述，在冲洗操作S14中，基板W可以以500rpm的速度旋转。在冲洗液供应操作S14中，基板W旋转预设时间，以维持冲洗液C4依旧在基板W的表面上的湿润状态。相应地，在稍后要描述的在后去除操作S20的处理液供应操作S21中被供应的处理液C1可以与冲洗液C4混合。冲洗液C4可以是有机溶剂。根据一个示例，冲洗液C4可以是异丙醇。
在冲洗操作S14中，冲洗液供应喷嘴2647可以将冲洗液C4从基板W的上部供应到基板W的中心。例如，当从顶部观察时，冲洗液供应喷嘴2647的中心可以与基板W的中心一致。当基板W旋转时，被排出到基板W的中心区域的冲洗液C4可以流向基板W的边缘区域。
参照图12，冲洗液C4可以流向形成有图案的基板W。被排出到基板W上的冲洗液C4可以去除未从基板W完全去除的液膜S的残留物。被冲洗液C4去除的液膜S可以通过基板W的旋转从基板W洗出。此外，冲洗液C4可以替代基板W中存在的第一剥离液C2。
然而，如图12所示，细微颗粒P可能不会从已经完成在先去除操作S10的基板W上去除。并且，沉积在基板W上的图案之间形成的空间的边缘区域上的颗粒P也可能不会被完全去除。发生这种现象是因为在在先去除操作S10中被供应的处理液C1没有渗透到基板W上的多个图案之间形成的空间的边缘区域。并且，由于处理液C1的体积在固化工艺期间收缩，所以存在于图案之间的空间的边缘区域中的颗粒不会被固化的液膜S捕获。当细微颗粒沉积在图案之间形成的空间的边缘区域中时，该问题进一步加剧。相应地，在根据本发明的示例性实施方案的在后去除操作S20中，可以再次二次地(或随后)去除未从基板W去除的颗粒P。在下文中，将详细描述根据本发明的示例性实施方案的在后去除操作S20。
图13为示意性展示了在图3的在后去除操作中将处理液供应到基板的状态的图示，以及图14为示意性展示了图13的A部的放大状态的图示。
参照图13，在根据本发明的示例性实施方案的在后去除操作S20的处理液供应操作S21中，可以将处理液C1供应到由支承单元2630支承的基板W。在处理液供应操作S21中，可以将处理液C1供应到由支承单元2630旋转的基板W。处理液C1可以包括聚合物和溶剂。在处理液供应操作S11中，处理液供应喷嘴2644可以将处理液C1从基板W的上部供应到基板W的中心。例如，当从顶部观察时，处理液供应喷嘴2644的中心可以与基板W的中心一致。当基板W旋转时，被施加到基板W的中心区域的处理液C1可以流向基板W的边缘区域。
根据示例，在处理液供应操作S21中，可以将处理液C1供应到已供应有冲洗液C4的基板W。如参照图4所述，在处理液供应操作S21中，基板W可以以第二平均速度旋转。第二平均速度可以低于1500rpm、并且可以等于或高于100rpm。在在后去除操作S20的处理液供应操作S21中的基板W的旋转速度相对低于在在先去除操作S10的处理液供应操作S11中的基板的旋转速度。
根据本发明的示例性实施方案的冲洗液C4被提供有异丙醇。异丙醇具有低表面张力和强挥发性。当形成基板W的高旋转速度时，被排出到基板W的所有冲洗液C4挥发以干燥基板W。
相应地，根据本发明的示例性实施方案，通过在在后去除操作S20的处理液供应操作S21中设置基板W的旋转速度为第二平均速度，在在后去除操作S20中供应冲洗液C4的情况下，可以最小化在在先去除操作S10中被供应的冲洗液C4在基板W上的挥发。通过最小化在在先去除操作S10中被供应的冲洗液C4从基板W的挥发，可以形成基板W被冲洗液C4润湿的状态。
参照图14，处理液C1被施加到形成有图案的基板W。根据示例，在在后去除操作S20的处理液供应操作S21中被供应的处理液C1可以与在基板W的表面上润湿的冲洗液C4混合。在冲洗液C4残留在基板W的表面上的条件下，将处理液C1供应到基板W，使得处理液C1与冲洗液C4可以混合。根据示例，冲洗液C4的表面张力相对低于处理液C1的表面张力。具有低表面张力的冲洗液C4已经渗透到基板W上的图案的下部中。此外，具有低表面张力的冲洗液C4可以渗透到由基板W上的图案形成的空间的所有边缘区域。相应地，已渗透到图案的下部和由图案形成的空间的边缘区域的冲洗液C4与处理液C1彼此混合，使得处理液C1可以均匀渗透到图案的下部和图案的边缘区域。也就是说，如图14所示，处理液C1可以渗透直到在先去除操作S10中未去除的颗粒P所在的区域。
图15为示意性展示了在图3的在后去除操作中旋转基板以形成液膜的状态的图示，以及图16为示意性展示了图15的A部的放大状态的图示。
参照图15，在在后去除操作S20中的液膜形成操作S22中，旋转支承单元2630。随着支承单元2630的旋转，由支承单元2630支承的基板W也旋转。在液膜形成操作S22中，基板W可以以1500rpm的速度旋转。在液膜形成操作S22中，液体供应单元2640可以定位在待用位置处。在液膜形成操作S22中，旋转基板W以使被供应到基板W上的处理液C1中所包含的聚合物和溶剂中的溶剂挥发。
参照图16，固化的处理液C1的液膜S通过旋转基板W使溶剂挥发而在基板W上形成。当溶剂在处理液C1中挥发时，发生体积收缩，并且处理液C1固化。当处理液C1的体积收缩时，形成在基板W上的图案中的颗粒和沉积在图案的上表面上的颗粒P可以被捕获在处理液C1中的液膜S中。如图16所示，在在先去除操作S10期间未从图案的下部和图案的边缘区域去除的颗粒P可以被捕获在液膜S中。
图17为示意性展示了在图3的在后去除操作中将第二剥离液供应到基板的状态的图示，以及图18为示意性展示了图17的A部的放大状态的图示。
参照图17，在在后去除操作S20中的剥离操作S23中，可以将第二剥离液C3供应到由支承单元2630支承的基板W。此外，在剥离操作S23中，可以将第二剥离液C3供应到由支承单元2630旋转的基板W。在剥离操作S23中，第二剥离液供应喷嘴2646将第二剥离液C3排出到基板W。如上所述，在剥离操作S23中，基板W可以以1000rpm的速度旋转。根据示例，第二剥离液C3可以被提供有过氧化氢溶液(H2O2)。可选地，第二剥离液C3可以被提供有过氧化氢溶液(H2O2)和去离子水(DIW)的混合溶液。
在剥离操作S23中，第二剥离液供应喷嘴2646可以将第二剥离液C3从基板W的顶部供应到基板W的中心。例如，当从顶部观察时，第二剥离液供应喷嘴2646的中心可以与基板W的中心一致。随着基板W的旋转，被排出到基板W的中心区域的第二剥离液C3可以流向基板W的边缘区域。
参照图18，第二剥离液C3可以流到形成有图案的基板W。基板W上形成的液膜S可以通过第二剥离液C3从基板W剥离。由于第二剥离液C3被提供有过氧化氢溶液(H2O2)、或者过氧化氢溶液(H2O2)和去离子水(DIW)的混合溶液，因此第二剥离液的氧化能力相对高于第一剥离液C2的氧化能力。相应地，第二剥离液C3可以使基板W的表面亲水。相应地，第二剥离液C3可以容易地渗透到固化的处理液C1的液膜S与基板W之间的空间中。由于第二剥离液C3容易渗透到液膜S与基板W之间，所以液膜S可以容易地从基板W剥离。第二剥离液C3提高了收集颗粒P的液膜S从基板W剥离的效率。
图19为示意性展示了在图3的在后去除操作中将冲洗液供应到基板的状态的图示。参照图19，在在后去除操作S20中的冲洗操作S24中，可以将冲洗液C4供应到由支承单元2630支承的基板W。并且，在冲洗操作S24中，可以将冲洗液C4供应到由支承单元2630旋转的基板W。如上所述，在冲洗操作S24中，基板W可以以500rpm的速度旋转。冲洗液C4可以是有机溶剂。根据一个示例，冲洗液C4可以是异丙醇。
在冲洗操作S24中，冲洗液供应喷嘴2647可以将冲洗液C4从基板W的上部供应到基板W的中心。例如，当从顶部观察时，冲洗液供应喷嘴2647的中心可以与基板W的中心一致。当基板W旋转时，被排出到基板W的中心区域的冲洗液C4可以流向基板W的边缘区域。被排出到基板W上的冲洗液C4可以去除未从基板W完全去除的液膜S的残留物。被冲洗液C4去除的液膜S可以通过基板W的旋转而从基板W中洗出。此外，冲洗液C4可以替代在基板W上存在的第一剥离液C2。相应地，基板W的表面可以通过高挥发性冲洗液C4干燥。
在干燥操作S30中，在完全执行在后去除操作S20之后，基板W高速旋转，以通过离心力挥发在基板W上残留的液体，从而干燥基板W。干燥操作S30可以在工艺腔室260中执行。并且，干燥操作S30可以在与工艺腔室260分开设置的腔室中进行。
在本发明的上述示例性实施方案中，在在先去除操作S10中将处理液C1供应到基板W的情况下，然后通过立即旋转基板W使溶剂挥发，但是本发明不限于此。例如，在向基板W供应处理液C1的处理液供应操作S11之后，可以在加热被供应到基板W上的处理液C1的情况下，旋转基板W。例如，当加热处理液C1时，可以将惰性气体供应到供应了处理液C1的基板W。在这种情况下，被供应到基板W上的处理液C1中所包含的溶剂的挥发量可能增加。即使在处理液C1在后去除操作S20中被供应到基板W之后，也可以以相同的方式执行该方法。
前述详细描述展示了本发明。进一步地，以上内容示出并描述了本发明的示例性实施方案，并且本发明可以用于各种其他组合、修改和环境中。即，在本文公开的本发明构思的范围内、与书面公开内容等同的范围内和/或在本领域的技术或知识的范围内，改变或修改是可能的。前述示例性实施方案描述了实施本发明的技术精神的最佳状态，并且本发明的具体应用领域和用途中所需的各种改变是可能的。相应地，本发明的上述详细说明并不旨在将本发明限制于所公开的示例性实施方案。进一步地，所附权利要求也应被解释为包括其他示例性实施方案。

Claims (20)

1.一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：
通过连续地执行如下工艺去除在基板上形成的颗粒：将包括聚合物和溶剂的处理液供应到所述基板上；通过使所述处理液中的所述溶剂挥发，形成固化的液膜；通过将剥离液供应到所述基板上，从所述基板去除所述固化的液膜；以及将冲洗液供应到所述基板上。
2.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，所述工艺被执行两次。
3.根据权利要求2所述的基板处理方法，其中，在第二次工艺中，所述处理液在所述基板涂覆有所述冲洗液的状态下被供应到所述基板上。
4.根据权利要求3所述的基板处理方法，其中，在第一次工艺中，所述处理液被供应到以第一速度旋转的所述基板，并且
在所述第二次工艺中，所述处理液被供应到以低于所述第一速度的第二平均速度旋转的所述基板。
5.根据权利要求4所述的基板处理方法，其中，在所述处理液在所述第二次工艺中被供应到所述基板的情况下，所述基板的旋转速度从低于所述第二平均速度的第三速度变化到所述第一速度。
6.根据权利要求5所述的基板处理方法，其中，所述第二次工艺中的所述剥离液被提供有过氧化氢溶液、或者过氧化氢溶液和去离子水的混合溶液。
7.根据权利要求6所述的基板处理方法，其中，所述第一次工艺中的所述剥离液被提供有去离子水。
8.根据权利要求1至6中任一项所述的基板处理方法，其中，所述第一次工艺中的所述剥离液和所述第二次工艺中的所述剥离液被不同地提供。
9.根据权利要求1至7中任一项所述的基板处理方法，其中，所述冲洗液是异丙醇。
10.根据权利要求1所述的基板处理方法，其中，在去除所述颗粒的工艺期间，旋转所述基板。
11.一种基板处理方法，所述基板处理方法包括：
去除基板上形成的污染物的在先去除操作；以及
进一步去除在所述在先去除操作之后残留在所述基板上的残余污染物的在后去除操作，
其中，所述在先去除操作和所述在后去除操作中的每一者均包括：
将包括聚合物和溶剂的处理液供应到所述基板上的处理液供应操作；
通过使所述处理液中的溶剂挥发而形成液膜的液膜形成操作；
将剥离液供应到所述基板上以从所述基板去除固化的液膜的剥离操作；以及
将冲洗液供应到所述基板以清洁所述基板的冲洗操作。
12.根据权利要求11所述的基板处理方法，其中，所述在先去除操作中的所述剥离液被提供有去离子水，并且
所述在后去除操作中的所述剥离液被提供有过氧化氢溶液、或者过氧化氢溶液和去离子水的混合溶液。
13.根据权利要求12所述的基板处理方法，其中，
所述在后去除操作的所述处理液供应操作包括：将所述处理液供应到涂覆有在所述在先去除操作中供应的所述冲洗液的所述基板。
14.根据权利要求13所述的基板处理方法，其中，在所述在先去除操作的所述处理液供应操作中，所述处理液被供应到以第一速度旋转的所述基板，并且
在所述在后去除操作的所述处理液供应操作中，所述处理液被供应到以低于所述第一速度的第二平均速度旋转的所述基板，并且在所述处理液被供应到所述基板的情况下，所述基板的旋转速度从低于所述第二平均速度的第三速度变化到所述第一速度。
15.根据权利要求11至14中任一项所述的基板处理方法，其中，所述冲洗液是异丙醇。
16.一种基板处理装置，所述基板处理装置包括：
壳体，所述壳体具有处理空间；
支承单元，所述支承单元用于支承并旋转所述处理空间中的所述基板；
液体供应单元，所述液体供应单元用于将多种液体供应到由所述支承单元支承并旋转的所述基板上；以及
控制器，所述控制器用于控制所述支承单元和所述液体供应单元，
其中，所述液体供应单元包括：
处理液供应喷嘴，所述处理液供应喷嘴用于将包括聚合物和溶剂的处理液供应到所述基板；
第一剥离液供应喷嘴，所述第一剥离液供应喷嘴用于将第一剥离液供应到所述基板；
第二剥离液供应喷嘴，所述第二剥离液供应喷嘴用于将第二剥离液供应到所述基板；以及
冲洗液供应喷嘴，所述冲洗液供应喷嘴用于将冲洗液供应到所述基板，并且
所述控制器控制所述液体供应单元，以便将所述处理液、所述第一剥离液、所述冲洗液、所述处理液、所述第二剥离液和所述冲洗液依序地供应到所述基板，并且将所述处理液供应到残留有所述冲洗液的所述基板。
17.根据权利要求16所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述支承单元，使得在供应所述冲洗液的情况下，由所述支承单元支承的所述基板以第一速度旋转，并且在所述处理液被供应到供应了所述冲洗液的所述基板的情况下，由所述支承单元支承的所述基板以低于所述第一速度的第二平均速度旋转。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，所述控制器控制所述支承单元，使得在所述处理液被供应到供应了所述冲洗液的所述基板的情况下，所述基板的旋转速度从低于所述第二平均速度的第三速度变化到所述第一速度。
19.根据权利要求18所述的基板处理装置，其中，所述第一速度为1500rpm，并且所述第三速度为100rpm。
20.根据权利要求16所述的基板处理装置，其中，所述第一剥离液被提供有去离子水，并且
所述第二剥离液被提供有过氧化氢溶液、或者过氧化氢溶液和去离子水的混合溶液。
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