JP2007165399A - 研磨装置、これを用いた半導体デバイス製造方法およびこの方法により製造される半導体デバイス - Google Patents

Abstract

【課題】ウェハの位置決め精度を向上させた研磨装置を提供する。
【解決手段】本発明に係る研磨装置は、搬送ロボット６０を用いてウェハ３０をウェハ保持装置５０の保持部５２に搬送し、この保持部５２でウェハ保持装置５０に保持されたウェハ３０に研磨部材を当接させながら相対移動させてウェハ３０の研磨を行うように構成された研磨装置において、搬送ロボット６０により保持部５２の近傍に搬送されたウェハ３０を保持部５２へ導くガイド機構として、ウェハ保持装置５０にリング部材５５が設けられるとともに、搬送ロボット６０の把持部材７５に爪側ガイド部７７が設けられている。
【選択図】図７

Description

本発明は、半導体ウェハ等の研磨対象物の表面を平坦化する研磨装置に関する。さらに、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体デバイスに関する。

従来、半導体ウェハ等の研磨対象物の表面を平坦化する研磨装置として、ウェハをその被研磨面が露出する状態で保持するウェハ保持装置（対象物保持装置）と、このウェハ保持装置に保持されたウェハの被研磨面と対向する研磨パッドが貼り付けられた研磨部材とを備え、これら双方を回転させた状態で研磨パッドをウェハの被研磨面に押し付け、且つ研磨部材を両者の接触面内方向に揺動させてウェハを研磨する構成のものが知られている。また、このような機械的研磨に加え、研磨パッドとウェハとの接触面に研磨剤（研磨液）を供給して研磨剤の化学的作用により上記研磨を促進させる化学的機械的研磨（Chemical Mechanical Polishing；ＣＭＰ）を行うＣＭＰ装置も知られている。

このような構成の研磨装置を用いたウェハの研磨加工は、研磨パッドを回転させながらチャック等のウェハ保持装置の保持部に回転保持されたウェハの被研磨面に当接させて行われ、このとき、研磨パッドは回転しながらウェハに対して水平方向へ往復運動をすることで、ウェハの全表面が均一に研磨加工される。また、このような研磨装置を使用する場合、ウェハをフェイスアップで保持部にローディングしたり、研磨後にウェハを保持部からフェイスアップでアンローディングしたりするウェハ搬送装置として、ウェハの外周部を把持する把持部を有する搬送装置が一般的に用いられる（例えば、特許文献１を参照）。
特開２００２−７５９３５号公報

しかしながら、上述のような従来の搬送装置において、搬送装置の搬送精度だけでは、ウェハを保持部にローディングする際のウェハの位置決め精度が十分ではなく、保持部におけるウェハのチャック等が不安定となってウェハの加工精度が低下するおそれがあった。

本発明は、このような問題に鑑みてなされたものであり、研磨対象物の位置決め精度を向上させた研磨装置を提供することを目的とする。また、この研磨装置を用いた半導体デバイス製造方法および半導体デバイスを提供することを目的とする。

このような目的達成のため、本発明に係る研磨装置は、研磨対象物を所定の保持部において保持する対象物保持装置と、研磨部材を保持する研磨ヘッドとを備え、搬送装置を用いて研磨対象物を保持部に搬送するとともに、保持部に搬送された研磨対象物を対象物保持装置により保持し、研磨対象物に研磨部材を当接させながら相対移動させて研磨対象物の研磨を行うように構成された研磨装置において、少なくとも対象物保持装置または搬送装置の一方に、搬送装置により保持部の近傍に搬送された研磨対象物を保持部へ導くガイド機構が設けられている。

また、本発明に係る研磨装置において、搬送装置は、研磨対象物の外縁部下側に係止して研磨対象物を上方から把持可能な複数の把持部材を有して構成され、対象物保持装置は、研磨対象物を載置可能な保持部が上部に設けられたステージ部材を有して構成され、搬送装置により研磨対象物が複数の把持部材に把持された状態で搬送されてステージ部材の保持部に載置されるように構成されており、ガイド機構は、把持部材の下部に設けられてステージ部材の外周部に摺接可能なガイド部からなり、搬送装置により複数の把持部材に把持された研磨対象物が保持部の上側近傍に搬送されるとガイド部がステージ部材の外周部に摺接し、研磨対象物がステージ部材の外周部に摺接するガイド部に導かれるようにして保持部に載置されるように構成されるようにしてもよい。

さらに、本発明に係る研磨装置において、搬送装置は、研磨対象物の外縁部下側に係止して研磨対象物を上方から把持可能な複数の把持部材を有して構成され、対象物保持装置は、研磨対象物を載置可能な保持部が上部に設けられたステージ部材を有して構成され、搬送装置により研磨対象物が複数の把持部材に把持された状態で搬送されてステージ部材の保持部に載置されるように構成されており、ガイド機構は、ステージ部材の外周部に固設されたリング部材と、把持部材の下部に設けられてリング部材の外周部に摺接可能なガイド部とからなり、搬送装置により複数の把持部材に把持された研磨対象物が保持部の上側近傍に搬送されるとガイド部がリング部材の外周部に摺接し、研磨対象物がリング部材の外周部に摺接するガイド部に導かれるようにして保持部に載置されるように構成されるようにしてもよい。

また、本発明に係る半導体デバイス製造方法は、研磨対象物は半導体ウェハであり、本発明に係る研磨装置を用いて半導体ウェハの表面を平坦化する工程を有することを特徴とする。

さらに、本発明に係る半導体デバイスは、本発明に係る半導体デバイス製造方法により製造されたことを特徴とする。

本発明によれば、研磨対象物の位置決め精度を向上させることができる。

以下、図面を参照して本発明の好ましい実施形態について説明する。本発明に係る研磨装置の代表例であるＣＭＰ装置（化学的機械的研磨装置）を図１に示している。このＣＭＰ装置１は、研磨対象物たるウェハ３０をその上面側に着脱自在に吸着保持可能なウェハ保持装置５０と、このウェハ保持装置５０の上方位置に設けられ、ウェハ保持装置５０上に保持されたウェハ３０の被研磨面３１と対向する研磨パッド４６が取り付けられた研磨部材４５を保持してなる研磨ヘッド４０とを備えて構成されている。このＣＭＰ装置１では、研磨パッド４６の寸法（直径）はウェハ３０の寸法（直径）よりも小さく（すなわち研磨パッド４６はウェハ３０よりも小径であり）、研磨パッド４６をウェハ３０に接触させた状態で双方を相対移動させることにより、ウェハ３０の被研磨面３１（上面）全体を研磨できるようになっている。

これらウェハ保持装置５０と研磨ヘッド４０とを支持する支持フレーム２０は、水平な基台２１と、この基台２１上にＹ方向（紙面に垂直な方向でこれを前後方向とする）に延びて設けられたレール（図示せず）上をＹ方向に移動自在に設けられた第１ステージ２２と、この第１ステージ２２から垂直（Ｚ方向）に延びるように設けられた垂直フレーム２３と、この垂直フレーム２３の上部に設けられた第２ステージ２４と、この第２ステージ２４上から水平（Ｘ方向）に延びるように設けられた水平フレーム２５と、この水平フレーム２５上をＸ方向（左右方向）に移動自在に設けられた第３ステージ２６とを有して構成されている。

第１ステージ２２内には第１電動モータＭ１が設けられており、これを回転駆動することにより第１ステージ２２を上記レールに沿ってＹ方向に移動させることができる。また、第３ステージ２６内には第２電動モータＭ２が設けられており、これを回転駆動することにより第３ステージ２６を水平フレーム２５に沿ってＸ方向に移動させることができる。このため、上記電動モータＭ１，Ｍ２の回転動作を組み合わせることにより、第３ステージ２６をウェハ保持装置５０上方の任意の位置に移動させることが可能である。

ウェハ保持装置５０は基台２１上に設けられたテーブル支持部２７から上方に垂直に延びて設けられた回転軸２８の上端部に水平に取り付けられている。この回転軸２８はテーブル支持部２７内に設けられた第３電動モータＭ３を回転駆動することにより回転されるようになっており、これによりウェハ保持装置５０をＸＹ面（水平面）内で回転させることができる。

研磨ヘッド４０は第３ステージ２６から下方に垂直に延びて設けられたスピンドル２９の下端部に取り付けられている。このスピンドル２９は第３ステージ２６内に設けられた第４電動モータＭ４を回転駆動することにより回転されるようになっており、これにより研磨ヘッド４０全体を回転させて研磨パッド４６をＸＹ面（水平面）内で回転させることができる。

さて、ウェハ保持装置５０は、回転軸２８に連結されたステージ部材５１と、ステージ部材５１の外周部に固設されたリング部材５５とを備えて構成される。ステージ部材５１は、セラミック材料等を用いて円盤状に形成され、上面側に形成された保持部５２においてウェハ３０を吸着保持可能に構成されている。この保持部５２は、詳細図示を省略するが、上面に多数のピン形状の突起（図示せず）が形成された構成となっており、この突起の間に位置する凹部には、図示しない真空源に繋がる多数の吸着穴（図示せず）が設けられている。

そして、ウェハ３０の裏面を保持部５２（突起）の上面に接触させて吸着穴に負圧を作用させることで、ウェハ３０の裏面が保持部５２（すなわち、ステージ部材５１）の上面に真空吸着されるようになっている。このようにして、ウェハ３０の裏面が保持部５２（ステージ部材５１）の上面に真空吸着された状態で、ウェハ３０がウェハ保持装置５０に吸着保持される。なお、ステージ部材５１および保持部５２の外径は、ウェハ３０の外径よりも若干小さくなっており、搬送ロボット６０を用いてウェハ３０を保持部５２の上面に載置するときに、搬送ロボット６０の把持部材７５に形成された爪部７６がステージ部材５１および保持部５２に当接しないようになっている（図８を参照）。

リング部材５５は、ステンレス等の金属材料を用いて、ステージ部材５１の外周部の形状に合わせた円環状に形成され、ネジ等の固定手段を用いてステージ部材５１の外周部に固設される。なお、リング部材５５の最上部の高さは、ステージ部材５１の上面の高さより低くなっており、搬送ロボット６０を用いてウェハ３０を保持部５２の上面に載置するときに、搬送ロボット６０の爪部７６がリング部材５５に当接しないようになっている（図８を参照）。図７および図８に示すように、リング部材５５の外周部上側には、円柱面を有するリングガイド部５６が形成されており、搬送ロボット６０の把持部材７５に形成された爪側ガイド部７７が摺接可能に構成されている。

ところで、搬送ロボット６０は、ウェハ３０をステージ部材５１の保持部５２に搬送するための搬送装置であり、図２および図３に示すように、ベース部６１と、ベース部６１の上部に配設された搬送アーム部６５と、搬送アーム部６５の先端に配設された把持部７０とを主体に構成される。搬送アーム部６５は、互いに図示しない連結機構を用いて枢結された複数のアーム部材６６，６７，６８から構成され、把持部７０に把持されたウェハ３０を上下左右方向に搬送できるようになっている。

把持部７０は、図４にも示すように、先端側に位置するアーム部材６８の先端部に配設されており、エアチャック７１と、エアチャック７１に連結された３つのフィンガー部材７２と、フィンガー部材７２の先端部にそれぞれ取り付けられた３つの把持部材７５と有して構成される。エアチャック７１は、いわゆるロータリ駆動形エアチャックであり、空気圧を利用してエアチャック７１に連結されたフィンガー部材７２および把持部材７５をウェハ３０に対して開閉移動させるようになっている。なお、このロータリ駆動形のエアチャック７１は、１つのロータリアクチュエータ（図示せず）を用いて３つのフィンガー部材７２および把持部材７５を開閉移動させるようになっており、把持部材７５（すなわち、把持部７０）に把持されたウェハ３０のセンタリング（心出し）が可能な構成となっている。

３つのフィンガー部材７２はそれぞれ、細長い板状に形成されるとともにその基端部がエアチャック７１に連結され、図３および図４に示すように、略水平面内（同一平面内）においてエアチャック７１を中心に１２０度間隔で（等間隔で）それぞれ配設されるようになっている。そして、３つのフィンガー部材７２はそれぞれ、エアチャック７１の開閉作動に応じてフィンガー部材７２の長手方向に（把持部材７５とともに）開閉移動するようになっている。

把持部材７５は、図５および図７に示すように、ポリエーテルエーテルケトン（ＰＥＥＫ）等の樹脂材料を用いてブロック形に形成され、ネジ等の固定手段を用いてフィンガー部材７２の先端部に取り付けられる。把持部材７５の下部には、ウェハ３０の外縁部下側に係止可能な爪部７６がエアチャック７１（把持部７０の内方）に向けて突出するように形成されており、エアチャック７１の作動により把持部材７５をウェハ３０に対して閉鎖移動させて爪部７６をウェハ３０の外縁部下側に係止させることで、３つの把持部材７５（把持部７０）によりウェハ３０を上方から把持できるようになっている。また、把持部材７５の下部には、爪側ガイド部７７が下方へ延びるように形成されており、リング部材５５におけるリングガイド部５６の外周部に摺接可能に構成されている。

このような構成のＣＭＰ装置１を用いてウェハ３０の研磨を行うには、まず、ウェハ保持装置５０におけるステージ部材５１の保持部５２の上面に研磨対象となるウェハ３０を吸着取り付けする。次に、電動モータＭ３により回転軸２８を駆動してウェハ保持装置５０およびウェハ３０を回転させる。続いて、電動モータＭ１，Ｍ２を駆動して第３移動ステージ２６をウェハ３０の上方に位置させ、電動モータＭ４によりスピンドル２９を駆動して研磨ヘッド４０を回転させる。次に、研磨ヘッド４０を上下動させるエアシリンダー（図示せず）を用いて研磨ヘッド４０を降下させ、研磨パッド４６の研磨面（下面）をウェハ３０の被研磨面３１（上面）に押し当てるようにする。

このとき、図示しないエア供給源から研磨ヘッド４０内に所定のエアを供給して、研磨ヘッド４０内のエア圧によりウェハ３０と研磨パッド４６との接触圧を所定の値に設定する。そして、電動モータＭ１，Ｍ２を駆動して研磨ヘッド４０をＸＹ方向（ウェハ３０と研磨パッド４６との接触面の面内方向）に揺動させる。このとき同時に、図示しない研磨剤供給装置より研磨剤を圧送し、研磨パッド４６の下面側に研磨剤を供給させる。これにより、ウェハ３０の被研磨面３１は、研磨剤の供給を受けつつウェハ３０自身の回転運動と研磨ヘッド４０の（すなわち研磨パッド４６の）回転及び揺動運動とにより研磨される。

ところで、ウェハ保持装置５０にウェハ３０を吸着取り付けするには、まず、搬送ロボット６０を用いてウェハ保持装置５０以外の場所にあるウェハ３０をステージ部材５１における保持部５２の上側近傍に搬送する。このとき、ウェハ３０は前述のようにして搬送ロボット６０の把持部７０を構成する３つの把持部材７５に把持された状態で搬送されており、搬送ロボット６０により（３つの把持部材７５に把持された）ウェハ３０が保持部５２の上側近傍に搬送されると、把持部材７５の爪側ガイド部７７がリング部材５５におけるリングガイド部５６の外周部に摺接する。

次に、図６に示すように、搬送ロボット６０によりウェハ３０を下方に移動させて保持部５２の上面に載置する。このとき、図７および図８に示すように、ウェハ３０がリングガイド部５６の外周部に摺接する爪側ガイド部７７に導かれるようにして保持部５２の上面に載置される。すなわち、リング部材５５のリングガイド部５６および把持部材７５の爪側ガイド部７７が、搬送ロボット６０により保持部５２の近傍に搬送されたウェハ３０を保持部５２へ導くためのガイド機構として機能する。

これにより、搬送ロボット６０に搬送されるウェハ３０が常にリングガイド部５６および爪側ガイド部７７に導かれて保持部５２の上面に載置されることから、保持部５２に載置されるウェハ３０の（保持部５２に対する）相対位置がより安定し、ウェハ３０の位置決め精度を向上させることができる。また、ウェハ３０がリング部材５５（リングガイド部５６）の外周部に摺接する爪側ガイド部７７に導かれるようにして保持部５２の上面に載置されるように構成されることで、保持部５２が設けられたステージ部材５１に爪側ガイド部７７が直接摺接することはないことから、リング部材５５が摩耗したとしてもステージ部材５１と別体に設けられたリング部材５５だけを交換すればよく、装置のメンテナンス性を向上させることができる。

なおこのとき、把持部材７５に把持されたウェハ３０はセンタリング（心出し）されているため、ウェハ３０の中心はウェハ保持装置５０、すなわちステージ部材５１の（回転）中心に一致するようになる。上述のようにしてステージ部材５１における保持部５２の上面にウェハ３０を載置した後、エアチャック７１の作動により把持部材７５をウェハ３０に対して開放移動させて把持部材７５の爪部７６をウェハ３０から離し（なおこのとき、把持部７０を僅かに下方へ移動させて爪部７６をウェハ３０の下方へ離しておく）、ステージ部材５１の保持部５２の上方に位置する把持部７０をＣＭＰ装置１の外部へ移動させる。そして、図示しない真空源を利用してステージ部材５１の吸着穴（図示せず）に負圧を作用させ、ウェハ３０の裏面を保持部５２（すなわち、ステージ部材５１）の上面に真空吸着させる。これにより、ウェハ３０がウェハ保持装置５０に吸着保持される。

この結果、本実施形態のＣＭＰ装置１によれば、ウェハ３０をウェハ保持装置５０（ステージ部材５１）の保持部５２へ導くガイド機構として、ウェハ保持装置５０にリング部材５５が設けられるとともに、搬送ロボット６０の把持部材７５に爪側ガイド部７７が設けられているため、搬送ロボット６０に搬送されるウェハ３０が常にリングガイド部５６および爪側ガイド部７７に導かれて保持部５２の上面に載置されることから、保持部５２に載置されるウェハ３０の（保持部５２に対する）相対位置がより安定し、ウェハ３０の位置決め精度を向上させることができる。

また、ウェハ３０がリング部材５５（リングガイド部５６）の外周部に摺接する爪側ガイド部７７に導かれるようにして保持部５２の上面に載置されるように構成されることで、保持部５２が設けられたステージ部材５１に爪側ガイド部７７が直接摺接することはないことから、リング部材５５が摩耗したとしてもステージ部材５１と別体に設けられたリング部材５５だけを交換すればよく、装置のメンテナンス性を向上させることができる。

なお、上述の実施形態において、ウェハ３０をウェハ保持装置５０（ステージ部材５１）の保持部５２へ導くガイド機構として、ウェハ保持装置５０にリング部材５５が設けられるとともに、搬送ロボット６０の把持部材７５に爪側ガイド部７７が設けられているが、これに限られるものではない。例えば、図９に示すように、ガイド機構として把持部材１７５の下部にステージ部材１５１の外周部に摺接可能な爪側ガイド部１７７を形成するようにしてもよい。

なお、把持部材１７５は、上述の実施形態と同様に、搬送ロボット１６０の把持部１７０に構成されるフィンガー部材１７２の先端部にそれぞれ取り付けられる。また同様に、把持部材１７５の下部にはウェハ３０の外縁部下側に係止可能な爪部１７６が形成され、爪部１７６をウェハ３０の外縁部下側に係止させることで、３つの把持部材１７５（把持部１７０）によりウェハ３０を上方から把持できるようになっている。爪側ガイド部１７７は、爪部１７６の下側から斜め下方へ延びるように形成されており、ウェハ搬送装置１５０に構成されるステージ部材１５１の外周部上端に摺接可能に構成されている。

そして、搬送ロボット１６０により３つの把持部材１７５に把持されたウェハ３０がステージ部材１５１の上部に設けられた保持部１５２の上側近傍に搬送されると爪側ガイド部１７７がステージ部材１５１の外周部上端に摺接し、ウェハ３０がステージ部材１５１の外周部上端に摺接する爪側ガイド部１７７に導かれるようにして保持部１５２に載置されるようになっている。このようにすれば、ガイド機構の部品点数をより少なくすることができる。また、上述に限らず、ウェハ保持装置（ステージ部材）の方にガイド機構を設けるようにしてもよい。

さらに、上述の実施形態において、把持部７０が３つの把持部材７５（およびフィンガー部材７２）を有して構成されているが、これに限られるものではなく、例えば、把持部材が２つでも５つでもよく、複数の把持部材を有して構成されていればよい。なおこのとき、各把持部材は等間隔に設けられることが好ましい。

続いて、本発明に係る半導体デバイスの製造方法の実施例について説明する。図１０は半導体デバイスの製造プロセスを示すフローチャートである。半導体製造プロセスをスタートすると、まずステップＳ２００で次に挙げるステップＳ２０１〜Ｓ２０４の中から適切な処理工程を選択し、いずれかのステップに進む。

ここで、ステップＳ２０１はウェハの表面を酸化させる酸化工程である。ステップＳ２０２はＣＶＤ等によりウェハ表面に絶縁膜や誘電体膜を形成するＣＶＤ工程である。ステップＳ２０３はウェハに電極を蒸着等により形成する電極形成工程である。ステップＳ２０４はウェハにイオンを打ち込むイオン打ち込み工程である。

ＣＶＤ工程（Ｓ２０２）もしくは電極形成工程（Ｓ２０３）の後で、ステップＳ２０５に進む。ステップＳ２０５はＣＭＰ工程である。ＣＭＰ工程では本発明による研磨装置により、層間絶縁膜の平坦化や半導体デバイス表面の金属膜の研磨、誘電体膜の研磨等が行われ、ダマシン（damascene）プロセスが適用されることもある。

ＣＭＰ工程（Ｓ２０５）もしくは酸化工程（Ｓ２０１）の後でステップＳ２０６に進む。ステップＳ２０６はフォトリソグラフィ工程である。この工程ではウェハへのレジストの塗布、露光装置を用いた露光によるウェハへの回路パターンの焼き付け、露光したウェハの現像が行われる。さらに、次のステップＳ２０７は現像したレジスト像以外の部分をエッチングにより削り、その後レジスト剥離が行われ、エッチングが済んで不要となったレジストを取り除くエッチング工程である。

次に、ステップＳ２０８で必要な全工程が完了したかを判断し、完了していなければステップＳ２００に戻り、先のステップを繰り返してウェハ上に回路パターンが形成される。ステップＳ２０８で全工程が完了したと判断されればエンドとなる。

本発明による半導体デバイス製造方法では、ＣＭＰ工程において本発明にかかる研磨装置を用いているため、ウェハの位置決め精度が向上することから、ウェハの加工精度が向上して歩留まりも向上する。これにより、従来の半導体デバイス製造方法に比べて低コストで半導体デバイスを製造することができるという効果がある。なお、上記半導体デバイス製造プロセス以外の半導体デバイス製造プロセスのＣＭＰ工程に本発明による研磨装置を用いても良い。また、本発明による半導体デバイス製造方法により製造された半導体デバイスは、歩留まりが高く低コストの半導体デバイスとなる。

本発明に係る研磨装置の一例であるＣＭＰ装置を示す正面図である。 搬送ロボットの正面図である。 搬送ロボットの平面図である。 搬送ロボットの把持部を示す斜視図である。 搬送ロボットの把持部材を示す斜視図である。 搬送ロボットによりウェハ保持装置の保持部にウェハが載置された状態を示す正面図である。 搬送ロボットによりウェハ保持装置の保持部にウェハが載置された状態を示す部分拡大図である。 リング部材および把持部材を示す部分拡大図である。 ＣＭＰ装置の変形例を示す部分断面図である。 本発明に係る半導体デバイスの製造プロセスを示すフローチャートである。

符号の説明

１ ＣＭＰ装置（研磨装置）
３０ ウェハ（研磨対象物）
４０ 研磨ヘッド
４５ 研磨部材 ４６ 研磨パッド
５０ ウェハ保持装置（対象物保持装置）
５１ ステージ部材 ５２ 保持部
５５ リング部材 ５６ リングガイド部
６０ 搬送ロボット（搬送装置）
７０ 把持部 ７５ 把持部材
７６ 爪部 ７７ 爪側ガイド部
１５０ ウェハ保持装置（変形例）
１５１ ステージ部材（変形例） １５２ 保持部（変形例）
１６０ 搬送ロボット（変形例）
１７０ 把持部（変形例） １７５ 把持部材（変形例）
１７６ 爪部（変形例） １７７ 爪側ガイド部（変形例）

Claims (5)

1. 研磨対象物を所定の保持部において保持する対象物保持装置と、研磨部材を保持する研磨ヘッドとを備え、搬送装置を用いて前記研磨対象物を前記保持部に搬送するとともに、前記保持部に搬送された前記研磨対象物を前記対象物保持装置により保持し、前記研磨対象物に前記研磨部材を当接させながら相対移動させて前記研磨対象物の研磨を行うように構成された研磨装置において、
   少なくとも前記対象物保持装置または前記搬送装置の一方に、前記搬送装置により前記保持部の近傍に搬送された前記研磨対象物を前記保持部へ導くガイド機構が設けられていることを特徴とする研磨装置。
2. 前記搬送装置は、前記研磨対象物の外縁部下側に係止して前記研磨対象物を上方から把持可能な複数の把持部材を有して構成され、
   前記対象物保持装置は、前記研磨対象物を載置可能な前記保持部が上部に設けられたステージ部材を有して構成され、
   前記搬送装置により前記研磨対象物が前記複数の把持部材に把持された状態で搬送されて前記ステージ部材の前記保持部に載置されるように構成されており、
   前記ガイド機構は、前記把持部材の下部に設けられて前記ステージ部材の外周部に摺接可能なガイド部からなり、
   前記搬送装置により前記複数の把持部材に把持された前記研磨対象物が前記保持部の上側近傍に搬送されると前記ガイド部が前記ステージ部材の外周部に摺接し、前記研磨対象物が前記ステージ部材の外周部に摺接する前記ガイド部に導かれるようにして前記保持部に載置されるように構成されることを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
3. 前記搬送装置は、前記研磨対象物の外縁部下側に係止して前記研磨対象物を上方から把持可能な複数の把持部材を有して構成され、
   前記対象物保持装置は、前記研磨対象物を載置可能な前記保持部が上部に設けられたステージ部材を有して構成され、
   前記搬送装置により前記研磨対象物が前記複数の把持部材に把持された状態で搬送されて前記ステージ部材の前記保持部に載置されるように構成されており、
   前記ガイド機構は、前記ステージ部材の外周部に固設されたリング部材と、前記把持部材の下部に設けられて前記リング部材の外周部に摺接可能なガイド部とからなり、
   前記搬送装置により前記複数の把持部材に把持された前記研磨対象物が前記保持部の上側近傍に搬送されると前記ガイド部が前記リング部材の外周部に摺接し、前記研磨対象物が前記リング部材の外周部に摺接する前記ガイド部に導かれるようにして前記保持部に載置されるように構成されることを特徴とする請求項１に記載の研磨装置。
4. 前記研磨対象物は半導体ウェハであり、
   請求項１から請求項３のうちいずれか一項に記載の研磨装置を用いて前記半導体ウェハの表面を平坦化する工程を有することを特徴とする半導体デバイス製造方法。
5. 請求項４に記載の半導体デバイス製造方法により製造されたことを特徴とする半導体デバイス。

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