TW201829077A - 基板濕式處理裝置 - Google Patents

基板濕式處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TW201829077A
TW201829077A TW106136348A TW106136348A TW201829077A TW 201829077 A TW201829077 A TW 201829077A TW 106136348 A TW106136348 A TW 106136348A TW 106136348 A TW106136348 A TW 106136348A TW 201829077 A TW201829077 A TW 201829077A
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
spray
substrate
tank
substrates
chip
Prior art date
Application number
TW106136348A
Other languages
English (en)
Other versions
TWI652118B (zh
Inventor
馮傳彰
吳庭宇
蔡文平
劉茂林
李威震
Original Assignee
辛耘企業股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 辛耘企業股份有限公司 filed Critical 辛耘企業股份有限公司
Publication of TW201829077A publication Critical patent/TW201829077A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI652118B publication Critical patent/TWI652118B/zh

Links

Classifications

    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68785—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by the mechanical construction of the susceptor, stage or support
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/6838—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping with gripping and holding devices using a vacuum; Bernoulli devices
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/67034—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for drying
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67051—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing using mainly spraying means, e.g. nozzles
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67028—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like
    • H01L21/6704—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing
    • H01L21/67057—Apparatus for fluid treatment for cleaning followed by drying, rinsing, stripping, blasting or the like for wet cleaning or washing with the semiconductor substrates being dipped in baths or vessels
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67017—Apparatus for fluid treatment
    • H01L21/67063—Apparatus for fluid treatment for etching
    • H01L21/67075—Apparatus for fluid treatment for etching for wet etching
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67005—Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/67011—Apparatus for manufacture or treatment
    • H01L21/67155—Apparatus for manufacturing or treating in a plurality of work-stations
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/67—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere
    • H01L21/683—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping
    • H01L21/687—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches
    • H01L21/68714—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support
    • H01L21/68757—Apparatus specially adapted for handling semiconductor or electric solid state devices during manufacture or treatment thereof; Apparatus specially adapted for handling wafers during manufacture or treatment of semiconductor or electric solid state devices or components ; Apparatus not specifically provided for elsewhere for supporting or gripping using mechanical means, e.g. chucks, clamps or pinches the wafers being placed on a susceptor, stage or support characterised by a coating or a hardness or a material

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)
  • Container, Conveyance, Adherence, Positioning, Of Wafer (AREA)
  • Cleaning By Liquid Or Steam (AREA)
  • Level Indicators Using A Float (AREA)
  • Weting (AREA)

Abstract

本發明揭露一種基板濕式處理裝置，其包括一浸泡槽、一噴洗處理槽、一輸送載具以及一控制單元。控制單元控制複數基板之濕式處理。浸泡槽包括一多片式容置部，控制單元分別控制每一基板於多片式容置部之浸泡處理時序。噴洗處理槽鄰設於浸泡槽。控制單元控制輸送載具移送一第一基板至多片式容置部；經過一間隔時間，移送一第二基板至多片式容置部；第一基板經過一浸泡處理時間，移送至噴洗處理槽；經過一噴洗處理時間後，移出第一基板；及第二基板經過該浸泡處理時間，移送至噴洗處理槽。控制單元依據噴洗處理時間排程間隔時間。

Description

基板濕式處理裝置
本發明係關於一種基板濕式處理裝置。
在半導體製程中，需先對基板（如晶圓）進行多道清潔程序，以移除基板表面的雜質。抑或是，以微影蝕刻於基板（如晶圓）形成圖案後，也必須藉由多道清潔程序以去除光阻（Photo Resistor, PR）或金屬膜（Metal Film）。一般而言，係先將基板浸泡於化學液，再以噴洗的方式清洗基板，最後再以旋轉的方式乾燥基板，且每個步驟係使用單晶圓水平式處理單元。因此，每一片基板需等待浸泡完後，才能接著進行清洗、乾燥等後續步驟。由於每個步驟的處理時間不同，如浸泡的時間較長，進而使基板處理設備的使用效率不佳。
為了改善前述情況，市面上出現一種具有批次式浸泡槽的基板處理設備，一次性將複數片基板置於浸泡槽內，以批次式進行浸泡程序。藉由批次式浸泡槽的設計，以提高基板處理設備使用效率。然而如後續程序仍是使用單晶圓水平式處理單元進行，故仍必須自批次式浸泡槽內依序取出基板（1片/次）進行清洗、乾燥等步驟。因此，批次式浸泡槽的設計反而會造成必須維持同一製程條件之每一片基板的浸泡時間卻不同（例如一基板較快被取出，則浸泡時間較短；反之，另一基板浸泡時間則較長），浸泡後的效果亦有所差異。然，後續仍以同樣條件進行清洗、乾燥，將使每片基板的清洗程度不同，反而會降低良率，實有改良之必要。
有鑑於上述課題，本發明之主要目的係在提供一種基板濕式處理裝置，基板濕式處理裝置包括具有多片式容置部的浸泡槽，且控制單元控制複數基板之濕式處理，並藉由輸送載具分別控制每一基板於多片式容置部之浸泡處理時序（如第一基板及第二基板），控制單元並依據噴洗處理槽所需噴洗處理時間排程浸泡處理時序，以解決習知基板處理裝置之基板濕式處理的問題。
為達成上述之目的，本發明提供一種基板濕式處理裝置，其包括一浸泡槽、一噴洗處理槽、一輸送載具以及一控制單元。控制單元控制複數基板之濕式處理。浸泡槽包括一多片式容置部，其中控制單元分別控制每一基板於多片式容置部之浸泡處理時序。噴洗處理槽鄰設於浸泡槽，並具有至少一單片式噴洗單元。輸送載具於浸泡槽及噴洗處理槽之間移送每一基板。控制單元控制輸送載具移送該些基板中之一第一基板至浸泡槽之多片式容置部，經過一間隔時間，移送該些基板中之一第二基板至浸泡槽之多片式容置部，第一基板經過一浸泡處理時間，自浸泡槽移送至噴洗處理槽之單片式噴洗單元進行噴洗處理，經過一噴洗處理時間，自單片式噴洗單元移出第一基板，及第二基板經過該浸泡處理時間，自浸泡槽接續移送至噴洗處理槽之單片式噴洗單元進行噴洗處理，其中控制單元依據噴洗處理時間排程間隔時間。
根據本發明之一實施例，基板濕式處理裝置更包括一清洗乾燥單元，其鄰設於單片式噴洗單元，其中輸送載具自單片式噴洗單元移送每一該些基板至清洗乾燥單元。
根據本發明之一實施例，清洗乾燥單元設置於噴洗處理槽內，對每一該些基板先進行噴洗處理及接續進行清洗乾燥。
根據本發明之一實施例，清洗乾燥單元包括一清洗液供應單元及一揮發性溶液供應單元，清洗乾燥單元對基板施予一清洗液及一揮發性溶液。
根據本發明之一實施例，該多片式容置部為一水平多片式容置部。
根據本發明之一實施例，多片式容置部為一垂直多片式容置部。
根據本發明之一實施例，單片式噴洗單元為一垂直單片式噴洗單元。
根據本發明之一實施例，單片式噴洗單元包括一噴洗槽及至少一流體噴頭，流體噴頭設置於噴洗槽之至少一側壁，並藉由每一該些基板於該噴洗槽內垂直移動，該流體噴頭噴洗每一該些基板。
根據本發明之一實施例，基板於噴洗槽內垂直向上移動時，流體噴頭噴洗基板。
根據本發明之一實施例，浸泡槽包括一流場控制單元，於垂直多片式容置部以一降流流場處理基板。
根據本發明之一實施例，輸送載具垂直地承載基板並移動至垂直多片式容置部及垂直單片式噴洗單元。
根據本發明之一實施例，其中輸送載具更包括一移動軌道，設置於浸泡槽及噴洗處理槽之上方。
根據本發明之一實施例，垂直多片式容置部包括複數個單片式容置槽位，該些單片式容置槽位及垂直單片式噴洗單元各包括一處理承載架，輸送載具承載基板至處理承載架，由處理承載架承載基板升降置入該些單片式容置槽位之一或垂直單片式噴洗單元。
根據本發明之一實施例，輸送載具包括一承載板，輸送載具移動承載板並由承載板承載基板升降，以置入浸泡槽或噴洗處理槽。
根據本發明之一實施例，基板濕式處理裝置更包括一浸泡前噴洗單元，鄰設於多片式容置部，控制單元先控制輸送載具移送基板至浸泡前噴洗單元進行噴洗後，再移送至多片式容置部。
根據本發明之一實施例，浸泡前噴洗單元設置於浸泡槽內，對基板先進行噴洗處理及接續移送至多片式容置部進行浸泡處理。
根據本發明之一實施例，基板濕式處理裝置更包括一氣體噴洗單元，其設置於浸泡槽或噴洗處理槽至少其一之上方，對基板移出槽體時進行氣體噴洗。
根據本發明之一實施例，噴洗處理槽設置有複數該單片式噴洗單元，控制單元依據複數該單片式噴洗單元之噴洗處理時間排程間隔時間。
根據本發明之一實施例，基板之浸泡處理時間大於噴洗處理時間，控制單元依據浸泡處理時間及噴洗處理時間排程間隔時間。
根據本發明之一實施例，每一該些基板之浸泡處理時間由控制單元分別控制，控制單元依據每一該些基板之浸泡處理時間及噴洗處理時間排程間隔時間。
承上所述，依據本發明之基板濕式處理裝置，其包括一浸泡槽、一噴洗處理槽、一輸送載具以及一控制單元。浸泡槽包括一多片式容置部，而噴洗處理槽鄰設於浸泡槽。控制單元控制複數基板之濕式處理，並藉由輸送載具分別控制每一片基板於多片式容置部之浸泡處理時序。其中，複數基板置於多片式容置部，同一製程條件之每片基板分別經過相同的浸泡處理時間後，再依序移至噴洗處理槽。由於每片基板的浸泡處理時間相同，故可避免因浸泡時間不同而造成清洗程度的差異，進而可提高良率。
又，置放第一基板及第二基板於浸泡槽的間隔時間大於等於噴洗處理時間，可確保排序較前之第一基板噴洗完成後，排序較後的第二基板始浸泡完成。因此，排序較後的第二基板可順暢地移動至噴洗處理槽，不會受到排序較前之第一基板的阻礙。
又，本發明之基板濕式處理裝置，控制單元可依據製程需求，處理不同製程條件之複數基板。不同製程條件所需的浸泡處理時間有所不同，可藉由控制單元分別控制每一基板所需之特定的浸泡處理時間；及控制單元依據每一基板之浸泡處理時間及噴洗處理時間排程間隔時間。
為能讓 貴審查委員能更瞭解本發明之技術內容，特舉較佳具體實施例說明如下。
圖1為本發明之一實施例之基板濕式處理裝置的示意圖，圖2為圖1所示之浸泡槽、噴洗處理槽及清洗乾燥單元的剖面示意圖，圖3為圖1所示之浸泡槽及噴洗處理槽的立體示意圖，請一併參考圖1、圖2及圖3所示。本實施例之基板濕式處理裝置1用於處理複數片基板S，針對複數片基板S分別進行浸泡、噴洗、清洗及乾燥等程序，關於作動的部分係以第一基板S1及第二基板S2為例說明。本實施例之基板濕式處理裝置1包括浸泡槽10、噴洗處理槽20、輸送載具30、控制單元40以及清洗乾燥單元50。其中，噴洗處理槽20鄰設於浸泡槽10，輸送載具30於浸泡槽10及噴洗處理槽20之間移動，藉此將每一基板S移送至浸泡槽10及噴洗處理槽20。
又，本實施例之控制單元40藉由控制輸送載具30的作動，已將複數片基板S進行濕式處理，並分別控制每一基板S（第一基板S1、第二基板S2）於浸泡槽10之多片式容置部11的浸泡處理時序。又，控制單元40儲存一基板濕式處理方法（程式），如圖4所示，圖4為本發明之一實施例之基板濕式處理方法的流程示意圖。控制單元40可控制輸送載具30執行以下步驟：移送複數基板中的第一基板至浸泡槽之多片式容置部（步驟S10）；經過一間隔時間，移送複數基板中的第二基板至浸泡槽之多片式容置部（步驟S20）；第一基板經過一浸泡處理時間，自浸泡槽移送至噴洗處理槽之單片式噴洗單元進行噴洗處理（步驟S30）；經過一噴洗處理時間，自單片式噴洗單元移出第一基板（步驟S40）；以及第二基板經過該浸泡處理時間，自浸泡槽接續移送至噴洗處理槽之單片式噴洗單元進行噴洗處理（步驟S50）。以下搭配各步驟，進一步說明本實施例之基板濕式處理裝置1的結構特徵。
步驟S10：移送複數基板S中的第一基板S1至浸泡槽10之多片式容置部11。
本實施例之浸泡槽10內具有浸泡液，並包括一多片式容置部11，其可容置複數片基板S。其中，多片式容置部11可以為水平式或垂直式，較佳可以為垂直式，本實施例之多片式容置部11為一垂直多片式容置部。垂直式的設計除了可達到節省空間的效果，更使輸送載具30可不受空間的限制，持取並移送控制單元40所指定持取的基板S。本實施例之輸送載具30可移動地設置於浸泡槽10及噴洗處理槽20，且輸送載具30垂直地承載基板S。詳細而言，輸送載具30包括承載板31、移動件32及移動軌道33。承載板31用以承接基板S，以使基板S進行升降而可置入浸泡槽10及噴洗處理槽20。移動軌道33設置於浸泡槽10及噴洗處理槽20之上方。移動件32設置於承載板31的二側，且部分容置於移動軌道33，使移動件32可沿著移動軌道33移動，以帶動承載板31將基板S移送指定位置。其中於各處理步驟皆為各別基板之單片式處理，因此可依靠單一之移動件32往返於浸泡槽10及噴洗處理槽20，持取並移送控制單元40所指定持取的基板S。在其他實施例中，依據製程需求，亦可設置複數移動件32，本發明並不限制。
一般而言，藉由機械手臂等機構將基板S以水平的狀態送入基板濕式處理裝置1，故浸泡槽10前方仍具有可置放水平狀態之基板S的空間及一基板水平垂直轉換單元12。較佳的，本實施例之浸泡槽10具有基板水平垂直轉換單元12，其接收水平狀態的基板S後，再轉換成垂直狀態，並由輸送載具30的承載板31所接收。請搭配圖5所示，圖5為圖3所示之浸泡槽的作動示意圖。移動件32帶動承載板31及基板S移動至指定位置後，例如多片式容置部11中尚未置放基板S的位置，再將基板S（以第一基板S1為例）垂直地置於多片式容置部11，同時，控制單元40紀錄其置放時間。
在其他實施例中，請參考圖1所示，基板水平垂直轉換單元12設置於噴洗處理槽20及清洗乾燥單元50之間，將垂直狀態的基板S，再轉換成水平狀態。
在其他實施例中，多片式容置部11a亦可以水平式，如圖6所示，圖6為本發明之另一實施例之浸泡槽的示意圖。此實施例之浸泡槽10a具有水平式的多片式容置部11a，僅須搭配其他機構，使輸送載具30可一次取出一片基板。又，水平式的設計可使基板S進入浸泡槽10a時可不用轉換為垂直狀態。
步驟S20：經過一間隔時間，移送複數基板S中的第二基板S2，並置於浸泡槽10之多片式容置部11。
換言之，輸送載具30先移送第一基板S1至多片式容置部11進行浸泡程序（步驟S10），經過一間隔時間後，再移送第二基板S2至多片式容置部11進行浸泡程序（步驟S20），重複多次後，即可將複數片的基板S置放於多片式容置部11進行浸泡程序。需注意的是，每一片基板S（以第一基板S1及第二基板S2為例）皆獨立進出浸泡槽10，且其置放時間的時間差即為前述之間隔時間。換言之，第一基板S1及第二基板S2的置放時間的差值為前述之間隔時間。因此，將第一基板S1及第二基板S2（複數片基板S）依序置於浸泡槽10後，可同時於浸泡槽10分別進行浸泡程序，不用等待第一基板S1浸泡完後再置放第二基板S2，藉此提高基板濕式處理裝置1的使用效率。
較佳的，浸泡槽10更包括溫度控制單元、流場控制單元、或震盪單元，其中，溫度控制單元可將浸泡槽10內的浸泡液維持在一指定溫度區間，而流場控制單元可控制浸泡液的流場，以均勻地泡軟基板S上的光阻，例如可為降流流場，如圖7之箭頭符號所示，圖7為圖3所示之浸泡槽之降流流場示意圖。具體而言，流場控制單元於垂直多片式容置部11形成降流流場以進一步處理基板S，如基板S有剝離物，可利用降流將剝離物往下帶。又，震盪單元連接於多片式容置部11，以搖動置於多片式容置部11的第一基板S1及第二基板S2（複數片基板S），進而加速移除基板S上的光阻或金屬膜。
在其他實施例中，基板濕式處理裝置1更可包括一浸泡前噴洗單元，其鄰設於多片式容置部11。在步驟S10之前，控制單元40可先控制輸送載具30移送第一基板S1（單一基板S）至浸泡前噴洗單元，進行浸泡前的噴洗處理後，再執行步驟S10，以將第一基板S1移送至多片式容置部11。接著，持取第二基板S2至浸泡前噴洗單元進行噴洗處理後，再執行步驟S20（將第二基板S2移送至多片式容置部11。
又，浸泡前噴洗單元可設置於浸泡槽10內，或鄰設於浸泡槽10。以設置於浸泡槽10內為例，浸泡槽10可區分為二個空間，其一具有噴頭以作為浸泡前噴洗單元，另一置放多片式容置部11，並可先對基板S進行噴洗處理後，接續移送至多片式容置部11並進行浸泡處理。
步驟S30：第一基板S1經過一浸泡處理時間，自浸泡槽10移送至噴洗處理槽20之單片式噴洗單元21進行噴洗處理。
換言之，第一基板S1置於浸泡槽10內，並經浸泡處理時間後取出。需說明的是，每一片基板S皆經一浸泡處理時間後，即自浸泡槽10取出。又，不同製程所需的浸泡處理時間有所不同，亦可藉由控制單元40依據製程排程適當的浸泡處理時間。
在本實施例中，由於多片式容置部11及為垂直式的設計，故輸送載具30同樣以垂直的方式取出基板S（第一基板S1），相較於水平式的設計，可大幅降低基板S上之浸泡液的殘留量。較佳的，基板濕式處理裝置1更可具有一氣體噴洗單元60（如圖2所示），並設置於浸泡槽10的上方，取出基板S（第一基板S1）時，可同時噴除基板S上的浸泡液，更進一步降低浸泡液的殘留量。氣體噴洗單元60設置於浸泡槽10的上方或浸泡槽10之槽壁上方，本發明並不限制。
噴洗處理槽20具有至少一單片式噴洗單元21，本實施例係以二個相鄰設置的單片式噴洗單元21為例，故可依據需求使用不同的化學液進行噴洗處理，亦可為相同化學液的兩單片式噴洗單元21，以增加處理基板S之數量。又，單片式噴洗單元21係針對單一基板S進行噴洗程序，以確保每一片基板S可在同樣條件下被清洗。單片式噴洗單元21亦可以為水平式或垂直式，較佳可以為垂直式，而本實施例之單片式噴洗單元21為一垂直單片式噴洗單元，故可承接上一站之浸泡槽10的垂直狀態，不用再轉換基板S的狀態。舉例而言，第一基板S1浸泡完成後，輸送載具30的移動件32帶動承載板31至第一基板S1的位置，承載板31向下移動以承接垂直狀態的第一基板S1。接著，承載板31向上移動至原位（移動件32的頂緣），移動件32帶動承載板31及第一基板S1移動至單片式噴洗單元21，並以同樣的方式將第一基板S1垂直地置放於單片式噴洗單元21內。簡言之，輸送載具30垂直地承載基板S並移動至垂直多片式容置部11及垂直單片式噴洗單元21。
又，本實施例之單片式噴洗單元21包括一噴洗槽211及至少一流體噴頭212，且流體噴頭212設置於噴洗槽211之至少一側壁，並藉由每一片基板S於噴洗槽211內垂直移動，流體噴頭212噴洗每一片基板S。換言之，當第一基板S1（或其他基板S）垂直地移動至噴洗槽211內，位於側壁的流體噴頭212可直接噴洗第一基板S1。
在其他實施例中，單片式噴洗單元21a亦可以水平式，如圖8所示，圖8為本發明之另一實施例之噴洗處理槽的示意圖。此實施例之噴洗處理槽20a具有水平式的單片式噴洗單元21a。
步驟S40：經過一噴洗處理時間，自單片式噴洗單元21移出第一基板S1。
第一基板S1於噴洗槽211內進行噴洗程序，並持續一噴洗處理時間後，移動件32移動至噴洗槽211後，承載板31向下移動並承接第一基板S1，接著向上移動，以移出第一基板S1。較佳的，流體噴頭212可設置於側壁的上方，當第一基板S1於單片式噴洗單元21內垂直向上移動時，流體噴頭212更可由第一基板S1上至下噴除剝離物（例如光阻及金屬膜）。同時，已噴洗過的基板S部位向上移動，進而達到避免回沾及刮傷的效果。
較佳的，除了浸泡槽10的上方以外，基板濕式處理裝置1更可具有另一氣體噴洗單元60，其設置於噴洗處理槽20之上方，或噴洗處理槽20之槽壁上方。於取出第一基板S1的同時噴除基板S上的化學液，更進一步降低化學液的殘留量。接著，輸送載具30將第一基板S1移至下一程序，本實施例係移動至清洗乾燥單元50。又，控制單元40可依據複數個單片式噴洗單元21之噴洗處理時間以排程間隔時間，或依據浸泡處理時間及噴洗處理時間排程間隔時間。例如使（置放第一基板S1及第二基板S2的）間隔時間大於等於噴洗處理時間，以確保前面的基板S（如第一基板S1）可即時的噴洗完成，不會阻礙後續基板S（如第二基板S2）移動至噴洗處理槽20的時序。較佳的，間隔時間大於噴洗處理時間，但若輸送載具30具有多個承載板31及移動件32時或具有複數個單片式噴洗單元21並行處理，則間隔時間可小於等於噴洗處理時間，本發明並不限制。
步驟S50：第二基板S2經過該浸泡處理時間，自浸泡槽10接續移送至噴洗處理槽20之單片式噴洗單元21進行噴洗處理。
首先，第一基板S1與第二基板S2的浸泡處理時間皆相同。又，由於置放第一基板S1及第二基板S2於浸泡槽10的間隔時間大於等於噴洗處理時間，故當第二基板S2浸泡完成時，第一基板S1亦已噴洗完成而移至下一程序（清洗乾燥單元50）。因此，輸送載具30可直接自浸泡槽10持取第二基板S2，並移送至單片式噴洗單元21，而不會有任何阻礙。
另外，浸泡處理時間大於噴洗時間，係為使第一基板S1及第二基板S2上的光阻及金屬膜可有效脫落的設計。第二基板S2噴洗完成後，亦藉由輸送載具30移至下一程序之清洗乾燥單元50。
清洗乾燥單元50鄰設於單片式噴洗單元21，而清洗乾燥單元50為單片式的清洗旋轉平台，並具有清洗液供應單元51，每次可針對一片基板S（例如第一基板S1或第二基板S2）施予清洗液後，再以旋轉的方式使基板S乾燥。清洗液可以為去離子水，藉此清洗基板S上所殘留的化學液。較佳的，清洗乾燥單元50更可包括一揮發性溶液供應單元，以對基板S施予一揮發性溶液，例如異丙醇。當基板S為具表面結構的晶圓時，施予去離子水後，更進一步藉由揮發性溶液供應單元噴撒少許的異丙醇，以有效地去除殘留在基板S上的水份。
又，清洗乾燥單元50可為水平或垂直式，本實施例係以獨立設置的水平式清洗乾燥單元50為例。圖9為本發明之另一實施例之噴洗處理槽及清洗乾燥單元的示意圖，請參考圖9所示。清洗乾燥單元50b亦可為垂直式，並亦可設置於噴洗處理槽20b，亦即，清洗乾燥單元50b與單片式噴洗單元21可以為設置於同一槽體（噴洗處理槽20b）的不同處理單元，例如圖9所示之左側為噴洗處理液的單片式噴洗單元21b、右側為噴洗清洗液的清洗液供應單元51b。圖10為本發明之又一實施例之噴洗處理槽及清洗乾燥單元的示意圖，請參考圖10所示。單片式噴洗單元21c與清洗乾燥單元50c皆為水平式，設置於同一槽體（噴洗處理槽20c），並可使用同一噴頭於不同時程噴洗處理液、或清洗液，或是使用不同噴頭，以分別噴洗處理液、清洗液。而本實施例之噴洗處理槽20c內設置有處理液收集單元22c、及清洗液收集單元52c之二個不同的單元，已分別接收處理液、清洗液。
圖11為本發明之另一實施例之基板濕式處理裝置的示意圖，請參考圖11所示。在本實施例中，垂直多片式容置部11d包括複數個單片式容置槽位111d，且單片式容置槽位111d及垂直單片式噴洗單元21d具有處理承載架A。輸送載具30d同樣包括承載板31d、移動件32d及移動軌道33d，而移動軌道33d設置於基板濕式處理裝置1d之側壁。輸送載具30d之承載板31d承載基板S至處理承載架A，由處理承載架A承載基板S升降置入單片式容置槽位111d之一、或置入垂直單片式噴洗單元21d。其中可依靠單一之移動件32d往返於浸泡槽10d及噴洗處理槽20d，持取並移送控制單元40所指定持取的基板S。
在其他實施例中，依據製程需求，亦可設置複數移動件32d，本發明並不限制。
綜上所述，依據本發明之基板濕式處理裝置，其包括一浸泡槽、一噴洗處理槽、一輸送載具以及一控制單元。浸泡槽包括一多片式容置部，而噴洗處理槽鄰設於浸泡槽。控制單元控制複數基板之濕式處理，並藉由輸送載具分別控制每一基板於多片式容置部之浸泡處理時序。其中，複數基板置於多片式容置部，同一製程條件之每片基板分別經過相同的浸泡處理時間後，再依序移至噴洗處理槽。由於每片基板的浸泡處理時間相同，故可避免因浸泡時間不同而造成清洗程度的差異，進而可提高良率。
又，置放第一基板及第二基板於浸泡槽的間隔時間大於等於噴洗處理時間，可確保排序較前之第一基板噴洗完成後，排序較後的第二基板始浸泡完成。因此，排序較後的第二基板可順暢地移動至噴洗處理槽，不會受到排序較前之第一基板的阻礙。
又，本發明之基板濕式處理裝置，控制單元可依據製程需求，處理不同製程條件之複數基板。不同製程條件所需的浸泡處理時間有所不同，可藉由控制單元分別控制每一基板所需之特定的浸泡處理時間；及控制單元依據每一基板之浸泡處理時間及噴洗處理時間排程間隔時間。
本發明無論就目的、手段及功效，在在均顯示其迥異於習知技術之特徵，懇請 貴審查委員明察，早日賜准專利，俾嘉惠社會，實感德便。惟應注意的是，上述諸多實施例係為了便於說明而舉例，本發明所主張之權利範圍自應以申請專利範圍所述為準，而非僅限於上述實施例。
1、1d‧‧‧基板濕式處理裝置
10、10a、10d‧‧‧浸泡槽
11、11a、11d‧‧‧多片式容置部
111d‧‧‧單片式容置槽位
12、12d‧‧‧基板水平垂直轉換單元
20、20a、20b、20c、20d‧‧‧噴洗處理槽
21、21a、21b、21c、21d‧‧‧單片式噴洗單元
211‧‧‧噴洗槽
212‧‧‧流體噴頭
22c‧‧‧處理液收集單元
30‧‧‧輸送載具
31、31d‧‧‧承載板
32、32d‧‧‧移動件
33、33d‧‧‧移動軌道
40‧‧‧控制單元
50、50b、50c‧‧‧清洗乾燥單元
51、51b、51c‧‧‧清洗液供應單元
52c‧‧‧清洗液收集單元
60‧‧‧氣體噴洗單元
A‧‧‧處理承載架
S‧‧‧基板
S1‧‧‧第一基板
S2‧‧‧第二基板
圖1為本發明之一實施例之基板濕式處理裝置的示意圖。 圖2為圖1所示之浸泡槽、噴洗處理槽及清洗乾燥單元的剖面示意圖。 圖3為圖1所示之浸泡槽及噴洗處理槽的立體示意圖。 圖4為本發明之一實施例之基板濕式處理方法的流程示意圖。 圖5為圖3所示之浸泡槽的作動示意圖。 圖6為本發明之另一實施例之浸泡槽的示意圖。 圖7為圖3所示之浸泡槽之降流流場示意圖。 圖8為本發明之另一實施例之噴洗處理槽的示意圖。 圖9為本發明之另一實施例之噴洗處理槽及清洗乾燥單元的示意圖。 圖10為本發明之又一實施例之噴洗處理槽及清洗乾燥單元的示意圖。 圖11為本發明之另一實施例之基板濕式處理裝置的示意圖。

Claims (20)

  1. 一種基板濕式處理裝置，包括： 一控制單元，控制複數基板之濕式處理； 一浸泡槽，包括一多片式容置部，其中該控制單元分別控制每一該些基板於該多片式容置部之浸泡處理時序； 一噴洗處理槽，鄰設於該浸泡槽，並具有至少一單片式噴洗單元；以及 一輸送載具，於該浸泡槽及該噴洗處理槽之間移送每一該些基板； 其中該控制單元，控制該輸送載具移送該些基板中之一第一基板至該浸泡槽之該多片式容置部，經過一間隔時間，移送該些基板中之一第二基板置於該浸泡槽之該多片式容置部，該第一基板經過一浸泡處理時間，自該浸泡槽移送至該噴洗處理槽之該單片式噴洗單元進行噴洗處理， 經過一噴洗處理時間，自該單片式噴洗單元移出該第一基板，及該第二基板經過該浸泡處理時間，自該浸泡槽接續移送至該噴洗處理槽之該單片式噴洗單元進行噴洗處理，其中該控制單元依據該噴洗處理時間排程該間隔時間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之基板濕式處理裝置，更包括： 一清洗乾燥單元，鄰設於該單片式噴洗單元，其中該輸送載具自該單片式噴洗單元移送每一該些基板至該清洗乾燥單元。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之基板濕式處理裝置，其中該清洗乾燥單元設置於該噴洗處理槽內，對每一該些基板先進行噴洗處理及接續進行清洗乾燥。
  4. 如申請專利範圍第2項所述之基板濕式處理裝置，其中該清洗乾燥單元包括一清洗液供應單元及一揮發性溶液供應單元，該清洗乾燥單元對每一該些基板施予一清洗液及一揮發性溶液。
  5. 如申請專利範圍第2項所述之基板濕式處理裝置，其中該多片式容置部為一水平多片式容置部。
  6. 如申請專利範圍第2項所述之基板濕式處理裝置，其中該多片式容置部為一垂直多片式容置部。
  7. 如申請專利範圍第6項所述之基板濕式處理裝置，其中該單片式噴洗單元為一垂直單片式噴洗單元。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之基板濕式處理裝置，其中該單片式噴洗單元包括一噴洗槽及至少一流體噴頭，該流體噴頭設置於該噴洗槽之至少一側壁，並藉由每一該些基板於該噴洗槽內垂直移動，該流體噴頭噴洗每一該些基板。
  9. 如申請專利範圍第8項所述之基板濕式處理裝置，其中每一該些基板於該噴洗槽內垂直向上移動時，該流體噴頭噴洗每一該些基板。
  10. 如申請專利範圍第9項所述之基板濕式處理裝置，其中該浸泡槽包括一流場控制單元，於該垂直多片式容置部以一降流流場處理該些基板。
  11. 如申請專利範圍第7項所述之基板濕式處理裝置，其中該輸送載具垂直地承載每一該些基板並移動至該垂直多片式容置部及該垂直單片式噴洗單元。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之基板濕式處理裝置，其中該輸送載具更包括一移動軌道，設置於該浸泡槽及該噴洗處理槽之上方。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之基板濕式處理裝置，其中該垂直多片式容置部包括複數個單片式容置槽位，該些單片式容置槽位及該垂直單片式噴洗單元各包括一處理承載架，該輸送載具承載每一該些基板至該處理承載架，由該處理承載架承載每一該些基板升降置入該些單片式容置槽位之一或該垂直單片式噴洗單元。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之基板濕式處理裝置，其中該輸送載具包括一承載板，該輸送載具移動該承載板並由該承載板承載每一該些基板升降，以置入該浸泡槽或該噴洗處理槽。
  15. 如申請專利範圍第1項所述之基板濕式處理裝置，更包括： 一浸泡前噴洗單元，鄰設於該多片式容置部，該控制單元先控制該輸送載具移送每一該些基板至該浸泡前噴洗單元進行噴洗後，再移送至該多片式容置部。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之基板濕式處理裝置，其中該浸泡前噴洗單元設置於該浸泡槽內，對每一該些基板先進行噴洗處理及接續移送至該多片式容置部進行浸泡處理。
  17. 如申請專利範圍第1項所述之基板濕式處理裝置，更包括： 一氣體噴洗單元，設置於該浸泡槽或該噴洗處理槽至少其一之上方，對每一該些基板移出槽體時進行氣體噴洗。
  18. 如申請專利範圍第1項所述之基板濕式處理裝置，其中該噴洗處理槽設置有複數該單片式噴洗單元，該控制單元依據複數該單片式噴洗單元之該噴洗處理時間排程該間隔時間。
  19. 如申請專利範圍第1項所述之基板濕式處理裝置，其中每一該些基板之該浸泡處理時間大於該噴洗處理時間，該控制單元依據該浸泡處理時間及該噴洗處理時間排程該間隔時間。
  20. 如申請專利範圍第1項所述之基板濕式處理裝置，其中每一該些基板之該浸泡處理時間由該控制單元分別控制，該控制單元依據每一該些基板之該浸泡處理時間及該噴洗處理時間排程該間隔時間。
TW106136348A 2016-11-10 2017-10-23 基板濕式處理裝置 TWI652118B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
US201662420107P 2016-11-10 2016-11-10
US62/420,107 2016-11-10

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW201829077A true TW201829077A (zh) 2018-08-16
TWI652118B TWI652118B (zh) 2019-03-01

Family

ID=61229113

Family Applications (9)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106117427A TWI645913B (zh) 2016-11-10 2017-05-25 液體製程裝置
TW106208016U TWM553231U (zh) 2016-11-10 2017-06-05 清洗裝置
TW106122401A TWI615336B (zh) 2016-11-10 2017-07-04 處理液儲存槽
TW106122530A TWI633615B (zh) 2016-11-10 2017-07-05 基板濕式處理裝置
TW106123869A TWI652462B (zh) 2016-11-10 2017-07-17 閥體異常偵測裝置及其閥體異常偵測之方法
TW106126671A TWI652117B (zh) 2016-11-10 2017-08-08 基板濕式處理裝置
TW106136348A TWI652118B (zh) 2016-11-10 2017-10-23 基板濕式處理裝置
TW106136583A TWI645915B (zh) 2016-11-10 2017-10-24 基板溼處理裝置
TW106137610A TWI672765B (zh) 2016-11-10 2017-10-31 單基板處理裝置

Family Applications Before (6)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106117427A TWI645913B (zh) 2016-11-10 2017-05-25 液體製程裝置
TW106208016U TWM553231U (zh) 2016-11-10 2017-06-05 清洗裝置
TW106122401A TWI615336B (zh) 2016-11-10 2017-07-04 處理液儲存槽
TW106122530A TWI633615B (zh) 2016-11-10 2017-07-05 基板濕式處理裝置
TW106123869A TWI652462B (zh) 2016-11-10 2017-07-17 閥體異常偵測裝置及其閥體異常偵測之方法
TW106126671A TWI652117B (zh) 2016-11-10 2017-08-08 基板濕式處理裝置

Family Applications After (2)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW106136583A TWI645915B (zh) 2016-11-10 2017-10-24 基板溼處理裝置
TW106137610A TWI672765B (zh) 2016-11-10 2017-10-31 單基板處理裝置

Country Status (3)

Country Link
KR (5) KR20180052511A (zh)
CN (6) CN108074858B (zh)
TW (9) TWI645913B (zh)

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI739201B (zh) * 2019-11-08 2021-09-11 辛耘企業股份有限公司 基板濕處理裝置及基板清洗方法

Families Citing this family (16)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN108941045A (zh) * 2018-08-20 2018-12-07 上海健康医学院 一种便携式压模牙具清洗装置
CN110854010B (zh) * 2018-08-20 2022-07-22 北京北方华创微电子装备有限公司 冷却晶圆的方法、装置和半导体处理设备
JP6979935B2 (ja) * 2018-10-24 2021-12-15 三菱電機株式会社 半導体製造装置および半導体製造方法
CN109225968B (zh) * 2018-11-09 2024-03-19 天津中晟达科技有限公司 擦拭设备
KR102176209B1 (ko) * 2018-12-13 2020-11-09 주식회사 제우스 이물질 제거용 기판처리장치
US20200373190A1 (en) * 2019-05-20 2020-11-26 Applied Materials, Inc. Process kit enclosure system
CN110361139B (zh) * 2019-06-03 2021-08-03 山东天岳先进科技股份有限公司 一种检测半导体碳化硅衬底中大尺寸微管的方法及装置
CN110299311A (zh) * 2019-06-21 2019-10-01 德淮半导体有限公司 一种晶圆清洗干燥装置和方法
CN110534458A (zh) * 2019-08-08 2019-12-03 长江存储科技有限责任公司 清洗设备及其清洗方法
CN110600405A (zh) * 2019-08-28 2019-12-20 长江存储科技有限责任公司 清洗装置、方法及存储介质
JP7313244B2 (ja) * 2019-09-20 2023-07-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
KR102378623B1 (ko) * 2019-11-08 2022-03-24 사이언테크 코포레이션 기판들을 위한 습식 처리 장치
CN112275572A (zh) * 2020-09-29 2021-01-29 安徽索立德铸业有限公司 一种水泵铸件生产线用涂料混合装置
TWI755122B (zh) * 2020-10-28 2022-02-11 辛耘企業股份有限公司 晶圓蝕刻機
TWI778786B (zh) * 2021-09-11 2022-09-21 辛耘企業股份有限公司 晶圓加工方法及載台
CN114453321A (zh) * 2022-02-25 2022-05-10 上海普达特半导体设备有限公司 一种单片式晶圆清洗装置

Family Cites Families (43)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6019657B2 (ja) * 1977-12-14 1985-05-17 株式会社日立製作所 マスクアライナのウエハ密着・分離機構
US4358955A (en) * 1980-09-29 1982-11-16 Technomadic Corporation Liquid level gauge
TW306011B (zh) * 1995-04-19 1997-05-21 Tokyo Electron Co Ltd
TW310452B (zh) * 1995-12-07 1997-07-11 Tokyo Electron Co Ltd
JP3556043B2 (ja) * 1996-03-19 2004-08-18 株式会社荏原製作所 基板乾燥装置
JP3594037B2 (ja) * 1997-03-28 2004-11-24 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法および基板処理装置
TW344309U (en) * 1997-04-11 1998-11-01 Qiu-Fu Ke Improved structure of a pneumatic foam maker
US6328814B1 (en) * 1999-03-26 2001-12-11 Applied Materials, Inc. Apparatus for cleaning and drying substrates
JP3587723B2 (ja) * 1999-04-30 2004-11-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP2000331975A (ja) * 1999-05-19 2000-11-30 Ebara Corp ウエハ洗浄装置
EP1220036A1 (en) * 1999-09-01 2002-07-03 Sanei Giken Co., Ltd. Substrate supporting table of exposure system
JP2001074535A (ja) * 1999-09-06 2001-03-23 Sumitomo Heavy Ind Ltd 液体レベルゲージ用のプラグ、該プラグを用いた液体レベルゲージ、及び該プラグの製造方法
JP3850226B2 (ja) * 2001-04-02 2006-11-29 株式会社荏原製作所 基板処理装置
JP4064132B2 (ja) * 2002-03-18 2008-03-19 株式会社荏原製作所 基板処理装置及び基板処理方法
JP4131164B2 (ja) * 2002-11-27 2008-08-13 セイコーエプソン株式会社 基板固定方法および表示装置製造方法
JP4219799B2 (ja) * 2003-02-26 2009-02-04 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP2004300576A (ja) * 2003-03-20 2004-10-28 Ebara Corp 基板処理方法及び基板処理装置
TW584915B (en) * 2003-04-10 2004-04-21 Grand Plastic Technology Corp Liquid collection apparatus for single wafer spin etcher
JP3560962B1 (ja) * 2003-07-02 2004-09-02 エス・イー・エス株式会社 基板処理法及び基板処理装置
EP1718420A1 (en) * 2004-02-24 2006-11-08 Ebara Corporation Substrate processing apparatus and method
CN1946486A (zh) * 2004-04-28 2007-04-11 株式会社荏原制作所 基板处理单元及基板处理装置
WO2005105322A1 (ja) * 2004-04-28 2005-11-10 Ebara Corporation 基板処理ユニット及び基板処理装置
JP4410076B2 (ja) * 2004-10-07 2010-02-03 東京エレクトロン株式会社 現像処理装置
JP2007273758A (ja) * 2006-03-31 2007-10-18 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP2007294781A (ja) * 2006-04-27 2007-11-08 Shinkawa Ltd ボンディング装置及びボンディング装置における回路基板の吸着方法
KR100794919B1 (ko) * 2006-07-24 2008-01-15 (주)에스티아이 글라스 식각장치 및 식각방법
KR100909337B1 (ko) * 2007-12-14 2009-07-24 주식회사 동부하이텍 습식 세정 방법 및 이를 제어하는 습식 세정 장치 콘트롤러
KR101036605B1 (ko) * 2008-06-30 2011-05-24 세메스 주식회사 기판 지지 유닛 및 이를 이용한 매엽식 기판 연마 장치
JP2012186728A (ja) * 2011-03-07 2012-09-27 Seiko Instruments Inc 圧電振動片の製造方法、圧電振動片の製造装置、圧電振動片、圧電振動子、発振器、電子機器および電波時計
KR101801264B1 (ko) * 2011-06-13 2017-11-27 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치 및 이를 이용한 반도체 패키지 방법
US10269615B2 (en) * 2011-09-09 2019-04-23 Lam Research Ag Apparatus for treating surfaces of wafer-shaped articles
US8899246B2 (en) * 2011-11-23 2014-12-02 Lam Research Ag Device and method for processing wafer shaped articles
JP6057624B2 (ja) * 2012-09-03 2017-01-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎセミコンダクターソリューションズ カップおよび基板処理装置
CN103730331B (zh) * 2012-10-10 2016-06-08 辛耘企业股份有限公司 干燥方法及干燥装置
JP6017262B2 (ja) * 2012-10-25 2016-10-26 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
WO2014082212A1 (en) * 2012-11-28 2014-06-05 Acm Research (Shanghai) Inc. Method and apparatus for cleaning semiconductor wafer
CN103846245B (zh) * 2012-11-29 2018-01-16 盛美半导体设备（上海）有限公司 基板清洗装置及清洗方法
CN203250724U (zh) * 2013-04-25 2013-10-23 盛美半导体设备（上海）有限公司 晶圆清洗装置
TWI556878B (zh) * 2014-02-26 2016-11-11 辛耘企業股份有限公司 流體加速裝置
TWM505052U (zh) * 2015-01-22 2015-07-11 Scientech Corp 流體製程處理裝置
JP6320945B2 (ja) * 2015-01-30 2018-05-09 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
CN205527751U (zh) * 2015-12-21 2016-08-31 赵志峰 高纯氮气纯化装置
TWM529937U (zh) * 2016-07-12 2016-10-01 吳振維 吸附裝置

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI739201B (zh) * 2019-11-08 2021-09-11 辛耘企業股份有限公司 基板濕處理裝置及基板清洗方法

Also Published As

Publication number Publication date
TWI652118B (zh) 2019-03-01
TWI672765B (zh) 2019-09-21
TWI652117B (zh) 2019-03-01
CN108074858B (zh) 2020-04-21
CN108091591B (zh) 2020-01-07
TW201822893A (zh) 2018-07-01
CN108074838A (zh) 2018-05-25
CN108091591A (zh) 2018-05-29
TWI652462B (zh) 2019-03-01
TWI645915B (zh) 2019-01-01
KR102003128B1 (ko) 2019-07-23
CN108074858A (zh) 2018-05-25
TWI645913B (zh) 2019-01-01
TWM553231U (zh) 2017-12-21
KR20180052538A (ko) 2018-05-18
CN108074842A (zh) 2018-05-25
CN207183227U (zh) 2018-04-03
TW201818057A (zh) 2018-05-16
CN108074842B (zh) 2020-06-09
CN108074856A (zh) 2018-05-25
KR20180052531A (ko) 2018-05-18
TWI633615B (zh) 2018-08-21
KR20180052526A (ko) 2018-05-18
TW201832833A (zh) 2018-09-16
TW201818492A (zh) 2018-05-16
KR20180052528A (ko) 2018-05-18
TW201830571A (zh) 2018-08-16
TW201817662A (zh) 2018-05-16
KR20180052511A (ko) 2018-05-18
CN108074856B (zh) 2020-06-09
TWI615336B (zh) 2018-02-21
TW201817501A (zh) 2018-05-16
KR102001309B1 (ko) 2019-07-17
KR102039795B1 (ko) 2019-11-01

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI652118B (zh) 基板濕式處理裝置
CN101840853B (zh) 基板处理装置、基板处理方法、涂敷、显影装置、涂敷、显影方法和存储介质
KR100493988B1 (ko) 레지스트처리방법및레지스트처리장치
KR102237507B1 (ko) 기판 처리 장치 및 노즐 세정 방법
JP5425745B2 (ja) 液処理装置、液処理方法、およびこの液処理方法を実行するためのコンピュータプログラムが記録された記録媒体
TW200842940A (en) Substrate processing apparatus
US5158616A (en) Apparatus for cleaning a substrate
JP2023514968A (ja) 基板のｓｐｍ加工
KR20100088090A (ko) 액처리 장치
US20040194814A1 (en) Apparatus and process for stripping resist
JP2011072921A (ja) マスククリーニング装置
JP6737436B2 (ja) 膜処理ユニットおよび基板処理装置
JPH01120828A (ja) 半導体ウエハの自動洗浄装置
TWI710017B (zh) 晶圓濕處理工作站
JP4674904B2 (ja) 基板処理装置及び基板処理方法
JP4936793B2 (ja) 洗浄装置および洗浄方法、ならびにコンピュータ読取可能な記憶媒体
TWI781307B (zh) 基板處理裝置、基板處理方法及記錄媒體
KR102415323B1 (ko) 노즐 유닛 및 기판 처리 장치
CN112153815B (zh) 烘烤设备
KR102161794B1 (ko) 부품 세정 장치 및 방법
TW202337581A (zh) 在清潔線中清潔半導體晶圓的方法
TW202405994A (zh) 基板處理裝置
JP3450200B2 (ja) 基板処理装置
JPH11192459A (ja) 基板水洗方法および該方法を使用する基板処理装置
JP2001237170A (ja) 現像処理方法および現像処理装置