CN112542418A - 基板处理装置 - Google Patents

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Abstract

本发明提供一种能够合适地处理基板的基板处理装置。基板处理装置(1)具有处理单元(14)和控制部(18)。处理单元(14)对基板(W)进行处理。控制部(18)控制处理单元(14)。处理单元(14)具有板(32)、旋转驱动部(45)、固定销(33)、气体吹出口(34)、吹出调节部(40)、处理液供给部(51)以及流量调节部(57)。控制部(18)根据被固定销(33)支撑的基板(W)的形状、板(32)的转速(RS)、以及处理液供给部(51)向被固定销(33)支撑的基板(W)供给的处理液的流量(FR)中的至少任一个，改变气体吹出口(34)吹出的气体的流量。

Description

基板处理装置
技术领域
本发明涉及对基板进行处理的基板处理装置。基板例如是半导体晶片、液晶显示器用基板、有机EL(Electroluminescence：电致发光)用基板、FPD(Flat Panel Display：平板显示器)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板、或者太阳能电池用基板。
背景技术
日本特开2015-65226号公报公开了基板处理装置。下面，将日本特开2015-65226号公报中记载的附图标记加上括号来记载。基板处理装置具有载置基板(100)的旋转台(10)。旋转台(10)具有上表面部(13)和卡盘部(14)。上表面部(13)和卡盘部(14)与基板(100)的整个下表面相对。具体而言，上表面部(13)与基板(100)的下表面的外周部相对。卡盘部(14)与基板(100)的下表面的中央部相对。
旋转台(10)具有多个支撑销(25)。各支撑销(25)设置于上表面部(13)。各支撑销(25)支撑基板的外周部。
旋转台(10)具有气体喷出口(15)和气体喷出口(16)。气体喷出口(15)设置于卡盘部(14)。气体喷出口(15)向基板(100)的下表面的中央部喷出气体。气体喷出口(16)设置于上表面部(13)。气体喷出口(16)向基板(100)的下表面的外周部喷出气体。
基板处理装置还具有中空马达(40)和喷嘴(98)。中空马达(40)使旋转台(10)旋转。喷嘴(98)向载置于旋转台(10)的基板(100)供给处理液。
在处理基板(100)时，气体喷出口(15)以及气体喷出口(16)分别喷出气体，中空马达(40)使旋转台(10)旋转，喷嘴(98)供给处理液。通过气体喷出口(15)喷出的气体，被支撑销(25)支撑的基板(100)保持恒定的姿势。通过气体喷出口(16)喷出的气体，支撑销(25)通过伯努利效应支撑基板(100)。通过旋转台(10)的旋转，被支撑销(25)支撑的基板(100)旋转。处理液从喷嘴(98)向旋转的基板(100)供给。
近年来，对基板进行薄型化以及大口径化。若基板的厚度变薄且基板的直径变大，则基板的挠曲量显著变大。因此，以往的基板处理装置有时难以合适地处理基板。
发明内容
本发明鉴于这样的事情而提出，其目的在于，提供一种能够合适地处理基板的基板处理装置。
为了达到这样的目的，本发明为如下那样的结构。即，本发明的基板处理装置，其中，
处理单元，对基板进行处理；以及
控制部，控制所述处理单元，
所述处理单元具有：
板，具有上表面；
旋转驱动部，使所述板旋转；
支撑部，从所述板的所述上表面向上方突出，与基板的下表面以及基板的端缘中的至少任一个接触，在比所述板的所述上表面高的位置支撑基板；
气体吹出口，形成于所述板的所述上表面，将气体向上方吹出；
吹出调节部，调节所述气体吹出口吹出的气体的流量；
处理液供给部，向被所述支撑部支撑的基板供给处理液；以及
流量调节部，调节所述处理液供给部向基板供给的处理液的流量，
所述控制部根据被所述支撑部支撑的基板的形状、所述板的转速、以及所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的流量中的至少任一个，改变所述气体吹出口吹出的气体的所述流量。
支撑部在比板的上表面高的位置支撑基板。气体吹出口从板的上表面向上方吹出气体。即，气体吹出口向板的上表面与被支撑部支撑的基板的下表面之间吹出气体。由此，支撑部上的基板被向下方吸引。由此，能够合适地保持支撑部上的基板。吹出调节部调节气体吹出口吹出的气体的流量。由此，能够合适地调节作用于基板的吸引力。旋转驱动部使板旋转。由此，能够使被支撑部支撑的基板合适地旋转。流量调节部调节处理液供给部向基板供给的处理液的流量。由此，能够合适地调节处理液供给部向被支撑部支撑的基板供给的处理液的流量。
在此，被支撑部支撑的基板的形状是影响被支撑部支撑的基板的挠曲量的事项。板的转速也是影响被支撑部支撑的基板的挠曲量的事项。处理液供给部向被支撑部支撑的基板供给的处理液的流量也是影响被支撑部支撑的基板的挠曲量的事项。控制部根据上述的影响基板的挠曲量的三个事项中的至少一个，改变气体吹出口吹出的气体的流量。由此，能够合适地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。即，能够以合适的吸引力保持被支撑部支撑的基板。由此，能够合适地抑制被支撑部支撑的基板的挠曲量。由此，处理单元能够合适地处理基板。
如上所述，本基板处理装置能够合适地处理基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述气体吹出口包括：
第一吹出口，配置于所述板的所述上表面的中央部；以及
第二吹出口，相比所述第一吹出口更靠外侧配置，
所述控制部根据被所述支撑部支撑的基板的形状、所述板的所述转速、以及所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量中的至少任一个，改变所述第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。这样一来，能够精细地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。即，能够以更合适的吸引力保持被支撑部支撑的基板。由此，能够更加合适地抑制被支撑部支撑的基板的挠曲量。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述吹出调节部具有：
第一吹出调节部，调节所述第一吹出口吹出的气体的所述流量；以及
第二吹出调节部，调节所述第二吹出口吹出的气体的所述流量。
这样一来，吹出调节部能够分别单独地调节第一吹出口吹出的气体的流量、以及第二吹出口吹出的气体的流量。由此，控制部能够分别单独地改变第一吹出口吹出的气体的流量、以及第二吹出口吹出的气体的流量。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述气体吹出口包括第三吹出口，该第三吹出口相比所述第一吹出口更靠外侧配置，并且相比所述第二吹出口更靠内侧配置，
所述控制部根据被所述支撑部支撑的基板的形状、所述板的所述转速、以及所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量中的至少任一个，改变所述第三吹出口吹出的气体的流量。
这样一来，能够更加精细地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。即，能够以更加合适的吸引力保持被支撑部支撑的基板。由此，能够更加合适地抑制被支撑部支撑的基板的挠曲量。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述吹出调节部具有第三吹出调节部，该第三吹出调节部调节所述第三吹出口吹出的气体的所述流量。
这样一来，吹出调节部能够分别单独地调节第一吹出口吹出的气体的流量、第二吹出口吹出的气体的流量、以及第三吹出口吹出的气体的流量。由此，控制部能够分别单独地改变第一吹出口吹出的气体的流量、第二吹出口吹出的气体的流量、以及第三吹出口吹出的气体的流量。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述控制部根据位于基板的周缘部的内侧的基板的主部的厚度，改变所述气体吹出口吹出的气体的所述流量。
具体而言，优选地，控制部根据被支撑部支撑的基板的主部的厚度，改变所述气体吹出口吹出的气体的所述流量。
基板的主部的厚度是影响被支撑部支撑的基板的挠曲量的事项。控制部根据基板的主部的厚度，改变气体吹出口吹出的气体的流量。由此，能够合适地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。由此，能够合适地抑制被支撑部支撑的基板的挠曲量。
在上述的基板处理装置中，优选地，
基板的所述主部的所述厚度越大，则所述气体吹出口吹出的气体的所述流量越大。
具体而言，优选地，被支撑部支撑的基板的主部的厚度越大，则气体吹出口吹出的气体的流量越大。
在基板的主部的厚度比较大时，基板具有比较高的刚性，并且基板比较重。在基板的主部的厚度比较大时，气体吹出口吹出的气体的流量比较大。因此，在气体吹出口吹出的气体的流量比较大时，作用于基板的吸引力比较大。由此，在基板的主部的厚度比较大时，能够以合适的吸引力保持基板。在基板的主部的厚度比较小时，基板具有比较低的刚性，并且基板比较轻。在基板的主部的厚度比较小时，气体吹出口吹出的气体的流量比较小。因此，在气体吹出口吹出的气体的流量比较小时，作用于基板的吸引力比较小。由此，在基板的主部的厚度比较小时，也能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
随着基板的所述主部的所述厚度变大，所述气体吹出口吹出的气体的所述流量变大。
具体而言，优选地，随着被支撑部支撑的基板的主部的所述厚度变大，气体吹出口吹出的气体的流量变大。
无论基板的主部的厚度如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述气体吹出口包括：
第一吹出口，配置于所述板的所述上表面的中央部；以及
第二吹出口，相比所述第一吹出口更靠外侧配置，
所述控制部根据基板的所述主部的所述厚度，改变所述第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。
具体而言，优选地，控制部根据被支撑部支撑的基板的主部的厚度，改变第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。
这样一来，能够精细地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。由此，能够更加合适地抑制被支撑部支撑的基板的挠曲量。
在上述的基板处理装置中，优选地，
基板的所述主部的厚度越大，则所述第一吹出口吹出的气体的流量越大。
无论基板的主部的厚度如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
随着基板的所述主部的厚度变大，所述第一吹出口吹出的气体的流量变大。
无论基板的主部的厚度如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
基板的所述主部的厚度越大，则所述第二吹出口吹出的气体的流量越大。
无论基板的主部的厚度如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
随着基板的所述主部的厚度变大，所述第二吹出口吹出的气体的流量变大。
无论基板的主部的厚度如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述控制部根据被所述支撑部支撑的基板是否具有上凹部，改变所述气体吹出口吹出的气体的所述流量，所述上凹部通过使位于基板的周缘部的内侧的基板的主部相比基板的所述周缘部更凹陷而形成于所述基板的上表面。
在被支撑部支撑的基板具有上凹部的情况下，处理液容易滞留于上凹部。在被支撑部支撑的基板具有上凹部的情况下，处理液容易积存于上凹部。在被支撑部支撑的基板不具有上凹部的情况下，基板的上表面大致平坦。因此，在被支撑部支撑的基板不具有上凹部的情况下，处理液难以滞留于基板的上表面。由此，在被支撑部支撑的基板具有上凹部的情况下，与被支撑部支撑的基板不具有上凹部的情况相比，基板上的处理液的量多。因此，在被支撑部支撑的基板具有上凹部的情况下，与被支撑部支撑的基板不具有上凹部的情况相比，作用于基板的处理液的重量重。因此，被支撑部支撑的基板是否具有上凹部是影响被支撑部支撑的基板的挠曲量的事项。控制部根据被支撑部支撑的基板是否具有上凹部，改变气体吹出口吹出的气体的流量。由此，能够合适地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。由此，能够合适地抑制被支撑部支撑的基板的挠曲量。由此，处理单元能够合适地处理基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
在被所述支撑部支撑的基板具有所述上凹部时所述气体吹出口吹出的气体的所述流量，比在被所述支撑部支撑的基板不具有所述上凹部时所述气体吹出口吹出的气体的所述流量大。
这样一来，在被支撑部支撑的基板具有上凹部时和被支撑部支撑的基板不具有上凹部时，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述气体吹出口包括：
第一吹出口，配置于所述板的所述上表面的中央部；以及
第二吹出口，相比所述第一吹出口更靠外侧配置，
所述控制部根据被所述支撑部支撑的基板是否具有所述上凹部，改变所述第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。
这样一来，能够精细地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。由此，能够更加合适地抑制被支撑部支撑的基板的挠曲量。
在上述的基板处理装置中，优选地，
在被所述支撑部支撑的基板具有所述上凹部时所述第一吹出口吹出的气体的流量，比在被所述支撑部支撑的基板不具有所述上凹部时所述第一吹出口吹出的气体的流量大。
无论被支撑部支撑的基板是否具有上凹部，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
在被所述支撑部支撑的基板具有所述上凹部时所述第二吹出口吹出的气体的流量，比在被所述支撑部支撑的基板不具有所述上凹部时所述第二吹出口吹出的气体的流量大。
无论被支撑部支撑的基板是否具有上凹部，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述板的所述转速越大，则所述气体吹出口吹出的气体的所述流量越大。
无论板的转速如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
随着所述板的所述转速变大，所述气体吹出口吹出的气体的所述流量变大。
无论板的转速如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述气体吹出口包括：
第一吹出口，配置于所述板的所述上表面的中央部；以及
第二吹出口，相比所述第一吹出口更靠外侧配置，
所述控制部根据所述板的所述转速，改变所述第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。
这样一来，能够精细地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。由此，能够更加合适地抑制被支撑部支撑的基板的挠曲量。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述板的所述转速越大，则所述第一吹出口吹出的气体的流量越大。
无论板的转速如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
随着所述板的所述转速变大，所述第一吹出口吹出的气体的流量变大。
无论板的转速如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述板的所述转速越大，则所述第二吹出口吹出的气体的流量越大。
无论板的转速如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
随着所述板的所述转速变大，所述第二吹出口吹出的气体的流量变大。
无论板的转速如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量越大，则所述气体吹出口吹出的气体的所述流量越大。
无论所述处理液供给部向被支撑部支撑的基板供给的处理液的流量如何，都能够合适地保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
随着所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量变大，所述气体吹出口吹出的气体的所述流量变大。
无论处理液供给部向被支撑部支撑的基板供给的处理液的流量如何，都能够合适地保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述气体吹出口包括：
第一吹出口，配置于所述板的所述上表面的中央部；以及
第二吹出口，相比所述第一吹出口更靠外侧配置，
所述控制部根据所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量，改变所述第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。
这样一来，能够精细地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。由此，能够更加合适地抑制被支撑部支撑的基板的挠曲量。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量越大，则所述第一吹出口吹出的气体的流量越大。
无论处理液供给部向被支撑部支撑的基板供给的处理液的流量如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
随着所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量变大，所述第一吹出口吹出的气体的流量变大。
无论处理液供给部向被支撑部支撑的基板供给的处理液的流量如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量越大，所述第二吹出口吹出的气体的流量越大。
无论处理液供给部向被支撑部支撑的基板供给的处理液的流量如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
随着所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量变大，所述第二吹出口吹出的气体的流量变大。
无论处理液供给部向被支撑部支撑的基板供给的处理液的流量如何，都能够以合适的吸引力保持基板。
本发明的基板处理装置，其中，
具有：
处理单元，对基板进行处理；
控制部，控制所述处理单元；以及
输入部，能够输入与基板的形状相关的基板形状信息、以及所述处理单元的处理条件信息中的至少任一个，
所述处理单元具有：
板，具有上表面；
旋转驱动部，使所述板旋转；
支撑部，从所述板的所述上表面向上方突出，与基板的下表面以及基板的端缘中的至少任一个接触，在比所述板的所述上表面高的位置支撑基板；
气体吹出口，形成于所述板的所述上表面，将气体向上方吹出；
吹出调节部，调节所述气体吹出口吹出的气体的流量；
处理液供给部，向被所述支撑部支撑的基板供给处理液；以及
流量调节部，调节所述处理液供给部向基板供给的处理液的流量，
所述控制部根据向所述输入部输入的所述基板形状信息、以及向所述输入部输入的所述处理条件信息中的至少任一个，改变所述气体吹出口吹出的气体的所述流量。
基板的形状是影响被支撑部支撑的基板的挠曲量的事项。处理单元的处理条件也是影响基板的挠曲量的事项。基板处理装置具有能够输入与基板的形状相关的基板形状信息、以及处理单元的处理条件信息中的至少任一个的输入部。控制部根据向输入部输入的基板形状信息、以及向输入部输入的处理条件信息中的至少任一个，改变气体吹出口吹出的气体的流量。由此，能够合适地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。即，能够以合适的吸引力保持被支撑部支撑的基板。由此，能够合适地抑制被支撑部支撑的基板的挠曲量。由此，处理单元能够合适地处理基板。
如上所述，本基板处理装置能够合适地处理基板。
在上述的基板处理装置中，优选地，
向所述输入部输入的所述基板形状信息包括与位于基板的周缘部的内侧的基板的主部的厚度相关的信息；以及与被所述支撑部支撑的基板是否具有上凹部相关的信息中的至少任一个，所述上凹部通过使基板的所述主部相比基板的所述周缘部更凹陷而形成于所述基板的上表面。
基板的主部的厚度是影响被支撑部支撑的基板的挠曲量的事项。由此，在基板形状信息包括与基板的主部的厚度相关的信息的情况下，能够合适地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。被支撑部支撑的基板是否具有上凹部也是影响基板的挠曲量的事项。由此，在基板形状信息包括与被支撑部支撑的基板是否具有上凹部相关的信息的情况下，也能够合适地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。
此外，具体而言，与基板的主部的厚度相关的信息是与被支撑部支撑的基板的主部的厚度相关的信息。换言之，与被支撑部支撑的基板是否具有上凹部相关的信息是与基板被支撑部支撑时基板是否具有上凹部相关的信息。
在上述的基板处理装置中，优选地，
向所述输入部输入的所述处理条件信息包括与所述气体吹出口吹出的气体的所述流量相关的命令、与所述板的转速相关的命令、以及与所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的流量相关的命令中的至少任一个。
在处理条件信息包括与气体吹出口吹出的气体的流量相关的命令的情况下，控制部能够简单地调节气体吹出口吹出的气体的流量。板的转速是影响被支撑部支撑的基板的挠曲量的事项。由此，在处理条件信息包括与板的转速相关的命令的情况下，能够合适地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。处理液供给部向被支撑部支撑的基板供给的处理液的流量也是影响被支撑部支撑的基板的挠曲量的事项。由此，在处理条件信息包括与处理液供给部向被支撑部支撑的基板供给的处理液的流量相关的命令的情况下，也能够合适地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述气体吹出口包括：
第一吹出口，配置于所述板的所述上表面的中央部；以及
第二吹出口，相比所述第一吹出口更靠外侧配置，
所述控制部根据向所述输入部输入的所述基板形状信息、以及向所述输入部输入的所述处理条件信息中的至少任一个，改变所述第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。
这样一来，能够精细地调节作用于被支撑部支撑的基板的吸引力。由此，能够更加合适地抑制被支撑部支撑的基板的挠曲量。
在上述的基板处理装置中，优选地，
向所述输入部输入的所述处理条件信息包括与所述第一吹出口吹出的气体的所述流量相关的第一命令、以及与所述第二吹出口吹出的气体的所述流量相关的第二命令中的至少任一个。
在处理条件信息包括第一命令的情况下，控制部能够简单地调节第一吹出口吹出的气体的流量。在处理条件信息包括第二命令的情况下，控制部能够简单地调节第二吹出口吹出的气体的流量。
在上述的基板处理装置中，优选地，
所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板的上表面供给处理液。
处理单元能够合适地处理基板的上表面。
附图说明
尽管为了说明本发明而示出了一些目前认为优选的方式，但是应当理解，本发明并不限于所示出的结构和方式。
图1是第一实施方式的基板处理装置的俯视图。
图2是基板处理装置的控制框图。
图3是基板的俯视图。
图4A是A型基板的剖视图，图4B是B型基板的剖视图，图4C是C型基板的剖视图。
图5是示意性地表示处理单元的结构的图。
图6是板的俯视图。
图7是表示第一实施方式的控制部的控制以及处理单元的动作的步骤的流程图。
图8是表示第二实施方式的控制部的控制以及处理单元的动作的步骤的流程图。
图9是表示第三实施方式的控制部的控制以及处理单元的动作的步骤的流程图。
图10是表示第四实施方式的控制部的控制以及处理单元的动作的步骤的流程图。
图11是表示第五实施方式的控制部的控制以及处理单元的动作的步骤的流程图。
图12是表示第六实施方式的控制部的控制以及处理单元的动作的步骤的流程图。
图13是示意性地表示变形实施方式的处理单元的图。
图14是变形实施方式的板的俯视图。
附图标记的说明：
1 基板处理装置
2 分度器部
3 容纳架载置部
4 条形码读取器
5 搬运机构
11 处理区
12 载置部
13 形状检测部
14 处理单元
15 搬运机构
17 输入部
18 控制部
21 基板主体
22 周缘部
23 主部
24 凹部
24A 上凹部
26 下表面
27 上表面
31 基板保持部
32 板
32a 上表面
33 固定销(支撑部)
34 气体吹出口
35 第一吹出口
36 第二吹出口
37 第三吹出口
38 气体供给路径
38a 第一气体供给路径
38b 第二气体供给路径
38c 共通气体供给路径
38d 第三气体供给路径
40 吹出调节部
41 第一吹出调节部
42 第二吹出调节部
43 第三吹出调节部
45 旋转驱动部
51 处理液供给部
52 喷嘴
57 流量调节部
61 挡板
63 形状检测部
A 旋转轴线
C 容纳架
FR 向被固定销支撑的基板供给的处理液的流量
QT 吹出量(气体吹出口吹出的气体的流量)
QC 吹出量(第一吹出口吹出的气体的流量)
QE 吹出量(第二吹出口吹出的气体的流量)
QM 吹出量(第三吹出口吹出的气体的流量)
Q1a、Q1b、Q1c、Q1d 第一吹出量
Q2a、Q2b、Q2c、Q2d 第二吹出量
Q3a、Q3b、Q3c、Q3d 第三吹出量
Q4a、Q4b、Q4c、Q4d 第四吹出量
RS 板的转速
TA1 A型基板的主部的厚度
TB1 B型基板的主部的厚度
TC1 C型基板的主部的厚度
VT 与基板W的主部的厚度相关的基准值
VRS 与板的转速相关的基准值
VFR 与向被固定销支撑的基板供给的处理液的流量相关的基准值
W 基板
WA A型基板
WB B型基板
WC C型基板
Wp 薄基板
Wq 厚基板
具体实施方式
[第一实施方式]
＜基板处理装置的概要＞
图1是第一实施方式的基板处理装置的俯视图。基板处理装置1对基板W进行处理。
基板W例如是半导体晶片、液晶显示器用基板、有机EL(Electroluminescence)用基板、FPD(Flat Panel Display)用基板、光显示器用基板、磁盘用基板、光盘用基板、光磁盘用基板、光掩膜用基板或者太阳能电池用基板。
基板处理装置1具有分度器部2。分度器部2具有多个(例如，四个)容纳架载置部3。各容纳架载置部3分别载置一个容纳架C。容纳架C容纳多张基板W。容纳架C例如是FOUP(front opening unified pod：前开式晶圆传送盒)。
容纳架C具有条形码(未图示)。条形码例如是用于识别容纳架C的识别符。条形码例如是用于识别容纳架C内的基板W的识别符。条形码例如贴付于容纳架C的外表面。
分度器部2具有条形码读取器4。条形码读取器4读取贴附在载置于容纳架载置部3的容纳架C上的条形码。条形码读取器4例如安装于容纳架载置部3。
分度器部2具有搬运机构5。搬运机构5能够访问载置于各容纳架载置部3的容纳架C。搬运机构5向载置于容纳架载置部3的容纳架C搬运基板W。搬运机构5具有手部5a和手部驱动部5b。手部5a以水平姿势支撑一张基板W。手部驱动部5b与手部5a连接。手部驱动部5b使手部5a移动。例如，手部驱动部5b使手部5a在水平方向上平行移动。例如，手部驱动部5b使手部5a在铅垂方向上平行移动。例如，手部驱动部5b使手部5a以旋转轴线为中心旋转移动。手部5a的旋转轴线例如与铅垂方向平行。
分度器部2具有存否检测部6。存否检测部6检测手部5a是否在支撑基板W。即，存否检测部6检测搬运机构5是否在搬运基板W。存否检测部6例如安装于手部5a。
基板处理装置1具有处理区11。处理区11与分度器部2连接。
处理区11具有载置部12。载置部12载置多张基板W。
处理区11具有形状检测部13。形状检测部13检测载置于载置部12的基板W的形状。形状检测部13例如是拍摄基板W的图像传感器。图像传感器例如是一维图像传感器或二维图像传感器。形状检测部13例如安装于载置部12。
处理区11具有多个处理单元14。各处理单元14处理一张基板W。
处理区11具有搬运机构15。搬运机构15能够访问载置部12和全部的处理单元14。搬运机构15向载置部12和处理单元14搬运基板W。搬运机构15具有手部15a和手部驱动部15b。手部15a以水平姿势支撑一张基板W。手部驱动部15b与手部15a连接。手部驱动部15b使手部15a移动。例如，手部驱动部15b使手部15a在水平方向上平行移动。例如，手部驱动部15b使手部15a在铅垂方向上平行移动。例如，手部驱动部15b使手部15a以旋转轴线为中心旋转移动。手部15a的旋转轴线例如与铅垂方向平行。
处理区11具有存否检测部16。存否检测部16检测手部15a是否在支撑基板W。即，存否检测部16检测搬运机构15是否在搬运基板W。存否检测部16例如安装于手部15a。
载置部12配置在搬运机构5与搬运机构15之间。搬运机构5也能够访问载置部12。搬运机构5向载置部12搬运基板W。载置部12载置在搬运机构5与搬运机构15之间被搬运的基板W。
基板处理装置1具有输入部17。用户能够向输入部17输入信息。输入部17例如设置于分度器部2。输入部17例如安装于分度器部2的外表面。
基板处理装置1具有控制部18。控制部18例如设置于分度器部2。
图2是基板处理装置1的控制框图。控制部18获取条形码读取器4、存否检测部6、16以及形状检测部13的检测结果。控制部18获取输入至输入部17的信息。控制部18控制搬运机构5、15和处理单元14。具体而言，控制部18控制搬运机构5的手部驱动部5b、搬运机构15的手部驱动部15b。
控制部18与条形码读取器4、搬运机构5、15、存否检测部6、16、形状检测部13、处理单元14以及输入部17可通信地连接。
控制部18通过执行各种处理的中央运算处理装置(CPU)、成为运算处理的作业区域的RAM(Random-Access Memory：随机存取存储器)、固定盘等存储介质等实现。存储介质预先存储有各种信息。存储介质例如存储与搬运机构5、15的动作条件相关的信息。存储介质例如存储用于处理基板W的处理方案(处理程序)。处理方案规定处理单元14的处理条件。存储介质例如存储用于识别各基板W的信息。
对基板处理装置1的动作例进行说明。搬运机构5从容纳架载置部3上的容纳架C向载置部12搬运基板W。搬运机构15从载置部12向处理单元14搬运基板W。处理单元14对基板W进行处理。搬运机构15从处理单元14向载置部12搬运基板W。搬运机构5从载置部12向容纳架载置部3上的容纳架C搬运基板W。
＜基板W的形状＞
图3是基板W的俯视图。对基板W的基本的形状进行说明。基板W具有薄的平板形状。基板W在俯视时呈大致圆形状。基板W具有周缘部22和主部23。主部23是位于周缘部22的内侧的基板W的部分。半导体器件形成于主部23。为了便于说明，在图3中，以虚线表示周缘部22与主部23的边界。
基板处理装置1能够处理不同的形状的基板W。下面，例示了形状不同的三种基板W。为了便于说明，分别将形状不同的三种基板W称为A型基板WA、B型基板WB、C型基板WC。
图4A是A型基板WA的剖视图。A型基板WA是包括通过使主部23相比周缘部22更凹陷而形成的凹部24，并且不包括玻璃制的保护板的基板W。凹部24例如通过磨削处理(研磨处理)而形成。A型基板WA也可以仅由基板主体21构成。或者，A型基板WA除了包括基板主体21以外，还可以包括树脂覆膜、树脂带、树脂片以及树脂膜中的至少任一个。
图4B是B型基板WB的剖视图。B型基板WB是包括凹部24，并且包括玻璃制的保护板25的基板W。具体而言，B型基板WB包括基板主体21和保护板25。保护板25例如贴付于基板主体21。B型基板WB还可以包括树脂覆膜、树脂带、树脂片以及树脂膜中的至少任一个。
图4C是C型基板WC的剖视图。C型基板WC是不包括凹部24的基板W。C型基板WC也可以仅由基板主体21构成。或者，C型基板WC除了包括基板主体21以外，还可以包括树脂覆膜、树脂带、树脂片、树脂膜以及保护板25中的至少任一个。
A型基板WA的主部23比B型基板WB的主部23薄。A型基板WA的主部23比C型基板WC的主部23薄。A型基板WA的刚性比B型基板WB以及C型基板WC的刚性低。A型基板WA相比B型基板WB以及C型基板WC更容易挠曲。
具体而言，A型基板WA的主部23具有厚度TA1。B型基板WB的主部23具有厚度TB1。C型基板WC的主部23具有厚度TC1。厚度TA1比厚度TB1小。厚度TA1比厚度TC1小。厚度TA1例如在10[μm]以上且200[μm]以下。厚度TB1例如在800[μm]以上且1200[μm]以下。厚度TC1例如在600[μm]以上且1000[μm]以下。
A型基板WA的周缘部22具有厚度TA2。B型基板WB的周缘部22具有厚度TB2。C型基板WC的周缘部22具有厚度TC2。厚度TA2比厚度TB2小。厚度TA2例如与厚度TC2相同。厚度TA2例如在600[μm]以上且1000[μm]以下。厚度TB2例如在1400[μm]以上且2200[μm]以下。厚度TC2例如在600[μm]以上且1000[μm]以下。
A型基板WA是本发明中的薄基板的例子。B型基板WB以及C型基板WC是本发明中的厚基板的例子。下面，将A型基板WA合适地称为“薄基板Wp”。将B型基板WB以及C型基板WC合适地称为“厚基板Wq”。
＜处理单元14的结构＞
参照图1。处理单元14具有基板保持部31和挡板61。基板保持部31保持一张基板W。基板保持部31将基板W保持为水平姿势。挡板61配置为包围基板保持部31的侧方。
图5是示意性地表示处理单元14的结构的图。图5省略了挡板61的图示。处理单元14还具有旋转驱动部45和处理液供给部51。旋转驱动部45使基板保持部31旋转。处理液供给部51向被基板保持部31保持的基板W供给处理液。挡板61接收从基板W飞散的处理液。
基板保持部31具有板32。板32呈大致圆盘形状。板32具有上表面32a。上表面32a大致水平。上表面32a大致平坦。
旋转驱动部45与板32的下部连接。旋转驱动部45使板32以旋转轴线A为中心旋转。旋转轴线A与铅垂方向平行。旋转驱动部45通过板32的中心。更具体而言，旋转驱动部45具有旋转轴46。旋转轴46沿铅垂方向延伸。旋转轴46配置在旋转轴线A上。旋转轴46与板32的下部连接。旋转驱动部45还具有未图示的马达。马达与旋转轴46连接。马达使旋转轴46以旋转轴线A为中心旋转。
旋转驱动部45还能够改变基板保持部31(板32)的转速。
图6是板32的俯视图。板32的上表面32a在俯视时呈圆形。板32的上表面32a在俯视时比基板W大。
基板保持部31具有多个(例如，30个)固定销33。固定销33支撑基板W。各固定销33固定于板32。各固定销33相对于板32不能移动。各固定销33相对于板32不能旋转。各固定销33不具有相对于板32能够移动的可动部。
固定销33配置于板32的上表面32a。固定销33配置于板32的上表面32a的周缘部。固定销33配置在俯视时以旋转轴线A为中心的圆周上。各固定销33相互分离。
参照图5。固定销33从板32的上表面32a向上方突出。固定销33与基板W的下表面26接触。更详细地说，固定销33与基板W的周缘部22的下表面26接触。由此，固定销33在比板32的上表面32a高的位置支撑基板W。
在图6中，以虚线表示被固定销33支撑的基板W。固定销33在俯视时与被固定销33支撑的基板W重叠。在固定销33支撑基板W时，基板W的中心位于旋转轴线A上。
参照图5。固定销33与基板W的上表面27不接触。固定销33允许基板W相对于固定销33向上方移动。固定销33与基板W的端缘28不接触。固定销33自身允许基板W相对于固定销33滑动。这样，固定销33自身不保持基板W。
基板保持部31具有气体吹出口34。气体吹出口34形成于板32的上表面32a。气体吹出口34配置在俯视时与被固定销33支撑的基板W重叠的位置。气体吹出口34配置在被固定销33支撑的基板W的下方。气体吹出口34从板32的上表面32a吹出气体。气体吹出口34从被固定销33支撑的基板W的下方的位置吹出气体。气体吹出口34向上方吹出气体。气体吹出口34向板32的上表面32a与被固定销33支撑的基板W的下表面26之间吹出气体。气体吹出口34吹出的气体例如是氮气或空气。气体吹出口34吹出的气体例如是高压气体或压缩气体。气体被向板32的上表面32a与被固定销33支撑的基板W的下表面26之间供给。气体沿被固定销33支撑的基板W的下表面26流动。由此，气体吹出口34吸引基板W。具体而言，通过气体沿基板W的下表面26流动而形成负压。即，基板W的下表面26受到的气压比基板W的上表面27受到的气压小。根据伯努利原理，对基板W作用向下的力。即，基板W被向下方吸引。基板W被朝向气体吹出口34以及板32吸引。但是，气体吹出口34与基板W不接触。板32也与基板W不接触。
通过气体吹出口34将基板W向下方吸引，并且固定销33与基板W的下表面26接触，基板W被支撑，并且基板W被保持在规定的位置。通过作用于基板W的吸引力，使得基板W相对于固定销33不沿水平方向滑动。即，基板保持部31保持被固定销33支撑的基板W。
随着气体吹出口34吹出的气体的流量变大，作用于基板W的吸引力变大。
“被基板保持部31保持的基板W”与“被固定销33支撑的基板W”相同。
固定销33是本发明中的支撑部的例子。
气体吹出口34具有第一吹出口35和第二吹出口36。第一吹出口35和第二吹出口36分别形成于板32的上表面32a。第一吹出口35配置于板32的上表面32a的中央部。第一吹出口35配置在板32的旋转轴线A上。第二吹出口36相比第一吹出口35更靠外侧配置。第二吹出口36相比固定销33更靠内侧配置。“内侧”是朝向旋转轴线A的方向。“内侧”是接近旋转轴线A的方向。“外侧”是与内侧相反的方向。“外侧”是远离旋转轴线A的方向。在俯视时，第二吹出口36与旋转轴线A之间的距离比第一吹出口35与旋转轴线A之间的距离大。在俯视时，第二吹出口36与旋转轴线A之间的距离比固定销33与旋转轴线A之间的距离小。第二吹出口36配置在接近固定销33的位置。第二吹出口36配置在板32的上表面32a的周缘部。
参照图6。第一吹出口35由一个开口35a构成。第二吹出口36由多个开口36a构成。开口36a配置在俯视时以旋转轴线A为中心的圆周上。
第一吹出口35向上方吹出气体。随着第一吹出口35吹出的气体的流量变大，作用于基板W的吸引力变大。第二吹出口36向上方吹出气体。随着第二吹出口36吹出的气体的流量变大，作用于基板W的吸引力变大。
参照图5。处理单元14具有气体供给路径38。气体供给路径38向气体吹出口34供给气体。
气体供给路径38具有第一气体供给路径38a和第二气体供给路径38b。第一气体供给路径38a向第一吹出口35供给气体。第二气体供给路径38b向第二吹出口36供给气体。第一气体供给路径38a具有第一端和第二端。第二气体供给路径38b具有第一端和第二端。第一气体供给路径38a的第一端与第一吹出口35连接。第二气体供给路径38b的第一端与第二吹出口36连接。第一气体供给路径38a的第二端与第二气体供给路径38b的第二端连接。第一气体供给路径38a的一部分以及第二气体供给路径38b的一部分形成在板32的内部。
气体供给路径38还具有共通气体供给路径38c。共通气体供给路径38c向第一气体供给路径38a、以及第二气体供给路径38b供给气体。即，气体供给路径38向第一吹出口35、以及第二吹出口36供给气体。共通气体供给路径38c具有第一端和第二端。共通气体供给路径38c的第一端与第一气体供给路径38a的第二端、以及第二气体供给路径38b的第二端连接。共通气体供给路径38c的第二端与气体供给源39连接。
这样，第一气体供给路径38a和第二气体供给路径38b彼此并列。第一气体供给路径38a和第二气体供给路径38b彼此并列地与气体供给源39连通连接。
处理单元14具有吹出调节部40。吹出调节部40调节气体吹出口34吹出气体的气体的流量。
吹出调节部40具有第一吹出调节部41和第二吹出调节部42。第一吹出调节部41设置于第一气体供给路径38a。第一吹出调节部41调节第一吹出口35吹出的气体的流量。即，第一吹出调节部41调节向第一吹出口35供给的气体的流量。第二吹出调节部42设置于第二气体供给路径38b。第二吹出调节部42调节第二吹出口36吹出的气体的流量。即，第二吹出调节部42调节向第二吹出口36供给的气体的流量。
第一吹出调节部41不能调节第二吹出口36吹出的气体的流量。第二吹出调节部42不能调节第一吹出口35吹出的气体的流量。第一吹出调节部41和第二吹出调节部42能够相互独立地动作。由此，吹出调节部40能够相互独立地调节第一吹出口35吹出的气体的流量和第二吹出口36吹出的气体的流量。吹出调节部40能够分别单独地调节第一吹出口35吹出的气体的流量和第二吹出口36吹出的气体的流量。第一吹出调节部41和第二吹出调节部42例如分别包括流量调节阀。第一吹出调节部41和第二吹出调节部42还可以分别包括开闭阀。
处理液供给部51具有喷嘴52。喷嘴52喷出处理液。喷嘴52向被固定销33支撑的基板W的上表面27供给处理液。喷嘴52配置在比被固定销33支撑的基板W高的位置。喷嘴52向下方喷出处理液。
处理单元14具有未图示的喷嘴移动机构。喷嘴移动机构使喷嘴52在处理位置与退避位置之间移动。在图5中，以虚线表示处于处理位置的喷嘴52。在图5中，以实线表示处于退避位置的喷嘴52。处理位置是被固定销33支撑的基板W的上方的位置。在喷嘴52处于处理位置时，喷嘴52在俯视时与被固定销33支撑的基板W重叠。在喷嘴52处于退避位置时，喷嘴52在俯视时不与被固定销33支撑的基板W重叠。
处理液供给部51具有配管53。配管53向喷嘴52供给处理液。配管53具有第一端和第二端。配管53的第一端与喷嘴52连接。配管53的第二端与处理液供给源54连接。
处理单元14具有流量调节部57。流量调节部57设置于配管53。流量调节部57调节处理液供给部51向基板W供给的处理液的流量。即，流量调节部57调节喷嘴52喷出的处理液的流量。
处理单元14具有形状检测部63。形状检测部63检测被固定销33支撑的基板W的形状。形状检测部63例如是拍摄基板W的图像传感器。图像传感器例如是一维图像传感器或二维图像传感器。形状检测部63例如配置在板32的上方。形状检测部63例如配置在被固定销33支撑的基板W的上方。
参照图2。控制部18获取形状检测部63的检测结果。控制部18控制吹出调节部40、旋转驱动部45以及流量调节部57。具体而言，控制部18控制第一吹出调节部41和第二吹出调节部42。而且，控制部控制未图示的喷嘴移动机构。
＜第一实施方式的处理单元14的动作例＞
在第一实施方式的处理单元14的动作例中，控制部18根据基板W的主部23的厚度，改变气体吹出口34吹出的气体的流量。
图7是表示控制部18的控制以及处理单元14的动作的步骤的流程图。
步骤S1
条形码读取器4读取贴付于容纳架C的条形码。条形码读取器4将条形码读取器4的检测结果向控制部18输出。形状检测部13检测载置于载置部12的基板W的形状。形状检测部63检测被固定销33支撑的基板W的形状。形状检测部13、63分别将形状检测部13、63的检测结果向控制部18输出。
步骤S2
控制部18获取条形码读取器4和形状检测部13、63的检测结果。控制部18基于条形码读取器4和形状检测部13、63的检测结果，判定被固定销33支撑的基板W的形状。具体而言，控制部18确定基板W的主部23的厚度。
此外，在从容纳架C搬出基板W后，控制部18将基板W的位置和基板W的形状相关联来进行管理。具体而言，控制部18管理搬运机构5、15在各时刻搬运的基板W的形状。控制部18管理在各时刻载置于载置部12的基板W的形状。控制部18管理在各时刻被固定销33支撑的基板W的形状。为了控制部18管理基板W的位置以及基板W的形状，控制部18也可以合适地参照形状检测部13、63的检测结果以及存否检测部6、16的检测结果。
步骤S3
控制部18根据被固定销33支撑的基板W的形状，来确定气体吹出口34吹出的气体的流量。下面，将气体吹出口34吹出的气体的流量简记为“吹出量QT”。控制部18根据被固定销33支撑的基板W的形状来改变吹出量QT。
具体而言，控制部18根据被固定销33支撑的基板W所包括的主部23的厚度来确定吹出量QT。控制部18根据被固定销33支撑的基板W所包括的主部23的厚度来改变吹出量QT。
更具体而言，控制部18根据被固定销33支撑的基板W所包括的主部23的厚度，来改变第一吹出口35吹出的气体的流量以及第二吹出口36吹出的气体的流量。下面，将第一吹出口35吹出的气体的流量简记为“吹出量QC”。将第二吹出口36吹出的气体的流量简记为“吹出量QE”。控制部18根据被固定销33支撑的基板W所包括的主部23的厚度，来改变吹出量QC以及吹出量QE。
吹出量QC和吹出量QE的合计相当于吹出量QT。
例如，控制部18以被固定销33支撑的基板W所包括的主部23越具有大的厚度，则吹出量QT越变大的方式，来确定吹出量QT。
例如，控制部18以被固定销33支撑的基板W所包括的主部23越具有大的厚度，则吹出量QC越变大的方式，来确定吹出量QC。
例如，在被固定销33支撑的基板W包括具有第一厚度的主部23时，控制部18将吹出量QC确定为第一吹出量Q1a。在被固定销33支撑的基板W包括具有比第一厚度大的第二厚度的主部23时，控制部18将吹出量QC确定为比第一吹出量Q1a大的第二吹出量Q2a。
例如，在被固定销33支撑的基板W包括具有比基准值VT小的厚度的主部23时，控制部18将吹出量QC确定为第一吹出量Q1a。在被固定销33支撑的基板W包括具有比基准值VT大的厚度的主部23时，控制部18将吹出量QC确定为比第一吹出量Q1a大的第二吹出量Q2a。
例如，控制部18以被固定销33支撑的基板W所包括的主部23越具有大的厚度，则吹出量QE越变大的方式，来确定吹出量QE。
例如，在被固定销33支撑的基板W包括具有第一厚度的主部23时，控制部18将吹出量QE确定为第三吹出量Q3a。在被固定销33支撑的基板W包括具有比第一厚度大的第二厚度的主部23时，控制部18将吹出量QE确定为比第三吹出量Q3a大的第四吹出量Q4a。
例如，在被固定销33支撑的基板W包括具有比基准值VT小的厚度的主部23时，控制部18将吹出量QE确定为第三吹出量Q3a。在被固定销33支撑的基板W包括具有比基准值VT大的厚度的主部23时，控制部18将吹出量QE确定为比第三吹出量Q3a大的第四吹出量Q4a。
基准值VT预先被设定。控制部18预先具有基准值VT。
优选地，基准值VT比A型基板WA的主部23的厚度TA1大，且比B型基板WB的主部23的厚度TB1以及C型基板WC的主部23的厚度TC1小。例如，优选地，基准值VT例如比200[μm]大且比600[μm]小。这样一来，在基板W为A型基板WA时，控制部18能够将吹出量QC确定为第一吹出量Q1a，能够将吹出量QE确定为第三吹出量Q3a。换言之，在基板W为薄基板Wp时，控制部18能够将吹出量QC确定为第一吹出量Q1a，能够将吹出量QE确定为第三吹出量Q3a。在基板W为B型基板WB或C型基板WC时，控制部18能够将吹出量QC确定为第二吹出量Q2a，能够将吹出量QE确定为第四吹出量Q4a。换言之，在基板W为厚基板wq时，控制部18能够将吹出量QC确定为第二吹出量Q2a，能够将吹出量QE确定为第四吹出量Q4a。
而且，优选地，控制部18将吹出量QE确定为比吹出量QC大的值。优选地，控制部18将第三吹出量Q3a确定为比第一吹出量Q1a大的值。优选地，控制部18将第四吹出量Q4a确定为比第二吹出量Q2a大的值。
步骤S4
控制部18控制处理单元14。控制部18基于所确定的吹出量QT，控制吹出调节部40。控制部18基于所确定的吹出量QC，来控制第一吹出调节部41。控制部18基于所确定的吹出量QE，来控制第二吹出调节部42。
步骤S5
处理单元14根据控制部18的控制，对基板W进行处理。具体而言，吹出调节部40以所确定的吹出量QT向气体吹出口34供给气体。第一吹出调节部41以所确定的吹出量QC向第一吹出口35供给气体。第二吹出调节部42以所确定的吹出量QE向第二吹出口36供给气体。气体吹出口34以所确定的吹出量QT吹出气体。第一吹出口35以所确定的吹出量QC吹出气体。第二吹出口36以所确定的吹出量QE吹出气体。
从吹出口34吹出的气体被向板32的上表面32a与被固定销33支撑的基板W的下表面26之间供给。气体沿着基板W的下表面26向外侧流动。然后，气体从板32的上表面32a与被固定销33支撑的基板W的下表面26之间的空间流出。气体向比基板W的周缘部22更靠外侧的空间流出。通过这样的气体的流动，吸引力作用于基板W。基板保持部31通过吸引力保持固定销33上的基板W。
特别地，从第一吹出口35吹出的气体在沿基板W的下表面26向外侧流动前，与基板W的下表面26的中央部碰触。
旋转驱动部45使基板保持部31旋转。由此，被固定销33支撑的基板W进行旋转。被固定销33支撑的基板W与板32一体地旋转。被固定销33支撑的基板W以旋转轴线A为中心旋转。流量调节部57向喷嘴52供给处理液。喷嘴52喷出处理液。由此，处理液供给部51向基板W的上表面27供给处理液。处理液从被固定销33支撑的基板W向外侧飞散。挡板61回收飞散的处理液。
其中，例如，被固定销33支撑的基板W所包括的主部23越具有大的厚度，则吹出量QT越大。被固定销33支撑的基板W所包括的主部23越具有大的厚度，则吹出量QC越大。被固定销33支撑的基板W所包括的主部23越具有大的厚度，则吹出量QE越大。由此，被固定销33支撑的基板W所包括的主部23越具有大的厚度，则作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力越大。
例如，随着被固定销33支撑的基板W的主部23的厚度变大，则吹出量QT变大。随着被固定销33支撑的基板W的主部的厚度变大，则吹出量QC变大。随着被固定销33支撑的基板W的主部23的厚度变大，则吹出量QE变大。由此，随着被固定销33支撑的基板W的主部23的厚度变大，则作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力变大。
例如，在被固定销33支撑的基板W包括具有第一厚度的主部23时，吹出量QT、QC、QE均比较小。由此，在被固定销33支撑的基板W包括具有第一厚度的主部23时，比较小的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，在被固定销33支撑的基板W包括具有比第一厚度大的第二厚度的主部23时，吹出量QT、QC、QE均比较大。由此，在被固定销33支撑的基板W包括具有第二厚度的主部23时，比较大的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，在被固定销33支撑的基板W包括具有比基准值VT小的厚度的主部23时，吹出量QT、QC、QE均比较小。由此，在被固定销33支撑的基板W包括具有比基准值VT小的厚度的主部23时，比较小的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，在被固定销33支撑的基板W包括具有比基准值VT大的厚度的主部23时，吹出量QT、QC、QE均比较大。由此，在被固定销33支撑的基板W包括具有比基准值VT大的厚度的主部23时，比较大的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，在被固定销33支撑的基板W为A型基板WA时，吹出量QT、QC、QE均比较小。由此，在被固定销33支撑的基板W为A型基板WA时，比较小的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，在被固定销33支撑的基板W为B型基板WB或C型基板WC时，吹出量QT、QC、QE均比较大。由此，在被固定销33支撑的基板W为B型基板WB或C型基板WC时，比较大的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，在被固定销33支撑的基板W为薄基板Wp时，吹出量QT、QC、QE均比较小。由此，在被固定销33支撑的基板W为薄基板Wp时，比较小的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，在被固定销33支撑的基板W为厚基板Wq时，吹出量QT、QC、QE均比较大。由此，在被固定销33支撑的基板W为厚基板Wq时，比较大的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，吹出量QE比吹出量QC大。第三吹出量Q3a比第一吹出量Q1a大。第四吹出量Q4a比第二吹出量Q2a大。
＜第一实施方式的效果＞
基板处理装置1具有处理单元14。处理单元14处理基板W。处理单元14具有板32、固定销33以及气体吹出口34。板32具有上表面32a。固定销33从板32的上表面32a向上方突出。固定销33与基板W的下表面26接触。固定销33在比板32的上表面32a高的位置支撑基板W。气体吹出口34形成于板32的上表面32a。气体吹出口34将气体向上方吹出。即，气体吹出口34向板32的上表面32a与被固定销33支撑的基板W的下表面26之间吹出气体。由此，固定销33上的基板W被向下方吸引。通过作用于基板W的吸引力，基板保持部31能够合适地保持固定销33上的基板W。
处理单元14具有吹出调节部40。吹出调节部40调节吹出量QT。由此，能够容易地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。
处理单元14具有旋转驱动部45。旋转驱动部45使板32旋转。由此，能够使被固定销33支撑的基板W合适地旋转。
处理单元14具有处理液供给部51和流量调节部57。处理液供给部51向被固定销33支撑的基板W供给处理液。流量调节部57调节处理液供给部51向基板W供给的处理液的流量。由此，能够容易地调节处理液供给部51向被固定销33支撑的基板W供给的处理液的流量。
基板处理装置1具有控制部18。控制部18控制处理单元14。控制部18根据被固定销33支撑的基板W的形状来改变吹出量QT。在此，被固定销33支撑的基板W的形状是影响基板W被固定销33支撑时基板W挠曲的量的事项。由此，控制部18能够合适地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。即，能够以合适的吸引力保持被固定销33支撑的基板W。由此，能够合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。换言之，能使被固定销33支撑的基板W接近于水平姿势。由此，处理单元14能够合适地处理基板W。例如，能够均匀地处理基板W的整个上表面27。
如上所述，基板处理装置1能够合适地处理基板W。
控制部18根据基板W的主部23的厚度来改变吹出量QT。在此，基板W的主部23的厚度是影响被固定销33支撑的基板W的挠曲量的事项。由此，能够合适地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。由此，能够合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。
控制部18以被固定销33支撑的基板W所包括的主部23越具有大的厚度，则吹出量QT越变大的方式，来确定吹出量QT。例如，在基板W的主部23的厚度比较大时，吹出量QT比较大。因此，在吹出量QT比较大时，作用于基板W的吸引力比较大。在此，在基板W的主部23的厚度比较大时，基板W具有比较高的刚性，并且基板W比较重。由此，在基板W的主部23的厚度比较大时，能够比合适的吸引力保持基板W。例如，在基板W的主部23的厚度比较小时，吹出量QT比较小。因此，在吹出量QT比较小时，作用于基板W的吸引力比较小。在此，在基板W的主部23的厚度比较小时，基板W具有比较低的刚性，并且基板W比较轻。由此，在基板W的主部23的厚度比较小时，能够以合适的吸引力保持基板W。
气体吹出口34包括第一吹出口35和第二吹出口36。第一吹出口35配置于板32的上表面32a的中央部。第二吹出口36相比第一吹出口35更靠外侧配置。控制部18根据被固定销33支撑的基板W的形状，来改变吹出量QC、以及吹出量QE。因此，控制部18能够精细地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。即，能够以更加合适的吸引力保持被固定销33支撑的基板W。由此，能够更加合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。
吹出调节部40具有第一吹出调节部41和第二吹出调节部42。第一吹出调节部41调节吹出量QC。第二吹出调节部42调节吹出量QE。因此，吹出调节部40能够分别单独地调节吹出量QC、以及吹出量QE。由此，控制部18能够分别单独地改变吹出量QC、以及吹出量QE。
控制部18根据基板W的主部23的厚度，改变吹出量QC、以及吹出量QE。因此，能够精细地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。由此，能够更加合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。
基板W的主部23的厚度越大，则吹出量QC越大。由此，无论基板W的主部23的厚度如何，都能够以合适的吸引力保持基板W。
第一吹出口35吹出的气体与基板W的下表面26的中央部碰触。因此，能够合适地防止基板W的中央部向下方变凸地弯曲。由此，能够有效地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。
基板W的主部23的厚度越大，则吹出量QE越大。由此，无论基板W的主部23的厚度如何，都能够以合适的吸引力保持基板W。
无论基板W的主部23的厚度如何，吹出量QE比吹出量QC大。因此，气体比较快速地流过基板W的下表面26的周缘部22的附近。由此，作用于基板W的周缘部22的吸引力比较大。基板W的周缘部22与固定销33接触。由此，基板W的周缘部22被合适地按压至固定销33。因此，基板保持部31能够合适地保持基板W。
处理液供给部51向被固定销33支撑的基板W的上表面27供给处理液。由此，处理单元14能够合适地处理基板W的上表面26。
处理单元14具有形状检测部63。形状检测部63检测基板W的形状。控制部18获取形状检测部63的检测结果。控制部18基于形状检测部63的检测结果，判定被固定销33支撑的基板W的形状。因此，控制部18能够合适地确定被固定销33支撑的基板W的形状。
基板处理装置1具有条形码读取器4。条形码读取器4读取贴付于容纳架C的条形码。控制部18获取条形码读取器4的检测结果。控制部18基于条形码读取器4的检测结果来判定基板W的形状。因此，控制部18能够合适地确定基板W的形状。
基板处理装置1具有形状检测部13。形状检测部13检测基板W的形状。控制部18获取形状检测部13的检测结果。控制部18基于形状检测部13的检测结果，判定基板W的形状。因此，控制部18能够合适地确定基板W的形状。
[第二实施方式]
参照附图说明第二实施方式的基板处理装置1。此外，对与第一实施方式相同的结构赋予相同的附图标记，并省略详细的说明。
第二实施方式的基板处理装置1具有与第一实施方式的基板处理装置1大致相同的结构。第二实施方式的处理单元14执行与第一实施方式的处理单元14不同的动作。下面，例示第二实施方式的处理单元14的动作。
＜第二实施方式的处理单元14的动作例＞
在第二实施方式的处理单元14的动作例中，控制部18根据凹部24的位置来改变吹出量QT。在第二实施方式的处理单元14的动作例中，控制部18根据配置有凹部24的基板W的部位，来改变吹出量QT。
图8是表示控制部18的控制以及处理单元14的动作的步骤的流程图。
步骤S11
步骤S21与第一实施方式的步骤S1大致相同。
步骤S12
控制部18获取条形码读取器4和形状检测部13、63的检测结果。控制部18基于条形码读取器4和形状检测部13、63的检测结果，判定被固定销33支撑的基板W的形状。具体而言，控制部18确定被固定销33支撑的基板W在基板W的上表面27是否具有凹部24。下面，特别地，将形成于基板W的上表面27的凹部24称为“上凹部24A”。上凹部24A朝向上方。上凹部24A向上方开放。控制部18确定被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A。
步骤S13
控制部18根据被固定销33支撑的基板W的形状来确定吹出量QT。控制部18根据被固定销33支撑的基板W的形状来改变吹出量QT。
具体而言，控制部18根据被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A，确定吹出量QT。控制部18根据被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A，改变吹出量QT。
更具体而言，控制部18根据被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A，确定吹出量QC以及吹出量QE。控制部18根据被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A，改变吹出量QC以及吹出量QE。
例如，控制部18以被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A时的吹出量QT比被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A时的吹出量QT大的方式，来确定吹出量QT。
例如，控制部18以被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A时的吹出量QC比被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A时的吹出量QC大的方式，来确定吹出量QT。
例如，在被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A时，控制部18将吹出量QC确定为第一吹出量Q1b。在被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A时，控制部18将吹出量QC确定为比第一吹出量Q1b大的第二吹出量Q2b。
例如，控制部18以被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A时的吹出量QE比被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A时的吹出量QE大的方式，来确定吹出量QT。
例如，在被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A时，控制部18将吹出量QE确定为第三吹出量Q3b。在被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A时，控制部18将吹出量QE确定为比第三吹出量Q3b大的第四吹出量Q4b。
而且，优选地，控制部18将吹出量QE确定为比吹出量QC大的值。优选地，控制部18将第三吹出量Q3b确定为比第一吹出量Q1b大的值。优选地，控制部18将第四吹出量Q4b确定为比第二吹出量Q2b大的值。
步骤S14
步骤S14与第一实施方式的步骤S4大致相同。
步骤S15
步骤S15与第一实施方式的步骤S5大致相同。
在此，在被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A时，吹出量QT、QC、QE均比较小。由此，在被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A时，作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力比较小。
在被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A时，吹出量QT、QC、QE均比较大。由此，在被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A时，作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力比较大。
吹出量QE比吹出量QC大。第三吹出量Q3b比第一吹出量Q1b大。第四吹出量Q4b比第二吹出量Q2b大。
＜第二实施方式的效果＞
在第二实施方式中，能够达到与第一实施方式相同的效果。例如，在第二实施方式中，控制部18根据被固定销33支撑的基板W的形状来改变吹出量QT。由此，控制部18能够合适地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。由此，能够合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。由此，处理单元14能够合适地处理基板W。基板处理装置1能够合适地处理基板W。
而且，在第二实施方式中，能够达到以下的效果。被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A是影响被固定销33支撑的基板W的挠曲量的事项。在被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A的情况下，处理液容易滞留于上凹部24A。在被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A的情况下，处理液容易积存于上凹部24A。在被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A的情况下，基板W的上表面27大致平坦。因此，在被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A的情况下，处理液难以滞留于基板W的上表面27。由此，在被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A的情况下，与被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A的情况相比，基板W上的处理液的量多。因此，在被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A的情况下，与被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A的情况相比，作用于基板W的处理液的重量重。因此，在被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A的情况下，与被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A的情况相比，基板W的挠曲量容易变大。控制部18根据被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A，来改变吹出量QT。由此，控制部18能够合适地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。由此，能够合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。由此，处理单元14能够合适地处理基板W。
在被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A时的吹出量QT比被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A时的吹出量QT大。因此，无论固定销33是否具有上凹部24A，都能够以合适的吸引力保持基板W。
控制部18根据被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A，来改变吹出量QC、以及吹出量QE。因此，能够精细地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。由此，能够更加合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。
第二吹出量Q2b比第一吹出量Q1b大。具体而言，被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A时的吹出量QC比被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A时的吹出量QC大。因此，无论被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A，都能够以合适的吸引力保持基板W。
第四吹出量Q4b比第三吹出量Q3b大。具体而言，被固定销33支撑的基板W具有上凹部24A时的吹出量QE比被固定销33支撑的基板W不具有上凹部24A时的吹出量QE大。因此，无论被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A，都能够以合适的吸引力保持基板W。
[第三实施方式]
参照附图说明第三实施方式的基板处理装置1。此外，对与第一实施方式相同的结构赋予相同的附图标记，并省略详细的说明。
第三实施方式的基板处理装置1具有与第一实施方式的基板处理装置1大致相同的结构。第三实施方式的处理单元14执行与第一实施方式的处理单元14不同的动作。下面，例示了第三实施方式的处理单元14的动作。
＜第三实施方式的处理单元14的动作例＞
在第三实施方式的处理单元14的动作例中，控制部18根据板32的转速来改变吹出量QT。
图9是表示控制部18的控制以及处理单元14的动作的步骤的流程图。
步骤S21
控制部18参照处理方案，确定处理单元14的处理条件。具体而言，控制部18确定板32的转速。板32的转速相当于被固定销33支撑的基板W的转速。下面，将板32的转速简记为“转速RS”。
步骤S22
控制部18根据处理单元14的处理条件，确定吹出量QT。控制部18根据处理单元14的处理条件，确定吹出量QT。具体而言，控制部18根据转速RS，确定吹出量QT。控制部18根据转速RS，改变吹出量QT。
更具体而言，控制部18根据转速RS，确定吹出量QC以及吹出量QE。控制部18根据转速RS，改变吹出量QC以及吹出量QE。
例如，控制部18以转速RS越大，则吹出量QT越大的方式，确定吹出量QT。
例如，控制部18以转速RS越大，则吹出量QC越大的方式，确定吹出量QC。
例如，在转速RS为第一转速时，控制部18将吹出量QC确定为第一吹出量Q1c。在转速RS为比第一转速大的第二转速时，控制部18将吹出量QC确定为比第一吹出量Q1c大的第二吹出量Q2c。
例如，在转速RS比基准值VRS小时，控制部18将吹出量QC确定为第一吹出量Q1c。在转速RS比基准值VRS大时，控制部18将吹出量QC确定为比第一吹出量Q1c大的第二吹出量Q2c。
例如，控制部18以转速RS越大，则吹出量QE越大的方式，确定吹出量QE。
例如，在转速RS为第一转速时，控制部18将吹出量QE确定为第三吹出量Q3c。在转速RS为比第一转速大的第二转速时，控制部18将吹出量QE确定为比第三吹出量Q3c大的第四吹出量Q4c。
例如，在转速RS比基准值VRS小时，控制部18将吹出量QE确定为第三吹出量Q3c。在转速RS比基准值VRS大时，控制部18将吹出量QE确定为比第三吹出量Q3c大的第四吹出量Q4c。
基准值VRS被预先设定。控制部18预先具有基准值VRS。
而且，优选地，控制部18将吹出量QE确定为比吹出量QC大的值。优选地，控制部18将第三吹出量Q3c确定为比第一吹出量Q1c大的值。优选地，控制部18将第四吹出量Q4c确定为比第二吹出量Q2c大的值。
步骤S23
步骤S23与第一实施方式的步骤S4大致相同。
步骤S24
步骤S24与第一实施方式的步骤S5大致相同。旋转驱动部45以转速RS使基板保持部31旋转。
在此，例如，板32的转速越大，则吹出量QT、QC、QE均越大。由此，板32的转速越大，则越大的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，随着板32的转速变大，吹出量QT、QC、QE均变大。由此，随着板32的转速变大，作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力变大。
例如，在板32的转速为第一转速时，吹出量QT、QC、QE均比较小。由此，在板32的转速为第一转速时，比较小的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，在板32的转速为第二转速时，吹出量QT、QC、QE均比较大。由此，在板32的转速为第二转速时，比较大的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，在板32的转速比基准值VRS小时，吹出量QT、QC、QE均比较小。由此，在板32的转速比基准值VRS小时，比较小的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，在板32的转速比基准值VRS大时，吹出量QT、QC、QE均比较大。由此，在板32的转速比基准值VRS大时，比较大的吸引力作用于被固定销33支撑的基板W。
例如，吹出量QE比吹出量QC大。第三吹出量Q3c比第一吹出量Q1c大。第四吹出量Q4c比第二吹出量Q2c大。
＜第三实施方式的效果＞
控制部18根据转速RS，改变吹出量QT。在此，转速RS是影响被固定销33支撑的基板W的挠曲量的事项。由此，控制部18能够合适地调整作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。即，能够以合适的吸引力保持被固定销33支撑的基板W。由此，能够合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。由此，处理单元14能够合适地处理基板W。基板处理装置1能够合适地处理基板W。
转速RS越大，则吹出量QT越大。由此，无论转速RS如何，都能够以合适的吸引力保持基板W。
控制部18根据转速RS，改变吹出量QC、以及吹出量QE。因此，能够精细地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。由此，能够更加合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。
转速RS越大，则吹出量QC越大。由此，无论转速RS如何，都能够以合适的吸引力保持基板W。
转速RS越大，则吹出量QE越大。由此，无论转速RS如何，都能够以合适的吸引力保持基板W。
[第四实施方式]
参照附图说明第四实施方式的基板处理装置1。此外，对与第一实施方式相同的结构赋予相同的附图标记并省略详细的说明。
第四实施方式的基板处理装置1具有与第一实施方式的基板处理装置1大致相同的结构。第四实施方式的处理单元14执行与第一实施方式的处理单元14不同的动作。下面，例示了第四实施方式的处理单元14的动作。
＜第四实施方式的处理单元14的动作例＞
在第四实施方式的处理单元14的动作例中，控制部18根据向被固定销33支撑的基板W供给的处理液的流量，改变吹出量QT。
图10是表示控制部18的控制以及处理单元14的动作的步骤的流程图。
步骤S31
控制部18参照处理方案，确定处理单元14的处理条件。具体而言，控制部18确定处理液供给部51向被固定销33支撑的基板W供给的处理液的流量。下面，将处理液供给部51向被固定销33支撑的基板W供给的处理液的流量简记为“流量FR”。
步骤S32
控制部18根据处理条件，确定吹出量QT。控制部18根据处理条件，改变吹出量QT。具体而言，控制部18根据流量FR，确定吹出量QT。控制部18根据流量FR，改变吹出量QT。
更具体而言，控制部18根据流量FR，确定吹出量QC以及吹出量QE。控制部18根据流量FR，改变吹出量QC以及吹出量QE。
例如，控制部18以流量FR越大，则吹出量QT越大的方式，确定吹出量QT。
例如，控制部18以流量FR越大，则吹出量QC越大的方式，确定吹出量QC。
例如，在流量FR为第一流量时，控制部18将吹出量QC确定为第一吹出量Q1d。在流量FR为比第一流量大的第二流量时，控制部18将吹出量QC确定为比第一吹出量Q1d大的第二吹出量Q2d。
例如，在流量FR比基准值VFR小时，控制部18将吹出量QC确定为第一吹出量Q1d。在流量FR比基准值VFR大时，控制部18将吹出量QC确定为比第一吹出量Q1d大的第二吹出量Q2d。
例如，控制部18以流量FR越大，则吹出量QE越大的方式，确定吹出量QE。
例如，在流量FR为第一流量时，控制部18将吹出量QE确定为第三吹出量Q3d。在流量FR为比第一流量大的第二流量时，控制部18将吹出量QE确定为比第三吹出量Q3d大的第四吹出量Q4d。
例如，在流量FR比基准值VFR小时，控制部18将吹出量QE确定为第三吹出量Q3d。在流量FR比基准值VFR大时，控制部18将吹出量QE确定为比第三吹出量Q3d大的第四吹出量Q4d。
基准值VFR被预先设定。控制部18预先具有基准值VFR。
而且，优选地，控制部18将吹出量QE确定为比吹出量QC大的值。优选地，控制部18将第三吹出量Q3d确定为比第一吹出量Q1d大的值。优选地，控制部18将第四吹出量Q4d确定为比第二吹出量Q2d大的值。
步骤S33
步骤S33与第一实施方式的步骤S4大致相同。
步骤S34
步骤S34与第一实施方式的步骤S5大致相同。
处理液供给部51以流量FR向被固定销33支撑的基板W供给处理液。
在此，例如，流量FR越大，则吹出量QT、QC、QE均越大。由此，流量FR越大，则作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力越大。
例如，随着流量FR变大，吹出量QT、QC、QE均变大。由此，随着流量FR变大，作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力变大。
例如，在流量FR为第一流量时，吹出量QT、QC、QE均比较小。由此，在流量FR为第一流量时，作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力比较小。
例如，在流量FR为第二流量时，吹出量QT、QC、QE均比较大。由此，在流量FR为第二流量时，作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力比较大。
例如，在流量FR比基准值VFR小时，吹出量QT、QC、QE均比较小。由此，在流量FR比基准值VFR小时，作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力比较小。
例如，在流量FR比基准值VFR大时，吹出量QT、QC、QE均比较大。由此，在流量FR比基准值VFR大时，作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力比较大。
例如，吹出量QE比吹出量QC大。第三吹出量Q3d比第一吹出量Q1d大。第四吹出量Q4d比第二吹出量Q2d大。
＜第四实施方式的效果＞
控制部18根据流量FR，改变吹出量QT。在此，流量FR是影响被固定销33支撑的基板W的挠曲量的事项。由此，控制部18能够合适地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。即，能够以合适的吸引力保持被固定销33支撑的基板W。由此，能够合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。由此，处理单元14能够合适地处理基板W。基板处理装置1能够合适地处理基板W。
流量FR越大，则吹出量QT越大。由此，无论流量FR如何，都能够合适地保持基板W。
控制部18根据流量FR，改变吹出量QC、以及吹出量QE。因此，能够精细地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。由此，能够更加合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。
流量FR越大，则吹出量QC越大。由此，无论流量FR如何，都能够以合适的吸引力保持基板W。
流量FR越大，则吹出量QE越大。由此，无论流量FR如何，能够以合适的吸引力保持基板W。
[第五实施方式]
参照附图说明第五实施方式的基板处理装置1。此外，对与第一实施方式相同的结构赋予相同的附图标记并省略详细的说明。
第五实施方式的基板处理装置1具有与第一实施方式的基板处理装置1大致相同的结构。第五实施方式的处理单元14执行与第一实施方式的处理单元14不同的动作。下面，例示了第五实施方式的处理单元14的动作。
＜第五实施方式的处理单元14的动作例＞
在第五实施方式的处理单元14的动作例中，控制部18根据向输入部17输入的处理条件信息，改变吹出量QT。
图11是表示控制部18的控制以及处理单元14的动作的步骤的流程图。
步骤S41
用户通过操作输入部17，向输入部17输入处理条件信息。输入部17接受处理条件信息。处理条件信息是与处理单元14的处理条件相关的信息。处理条件信息包括与吹出量QT相关的命令。更具体而言，处理条件信息包括与吹出量QC相关的第一命令和与吹出量QE相关的第二命令。第一命令例如规定吹出量QC的值。第二命令例如规定吹出量QE的值。
步骤S42
控制部18根据处理条件信息，确定吹出量QT。控制部18根据处理条件信息，改变吹出量QT。具体而言，控制部18根据与吹出量QT相关的命令，确定吹出量QT。控制部18根据与吹出量QT相关的命令，改变吹出量QT。
更具体而言，控制部18基于第一命令，确定吹出量QC。控制部18将吹出量QC确定为由第一命令规定的值。控制部18基于第一命令，改变吹出量QC。控制部18基于第二命令，确定吹出量QE。控制部18将吹出量QE确定为由第二命令规定的值。控制部18基于第二命令，改变吹出量QE。
步骤S43
步骤S43与第一实施方式的步骤S4大致相同。
步骤S44
步骤S44与第一实施方式的步骤S5大致相同。
＜第五实施方式的效果＞
控制部18根据处理条件信息，改变吹出量QT。在此，处理单元14的处理条件是影响被固定销33支撑的基板W的挠曲量的事项。由此，控制部18能够合适地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。即，能够以合适的吸引力保持被固定销33支撑的基板W。由此，能够合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。由此，处理单元14能够合适地处理基板W。基板处理装置1能够合适地处理基板W。
基板处理装置1具有能够输入处理条件信息的输入部17。由此，控制部18能够容易地获取处理条件信息。因此，控制部18能够根据处理条件信息，容易地改变吹出量QT。
向输入部17输入的处理条件信息包括与吹出量QT相关的命令。由此，控制部18能够简单地调节吹出量QT。
控制部18根据向输入部17输入的处理条件信息，改变吹出量QC、以及吹出量QE。因此，能够精细地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。由此，能够更加合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。
向输入部17输入的处理条件信息包括第一命令。由此，控制部18能够简单地调节吹出量QC。
向输入部17输入的处理条件信息包括第二命令。由此，控制部18能够简单地调节吹出量QE。
[第六实施方式]
参照附图说明第六实施方式的基板处理装置1。此外，对与第一实施方式相同的结构赋予相同的附图标记并省略详细的说明。
第六实施方式的基板处理装置1具有与第一实施方式的基板处理装置1大致相同的结构。第六实施方式的处理单元14执行与第一实施方式的处理单元14不同的动作。下面，例示了第六实施方式的处理单元14的动作。
＜第六实施方式的处理单元14的动作例＞
在第六实施方式的处理单元14的动作例中，控制部18根据向输入部17输入的基板形状信息，改变吹出量QT。
图12是表示控制部18的控制以及处理单元14的动作的步骤的流程图。
步骤S51
用户通过操作输入部17，向输入部17输入基板形状信息。输入部17接受基板形状信息。基板形状信息是与基板W的形状相关的信息。基板形状信息包括与基板W所包括的主部23的厚度相关的信息。
步骤S52
控制部18根据基板形状信息，确定吹出量QT。控制部18根据基板形状信息，改变吹出量QT。具体而言，控制部18根据由基板形状信息规定的主部23的厚度，确定吹出量QT。控制部18根据由基板形状信息规定的主部23的厚度，改变吹出量QT。
更具体而言，控制部18根据由基板形状信息规定的主部23的厚度，确定吹出量QC以及吹出量QE。控制部18根据由基板形状信息规定的主部23的厚度，改变吹出量QC以及吹出量QE。
步骤S53
步骤S53与第一实施方式的步骤S4大致相同。
步骤S54
步骤S54与第一实施方式的步骤S5大致相同。
＜第六实施方式的效果＞
控制部18根据基板形状信息，改变吹出量QT。在此，基板W的形状是影响被固定销33支撑的基板W的挠曲量的事项。由此，控制部18能够合适地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。即，能够以合适的吸引力保持被固定销33支撑的基板W。由此，能够合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。由此，处理单元14能够合适地处理基板W。基板处理装置1能够合适地处理基板W。
基板处理装置1具有能够输入基板形状信息的输入部17。由此，控制部18容易地获取基板形状信息。因此，控制部18能够根据基板形状信息，容易地改变吹出量QT。
向输入部17输入的基板形状信息包括与基板W的主部23的厚度相关的信息。在此，基板W的主部23的厚度是影响被固定销33支撑的基板W的挠曲量的事项。由此，控制部18能够合适地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。
控制部18根据向输入部17输入的基板形状信息，改变吹出量QC、以及吹出量QE。因此，能够精细地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。由此，能够更加合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。
本发明并不限定于第一实施方式～第六实施方式，也能够以如下方式变形实施。
在上述的第一实施方式～第六实施方式中，固定销33与基板W的下表面26接触。但并不限定于此。例如，固定销33也可以与基板W的下表面26以及基板W的端缘28中的至少任一个接触。例如，固定销33也可以从斜下方与基板W的端缘28接触。
在第一实施方式～第六实施方式中，控制部18改变吹出量QC以及吹出量QE。但并不限定于此。控制部18也可以改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。例如，控制部18也可以根据被固定销33支撑的基板W的形状，改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。例如，控制部18也可以根据基板W的主部23的厚度，改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。例如，控制部18也可以根据被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A，改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。例如，控制部18也可以根据转速RS，改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。例如，控制部18也可以根据流量FR，改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。例如，控制部18也可以根据基板形状信息，改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。例如，控制部18也可以根据处理条件信息，改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。通过上述的各变形实施方式，控制部18能够合适地改变吹出量QT。
在第一实施方式、第二实施方式中，控制部18根据被固定销33支撑的基板W的形状，改变吹出量QT。在第三实施方式中，控制部18根据转速RS，改变吹出量QT。在第四实施方式中，控制部18根据流量FR，改变吹出量QT。但并不限定于此。控制部18也可以根据被固定销33支撑的基板W的形状、转速RS、以及流量FR中的至少任一个，改变吹出量QT。控制部18也可以根据被固定销33支撑的基板W的形状、转速RS、以及流量FR中的至少任一个，改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。
在第一实施方式中，控制部18根据基板W的主部23的厚度，改变吹出量QT。在第二实施方式中，控制部18根据被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A，改变吹出量QT。但并不限定于此。控制部18也可以根据基板W的主部23的厚度、以及被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A中的至少任一个，改变吹出量QT。控制部18也可以根据基板W的主部23的厚度、以及被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A中的至少任一个，改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。
在第五实施方式中，控制部18根据处理条件信息，改变吹出量QT。在第六实施方式中，控制部18根据基板形状信息，改变吹出量QT。但并不限定于此。控制部18也可以根据基板形状信息、以及处理条件信息中的至少任一个，改变吹出量QT。控制部18也可以根据基板形状信息、以及处理条件信息中的至少任一个，改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。
在第五实施方式中，与吹出量QT相关的命令包括第一命令和第二命令。即，与吹出量QT相关的命令固定吹出量QC的值以及吹出量QE的值。但并不限定于此。与吹出量QT相关的命令也可以规定吹出量QT的值。
在第五实施方式中，处理条件信息包括与吹出量QT相关的命令。但并不限定于此。处理条件信息也可以包括与吹出量QT相关的命令、与转速RS相关的命令、以及与流量FR相关的命令中的至少任一个。与转速RS相关的信息例如规定转速RS的值。与流量FR相关的信息例如规定流量FR的值。在此，转速RS是影响被固定销33支撑的基板W的挠曲量的事项。流量FR也是影响被固定销33支撑的基板W的挠曲量的事项。由此，通过本变形实施方式，能够合适地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。
在第五实施方式中，处理条件信息包括第一命令和第二命令。但并不限定于此。处理条件信息也可以包括第一命令以及第二命令中的至少任一个。控制部18也可以根据第一命令、以及第二命令中的至少任一个，改变吹出量QT。控制部18也可以根据第一命令、以及第二命令中的至少任一个，改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。
在第六实施方式中，基板形状信息包括与主部23的厚度相关的信息。但并不限定于此。将与主部23的厚度相关的信息称为第一基板形状信息。将与被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A相关的信息称为第二基板形状信息。例如，基板形状信息也可以包括第一基板形状信息、以及第二基板形状信息中的至少任一个。控制部18也可以根据第一基板形状信息、以及第二基板形状信息中的至少任一个，改变吹出量QT。控制部18也可以根据第一基板形状信息、以及第二基板形状信息中的至少任一个，改变吹出量QC以及吹出量QE中的至少任一个。通过本变形实施方式，能够合适地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。
在第三实施方式、第四实施方式中，控制部18参照处理方案，确定处理单元14的处理条件。但并不限定于此。例如，控制部18也可以参照向输入部17输入的处理条件信息，确定处理单元14的处理条件。
在第三实施方式中，转速RS越大，则吹出量QT、QC、QE均越大。但并不限定于此。例如，也可以是转速RS越大，则吹出量QT越小。例如，也可以是转速RS越大，则吹出量QC越小。例如，也可以是转速RS越大，则吹出量QE越小。
在第一实施方式～第六实施方式中，吹出调节部40具有第一吹出调节部41和第二吹出调节部42。吹出调节部40分别单独地调节吹出量QC和吹出量QE。但并不限定于此。例如，吹出调节部40也可以具有一并吹出调节部(未图示)。例如，一并吹出调节部设置于共通气体供给路径38c。一并吹出调节部一并调节吹出量QC以及吹出量QE。通过本变形实施方式，吹出调节部40能够合适地调节吹出量QT。具体而言，吹出调节部40能够合适地调节吹出口34吹出的气体的流量。在本变形实施方式中，也可以省略第一吹出调节部41和第二吹出调节部42。
在第一实施方式～第六实施方式中，气体吹出口34具有第一吹出口35和第二吹出口36。但并不限定于此。
图13是示意性地表示变形实施方式的处理单元14的图。图14是变形实施方式的板32的俯视图。此外，对与第一实施方式相同的结构赋予相同的附图标记并省略详细的说明。
气体吹出口34除了具有第一吹出口35和第二吹出口36以外，还具有第三吹出口37。第三吹出口37形成于板32的上表面32a。第三吹出口37相比第一吹出口35更靠外侧配置。第三吹出口37相比第二吹出口36更靠内侧配置。第三吹出口37相比固定销33更靠内侧配置。在俯视时，第三吹出口37与旋转轴线A之间的距离比第一吹出口35与旋转轴线A之间的距离大。在俯视时，第三吹出口37与旋转轴线A之间的距离比第二吹出口36与旋转轴线A之间的距离小。在俯视时，第三吹出口37与旋转轴线A之间的距离比固定销33与旋转轴线A之间的距离小。
第三吹出口37由多个开口37a构成。开口37a配置在俯视时以旋转轴线A为中心的圆周上。
第三吹出口37向上方吹出气体。第三吹出口37向板32的上表面32a与被固定销33支撑的基板W的下表面26之间吹出气体。从第三吹出口37吹出的气体与基板W的下表面26的一部分(以下，称为中间部分)碰触。基板W的下表面26的中间部分相比基板W的下表面26的中央部更靠外侧，并且相比基板W的下表面26的周缘部22更靠内侧。然后，气体沿基板W的下表面26向外侧流动。然后，气体从板32的上表面32a与被固定销33支撑的基板W的下表面26之间的空间流出。气体向相比基板W的周缘部22更靠外侧的空间流出。随着第三吹出口37吃出的气体的流量变大，作用于基板W的吸引力变大。
气体供给路径38除了具有第一气体供给路径38a和第二气体供给路径38b以外，还具有第三气体供给路径38d。第三气体供给路径38d向第三吹出口37供给气体。第三气体供给路径38d具有第一端和第二端。第三气体供给路径38d的第一端与第三吹出口37连接。第三气体供给路径38d的第二端与第一气体供给路径38a的第二端、第二气体供给路径38b的第二端、以及共通气体供给路径38c的第一端连接。第三气体供给路径38d的一部分形成于板32的内部。
共通气体供给路径38c除了向第一气体供给路径38a、以及第二气体供给路径38b供给气体以外，还向第三气体供给路径38d供给气体。即，气体供给路径38除了向第一吹出口35、以及第二吹出口36供给气体以外，还向第三吹出口37供给气体。第一气体供给路径38a、第二气体供给路径38b以及第三气体供给路径38d彼此并列。第一气体供给路径38a、第二气体供给路径38b以及第三气体供给路径38d彼此并列地与气体供给源39连通连接。
吹出调节部40除了具有第一吹出调节部41和第二吹出调节部42以外，还具有第三吹出调节部43。第三吹出调节部43设置于第三气体供给路径38d。第三吹出调节部43调节第三吹出口37吹出的气体的流量。即，第三吹出调节部43调节向第三吹出口37供给的气体的流量。下面，将第三吹出口37吹出的气体的流量简记为“吹出量QM”。吹出量QC、吹出量QE以及吹出量QM的合计相当于吹出量QT。
第一吹出调节部41不能调节吹出量QM。第二吹出调节部42不能调节吹出量QM。第三吹出调节部43不能调节吹出量QC。第三吹出调节部43不能调节吹出量QE。第一吹出调节部41、第二吹出调节部42以及第三吹出调节部43能够相互独立地动作。由此，吹出调节部40能够相互独立地调节吹出量QC、吹出量QE、以及吹出量QM。吹出调节部40能够分别单独地调节吹出量QC、吹出量QE、以及吹出量QM。第三吹出调节部43例如包括流量调节阀。第三吹出调节部43还可以包括开闭阀。
控制部18还控制第三吹出调节部43。由此，控制部18改变吹出量QM。
例如，控制部18也可以根据被固定销33支撑的基板W的形状、转速RS、以及流量FR中的至少任一个，改变吹出量QM。例如，控制部18也可以根据被固定销33支撑的基板W的形状、转速RS、以及流量FR中的至少任一个，改变吹出量QC、吹出量QE、以及吹出量QM中的至少任一个。
例如，控制部18也可以根据向输入部17输入的基板形状信息、以及向输入部17输入的处理条件信息中的至少任一个，改变吹出量QM。例如，控制部18也可以根据向输入部17输入的基板形状信息、以及向输入部17输入的处理条件信息中的至少任一个，改变吹出量QC、吹出量QE、以及吹出量QM中的至少任一个。
向输入部17输入的处理条件信息也可以包括与吹出量QM相关的第三命令。
第三命令例如规定吹出量QM的值。
根据本变形实施方式，气体吹出口34包括第三吹出口37。由此，控制部18能够更加精细地调节作用于被固定销33支撑的基板W的吸引力。即，能够以更加合适的吸引力保持被固定销33支撑的基板W。由此，能够更加合适地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。
第三吹出口37吹出的气体与基板W的下表面26的中间部分碰触。因此，能够合适地防止基板W的中间部分向下方变凸地弯曲。由此，能够有效地抑制被固定销33支撑的基板W的挠曲量。
吹出调节部40具有第三吹出调节部43。因此，吹出调节部40能够分别单独地调节吹出量QC、吹出量QE、以及吹出量QM。由此，控制部18能够分别单独地改变吹出量QC、吹出量QE、以及吹出量QM。
在上述的第一实施方式、第二实施方式中，控制部18基于条形码读取器4以及形状检测部13、63的检测结果，判定基板W的形状。但并不限定于此。例如，控制部18也可以基于条形码读取器4以及形状检测部13、63中的任一个的检测结果，判定基板W的形状。
在上述的第一实施方式、第二实施方式中，控制部18基于条形码读取器4以及形状检测部13、63的检测结果，判定基板W的形状。但并不限定于此。作为控制部18获取基板W的形状的变形实施方式，以下例示了两个例子。
第一例
基板处理装置1也可以具有读取贴付于基板W的基板信息的基板信息检测部(未图示)。控制部18也可以基于基板信息检测部的检测结果，判定基板W的形状。在此，贴付于基板W的基板信息例如是印在基板W上的识别代码。基板信息检测部例如是阅读器。
第二例
控制部18也可以从基板处理装置1的外部设备获取与基板W的形状相关的信息。基板处理装置1的外部设备例如是主机。在控制部18从外部设备获取与基板W的形状相关的信息之前，控制部18例如也可以将条形码读取器4的检测结果向外部设备发送。在控制部18从外部设备获取与基板W的形状相关的信息之前，控制部18例如也可以将存否检测部6、16的检测结果向外部设备发送。在控制部18从外部设备获取与基板W的形状相关的信息之前，控制部18例如也可以将形状检测部13、63的检测结果向外部设备发送。控制部18也可以基于从外部设备获取的与基板W的形状相关的信息，确定基板W的形状。
在第二例中，从外部设备获取的与基板W的形状相关的信息也可以是直接地表示基板W的形状的信息。直接地表示基板W的形状的信息例如是直接地表示基板W的主部23的厚度的信息。直接地表示基板W的形状的信息例如是直接地表示被固定销33支撑的基板W是否具有上凹部24A的信息。在控制部18获取直接地表示基板W的形状的信息的情况下，控制部18不进行判定基板W的形状的步骤(例如，步骤S2、S12)。
在第二例中，从外部设备获取的与基板W的形状相关的信息也可以是间接地表示基板W的形状的信息。在控制部18获取间接地表示基板W的形状的信息的情况下，控制部18基于间接地表示基板W的形状的信息，进行判定基板W的形状的步骤(例如，步骤S2、S12)。
在上述的在第五实施方式中，向输入部17输入的处理条件信息是直接地表示处理条件的信息。但并不限定于此。向输入部17输入的处理条件信息也可以是间接地表示处理条件的信息。间接地表示处理条件的信息例如是用于识别处理方案的信息。在本变形实施方式中，控制部18也可以基于向输入部17输入的处理条件信息，进行与处理条件相关的判定或处理条件的确定。
在述的在第五实施方式中，控制部18从输入部17获取处理条件信息。
但并不限定于此。例如，控制部18也可以通过参照处理方案，获取处理条件信息。例如，控制部18也可以从外部设备获取处理条件信息。
在上述的第六实施方式中，向输入部17输入的基板形状信息是直接地表示基板W的形状的信息。但并不限定于此。向输入部17输入的基板形状信息也可以是间接地表示基板W的形状的信息。间接地表示基板W的形状的信息例如是表示基板W属于A型基板WA、B型基板WB以及C型基板WC中的哪一个的信息。间接地表示基板W的形状的信息例如是表示基板W属于薄基板Wp以及厚基板Wq中的哪一个的信息。在本变形实施方式中，控制部18也可以基于向输入部17输入的基板形状信息，进行与基板W的形状相关的判定。在本变形实施方式中，控制部18也可以基于向输入部17输入的基板形状信息，进行基板W的形状的确定。
在上述的第六实施方式中，控制部18从输入部17获取基板形状信息。但并不限定于此。例如，控制部18也可以从条形码读取器4以及形状检测部13、63获取基板形状信息。例如，控制部18也可以从外部设备获取基板形状信息。
在第一实施方式～第六实施方式中，处理液供给部51不向被固定销33支撑的基板W的下表面26供给处理液。但并不限定于此。处理液供给部51也可以向被固定销33支撑的基板W的下表面26供给处理液。例如，处理液供给部51也可以通过气体吹出口34喷出处理液。例如，处理液供给部51也可以通过第一吹出口35喷出处理液。处理液供给部51也可以向被固定销33支撑的基板W的下表面26供给纯水。例如，处理液供给部51也可以通过气体吹出口34喷出纯水。例如，处理液供给部51也可以通过第一吹出口35喷出纯水。
在第一实施方式～第六实施方式中，处理液供给部51向被固定销33支撑的基板W的上表面27供给处理液。但并不限定于此。处理液供给部51也可以不向被固定销33支撑的基板W的上表面27供给处理液。
在第一实施方式～第六实施方式中，处理液供给部51具有的喷嘴52的数量为一个。但并不限定于此。处理液供给部51具有的喷嘴52的数量也可以是多个。
在上述的实施方式中，设置于处理区11的搬运机构的数量是一个。但并不限定于此。设置于处理区11的搬运机构的数量也可以是两个以上。即，处理区11也可以具有两个以上的搬运机构。也可以根据处理区11中的搬运机构的数量增加处理单元14的个数。
对于上述的实施方式以及各变形实施方式，也可以进一步将各结构置换或组合为其他变形实施方式的结构等而适当地变更。
本发明可以以其他的具体形式实施而不脱离其精神或实质，因此，作为本发明的范围，应当参考所附权利要求而不是前面的描述。

Claims (22)

1.一种基板处理装置，其中，
具有：
处理单元，对基板进行处理；以及
控制部，控制所述处理单元，
所述处理单元具有：
板，具有上表面；
旋转驱动部，使所述板旋转；
支撑部，从所述板的所述上表面向上方突出，与基板的下表面以及基板的端缘中的至少任一个接触，在比所述板的所述上表面高的位置支撑基板；
气体吹出口，形成于所述板的所述上表面，将气体向上方吹出；
吹出调节部，调节所述气体吹出口吹出的气体的流量；
处理液供给部，向被所述支撑部支撑的基板供给处理液；以及
流量调节部，调节所述处理液供给部向基板供给的处理液的流量，
所述控制部根据被所述支撑部支撑的基板的形状、所述板的转速、以及所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的流量中的至少任一个，改变所述气体吹出口吹出的气体的所述流量。
2.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述气体吹出口包括：
第一吹出口，配置于所述板的所述上表面的中央部；以及
第二吹出口，相比所述第一吹出口更靠外侧配置，
所述控制部根据被所述支撑部支撑的基板的形状、所述板的所述转速、以及所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量中的至少任一个，改变所述第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。
3.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述吹出调节部具有：
第一吹出调节部，调节所述第一吹出口吹出的气体的所述流量；以及
第二吹出调节部，调节所述第二吹出口吹出的气体的所述流量。
4.根据权利要求2所述的基板处理装置，其中，
所述气体吹出口包括第三吹出口，该第三吹出口相比所述第一吹出口更靠外侧配置，并且相比所述第二吹出口更靠内侧配置，
所述控制部根据被所述支撑部支撑的基板的形状、所述板的所述转速、以及所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量中的至少任一个，改变所述第三吹出口吹出的气体的流量。
5.根据权利要求4所述的基板处理装置，其中，
所述吹出调节部具有第三吹出调节部，该第三吹出调节部调节所述第三吹出口吹出的气体的所述流量。
6.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述控制部根据位于基板的周缘部的内侧的基板的主部的厚度，改变所述气体吹出口吹出的气体的所述流量。
7.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
基板的所述主部的所述厚度越大，则所述气体吹出口吹出的气体的所述流量越大。
8.根据权利要求6所述的基板处理装置，其中，
所述气体吹出口包括：
第一吹出口，配置于所述板的所述上表面的中央部；以及
第二吹出口，相比所述第一吹出口更靠外侧配置，
所述控制部根据基板的所述主部的所述厚度，改变所述第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。
9.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述控制部根据被所述支撑部支撑的基板是否具有上凹部，改变所述气体吹出口吹出的气体的所述流量，所述上凹部通过使位于基板的周缘部的内侧的基板的主部相比基板的所述周缘部更凹陷而形成于所述基板的上表面。
10.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
在被所述支撑部支撑的基板具有所述上凹部时所述气体吹出口吹出的气体的所述流量，比在被所述支撑部支撑的基板不具有所述上凹部时所述气体吹出口吹出的气体的所述流量大。
11.根据权利要求9所述的基板处理装置，其中，
所述气体吹出口包括：
第一吹出口，配置于所述板的所述上表面的中央部；以及
第二吹出口，相比所述第一吹出口更靠外侧配置，
所述控制部根据被所述支撑部支撑的基板是否具有所述上凹部，改变所述第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。
12.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述板的所述转速越大，则所述气体吹出口吹出的气体的所述流量越大。
13.根据权利要求12所述的基板处理装置，其中，
所述气体吹出口包括：
第一吹出口，配置于所述板的所述上表面的中央部；以及
第二吹出口，相比所述第一吹出口更靠外侧配置，
所述控制部根据所述板的所述转速，改变所述第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。
14.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量越大，则所述气体吹出口吹出的气体的所述流量越大。
15.根据权利要求14所述的基板处理装置，其中，
所述气体吹出口包括：
第一吹出口，配置于所述板的所述上表面的中央部；以及
第二吹出口，相比所述第一吹出口更靠外侧配置，
所述控制部根据所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的所述流量，改变所述第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。
16.根据权利要求1所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板的上表面供给处理液。
17.一种基板处理装置，其中，
具有：
处理单元，对基板进行处理；
控制部，控制所述处理单元；以及
输入部，能够输入与基板的形状相关的基板形状信息、以及所述处理单元的处理条件信息中的至少任一个，
所述处理单元具有：
板，具有上表面；
旋转驱动部，使所述板旋转；
支撑部，从所述板的所述上表面向上方突出，与基板的下表面以及基板的端缘中的至少任一个接触，在比所述板的所述上表面高的位置支撑基板；
气体吹出口，形成于所述板的所述上表面，将气体向上方吹出；
吹出调节部，调节所述气体吹出口吹出的气体的流量；
处理液供给部，向被所述支撑部支撑的基板供给处理液；以及
流量调节部，调节所述处理液供给部向基板供给的处理液的流量，
所述控制部根据向所述输入部输入的所述基板形状信息、以及向所述输入部输入的所述处理条件信息中的至少任一个，改变所述气体吹出口吹出的气体的所述流量。
18.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，
向所述输入部输入的所述基板形状信息包括与位于基板的周缘部的内侧的基板的主部的厚度相关的信息；以及与被所述支撑部支撑的基板是否具有上凹部相关的信息中的至少任一个，所述上凹部通过使基板的所述主部相比基板的所述周缘部更凹陷而形成于所述基板的上表面。
19.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，
向所述输入部输入的所述处理条件信息包括与所述气体吹出口吹出的气体的所述流量相关的命令、与所述板的转速相关的命令、以及与所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板供给的处理液的流量相关的命令中的至少任一个。
20.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，
所述气体吹出口包括：
第一吹出口，配置于所述板的所述上表面的中央部；以及
第二吹出口，相比所述第一吹出口更靠外侧配置，
所述控制部根据向所述输入部输入的所述基板形状信息、以及向所述输入部输入的所述处理条件信息中的至少任一个，改变所述第一吹出口吹出的气体的流量、以及所述第二吹出口吹出的气体的流量中的至少任一个。
21.根据权利要求20所述的基板处理装置，其中，
向所述输入部输入的所述处理条件信息包括与所述第一吹出口吹出的气体的所述流量相关的第一命令、以及与所述第二吹出口吹出的气体的所述流量相关的第二命令中的至少任一个。
22.根据权利要求17所述的基板处理装置，其中，
所述处理液供给部向被所述支撑部支撑的基板的上表面供给处理液。
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