JP2021048362A - 基板処理装置 - Google Patents

Abstract

【課題】基板を適切に処理できる基板処理装置を提供することを目的とする。【解決手段】基板処理装置１は、処理ユニット１４と制御部１８を備える。処理ユニット１４は、基板Ｗを処理する。制御部１８は、処理ユニット１４を制御する。処理ユニット１４は、プレート３２と回転駆動部４５と固定ピン３３と気体吹出口３４と吹出調整部４０と処理液供給部５１と流量調整部５７を備える。制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状、プレート３２の回転速度ＲＳ、および、固定ピン３３に支持される基板Ｗに処理液供給部５１が供給する処理液の流量の少なくともいずれかに応じて、気体吹出口３４が吹き出す気体の流量を変える。【選択図】図５

Description

この発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

特許文献１は、基板処理装置を開示する。以下では、特許文献１に記載される符号を、括弧書きで表記する。基板処理装置は、基板（１００）を載置する回転ステージ（１０）を備える。回転ステージ（１０）は、上面部（１３）とチャック部（１４）を備える。上面部（１３）は、基板（１００）の下面の外周部と向かい合う。チャック部（１４）は、基板（１００）の下面の中央部と向かい合う。

回転ステージ（１０）は、複数の支持ピン（２５）を備える。支持ピン（２５）は、上面部（１３）に設けられる。支持ピン（２５）は、基板の外周部を支持する。

回転ステージ（１０）は、気体噴出口（１５）と気体噴出口（１６）を備える。気体噴出口（１５）は、チャック部（１４）に設けられる。気体噴出口（１５）は、基板（１００）の下面の中央部に気体を噴出する。気体噴出口（１６）は、上面部（１３）に設けられる。気体噴出口（１６）は、基板（１００）の下面の外周部に気体を噴出する。

基板総理装置は、さらに、中空モータ（４０）とノズル（９８）を備える。中空モータ（４０）は、回転ステージ（１０）を回転する。ノズル（９８）は、回転ステージ（１０）に載置された基板（１００）に処理液を供給する。

基板（１００）を処理するとき、気体噴出口（１５）および気体噴出口（１６）はそれぞれ、気体を噴出し、中空モータ（４０）は回転ステージ（１０）を回転し、ノズル（９８）は処理液を供給する。気体噴出口（１５）が噴出する気体によって、支持ピン（２５）に支持される基板（１００）は一定の姿勢を保つ。気体噴出口（１６）が噴出する気体によって、支持ピン（２５）は基板（１００）をベルヌーイ効果により支持する。回転ステージ（１０）の回転により、支持ピン（２５）に支持された基板（１００）は回転する。処理液は、ノズル（９８）から回転する基板（１００）に供給される。

特開２０１５−６５２２６号公報

近年、基板は、薄膜化および大口径化している。
基板の厚みが薄く、かつ、基板の径が大きくなると、基板の撓み量が著しく大きくなる。このため、従来の基板処理装置の処理部は、基板を適切に処理し難いことがある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を適切に処理できる基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板処理装置であって、
基板を処理する処理ユニットと、
前記処理ユニットを制御する制御部と、
を備え、
前記処理ユニットは、
上面を有するプレートと、
前記プレートを回転する回転駆動部と、
前記プレートの前記上面から上方に突出し、基板の下面および基板の端縁の少なくともいずれかと接触し、前記プレートの前記上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
前記プレートの前記上面に形成され、気体を上方に吹き出す気体吹出口と、
前記気体吹出口が吹き出す気体の流量を調整する吹出調整部と、
前記支持部に支持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部が基板に供給する処理液の流量を調整する流量調整部と、
を備え、
前記制御部は、前記支持部に支持される基板の形状、前記プレートの回転速度、および、前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の流量の少なくともいずれかに応じて、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量を変える
基板処理装置である。

支持部は、プレートの上面よりも高い位置で、基板を支持する。気体吹出口は、プレートの上面から、気体を上方に吹き出す。すなわち、気体吹出口は、プレートの上面と、支持部に支持される基板の下面との間に、気体を吹き出す。これにより、支持部上の基板は、下方に吸引される。よって、支持部上の基板を好適に保持できる。気体吹出口が吹き出す気体の流量を吹出量調整部が調整する。これにより、基板に作用する吸引力を好適に調整できる。回転駆動部がプレートを回転する。これにより、支持部に支持される基板を好適に回転できる。処理ユニット１４は流量調整部を備えるので、支持部に支持される基板に処理液供給部が供給する処理液の流量を好適に調整できる。

ここで、支持部に支持される基板の形状は、支持部に支持される基板の撓み量に影響を与える事項である。プレートの回転速度も、支持部に支持される基板の撓み量に影響を与える事項である。支持部に支持される基板に処理液供給部が供給する処理液の流量も、支持部に支持される基板の撓み量に影響を与える事項である。制御部は、基板の撓み量に影響を与える３つの事項の少なくとも１つに応じて、気体吹出口が吹き出す気体の流量を変える。よって、支持部に支持される基板に作用する吸引力を適切に調整できる。すなわち、支持部に支持される基板を適切な吸引力で保持できる。これにより、支持部に支持される基板の撓み量を好適に抑制できる。よって、処理ユニットは、基板を適切に処理できる。

以上のとおり、本基板処理装置は、基板を適切に処理できる。

上述した基板処理装置において、
前記気体吹出口は、
前記プレートの前記上面の中央部に配置される第１吹出口と、
前記第１吹出口よりも外方に配置される第２吹出口と、
を含み、
前記制御部は、前記支持部に支持される基板の形状、前記プレートの前記回転速度、および、前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の前記流量の少なくともいずれかに応じて、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量の少なくともいずれかを変えることが好ましい。これによれば、支持部に支持される基板に作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。すなわち、支持部に支持される基板を一層適切な吸引力で保持できる。よって、支持部に支持される基板の撓み量を一層好適に抑制できる。

上述した基板処理装置において、
前記吹出調整部は、
前記第１吹出口が吹き出す気体の前記流量を調整する第１吹出調整部と、
前記第２吹出口が吹き出す気体の前記流量を調整する第２吹出調整部と、
を備えることが好ましい。
これによれば、吹出量調整部は、第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、第２吹出口が吹き出す気体の流量を、個別に調整できる。よって、制御部は、第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、第２吹出口が吹き出す気体の流量を、個別に変えることができる。

上述した基板処理装置において、
前記気体吹出口は、
前記第１吹出口よりも外方、かつ、前記第２吹出口よりも内方に配置される第３吹出口と、
を含み、
前記制御部は、前記支持部に支持される基板の形状、前記プレートの前記回転速度、および、前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の前記流量の少なくともいずれかに応じて、前記第３吹出口が吹き出す気体の流量を変えることが好ましい。
これによれば、支持部に支持される基板に作用する吸引力を、一層きめ細かく調整できる。すなわち、支持部に支持される基板を一層適切な吸引力で保持できる。これにより、支持部に支持される基板の撓み量を一層好適に抑制できる。

上述した基板処理装置において、
前記吹出調整部は、
前記第３吹出口が吹き出す気体の前記流量を調整する第３吹出調整部と、
を備えることが好ましい。
これによれば、吹出量調整部は、第１吹出口が吹き出す気体の流量、第２吹出口が吹き出す気体の流量、および、第３吹出口が吹き出す気体の流量を、個別に調整できる。よって、制御部は、第１吹出口が吹き出す気体の流量、第２吹出口が吹き出す気体の流量、および、第３吹出口が吹き出す気体の流量を、個別に変えることができる。

上述した基板処理装置において、
前記制御部は、基板の周縁部の内側に位置する基板の主部の厚みに応じて、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量を変える
ことが好ましい。
基板の主部の厚みは、支持部に支持される基板の撓み量に影響を与える事項である。制御部は、基板の主部の厚みに応じて、気体吹出口が吹き出す気体の流量を変える。よって、支持部に支持される基板に作用する吸引力を適切に調整できる。これにより、支持部に支持される基板の撓み量を好適に抑制できる。

上述した基板処理装置において、
基板の前記主部の前記厚みが大きいほど、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量が大きいことが好ましい。
基板の主部の厚みが比較的に大きいとき、気体吹出口が吹き出す気体の流量は比較的に大きい。ここで、基板の主部の厚みが比較的に大きいとき、基板は比較的高い剛性を有し、かつ、比較的に重い。気体吹出口が吹き出す気体の流量が比較的に大きいとき、基板に作用する吸引力は比較的に大きい。よって、基板の主部の厚みが比較的に大きいとき、基板を適切な吸引力で保持できる。基板の主部の厚みが比較的に小さいとき、気体吹出口が吹き出す気体の流量は比較的に小さい。ここで、基板の主部の厚みが比較的に小さいとき、基板は比較的に低い剛性を有し、かつ、比較的に軽い。気体吹出口が吹き出す気体の流量が比較的に小さいとき、基板に作用する吸引力は比較的に小さい。よって、基板の主部の厚みが比較的に小さいときも、基板を適切な吸引力で保持できる。

上述した基板処理装置において、
前記気体吹出口は、
前記プレートの前記上面の中央部に配置される第１吹出口と、
前記第１吹出口よりも外方に配置される第２吹出口と、
を含み、
前記制御部は、基板の前記主部の前記厚みに応じて、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量の少なくともいずれかを変える
ことが好ましい。
これによれば、支持部に支持される基板に作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。よって、支持部に支持される基板の撓み量を一層好適に抑制できる。

上述した基板処理装置において、
基板の前記主部の厚みが大きいほど、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量が大きいことが好ましい。
基板の主部の厚みに関わらず、基板を適切な吸引力で保持できる。

上述した基板処理装置において、
基板の前記主部の厚みが大きいほど、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量が大きいことが好ましい。
基板の主部の厚みに関わらず、基板を適切な吸引力で保持できる。

上述した基板処理装置において、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって前記基板の上面に形成される上凹部を、前記支持部に支持される基板が有するか否かによって、前記制御部は、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量を変えることが好ましい。
支持部に支持される基板が上凹部を有する場合、処理液は上凹部にとどまり易い。支持部に支持される基板が上凹部を有しない場合、基板の上面は略平坦であり、処理液は基板の上面にとどまりにくい。よって、支持部に支持される基板が上凹部を有する場合には、支持部に支持される基板が上凹部を有しない場合に比べて、基板上にのる処理液の量は多く、基板に作用する処理液の重さは重い。したがって、支持部に支持される基板が上凹部を有するか否かは、支持部に支持される基板の撓み量に影響を与える事項である。制御部は、支持部に支持される基板が上凹部を有するか否かによって、気体吹出口が吹き出す気体の流量を変える。よって、支持部に支持される基板に作用する吸引力を適切に調整できる。これにより、支持部に支持される基板の撓み量を好適に抑制できる。よって、処理ユニットは、基板を適切に処理できる。

上述した基板処理装置において、
前記支持部に支持される基板が前記上凹部を有するときに前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量は、前記支持部に支持される基板が前記上凹部を有しないときに前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量よりも、大きいことが好ましい。
これによれば、支持部に支持される基板が上凹部を有するときも、支持部に支持される基板が上凹部を有しないときも、基板を適切な吸引力で保持できる。

上述した基板処理装置において、
前記気体吹出口は、
前記プレートの前記上面の中央部に配置される第１吹出口と、
前記第１吹出口よりも外方に配置される第２吹出口と、
を含み、
前記支持部に支持される基板が前記上凹部を有するか否かによって、前記制御部は、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量の少なくともいずれかを変えることが好ましい。
これによれば、支持部に支持される基板に作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。よって、支持部に支持される基板の撓み量を一層好適に抑制できる。

上述した基板処理装置において、
前記支持部に支持される基板が前記上凹部を有するときに前記第１吹出口が吹き出す気体の流量は、前記支持部に支持される基板が前記上凹部を有しないときに前記第１吹出口が吹き出す気体の流量よりも、大きいことが好ましい。
支持部に支持される基板が上凹部を有するか否かに関わらず、基板を適切な吸引力で保持できる。

上述した基板処理装置において、
前記支持部に支持される基板が前記上凹部を有するときに前記第２吹出口が吹き出す気体の流量は、前記支持部に支持される基板が前記上凹部を有しないときに前記第２吹出口が吹き出す気体の流量よりも、大きいことが好ましい。
支持部に支持される基板が上凹部を有するか否かに関わらず、基板を適切な吸引力で保持できる。

上述した基板処理装置において、
前記プレートの前記回転速度が大きいほど、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量は大きいことが好ましい。
プレートの回転速度に関わらず、基板を適切な吸引力で保持できる。

上述した基板処理装置において、
前記気体吹出口は、
前記プレートの前記上面の中央部に配置される第１吹出口と、
前記第１吹出口よりも外方に配置される第２吹出口と、
を含み、
前記制御部は、前記プレートの前記回転速度に応じて、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量の少なくともいずれかを変えることが好ましい。
これによれば、支持部に支持される基板に作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。よって、支持部に支持される基板の撓み量を一層好適に抑制できる。

上述した基板処理装置において、
前記プレートの前記回転速度が大きいほど、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量は大きいことが好ましい。
プレートの回転速度に関わらず、基板を適切な吸引力で保持できる。

上述した基板処理装置において、
前記プレートの前記回転速度が大きいほど、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量は大きいことが好ましい。
プレートの回転速度に関わらず、基板を適切な吸引力で保持できる。

上述した基板処理装置において、
前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の前記流量が大きいほど、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量は大きいことが好ましい。
支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の流量に関わらず、基板を好適に保持できる。

上述した基板処理装置において、
前記気体吹出口は、
前記プレートの前記上面の中央部に配置される第１吹出口と、
前記第１吹出口よりも外方に配置される第２吹出口と、
を含み、
前記制御部は、前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の前記流量に応じて、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量の少なくともいずれかを変えることが好ましい。
これによれば、支持部に支持される基板に作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。よって、支持部に支持される基板の撓み量を一層好適に抑制できる。

上述した基板処理装置において、
前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の前記流量が大きいほど、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量は大きいことが好ましい。
支持部に支持される基板に処理液供給部が供給する処理液の流量に関わらず、基板を適切な吸引力で保持できる。

上述した基板処理装置において、
前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の前記流量が大きいほど、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量は大きいことが好ましい。
支持部に支持される基板に処理液供給部が供給する処理液の流量に関わらず、基板を適切な吸引力で保持できる。

本発明は、基板処理装置であって、
基板を処理する処理ユニットと、
前記処理ユニットを制御する制御部と、
基板の形状に関する基板形状情報、および、前記処理ユニットの処理条件情報の少なくともいずれかを入力可能な入力部と、
を備え、
前記処理ユニットは、
上面を有するプレートと、
前記プレートを回転する回転駆動部と、
前記プレートの前記上面から上方に突出し、基板の下面および基板の端縁の少なくともいずれかと接触し、前記プレートの前記上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
前記プレートの前記上面に形成され、気体を上方に吹き出す気体吹出口と、
前記気体吹出口が吹き出す気体の流量を調整する吹出調整部と、
前記支持部に支持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
前記処理液供給部が基板に供給する処理液の流量を調整する流量調整部と、
を備え、
前記制御部は、前記入力部に入力される前記基板形状情報、および、前記入力部に入力される前記処理条件情報の少なくともいずれかに応じて、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量を変える
基板処理装置である。

基板の形状は、支持部に支持される基板の撓み量に影響を与える事項である。処理ユニットの処理条件も、基板の撓み量に影響を与える事項である。基板処理装置は、基板の形状に関する基板形状情報、および、処理ユニットの処理条件情報の少なくともいずれかを入力可能な入力部を備える。制御部は、入力部に入力される基板形状情報、および、入力部に入力される処理条件情報の少なくともいずれかに応じて、気体吹出口が吹き出す気体の流量を変える。よって、支持部に支持される基板に作用する吸引力を適切に調整できる。すなわち、支持部に支持される基板を適切な吸引力で保持できる。これにより、支持部に支持される基板の撓み量を好適に抑制できる。よって、処理ユニットは、基板を適切に処理できる。

以上のとおり、本基板処理装置は、基板を適切に処理できる。

上述した基板処理装置において、
前記入力部に入力される前記基板形状情報は、
基板の周縁部の内側に位置する基板の主部の厚みに関する情報、および、
基板の前記主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって前記基板の上面に形成される上凹部を、前記支持部に支持される基板が有するか否かに関する情報
の少なくともいずれかを含む
ことが好ましい。
基板の主部の凹部の厚みは、支持部に支持される基板の撓み量に影響を与える事項である。よって、基板形状情報が基板の主部の凹部の厚みに関する情報を含む場合、支持部に支持される基板に作用する吸引力を適切に調整できる。支持部に支持される基板が上凹部を有するか否かも、基板の撓み量に影響を与える事項である。よって、基板形状情報が支持部に支持される基板が上凹部を有するか否かに関する情報を含む場合も、支持部に支持される基板に作用する吸引力を適切に調整できる。

上述した基板処理装置において、
前記入力部に入力される前記処理条件情報は、
前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量に関する命令、
前記プレートの回転速度に関する命令、および、
前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の流量に関する命令
の少なくともいずれかを含むことが好ましい。
気体吹出口が吹き出す気体の流量に関する命令を処理条件情報が含む場合、気体吹出口が吹き出す気体の流量を制御部は簡易に調整できる。プレートの回転速度は、支持部に支持される基板の撓み量に影響を与える事項である。よって、処理条件情報がプレートの回転速度に関する命令を含む場合、支持部に支持される基板に作用する吸引力を適切に調整できる。支持部に支持される基板に処理液供給部が供給する処理液の流量も、支持部に支持される基板の撓み量に影響を与える事項である。よって、支持部に支持される基板に処理液供給部が供給する処理液の流量に関する命令を処理条件情報が含む場合も、支持部に支持される基板に作用する吸引力を適切に調整できる。

上述した基板処理装置において、
前記気体吹出口は、
前記プレートの前記上面の中央部に配置される第１吹出口と、
前記第１吹出口よりも外方に配置される第２吹出口と、
を含み、
前記制御部は、前記入力部に入力される前記基板形状情報、および、前記入力部に入力される前記処理条件情報の少なくともいずれかに応じて、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量の少なくともいずれかを変えることが好ましい。
これによれば、支持部に支持される基板に作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。よって、支持部に支持される基板の撓み量を一層好適に抑制できる。

上述した基板処理装置において、
前記入力部に入力される前記処理条件情報は、
前記第１吹出口が吹き出す気体の前記流量に関する第１命令、および、
前記第２吹出口が吹き出す気体の前記流量に関する第２命令
の少なくともいずれかを含む
ことが好ましい。
処理条件情報が第１命令を含む場合、第１吹出口が吹き出す気体の流量を制御部は簡易に調整できる。処理条件情報が第２命令を含む場合、第２吹出口が吹き出す気体の流量を制御部は簡易に調整できる。

上述した基板処理装置において、
前記処理液供給部は、前記支持部に支持される基板の上面に、処理液を供給する
ことが好ましい。
処理ユニットは、基板の上面を好適に処理できる。

本発明によれば、基板を適切に処理できる。

第１実施形態の基板処理装置の平面図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 基板の平面図である。 図４（ａ）はＡ型基板の断面図であり、図４（ｂ）はＢ型基板の断面図であり、図４（ｃ）はＣ型基板の断面図である。 処理ユニットの構成を模式的に示す図である。 プレートの平面図である。 第１実施形態の制御部の制御および処理ユニットの動作の手順を示すフローチャートである。 第２実施形態の制御部の制御および処理ユニットの動作の手順を示すフローチャートである。 第３実施形態の制御部の制御および処理ユニットの動作の手順を示すフローチャートである。 第４実施形態の制御部の制御および処理ユニットの動作の手順を示すフローチャートである。 第５実施形態の制御部の制御および処理ユニットの動作の手順を示すフローチャートである。 第６実施形態の制御部の制御および処理ユニットの動作の手順を示すフローチャートである。 変形実施形態に係る処理ユニットを模式的に示す図である。 変形実施形態に係るプレートの平面図である。

［第１実施形態］
＜基板処理装置の概要＞
図１は、第１実施形態の基板処理装置の平面図である。基板処理装置１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに処理を行う。

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

基板処理装置１は、インデクサ部２を備える。インデクサ部２は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部３を備える。各キャリア載置部３はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）である。

キャリアＣは、バーコード（不図示）を有する。バーコードは、キャリアＣを識別するため、または、キャリアＣ内の基板Ｗを識別するための識別子である。バーコードは、例えば、キャリアＣの外面に付される。

インデクサ部２は、バーコードリーダ４を備える。バーコードリーダ４は、キャリア載置部３に載置されたキャリアＣに付されるバーコードを読み取る。バーコードリーダ４は、例えば、キャリア載置部３に取り付けられる。

インデクサ部２は、搬送機構５を備える。搬送機構５は、各キャリア載置部３に載置されるキャリアＣにアクセス可能である。搬送機構５は、キャリア載置部３に載置されるキャリアＣに基板Ｗを搬送する。搬送機構５は、ハンド５ａとハンド駆動部５ｂを備える。ハンド５ａは、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａに連結される。ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを移動する。例えば、ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを水平方向に平行移動する。例えば、ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを鉛直方向に平行移動する。例えば、ハンド駆動部５ｂは、ハンド５ａを回転軸線回りに回転移動する。ハンド５ａの回転軸線は、例えば、鉛直方向と平行である。

インデクサ部２は、存否検出部６を備える。存否検出部６は、ハンド５ａが基板Ｗを支持しているか否かを検出する。すなわち、存否検出部６は、搬送機構５が基板Ｗを搬送しているか否かを検出する。存否検出部６は、例えば、ハンド５ａに取り付けられる。

基板処理装置１は、処理ブロック１１を備える。処理ブロック１１はインデクサ部２に接続される。

処理ブロック１１は、載置部１２を備える。載置部１２は、複数枚の基板Ｗを載置する。

処理ブロック１１は、形状検出部１３を備える。形状検出部１３は、載置部１２に載置される基板Ｗの形状を検出する。形状検出部１３は、例えば、基板Ｗを撮像するイメージセンサである。イメージセンサは、例えば、一次元イメージセンサや二次元イメージセンサである。形状検出部１３は、例えば、載置部１２に取り付けられる。

処理ブロック１１は、複数の処理ユニット１４を備える。各処理ユニット１４は、１枚の基板Ｗを処理する。

処理ブロック１１は、搬送機構１５を備える。搬送機構１５は、載置部１２と全ての処理ユニット１４にアクセス可能である。搬送機構１５は、載置部１２と処理ユニット１４に基板Ｗを搬送する。搬送機構１５は、ハンド１５ａとハンド駆動部１５ｂを備える。ハンド１５ａは、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部１５ｂは、ハンド１５ａに連結される。ハンド駆動部１５ｂは、ハンド１５ａを移動する。例えば、ハンド駆動部１５ｂは、ハンド１５ａを水平方向に平行移動する。例えば、ハンド駆動部１５ｂは、ハンド１５ａを鉛直方向に平行移動する。例えば、ハンド駆動部１５ｂは、ハンド１５ａを回転軸線回りに回転移動する。ハンド１５ａの回転軸線は、例えば、鉛直方向と平行である。

処理ブロック１１は、存否検出部１６を備える。存否検出部１６は、ハンド１５ａが基板Ｗを支持しているか否かを検出する。すなわち、存否検出部１６は、搬送機構１５が基板Ｗを搬送しているか否かを検出する。存否検出部１６は、例えば、ハンド１５ａに取り付けられる。

載置部１２は、搬送機構５と搬送機構１５の間に配置される。搬送機構５は載置部１２にもアクセス可能である。搬送機構５は載置部１２に基板Ｗを搬送する。載置部１２は、搬送機構５と搬送機構１５の間で搬送される基板Ｗを載置する。

基板処理装置１は、入力部１７を備える。ユーザーは、入力部１７に情報を入力できる。入力部１７は、例えば、インデクサ部２の外面に取り付けられている。

基板処理装置１は、制御部１８を備える。制御部１８は、バーコードリーダ４、存否検出部６、１６および形状検出部１３の検出結果を取得する。制御部１８は、入力部１７に入力された情報を取得する。制御部１８は、搬送機構５、１５と処理ユニット１４を制御する。具体的には、制御部１８は、搬送機構５のハンド駆動部５ｂと、搬送機構１５のハンド駆動部１５ｂを制御する。

図２は、基板処理装置１の制御ブロック図である。制御部１８は、バーコードリーダ４、搬送機構５、１５、存否検出部６、１６、形状検出部１３、処理ユニット１４および入力部１７と通信可能に接続される。

制御部１８は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。記憶媒体は、各種の情報を予め格納している。記憶媒体は、例えば、搬送機構５、１５の動作条件に関する情報を記憶する。記憶媒体は、例えば、基板Ｗを処理するための処理レシピ（処理プログラム）を記憶する。処理レシピは、処理ユニット１４の処理条件を規定する。記憶媒体は、例えば、各基板Ｗを識別するための情報を記憶する。

基板処理装置１の動作例を説明する。搬送機構５は、キャリア載置部３上のキャリアＣから載置部１２に基板Ｗを搬送する。搬送機構１５は、載置部１２から処理ユニット１４に基板Ｗを搬送する。処理ユニット１４は、基板Ｗを処理する。搬送機構１５は、処理ユニット１４から載置部１２に基板Ｗを搬送する。搬送機構５は、載置部１２からキャリア載置部３上のキャリアＣに基板Ｗを搬送する。

＜基板Ｗの形状＞
図３は、基板Ｗの平面図である。基板Ｗの基本的な形状を説明する。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、平面視で略円形状を有する。基板Ｗは、周縁部２２と主部２３を有する。主部２３は、周縁部２２の内側に位置する基板Ｗの部分である。半導体デバイスは、主部２３に形成される。図３は、便宜上、周縁部２２と主部２３の境界を破線で示す。

基板処理装置１は、異なる形状の基板Ｗを処理可能である。以下では、形状の異なる３種類の基板Ｗを例示する。便宜上、形状の異なる３種類の基板Ｗをそれぞれ、Ａ型基板ＷＡ、Ｂ型基板ＷＢ、Ｃ型基板ＷＣと呼ぶ。

図４（ａ）は、Ａ型基板ＷＡの断面図である。Ａ型基板ＷＡは、主部２３が周縁部２２よりも凹むことによって形成される凹部２４を含み、かつ、ガラス製の保護プレートを含まない基板Ｗである。凹部２４は、例えば、研削処理（グラインド処理）によって形成される。Ａ型基板ＷＡは、基板本体２１のみから構成されてもよい。あるいは、Ａ型基板ＷＡは、基板本体２１に加えて、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シートおよび樹脂フィルムの少なくともいずれかを含んでもよい。

図４（ｂ）は、Ｂ型基板ＷＢの断面図である。Ｂ型基板ＷＢは、凹部２４を含み、かつ、ガラス製の保護プレート２５を含む基板Ｗである。具体的には、Ｂ型基板ＷＢは、基板本体２１と保護プレート２５を含む。保護プレート２５は、例えば、基板本体２１に貼り付けられる。Ｂ型基板ＷＢは、さらに、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シートおよび樹脂フィルムの少なくともいずれかを含んでもよい。

図４（ｃ）は、Ｃ型基板ＷＣの断面図である。Ｃ型基板ＷＣは、凹部２４を含まない基板Ｗである。Ｃ型基板ＷＣは、基板本体２１のみから構成されてもよい。あるいは、Ｃ型基板ＷＣは、基板本体２１に加えて、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シート、樹脂フィルムおよび保護プレート２５の少なくともいずれかを含んでもよい。

Ａ型基板ＷＡの主部２３は、Ｂ型基板ＷＢの主部２３よりも薄い。Ａ型基板ＷＡの主部２３は、Ｃ型基板ＷＣの主部２３よりも薄い。Ａ型基板ＷＡは、Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣよりも剛性が低い。Ａ型基板ＷＡは、Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣよりも撓みやすい。

具体的には、Ａ型基板ＷＡの主部２３は、厚みＴＡ１を有する。Ｂ型基板ＷＢの主部２３は、厚みＴＢ１を有する。Ｃ型基板ＷＣの主部２３は、厚みＴＣ１を有する。厚みＴＡ１は、厚みＴＢ１よりも小さい。厚みＴＡ１は、厚みＴＣ１よりも小さい。厚みＴＡ１は、例えば、１０［μｍ］以上２００［μｍ］以下である。厚みＴＢ１は、例えば、８００［μｍ］以上１２００［μｍ］以下である。厚みＴＣ１は、例えば、６００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下である。

Ａ型基板ＷＡの周縁部２２は、厚みＴＡ２を有する。Ｂ型基板ＷＢの周縁部２２は、厚みＴＢ２を有する。Ｃ型基板ＷＣの周縁部２２は、厚みＴＣ２を有する。厚みＴＡ２は、厚みＴＢ２よりも小さい。厚みＴＡ２は、例えば、厚みＴＣ２と同じである。厚みＴＡ２は、例えば、６００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下である。厚みＴＢ２は、例えば、１４００［μｍ］以上２２００［μｍ］以下である。厚みＴＣ２は、例えば、６００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下である。

Ａ型基板ＷＡは、本発明における薄基板の例である。Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣは、本発明における厚基板の例である。以下では、Ａ型基板ＷＡを、適宜に「薄基板Ｗｐ」と呼ぶ。Ｂ型基板ＷＢおよびＣ型基板ＷＣを、適宜に「厚基板Ｗｑ」と呼ぶ。

＜処理ユニット１４の構成＞
図１を参照する。処理ユニット１４は、基板保持部３１とガード６１を備える。基板保持部３１は、１枚の基板Ｗを保持する。基板保持部３１は、基板Ｗを水平姿勢で保持する。ガード６１は、基板保持部３１の側方を囲むように配置される。

図５は、処理ユニット１４の構成を模式的に示す図である。図５は、ガード６１の図示を省略する。処理ユニット１４は、さらに、回転駆動部４５と処理液供給部５１を備える。回転駆動部４５は、基板保持部３１を回転する。処理液供給部５１は、基板保持部３１に保持される基板Ｗに処理液を供給する。ガード６１は、基板Ｗから飛散した処理液を受ける。

基板保持部３１は、プレート３２を備える。プレート３２は、略円盤形状を有する。プレート３２は、上面３２ａを有する。上面３２ａは、略水平である。上面３２ａは、略平坦である。

回転駆動部４５は、プレート３２の下部に連結される。回転駆動部４５は、プレート３２を回転軸線Ａ回りに回転する。回転軸線Ａは、鉛直方向と平行である。回転駆動部４５は、プレート３２の中心を通る。より具体的には、回転駆動部４５は、回転シャフト４６を備える。回転シャフト４６は、鉛直方向に延びる。回転シャフト４６は、回転軸線Ａ上に配置される。回転シャフト４６は、プレート３２の下部に接続される。回転駆動部４５は、さらに、不図示のモータを備える。モータは、回転シャフト４６に連結される。モータは、回転シャフト４６を回転軸線Ａ回りに回転する。

回転駆動部４５は、さらに、基板保持部３１（プレート３２）の回転速度を変えることができる。

図６は、プレート３２の平面図である。プレート３２の上面３２ａは、平面視において、円形である。プレート３２の上面３２ａは、平面視において、基板Ｗよりも大きい。

基板保持部３１は、複数（例えば３０個）の固定ピン３３を備える。固定ピン３３は、基板Ｗを支持する。各固定ピン３３は、プレート３２に固定される。各固定ピン３３は、プレート３２に対して移動不能である。各固定ピン３３は、プレート３２に対して回転不能である。各固定ピン３３は、プレート３２に対して移動可能な可動部を有しない。

固定ピン３３は、プレート３２の上面３２ａに配置される。固定ピン３３は、プレート３２の上面３２ａの周縁部に配置される。固定ピン３３は、平面視で、回転軸線Ａ回りの円周上に配列される。各固定ピン３３は、互いに離れている。

図５を参照する。固定ピン３３は、プレート３２の上面３２ａから上方に突出する。固定ピン３３は、基板Ｗの下面２６と接触する。より詳しくは、固定ピン３３は、基板Ｗの周縁部２２における下面２６と接触する。これにより、固定ピン３３は、プレート３２の上面３２ａよりも高い位置で基板Ｗを支持する。図６は、固定ピン３３に支持される基板Ｗを破線で示す。固定ピン３３が基板Ｗを支持するとき、基板Ｗの中心は、回転軸線Ａ上に位置する。

固定ピン３３は、基板Ｗの上面２７と接触しない。固定ピン３３は、基板Ｗが固定ピン３３に対して上方に移動することを許容する。固定ピン３３は、基板Ｗの端縁２８と接触しない。固定ピン３３自体は、基板Ｗが固定ピン３３に対して滑ることを許容する。このように、固定ピン３３自体は、基板Ｗを保持しない。

基板保持部３１は、気体吹出口３４を備える。気体吹出口３４は、プレート３２の上面３２ａに形成される。気体吹出口３４は、平面視において、固定ピン３３に支持される基板Ｗと重なる位置に配置される。気体吹出口３４は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの下方に配置される。気体吹出口３４は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの下方の位置から、気体を吹き出す。気体吹出口３４は、上方に気体を吹き出す。気体吹出口３４は、プレート３２の上面３２ａと固定ピン３３に支持される基板Ｗの下面２６との間に、気体を吹き出す。気体吹出口３４が吹き出す気体は、例えば、窒素ガスや空気である。気体吹出口３４が吹き出す気体は、例えば、高圧ガスまたは圧縮ガスである。気体は、プレート３２の上面３２ａと固定ピン３３に支持される基板Ｗの下面２６の間に供給される。気体は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの下面２６に沿って流れる。これにより、気体吹出口３４は、基板Ｗを吸引する。具体的には、気体が基板Ｗの下面２６に沿って流れることによって、負圧が形成される。すなわち、基板Ｗの下面２６が受ける気圧は、基板Ｗの上面２７が受ける気圧よりも、小さい。ベルヌーイの原理により、基板Ｗに下向きの力が働く。すなわち、基板Ｗが下方に吸引される。基板Ｗは気体吹出口３４およびプレート３２に向かって吸引される。ただし、気体吹出口３４は、基板Ｗと接触しない。プレート３２も、基板Ｗと接触しない。

気体吹出口３４が基板Ｗを下方に吸引し、かつ、固定ピン３３が基板Ｗの下面２６と接触することによって、基板Ｗは支持され、かつ、所定の位置に保たれる。基板Ｗに働く吸引力によって、基板Ｗは固定ピン３３に対して水平方向に滑らない。すなわち、基板保持部３１は、固定ピン３３に支持される基板Ｗを保持する。

気体吹出口３４が吹き出す気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。

「基板保持部３１に保持される基板Ｗ」は、「固定ピン３３に支持される基板Ｗ」と同じである。

固定ピン３３は、本発明における支持部の例である。

気体吹出口３４は、第１吹出口３５と第２吹出口３６を備える。第１吹出口３５と第２吹出口３６はそれぞれ、プレート３２の上面３２ａに形成される。第１吹出口３５は、プレート３２の上面３２ａの中央部に配置される。第１吹出口３５は、プレート３２の回転軸線Ａ上に配置される。第２吹出口３６は、第１吹出口３５よりも、外方に配置される。第２吹出口３６は、固定ピン３３よりも、内方に配置される。「内方」は、回転軸線Ａに向かう方向である。「内方」は、回転軸線Ａに近づく方向である。「外方」は、内方とは反対の方向である。「外方」は、回転軸線Ａから遠ざかる方向である。平面視において、第２吹出口３６と回転軸線Ａとの距離は、第１吹出口３５と回転軸線Ａとの距離よりも大きい。平面視において、第２吹出口３６と回転軸線Ａとの距離は、固定ピン３３と回転軸線Ａとの距離よりも小さい。第２吹出口３６は、固定ピン３３に近い位置に配置される。第２吹出口３６は、プレート３２の上面３２ａの周縁部に配置される。

第１吹出口３５は、１つの開口３５ａによって構成される。第２吹出口３６は、複数の開口３６ａによって構成される。開口３６ａは、平面視で、回転軸線Ａ回りの円周上に配列される。

第１吹出口３５は気体を上方に吹き出す。第１吹出口３５が吹き出す気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。第２吹出口３６は気体を上方に吹き出す。第２吹出口３６が吹き出す気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。

処理ユニット１４は、気体供給路３８を備える。気体供給路３８は、気体吹出口３４に気体を供給する。

気体供給路３８は、第１気体供給路３８ａと第２気体供給路３８ｂを備える。第１気体供給路３８ａは、第１吹出口３５に気体を供給する。第２気体供給路３８ｂは、第２吹出口３６に気体を供給する。第１気体供給路３８ａは、第１端と第２端を有する。第２気体供給路３８ｂは、第１端と第２端を有する。第１気体供給路３８ａの第１端は、第１吹出口３５に接続される。第２気体供給路３８ｂの第１端は、第２吹出口３６に接続される。第１気体供給路３８ａの第２端は、第２気体供給路３８ｂの第２端に接続される。第１気体供給路３８ａの一部および第２気体供給路３８ｂの一部は、プレート３２の内部に形成される。

気体供給路３８は、さらに、共通気体供給路３８ｃを備える。共通気体供給路３８ｃは、第１気体供給路３８ａ、および、第２気体供給路３８ｂに、気体を供給する。すなわち、気体供給路３８は、第１吹出口３５、および、第２吹出口３６に、気体を供給する。共通気体供給路３８ｃは、第１端と第２端を有する。共通気体供給路３８ｃの第１端は、第１気体供給路３８ａの第２端、および、第２気体供給路３８ｂの第２端に接続される。共通気体供給路３８ｃの第２端は、気体供給源３９に接続される。

このように、第１気体供給路３８ａと第２気体供給路３８ｂは、互いに並列に、気体供給源３９に連通接続される。

処理ユニット１４は、吹出調整部４０を備える。吹出調整部４０は、気体吹出口３４が気体を吹き出す気体の流量を調整する。

吹出調整部４０は、第１吹出調整部４１と第２吹出調整部４２を備える。第１吹出調整部４１は、第１気体供給路３８ａに設けられる。第１吹出調整部４１は、第１吹出口３５が吹き出す気体の流量を調整する。すなわち、第１吹出調整部４１は、第１吹出口３５に供給される気体の流量を調整する。第２吹出調整部４２は、第２気体供給路３８ｂに設けられる。第２吹出調整部４２は、第２吹出口３６が吹き出す気体の流量を調整する。すなわち、第２吹出調整部４２は、第２吹出口３６に供給される気体の流量を調整する。

第１吹出調整部４１は、第２吹出口３６が吹き出す気体の流量を調整不能である。第２吹出調整部４２は、第１吹出口３５が吹き出す気体の流量を調整不能である。第１吹出調整部４１と第２吹出調整部４２は、互いに独立して、作動可能である。よって、吹出調整部４０は、第１吹出口３５が吹き出す気体の流量と、第２吹出口３６が吹き出す気体の流量を、互いに独立して、調整可能である。吹出調整部４０は、第１吹出口３５が吹き出す気体の流量と、第２吹出口３６が吹き出す気体の流量を、個別に、調整可能である。第１吹出調整部４１と第２吹出調整部４２はそれぞれ、例えば、流量調整弁を含む。第１吹出調整部４１と第２吹出調整部４２はそれぞれ、さらに、開閉弁を含んでもよい。

処理液供給部５１は、ノズル５２を備える。ノズル５２は、処理液を吐出する。ノズル５２は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの上面２７に処理液を供給する。ノズル５２は、固定ピン３３に支持される基板Ｗよりも高い位置に配置される。ノズル５２は、処理液を下方に吐出する。

処理ユニット１４は、不図示のノズル移動機構を備える。ノズル移動機構は、ノズル５２を、処理位置と退避位置に移動する。図５は、処理位置にあるノズル５２を破線で示す。図５は、退避位置にあるノズル５２を実線で示す。処理位置は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの上方の位置である。ノズル５２が処理位置にあるとき、ノズル５２は、平面視において、固定ピン３３に支持される基板Ｗと重なる。ノズル５２が退避位置にあるとき、ノズル５２は、平面視において、固定ピン３３に支持される基板Ｗと重ならない。

処理液供給部５１は、配管５３を備える。配管５３は、ノズル５２に処理液を供給する。配管５３は、第１端と第２端を有する。配管５３の第１端は、ノズル５２に接続される。配管５３の第２端は、処理液供給源５４に接続される。

処理ユニット１４は、流量調整部５７を備える。流量調整部５７は、配管５３に設けられる。流量調整部５７は、処理液供給部５１が基板Ｗに供給する処理液の流量を調整する。すなわち、流量調整部５７は、ノズル５２が吐出する処理液の流量を調整する。

処理ユニット１４は、形状検出部６３を備える。形状検出部６３は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状を検出する。形状検出部６３は、例えば、基板Ｗを撮像するイメージセンサである。イメージセンサは、例えば、一次元イメージセンサや二次元イメージセンサである。形状検出部６３は、例えば、プレート３２の上方に配置される。形状検出部６３は、例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗの上方に配置される。

図２を参照する。制御部１８は、形状検出部６３の検出結果を取得する。制御部１８は、吹出調整部４０と回転駆動部４５と流量調整部５７を制御する。具体的には、制御部１８は、第１吹出調整部４１と第２吹出調整部４２を制御する。さらに、制御部は、不図示のノズル移動機構を制御する。

＜第１実施形態の処理ユニット１４の動作例＞
第１実施形態の処理ユニット１４の動作例では、制御部１８は、基板Ｗの主部２３の厚みに応じて、気体吹出口３４が吹き出す気体の流量を変える。

図７は、制御部１８の制御および処理ユニット１４の動作の手順を示すフローチャートである。

ステップＳ１
バーコードリーダ４は、キャリアＣに付されるバーコードを読み取る。バーコードリーダ４は、バーコードリーダ４の検出結果を制御部１８に出力する。形状検出部１３は、載置部１２に載置される基板Ｗの形状を検出する。形状検出部６３は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状を検出する。形状検出部１３、６３は、形状検出部１３、６３の検出結果を制御部１８に出力する。

ステップＳ２
制御部１８は、バーコードリーダ４と形状検出部１３、６３の検出結果を取得する。制御部１８は、バーコードリーダ４と形状検出部１３、６３の検出結果に基づいて、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状を判定する。具体的には、制御部１８は、基板Ｗの主部２３の厚みを特定する。

なお、制御部１８は、キャリアＣから基板Ｗが搬出された後においても、基板Ｗの位置と基板Ｗの形状と関連付けて、管理する。具体的には、制御部１８は、搬送機構５、１５が各時刻において搬送する基板Ｗの形状、各時刻において載置部１２に載置される基板Ｗの形状、各時刻において固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状を、管理する。制御部１８が基板Ｗの位置および基板Ｗの形状を管理するとき、制御部１８は形状検出部１３、６３の検出結果および存否検出部６、１６の検出結果を適宜に参照してもよい。

ステップＳ３
制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状に応じて、気体吹出口３４が吹き出す気体の流量を決定する。以下では、気体吹出口３４が吹き出す気体の流量を、「吹出量ＱＴ」と略記する。制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状に応じて、吹出量ＱＴを変える。

具体的には、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに含まれる主部２３の厚みに応じて、吹出量ＱＴを決定する。制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに含まれる主部２３の厚みに応じて、吹出量ＱＴを変える。

より具体的には、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに含まれる主部２３の厚みに応じて、第１吹出口３５が吹き出す気体の流量および第２吹出口３６が吹き出す気体の流量を決定する。以下では、第１吹出口３５が吹き出す気体の流量を、「吹出量ＱＣ」と略記する。第２吹出口３６が吹き出す気体の流量を、「吹出量ＱＥ」と略記する。制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに含まれる主部２３の厚みに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥを変える。

吹出量ＱＣと吹出量ＱＥの合計は、吹出量ＱＴに相当する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗに含まれる主部２３が大きな厚みを有するほど、吹出量ＱＴが大きくなるように、制御部１８は吹出量ＱＴを決定する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗに含まれる主部２３が大きな厚みを有するほど、吹出量ＱＣが大きくなるように、制御部１８は吹出量ＱＣを決定する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが第１厚みを有する主部２３を含むとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを第１吹出量Ｑ１ａに決定する。固定ピン３３に支持される基板Ｗが第１厚みよりも大きな第２厚みを有する主部２３を含むとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを、第１吹出量Ｑ１ａよりも大きな第２吹出量Ｑ２ａに決定する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが基準値ＶＴよりも小さな厚みを有する主部２３を含むとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを第１吹出量Ｑ１ａに決定する。固定ピン３３に支持される基板Ｗが基準値ＶＴよりも大きな厚みを有する主部２３を含むとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを、第１吹出量Ｑ１ａよりも大きな第２吹出量Ｑ２ａに決定する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗに含まれる主部２３が大きな厚みを有するほど、吹出量ＱＥが大きくなるように、制御部１８は、吹出量ＱＥを決定する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが第１厚みを有する主部２３を含むとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを第３吹出量Ｑ３ａに決定する。固定ピン３３に支持される基板Ｗが第１厚みよりも大きな第２厚みを有する主部２３を含むとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを、第３吹出量Ｑ３ａよりも大きな第４吹出量Ｑ４ａに決定する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが基準値ＶＴよりも小さな厚みを有する主部２３を含むとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを第３吹出量Ｑ３ａに決定する。固定ピン３３に支持される基板Ｗが基準値ＶＴよりも大きな厚みを有する主部２３を含むとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを第３吹出量Ｑ３ａよりも大きな第４吹出量Ｑ４ａに決定する。

基準値ＶＴは、予め、設定されている。制御部１８は、基準値ＶＴを予め有している。

基準値ＶＴは、Ａ型基板ＷＡの主部２３の厚みＴＡ１よりも大きく、Ｂ型基板ＷＢの主部２３の厚みＴＢ１およびＣ型基板ＷＣの主部２３の厚みＴＣ１よりも小さいことが好ましい。例えば、基準値ＶＴは、例えば、２００［μｍ］よりも大きく、６００［μｍ］よりも小さいことが好ましい。これによれば、基板ＷがＡ型基板ＷＡであるとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを第１吹出量Ｑ１ａに決定でき、吹出量ＱＥを第３吹出量Ｑ３ａに決定できる。言い換えれば、基板Ｗが薄基板Ｗｐであるとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを第１吹出量Ｑ１ａに決定でき、吹出量ＱＥを第３吹出量Ｑ３ａに決定できる。基板ＷがＢ型基板ＷＢまたはＣ型基板ＷＣであるとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを第２吹出量Ｑ２ａに決定でき、吹出量ＱＥを第４吹出量Ｑ４ａに決定できる。言い換えれば、基板Ｗが厚基板ｗｑであるとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを第２吹出量Ｑ２ａに決定でき、吹出量ＱＥを第４吹出量Ｑ４ａに決定できる。

さらに、制御部１８は、吹出量ＱＥを、吹出量ＱＣよりも大きな値に決定することが好ましい。制御部１８は、第３吹出量Ｑ３ａを、第１吹出量Ｑ１ａよりも大きな値に決定することが好ましい。制御部１８は、第４吹出量Ｑ４ａを、第２吹出量Ｑ２ａよりも大きな値に決定することが好ましい。

ステップＳ４
制御部１８は、処理ユニット１４を制御する。制御部１８は、決定された吹出量ＱＴに基づいて、吹出調整部４０を制御する。制御部１８は、決定された吹出量ＱＣに基づいて、第１吹出調整部４１を制御する。制御部１８は、決定された吹出量ＱＥに基づいて、第２吹出調整部４２を制御する。

ステップＳ５
制御部１８による制御にしたがって、処理ユニット１４は、基板Ｗに処理を行う。具体的には、吹出調整部４０は、決定された吹出量ＱＴで、気体吹出口３４に気体を供給する。第１吹出調整部４１は、決定された吹出量ＱＣで、第１吹出口３５に気体を供給する。第２吹出調整部４２は、決定された吹出量ＱＥで、第２吹出口３６に気体を供給する。気体吹出口３４は、決定された吹出量ＱＴで、気体を吹き出す。第１吹出口３５は、決定された吹出量ＱＣで、気体を吹き出す。第２吹出口３６は、決定された吹出量ＱＥで、気体を吹き出す。

吹出口３４から吹き出された気体は、プレート３２の上面３２ａと固定ピン３３に支持される基板Ｗの下面２６の間に、供給される。気体は、基板Ｗの下面２６に沿って外方に進む。そして、気体は、プレート３２の上面３２ａと固定ピン３３に支持される基板Ｗの下面の間の空間から、流出する。気体は、基板Ｗの周縁部２２よりも外方の空間に、流出する。このような気体の流れにより、吸引力が基板Ｗに作用する。基板保持部３１は、固定ピン３３上の基板Ｗを、吸引力によって、保持する。

特に、第１吹出口３５から吹き出された気体は、基板Ｗの下面２６に沿って外方に進む前に、基板Ｗの下面２６の中央部に当たる。

回転駆動部４５は基板保持部３１を回転する。これにより、固定ピン３３に支持される基板Ｗは回転する。固定ピン３３に支持される基板Ｗは、プレート３２と一体に回転する。流量調整部５７がノズル５２に処理液を供給する。ノズル５２が処理液を吐出する。これにより、処理液供給部５１は、基板Ｗの上面２７に処理液を供給する。処理液は、固定ピン３３に支持される基板Ｗから外方に飛散する。ガード６１は、飛散した処理液を回収する。

ここで、例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗに含まれる主部２３が大きな厚みを有するほど、吹出量ＱＴは大きい。固定ピン３３に支持される基板Ｗに含まれる主部２３が大きな厚みを有するほど、吹出量ＱＣは大きい。固定ピン３３に支持される基板Ｗに含まれる主部２３が大きな厚みを有するほど、吹出量ＱＥは大きい。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗに含まれる主部２３が大きな厚みを有するほど、大きな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが第１厚みを有する主部２３を含むとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に小さい。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗが第１厚みを有する主部２３を含むとき、比較的に小さな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが第１厚みよりも大きな第２厚みを有する主部２３を含むとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に大きい。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗが第１厚みを有する主部２３を含むとき、比較的に大きな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが基準値ＶＴよりも小さな厚みを有する主部２３を含むとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に小さい。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗが基準値ＶＴよりも小さな厚みを有する主部２３を含むとき、比較的に小さな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが基準値ＶＴよりも大きな厚みを有する主部２３を含むとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に大きい。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗが基準値ＶＴよりも大きな厚みを有する主部２３を含むとき、比較的に大きな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板ＷがＡ型基板ＷＡであるとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に小さい。よって、固定ピン３３に支持される基板ＷがＡ型基板ＷＡであるとき、比較的に小さな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板ＷがＢ型基板ＷＢまたはＣ型基板ＷＣであるとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に大きい。よって、固定ピン３３に支持される基板ＷがＢ型基板ＷＢまたはＣ型基板ＷＣであるとき、比較的に大きな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが薄基板Ｗｐであるとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に小さい。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗが薄基板Ｗｐであるとき、比較的に小さな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが厚基板Ｗｑであるとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に大きい。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗが厚基板Ｗｑであるとき、比較的に大きな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、吹出量ＱＥは、吹出量ＱＣよりも大きい。第３吹出量Ｑ３ａは、第１吹出量Ｑ１ａよりも大きい。第４吹出量Ｑ４ａは、第２吹出量Ｑ２ａよりも大きい。

＜第１実施形態の効果＞
基板処理装置１は、処理ユニット１４を備える。処理ユニット１４は基板Ｗを処理する。処理ユニット１４は、プレート３２と固定ピン３３と気体吹出口３４を備える。プレート３２は上面３２ａを有する。固定ピン３３は、プレート３２の上面３２ａから上方に吐出する。固定ピン３３は、基板Ｗの下面２６と接触する。固定ピン３３は、プレート３２の上面３２ａよりも高い位置で基板Ｗを支持する。気体吹出口３４は、プレート３２の上面３２ａに形成される。気体吹出口３４は、気体を上方に吹き出す。すなわち、気体吹出口３４は、プレート３２の上面３２ａと、固定ピン３３に支持される基板Ｗの下面２６との間に、気体を吹き出す。これにより、固定ピン３３上の基板Ｗは、下方に吸引される。基板Ｗに作用する吸引力によって、基板保持部３１は、固定ピン３３上の基板Ｗを好適に保持できる。

処理ユニット１４は、吹出調整部４０を備える。吹出調整部４０は、吹出量ＱＴを調整する。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を容易に調整できる。

処理ユニット１４は、回転駆動部４５を備える。回転駆動部４５はプレート３２を回転する。これにより、固定ピン３３に支持される基板Ｗを好適に回転できる。

処理ユニット１４は、処理液供給部５１と流量調整部５７を備える。処理液供給部５１は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに処理液を供給する。流量調整部５７は、処理液供給部５１が基板Ｗに供給する処理液の流量を調整する。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗに処理液供給部５１が供給する処理液の流量を容易に調整できる。

基板処理装置１は、制御部１８を備える。制御部１８は、処理ユニット１４を制御する。制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状に応じて、吹出量ＱＴを変える。ここで、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状は、基板Ｗが固定ピン３３に支持されるときに基板Ｗが撓む量に影響を与える事項である。よって、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を適切に調整できる。すなわち、固定ピン３３に支持される基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。これにより、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を好適に抑制できる。言い換えれば、固定ピン３３に支持される基板Ｗを水平姿勢に近づけることができる。よって、処理ユニット１４は、基板Ｗを適切に処理できる。例えば、基板Ｗの上面２７にわたって、均一に処理できる。

以上のとおり、基板処理装置１は、基板Ｗを適切に処理できる。

制御部１８は、基板Ｗの主部２３の厚みに応じて、吹出量ＱＴを変える。ここで、基板Ｗの主部２３の厚みは、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量に影響を与える事項である。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を適切に調整できる。これにより、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を好適に抑制できる。

固定ピン３３に支持される基板Ｗに含まれる主部２３が大きな厚みを有するほど、吹出量ＱＴが大きくなるように、制御部１８は吹出量ＱＴを決定する。例えば、基板Ｗの主部２３の厚みが比較的に大きいとき、吹出量ＱＴは比較的に大きい。ここで、基板Ｗの主部２３の厚みが比較的に大きいとき、基板Ｗは比較的高い剛性を有し、かつ、比較的に重い。吹出量ＱＴが比較的に大きいとき、基板Ｗに作用する吸引力は比較的に大きい。よって、基板Ｗの主部２３の厚みが比較的に大きいとき、基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。例えば、基板Ｗの主部２３の厚みが比較的に小さいとき、吹出量ＱＴは比較的に小さい。ここで、基板Ｗの主部２３の厚みが比較的に小さいとき、基板Ｗは比較的に低い剛性を有し、かつ、比較的に軽い。吹出量ＱＴが比較的に小さいとき、基板Ｗに作用する吸引力は比較的に小さい。よって、基板Ｗの主部２３の厚みが比較的に小さいときも、基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。

気体吹出口３４は、第１吹出口３５と第２吹出口３６を含む。第１吹出口３５は、プレート３２の上面３２ａの中央部に配置される。第２吹出口３６は、第１吹出口３５よりも外方に配置される。制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状に応じて、吹出量ＱＣ、および、吹出量ＱＥを変える。このため、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。すなわち、固定ピン３３に支持される基板Ｗを一層適切な吸引力で保持できる。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を一層好適に抑制できる。

吹出調整部４０は、第１吹出調整部４１と第２吹出調整部４２を備える。第１吹出調整部４１は、吹出量ＱＣを調整する。第２吹出調整部４２は、吹出量ＱＥを調整する。このため、吹出調整部４０は、吹出量ＱＣ、および、吹出量ＱＥを、個別に調整できる。よって、制御部１８は、吹出量ＱＣ、および、吹出量ＱＥを、個別に変えることができる。

制御部１８は、基板Ｗの主部２３の厚みに応じて、吹出量ＱＣ、および、吹出量ＱＥを変える。このため、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を一層好適に抑制できる。

基板Ｗの主部２３の厚みが大きいほど、吹出量ＱＣが大きい。よって、基板Ｗの主部２３の厚みに関わらず、基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。

第１吹出口３５が吹き出す気体は、基板Ｗの下面２６の中央部に当たる。このため、基板Ｗの中央部が下方に凸に湾曲することを好適に防止できる。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を効果的に抑制できる。

基板Ｗの主部２３の厚みが大きいほど、吹出量ＱＥが大きい。よって、基板Ｗの主部２３の厚みに関わらず、基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。

基板Ｗの主部２３の厚みに関わらず、吹出量ＱＥは、吹出量ＱＣよりも大きい。このため、気体は、基板Ｗの下面２６における周縁部２２の近傍を、比較的に速く流れる。よって、基板Ｗの周縁部２２に作用する吸引力は、比較的に大きい。基板Ｗの周縁部２２は固定ピン３３と接触する。したがって、基板保持部３１は、基板Ｗを好適に保持できる。

処理液供給部５１は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの上面２７に、処理液を供給する。よって、処理ユニット１４は、基板Ｗの上面２６を好適に処理できる。

処理ユニット１４は、形状検出部６３を備える。形状検出部６３は、基板Ｗの形状を検出する。制御部１８は、形状検出部６３の検出結果を取得する。制御部１８は、形状検出部６３の検出結果に基づいて、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状を判定する。したがって、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状を好適に特定できる。

基板処理装置１は、バーコードリーダ４を備える。バーコードリーダ４は、キャリアＣに付されるバーコードを読み取る。制御部１８は、バーコードリーダ４の検出結果を取得する。制御部１８は、バーコードリーダ４の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定する。したがって、制御部１８は、基板Ｗの形状を好適に特定できる。

基板処理装置１は、形状検出部１３を備える。形状検出部１３は、基板Ｗの形状を検出する。制御部１８は、形状検出部１３の検出結果を取得する。制御部１８は、形状検出部１３の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定する。したがって、制御部１８は、基板Ｗの形状を好適に特定できる。

［第２実施形態］
図面を参照して、第２実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

第２実施形態の基板処理装置１は、第１実施形態の基板処理装置１と略同じ構成を有する。第２実施形態の処理ユニット１４は、第１実施形態の処理ユニット１４と異なる動作を実行する。以下では、第２実施形態の処理ユニット１４の動作を例示する。

＜第２実施形態の処理ユニット１４の動作例＞
第２実施形態の処理ユニット１４の動作例では、制御部１８は、凹部２４が配置される基板Ｗの部位に応じて、吹出量ＱＴを変える。

図８は、制御部１８の制御および処理ユニット１４の動作の手順を示すフローチャートである。

ステップＳ１１
ステップＳ２１は、第１実施形態のステップＳ１と略同じである。

ステップＳ１２
制御部１８は、バーコードリーダ４と形状検出部１３、６３の検出結果を取得する。制御部１８は、バーコードリーダ４と形状検出部１３、６３の検出結果に基づいて、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状を判定する。具体的には、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗが、基板Ｗの上面２７に凹部２４を有するか否かを特定する。以下では、基板Ｗの上面２７に形成される凹部２４を、特に「上凹部２４Ａ」と呼ぶ。上凹部２４Ａは、上方を向く。上凹部２４Ａは、上方に開放される。制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かを特定する。

ステップＳ１３
制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状に応じて、吹出量ＱＴを決定する。制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状に応じて、吹出量ＱＴを変える。

具体的には、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かに応じて、吹出量ＱＴを決定する。制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かに応じて、吹出量ＱＴを変える。

より具体的には、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥを決定する。制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥを変える。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するときの吹出量ＱＴが、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないときの吹出量ＱＴよりも、大きくなるように、制御部１８は吹出量ＱＴを決定する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するときの吹出量ＱＣが、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないときの吹出量ＱＣよりも、大きくなるように、制御部１８は吹出量ＱＴを決定する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを第１吹出量Ｑ１ｂに決定する。固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを、第１吹出量Ｑ１ｂよりも大きな第２吹出量Ｑ２ｂに決定する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するときの吹出量ＱＥが、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないときの吹出量ＱＥよりも、大きくなるように、制御部１８は吹出量ＱＴを決定する。

例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを第３吹出量Ｑ３ｂに決定する。固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを、第３吹出量Ｑ３ｂよりも大きな第４吹出量Ｑ４ｂに決定する。

さらに、制御部１８は、吹出量ＱＥを、吹出量ＱＣよりも大きな値に決定することが好ましい。制御部１８は、第３吹出量Ｑ３ｂを、第１吹出量Ｑ１ｂよりも大きな値に決定することが好ましい。制御部１８は、第４吹出量Ｑ４ｂを、第２吹出量Ｑ２ｂよりも大きな値に決定することが好ましい。

ステップＳ１４
ステップＳ１４は、第１実施形態のステップＳ４と略同じである。

ステップＳ１５
ステップＳ１５は、第１実施形態のステップＳ５と略同じである。

ここで、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、は比較的に小さい。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないとき、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力は比較的に小さい。

固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に大きい。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するとき、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力は比較的に大きい。

吹出量ＱＥは、吹出量ＱＣよりも大きい。第３吹出量Ｑ３ｂは、第１吹出量Ｑ１ｂよりも大きい。第４吹出量Ｑ４ｂは、第２吹出量Ｑ２ｂよりも大きい。

＜第２実施形態の効果＞
第２実施形態においても、第１実施形態と同様の効果を奏する。例えば、第２実施形態においても、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状に応じて、吹出量ＱＴを変える。よって、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を適切に調整できる。これにより、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を好適に抑制できる。よって、処理ユニット１４は、基板Ｗを適切に処理できる。基板処理装置１は、基板Ｗを適切に処理できる。

さらに、第２実施形態では、以下の効果を奏する。固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かは、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量に影響を与える事項である。固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有する場合、処理液は上凹部２４Ａにとどまり易い。固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しない場合、基板Ｗの上面２７は略平坦であり、処理液は基板Ｗの上面２７にとどまりにくい。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有する場合には、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しない場合に比べて、基板Ｗ上にのる処理液の量は多く、基板Ｗに作用する処理液の重さは重い。したがって、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有する場合には、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しない場合に比べて、基板Ｗの撓み量は大きくなり易い。固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かによって、制御部１８は、吹出量ＱＴを変える。よって、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を適切に調整できる。これにより、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を好適に抑制できる。よって、処理ユニット１４は、基板Ｗを適切に処理できる。

固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するときの吹出量ＱＴは、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないときの吹出量ＱＴよりも、大きい。このため、固定ピン３３が上凹部２４Ａを有するか否かに関わらず、基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。

固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かによって、制御部１８は、吹出量ＱＣ、および、吹出量ＱＥを変える。このため、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を一層好適に抑制できる。

固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するときの吹出量ＱＣ（すなわち、第２吹出量Ｑ２ｂ）は、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないときの吹出量ＱＣ（すなわち、第１吹出量Ｑ１ｂ）よりも、大きい。このため、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かに関わらず、基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。

固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するときの吹出量ＱＥ（すなわち、第４吹出量Ｑ４ｂ）は、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有しないときの吹出量ＱＥ（すなわち、第３吹出量Ｑ３ｂ）よりも、大きい。このため、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かに関わらず、基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。

［第３実施形態］
図面を参照して、第３実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

第３実施形態の基板処理装置１は、第１実施形態の基板処理装置１と略同じ構成を有する。第３実施形態の処理ユニット１４は、第１実施形態の処理ユニット１４と異なる動作を実行する。以下では、第３実施形態の処理ユニット１４の動作を例示する。

＜第３実施形態の処理ユニット１４の動作例＞
第３実施形態の処理ユニット１４の動作例では、制御部１８は、プレート３２の回転速度に応じて、吹出量ＱＴを変える。

図９は、制御部１８の制御および処理ユニット１４の動作の手順を示すフローチャートである。

ステップＳ２１
制御部１８は、処理レシピを参照し、処理ユニット１４の処理条件を特定する。具体的には、制御部１８は、プレート３２の回転速度を特定する。プレート３２の回転速度は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの回転速度に相当する。以下では、プレート３２の回転速度を、「回転速度ＲＳ」と略記する。

ステップＳ２２
制御部１８は、処理ユニット１４の処理条件に応じて、吹出量ＱＴを決定する。制御部１８は、処理ユニット１４の処理条件に応じて、吹出量ＱＴを変える。具体的には、制御部１８は、回転速度ＲＳに応じて、吹出量ＱＴを決定する。制御部１８は、回転速度ＲＳに応じて、吹出量ＱＴを変える。

より具体的には、制御部１８は、回転速度ＲＳに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥを決定する。制御部１８は、回転速度ＲＳに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥを変える。

例えば、回転速度ＲＳが大きいほど、吹出量ＱＴが大きくなるように、制御部１８は吹出量ＱＴを決定する。

例えば、回転速度ＲＳが大きいほど、吹出量ＱＣが大きくなるように、制御部１８は吹出量ＱＣを決定する。

例えば、回転速度ＲＳが第１回転速度であるとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを第１吹出量Ｑ１ｃに決定する。回転速度ＲＳが第１回転速度よりも大きな第２回転速度であるとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを、第１吹出量Ｑ１ｃよりも大きな第２吹出量Ｑ２ｃに決定する。

例えば、回転速度ＲＳが基準値ＶＲＳよりも小さいとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを第１吹出量Ｑ１ｃに決定する。回転速度ＲＳが基準値ＶＲＳよりも大きいとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを、第１吹出量Ｑ１ｃよりも大きな第２吹出量Ｑ２ｃに決定する。

例えば、回転速度ＲＳが大きいほど、吹出量ＱＥが大きくなるように、制御部１８は吹出量ＱＥを決定する。

例えば、回転速度ＲＳが第１回転速度であるとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを第３吹出量Ｑ３ｃに決定する。回転速度ＲＳが第１回転速度よりも大きな第２回転速度であるとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを、第３吹出量Ｑ３ｃよりも大きな第４吹出量Ｑ４ｃに決定する。

例えば、回転速度ＲＳが基準値ＶＲＳよりも小さいとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを第３吹出量Ｑ３ｃに決定する。回転速度ＲＳが基準値ＶＲＳよりも大きいとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを、第３吹出量Ｑ３ｃよりも大きな第４吹出量Ｑ４ｃに決定する。

基準値ＶＲＳは、予め、設定されている。制御部１８は、基準値ＶＲＳを予め有している。

さらに、制御部１８は、吹出量ＱＥを、吹出量ＱＣよりも大きな値に決定することが好ましい。制御部１８は、第３吹出量Ｑ３ｃを、第１吹出量Ｑ１ｃよりも大きな値に決定することが好ましい。制御部１８は、第４吹出量Ｑ４ｃを、第２吹出量Ｑ２ｃよりも大きな値に決定することが好ましい。

ステップＳ２３
ステップＳ２３は、第１実施形態のステップＳ４と略同じである。

ステップＳ２４
ステップＳ２４は、第１実施形態のステップＳ５と略同じである。回転駆動部４５は、回転速度ＲＳで、基板保持部３１を回転する。

ここで、例えば、プレート３２の回転速度が大きいほど、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、大きい。よって、プレート３２の回転速度が大きいほど、大きな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、プレート３２の回転速度が第１回転速度であるとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に小さい。よって、プレート３２の回転速度が第１回転速度であるとき、比較的に小さな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、プレート３２の回転速度が第２回転速度であるとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、は比較的に大きい。よって、プレート３２の回転速度が第２回転速度であるとき、比較的に大きな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、プレート３２の回転速度が基準値ＶＲＳよりも小さいとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に小さい。よって、プレート３２の回転速度が基準値ＶＲＳよりも小さいとき、比較的に小さな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、プレート３２の回転速度が基準値ＶＲＳよりも大きいとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に大きい。よって、プレート３２の回転速度が基準値ＶＲＳよりも大きいとき、比較的に大きな吸引力が固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する。

例えば、吹出量ＱＥは、吹出量ＱＣよりも大きい。第３吹出量Ｑ３ｃは、第１吹出量Ｑ１ｃよりも大きい。第４吹出量Ｑ４ｃは、第２吹出量Ｑ２ｃよりも大きい。

＜第３実施形態の効果＞
制御部１８は、回転速度ＲＳに応じて、吹出量ＱＴを変える。ここで、回転速度ＲＳは、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量に影響を与える事項である。よって、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を適切に調整できる。すなわち、固定ピン３３に支持される基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。これにより、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を好適に抑制できる。よって、処理ユニット１４は、基板Ｗを適切に処理できる。基板処理装置１は、基板Ｗを適切に処理できる。

回転速度ＲＳが大きいほど、吹出量ＱＴは大きい。よって、回転速度ＲＳに関わらず、基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。

制御部１８は、回転速度ＲＳに応じて、吹出量ＱＣ、および、吹出量ＱＥを変える。このため、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を一層好適に抑制できる。

回転速度ＲＳが大きいほど、吹出量ＱＣは大きい。よって、回転速度ＲＳに関わらず、基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。

回転速度ＲＳが大きいほど、吹出量ＱＥは大きい。よって、回転速度ＲＳに関わらず、基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。

［第４実施形態］
図面を参照して、第４実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

第４実施形態の基板処理装置１は、第１実施形態の基板処理装置１と略同じ構成を有する。第４実施形態の処理ユニット１４は、第１実施形態の処理ユニット１４と異なる動作を実行する。以下では、第４実施形態の処理ユニット１４の動作を例示する。

＜第４実施形態の処理ユニット１４の動作例＞
第４実施形態の処理ユニット１４の動作例では、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに供給する処理液の流量に応じて、吹出量ＱＴを変える。

図１０は、制御部１８の制御および処理ユニット１４の動作の手順を示すフローチャートである。

ステップＳ３１
制御部１８は、処理レシピを参照し、処理ユニット１４の処理条件を特定する。具体的には、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに処理液供給部５１が供給する処理液の流量を特定する。以下では、固定ピン３３に支持される基板Ｗに処理液供給部５１が供給する処理液の流量を、「流量ＦＲ」と略記する。

ステップＳ３２
制御部１８は、処理条件に応じて、吹出量ＱＴを決定する。制御部１８は、処理条件に応じて、吹出量ＱＴを変える。具体的には、制御部１８は、流量ＦＲに応じて、吹出量ＱＴを決定する。制御部１８は、流量ＦＲに応じて、吹出量ＱＴを変える。

より具体的には、制御部１８は、流量ＦＲに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥを決定する。制御部１８は、流量ＦＲに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥを変える。

例えば、流量ＦＲが大きいほど、吹出量ＱＴが大きくなるように、制御部１８は吹出量ＱＴを決定する。

例えば、流量ＦＲが大きいほど、吹出量ＱＣが大きくなるように、制御部１８は吹出量ＱＣを決定する。

例えば、流量ＦＲが第１流量であるとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを第１吹出量Ｑ１ｄに決定する。流量ＦＲが第１流量よりも大きな第２流量であるとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを、第１吹出量Ｑ１ｄよりも大きな第２吹出量Ｑ２ｄに決定する。

例えば、流量ＦＲが基準値ＶＦＲよりも小さいとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを第１吹出量Ｑ１ｄに決定する。流量ＦＲが基準値ＶＦＲよりも大きいとき、制御部１８は、吹出量ＱＣを、第１吹出量Ｑ１ｄよりも大きな第２吹出量Ｑ２ｄに決定する。

例えば、流量ＦＲが大きいほど、吹出量ＱＥが大きくなるように、制御部１８は吹出量ＱＥを決定する。

例えば、流量ＦＲが第１流量であるとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを第３吹出量Ｑ３ｄに決定する。流量ＦＲが第１流量よりも大きな第２流量であるとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを、第３吹出量Ｑ３ｄよりも大きな第４吹出量Ｑ４ｄに決定する。

例えば、流量ＦＲが基準値ＶＦＲよりも小さいとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを第３吹出量Ｑ３ｄに決定する。流量ＦＲが基準値ＶＦＲよりも大きいとき、制御部１８は、吹出量ＱＥを、第３吹出量Ｑ３ｄよりも大きな第４吹出量Ｑ４ｄに決定する。

基準値ＶＦＲは、予め、設定されている。制御部１８は、基準値ＶＦＲを予め有している。

さらに、制御部１８は、吹出量ＱＥを、吹出量ＱＣよりも大きな値に決定することが好ましい。制御部１８は、第３吹出量Ｑ３ｄを、第１吹出量Ｑ１ｄよりも大きな値に決定することが好ましい。制御部１８は、第４吹出量Ｑ４ｄを、第２吹出量Ｑ２ｄよりも大きな値に決定することが好ましい。

ステップＳ３３
ステップＳ３３は、第１実施形態のステップＳ４と略同じである。

ステップＳ３４
ステップＳ３４は、第１実施形態のステップＳ５と略同じである。
処理液供給部５１は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに、流量ＦＲで、処理液を供給する。

ここで、例えば、流量ＦＲが大きいほど、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、大きい。よって、流量ＦＲが大きいほど、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力は大きい。

例えば、流量ＦＲが第１流量であるとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に小さい。よって、流量ＦＲが第１流量であるとき、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力は比較的に小さい。

例えば、流量ＦＲが第２流量であるとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に大きい。よって、流量ＦＲが第２流量であるとき、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力は比較的に大きい。

例えば、流量ＦＲが基準値ＶＦＲよりも小さいとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に小さい。よって、流量ＦＲが基準値ＶＦＲよりも小さいとき、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力は比較的に小さい。

例えば、流量ＦＲが基準値ＶＦＲよりも大きいとき、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、比較的に大きい。よって、流量ＦＲが基準値ＶＦＲよりも大きいとき、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力は比較的に大きい。

例えば、吹出量ＱＥは、吹出量ＱＣよりも大きい。第３吹出量Ｑ３ｄは、第１吹出量Ｑ１ｄよりも大きい。第４吹出量Ｑ４ｄは、第２吹出量Ｑ２ｄよりも大きい。

＜第４実施形態の効果＞
制御部１８は、流量ＦＲに応じて、吹出量ＱＴを変える。ここで、流量ＦＲは、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量に影響を与える事項である。よって、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を適切に調整できる。すなわち、固定ピン３３に支持される基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。これにより、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を好適に抑制できる。よって、処理ユニット１４は、基板Ｗを適切に処理できる。基板処理装置１は、基板Ｗを適切に処理できる。

流量ＦＲが大きいほど、吹出量ＱＴは大きい。よって、流量ＦＲに関わらず、基板Ｗを好適に保持できる。

制御部１８は、流量ＦＲに応じて、吹出量ＱＣ、および、吹出量ＱＥを変える。このため、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を一層好適に抑制できる。

流量ＦＲが大きいほど、吹出量ＱＣは大きい。よって、流量ＦＲに関わらず、基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。

流量ＦＲが大きいほど、吹出量ＱＥは大きい。よって、流量ＦＲに関わらず、基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。

［第５実施形態］
図面を参照して、第５実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

第５実施形態の基板処理装置１は、第１実施形態の基板処理装置１と略同じ構成を有する。第５実施形態の処理ユニット１４は、第５実施形態の処理ユニット１４と異なる動作を実行する。以下では、第５実施形態の処理ユニット１４の動作を例示する。

＜第５実施形態の処理ユニット１４の動作例＞
第５実施形態の処理ユニット１４の動作例では、制御部１８は、入力部１７に入力された処理条件情報に応じて、吹出量ＱＴを変える。

図１１は、制御部１８の制御および処理ユニット１４の動作の手順を示すフローチャートである。

ステップＳ４１
ユーザーは、入力部１７を操作することにより、入力部１７に処理条件情報を入力する。入力部１７は、処理条件情報を受ける。処理条件情報は、処理ユニット１４の処理条件に関する情報である。処理条件情報は、吹出量ＱＴに関する命令を含む。より具体的には、処理条件情報は、吹出量ＱＣに関する第１命令と吹出量ＱＥに関する第２命令を含む。第１命令は、例えば、吹出量ＱＣの値を規定する。第２命令は、例えば、吹出量ＱＥの値を規定する。

ステップＳ４２
制御部１８は、処理条件情報に応じて、吹出量ＱＴを決定する。制御部１８は、処理条件情報に応じて、吹出量ＱＴを変える。具体的には、制御部１８は、吹出量ＱＴに関する命令に応じて、吹出量ＱＴを決定する。制御部１８は、吹出量ＱＴに関する命令に応じて、吹出量ＱＴを変える。

より具体的には、制御部１８は、第１命令に基づいて、吹出量ＱＣを決定する。制御部１８は、吹出量ＱＣを、第１命令に規定される値に決定する。制御部１８は、第１命令に基づいて、吹出量ＱＣを変える。制御部１８は、第２命令に基づいて、吹出量ＱＥを決定する。制御部１８は、吹出量ＱＥを、第２命令に規定される値に決定する。制御部１８は、第２命令に基づいて、吹出量ＱＥを変える。

ステップＳ４３
ステップＳ４３は、第１実施形態のステップＳ４と略同じである。

ステップＳ４４
ステップＳ４４は、第１実施形態のステップＳ５と略同じである。

＜第５実施形態の効果＞
制御部１８は、処理条件情報に応じて、吹出量ＱＴを変える。ここで、処理ユニット１４の処理条件は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量に影響を与える事項である。よって、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を適切に調整できる。すなわち、固定ピン３３に支持される基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。これにより、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を好適に抑制できる。よって、処理ユニット１４は、基板を適切に処理できる。基板処理装置１は、基板Ｗを適切に処理できる。

基板処理装置１は、処理条件情報を入力可能な入力部１７を備える。よって、制御部１８は、処理条件情報に容易に取得できる。したがって、制御部１８は、処理条件情報に応じて、吹出量ＱＴを容易に変えることができる。

入力部１７に入力される処理条件情報は、吹出量ＱＴに関する命令を含む。よって、制御部１８は吹出量ＱＴを簡易に調整できる。

制御部１８は、入力部に入力される処理条件情報に応じて、吹出量ＱＣ、および、吹出量ＱＥを変える。このため、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を一層好適に抑制できる。

入力部１７に入力される処理条件情報は、第１命令を含む。よって、制御部１８は吹出量ＱＣを簡易に調整できる。

入力部１７に入力される処理条件情報は、第２命令を含む。よって、制御部１８は吹出量ＱＥを簡易に調整できる。

［第６実施形態］
図面を参照して、第６実施形態の基板処理装置１を説明する。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

第６実施形態の基板処理装置１は、第１実施形態の基板処理装置１と略同じ構成を有する。第６実施形態の処理ユニット１４は、第６実施形態の処理ユニット１４と異なる動作を実行する。以下では、第６実施形態の処理ユニット１４の動作を例示する。

＜第６実施形態の処理ユニット１４の動作例＞
第６実施形態の処理ユニット１４の動作例では、制御部１８は、入力部１７に入力される基板形状情報に応じて、吹出量ＱＴを変える。

図１２は、制御部１８の制御および処理ユニット１４の動作の手順を示すフローチャートである。

ステップＳ５１
ユーザーは、入力部１７を操作することにより、入力部１７に基板形状情報を入力する。入力部１７は、基板形状情報を受ける。基板形状情報は、基板Ｗの形状に関する情報である。基板形状情報は、基板Ｗに含まれる主部２３の厚みに関する情報を含む。

ステップＳ５２
制御部１８は、基板形状情報に応じて、吹出量ＱＴを決定する。制御部１８は、基板形状情報に応じて、吹出量ＱＴを変える。具体的には、制御部１８は、基板形状情報によって規定される主部２３の厚みに応じて、吹出量ＱＴを決定する。制御部１８は、基板形状情報によって規定される主部２３の厚みに応じて、吹出量ＱＴを変える。

より具体的には、制御部１８は、基板形状情報によって規定される主部２３の厚みに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥを決定する。制御部１８は、基板形状情報によって規定される主部２３の厚みに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥを変える。

ステップＳ５３
ステップＳ５３は、第１実施形態のステップＳ４と略同じである。

ステップＳ５４
ステップＳ５４は、第１実施形態のステップＳ５と略同じである。

＜第６実施形態の効果＞
制御部１８は、基板形状情報に応じて、吹出量ＱＴを変える。ここで、基板Ｗの形状は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量に影響を与える事項である。よって、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を適切に調整できる。すなわち、固定ピン３３に支持される基板Ｗを適切な吸引力で保持できる。これにより、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を好適に抑制できる。よって、処理ユニット１４は、基板を適切に処理できる。基板処理装置１は、基板Ｗを適切に処理できる。

基板処理装置１は、基板形状情報を入力可能な入力部１７を備える。よって、制御部１８は、基板形状情報に容易に取得できる。したがって、制御部１８は、基板形状情報に応じて、吹出量ＱＴを容易に変えることができる。

入力部１７に入力される基板形状情報は、基板Ｗの主部２３の厚みに関する情報を含む。ここで、基板Ｗの主部２３の凹部の厚みは、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量に影響を与える事項である。よって、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を適切に調整できる。

制御部１８は、入力部に入力される基板形状情報に応じて、吹出量ＱＣ、および、吹出量ＱＥを変える。このため、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を、きめ細かく調整できる。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を一層好適に抑制できる。

本発明は、第１−第６実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

上述した第１−第６実施形態では、固定ピン３３は基板Ｗの下面２６と接触する。但し、これに限られない。例えば、固定ピン３３は、基板Ｗの下面２６および基板Ｗの端縁２８の少なくともいずれかと接触してもよい。例えば、固定ピン３３は、基板Ｗの端縁２８に、斜め下方から接触してもよい。

第１−第６実施形態では、制御部１８は、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥを変える。但し、これに限られない。制御部１８は、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。例えば、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状に応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。例えば、制御部１８は、基板Ｗの主部２３の厚みに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かによって、制御部１８は、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。例えば、制御部１８は、回転速度ＲＳに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。例えば、制御部１８は、流量ＦＲに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。例えば、制御部１８は、基板形状情報に応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。例えば、制御部１８は、処理条件情報に応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。上述した各変形実施形態によっても、制御部１８は、吹出量ＱＴを好適に変えることができる。

第１、第２実施形態では、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状に応じて、吹出量ＱＴを変える。第３実施形態では、制御部１８は、回転速度ＲＳに応じて、吹出量ＱＴを変える。第４実施形態では、制御部１８は、流量ＦＲに応じて、吹出量ＱＴを変える。但し、これに限られない。制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状、回転速度ＲＳ、および、流量ＦＲの少なくともいずれか１つに応じて、吹出量ＱＴを変えてもよい。制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状、回転速度ＲＳ、および、流量ＦＲの少なくともいずれか１つに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。

第１実施形態では、制御部１８は、基板Ｗの主部２３の厚みに応じて、吹出量ＱＴを変える。第２実施形態では、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するいか否かに応じて、吹出量ＱＴを変える。但し、これに限られない。制御部１８は、基板Ｗの主部２３の厚み、および、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するいか否かの少なくともいずれか１つに応じて、吹出量ＱＴを変えてもよい。制御部１８は、基板Ｗの主部２３の厚み、および、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するいか否かの少なくともいずれか１つに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。

第５実施形態では、制御部１８は、処理条件情報に応じて、吹出量ＱＴを変える。第６実施形態では、制御部１８は、基板形状情報に応じて、吹出量ＱＴを変える。但し、これに限られない。制御部１８は、基板形状情報、および、処理条件情報の少なくともいずれか１つに応じて、吹出量ＱＴを変えてもよい。制御部１８は、基板形状情報、および、処理条件情報の少なくともいずれか１つに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。

第５実施形態では、吹出量ＱＴに関する命令は、第１命令と第２命令を含む。すなわち、吹出量ＱＴに関する命令は、吹出量ＱＣの値、および、吹出量ＱＥの値を規定する。但し、これに限られない。吹出量ＱＴに関する命令は、吹出量ＱＴの値を規定してもよい。

第５実施形態では、処理条件情報は、吹出量ＱＴに関する命令を含む。但し、これに限られない。処理条件情報は、吹出量ＱＴに関する命令、回転速度ＲＳに関する命令、および、流量ＦＲに関する命令の少なくともいずれかを含んでもよい。回転速度ＲＳに関する情報は、例えば、回転速度ＲＳの値を規定する。流量ＦＲに関する情報は、例えば、流量ＦＲの値を規定する。回転速度ＲＳは、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量に影響を与える事項である。流量ＦＲも、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量に影響を与える事項である。よって、本変形実施形態によっても、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を適切に調整できる。

第５実施形態では、処理条件情報は、第１命令と第２命令を含む。但し、これに限られない。処理条件情報は、第１命令および第２命令の少なくともいずれかを含んでもよい。制御部１８は、第１命令、および、第２命令の少なくともいずれかに応じて、吹出量ＱＴを変えてもよい。制御部１８は、第１命令、および、第２命令の少なくともいずれかに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。

第６実施形態では、基板形状情報は、主部２３の厚みに関する情報を含む。但し、これに限られない。主部２３の厚みに関する情報を、第１基板形状情報と呼ぶ。固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かに関する情報を、第２基板形状情報と呼ぶ。例えば、基板形状情報は、第１基板形状情報、および、第２基板形状情報の少なくともいずれかを含んでもよい。制御部１８は、第１基板形状情報、および、第２基板形状情報の少なくともいずれかに応じて、吹出量ＱＴを変えてもよい。制御部１８は、第１基板形状情報、および、第２基板形状情報の少なくともいずれかに応じて、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥの少なくともいずれかを変えてもよい。本変形実施形態によっても、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を適切に調整できる。

第３、第４実施形態では、制御部１８は、処理レシピを参照して、処理ユニット１４の処理条件を特定する。但し、これに限られない。例えば、制御部１８は、入力部１７に入力される処理条件情報を参照して、処理ユニット１４の処理条件を特定してもよい。

第３実施形態では、回転速度ＲＳが大きいほど、吹出量ＱＴ、ＱＣ、ＱＥはそれぞれ、大きい。但し、これに限られない。例えば、回転速度ＲＳが大きいほど、吹出量ＱＴは小さくてもよい。例えば、回転速度ＲＳが大きいほど、吹出量ＱＣは小さくてもよい。例えば、回転速度ＲＳが大きいほど、吹出量ＱＥは小さくてもよい。

第１−第６実施形態では、吹出調整部４０は、第１吹出調整部４１と第２吹出調整部４２を備える。吹出調整部４０は、吹出量ＱＣと吹出量ＱＥを、個別に調整する。但し、これに限られない。例えば、吹出調整部４０は、一括流吹出調整部（不図示）を備えてもよい。例えば、一括吹出調整部は、共通気体供給路３８ｃに設けられる。一括吹出調整部は、吹出量ＱＣおよび吹出量ＱＥを、一括して、調整する。本変形実施形態によっても、吹出調整部４０は、吹出口３４が吹き出す気体の流量を、好適に調整できる。本変形実施形態では、第１吹出調整部４１と第２吹出調整部４２を省略してもよい。

第１−第６実施形態では、気体吹出口３４は、第１吹出口３５と第２吹出口３６を備える。但し、これに限られない。

図１３は、変形実施形態に係る処理ユニット１４を模式的に示す図である。図１４は、変形実施形態に係るプレート３２の平面図である。なお、第１実施形態と同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

気体吹出口３４は、第１吹出口３５と第２吹出口３６に加えて、第３吹出口３７を備える。第３吹出口３７は、プレート３２の上面３２ａに形成される。第３吹出口３７は、第１吹出口３５よりも、外方に配置される。第３吹出口３７は、第２吹出口３６よりも、内方に配置される。第３吹出口３７は、固定ピン３３よりも、内方に配置される。平面視において、第３吹出口３７と回転軸線Ａとの距離は、第１吹出口３５と回転軸線Ａとの距離よりも大きい。平面視において、第３吹出口３７と回転軸線Ａとの距離は、第２吹出口３６と回転軸線Ａとの距離よりも小さい。平面視において、第３吹出口３７と回転軸線Ａとの距離は、固定ピン３３と回転軸線Ａとの距離よりも小さい。

第３吹出口３７は、複数の開口３７ａによって構成される。開口３７ａは、平面視で、回転軸線Ａ回りの円周上に配列される。

第３吹出口３７は気体を上方に吹き出す。第３吹出口３７は、プレート３２の上面３２ａと固定ピン３３に支持される基板Ｗの下面２６との間に、気体を吹き出す。第３吹出口３７から吹き出された気体は、基板Ｗの下面２６の一部（以下、中間部分という）に当たる。基板Ｗの下面２６の中間部分は、基板Ｗの下面２６の中央部よりも外方、かつ、基板Ｗの下面２６の周縁部２２よりも内方に位置する。その後、気体は、基板Ｗの下面２６に沿って外方に進む。そして、気体は、プレート３２の上面３２ａと固定ピン３３に支持される基板Ｗの下面２６の間の空間から、流出する。気体は、基板Ｗの周縁部２２よりも外方の空間に、流出する。第３吹出口３７が吹き出す気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。

気体供給路３８は、第１気体供給路３８ａと第２気体供給路３８ｂに加えて、第３気体供給路３８ｄを備える。第３気体供給路３８ｄは、第３吹出口３７に気体を供給する。第３気体供給路３８ｄは、第１端と第２端を有する。第３気体供給路３８ｄの第１端は、第３吹出口３７に接続される。第３気体供給路３８ｄの第２端は、第１気体供給路３８ａの第２端、第２気体供給路３８ｂの第２端、および、共通気体供給路３８ｃの第１端に接続される。第３気体供給路３８ｄの一部は、プレート３２の内部に形成される。

共通気体供給路３８ｃは、第１気体供給路３８ａ、および、第２気体供給路３８ｂに加えて、第３気体供給路３８ｄに気体を供給する。すなわち、気体供給路３８は、第１吹出口３５、および、第２吹出口３６に加えて、第３吹出口３７に気体を供給する。第１気体供給路３８ａと第２気体供給路３８ｂと第３気体供給路３８ｄは、互いに並列に、気体供給源３９に連通接続される。

吹出調整部４０は、第１吹出調整部４１と第２吹出調整部４２に加えて、第３吹出調整部４３を備える。第３吹出調整部４３は、第３気体供給路３８ｄに設けられる。第３吹出調整部４３は、第３吹出口３７が吹き出す気体の流量を調整する。すなわち、第３吹出調整部４３は、第３吹出口３７に供給される気体の流量を調整する。以下では、第３吹出口３７が吹き出す気体の流量を、「吹出量ＱＭ」と略記する。吹出量ＱＣと吹出量ＱＥと吹出量ＱＭの合計は、吹出量ＱＴに相当する。

第１吹出調整部４１は、吹出量ＱＭを調整不能である。第２吹出調整部４２は、吹出量ＱＭを調整不能である。第３吹出調整部４３は、吹出量ＱＣを調整不能である。第３吹出調整部４３は、吹出量ＱＥを調整不能である。第１吹出調整部４１と第２吹出調整部４２と第３吹出調整部４３は、互いに独立して、作動可能である。よって、吹出調整部４０は、吹出量ＱＣ、吹出量ＱＥ、および、吹出量ＱＭを、互いに独立して、調整可能である。吹出調整部４０は、吹出量ＱＣ、吹出量ＱＥ、および、吹出量ＱＭを、個別に、調整可能である。第３吹出調整部４３は、例えば、流量調整弁を含む。第３吹出調整部４３は、さらに、開閉弁を含んでもよい。

制御部１８は、さらに、第３吹出調整部４３を制御する。これにより、制御部１８は、吹出量ＱＭを変える。

例えば、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状、回転速度ＲＳ、および、流量ＦＲの少なくともいずれかに応じて、吹出量ＱＭを変えてもよい。例えば、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの形状、回転速度ＲＳ、および、流量ＦＲの少なくともいずれかに応じて、吹出量ＱＣ、吹出量ＱＥ、および、吹出量ＱＭの少なくともいずれかを変えてもよい。

例えば、制御部１８は、入力部１７に入力される基板形状情報、および、入力部１７に入力される処理条件情報の少なくともいずれかに応じて、吹出量ＱＭを変えてもよい。例えば、制御部１８は、入力部１７に入力される基板形状情報、および、入力部１７に入力される処理条件情報の少なくともいずれかに応じて、吹出量ＱＣ、吹出量ＱＥ、および、吹出量ＱＭの少なくともいずれかを変えてもよい。

入力部１７に入力される処理条件情報は、吹出量ＱＭに関する第３命令を含んでもよい。
第３命令は、例えば、吹出量ＱＭの値を規定する。

本変形実施形態によれば、気体吹出口３４は、第３吹出口３７を含む。よって、制御部１８は、固定ピン３３に支持される基板Ｗに作用する吸引力を、一層きめ細かく調整できる。すなわち、固定ピン３３に支持される基板Ｗを一層適切な吸引力で保持できる。これにより、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を一層好適に抑制できる。

第３吹出口３７が吹き出す気体は、基板Ｗの下面２６の中間部分に当たる。このため、基板Ｗの中間部分が下方に凸に湾曲することを好適に防止できる。よって、固定ピン３３に支持される基板Ｗの撓み量を効果的に抑制できる。

吹出調整部４０は、第３吹出調整部４３を備える。このため、吹出調整部４０は、吹出量ＱＣ、吹出量ＱＥ、および、吹出量ＱＭを、個別に調整できる。よって、制御部１８は、吹出量ＱＣ、吹出量ＱＥ、および、吹出量ＱＭを、個別に変えることができる。

上述した第１、第２実施形態では、制御部１８は、バーコードリーダ４および形状検出部１３、６３の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定する。但し、これに限られない。例えば、制御部１８は、バーコードリーダ４および形状検出部１３、６３のいずれか１つの検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定してもよい。

上述した第１、第２実施形態では、制御部１８は、バーコードリーダ４および形状検出部１３、６３の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定する。但し、これに限られない。

例えば、基板処理装置１は、基板Ｗに付される基板情報を読み取る基板情報検出部（不図示）を備え、制御部１８は、基板情報検出部の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定してもよい。ここで、基板Ｗに付される基板情報は、例えば、基板Ｗに印字される識別コードである。基板情報検出部は、例えば、リーダである。

例えば、制御部１８は、基板処理装置１の外部機器から、基板Ｗの形状に関する情報を取得してもよい。基板処理装置１の外部機器は、例えば、ホストコンピュータである。制御部１８が外部機器から情報を取得する前に、制御部１８は、例えば、バーコードリーダ４の検出結果を外部機器に送信してもよい。制御部１８が外部機器から情報を取得する前に、制御部１８は、例えば、存否検出部６、１６の検出結果を外部機器に送信してもよい。制御部１８が外部機器から情報を取得する前に、制御部１８は、例えば、形状検出部１３、６３の検出結果を外部機器に送信してもよい。制御部１８は、外部機器から取得する情報に基づいて、基板Ｗの形状を特定してもよい。

外部機器から取得する情報は、基板Ｗの形状を直接的に示す情報であってもよい。基板Ｗの形状を直接的に示す情報は、例えば、基板Ｗの主部２３の厚みを直接的に示す情報である。基板Ｗの形状を直接的に示す情報は、例えば、固定ピン３３に支持される基板Ｗが上凹部２４Ａを有するか否かを直接的に示す情報である。制御部１８が基板Ｗの形状を直接的に示す情報を取得した場合、制御部１８は、基板Ｗの形状を判定するステップ（例えば、ステップＳ２、Ｓ１２）を行わない。

外部機器から取得する情報は、基板Ｗの形状を間接的に示す情報であってもよい。制御部１８が基板Ｗの形状を間接的に示す情報を取得した場合、制御部１８は、基板Ｗの形状を間接的に示す情報に基づいて、基板Ｗの形状を判定するステップ（例えば、ステップＳ２、Ｓ１２）を行う。

上述した第５実施形態では、入力部１７に入力される処理条件情報は、処理条件を直接的に示す情報である。但し、これに限られない。入力部１７に入力される処理条件情報は、処理条件を間接的に示す情報であってもよい。本変形実施形態では、制御部１８は、入力部１７に入力される処理条件情報に基づいて、処理条件に関する判定、または、処理条件の特定を行ってもよい。

上述した第５実施形態では、制御部１８は、入力部１７から処理条件情報を取得する。
但し、これに限られない。例えば、制御部１８は、処理レシピを参照することによって、処理条件情報を取得してもよい。例えば、制御部１８は、外部機器から、処理条件情報を取得してもよい。

上述した第６実施形態では、入力部１７に入力される基板形状情報は、基板Ｗの形状を直接的に示す情報である。但し、これに限られない。入力部１７に入力される基板形状情報は、基板Ｗの形状を間接的に示す情報であってもよい。本変形実施形態では、制御部１８は、入力部１７に入力される基板形状情報に基づいて、基板Ｗの形状に関する判定、または、基板Ｗの形状の特定を行ってもよい。

上述した第６実施形態では、制御部１８は、入力部１７から基板形状情報を取得する。但し、これに限られない。例えば、制御部１８は、バーコードリーダ４および形状検出部１３、６３から、基板形状情報を取得してもよい。例えば、制御部１８は、外部機器から、基板形状情報を取得してもよい。

第１−第６実施形態では、処理液供給部５１は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの下面２６に処理液を供給しない。但し、これに限られない。処理液供給部５１は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの下面２６に処理液を供給してもよい。例えば、処理液供給部５１は、気体吹出口３４を通じて、処理液を吐出してもよい。例えば、処理液供給部５１は、第１吹出口３５を通じて、処理液を吐出してもよい。処理液供給部５１は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの下面２６に純水を供給してもよい。例えば、処理液供給部５１は、気体吹出口３４を通じて、純水を吐出してもよい。例えば、処理液供給部５１は、第１吹出口３５を通じて、純水を吐出してもよい。

第１−第６実施形態では、処理液供給部５１は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの上面２７に処理液を供給する。但し、これに限られない。処理液供給部５１は、固定ピン３３に支持される基板Ｗの上面２７に処理液を供給しなくてもよい。

第１−第６実施形態では、処理液供給部５１が備えるノズル５２の数は１つである。但し、これに限られない。処理液供給部５１が備えるノズル５２の数は、複数であってもよい。

上述した実施形態では、処理ブロック１１に設けられる搬送機構の数は１つである。ただし、これに限られない。処理ブロック１１は、２つ以上の搬送機構を備えてもよい。処理ブロック１１における搬送機構の数に応じて、処理ユニット１４の個数を増やしてもよい。

上述した実施形態および各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

１ … 基板処理装置
２ … インデクサ部
３ … キャリア載置部
４ … バーコードリーダ
５ … 搬送機構
１１ … 処理ブロック
１２ … 載置部
１３ … 形状検出部
１４ … 処理ユニット
１５ … 搬送機構
１７ … 入力部
１８ … 制御部
２１ … 基板本体
２２ … 周縁部
２３ … 主部
２４ … 凹部
２４Ａ … 上凹部
２６ … 下面
２７ … 上面
３１ … 基板保持部
３２ … プレート
３２ａ … 上面
３３ … 固定ピン（支持部）
３４ … 気体吹出口
３５ … 第１吹出口
３６ … 第２吹出口
３７ … 第３吹出口
３８ … 気体供給路
３８ａ … 第１気体供給路
３８ｂ … 第２気体供給路
３８ｃ … 共通気体供給路
３８ｄ … 第３気体供給路
４０ … 吹出調整部
４１ … 第１吹出調整部
４２ … 第２吹出調整部
４３ … 第３吹出調整部
４５ … 回転駆動部
５１ … 処理液供給部
５２ … ノズル
５７ … 流量調整部
６１ … ガード
６３ … 形状検出部
Ａ … 回転軸線
Ｃ … キャリア
ＦＲ … 固定ピンに支持される基板に供給する処理液の流量
ＱＴ … 吹出量（気体吹出口が吹き出す気体の流量）
ＱＣ … 吹出量（第１吹出口が吹き出す気体の流量）
ＱＥ … 吹出量（第２吹出口が吹き出す気体の流量）
ＱＭ … 吹出量（第３吹出口が吹き出す気体の流量）
Ｑ１ａ、Ｑ１ｂ、Ｑ１ｃ、Ｑ１ｄ … 第１吹出量
Ｑ２ａ、Ｑ２ｂ、Ｑ２ｃ、Ｑ２ｄ … 第２吹出量
Ｑ３ａ、Ｑ３ｂ、Ｑ３ｃ、Ｑ３ｄ … 第３吹出量
Ｑ４ａ、Ｑ４ｂ、Ｑ４ｃ、Ｑ４ｄ … 第４吹出量
ＲＳ … プレートの回転速度
ＴＡ１ … Ａ型基板の主部の厚み
ＴＢ１ … Ｂ型基板の主部の厚み
ＴＣ１ … Ｃ型基板の主部の厚み
ＶＴ … 基板Ｗの主部の厚みに関する基準値
ＶＲＳ … プレートの回転速度に関する基準値
ＶＦＲ … 固定ピンに支持される基板に供給する処理液の流量に関する基準値
Ｗ … 基板
ＷＡ … Ａ型基板
ＷＢ … Ｂ型基板
ＷＣ … Ｃ型基板
Ｗｐ … 薄基板
Ｗｑ … 厚基板

Claims (21)

1. 基板処理装置であって、
   基板を処理する処理ユニットと、
   前記処理ユニットを制御する制御部と、
   を備え、
   前記処理ユニットは、
   上面を有するプレートと、
   前記プレートを回転する回転駆動部と、
   前記プレートの前記上面から上方に突出し、基板の下面および基板の端縁の少なくともいずれかと接触し、前記プレートの前記上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
   前記プレートの前記上面に形成され、気体を上方に吹き出す気体吹出口と、
   前記気体吹出口が吹き出す気体の流量を調整する吹出調整部と、
   前記支持部に支持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
   前記処理液供給部が基板に供給する処理液の流量を調整する流量調整部と、
   を備え、
   前記制御部は、前記支持部に支持される基板の形状、前記プレートの回転速度、および、前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の流量の少なくともいずれかに応じて、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量を変える
   基板処理装置。
2. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記気体吹出口は、
   前記プレートの前記上面の中央部に配置される第１吹出口と、
   前記第１吹出口よりも外方に配置される第２吹出口と、
   を含み、
   前記制御部は、前記支持部に支持される基板の形状、前記プレートの前記回転速度、および、前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の前記流量の少なくともいずれかに応じて、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量の少なくともいずれかを変える
   基板処理装置。
3. 請求項２に記載の基板処理装置において、
   前記吹出調整部は、
   前記第１吹出口が吹き出す気体の前記流量を調整する第１吹出調整部と、
   前記第２吹出口が吹き出す気体の前記流量を調整する第２吹出調整部と、
   を備える
   基板処理装置。
4. 請求項２または３に記載の基板処理装置において、
   前記気体吹出口は、
   前記第１吹出口よりも外方、かつ、前記第２吹出口よりも内方に配置される第３吹出口と、
   を含み、
   前記制御部は、前記支持部に支持される基板の形状、前記プレートの前記回転速度、および、前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の前記流量の少なくともいずれかに応じて、前記第３吹出口が吹き出す気体の流量を変える
   基板処理装置。
5. 請求項４に記載の基板処理装置において、
   前記吹出調整部は、
   前記第３吹出口が吹き出す気体の前記流量を調整する第３吹出調整部と、
   を備える
   基板処理装置。
6. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   前記制御部は、基板の周縁部の内側に位置する基板の主部の厚みに応じて、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量を変える
   基板処理装置。
7. 請求項６に記載の基板処理装置において、
   基板の前記主部の前記厚みが大きいほど、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量が大きい
   基板処理装置。
8. 請求項６または７に記載の基板処理装置において、
   前記気体吹出口は、
   前記プレートの前記上面の中央部に配置される第１吹出口と、
   前記第１吹出口よりも外方に配置される第２吹出口と、
   を含み、
   前記制御部は、基板の前記主部の前記厚みに応じて、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量の少なくともいずれかを変える
   基板処理装置。
9. 請求項１に記載の基板処理装置において、
   基板の周縁部の内側に位置する基板の主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって前記基板の上面に形成される上凹部を、前記支持部に支持される基板が有するか否かによって、前記制御部は、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量を変える
   基板処理装置。
10. 請求項９に記載の基板処理装置において、
    前記支持部に支持される基板が前記上凹部を有するときに前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量は、前記支持部に支持される基板が前記上凹部を有しないときに前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量よりも、大きい
    基板処理装置。
11. 請求項９または１０に記載の基板処理装置において、
    前記気体吹出口は、
    前記プレートの前記上面の中央部に配置される第１吹出口と、
    前記第１吹出口よりも外方に配置される第２吹出口と、
    を含み、
    前記支持部に支持される基板が前記上凹部を有するか否かによって、前記制御部は、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量の少なくともいずれかを変える
    基板処理装置。
12. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記プレートの前記回転速度が大きいほど、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量は大きい
    基板処理装置。
13. 請求項１２に記載の基板処理装置において、
    前記気体吹出口は、
    前記プレートの前記上面の中央部に配置される第１吹出口と、
    前記第１吹出口よりも外方に配置される第２吹出口と、
    を含み、
    前記制御部は、前記プレートの前記回転速度に応じて、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量の少なくともいずれかを変える
    基板処理装置。
14. 請求項１に記載の基板処理装置において、
    前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の前記流量が大きいほど、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量は大きい
    基板処理装置。
15. 請求項１４に記載の基板処理装置において、
    前記気体吹出口は、
    前記プレートの前記上面の中央部に配置される第１吹出口と、
    前記第１吹出口よりも外方に配置される第２吹出口と、
    を含み、
    前記制御部は、前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の前記流量に応じて、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量の少なくともいずれかを変える
    基板処理装置。
16. 基板処理装置であって、
    基板を処理する処理ユニットと、
    前記処理ユニットを制御する制御部と、
    基板の形状に関する基板形状情報、および、前記処理ユニットの処理条件情報の少なくともいずれかを入力可能な入力部と、
    を備え、
    前記処理ユニットは、
    上面を有するプレートと、
    前記プレートを回転する回転駆動部と、
    前記プレートの前記上面から上方に突出し、基板の下面および基板の端縁の少なくともいずれかと接触し、前記プレートの前記上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
    前記プレートの前記上面に形成され、気体を上方に吹き出す気体吹出口と、
    前記気体吹出口が吹き出す気体の流量を調整する吹出調整部と、
    前記支持部に支持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
    前記処理液供給部が基板に供給する処理液の流量を調整する流量調整部と、
    を備え、
    前記制御部は、前記入力部に入力される前記基板形状情報、および、前記入力部に入力される前記処理条件情報の少なくともいずれかに応じて、前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量を変える
    基板処理装置。
17. 請求項１６に記載の基板処理装置において、
    前記入力部に入力される前記基板形状情報は、
    基板の周縁部の内側に位置する基板の主部の厚みに関する情報、および、
    基板の前記主部が基板の前記周縁部よりも凹むことによって前記基板の上面に形成される上凹部を、前記支持部に支持される基板が有するか否かに関する情報
    の少なくともいずれかを含む
    基板処理装置。
18. 請求項１６または１７に記載の基板処理装置において、
    前記入力部に入力される前記処理条件情報は、
    前記気体吹出口が吹き出す気体の前記流量に関する命令、
    前記プレートの回転速度に関する命令、および、
    前記支持部に支持される基板に前記処理液供給部が供給する処理液の流量に関する命令
    の少なくともいずれかを含む
    基板処理装置。
19. 請求項１６から１８のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記気体吹出口は、
    前記プレートの前記上面の中央部に配置される第１吹出口と、
    前記第１吹出口よりも外方に配置される第２吹出口と、
    を含み、
    前記制御部は、前記入力部に入力される前記基板形状情報、および、前記入力部に入力される前記処理条件情報の少なくともいずれかに応じて、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量、および、前記第２吹出口が吹き出す気体の流量の少なくともいずれかを変える
    基板処理装置。
20. 請求項１９に記載の基板処理装置において、
    前記入力部に入力される前記処理条件情報は、
    前記第１吹出口が吹き出す気体の前記流量に関する第１命令、および、
    前記第２吹出口が吹き出す気体の前記流量に関する第２命令
    の少なくともいずれかを含む
    基板処理装置。
21. 請求項１から２０のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理液供給部は、前記支持部に支持される基板の上面に、処理液を供給する
    基板処理装置。
    
    

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