JP7386026B2 - 基板処理方法および基板処理装置 - Google Patents

Description

この発明は、基板に処理を行う基板処理装置に関する。基板は、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

特許文献１は、基板処理装置を開示する。以下では、特許文献１に記載される符号を、括弧書きで表記する。基板処理装置は、基板（１００）を載置する回転ステージ（１０）を備える。回転ステージ（１０）は、上面部（１３）とチャック部（１４）を備える。上面部（１３）とチャック部（１４）は、基板（１００）の下面の全体と対向する。具体的には、上面部（１３）は、基板（１００）の下面の外周部と向かい合う。チャック部（１４）は、基板（１００）の下面の中央部と向かい合う。

回転ステージ（１０）は、複数の支持ピン（２５）を備える。支持ピン（２５）は、上面部（１３）に設けられる。支持ピン（２５）は、基板の外周部を支持する。

回転ステージ（１０）は、気体噴出口（１５）と気体噴出口（１６）を備える。気体噴出口（１５）は、チャック部（１４）に設けられる。気体噴出口（１５）は、基板（１００）の下面の中央部に気体を噴出する。気体噴出口（１６）は、上面部（１３）に設けられる。気体噴出口（１６）は、基板（１００）の下面の外周部に気体を噴出する。

基板総理装置は、さらに、中空モータ（４０）とノズル（９８）を備える。中空モータ（４０）は、回転ステージ（１０）を回転させる。ノズル（９８）は、回転ステージ（１０）に載置された基板（１００）に処理液を供給する。

ノズル（９８）が回転ステージ（１０）に載置された基板（１００）に処理液を供給していないとき、回転ステージ（１０）は回転せず、気体噴出口（１５）は気体を噴出し、気体噴出口（１６）は気体を噴出しない。

ノズル（９８）が回転ステージ（１０）に載置された基板（１００）に処理液を供給するとき、回転ステージ（１０）は回転し、気体噴出口（１５）および気体噴出口（１６）はそれぞれ、気体を噴出する。

特開２０１５－６５２２６号公報

近年、基板は、薄膜化および大口径化している。
基板の厚みが薄く、かつ、基板の径が大きくなると、基板の撓み量が著しく大きくなる。
このため、従来の基板処理装置の処理部は、基板を適切に処理し難いことがある。

本発明は、このような事情に鑑みてなされたものであって、基板を適切に処理できる基板処理方法および基板処理装置を提供することを目的とする。

本発明は、このような目的を達成するために、次のような構成をとる。すなわち、本発明は、基板処理方法であって、
支持部によって第１プレートの上面よりも上方の位置で支持される基板に処理液を供給するステップと、
を備え、
処理液を基板に供給する前記ステップは、前記第１プレートの前記上面の中央部に形成される第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第１プレートの前記上面の周縁部に形成される第２吹出口から上方に、前記第１吹出口よりも大きな流量で、気体を吹き出す基板処理方法である。

第１吹出口および第２吹出口から吹き出された気体は、第１プレートの上面と支持部に支持される基板の下面との間に、供給される。気体は、基板の下面に沿って流れる。これにより、支持部に支持される基板に対して下向きの力（吸引力）を作用させ、基板を好適に保持できる。

第１吹出口から吹き出された気体は、基板の中央部における下面に当たり、基板の中央部における下面が下方に湾曲することを好適に防止できる。よって、処理液を基板に供給するとき、基板が第１プレートの上面に接触することを好適に防止できる。

第２吹出口は、第１吹出口よりも大きな流量で気体を吹き出す。気体は、基板の周縁部における下面に沿って比較的に速く流れる。これにより、基板の周縁部に対して比較的に強い吸引力を作用させる。よって、処理液を基板に供給するとき、基板を一層好適に保持できる。

以上のとおり、処理液を基板に供給するとき、基板を第１プレートと接触させずに基板を保持できる。よって、基板を適切に処理できる。したがって、本基板処理方法は、基板を適切に処理できる。

上述した基板処理方法において、
前記支持部に基板を渡すステップと、
を備え、
前記支持部に基板を渡す前記ステップは、前記第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口から気体を吹き出さないことが好ましい。
支持部に基板を渡すステップは第２吹出口から気体を吹き出さないので、基板に作用する吸引力は比較的に弱い。よって、基板を支持部に適切に渡すことができる。例えば、基板を支持部上にゆっくりと置くことができる。

上述した基板処理方法において、
位置調整部が前記支持部に支持される基板と接触することによって、水平方向における基板の位置を調整するステップと、
を備え、
基板の位置を調整する前記ステップは、前記第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口から気体を吹き出さないことが好ましい。
基板の位置を調整するステップは、第１吹出口から気体を吹き出す。よって、位置調整部が基板の位置を調整するとき、基板が第１プレートの上面に接触することを好適に防止できる。基板の位置を調整するステップは、第２吹出口から気体を吹き出さない。
このため、基板に作用する吸引力は比較的に弱い。よって、位置調整部は基板の位置を容易に調整できる。

上述した基板処理方法において、
前記位置調整部を支持部に支持される基板から離すステップと、
を備え、
前記位置調整部を基板から離す前記ステップは、前記第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口から上方に前記第１吹出口よりも大きな流量で気体を吹き出すことが好ましい。
位置調整部を基板から離すステップは、第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、第２吹出口から上方に第１吹出口よりも大きな流量で気体を吹き出す。このため、基板に作用する吸引力は比較的に強い。よって、位置調整部が基板から離れる前に、基板を好適に保持できる。位置調整部が基板から離れた後に、基板が支持部に対して動くことを好適に防止できる。

上述した基板処理方法において、
処理液を基板に供給する前記ステップは、基板が前記位置調整部と接触していない状態で実行されることが好ましい。
基板に対する処理の品質を好適に向上できる。

上述した基板処理方法において、
前記支持部から基板を取るステップと、
を備え、
前記支持部から基板を取る前記ステップは、前記第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口から気体を吹き出さないことが好ましい。
支持部から基板を取るステップは第１吹出口から上方に気体を吹き出すので、支持部から基板を取るとき、基板が第１プレートの上面に接触することを好適に防止できる。支持部から基板を取るステップは第２吹出口から気体を吹き出さないので、基板に作用する吸引力は比較的に弱い。よって、支持部から基板を容易にとることができる。

本発明は、
基板処理装置であって、
基板を処理する第１処理ユニットと、
前記第１処理ユニットを制御する制御部と、
を備え、
前記第１処理ユニットは、
前記第１プレートと、
前記第１プレートに固定され、前記第１プレートの上面から上方に突出し、基板の下面および基板の端縁の少なくともいずれかと接触し、前記第１プレートの前記上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
前記第１プレートの前記上面の中央部に形成され、前記第１プレートの前記上面と、前記支持部に支持される基板の下面との間に気体を吹き出す第１吹出口と、
前記第１吹出口が吹き出す気体の流量を調整する第１吹出調整部と、
前記第１プレートの前記上面の周縁部に形成され、前記第１プレートの前記上面と、前記支持部に支持される基板の下面との間に気体を吹き出す第２吹出口と、
前記第２吹出口が吹き出す気体の流量を調整する第２吹出調整部と、
前記支持部に支持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
を備え、
前記制御部による制御によって、前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給するとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口は第１吹出口よりも大きな流量で気体を吹き出す
基板処理装置である。

第１吹出口および第２吹出口から吹き出された気体は、第１プレートの上面と支持部に支持される基板の下面との間に、供給される。気体は、基板の下面に沿って流れる。これにより、支持部に支持される基板に対して下向きの力（吸引力）を作用させ、基板を好適に保持できる。

第１吹出口から吹き出された気体は、基板の中央部における下面に当たり、基板の中央部における下面が下方に湾曲することを好適に防止できる。よって、処理液供給部が処理液を基板に供給するとき、基板が第１プレートの上面に接触することを好適に防止できる。

第２吹出口は、第１吹出口よりも大きな流量で気体を吹き出す。気体は、基板の周縁部における下面に沿って比較的に速く流れる。これにより、基板の周縁部に対して比較的に強い吸引力を作用させる。よって、処理液供給部が処理液を基板に供給するとき、基板を一層好適に保持できる。

以上のとおり、処理液を基板に供給するとき、基板を第１プレートと接触させずに基板を保持できる。よって、基板を適切に処理できる。したがって、本基板処理装置は、基板を適切に処理できる。

上述した基板処理装置において、
前記支持部が基板を受けるとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口は気体を吹き出さないことが好ましい。
支持部が基板を受けるとき、第１吹出口は気体を吹き出す。よって、支持部が基板を受けるとき、基板が第１プレートの上面に接触することを好適に防止できる。支持部が基板を受けるとき、第２吹出口は気体を吹き出さない。このため、基板に作用する吸引力は比較的に弱い。よって、支持部が基板を受けるとき、支持部は基板をゆっくり受けることができる。すなわち、支持部が基板を受けるとき、基板が損傷するおそれがない。

上述した基板処理装置において、
前記支持部が基板を受ける前に、前記第１吹出口は気体の吹き出しを開始し、
前記支持部が基板を受けた後であって前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給する前に、前記第２吹出口は気体の吹き出しを開始することが好ましい。
支持部が基板を受ける前に、第１吹出口は気体の吹き出しを開始する。よって、第１吹出口が気体を吹き出している状態で、支持部は基板を受けることができる。支持部が基板を受けた後に、第２吹出口は気体の吹き出しを開始する。よって、第２吹出口が気体を吹き出していない状態で、支持部は基板を受けることができる。処理液供給部が支持部に支持される基板に処理液を供給する前に、第２吹出口は気体の吹き出しを開始する。よって、第２吹出口が気体を吹き出している状態で、処理液供給部は基板に処理液を供給できる。

上述した基板処理装置において、
前記第１処理ユニットは、
前記第１プレートに対して水平方向に移動可能に前記第１プレートに支持され、前記支持部に支持される基板と接触し、水平方向における基板の位置を調整する位置調整部と、
を備え、
前記位置調整部が前記支持部に支持される基板の位置を調整するとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口は気体を吹き出さないことが好ましい。
位置調整部が支持部に支持される基板の位置を調整するとき、第１吹出口は気体を吹き出す。よって、位置調整部が基板の位置を調整するとき、基板が第１プレートの上面に接触することを好適に防止できる。位置調整ピン部が支持部に支持される基板の位置を調整するとき、第２吹出口は気体を吹き出さない。このため、基板に作用する吸引力は比較的に弱い。よって、位置調整部は基板の位置を容易に調整できる。

上述した基板処理装置において、
前記位置調整部が支持部に支持される基板の位置を調整した後であって前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給する前に、前記第２吹出口は気体の吹き出しを開始することが好ましい。
位置調整部が支持部に支持される基板の位置を調整した後に、第２吹出口は気体の吹き出しを開始する。よって、第２吹出口が気体を吹き出していない状態で、位置調整部は基板の位置を調整できる。処理液供給部が支持部に支持される基板に処理液を供給する前に、第２吹出口は気体の吹き出しを開始する。よって、第２吹出口が気体を吹き出している状態で、処理液供給部は基板に処理液を供給できる。

上述した基板処理装置において、
前記第２吹出口が気体を吹き出した後であって前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給する前に、前記位置調整部は基板から離れることが好ましい。
第２吹出口が気体を吹き出した後に、位置調整部は基板から離れる。よって、第２吹出口が気体を吹き出している状態で、位置調整部は基板から離れる。すなわち、基板を好適に保持した状態で、位置調整部は基板から離れる。このため、位置調整部が基板から離れるとき、および、位置調整部が基板から離れた後に、基板が支持部に対して動くことを好適に防止できる。処理液供給部が支持部に支持される基板に処理液を供給する前に、位置調整部は基板から離れる。よって、位置調整部が基板から離れた状態で、処理液供給部は基板に処理液を供給できる。このため、基板に対する処理の品質を好適に向上できる。

上述した基板処理装置において、
前記支持部から基板を取るとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口は気体を吹き出さないことが好ましい。
支持部から基板を取るとき、第１吹出口は気体を吹き出す。よって、支持部から基板を取るとき、基板が第１プレートの上面に接触することを好適に防止できる。支持部から基板を取るとき、第２吹出口は気体を吹き出さない。よって、支持部から基板を取るとき、基板に作用する吸引力は比較的に弱い。このため、支持部から基板を容易に取ることができる。

上述した基板処理装置において、
前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給した後であって前記支持部から基板を取る前に、前記第２吹出口は気体の吹き出しを停止し、
前記支持部から基板を取った後に、前記第１吹出口は気体の吹き出しを停止することが好ましい。
処理液供給部が支持部に支持される基板に処理液を供給した後に、第２吹出口は気体の吹き出しを停止する。よって、第２吹出口が気体を吹き出している状態で、処理液供給部は基板に処理液を供給できる。支持部から基板を取る前に、第２吹出口は気体の吹き出しを停止する。よって、第２吹出口が気体を吹き出していない状態で、支持部から基板を取ることができる。支持部から基板を取った後に、第１吹出口は気体の吹き出しを停止する。よって、第１吹出口が気体を吹き出している状態で、支持部から基板を取ることができる。

上述した基板処理装置において、
前記第１処理ユニットは、
前記第１プレートに対して上下方向に移動可能に前記第１プレートに支持され、前記支持部よりも高い上位置から基板を下降させることによって前記支持部に基板を渡す昇降部と、
を備え、
前記支持部が前記昇降部から基板を受けるとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、前記第２吹出口は気体を吹き出さないことが好ましい。
支持部が昇降部から基板を受けるとき、第１吹出口を吹き出す。よって、支持部が昇降部から基板を受けるとき、基板が第１プレートの上面に接触することを確実に防止できる。支持部が昇降部から基板を受けるとき、第２吹出口は気体を吹き出さない。よって、支持部は昇降部から基板を適切に受けることができる。

上述した基板処理装置において、
基板処理装置は、
前記昇降部に基板を渡す第１搬送機構と、
を備え、
前記制御部は、さらに前記第１搬送機構を制御し、
前記昇降部は、前記第１搬送機構から基板を上位置で受け、
前記昇降部が前記第１搬送機構から基板を受けた後であって前記昇降部が前記支持部に基板を渡す前に、前記第１吹出口は気体の吹き出しを開始することが好ましい。
昇降部が第１搬送機構から基板を受けた後に、第１吹出口は気体の吹き出しを開始する。よって、第１吹出口が気体を吹き出していない状態で、昇降部は第１搬送機構から基板を受けることができる。したがって、昇降部は第１搬送機構から基板を適切に受けることができる。昇降部が支持部に基板を渡す前に、第１吹出口は気体の吹き出しを開始する。よって、第１吹出口が気体を吹き出している状態で、支持部が昇降部から基板を受けることができる。

上述した基板処理装置において、
前記第１プレートに対して上下方向に移動可能に前記第１プレートに支持され、前記支持部から基板を取り、前記支持部よりも高い上位置に基板を上昇させる昇降部と、
を備え、
前記昇降部が前記支持部から基板を取るとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口は気体を吹き出さないことが好ましい。
昇降部が支持部から基板を取るとき、第１吹出口は気体を吹き出す。よって、昇降部が支持部から基板を取るとき、基板が第１プレートの上面に接触することを好適に防止できる。昇降部が支持部から基板を取るとき、第２吹出口は気体を吹き出さない。よって、昇降部は支持部から基板を容易に取ることができる。

上述した基板処理装置において、
前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給した後であって前記昇降部が前記支持部から基板を取る前に、前記第２吹出口は気体の吹き出しを停止することが好ましい。
処理液供給部が支持部に支持される基板に処理液を供給した後に、第２吹出口は気体の吹き出しを停止する。よって、第２吹出口が気体を吹き出している状態で、処理液供給部は基板に処理液を供給できる。昇降部が支持部から基板を取る前に、第２吹出口は気体の吹き出しを停止する。よって、第２吹出口が気体を吹き出していない状態で、昇降部は支持部から基板を取ることができる。

上述した基板処理装置において、
基板処理装置は、
前記昇降部から基板を取る第１搬送機構と、
を備え、
前記制御部は、さらに前記第１搬送機構を制御し、
前記昇降部は、前記第１搬送機構に基板を上位置で渡し、
前記昇降部が前記支持部から基板を取った後であって前記昇降部が前記第１搬送機構に基板を渡す前に、前記第１吹出口は気体の吹き出しを停止することが好ましい。
昇降部が支持部から基板を取った後に、第１吹出口は気体の吹き出しを停止する。よって、第１吹出口が気体を吹き出している状態で、昇降部は支持部から基板を取ることができる。昇降部が第１搬送機構に基板を渡す前に、第１吹出口は気体の吹き出しを停止する。よって、第１吹出口が気体を吹き出していない状態で、昇降部は第１搬送機構に基板を渡すことができる。したがって、昇降部は第１搬送機構に基板を好適に渡すことができる。

上述した基板処理装置において、
基板処理装置は、
前記第１処理ユニットに基板を搬送する第１搬送機構と、
を備え、
前記制御部は、さらに前記第１搬送機構を制御し、
前記第１搬送機構は、
基板の上面および下面のいずれかに沿って気体を流し、基板と接触することなく基板を吸引する吸引部と、
前記吸引部に供給する気体の流量を調整する吸引調整部と、
を備え、
前記第１搬送機構が基板を搬送するとき、前記吸引調整部は前記吸引部に気体を供給し、
前記第１搬送機構が前記第１処理ユニットに基板を渡すとき、前記吸引調整部は前記吸引部に気体を供給せず、前記第２吹出口は気体を吹き出さないことが好ましい。
第１搬送機構は、吸引部を備える。よって、第１搬送機構は、基板を好適に支持できる。第１搬送機構は、吸引調整部を備える。吸引調整部は、吸引部に供給する気体の流量を調整する。よって、吸引調整部は、吸引部の吸引力を調整できる。第１搬送機構が基板を搬送するとき、吸引調整部は吸引部に気体を供給する。よって、第１搬送機構が基板を搬送するとき、吸引部は基板を好適に吸引できる。よって、第１搬送機構は好適に搬送できる。第１搬送機構が第１処理ユニットに基板を渡すとき、吸引調整部は吸引部に気体を供給しない。このため、第１搬送機構が第１処理ユニットに基板を渡すとき、吸引部は基板を吸引しない。よって、第１搬送機構は、第１処理ユニットに基板を好適に渡すことができる。第１搬送機構が第１処理ユニットに基板を渡すとき、第２吹出口は気体を吹き出さない。よって、第１搬送機構は、第１処理ユニットに基板を一層好適に渡すことができる。

上述した基板処理装置において、
基板処理装置は、
前記第１処理ユニットに基板を搬送する第１搬送機構と、
を備え、
前記制御部は、さらに前記第１搬送機構を制御し、
前記第１搬送機構は、
基板の上面および下面のいずれかに沿って気体を流し、基板と接触することなく基板を吸引する吸引部と、
前記吸引部に供給する気体の流量を調整する吸引調整部と、
を備え、
前記第１搬送機構が前記第１処理ユニットから基板を取るとき、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量は前記吸引部に供給される気体の流量よりも小さく、かつ、前記第２吹出口は気体を吹き出さないことが好ましい。
第１搬送機構が第１処理ユニットから基板を取るとき、第１吹出口が吹き出す気体の流量は吸引部に供給される気体の流量よりも小さい。よって、第１搬送機構が第１処理ユニットから基板を取るとき、吸引部は第１処理ユニットの基板を好適に吸引できる。よって、第１搬送機構は第１処理ユニットから基板を容易に取ることができる。第１搬送機構が第１処理ユニットから基板を取るとき、第２吹出口は気体を吹き出さない。よって、第１搬送機構は第１処理ユニットから基板を一層容易に取ることができる。

上述した基板処理装置において、
前記第１吹出口は、さらに、純水を基板に吐出可能であることが好ましい。
第１吹出口から吐出された純水が、基板の中央部における下面に当たる。これにより、基板の中央部における下面が下方に湾曲することを一層好適に防止できる。よって、基板が第１プレートの上面に接触することを一層好適に防止できる。

上述した基板処理装置において、
前記処理液供給部は、前記支持部に支持された基板の上方の位置である処理位置に移動可能であり、
前記処理液供給部が前記処理位置から、前記支持部に支持される基板に処理液を供給するとき、前記第１吹出口は純水を吐出し、かつ、前記第２吹出口は前記第１吹出口が吹き出す気体よりも大きな流量で気体を吹き出すことが好ましい。
処理液供給部が処理位置から処理液を基板に供給するとき、第１吹出口は純水を吐出する。よって、基板が第１プレートの上面に接触することを一層好適に防止できる。

上述した基板処理装置において、
前記処理液供給部は、前記第１吹出口を通じて、処理液を基板に吐出可能であることが好ましい。
基板の下面に処理液を供給できる。よって、基板の下面を好適に処理できる。

上述した基板処理装置において、
前記第１処理ユニットは、
前記第１プレートを回転する第１回転駆動部と、
を備え、
前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給するとき、前記第１回転駆動部は前記第１プレートを回転することが好ましい。
第１処理ユニットは、基板を適切に処理できる。

本発明によれば、基板を適切に処理できる。

実施形態の基板処理装置の平面図である。 基板処理装置の制御ブロック図である。 基板の平面図である。 図４（ａ）は第１基板の断面図であり、図４（ｂ）は第２基板の断面図であり、図４（ｃ）は第３基板の断面図である。 図５（ａ）は通常径基板の平面図であり、図５（ｂ）は、大径基板の平面図である。 キャリアの正面図である。 キャリアの棚の平面図である。 幅方向における基板処理装置の中央部の構成を示す左側面図である。 ハンドの平面図である。 ハンドの側面図である。 基板処理装置の左部の構成を示す左側面図である。 載置部の正面図である。 載置部の棚の平面図である。 載置部の棚に詳細図である。 ハンドの底面図である。 図１６（ａ）、１６（ｂ）は、ハンドの側面図である。 吸引部と、吸引部に吸引される基板と、受け部との平面図である。 受け部の平面図である。 第１処理ユニットの構成を模式的に示す図である。 第１プレートの平面図である。 図２１（ａ）、２１（ｂ）は、位置調整ピンの平面詳細図である。 図２２（ａ）、２２（ｂ）は、位置調整ピンの側面図である。 図２３（ａ）、２３（ｂ）は、リフトピンの側面図である。 第２処理ユニットの構成を模式的に示す図である。 第２プレートの平面図である。 図２６（ａ）、２６（ｂ）は、端縁接触ピンの平面詳細図である。 図２７（ａ）、２７（ｂ）は、端縁接触ピンの側面図である。 制御部が基板の形状を取得する動作の手順を示すフローチャートである。 制御部の制御および搬送機構の動作の手順を示すフローチャートである。 図３０（ａ）－３０（ｄ）は、搬送機構がキャリアの棚から基板を取る動作例を模式的に示す図である。 図３１（ａ）、３１（ｂ）は、棚に載置される基板とハンドの挿入高さの関係を示す図である。 図３２（ａ）－３２（ｄ）は、搬送機構が載置部の棚から基板を取る動作例を模式的に示す図である。 制御部の制御および搬送機構の動作の手順を示すフローチャートである。 図３４（ａ）－３４（ｄ）は、搬送機構が載置部の棚から基板を取る動作例を模式的に示す図である。 図３５（ａ）－３５（ｄ）は、搬送機構が載置部の棚から基板を取る動作例を模式的に示す図である。 図３６（ａ）－３６（ｆ）は、搬送機構が処理ユニットの基板保持部に基板を渡す動作例を模式的に示す図である。 図３７（ａ）－３７（ｆ）は、搬送機構が処理ユニットの基板保持部から基板を取る動作例を模式的に示す図である。 図３８（ａ）－３８（ｄ）は、搬送機構が載置部の棚に基板を置く動作例を模式的に示す図である。 図３９（ａ）－３９（ｄ）は、搬送機構が載置部の棚に基板を置く動作例を模式的に示す図である。 第１処理ユニットの動作例の手順を示すフローチャートである。 第１処理ユニットの動作例を示すタイミングチャートである。 変形実施形態における第１処理ユニットの構成を模式的に示す図である。 変形実施形態における第１処理ユニットの構成を模式的に示す図である。

以下、図面を参照して本発明の基板処理装置を説明する。

＜基板処理装置の概要＞
図１は、実施形態の基板処理装置の平面図である。基板処理装置１は、基板（例えば、半導体ウエハ）Ｗに処理を行う。

基板Ｗは、例えば、半導体ウエハ、液晶ディスプレイ用基板、有機ＥＬ(Electroluminescence)用基板、ＦＰＤ(Flat Panel Display)用基板、光ディスプレイ用基板、磁気ディスク用基板、光ディスク用基板、光磁気ディスク用基板、フォトマスク用基板、太陽電池用基板である。

基板処理装置１は、インデクサ部２を備える。インデクサ部２は、複数（例えば、４つ）のキャリア載置部３と搬送機構４を備える。各キャリア載置部３はそれぞれ、１つのキャリアＣを載置する。キャリアＣは、複数枚の基板Ｗを収容する。キャリアＣは、例えば、ＦＯＵＰ（front opening unified pod）である。搬送機構４は、全てのキャリア載置部３に載置されるキャリアＣにアクセス可能である。

基板処理装置１は、処理ブロック５を備える。処理ブロック５はインデクサ部２に接続される。

処理ブロック５は、載置部６と複数の処理ユニット７と搬送機構８を備える。載置部６は、複数枚の基板Ｗを載置する。各処理ユニット７はそれぞれ、１枚の基板Ｗを処理する。搬送機構８は、載置部６と全ての処理ユニット７にアクセス可能である。搬送機構８は、載置部６と処理ユニット７に基板Ｗを搬送する。

載置部６は、搬送機構４と搬送機構８の間に配置される。搬送機構４は載置部６にもアクセス可能である。搬送機構４は載置部６に基板Ｗを搬送する。載置部６は、搬送機構４と搬送機構８の間で搬送される基板Ｗを載置する。

基板処理装置１は、制御部９を備える。制御部９は、搬送機構４、８と処理ユニット７を制御する。

図２は、基板処理装置１の制御ブロック図である。制御部９は、搬送機構４、８と処理ユニット７と通信可能に接続される。

制御部９は、各種処理を実行する中央演算処理装置（ＣＰＵ）、演算処理の作業領域となるＲＡＭ（Random-Access Memory）、固定ディスク等の記憶媒体等によって実現されている。記憶媒体は、各種の情報を予め格納している。記憶媒体は、例えば、搬送機構４、８および処理ユニット７の動作条件に関する情報を記憶する。処理ユニット７の動作条件に関する情報は、例えば、基板Ｗを処理するための処理レシピ（処理プログラム）である。記憶媒体は、例えば、各基板Ｗを識別するための情報を記憶する。

基板処理装置１の動作例を説明する。搬送機構４は、キャリア載置部３上のキャリアＣから載置部６に基板Ｗを搬送する。搬送機構８は、載置部６から１つの処理ユニット７に基板Ｗを搬送する。処理ユニット７は、基板Ｗを処理する。搬送機構８は、処理ユニット７から載置部６に基板Ｗを搬送する。搬送機構４は、載置部６からキャリア載置部３上のキャリアＣに基板Ｗを搬送する。

搬送機構４は、本発明における第２搬送機構の例である。搬送機構８は、本発明における第１搬送機構の例である。キャリアＣ、載置部６および処理ユニットは、本発明における第１位置と第２位置の例である。

本明細書では、便宜上、インデクサ部２と処理ブロック５が並ぶ方向を、「前後方向Ｘ」と呼ぶ。前後方向Ｘは水平である。前後方向Ｘのうち、処理ブロック５からインデクサ部２に向かう方向を「前方」と呼ぶ。前方と反対の方向を「後方」と呼ぶ。前後方向Ｘと直交する水平な方向を、「幅方向Ｙ」または「側方」と呼ぶ。「幅方向Ｙ」の一方向を適宜に「右方」と呼ぶ。右方とは反対の方向を「左方」と呼ぶ。垂直な方向を「上下方向Ｚ」と呼ぶ。上下方向Ｚは、前後方向Ｘと直交し、かつ、幅方向Ｙと直交する。各図では、参考として、前、後、右、左、上、下を適宜に示す。

＜基板Ｗの形状＞
図３は、基板Ｗの平面図である。基板Ｗの基本的な形状を説明する。基板Ｗは、薄い平板形状を有する。基板Ｗは、平面視で略円形状を有する。基板Ｗは、周縁部１２と主部１３を有する。主部１３は、周縁部１２の内側に位置する基板Ｗの部分である。半導体デバイスは、主部１３に形成される。図３は、便宜上、周縁部１２と主部１３の境界を破線で示す。

本明細書では、形状によって、基板Ｗを複数の種類に分類する。第１に、基板Ｗの主部１３の厚みによって、基板Ｗを、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３に分類する。

図４（ａ）は、第１基板Ｗ１の断面図である。図４（ｂ）は、第２基板Ｗ２の断面図である。図４（ｃ）は、第３基板Ｗ３の断面図である。第１基板Ｗ１は、主部１３が周縁部１２よりも凹むことによって形成される凹部１４を含み、かつ、ガラス製の保護プレート１５を含まない基板Ｗである。凹部１４は、例えば、研削処理（グラインド処理）によって形成される。第２基板Ｗ２は、凹部１４を含まない基板Ｗである。第３基板Ｗ３は、凹部１４を含み、かつ、ガラス製の保護プレート１５を含む基板Ｗである。第１基板Ｗ１は、基板本体１１のみから構成されてもよい。あるいは、第１基板Ｗ１は、基板本体１１に加えて、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シートおよび樹脂フィルムの少なくともいずれかを含んでもよい。第２基板Ｗ２は、基板本体１１のみから構成されてもよい。あるいは、第２基板Ｗ２は、基板本体１１に加えて、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シート、樹脂フィルムおよび保護プレート１５の少なくともいずれかを含んでもよい。第３基板Ｗ３は、基板本体１１と保護プレート１５を含む。保護プレート１５は、例えば、基板本体１１に貼り付けられる。第３基板Ｗ３は、さらに、樹脂被膜、樹脂テープ、樹脂シートおよび樹脂フィルムの少なくともいずれかを含んでもよい。

第１基板Ｗ１の主部１３は、第２基板Ｗ２の主部１３よりも薄い。第１基板Ｗ１の主部１３は、第３基板Ｗ３の主部１３よりも薄い。第１基板Ｗ１は、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３よりも剛性が低い。第１基板Ｗ１は、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３よりも撓みやすい。

具体的には、第１基板Ｗ１の主部１３は、厚みＴ１を有する。第２基板Ｗ２の主部１３は、厚みＴ２を有する。第３基板Ｗ３の主部１３は、厚みＴ３を有する。厚みＴ１は、厚みＴ２よりも小さい。厚みＴ１は、厚みＴ３よりも小さい。厚みＴ１は、例えば、１０［μｍ］以上２００［μｍ］以下である。厚みＴ２は、例えば、６００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下である。厚みＴ３は、例えば、８００［μｍ］以上１２００［μｍ］以下である。

第１基板Ｗ１の周縁部１２は、厚みＴ４を有する。第２基板Ｗ２の周縁部１２は、厚みＴ５を有する。第３基板Ｗ３の周縁部１２は、厚みＴ６を有する。厚みＴ４は、例えば、厚みＴ５と同じである。厚みＴ４は、厚みＴ６よりも小さい。厚みＴ４は、例えば、６００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下である。厚みＴ５は、例えば、６００［μｍ］以上１０００［μｍ］以下である。厚みＴ６は、例えば、１４００［μｍ］以上２２００［μｍ］以下である。

第２に、基板Ｗの直径Ｄによって、基板Ｗを、通常径基板ＷＮと大径基板ＷＬに分類する。

図５（ａ）は、通常径基板ＷＮの平面図である。図５（ｂ）は、大径基板ＷＬの平面図である。通常径基板ＷＮは、直径Ｄ１を有する。大径ＷＬは、直径Ｄ２を有する。直径Ｄ２は、直径Ｄ１より大きい。

直径Ｄ１は、例えば、３００［ｍｍ］である。直径Ｄ２は、例えば、３０１［ｍｍ］である。

例えば、第１基板Ｗ１および第２基板Ｗ２は、通常径基板ＷＮに属する。例えば、第３基板Ｗ３は、大径基板ＷＬに属する。

基板処理装置１は、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３を処理する。基板処理装置１は、通常径基板ＷＮおよび大径基板ＷＬを処理する。

＜キャリアＣ＞
図６は、キャリアＣの正面図である。キャリアＣは、容器２１と複数の棚２２を備える。棚２２は、容器２１の内部に設置される。棚２２は、上下方向Ｚに並ぶように配置される。上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２は、互いに近接している。上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間隔は、例えば、１０［ｍｍ］である。

各棚２２はそれぞれ、１枚の基板Ｗを水平姿勢で載置する。棚２２は、基板Ｗの下面１６と接する。例えば、棚２２は、基板Ｗの周縁部１２における下面１６と接する。棚２２は、基板Ｗの上面１７と接しない。これにより、棚２２は基板Ｗを支持する。棚２２が基板Ｗを支持するとき、棚２２は、基板Ｗが棚２２に対して上方に移動することを許容する。

各棚２２はそれぞれ、第１棚２３と第２棚２４を備える。第１棚２３と第２棚２４は、互いに離れている。第１棚２３と第２棚２４は、水平方向に対向する。水平方向に並ぶ第１棚２３と第２棚２４の間隔Ｅ１は、基板Ｗの直径Ｄよりも小さい。

図７は、キャリアＣの棚２２の平面図である。第１棚２３は、基板Ｗの第１側部１８を支持する。第２棚２４は、基板Ｗの第２側部１９を支持する。第２側部１９は、基板Ｗの中心Ｊに対して、第１側部１８とは反対側に位置する。第１側部１８および第２側部１９はそれぞれ、基板Ｗの周縁部１２の一部を含む。第１側部１８および第２側部１９はそれぞれ、さらに、基板Ｗの主部１３の一部を含んでもよい。

キャリアＣは、バーコード（不図示）を有する。バーコードは、キャリアＣを識別するため、または、キャリアＣ内の基板Ｗを識別するための識別子である。バーコードは、例えば、容器２１に付される。

以下、基板処理装置１の各部の構成を説明する。

＜インデクサ部２＞
図１を参照する。キャリア載置部３は、幅方向Ｙに一列に並ぶ。インデクサ部２は、バーコードリーダ３１を備える。バーコードリーダ３１は、キャリア載置部３に載置されたキャリアＣに付されるバーコードを読み取る。バーコードリーダ３１は、例えば、キャリア載置部３に取り付けられる。

インデクサ部２は、搬送スペース３２を備える。搬送スペース３２は、キャリア載置部３の後方に配置される。搬送スペース３２は、幅方向Ｙに延びる。搬送機構４は、搬送スペース３２に設置される。搬送機構４は、キャリア載置部３の後方に配置される。

搬送機構４はハンド３３とハンド駆動部３４を備える。ハンド３３は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド３３は、基板Ｗの下面１６と接触することによって、基板Ｗを支持する。ハンド駆動部３４は、ハンド３３に連結される。ハンド駆動部３４は、ハンド３３を移動する。

図１、８を参照する。図８は、幅方向Ｙにおける基板処理装置１の中央部の構成を示す左側面図である。ハンド駆動部３４は、レール３４ａと水平移動部３４ｂと垂直移動部３４ｃと回転部３４ｄと進退移動部３４ｅを備える。レール３４ａは、固定的に設置される。レール３４ａは、搬送スペース３２の底部に配置される。レール３４ａは、幅方向Ｙに延びる。水平移動部３４ｂは、レール３４ａに支持される。水平移動部３４ｂは、レール３４ａに対して幅方向Ｙに移動する。垂直移動部３４ｃは、水平移動部３４ｂに支持される。垂直移動部３４ｃは、水平移動部３４ｂに対して上下方向Ｚに移動する。回転部３４ｄは、垂直移動部３４ｃに支持される。回転部３４ｄは、垂直移動部３４ｃに対して回転する。回転部３４ｄは、回転軸線Ａ１回りに回転する。回転軸線Ａ１は、上下方向Ｚと平行である。進退移動部３４ｅは、回転部３４ｄの向きによって決まる水平な一方向に往復移動する。

ハンド３３は進退移動部３４ｅに固定される。ハンド３３は、水平方向および上下方向Ｚに平行移動可能である。ハンド３３は、回転軸線Ａ１回りに回転可能である。

図９は、ハンド３３の平面図である。図１０は、ハンド３３の側面図である。ハンド３３の構造を説明する。ハンド３３は、連結部３５を備える。連結部３５は、進退移動部３４ｅに接続される。

ハンド３３は、２本のロッド３６を備える。各ロッド３６は、連結部３５に支持される。２本のロッド３６は、互いに離れている。２本のロッド３６はそれぞれ、直線的に延びる。２本のロッド３６はそれぞれ、連結部３５から同じ方向に延びる。２本のロッド３６は、互いに平行である。各ロッド３６が延びる方向を、第１方向Ｆ１という。第１方向Ｆ１は、水平である。第１方向Ｆ１は、進退移動部３４ｅが回転部３４ｄに対して往復移動する方向と同じである。第１方向Ｆ１と直交する水平な方向を第２方向Ｆ２という。２本のロッド３６は、第２方向Ｆ２に並ぶ。

第２方向Ｆ２における２本のロッド３６の全体の長さＬ１は、間隔Ｅ１よりも小さい。このため、２本のロッド３６は、互いに水平方向に向かい合う第１棚２３と第２棚２４の間を、上下方向Ｚに通過可能である。

各ロッド３６は、基板Ｗの直径Ｄと略同等の長さを有する。すなわち、第１方向Ｆ１におけるロッド３６の長さＬ２は、基板Ｗの直径と略等しい。

各ロッド３６はそれぞれ、細い。すなわち、第２方向Ｆ２における１本のロッド３６の長さＬ３は、小さい。第２方向Ｆ２におけるロッド３６の長さは、例えば、１０［ｍｍ］である。長さＬ３は、第１方向Ｆ１にわたって、略一定である。すなわち、長さＬ３は、ロッド３６の基端部からロッド３６の先端部にわたって、略一定である。各ロッド３６は、第１方向Ｆ１にわたって、略一定な断面形状を有する。すなわち、ロッド３６の断面形状は、ロッド３６の基端部からロッド３６の先端部にわたって、略一定である。

ハンド３３は、複数（例えば４つ）の接触部３７を備える。接触部３７は、各ロッド３６に取り付けられる。各接触部３７は、各ロッド３６から上方に突出する。各接触部３７は、基板Ｗの下面１６と接触する。より詳しくは、各接触部３７は、基板Ｗの周縁部１２における下面１６と接する。これにより、ハンド３３は１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。各接触部３７は、基板Ｗの上面１７と接しない。ハンド３３は、基板Ｗがハンド３３に対して上方に移動することを許容する。ハンド３３が基板Ｗを支持するとき、接触部３７とロッド３６は、平面視で基板Ｗと重なる。

ハンド３３は、基板検出部３８を備える。基板検出部３８は、ハンド３３に支持される基板Ｗを検出する。基板検出部３８は、ロッド３６に取り付けられる。

図２を参照する。バーコードリーダ３１は、制御部９と通信可能に接続される。搬送機構４のハンド駆動部３４および基板検出部３８は、制御部９と通信可能に接続される。制御部９は、バーコードリーダ３１および基板検出部３８の検出結果を受ける。制御部９は、ハンド駆動部３４を制御する。

＜処理ブロック５＞
図１を参照する。処理ブロック５の各要素の配置を説明する。処理ブロック５は、搬送スペース４１を備える。搬送スペース４１は、幅方向Ｙにおける処理ブロック５の中央に配置される。搬送スペース４１は、前後方向Ｘに延びる。搬送スペース４１は、インデクサ部２の搬送スペース３２と接している。

載置部６と搬送機構８は、搬送スペース４１に設置される。載置部６は、搬送機構８の前方に配置される。載置部６は、搬送機構４の後方に配置される。載置部６は、搬送機構４と搬送機構８の間に配置される。

処理ユニット７は、搬送スペース４１の両側に配置される。処理ユニット７は、搬送機構８の側方を囲むように配置される。具体的には、処理ブロック５は、第１処理セクション４２と第２処理セクション４３を備える。第１処理セクション４２と搬送スペース４１と第２処理セクション４３は、幅方向Ｙにこの順番で並ぶ。第１処理セクション４２は、搬送スペース４１の右方に配置される。第２処理セクション４３は、搬送スペース４１の左方に配置される。

図１１は、基板処理装置１の左部の構成を示す左側面図である。第２処理セクション４３には、複数の処理ユニット７が、前後方向Ｘおよび上下方向Ｚに行列状に配置される。例えば、第２処理セクション４３には、６個の処理ユニット７が、前後方向Ｘに２列、上下方向Ｚに３段で、並ぶ。

図示を省略するが、第１処理セクション４２には、複数の処理ユニット７が、前後方向Ｘおよび上下方向Ｚに行列状に配置される。例えば、第１処理セクション４２には、６個の処理ユニット７が、前後方向Ｘに２列、上下方向Ｚに３段で、並ぶ。

図１２は、載置部６の正面図である。載置部６の構造を説明する。載置部６は、複数枚の基板Ｗを載置可能である。載置部６は、複数の棚４５と支持壁４８を備える。支持壁４８は各棚４５を支持する。棚４５は、上下方向Ｚに並ぶように配置される。上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５は、互いに近接している。

各棚４５はそれぞれ、１枚の基板Ｗを水平姿勢で載置する。棚４５は、基板Ｗの下面１６と接する。例えば、棚４５は、基板Ｗの周縁部１２における下面１６と接する。棚４５は、基板Ｗの上面１７と接しない。これにより、棚４５は、基板Ｗを支持する。棚４５が基板Ｗを支持するとき、棚４５は、基板Ｗが棚４５に対して上方に移動することを許容する。

各棚４５はそれぞれ、第１棚４６と第２棚４７を備える。第１棚４６と第２棚４７は、互いに離れている。第１棚４６と第２棚４７は、水平方向（具体的には幅方向Ｙ）に対向する。水平方向に並ぶ第１棚４６と第２棚４７の間隔Ｅ２は、基板Ｗの直径Ｄよりも小さい。間隔Ｅ２は、長さＬ１よりも大きい。

図１３は、載置部６の棚４５の平面図である。第１棚４６は、基板Ｗの第１側部１８を支持する。第２棚４７は、基板Ｗの第２側部１９を支持する。

図１４は、載置部６の棚４５に詳細図である。第１棚４６は、第１傾斜面５１を有する。第２棚４７は、第２傾斜面５５を備える。第１傾斜面５１と第２傾斜面５５は、互いに離れている。第２傾斜面５５は、第１傾斜面５１と水平方向（具体的には幅方向Ｙ）に対向する。第１傾斜面５１と第２傾斜面５５は、正面視において、左右対称である。第１傾斜面５１と第２傾斜面５５は、前後方向Ｘから見て、左右対称である。第１傾斜面５１は、基板Ｗの第１側部１８と接する。第２傾斜面５５は、基板Ｗの第２側部１９と接する。

間隔Ｅ２は、水平方向における第１傾斜面５１と第２傾斜面５５の間隔に相当する。間隔Ｅ２は、下方に向かって減少する。

第１傾斜面５１は、上端５１Ｔを有する。第２傾斜面５５は、上端５５Ｔを有する。水平方向における上端５１Ｔと上端５５Ｔの間隔ＥＴは、基板Ｗの直径Ｄよりも大きい。例えば、間隔ＥＴは、３０６［ｍｍ］である。例えば、間隔ＥＴと基板Ｗの直径Ｄとの差は、基板Ｗの直径の１［％］以上である。例えば、間隔ＥＴと基板Ｗの直径Ｄの差は、２［ｍｍ］以上である。

第１傾斜面５１は、下端５１Ｂを有する。第２傾斜面５５は、下端５５Ｂを有する。水平方向における下端５１Ｂと下端５５Ｂの間隔ＥＢは、間隔ＥＴよりも狭い。間隔ＥＢは、基板Ｗの直径Ｄよりも小さい。

第１傾斜面５１の角度は、第１傾斜面５１の全体にわたって、一定ではない。第１傾斜面５１は、上傾斜面５２と下傾斜面５３を有する。下傾斜面５３は、上傾斜面５２の下方に配置される。下傾斜面５３は、上傾斜面５２の下端に接する。上傾斜面５２は、水平面に対して第１角度θ１で傾斜する。下傾斜面５３は、水平面に対して第２角度θ２で傾斜する。第２角度θ２は、第１角度θ１よりも小さい。下傾斜面５３は、上傾斜面５２よりも水平に近い。

同様に、第２傾斜面５５は、上傾斜面５６と下傾斜面５７を有する。第２傾斜面５５、上傾斜面５６および下傾斜面５７は、左右対称である点を除き、第１傾斜面５１、上傾斜面５２および下傾斜面５３と同じ形状を有する。

第１傾斜面５１は、中間点５１Ｍを有する。中間点５１Ｍは、上傾斜面５２と下傾斜面５３との接続位置である。第２傾斜面５５は、中間点５５Ｍを有する。中間点５５Ｍは、上傾斜面５６と下傾斜面５７との接続位置である。水平方向における中間点５１Ｍと中間点５５Ｍの間隔ＥＭは、基板Ｗの直径Ｄと略等しい。

図１、７を参照する。搬送機構８の構造を説明する。

搬送機構８はハンド６１とハンド駆動部６２を備える。ハンド６１は、１枚の基板Ｗを水平姿勢で支持する。ハンド駆動部６２は、ハンド６１に連結される。ハンド駆動部６２は、ハンド６１を移動する。

ハンド駆動部６２は、支柱６２ａと垂直移動部６２ｂと回転部６２ｃと進退移動部６２ｄを備える。支柱６２ａは、固定的に設置される。支柱６２ａは、上下方向Ｚに延びる。垂直移動部６２ｂは、支柱６２ａに支持される。垂直移動部６２ｂは、支柱６２ａに対して上下方向Ｚに移動する。回転部６２ｃは、垂直移動部６２ｂに支持される。回転部６２ｃは、垂直移動部６２ｂに対して回転する。回転部６２ｃは、回転軸線Ａ２回りに回転する。回転軸線Ａ２は、上下方向Ｚと平行である。進退移動部６２ｄは、回転部６２ｃの向きによって決まる水平な一方向に往復移動する。

図１５は、ハンド６１の底面図である。図１６（ａ）、１６（ｂ）は、ハンド６１の側面図である。ハンド６１は、進退移動部６２ｄに固定される。ハンド６１は、水平方向および上下方向Ｚに平行移動可能である。ハンド６１は、回転軸線Ａ２回りに回転可能である。

ハンド６１の構造を説明する。ハンド６１は、連結部６４を備える。連結部６４は、進退移動部６２ｄに接続される。

ハンド６１は、ベース部６５を備える。ベース部６５は、連結部６４に支持される。ベース部６５は、連結部６４から水平方向に延びる。

ベース部６５は、２つの枝部６６を含む。各枝部６６は、互いに離れている。各枝部６６は、連結部６４から同じ方向に延びる。各枝部６６が延びる方向を、第３方向Ｆ３という。第３方向Ｆ３は、水平である。第３方向Ｆ３は、進退移動部６２ｄが回転部６２ｃに対して往復移動する方向と同じである。第３方向Ｆ３と直交する水平な方向を第４方向Ｆ４という。２つの枝部６６は、第４方向Ｆ４に並ぶ。２つの枝部６６は、平面視において、２つの枝部６６の間を通り、第３方向Ｆ３と平行な仮想線に対して線対称である。各枝部６６は、湾曲している。各枝部６６は、互いに離反するように湾曲する部分を有する。言い換えれば、各枝部６６は、第４方向Ｆ４の外方に膨らむように湾曲した部分を有する。

ハンド６１は、吸引部６８を備える。吸引部６８は、ベース部６５に取り付けられる。吸引部６８は、気体を吹き出す。吸引部６８は、気体を下方に吹き出す。吸引部６８は、基板Ｗの上方の位置から、気体を基板Ｗに吹き出す。ここで、「基板Ｗの上方の位置」とは、基板Ｗよりも高い位置であって、平面視で基板Ｗと重なる位置である。図１５は、吸引部６８に吸引される基板Ｗを破線で示す。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に気体を吹き出す。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に沿って気体を流す。これにより、吸引部６８は、基板Ｗと接触することなく、基板Ｗを吸引する。具体的には、気体が基板Ｗの上面１７に沿って流れることによって、負圧が形成される。すなわち、基板Ｗの上面１７が受ける気圧は、基板Ｗの下面１６が受ける気圧よりも、小さい。ベルヌーイの原理により、基板Ｗに上向きの力が働く。すなわち、基板Ｗが上方に吸引される。基板Ｗは吸引部６８に向かって吸引される。ただし、吸引部６８は、吸引部６８が吸引する基板Ｗと接触しない。ベース部６５も、吸引部６８に吸引される基板Ｗと接触しない。

吸引部６８は、複数（６つ）の吸引パッド６９を含む。各吸引パッド６９は、ベース部６５の下面に設置される。吸引パッド６９は、ベース部６５に埋設される。各吸引パッド６９は、互いに離れている。各吸引パッド６９は、平面視で、吸引部６８に吸引された基板Ｗの中心Ｊ回りの円周上に配列される。

各吸引パッド６９は、平面視において、円形である。各吸引パッド６９は、上下方向Ｚと平行な中心軸心を有する円筒形状を有する。各吸引パッド６９は、下方に開放された下部を有する。吸引パッド６９は、吸引パッド６９の下部から気体を吹き出す。吸引パッド６９が気体を吹き出す前に、吸引パッド６９は、旋回流を形成してもよい。例えば、吸引パッド６９は、吸引パッド６９の内部において吸引パッド６９の中心軸線回りに旋回する気流を形成し、その後、吸引パッド６９は旋回流を吸引パッド６９の外部に放出してもよい。

搬送機構８は、気体供給路７１を備える。気体供給路７１は、吸引部６８に気体を供給する。気体供給路７１は、第１端と第２端を有する。気体供給路７１の第１端は、気体供給源７２に接続される。気体供給路７１の第２端は、吸引部６８に接続される。気体供給路７１の第２端は、各吸引パッド６９に接続される。吸引部６８に供給される気体は、例えば、窒素ガスや空気である。吸引部６８に供給される気体は、例えば、高圧ガスまたは圧縮ガスである。

搬送機構８は、吸引調整部７３を備える。吸引調整部７３は、気体供給路７１に設けられる。吸引調整部７３は、吸引部６８に供給する気体の流量を調整する。すなわち、吸引調整部７３は、吸引部６８が吹き出す気体の流量を調整する。吸引調整部７３は、吸引部６８に供給される気体の流量を無段階で調整してもよい。吸引調整部７３は、吸引部６８に供給される気体の流量を段階的に調整してもよい。吸引部６８に供給する気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。吸引調整部７３は、例えば、流量調整弁を含む。吸引調整部７３は、さらに、開閉弁を含んでもよい。

ハンド６１は、接触部７４を備える。接触部７４は、ベース部６５の下面に取り付けられる。接触部７４は、ベース部６５から下方に突出する。接触部７４は、吸引部６８よりも低い位置まで突出する。接触部７４は、平面視において、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重なる位置に配置される。接触部７４は、吸引部６８に吸引される基板Ｗの上面１７と接触する。より詳しくは、接触部７４は、基板Ｗの周縁部１２における上面１７と接触する。接触部７４は、吸引部６８に吸引される基板Ｗの下面１６と接触しない。接触部７４自体は、基板Ｗが接触部７４に対して下方に移動することを許容する。

吸引部６８が基板Ｗを上方に吸引し、かつ、接触部７４が基板Ｗの上面１７と接触することによって、基板Ｗは支持され、かつ、所定の位置に保たれる。すなわち、ハンド６１は、基板Ｗを保持する。

接触部７４は、吸引部６８よりも、吸引部６８に吸引される基板Ｗの中心Ｊから遠い位置に配置される。接触部７４は、吸引部６８よりも、吸引部６８に吸引される基板Ｗの径方向外方に配置される。

接触部７４は、複数（例えば２つ）の第１接触部７５と複数（例えば２つ）の第２接触部７６とを含む。第１接触部７５の位置は、底面視において、後述する第１受け部８２の位置と略同じである。第１接触部７５と第２接触部７６は、互いに離れている。第１接触部７５は、ベース部６５の先端部に取り付けられる。第１接触部７５は、吸引部６８よりも、連結部６４から遠い位置に配置される。第２接触部７６は、ベース部６５の基端部に取り付けられる。第２接触部７６は、吸引部６８よりも、連結部６４に近い位置に配置される。

ハンド６１は、壁部７７を備える。壁部７７は、ベース部６５の下面に取り付けられる。壁部７７は、ベース部６５から下方に延びる。壁部７７は、接触部７４よりも低い位置まで延びる。壁部７７は、吸引部６８に吸引される基板Ｗよりも低い位置まで延びる。壁部７７は、平面視において、吸引部６８に吸引された基板Ｗと重ならない位置に配置される。壁部７７は、吸引部６８に吸引された基板Ｗの側方に配置される。壁部７７は、吸引部６８に吸引された基板Ｗと接触しない。ただし、基板Ｗが水平方向に所定値以上、ずれたとき、壁部７７は基板Ｗと接触する。これにより、壁部７７は、基板Ｗが水平方向に所定値以上、ずれることを、規制する。所定値は、例えば、３［ｍｍ］である。

壁部７７は、接触部７４よりも、吸引部６８に吸引された基板Ｗの中心Ｊから遠い位置に配置される。壁部７７は、接触部７４よりも、吸引部６８に吸引された基板Ｗの径方向外方に配置される。

壁部７７は、複数（例えば２つ）の第１壁部７８と複数（例えば２つ）の第２壁部７９とを含む。第１壁部７８と第２壁部７９は、ベース部６５に固定される。第１壁部７８と第２壁部７９は、互いに離れている。第１壁部７８は、ベース部６５の先端部に取り付けられる。第１壁部７８は、吸引部６８よりも、連結部６４から遠い位置に配置される。第２壁部７９は、ベース部６５の基端部に取り付けられる。第２壁部７９は、吸引部６８よりも、連結部６４に近い位置に配置される。

第１壁部７８は、第１接触部７５と接続される。第１壁部７８は、第１接触部７５から下方に延びる。第２壁部７９は、第２接触部７６と接続される。第２壁部７９は、第２接触部７６から下方に延びる。

ハンド６１は、受け部８１を備える。受け部８１は、ベース部に支持される。受け部８１は、吸引部６８に吸引される基板Ｗの下方に配置される。受け部８１は、吸引部６８に吸引される基板Ｗと接触しない。受け部８１は、基板Ｗの下面１６を受けることができる。すなわち、受け部８１は、基板Ｗの下面１６と接触可能である。受け部８１は、基板Ｗを支持できる。受け部８１は、基板Ｗの上面１７を接触しない。受け部８１は、基板Ｗが受け部８１に対して上方に移動することを許容する。

受け部８１は、複数（例えば２つ）の第１受け部８２を備える。第１受け部８２は、ベース部６５に支持される。第１受け部８２は、ベース部６５に固定される。第１受け部８２は、ベース部６５に対して移動不能である。第１受け部８２は、吸引部６８に吸引される基板Ｗの下方に配置される。第１受け部８２は、基板Ｗの下面１６を受けることができる。すなわち、第１受け部８２は、基板Ｗの下面１６と接触可能である。

第１受け部８２は、吸引部６８よりも、吸引部６８に吸引される基板Ｗの中心Ｊから遠い位置に配置される。第１受け部８２は、吸引部６８よりも、吸引部６８に吸引される基板Ｗの径方向外方に配置される。第１受け部８２は、ベース部６５の先端部に配置される。第１受け部８２は、吸引部６８よりも、連結部６４から遠い位置に配置される。

第１受け部８２は、第１接触部７５の下方に配置される。第１受け部８２は、平面視において、第１接触部７５と重なる。

第１受け部８２は、第１壁部７８に接続される。第１受け部８２は、第１壁部７８から水平方向に延びる。第１受け部８２は、平面視において、第１壁部７８から、吸引部６８に吸引される基板Ｗの中心Ｊに向かって延びる。

上述した第１接触部７５と第１壁部７８と第１受け部８２は、一体に成形された部材である。第１接触部７５と第１壁部７８と第１受け部８２は、互いに分離不能である。第２接触部７６と第２壁部７９は、一体に成形された部材である。第２接触部７６と第２壁部７９は、互いに分離不能である。

搬送機構８は、第２受け部８３を備える。第２受け部８３は、ベース部６５に支持される。第２受け部８３は、吸引部６８に吸引される基板Ｗの下方に配置される。第２受け部８３は、基板Ｗの下面１６を受けることができる。すなわち、第２受け部８３は、基板Ｗの下面１６と接触可能である。

第２受け部８３は、吸引部６８よりも、吸引部６８に吸引された基板Ｗの中心Ｊから遠い位置に配置される。第２受け部８３は、吸引部６８よりも、吸引部６８に吸引された基板Ｗの径方向外方に配置される。第２受け部８３は、ベース部６５の基端部に配置される。第２受け部８３は、吸引部６８よりも、連結部６４に近い位置に配置される。第２受け部８３は、２つの枝部６６の間に配置される。第２受け部８３は、２つの第２接触部７６の間に配置される。

第２受け部８３は、ベース部６５に対して移動可能である。第２受け部８３は、ベース部６５に対して水平方向に移動可能である。具体的には、第２受け部８３は、脱落防止位置と退避位置に移動可能である。図１５は、脱落防止位置にある第２受け部８３を破線で示す。図１５は、退避位置にある第２受け部８３を実線で示す。第２受け部８３が退避位置から脱落防止位置に移動するとき、第２受け部８３は第１受け部８２に接近する。第２受け部８３が脱落防止位置から退避位置に移動するとき、第２受け部８３は第１受け部８２から遠ざかる。第２受け部８３が退避位置にあるとき、第２受け部８３は、平面視において、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重ならない。

図１７は、吸引部６８と、吸引部６８に吸引される基板Ｗと、受け部８１との平面図である。図１７では、第２受け部が脱落防止部にある。第１受け部８２の少なくとも一部は、平面視において、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重なる。第２受け部８３が脱落防止位置にあるとき、第２受け部８３の少なくとも一部は、平面視において、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重なる。第２受け部８３は、吸引部６８に吸引された基板Ｗの中心Ｊに対して、第１受け部８２とは反対側に配置される。

図１８は、受け部８１の平面図である。図１８では、第２受け部８３が退避位置にある。第２受け部８３が退避位置にあるとき、第１受け部８２と第２受け部８３の間のスペースは、基板Ｗよりも大きい。第２受け部８３が退避位置にあるとき、基板Ｗは、水平姿勢で、第１受け部８２と第２受け部８３の間を上下方向Ｚに通過可能である。図１８では、便宜上、基板Ｗを示す。なお、図１８に示される基板Ｗの位置は、吸引部６８に吸引される基板Ｗの位置とは異なる。

図１５、１６（ａ）、１６（ｂ）を参照する。壁部７７は、さらに、第３壁部８０を含む。第３壁部８０は、第２受け部８３に接続される。第３壁部８０は、第２受け部８３から上方に延びる。第２受け部８３は、第３壁部８０から水平方向に延びる。第２受け部８３は、平面視において、第３壁部８０から、吸引部６８に吸引される基板Ｗの中心Ｊに向かって延びる。

第２受け部８３と第３壁部８０は、一体に成形された部材である。第２受け部８３と第３壁部８０は、互いに分離不能である。第２受け部８３と第３壁部８０は、一体に移動する。第３壁部８０も、ベース部６５に対して移動可能である。

ハンド６１は、受け部駆動部８６を備える。受け部駆動部８６は、例えば、ベース部６５に支持される。受け部駆動部８６は、第２受け部８３と連結する。例えば、受け部駆動部８６は、第３壁部８０を介して、第２受け部８３と連結する。受け部駆動部８６は、第２受け部８３をベース部６５に対して移動させる。受け部駆動部８６は、第２受け部８３を水平方向に移動させる。受け部駆動部８６は、第２受け部８３を第３方向Ｆ３に往復移動させる。受け部駆動部８６は、第２受け部８３を第１受け部８２に接近させ、かつ、第２受け部８３を第１受け部８２から離反させる。受け部駆動部８６は、脱落防止位置と退避位置に、第２受け部８３を移動させる。

受け部駆動部８６は、アクチュエータ８７を備える。アクチュエータ８７は、アクチュエータ８７に入力された動力源によって、第２受け部８３を移動ささる。アクチュエータ８７は、退避位置から脱落防止位置に第２受け部８３を移動させ、かつ、脱落防止位置から退避位置に第２受け部８３を移動させる。アクチュエータ８７は、例えば、エアシリンダである。エアシリンダの動力源は、空気圧である。アクチュエータ８７は、例えば、電動モータである。電動モータの動力源は、電力である。

受け部駆動部８６は、さらに、弾性部材８８を備える。弾性部材８８は、第２受け部８３を、退避位置から脱落防止位置に向かって付勢する。弾性部材８８は、例えば、バネである。弾性部材８８は、アクチュエータ８７の外部に配置されてもよい。あるいは、弾性部材８８は、アクチュエータ８７の内部に配置されてもよい。

アクチュエータ８７の動力源が停止したとき、第２受け部８３は、弾性部材８８によって、退避位置に保たれる。

ハンド６１は、基板検出部８９を備える。基板検出部８９は、ハンド６１に支持される基板Ｗを検出する。基板検出部８９は、ベース部６５に取り付けられる。

図２を参照する。搬送機構８のハンド駆動部６２、吸引調整部７３、受け部駆動部８６（アクチュエータ８７）および基板検出部８９は、制御部９と通信可能に接続される。制御部９は、基板検出部８９の検出結果を受ける。制御部９は、ハンド駆動部６２、吸引調整部７３および受け部駆動部８６（アクチュエータ８７）を制御する。

図１を参照する。処理ユニット７の基本的な構造を説明する。各処理ユニット７は、基板保持部９１と回転駆動部９２とガード９３を備える。基板保持部９１は、１枚の基板Ｗを保持する。基板保持部９１は、基板Ｗを水平姿勢で保持する。回転駆動部９２は、基板保持部９１に連結される。回転駆動部９２は、基板保持部９１を回転する。ガード９３は、基板保持部９１の側方を囲むように配置される。ガード９３は、処理液を受ける。

処理ユニット７は、基板保持部９１の構造によって、第１処理ユニット７Ａと第２処理ユニット７Ｂに分類される。第１処理ユニット７Ａの基板保持部９１は、ベルヌーイチャック、または、ベルヌーイグリッパーと呼ばれる。ベルヌーイチャックは、比較的に薄い基板Ｗを保持するのに適している。第２処理ユニット７Ｂの基板保持部９１は、メカニカルチャック、または、メカニカルグリッパーと呼ばれる。メカニカルチャックは、比較的に厚い基板Ｗを保持するのに適している。

例えば、第１処理セクション４２に配置される６個の処理ユニット７はそれぞれ、第１処理ユニット７Ａである。例えば、第２処理セクション４３に配置される６個の処理ユニット７はそれぞれ、第２処理ユニット７Ｂである。

以下では、第１処理ユニット７Ａの基板保持部９１を、適宜に「第１基板保持部９１Ａ」と表記する。第１処理ユニット７Ａの回転駆動部９２を、適宜に「第１回転駆動部９２Ａ」と表記する。第２処理ユニット７Ｂの基板保持部９１を、適宜に「第２基板保持部９１Ｂ」と表記する。第２処理ユニット７Ｂの回転駆動部９２を、適宜に「第２回転駆動部９２Ｂ」と表記する。

図１９は、第１処理ユニット７Ａの構成を模式的に示す図である。図１９は、ガード９３の図示を省略する。第１処理ユニット７Ａの構造について説明する。

第１基板保持部９１Ａは、第１プレート１０１を備える。第１プレート１０１は、略円盤形状を有する。第１プレート１０１は、上面１０２を有する。上面１０２は、略水平である。上面１０２は、略平坦である。

第１回転駆動部９２Ａは、第１プレート１０１の下部に連結される。第１回転駆動部９２Ａは、第１プレート１０１を回転する。第１回転駆動部９２Ａによって、第１プレート１０１は、回転軸線Ａ３回りに回転する。回転軸線Ａ３は、上下方向Ｚと平行である。
回転軸線Ａ３は、第１プレート１０１の中心を通る。

図２０は、第１プレート１０１の平面図である。第１プレート１０１の上面１０２は、平面視において、円形である。第１プレート１０１の上面１０２は、平面視において、基板Ｗよりも大きい。

第１基板保持部９１Ａは、複数（例えば３０個）の固定ピン１０３を備える。固定ピン１０３は、基板Ｗを支持する。各固定ピン１０３は、第１プレート１０１に固定される。各固定ピン１０３は、第１プレート１０１に対して移動不能である。各固定ピン１０３は、第１プレート１０１に対して回転不能である。各固定ピン１０３は、第１プレート１０１に対して移動可能な可動部を有しない。

固定ピン１０３は、第１プレート１０１の上面１０２の周縁部に配置される。固定ピン１０３は、平面視で、回転軸線Ａ３回りの円周上に配列される。各固定ピン１０３は、互いに離れている。

図１９、２０を参照する。固定ピン１０３は、第１プレート１０１の上面１０２から上方に突出する。固定ピン１０３は、基板Ｗの下面１６と接触する。より詳しくは、固定ピン１０３は、基板Ｗの周縁部１２における下面１６と接触する。これにより、固定ピン１０３は、第１プレート１０１の上面１０２よりも高い位置で基板Ｗを支持する。図２０は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗを破線で示す。

固定ピン１０３は、基板Ｗの上面１７と接触しない。固定ピン１０３は、基板Ｗが固定ピン１０３に対して上方に移動することを許容する。固定ピン１０３は、基板Ｗの端縁２０と接触しない。固定ピン１０３自体は、基板Ｗが固定ピン１０３に対して滑ることを許容する。このように、固定ピン１０３自体は、基板Ｗを保持しない。

第１基板保持部９１Ａは、気体吹出口１０４を備える。気体吹出口１０４は、第１プレート１０１の上面１０２に形成される。気体吹出口１０４は、平面視において、固定ピン１０３に支持される基板Ｗと重なる位置に配置される。気体吹出口１０４は、上方に気体を吹き出す。気体吹出口１０４は、第１プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６との間に、気体を吹き出す。気体吹出口１０４は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下方の位置から、基板Ｗに気体を吹き出す。気体は、第１プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６の間に供給される。気体は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６に沿って流れる。これにより、気体吹出口１０４は、基板Ｗを吸引する。具体的には、気体が基板Ｗの下面１６に沿って流れることによって、負圧が形成される。すなわち、基板Ｗの下面１６が受ける気圧は、基板Ｗの上面１７が受ける気圧よりも、小さい。ベルヌーイの原理により、基板Ｗに下向きの力が働く。すなわち、基板Ｗが下方に吸引される。基板Ｗは気体吹出口１０４および第１プレート１０１に向かって吸引される。ただし、気体吹出口１０４は、基板Ｗと接触しない。第１プレート１０１も、基板Ｗと接触しない。

気体吹出口１０４が基板Ｗを下方に吸引し、かつ、固定ピン１０３が基板Ｗの下面１６と接触することによって、基板Ｗは支持され、かつ、所定の位置に保たれる。基板Ｗに働く吸引力によって、基板Ｗは固定ピン１０３に対して水平方向に滑らない。すなわち、第１基板保持部９１Ａは、基板Ｗを保持する。

気体吹出口１０４は、１つの第１吹出口１０５と複数の第２吹出口１０６を備える。第１吹出口１０５は、第１プレート１０１の上面１０２の中央部に配置される。第１吹出口１０５は、第１プレート１０１の回転軸線Ａ３上に配置される。第２吹出口１０６は、第１吹出口１０５よりも、第１プレート１０１の回転軸線Ａ３の径方向外方に配置される。第２吹出口１０６は、固定ピン１０３よりも、第１プレート１０１の回転軸線Ａ３の径方向内方に配置される。第２吹出口１０６は、平面視で、回転軸線Ａ３回りの円周上に配列される。

第１処理ユニット７Ａは、第１気体供給路１０７と第２気体供給路１０８を備える。第１気体供給路１０７は、第１吹出口１０５に気体を供給する。第２気体供給路１０８は、第２吹出口１０６に気体を供給する。第１気体供給路１０７の一部および第２気体供給路１０８の一部は、第１プレート１０１の内部に形成されている。第１気体供給路１０７は、第１端と第２端を有する。第１気体供給路１０７の第１端は、気体供給源１０９に接続される。第１気体供給路１０７の第２端は、第１吹出口１０５に接続される。第２気体供給路１０８は、第１端と第２端を有する。第２気体供給路１０８の第１端は、気体供給源１０９に接続される。第２気体供給路１０８の第２端は、第２吹出口１０６に接続される。第１吹出口１０５および第２吹出口１０６に供給される気体は、例えば、窒素ガスや空気である。第１吹出口１０５および第２吹出口１０６に供給される気体は、例えば、高圧ガスまたは圧縮ガスである。

第１処理ユニット７Ａは、第１吹出調整部１１１と第２吹出調整部１１２を備える。第１吹出調整部１１１は、第１気体供給路１０７に設けられる。第２吹出調整部１１２は、第２気体供給路１０８に設けられる。第１吹出調整部１１１は、第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量を調整する。すなわち、第１吹出調整部１１１は、第１吹出口１０５に供給される気体の流量を調整する。第２吹出調整部１１２は、第２吹出口１０６が吹き出す気体の流量を調整する。すなわち、第２吹出調整部１１２は、第２吹出口１０６に供給される気体の流量を調整する。第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。第２吹出口１０６が吹き出す気体の流量が大きくなるにしたがって、基板Ｗに作用する吸引力は大きくなる。

第１吹出調整部１１１は、第２吹出口１０６が吹き出す気体の流量を調整不能である。第２吹出調整部１１２は、第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量を調整不能である。第１吹出調整部１１１と第２吹出調整部１１２は、互いに独立して、作動可能である。よって、第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量と、第２吹出口１０６が吹き出す気体の流量を、互いに独立して、調整可能である。第１吹出調整部１１１と第２吹出調整部１１２はそれぞれ、例えば、流量調整弁を含む。第１吹出調整部１１１と第２吹出調整部１１２はそれぞれ、さらに、開閉弁を含んでもよい。

処理ユニット７は、複数（例えば６個）の位置調整ピン１１３を備える。位置調整ピン１１３は、第１プレート１０１に支持される。位置調整ピン１１３は、第１プレート１０１に対して水平方向に移動可能である。位置調整ピン１１３が第１プレート１０１に対して移動することによって、位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗと接触することができ、かつ、固定ピン１０３に支持された基板Ｗから離れることができる。より詳しくは、位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの端縁２０と接触可能である。位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持された基板Ｗの位置を調整する。位置調整ピン１１３は、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの中心Ｊを、第１プレート１０１の回転軸線Ａ３上に位置させる。

本明細書では、基板Ｗと接触している位置調整ピン１１３の位置を、「調整位置」という。基板Ｗから離れている位置調整ピン１１３の位置を、「退避位置」という。位置調整ピン１１３は、調整位置と退避位置に移動可能である。

位置調整ピン１１３は、第１プレート１０１の上面１０２の周縁部に配置される。位置調整ピン１１３は、平面視で、回転軸線Ａ３回りの円周上に配列される。位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持された基板Ｗと略同じ高さ位置に配置される。

図２１（ａ）、２１（ｂ）は、位置調整ピンの平面詳細図である。図２２（ａ）、２２（ｂ）は、位置調整ピンの側面図である。図２１（ａ）、２２（ａ）は、退避位置にある位置調整ピン１１３を示す。図２１（ｂ）、２２（ｂ）は、調整位置にある位置調整ピン１１３を示す。各位置調整ピン１１３はそれぞれ、軸部１１４に固定される。軸部１１４は、位置調整ピン１１３から下方に延びる。軸部１１４は、第１プレート１０１に支持される。位置調整ピン１１３は、軸部１１４を介して、第１プレート１０１に支持される。軸部１１４は、第１プレート１０１に対して回転可能である。軸部１１４は、回転軸線Ａ４回りに回転可能である。回転軸線Ａ４は、上下方向Ｚと平行である。回転軸線Ａ４は、軸部１１４の中心を通る。位置調整ピン１１３は、軸部１１４の回転軸線Ａ４から偏心した位置に配置される。軸部１１４が第１プレート１０１に対して回転することにより、位置調整ピン１１３は第１プレート１０１に対して水平方向に移動する。具体的には、位置調整ピン１１３は、回転軸線Ａ４回りに旋回移動する。これにより、位置調整ピン１１３は、第１プレート１０１の回転軸線Ａ３に近づき、かつ、第１プレート１０１の回転軸線Ａ３から遠ざかる。位置調整ピン１１３が第１プレート１０１の回転軸線Ａ３に近づくことによって、位置調整ピン１１３は調整位置に移動する。すなわち、位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持された基板Ｗの端縁２０に接触する。さらに、位置調整ピン１１３は、位置調整ピン１１３と接触する基板Ｗの端縁２０を回転軸線Ａ４に向かって押す。異なる位置に設けられる複数の位置調整ピン１１３が基板Ｗの端縁２０を押すことによって、基板Ｗは所定の位置に調整される。位置調整ピン１１３が第１プレート１０１の回転軸線Ａ３から遠ざかることによって、位置調整ピン１１３は退避位置に移動する。位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持された基板Ｗの端縁２０から離れる。

図２０を参照する。処理ユニット７は、複数（例えば６個）のリフトピン１１６を備える。リフトピン１１６は、第１プレート１０１の上面１０２の周縁部に配置される。位置調整ピン１１３は、平面視で、回転軸線Ａ３回りの円周上に配列される。

図２３（ａ）、２３（ｂ）は、リフトピン１１６の側面図である。リフトピン１１６は、第１プレート１０１に支持される。リフトピン１１６は、第１プレート１０１に対して上下方向Ｚに移動可能に支持される。リフトピン１１６は、基板Ｗを支持する。リフトピン１１６は、リフトピン１１６が支持する基板Ｗを、上下方向Ｚに移動させる。

図２３（ａ）は、上位置にあるリフトピン１１６を示す。リフトピン１１６は、上位置で基板Ｗを支持可能である。基板Ｗが上位置にあるとき、基板Ｗは固定ピン１０３よりも高い位置にある。

図２３（ｂ）を参照する。リフトピン１１６は、基板Ｗを上位置から下降させることによって、固定ピン１０３に基板Ｗを渡す。リフトピン１１６が固定ピン１０３に基板Ｗを渡した後、リフトピン１１５はさらに第１プレート１０１に対して下方に移動し、固定ピン１０３に支持される基板Ｗから離れる。

本明細書では、固定ピン１０３に支持される基板Ｗと接触しないリフトピン１１６の位置を、下位置という。図２３（ｂ）は、下位置にあるリフトピン１１６を示す。

リフトピン１１６が下位置から上方に移動することにより、固定ピン１０３から基板Ｗを取る。

このように、リフトピン１１６が上位置と下位置の間で移動する。これにより、リフトピン１１６は固定ピン１０３に基板Ｗを渡し、かつ、固定ピン１０３から基板Ｗを取る。

図１９を参照する。第１処理ユニット７Ａは、処理液供給部１２１を備える。処理液供給部１２１は、基板Ｗに処理液を供給する。

処理液供給部１２１は、ノズル１２２を備える。ノズル１２２は、処理液を基板Ｗに吐出する。ノズル１２２は、処理位置と退避位置に移動可能に設けられる。図１９は、処理位置にあるノズル１２２を破線で示す。図１９は、退避位置にあるノズル１２２を実線で示す。処理位置は、第１基板保持部９１Ａに保持された基板Ｗの上方の位置である。ノズル１２２が処理位置にあるとき、ノズル１２２は、平面視において、第１基板保持部９１Ａに保持された基板Ｗと重なる。ノズル１２２が退避位置にあるとき、ノズル１２２は、平面視において、第１基板保持部９１Ａに保持された基板Ｗと重ならない。

処理液供給部１２１は、配管１２３を備える。配管１２３は、ノズル１２２に処理液を供給する。配管１２３は、第１端と第２端を有する。配管１２３の第１端は、処理液供給源１２４に接続される。配管１２３の第２端は、ノズル１２２に接続される。

第１処理ユニット７Ａは、流量調整部１２５を備える。流量調整部１２５は、配管１２３に設けられる。流量調整部１２５は、処理液供給部１２１が基板Ｗに供給する処理液の流量を調整する。すなわち、流量調整部１２５は、ノズル１２２が吐出する処理液の流量を調整する。

第１処理ユニット７Ａは、基板検出部１２７を備える。基板検出部１２７は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗを検出する。さらに、基板検出部１２７は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの位置を検出する。基板検出部１２７は、例えば、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの端縁２０を撮像する。基板検出部１２７は、例えば、第１基板保持部９１Ａの上方に配置される。基板検出部１２７は、例えば、画像センサである。

図２を参照する。第１処理ユニット７Ａの第１回転駆動部９２Ａ、位置調整ピン１１３、リフトピン１１６、第１吹出調整部１１１、第２吹出調整部１１２、流量調整部１２５および基板検出部１２７は、制御部９と通信可能に接続される。制御部９は、基板検出部１２７の検出結果を受ける。制御部９は、第１回転駆動部９２Ａ、位置調整ピン１１３、リフトピン１１６、第１吹出調整部１１１、第２吹出調整部１１２および流量調整部１２５を制御する。

固定ピン１０３は、本発明における支持部の例である。位置調整ピン１１３は、本発明における位置調整部の例である。リフトピン１１６は、本発明における昇降部の例である。

図２４は、第２処理ユニット７Ｂの構成を模式的に示す図である。図２４は、ガード９３の図示を省略する。第２処理ユニット７Ｂの構造について詳しく説明する。なお、第１処理ユニット７Ａと同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

第２基板保持部９１Ｂは、第２プレート１３１を備える。第２プレート１３１は、略円盤形状を有する。第２プレート１３１は、上面１３２を有する。上面１３２は、略水平である。上面１３２は、略平坦である。

第２回転駆動部９２Ｂは、第２プレート１３１の下部に連結される。第２回転駆動部９２Ｂは、第２プレート１３１を回転する。第２回転駆動部９２Ｂによって、第２プレート１３１は、回転軸線Ａ５回りに回転する。回転軸線Ａ５は、上下方向Ｚと平行である。回転軸線Ａ５は、第２プレート１３１の中心を通る。

図２５は、第２プレート１３１の平面図である。第２プレート１３１の上面１３２は、平面視において、円形である。第２プレート１３１の上面１３２は、平面視において、基板Ｗよりも大きい。

第２基板保持部９１Ｂは、複数（例えば６個）の端縁接触ピン１３３を備える。端縁接触ピン１３３は、第２プレート１３１に取り付けられる。端縁接触ピン１３３は、第２プレート１３１に支持される。端縁接触ピン１３３は、第２プレート１３１に対して移動可能である。第２回転駆動部９２Ｂが第２基板保持部９１Ｂを回転するとき、端縁接触ピン１３３は基板Ｗの端縁２０と接触する。第２回転駆動部９２Ｂが第２基板保持部９１Ｂを回転するとき、端縁接触ピン１３３は、端縁接触ピン１３３に対して基板Ｗが滑らないように、基板Ｗの端縁２０を保持する。図２５は、端縁接触ピン１３３に保持される基板Ｗを破線で示す。

端縁接触ピン１３３は、第２プレート１３１の周縁部に配置される。端縁接触ピン１３３は、平面視で、回転軸線Ａ５回りの円周上に配列される。

図２６（ａ）、２６（ｂ）は、端縁接触ピン１３３の平面詳細図である。図２７（ａ）、２７（ｂ）は、端縁接触ピン１３３の側面図である。端縁接触ピン１３３および端縁接触ピン１３３に関連する構成を例示する。

各端縁接触ピン１３３はそれぞれ、小片部１３４に固定される。小片部１３４は、第２プレート１３１よりも十分小さい。小片部１３４は、平面視で、くさび形状を有する。
小片部１３４は、水平方向に延びる。

小片部１３４は、さらに、下面接触ピン１３５を支持する。下面接触ピン１３５も、小片部１３４に固定される。端縁接触ピン１３３および下面接触ピン１３５は、それぞれ、小片部１３４から上方に突出する。下面接触ピン１３５は、基板Ｗの下面１６と接触する。より詳しくは、下面接触ピン１３５は、基板Ｗの周縁部１２における下面１６と接触する。これにより、下面接触ピン１３５は、基板Ｗを支持する。下面接触ピン１３５は、基板Ｗの上面１７と接触しない。下面接触ピン１３５は、基板Ｗが下面接触ピン１３５に対して上方に移動することを許容する。

小片部１３４は、軸部１３６に固定される。軸部１３６は、小片部１３４から下方に延びる。軸部１３６は、第２プレート１３１に支持される。端縁接触ピン１３３および下面接触ピン１３５は、軸部１３６を介して、第２プレート１３１に支持される。軸部１３６は、第２プレート１３１に対して回転可能である。軸部１３６は、回転軸線Ａ６回りに回転可能である。回転軸線Ａ６は、上下方向Ｚと平行である。回転軸線Ａ６は、軸部１３６の中心を通る。

下面接触ピン１３５は、軸部１３６の回転軸線Ａ６上に配置される。回転軸線Ａ６は、下面接触ピン１３５の中心を通る。軸部１３６が第２プレート１３１に対して回転するとき、下面接触ピン１３５も第２プレート１３１に対して回転する。ただし、第２プレート１３１に対する下面接触ピン１３５の位置は、実質的に変わらない。下面接触ピン１３５と回転軸線Ａ５との距離は、変わらない。

端縁接触ピン１３３は、軸部１３６の回転軸線Ａ６から偏心した位置に配置される。
軸部１３６が第２プレート１３１に対して回転することにより、端縁接触ピン１３３は第２プレート１３１に対して水平方向に移動する。具体的には、端縁接触ピン１３３は、第２プレート１３１の回転軸線Ａ５に近づき、かつ、第２プレート１３１の回転軸線Ａ５から遠ざかる。

図２６（ａ）、図２７（ａ）を参照する。端縁接触ピン１３３が第２プレート１３１の回転軸線Ａ５に近づくことによって、端縁接触ピン１３３は、下面接触ピン１３５に支持された基板Ｗの端縁２０に接触する。さらに、端縁接触ピン１３３は、端縁接触ピン１３３と接触する基板Ｗの端縁２０を回転軸線Ａ５に向かって押してもよい。

図２６（ｂ）、図２７（ｂ）を参照する。端縁接触ピン１３３が第２プレート１３１の回転軸線Ａ４から遠ざかることによって、端縁接触ピン１３３は、下面接触ピン１３５に支持された基板Ｗの端縁２０から離れる。

第２回転駆動部９２Ｂが第２基板保持部９１Ｂを回転するとき、端縁接触ピン１３３は基板Ｗから離れない。端縁接触ピン１３３が基板Ｗの端縁２０と接触した状態で、第２回転駆動部９２Ｂは第２基板保持部９１Ｂを回転する。これにより、第２基板保持部９１Ｂが回転するとき、基板Ｗは端縁接触ピン１３３に対して滑らない。すなわち、端縁接触ピン１３３は、基板Ｗの端縁２０を保持する。

第２基板保持部９１Ｂでは、リフトピン１１６は、下面接触ピン１３５よりも高い位置で基板Ｗを支持可能である。リフトピン１１６は、下面接触ピン１３５に基板Ｗを渡すことができ、かつ、下面接触ピン１３５から基板Ｗを取ることができる。

なお、第２基板保持部９１Ｂは、端縁接触ピン１３３に保持された基板Ｗを吸引しない。第２基板保持部９１Ｂは、第２プレート１３１の上面１３２と端縁接触ピン１３３に保持された基板Ｗの下面１６との間に気体を吹き出さない。第２プレート１３１は、気体吹出口を有しない。

図２を参照する。第２処理ユニット７Ｂの第２回転駆動部９２Ｂ、リフトピン１１６、流量調整部１２５および端縁接触ピン１３３は、制御部９と通信可能に接続される。制御部９は、第２回転駆動部９２Ｂ、リフトピン１１６、流量調整部１２５および端縁接触ピン１３３を制御する。

端縁接触ピン１３３は、本発明における端縁接触部の例である。

＜基板処理装置１の動作例＞
以下の動作例を順に説明する。
・制御部９が基板Ｗの形状を取得する動作例
・搬送機構４の動作例
・搬送機構８の動作例
・第１処理ユニット７Ａの動作例
・第２処理ユニット７Ｂの動作例

＜制御部９が基板Ｗの形状を取得する動作例＞
図２８は、制御部９が基板Ｗの形状を取得する動作例の手順を示すフローチャートである。

ステップＳ１
バーコードリーダ３１がキャリアＣに付されるバーコードを読み取る。バーコードリーダ３１は、バーコードリーダ３１の検出結果を制御部９に出力する。

ステップＳ２
制御部９は、バーコードリーダ３１の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定する。具体的には、制御部９は、キャリアＣ内の基板Ｗが、第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれに属するかを特定する。制御部９は、キャリアＣ内の基板Ｗが、通常径基板ＷＮおよび大径基板ＷＬのいずれに属するかを特定する。

なお、制御部９は、キャリアＣから基板Ｗが搬出された後においても、基板Ｗの位置と基板Ｗの形状と関連付けて、管理する。具体的には、制御部９は、搬送機構４、８が各時刻において搬送する基板Ｗの形状、各時刻において載置部６に載置される基板Ｗの形状、処理ユニット７が各時刻において処理する基板Ｗの形状を、管理する。制御部９が基板Ｗの位置および基板Ｗの形状を管理するとき、制御部９は基板検出部３８、８９、１２７の検出結果を適宜に参照してもよい。

＜搬送機構４の動作例＞
図２９は、制御部９の制御および搬送機構４の動作の手順を示すフローチャートである。

ステップＳ１１
制御部９は、搬送機構４のハンド３３をキャリアＣに挿入するときのハンド３３の高さ位置を決定する。具体的には、制御部９は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に搬送機構４のハンド３３を挿入するときのハンド３３の高さ位置を決定する。以下では、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に搬送機構４のハンド３３を挿入するときのハンド３３の高さ位置を、「高さ位置ＨＡ」と略記する。制御部９は、搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗの形状に応じて、高さ位置ＨＡを変える。

具体的には、搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗが第１基板Ｗ１であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＡを第１高さ位置ＨＡ１に決定する。搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗが第２基板Ｗ２であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＡを第２高さ位置ＨＡ２に決定する。搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗが第３基板Ｗ３であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＡを第３高さ位置ＨＡ３に決定する。第２高さ位置ＨＡ２は、第１高さ位置ＨＡ１よりも高い。第３高さ位置ＨＡ３は、第１高さ位置ＨＡ１よりも高い。第３高さ位置ＨＡ３は、第２高さ位置ＨＡ２と同じである。

同様に、制御部９は、搬送機構４のハンド３３を載置部６に挿入するときのハンド３３の高さ位置を決定する。具体的には、制御部９は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に搬送機構４のハンド３３を挿入するときのハンド３３の高さ位置を決定する。以下では、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に搬送機構４のハンド３３を挿入するときのハンド３３の高さ位置を、「高さ位置ＨＢ」と略記する。制御部９は、搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗの形状に応じて、高さ位置ＨＢを変える。

具体的には、搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗが第１基板Ｗ１であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＢを第１高さ位置ＨＢ１に決定する。搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗが第２基板Ｗ２であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＢを第２高さ位置ＨＢ２に決定する。搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗが第３基板Ｗ３であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＢを第３高さ位置ＨＢ３に決定する。第２高さ位置ＨＢ２は、第１高さ位置ＨＢ１よりも高い。第３高さ位置ＨＢ３は、第１高さ位置ＨＢ１よりも高い。第３高さ位置ＨＢ３は、第２高さ位置ＨＢ２と同じである。

ステップＳ１２
制御部９は、搬送機構４のハンド３３を上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に挿入するときのハンド３３の挿入量を決定する。上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に挿入されるハンド３３の挿入量は、搬送機構４のハンド３３を上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に挿入するときの前後方向Ｘにおけるハンド３３の移動量に相当する。以下では、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に挿入されるハンド３３の挿入量を、「挿入量ＫＡ」と略記する。制御部９は、搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗの形状に応じて、挿入量ＫＡを変える。

搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗが通常径基板ＷＮであるとき、制御部９は、挿入量ＫＡを第１挿入量ＫＡ１に決定する。搬送機構４が棚２２から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚２２に置く基板Ｗが大径基板ＷＬであるとき、制御部９は、挿入量ＫＡを第２挿入量ＫＡ２に決定する。第２挿入量ＫＡ２は、第１挿入量ＫＡ１よりも大きい。

同様に、制御部９は、搬送機構４のハンド３３を上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に挿入するときのハンド３３の挿入量を決定する。以下では、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に挿入されるハンド３３の挿入量を、「挿入量ＫＢ」と略記する。制御部９は、搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗの形状に応じて、挿入量ＫＢを変える。

搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗが通常径基板ＷＮであるとき、制御部９は、挿入量ＫＢを第１挿入量ＫＢ１に決定する。搬送機構４が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構４が棚４５に置く基板Ｗが大径基板ＷＬであるとき、制御部９は、挿入量ＫＢを第２挿入量ＫＢ２に決定する。第２挿入量ＫＢ２は、第１挿入量ＫＢ１よりも大きい。

ステップＳ１３
制御部９は、搬送機構４のハンド３３の移動速度と加速度を決定する。以下では、搬送機構４のハンド３３の移動速度を、「移動速度ＶＡ」と略記する。以下では、搬送機構４のハンド３３の加速度を、「加速度ＡＡ」と略記する。制御部９は、搬送機構４が基板Ｗを支持しているか否かによって、移動速度ＶＡを変える。制御部９は、搬送機構４が基板Ｗを支持しているか否かによって、加速度ＡＡを変える。

制御部９が移動速度ＶＡと加速度ＡＡを決定するとき、制御部９は基板検出部３８の検出結果を適宜に参照してもよい。

搬送機構４が基板Ｗを支持しているとき、制御部９は移動速度ＶＡを第１速度ＶＡ１に決定する。搬送機構４が基板Ｗを支持していないとき、制御部９は移動速度ＶＡを第２速度ＶＡ２に決定する。第２速度ＶＡ２は、第１速度ＶＡ１よりも大きい。例えば、第１速度ＶＡ１は、第２速度ＶＡ２の５０％以下である。

搬送機構４が基板Ｗを支持しているとき、制御部９は加速度ＡＡを第１加速度ＡＡ１に決定する。搬送機構４が基板Ｗを支持していないとき、制御部９は加速度ＡＡを第２加速度ＡＡ２に決定する。第２加速度ＡＡ２は、第１加速度ＡＡ１よりも大きい。例えば、第１加速度ＡＡ１は、第２加速度ＡＡ２の７０％以下である。

ステップＳ１４
制御部９は、決定された高さ位置ＨＡ、ＨＢ、挿入量ＫＡ、ＫＢ、移動速度ＶＡ、および、加速度ＡＡによって、搬送機構４（具体的にはハンド駆動部３４）を制御する。

ステップＳ１５
制御部９による制御にしたがって、搬送機構４のハンド駆動部３４は、ハンド３３を移動させる。これにより、搬送機構４は基板Ｗを搬送する。

下記の動作例を具体的に説明する。
・搬送機構４がキャリアＣの棚２２から基板Ｗを取る動作例
・搬送機構４がキャリアＣから載置部６に基板Ｗを搬送する動作例
・搬送機構４が載置部６の棚４５に基板Ｗを置く動作例

＜＜搬送機構４がキャリアＣの棚２２から基板Ｗを取る動作例＞＞
図３０（ａ）－３０（ｄ）は、搬送機構４がキャリアＣの棚２２から基板Ｗを取る動作例を模式的に示す図である。

図３０（ａ）を参照する。ハンド３３は、基板Ｗを支持していない。ハンド３３は、キャリアＣと向かい合う位置に移動する。ハンド３３は、制御部９によって決定された高さ位置ＨＡに調整される。

図３０（ｂ）を参照する。ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、制御部９によって決定された高さ位置ＨＡで進入する。このとき、ハンド３３は、水平方向に移動する。具体的には、ハンド３３は前後方向Ｘに移動する。ロッド３６が延びる第１方向Ｆ１はハンド３３の移動方向と一致する。言い換えれば、第１方向Ｆ１がハンド３３の移動方向に保たれた状態で、ハンド３３は上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に進入する。

ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、制御部９によって決定された挿入量ＫＡだけ進み、その後、停止する。

ここまでの手順では、ハンド３３は、第２速度ＶＡ２および第２加速度ＡＡ２で、移動する。

図３０（ｃ）を参照する。ハンド３３が上方に移動し、１つの棚２２に含まれる第１棚２３と第２棚２４の間を通過する。これにより、ハンド３３は、１つの棚２２から１枚の基板Ｗを取る。

図３０（ｄ）を参照する。ハンド３３が基板Ｗを支持した状態で、ハンド３３は退き、キャリアＣの外部に出る。この手順から、ハンド３３は、第１速度ＶＡ１および第１加速度ＡＡ１で、移動する。

上述した動作例において、棚２２に載置される基板Ｗが第１基板Ｗ１に属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、第１高さ位置ＨＡ１で進入する。棚２２に載置される基板Ｗが第２基板Ｗ２に属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、第２高さ位置ＨＡ２で進入する。棚２２に載置される基板Ｗが第３基板Ｗ３に属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、第３高さ位置ＨＡ３で進入する。棚２２に載置される基板Ｗが通常径基板ＷＮであるとき、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、第１挿入量ＫＡ１だけ、進み、その後、停止する。棚２２に載置される基板Ｗが大径基板ＷＬであるとき、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、第２挿入量ＫＡ２だけ、進み、その後、停止する。

図３１（ａ）、３１（ｂ）は、棚２２に載置される基板Ｗとハンド３３の挿入高さＨＡの関係を示す図である。図３１（ａ）では、棚２２に第１基板Ｗ１が載置される。図３１（ｂ）では、棚２２に第２基板Ｗ２または第３基板Ｗ３が載置される。

第１基板Ｗ１は、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３よりも、撓む。具体的には、第１基板Ｗ１は、下方に凸に湾曲する。上述のとおり、第１高さ位置ＨＡ１は、第２高さ位置ＨＡ２および第３高さ位置ＨＡ３よりも低い。このため、ハンド３３が第１基板Ｗ１と干渉することなく、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、進入できる。

第２基板Ｗ２または第３基板Ｗ３の撓み量は、第１基板Ｗ１よりも小さい。上述のとおり、第２高さ位置ＨＡ２および第３高さ位置ＨＡ３はいずれも、第１高さ位置ＨＡ１よりも高い。このため、ハンド３３が第２基板Ｗ２または第３基板Ｗ３と干渉することなく、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚２２の間に、進入できる。

＜＜搬送機構４がキャリアＣから載置部６に基板Ｗを搬送する動作例＞＞
ハンド３３が基板Ｗを支持した状態で、ハンド３３はキャリアＣから載置部６に移動する。これにより、搬送機構４は、キャリアＣから載置部６に基板Ｗを搬送する。搬送機構４がキャリアＣから載置部６に基板Ｗを搬送するとき、ハンド３３は、第１速度ＶＡ１および第１加速度ＡＡ１で、移動する。

＜＜搬送機構４が載置部６の棚４５に基板Ｗを置く動作例＞＞
図３２（ａ）－３２（ｄ）は、搬送機構４が載置部６の棚４５から基板Ｗを取る動作例を模式的に示す図である。

図３２（ａ）を参照する。ハンド３３は、基板Ｗを支持する。ハンド３３は、載置部６と向かい合う位置に移動する。ハンド３３は、制御部９によって決定された高さ位置ＨＢに調整される。

図３２（ｂ）を参照する。ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、制御部９によって決定された高さ位置ＨＢで進入する。ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、制御部９で決定された挿入量ＫＢだけ進み、その後、停止する。

ここまでの手順では、ハンド３３は、第１速度ＶＡ１および第１加速度ＡＡ１で、移動する。

図３２（ｃ）を参照する。ハンド３３が下方に移動し、１つの棚４５に含まれる第１棚４６と第２棚４７の間を通過する。これにより、ハンド３３は、１つの棚４５に１枚の基板Ｗを置く。ハンド３３は、棚４５上の基板Ｗから離れる。

基板Ｗは、棚４５の第１傾斜面５１および第２傾斜面５５によって案内される。これにより、基板Ｗが棚４５に載置されるとき、基板Ｗは、所定の位置に位置決めされる。仮にハンド３３が棚４５に基板Ｗを置く位置がばらついても、棚４５は、基板Ｗの位置のばらつきが小さくなるように。基板Ｗの位置を調整する。

図３２（ｄ）を参照する。ハンド３３が基板Ｗを支持していない状態で、ハンド３３は退き、載置部６の外部に出る。この手順から、ハンド３３は、第２速度ＶＡ２および第２加速度ＡＡ２で、移動する。

上述した動作例において、ハンド３３に支持される基板Ｗが第１基板Ｗ１に属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第１高さ位置ＨＢ１で進入する。ハンド３３に支持される基板Ｗが第２基板Ｗ２に属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第２高さ位置ＨＡ２で進入する。ハンド３３に支持される基板Ｗが第３基板Ｗ３に属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第３高さ位置ＨＡ３で進入する。ハンド３３に支持される基板Ｗが通常径基板ＷＮに属する場合、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第１挿入量ＫＢ１だけ進み、その後、停止する。ハンド３３に支持される基板Ｗが大径基板ＷＬであるとき、ハンド３３は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第２挿入量ＫＢ２だけ、進む。

搬送機構４が載置部６の棚４５から基板Ｗを取る動作は、搬送機構４がキャリアＣの棚２２から基板Ｗを取る動作と略同じである。搬送機構４がキャリアＣの棚２２に基板Ｗを置く動作は、搬送機構４が載置部６の棚４５に基板Ｗを置く動作と略同じである。

＜搬送機構８の動作例＞
図３３は、制御部９の制御および搬送機構８の動作の手順を示すフローチャートである。

ステップＳ２１
制御部９は、搬送機構８のハンド６１を載置部６に挿入するときのハンド３３の高さ位置を決定する。具体的には、制御部９は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に搬送機構８のハンド６１を挿入するときのハンド６１の高さ位置を決定する。以下では、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に搬送機構８のハンド６１を挿入するときのハンド６１の高さ位置を、「高さ位置ＨＣ」と略記する。制御部９は、搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗの形状に応じて、高さ位置ＨＣを変える。

具体的には、搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗが第１基板Ｗ１であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＣを第１高さ位置ＨＣ１に決定する。搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗが第２基板Ｗ２であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＣを第２高さ位置ＨＣ２に決定する。搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗが第３基板Ｗ３であるとき、制御部９は、高さ位置ＨＣを第３高さ位置ＨＣ３に決定する。第２高さ位置ＨＣ２は、第１高さ位置ＨＣ１よりも高い。第３高さ位置ＨＣ３は、第１高さ位置ＨＣ１よりも高い。第３高さ位置ＨＣ３は、第２高さ位置ＨＣ２と同じである。

ステップＳ２２
制御部９は、搬送機構８のハンド６１を上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に挿入するときのハンド６１の挿入量を決定する。上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に挿入されるハンド６１の挿入量は、搬送機構８のハンド６１を上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に挿入するときの前後方向Ｘにおけるハンド６１の移動量に相当する。以下では、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に挿入されるハンド６１の挿入量を、「挿入量ＫＣ」と略記する。制御部９は、搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗの形状に応じて、挿入量ＫＣを変える。

搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗが通常径基板ＷＮであるとき、制御部９は、挿入量ＫＣを第１挿入量ＫＣ１に決定する。搬送機構８が棚４５から取る基板Ｗまたは搬送機構８が棚４５に置く基板Ｗが大径基板ＷＬであるとき、制御部９は、挿入量ＫＣを第２挿入量ＫＣ２に決定する。第２挿入量ＫＣ２は、第１挿入量ＫＣ１よりも大きい。

ステップＳ２３
制御部９は、吸引部６８に供給される気体の流量を決定する。以下では、吸引部６８に供給される気体の流量を、「流量Ｍ」と略記する。制御部９は、搬送機構８に搬送される基板Ｗの形状に応じて、流量Ｍを変える。

具体的には、搬送機構８が第１基板Ｗ１を搬送するとき、制御部９は、流量Ｍを第１流量Ｍ１に調整する。搬送機構８が第２基板Ｗ２を搬送するとき、制御部９は、流量Ｍを第２流量Ｍ２に調整する。搬送機構８が第３基板Ｗ３を搬送するとき、制御部９は、流量Ｍを第３流量Ｍ３に調整する。第２流量Ｍ２は、第１流量Ｍ１よりも大きい。第３流量Ｍ３は、第１流量Ｍ１よりも大きい。

ステップＳ２４
制御部９は、基板Ｗを処理する処理ユニット７を決定する。より詳しくは、制御部９は、基板Ｗの形状に応じて、基板Ｗを処理する処理ユニット７を、第１処理ユニット７Ａおよび第２処理ユニット７Ｂのいずれか１つに決定する。

具体的には、基板Ｗが第１基板Ｗ１であるとき、制御部９は、その基板Ｗを第１処理ユニット７Ａにおいて処理することを決定する。基板Ｗが第２基板Ｗ２であるとき、制御部９は、その基板Ｗを第２処理ユニット７Ｂにおいて処理することを決定する。基板Ｗが第３基板Ｗ３であるとき、制御部９は、その基板Ｗを第２処理ユニット７Ｂにおいて処理することを決定する。

ステップＳ２５
制御部９は、搬送機構８のハンド６１の移動速度と加速度を決定する。以下では、搬送機構８のハンド６１の移動速度を、「移動速度ＶＢ」と略記する。以下では、搬送機構８のハンド６１の加速度を、「加速度ＡＢ」と略記する。制御部９は、搬送機構８が基板Ｗを支持しているか否かによって、移動速度ＶＢを変える。制御部９は、搬送機構８が基板Ｗを支持しているか否かによって、加速度ＡＢを変える。

制御部９が移動速度ＶＢと加速度ＡＢを決定するとき、制御部９は基板検出部８９の検出結果を適宜に参照してもよい。

具体的には、搬送機構８が基板Ｗを支持しているとき、制御部９は移動速度ＶＢを第１速度ＶＢ１に決定する。搬送機構８が基板Ｗを支持していないとき、制御部９は移動速度ＶＢを第２速度ＶＢ２に決定する。第２速度ＶＢ２は、第１速度ＶＢ１よりも大きい。例えば、第１速度ＶＢ１は、第２速度ＶＢ２の５０％以下である。

搬送機構８が基板Ｗを支持しているとき、制御部９は加速度ＡＢを第１加速度ＡＢ１に決定する。搬送機構８が基板Ｗを支持していないとき、制御部９は加速度ＡＢを第２加速度ＡＢ２に決定する。第２加速度ＡＢ２は、第１加速度ＡＢ１よりも大きい。例えば、第１加速度ＡＢ１は、第２加速度ＡＢ２の７０％以下である。

ステップＳ２６
制御部９は、決定された高さ位置ＨＣ、挿入量ＫＣ、流量Ｍ、処理ユニット７、移動速度ＶＢ、および、加速度ＡＢによって、搬送機構８（具体的にはハンド駆動部６２）を制御する。決定された処理ユニット７は、具体的には、第１処理ユニット７Ａおよび第２処理ユニット７Ｂのうちで決定された１つである。

ステップＳ２７
制御部９による制御にしたがって、搬送機構８のハンド駆動部６２は、ハンド６１を移動させる。これにより、搬送機構８は基板Ｗを搬送する。

下記の動作例を具体的に説明する。
・搬送機構８が載置部６の棚４５から基板Ｗを取る動作例
・搬送機構８が載置部６から処理ユニット７に基板Ｗを搬送する動作例
・搬送機構８が処理ユニットの基板保持部９１に基板Ｗを渡す動作例
・搬送機構８が処理ユニット７の基板保持部９１から基板Ｗを取る動作例
・搬送機構８が載置部６の棚４５に基板Ｗを渡す動作例

＜＜搬送機構８が載置部６の棚４５から基板Ｗを取る動作例＞＞
図３４（ａ）－３４（ｄ）、および、図３５（ａ）－３５（ｄ）は、搬送機構８が載置部６の棚４５から基板Ｗを取る動作例を模式的に示す図である。

図３４（ａ）を参照する。ハンド６１は、基板Ｗを保持していない。吸引調整部７３は、吸引部６８に気体を供給していない。吸引部６８は、気体を吹き出していない。吸引部６８は、基板Ｗを吸引していない。第２受け部８３は、退避位置に位置している。ハンド６１は、載置部６と向かい合う位置に移動する。ハンド６１は、制御部９によって決定された高さ位置ＨＣに調整される。

図３４（ｂ）を参照する。ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、制御部９によって決定された高さ位置ＨＣで進入する。ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、制御部９で決定された挿入量ＫＣだけ進み、その後、停止する。ハンド６１が停止したとき、第１受け部８２および第２受け部８３は、平面視において、棚４５に載置される基板Ｗと重ならない。

図３４（ｃ）を参照する。ハンド６１が下方に移動する。第１受け部８２と第２受け部８３は、１つの棚４５に載置される基板Ｗの側方を通過し、棚４５に載置される基板Ｗよりも低い位置まで移動する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に近づく。

図３４（ｄ）を参照する。ハンド６１は、水平方向に僅かに移動する。これにより、第１受け部８２は、平面視において、棚４５に載置される基板Ｗと重なる位置に移動する。第２受け部８３は、平面視において、棚４５に載置される基板Ｗと重ならないままである。

ここまでの手順では、ハンド６１は、第２速度ＶＢ２および第２加速度ＡＢ２で、移動する。

図３５（ａ）を参照する。吸引調整部７３は、制御部９によって決定された流量Ｍで、吸引部６８に気体を供給する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に沿って気体を流す。これにより、吸引部６８は基板Ｗを上方に吸引する。基板Ｗは、上方に浮く。基板Ｗは、棚４５から離れる。基板Ｗの上面１７は、接触部７４に接触する。このようにして、ハンド６１は、棚４５から１枚の基板Ｗを取る。ハンド６１は、基板Ｗを保持する。

図３５（ｂ）を参照する。ハンド６１が上方に移動する。この手順から、ハンド６１は、第１速度ＶＢ１および第１加速度ＡＢ１で、移動する。

図３５（ｃ）を参照する。受け部駆動部８６が退避位置から脱落防止位置に第２受け部８３を移動させる。これにより、第１受け部８２および第２受け部８３の両方が、平面視において、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重なる。

このため、仮に、基板Ｗが接触部７４から離れて下方に落下しても、受け部８１は基板Ｗを受け止める。すなわち、ハンド６１は、基板Ｗを落とすおそれがない。

図３５（ｄ）を参照する。ハンド６１が基板Ｗを保持した状態で、ハンド６１は退き、載置部６の外部に出る。

上述した動作例において、棚４５に載置される基板Ｗが第１基板Ｗ１に属する場合、ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第１高さ位置ＨＣ１で進入する。さらに、吸引調整部７３は第１流量Ｍ１で吸引部６８に気体を供給する。棚４５に載置される基板Ｗが第２基板Ｗ２に属する場合、ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第２高さ位置ＨＣ２で進入する。さらに、吸引調整部７３は第２流量Ｍ２で吸引部６８に気体を供給する。棚４５に載置される基板Ｗが第３基板Ｗ３に属する場合、ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第３高さ位置ＨＣ３で進入する。さらに、吸引調整部７３は第３流量Ｍ３で吸引部６８に気体を供給する。棚４５に載置される基板Ｗが第３基板Ｗ３に属する場合、ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第３高さ位置ＨＣ３で進入する。さらに、吸引調整部７３は吸引部６８に第３流量Ｍ３で気体を供給する。棚４５に載置される基板Ｗが通常径基板ＷＮであるとき、ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第１挿入量ＫＣ１だけ、進み、その後、停止する。棚４５に載置される基板Ｗが大径基板ＷＬであるとき、ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、第２挿入量ＫＣ２だけ、進み、その後、停止する。

＜＜搬送機構８が載置部６から処理ユニット７に基板Ｗを搬送する動作例＞＞
ハンド６１は基板Ｗを保持している。具体的には、吸引調整部７３は、制御部９によって決定された流量Ｍで、吸引部６８に気体を供給する。ハンド６１が保持する基板Ｗが第１基板Ｗ１である場合、吸引調整部７３は、第１流量Ｍ１で吸引部６８に気体を供給する。ハンド６１が保持する基板Ｗが第２基板Ｗ２または第３基板Ｗ３である場合、吸引調整部７３は、第２流量Ｍ２で吸引部６８に気体を供給する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１６に沿って気体を流している。吸引部６８は、基板Ｗを吸引している。

第２受け部８３は、脱落防止位置に位置する。第１受け部８２と第２受け部８３の両方は、平面視で、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重なる。

ハンド６１は、載置部６から、制御部９によって決定された処理ユニット７に移動する。これにより、搬送機構８は、制御部９によって決定された処理ユニット７に、基板Ｗを搬送する。ハンド６１が保持する基板Ｗが第１基板Ｗ１である場合、搬送機構８は、第１処理ユニット７Ａに基板Ｗを搬送する。ハンド６１が保持する基板Ｗが第２基板Ｗ２または第３基板Ｗ３である場合、搬送機構８は、第２処理ユニット７Ｂに基板Ｗを搬送する。

搬送機構８が載置部６から処理ユニット７に基板Ｗを搬送するとき、ハンド６１は、第１速度ＶＢ１および第１加速度ＡＡ１で、移動する。

＜＜搬送機構８が処理ユニット７の基板保持部９１に基板Ｗを渡す動作例＞＞
図３６（ａ）－３６（ｆ）は、搬送機構８が処理ユニット７の基板保持部９１に基板Ｗを渡す動作例を模式的に示す図である。なお、基板保持部９１が第１基板保持部９１Ａであっても第２基板保持部９１Ｂであっても、搬送機構８が基板保持部９１に基板Ｗを渡す動作は同じである。

図３６（ａ）を参照する。ハンド６１が基板Ｗを保持している。具体的には、吸引調整部７３は、制御部９によって決定された流量Ｍで、吸引部６８に気体を供給する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１６に沿って気体を流している。吸引部６８は、基板Ｗを吸引している。

第２受け部８３は、脱落防止位置に位置している。ハンド６１は処理ユニット７の内部に進入している。ハンド６１は、基板保持部９１の上方に位置している。リフトピン１１６は、上位置に位置している。

図３６（ｂ）を参照する。吸引調整部７３は、吸引部６８への気体の供給を停止する。吸引部６８は、基板Ｗの吸引を停止する。基板Ｗは、下方に落ちる。受け部８１は、基板Ｗを受ける。より詳しくは、第１受け部８２と第２受け部８３は、基板Ｗの下面１６を受ける。このように、吸引部６８が基板Ｗの吸引を停止することによって、基板Ｗを第１受け部８２および第２受け部８３に載せる。

図３６（ｃ）を参照する。ハンド６１は、僅かに下方に移動する。これにより、第１受け部８２および第２受け部８３はリフトピン１１６に基板Ｗを渡す。リフトピン１１６は、受け部８１から基板Ｗを受ける。リフトピン１１６は、基板Ｗを上位置で支持する。第１受け部８２および第２受け部８３は、リフトピン１１６に支持される基板Ｗよりも低い位置まで移動する。第１受け部８２および第２受け部８３は、リフトピン１１６に支持される基板Ｗから離れる。

ここまでの手順では、ハンド６１は、第１速度ＶＢ１および第１加速度ＡＢ１で、移動する。

図３６（ｄ）を参照する。受け部駆動部８６が脱落防止位置から退避位置に第２受け部８３を移動させる。これにより、第２受け部８３は、平面視で、リフトピン１１６に支持される基板Ｗと重ならない位置に移動する。第１受け部８２は、平面視において、リフトピン１１６に支持される基板Ｗと重なったままである。

図３６（ｅ）を参照する。ハンド６１は、水平方向に僅かに移動する。これにより、第１受け部８２および第２受け部８３の両方が、平面視で、リフトピン１１６に支持された基板Ｗと重ならない位置に移動する。この手順から、ハンド６１は、第２速度ＶＢ２および第２加速度ＡＢ２で、移動する。

図３６（ｆ）を参照する。ハンド６１は、上方に移動する。第１受け部８２と第２受け部８３は、リフトピン１１６に支持される基板Ｗの側方を通過し、リフトピン１１６に支持される基板Ｗよりも高い位置まで移動する。

その後、図示を省略するが、ハンド６１が基板Ｗを保持していない状態で、ハンド６１は退き、処理ユニット７の外部に出る。

＜＜搬送機構８が処理ユニット７の基板保持部９１から基板Ｗを取る動作例＞＞
図３７（ａ）－３７（ｆ）は、搬送機構８が処理ユニット７の基板保持部９１から基板Ｗを取る動作例を模式的に示す図である。なお、基板保持部９１が第１基板保持部９１Ａであっても第２基板保持部９１Ｂであっても、搬送機構８が基板保持部９１から基板Ｗを取る動作は同じである。

図３７（ａ）を参照する。ハンド６１が基板Ｗを保持していない。吸引調整部７３は、吸引部６８に気体を供給していない。吸引部６８は、基板Ｗの上面１６に沿って気体を流していない。吸引部６８は、基板Ｗを吸引していない。第２受け部８３は、退避位置に位置している。ハンド６１は処理ユニット７の内部に進入している。ハンド６１は、基板保持部９１の上方に位置している。リフトピン１１６は、基板Ｗを上位置で支持している。第１受け部８２および第２受け部８３は、平面視において、リフトピン１１６に支持される基板Ｗと重ならない。

図３７（ｂ）を参照する。ハンド６１が僅かに下方に移動する。第１受け部８２と第２受け部８３は、リフトピン１１６に支持される基板Ｗの側方を通過し、リフトピン１１６に支持される基板Ｗよりも低い位置まで移動する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に近づく。

図３７（ｃ）を参照する。ハンド６１が僅かに水平方向に移動する。これにより、第１受け部８２は、平面視において、リフトピン１１６に支持される基板Ｗと重なる位置に移動する。第２受け部８３は、平面視において、リフトピン１１６に支持される基板Ｗと重ならないままである。

図３７（ｄ）を参照する。受け部駆動部８６が退避位置から脱落防止位置に第２受け部８３を移動させる。これにより、第２受け部８３および第１受け部８２の両方が、平面視において、吸引部６８に吸引される基板Ｗと重なる。

ここまでの手順では、ハンド６１は、第２速度ＶＢ２および第２加速度ＡＢ２で、移動する。

図３７（ｅ）を参照する。吸引調整部７３は、制御部９によって決定された流量Ｍで、吸引部６８に気体を供給する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に沿って気体を流す。これにより、吸引部６８は基板Ｗを上方に吸引する。基板Ｗは、上方に浮く。基板Ｗは、リフトピン１１６から離れる。基板Ｗの上面１７は、接触部７４に接触する。このようにして、ハンド６１は、リフトピン１１６から１枚の基板Ｗを取る。ハンド６１は、基板Ｗを保持する。

図３７（ｆ）を参照する。ハンド６１が基板Ｗを保持した状態で、ハンド６１は上方に移動する。

この手順から、ハンド６１は、第１速度ＶＢ１および第１加速度ＡＢ１で、移動する。

その後、図示を省略するが、ハンド６１が基板Ｗを保持した状態で、ハンド６１は退き、処理ユニット７の外部に出る。

＜＜搬送機構８が載置部６の棚４５に基板Ｗを渡す動作例＞＞
図３８（ａ）－３８（ｄ）、および、図３９（ａ）－３９（ｄ）は、搬送機構８が載置部６の棚４５に基板Ｗを置く動作例を模式的に示す図である。

図３８（ａ）を参照する。ハンド６１が基板Ｗを保持している。吸引調整部７３は、制御部９によって決定された流量Ｍで、吸引部６８に気体を供給する。吸引部６８は、基板Ｗの上面１６に沿って気体を流している。吸引部６８は、基板Ｗを吸引している。第２受け部８３は、脱落防止位置に位置している。ハンド６１は、載置部６と向かい合う位置に移動する。ハンド６１は、制御部９によって決定された高さ位置ＨＣに調整される。

図３８（ｂ）を参照する。ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、制御部９によって決定された高さ位置ＨＣで進入する。ハンド６１は、上下方向Ｚに隣り合う２つの棚４５の間に、制御部９で決定された挿入量ＫＣだけ進み、その後、停止する。

図３８（ｃ）を参照する。吸引調整部７３は、吸引部６８への気体の供給を停止する。吸引部６８は、基板Ｗの吸引を停止する。基板Ｗは、下方に落ちる。受け部８１は、基板Ｗを受ける。より詳しくは、第１受け部８２と第２受け部８３は、基板Ｗの下面１６を受ける。このように、吸引部６８が基板Ｗの吸引を停止することによって、基板Ｗを第１受け部８２および第２受け部８３に載せる。

図３８（ｄ）を参照する。ハンド６１は、僅かに下方に移動する。これにより、第１受け部８２および第２受け部８３は棚４５に基板Ｗを渡す。棚４５は、受け部８１から基板Ｗを受ける。棚４５は、基板Ｗを支持する。第１受け部８２および第２受け部８３は、棚４５に支持される基板Ｗよりも低い位置まで移動する。第１受け部８２および第２受け部８３は、棚４５に支持される基板Ｗから離れる。

ここまでの手順では、ハンド６１は、第１速度ＶＢ１および第１加速度ＡＢ１で、移動する。

図３９（ａ）を参照する。受け部駆動部８６が脱落防止位置から退避位置に第２受け部８３を移動させる。これにより、第２受け部８３は、平面視で、棚４５に支持される基板Ｗと重ならない位置に移動する。第１受け部８２は、平面視において、棚４５に支持される基板Ｗと重なったままである。

図３９（ｂ）を参照する。ハンド６１は、水平方向に僅かに移動する。これにより、第１受け部８２および第２受け部８３の両方が、平面視で、棚４５に支持された基板Ｗと重ならない位置に移動する。この手順から、ハンド６１は、第２速度ＶＢ２および第２加速度ＡＢ２で、移動する。

図３９（ｃ）を参照する。ハンド６１は、上方に移動する。第１受け部８２と第２受け部８３は、棚４５に支持される基板Ｗの側方を通過し、棚４５に支持される基板Ｗよりも高い位置まで移動する。

図３９（ｄ）を参照する。ハンド６１が基板Ｗを保持していない状態で、ハンド６１は退き、載置部６の外部に出る。

＜第１処理ユニット７Ａの動作例＞
図４０は、第１処理ユニット７Ａの動作例の手順を示すフローチャートである。図４１は、第１処理ユニット７Ａの動作例を示すタイミングチャートである。図４１に示すｔ３１－ｔ３５、ｔ３７－ｔ３９、ｔ４１－ｔ４４はそれぞれ、図４０に示すステップＳ３１－Ｓ３５、Ｓ３７－Ｓ３９、Ｓ４１－Ｓ４４が実行される時刻に相当する。以下に説明する各要素の動作は、制御部９によって制御される。以下に説明する動作例の一部は、上述した搬送機構８の動作例の説明と重複する。

ステップＳ３１（時刻ｔ３１）：リフトピン１１６が上昇する
リフトピン１１６が上位置に移動する。

ステップＳ３２（時刻ｔ３２）：リフトピン１１６が搬送機構８から基板Ｗを受ける
搬送機構８が、リフトピン１１６に１枚の基板Ｗ（具体的には第１基板Ｗ１）を渡す。より詳しくは、搬送機構８は、リフトピン１１６に基板Ｗを渡す。リフトピン１１６は、搬送機構８から基板Ｗを受ける。
リフトピン１１６は、上位置で基板Ｗを支持する。

ステップＳ３３（時刻ｔ３３）：第１吹出口１０５が気体の吹き出しを開始する
第１吹出調整部１１１が第１吹出口１０５に対する気体の供給を開始する。第１吹出口１０５は、気体の吹き出しを開始する。第１吹出口１０５は、上方に気体を吹き出す。第２吹出調整部１１２は、まだ、第２吹出口１０６に対する気体の供給を開始しない。第２吹出口１０６は、気体を吹き出さない。

ステップＳ３４（時刻ｔ３４）：リフトピン１１６が固定ピン１０３に基板Ｗを渡す
リフトピン１１６が、上位置から下位置に移動する。これにより、リフトピン１１６は、基板Ｗを上位置から下降させ、固定ピン１０３に基板Ｗを渡す。固定ピン１０３は、リフトピン１１６から基板Ｗを受ける。固定ピン１０３は、基板Ｗを支持する。リフトピン１１６は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗから離れる。

ステップＳ３５（時刻ｔ３５）：位置調整ピン１１３が基板Ｗの位置を調整する
位置調整ピン１１３が退避位置から調整位置に移動する。これにより、位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗと接触し、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。

ステップＳ３６：基板Ｗの位置をチェックする。
基板Ｗの位置が所定の位置にあるか否かをチェックする。具体的には、基板検出部１２７が、基板Ｗを検出する。基板検出部１２７は、基板検出部１２７の検出結果を制御部９に出力する。制御部９は、基板Ｗが所定の位置にあるか、を判定する。基板Ｗが所定の位置にあると制御部９が判定した場合には、ステップＳ３７に進む。仮に、基板Ｗが所定の位置にないと制御部９が判定した場合には、ステップＳ３７に進まずに、異常処理を実行する。異常処理は、例えば、ステップＳ３５を戻ることを含む。異常処理は、例えば、ユーザーに異常が発生したことを通知することを含む。

ステップＳ３７（時刻ｔ３６）：第２吹出口１０６が気体の吹き出しを開始する
第２吹出調整部１１２が第２吹出口１０６に対する気体の供給を開始する。第２吹出口１０６は、気体の吹き出しを開始する。第２吹出口１０６は、気体を上方に吹き出す。第２吹出口１０６が吹き出す気体の流量は、第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量よりも大きい。

ステップＳ３８（時刻ｔ３８）：位置調整ピン１１３が基板Ｗから離れる
位置調整ピン１１３が調整位置から退避位置に移動する。これにより、位置調整ピン１１３が基板Ｗから離れる。

ステップＳ３９（時刻ｔ３９）：基板Ｗを処理する（基板Ｗに処理液を供給する）
第１回転駆動部９２Ａは、第１基板保持部９１Ａおよび基板Ｗを回転させる。処理液供給部１２１は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗに処理液を供給する。処理液供給部１２１が基板Ｗに処理液を供給するときにおいても、第１吹出口１０５は気体を吹き出し、第２吹出口１０６は、第１吹出口１０５よりも大きな流量で気体を吹き出す。

所定の時間が経過すると、基板の処理を終了する。そして、ステップＳ４０に進む。

ステップＳ４０：基板Ｗの位置をチェックする
基板Ｗの位置が所定の位置にあるか否かを、再びチェックする。本ステップＳ４０は、ステップＳ３６と略同じである。

ステップＳ４１（時刻ｔ４１）：第２吹出口１０６が気体の吹き出しを停止する
第２吹出調整部１１２が第２吹出口１０６に対する気体の供給を停止する。第２吹出口１０６は、気体の吹き出しを停止する。

ステップＳ４２（時刻ｔ４２）：リフトピン１１６が固定ピン１０３から基板Ｗを取る
リフトピン１１６が下位置から上位置に移動する。これにより、リフトピン１１６は、固定ピン１０３から基板Ｗを取る。さらに、リフトピン１１６は、基板Ｗを上位置に上昇させる。

ステップＳ４３（時刻ｔ４３）：第１吹出口１０５が気体の吹き出しを停止する
第１吹出調整部が第１吹出口１０５に対する気体の供給を停止する。第１吹出口１０５は、気体の吹き出しを停止する。

ステップＳ４４（時刻ｔ４４）：リフトピン１１６が搬送機構８に基板Ｗを渡す。
搬送機構８がリフトピン１１６から基板Ｗを取る。その後、搬送機構８は、第１処理ユニット７Ａの外部に基板Ｗを搬出する。

＜第２処理ユニット７Ｂの動作例＞
第２処理ユニット７Ｂの動作例は、第１処理ユニット７Ａの動作例から、ステップＳ３３、Ｓ３５－Ｓ３８、Ｓ４０－Ｓ４１を省略したものと類似する。第２処理ユニット７Ｂの動作例を、簡単に説明する。

リフトピン１１６は上位置に移動する。リフトピン１１６は搬送機構８から１枚の基板Ｗ（具体的には、第２基板Ｗ２または第３基板Ｗ３）を受ける。リフトピン１１６は、下面接触ピン１３５に基板Ｗを渡す。下面接触ピン１３５は基板Ｗを支持する。端縁接触ピン１３３は、下面接触ピン１３５に支持される基板Ｗの端縁２０と接触する。これにより、端縁接触ピン１３３は、基板Ｗを保持する。

基板Ｗが端縁接触ピン１３３に保持された状態で、基板Ｗを処理する。具体的には、第２回転駆動部９２Ｂは、第２基板保持部９１Ｂおよび基板Ｗを回転させる。第２回転駆動部９２Ｂが第２基板保持部９１Ｂを回転するとき、端縁接触ピン１３３は、端縁接触ピン１３３に対して基板Ｗが滑らないように、基板Ｗの端縁２０を保持する。
処理液供給部１２１は、端縁接触ピン１３３に保持される基板Ｗに処理液を供給する。

基板Ｗに対する処理が終了すると、端縁接触ピン１３３は基板Ｗから離れる。リフトピン１１６が下面接触ピン１３５から基板Ｗを取る。搬送機構８がリフトピン１１６から基板Ｗを取る。

＜実施形態の効果＞
実施形態に係る基板処理方法は、固定ピン１０３によって第１プレート１０１の上面１０２よりも上方の位置で支持される基板Ｗに処理液を供給するステップＳ３９を備える。処理液を基板Ｗに供給するステップＳ３９は、第１プレート１０１の上面１０２の中央部に形成される第１吹出口１０５から上方に気体を吹き出し、かつ、第１プレート１０２の上面１０２の周縁部に形成される第２吹出口１０６から上方に、第１吹出口１０５よりも大きな流量で、気体を吹き出す。

第１吹出口１０５および第２吹出口１０６から吹き出された気体は、第１プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６との間に、供給される。気体は、基板Ｗの下面１６に沿って流れる。これにより、固定ピン１０３に支持される基板Ｗに対して下向きの力（吸引力）を作用させ、基板Ｗを好適に保持できる。

第１吹出口１０５から吹き出された気体は、基板Ｗの中央部における下面１６に当たり、基板Ｗの中央部における下面１６が下方に湾曲することを好適に防止できる。よって、処理液を基板Ｗに供給するとき、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを好適に防止できる。

第２吹出口１０６は、第１吹出口１０５よりも大きな流量で気体を吹き出す。気体は、基板Ｗの周縁部１２における下面１６に沿って比較的に速く流れる。これにより、基板Ｗの周縁部１２に対して比較的に強い吸引力を作用させる。よって、処理液を基板Ｗに供給するとき、基板Ｗを一層好適に保持できる。

以上のとおり、処理液を基板Ｗに供給するとき、基板Ｗを第１プレート１０１と接触させずに基板Ｗを保持できる。よって、基板Ｗを適切に処理できる。したがって、本基板処理方法は、基板Ｗを適切に処理できる。

基板処理方法は、固定ピン１０３に基板Ｗを渡すステップＳ３４を備える。固定ピン１０３に基板Ｗを渡すステップＳ３４は、第１吹出口１０５から上方に気体を吹き出す。
よって、固定ピン１０３に基板Ｗを渡すとき、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを好適に防止できる。

固定ピン１０３に基板Ｗを渡すステップＳ３４は、第２吹出口１０６から気体を吹き出さない。このため、基板Ｗに作用する吸引力は比較的に弱い。よって、基板Ｗを固定ピン１０３に適切に渡すことができる。例えば、基板Ｗを固定ピン１０３に渡すとき、基板Ｗを固定ピン１０３上にゆっくりと着地させることができる。

基板処理方法は、位置調整ピン１１３が固定ピン１０３に支持される基板Ｗと接触することによって、水平方向における基板Ｗの位置を調整するステップＳ３５を備える。基板Ｗの位置を調整するステップＳ３５は、第１吹出口１０５から上方に気体を吹き出す。よって、基板Ｗの位置を調整するとき、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを好適に防止できる。

基板Ｗの位置を調整するステップＳ３５は、第２吹出口１０６から気体を吹き出さない。このため、基板Ｗに作用する吸引力は比較的に弱い。よって、位置調整ピン１１３は基板Ｗの位置を容易に調整できる。具体的には、位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に対して基板Ｗを容易に動かすことができる。

基板処理方法は、位置調整ピン１１３を固定ピン１０３に支持される基板Ｗから離すステップＳ３８を備える。位置調整ピン１１３を基板Ｗから離すステップＳ３８は、第１吹出口１０５から上方に気体を吹き出し、かつ、第２吹出口１０６から上方に第１吹出口１０５よりも大きな流量で気体を吹き出す。このため、基板Ｗに作用する吸引力は比較的に強い。よって、位置調整ピン１１３が基板Ｗから離れる前に、基板Ｗを好適に保持できる。位置調整ピン１１３が基板Ｗから離れた後に、基板Ｗが固定ピン１０３に対して動くことを好適に防止できる。

処理液を基板に供給するステップＳ３９は、基板Ｗが位置調整ピン１１３と接触していない状態で実行される。これによれば、基板Ｗに対する処理の品質を好適に向上できる。例えば、基板Ｗ上に欠陥が発生することを好適に抑制できる。

基板処理方法は、固定ピン１０３から基板Ｗを取るステップＳ４２を備える。固定ピン１０３から基板Ｗを取るステップＳ４５は、第１吹出口１０５から上方に気体を吹き出す。
よって、固定ピン１０３から基板Ｗを取るとき、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを好適に防止できる。

固定ピン１０３から基板Ｗを取るステップＳ４５は、第２吹出口１０６から気体を吹き出さない。このため、基板Ｗに作用する吸引力は比較的に弱い。よって、固定ピン１０３から基板Ｗを容易にとることができる。

基板処理装置１は、基板Ｗを処理する第１処理ユニット７Ａを備える。第１処理ユニット７Ａは、第１プレート１０１と固定ピン１０３と第１吹出口１０５と第１吹出調整部１１１と第２吹出口１０６と第２吹出調整部１１２と処理液供給部１２１を備える。固定ピン１０３は、第１プレート１０１に固定される。固定ピン１０３は、第１プレート１０１の上面１０２から上方に突出する。固定ピン１０３は、基板Ｗの下面１６と接触する。固定ピン１０３は、第１プレート１０１の上面１０２よりも高い位置で基板Ｗを載置する。第１吹出口１０５は、第１プレート１０１の上面１０２の中央部に形成される。第１吹出口１０５は、第１プレート１０１の上面１０２と、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６との間に気体を吹き出す。第１吹出調整部１１１は、第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量を調整する。第２吹出口１０６は、第１プレート１０１の上面１０２の周縁部に形成される。第２吹出口１０６は、第１プレート１０１の上面１０２と、固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６との間に気体を吹き出す。第２吹出調整部１１２は、第２吹出口１０６が吹き出す気体の流量を調整する。処理液供給部１２１は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗに処理液を供給する。

基板処理装置１は、第１処理ユニット７Ａを制御する制御部９を備える。具体的には、制御部９は、第１吹出調整部１１１と第２吹出調整部１１２と処理液供給部１２１を制御する。制御部９による制御によって、処理液供給部１２１が固定ピン１０３に支持される基板Ｗに処理液を供給するとき、第１吹出口１０５は気体を吹き出し、かつ、第２吹出口１０６は第１吹出口１０５よりも大きな流量で気体を吹き出す。

第１吹出口１０５および第２吹出口１０６から吹き出された気体は、第１プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６との間に、供給される。気体は、基板Ｗの下面１６に沿って流れる。これにより、固定ピン１０３に支持される基板に対して下向きの力（吸引力）を作用させ、基板Ｗを一層好適に保持できる。

第１吹出口１０５から吹き出された気体は、基板Ｗの中央部における下面１６に当たり、基板Ｗの中央部における下面１６が下方に湾曲することを好適に防止できる。よって、処理液供給部１２１が処理液を基板Ｗに供給するとき、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを好適に防止できる。

第２吹出口１０６は、第１吹出口１０５よりも大きな流量で気体を吹き出す。気体は、基板Ｗの周縁部１２における下面１６に沿って比較的に速く流れる。これにより、基板の周縁部１２に対して比較的に強い吸引力を作用させる。よって、処理液供給部１２１が処理液を基板Ｗに供給するとき、基板を好適に保持できる。

以上のとおり、処理液を基板Ｗに供給するとき、基板Ｗを第１プレート１０１と接触させずに基板Ｗを保持できる。よって、基板Ｗを適切に処理できる。したがって、基板処理装置１は、基板Ｗを適切に処理できる。

処理液供給部１２１が固定ピン１０３に支持される基板Ｗに処理液を供給する前に、第１吹出口１０５は気体の吹き出しを開始する。よって、第１吹出口１０５が気体を吹き出している状態で、処理液供給部１２１は基板Ｗに処理液を供給できる。

処理液供給部１２１が固定ピン１０３に支持される基板Ｗに処理液を供給する前に、第２吹出口１０６は気体の吹き出しを開始する。よって、第２吹出口１０６が気体を吹き出している状態で、処理液供給部１２１は基板Ｗに処理液を供給できる。

処理液供給部１２１が固定ピン１０３に支持される基板Ｗに処理液を供給した後に、第１吹出口１０５は気体の吹き出しを停止する。よって、第１吹出口１０５が気体を吹き出している状態で、処理液供給部１２１は基板Ｗに処理液を供給できる。

処理液供給部１２１が固定ピン１０３に支持される基板Ｗに処理液を供給した後に、第２吹出口１０６は気体の吹き出しを停止する。よって、第２吹出口１０６が気体を吹き出している状態で、処理液供給部１２１は基板Ｗに処理液を供給できる。

固定ピン１０３が基板Ｗを受けるとき、第１吹出口１０５は気体を吹き出す。よって、固定ピン１０３が基板Ｗを受けるとき、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを好適に防止できる。

固定ピン１０３が基板Ｗを受けるとき、第２吹出口１０６は気体を吹き出さない。このため、基板Ｗに作用する吸引力は比較的に弱い。よって、固定ピン１０３が基板Ｗを受けるとき、基板Ｗが損傷するおそれがない。

固定ピン１０３が基板Ｗを受ける前に、第１吹出口１０５は気体の吹き出しを開始する。よって、第１吹出口１０５が気体を吹き出している状態で、固定ピン１０３は基板Ｗを受けることができる。

固定ピン１０３が基板Ｗを受けた後に、第２吹出口１０６は気体の吹き出しを開始する。よって、第２吹出口１０６が気体を吹き出していない状態で、固定ピン１０３は基板Ｗを受けることができる。

第１処理ユニット７Ａは、リフトピン１１６を備える。リフトピン１１６は、第１プレート１０１に対して上下方向Ｚに移動可能に第１プレート１０１に支持される。リフトピン１１６は、固定ピン１０３よりも高い上位置から基板Ｗを下降させることによって固定ピン１０３に基板Ｗを渡す。固定ピン１０３がリフトピン１１６から基板Ｗを受けるとき、第１吹出口１０５は気体を吹き出す。よって、固定ピン１０３がリフトピン１１６から基板Ｗを受けるとき、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを確実に防止できる。

固定ピン１０３がリフトピン１１６から基板Ｗを受けるとき、第２吹出口は気体を吹き出さない。よって、固定ピン１０３はリフトピン１１６から基板Ｗを適切に受けることができる。

基板処理装置１は、リフトピン１１６に基板Ｗを渡す搬送機構８を備える。制御部９は、さらに搬送機構８を制御する。リフトピン１１６は、搬送機構８から基板Ｗを上位置で受ける。リフトピン１１６が搬送機構８から基板Ｗを受けた後に、第１吹出口１０５は気体の吹き出しを開始する。よって、第１吹出口１０５が気体を吹き出していない状態で、リフトピン１１６は搬送機構８から基板Ｗを受けることができる。したがって、リフトピン１１６は搬送機構８から基板Ｗを適切に受けることができる。

リフトピン１１６が固定ピン１０３に基板Ｗを渡す前に、第１吹出口１０５は気体の吹き出しを開始する。よって、第１吹出口１０５が気体を吹き出している状態で、固定ピン１０３がリフトピン１１６から基板Ｗを受けることができる。

第１処理ユニット７Ａは位置調整ピン１１３を備える。位置調整ピン１１３は、第１プレート１０１に対して水平方向に移動可能に、第１プレート１０１に支持される。位置調整ピン１１３は、固定ピン１０３に支持される基板Ｗと接触し、水平方向における基板Ｗの位置を調整する。位置調整ピン１１３が固定ピン１０３に支持される基板Ｗの位置を調整するとき、第１吹出口１０５は気体を吹き出す。よって、位置調整ピン１１３が基板Ｗの位置を調整するとき、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを好適に防止できる。

位置調整ピン１１３が固定ピン１０３に支持される基板Ｗの位置を調整するとき、第２吹出口１０６は気体を吹き出さない。このため、基板Ｗに作用する吸引力は比較的に弱い。よって、位置調整ピン１１３は基板Ｗの位置を容易に調整できる。

位置調整ピン１１３が固定ピン１０３に支持される基板Ｗの位置を調整した後に、第２吹出口１０６は気体の吹き出しを開始する。よって、第２吹出口１０６が気体を吹き出していない状態で、位置調整ピン１１３は基板Ｗの位置を調整できる。

位置調整ピン１１３は、第２吹出口１０６が気体を吹き出した後に、基板Ｗから離れる。よって、第２吹出口１０６が気体を吹き出している状態で、位置調整ピン１１３は基板Ｗから離れる。すなわち、基板Ｗを好適に保持した状態で、位置調整ピン１１３は基板Ｗから離れる。よって、位置調整ピン１１３が基板Ｗから離れるとき、および、位置調整ピン１１３が基板Ｗから離れた後に、基板Ｗが固定ピン１０３に対して動くことを好適に防止できる。

位置調整ピン１１３は、処理液供給部１２１が固定ピン１０３に支持される基板Ｗに処理液を供給する前に、基板Ｗから離れる。よって、位置調整ピン１１３が基板Ｗから離れた状態で、処理液供給部１２１は基板Ｗに処理液を供給できる。このため、基板Ｗに対する処理の品質を好適に向上できる。

固定ピン１０３から基板Ｗを取るとき、第１吹出口１０５は気体を吹き出す。よって、固定ピン１０３から基板Ｗを取るとき、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを好適に防止できる。

固定ピン１０３から基板Ｗを取るとき、第２吹出口１０６は気体を吹き出さない。よって、固定ピン１０３から基板Ｗを取るとき、基板Ｗに作用する吸引力は比較的に弱い。このため、固定ピン１０３から基板Ｗを容易に取ることができる。

固定ピン１０３から基板を取る前に、第２吹出口１０６は気体の吹き出しを停止する。よって、第２吹出口１０６が気体を吹き出していない状態で、固定ピン１０３から基板Ｗを取ることができる。

固定ピン１０３から基板Ｗを取った後に、第１吹出口１０５は気体の吹き出しを停止する。よって、第１吹出口１０５が気体を吹き出している状態で、固定ピン１０３から基板Ｗを取ることができる。

リフトピン１１６は、固定ピン１０３から基板Ｗを取る。リフトピン１１６が固定ピン１０３から基板Ｗを取るとき、第１吹出口１０５は気体を吹き出す。よって、リフトピン１１６が固定ピン１０３から基板Ｗを取るとき、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを好適に防止できる。

リフトピン１１６が固定ピン１０３から基板Ｗを取るとき、第２吹出口１０６は気体を吹き出さない。よって、リフトピン１１６は、固定ピン１０３から基板Ｗを容易に取ることができる。

リフトピン１１６が固定ピン１０３から基板Ｗを取る前に、第２吹出口１０６は気体の吹き出しを停止する。よって、第２吹出口１０６が気体を吹き出していない状態で、リフトピン１１６は固定ピン１０３から基板Ｗを取ることができる。

搬送機構８は、リフトピン１１６から基板を取る。リフトピン１１６は、搬送機構８に基板Ｗを上位置で渡す。リフトピン１１６が固定ピン１０３から基板Ｗを取った後に、第１吹出口１０５は気体の吹き出しを停止する。よって、第１吹出口１０５が気体を吹き出している状態で、リフトピン１１６は固定ピン１０３から基板Ｗを取ることができる。

リフトピン１１６が搬送機構８に基板Ｗを渡す前に、第１吹出口１０５は気体の吹き出しを停止する。よって、第１吹出口１０５が気体を吹き出していない状態で、リフトピン１１６は搬送機構８に基板Ｗを渡すことができる。したがって、リフトピン１１６は搬送機構８に基板Ｗを好適に渡すことができる。

搬送機構８は、吸引部６８を備える。吸引部６８は、基板Ｗの上面１７に沿って気体を流す。吸引部６８は、基板Ｗと接触することなく、基板Ｗを吸引する。よって、搬送機構８（ハンド６１）は、基板Ｗを好適に支持できる。

搬送機構８は、吸引調整部７３を備える。吸引調整部７３は、吸引部６８に供給する気体の流量を調整する。よって、吸引調整部７３は、吸引部６８の吸引力を調整できる。

搬送機構８が基板Ｗを搬送するとき、吸引調整部７３は吸引部６８に気体を供給する。よって、搬送機構８が基板Ｗを搬送するとき、吸引部６８は基板Ｗを好適に吸引できる。よって、搬送機構８は好適に搬送できる。

搬送機構８が第１処理ユニット７Ａに基板Ｗを渡すとき、吸引調整部７３は吸引部６８に気体を供給しない。このため、搬送機構８が第１処理ユニット７Ａに基板Ｗを渡すとき、吸引部６８は基板Ｗを吸引しない。よって、搬送機構８は、第１処理ユニット７Ａに基板Ｗを好適に渡すことができる。

搬送機構８が第１処理ユニット７Ａに基板Ｗを渡すとき、第２吹出口１０６は気体を吹き出さない。よって、搬送機構８は、第１処理ユニット７Ａに基板Ｗを一層好適に渡すことができる。

搬送機構８が第１処理ユニット７Ａから基板Ｗを取るとき、第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量は吸引部６８に供給される気体の流量よりも小さい。よって、搬送機構８が第１処理ユニット７Ａから基板Ｗを取るとき、吸引部６８は第１処理ユニット７Ａの基板Ｗを好適に吸引できる。よって、搬送機構８は第１処理ユニット７Ａから基板Ｗを容易に取ることができる。

搬送機構８が第１処理ユニット７Ａから基板Ｗを取るとき、第２吹出口１０６は気体を吹き出さない。よって、搬送機構８は第１処理ユニット７Ａから基板Ｗを一層容易に取ることができる。

第１処理ユニット７Ａは、第１プレート１０１を回転する第１回転駆動部９２Ａを備える。処理液供給部１２１が固定ピン１０３に支持される基板Ｗに処理液を供給するとき、第１回転駆動部９２Ａは第１プレート１０１を回転する。よって、第１処理ユニット７Ａは、基板Ｗを適切に処理できる。

本発明は、実施形態に限られることはなく、下記のように変形実施することができる。

上述した実施形態では、棚２２は基板Ｗの下面１６と接触する。但し、これに限られない。例えば、棚２２は、基板Ｗの下面１６および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかと接触してもよい。例えば、棚２２は、基板Ｗの端縁２０に、斜め下方から接触してもよい。

上述した実施形態では、ハンド３３は基板Ｗの下面１６と接触する。但し、これに限られない。例えば、ハンド３３は、基板Ｗの下面１６および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかと接触してもよい。例えば、ハンド３３は、基板Ｗの端縁２０に、斜め下方から接触してもよい。

上述した実施形態では、棚４５は基板Ｗの下面１６と接触する。但し、これに限られない。例えば、棚４５は、基板Ｗの下面１６および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかと接触してもよい。例えば、棚４５は、基板Ｗの端縁２０に、斜め下方から接触してもよい。

上述した実施形態では、接触部７４は基板Ｗの上面１７と接触する。但し、これに限られない。例えば、接触部７４は、基板Ｗの上面１７および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかと接触してもよい。例えば、接触部７４は、基板Ｗの端縁２０に、斜め上方から接触してもよい。

上述した実施形態では、第１受け部８２は基板Ｗの下面１６を受けることができる。但し、これに限られない。例えば、第１受け部８２は、基板Ｗの下面１６および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかを受けてもよい。例えば、第１受け部８２は、基板Ｗの端縁２０を、斜め下方から受けてもよい。

上述した実施形態では、第２受け部８３は基板Ｗの下面１６を受けることができる。但し、これに限られない。例えば、第２受け部８３は、基板Ｗの下面１６および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかを受けてもよい。例えば、第２受け部８３は、基板Ｗの端縁２０を、斜め下方から受けてもよい。

上述した実施形態では、固定ピン１０３は基板Ｗの下面１６と接触する。但し、これに限られない。例えば、固定ピン１０３は、基板Ｗの下面１６および基板Ｗの端縁２０の少なくともいずれかと接触してもよい。例えば、固定ピン１０３は、基板Ｗの端縁２０に、斜め下方から接触してもよい。

上述した実施形態では、第１受け部８２はベース部６５に固定される。但し、これに限られない。すなわち、第１受け部８２はベース部６５に対して移動可能であってもよい。本変形実施形態では、ハンド６１は、さらに、第１受け部８２をベース部６５に対して移動させる駆動部（第２受け部駆動部）を備えてもよい。

上述した実施形態では、吸引部６８は基板Ｗの上面１７に沿って気体を流す。吸引部６８は、基板Ｗを上方に吸引する。但し、これに限られない。吸引部６８は基板Ｗの下面１６に沿って気体を流してもよい。吸引部６８は基板Ｗを下方に吸引してもよい。

上述した実施形態では、ハンド３３は吸引部を備えない。但し、これに限られない。ハンド３３は、基板Ｗの第１面に沿って、気体を流す吸引部を備えてもよい。ここで、第１面は、基板Ｗの上面および下面のいずれか１つである。搬送機構４のハンド３３は、基板Ｗを吸引する吸引部を備えてもよい。さらに、搬送機構４は、基板Ｗがハンド３３から脱落することを防止するための受け部を備えてもよい。

上述した実施形態では、制御部９は、基板Ｗが第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれであるかによって、高さ位置ＨＡ、ＨＢ、ＨＣを変える。但し、これに限られない。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３の厚みに応じて、高さ位置ＨＡ、ＨＢ、ＨＣを変えてもよい。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３の厚みが大きくなるにしたがって、高さ位置ＨＡ、ＨＢ、ＨＣを高くしてもよい。

上述した実施形態では、制御部９は、基板Ｗが第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれであるかによって、基板Ｗを処理する処理ユニット７を、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットのいずれか１つに決定する。但し、これに限られない。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３の厚みに応じて、基板Ｗを処理する処理ユニット７を、第１処理ユニットおよび第２処理ユニットのいずれか１つに決定してもよい。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３が第１厚みを有する基板Ｗを第１処理ユニット７Ａに搬送させ、基板Ｗの主部１３が第１厚みよりも大きな第２厚みを有する基板Ｗを第２処理ユニット７Ｂに搬送させてもよい。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３が第１厚みを有する基板Ｗを第１処理ユニット７Ａにおいて処理させ、基板Ｗの主部１３が第１厚みよりも大きな第２厚みを有する基板Ｗを第２処理ユニット７Ｂにおいて処理させてもよい。

上述した実施形態では、制御部９は、基板Ｗが第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれであるかによって、流量Ｍを変える。但し、これに限られない。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３の厚みに応じて、流量Ｍを変えてもよい。例えば、制御部９は、基板Ｗの主部１３の厚みが大きくなるにしたがって、流量Ｍを大きくしてもよい。

上述した実施形態において、移動速度ＶＡを、さらに細分化してもよい。例えば、移動速度ＶＡを、水平移動速度ＶＡＨと鉛直移動速度ＶＡＺと回転速度ＶＡＲに分けてもよい。ここで、水平移動速度ＶＡＨは、水平方向におけるハンド３３の移動速度である。鉛直移動速度ＶＡＺは、上方方向Ｚにおけるハンド３３の移動速度である。回転速度ＶＡＲは、回転軸線Ａ１回りのハンド３３の移動速度である。制御部９は、ステップＳ２５において、水平移動速度ＶＡＨと鉛直移動速度ＶＡＺと回転速度ＶＡＲを個別に決定してもよい。

上述した実施形態において、加速度ＡＡを、さらに細分化してもよい。例えば、加速度ＡＡを、水平加速度ＡＡＨと鉛直加速度ＡＡＺと回転加速度ＡＡＲに分けてもよい。ここで、水平加速度ＡＡＨは、水平方向におけるハンド３３の加速度である。鉛直加速度ＡＡＺは、上方方向Ｚにおけるハンド３３の加速度である。回転加速度ＡＡＲは、回転軸線Ａ１回りのハンド３３の加速度である。制御部９は、ステップＳ２５において、水平加速度ＡＡＨと鉛直加速度ＡＡＺと回転加速度ＡＡＲを個別に決定してもよい。

上述した実施形態において、移動速度ＶＢを、さらに細分化してもよい。例えば、移動速度ＶＢを、水平移動速度ＶＢＨと鉛直移動速度ＶＢＺと回転速度ＶＢＲに分けてもよい。ここで、水平移動速度ＶＢＨは、水平方向におけるハンド６１の移動速度である。鉛直移動速度ＶＢＺは、上方方向Ｚにおけるハンド６１の移動速度である。回転速度ＶＢＲは、回転軸線Ａ２回りのハンド６１の移動速度である。制御部９は、ステップＳ２５において、水平移動速度ＶＢＨと鉛直移動速度ＶＢＺと回転速度ＶＢＲを個別に決定してもよい。

上述した実施形態において、加速度ＡＢを、さらに細分化してもよい。例えば、加速度ＡＢを、水平加速度ＡＢＨと鉛直加速度ＡＢＺと回転加速度ＡＢＲに分けてもよい。ここで、水平加速度ＡＢＨは、水平方向におけるハンド６１の加速度である。鉛直加速度ＡＢＺは、上方方向Ｚにおけるハンド６１の加速度である。回転加速度ＡＢＲは、回転軸線Ａ２回りのハンド６１の加速度である。制御部９は、ステップＳ２５において、水平加速度ＡＢＨと鉛直加速度ＡＢＺと回転加速度ＡＢＲを個別に決定してもよい。

上述した実施形態では、第１プレート１０１に形成される第１吹出口１０５の数は、１つである。但し、これに限られない。第１プレート１０１に形成される第１吹出口１０５の数は、複数であってもよい。

上述した実施形態では、リフトピン１１６が搬送機構８から基板Ｗを受け（ステップＳ３２）、その後、第１吹出口１０５が気体の吹き出しを開始する（ステップＳ３３）。但し、これに限られない。例えば、リフトピン１１６が搬送機構８から基板Ｗを受ける前に、第１吹出口１０５が気体の吹き出しを開始してもよい。本変形実施形態によれば、第１吹出口１０５が気体を吹き出している状態で、リフトピン１１６は搬送機構８から基板Ｗを受けることができる。

上述した実施形態では、第１吹出口１０５が気体の吹き出しを停止し（ステップＳ４３）、その後、リフトピン１１６が搬送機構８に基板Ｗを渡す（ステップＳ４４）。但し、これに限られない。例えば、リフトピン１１６が搬送機構８に基板Ｗを渡した後に、第１吹出口１０５が気体の吹き出しを停止してもよい。本変形実施形態によれば、第１吹出口１０５が気体を吹き出している状態で、リフトピン１１６は搬送機構８に基板Ｗを渡すことができる。

本変形実施形態では、第１吹出口１０５が吹き出す気体の流量は、搬送機構８の吸引部６８に供給される気体の流量よりも小さいことが好ましい。
これによれば、搬送機構８がリフトピン１１６から基板Ｗを取るとき、吸引部６８は基板Ｗを容易に吸引できる。言い換えれば、搬送機構８がリフトピン１１６から基板Ｗを取るとき、ハンド６１は基板Ｗを容易に保持である。

上述した実施形態では、リフトピン１１６が搬送機構８から基板Ｗを受ける。但し、これに限られない。固定ピン１０３が搬送機構８から基板Ｗを受けてもよい。言い換えれば、搬送機構８は、リフトピン１１６を介さずに、固定ピン１０３に基板Ｗを直接的に渡してもよい。

上述した実施形態では、リフトピン１１６が搬送機構８に基板Ｗを渡す。但し、これに限られない。固定ピン１０３が搬送機構８に基板Ｗを渡してもよい。言い換えれば、搬送機構８は、リフトピン１１６を介さずに、固定ピン１０３から直接的に基板Ｗを取ってもよい。

上述した実施形態において、第１処理ユニット７Ａの第１吹出口１０５は、気体に加えて、純水を吐出してもよい。

図４２は、変形実施形態における第１処理ユニット１４１の構成を模式的に示す図である。なお、実施形態の第１処理ユニット７Ａと同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

変形実施形態における第１処理ユニット１４１は、純水供給部１４２を備える。純水供給部１４２は、第１吹出口１０５を通じて基板Ｗに純水を吐出する。

純水供給部１４２は、配管１４３を備える。配管１４３は、第１吹出口１０５に純水を供給する。配管１４３は、第１端と第２端を有する。配管１４３の第１端は、純水供給源１４４に接続される。配管１４３の第２端は、第１吹出口１０５に接続される。

第１処理ユニット１４１は、流量調整部１４５を備える。流量調整部１４５は、配管１４３に設けられる。流量調整部１４５は、純水供給部１４２が基板Ｗに供給する純水の流量を調整する。すなわち、流量調整部１４５は、第１吹出口１０５が吐出する純水の流量を調整する。流量調整部１４５は、制御部９によって制御される。

第１吹出口１０５は、気体と純水を同時に出してもよい。あるいは、第１吹出口１０５は、気体を吹き出すことなく、純水を吐出してもよい。これによれば、第１吹出口１０５から吐出された純水が、基板Ｗの中央部における下面１６に当たり、基板Ｗの中央部における下面１６が下方に湾曲することを一層好適に防止できる。よって、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを一層好適に防止できる。

基板Ｗに処理液を供給するとき（ステップＳ３９）、第１吹出口１０５は、気体と純水を同時に出してもよい。あるいは、基板Ｗに処理液を供給するとき（ステップＳ３９）、第１吹出口１０５は、気体を吹き出すことなく、純水を吐出してもよい。これによれば、処理液供給部１２１が処理液を基板Ｗに供給するとき、基板Ｗが第１プレート１０１の上面１０２に接触することを一層好適に防止できる。

本変形実施形態では、第１プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６の間の空間を純水で満たさない（液密にしない）ことが好ましい。第１プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６の間の空間に気体を流し、固定ピン１０３に支持される基板Ｗに適切な吸引力を作用させるためである。

上述した実施形態において、第１吹出口１０５は、気体に加えて、処理液を吐出してもよい。

図４３は、変形実施形態における第１処理ユニット１５１の構成を模式的に示す図である。なお、実施形態の第１処理ユニット７Ａと同じ構成については同符号を付すことで詳細な説明を省略する。

処理液供給部１２１は、配管１５３を備える。配管１５３は、第１吹出口１０５に処理液を供給する。配管１５３は、第１端と第２端を有する。配管１５３の第１端は、処理液供給源１５４に接続される。配管１５３の第２端は、第１吹出口１０５に接続される。

第１処理ユニット１４１は、流量調整部１５５を備える。流量調整部１５５は、配管１５３に設けられる。流量調整部１５５は、処理液供給部１２１が基板Ｗに供給する処理液の流量を調整する。すなわち、流量調整部１５５は、第１吹出口１０５が吐出する処理液の流量を調整する。流量調整部１５５は、制御部９によって制御される。

基板Ｗに処理液を供給するとき（ステップＳ３９）、第１吹出口１０５は、気体と純水を同時に出してもよい。これによれば、基板Ｗの下面１６に処理液を供給できる。よって、基板Ｗの下面１６を好適に処理できる。

本変形実施形態では、第１プレート１０１の上面１０２と固定ピン１０３に支持される基板Ｗの下面１６の間の空間を処理水で満たさない（液密にしない）ことが好ましい。固定ピン１０３に支持される基板Ｗに適切な吸引力を作用させるためである。

上述した実施形態では、制御部９は、バーコードリーダ３１の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定する。但し、これに限られない。４つの変形実施形態を以下に例示する。

基板処理装置１は、基板Ｗに付される基板情報を読み取る基板情報検出部を備え、制御部９は、基板情報検出部の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定してもよい。ここで、基板Ｗに付される基板情報は、例えば、基板Ｗに印字される識別コードである。基板情報検出部は、例えば、リーダである。

基板処理装置１は、基板Ｗを撮像する撮像部を備え、制御部９は、撮像部の検出結果に基づいて、基板Ｗの形状を判定してもよい。撮像部は、例えば、一次元イメージセンサや二次元イメージセンサである。

制御部９は、基板処理装置１の外部機器から、基板Ｗの形状に関する情報を取得してもよい。基板処理装置１の外部機器は、例えば、ホストコンピュータである。制御部９が外部機器から情報を取得する前に、制御部９は、例えば、バーコードリーダ３１の検出結果を外部機器に送信してもよい。制御部９が外部機器から情報を取得する前に、制御部９は、例えば、基板検出部３８、８９、１２７の検出結果を外部機器に送信してもよい。

ここで、基板Ｗの形状に関する情報は、基板Ｗの形状を直接的に示す情報であってもよい。基板Ｗの形状を直接的に示す情報は、例えば、基板Ｗが第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれに属するかを直接的に示す情報である。制御部９が基板Ｗの形状を直接的に示す情報を取得した場合、制御部９は、基板Ｗの形状を判定するステップＳ２を行わない。基板Ｗが第１基板Ｗ１、第２基板Ｗ２および第３基板Ｗ３のいずれに属するかを直接的に示す情報であってもよい。基板Ｗの形状に関する情報は、基板Ｗの形状を間接的に示す情報であってもよい。制御部９が基板Ｗの形状を間接的に示す情報を取得した場合、制御部９は、基板Ｗの形状を間接的に示す情報に基づいて、基板Ｗの形状を判定するステップＳ２を行う。

基板処理装置１は、基板の形状を関する情報を入力可能な入力部を備え、制御部９は、入力部に入力された情報を取得してもよい。入力部に入力される基板の形状を関する情報は、基板Ｗの形状を直接的に示す情報であってもよいし、基板Ｗの形状を間接的に示す情報であってもよい。

上述した実施形態では、制御部９は、高さ位置ＨＡ、ＨＢを決定するステップＳ１１、挿入量ＫＡ、ＫＢを決定するステップＳ１２、および、移動速度ＶＡおよび加速度ＡＡを決定するステップＳ１３を実行する。但し、これに限られない。例えば、ステップＳ１１、Ｓ１２、Ｓ１３の少なくともいずれかを省略してもよい。例えば、制御部９は、ステップＳ１１、Ｓ１２、Ｓ１３の少なくともいずれかを実行しなくてもよい。

上述した実施形態では、制御部９は、高さ位置ＨＣを決定するステップＳ２１、挿入量ＫＣを決定するステップＳ２２、流量Ｍを決定するステップＳ２３、処理ユニット７を決定するステップＳ２４、および、移動速度ＶＢおよび加速度ＡＢを決定するステップＳ２５を実行する。但し、これに限られない。例えば、ステップＳ２１、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５の少なくともいずれかを省略してもよい。例えば、制御部９は、ステップＳ２１、Ｓ２２、Ｓ２３、Ｓ２４、Ｓ２５の少なくともいずれかを実行しなくてもよい。

上述した実施形態では、搬送機構４、８の構造を例示した。但し、これに限られない。例えば、搬送機構４は、回転部３４ｄおよび進退移動部３４ｅに代えて、垂直移動部３４ｃに支持され、かつ、ハンド３３を支持する多関節アームを備えてもよい。例えば、搬送機構４は、レール３４ａおよび水平移動部３４ｂを省略し、固定的に設置され、垂直移動部３４ｃを支持する台または支柱を備えてもよい。例えば、搬送機構８は、回転部６２ｃおよび進退移動部６２ｄに代えて、垂直移動部６２ｂに支持され、ハンド６１を支持する多関節アームを備えてもよい。

上述した実施形態では、処理ブロック５に設けられる搬送機構の数は１つである。ただし、これに限られない。処理ブロック５は、２つ以上の搬送機構を備えてもよい。例えば、複数の搬送機構を処理ブロック５の搬送スペース４１に設置してもよい。例えば、複数の搬送機構は前後方向Ｘに並ぶように配置されてもよい。処理ブロック５における搬送機構の数に応じて、処理ユニット７の個数を増やしてもよい。前後方向Ｘに並ぶ処理ユニット７の数を、適宜に変更してもよい。

上述した実施形態および各変形実施形態については、さらに各構成を他の変形実施形態の構成に置換または組み合わせるなどして適宜に変更してもよい。

１ … 基板処理装置
２ … インデクサ部
３ … キャリア載置部
４ … 搬送機構（第２搬送機構）
５ … 処理ブロック
６ … 載置部（第１位置、第２位置）
７ … 処理ユニット（第１位置、第２位置）
７Ａ … 第１処理ユニット
７Ｂ … 第２処理ユニット
８ … 搬送機構（第１搬送機構）
９ … 制御部
１１ … 基板本体
１２ … 基板の周縁部
１３ … 基板の主部
１４ … 基板の凹部
１５ … 保護プレート
１６ … 基板の下面
１７ … 基板の上面
１８ … 基板の第１側部
１９ … 基板の第２側部
２０ … 基板の端縁
２２ … 棚
２３ … 第１棚
２４ … 第２棚
３１ … バーコードリーダ
３３ … ハンド
３４ … ハンド駆動部
３５ … 連結部
３６ … ロッド
３７ … 接触部
３８ … 基板検出部
４５ … 棚
４６ … 第１棚
４７ … 第２棚
５１ … 第１傾斜面
５１Ｔ … 第１傾斜面の上端
５１Ｂ … 第１傾斜面の下端
５１Ｍ … 第１傾斜面の中間点
５２ … 上傾斜面
５３ … 下傾斜面
５５ … 第２傾斜面
５６ … 上傾斜面
５７ … 下傾斜面
６１ … ハンド
６２ … ハンド駆動部
６４ … 連結部
６５ … ベース部
６６ … 枝部
６８ … 吸引部
６９ … 吸引パッド
７１ … 気体供給路
７２ … 気体供給源
７３ … 吸引調整部
７４ … 接触部
７５ … 第１接触部
７６ … 第２接触部
７７ … 壁部
７８ … 第１壁部
７９ … 第２壁部
８０ … 第３壁部
８１ … 受け部
８２ … 第１受け部
８３ … 第２受け部
８６ … 受け部駆動部
８７ … アクチュエータ
８８ … 弾性部材
８９ … 基板検出部
９１ … 基板保持部
９１Ａ … 第１基板保持部
９１Ｂ … 第２基板保持部
９２ … 回転駆動部
９２Ａ … 第１回転駆動部
９２Ｂ … 第２回転駆動部
９３ … ガード
１０１ …第１プレート
１０２ … 上面
１０３ … 固定ピン（支持部）
１０４ … 気体吹出口
１０５ … 第１吹出口
１０６ … 第２吹出口
１０７ … 第１気体供給路
１０８ … 第２気体供給路
１０９ … 気体供給源
１１１ … 第１吹出調整部
１１２ … 第２吹出調整部
１１３ … 位置調整ピン（位置調整部）
１１４ … 軸部
１１６ … リフトピン（昇降部）
１２１ … 処理液供給部
１２２ … ノズル
１２３ … 配管
１２４ … 処理液供給源
１２５ … 流量調整部
１２７ … 基板検出部
１３１ … 第２プレート
１３２ … 上面
１３３ … 端縁接触ピン（端縁接触部）
１３４ … 小片部
１３５ … 下面接触ピン
１３６ … 軸部
１４１ … 第１処理ユニット
１４２ … 純水供給部
１４３ … 配管
１４４ … 純水供給源
１４５ … 流量調整部
１５１ … 第１処理ユニット
１５３ … 配管
１５４ … 処理液供給源
１５５ … 流量調整部
Ａ１、Ａ２、Ａ３、Ａ４、Ａ５、Ａ６ … 回転軸線
Ｃ … キャリア（第１位置、第２位置）
Ｄ … 基板の直径
Ｄ１ … 通常径基板の直径
Ｄ２ … 大径基板
Ｅ１ … 水平方向に並ぶ第１棚２３と第２棚２４の間隔
Ｅ２ … 水平方向に並ぶ第１棚４６と第２棚４７の間隔（水平方向における第１傾斜面と第２傾斜面の間隔）
ＥＴ … 水平方向における第１傾斜面の上端と第２傾斜面の上端の間隔
ＥＢ … 水平方向における第１傾斜面の下端と第２傾斜面の下端の間隔
ＥＭ … 水平方向における第１傾斜面の中間点と第２傾斜面の中間点の間隔
Ｆ１ … 第１方向
Ｆ２ … 第２方向
Ｆ３ … 第３方向
Ｆ４ … 第４方向
ＨＡ、ＨＢ、ＨＣ … 高さ位置
ＨＡ１、ＨＢ１、ＨＣ１ … 第１高さ位置
ＨＡ２、ＨＢ２、ＨＣ２ … 第２高さ位置
ＨＡ３、ＨＢ３、ＨＣ３ … 第３高さ位置
Ｊ … 基板の中心
ＫＡ、ＫＢ … 挿入量
ＫＡ１、ＫＢ１ … 第１挿入量
ＫＡ２、ＫＢ２ … 第２挿入量
Ｌ１ … 第２方向における２本のロッドの全体の長さ
Ｌ２ … 第１方向におけるロッドの長さ
Ｌ３ … 第２方向における１本のロッドの長さ
Ｔ１、Ｔ２、Ｔ３… 基板の主部の厚み
Ｔ４、Ｔ５、Ｔ６… 基板の周縁部の厚み
ＶＡ、ＶＢ … 移動速度
ＶＡ１、ＶＢ１ … 第１移動速度
ＶＡ２、ＶＢ２ … 第２移動速度
ＡＡ、ＡＢ … 加速度
ＡＡ１、ＡＢ１ … 第１加速度
ＡＡ２、ＡＢ２ … 第２加速度
Ｍ … 流量
Ｍ１ … 第１流量
Ｍ２ … 第２流量
Ｍ３ … 第３流量
Ｗ … 基板
Ｗ１ … 第１基板
Ｗ２ … 第２基板
Ｗ３ … 第３基板
ＷＮ … 通常径基板
ＷＤ … 大径基板
Ｘ … 前後方向
Ｙ … 幅方向
Ｚ … 上下方向
θ１ … 上傾斜面の角度
θ２ … 下傾斜面の角度

Claims (23)

1. 基板処理方法であって、
   支持部によって第１プレートの上面よりも上方の位置で支持される基板に処理液を供給するステップと、
   を備え、
   処理液を基板に供給する前記ステップは、前記第１プレートの前記上面の中央部に形成される第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第１プレートの前記上面の周縁部に形成される第２吹出口から上方に、前記第１吹出口よりも大きな流量で、気体を吹き出し、
   前記第１吹出口および前記第２吹出口はそれぞれ、前記第１プレートの前記上面と前記支持部に支持される基板の下面との間に気体を吹き出すことによって、基板を下方に吸引する
   基板処理方法。
2. 基板処理方法であって、
   支持部によって第１プレートの上面よりも上方の位置で支持される基板に処理液を供給するステップと、
   位置調整部が前記支持部に支持される基板と接触することによって、水平方向における基板の位置を調整するステップと、
   前記位置調整部を前記支持部に支持される基板から離すステップと、
   を備え、
   処理液を基板に供給する前記ステップは、前記第１プレートの前記上面の中央部に形成される第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第１プレートの前記上面の周縁部に形成される第２吹出口から上方に、前記第１吹出口よりも大きな流量で、気体を吹き出し、
   基板の位置を調整する前記ステップは、前記第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口から気体を吹き出さず、
   前記位置調整部を基板から離す前記ステップは、前記第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口から上方に前記第１吹出口よりも大きな流量で気体を吹き出す
   
   基板処理方法。
3. 基板処理方法であって、
   支持部によって第１プレートの上面よりも上方の位置で支持される基板に処理液を供給するステップと、
   位置調整部が前記支持部に支持される基板と接触することによって、水平方向における基板の位置を調整するステップと、
   を備え、
   処理液を基板に供給する前記ステップは、前記第１プレートの前記上面の中央部に形成される第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第１プレートの前記上面の周縁部に形成される第２吹出口から上方に、前記第１吹出口よりも大きな流量で、気体を吹き出し、
   基板の位置を調整する前記ステップは、前記第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口から気体を吹き出さず、
   処理液を基板に供給する前記ステップは、基板が前記位置調整部と接触していない状態で実行される
   基板処理方法。
4. 請求項１から３のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記支持部に基板を渡すステップと、
   を備え、
   前記支持部に基板を渡す前記ステップは、前記第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口から気体を吹き出さない
   基板処理方法。
5. 請求項１から４のいずれかに記載の基板処理方法において、
   前記支持部から基板を取るステップと、
   を備え、
   前記支持部から基板を取る前記ステップは、前記第１吹出口から上方に気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口から気体を吹き出さない
   基板処理方法。
6. 基板処理装置であって、
   基板を処理する第１処理ユニットと、
   前記第１処理ユニットを制御する制御部と、
   を備え、
   前記第１処理ユニットは、
   第１プレートと、
   前記第１プレートに固定され、前記第１プレートの上面から上方に突出し、基板の下面および基板の端縁の少なくともいずれかと接触し、前記第１プレートの前記上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
   前記第１プレートの前記上面の中央部に形成され、前記第１プレートの前記上面と、前記支持部に支持される基板の下面との間に気体を吹き出す第１吹出口と、
   前記第１吹出口が吹き出す気体の流量を調整する第１吹出調整部と、
   前記第１プレートの前記上面の周縁部に形成され、前記第１プレートの前記上面と、前記支持部に支持される基板の下面との間に気体を吹き出す第２吹出口と、
   前記第２吹出口が吹き出す気体の流量を調整する第２吹出調整部と、
   前記支持部に支持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
   を備え、
   前記制御部による制御によって、前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給するとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口は第１吹出口よりも大きな流量で気体を吹き出し、
   前記第１吹出口および前記第２吹出口はそれぞれ、前記第１プレートの前記上面と前記支持部に支持される基板の下面との間に気体を吹き出すことによって、基板を下方に吸引する
   基板処理装置。
7. 基板処理装置であって、
   基板を処理する第１処理ユニットと、
   前記第１処理ユニットを制御する制御部と、
   を備え、
   前記第１処理ユニットは、
   第１プレートと、
   前記第１プレートに固定され、前記第１プレートの上面から上方に突出し、基板の下面および基板の端縁の少なくともいずれかと接触し、前記第１プレートの前記上面よりも高い位置で基板を支持する支持部と、
   前記第１プレートの前記上面の中央部に形成され、前記第１プレートの前記上面と、前記支持部に支持される基板の下面との間に気体を吹き出す第１吹出口と、
   前記第１吹出口が吹き出す気体の流量を調整する第１吹出調整部と、
   前記第１プレートの前記上面の周縁部に形成され、前記第１プレートの前記上面と、前記支持部に支持される基板の下面との間に気体を吹き出す第２吹出口と、
   前記第２吹出口が吹き出す気体の流量を調整する第２吹出調整部と、
   前記支持部に支持される基板に処理液を供給する処理液供給部と、
   を備え、
   前記制御部による制御によって、前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給するとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口は第１吹出口よりも大きな流量で気体を吹き出し、
   前記第１処理ユニットは、
   前記第１プレートに対して水平方向に移動可能に前記第１プレートに支持され、前記支持部に支持される基板と接触し、水平方向における基板の位置を調整する位置調整部と、
   を備え、
   前記位置調整部が前記支持部に支持される基板の位置を調整するとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口は気体を吹き出さず、
   前記第２吹出口が気体を吹き出した後であって前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給する前に、前記位置調整部は基板から離れる
   基板処理装置。
8. 請求項７に記載の基板処理装置において、
   前記位置調整部が支持部に支持される基板の位置を調整した後であって前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給する前に、前記第２吹出口は気体の吹き出しを開始する
   基板処理装置。
9. 請求項６から８のいずれかに記載の基板処理装置において、
   前記支持部が基板を受けるとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口は気体を吹き出さない
   基板処理装置。
10. 請求項６から９のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記支持部が基板を受ける前に、前記第１吹出口は気体の吹き出しを開始し、
    前記支持部が基板を受けた後であって前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給する前に、前記第２吹出口は気体の吹き出しを開始する
    基板処理装置。
11. 請求項６から１０のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記支持部から基板を取るとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口は気体を吹き出さない
    基板処理装置。
12. 請求項６から１１のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給した後であって前記支持部から基板を取る前に、前記第２吹出口は気体の吹き出しを停止し、
    前記支持部から基板を取った後に、前記第１吹出口は気体の吹き出しを停止する
    基板処理装置。
13. 請求項６から１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１処理ユニットは、
    前記第１プレートに対して上下方向に移動可能に前記第１プレートに支持され、前記支持部よりも高い上位置から基板を下降させることによって前記支持部に基板を渡す昇降部と、
    を備え、
    前記支持部が前記昇降部から基板を受けるとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、前記第２吹出口は気体を吹き出さない
    基板処理装置。
14. 請求項１３に記載の基板処理装置において、
    基板処理装置は、
    前記昇降部に基板を渡す第１搬送機構と、
    を備え、
    前記制御部は、さらに前記第１搬送機構を制御し、
    前記昇降部は、前記第１搬送機構から基板を上位置で受け、
    前記昇降部が前記第１搬送機構から基板を受けた後であって前記昇降部が前記支持部に基板を渡す前に、前記第１吹出口は気体の吹き出しを開始する
    基板処理装置。
15. 請求項６から１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    前記第１プレートに対して上下方向に移動可能に前記第１プレートに支持され、前記支持部から基板を取り、前記支持部よりも高い上位置に基板を上昇させる昇降部と、
    を備え、
    前記昇降部が前記支持部から基板を取るとき、前記第１吹出口は気体を吹き出し、かつ、前記第２吹出口は気体を吹き出さない
    基板処理装置。
16. 請求項１５に記載の基板処理装置において、
    前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給した後であって前記昇降部が前記支持部から基板を取る前に、前記第２吹出口は気体の吹き出しを停止する
    基板処理装置。
17. 請求項１５または１６に記載の基板処理装置において、
    基板処理装置は、
    前記昇降部から基板を取る第１搬送機構と、
    を備え、
    前記制御部は、さらに前記第１搬送機構を制御し、
    前記昇降部は、前記第１搬送機構に基板を上位置で渡し、
    前記昇降部が前記支持部から基板を取った後であって前記昇降部が前記第１搬送機構に基板を渡す前に、前記第１吹出口は気体の吹き出しを停止する
    基板処理装置。
18. 請求項６から１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    基板処理装置は、
    前記第１処理ユニットに基板を搬送する第１搬送機構と、
    を備え、
    前記制御部は、さらに前記第１搬送機構を制御し、
    前記第１搬送機構は、
    基板の上面および下面のいずれかに沿って気体を流し、基板と接触することなく基板を吸引する吸引部と、
    前記吸引部に供給する気体の流量を調整する吸引調整部と、
    を備え、
    前記第１搬送機構が基板を搬送するとき、前記吸引調整部は前記吸引部に気体を供給し、
    前記第１搬送機構が前記第１処理ユニットに基板を渡すとき、前記吸引調整部は前記吸引部に気体を供給せず、前記第２吹出口は気体を吹き出さない
    基板処理装置。
19. 請求項６から１２のいずれかに記載の基板処理装置において、
    基板処理装置は、
    前記第１処理ユニットに基板を搬送する第１搬送機構と、
    を備え、
    前記制御部は、さらに前記第１搬送機構を制御し、
    前記第１搬送機構は、
    基板の上面および下面のいずれかに沿って気体を流し、基板と接触することなく基板を吸引する吸引部と、
    前記吸引部に供給する気体の流量を調整する吸引調整部と、
    を備え、
    前記第１搬送機構が前記第１処理ユニットから基板を取るとき、前記第１吹出口が吹き出す気体の流量は前記吸引部に供給される気体の流量よりも小さく、かつ、前記第２吹出口は気体を吹き出さない
    基板処理装置。
20. 請求項６から１９のいずれかに記載に基板処理装置において、
    前記第１吹出口は、さらに、純水を基板に吐出可能である
    基板処理装置。
21. 請求項２０に記載に基板処理装置において、
    前記処理液供給部は、前記支持部に支持された基板の上方の位置である処理位置に移動可能であり、
    前記処理液供給部が前記処理位置から、前記支持部に支持される基板に処理液を供給するとき、前記第１吹出口は純水を上方に吐出し、かつ、前記第２吹出口は前記第１吹出口が吹き出す気体よりも大きな流量で気体を吹き出す
    基板処理装置。
22. 請求項６から１９のいずれかに記載に基板処理装置において、
    前記処理液供給部は、前記第１吹出口を通じて、処理液を基板に吐出可能である
    基板処理装置。
23. 請求項６から２２のいずれかに記載に基板処理装置において、
    前記第１処理ユニットは、
    前記第１プレートを回転する第１回転駆動部と、
    を備え、
    前記処理液供給部が前記支持部に支持される基板に処理液を供給するとき、前記第１回転駆動部は前記第１プレートを回転する
    基板処理装置。
    

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