JP7313244B2 - 基板処理装置および基板処理方法 - Google Patents

Description

この発明は、基板に処理を行う基板処理装置および基板処理方法に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

特許文献１は、基板処理装置を開示する。以下では、特許文献１に記載される符号を、括弧書きで表記する。基板処理装置は、スピンチャック（４１）と第１カップ（１０）と第２カップ（２０）と第３カップ（３０）を備える。スピンチャック（４１）は、半導体ウエハ（１００）を保持する。スピンチャック（４１）は、回転可能である。第１カップ（１０）と第２カップ（２０）と第３カップ（３０）はそれぞれ、半導体ウエハ（１００）から飛散する処理液を受ける。第１カップ（１０）と第２カップ（２０）と第３カップ（３０）はそれぞれ、鉛直方向に移動可能である。

基板処理装置は、ヘッド（６０）とノズル（８２）とノズル（８４）を備える。ヘッド（６０）は、硫酸と過酸化水素水の混合溶液（ｓｕｌｆｕｒｉｃ ａｃｉｄ ｈｙｄｒｏｇｅｎ ｐｅｒｏｘｉｄｅ ｍｉｘｔｕｒｅ、以下、「ＳＰＭ」と呼ぶ）を半導体ウエハ（１００）に供給する。ノズル（８２）は純水を半導体ウエハ（１００）に供給する。ノズル（８４）はアンモニア水と過酸化水素水を含む処理液（以下、「ＳＣ１」と呼ぶ）を半導体ウエハ（１００）に供給する。

基板処理装置は、処理チャンバ（５０）を備える。処理チャンバ（５０）は、スピンチャック（４１）と第１カップ（１０）と第２カップ（２０）と第３カップ（３０）とヘッド（６０）とノズル（８２）とノズル（８４）を収容する。

ヘッド（６０）が半導体ウエハ（１００）にＳＰＭを供給するとき、第１カップ（１０）と第２カップ（２０）の間で、ＳＰＭを受ける。第１カップ（１０）は、第２カップ（２０）よりも高い位置に配置される。具体的には、第１カップ（１０）は、第１位置に配置される。第１カップ（１０）が第１位置にあるとき、第１カップ（１０）の上端は処理チャンバ（５０）の上壁と接する。第２カップ（２０）は、スピンチャック（４１）に保持される半導体ウエハ（１００）よりも低い位置に配置される。

ノズル（８４）が半導体ウエハ（１００）にＳＣ１を供給するとき、第１カップ（１０）と第２カップ（２０）の間で、ＳＣ１を受ける。第１カップ（１０）は、第２カップ（２０）よりも高い位置に配置される。具体的には、第１カップ（１０）は、第１位置よりも低い第２位置に配置される。第１カップ（１０）が第２位置にあるとき、第１カップ（１０）の上端は、処理チャンバ（５０）の上壁と接しない。

ノズル（８２）が半導体ウエハ（１００）に純水を供給するとき、第２カップ（２０）と第３カップ（３０）の間で、純水を受ける。第２カップ（２０）は、第３カップ（３０）よりも高い位置に配置される。

特開２０１５－１７７０１４号公報

近年、基板は、薄膜化および大口径化している。基板の厚みが薄く、かつ、基板の径が大きくなると、基板の撓み量が著しく大きくなる。このため、従来の基板処理装置は、処理液を適切に回収し難いことがある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を適切に処理できる基板処理装置および基板処理方法を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板処理装置であって、
基板を処理する処理ユニットと、
前記処理ユニットを制御する制御部と、
を備え、
前記処理ユニットは、
基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
前記基板保持部を回転する回転駆動部と、
前記基板保持部に保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記基板保持部の側方を囲むように配置される２つ以上のガードと、前記ガードによって区画され、前記基板保持部に保持される基板に対して開放される液導入口と、を含む液回収部と、
少なくとも１つ以上の前記ガードを鉛直方向に移動させるガード駆動部と、
を備え、
前記制御部は、前記基板保持部に保持される基板の形状に応じて前記ガード駆動部を制御することにより、前記液導入口の上端の高さ位置および前記液導入口の下端の高さ位置の少なくともいずれかを変える
基板処理装置である。

処理ユニットは、基板保持部と回転駆動部と処理液供給部と液回収部とガード駆動部を備える。
基板保持部は基板を保持する。回転駆動部は基板保持部を回転する。これにより、基板保持部に保持される基板は回転する。
処理液供給部は、基板保持部に保持された基板に処理液を供給する。
処理液は、基板から飛散する。
液回収部は、基板から飛散した処理液を回収する。
液回収部は、２つ以上のガードを含む。
各ガードは、基板保持部の側方を囲むように配置される。
液回収部は、さらに、液導入口を含む。
液導入口は、ガードによって区画される。
液導入口は、基板保持部に保持される基板Ｗに対して開放される。
液導入口は、基板から飛散した処理液を液回収部に導入する。
ガード駆動部は、少なくとも１つ以上のガードを鉛直方向に移動させる。
少なくとも１つ以上のガードが鉛直方向に移動することにより、液導入口の上端の高さ位置および液導入口の下端の高い位置を変えることができる。

制御部は、処理ユニットを制御する。制御部は、基板保持部に保持される基板の形状に応じて、ガード駆動部を制御する。これにより、制御部は、液導入口の上端の高さ位置および液導入口の下端の高さ位置の少なくともいずれかを変える。したがって、基板保持部に保持される基板の形状に応じて、液導入口を適切な高さ位置に調整できる。よって、基板保持部に保持される基板の形状に関わらず、液回収部は、基板から飛散した処理液を好適に回収できる。よって、処理ユニットは、基板を適切に処理できる。

以上のとおり、本基板処理装置は、基板を適切に処理できる。

上述した基板処理装置において、
前記制御部は、基板の周縁部の内側に位置する基板の主部の厚みに応じて、前記液導入口の前記上端の高さ位置を変えることが好ましい。
これによれば、基板の主部の厚みに関わらず、液回収部は基板から飛散した処理液を好適に回収できる。よって、基板の主部の厚みに関わらず、処理ユニットは基板を適切に処理できる。

上述した基板処理装置において、
前記基板保持部に保持される基板の前記主部が第１厚みを有するときの前記液導入口の前記上端は、前記基板保持部に保持される基板が前記第１厚みよりも大きな第２厚みを有するときの前記液導入口の前記上端に比べて、高いことが好ましい。
主部が第１厚みを有する基板は比較的に薄い。比較的に薄い基板が基板保持部に保持される場合、液導入口の上端は比較的に高い位置に配置される。よって、液回収部は、基板から飛散した処理液を好適に回収できる。主部が第２厚みを有する基板は比較的に厚い。比較的に厚い基板が基板保持部に保持される場合、液導入口の上端は比較的に低い位置に配置される。よって、液回収部は、基板から飛散した処理液を好適に回収できる。よって、処理ユニットは、比較的に薄い基板および比較的に厚い基板の両方を、適切に処理できる。

上述した基板処理装置において、
基板は、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部を有する第１基板と、
前記凹部を有しない第２基板と、
を含み、
前記制御部は、前記基板保持部に保持される基板が前記第１基板および前記第２基板のいずれであるかによって、前記液導入口の前記上端の高さ位置を変えることが好ましい。
基板が第１基板および第２基板のいずれであっても、液回収部は、基板から飛散した処理液を好適に回収できる。よって、処理ユニットは、第１基板および第２基板の両方を、適切に処理できる。

上述した基板処理装置において、
前記第１基板が前記基板保持部に保持されるときの前記液導入口の前記上端は、前記第２基板が前記基板保持部に保持されるときの前記液導入口の前記上端に比べて、高いことが好ましい。
第１基板が基板保持部に保持される場合、液導入口の上端は比較的に高い位置に配置される。よって、液回収部は、第１基板から飛散した処理液を好適に回収できる。第２基板が基板保持部に保持される場合、液導入口の上端は比較的に低い位置に配置される。よって、液回収部は、第２基板から飛散した処理液を好適に回収できる。

上述した基板処理装置において、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって基板の上面に形成される上凹部を、前記基板保持部に保持される基板が有するか否か、および、前記基板保持部に保持される基板の前記上面に前記処理液供給部が処理液を供給するか否かによって、前記制御部は前記液導入口の前記上端の高さ位置を変えることが好ましい。
基板保持部に保持される基板が上凹部を有するか否かは、基板から飛散する処理液の方向に影響を与える事項である。基板保持部に保持される基板の上面に処理液供給部が処理液を供給するか否かも、基板から飛散する処理液の方向に影響を与える事項である。制御部は、両方の事項を考慮して、液導入口の上端の高さ位置を変える。このため、液導入口の上端を適切な高さ位置に調整できる。よって、液回収部は、基板から飛散した処理液を好適に回収できる。

ここで、上面は、基板が基板保持部に保持されるときに上方を向く基板の面である。上凹部は、基板の上面に形成される凹部である。凹部は、基板の主部が基板の周縁部よりも凹むことによって形成される。

上述した基板処理装置において、
前記基板保持部に保持される基板が前記上凹部を有し、かつ、前記基板保持部に保持される基板の前記上面に前記処理液供給部が処理液を供給するときの前記液導入口の前記上端は、前記基板保持部に保持される基板が前記上凹部を有しないときの前記液導入口の前記上端よりも、高く、
前記基板保持部に保持される基板が前記上凹部を有し、かつ、基板の前記上面に前記処理液供給部が処理液を供給するときの前記液導入口の前記上端は、前記基板保持部に保持される基板の前記上面に前記処理液供給部が処理液を供給しないときの前記液導入口の前記上端よりも、高いことが好ましい。

基板保持部に保持される基板が上凹部を有するとき、基板の上面における周縁部は、基板の上面における主部よりも高い位置に配置される。基板保持部に保持される基板が上凹部を有しないとき、基板Ｗの上面は略平坦である。より詳しくは、基板の上面における周縁部は、基板の上面における主部と略同じ高さ位置に配置される。基板保持部に保持される基板の上面に処理液供給部が処理液を供給するとき、処理液は基板の上面に沿って流れる。基板保持部に保持される基板の上面に処理液供給部が処理液を供給しないとき、処理液は基板の上面に沿って流なれない。

基板保持部に保持される基板が上凹部を有し、かつ、基板保持部に保持される基板の上面に処理液供給部が処理液を供給することを、便宜上、「第１上処理条件」と言う。第１上処理条件では、処理液は、基板の上面に沿って主部から周縁部に上向きに流れる。よって、第１上処理条件では、処理液は基板から上方に飛散し易い。第１上処理条件では、液導入口の上端は比較的に高い位置に配置される。よって、第１上処理条件であっても、液回収部は、基板から飛散した処理液を好適に回収できる。

基板が上凹部を有しないとき、第１上処理条件に比べて、処理液は基板から上方に飛散し難い。基板が上凹部を有しないとき、第１上処理条件に比べて、液導入口の上端は低い位置に配置される。よって、基板保持部に保持される基板が上凹部を有しないときであっても、液回収部は、基板から飛散した処理液を好適に回収できる。

処理液供給部が基板の上面に処理液を供給しないとき、第１上処理条件に比べて、処理液は基板から上方に飛散し難い。処理液供給部が基板の上面に処理液を供給しないとき、第１上処理条件に比べて、液導入口の上端は低い位置に配置される。よって、基板保持部に保持される基板の上面に処理液供給部が処理液を供給しないときであっても、液回収部は、基板から飛散した処理液を好適に回収できる。

上述した基板処理装置において、
前記基板保持部に保持される基板の前記上面に前記処理液供給部が処理液を供給しないときの前記液導入口の前記上端は、前記基板保持部に保持される基板の前記上面に前記処理液供給部が処理液を供給するときの前記液導入口の前記上端よりも、低いことが好ましい。
処理液供給部が基板の上面に処理液を供給しないとき、処理液供給部が基板の上面に処理液を供給するときに比べて、処理液は基板から上方に飛散し難い。処理液供給部が基板の上面に処理液を供給しないとき、処理液供給部が基板の上面に処理液を供給するときに比べて、液導入口の上端は低い位置に配置される。よって、基板保持部に保持される基板の上面に処理液供給部が処理液を供給しないとき、液回収部は、基板から飛散した処理液を一層好適に回収できる。

上述した基板処理装置において、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の周縁部よりも凹むことによって基板の下面に形成される下凹部を、前記基板保持部に保持される基板が、有するか否か、および、前記基板保持部に保持される基板の前記下面に前記処理液供給部が処理液を供給するか否かによって、前記制御部は前記液導入口の前記下端の高さ位置を変えることが好ましい。
基板保持部に保持される基板が下凹部を有するか否かは、基板から飛散する処理液の方向に大きな影響を与える事項である。基板保持部に保持される基板の下面に処理液供給部が処理液を供給するか否かも、基板から飛散する処理液の方向に大きな影響を与える事項である。制御部は、両方の事項を考慮して、液導入口の下端の高さ位置を変える。このため、液導入口の下端を適切な高さ位置に調整できる。よって、液回収部は、基板から飛散した処理液を好適に回収できる。

ここで、下面は、基板が基板保持部に保持されるときに下を向く基板の面である。下凹部は、基板の下面に形成される凹部である。凹部は、基板の主部が基板の周縁部よりも凹むことによって形成される。

上述した基板処理装置において、
前記基板保持部に保持される基板が前記下凹部を有し、かつ、前記基板保持部に保持される基板の前記下面に前記処理液供給部が処理液を供給するときの前記液導入口の前記下端は、前記基板保持部に保持される基板が前記下凹部を有しないときの前記液導入口の前記下端よりも、低く、
前記基板保持部に保持される基板が前記下凹部を有し、かつ、前記基板保持部に保持される基板の前記下面に前記処理液供給部が処理液を供給するときの前記液導入口の前記下端は、前記基板保持部に保持される基板の前記下面に前記処理液供給部が処理液を供給しないときの前記液導入口の上端よりも、低いことが好ましい。

基板保持部に保持される基板が下凹部を有するとき、基板の下面における周縁部は、基板の上面における主部よりも低い位置に配置される。基板保持部に保持される基板が下凹部を有しないとき、基板Ｗの下面は略平坦である。より詳しくは、基板の下面における周縁部は、基板の下面における主部と略同じ高さ位置に配置される。基板保持部に保持される基板の下面に処理液供給部が処理液を供給するとき、処理液は基板の下面に沿って流れる。基板保持部に保持される基板の下に処理液供給部が処理液を供給しないとき、処理液は基板の下に沿って流なれない。

基板保持部に保持される基板が下凹部を有し、かつ、基板保持部に保持される基板の下面に処理液供給部が処理液を供給することを、便宜上、「第１下処理条件」という。第１下処理条件では、処理液は基板の下面に沿って主部から周縁部に下向きに流れる。よって、第１下処理条件では、処理液は基板から下方に飛散し易い。第１下処理条件では、液導入口の下端は比較的に低い位置に配置されるので、第１下処理条件であっても、液回収部は、基板から飛散した処理液を好適に回収できる。

基板が下凹部を有しないとき、第１下処理条件に比べて、処理液は基板から下方に飛散し難い。基板が下凹部を有しないとき、第１下処理条件に比べて、液導入口の下端は高い位置に配置される。よって、基板保持部に保持される基板が下凹部を有しないときであっても、液回収部は、基板から飛散した処理液を好適に回収できる。

処理液供給部が基板の下面に処理液を供給しないとき、第１下処理条件に比べて、処理液は基板から下方に飛散し難い。処理液供給部が基板の下面に処理液を供給しないとき、第１下処理条件に比べて、液導入口の下端は高い位置に配置される。よって、基板保持部に保持される基板の下面に処理液供給部が処理液を供給しないときであっても、液回収部は、基板から飛散した処理液を好適に回収できる。

上述した基板処理装置において、
基板は、基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部を含み、
前記制御部は、基板の前記周縁部に対する基板の前記主部の深さに応じて、前記液導入口の前記上端の高さ位置および前記液導入口の前記下端の高さ位置の少なくともいずれかを変えることが好ましい。
これによれば、基板の周縁部に対する基板の主部の深さに関わらず、液回収部は基板から飛散した処理液を好適に回収できる。よって、基板の周縁部に対する基板の主部の深さに関わらず、処理ユニットは基板を適切に処理できる。

上述した基板処理装置において、
基板は、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部と、
基板の前記周縁部と基板の前記主部の間に形成される壁部と、
を含み、
制御部は、前記壁部の角度に応じて、前記液導入口の前記上端の高さ位置および前記液導入口の前記下端の高さ位置の少なくともいずれかを変えることが好ましい。
これによれば、壁部の角度に関わらず、液回収部は基板から飛散した処理液を好適に回収できる。よって、壁部の角度に関わらず、処理ユニットは基板を適切に処理できる。

上述した基板処理装置において、
前記基板保持部は、
プレートと、
前記プレートの上面から上方に突出し、基板の下面と接触し、前記プレートの上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
前記プレートの前記上面に形成され、前記プレートの前記上面と、前記支持部に支持される基板の前記下面との間に気体を吹き出し、基板を下方に吸引する気体吹出口と、
を備えることが好ましい。
基板保持部は、プレートと支持部と気体吹出口を備える。よって、基板保持部は基板を好適に保持できる。

上述した基板処理装置において、
前記制御部は、
複数の設定値を記憶する記憶部と、
前記基板保持部に保持される基板の形状に応じて、前記液導入口の上端の高さ位置および前記液導入口の下端の高さ位置の少なくともいずれかを、前記記憶部に記憶される複数の前記設定値の間で切り換える設定部と、
を備えることが好ましい。
制御部は記憶部と設定部を備えるので、制御部は、液導入口の上端の高さ位置および液導入口の下端の高さ位置の少なくともいずれかを好適に決定できる。

本発明は、基板処理方法であって、
基板保持部によって基板を水平姿勢で保持するステップと、
前記基板保持部の側方を囲むように配置されるガードが前記基板保持部に保持される基板の形状に応じて鉛直方向に移動することによって、前記ガードによって区画され、前記基板保持部に保持される基板に対して開放される液導入口の上端の高さ位置および前記液導入口の下端の高さ位置の少なくともいずれかを変えるステップと、
前記基板保持部を回転し、前記基板保持部に保持される基板に処理液を供給し、かつ、液導入口を通過する処理液をガードによって受けるステップと、
を備える基板処理方法である。

基板処理方法では、基板保持部に保持される基板の形状に応じて、ガードが鉛直方向に移動する。これにより、基板保持部に保持される基板の形状に応じて、液導入口の上端の高さ位置および液導入口の下端の高さ位置の少なくともいずれかを変える。ここで、液導入口は、ガードによって区画される。液導入口は、基板保持部に保持される基板Ｗに対して開放される。したがって、基板保持部に保持される基板の形状に応じて、液導入口を適切な高さ位置に調整できる。具体的には、基板保持部に保持される基板の形状に関わらず、基板から飛散した処理液が液導入口を通過するように、液導入口を適切な高さ位置に配置できる。したがって、基板保持部に保持される基板の形状に関わらず、基板から飛散した処理液をガードによって受けることができる。よって、処理ユニットは、基板を適切に処理できる。

以上のとおり、本基板処理方法は、基板を適切に処理できる。

本発明によれば、基板を適切に処理できる。

第１実施形態の基板処理装置の平面図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 基板の平面図である。 図４（ａ）はＡ型基板の断面図であり、図４（ｂ）はＢ型基板の断面図であり、図４（ｃ）はＣ型基板の断面図である。 処理ユニットの構成を模式的に示す図である。 制御部の制御および処理ユニットの動作の手順を示すフローチャートである。 図７（ａ）、７（ｂ）はそれぞれ、処理ユニットを模式的に示す図である。 第２実施形態の制御部の制御および処理ユニットの動作の手順を示すフローチャートである。 第３実施形態の処理ユニットの構成を模式的に示す図である。 第３実施形態の制御部の制御および処理ユニットの動作の手順を示すフローチャートである。 図１１（ａ）－１１（ｆ）はそれぞれ、処理ユニットを模式的に示す図である。 基板の断面図である。 変形実施形態に係る処理ユニットを模式的に示す図である。 図１４（ａ）、１４（ｂ）、１４（ｃ）、１４（ｄ）はそれぞれ、ガードの配置例を示す図である。 変形実施形態に係る処理ユニットを模式的に示す図である。

以下、図面を参照して本発明の基板処理装置を説明する。

［第１実施形態］
＜基板処理装置の概要＞
図１は、第１実施形態の基板処理装置の平面図である。基板処理装置１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに処理を行う。

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

基板処理装置１は、インデクサ部２を備える。インデクサ部２は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部３を備える。各キャリア載置部３はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）である。

キャリアＣは、バーコード（不図示）を有する。バーコードは、キャリアＣを識別するため、または、キャリアＣ内の基板Ｗを識別するための識別子である。バーコードは、例えば、キャリアＣの外面に付される。

インデクサ部２は、バーコードリーダ４を備える。バーコードリーダ４は、キャリア載置部３に載置されたキャリアＣに付されるバーコードを読み取る。バーコードリーダ４は、例えば、キャリア載置部３に取り付けられる。

インデクサ部２は、搬送機構５を備える。搬送機構５は、各キャリア載置部３に載置されるキャリアＣにアクセス可能である。搬送機構５は、キャリア載置部３に載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。搬送機構５は、ハンド５ａとハンド駆動部５ｂを備える。ハンド５ａは、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａに連結される。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを移動する。例えば、ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを水平方向に平行移動する。例えば、ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを鉛直方向に平行移動する。例えば、ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを回転軸線回りに回転移動する。ハンド５ａの回転軸線は、例えば、鉛直方向と平行である。

インデクサ部２は、存否検出部６を備える。存否検出部６は、ハンド５ａが基板Ｗを支持しているか否かを検出する。すなわち、存否検出部６は、搬送機構５が基板Ｗを搬送しているか否かを検出する。存否検出部６は、例えば、ハンド５ａに取り付けられる。

基板処理装置１は、処理ブロック１１を備える。処理ブロック１１はインデクサ部２に接続される。

処理ブロック１１は、載置部１２を備える。載置部１２は、複数枚の基板Ｗを載置する。

処理ブロック１１は、形状検出部１３を備える。形状検出部１３は、載置部１２に載置される基板Ｗの形状を検出する。形状検出部１３は、例えば、基板Ｗを撮像するイメージセンサである。イメージセンサは、例えば、一次元イメージセンサや二次元イメージセンサである。形状検出部１３は、例えば、載置部１２に取り付けられる。

処理ブロック１１は、複数の処理ユニット１４を備える。各処理ユニット１４は、１枚の基板Ｗを処理する。

処理ブロック１１は、搬送機構１５を備える。搬送機構１５は、載置部１２と全ての処理ユニット１４にアクセス可能である。搬送機構１５は、載置部１２と処理ユニット１４に基板Ｗを搬送する。搬送機構１５は、ハンド１５ａとハンド駆動部１５ｂを備える。ハンド１５ａは、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部１５ｂは、ハンド１５ａに連結される。ハンド駆動部１５ｂは、ハンド１５ａを移動する。例えば、ハンド駆動部１５ｂは、ハンド１５ａを水平方向に平行移動する。例えば、ハンド駆動部１５ｂは、ハンド１５ａを鉛直方向に平行移動する。例えば、ハンド駆動部１５ｂは、ハンド１５ａを回転軸線回りに回転移動する。ハンド１５ａの回転軸線は、例えば、鉛直方向と平行である。

処理ブロック１１は、存否検出部１６を備える。存否検出部１６は、ハンド１５ａが基板Ｗを支持しているか否かを検出する。すなわち、存否検出部１６は、搬送機構１５が基板Ｗを搬送しているか否かを検出する。存否検出部１６は、例えば、ハンド１５ａに取り付けられる。

載置部１２は、搬送機構５と搬送機構１５の間に配置される。搬送機構５は載置部１２にもアクセス可能である。搬送機構５は載置部１２に基板Ｗを搬送する。載置部１２は、搬送機構５と搬送機構１５の間で搬送される基板Ｗを載置する。

基板処理装置１は、入力部１７を備える。ユーザーは、入力部１７に情報を入力できる。入力部１７は、例えば、インデクサ部２の外面に取り付けられている。

基板処理装置１は、制御部１８を備える。制御部１８は、バーコードリーダ４、存否検出部６、１６および形状検出部１３の検出結果を取得する。制御部１８は、入力部１７に入力された情報を取得する。制御部１８は、搬送機構５、１５と処理ユニット１４を制御する。

図２は、基板処理装置１の制御ブロック図である。制御部１８は、バーコードリーダ４、存否検出部６、１６、形状検出部１３、入力部１７、搬送機構５、１５および処理ユニット１４と通信可能に接続される。制御部１８は、記憶部１８ａと設定部１８ｂと駆動回路１８ｃを備える。記憶部１８ａは、各種の情報を予め格納している。記憶部１８ａに記憶される情報は、例えば、搬送機構５、１５および処理ユニット１４の動作条件に関する設定値である。記憶部１８ａに記憶される情報は、例えば、基板Ｗを処理するための処理レシピ（処理プログラム）である。記憶部１８ａに記憶される情報は、例えば、各基板Ｗを識別するための情報である。設定部１８ｂは、バーコードリーダ４、存否検出部６、１６、形状検出部１３および入力部１７から取得した情報、および、記憶部に予め記憶される情報に基づいて、搬送機構５、１５および処理ユニット１４の動作条件を設定する。駆動回路１８ｃは、設定部１８ｂによって設定された動作条件に基づいて、搬送機構５、１５と処理ユニット１４に駆動命令を出力する。

制御部１８は、例えば、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。

基板処理装置１の動作例を説明する。搬送機構５は、キャリア載置部３上のキャリアＣから載置部１２に基板Ｗを搬送する。搬送機構１５は、載置部１２から処理ユニット１４に基板Ｗを搬送する。処理ユニット１４は、基板Ｗを処理する。搬送機構１５は、処理ユニット１４から載置部１２に基板Ｗを搬送する。搬送機構５は、載置部１２からキャリア載置部３上のキャリアＣに基板Ｗを搬送する。

＜基板Ｗの形状＞
図３は、基板Ｗの平面図である。基板Ｗの基本的な形状を説明する。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、平面視で略円形状を有する。基板Ｗは、周縁部２２と主部２３を有する。主部２３は、周縁部２２の内側に位置する基板Ｗの部分である。半導体デバイスは、主部２３に形成される。図３は、便宜上、周縁部２２と主部２３の境界を破線で示す。

基板処理装置１は、異なる形状の基板Ｗを処理可能である。以下では、形状の異なる３種類の基板Ｗを例示する。便宜上、形状の異なる３種類の基板Ｗをそれぞれ、Ａ型基板ＷＡ、Ｂ型基板ＷＢ、Ｃ型基板ＷＣと呼ぶ。

図４（ａ）は、Ａ型基板ＷＡの断面図である。Ａ型基板ＷＡは、主部２３が周縁部２２よりも凹むことによって形成される凹部２４を含み、かつ、ガラス製の保護プレートを含まない基板Ｗである。凹部２４は、例えば、研削処理（グラインド処理）によって形成される。Ａ型基板ＷＡは、基板本体２１のみから構成されてもよい。あるいは、Ａ型基板ＷＡは、基板本体２１に加えて、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シートおよび樹脂フィルムの少なくともいずれかを含んでもよい。

図４（ｂ）は、Ｂ型基板ＷＢの断面図である。Ｂ型基板ＷＢは、凹部２４を含み、かつ、ガラス製の保護プレート２５を含む基板Ｗである。具体的には、Ｂ型基板ＷＢは、基板本体２１と保護プレート２５を含む。保護プレート２５は、例えば、基板本体２１に貼り付けられる。Ｂ型基板ＷＢは、さらに、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シートおよび樹脂フィルムの少なくともいずれかを含んでもよい。

図４（ｃ）は、Ｃ型基板ＷＣの断面図である。Ｃ型基板ＷＣは、凹部２４を含まない基板Ｗである。Ｃ型基板ＷＣは、基板本体２１のみから構成されてもよい。あるいは、Ｃ型基板ＷＣは、基板本体２１に加えて、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シート、樹脂フィルムおよび保護プレート２５の少なくともいずれかを含んでもよい。

Ａ型基板ＷＡの主部２３は、Ｂ型基板ＷＢの主部２３よりも薄い。Ａ型基板ＷＡの主部２３は、Ｃ型基板ＷＣの主部２３よりも薄い。Ａ型基板ＷＡは、Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣよりも剛性が低い。Ａ型基板ＷＡは、Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣよりも撓みやすい。

具体的には、Ａ型基板ＷＡの主部２３は、厚みＴＡ１を有する。Ｂ型基板ＷＢの主部２３は、厚みＴＢ１を有する。Ｃ型基板ＷＣの主部２３は、厚みＴＣ１を有する。厚みＴＡ１は、厚みＴＢ１よりも小さい。厚みＴＡ１は、厚みＴＣ１よりも小さい。厚みＴＡ１は、例えば、１０［μｍ］以上２００［μｍ］以下である。厚みＴＢ１は、例えば、８００［μｍ］以上１２００［μｍ］以下である。厚みＴＣ１は、例えば、６００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下である。

Ａ型基板ＷＡの周縁部２２は、厚みＴＡ２を有する。Ｂ型基板ＷＢの周縁部２２は、厚みＴＢ２を有する。Ｃ型基板ＷＣの周縁部２２は、厚みＴＣ２を有する。厚みＴＡ２は、厚みＴＢ２よりも小さい。厚みＴＡ２は、例えば、厚みＴＣ２と同じである。厚みＴＡ２は、例えば、６００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下である。厚みＴＢ２は、例えば、１４００［μｍ］以上２２００［μｍ］以下である。厚みＴＣ２は、例えば、６００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下である。

Ａ型基板ＷＡおよびＢ型基板ＷＢは、本発明における第１基板の例である。Ｃ型基板ＷＣは、本発明における第２基板の例である。以下では、Ａ型基板ＷＡおよびＢ型基板ＷＢを、適宜に「第１基板Ｗ１」と総称する。Ｃ型基板ＷＣを、適宜に「第２基板Ｗ２」と呼ぶ。

Ａ型基板ＷＡは、本発明における薄基板の例である。Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣは、本発明における厚基板の例である。以下では、Ａ型基板ＷＡを、適宜に「薄基板Ｗｐ」と呼ぶ。Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣを、適宜に「厚基板Ｗｑ」と呼ぶ。

＜処理ユニットの構成＞
図５は、処理ユニット１４の構成を模式的に示す図である。処理ユニット１４は、基板保持部３１と回転駆動部３５と処理液供給部４１と液回収部５０を備える。基板保持部３１は、１枚の基板Ｗを保持する。基板保持部３１は、基板Ｗを水平姿勢で保持する。回転駆動部３５は、基板保持部３１を回転する。処理液供給部４１は、基板保持部３１に保持される基板Ｗに処理液を供給する。液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。

基板保持部３１は、プレート３２を備える。プレート３２は、略円盤形状を有する。プレート３２は、上面３２ａを有する。上面３２ａは略水平である。上面３２ａは略平坦である。

回転駆動部３５は、プレート３２の下部に連結される。回転駆動部３５は、プレート３２を回転軸線Ａ回りに回転する。回転軸線Ａは、鉛直方向と平行である。回転駆動部３５は、プレート３２の中心を通る。より具体的には、回転駆動部３５は、回転シャフト３５ａを備える。回転シャフト３５ａは、鉛直方向に延びる。回転シャフト３５ａは、回転軸線Ａ上に配置される。回転シャフト３５ａは、プレート３２の下部に接続される。回転駆動部３５は、さらに、不図示のモータを備える。モータは、回転シャフト３５ａに連結される。モータは、回転シャフト３５ａを回転軸線Ａ回りに回転する。

基板保持部３１は、さらに、複数の端縁接触ピン３３を備える。端縁接触ピン３３は、メカニカルチャックとも呼ばれる。端縁接触ピン３３は、プレート３２に取り付けられる。端縁接触ピン３３は、プレート３２の上面３２ａから上方に突出する。各端縁接触ピン３３は、プレート３２に対して回転可能であってもよい。各端縁接触ピン３３は、プレート３２に対して移動可能な可動部を有してもよい。各端縁接触ピン３３は、基板Ｗの端縁と接触する。端縁接触ピン３３が基板Ｗの端縁と接触するとき、各端縁接触ピン３３は、さらに、基板Ｗの端縁を基板Ｗの中心に向けて押してもよい。端縁接触ピン３３は、プレート３２の上面３２ａよりも高い位置で基板Ｗを保持する。端縁接触ピン３３が基板Ｗを保持するとき、基板Ｗの中心は、回転軸線Ａ上に位置する。回転駆動部３５がプレート３２を回転するとき、端縁接触ピン３３は、プレート３２と一体に回転する。回転駆動部３５が基板保持部３１を回転するとき、端縁接触ピン３３は、端縁接触ピン３３と接触する基板Ｗに対して、滑らない。回転駆動部３５が基板保持部３１を回転するとき、基板保持部３１に保持される基板Ｗも、プレート３２と一体に回転する。

処理液供給部４１は、第１ノズル４２を備える。第１ノズル４２は、処理液を吐出する。第１ノズル４２は、処理液を下方に吐出する。第１ノズル４２は、基板保持部３１に保持される基板Ｗより高い位置に配置される。第１ノズル４２は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に処理液を供給する。

処理ユニット１４は、不図示のノズル移動機構を備える。ノズル移動機構は、第１ノズル４２を、処理位置と退避位置に移動する。図４は、処理位置にある第１ノズル４２を破線で示す。図４は、退避位置にある第１ノズル４２を実線で示す。処理位置は、基板保持部３１に保持された基板Ｗの上方の位置である。第１ノズル４２が処理位置にあるとき、第１ノズル４２は、平面視において、基板保持部３１に保持された基板Ｗと重なる。第１ノズル４２が退避位置にあるとき、第１ノズル４２は、平面視において、基板保持部３１に保持された基板Ｗと重ならない。

処理液供給部４１は、第１配管４３を備える。第１配管４３は、第１ノズル４２に処理液を供給する。第１配管４３は、第１端と第２端を有する。第１配管４３の第１端は、処理液供給源４４に接続される。第１配管４３の第２端は、第１ノズル４２に接続される。

処理液供給部４１は、第２ノズル４５を備える。第２ノズル４５は、処理液を吐出する。
第２ノズル４５は、処理液を上方に吐出する。第２ノズル４５は、基板保持部３１に保持される基板Ｗよりも低い位置に配置される。第２ノズル４５は、基板保持部３１に保持された基板Ｗの下面に処理液を供給する。

例えば、第２ノズル４５は、プレート３２に形成される。第２ノズル４５は、プレート３２の上面３２ａに形成される。第２ノズル４５は、プレート３２の上面３２ａの中央部に配置される。第２ノズル４５は、回転軸線Ａ上に配置される。第２ノズル４５は、平面視において、基板保持部３１に保持される基板Ｗと重なる。

処理液供給部４１は、第２配管４６を備える。第２配管４６は、第２ノズル４５に処理液を供給する。第２配管４６の一部は、プレート３２の内部に形成されてもよい。第２配管４６の一部は、回転シャフト３５ａの内部に配置されてもよい。第２配管４６は、第１端と第２端を有する。第２配管４６の第１端は、処理液供給源４７に接続される。第２配管４６の第２端は、第２ノズル４５に接続される。

第２ノズル４５が吐出する処理液は、第１ノズル４２が吐出する処理液と同じであってもよい。第２ノズル４５が吐出する処理液は、第１ノズル４２が吐出する処理液と異なってもよい。

処理ユニット１４は、流量調整部４８を備える。流量調整部４８は、処理液供給部４１が基板Ｗに供給する処理液の流量を調整する。流量調整部４８は、第１流量調整部４８ａと第２流量調整部４８ｂを備える。第１流量調整部４８ａは、第１配管４３に設けられる。第１流量調整部４８ａは、第１ノズル４２が吐出する処理液の流量を調整する。第２流量調整部４８ｂは、第２配管４６に設けられる。第２流量調整部４８ｂは、第２ノズル４５が吐出する処理液の流量を調整する。第１流量調整部４８ａと第２流量調整部４８ｂはそれぞれ、例えば、流量調節弁を含む。第１流量調整部４８ａと第２流量調整部４８ｂはそれぞれ、例えば、開閉弁を含む。

液回収部５０は、第１ガード５１と第２ガード５２を備える。第１ガード５１および第２ガード５２はそれぞれ、処理液を受ける。第１ガード５１および第２ガード５２はそれぞれ、基板保持部３１の側方を囲むように配置される。第１ガード５１は、回転軸線Ａを中心（母線）とする略円筒形状を有する。第２ガード５２も、回転軸線Ａを中心とする略円筒形状を有する。第２ガード５２は、第１ガード５１の外方に配置される。第１ガード５１は、第２ガード５２の内方に配置される。

「内方」は、回転軸線Ａに向かう方向である。「内方」は、回転軸線Ａに近づく方向である。「外方」は、内方とは反対の方向である。

第１ガード５１は、固定的に設けられる。第２ガード５２は、鉛直方向に移動可能に設けられる。

第１ガード５１は、鉛直部５３を備える。鉛直部５３は、回転軸線Ａを中心とした環状の周壁である。鉛直部５３は、鉛直方向に延びる。鉛直部５３の内径は、鉛直方向にわたって、略一定である。

第１ガード５１は、傾斜部５４を備える。傾斜部５４は、回転軸線Ａを中心とした環状の周壁である。傾斜部５４は、鉛直部５３に接続される。傾斜部５４は、鉛直部５３から上方かつ内方に延びる。傾斜部５４の内径は、上方に向かって減少する。

傾斜部５４は、上縁５４Ａを有する。上縁５４Ａは、回転軸線Ａを中心とした環形状を有する。上縁５４Ａは、プレート３２の上面３２ａよりも低い位置に配置される。上縁５４Ａは、プレート３２に近接した位置に配置される。

第２ガード５２は、鉛直部５５を備える。鉛直部５５は、回転軸線Ａを中心とした環状の周壁である。鉛直部５５は、鉛直部５３の外方に配置される。鉛直部５５は、鉛直方向に延びる。鉛直部５５の内径は、鉛直方向にわたって、略一定である。鉛直部５５の内径は、鉛直部５３の内径よりも大きい。

第２ガード５２は、傾斜部５６を備える。傾斜部５６は、回転軸線Ａを中心とした環状の周壁である。傾斜部５６は、傾斜部５４の上方に配置される。傾斜部５６は、鉛直部５５に接続される。傾斜部５６は、鉛直部５５から上方かつ内方に延びる。傾斜部５６の内径は、上方に向かって減少する。

傾斜部５６は、上縁５６Ａを有する。上縁５６Ａは、上縁５４Ａの上方に配置される。上縁５６Ａは、回転軸線Ａを中心とした環形状を有する。上縁５６Ａの内方は、開放されている。

第１ガード５１および第２ガード５２はそれぞれ、本発明におけるガードの例である。

液回収部５０は、回収空間５７を備える。回収空間５７は、第１ガード５１と第２ガード５２によって区画される。回収空間５７は、第１ガード５１と第２ガード５２の間に形成される空間である。回収空間５７は、傾斜部５４の上方、かつ、傾斜部５６の下方の空間を含む。回収空間５７は、鉛直部５３の外方、かつ、鉛直部５５の内方の空間を含む。回収空間５７は、回転軸線Ａを中心とした環形状を有する。回収空間５７は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの側方を囲むように配置される。回収空間５７は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの外方に配置される。

液回収部５０は、液導入口５８を備える。図５は、液導入口５８を破線で示す。液導入口５８は、処理液が回収空間５７に進入するための開口である。液導入口５８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗに対して開放される。言い換えれば、液導入口５８は、回収空間５７を基板Ｗに対して開放する。基板Ｗから飛散した処理液は、液導入口５８を通過して、回収空間５７に入る。

液導入口５８は、第１ガード５１と第２ガード５２によって区画される。より詳しくは、液導入口５８は、傾斜部５４の上縁５４Ａと傾斜部５６の上縁５６Ａとによって区画される。液導入口５８は、傾斜部５４の上縁５４Ａの上方、かつ、傾斜部５６の上縁５６Ａの下方に配置される。液導入口５８は、傾斜部５４の上縁５４Ａと傾斜部５６の上縁５６Ａを結ぶ曲面である。液導入口５８は、回転軸線Ａを中心とした環形状を有する。液導入口５８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの側方を囲むように配置される。液導入口５８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの外方に配置される。

液導入口５８は、上端５８Ｔと下端５８Ｂを有する。第２ガード５２は、上端５８Ｔを規定する。第２ガード５２の上縁５６Ａが、上端５８Ｔに相当する。第１ガード５１は、下端５８Ｂを規定する。第１ガード５１の上縁５４Ａが、下端５８Ｂに相当する。

液回収部５０は、カップ５９を備える。カップ５９は、第１ガード５１および第２ガード５２の下方に配置される。第１ガード５１および第２ガード５２が受けた処理液は、カップ５９に流れ落ちる。カップ５９は、溝部５９ａを有する。溝部５９ａは、上方に開放されている。溝部５９ａは、環状に連なる。第１ガード５１の鉛直部５３は、溝部５９ａに挿入されている。第２ガード５２の鉛直部５５も、溝部５９ａに挿入されている。

処理ユニット１４は、不図示の排出管を備える。排出管は、カップ５９に接続される。より具体的には、排出管は、溝部５９ａの底部に接続される。排出管は、カップ５９内の処理液を排出する。

処理ユニット１４は、ガード駆動部６０を備える。ガード駆動部６０は、ガード駆動機構６２を備える。ガード駆動機構６２は、第２ガード５２を鉛直方向に移動する。ガード駆動部６０は、第１ガード５１を移動しない。ガード駆動機構６２は、例えば、電動モータを含む。

ガード駆動部６０によって、上縁５６Ａ（すなわち、上端５８Ｔ）は、プレート３２の上面３２ａよりも低い位置から、基板保持部３１に保持される基板Ｗよりも高い位置まで、移動可能である。

処理ユニット１４は、形状検出部６７を備える。形状検出部６７は、基板保持部３１に載置される基板Ｗの形状を検出する。形状検出部６７は、例えば、基板Ｗを撮像するイメージセンサである。イメージセンサは、例えば、一次元イメージセンサや二次元イメージセンサである。形状検出部６７は、例えば、基板保持部３１の上方に配置される。

図２を参照する。制御部１８は、さらに、形状検出部６７、回転駆動部３５、流量調整部４８およびガード駆動部６０と通信可能に接続される。制御部１８は、形状検出部６７の検出結果を取得する。制御部１８は、回転駆動部３５と流量調整部４８（４８ａ、４８ｂ）とガード駆動部６０（ガード駆動機構６２）を制御する。

具体的には、設定部１８ｂは、動作条件を設定する際、形状検出部６７から取得した情報をさらに考慮する。駆動回路１８ｃは、回転駆動部３５と流量調整部４８（４８ａ、４８ｂ）とガード駆動部６０（ガード駆動機構６２）に駆動命令を出力する。

＜第１実施形態の処理ユニット１４の動作例＞
第１実施形態の処理ユニット１４の動作例では、制御部１８は、基板Ｗの主部２３の厚みに応じて、液導入口５８の上端５８Ｔの高さ位置を変える。

図６は、制御部１８の制御および処理ユニット１４の動作の手順を示すフローチャートである。

ステップＳ１
バーコードリーダ４は、キャリアＣに付されるバーコードを読み取る。バーコードリーダ４は、バーコードリーダ４の検出結果を制御部１８に出力する。形状検出部１３は、載置部１２に載置される基板Ｗの形状を検出する。形状検出部６７は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状を検出する。形状検出部１３、６７は、形状検出部１３、６７の検出結果を制御部１８に出力する。

ステップＳ２
制御部１８は、バーコードリーダ４と形状検出部１３、６７の検出結果を取得する。制御部１８は、バーコードリーダ４と形状検出部１３、６７の検出結果に基づいて、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状を判定する。具体的には、設定部１８ｂは、基板Ｗの主部２３の厚みを特定する。

なお、制御部１８は、キャリアＣから基板Ｗが搬出された後においても、基板Ｗの位置と基板Ｗの形状と関連付けて、管理する。具体的には、制御部１８は、搬送機構５、１５が各時刻において搬送する基板Ｗの形状、各時刻において載置部１２に載置される基板Ｗの形状、各時刻において基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状を、管理する。制御部１８が基板Ｗの位置および基板Ｗの形状を管理するとき、制御部１８は形状検出部１３、６７の検出結果および存否検出部６、１６の検出結果を適宜に参照してもよい。

ステップＳ３
制御部１８（具体的には、設定部１８ｂ）は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、液導入口５８の上端５８Ｔの高さ位置を決定する。以下では、液導入口５８の上端５８Ｔの高さ位置を、「上高さ位置ＨＴ」と略記する。制御部１８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、上高さ位置ＨＴを変える。

例えば、基板保持部３１に保持される基板Ｗの主部２３が第１厚みを有するとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第１上設定値ＶＴａに決定する。基板保持部３１に保持される基板Ｗの主部２３が第１厚みよりも大きな第２厚みを有するとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第２上設定値ＶＴｂに決定する。

第１上設定値ＶＴａと第２上設定値ＶＴｂは、記憶部１８ａに予め記憶されている。設定部１８ｂは、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、上高さ位置ＨＴを、第１上設定値ＶＴａおよび第２上設定値ＶＴｂの間で切り換える。

第１上設定値ＶＴａによって規定される上高さ位置ＨＴを、第１上高さ位置ＨＴａと記載する。第２上設定値ＶＴｂによって規定される上高さ位置ＨＴを、第２上高さ位置ＨＴｂと記載する。第１上高さ位置ＨＴａは、第２上高さ位置ＨＴｂよりも高い。

第１上設定値ＶＴａと第２上設定値ＶＴｂは、本発明における設定値の例である。

例えば、基板保持部３１に保持される基板Ｗの主部２３が基準値ＲＶよりも小さい厚みを有するとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第１上設定値ＶＴａに決定する。基板保持部３１に保持される基板Ｗの主部２３が基準値ＲＶよりも大きな厚みを有するとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第２上設定値ＶＴｂに決定する。

基準値ＲＶは、記憶部１８ａに予め記憶されている。設定部１８ｂは、基板保持部３１に保持される基板Ｗの主部２３と基準値ＲＶを比較することによって、第１上設定値ＶＴａおよび第２上設定値ＶＴｂのいずれか１つを選択する。

基準値ＲＶは、Ａ型基板ＷＡの主部２３の厚みＴＡ１よりも大きく、Ｂ型基板ＷＢの主部２３の厚みＴＢ１およびＣ型基板ＷＣの主部２３の厚みＴＣ１よりも小さいことが好ましい。例えば、基準値ＲＶは、例えば、２００［μｍ］よりも大きく、６００［μｍ］よりも小さいことが好ましい。これによれば、基板ＷがＡ型基板ＷＡであるとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第１上設定値ＶＴａに決定できる。言い換えれば、基板Ｗが薄基板Ｗｐであるとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第１上設定値ＶＴａに決定できる。基板ＷがＢ型基板ＷＢまたはＣ型基板ＷＣであるとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第２上設定値ＶＴｂに決定できる。言い換えれば、基板Ｗが厚基板ｗｑであるとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第２上設定値ＶＴｂに決定できる。

ステップＳ４
制御部１８は、処理ユニット１４を制御する。制御部１８は、決定された上高さ位置ＨＴに基づいて、ガード駆動部６０を制御する。具体的には、駆動回路１８ｃは、設定部１８ｂによって選択された第１上設定値ＶＴａおよび第２上設定値ＶＴｂのいずれか１つに基づいて、ガード駆動機構６２に駆動命令を出す。

ステップＳ５
制御部１８による制御にしたがって、処理ユニット１４は、基板Ｗに処理を行う。具体的には、基板保持部３１は基板Ｗを保持する。ガード駆動部６０は、第２ガード５２を鉛直方向に移動させる。これにより、液導入口５８の上端５８Ｔは、決定された上高さ位置ＨＴに配置される。

図７（ａ）、７（ｂ）は、処理ユニット１４を模式的に示す図である。図７（ａ）では、基板保持部３１にＡ型基板ＷＡが保持される。図７（ｂ）では、基板保持部３１にＢ型基板ＷＢまたはＣ型基板ＷＣが保持される。

図７（ａ）を参照する。例えば、基板保持部３１に保持される基板ＷがＡ型基板ＷＡであるとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第１上高さ位置ＨＴａ（すなわち、第１上設定値ＶＴａによって規定される上高さ位置ＨＴ）に配置される。例えば、基板保持部３１に保持される基板Ｗが薄基板Ｗｐであるとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第１上高さ位置ＨＴａに配置される。

図７（ｂ）を参照する。例えば、基板保持部３１に保持される基板ＷがＢ型基板ＷＢまたはＣ型基板ＷＣであるとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第２上高さ位置ＨＴｂ（すなわち、第２上設定値ＶＴｂによって規定される上高さ位置ＨＴ）に配置される。例えば、基板保持部３１に保持される基板Ｗが厚基板Ｗｑであるとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第２上高さ位置ＨＴｂに配置される。

図示するとおり、第２上高さ位置ＨＴｂは、第１上高さ位置ＨＴａよりも低い。このように、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて第２ガード５２が鉛直方向に移動する。第２ガード５２の移動により、上高さ位置ＨＴを変える。

続いて、回転駆動部３５は基板保持部３１を回転し、流量調整部４８が開く。これにより、基板保持部３１に保持される基板Ｗが回転しつつ、処理液供給部４１が基板保持部３１に保持される基板Ｗに処理液を供給する。具体的には、第１ノズル４２および第２ノズル４５の少なくともいずれかが処理液を基板Ｗに吐出する。処理液は、基板保持部３１に保持される基板Ｗから外方に飛散する。飛散した処理液は、液回収部５０によって回収される。具体的には、処理液は、液導入口５８を通過して回収空間５７に入る。第１ガード５１および第２ガード５２は、回収空間５７に入った処理液を受け、処理液をカップ５９に案内する。

図７（ｂ）を参照する。Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣは、Ａ型基板ＷＡに比べて、高い剛性を有する。Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣは、Ａ型基板ＷＡに比べて、撓みにくい。Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣが基板保持部３１に保持されるとき、Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣは略水平である。のため、処理液は、Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣから水平に飛散し易い。すなわち、処理液は、Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣから上方に飛散し難い。

上述のとおり、第２上高さ位置ＨＴｂは、第１上高さ位置ＨＴａよりも低い。液導入口５８の上端５８Ｔは、処理液が飛散する範囲に比べて、不必要に高くない。このため、回収空間５７に一旦、導入された処理液が、液導入口５８を通じて、回収空間５７の外部に戻り難い。Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣから飛散した処理液が、再び、Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣに付着し難い。このように、Ｂ型基板ＷＢまたはＣ型基板ＷＣが基板保持部３１に保持されるとき、液回収部５０は、処理液を好適に回収できる。よって、処理ユニット１４は、Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣに品質良く処理を行うことができる。

図７（ａ）を参照する。Ａ型基板ＷＡが基板保持部３１に保持されるとき、Ａ型基板ＷＡは、Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣに比べて、大きく撓む。具体的には、Ａ型基板ＷＡは、下方に凸に湾曲する。Ａ型基板ＷＡの周縁部２２は、外方かつ上方に傾斜する。このため、処理液は、Ａ型基板ＷＡから上方に飛散し易い。処理液は、Ａ型基板ＷＡから比較的に高い位置に飛散し易い。

上述のとおり、第１上高さ位置ＨＴａは、第２上高さ位置ＨＴｂよりも高い。このため、処理液がＡ型基板ＷＡから比較的に高い位置に飛散した場合であっても、液導入口５８は、処理液を的確に回収空間５７に導入できる。このように、Ａ型基板ＷＡが基板保持部３１に保持されるときであっても、液回収部５０は、処理液を好適に回収できる。よって、処理ユニット１４は、Ａ型基板ＷＡに品質良く処理を行うことができる。

＜第１実施形態の効果＞
回転駆動部３５が基板保持部３１を回転することにより、基板保持部３１に保持される基板Ｗは回転する。処理液供給部４１は、基板保持部３１に保持された基板Ｗに処理液を供給する。処理液は、基板保持部３１に保持される基板Ｗから飛散する。液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。液回収部５０は、第１ガード５１と第２ガード５２を含む。第１ガード５１および第２ガード５２は、基板保持部３１の側方を囲むように配置される。液回収部５０は、さらに、液導入口５８を含む。液導入口５８は、第１ガード５１と第２ガード５２によって区画される。液導入口５８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗに対して開放される。液導入口５８は、基板から飛散した処理液を液回収部５０に導入する。ガード駆動部６０は、第２ガード５２を鉛直方向に移動させる。第２ガード５２が鉛直方向に移動することにより、上高さ位置ＨＴを変えることができる。

制御部１８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、ガード駆動部６０を制御する。これにより、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを変える。したがって、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、液導入口５８を適切な高さ位置に調整できる。よって、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に関わらず、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。よって、処理ユニット１４は、基板Ｗを適切に処理できる。

以上のとおり、本基板処理装置１は、基板Ｗを適切に処理できる。

制御部１８は、記憶部１８ａと設定部１８ｂを備える。記憶部１８ａは、第１上設定値ＶＴａと第２上設定値ＶＴｂを記憶する。設定部１８ｂは、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、上高さ位置ＨＴを、第１上設定値ＶＴａと第２上設定値ＶＴｂの間で切り換える。よって、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを好適に決定できる。

処理ユニット１４は、基板保持部３１によって基板Ｗを水平姿勢で保持するステップを実行する。処理ユニット１４は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて第２ガード５２が鉛直方向に移動することにより、上高さ位置ＨＴを変えるステップを実行する。処理ユニット１４は、基板保持部３１を回転し、基板保持部３１に保持される基板Ｗに処理液を供給し、液導入口５８を通過する処理液を第１ガード５１および第２ガード５２によって受けるステップを実行する。このため、処理ユニット１４は、基板Ｗを適切に処理できる。

制御部１８は、基板Ｗの主部２３の厚みに応じて、上高さ位置ＨＴを変える。このため、基板Ｗの主部２３の厚みに関わらず、液回収部５０は基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。よって、基板Ｗの主部２３の厚みに関わらず、処理ユニット１４は基板Ｗを適切に処理できる。

基板保持部３１に保持される基板Ｗの主部２３が第１厚みを有するとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第１上高さ位置ＨＴａに配置される。基板保持部３１に保持される基板Ｗが第１厚みよりも大きな第２厚みを有するとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第１上高さ位置ＨＴａよりも低い第２上高さ位置ＨＴｂに配置される。このように、主部２３が第１厚みを有する基板Ｗが基板保持部３１に保持される場合、液導入口５８の上端５８Ｔは比較的に高い位置に配置さえる。よって、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。さらに、主部２３が第２厚みを有する基板Ｗが基板保持部３１に保持される場合、液導入口５８の上端５８Ｔは比較的に低い位置に配置される。よって、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。したがって、処理ユニット１４は、主部２３が第１厚みを有する基板Ｗおよび主部２３が第２厚みを有する基板Ｗの両方を、適切に処理できる。

処理ユニット１４は、形状検出部６７を備える。形状検出部６７は、基板Ｗの形状を検出する。制御部１８は、形状検出部６７の検出結果を取得する。制御部１８は、形状検出部６７の検出結果に基づいて、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状を判定する。したがって、制御部１８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状を好適に特定できる。

基板処理装置１は、バーコードリーダ４を備える。バーコードリーダ４は、キャリアＣに付されるバーコードを読み取る。制御部１８は、バーコードリーダ４の検出結果を取得する。制御部１８は、バーコードリーダ４の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定する。したがって、制御部１８は、基板Ｗの形状を好適に特定できる。

基板処理装置１は、形状検出部１３を備える。形状検出部１３は、基板Ｗの形状を検出する。制御部１８は、形状検出部１３の検出結果を取得する。制御部１８は、形状検出部１３の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定する。したがって、制御部１８は、基板Ｗの形状を好適に特定できる。

［第２実施形態］
図面を参照して、第２実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

第２実施形態の基板処理装置１は、第１実施形態の基板処理装置１と略同じ構成を有する。第２実施形態の処理ユニット１４は、第１実施形態の処理ユニット１４と異なる動作を実行する。以下では、第２実施形態の処理ユニット１４の動作を例示する。

＜第２実施形態の処理ユニット１４の動作例＞
第２実施形態の処理ユニット１４の動作例では、制御部１８は、基板Ｗが凹部２４を有するか否かに応じて、上高さ位置ＨＴを変える。すなわち、制御部１８は、基板Ｗが第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２のいずれであるかによって、上高さ位置ＨＴを変える。

図８は、制御部１８の制御および処理ユニット１４の動作の手順を示すフローチャートである。

ステップＳ１１
ステップＳ１１は、第１実施形態のステップＳ１と略同じである。すなわち、バーコードリーダ４は、キャリアＣに付されるバーコードを読み取る。形状検出部１３、６７はそれぞれ、基板Ｗの形状を検出する。バーコードリーダ４および形状検出部１３、６７は、バーコードリーダ４および形状検出部１３、６７の検出結果を制御部１８に出力する。

ステップＳ１２
制御部１８は、バーコードリーダ４と形状検出部１３、６７の検出結果を取得する。制御部１８は、バーコードリーダ４と形状検出部１３、６７の検出結果に基づいて、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状を判定する。具体的には、設定部１８ｂは、基板Ｗが凹部２４を有するか否かを特定する。設定部１８ｂは、基板Ｗが第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２のいずれであるかを特定する。

ステップＳ１３
制御部１８（具体的には、設定部１８ｂ）は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、上高さ位置ＨＴを決定する。制御部１８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、上高さ位置ＨＴを変える。

例えば、基板保持部３１に保持される基板Ｗが凹部２４を有するとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第１上設定値ＶＴｃに決定する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが凹部２４を有しないとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第２上設定値ＶＴｄに決定する。

例えば、基板保持部３１に保持される基板Ｗが第１基板Ｗ１であるとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第１上設定値ＶＴｃに決定する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが第２基板Ｗ２であるとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第２上設定値ＶＴｄに決定する。

第１上設定値ＶＴｃと第２上設定値ＶＴｄは、記憶部１８ａに予め記憶されている。設定部１８ｂは、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、上高さ位置ＨＴを、第１上設定値ＶＴｃおよび第２上設定値ＶＴｄの間で切り換える。

第１上設定値ＶＴｃによって規定される上高さ位置ＨＴを、第１上高さ位置ＨＴｃと記載する。第２上設定値ＶＴｄによって規定される上高さ位置ＨＴを、第２上高さ位置ＨＴｄと記載する。第１上高さ位置ＨＴｃは、第２上高さ位置ＨＴｄよりも高い。

第１上設定値ＶＴｃと第２上設定値ＶＴｄは、本発明における設定値の例である。

ステップＳ１４
制御部１８は、処理ユニット１４を制御する。制御部１８は、決定された上高さ位置ＨＴに基づいて、ガード駆動部６０を制御する。具体的には、駆動回路１８ｃは、設定部１８ｂによって選択された第１上設定値ＶＴｃおよび第２上設定値ＶＴｄのいずれか１つに基づいて、ガード駆動機構６２に駆動命令を出す。

ステップＳ１５
制御部１８による制御にしたがって、処理ユニット１４は、基板Ｗに処理を行う。具体的には、基板保持部３１は基板Ｗを保持する。ガード駆動部６０は、第２ガード５２を鉛直方向に移動させる。これにより、液導入口５８の上端５８Ｔは、決定された上高さ位置ＨＴに配置される。

基板保持部３１に保持される基板Ｗが凹部２４を有するとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第１上高さ位置ＨＴｃ（すなわち、第１上設定値ＶＴｃによって規定される上高さ位置ＨＴ）に調整される。基板保持部３１に保持される基板Ｗが第１基板Ｗ１であるとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第１上高さ位置ＨＴｃに調整される。基板保持部３１に保持される基板ＷがＡ型基板ＷＡまたはＢ型基板ＷＢであるとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第１上高さ位置ＨＴｃに調整される。

基板保持部３１に保持される基板Ｗが凹部２４を有しないとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第２上高さ位置ＨＴｄ（すなわち、第１上設定値ＶＴｄによって規定される上高さ位置ＨＴ）に調整される。基板保持部３１に保持される基板Ｗが第２基板Ｗ２であるとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第２上高さ位置ＨＴｄに決定する。基板保持部３１に保持される基板ＷがＣ型基板ＷＣであるとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第２上高さ位置ＨＴｄに調整される。

続いて、回転駆動部３５が基板保持部３１を回転させつつ、処理液供給部４１が基板保持部３１に保持される基板Ｗに処理液を供給する。液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。

第１基板Ｗ１は凹部２４を有する。第２基板Ｗ２は凹部２４を有しない。このため、処理液が第１基板Ｗ１から飛散する範囲は、第２基板Ｗ２から飛散する処理液の範囲に比べて、大きくなるおそれがある。処理液が第１基板Ｗ１から飛散する範囲は、第２基板Ｗ２から飛散する処理液の範囲に比べて、高くなるおそれがある。上述のとおり、第１上高さ位置ＨＴｃは、第２上高さ位置ＨＴｄよりも高い。このため、基板保持部３１に保持される基板Ｗが第１基板Ｗおよび第２基板Ｗ２のいずれであっても、液導入口５８は、基板Ｗから飛散処理液を的確に回収空間５７に導入できる。

＜第２実施形態の効果＞
第２実施形態においても、第１実施形態と同様に、制御部１８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じてガード駆動部６０を制御することにより、上高さ位置ＨＴを変える。したがって、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、液導入口５８を適切な高さ位置に調整できる。よって、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に関わらず、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。よって、処理ユニット１４は、基板Ｗを適切に処理できる。すなわち、基板処理装置１は、基板Ｗを適切に処理できる。

第２実施形態では、制御部１８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗが第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２のいずれであるかによって、上高さ位置ＨＴを変える。このため、基板Ｗが第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２のいずれであっても、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。よって、処理ユニット１４は、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２の両方を、適切に処理できる。

第１基板Ｗ１が基板保持部３１に保持されるとき、液導入口５８の上端５８Ｔは第１上高さ位置ＨＴｃに配置される。第２基板Ｗ２が基板保持部３１に保持されるとき、液導入口５８の上端５８Ｔは第１上高さ位置ＨＴｃよりも低い第２上高さ位置ＨＴｄに配置される。このように、第１基板Ｗ１が基板保持部３１に保持される場合、液導入口５８の上端５８Ｔは比較的に高い位置に配置される。よって、液回収部５０は、第１基板Ｗ１から飛散した処理液を好適に回収できる。第２基板Ｗ２が基板保持部３１に保持される場合、液導入口５８の上端５８Ｔは比較的に低い位置に配置される。よって、液回収部５０は、第２基板Ｗ２から飛散した処理液を好適に回収できる。

［第３実施形態］
図面を参照して、第３実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

第３実施形態の処理ユニット１４は、第１実施形態の処理ユニット１４と異なる。具体的には、第３実施形態の処理ユニット１４では、液導入口５８の下端５８Ｂの高さ位置を調整可能である。以下では、第３実施形態の処理ユニット１４の構成と動作を例示する。

＜第３実施形態の処理ユニット１４の構成＞
図９は、処理ユニット１４の構成を模式的に示す図である。第１ガード５１は、鉛直方向に移動可能に設けられる。ガード駆動部６０は、第１ガード５１および第２ガード５２の両方を鉛直方向に移動する。

ガード駆動部６０は、ガード駆動機構６２に加えて、ガード駆動機構６１を備える。以下では、便宜上、ガード駆動機構６１を第１ガード駆動機構６１と呼び、ガード駆動部６２を第２ガード駆動機構６２と呼ぶ。第１ガード駆動機構６１は、第１ガード５１を鉛直方向に移動する。第２ガード駆動機構６２は、第２ガード５２を鉛直方向に移動する。第１ガード駆動機構６１と第２ガード駆動機構６２は、互いに独立して、動作可能である。第１ガード駆動機構６１は、例えば、電動モータを含む。第２ガード駆動機構６２は、例えば、電動モータを含む。

第１ガード５１と第２ガード５２は、互いに独立して、鉛直方向に移動可能する。但し、第１ガード５１の傾斜部５４の上縁５４Ａは、常に、第２ガード５２の傾斜部５６の上縁５６Ａよりも低い。

制御部１８は、ガード駆動部６０を制御する。具体的には、制御部１８は、第１ガード駆動機構６１と第２ガード駆動機構６２を制御する。

＜第３実施形態の処理ユニット１４の動作例＞
第３実施形態の処理ユニット１４の動作例では、凹部２４が配置される基板Ｗの部位および処理液が供給される基板Ｗの部位に応じて、制御部１８は、液導入口５８の高さ位置を決定する。制御部１８は、上高さ位置ＨＴに加えて、液導入口５８の下端５８Ｂの高さ位置を決定する。

図１０は、制御部１８の制御および処理ユニット１４の動作の手順を示すフローチャートである。

ステップＳ２１
ステップＳ２１は、第１実施形態のステップＳ１と略同じである。すなわち、バーコードリーダ４は、キャリアＣに付されるバーコードを読み取る。形状検出部１３、６７はそれぞれ、基板Ｗの形状を検出する。バーコードリーダ４および形状検出部１３、６７は、バーコードリーダ４および形状検出部１３、６７の検出結果を制御部１８に出力する。

ステップＳ２２
制御部１８は、バーコードリーダ４と形状検出部１３、６７の検出結果を取得する。制御部１８は、バーコードリーダ４と形状検出部１３、６７の検出結果に基づいて、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状を判定する。具体的には、設定部１８ｂは、基板保持部３１に保持される基板Ｗが、基板Ｗの上面に凹部２４を有するか否かを特定する。設定部１８ｂは、基板保持部３１に保持される基板Ｗが、基板Ｗの下面に凹部２４を有するか否かを特定する。

以下では、基板Ｗの上面に形成される凹部２４を、特に「上凹部２４Ａ」と呼ぶ。基板Ｗの下面に形成される凹部２４を、特に「下凹部２４Ｂ」と呼ぶ。上凹部２４Ａは、上方を向く。上凹部２４Ａは、上方に開放される。下凹部２４Ｂは、下方を向く。下凹部２４Ｂは、下方に開放される。

さらに、制御部１８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に処理液供給部４１が処理液を供給するか否かを特定する。制御部１８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの下面に処理液供給部４１が処理液を供給するか否かを特定する。

ステップＳ２３
制御部１８（具体的には、設定部１８ｂ）は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、上高さ位置ＨＴを決定する。さらに、制御部１８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、液導入口５８の下端５８Ｂの高さ位置を決定する。以下では、液導入口５８の下端５８Ｂの高さ位置を、「下高さ位置ＨＢ」と略記する。制御部１８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、上高さ位置ＨＴと下高さ位置ＨＢを変える。

より詳しくは、基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否か、および、処理液供給部４１が基板Ｗの上面に処理液を供給するか否かに応じて、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを変える。

例えば、基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有し、かつ、処理液供給部４１が基板Ｗの上面に処理液を供給するとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第１上設定値ＶＴｅに決定する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有せず、かつ、処理液供給部が基板Ｗの上面に処理液を供給するとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第２上設定値ＶＴｆに決定する。処理液供給部が基板Ｗの上面に処理液を供給しないとき、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを第３上設定値ＶＴｇに決定する。

第１上設定値ＶＴｅと第２上設定値ＶＴｆと第３上設定値ＶＴｇは、記憶部１８ａに予め記憶されている。設定部１８ｂは、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、上高さ位置ＨＴを、第１上設定値ＶＴｅと第２上設定値ＶＴｆと第３上設定値ＶＴｇの間で切り換える。

第１上設定値ＶＴｅによって規定される上高さ位置ＨＴを、第１上高さ位置ＨＴｅと記載する。第２上設定値ＶＴｆによって規定される上高さ位置ＨＴを、第２上高さ位置ＨＴｆと記載する。第３上設定値ＶＴｇによって規定される上高さ位置ＨＴを、第３上高さ位置ＨＴｇと記載する。第１上高さ位置ＨＴｅは、第２上高さ位置ＨＴｆよりも高い。第２上高さ位置ＨＴｆは、第３上高さ位置ＨＴｇよりも高い。

第１上設定値ＶＴｅと第２上設定値ＶＴｆと第３上設定値ＶＴｇは、本発明における設定値の例である。

基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有するか否か、および、処理液供給部４１が基板Ｗの下面に処理液を供給するか否かに応じて、制御部１８は、下高さ位置ＨＢを変える。

例えば、基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有し、かつ、処理液供給部４１が基板Ｗの下面に処理液を供給するとき、制御部１８は、下高さ位置ＨＢを第１下設定値ＶＢａに決定する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有しないとき、制御部１８は、下高さ位置ＨＢを第２下設定値ＶＢｂに決定する。処理液供給部４１が基板Ｗの下面に処理液を供給しないときも、制御部１８は、下高さ位置ＨＢを第２下設定値ＶＢｂに決定する。

第１下設定値ＶＢａと第２下設定値ＶＢｂは、記憶部１８ａに予め記憶されている。設定部１８ｂは、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、下高さ位置ＨＢを、第１下設定値ＶＢａと第２下設定値ＶＢｂの間で切り換える。

第１下設定値ＶＢａによって規定される下高さ位置ＨＢを、第１下高さ位置ＨＢａと記載する。第２下設定値ＶＢｂによって規定される下高さ位置ＨＢを、第２下高さ位置ＨＢｂと記載する。第１下高さ位置ＨＢａは、第２下高さ位置ＨＢｂよりも高い。

ステップＳ２４
制御部１８は、処理ユニット１４を制御する。制御部１８は、決定された上高さ位置ＨＴと下高さ位置ＨＢに基づいて、ガード駆動部６０を制御する。具体的には、制御部１８は、決定された上高さ位置ＨＴに基づいて、第２ガード駆動機構６２を制御する。制御部１８は、決定された下高さ位置ＨＢに基づいて、第１ガード駆動機構６１を制御する。より具体的には、駆動回路１８ｃは、設定部１８ｂによって選択された第１上設定値ＶＴｅ、第２上設定値ＶＴｆおよび第３上設定値ＶＴｇのいずれか１つに基づいて、第２ガード駆動機構６２に駆動命令を出す。駆動回路１８ｃは、設定部１８ｂによって選択された第１下設定値ＶＢａおよび第２下設定値ＶＢｂのいずれか１つに基づいて、第１ガード駆動機構６１に駆動命令を出す。

ステップＳ２５
制御部１８による制御にしたがって、処理ユニット１４は、基板Ｗに処理を行う。具体的には、基板保持部３１は基板Ｗを保持する。第２ガード駆動機構６２は、第２ガード５２を鉛直方向に移動させる。これにより、液導入口５８の上端５８Ｔは、第１上高さ位置ＨＴｅ、第２上高さ位置ＨＴｆ、および、第３上高さ位置ＨＴｇのいずれかに配置される。第１ガード駆動機構６１は、第１ガード５１を鉛直方向に移動させる。これにより、液導入口５８の下端５８Ｂは、第１下高さ位置ＨＢａまたは第２下高さ位置ＨＢｂに配置される。

図１１（ａ）－１１（ｆ）は、基板Ｗを処理する処理ユニット１４を模式的に示す図である。図１１（ａ）－１１（ｆ）において、第１ノズル４２が処理液を吐出しないとき、第１ノズル４２の図示を省略する。図１１（ａ）－１１（ｆ）において、第２ノズル４５が処理液を吐出しないとき、第２ノズル４５の図示を省略する。

図１１（ａ）、１１（ｂ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有し、かつ、処理液供給部４１が基板Ｗの上面に処理液を供給するとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第１上高さ位置ＨＴｅ（すなわち、第１上設定値ＶＴｅによって規定される上高さ位置ＨＴ）に配置される。

図１１（ｄ）、１１（ｅ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有せず、かつ、処理液供給部４１が基板Ｗの上面に処理液を供給するとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第２上高さ位置ＨＴｆ（すなわち、第２上設定値ＶＴｆによって規定される上高さ位置ＨＴ）に配置される。

図１１（ｃ）、１１（ｆ）を参照する。処理液供給部が基板Ｗの上面に処理液を供給しないとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第３上高さ位置ＨＴｇ（すなわち、第３上設定値ＶＴｇによって規定される上高さ位置ＨＴ）に配置される。

図１１（ｅ）、１１（ｆ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有し、かつ、処理液供給部４１が基板Ｗの下面に処理液を供給するとき、液導入口５８の下端５８Ｂは、第１下高さ位置ＨＢａ（すなわち、第１下設定値ＶＢａによって規定される下高さ位置ＨＢ）に配置される。

図１１（ａ）、１１（ｂ）、１１（ｃ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有しないとき、液導入口５８の下端５８Ｂは、第２下高さ位置ＨＢｂ（すなわち、第２下設定値ＶＢｂによって規定される下高さ位置ＨＢ）に配置される。

図１１（ａ）、１１（ｄ）を参照する。処理液供給部４１が基板Ｗの下面に処理液を供給しないとき、液導入口５８の下端５８Ｂは、第２下高さ位置ＨＢｂに配置される。

図示するとおり、第１上高さ位置ＨＴｅは、第２上高さ位置ＨＴｆよりも高い。第２上高さ位置ＨＴｆは、第３上高さ位置ＨＴｇよりも高い。第１下高さ位置ＨＢａは、第２下高さ位置ＨＢｂよりも低い。

続いて、回転駆動部３５が基板保持部３１を回転させつつ、処理液供給部４１が基板保持部３１に保持される基板Ｗに処理液を供給する。液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を回収する。

図１１（ａ）－１１（ｃ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するとき、基板Ｗの上面における周縁部２２は、基板Ｗの上面における主部２３よりも高い位置に配置される。図１１（ｄ）－１１（ｆ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないとき、基板Ｗの上面は略平坦である。より詳しくは、基板Ｗの上面における周縁部２２は、基板Ｗの上面における主部２３と略同じ高さ位置に配置される。

図１１（ａ）、１１（ｂ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有し、かつ、基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に処理液供給部４１が処理液を供給するとき、処理液は、基板Ｗの上面に沿って主部２３から周縁部２２に上向きに流れる。処理液は基板Ｗから高い位置に飛散し易い。液導入口５８の上端５８Ｔは第１上高さ位置ＨＴｅに配置される。第１上高さ位置ＨＴｅは比較的に高い。よって、液導入口５８は、処理液を回収空間５７に好適に導入できる。

図１１（ｄ）、１１（ｅ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有せず、かつ、基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に処理液供給部４１が処理液を供給するとき、処理液は、基板Ｗの上面に沿って主部２３から周縁部２２に略水平に流れる。よって、処理液は基板Ｗから高い位置に飛散し難い。液導入口５８の上端５８Ｔは第２上高さ位置ＨＴｆに配置される。第２上高さ位置ＨＴｆは第１上高さ位置ＨＴｅよりも低い。よって、液導入口５８は、処理液を回収空間５７に好適に導入できる。

図１１（ｃ）、１１（ｆ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に処理液供給部４１が処理液を供給しないとき、処理液は、基板Ｗの上面に沿って流れない。よって、処理液は基板Ｗから高い位置に飛散し難い。液導入口５８の上端５８Ｔは第３上高さ位置ＨＴｇに配置される。第３上高さ位置ＨＴｇは第１上高さ位置ＨＴｅよりも低い。さらに、第３上高さ位置ＨＴｇは第２上高さ位置ＨＴｆよりも低い。よって、液導入口５８は、処理液を回収空間５７に好適に導入できる。

図１１（ｄ）－１１（ｆ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有するとき、基板Ｗの下面における周縁部２２は、基板Ｗの下面における主部２３よりも低い位置に配置される。

図１１（ａ）－１１（ｃ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有しないとき、基板Ｗの下面は略平坦である。より詳しくは、基板Ｗの下面における周縁部２２は、基板Ｗの下における主部２３と略同じ高さ位置に配置される。

図１１（ｅ）、１１（ｆ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有し、かつ、基板保持部３１に保持される基板Ｗの下面に処理液供給部４１が処理液を供給するとき、処理液は、基板Ｗの下面に沿って主部２３から周縁部２２に下向きに流れる。処理液は基板Ｗから低い位置に飛散し易い。液導入口５８の下端５８Ｂは第１下高さ位置ＨＢａに配置される。第１下高さ位置ＨＢａは比較的に低い。よって、液導入口５８は、処理液を回収空間５７に好適に導入できる。

図１１（ｂ）、１１（ｃ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有せず、かつ、基板保持部３１に保持される基板Ｗの下面に処理液供給部４１が処理液を供給するとき、処理液は、基板Ｗの下面に沿って主部２３から周縁部２２に略水平に流れる。よって、処理液は基板Ｗから低い位置に飛散し難い。液導入口５８の下端５８Ｂは第２下高さ位置ＨＢｂに配置される。第２下高さ位置ＨＢｂは第１下高さ位置ＨＢａよりも高い。よって、液導入口５８は、処理液を回収空間５７に好適に導入できる。

図１１（ａ）、１１（ｄ）を参照する。基板保持部３１に保持される基板Ｗの下面に処理液供給部４１が処理液を供給しないとき、処理液は、基板Ｗの下に沿って流れない。よって、処理液は基板Ｗから低い位置に飛散し難い。液導入口５８の下端５８Ｂは第２下高さ位置ＨＢｂに配置される。第２下高さ位置ＨＢｂは第１下高さ位置ＨＢａよりも高い。よって、液導入口５８は、処理液を回収空間５７に好適に導入できる。

＜第３実施形態の効果＞
第３実施形態においても、第１実施形態と同様に、制御部１８は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じてガード駆動部６０を制御することにより、上高さ位置ＨＴを変える。さらに、第３実施形態では、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じてガード駆動部６０を制御することにより、下高さ位置ＨＢを変える。したがって、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、液導入口５８を一層適切な高さ位置に調整できる。よって、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に関わらず、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を一層好適に回収できる。よって、処理ユニット１４は、基板Ｗを一層適切に処理できる。すなわち、基板処理装置１は、基板Ｗを一層適切に処理できる。

記憶部１８ａは、第１上設定値ＶＴｅと第２上設定値ＶＴｆと第３上設定値ＶＴｇを記憶する。設定部１８ｂは、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、上高さ位置ＨＴを、第１上設定値ＶＴｅと第２上設定値ＶＴｆと第３上設定値ＶＴｇの間で切り換える。記憶部１８ａは、第１下設定値ＶＢａと第２下設定値ＶＢｂを記憶する。設定部１８ｂは、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、下高さ位置ＨＢを、第１下設定値ＶＢａと第２下設定値ＶＢｂの間で切り換える。よって、制御部１８は、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの両方を好適に決定できる。

処理ユニット１４は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて第１ガード５１および第２ガード５２が鉛直方向に移動することにより、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢを変えるステップを実行する。このため、処理ユニット１４は、基板Ｗを一層適切に処理できる。

基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かは、基板Ｗから飛散する処理液の方向に影響を与える事項である。基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に処理液供給部４１が処理液を供給するか否かも、基板Ｗから飛散する処理液の方向に影響を与える事項である。制御部１８は、両方の事項を考慮して、上高さ位置ＨＴを変える。このため、制御部１８は、液導入口５８の上端５８Ｔを適切な高さ位置に調整できる。
よって、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。

基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有し、かつ、基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に処理液供給部４１が処理液を供給するとき、液導入口５８の上端５８Ｔは、第１上高さ位置ＨＴｅに配置される。基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないとき、液導入口５８の上端５８Ｔは第２上高さ位置ＨＴｆまたは第３上高さ位置ＨＴｇに配置される。基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に液供給部４１が処理液を供給しないとき、液導入口５８の上端５８Ｔは第３上高さ位置ＨＴｇに配置される。第１上高さ位置ＨＴｅは、第２上高さ位置ＨＴｆおよび第３上高さ位置ＨＴｇよりも高い。よって、基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有し、かつ、基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に処理液供給部４１が処理液を供給するとき、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。基板保持部３１に保持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有していないときも、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に液供給部４１が処理液を供給しないときも、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。

基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に処理液供給部４１が処理液を供給しないとき、液導入口５８の上端５８Ｔは第３上高さ位置ＨＴｇに配置される。基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に処理液供給部４１が処理液を供給するとき、液導入口５８の上端５８Ｔは第１上高さ位置ＨＴｅまたは第２上高さ位置ＨＴｆに配置される。第３上高さ位置ＨＴｇは、第１上高さ位置ＨＴｅおよび第２上高さ位置ＨＴｆよりも低い。よって、基板保持部３１に保持される基板Ｗの上面に処理液供給部４１が処理液を供給しないとき、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を一層好適に回収できる。

基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有するか否かは、基板Ｗから飛散する処理液の方向に大きな影響を与える事項である。基板保持部３１に保持される基板Ｗの下面に処理液供給部４１が処理液を供給するか否かも、基板Ｗから飛散する処理液の方向に大きな影響を与える事項である。制御部１８は、両方の事項を考慮して、下高さ位置ＨＢを変える。このため、制御部１８は、液導入口５８の下端５８Ｂを適切な高さ位置に調整できる。よって、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。

基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有し、かつ、基板保持部３１に保持される基板Ｗの下面に処理液供給部４１が処理液を供給するとき、液導入口５８の下端５８Ｂは、第１下高さ位置ＨＢａに配置される。基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有しないとき、液導入口５８の下端５８Ｂは第２下高さ位置ＨＢｂに配置される。基板保持部３１に保持される基板Ｗの下面に液供給部４１が処理液を供給しないとき、液導入口５８の下端５８Ｂは第２下高さ位置ＨＢｂに配置される。第１下高さ位置ＨＢａは、第２下高さ位置ＨＢｂよりも低い。よって、基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有し、かつ、基板保持部３１に保持される基板Ｗの下面に処理液供給部４１が処理液を供給するとき、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。基板保持部３１に保持される基板Ｗが下凹部２４Ｂを有していないとき、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。基板保持部３１に保持される基板Ｗの下面に液供給部４１が処理液を供給しないときも、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。

本発明は、第１、第２、第３実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

第１実施形態では、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを変える。第２、第３実施形態では、制御部１８は、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢを変える。但し、これに限られない。制御部１８は、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの少なくともいずれかを変えてもよい。

第１、第２、第３実施形態では、液導入口５８の高さ位置を変える因子として、主部２３の厚み、凹部２４の有無、凹部２４が配置される基板Ｗの部位、処理液が供給される基板の部位を例示する。但し、これに限られない。例えば、凹部の寸法や凹部の形状に応じて、液導入口５８の高さ位置を変えてもよい。

図１２は、基板Ｗの断面図である。制御部１８は、深さＤに応じて、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの少なくともいずれかを変えてもよい。ここで、深さＤは、周縁部２２に対する主部２３の深さである。より詳しくは、深さＤは、周縁部２２の高さ位置と主部２３の高さ位置の差に相当する。深さＤは、「凹部２４の深さ」と言うこともできる。深さＤは、基板Ｗから飛散する処理液の方向に影響を与える事項である。例えば、基板保持部３１に保持される基板Ｗが第１深さＤ１を有するときの液導入口５８の上端５８Ｔは、基板保持部３１に保持される基板Ｗが第１深さＤ１よりも大きな第２深さＤ２を有するときの液導入口５８の上端５８に比べて、高くてもよい。例えば、深さＤが大きくなるにしたがって、上高さ位置ＨＴを高くしてもよい。本変形実施形態によれば、凹部２４の深さＤに関わらず、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。

図１２を参照する。基板Ｗは、凹部２４と壁部２６を備える。壁部２６は、周縁部２２と主部２３の間に形成される。より詳しくは、壁部２６は、周縁部２２の外縁から主部２３の内縁まで延びる。基板Ｗが撓んでいない状態で、周縁部２２および主部２３は水平であり、壁部２６は水平でない。制御部１８は、壁部２６の角度θに応じて、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの少なくともいずれかを変えてもよい。ここで、壁部２６の角度θは、例えば、水平線に対する壁部２６の角度である。壁部２６の角度は、基板Ｗから飛散する処理液の方向に影響を与える事項である。例えば、基板保持部３１に保持される基板Ｗの壁部２６が第１角度で傾斜するときの液導入口５８の上端５８Ｔは、基板保持部３１に保持される基板Ｗの壁部２６が第１角度よりも小さな第２角度で傾斜するときの液導入口５８の上端５８に比べて、高くてもよい。例えば、壁部２６の角度が大きくなるにしたがって、上高さ位置ＨＴを高くしてもよい。本変形実施形態によれば、壁部２６の角度θに関わらず、液回収部５０は、基板Ｗから飛散した処理液を好適に回収できる。

第１、第２実施形態では、ガード駆動部６０は、第２ガード５２のみを移動させる。但し、これに限られない。ガード駆動部６０は、第１ガード５１および第２ガード５２の少なくともいずれかを移動させてもよい。例えば、ガード駆動部６０は、第１ガード５１を移動させてもよい。これによれば、制御部１８は、下高さ位置ＨＢを変えることができる。

第１、第２、第３実施形態では、液回収部５０が有するガードの数は、２つである。但し、これに限られない。液回収部５０は、３つ以上のガードを備えてもよい。

図１３は、変形実施形態に係る処理ユニット１４を模式的に示す図である。なお、実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

変形実施形態に係る処理ユニット１４は、第１ガード５１と第２ガード５２に加えて、第３ガード８１と第３ガード８２を備える。第３ガード８１および第４ガード８２はそれぞれ、処理液を受ける。第３ガード８１および第４ガード８２はそれぞれ、基板保持部３１の側方を囲むように配置される。第３ガード８１および第４ガード８２は、回転軸線Ａを中心とする略円筒形状を有する。第３ガード８１は、第２ガード５２の外方に配置される。第４ガード８２は、第３ガード８１の外方に配置される。

第３ガード８１および第４ガード８２は、第１ガード５１および第２ガード５２と略同じ構造を有する。すなわち、第３ガード８１は、鉛直部８３と傾斜部８４を備える。鉛直部８３は、鉛直部５６の外方に配置される。傾斜部８４は、傾斜部５６の上方に配置される。傾斜部８４は、上縁８４Ａを有する。第４ガード８２は、鉛直部８５と傾斜部８６を備える。鉛直部８５は、鉛直部８３の外方に配置される。傾斜部８６は、傾斜部８４の上方に配置される。傾斜部８６は、上縁８６Ａを有する。

ガード駆動部６０は、第１ガード駆動機構６１および第２ガード駆動機構６２に加えて、第３ガード駆動機構６３と第４ガード駆動機構６４を備える。第３ガード駆動機構６３は、第３ガード８１を鉛直方向に移動する。第４ガード駆動機構６４は、第４ガード８２を鉛直方向に移動する。第１ガード５１と第２ガード５２と第３ガード８１と第４ガード８２は、互いに独立して、鉛直方向に移動可能である。

図１４（ａ）、１４（ｂ）、１４（ｃ）、１４（ｄ）はそれぞれ、ガードの配置例を示す図である。図１４（ａ）－１４（ｃ）は、処理液供給部４１およびガード駆動部６０などの図示を省略する。

図１４（ａ）を参照する。上縁８６Ａは、基板保持部３１に保持される基板Ｗよりも高い位置に配置される。上縁８４Ａ、５６Ａ、５４Ａは、プレート３２の上面３２ａよりも低い位置に配置される。回収空間５７ａおよび液導入口５８ａは、第３ガード８１と第４ガード８２によって区画される。第４ガード８２は、液導入口５８の上端５８Ｔを規定する。第４ガード８２の上縁８６Ａが、液導入口５８の上端５８Ｔに相当する。第３ガード８１は、液導入口５８の下端５８Ｂを規定する。第３ガード８１の上縁８４Ａが、液導入口５８の下端５８Ｂに相当する。

第３ガード８１および第２ガード８２はそれぞれ、本発明におけるガードの例である。

図１４（ｂ）を参照する。上縁８６Ａ、８４Ａは、基板保持部３１に保持される基板Ｗよりも高い位置に配置される。上縁５６Ａ、５４Ａは、プレート３２の上面３２ａよりも低い位置に配置される。回収空間５７ｂおよび液導入口５８ｂは、第２ガード５２と第３ガード８１によって区画される。第３ガード８１は、液導入口５８の上端５８Ｔを規定する。第３ガード８１の上縁８４Ａが、液導入口５８の上端５８Ｔに相当する。第２ガード５２は、液導入口５８の下端５８Ｂを規定する。第２ガード５２の上縁５６Ａが、液導入口５８の下端５８Ｂに相当する。

図１４（ｃ）を参照する。上縁８６Ａ、８４Ａ、５６Ａは、基板保持部３１に保持される基板Ｗよりも高い位置に配置される。上縁５４Ａは、プレート３２の上面３２ａよりも低い位置に配置される。回収空間５７ｃおよび液導入口５８ｃは、第１ガード５１と第２ガード５２によって区画される。第２ガード５２は、液導入口５８の上端５８Ｔを規定する。第２ガード５２の上縁５６Ａが、液導入口５８の上端５８Ｔに相当する。第１ガード５１は、液導入口５８の下端５８Ｂを規定する。第１ガード５１の上縁５４Ａが、液導入口５８の下端５８Ｂに相当する。

図１４（ｄ）を参照する。上縁８６Ａ、８４Ａ、５６Ａ、５４Ａは、基板保持部３１に保持される基板Ｗよりも高い位置に配置される。回収空間５７ｄおよび液導入口５８ｄは、第１ガード５１によって区画される。回収空間５７ｄは、第１ガード５１の傾斜部５４の下方、かつ、第１ガード５１の鉛直部５３の内方に配置される。第１ガード５１は、液導入口５８の上端５８Ｔを規定する。第１ガード５１の上縁５４Ａが、液導入口５８の上端５８Ｔに相当する。ただし、第１ガード５１、第２ガード５２、第３ガード８１および第４ガード８２のいずれも、液導入口５８の下端５８Ｂを規定しない。

上述の通り、液導入口５８の上端５８Ｔを規定するガードは、第１ガード５１、第２ガード５２、第３ガード８１および第４ガード８２の間で、切り替わってもよい。液導入口５８の下端５８Ｂを規定するガードも、第１ガード５１、第２ガード５２および第３ガード８１の間で切り替わってもよい。液導入口５８の下端５８Ｂは、ガードによって規定されなくてもよい。

本変形実施形態によれば、複数の液導入口５８ａ、５８ｂ、５８ｃ、５８ｄのうちから選択された１つを用いて、基板Ｗから飛散した処理液を回収できる。複数の回収空間５７ａ、５７ｂ、５７ｃ、５７ｄのうちから選択された１つを用いて、基板Ｗから飛散した処理液を回収できる。したがって、処理液供給部４１が複数種類の処理液を使用するとき、液回収部５０は、複数種類の処理液を分離回収できる。

上述した第１実施形態では、上高さ位置ＨＴは、２つの高さ位置（具体的には、第１上高さ位置ＨＴａおよび第２上高さ位置ＨＴｂ）の中から選択される。言い換えれば、上述した第１実施形態では、上高さ位置ＨＴは、２段階で変化する。但し、これに限られない。上高さ位置ＨＴは、３つ以上の高さ位置の中から選択されてもよい。言い換えれば、上高さ位置ＨＴを、３段階以上で変化してもよい。あるいは、上高さ位置ＨＴを、無段階で調整してもよい。例えば、主部２３の厚みが小さくなるにしたがって、上高さ位置ＨＴを高くしてもよい。下高さ位置ＨＢの決定および調整に関しても、同様に変更してもよい。

上述した第１、第２、第３実施形態では、基板保持部３１は、端縁接触ピン３３を備える。但し、これに限られない。例えば、基板保持部３１から、端縁接触ピン３３を省略してもよい。例えば、基板保持部３１は、いわゆるベルヌーイチャック、または、ベルヌーイグリッパーによって基板Ｗを保持してもよい。

図１５は、変形実施形態に係る処理ユニット１４を模式的に示す図である。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

基板保持部３１は、複数の固定ピン９１を備える。固定ピン９１は、基板Ｗを支持する。各固定ピン９１は、プレート３２に固定される。各固定ピン９１は、プレート３２に対して移動不能である。各固定ピン９１は、プレート３２に対して回転不能である。各固定ピン９１は、プレート３２に対して移動可能な可動部を有しない。

固定ピン９１は、プレート３２の上面３２ａから上方に突出する。固定ピン９１は、基板Ｗの下面と接触する。より詳しくは、固定ピン９１は、基板Ｗの周縁部２２における下面と接触する。これにより、固定ピン９１は、プレート３２の上面３２ａよりも高い位置で基板Ｗを支持する。

固定ピン９１は、基板Ｗの上面と接触しない。固定ピン９１は、基板Ｗが固定ピン９１に対して上方に移動することを許容する。固定ピン９１は、基板Ｗの端縁と接触しない。固定ピン９１自体は、基板Ｗが固定ピン９１に対して滑ることを許容する。このように、固定ピン９１自体は、基板Ｗを保持しない。

基板保持部３１は、気体吹出口９３を備える。気体吹出口９３は、プレート３２の上面３２ａに形成される。気体吹出口９３は、平面視において、固定ピン９１に支持される基板Ｗと重なる位置に配置される。気体吹出口９３は、上方に気体を吹き出す。気体吹出口９３は、プレート３２の上面３２ａと固定ピン９１に支持される基板Ｗの下面との間に、気体を吹き出す。気体吹出口９３は、固定ピン９１に支持される基板Ｗの下方の位置から、基板Ｗに気体を吹き出す。気体は、プレート３２の上面３２ａと固定ピン９１に支持される基板Ｗの下面の間に供給される。気体は、固定ピン９１に支持される基板Ｗの下面に沿って流れる。これにより、気体吹出口９３は、基板Ｗを吸引する。具体的には、気体が基板Ｗの下面に沿って流れることによって、負圧が形成される。すなわち、基板Ｗの下面が受ける気圧は、基板Ｗの上面が受ける気圧よりも、小さい。ベルヌーイの原理により、基板Ｗに下向きの力が働く。すなわち、基板Ｗが下方に吸引される。基板Ｗは気体吹出口９３およびプレート３２に向かって吸引される。ただし、気体吹出口９３は、基板Ｗと接触しない。プレート３２も、基板Ｗと接触しない。

気体吹出口９３が基板Ｗを下方に吸引し、かつ、固定ピン９１が基板Ｗの下面と接触することによって、基板Ｗは支持され、かつ、所定の位置に保たれる。基板Ｗに働く吸引力によって、基板Ｗは固定ピン９１に対して水平方向に滑らない。このように、基板保持部３１は、基板Ｗを保持する。

気体吹出口９３は、例えば、複数の第１吹出口９４を備える。第１吹出口９４は、第２ノズル４５の外方に配置される。第１吹出口９４は、固定ピン９１よりも、プレート３２の回転軸線Ａの内方に配置される。第１吹出口９４は、平面視で、回転軸線Ａ回りの円周上に配列される。

固定ピン９１は、本発明における支持部の例である。

処理ユニット１４は、第１気体供給路９６を備える。第１気体供給路９６は、第１吹出口９４に気体を供給する。第１気体供給路９６の一部は、プレート３２の内部に形成されている。第１気体供給路９６は、第１端と第２端を有する。第１気体供給路９６の第１端は、気体供給源９８に接続される。第１気体供給路９６の第２端は、第１吹出口９４に接続される。第１吹出口９４に供給される気体は、例えば、窒素ガスや空気である。第１吹出口９４に供給される気体は、例えば、高圧ガスまたは圧縮ガスである。

処理ユニット１４は、吹出調整部１０１を備える。吹出調整部１０１は、気体吹出口９３が吹き出す気体の流量を調整する。気体吹出口９３が吹き出す気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。具体的には、吹出調整部１０１は、第１気体供給路９６に設けられる。吹出調整部１０１は、第１吹出口９４に供給される気体の流量を調整する。

本変形実施形態において、気体吹出口９３は、さらに、プレート３２の上面３２ａの中央部に配置される第２吹出口を備えてもよい。吹出調整部１０１は、第１吹出口９４が吹き出す気体の流量と、第２吹出口が吹き出す気体の流量を個別に調整してもよい。

本変形実施形態において、気体吹出口９３は、さらに、第２ノズル４５を通じて気体を上方に吹き出してもよい。吹出調整部１０１は、第１吹出口９４が吹き出す気体の流量と、第２ノズル４５を通じて吹き出す気体の流量を個別に調整してもよい。

第１、第２、第３実施形態では、処理液供給部４１は基板Ｗの上面に処理液を供給する。但し、これに限られない。処理液供給部４１は基板Ｗの上面に処理液を供給しなくてもよい。本変形実施形態では、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを変えず、下高さ位置ＨＢのみを変えてもよい。

第１、第２、第３実施形態では、処理液供給部４１は基板Ｗの下面に処理液を供給する。
但し、これに限られない。処理液供給部４１は基板Ｗの下面に処理液を供給しなくてもよい。本変形実施形態では、制御部１８は、下高さ位置ＨＢを変えず、上高さ位置ＨＴのみを変えてもよい。

上述した第１実施形態では、制御部１８は、第１上設定値ＶＴａと第２上設定値ＶＴｂのいずれかを選択する。但し、これに限られない。例えば、記憶部１８ａが、第１上設定値ＶＴａを含む第１処理レシピと、第２上設定値ＶＴｂを含む第２処理レシピを記憶する場合、制御部１８は、第１処理レシピと第２処理レシピのいずれかを選択してもよい。本変形実施形態によっても、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを好適に決定できる。同様に、第２実施形態および第３実施形態においても、制御部１８は、記憶部１８ａに記憶される複数の処理レシピの中から１つを選択してもよい。

上述した第１、第２、第３実施形態では、制御部１８は、バーコードリーダ４および形状検出部１３、６７の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定する。但し、これに限られない。例えば、制御部１８は、バーコードリーダ４および形状検出部１３、６７のいずれか１つの検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定してもよい。

上述した第１、第２、第３実施形態では、制御部１８は、バーコードリーダ４および形状検出部１３、６７の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定する。但し、これに限られない。

例えば、基板処理装置１は、基板Ｗに付される基板情報を読み取る基板情報検出部（不図示）を備え、制御部１８は、基板情報検出部の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定してもよい。ここで、基板Ｗに付される基板情報は、例えば、基板Ｗに印字される識別コードである。基板情報検出部は、例えば、リーダである。

上述した第１、第２、第３実施形態において、制御部１８は、さらに、基板処理装置１の外部機器から情報を取得してもよい。基板処理装置１の外部機器は、例えば、ホストコンピュータである。本変形実施形態では、制御部１８が外部機器から情報を取得する前に、制御部１８は、例えば、バーコードリーダ４の検出結果を外部機器に送信してもよい。本変形実施形態では、制御部１８が外部機器から情報を取得する前に、制御部１８は、例えば、形状検出部１３、６７の検出結果および存否検出部６、１６の検出結果を外部機器に送信してもよい。

以下、制御部１８が外部機器から取得する情報を例示する。

例えば、制御部１８は、基板処理装置１の外部機器から、基板Ｗの形状に関する情報（以下、基板形状情報という）を取得してもよい。制御部１８は、外部機器から取得する基板形状情報に基づいて、基板Ｗの形状を特定してもよい。

基板形状情報は、例えば、基板Ｗの形状を直接的に示す情報であってもよい。基板Ｗの形状を直接的に示す情報は、例えば、基板Ｗの主部２３の厚み、基板Ｗの凹部２４の深さＤ、および、基板Ｗの壁部２６の角度θの少なくともいずれかを直接的に示す情報である。あるいは、基板Ｗの形状を直接的に示す情報は、基板Ｗが凹部２４を有するか否か、凹部２４が基板Ｗの上面に形成されているか否か、および、凹部２４が基板Ｗの下面に形成されているか否かの少なくともいずれかを直接的に示す情報である。制御部１８が基板Ｗの形状を直接的に示す情報を取得した場合、制御部１８は、基板Ｗの形状を判定するステップ（例えば、ステップＳ２、Ｓ１２、Ｓ２２）を行わない。

基板形状情報は、例えば、基板Ｗの形状を間接的に示す情報であってもよい。制御部１８が基板Ｗの形状を間接的に示す情報を取得した場合、制御部１８は、基板Ｗの形状を間接的に示す情報に基づいて、基板Ｗの形状を判定するステップＳ２（例えば、ステップＳ２、Ｓ１２、Ｓ２２）を行う。

例えば、制御部１８は、基板処理装置１の外部機器から、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの少なくともいずれかに関する情報（以下、液回収条件情報という）を取得してもよい。ここで、液回収条件情報は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて設定される。制御部１８は、外部機器から取得する液回収条件情報に基づいて、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの少なくともいずれかを決定してもよい。本変形実施形態によっても、制御部１８は、板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの少なくともいずれかを変えることができる。本変形実施形態では、制御部１８は、基板Ｗの形状を判定するステップ（例えば、ステップＳ２、Ｓ１２、Ｓ２２）を行わなくてもよい。

液回収条件情報は、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの少なくともいずれかを直接的に指定する情報であってもよい。上高さ位置ＨＴを直接的に指定する情報は、例えば、上設定値である。この場合、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを、液回収条件情報に含まれる上設定値に決定する。下高さ位置ＨＢを直接的に指定する情報は、例えば、下設定値である。この場合、制御部１８は、下高さ位置ＨＴを、液回収条件情報に含まれる下設定値に決定する。

液回収条件情報は、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの少なくともいずれかを間接的に指定する情報であってもよい。上高さ位置ＨＴを間接的に指定する情報は、例えば、上設定値を識別する上設定値識別情報である。この場合、制御部１８は、記憶部１８ａに記憶される複数の上設定値の中から、上設定値識別情報によって指定される上設定値を特定する。そして、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを、特定した上設定値に決定する。上高さ位置ＨＴを間接的に指定する情報は、例えば、処理レシピを識別するレシピ識別情報である。この場合、制御部１８は、記憶部１８ａに記憶される複数の処理レシピの中から、レシピ識別情報によって指定される処理レシピを特定する。そして、制御部１８は、上高さ位置ＨＴを、特定した処理レシピに含まれる上設定値に決定する。下高さ位置ＨＴを間接的に指定する情報は、例えば、下設定値を識別する下設定値識別情報である。この場合、制御部１８は、記憶部１８ａに記憶される複数の下設定値の中から、下設定値識別情報によって指定される下設定値を特定する。そして、制御部１８は、下高さ位置ＨＢを、特定した下設定値に決定する。下高さ位置ＨＢを間接的に指定する情報は、例えば、処理レシピを識別するレシピ識別情報である。この場合、制御部１８は、記憶部１８ａに記憶される複数の処理レシピの中から、レシピ識別情報によって指定される処理レシピを特定する。そして、制御部１８は、下高さ位置ＨＢを、特定した処理レシピに含まれる下設定値に決定する。

上述した第１、第２、第３実施形態において、制御部１８は、さらに、入力部１７から情報を取得してもよい。例えば、ユーザーが入力部１７に基板形状情報を入力してもよい。制御部１８は、入力部１７に入力された基板形状情報に基づいて、基板Ｗの形状を特定してもよい。入力部１７に入力される基板形状情報は、例えば、基板Ｗの形状を直接的に示す情報であってもよい。入力部１７に入力される基板形状情報は、例えば、基板Ｗの形状を間接的に示す情報であってもよい。

例えば、ユーザーが入力部１７に液回収条件情報を入力してもよい。ここで、入力部１７に入力される液回収条件情報は、基板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて設定される。制御部１８は、入力部１７に入力される液回収条件情報に基づいて、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの少なくともいずれかを決定してもよい。入力部１７に入力される液回収条件情報は、例えば、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの少なくともいずれかを直接的に指定する情報であってもよい。入力部１７に入力される液回収条件情報は、例えば、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの少なくともいずれかを間接的に指定する情報であってもよい。本変形実施形態によっても、制御部１８は、板保持部３１に保持される基板Ｗの形状に応じて、上高さ位置ＨＴおよび下高さ位置ＨＢの少なくともいずれかを変えることができる。本変形実施形態では、制御部１８は、基板Ｗの形状を判定するステップ（例えば、ステップＳ２、Ｓ１２、Ｓ２２）を行わなくてもよい。

第１、第２、第３実施形態では、処理液供給部４１が備える第１ノズル４２の数は１つである。但し、これに限られない。処理液供給部４１が備える第１ノズル４２の数は、複数であってもよい。

第１、第２、第３実施形態では、処理液供給部４１が備える第２ノズル４５の数は１つである。但し、これに限られない。処理液供給部４１が備える第２ノズル４５の数は、複数であってもよい。

第１、第２実施形態では、第１ガード５１および第２ガード５２は、カップ５９に接続されていない。但し、これに限られない。第１ガード５１および第２ガード５２のいずれか１つが、カップ５９に接続されてもよい。第１ガード５１および第２ガード５２のいずれか１つが、カップ５９と一体に成形されてもよい。第１ガード５１および第２ガード５２のいずれか１つが、カップ５９と分離不能であってもよい。

上述した実施形態では、処理ブロック１１に設けられる搬送機構の数は１つである。ただし、これに限られない。処理ブロック１１は、２つ以上の搬送機構を備えてもよい。処理ブロック１１における搬送機構の数に応じて、処理ユニット１４の個数を増やしてもよい。

上述した実施形態および各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

１ … 基板処理装置
２ … インデクサ部
３ … キャリア載置部
４ … バーコードリーダ
５ … 搬送機構
１１ … 処理ブロック
１２ … 載置部
１３ … 形状検出部
１４ … 処理ユニット
１５ … 搬送機構
１７ … 入力部
１８ … 制御部
１８ａ … 記憶部
１８ｂ … 設定部
１８ｃ … 駆動回路
２１ … 基板本体
２２ … 周縁部
２３ … 主部
２４ … 凹部
２４Ａ … 上凹部
２４Ｂ … 下凹部
２５ … 保護プレート
２６ … 壁部
３１ … 基板保持部
３２ … プレート
３２ａ … 上面
３３ … 端縁接触ピン
３５ … 回転駆動部
４１ … 処理液供給部
４２ … 第１ノズル
４５ … 第２ノズル
４８ … 流量調整部
５０ … 液回収部
５１ … 第１ガード（ガード）
５２ … 第２ガード（ガード）
５３ … 鉛直部
５４ … 傾斜部
５４Ａ … 上縁
５５ … 鉛直部
５６ … 傾斜部
５６Ａ … 上縁
５７ … 回収空間
５８ … 液導入口
５８Ｔ … 上端
５８Ｂ … 下端
５９ … カップ
５９ａ … 溝部
６０ … ガード駆動部
６１ … ガード駆動機構（第１ガード駆動部）
６２ … ガード駆動機構（第２ガード駆動部）
６３ … 第３ガード駆動機構
６４ … 第４ガード駆動機構
６７ … 形状検出部
８１ … 第３ガード（ガード）
８２ … 第４ガード（ガード）
８３ … 鉛直部
８４ … 傾斜部
８４Ａ … 上縁
８５ … 鉛直部
８６ … 傾斜部
８６Ａ … 上縁
９１ … 固定ピン（支持部）
９３ … 気体吹出口
９４ … 第１気体吹出口
１０１ … 吹出調整部
Ａ … 回転軸線
Ｃ … キャリア
Ｄ … 周縁部に対する主部の深さ（凹部の深さ）
ＨＴ … 上高さ位置（液導入口の上端の高さ位置）
ＨＴａ、ＨＴｃ、ＨＴｅ … 第１上高さ位置
ＨＴｂ、ＨＴｄ、ＨＴｆ … 第２上高さ位置
ＨＴｇ … 第３上高さ位置
ＨＢ … 下高さ位置（液導入口の下端の高さ位置）
ＨＢａ … 第１下高さ位置
ＨＢｂ … 第２下高さ位置
ＴＡ１ … Ａ型基板の主部の厚み
ＴＢ１ … Ｂ型基板の主部の厚み
ＴＣ１ … Ｃ型基板の主部の厚み
ＶＴａ、ＶＴｃ、ＶＴｅ … 第１上設定値（設定値）
ＶＴｂ、ＶＴｄ、ＶＴｆ … 第２上設定値（設定値）
ＶＴｇ … 第３上設定値（設定値）
ＶＢａ … 第１下設定値（設定値）
ＶＢｂ … 第２下設定値（設定値）
Ｗ … 基板
Ｗ１ … 第１基板
Ｗ２ … 第２基板
ＷＡ … Ａ型基板
ＷＢ … Ｂ型基板
ＷＣ … Ｃ型基板
Ｗｐ … 薄基板
Ｗｑ … 厚基板
θ … 壁部の角度

Claims (15)

1. 基板処理装置であって、
   基板を処理する処理ユニットと、
   前記処理ユニットを制御する制御部と、
   を備え、
   前記処理ユニットは、
   基板を水平姿勢で保持する基板保持部と、
   前記基板保持部を回転する回転駆動部と、
   前記基板保持部に保持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
   前記基板保持部の側方を囲むように配置される２つ以上のガードと、前記ガードによって区画され、前記基板保持部に保持される基板に対して開放される液導入口と、を含む液回収部と、
   少なくとも１つ以上の前記ガードを鉛直方向に移動させるガード駆動部と、
   を備え、
   前記制御部は、前記基板保持部に保持される基板の形状に応じて前記ガード駆動部を制御することにより、前記液導入口の上端の高さ位置および前記液導入口の下端の高さ位置の少なくともいずれかを変える
   基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記制御部は、基板の周縁部の内側に位置する基板の主部の厚みに応じて、前記液導入口の前記上端の高さ位置を変える
   基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記基板保持部に保持される基板の前記主部が第１厚みを有するときの前記液導入口の前記上端は、前記基板保持部に保持される基板が前記第１厚みよりも大きな第２厚みを有するときの前記液導入口の前記上端に比べて、高い
   基板処理装置。
4. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   基板は、
   基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部を有する第１基板と、
   前記凹部を有しない第２基板と、
   を含み、
   前記制御部は、前記基板保持部に保持される基板が前記第１基板および前記第２基板のいずれであるかによって、前記液導入口の前記上端の高さ位置を変える
   基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
   前記第１基板が前記基板保持部に保持されるときの前記液導入口の前記上端は、前記第２基板が前記基板保持部に保持されるときの前記液導入口の前記上端に比べて、高い
   基板処理装置。
6. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって基板の上面に形成される上凹部を、前記基板保持部に保持される基板が有するか否か、および、前記基板保持部に保持される基板の前記上面に前記処理液供給部が処理液を供給するか否かによって、前記制御部は前記液導入口の前記上端の高さ位置を変える
   基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置において、
   前記基板保持部に保持される基板が前記上凹部を有し、かつ、前記基板保持部に保持される基板の前記上面に前記処理液供給部が処理液を供給するときの前記液導入口の前記上端は、前記基板保持部に保持される基板が前記上凹部を有しないときの前記液導入口の前記上端よりも、高く、
   前記基板保持部に保持される基板が前記上凹部を有し、かつ、基板の前記上面に前記処理液供給部が処理液を供給するときの前記液導入口の前記上端は、前記基板保持部に保持される基板の前記上面に前記処理液供給部が処理液を供給しないときの前記液導入口の前記上端よりも、高い
   基板処理装置。
8. 請求項６または７に記載の基板処理装置において、
   前記基板保持部に保持される基板の前記上面に前記処理液供給部が処理液を供給しないときの前記液導入口の前記上端は、前記基板保持部に保持される基板の前記上面に前記処理液供給部が処理液を供給するときの前記液導入口の前記上端よりも、低い
   基板処理装置。
9. 請求項６から８のいずれかに記載の基板処理装置において、
   基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の周縁部よりも凹むことによって基板の下面に形成される下凹部を、前記基板保持部に保持される基板が、有するか否か、および、前記基板保持部に保持される基板の前記下面に前記処理液供給部が処理液を供給するか否かによって、前記制御部は前記液導入口の前記下端の高さ位置を変える
   基板処理装置。
10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記基板保持部に保持される基板が前記下凹部を有し、かつ、前記基板保持部に保持される基板の前記下面に前記処理液供給部が処理液を供給するときの前記液導入口の前記下端は、前記基板保持部に保持される基板が前記下凹部を有しないときの前記液導入口の前記下端よりも、低く、
    前記基板保持部に保持される基板が前記下凹部を有し、かつ、前記基板保持部に保持される基板の前記下面に前記処理液供給部が処理液を供給するときの前記液導入口の前記下端は、前記基板保持部に保持される基板の前記下面に前記処理液供給部が処理液を供給しないときの前記液導入口の上端よりも、低い
    基板処理装置。
11. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    基板は、基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部を含み、
    前記制御部は、基板の前記周縁部に対する基板の前記主部の深さに応じて、前記液導入口の前記上端の高さ位置および前記液導入口の前記下端の高さ位置の少なくともいずれかを変える
    基板処理装置。
12. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    基板は、
    基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって形成される凹部と、
    基板の前記周縁部と基板の前記主部の間に形成される壁部と、
    を含み、
    制御部は、前記壁部の角度に応じて、前記液導入口の前記上端の高さ位置および前記液導入口の前記下端の高さ位置の少なくともいずれかを変える
    基板処理装置。
13. 請求項１から１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記基板保持部は、
    プレートと、
    前記プレートの上面から上方に突出し、基板の下面と接触し、前記プレートの上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
    前記プレートの前記上面に形成され、前記プレートの前記上面と、前記支持部に支持される基板の前記下面との間に気体を吹き出し、基板を下方に吸引する気体吹出口と、
    を備える
    基板処理装置。
14. 請求項１から１３のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記制御部は、
    複数の設定値を記憶する記憶部と、
    前記基板保持部に保持される基板の形状に応じて、前記液導入口の上端の高さ位置および前記液導入口の下端の高さ位置の少なくともいずれかを、前記記憶部に記憶される複数の前記設定値の間で切り換える設定部と、
    を備える
    基板処理装置。
    
15. 基板処理方法であって、
    基板保持部によって基板を水平姿勢で保持するステップと、
    前記基板保持部の側方を囲むように配置されるガードが前記基板保持部に保持される基板の形状に応じて鉛直方向に移動することによって、前記ガードによって区画され、前記基板保持部に保持される基板に対して開放される液導入口の上端の高さ位置および前記液導入口の下端の高さ位置の少なくともいずれかを変えるステップと、
    前記基板保持部を回転し、前記基板保持部に保持される基板に処理液を供給し、かつ、液導入口を通過する処理液をガードによって受けるステップと、
    を備える基板処理方法。
    

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