TWI798577B - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明之目的在於提供一種可恰當地處理基板之基板處理裝置。 基板處理裝置1具備處理單元14與控制部18。處理單元14對基板W進行處理。控制部18控制處理單元14。處理單元14具備板32、旋轉驅動部45、固定銷33、氣體吹出口34、吹出調整部40、處理液供給部51及流量調整部57。控制部18根據支持於固定銷33之基板W之形狀、板32之旋轉速度RS、及處理液供給部51對支持於固定銷33之基板W供給之處理液之流量FR之至少任一者而改變氣體吹出口34吹出之氣體之流量。

Description

基板處理裝置

本發明係關於一種對基板進行處理之基板處理裝置。基板例如係半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機電致發光(EL，Electroluminescence)用基板、平板顯示器(FPD，Flat Panel Display)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板或太陽能電池用基板。

日本專利特開2015-65226號公報揭示一種基板處理裝置。以下，以括號記述日本專利特開2015-65226號公報記載之符號。基板處理裝置具備載置基板(100)之旋轉台(10)。旋轉台(10)具備上表面部(13)與夾盤部(14)。上表面部(13)與夾盤部(14)係與基板(100)之下表面之整體對向。具體而言，上表面部(13)與基板(100)之下表面之外周部相對。夾盤部(14)與基板(100)之下表面之中央部相對。

旋轉台(10)具備數個支持銷(25)。各支持銷(25)設置於上表面部(13)。各支持銷(25)支持基板之外周部。

旋轉台(10)具備氣體噴出口(15)與氣體噴出口(16)。氣體噴出口(15)設置於夾盤部(14)。氣體噴出口(15)向基板(100)之下表面之中央部噴出氣體。氣體噴出口(16)設置於上表面部(13)。氣體噴出口(16)向基板(100)之下表面之外周部噴出氣體。

基板處理裝置進而具備中空馬達(40)與噴嘴(98)。中空馬達(40)使旋轉台(10)旋轉。噴嘴(98)對載置於旋轉台(10)之基板(100)供給處理液。

對基板(100)進行處理時，氣體噴出口(15)及氣體噴出口(16)分別噴出氣體，中空馬達(40)使旋轉台(10)旋轉，噴嘴(98)供給處理液。藉由氣體噴出口(15)噴出之氣體，支持於支持銷(25)之基板(100)保持固定之姿勢。藉由氣體噴出口(16)噴出之氣體，支持銷(25)藉由伯努利效應支持基板(100)。藉由旋轉台(10)之旋轉，支持於支持銷(25)之基板(100)旋轉。處理液自噴嘴(98)供給至旋轉之基板(100)。

(發明所欲解決之問題)

近年來，基板薄型化且大口徑化。若基板之厚度較薄且基板之直徑變大，則基板之撓曲量明顯變大。因此，習知之基板處理裝置有時難以恰當地處理基板。

本發明係鑒於此種情況而完成者，其目的在於提供一種可恰當地處理基板之基板處理裝置。 (解決問題之技術手段)

本發明為了達成此種目的而採取如下構成。即，本發明係一種基板處理裝置，其具備： 處理單元，其對基板進行處理；及 控制部，其控制上述處理單元； 上述處理單元具備： 板，其具有上表面； 旋轉驅動部，其使上述板旋轉； 支持部，其自上述板之上述上表面向上方突出，與基板之下表面及基板之端緣之至少任一者接觸，於較上述板之上述上表面高之位置支持基板； 氣體吹出口，其形成於上述板之上述上表面，向上方吹出氣體； 吹出調整部，其調整上述氣體吹出口吹出之氣體之流量； 處理液供給部，其對支持於上述支持部之基板供給處理液；及 流量調整部，其調整上述處理液供給部對基板供給之處理液之流量；且 上述控制部根據支持於上述支持部之基板之形狀、上述板之旋轉速度、及上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的流量之至少任一者而改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量。

支持部於較板之上表面高之位置支持基板。氣體吹出口自板之上表面向上方吹出氣體。即，氣體吹出口向板之上表面與支持於支持部之基板之下表面之間吹出氣體。藉此，支持部上之基板向下方被吸引。因此，可較佳地保持支持部上之基板。吹出調整部調整氣體吹出口吹出之氣體之流量。藉此，可較佳地調整作用於基板之吸引力。旋轉驅動部使板旋轉。藉此，可使支持於支持部之基板較佳地旋轉。流量調整部調整處理液供給部對基板供給之處理液之流量。藉此，可較佳地調整處理液供給部對支持於支持部之基板供給之處理液的流量。

此處，支持於支持部之基板之形狀係對支持於支持部之基板之撓曲量造成影響之事項。板之旋轉速度亦係對支持於支持部之基板之撓曲量造成影響之事項。處理液供給部對支持於支持部之基板供給之處理液的流量亦係對支持於支持部之基板之撓曲量造成影響之事項。控制部根據上述之對基板之撓曲量造成影響之3個事項之至少1個而改變氣體吹出口吹出之氣體之流量。因此，可恰當地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。即，能夠以恰當之吸引力保持支持於支持部之基板。藉此，可較佳地抑制支持於支持部之基板之撓曲量。因此，處理單元可恰當地處理基板。

如上所述，本基板處理裝置可恰當地處理基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述氣體吹出口包含： 第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及 第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且 上述控制部根據支持於上述支持部之基板之形狀、上述板之上述旋轉速度、及上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量之至少任一者，而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體的流量之至少任一者。據此，可精細地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。即，能夠以更恰當之吸引力保持支持於支持部之基板。因此，可更佳地抑制支持於支持部之基板之撓曲量。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述吹出調整部具備： 第1吹出調整部，其調整上述第1吹出口吹出之氣體之上述流量；及 第2吹出調整部，其調整上述第2吹出口吹出之氣體之上述流量。 據此，吹出調整部可個別地調整第1吹出口吹出之氣體之流量、及第2吹出口吹出之氣體之流量。因此，控制部可個別地改變第1吹出口吹出之氣體之流量、及第2吹出口吹出之氣體之流量。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述氣體吹出口包含第3吹出口，上述第3吹出口配置於相較上述第1吹出口更靠外側，且相較上述第2吹出口更靠內側，且 上述控制部根據支持於上述支持部之基板之形狀、上述板之上述旋轉速度、及上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量之至少任一者，而改變上述第3吹出口吹出之氣體之流量。 據此，可更精細地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。即，能夠以更恰當之吸引力保持支持於支持部之基板。藉此，可更佳地抑制支持於支持部之基板之撓曲量。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述吹出調整部具備第3吹出調整部，上述第3吹出調整部調整上述第3吹出口吹出之氣體之上述流量。 據此，吹出調整部可個別地調整第1吹出口吹出之氣體之流量、第2吹出口吹出之氣體之流量、及第3吹出口吹出之氣體之流量。因此，控制部可個別地改變第1吹出口吹出之氣體之流量、第2吹出口吹出之氣體之流量、及第3吹出口吹出之氣體之流量。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述控制部根據位於基板之周緣部內側之基板之主部厚度而改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量。 具體而言，較佳為控制部根據支持於支持部之基板之主部的厚度而改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量。 基板之主部之厚度係對支持於支持部之基板之撓曲量造成影響之事項。控制部根據基板之主部之厚度而改變氣體吹出口吹出之氣體之流量。因此，可恰當地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。藉此，可較佳地抑制支持於支持部之基板之撓曲量。

於上述基板處理裝置中較佳為， 基板之上述主部之上述厚度越大，則上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量越大。 具體而言，較佳為支持於支持部之基板之主部的厚度越大，則氣體吹出口吹出之氣體之流量越大。 當基板之主部之厚度相對較大時，基板具有相對較高之剛性，且基板相對較重。當基板之主部之厚度相對較大時，氣體吹出口吹出之氣體之流量相對較大。因此，當氣體吹出口吹出之氣體之流量相對較大時，作用於基板之吸引力相對較大。因此，當基板之主部之厚度相對較大時，能夠以恰當之吸引力保持基板。當基板之主部之厚度相對較小時，基板具有相對較低之剛性，且基板相對較輕。當基板之主部之厚度相對較小時，氣體吹出口吹出之氣體之流量相對較小。因此，當氣體吹出口吹出之氣體之流量相對較小時，作用於基板之吸引力相對較小。因此，當基板之主部之厚度相對較小時，亦能夠以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 隨著基板之上述主部之上述厚度變大，而上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量變大。 具體而言，較佳為隨著支持於支持部之基板之主部的上述厚度變大，而氣體吹出口吹出之氣體之流量變大。 可無關於基板之主部之厚度而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述氣體吹出口包含： 第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及 第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且 上述控制部根據基板之上述主部之上述厚度而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體之流量之至少任一者。 具體而言，較佳為控制部根據支持於支持部之基板之主部的厚度而改變第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體的流量之至少任一者。 據此，可精細地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。因此，可更佳地抑制支持於支持部之基板之撓曲量。

於上述基板處理裝置中較佳為， 基板之上述主部之厚度越大，則上述第1吹出口吹出之氣體之流量越大。 可無關於基板之主部之厚度而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 隨著基板之上述主部之厚度變大，而上述第1吹出口吹出之氣體之流量變大。 可無關於基板之主部之厚度而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 基板之上述主部之厚度越大，則上述第2吹出口吹出之氣體之流量越大。 可無關於基板之主部之厚度而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 隨著基板之上述主部之厚度變大，而上述第2吹出口吹出之氣體之流量變大。 可無關於基板之主部之厚度而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述控制部係根據支持於上述支持部之基板是否具有藉由位於基板之周緣部內側之基板之主部相較基板之上述周緣部凹陷而形成於上述基板之上表面的上凹部，改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量。 於支持於支持部之基板具有上凹部之情形時，處理液容易停留於上凹部。於支持於支持部之基板具有上凹部之情形時，處理液容易停留於上凹部。於支持於支持部之基板不具有上凹部之情形時，基板之上表面大致平坦。因此，於支持於支持部之基板不具有上凹部之情形時，處理液不易停留於基板之上表面。因此，於支持於支持部之基板具有上凹部之情形時，與支持於支持部之基板不具有上凹部之情形相比，載於基板上之處理液之量更多。因此，於支持於支持部之基板具有上凹部之情形時，與支持於支持部之基板不具有上凹部之情形相比，作用於基板之處理液之重量更重。因此，支持於支持部之基板是否具有上凹部係對支持於支持部之基板之撓曲量造成影響之事項。控制部根據支持於支持部之基板是否具有上凹部而改變氣體吹出口吹出之氣體之流量。因此，可恰當地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。藉此，可較佳地抑制支持於支持部之基板之撓曲量。因此，處理單元可恰當地處理基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 支持於上述支持部之基板具有上述上凹部時上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量係較支持於上述支持部之基板不具有上述上凹部時上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量大。 據此，於支持於支持部之基板具有上凹部時及支持於支持部之基板不具有上凹部時，均能夠以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述氣體吹出口包含： 第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及 第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且 上述控制部根據支持於上述支持部之基板是否具有上述上凹部，而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體的流量之至少任一者。 據此，可精細地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。因此，可更佳地抑制支持於支持部之基板之撓曲量。

於上述基板處理裝置中較佳為， 支持於上述支持部之基板具有上述上凹部時上述第1吹出口吹出之氣體之流量較支持於上述支持部之基板不具有上述上凹部時上述第1吹出口吹出之氣體之流量大。 無論支持於支持部之基板是否具有上凹部，均能夠以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 支持於上述支持部之基板具有上述上凹部時上述第2吹出口吹出之氣體之流量較支持於上述支持部之基板不具有上述上凹部時上述第2吹出口吹出之氣體之流量大。 無論支持於支持部之基板是否具有上凹部，均能夠以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述板之上述旋轉速度越大，則上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量越大。 可無關於板之旋轉速度而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 隨著上述板之上述旋轉速度變大，而上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量變大。 可無關於板之旋轉速度而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述氣體吹出口包含： 第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及 第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且 上述控制部根據上述板之上述旋轉速度，而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體的流量之至少任一者。 據此，可精細地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。因此，可更佳地抑制支持於支持部之基板之撓曲量。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述板之上述旋轉速度越大，則上述第1吹出口吹出之氣體之流量越大。 可無關於板之旋轉速度而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 隨著上述板之上述旋轉速度變大，而上述第1吹出口吹出之氣體之流量變大。 可無關於板之旋轉速度而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述板之上述旋轉速度越大，則上述第2吹出口吹出之氣體之流量越大。 可無關於板之旋轉速度而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 隨著上述板之上述旋轉速度變大，而上述第2吹出口吹出之氣體之流量變大。 可無關於板之旋轉速度而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量越大，則上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量越大。 可無關於上述處理液供給部對支持於支持部之基板供給之處理液的流量而較佳地保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 隨著上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量變大，而上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量變大。 可無關於處理液供給部對支持於支持部之基板供給之處理液之流量而較佳地保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述氣體吹出口包含： 第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及 第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且 上述控制部根據上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量，而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體的流量之至少任一者。 據此，可精細地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。因此，可更佳地抑制支持於支持部之基板之撓曲量。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量越大，則上述第1吹出口吹出之氣體之流量越大。 可無關於處理液供給部對支持於支持部之基板供給之處理液的流量而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 隨著上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量變大，而上述第1吹出口吹出之氣體之流量變大。 可無關於處理液供給部對支持於支持部之基板供給之處理液的流量而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量越大，則上述第2吹出口吹出之氣體之流量越大。 可無關於處理液供給部對支持於支持部之基板供給之處理液的流量而以恰當之吸引力保持基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 隨著上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量變大，而上述第2吹出口吹出之氣體之流量變大。 可無關於處理液供給部對支持於支持部之基板供給之處理液的流量而以恰當之吸引力保持基板。

本發明係一種基板處理裝置，其具備： 處理單元，其對基板進行處理； 控制部，其控制上述處理單元；及 輸入部，其可輸入與基板之形狀相關之基板形狀資訊、及上述處理單元之處理條件資訊之至少任一者； 上述處理單元具備： 板，其具有上表面； 旋轉驅動部，其使上述板旋轉； 支持部，其自上述板之上述上表面向上方突出，與基板之下表面及基板之端緣之至少任一者接觸，於較上述板之上述上表面高之位置支持基板； 氣體吹出口，其形成於上述板之上述上表面，向上方吹出氣體； 吹出調整部，其調整上述氣體吹出口吹出之氣體之流量； 處理液供給部，其對支持於上述支持部之基板供給處理液；及 流量調整部，其調整上述處理液供給部對基板供給之處理液之流量；且 上述控制部根據輸入至上述輸入部之上述基板形狀資訊、及輸入至上述輸入部之上述處理條件資訊之至少任一者，而改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量。

基板之形狀係對支持於支持部之基板之撓曲量造成影響之事項。處理單元之處理條件亦係對基板之撓曲量造成影響之事項。基板處理裝置具備可輸入與基板之形狀相關之基板形狀資訊、及處理單元之處理條件資訊之至少任一者之輸入部。控制部根據輸入至輸入部之基板形狀資訊、及輸入至輸入部之處理條件資訊之至少任一者而改變氣體吹出口吹出之氣體之流量。因此，可恰當地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。即，能夠以恰當之吸引力保持支持於支持部之基板。藉此，可較佳地抑制支持於支持部之基板之撓曲量。因此，處理單元可恰當地處理基板。

如上所述，本基板處理裝置可恰當地處理基板。

於上述基板處理裝置中較佳為， 輸入至上述輸入部之上述基板形狀資訊包含如下資訊之至少任一者： 與位於基板之周緣部之內側之基板之主部之厚度相關之資訊；及 與支持於上述支持部之基板是否具有藉由基板之上述主部相較基板之上述周緣部凹陷而形成於上述基板之上表面之上凹部相關的資訊。 基板之主部之厚度係對支持於支持部之基板之撓曲量造成影響之事項。因此，於基板形狀資訊包含與基板之主部之厚度相關之資訊之情形時，可恰當地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。支持於支持部之基板是否具有上凹部亦係對基板之撓曲量造成影響之事項。因此，於基板形狀資訊包含與支持於支持部之基板是否具有上凹部相關之資訊的情形時，亦可恰當地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。

再者，具體而言，與基板之主部之厚度相關之資訊係與支持於支持部之基板之主部之厚度相關之資訊。換言之，與支持於支持部之基板是否具有上凹部相關之資訊係與基板支持於支持部時基板是否具有上凹部相關之資訊。

於上述基板處理裝置中較佳為， 輸入至上述輸入部之上述處理條件資訊包含如下命令之至少任一者： 與上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量相關之命令； 與上述板之旋轉速度相關之命令；及 與上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的流量相關的命令。 於處理條件資訊包含與氣體吹出口吹出之氣體的流量相關之命令之情形時，控制部可簡單地調整氣體吹出口吹出之氣體之流量。板之旋轉速度係對支持於支持部之基板之撓曲量造成影響之事項。因此，於處理條件資訊包含與板的旋轉速度相關之命令之情形時，可恰當地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。處理液供給部對支持於支持部之基板供給之處理液的流量亦係對支持於支持部之基板之撓曲量造成影響之事項。因此，於處理條件資訊包含與處理液供給部對支持於支持部之基板供給之處理液的流量相關之命令的情形時，亦可恰當地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述氣體吹出口包含： 第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及 第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且 上述控制部根據輸入至上述輸入部之上述基板形狀資訊、及輸入至上述輸入部之上述處理條件資訊之至少任一者，而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體的流量之至少任一者。 據此，可精細地調整作用於支持於支持部之基板之吸引力。因此，可更佳地抑制支持於支持部之基板之撓曲量。

於上述基板處理裝置中較佳為， 輸入至上述輸入部之上述處理條件資訊包含第1命令及第2命令之至少任一者， 上述第1命令與上述第1吹出口吹出之氣體之上述流量相關， 上述第2命令與上述第2吹出口吹出之氣體之上述流量相關。 於處理條件資訊包含第1命令之情形時，控制部可簡單地調整第1吹出口吹出之氣體之流量。於處理條件資訊包含第2命令之情形時，控制部可簡單地調整第2吹出口吹出之氣體之流量。

於上述基板處理裝置中較佳為， 上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板之上表面供給處理液。 處理單元可對基板之上表面較佳地進行處理。

[第1實施形態] ＜基板處理裝置之概要＞ 圖1係第1實施形態之基板處理裝置之俯視圖。基板處理裝置1對基板W進行處理。

基板W例如係半導體晶圓、液晶顯示器用基板、有機電致發光(EL，Electroluminescence)用基板、平板顯示器(FPD，Flat Panel Display)用基板、光顯示器用基板、磁碟用基板、光碟用基板、磁光碟用基板、光罩用基板或太陽能電池用基板。

基板處理裝置1具備傳載部2。傳載部2具備數個(例如4個)載具載置部3。各載具載置部3分別載置1個載具C。載具C收容數片基板W。載具C例如為前開式晶圓傳送盒(FOUP，front opening unified pod)。

載具C具有條碼(未圖示)。條碼例如係用以識別載具C之識別碼。條碼例如係用以識別載具C內之基板W之識別碼。條碼例如附加於載具C之外表面。

傳載部2具備條碼讀取器4。條碼讀取器4讀取附加於載具載置部3中載置之載具C之條碼。條碼讀取器4例如安裝於載具載置部3。

傳載部2具備搬送機構5。搬送機構5可對載置於各載具載置部3之載具C進行存取。搬送機構5將基板W搬送至載置於載具載置部3之載具C。搬送機構5具備手部5a與手部驅動部5b。手部5a將1片基板W以水平姿勢支持。手部驅動部5b連結於手部5a。手部驅動部5b使手部5a移動。例如，手部驅動部5b使手部5a沿水平方向平行移動。例如，手部驅動部5b使手部5a沿鉛垂方向平行移動。例如，手部驅動部5b使手部5a繞旋轉軸線旋轉移動。手部5a之旋轉軸線例如與鉛垂方向平行。

傳載部2具備存在與否檢測部6。存在與否檢測部6檢測手部5a是否支持有基板W。即，存在與否檢測部6檢測搬送機構5是否正搬送基板W。存在與否檢測部6例如安裝於手部5a。

基板處理裝置1具備處理區塊11。處理區塊11連接於傳載部2。

處理區塊11具備載置部12。載置部12載置數片基板W。

處理區塊11具備形狀檢測部13。形狀檢測部13檢測載置於載置部12之基板W之形狀。形狀檢測部13例如係拍攝基板W之影像感測器。影像感測器例如係一維影像感測器或二維影像感測器。形狀檢測部13例如安裝於載置部12。

處理區塊11具備數個處理單元14。各處理單元14對1片基板W進行處理。

處理區塊11具備搬送機構15。搬送機構15可對載置部12與所有處理單元14進行存取。搬送機構15將基板W搬送至載置部12與處理單元14。搬送機構15具備手部15a與手部驅動部15b。手部15a將1片基板W以水平姿勢支持。手部驅動部15b連結於手部15a。手部驅動部15b使手部15a移動。例如，手部驅動部15b使手部15a沿水平方向平行移動。例如，手部驅動部15b使手部15a沿鉛垂方向平行移動。例如，手部驅動部15b使手部15a繞旋轉軸線旋轉移動。手部15a之旋轉軸線例如與鉛垂方向平行。

處理區塊11具備存在與否檢測部16。存在與否檢測部16檢測手部15a是否支持有基板W。即，存在與否檢測部16檢測搬送機構15是否正搬送基板W。存在與否檢測部16例如安裝於手部15a。

載置部12配置於搬送機構5與搬送機構15之間。搬送機構5亦可對載置部12進行存取。搬送機構5將基板W搬送至載置部12。載置部12供載置在搬送機構5與搬送機構15之間搬送之基板W。

基板處理裝置1具備輸入部17。使用者可向輸入部17輸入資訊。輸入部17例如設置於傳載部2。輸入部17例如安裝於傳載部2之外表面。

基板處理裝置1具備控制部18。控制部18例如設置於傳載部2。

圖2係基板處理裝置1之控制區塊圖。控制部18獲取條碼讀取器4、存在與否檢測部6、16及形狀檢測部13之檢測結果。控制部18獲取輸入至輸入部17之資訊。控制部18控制搬送機構5、15與處理單元14。具體而言，控制部18控制搬送機構5之手部驅動部5b與搬送機構15之手部驅動部15b。

控制部18與條碼讀取器4、搬送機構5、15、存在與否檢測部6、16、形狀檢測部13、處理單元14及輸入部17可進行通信地連接。

控制部18藉由執行各種處理之中央運算處理裝置(中央處理單元(CPU，Central Processing Unit))、成為運算處理之作業區域之隨機存取記憶體(RAM，Random-Access Memory)、硬碟等記憶媒體等而實現。記憶媒體預先儲存各種資訊。記憶媒體例如記憶與搬送機構5、15之動作條件相關之資訊。記憶媒體例如記憶用以處理基板W之處理配方(處理程式)。處理配方規定處理單元14之處理條件。記憶媒體例如記憶用以識別各基板W之資訊。

對基板處理裝置1之動作例進行說明。搬送機構5自載具載置部3上之載具C將基板W搬送至載置部12。搬送機構15自載置部12將基板W搬送至處理單元14。處理單元14對基板W進行處理。搬送機構15自處理單元14將基板W搬送至載置部12。搬送機構5自載置部12將基板W搬送至載具載置部3上之載具C。

＜基板W之形狀＞ 圖3係基板W之俯視圖。對基板W之基本形狀進行說明。基板W具有較薄之平板形狀。基板W於俯視下具有大致圓形狀。基板W具有周緣部22與主部23。主部23係位於周緣部22之內側之基板W之部分。半導體器件形成於主部23。方便起見，圖3中以虛線表示周緣部22與主部23之邊界。

基板處理裝置1可對不同形狀之基板W進行處理。以下，例示形狀不同之3種基板W。方便起見，將形狀不同之3種基板W分別稱為A型基板WA、B型基板WB、C型基板WC。

圖4A係A型基板WA之剖面圖。A型基板WA係包含藉由主部23相較周緣部22凹陷而形成之凹部24且不包含玻璃製之保護板的基板W。凹部24例如藉由研削處理(研磨處理)而形成。A型基板WA亦可僅由基板本體21構成。或者，A型基板WA亦可除了包含基板本體21以外，還包含樹脂覆膜、樹脂帶、樹脂片及樹脂薄膜之至少任一者。

圖4B係B型基板WB之剖面圖。B型基板WB係包含凹部24且包含玻璃製之保護板25的基板W。具體而言，B型基板WB包含基板本體21與保護板25。保護板25例如貼附於基板本體21。B型基板WB亦可進而包含樹脂覆膜、樹脂帶、樹脂片及樹脂薄膜之至少任一者。

圖4C係C型基板WC之剖面圖。C型基板WC係不包含凹部24之基板W。C型基板WC亦可僅由基板本體21構成。或者，C型基板WC亦可除了包含基板本體21以外，還包含樹脂覆膜、樹脂帶、樹脂片、樹脂薄膜及保護板25之至少任一者。

A型基板WA之主部23較B型基板WB之主部23薄。A型基板WA之主部23較C型基板WC之主部23薄。A型基板WA之剛性較B型基板WB及C型基板WC低。A型基板WA相較B型基板WB及C型基板WC更容易撓曲。

具體而言，A型基板WA之主部23具有厚度TA1。B型基板WB之主部23具有厚度TB1。C型基板WC之主部23具有厚度TC1。厚度TA1小於厚度TB1。厚度TA1小於厚度TC1。厚度TA1例如為10[μm]以上且200[μm]以下。厚度TB1例如為800[μm]以上且1200[μm]以下。厚度TC1例如為600[μm]以上且1000[μm]以下。

A型基板WA之周緣部22具有厚度TA2。B型基板WB之周緣部22具有厚度TB2。C型基板WC之周緣部22具有厚度TC2。厚度TA2小於厚度TB2。厚度TA2例如與厚度TC2相同。厚度TA2例如為600[μm]以上且1000[μm]以下。厚度TB2例如為1400[μm]以上且2200[μm]以下。厚度TC2例如為600[μm]以上且1000[μm]以下。

A型基板WA係本發明中之薄基板之例。B型基板WB及C型基板WC係本發明中之厚基板之例。以下，將A型基板WA適當稱為「薄基板Wp」。將B型基板WB及C型基板WC適當稱為「厚基板Wq」。

＜處理單元14之構成＞ 參照圖1。處理單元14具備基板保持部31與防護罩61。基板保持部31保持1片基板W。基板保持部31將基板W以水平姿勢保持。防護罩61係以包圍基板保持部31之側方之方式配置。

圖5係示意性地表示處理單元14之構成之圖。圖5省略防護罩61之圖示。處理單元14進而具備旋轉驅動部45與處理液供給部51。旋轉驅動部45使基板保持部31旋轉。處理液供給部51對保持於基板保持部31之基板W供給處理液。防護罩61承接自基板W飛散之處理液。

基板保持部31具備板32。板32具有大致圓盤形狀。板32具有上表面32a。上表面32a為大致水平。上表面32a為大致平坦。

旋轉驅動部45連結於板32之下部。旋轉驅動部45使板32繞旋轉軸線A旋轉。旋轉軸線A與鉛垂方向平行。旋轉驅動部45經過板32之中心。更具體而言，旋轉驅動部45具備旋轉軸46。旋轉軸46沿鉛垂方向延伸。旋轉軸46配置於旋轉軸線A上。旋轉軸46連接於板32之下部。旋轉驅動部45進而具備未圖示之馬達。馬達連結於旋轉軸46。馬達使旋轉軸46繞旋轉軸線A旋轉。

旋轉驅動部45進而可改變基板保持部31(板32)之旋轉速度。

圖6係板32之俯視圖。板32之上表面32a於俯視下呈圓形。板32之上表面32a於俯視下大於基板W。

基板保持部31具備數個(例如30個)固定銷33。固定銷33支持基板W。各固定銷33固定於板32。各固定銷33無法相對於板32移動。各固定銷33無法相對於板32旋轉。各固定銷33不具有可相對於板32移動之可動部。

固定銷33配置於板32之上表面32a。固定銷33配置於板32之上表面32a之周緣部。固定銷33於俯視下排列於圍繞旋轉軸線A之圓周上。各固定銷33相互分離。

參照圖5。固定銷33自板32之上表面32a向上方突出。固定銷33與基板W之下表面26接觸。更詳細而言，固定銷33與基板W之周緣部22中之下表面26接觸。藉此，固定銷33於較板32之上表面32a高之位置支持基板W。

圖6中以虛線表示支持於固定銷33之基板W。固定銷33於俯視下與支持於固定銷33之基板W重疊。當固定銷33支持基板W時，基板W之中心位於旋轉軸線A上。

參照圖5。固定銷33不與基板W之上表面27接觸。固定銷33容許基板W相對於固定銷33向上方移動。固定銷33不與基板W之端緣28接觸。固定銷33本身容許基板W相對於固定銷33滑動。如此，固定銷33本身不保持基板W。

基板保持部31具備氣體吹出口34。氣體吹出口34形成於板32之上表面32a。氣體吹出口34配置於在俯視下與支持於固定銷33之基板W重疊之位置。氣體吹出口34配置於支持於固定銷33之基板W之下方。氣體吹出口34自板32之上表面32a吹出氣體。氣體吹出口34自支持於固定銷33之基板W之下方之位置吹出氣體。氣體吹出口34向上方吹出氣體。氣體吹出口34向板32之上表面32a與支持於固定銷33之基板W之下表面26之間吹出氣體。氣體吹出口34吹出之氣體例如為氮氣或空氣。氣體吹出口34吹出之氣體例如為高壓氣體或壓縮氣體。氣體被供給至板32之上表面32a與支持於固定銷33之基板W之下表面26之間。氣體沿著支持於固定銷33之基板W之下表面26流動。藉此，氣體吹出口34吸引基板W。具體而言，藉由氣體沿著基板W之下表面26流動而形成負壓。即，基板W之下表面26受到之氣壓較基板W之上表面27受到之氣壓小。根據伯努利原理，對基板W作用向下之力。即，基板W朝下方被吸引。基板W朝向氣體吹出口34及板32被吸引。但，氣體吹出口34不與基板W接觸。板32亦不與基板W接觸。

藉由氣體吹出口34將基板W朝下方吸引且固定銷33與基板W之下表面26接觸，而基板W得到支持，且基板W可保持於既定之位置。藉由作用於基板W之吸引力，而基板W不相對於固定銷33於水平方向上滑動。即，基板保持部31保持支持於固定銷33之基板W。

隨著氣體吹出口34吹出之氣體之流量變大，作用於基板W之吸引力亦變大。

「保持於基板保持部31之基板W」與「支持於固定銷33之基板W」相同。

固定銷33係本發明中之支持部之例。

氣體吹出口34具備第1吹出口35與第2吹出口36。第1吹出口35與第2吹出口36分別形成於板32之上表面32a。第1吹出口35配置於板32之上表面32a之中央部。第1吹出口35配置於板32之旋轉軸線A上。第2吹出口36配置於相較第1吹出口35更靠外側。第2吹出口36配置於相較固定銷33更靠內側。「內側」係朝向旋轉軸線A之方向。「內側」係靠近旋轉軸線A之方向。「外側」係與內側相反之方向。「外側」係遠離旋轉軸線A之方向。於俯視下，第2吹出口36與旋轉軸線A之距離大於第1吹出口35與旋轉軸線A之距離。於俯視下，第2吹出口36與旋轉軸線A之距離小於固定銷33與旋轉軸線A之距離。第2吹出口36配置於靠近固定銷33之位置。第2吹出口36配置於板32之上表面32a之周緣部。

參照圖6。第1吹出口35包括1個開口35a。第2吹出口36包括數個開口36a。開口36a於俯視下排列於圍繞旋轉軸線A之圓周上。

第1吹出口35向上方吹出氣體。隨著第1吹出口35吹出之氣體之流量變大，而作用於基板W之吸引力變大。第2吹出口36向上方吹出氣體。隨著第2吹出口36吹出之氣體之流量變大，而作用於基板W之吸引力變大。

參照圖5。處理單元14具備氣體供給路38。氣體供給路38向氣體吹出口34供給氣體。

氣體供給路38具備第1氣體供給路38a與第2氣體供給路38b。第1氣體供給路38a向第1吹出口35供給氣體。第2氣體供給路38b向第2吹出口36供給氣體。第1氣體供給路38a具有第1端與第2端。第2氣體供給路38b具有第1端與第2端。第1氣體供給路38a之第1端連接於第1吹出口35。第2氣體供給路38b之第1端連接於第2吹出口36。第1氣體供給路38a之第2端連接於第2氣體供給路38b之第2端。第1氣體供給路38a之一部分及第2氣體供給路38b之一部分形成於板32之內部。

氣體供給路38進而具備共通氣體供給路38c。共通氣體供給路38c向第1氣體供給路38a及第2氣體供給路38b供給氣體。即，氣體供給路38向第1吹出口35及第2吹出口36供給氣體。共通氣體供給路38c具有第1端與第2端。共通氣體供給路38c之第1端連接於第1氣體供給路38a之第2端及第2氣體供給路38b之第2端。共通氣體供給路38c之第2端連接於氣體供給源39。

如此，第1氣體供給路38a與第2氣體供給路38b相互並列。第1氣體供給路38a與第2氣體供給路38b係相互並列地連通連接於氣體供給源39。

處理單元14具備吹出調整部40。吹出調整部40調整氣體吹出口34吹出氣體之流量。

吹出調整部40具備第1吹出調整部41與第2吹出調整部42。第1吹出調整部41設置於第1氣體供給路38a。第1吹出調整部41調整第1吹出口35吹出之氣體之流量。即，第1吹出調整部41調整供給至第1吹出口35之氣體之流量。第2吹出調整部42設置於第2氣體供給路38b。第2吹出調整部42調整第2吹出口36吹出之氣體之流量。即，第2吹出調整部42調整供給至第2吹出口36之氣體之流量。

第1吹出調整部41無法調整第2吹出口36吹出之氣體之流量。第2吹出調整部42無法調整第1吹出口35吹出之氣體之流量。第1吹出調整部41與第2吹出調整部42可相互獨立地作動。因此，吹出調整部40可相互獨立地調整第1吹出口35吹出之氣體之流量與第2吹出口36吹出之氣體之流量。吹出調整部40可個別地調整第1吹出口35吹出之氣體之流量與第2吹出口36吹出之氣體之流量。第1吹出調整部41與第2吹出調整部42分別包含例如流量調整閥。第1吹出調整部41與第2吹出調整部42亦可分別進而包含開閉閥。

處理液供給部51具備噴嘴52。噴嘴52吐出處理液。噴嘴52對支持於固定銷33之基板W之上表面27供給處理液。噴嘴52配置於較支持於固定銷33之基板W高之位置。噴嘴52向下方吐出處理液。

處理單元14具備未圖示之噴嘴移動機構。噴嘴移動機構使噴嘴52移動至處理位置與退避位置。圖5中以虛線表示位於處理位置之噴嘴52。圖5中以實線表示位於退避位置之噴嘴52。處理位置係支持於固定銷33之基板W之上方之位置。當噴嘴52位於處理位置時，噴嘴52於俯視下與支持於固定銷33之基板W重疊。當噴嘴52位於退避位置時，噴嘴52於俯視下不與支持於固定銷33之基板W重疊。

處理液供給部51具備配管53。配管53對噴嘴52供給處理液。配管53具有第1端與第2端。配管53之第1端連接於噴嘴52。配管53之第2端連接於處理液供給源54。

處理單元14具備流量調整部57。流量調整部57設置於配管53。流量調整部57調整處理液供給部51對基板W供給之處理液之流量。即，流量調整部57調整噴嘴52吐出之處理液之流量。

處理單元14具備形狀檢測部63。形狀檢測部63檢測支持於固定銷33之基板W之形狀。形狀檢測部63例如係拍攝基板W之影像感測器。影像感測器例如係一維影像感測器或二維影像感測器。形狀檢測部63例如配置於板32之上方。形狀檢測部63例如配置於支持於固定銷33之基板W之上方。

參照圖2。控制部18獲取形狀檢測部63之檢測結果。控制部18控制吹出調整部40、旋轉驅動部45及流量調整部57。具體而言，控制部18控制第1吹出調整部41與第2吹出調整部42。進而，控制部控制未圖示之噴嘴移動機構。

＜第1實施形態之處理單元14之動作例＞ 於第1實施形態之處理單元14之動作例中，控制部18根據基板W之主部23之厚度而改變氣體吹出口34吹出之氣體之流量。

圖7係表示控制部18之控制及處理單元14之動作之程序之流程圖。

步驟S1 條碼讀取器4讀取附加於載具C之條碼。條碼讀取器4將條碼讀取器4之檢測結果輸出至控制部18。形狀檢測部13檢測載置於載置部12之基板W之形狀。形狀檢測部63檢測支持於固定銷33之基板W之形狀。形狀檢測部13、63分別將形狀檢測部13、63之檢測結果輸出至控制部18。

步驟S2 控制部18獲取條碼讀取器4與形狀檢測部13、63之檢測結果。控制部18根據條碼讀取器4與形狀檢測部13、63之檢測結果，判定支持於固定銷33之基板W之形狀。具體而言，控制部18特定出基板W之主部23之厚度。

再者，控制部18於自載具C搬出基板W之後，亦將基板W之位置與基板W之形狀建立關聯地進行管理。具體而言，控制部18對搬送機構5、15在各時刻搬送之基板W之形狀進行管理。控制部18對在各時刻載置於載置部12之基板W之形狀進行管理。控制部18對在各時刻支持於固定銷33之基板W之形狀進行管理。為了控制部18對基板W之位置及基板W之形狀進行管理，控制部18亦可適當參照形狀檢測部13、63之檢測結果及存在與否檢測部6、16之檢測結果。

步驟S3 控制部18根據支持於固定銷33之基板W之形狀，決定氣體吹出口34吹出之氣體之流量。以下，將氣體吹出口34吹出之氣體之流量簡記作「吹出量QT」。控制部18根據支持於固定銷33之基板W之形狀而改變吹出量QT。

具體而言，控制部18根據支持於固定銷33之基板W中包含之主部23之厚度而決定吹出量QT。控制部18根據支持於固定銷33之基板W中包含之主部23之厚度而改變吹出量QT。

更具體而言，控制部18根據支持於固定銷33之基板W中包含之主部23之厚度，決定第1吹出口35吹出之氣體之流量及第2吹出口36吹出之氣體之流量。以下，將第1吹出口35吹出之氣體之流量簡記作「吹出量QC」。將第2吹出口36吹出之氣體之流量簡記作「吹出量QE」。控制部18根據支持於固定銷33之基板W中包含之主部23之厚度而改變吹出量QC及吹出量QE。

吹出量QC與吹出量QE之合計相當於吹出量QT。

例如，控制部18係以支持於固定銷33之基板W中包含之主部23具有越大之厚度則吹出量QT越大的方式決定吹出量QT。

例如，控制部18係以支持於固定銷33之基板W中包含之主部23具有越大之厚度則吹出量QC越大的方式決定吹出量QC。

例如，當支持於固定銷33之基板W包含具有第1厚度之主部23時，控制部18將吹出量QC決定為第1吹出量Q1a。當支持於固定銷33之基板W包含具有大於第1厚度之第2厚度之主部23時，控制部18將吹出量QC決定為大於第1吹出量Q1a之第2吹出量Q2a。

例如，當支持於固定銷33之基板W包含具有小於基準值VT之厚度之主部23時，控制部18將吹出量QC決定為第1吹出量Q1a。當支持於固定銷33之基板W包含具有大於基準值VT之厚度之主部23時，控制部18將吹出量QC決定為大於第1吹出量Q1a之第2吹出量Q2a。

例如，控制部18係以支持於固定銷33之基板W中包含之主部23具有越大之厚度則吹出量QE越大的方式決定吹出量QE。

例如，當支持於固定銷33之基板W包含具有第1厚度之主部23時，控制部18將吹出量QE決定為第3吹出量Q3a。當支持於固定銷33之基板W包含具有大於第1厚度之第2厚度之主部23時，控制部18將吹出量QE決定為大於第3吹出量Q3a之第4吹出量Q4a。

例如，當支持於固定銷33之基板W包含具有小於基準值VT之厚度之主部23時，控制部18將吹出量QE決定為第3吹出量Q3a。當支持於固定銷33之基板W包含具有大於基準值VT之厚度之主部23時，控制部18將吹出量QE決定為大於第3吹出量Q3a之第4吹出量Q4a。

基準值VT係預先設定。控制部18預先具有基準值VT。

基準值VT較佳為較A型基板WA之主部23之厚度TA1大且較B型基板WB之主部23之厚度TB1及C型基板WC之主部23之厚度TC1小。例如，基準值VT較佳為例如大於200[μm]且小於600[μm]。據此，當基板W為A型基板WA時，控制部18可將吹出量QC決定為第1吹出量Q1a，將吹出量QE決定為第3吹出量Q3a。換言之，當基板W為薄基板Wp時，控制部18可將吹出量QC決定為第1吹出量Q1a，將吹出量QE決定為第3吹出量Q3a。當基板W為B型基板WB或C型基板WC時，控制部18可將吹出量QC決定為第2吹出量Q2a，將吹出量QE決定為第4吹出量Q4a。換言之，當基板W為厚基板Wq時，控制部18可將吹出量QC決定為第2吹出量Q2a，將吹出量QE決定為第4吹出量Q4a。

進而，控制部18較佳為將吹出量QE決定為大於吹出量QC之值。控制部18較佳為將第3吹出量Q3a決定為大於第1吹出量Q1a之值。控制部18較佳為將第4吹出量Q4a決定為大於第2吹出量Q2a之值。

步驟S4 控制部18控制處理單元14。控制部18根據所決定之吹出量QT控制吹出調整部40。控制部18根據所決定之吹出量QC控制第1吹出調整部41。控制部18根據所決定之吹出量QE控制第2吹出調整部42。

步驟S5 根據控制部18之控制，處理單元14對基板W進行處理。具體而言，吹出調整部40以所決定之吹出量QT向氣體吹出口34供給氣體。第1吹出調整部41以所決定之吹出量QC向第1吹出口35供給氣體。第2吹出調整部42以所決定之吹出量QE向第2吹出口36供給氣體。氣體吹出口34以所決定之吹出量QT吹出氣體。第1吹出口35以所決定之吹出量QC吹出氣體。第2吹出口36以所決定之吹出量QE吹出氣體。

自吹出口34吹出之氣體被供給至板32之上表面32a與支持於固定銷33之基板W之下表面26之間。氣體沿著基板W之下表面26向外側前進。並且，氣體自板32之上表面32a與支持於固定銷33之基板W之下表面26之間之空間流出。氣體向相較基板W之周緣部22更靠外側之空間流出。藉由此種氣體之流動，而吸引力作用於基板W。基板保持部31藉由吸引力保持固定銷33上之基板W。

尤其是，自第1吹出口35吹出之氣體於沿著基板W之下表面26向外側前進之前，吹至基板W之下表面26之中央部。

旋轉驅動部45使基板保持部31旋轉。藉此，支持於固定銷33之基板W進行旋轉。支持於固定銷33之基板W係與板32一體地旋轉。支持於固定銷33之基板W繞旋轉軸線A進行旋轉。流量調整部57對噴嘴52供給處理液。噴嘴52吐出處理液。藉此，處理液供給部51對基板W之上表面27供給處理液。處理液自支持於固定銷33之基板W向外側飛散。防護罩61回收飛散之處理液。

此處，例如，支持於固定銷33之基板W中包含之主部23具有越大之厚度，則吹出量QT越大。支持於固定銷33之基板W中包含之主部23具有越大之厚度，則吹出量QC越大。支持於固定銷33之基板W中包含之主部23具有越大之厚度，則吹出量QE越大。因此，支持於固定銷33之基板W中包含之主部23具有越大之厚度，則越大之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，隨著支持於固定銷33之基板W之主部23之厚度變大，而吹出量QT變大。隨著支持於固定銷33之基板W之主部之厚度變大，而吹出量QC變大。隨著支持於固定銷33之基板W之主部23之厚度變大，而吹出量QE變大。因此，隨著支持於固定銷33之基板W之主部23之厚度變大，而作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力變大。

例如，當支持於固定銷33之基板W包含具有第1厚度之主部23時，吹出量QT、QC、QE分別相對較小。因此，當支持於固定銷33之基板W包含具有第1厚度之主部23時，相對較小之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，當支持於固定銷33之基板W包含具有大於第1厚度之第2厚度之主部23時，吹出量QT、QC、QE分別相對較大。因此，當支持於固定銷33之基板W包含具有第2厚度之主部23時，相對較大之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，當支持於固定銷33之基板W包含具有小於基準值VT之厚度之主部23時，吹出量QT、QC、QE分別相對較小。因此，當支持於固定銷33之基板W包含具有小於基準值VT之厚度之主部23時，相對較小之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，當支持於固定銷33之基板W包含具有大於基準值VT之厚度之主部23時，吹出量QT、QC、QE分別相對較大。因此，當支持於固定銷33之基板W包含具有大於基準值VT之厚度之主部23時，相對較大之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，當支持於固定銷33之基板W為A型基板WA時，吹出量QT、QC、QE分別相對較小。因此，當支持於固定銷33之基板W為A型基板WA時，相對較小之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，當支持於固定銷33之基板W為B型基板WB或C型基板WC時，吹出量QT、QC、QE分別相對較大。因此，當支持於固定銷33之基板W為B型基板WB或C型基板WC時，相對較大之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，當支持於固定銷33之基板W為薄基板Wp時，吹出量QT、QC、QE分別相對較小。因此，當支持於固定銷33之基板W為薄基板Wp時，相對較小之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，當支持於固定銷33之基板W為厚基板Wq時，吹出量QT、QC、QE分別相對較大。因此，當支持於固定銷33之基板W為厚基板Wq時，相對較大之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，吹出量QE大於吹出量QC。第3吹出量Q3a大於第1吹出量Q1a。第4吹出量Q4a大於第2吹出量Q2a。

＜第1實施形態之效果＞ 基板處理裝置1具備處理單元14。處理單元14對基板W進行處理。處理單元14具備板32、固定銷33及氣體吹出口34。板32具有上表面32a。固定銷33自板32之上表面32a向上方突出。固定銷33與基板W之下表面26接觸。固定銷33於較板32之上表面32a高之位置支持基板W。氣體吹出口34形成於板32之上表面32a。氣體吹出口34向上方吹出氣體。即，氣體吹出口34向板32之上表面32a與支持於固定銷33之基板W之下表面26之間吹出氣體。藉此，固定銷33上之基板W朝下方被吸引。藉由作用於基板W之吸引力而基板保持部31可較佳地保持固定銷33上之基板W。

處理單元14具備吹出調整部40。吹出調整部40調整吹出量QT。因此，可容易地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。

處理單元14具備旋轉驅動部45。旋轉驅動部45使板32旋轉。藉此，可使支持於固定銷33之基板W較佳地旋轉。

處理單元14具備處理液供給部51與流量調整部57。處理液供給部51對支持於固定銷33之基板W供給處理液。流量調整部57調整處理液供給部51對基板W供給之處理液之流量。因此，可容易地調整處理液供給部51對支持於固定銷33之基板W供給之處理液之流量。

基板處理裝置1具備控制部18。控制部18控制處理單元14。控制部18根據支持於固定銷33之基板W之形狀而改變吹出量QT。此處，支持於固定銷33之基板W之形狀係對當基板W支持於固定銷33時基板W產生撓曲之量造成影響之事項。因此，控制部18可恰當地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。即，能夠以恰當之吸引力保持支持於固定銷33之基板W。藉此，可較佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。換言之，可使支持於固定銷33之基板W接近水平姿勢。因此，處理單元14可恰當地處理基板W。例如，可遍及基板W之上表面27均勻地進行處理。

如上所述，基板處理裝置1可恰當地處理基板W。

控制部18根據基板W之主部23之厚度而改變吹出量QT。此處，基板W之主部23之厚度係對支持於固定銷33之基板W之撓曲量造成影響之事項。因此，可恰當地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。藉此，可較佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。

控制部18係以支持於固定銷33之基板W中包含之主部23具有越大之厚度則吹出量QT越大的方式決定吹出量QT。例如，當基板W之主部23之厚度相對較大時，吹出量QT相對較大。因此，當吹出量QT相對較大時，作用於基板W之吸引力相對較大。此處，當基板W之主部23之厚度相對較大時，基板W具有相對較高之剛性，且基板W相對較重。因此，當基板W之主部23之厚度相對較大時，能夠以恰當之吸引力保持基板W。例如，當基板W之主部23之厚度相對較小時，吹出量QT相對較小。因此，當吹出量QT相對較小時，作用於基板W之吸引力相對較小。此處，當基板W之主部23之厚度相對較小時，基板W具有相對較低之剛性，且基板W相對較輕。因此，當基板W之主部23之厚度相對較小時，亦能夠以恰當之吸引力保持基板W。

氣體吹出口34包含第1吹出口35與第2吹出口36。第1吹出口35配置於板32之上表面32a之中央部。第2吹出口36配置於相較第1吹出口35更靠外側。控制部18根據支持於固定銷33之基板W之形狀而改變吹出量QC及吹出量QE。因此，控制部18可精細地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。即，能夠以更恰當之吸引力保持支持於固定銷33之基板W。因此，可更佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。

吹出調整部40具備第1吹出調整部41與第2吹出調整部42。第1吹出調整部41調整吹出量QC。第2吹出調整部42調整吹出量QE。因此，吹出調整部40可個別地調整吹出量QC及吹出量QE。因此，控制部18可個別地改變吹出量QC及吹出量QE。

控制部18根據基板W之主部23之厚度而改變吹出量QC及吹出量QE。因此，可精細地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。因此，可更佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。

基板W之主部23之厚度越大，則吹出量QC越大。因此，可無關於基板W之主部23之厚度而以恰當之吸引力保持基板W。

第1吹出口35吹出之氣體吹至基板W之下表面26之中央部。因此，可較佳地防止基板W之中央部向下方凸出地彎曲。因此，可有效地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。

基板W之主部23之厚度越大，則吹出量QE越大。因此，可無關於基板W之主部23之厚度而以恰當之吸引力保持基板W。

無關於基板W之主部23之厚度，吹出量QE均大於吹出量QC。因此，氣體相對較快地流經基板W之下表面26中之周緣部22之附近。因此，作用於基板W之周緣部22之吸引力相對較大。基板W之周緣部22與固定銷33接觸。因此，基板W之周緣部22恰當地壓抵於固定銷33。因此，基板保持部31可較佳地保持基板W。

處理液供給部51對支持於固定銷33之基板W之上表面27供給處理液。因此，處理單元14可對基板W之下表面26較佳地進行處理。

處理單元14具備形狀檢測部63。形狀檢測部63檢測基板W之形狀。控制部18獲取形狀檢測部63之檢測結果。控制部18根據形狀檢測部63之檢測結果而判定支持於固定銷33之基板W之形狀。因此，控制部18可較佳地特定出支持於固定銷33之基板W之形狀。

基板處理裝置1具備條碼讀取器4。條碼讀取器4讀取附加於載具C之條碼。控制部18獲取條碼讀取器4之檢測結果。控制部18根據條碼讀取器4之檢測結果而判定基板W之形狀。因此，控制部18可較佳地特定出基板W之形狀。

基板處理裝置1具備形狀檢測部13。形狀檢測部13檢測基板W之形狀。控制部18獲取形狀檢測部13之檢測結果。控制部18根據形狀檢測部13之檢測結果而判定基板W之形狀。因此，控制部18可較佳地特定出基板W之形狀。

[第2實施形態] 參照圖式，對第2實施形態之基板處理裝置1進行說明。再者，關於與第1實施形態相同之構成，藉由標註相同符號而省略詳細說明。

第2實施形態之基板處理裝置1具有與第1實施形態之基板處理裝置1大致相同之構成。第2實施形態之處理單元14執行與第1實施形態之處理單元14不同之動作。以下，例示第2實施形態之處理單元14之動作。

＜第2實施形態之處理單元14之動作例＞ 於第2實施形態之處理單元14之動作例中，控制部18根據凹部24之位置而改變吹出量QT。於第2實施形態之處理單元14之動作例中，控制部18根據配置凹部24之基板W之部位而改變吹出量QT。

圖8係表示控制部18之控制及處理單元14之動作的程序之流程圖。

步驟S11 步驟S21與第1實施形態之步驟S1大致相同。

步驟S12 控制部18獲取條碼讀取器4與形狀檢測部13、63之檢測結果。控制部18根據條碼讀取器4與形狀檢測部13、63之檢測結果而判定支持於固定銷33之基板W之形狀。具體而言，控制部18特定出支持於固定銷33之基板W是否於基板W之上表面27具有凹部24。以下，將形成於基板W之上表面27之凹部24特別稱為「上凹部24A」。上凹部24A朝向上方。上凹部24A向上方開放。控制部18特定出支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A。

步驟S13 控制部18根據支持於固定銷33之基板W之形狀而決定吹出量QT。控制部18根據支持於固定銷33之基板W之形狀而改變吹出量QT。

具體而言，控制部18根據支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A而決定吹出量QT。控制部18根據支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A而改變吹出量QT。

更具體而言，控制部18根據支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A而決定吹出量QC及吹出量QE。控制部18根據支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A而改變吹出量QC及吹出量QE。

例如，控制部18係以支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A時之吹出量QT較支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A時之吹出量QT大的方式決定吹出量QT。

例如，控制部18係以支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A時之吹出量QC較支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A時之吹出量QC大的方式決定吹出量QT。

例如，當支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A時，控制部18將吹出量QC決定為第1吹出量Q1b。當支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A時，控制部18將吹出量QC決定為大於第1吹出量Q1b之第2吹出量Q2b。

例如，控制部18係以支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A時之吹出量QE較支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A時之吹出量QE大的方式決定吹出量QT。

例如，當支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A時，控制部18將吹出量QE決定為第3吹出量Q3b。當支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A時，控制部18將吹出量QE決定為大於第3吹出量Q3b之第4吹出量Q4b。

進而，控制部18較佳為將吹出量QE決定為大於吹出量QC之值。控制部18較佳為將第3吹出量Q3b決定為大於第1吹出量Q1b之值。控制部18較佳為將第4吹出量Q4b決定為大於第2吹出量Q2b之值。

步驟S14 步驟S14與第1實施形態之步驟S4大致相同。

步驟S15 步驟S15與第1實施形態之步驟S5大致相同。

此處，當支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A時，吹出量QT、QC、QE分別相對較小。因此，當支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A時，作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力相對較小。

當支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A時，吹出量QT、QC、QE分別相對較大。因此，當支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A時，作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力相對較大。

吹出量QE大於吹出量QC。第3吹出量Q3b大於第1吹出量Q1b。第4吹出量Q4b大於第2吹出量Q2b。

＜第2實施形態之效果＞ 於第2實施形態中，亦發揮與第1實施形態相同之效果。例如，於第2實施形態中，控制部18亦根據支持於固定銷33之基板W之形狀而改變吹出量QT。因此，控制部18可恰當地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。藉此，可較佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。因此，處理單元14可恰當地處理基板W。基板處理裝置1可恰當地處理基板W。

進而，於第2實施形態中，發揮以下之效果。支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A係對支持於固定銷33之基板W之撓曲量造成影響之事項。於支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A之情形時，處理液容易停留於上凹部24A。於支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A之情形時，處理液容易停留於上凹部24A。於支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A之情形時，基板W之上表面27大致平坦。因此，於支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A之情形時，處理液不易停留於基板W之上表面27。因此，於支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A之情形時，與支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A之情形相比，載於基板W上之處理液之量更多。因此，於支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A之情形時，與支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A之情形相比，作用於基板W之處理液之重量更重。因此，於支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A之情形時，與支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A之情形相比，基板W之撓曲量容易變大。控制部18根據支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A而改變吹出量QT。因此，控制部18可恰當地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。藉此，可較佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。因此，處理單元14可恰當地處理基板W。

支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A時之吹出量QT較支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A時之吹出量QT大。因此，無論固定銷33是否具有上凹部24A，均能夠以恰當之吸引力保持基板W。

控制部18根據支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A而改變吹出量QC及吹出量QE。因此，可精細地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。因此，可更佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。

第2吹出量Q2b大於第1吹出量Q1b。具體而言，支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A時之吹出量QC較支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A時之吹出量QC大。因此，無論支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A，均能夠以恰當之吸引力保持基板W。

第4吹出量Q4b大於第3吹出量Q3b。具體而言，支持於固定銷33之基板W具有上凹部24A時之吹出量QE較支持於固定銷33之基板W不具有上凹部24A時之吹出量QE大。因此，無論支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A，均能夠以恰當之吸引力保持基板W。

[第3實施形態] 參照圖式，對第3實施形態之基板處理裝置1進行說明。再者，關於與第1實施形態相同之構成，藉由標註相同符號而省略詳細說明。

第3實施形態之基板處理裝置1具有與第1實施形態之基板處理裝置1大致相同之構成。第3實施形態之處理單元14執行與第1實施形態之處理單元14不同之動作。以下，例示第3實施形態之處理單元14之動作。

＜第3實施形態之處理單元14之動作例＞ 於第3實施形態之處理單元14之動作例中，控制部18根據板32之旋轉速度而改變吹出量QT。

圖9係表示控制部18之控制及處理單元14之動作之程序之流程圖。

步驟S21 控制部18參照處理配方，特定出處理單元14之處理條件。具體而言，控制部18特定出板32之旋轉速度。板32之旋轉速度相當於支持於固定銷33之基板W之旋轉速度。以下，將板32之旋轉速度簡記作「旋轉速度RS」。

步驟S22 控制部18根據處理單元14之處理條件而決定吹出量QT。控制部18根據處理單元14之處理條件而改變吹出量QT。具體而言，控制部18根據旋轉速度RS而決定吹出量QT。控制部18根據旋轉速度RS而改變吹出量QT。

更具體而言，控制部18根據旋轉速度RS而決定吹出量QC及吹出量QE。控制部18根據旋轉速度RS而改變吹出量QC及吹出量QE。

例如，控制部18係以旋轉速度RS越大則吹出量QT越大之方式決定吹出量QT。

例如，控制部18係以旋轉速度RS越大則吹出量QC越大之方式決定吹出量QC。

例如，當旋轉速度RS為第1旋轉速度時，控制部18將吹出量QC決定為第1吹出量Q1c。當旋轉速度RS為大於第1旋轉速度之第2旋轉速度時，控制部18將吹出量QC決定為大於第1吹出量Q1c之第2吹出量Q2c。

例如，當旋轉速度RS小於基準值VRS時，控制部18將吹出量QC決定為第1吹出量Q1c。當旋轉速度RS大於基準值VRS時，控制部18將吹出量QC決定為大於第1吹出量Q1c之第2吹出量Q2c。

例如，控制部18係以旋轉速度RS越大則吹出量QE越大之方式決定吹出量QE。

例如，當旋轉速度RS為第1旋轉速度時，控制部18將吹出量QE決定為第3吹出量Q3c。當旋轉速度RS為大於第1旋轉速度之第2旋轉速度時，控制部18將吹出量QE決定為大於第3吹出量Q3c之第4吹出量Q4c。

例如，當旋轉速度RS小於基準值VRS時，控制部18將吹出量QE決定為第3吹出量Q3c。當旋轉速度RS大於基準值VRS時，控制部18將吹出量QE決定為大於第3吹出量Q3c之第4吹出量Q4c。

基準值VRS係預先設定。控制部18預先具有基準值VRS。

進而，控制部18較佳為將吹出量QE決定為大於吹出量QC之值。控制部18較佳為將第3吹出量Q3c決定為大於第1吹出量Q1c之值。控制部18較佳為將第4吹出量Q4c決定為大於第2吹出量Q2c之值。

步驟S23 步驟S23與第1實施形態之步驟S4大致相同。

步驟S24 步驟S24與第1實施形態之步驟S5大致相同。旋轉驅動部45使基板保持部31以旋轉速度RS旋轉。

此處，例如，板32之旋轉速度越大，則吹出量QT、QC、QE分別越大。因此，板32之旋轉速度越大，則越大之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，隨著板32之旋轉速度變大而吹出量QT、QC、QE分別變大。因此，隨著板32之旋轉速度變大而作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力變大。

例如，當板32之旋轉速度為第1旋轉速度時，吹出量QT、QC、QE分別相對較小。因此，當板32之旋轉速度為第1旋轉速度時，相對較小之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，當板32之旋轉速度為第2旋轉速度時，吹出量QT、QC、QE分別相對較大。因此，當板32之旋轉速度為第2旋轉速度時，相對較大之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，當板32之旋轉速度小於基準值VRS時，吹出量QT、QC、QE分別相對較小。因此，當板32之旋轉速度小於基準值VRS時，相對較小之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，當板32之旋轉速度大於基準值VRS時，吹出量QT、QC、QE分別相對較大。因此，當板32之旋轉速度大於基準值VRS時，相對較大之吸引力作用於支持於固定銷33之基板W。

例如，吹出量QE大於吹出量QC。第3吹出量Q3c大於第1吹出量Q1c。第4吹出量Q4c大於第2吹出量Q2c。

＜第3實施形態之效果＞ 控制部18根據旋轉速度RS而改變吹出量QT。此處，旋轉速度RS係對支持於固定銷33之基板W之撓曲量造成影響之事項。因此，控制部18可恰當地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。即，能夠以恰當之吸引力保持支持於固定銷33之基板W。藉此，可較佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。因此，處理單元14可恰當地處理基板W。基板處理裝置1可恰當地處理基板W。

旋轉速度RS越大，則吹出量QT越大。因此，可無關於旋轉速度RS而以恰當之吸引力保持基板W。

控制部18根據旋轉速度RS而改變吹出量QC及吹出量QE。因此，可精細地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。因此，可更佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。

旋轉速度RS越大，則吹出量QC越大。因此，可無關於旋轉速度RS而以恰當之吸引力保持基板W。

旋轉速度RS越大，則吹出量QE越大。因此，可無關於旋轉速度RS而以恰當之吸引力保持基板W。

[第4實施形態] 參照圖式，對第4實施形態之基板處理裝置1進行說明。再者，關於與第1實施形態相同之構成，藉由標註相同符號而省略詳細說明。

第4實施形態之基板處理裝置1具有與第1實施形態之基板處理裝置1大致相同之構成。第4實施形態之處理單元14執行與第1實施形態之處理單元14不同之動作。以下，例示第4實施形態之處理單元14之動作。

＜第4實施形態之處理單元14之動作例＞ 於第4實施形態之處理單元14之動作例中，控制部18根據對支持於固定銷33之基板W供給之處理液之流量而改變吹出量QT。

圖10係表示控制部18之控制及處理單元14之動作之程序之流程圖。

步驟S31 控制部18參照處理配方，特定出處理單元14之處理條件。具體而言，控制部18特定出處理液供給部51對支持於固定銷33之基板W供給之處理液之流量。以下，將處理液供給部51對支持於固定銷33之基板W供給之處理液之流量簡記作「流量FR」。

步驟S32 控制部18根據處理條件而決定吹出量QT。控制部18根據處理條件而改變吹出量QT。具體而言，控制部18根據流量FR而決定吹出量QT。控制部18根據流量FR而改變吹出量QT。

更具體而言，控制部18根據流量FR而決定吹出量QC及吹出量QE。控制部18根據流量FR而改變吹出量QC及吹出量QE。

例如，控制部18係以流量FR越大則吹出量QT越大之方式決定吹出量QT。

例如，控制部18係以流量FR越大則吹出量QC越大之方式決定吹出量QC。

例如，當流量FR為第1流量時，控制部18將吹出量QC決定為第1吹出量Q1d。當流量FR為大於第1流量之第2流量時，控制部18將吹出量QC決定為大於第1吹出量Q1d之第2吹出量Q2d。

例如，當流量FR小於基準值VFR時，控制部18將吹出量QC決定為第1吹出量Q1d。當流量FR大於基準值VFR時，控制部18將吹出量QC決定為大於第1吹出量Q1d之第2吹出量Q2d。

例如，控制部18係以流量FR越大則吹出量QE越大之方式決定吹出量QE。

例如，當流量FR為第1流量時，控制部18將吹出量QE決定為第3吹出量Q3d。當流量FR為大於第1流量之第2流量時，控制部18將吹出量QE決定為大於第3吹出量Q3d之第4吹出量Q4d。

例如，當流量FR小於基準值VFR時，控制部18將吹出量QE決定為第3吹出量Q3d。當流量FR大於基準值VFR時，控制部18將吹出量QE決定為大於第3吹出量Q3d之第4吹出量Q4d。

基準值VFR係預先設定。控制部18預先具有基準值VFR。

進而，控制部18較佳為將吹出量QE決定為大於吹出量QC之值。控制部18較佳為將第3吹出量Q3d決定為大於第1吹出量Q1d之值。控制部18較佳為將第4吹出量Q4d決定為大於第2吹出量Q2d之值。

步驟S33 步驟S33與第1實施形態之步驟S4大致相同。

步驟S34 步驟S34與第1實施形態之步驟S5大致相同。 處理液供給部51對支持於固定銷33之基板W以流量FR供給處理液。

此處，例如，流量FR越大，則吹出量QT、QC、QE分別越大。因此，流量FR越大，則作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力越大。

例如，隨著流量FR變大而吹出量QT、QC、QE分別變大。因此，隨著流量FR變大而作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力變大。

例如，當流量FR為第1流量時，吹出量QT、QC、QE分別相對較小。因此，當流量FR為第1流量時，作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力相對較小。

例如，當流量FR為第2流量時，吹出量QT、QC、QE分別相對較大。因此，當流量FR為第2流量時，作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力相對較大。

例如，當流量FR小於基準值VFR時，吹出量QT、QC、QE分別相對較小。因此，當流量FR小於基準值VFR時，作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力相對較小。

例如，當流量FR大於基準值VFR時，吹出量QT、QC、QE分別相對較大。因此，當流量FR大於基準值VFR時，作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力相對較大。

例如，吹出量QE大於吹出量QC。第3吹出量Q3d大於第1吹出量Q1d。第4吹出量Q4d大於第2吹出量Q2d。

＜第4實施形態之效果＞ 控制部18根據流量FR而改變吹出量QT。此處，流量FR係對支持於固定銷33之基板W之撓曲量造成影響之事項。因此，控制部18可恰當地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。即，能夠以恰當之吸引力保持支持於固定銷33之基板W。藉此，可較佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。因此，處理單元14可恰當地處理基板W。基板處理裝置1可恰當地處理基板W。

流量FR越大，則吹出量QT越大。因此，可無關於流量FR而較佳地保持基板W。

控制部18根據流量FR而改變吹出量QC及吹出量QE。因此，可精細地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。因此，可更佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。

流量FR越大，則吹出量QC越大。因此，可無關於流量FR而以恰當之吸引力保持基板W。

流量FR越大，則吹出量QE越大。因此，可無關於流量FR而以恰當之吸引力保持基板W。

[第5實施形態] 參照圖式，對第5實施形態之基板處理裝置1進行說明。再者，關於與第1實施形態相同之構成，藉由標註相同符號而省略詳細說明。

第5實施形態之基板處理裝置1具有與第1實施形態之基板處理裝置1大致相同之構成。第5實施形態之處理單元14執行與第5實施形態之處理單元14不同之動作。以下，例示第5實施形態之處理單元14之動作。

＜第5實施形態之處理單元14之動作例＞ 於第5實施形態之處理單元14之動作例中，控制部18根據輸入至輸入部17之處理條件資訊而改變吹出量QT。

圖11係表示控制部18之控制及處理單元14之動作之程序之流程圖。

步驟S41 使用者藉由操作輸入部17而向輸入部17輸入處理條件資訊。輸入部17接收處理條件資訊。處理條件資訊係與處理單元14之處理條件相關之資訊。處理條件資訊包含與吹出量QT相關之命令。更具體而言，處理條件資訊包含與吹出量QC相關之第1命令及與吹出量QE相關之第2命令。第1命令例如規定吹出量QC之值。第2命令例如規定吹出量QE之值。

步驟S42 控制部18根據處理條件資訊而決定吹出量QT。控制部18根據處理條件資訊而改變吹出量QT。具體而言，控制部18根據與吹出量QT相關之命令而決定吹出量QT。控制部18根據與吹出量QT相關之命令而改變吹出量QT。

更具體而言，控制部18根據第1命令而決定吹出量QC。控制部18將吹出量QC決定為第1命令中規定之值。控制部18根據第1命令而改變吹出量QC。控制部18根據第2命令而決定吹出量QE。控制部18將吹出量QE決定為第2命令中規定之值。控制部18根據第2命令而改變吹出量QE。

步驟S43 步驟S43與第1實施形態之步驟S4大致相同。

步驟S44 步驟S44與第1實施形態之步驟S5大致相同。

＜第5實施形態之效果＞ 控制部18根據處理條件資訊而改變吹出量QT。此處，處理單元14之處理條件係對支持於固定銷33之基板W之撓曲量造成影響之事項。因此，控制部18可恰當地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。即，能夠以恰當之吸引力保持支持於固定銷33之基板W。藉此，可較佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。因此，處理單元14可恰當地處理基板W。基板處理裝置1可恰當地處理基板W。

基板處理裝置1具備可輸入處理條件資訊之輸入部17。因此，控制部18可容易地獲取處理條件資訊。因此，控制部18可根據處理條件資訊而容易地改變吹出量QT。

輸入至輸入部17之處理條件資訊包含與吹出量QT相關之命令。因此，控制部18可簡單地調整吹出量QT。

控制部18根據輸入至輸入部17之處理條件資訊而改變吹出量QC及吹出量QE。因此，可精細地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。因此，可更佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。

輸入至輸入部17之處理條件資訊包含第1命令。因此，控制部18可簡單地調整吹出量QC。

輸入至輸入部17之處理條件資訊包含第2命令。因此，控制部18可簡單地調整吹出量QE。

[第6實施形態] 參照圖式，對第6實施形態之基板處理裝置1進行說明。再者，關於與第1實施形態相同之構成，藉由標註相同符號而省略詳細說明。

第6實施形態之基板處理裝置1具有與第1實施形態之基板處理裝置1大致相同之構成。第6實施形態之處理單元14執行與第6實施形態之處理單元14不同之動作。以下，例示第6實施形態之處理單元14之動作。

＜第6實施形態之處理單元14之動作例＞ 於第6實施形態之處理單元14之動作例中，控制部18根據輸入至輸入部17之基板形狀資訊而改變吹出量QT。

圖12係表示控制部18之控制及處理單元14之動作的程序之流程圖。

步驟S51 使用者藉由操作輸入部17而向輸入部17輸入基板形狀資訊。輸入部17接收基板形狀資訊。基板形狀資訊係與基板W之形狀相關之資訊。基板形狀資訊包含與基板W中包含之主部23之厚度相關之資訊。

步驟S52 控制部18根據基板形狀資訊而決定吹出量QT。控制部18根據基板形狀資訊而改變吹出量QT。具體而言，控制部18根據由基板形狀資訊規定之主部23之厚度而決定吹出量QT。控制部18根據由基板形狀資訊規定之主部23之厚度而改變吹出量QT。

更具體而言，控制部18根據由基板形狀資訊規定之主部23之厚度而決定吹出量QC及吹出量QE。控制部18根據由基板形狀資訊規定之主部23之厚度而改變吹出量QC及吹出量QE。

步驟S53 步驟S53與第1實施形態之步驟S4大致相同。

步驟S54 步驟S54與第1實施形態之步驟S5大致相同。

＜第6實施形態之效果＞ 控制部18根據基板形狀資訊而改變吹出量QT。此處，基板W之形狀係對支持於固定銷33之基板W之撓曲量造成影響之事項。因此，控制部18可恰當地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。即，能夠以恰當之吸引力保持支持於固定銷33之基板W。藉此，可較佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。因此，處理單元14可恰當地處理基板W。基板處理裝置1可恰當地處理基板W。

基板處理裝置1具備可輸入基板形狀資訊之輸入部17。因此，控制部18可容易地獲取基板形狀資訊。因此，控制部18可根據基板形狀資訊容易地改變吹出量QT。

輸入至輸入部17之基板形狀資訊包含與基板W之主部23之厚度相關之資訊。此處，基板W之主部23之厚度係對支持於固定銷33之基板W之撓曲量造成影響之事項。因此，控制部18可恰當地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。

控制部18根據輸入至輸入部17之基板形狀資訊而改變吹出量QC及吹出量QE。因此，可精細地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。因此，可更佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。

本發明不限於第1-第6實施形態，可如下述般變形實施。

於上述之第1-第6實施形態中，固定銷33與基板W之下表面26接觸。但，並不限於此。例如，固定銷33亦可與基板W之下表面26及基板W之端緣28之至少任一者接觸。例如，固定銷33亦可自斜下方與基板W之端緣28接觸。

於第1-第6實施形態中，控制部18改變吹出量QC及吹出量QE。但，並不限於此。控制部18亦可改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。例如，控制部18亦可根據支持於固定銷33之基板W之形狀而改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。例如，控制部18亦可根據基板W之主部23之厚度而改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。例如，控制部18亦可根據支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A而改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。例如，控制部18亦可根據旋轉速度RS而改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。例如，控制部18亦可根據流量FR而改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。例如，控制部18亦可根據基板形狀資訊而改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。例如，控制部18亦可根據處理條件資訊而改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。根據上述之各變形實施形態，控制部18亦可較佳地改變吹出量QT。

於第1、第2實施形態中，控制部18根據支持於固定銷33之基板W之形狀而改變吹出量QT。於第3實施形態中，控制部18根據旋轉速度RS而改變吹出量QT。於第4實施形態中，控制部18根據流量FR而改變吹出量QT。但，並不限於此。控制部18亦可根據支持於固定銷33之基板W之形狀、旋轉速度RS、及流量FR之至少任一個而改變吹出量QT。控制部18亦可根據支持於固定銷33之基板W之形狀、旋轉速度RS、及流量FR之至少任一個而改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。

於第1實施形態中，控制部18根據基板W之主部23之厚度而改變吹出量QT。於第2實施形態中，控制部18根據支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A而改變吹出量QT。但，並不限於此。控制部18亦可根據基板W之主部23之厚度、及支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A之至少任一個而改變吹出量QT。控制部18亦可根據基板W之主部23之厚度、及支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A之至少任一個而改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。

於第5實施形態中，控制部18根據處理條件資訊而改變吹出量QT。於第6實施形態中，控制部18根據基板形狀資訊而改變吹出量QT。但，並不限於此。控制部18亦可根據基板形狀資訊及處理條件資訊之至少任一個而改變吹出量QT。控制部18亦可根據基板形狀資訊及處理條件資訊之至少任一個而改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。

於第5實施形態中，與吹出量QT相關之命令包含第1命令與第2命令。即，與吹出量QT相關之命令規定吹出量QC之值及吹出量QE之值。但，並不限於此。與吹出量QT相關之命令亦可規定吹出量QT之值。

於第5實施形態中，處理條件資訊包含與吹出量QT相關之命令。但，並不限於此。處理條件資訊亦可包含與吹出量QT相關之命令、與旋轉速度RS相關之命令、及與流量FR相關之命令之至少任一者。與旋轉速度RS相關之資訊例如規定旋轉速度RS之值。與流量FR相關之資訊例如規定流量FR之值。此處，旋轉速度RS係對支持於固定銷33之基板W之撓曲量造成影響之事項。流量FR亦係對支持於固定銷33之基板W之撓曲量造成影響之事項。因此，根據本變形實施形態，亦可恰當地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。

於第5實施形態中，處理條件資訊包含第1命令與第2命令。但，並不限於此。處理條件資訊亦可包含第1命令及第2命令之至少任一者。控制部18亦可根據第1命令及第2命令之至少任一者而改變吹出量QT。控制部18亦可根據第1命令及第2命令之至少任一者而改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。

於第6實施形態中，基板形狀資訊包含與主部23之厚度相關之資訊。但，並不限於此。將與主部23之厚度相關之資訊稱為第1基板形狀資訊。將與支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A相關之資訊稱為第2基板形狀資訊。例如，基板形狀資訊亦可包含第1基板形狀資訊及第2基板形狀資訊之至少任一者。控制部18亦可根據第1基板形狀資訊及第2基板形狀資訊之至少任一者而改變吹出量QT。控制部18亦可根據第1基板形狀資訊及第2基板形狀資訊之至少任一者而改變吹出量QC及吹出量QE之至少任一者。根據本變形實施形態，亦可恰當地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。

於第3、第4實施形態中，控制部18參照處理配方，特定出處理單元14之處理條件。但，並不限於此。例如，控制部18亦可參照輸入至輸入部17之處理條件資訊而特定出處理單元14之處理條件。

於第3實施形態中，旋轉速度RS越大，則吹出量QT、QC、QE分別越大。但，並不限於此。例如，亦可為旋轉速度RS越大，則吹出量QT越小。例如，亦可為旋轉速度RS越大，則吹出量QC越小。例如，亦可為旋轉速度RS越大，則吹出量QE越小。

於第1-第6實施形態中，吹出調整部40具備第1吹出調整部41與第2吹出調整部42。吹出調整部40個別地調整吹出量QC與吹出量QE。但，並不限於此。例如，吹出調整部40亦可具備一次吹出調整部(未圖示)。例如，一次吹出調整部設置於共通氣體供給路38c。一次吹出調整部一次性調整吹出量QC及吹出量QE。根據本變形實施形態，吹出調整部40亦可較佳地調整吹出量QT。具體而言，吹出調整部40可較佳地調整吹出口34吹出之氣體之流量。於本變形實施形態中，亦可省略第1吹出調整部41與第2吹出調整部42。

於第1-第6實施形態中，氣體吹出口34具備第1吹出口35與第2吹出口36。但，並不限於此。

圖13係示意性地表示變形實施形態之處理單元14之圖。圖14係變形實施形態之板32之俯視圖。再者，關於與第1實施形態相同之構成，藉由標註相同符號而省略詳細說明。

氣體吹出口34除了具備第1吹出口35與第2吹出口36以外，還具備第3吹出口37。第3吹出口37形成於板32之上表面32a。第3吹出口37配置於相較第1吹出口35更靠外側。第3吹出口37配置於相較第2吹出口36更靠內側。第3吹出口37配置於相較固定銷33更靠內側。於俯視下，第3吹出口37與旋轉軸線A之距離較第1吹出口35與旋轉軸線A之距離大。於俯視下，第3吹出口37與旋轉軸線A之距離較第2吹出口36與旋轉軸線A之距離小。於俯視下，第3吹出口37與旋轉軸線A之距離較固定銷33與旋轉軸線A之距離小。

第3吹出口37包括數個開口37a。開口37a於俯視下排列於圍繞旋轉軸線A之圓周上。

第3吹出口37向上方吹出氣體。第3吹出口37向板32之上表面32a與支持於固定銷33之基板W之下表面26之間吹出氣體。自第3吹出口37吹出之氣體吹至基板W之下表面26之一部分(以下，稱為中間部分)。基板W之下表面26之中間部分位於相較基板W之下表面26之中央部更靠外側，且相較基板W之下表面26之周緣部22更靠內側。其後，氣體沿著基板W之下表面26向外側前進。並且，氣體自板32之上表面32a與支持於固定銷33之基板W之下表面26之間之空間流出。氣體向相較基板W之周緣部22更靠外側之空間流出。隨著第3吹出口37吹出之氣體之流量變大而作用於基板W之吸引力變大。

氣體供給路38除了具備第1氣體供給路38a與第2氣體供給路38b以外，還具備第3氣體供給路38d。第3氣體供給路38d向第3吹出口37供給氣體。第3氣體供給路38d具有第1端與第2端。第3氣體供給路38d之第1端連接於第3吹出口37。第3氣體供給路38d之第2端連接於第1氣體供給路38a之第2端、第2氣體供給路38b之第2端、及共通氣體供給路38c之第1端。第3氣體供給路38d之一部分形成於板32之內部。

共通氣體供給路38c除了對第1氣體供給路38a及第2氣體供給路38b供給氣體以外，還對第3氣體供給路38d供給氣體。即，氣體供給路38除了對第1吹出口35及第2吹出口36供給氣體以外，還對第3吹出口37供給氣體。第1氣體供給路38a、第2氣體供給路38b及第3氣體供給路38d係相互並列。第1氣體供給路38a、第2氣體供給路38b及第3氣體供給路38d係相互並列地連通連接於氣體供給源39。

吹出調整部40除了具備第1吹出調整部41與第2吹出調整部42以外，還具備第3吹出調整部43。第3吹出調整部43設置於第3氣體供給路38d。第3吹出調整部43調整第3吹出口37吹出之氣體之流量。即，第3吹出調整部43調整供給至第3吹出口37之氣體之流量。以下，將第3吹出口37吹出之氣體之流量簡記作「吹出量QM」。吹出量QC、吹出量QE及吹出量QM之合計相當於吹出量QT。

第1吹出調整部41無法調整吹出量QM。第2吹出調整部42無法調整吹出量QM。第3吹出調整部43無法調整吹出量QC。第3吹出調整部43無法調整吹出量QE。第1吹出調整部41、第2吹出調整部42及第3吹出調整部43可相互獨立地作動。因此，吹出調整部40可相互獨立地調整吹出量QC、吹出量QE及吹出量QM。吹出調整部40可個別地調整吹出量QC、吹出量QE及吹出量QM。第3吹出調整部43例如包含流量調整閥。第3吹出調整部43亦可進而包含開閉閥。

控制部18進而控制第3吹出調整部43。藉此，控制部18改變吹出量QM。

例如，控制部18亦可根據支持於固定銷33之基板W之形狀、旋轉速度RS及流量FR之至少任一者而改變吹出量QM。例如，控制部18亦可根據支持於固定銷33之基板W之形狀、旋轉速度RS及流量FR之至少任一者而改變吹出量QC、吹出量QE及吹出量QM之至少任一者。

例如，控制部18亦可根據輸入至輸入部17之基板形狀資訊、及輸入至輸入部17之處理條件資訊之至少任一者而改變吹出量QM。例如，控制部18亦可根據輸入至輸入部17之基板形狀資訊、及輸入至輸入部17之處理條件資訊之至少任一者而改變吹出量QC、吹出量QE及吹出量QM之至少任一者。

輸入至輸入部17之處理條件資訊亦可包含與吹出量QM相關之第3命令。 第3命令例如規定吹出量QM之值。

根據本變形實施形態，氣體吹出口34包含第3吹出口37。因此，控制部18可更精細地調整作用於支持於固定銷33之基板W之吸引力。即，能夠以更恰當之吸引力保持支持於固定銷33之基板W。藉此，可更佳地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。

第3吹出口37吹出之氣體吹至基板W之下表面26之中間部分。因此，可較佳地防止基板W之中間部分向下方凸出地彎曲。因此，可有效地抑制支持於固定銷33之基板W之撓曲量。

吹出調整部40具備第3吹出調整部43。因此，吹出調整部40可個別地調整吹出量QC、吹出量QE及吹出量QM。因此，控制部18可個別地改變吹出量QC、吹出量QE及吹出量QM。

於上述之第1、第2實施形態中，控制部18根據條碼讀取器4及形狀檢測部13、63之檢測結果而判定基板W之形狀。但，並不限於此。例如，控制部18亦可根據條碼讀取器4及形狀檢測部13、63之任一個之檢測結果而判定基板W之形狀。

於上述之第1、第2實施形態中，控制部18根據條碼讀取器4及形狀檢測部13、63之檢測結果而判定基板W之形狀。但，並不限於此。作為控制部18獲取基板W之形狀之變形實施形態，以下例示2個例子。

第1例 基板處理裝置1亦可具備讀取對基板W附加之基板資訊之基板資訊檢測部(未圖示)。控制部18亦可根據基板資訊檢測部之檢測結果而判定基板W之形狀。此處，對基板W附加之基板資訊例如係印字於基板W之識別碼。基板資訊檢測部例如係讀取器。

第2例 控制部18亦可自基板處理裝置1之外部機器獲取與基板W之形狀相關之資訊。基板處理裝置1之外部機器例如係主電腦。控制部18自外部機器獲取與基板W之形狀相關之資訊之前，控制部18例如亦可將條碼讀取器4之檢測結果發送至外部機器。控制部18自外部機器獲取與基板W之形狀相關之資訊之前，控制部18例如亦可將存在與否檢測部6、16之檢測結果發送至外部機器。控制部18自外部機器獲取與基板W之形狀相關之資訊之前，控制部18例如亦可將形狀檢測部13、63之檢測結果發送至外部機器。控制部18亦可根據自外部機器獲取之與基板W之形狀相關之資訊而特定出基板W之形狀。

於第2例中，自外部機器獲取之與基板W之形狀相關之資訊亦可為直接表示基板W之形狀之資訊。直接表示基板W之形狀之資訊例如係直接表示基板W之主部23之厚度之資訊。直接表示基板W之形狀之資訊例如係直接表示支持於固定銷33之基板W是否具有上凹部24A之資訊。於控制部18已獲取直接表示基板W之形狀之資訊之情形時，控制部18不進行判定基板W之形狀之步驟(例如，步驟S2、S12)。

於第2例中，自外部機器獲取之與基板W之形狀相關之資訊亦可為間接表示基板W之形狀之資訊。於控制部18已獲取間接表示基板W之形狀之資訊之情形時，控制部18進行根據間接表示基板W之形狀之資訊而判定基板W之形狀的步驟(例如，步驟S2、S12)。

於上述之第5實施形態中，輸入至輸入部17之處理條件資訊係直接表示處理條件之資訊。但，並不限於此。輸入至輸入部17之處理條件資訊亦可為間接表示處理條件之資訊。間接表示處理條件之資訊例如係用以識別處理配方之資訊。於本變形實施形態中，控制部18亦可根據輸入至輸入部17之處理條件資訊，進行與處理條件相關之判定或處理條件之特定。

於上述之第5實施形態中，控制部18自輸入部17獲取處理條件資訊。但，並不限於此。例如，控制部18亦可藉由參照處理配方而獲取處理條件資訊。例如，控制部18亦可自外部機器獲取處理條件資訊。

於上述之第6實施形態中，輸入至輸入部17之基板形狀資訊係直接表示基板W之形狀之資訊。但，並不限於此。輸入至輸入部17之基板形狀資訊亦可為間接表示基板W之形狀之資訊。間接表示基板W之形狀之資訊例如係表示基板W屬於A型基板WA、B型基板WB及C型基板WC中之哪一個之資訊。間接表示基板W之形狀之資訊例如係表示基板W屬於薄基板Wp及厚基板Wq中之哪一個之資訊。於本變形實施形態中，控制部18亦可根據輸入至輸入部17之基板形狀資訊而進行與基板W之形狀相關之判定。於本變形實施形態中，控制部18亦可根據輸入至輸入部17之基板形狀資訊而進行基板W之形狀之特定。

於上述之第6實施形態中，控制部18自輸入部17獲取基板形狀資訊。但，並不限於此。例如，控制部18亦可自條碼讀取器4及形狀檢測部13、63獲取基板形狀資訊。例如，控制部18亦可自外部機器獲取基板形狀資訊。

於第1-第6實施形態中，處理液供給部51不對支持於固定銷33之基板W之下表面26供給處理液。但，並不限於此。處理液供給部51亦可對支持於固定銷33之基板W之下表面26供給處理液。例如，處理液供給部51亦可通過氣體吹出口34吐出處理液。例如，處理液供給部51亦可通過第1吹出口35吐出處理液。處理液供給部51亦可對支持於固定銷33之基板W之下表面26供給純水。例如，處理液供給部51亦可通過氣體吹出口34吐出純水。例如，處理液供給部51亦可通過第1吹出口35吐出純水。

於第1-第6實施形態中，處理液供給部51對支持於固定銷33之基板W之上表面27供給處理液。但，並不限於此。處理液供給部51亦可不對支持於固定銷33之基板W之上表面27供給處理液。

於第1-第6實施形態中，處理液供給部51具備之噴嘴52之數量為1個。但，並不限於此。處理液供給部51具備之噴嘴52之數量亦可為數個。

於上述之實施形態中，設置於處理區塊11之搬送機構之數量為1個。但，並不限於此。設置於處理區塊11之搬送機構之數量亦可為2個以上。即，處理區塊11亦可具備2個以上之搬送機構。亦可根據處理區塊11中之搬送機構之數量而增加處理單元14之個數。

關於上述之實施形態及各變形實施形態，亦可進而將各構成替換為其他變形實施形態之構成或與其他變形實施形態之構成組合等而適當變更。

本發明可在不脫離其思想或本質之情況下以其他具體之形式實施，因此，作為表示發明之範圍者，應參照所附加之申請專利範圍而並非以上之說明。

1:基板處理裝置 2:傳載部 3:載具載置部 4:條碼讀取器 5:搬送機構 5a,15a:手部 5b,15b:手部驅動部 6,16:存在與否檢測部 11:處理區塊 12:載置部 13:形狀檢測部 14:處理單元 15:搬送機構 17:輸入部 18:控制部 21:基板本體 22:周緣部 23:主部 24:凹部 24A:上凹部 25:保護板 26:下表面 27:上表面 28:端緣 31:基板保持部 32:板 32a:上表面 33:固定銷(支持部) 34:氣體吹出口 35:第1吹出口 35a,36a,37a:開口 36:第2吹出口 37:第3吹出口 38:氣體供給路 38a:第1氣體供給路 38b:第2氣體供給路 38c:共通氣體供給路 38d:第3氣體供給路 39:氣體供給源 40:吹出調整部 41:第1吹出調整部 42:第2吹出調整部 43:第3吹出調整部 45:旋轉驅動部 46:旋轉軸 51:處理液供給部 52:噴嘴 53:配管 54:處理液供給源 57:流量調整部 61:防護罩 63:形狀檢測部 A:旋轉軸線 C:載具 FR:對支持於固定銷之基板供給之處理液之流量 QT:吹出量(氣體吹出口吹出之氣體之流量) QC:吹出量(第1吹出口吹出之氣體之流量) QE:吹出量(第2吹出口吹出之氣體之流量) QM:吹出量(第3吹出口吹出之氣體之流量) Q1a,Q1b,Q1c,Q1d:第1吹出量 Q2a,Q2b,Q2c,Q2d:第2吹出量 Q3a,Q3b,Q3c,Q3d:第3吹出量 Q4a,Q4b,Q4c,Q4d:第4吹出量 RS:板之旋轉速度 TA1:A型基板之主部之厚度 TA2,TB2,TC2:厚度 TB1:B型基板之主部之厚度 TC1:C型基板之主部之厚度 VT:與基板W之主部之厚度相關之基準值 VRS:與板之旋轉速度相關之基準值 VFR:與對支持於固定銷之基板供給之處理液之流量相關之基準值 W:基板 WA:A型基板 WB:B型基板 WC:C型基板 Wp:薄基板 Wq:厚基板

為了說明發明而圖示出目前認為較佳之若干個形態，但希望理解發明並不限定於如圖所示之構成及對策。 圖1係第1實施形態之基板處理裝置之俯視圖。 圖2係基板處理裝置之控制區塊圖。 圖3係基板之俯視圖。 圖4A係A型基板之剖面圖，圖4B係B型基板之剖面圖，圖4C係C型基板之剖面圖。 圖5係示意性地表示處理單元之構成之圖。 圖6係板之俯視圖。 圖7係表示第1實施形態之控制部之控制及處理單元之動作的程序之流程圖。 圖8係表示第2實施形態之控制部之控制及處理單元之動作的程序之流程圖。 圖9係表示第3實施形態之控制部之控制及處理單元之動作的程序之流程圖。 圖10係表示第4實施形態之控制部之控制及處理單元之動作的程序之流程圖。 圖11係表示第5實施形態之控制部之控制及處理單元之動作的程序之流程圖。 圖12係表示第6實施形態之控制部之控制及處理單元之動作的程序之流程圖。 圖13係示意性地表示變形實施形態之處理單元之圖。 圖14係變形實施形態之板之俯視圖。

14:處理單元

26:下表面

27:上表面

28:端緣

31:基板保持部

32:板

32a:上表面

33:固定銷(支持部)

34:氣體吹出口

35:第1吹出口

35a,36a:開口

36:第2吹出口

38:氣體供給路

38a:第1氣體供給路

38b:第2氣體供給路

38c:共通氣體供給路

39:氣體供給源

40:吹出調整部

41:第1吹出調整部

42:第2吹出調整部

45:旋轉驅動部

46:旋轉軸

51:處理液供給部

52:噴嘴

53:配管

54:處理液供給源

57:流量調整部

63:形狀檢測部

A:旋轉軸線

W:基板

Claims (22)

1. 一種基板處理裝置，其具備：處理單元，其對基板進行處理；及控制部，其控制上述處理單元；上述處理單元具備：板，其具有上表面；旋轉驅動部，其使上述板旋轉；支持部，其自上述板之上述上表面向上方突出，與基板之下表面及基板之端緣之至少任一者接觸，於較上述板之上述上表面高之位置支持基板；氣體吹出口，其形成於上述板之上述上表面，以將上述基板朝下方吸引之方式向上方吹出氣體；吹出調整部，其調整上述氣體吹出口吹出之氣體之流量；處理液供給部，其對支持於上述支持部之基板供給處理液；及流量調整部，其調整上述處理液供給部對基板供給之處理液之流量；且上述控制部根據支持於上述支持部之基板之形狀、上述板之旋轉速度、及上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的流量之至少任一者，而改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量。
2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述氣體吹出口包含：第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及 第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且上述控制部根據支持於上述支持部之基板之形狀、上述板之上述旋轉速度、及上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量之至少任一者，而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體的流量之至少任一者。
3. 如請求項2之基板處理裝置，其中，上述吹出調整部具備：第1吹出調整部，其調整上述第1吹出口吹出之氣體之上述流量；及第2吹出調整部，其調整上述第2吹出口吹出之氣體之上述流量。
4. 一種基板處理裝置，其具備：處理單元，其對基板進行處理；及控制部，其控制上述處理單元；上述處理單元具備：板，其具有上表面；旋轉驅動部，其使上述板旋轉；支持部，其自上述板之上述上表面向上方突出，與基板之下表面及基板之端緣之至少任一者接觸，於較上述板之上述上表面高之位置支持基板；氣體吹出口，其形成於上述板之上述上表面，向上方吹出氣體；吹出調整部，其調整上述氣體吹出口吹出之氣體之流量；處理液供給部，其對支持於上述支持部之基板供給處理液；及流量調整部，其調整上述處理液供給部對基板供給之處理液之流量； 且上述控制部根據支持於上述支持部之基板之形狀、上述板之旋轉速度、及上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的流量之至少任一者，而改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量；上述氣體吹出口包含：第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且上述控制部根據支持於上述支持部之基板之形狀、上述板之上述旋轉速度、及上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量之至少任一者，而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體的流量之至少任一者；上述氣體吹出口包含第3吹出口，上述第3吹出口配置於相較上述第1吹出口更靠外側，且相較上述第2吹出口更靠內側，且上述控制部根據支持於上述支持部之基板之形狀、上述板之上述旋轉速度、及上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液之上述流量之至少任一者，而改變上述第3吹出口吹出之氣體之流量。
5. 如請求項4之基板處理裝置，其中，上述吹出調整部具備第3吹出調整部，上述第3吹出調整部調整上述第3吹出口吹出之氣體之上述流量。
6. 一種基板處理裝置，其具備：處理單元，其對基板進行處理；及控制部，其控制上述處理單元； 上述處理單元具備：板，其具有上表面；旋轉驅動部，其使上述板旋轉；支持部，其自上述板之上述上表面向上方突出，與基板之下表面及基板之端緣之至少任一者接觸，於較上述板之上述上表面高之位置支持基板；氣體吹出口，其形成於上述板之上述上表面，向上方吹出氣體；吹出調整部，其調整上述氣體吹出口吹出之氣體之流量；處理液供給部，其對支持於上述支持部之基板供給處理液；及流量調整部，其調整上述處理液供給部對基板供給之處理液之流量；且上述控制部根據支持於上述支持部之基板之形狀、上述板之旋轉速度、及上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的流量之至少任一者，而改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量；上述控制部根據位於基板之周緣部內側之基板之主部厚度而改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量。
7. 如請求項6之基板處理裝置，其中，基板之上述主部之上述厚度越大，則上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量越大。
8. 如請求項6之基板處理裝置，其中，上述氣體吹出口包含：第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及 第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且上述控制部根據基板之上述主部之上述厚度而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體的流量之至少任一者。
9. 一種基板處理裝置，其具備：處理單元，其對基板進行處理；及控制部，其控制上述處理單元；上述處理單元具備：板，其具有上表面；旋轉驅動部，其使上述板旋轉；支持部，其自上述板之上述上表面向上方突出，與基板之下表面及基板之端緣之至少任一者接觸，於較上述板之上述上表面高之位置支持基板；氣體吹出口，其形成於上述板之上述上表面，向上方吹出氣體；吹出調整部，其調整上述氣體吹出口吹出之氣體之流量；處理液供給部，其對支持於上述支持部之基板供給處理液；及流量調整部，其調整上述處理液供給部對基板供給之處理液之流量；且上述控制部根據支持於上述支持部之基板之形狀、上述板之旋轉速度、及上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的流量之至少任一者，而改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量；上述控制部係根據支持於上述支持部之基板是否具有藉由位於基板之周緣部內側之基板之主部相較基板之上述周緣部凹陷而形成於上述基板 之上表面的上凹部，改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量。
10. 如請求項9之基板處理裝置，其中，支持於上述支持部之基板具有上述上凹部時上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量係較支持於上述支持部之基板不具有上述上凹部時上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量大。
11. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述氣體吹出口包含：第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且上述控制部係根據支持於上述支持部之基板是否具有上述上凹部，而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體的流量之至少任一者。
12. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述板之上述旋轉速度越大，則上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量越大。
13. 如請求項12之基板處理裝置，其中，上述氣體吹出口包含：第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且上述控制部根據上述板之上述旋轉速度，而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體之流量之至少任一者。
14. 一種基板處理裝置，其具備： 處理單元，其對基板進行處理；及控制部，其控制上述處理單元；上述處理單元具備：板，其具有上表面；旋轉驅動部，其使上述板旋轉；支持部，其自上述板之上述上表面向上方突出，與基板之下表面及基板之端緣之至少任一者接觸，於較上述板之上述上表面高之位置支持基板；氣體吹出口，其形成於上述板之上述上表面，向上方吹出氣體；吹出調整部，其調整上述氣體吹出口吹出之氣體之流量；處理液供給部，其對支持於上述支持部之基板供給處理液；及流量調整部，其調整上述處理液供給部對基板供給之處理液之流量；且上述控制部根據支持於上述支持部之基板之形狀、上述板之旋轉速度、及上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的流量之至少任一者，而改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量；上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量越大，則上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量越大。
15. 如請求項14之基板處理裝置，其中，上述氣體吹出口包含：第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且 上述控制部根據上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的上述流量，而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體之流量之至少任一者。
16. 如請求項1至15中任一項之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板之上表面供給處理液。
17. 一種基板處理裝置，其具備：處理單元，其對基板進行處理；控制部，其控制上述處理單元；及輸入部，其可輸入與基板之形狀相關之基板形狀資訊、及上述處理單元之處理條件資訊之至少任一者；上述處理單元具備：板，其具有上表面；旋轉驅動部，其使上述板旋轉；支持部，其自上述板之上述上表面向上方突出，與基板之下表面及基板之端緣之至少任一者接觸，於較上述板之上述上表面高之位置支持基板；氣體吹出口，其形成於上述板之上述上表面，向上方吹出氣體；吹出調整部，其調整上述氣體吹出口吹出之氣體之流量；處理液供給部，其對支持於上述支持部之基板供給處理液；及流量調整部，其調整上述處理液供給部對基板供給之處理液之流量；且上述控制部根據輸入至上述輸入部之上述基板形狀資訊、及輸入至上 述輸入部之上述處理條件資訊之至少任一者，而改變上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量。
18. 如請求項17之基板處理裝置，其中，輸入至上述輸入部之上述基板形狀資訊包含如下資訊之至少任一者：與位於基板之周緣部內側之基板之主部厚度相關之資訊；及與支持於上述支持部之基板是否具有藉由基板之上述主部相較基板之上述周緣部凹陷而形成於上述基板之上表面之上凹部相關的資訊。
19. 如請求項17之基板處理裝置，其中，輸入至上述輸入部之上述處理條件資訊包含如下命令之至少任一者：與上述氣體吹出口吹出之氣體之上述流量相關之命令；與上述板之旋轉速度相關之命令；及與上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板供給之處理液的流量相關之命令。
20. 如請求項17之基板處理裝置，其中，上述氣體吹出口包含：第1吹出口，其配置於上述板之上述上表面之中央部；及第2吹出口，其配置於相較上述第1吹出口更靠外側；且上述控制部根據輸入至上述輸入部之上述基板形狀資訊、及輸入至上述輸入部之上述處理條件資訊之至少任一者，而改變上述第1吹出口吹出之氣體之流量、及上述第2吹出口吹出之氣體的流量之至少任一者。
21. 如請求項20之基板處理裝置，其中，輸入至上述輸入部之上述處理條件資訊包含第1命令及第2命令之至 少任一者，上述第1命令與上述第1吹出口吹出之氣體之上述流量相關，上述第2命令與上述第2吹出口吹出之氣體之上述流量相關。
22. 如請求項17之基板處理裝置，其中，上述處理液供給部對支持於上述支持部之基板之上表面供給處理液。

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