KR20210034503A - 기판 처리 장치 - Google Patents

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KR20210034503A
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가즈히코 나카자와
유이치 다카야마
도시히토 모리오카
히로미치 가바
다쿠야 사토
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

[과제] 기판을 적절히 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
[해결 수단] 기판 처리 장치(1)는, 처리 유닛(14)과 제어부(18)를 구비한다. 처리 유닛(14)은, 기판(W)을 처리한다. 제어부(18)는, 처리 유닛(14)을 제어한다. 처리 유닛(14)은, 플레이트(32)와 회전 구동부(45)와 고정 핀(33)과 기체 취출구(34)와 취출 조정부(40)와 처리액 공급부(51)와 유량 조정부(57)를 구비한다. 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상, 플레이트(32)의 회전 속도(RS), 및 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 처리액 공급부(51)가 공급하는 처리액의 유량(FR) 중 적어도 어느 하나에 따라, 기체 취출구(34)가 취출하는 기체의 유량을 바꾼다.

Description

기판 처리 장치{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS}
본 발명은, 기판에 처리를 행하는 기판 처리 장치에 관한 것이다. 기판은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이용 기판, 유기 EL(Electroluminescence)용 기판, FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스플레이용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 또는, 태양 전지용 기판이다.
일본국 특허공개 2015-65226호 공보는, 기판 처리 장치를 개시한다. 이하에서는, 일본국 특허공개 2015-65226호 공보에 기재되는 부호를, 괄호로 표기한다. 기판 처리 장치는, 기판(100)을 재치(載置)하는 회전 스테이지(10)를 구비한다. 회전 스테이지(10)는, 상면부(13)와 척부(14)를 구비한다. 상면부(13)와 척부(14)는, 기판(100)의 하면의 전체와 대향한다. 구체적으로는, 상면부(13)는, 기판(100)의 하면의 외주부와 마주본다. 척부(14)는, 기판(100)의 하면의 중앙부와 마주본다.
회전 스테이지(10)는, 복수의 지지 핀(25)을 구비한다. 각 지지 핀(25)은, 상면부(13)에 설치된다. 각 지지 핀(25)은, 기판의 외주부를 지지한다.
회전 스테이지(10)는, 기체 분출구(15)와 기체 분출구(16)를 구비한다. 기체 분출구(15)는, 척부(14)에 설치된다. 기체 분출구(15)는, 기판(100)의 하면의 중앙부에 기체를 분출한다. 기체 분출구(16)는, 상면부(13)에 설치된다. 기체 분출구(16)는, 기판(100)의 하면의 외주부에 기체를 분출한다.
기판 처리 장치는, 추가로, 중공 모터(40)와 노즐(98)을 구비한다. 중공 모터(40)는, 회전 스테이지(10)를 회전시킨다. 노즐(98)은, 회전 스테이지(10)에 재치된 기판(100)에 처리액을 공급한다.
기판(100)을 처리할 때, 기체 분출구(15) 및 기체 분출구(16)는 각각 기체를 분출하고, 중공 모터(40)는 회전 스테이지(10)를 회전시키며, 노즐(98)은 처리액을 공급한다. 기체 분출구(15)가 분출하는 기체에 의해서, 지지 핀(25)에 지지되는 기판(100)은 일정의 자세를 유지한다. 기체 분출구(16)가 분출하는 기체에 의해서, 지지 핀(25)은 기판(100)을 베르누이 효과에 의해 지지한다. 회전 스테이지(10)의 회전에 의해, 지지 핀(25)에 지지된 기판(100)은 회전한다. 처리액은, 노즐(98)로부터 회전하는 기판(100)에 공급된다.
최근, 기판은, 박형화 및 대구경화되어 있다. 기판의 두께가 얇고, 또한, 기판의 직경이 커지면, 기판의 휨량이 현저하게 커진다. 이로 인해, 종래의 기판 처리 장치는, 기판을 적절히 처리하기 어려운 경우가 있다.
본 발명은, 이러한 사정을 감안하여 이루어진 것이며, 기판을 적절히 처리할 수 있는 기판 처리 장치를 제공하는 것을 목적으로 한다.
본 발명은, 이러한 목적을 달성하기 위해서, 다음과 같은 구성을 취한다. 즉, 본 발명은, 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 처리 유닛과,
상기 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
상기 처리 유닛은,
상면을 갖는 플레이트와,
상기 플레이트를 회전시키는 회전 구동부와,
상기 플레이트의 상기 상면으로부터 상방으로 돌출되고, 기판의 하면 및 기판의 단연(端緣) 중 적어도 어느 하나와 접촉하며, 상기 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 플레이트의 상기 상면에 형성되고, 기체를 상방으로 취출(吹出)하는 기체 취출구와,
상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
상기 처리액 공급부가 기판에 공급하는 처리액의 유량을 조정하는 유량 조정부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 지지부에 지지되는 기판의 형상, 상기 플레이트의 회전 속도, 및 상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량 중 적어도 어느 하나에 따라, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 바꾸는, 기판 처리 장치이다.
지지부는, 플레이트의 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지한다. 기체 취출구는, 플레이트의 상면으로부터 기체를 상방으로 취출한다. 즉, 기체 취출구는, 플레이트의 상면과, 지지부에 지지되는 기판의 하면 사이에 기체를 취출한다. 이로써, 지지부 상의 기판은, 하방으로 흡인된다. 따라서, 지지부 상의 기판을 적절히 유지할 수 있다. 취출 조정부는, 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정한다. 이로써, 기판에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 회전 구동부는, 플레이트를 회전시킨다. 이로써, 지지부에 지지되는 기판을 적절히 회전시킬 수 있다. 유량 조정부는, 처리액 공급부가 기판에 공급하는 처리액의 유량을 조정한다. 이로써, 지지부에 지지되는 기판에 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량을 적절히 조정할 수 있다.
여기서, 지지부에 지지되는 기판의 형상은, 지지부에 지지되는 기판의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 플레이트의 회전 속도도, 지지부에 지지되는 기판의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 지지부에 지지되는 기판에 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량도, 지지부에 지지되는 기판의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 상기 서술한 기판의 휨량에 영향을 주는 3개의 사항 중 적어도 1개에 따라, 제어부는, 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량을 바꾼다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 즉, 지지부에 지지되는 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 이로써, 지지부에 지지되는 기판의 휨량을 적절히 억제할 수 있다. 따라서, 처리 유닛은, 기판을 적절히 처리할 수 있다.
이상과 같이, 본 기판 처리 장치는, 기판을 적절히 처리할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기체 취출구는,
상기 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 배치되는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구보다 외방에 배치되는 제2 취출구를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 지지부에 지지되는 기판의 형상, 상기 플레이트의 상기 회전 속도, 및 상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량 중 적어도 어느 하나에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 즉, 지지부에 지지되는 기판을 한층 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 취출 조정부는,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 조정하는 제2 취출 조정부를 구비하는 것이 바람직하다.
이것에 의하면, 취출 조정부는, 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을, 개별적으로 조정할 수 있다. 따라서, 제어부는, 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을, 개별적으로 바꿀 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기체 취출구는,
상기 제1 취출구보다 외방, 또한, 상기 제2 취출구보다 내방에 배치되는 제3 취출구를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 지지부에 지지되는 기판의 형상, 상기 플레이트의 상기 회전 속도, 및 상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량 중 적어도 어느 하나에 따라, 상기 제3 취출구가 취출하는 기체의 유량을 바꾸는 것이 바람직하다.
이것에 의하면, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 한층 치밀하게 조정할 수 있다. 즉, 지지부에 지지되는 기판을 한층 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 이로써, 지지부에 지지되는 기판의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 취출 조정부는,
상기 제3 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 조정하는 제3 취출 조정부를 구비하는 것이 바람직하다.
이것에 의하면, 취출 조정부는, 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 제3 취출구가 취출하는 기체의 유량을, 개별적으로 조정할 수 있다. 따라서, 제어부는, 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 제3 취출구가 취출하는 기체의 유량을, 개별적으로 바꿀 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 제어부는, 기판의 주연부의 내측에 위치하는 기판의 주부(主部)의 두께에 따라, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 바꾸는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 제어부는, 지지부에 지지되는 기판의 주부의 두께에 따라, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 바꾸는 것이 바람직하다.
기판의 주부의 두께는, 지지부에 지지되는 기판의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 제어부는, 기판의 주부의 두께에 따라, 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량을 바꾼다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 이로써, 지지부에 지지되는 기판의 휨량을 적절히 억제할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
기판의 상기 주부의 상기 두께가 클수록, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량은 큰 것이 바람직하다.
구체적으로는, 지지부에 지지되는 기판의 주부의 두께가 클수록, 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량은 큰 것이 바람직하다.
기판의 주부의 두께가 비교적 클 때, 기판은 비교적 높은 강성을 갖고, 또한, 기판은 비교적 무겁다. 기판의 주부의 두께가 비교적 클 때, 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량은 비교적 크다. 이로 인해, 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량이 비교적 클 때, 기판에 작용하는 흡인력은 비교적 크다. 따라서, 기판의 주부의 두께가 비교적 클 때, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 기판의 주부의 두께가 비교적 작을 때, 기판은 비교적 낮은 강성을 갖고, 또한, 기판은 비교적 가볍다. 기판의 주부의 두께가 비교적 작을 때, 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량은 비교적 작다. 이로 인해, 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량이 비교적 작을 때, 기판에 작용하는 흡인력은 비교적 작다. 따라서, 기판의 주부의 두께가 비교적 작을 때도, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
기판의 상기 주부의 상기 두께가 커짐에 따라, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량은 커지는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 지지부에 지지되는 기판의 주부의 상기 두께가 커짐에 따라, 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량은 커지는 것이 바람직하다.
기판의 주부의 두께에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기체 취출구는,
상기 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 배치되는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구보다 외방에 배치되는 제2 취출구를 포함하고,
상기 제어부는, 기판의 상기 주부의 상기 두께에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는 것이 바람직하다.
구체적으로는, 제어부는, 지지부에 지지되는 기판의 주부의 두께에 따라, 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는 것이 바람직하다.
이것에 의하면, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
기판의 상기 주부의 두께가 클수록, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량은 큰 것이 바람직하다.
기판의 주부의 두께에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
기판의 상기 주부의 두께가 커짐에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량은 커지는 것이 바람직하다.
기판의 주부의 두께에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
기판의 상기 주부의 두께가 클수록, 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량은 큰 것이 바람직하다.
기판의 주부의 두께에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
기판의 상기 주부의 두께가 커짐에 따라, 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량은 커지는 것이 바람직하다.
기판의 주부의 두께에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
기판의 주연부의 내측에 위치하는 기판의 주부가 기판의 상기 주연부보다 패임으로써 상기 기판의 상면에 형성되는 상측 오목부를, 상기 지지부에 지지되는 기판이 갖는지의 여부에 따라, 상기 제어부는, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 바꾸는 것이 바람직하다.
지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖는 경우, 처리액은 상측 오목부에 모이기 쉽다. 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖는 경우, 처리액은 상측 오목부에 모이기 쉽다. 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖지 않는 경우, 기판의 상면은 대략 평탄하다. 이로 인해, 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖지 않는 경우, 처리액은 기판의 상면에 모이기 어렵다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖는 경우에는, 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖지 않는 경우에 비해, 기판 상에 놓인 처리액의 양은 많다. 이로 인해, 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖는 경우에는, 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖지 않는 경우에 비해, 기판에 작용하는 처리액의 무게는 무겁다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖는지의 여부는, 지지부에 지지되는 기판의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 제어부는, 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖는지의 여부에 따라, 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량을 바꾼다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 이로써, 지지부에 지지되는 기판의 휨량을 적절히 억제할 수 있다. 따라서, 처리 유닛은, 기판을 적절히 처리할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 지지부에 지지되는 기판이 상기 상측 오목부를 가질 때에 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량은, 상기 지지부에 지지되는 기판이 상기 상측 오목부를 갖지 않을 때에 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량보다 큰 것이 바람직하다.
이것에 의하면, 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 가질 때도, 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖지 않을 때도, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기체 취출구는,
상기 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 배치되는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구보다 외방에 배치되는 제2 취출구를 포함하고,
상기 지지부에 지지되는 기판이 상기 상측 오목부를 갖는지의 여부에 따라,상기 제어부는, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는 것이 바람직하다.
이것에 의하면, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 지지부에 지지되는 기판이 상기 상측 오목부를 가질 때에 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량은, 상기 지지부에 지지되는 기판이 상기 상측 오목부를 갖지 않을 때에 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량보다, 큰 것이 바람직하다.
지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖는지의 여부에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 지지부에 지지되는 기판이 상기 상측 오목부를 가질 때에 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량은, 상기 지지부에 지지되는 기판이 상기 상측 오목부를 갖지 않을 때에 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량보다, 큰 것이 바람직하다.
지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖는지의 여부에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 플레이트의 상기 회전 속도가 클수록, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량은 큰 것이 바람직하다.
플레이트의 회전 속도에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 플레이트의 상기 회전 속도가 커짐에 따라, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량은 커지는 것이 바람직하다.
플레이트의 회전 속도에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기체 취출구는,
상기 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 배치되는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구보다 외방에 배치되는 제2 취출구를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 플레이트의 상기 회전 속도에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는 것이 바람직하다.
이것에 의하면, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 플레이트의 상기 회전 속도가 클수록, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량은 큰 것이 바람직하다.
플레이트의 회전 속도에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 플레이트의 상기 회전 속도가 커짐에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량은 커지는 것이 바람직하다.
플레이트의 회전 속도에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 플레이트의 상기 회전 속도가 클수록, 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량은 큰 것이 바람직하다
플레이트의 회전 속도에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 플레이트의 상기 회전 속도가 커짐에 따라, 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량은 커지는 것이 바람직하다.
플레이트의 회전 속도에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량이 클수록, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량은 큰 것이 바람직하다.
지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량에 상관없이, 기판을 적절히 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량이 커짐에 따라, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량은 커지는 것이 바람직하다.
지지부에 지지되는 기판에 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량에 상관없이, 기판을 적절히 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기체 취출구는,
상기 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 배치되는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구보다 외방에 배치되는 제2 취출구를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는 것이 바람직하다.
이것에 의하면, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량이 클수록, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량은 큰 것이 바람직하다.
지지부에 지지되는 기판에 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량이 커짐에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량은 커지는 것이 바람직하다.
지지부에 지지되는 기판에 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량이 클수록, 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량은 큰 것이 바람직하다.
지지부에 지지되는 기판에 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량이 커짐에 따라, 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량은 커지는 것이 바람직하다.
지지부에 지지되는 기판에 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량에 상관없이, 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
본 발명은, 기판 처리 장치로서,
기판을 처리하는 처리 유닛과,
상기 처리 유닛을 제어하는 제어부와,
기판의 형상에 관한 기판 형상 정보, 및 상기 처리 유닛의 처리 조건 정보 중 적어도 어느 하나를 입력 가능한 입력부를 구비하고,
상기 처리 유닛은,
상면을 갖는 플레이트와,
상기 플레이트를 회전시키는 회전 구동부와,
상기 플레이트의 상기 상면으로부터 상방으로 돌출되고, 기판의 하면 및 기판의 단연 중 적어도 어느 하나와 접촉하며, 상기 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
상기 플레이트의 상기 상면에 형성되고, 기체를 상방으로 취출하는 기체 취출구와,
상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 취출 조정부와,
상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
상기 처리액 공급부가 기판에 공급하는 처리액의 유량을 조정하는 유량 조정부를 구비하고,
상기 제어부는, 상기 입력부에 입력되는 상기 기판 형상 정보, 및 상기 입력부에 입력되는 상기 처리 조건 정보 중 적어도 어느 하나에 따라, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 바꾸는 기판 처리 장치이다.
기판의 형상은, 지지부에 지지되는 기판의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 처리 유닛의 처리 조건도, 기판의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 기판 처리 장치는, 기판의 형상에 관한 기판 형상 정보, 및 처리 유닛의 처리 조건 정보 중 적어도 어느 하나를 입력 가능한 입력부를 구비한다. 제어부는, 입력부에 입력되는 기판 형상 정보, 및 입력부에 입력되는 처리 조건 정보 중 적어도 어느 하나에 따라, 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량을 바꾼다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 즉, 지지부에 지지되는 기판을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 이로써, 지지부에 지지되는 기판의 휨량을 적절히 억제할 수 있다. 따라서, 처리 유닛은, 기판을 적절히 처리할 수 있다.
이상과 같이, 본 기판 처리 장치는, 기판을 적절히 처리할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 입력부에 입력되는 상기 기판 형상 정보는,
기판의 주연부의 내측에 위치하는 기판의 주부의 두께에 관한 정보, 및
기판의 상기 주부가 기판의 상기 주연부보다 패임으로써 상기 기판의 상면에 형성되는 상측 오목부를, 상기 지지부에 지지되는 기판이 갖는지의 여부에 관한 정보 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
기판의 주부의 두께는, 지지부에 지지되는 기판의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 따라서, 기판 형상 정보가 기판의 주부의 두께에 관한 정보를 포함하는 경우, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖는지의 여부도, 기판의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖는지의 여부에 관한 정보를 기판 형상 정보가 포함하는 경우에도, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다.
또한, 기판의 주부의 두께에 관한 정보는, 구체적으로는, 지지부에 지지되는 기판의 주부의 두께에 관한 정보이다. 지지부에 지지되는 기판이 상측 오목부를 갖는지의 여부에 관한 정보는, 바꾸어 말하면, 기판이 지지부에 지지될 때에 기판이 상측 오목부를 갖는지의 여부에 관한 정보이다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 입력부에 입력되는 상기 처리 조건 정보는,
상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량에 관한 명령,
상기 플레이트의 회전 속도에 관한 명령, 및
상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량에 관한 명령 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
기체 취출구가 취출하는 기체의 유량에 관한 명령을 처리 조건 정보가 포함하는 경우, 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량을 제어부는 간이하게 조정할 수 있다. 플레이트의 회전 속도는, 지지부에 지지되는 기판의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 따라서, 처리 조건 정보가 플레이트의 회전 속도에 관한 명령을 포함하는 경우, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 지지부에 지지되는 기판에 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량도, 지지부에 지지되는 기판의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판에 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량에 관한 명령을 처리 조건 정보가 포함하는 경우에도, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 기체 취출구는,
상기 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 배치되는 제1 취출구와,
상기 제1 취출구보다 외방에 배치되는 제2 취출구를 포함하고,
상기 제어부는, 상기 입력부에 입력되는 상기 기판 형상 정보, 및 상기 입력부에 입력되는 상기 처리 조건 정보 중 적어도 어느 하나에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는 것이 바람직하다.
이것에 의하면, 지지부에 지지되는 기판에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 따라서, 지지부에 지지되는 기판의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 입력부에 입력되는 상기 처리 조건 정보는,
상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량에 관한 제1 명령, 및
상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량에 관한 제2 명령 중 적어도 어느 하나를 포함하는 것이 바람직하다.
처리 조건 정보가 제1 명령을 포함하는 경우, 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량을 제어부는 간이하게 조정할 수 있다. 처리 조건 정보가 제2 명령을 포함하는 경우, 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량을 제어부는 간이하게 조정할 수 있다.
상기 서술한 기판 처리 장치에 있어서,
상기 처리액 공급부는, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상면에, 처리액을 공급하는 것이 바람직하다.
처리 유닛은, 기판의 상면을 적절히 처리할 수 있다.
발명을 설명하기 위해 현재 적합한 것으로 생각되는 몇 개의 형태가 도시되어 있는데, 발명이 도시된 대로의 구성 및 방책에 한정되는 것은 아님을 이해하길 바란다.
도 1은, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 평면도이다.
도 2는, 기판 처리 장치의 제어 블럭도이다.
도 3은, 기판의 평면도이다.
도 4a는 A형 기판의 단면도이고, 도 4b는 B형 기판의 단면도이며, 도 4c는 C형 기판의 단면도이다.
도 5는, 처리 유닛의 구성을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 6은, 플레이트의 평면도이다.
도 7은, 제1 실시 형태의 제어부의 제어 및 처리 유닛의 동작의 절차를 도시한 플로차트이다.
도 8은, 제2 실시 형태의 제어부의 제어 및 처리 유닛의 동작의 절차를 도시한 플로차트이다.
도 9는, 제3 실시 형태의 제어부의 제어 및 처리 유닛의 동작의 절차를 도시한 플로차트이다.
도 10은, 제4 실시 형태의 제어부의 제어 및 처리 유닛의 동작의 절차를 도시한 플로차트이다.
도 11은, 제5 실시 형태의 제어부의 제어 및 처리 유닛의 동작의 절차를 도시한 플로차트이다.
도 12는, 제6 실시 형태의 제어부의 제어 및 처리 유닛의 동작의 절차를 도시한 플로차트이다.
도 13은, 변형 실시 형태에 따르는 처리 유닛을 모식적으로 도시한 도면이다.
도 14는, 변형 실시 형태에 따르는 플레이트의 평면도이다.
[제1 실시 형태]
<기판 처리 장치의 개요>
도 1은, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치의 평면도이다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)에 처리를 행한다.
기판(W)은, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 디스플레이용 기판, 유기 EL(Electroluminescence)용 기판, FPD(Flat Panel Display)용 기판, 광 디스플레이용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 또는, 태양 전지용 기판이다.
기판 처리 장치(1)는, 인덱서부(2)를 구비한다. 인덱서부(2)는, 복수(예를 들어, 4개)의 캐리어 재치부(3)를 구비한다. 각 캐리어 재치부(3)는 각각 1개의 캐리어(C)를 재치한다. 캐리어(C)는, 복수 장의 기판(W)을 수용한다. 캐리어(C)는, 예를 들어, FOUP(front opening unified pod)이다.
캐리어(C)는, 바코드(도시하지 않음)를 갖는다. 바코드는, 예를 들어, 캐리어(C)를 식별하기 위한 식별자이다. 바코드는, 예를 들어, 캐리어(C) 내의 기판(W)을 식별하기 위한 식별자이다. 바코드는, 예를 들어, 캐리어(C)의 외면에 붙여진다.
인덱서부(2)는, 바코드 리더(4)를 구비한다. 바코드 리더(4)는, 캐리어 재치부(3)에 재치된 캐리어(C)에 붙여진 바코드를 읽어낸다. 바코드 리더(4)는, 예를 들어, 캐리어 재치부(3)에 장착된다.
인덱서부(2)는, 반송 기구(5)를 구비한다. 반송 기구(5)는, 각 캐리어 재치부(3)에 재치되는 캐리어(C)에 액세스 가능하다. 반송 기구(5)는, 캐리어 재치부(3)에 재치되는 캐리어(C)에 기판(W)을 반송한다. 반송 기구(5)는, 핸드(5a)와 핸드 구동부(5b)를 구비한다. 핸드(5a)는, 1장의 기판(W)을 수평 자세로 지지한다. 핸드 구동부(5b)는, 핸드(5a)에 연결된다. 핸드 구동부(5b)는, 핸드(5a)를 이동시킨다. 예를 들어, 핸드 구동부(5b)는, 핸드(5a)를 수평 방향으로 평행 이동시킨다. 예를 들어, 핸드 구동부(5b)는, 핸드(5a)를 연직 방향으로 평행이동시킨다. 예를 들어, 핸드 구동부(5b)는, 핸드(5a)를 회전축선 둘레로 회전 이동시킨다. 핸드(5a)의 회전축선은, 예를 들어, 연직 방향과 평행하다.
인덱서부(2)는, 존부(存否) 검출부(6)를 구비한다. 존부 검출부(6)는, 핸드(5a)가 기판(W)을 지지하고 있는지의 여부를 검출한다. 즉, 존부 검출부(6)는, 반송 기구(5)가 기판(W)을 반송하고 있는지의 여부를 검출한다. 존부 검출부(6)는, 예를 들어, 핸드(5a)에 장착된다.
기판 처리 장치(1)는, 처리 블록(11)을 구비한다. 처리 블록(11)은 인덱서부(2)에 접속된다.
처리 블록(11)은, 재치부(12)를 구비한다. 재치부(12)는, 복수 장의 기판(W)을 재치한다.
처리 블록(11)은, 형상 검출부(13)를 구비한다. 형상 검출부(13)는, 재치부(12)에 재치되는 기판(W)의 형상을 검출한다. 형상 검출부(13)는, 예를 들어, 기판(W)을 촬상하는 이미지 센서이다. 이미지 센서는, 예를 들어, 일차원 이미지 센서나 이차원 이미지 센서이다. 형상 검출부(13)는, 예를 들어, 재치부(12)에 장착된다.
처리 블록(11)은, 복수의 처리 유닛(14)을 구비한다. 각 처리 유닛(14)은, 1매의 기판(W)을 처리한다.
처리 블록(11)은, 반송 기구(15)를 구비한다. 반송 기구(15)는, 재치부(12)와 모든 처리 유닛(14)에 액세스 가능하다. 반송 기구(15)는, 재치부(12)와 처리 유닛(14)에 기판(W)을 반송한다. 반송 기구(15)는, 핸드(15a)와 핸드 구동부(15b)를 구비한다. 핸드(15a)는, 1매의 기판(W)을 수평 자세로 지지한다. 핸드 구동부(15b)는, 핸드(15a)에 연결된다. 핸드 구동부(15b)는, 핸드(15a)를 이동시킨다. 예를 들어, 핸드 구동부(15b)는, 핸드(15a)를 수평 방향으로 평행 이동시킨다. 예를 들어, 핸드 구동부(15b)는, 핸드(15a)를 연직 방향으로 평행 이동시킨다. 예를 들어, 핸드 구동부(15b)는, 핸드(15a)를 회전축선 둘레로 회전 이동시킨다. 핸드(15a)의 회전축선은, 예를 들어, 연직 방향과 평행하다.
처리 블록(11)은, 존부 검출부(16)를 구비한다. 존부 검출부(16)는, 핸드(15a)가 기판(W)을 지지하고 있는지의 여부를 검출한다. 즉, 존부 검출부(16)는, 반송 기구(15)가 기판(W)을 반송하고 있는지의 여부를 검출한다. 존부 검출부(16)는, 예를 들어, 핸드(15a)에 장착된다.
재치부(12)는, 반송 기구(5)와 반송 기구(15)의 사이에 배치된다. 반송 기구(5)는 재치부(12)에도 액세스 가능하다. 반송 기구(5)는 재치부(12)에 기판(W)을 반송한다. 재치부(12)는, 반송 기구(5)와 반송 기구(15)의 사이에서 반송되는 기판(W)을 재치한다.
기판 처리 장치(1)는, 입력부(17)를 구비한다. 사용자는, 입력부(17)에 정보를 입력할 수 있다. 입력부(17)는, 예를 들어, 인덱서부(2)에 설치된다. 입력부(17)는, 예를 들어, 인덱서부(2)의 외면에 장착되어 있다.
기판 처리 장치(1)는, 제어부(18)를 구비한다. 제어부(18)는, 예를 들어, 인덱서부(2)에 설치된다.
도 2는, 기판 처리 장치(1)의 제어 블럭도이다. 제어부(18)는, 바코드 리더(4), 존부 검출부(6, 16) 및 형상 검출부(13)의 검출 결과를 취득한다. 제어부(18)는, 입력부(17)에 입력된 정보를 취득한다. 제어부(18)는, 반송 기구(5, 15)와 처리 유닛(14)을 제어한다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 반송 기구(5)의 핸드 구동부(5b)와, 반송 기구(15)의 핸드 구동부(15b)를 제어한다.
제어부(18)는, 바코드 리더(4), 반송 기구(5, 15), 존부 검출부(6, 16), 형상 검출부(13), 처리 유닛(14) 및 입력부(17)와 통신 가능하게 접속된다.
제어부(18)는, 각종 처리를 실행하는 중앙 연산 처리 장치(CPU), 연산 처리의 작업 영역이 되는 RAM(Random-Access Memory), 고정 디스크 등의 기억 매체 등에 의해 실현되어 있다. 기억 매체는, 각종의 정보를 미리 저장하고 있다. 기억 매체는, 예를 들어, 반송 기구(5, 15)의 동작 조건에 관한 정보를 기억한다. 기억 매체는, 예를 들어, 기판(W)을 처리하기 위한 처리 레시피(처리 프로그램)를 기억한다. 처리 레시피는, 처리 유닛(14)의 처리 조건을 규정한다. 기억 매체는, 예를 들어, 각 기판(W)을 식별하기 위한 정보를 기억한다.
기판 처리 장치(1)의 동작예를 설명한다. 반송 기구(5)는, 캐리어 재치부(3) 상의 캐리어(C)로부터 재치부(12)로 기판(W)을 반송한다. 반송 기구(15)는, 재치부(12)로부터 처리 유닛(14)으로 기판(W)을 반송한다. 처리 유닛(14)은, 기판(W)을 처리한다. 반송 기구(15)는, 처리 유닛(14)으로부터 재치부(12)로 기판(W)을 반송한다. 반송 기구(5)는, 재치부(12)로부터 캐리어 재치부(3) 상의 캐리어(C)로 기판(W)을 반송한다.
<기판(W)의 형상>
도 3은, 기판(W)의 평면도이다. 기판(W)의 기본적인 형상을 설명한다. 기판(W)은, 얇은 평판 형상을 갖는다. 기판(W)은, 평면에서 볼 때 대략 원 형상을 갖는다. 기판(W)은, 주연부(22)와 주부(23)를 갖는다. 주부(23)는, 주연부(22)의 내측에 위치하는 기판(W)의 부분이다. 반도체 디바이스는, 주부(23)에 형성된다. 도 3은, 편의상, 주연부(22)와 주부(23)의 경계를 파선으로 나타낸다.
기판 처리 장치(1)는, 상이한 형상의 기판(W)을 처리 가능하다. 이하에서는, 형상이 상이한 3종류의 기판(W)을 예시한다. 편의상, 형상이 상이한 3종류의 기판(W)을 각각 A형 기판(WA), B형 기판(WB), C형 기판(WC)이라고 부른다.
도 4a는, A형 기판(WA)의 단면도이다. A형 기판(WA)은, 주부(23)가 주연부(22)보다 패임으로써 형성되는 오목부(24)를 포함하고, 또한, 유리제의 보호 플레이트를 포함하지 않는 기판(W)이다. 오목부(24)는, 예를 들어, 연삭 처리(그라인딩 처리)에 의해서 형성된다. A형 기판(WA)은, 기판 본체(21)만으로 구성되어도 된다. 혹은, A형 기판(WA)은, 기판 본체(21)에 더해, 수지 피막, 수지 테이프, 수지 시트 및 수지 필름 중 적어도 어느 하나를 포함해도 된다.
도 4b는, B형 기판(WB)의 단면도이다. B형 기판(WB)은, 오목부(24)를 포함하고, 또한, 유리제의 보호 플레이트(25)를 포함하는 기판(W)이다. 구체적으로는, B형 기판(WB)은, 기판 본체(21)와 보호 플레이트(25)를 포함한다. 보호 플레이트(25)는, 예를 들어, 기판 본체(21)에 붙일 수 있다. B형 기판(WB)은, 추가로, 수지 피막, 수지 테이프, 수지 시트 및 수지 필름 중 적어도 어느 하나를 포함해도 된다.
도 4c는, C형 기판(WC)의 단면도이다. C형 기판(WC)은, 오목부(24)를 포함하지 않는 기판(W)이다. C형 기판(WC)은, 기판 본체(21)만으로 구성되어도 된다. 혹은, C형 기판(WC)은, 기판 본체(21)에 더해, 수지 피막, 수지 테이프, 수지 시트, 수지 필름 및 보호 플레이트(25) 중 적어도 어느 하나를 포함해도 된다.
A형 기판(WA)의 주부(23)는, B형 기판(WB)의 주부(23)보다 얇다. A형 기판(WA)의 주부(23)는, C형 기판(WC)의 주부(23)보다 얇다. A형 기판(WA)은, B형 기판(WB) 및 C형 기판(WC)보다 강성이 낮다. A형 기판(WA)은, B형 기판(WB) 및 C형 기판(WC)보다 휘기 쉽다.
구체적으로는, A형 기판(WA)의 주부(23)는, 두께(TA1)를 갖는다. B형 기판(WB)의 주부(23)는, 두께(TB1)를 갖는다. C형 기판(WC)의 주부(23)는, 두께(TC1)를 갖는다. 두께(TA1)는, 두께(TB1)보다 작다. 두께(TA1)는, 두께(TC1)보다 작다. 두께(TA1)는, 예를 들어, 10[μm] 이상 200[μm] 이하이다. 두께(TB1)는, 예를 들어, 800[μm] 이상 1200[μm] 이하이다. 두께(TC1)는, 예를 들어, 600[μm] 이상 1000[μm] 이하이다.
A형 기판(WA)의 주연부(22)는, 두께(TA2)를 갖는다. B형 기판(WB)의 주연부(22)는, 두께(TB2)를 갖는다. C형 기판(WC)의 주연부(22)는, 두께(TC2)를 갖는다. 두께(TA2)는, 두께(TB2)보다 작다. 두께(TA2)는, 예를 들어, 두께(TC2)와 같다. 두께(TA2)는, 예를 들어, 600[μm] 이상 1000[μm] 이하이다. 두께(TB2)는, 예를 들어, 1400[μm] 이상 2200[μm] 이하이다. 두께(TC2)는, 예를 들어, 600[μm] 이상 1000[μm] 이하이다.
A형 기판(WA)은, 본 발명에 있어서의 얇은 기판의 예이다. B형 기판(WB) 및 C형 기판(WC)은, 본 발명에 있어서의 두꺼운 기판의 예이다. 이하에서는, A형 기판(WA)을, 적절히 「박(薄)기판(Wp)」이라고 부른다. B형 기판(WB) 및 C형 기판(WC)을, 적절히 「후(厚)기판(Wq)」이라고 부른다.
<처리 유닛(14)의 구성>
도 1을 참조한다. 처리 유닛(14)은, 기판 유지부(31)와 가드(61)를 구비한다. 기판 유지부(31)는, 1장의 기판(W)을 유지한다. 기판 유지부(31)는, 기판(W)을 수평 자세로 유지한다. 가드(61)는, 기판 유지부(31)의 측방을 둘러싸도록 배치된다.
도 5는, 처리 유닛(14)의 구성을 모식적으로 도시한 도면이다. 도 5는, 가드(61)의 도시를 생략한다. 처리 유닛(14)은, 추가로, 회전 구동부(45)와 처리액 공급부(51)를 구비한다. 회전 구동부(45)는, 기판 유지부(31)를 회전시킨다. 처리액 공급부(51)는, 기판 유지부(31)에 유지되는 기판(W)에 처리액을 공급한다. 가드(61)는, 기판(W)으로부터 비산한 처리액을 받는다.
기판 유지부(31)는, 플레이트(32)를 구비한다. 플레이트(32)는, 대략 원반형상을 갖는다. 플레이트(32)는, 상면(32a)을 갖는다. 상면(32a)은, 대략 수평이다. 상면(32a)은, 대략 평탄하다.
회전 구동부(45)는, 플레이트(32)의 하부에 연결된다. 회전 구동부(45)는, 플레이트(32)를 회전축선(A) 둘레로 회전시킨다. 회전축선(A)은, 연직 방향과 평행하다. 회전 구동부(45)는, 플레이트(32)의 중심을 통과한다. 보다 구체적으로는, 회전 구동부(45)는, 회전 샤프트(46)를 구비한다. 회전 샤프트(46)는, 연직 방향으로 연장된다. 회전 샤프트(46)는, 회전축선(A) 상에 배치된다. 회전 샤프트(46)는, 플레이트(32)의 하부에 접속된다. 회전 구동부(45)는, 추가로, 도시하지 않은 모터를 구비한다. 모터는, 회전 샤프트(46)에 연결된다. 모터는, 회전 샤프트(46)를 회전축선(A) 둘레로 회전시킨다.
회전 구동부(45)는, 또한, 기판 유지부(31)(플레이트(32))의 회전 속도를 바꿀 수 있다.
도 6은, 플레이트(32)의 평면도이다. 플레이트(32)의 상면(32a)은, 평면에서 볼 때, 원형이다. 플레이트(32)의 상면(32a)은, 평면에서 볼 때, 기판(W)보다 크다.
기판 유지부(31)는, 복수(예를 들어 30개)의 고정 핀(33)을 구비한다. 고정 핀(33)은, 기판(W)을 지지한다. 각 고정 핀(33)은, 플레이트(32)에 고정된다. 각 고정 핀(33)은, 플레이트(32)에 대해서 이동 불가능하다. 각 고정 핀(33)은, 플레이트(32)에 대해서 회전 불가능하다. 각 고정 핀(33)은, 플레이트(32)에 대해서 이동 가능한 가동부를 갖지 않는다.
고정 핀(33)은, 플레이트(32)의 상면(32a)에 배치된다. 고정 핀(33)은, 플레이트(32)의 상면(32a)의 주연부에 배치된다. 고정 핀(33)은, 평면에서 볼 때, 회전축선(A) 둘레의 원주 상에 배열된다. 각 고정 핀(33)은, 서로 떨어져 있다.
도 5를 참조한다. 고정 핀(33)은, 플레이트(32)의 상면(32a)으로부터 상방으로 돌출된다. 고정 핀(33)은, 기판(W)의 하면(26)과 접촉한다. 보다 상세하게는, 고정 핀(33)은, 기판(W)의 주연부(22)에 있어서의 하면(26)과 접촉한다. 이로써, 고정 핀(33)은, 플레이트(32)의 상면(32a)보다 높은 위치에서 기판(W)을 지지한다.
도 6은, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)을 파선으로 나타낸다. 고정 핀(33)은, 평면에서 볼 때, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)과 겹친다. 고정 핀(33)이 기판(W)을 지지할 때, 기판(W)의 중심은, 회전축선(A) 상에 위치한다.
도 5를 참조한다. 고정 핀(33)은, 기판(W)의 상면(27)과 접촉하지 않는다. 고정 핀(33)은, 기판(W)이 고정 핀(33)에 대해서 상방으로 이동하는 것을 허용한다. 고정 핀(33)은, 기판(W)의 단연(28)과 접촉하지 않는다. 고정 핀(33) 자체는, 기판(W)이 고정 핀(33)에 대해서 미끄러지는 것을 허용한다. 이와 같이, 고정 핀(33) 자체는, 기판(W)을 유지하지 않는다.
기판 유지부(31)는, 기체 취출구(34)를 구비한다. 기체 취출구(34)는, 플레이트(32)의 상면(32a)에 형성된다. 기체 취출구(34)는, 평면에서 볼 때, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)과 겹치는 위치에 배치된다. 기체 취출구(34)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하방에 배치된다. 기체 취출구(34)는, 플레이트(32)의 상면(32a)으로부터 기체를 취출한다. 기체 취출구(34)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하방의 위치로부터 기체를 취출한다. 기체 취출구(34)는, 상방에 기체를 취출한다. 기체 취출구(34)는, 플레이트(32)의 상면(32a)과 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하면(26)의 사이에 기체를 취출한다. 기체 취출구(34)가 취출하는 기체는, 예를 들어, 질소 가스나 공기이다. 기체 취출구(34)가 취출하는 기체는, 예를 들어, 고압 가스 또는 압축 가스이다. 기체는, 플레이트(32)의 상면(32a)과 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하면(26)의 사이에 공급된다. 기체는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하면(26)을 따라서 흐른다. 이로써, 기체 취출구(34)는, 기판(W)을 흡인한다. 구체적으로는, 기체가 기판(W)의 하면(26)을 따라서 흐름으로써, 부압이 형성된다. 즉, 기판(W)의 하면(26)이 받는 기압은, 기판(W)의 상면(27)이 받는 기압보다, 작다. 베르누이의 원리에 의해, 기판(W)에 하향의 힘이 작용한다. 즉, 기판(W)이 하방으로 흡인된다. 기판(W)은 기체 취출구(34) 및 플레이트(32)를 향해 흡인된다. 단, 기체 취출구(34)는, 기판(W)과 접촉하지 않는다. 플레이트(32)도, 기판(W)과 접촉하지 않는다.
기체 취출구(34)가 기판(W)을 하방으로 흡인하고, 또한, 고정 핀(33)이 기판(W)의 하면(26)과 접촉함으로써, 기판(W)은 지지되고, 또한, 기판(W)은 소정의 위치에 유지된다. 기판(W)에 작용하는 흡인력에 의해서, 기판(W)은 고정 핀(33)에 대해서 수평 방향으로 미끄러지지 않는다. 즉, 기판 유지부(31)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)을 유지한다.
기체 취출구(34)가 취출하는 기체의 유량이 커짐에 따라, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 커진다.
「기판 유지부(31)에 유지되는 기판(W)」은, 「고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)」과 같다.
고정 핀(33)은, 본 발명에 있어서의 지지부의 예이다.
기체 취출구(34)는, 제1 취출구(35)와 제2 취출구(36)를 구비한다. 제1 취출구(35)와 제2 취출구(36)는 각각 플레이트(32)의 상면(32a)에 형성된다. 제1 취출구(35)는, 플레이트(32)의 상면(32a)의 중앙부에 배치된다. 제1 취출구(35)는, 플레이트(32)의 회전축선(A) 상에 배치된다. 제2 취출구(36)는, 제1 취출구(35)보다 외방에 배치된다. 제2 취출구(36)는, 고정 핀(33)보다 내방에 배치된다. 「내방」은, 회전축선(A)을 향하는 방향이다. 「내방」은, 회전축선(A)에 가까워지는 방향이다. 「외방」은, 내방과는 반대의 방향이다. 「외방」은, 회전축선(A)으로부터 멀어지는 방향이다. 평면에서 볼 때, 제2 취출구(36)와 회전축선(A)의 거리는, 제1 취출구(35)와 회전축선(A)의 거리보다 크다. 평면에서 볼 때, 제2 취출구(36)와 회전축선(A)의 거리는, 고정 핀(33)과 회전축선(A)의 거리보다 작다. 제2 취출구(36)는, 고정 핀(33)에 가까운 위치에 배치된다. 제2 취출구(36)는, 플레이트(32)의 상면(32a)의 주연부에 배치된다.
도 6을 참조한다. 제1 취출구(35)는, 1개의 개구(35a)에 의해서 구성된다. 제2 취출구(36)는, 복수의 개구(36a)에 의해서 구성된다. 개구(36a)는, 평면에서 볼 때, 회전축선(A) 둘레의 원주 상에 배열된다.
제1 취출구(35)는 기체를 상방으로 취출한다. 제1 취출구(35)가 취출하는 기체의 유량이 커짐에 따라, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 커진다. 제2 취출구(36)는 기체를 상방으로 취출한다. 제2 취출구(36)가 취출하는 기체의 유량이 커짐에 따라, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 커진다.
도 5를 참조한다. 처리 유닛(14)은, 기체 공급로(38)를 구비한다. 기체 공급로(38)는, 기체 취출구(34)에 기체를 공급한다.
기체 공급로(38)는, 제1 기체 공급로(38a)와 제2 기체 공급로(38b)를 구비한다. 제1 기체 공급로(38a)는, 제1 취출구(35)에 기체를 공급한다. 제2 기체 공급로(38b)는, 제2 취출구(36)에 기체를 공급한다. 제1 기체 공급로(38a)는, 제1 단과 제2 단을 갖는다. 제2 기체 공급로(38b)는, 제1 단과 제2 단을 갖는다. 제1 기체 공급로(38a)의 제1 단은, 제1 취출구(35)에 접속된다. 제2 기체 공급로(38b)의 제1 단은, 제2 취출구(36)에 접속된다. 제1 기체 공급로(38a)의 제2 단은, 제2 기체 공급로(38b)의 제2 단에 접속된다. 제1 기체 공급로(38a)의 일부 및 제2 기체 공급로(38b)의 일부는, 플레이트(32)의 내부에 형성된다.
기체 공급로(38)는, 추가로, 공통 기체 공급로(38c)를 구비한다. 공통 기체 공급로(38c)는, 제1 기체 공급로(38a), 및 제2 기체 공급로(38b)에 기체를 공급한다. 즉, 기체 공급로(38)는, 제1 취출구(35), 및 제2 취출구(36)에 기체를 공급한다. 공통 기체 공급로(38c)는, 제1 단과 제2 단을 갖는다. 공통 기체 공급로(38c)의 제1 단은, 제1 기체 공급로(38a)의 제2 단, 및 제2 기체 공급로(38b)의 제2 단에 접속된다. 공통 기체 공급로(38c)의 제2 단은, 기체 공급원(39)에 접속된다.
이와 같이, 제1 기체 공급로(38a)와 제2 기체 공급로(38b)는, 서로 병렬이다. 제1 기체 공급로(38a)와 제2 기체 공급로(38b)는, 서로 병렬로 기체 공급원(39)에 연통 접속된다.
처리 유닛(14)은, 취출 조정부(40)를 구비한다. 취출 조정부(40)는, 기체 취출구(34)가 기체를 취출하는 기체의 유량을 조정한다.
취출 조정부(40)는, 제1 취출 조정부(41)와 제2 취출 조정부(42)를 구비한다. 제1 취출 조정부(41)는, 제1 기체 공급로(38a)에 설치된다. 제1 취출 조정부(41)는, 제1 취출구(35)가 취출하는 기체의 유량을 조정한다. 즉, 제1 취출 조정부(41)는, 제1 취출구(35)에 공급되는 기체의 유량을 조정한다. 제2 취출 조정부(42)는, 제2 기체 공급로(38b)에 설치된다. 제2 취출 조정부(42)는, 제2 취출구(36)가 취출하는 기체의 유량을 조정한다. 즉, 제2 취출 조정부(42)는, 제2 취출구(36)에 공급되는 기체의 유량을 조정한다.
제1 취출 조정부(41)는, 제2 취출구(36)가 취출하는 기체의 유량을 조정 불가능하다. 제2 취출 조정부(42)는, 제1 취출구(35)가 취출하는 기체의 유량을 조정 불가능하다. 제1 취출 조정부(41)와 제2 취출 조정부(42)는, 서로 독립적으로 작동 가능하다. 따라서, 취출 조정부(40)는, 제1 취출구(35)가 취출하는 기체의 유량과, 제2 취출구(36)가 취출하는 기체의 유량을, 서로 독립적으로 조정 가능하다. 취출 조정부(40)는, 제1 취출구(35)가 취출하는 기체의 유량과, 제2 취출구(36)가 취출하는 기체의 유량을, 개별적으로 조정 가능하다. 제1 취출 조정부(41)와 제2 취출 조정부(42)는 각각 예를 들어, 유량 조정 밸브를 포함한다. 제1 취출 조정부(41)와 제2 취출 조정부(42)는 각각 추가로, 개폐 밸브를 포함해도 된다.
처리액 공급부(51)는, 노즐(52)을 구비한다. 노즐(52)은, 처리액을 토출한다. 노즐(52)은, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 상면(27)에 처리액을 공급한다. 노즐(52)은, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)보다 높은 위치에 배치된다. 노즐(52)은, 처리액을 하방으로 토출한다.
처리 유닛(14)은, 도시하지 않은 노즐 이동 기구를 구비한다. 노즐 이동 기구는, 노즐(52)을, 처리 위치와 퇴피 위치로 이동시킨다. 도 5는, 처리 위치에 있는 노즐(52)을 파선으로 나타낸다. 도 5는, 퇴피 위치에 있는 노즐(52)을 실선으로 나타낸다. 처리 위치는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 상방의 위치이다. 노즐(52)이 처리 위치에 있을 때, 노즐(52)은, 평면에서 볼 때, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)과 겹친다. 노즐(52)이 퇴피 위치에 있을 때, 노즐(52)은, 평면에서 볼 때, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)과 겹치지 않는다.
처리액 공급부(51)는, 배관(53)을 구비한다. 배관(53)은, 노즐(52)에 처리액을 공급한다. 배관(53)은, 제1 단과 제2 단을 갖는다. 배관(53)의 제1 단은, 노즐(52)에 접속된다. 배관(53)의 제2 단은, 처리액 공급원(54)에 접속된다.
처리 유닛(14)은, 유량 조정부(57)를 구비한다. 유량 조정부(57)는, 배관(53)에 설치된다. 유량 조정부(57)는, 처리액 공급부(51)가 기판(W)에 공급하는 처리액의 유량을 조정한다. 즉, 유량 조정부(57)는, 노즐(52)이 토출하는 처리액의 유량을 조정한다.
처리 유닛(14)은, 형상 검출부(63)를 구비한다. 형상 검출부(63)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상을 검출한다. 형상 검출부(63)는, 예를 들어, 기판(W)을 촬상하는 이미지 센서이다. 이미지 센서는, 예를 들어, 일차원 이미지 센서나 이차원 이미지 센서이다. 형상 검출부(63)는, 예를 들어, 플레이트(32)의 상방에 배치된다. 형상 검출부(63)는, 예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 상방에 배치된다.
도 2를 참조한다. 제어부(18)는, 형상 검출부(63)의 검출 결과를 취득한다. 제어부(18)는, 취출 조정부(40)와 회전 구동부(45)와 유량 조정부(57)를 제어한다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 제1 취출 조정부(41)와 제2 취출 조정부(42)를 제어한다. 또한, 제어부는, 도시하지 않은 노즐 이동 기구를 제어한다.
<제1 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예>
제1 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예에서는, 제어부(18)는, 기판(W)의 주부(23)의 두께에 따라, 기체 취출구(34)가 취출하는 기체의 유량을 바꾼다.
도 7은, 제어부(18)의 제어 및 처리 유닛(14)의 동작의 절차를 도시한 플로차트이다.
단계 S1
바코드 리더(4)는, 캐리어(C)에 붙여진 바코드를 읽어낸다. 바코드 리더(4)는, 바코드 리더(4)의 검출 결과를 제어부(18)에 출력한다. 형상 검출부(13)는, 재치부(12)에 재치되는 기판(W)의 형상을 검출한다. 형상 검출부(63)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상을 검출한다. 형상 검출부(13, 63)는 각각 형상 검출부(13, 63)의 검출 결과를 제어부(18)에 출력한다.
단계 S2
제어부(18)는, 바코드 리더(4)와 형상 검출부(13, 63)의 검출 결과를 취득한다. 제어부(18)는, 바코드 리더(4)와 형상 검출부(13, 63)의 검출 결과에 의거하여, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상을 판정한다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 기판(W)의 주부(23)의 두께를 특정한다.
또한, 제어부(18)는, 캐리어(C)로부터 기판(W)이 반출된 후에 있어서도, 기판(W)의 위치와 기판(W)의 형상을 관련지어 관리한다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 반송 기구(5, 15)가 각 시각에 있어서 반송하는 기판(W)의 형상을 관리한다. 제어부(18)는, 각 시각에 있어서 재치부(12)에 재치되는 기판(W)의 형상을 관리한다. 제어부(18)는, 각 시각에 있어서 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상을 관리한다. 제어부(18)가 기판(W)의 위치 및 기판(W)의 형상을 관리하기 위해서, 제어부(18)는 형상 검출부(13, 63)의 검출 결과 및 존부 검출부(6, 16)의 검출 결과를 적절히 참조해도 된다.
단계 S3
제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상에 따라, 기체 취출구(34)가 취출하는 기체의 유량을 결정한다. 이하에서는, 기체 취출구(34)가 취출하는 기체의 유량을, 「취출량(QT)」이라고 약기한다. 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
구체적으로는, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 포함되는 주부(23)의 두께에 따라, 취출량(QT)을 결정한다. 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 포함되는 주부(23)의 두께에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
보다 구체적으로는, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 포함되는 주부(23)의 두께에 따라, 제1 취출구(35)가 취출하는 기체의 유량 및 제2 취출구(36)가 취출하는 기체의 유량을 결정한다. 이하에서는, 제1 취출구(35)가 취출하는 기체의 유량을, 「취출량(QC)」이라고 약기한다. 제2 취출구(36)가 취출하는 기체의 유량을, 「취출량(QE)」이라고 약기한다. 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 포함되는 주부(23)의 두께에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE)을 바꾼다.
취출량(QC)과 취출량(QE)의 합계는, 취출량(QT)에 상당한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 포함되는 주부(23)가 큰 두께를 가질수록 취출량(QT)이 커지도록, 제어부(18)는 취출량(QT)을 결정한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 포함되는 주부(23)가 큰 두께를 가질수록 취출량(QC)이 커지도록, 제어부(18)는 취출량(QC)을 결정한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 제1 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1a)으로 결정한다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1a)보다 큰 제2 취출량(Q2a)으로 결정한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 기준값(VT)보다 작은 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1a)으로 결정한다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 기준값(VT)보다 큰 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1a)보다 큰 제2 취출량(Q2a)으로 결정한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 포함되는 주부(23)가 큰 두께를 가질수록 취출량(QE)이 커지도록, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 결정한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 제1 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3a)으로 결정한다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3a)보다 큰 제4 취출량(Q4a)으로 결정한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 기준값(VT)보다 작은 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3a)으로 결정한다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 기준값(VT)보다 큰 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3a)보다 큰 제4 취출량(Q4a)으로 결정한다.
기준값(VT)은, 미리 설정되어 있다. 제어부(18)는, 기준값(VT)을 미리 갖고 있다.
기준값(VT)은, A형 기판(WA)의 주부(23)의 두께(TA1)보다 크고, B형 기판(WB)의 주부(23)의 두께(TB1) 및 C형 기판(WC)의 주부(23)의 두께(TC1)보다 작은 것이 바람직하다. 예를 들어, 기준값(VT)은, 예를 들어, 200[μm]보다 크고, 600[μm]보다 작은 것이 바람직하다. 이것에 의하면, 기판(W)이 A형 기판(WA)일 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1a)으로 결정할 수 있고, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3a)으로 결정할 수 있다. 바꾸어 말하면, 기판(W)이 박기판(Wp)일 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1a)으로 결정할 수 있고, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3a)으로 결정할 수 있다. 기판(W)이 B형 기판(WB) 또는 C형 기판(WC)일 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제2 취출량(Q2a)으로 결정할 수 있고, 취출량(QE)을 제4 취출량(Q4a)으로 결정할 수 있다. 바꾸어 말하면, 기판(W)이 후기판(Wq)일 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제2 취출량(Q2a)으로 결정할 수 있고, 취출량(QE)을 제4 취출량(Q4a)으로 결정할 수 있다.
또한, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 취출량(QC)보다 큰 값으로 결정하는 것이 바람직하다. 제어부(18)는, 제3 취출량(Q3a)을 제1 취출량(Q1a)보다 큰 값으로 결정하는 것이 바람직하다. 제어부(18)는, 제4 취출량(Q4a)을 제2 취출량(Q2a)보다 큰 값으로 결정하는 것이 바람직하다.
단계 S4
제어부(18)는, 처리 유닛(14)을 제어한다. 제어부(18)는, 결정된 취출량(QT)에 의거하여, 취출 조정부(40)를 제어한다. 제어부(18)는, 결정된 취출량(QC)에 의거하여, 제1 취출 조정부(41)를 제어한다. 제어부(18)는, 결정된 취출량(QE)에 의거하여, 제2 취출 조정부(42)를 제어한다.
단계 S5
제어부(18)에 의한 제어에 따라서, 처리 유닛(14)은, 기판(W)에 처리를 행한다. 구체적으로는, 취출 조정부(40)는, 결정된 취출량(QT)으로 기체 취출구(34)에 기체를 공급한다. 제1 취출 조정부(41)는, 결정된 취출량(QC)으로 제1 취출구(35)에 기체를 공급한다. 제2 취출 조정부(42)는, 결정된 취출량(QE)으로 제2 취출구(36)에 기체를 공급한다. 기체 취출구(34)는, 결정된 취출량(QT)으로 기체를 취출한다. 제1 취출구(35)는, 결정된 취출량(QC)으로 기체를 취출한다. 제2 취출구(36)는, 결정된 취출량(QE)으로 기체를 취출한다.
취출구(34)로부터 취출된 기체는, 플레이트(32)의 상면(32a)과 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하면(26)의 사이에 공급된다. 기체는, 기판(W)의 하면(26)을 따라서 외방으로 나아간다. 그리고, 기체는, 플레이트(32)의 상면(32a)과 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하면(26)의 사이의 공간으로부터 유출된다. 기체는, 기판(W)의 주연부(22)보다 외방의 공간으로 유출된다. 이러한 기체의 흐름에 의해, 흡인력이 기판(W)에 작용한다. 기판 유지부(31)는, 고정 핀(33) 상의 기판(W)을, 흡인력에 의해서 유지한다.
특히, 제1 취출구(35)로부터 취출된 기체는, 기판(W)의 하면(26)을 따라서 외방으로 나아가기 전에, 기판(W)의 하면(26)의 중앙부에 부딪힌다.
회전 구동부(45)는 기판 유지부(31)를 회전시킨다. 이로써, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)은 회전한다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)은, 플레이트(32)와 일체로 회전한다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)은, 회전축선(A) 둘레로 회전한다. 유량 조정부(57)가 노즐(52)에 처리액을 공급한다. 노즐(52)이 처리액을 토출한다. 이로써, 처리액 공급부(51)는, 기판(W)의 상면(27)에 처리액을 공급한다. 처리액은, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)으로부터 외방으로 비산한다. 가드(61)는, 비산된 처리액을 회수한다.
여기서, 예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 포함되는 주부(23)가 큰 두께를 가질수록 취출량(QT)은 크다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 포함되는 주부(23)가 큰 두께를 가질수록 취출량(QC)은 크다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 포함되는 주부(23)가 큰 두께를 가질수록 취출량(QE)은 크다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 포함되는 주부(23)가 큰 두께를 가질수록, 큰 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 주부(23)의 두께가 커짐에 따라, 취출량(QT)은 커진다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 주부의 두께가 커짐에 따라, 취출량(QC)은 커진다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 주부(23)의 두께가 커짐에 따라, 취출량(QE)은 커진다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 주부(23)의 두께가 커짐에 따라, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력은 커진다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 제1 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 작다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 제1 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 비교적 작은 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 제1 두께보다 큰 제2 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 크다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 제2 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 비교적 큰 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 기준값(VT)보다 작은 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 작다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 기준값(VT)보다 작은 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 비교적 작은 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 기준값(VT)보다 큰 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 크다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 기준값(VT)보다 큰 두께를 갖는 주부(23)를 포함할 때, 비교적 큰 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 A형 기판(WA)일 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 작다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 A형 기판(WA)일 때, 비교적 작은 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 B형 기판(WB) 또는 C형 기판(WC)일 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 크다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 B형 기판(WB) 또는 C형 기판(WC)일 때, 비교적 큰 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 박기판(Wp)일 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 작다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 박기판(Wp)일 때, 비교적 작은 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 후기판(Wq)일 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 크다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 후기판(Wq)일 때, 비교적 큰 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 취출량(QE)은, 취출량(QC)보다 크다. 제3 취출량(Q3a)은, 제1 취출량(Q1a)보다 크다. 제4 취출량(Q4a)은, 제2 취출량(Q2a)보다 크다.
<제1 실시 형태의 효과>
기판 처리 장치(1)는, 처리 유닛(14)을 구비한다. 처리 유닛(14)은 기판(W)을 처리한다. 처리 유닛(14)은, 플레이트(32)와, 고정 핀(33)과, 기체 취출구(34)를 구비한다. 플레이트(32)는 상면(32a)을 갖는다. 고정 핀(33)은, 플레이트(32)의 상면(32a)으로부터 상방으로 토출한다. 고정 핀(33)은, 기판(W)의 하면(26)과 접촉한다. 고정 핀(33)은, 플레이트(32)의 상면(32a)보다 높은 위치에서 기판(W)을 지지한다. 기체 취출구(34)는, 플레이트(32)의 상면(32a)에 형성된다. 기체 취출구(34)는, 기체를 상방으로 취출한다. 즉, 기체 취출구(34)는, 플레이트(32)의 상면(32a)과, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하면(26)의 사이에 기체를 취출한다. 이로써, 고정 핀(33) 상의 기판(W)은, 하방으로 흡인된다. 기판(W)에 작용하는 흡인력에 의해서, 기판 유지부(31)는, 고정 핀(33) 상의 기판(W)을 적절히 유지할 수 있다.
처리 유닛(14)은, 취출 조정부(40)를 구비한다. 취출 조정부(40)는, 취출량(QT)을 조정한다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 용이하게 조정할 수 있다.
처리 유닛(14)은, 회전 구동부(45)를 구비한다. 회전 구동부(45)는 플레이트(32)를 회전시킨다. 이로써, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)을 적절히 회전시킬 수 있다.
처리 유닛(14)은, 처리액 공급부(51)와 유량 조정부(57)를 구비한다. 처리액 공급부(51)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 처리액을 공급한다. 유량 조정부(57)는, 처리액 공급부(51)가 기판(W)에 공급하는 처리액의 유량을 조정한다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 처리액 공급부(51)가 공급하는 처리액의 유량을 용이하게 조정할 수 있다.
기판 처리 장치(1)는, 제어부(18)를 구비한다. 제어부(18)는, 처리 유닛(14)을 제어한다. 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 여기서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상은, 기판(W)이 고정 핀(33)에 지지될 때 기판(W)이 휘는 양에 영향을 주는 사항이다. 따라서, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 즉, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 이로써, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 적절히 억제할 수 있다. 바꾸어 말하면, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)을 수평 자세에 가깝게 할 수 있다. 따라서, 처리 유닛(14)은, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다. 예를 들어, 기판(W)의 상면(27)에 걸쳐서, 균일하게 처리할 수 있다.
이상과 같이, 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다.
제어부(18)는, 기판(W)의 주부(23)의 두께에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 여기서, 기판(W)의 주부(23)의 두께는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 이로써, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 적절히 억제할 수 있다.
고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 포함되는 주부(23)가 큰 두께를 가질수록 취출량(QT)이 커지도록, 제어부(18)는 취출량(QT)을 결정한다. 예를 들어, 기판(W)의 주부(23)의 두께가 비교적 클 때, 취출량(QT)은 비교적 크다. 이로 인해, 취출량(QT)이 비교적 클 때, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 크다. 여기서, 기판(W)의 주부(23)의 두께가 비교적 클 때, 기판(W)은 비교적 높은 강성을 갖고, 또한, 기판(W)은 비교적 무겁다. 따라서, 기판(W)의 주부(23)의 두께가 비교적 클 때, 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 예를 들어, 기판(W)의 주부(23)의 두께가 비교적 작을 때, 취출량(QT)은 비교적 작다. 이로 인해, 취출량(QT)이 비교적 작을 때, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 작다. 여기서, 기판(W)의 주부(23)의 두께가 비교적 작을 때, 기판(W)은 비교적 낮은 강성을 갖고, 또한, 기판(W)은 비교적 가볍다. 따라서, 기판(W)의 주부(23)의 두께가 비교적 작을 때도, 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
기체 취출구(34)는, 제1 취출구(35)와 제2 취출구(36)를 포함한다. 제1 취출구(35)는, 플레이트(32)의 상면(32a)의 중앙부에 배치된다. 제2 취출구(36)는, 제1 취출구(35)보다 외방에 배치된다. 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상에 따라, 취출량(QC), 및 취출량(QE)을 바꾼다. 이로 인해, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 즉, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)을 한층 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
취출 조정부(40)는, 제1 취출 조정부(41)와 제2 취출 조정부(42)를 구비한다. 제1 취출 조정부(41)는, 취출량(QC)을 조정한다. 제2 취출 조정부(42)는, 취출량(QE)을 조정한다. 이로 인해, 취출 조정부(40)는, 취출량(QC), 및 취출량(QE)을 개별적으로 조정할 수 있다. 따라서, 제어부(18)는, 취출량(QC), 및 취출량(QE)을 개별적으로 바꿀 수 있다.
제어부(18)는, 기판(W)의 주부(23)의 두께에 따라, 취출량(QC), 및 취출량(QE)을 바꾼다. 이로 인해, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
기판(W)의 주부(23)의 두께가 클수록, 취출량(QC)이 크다. 따라서, 기판(W)의 주부(23)의 두께에 상관없이, 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
제1 취출구(35)가 취출하는 기체는, 기판(W)의 하면(26)의 중앙부에 부딪힌다. 이로 인해, 기판(W)의 중앙부가 하방으로 볼록하게 만곡하는 것을 적절히 방지할 수 있다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 효과적으로 억제할 수 있다.
기판(W)의 주부(23)의 두께가 클수록, 취출량(QE)이 크다. 따라서, 기판(W)의 주부(23)의 두께에 상관없이, 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
기판(W)의 주부(23)의 두께에 상관없이, 취출량(QE)은, 취출량(QC)보다 크다. 이로 인해, 기체는, 기판(W)의 하면(26)에 있어서의 주연부(22)의 근방을 비교적 빠르게 흐른다. 따라서, 기판(W)의 주연부(22)에 작용하는 흡인력은, 비교적 크다. 기판(W)의 주연부(22)는 고정 핀(33)과 접촉한다. 따라서, 기판(W)의 주연부(22)는 고정 핀(33)에 적절히 눌러진다. 따라서, 기판 유지부(31)는, 기판(W)을 적절히 유지할 수 있다.
처리액 공급부(51)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 상면(27)에, 처리액을 공급한다. 따라서, 처리 유닛(14)은, 기판(W)의 상면(27)을 적절히 처리할 수 있다.
처리 유닛(14)은, 형상 검출부(63)를 구비한다. 형상 검출부(63)는, 기판(W)의 형상을 검출한다. 제어부(18)는, 형상 검출부(63)의 검출 결과를 취득한다. 제어부(18)는, 형상 검출부(63)의 검출 결과에 의거하여, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상을 판정한다. 따라서, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상을 적절히 특정할 수 있다.
기판 처리 장치(1)는, 바코드 리더(4)를 구비한다. 바코드 리더(4)는, 캐리어(C)에 붙여진 바코드를 읽어낸다. 제어부(18)는, 바코드 리더(4)의 검출 결과를 취득한다. 제어부(18)는, 바코드 리더(4)의 검출 결과에 의거하여, 기판(W)의 형상을 판정한다. 따라서, 제어부(18)는, 기판(W)의 형상을 적절히 특정할 수 있다.
기판 처리 장치(1)는, 형상 검출부(13)를 구비한다. 형상 검출부(13)는, 기판(W)의 형상을 검출한다. 제어부(18)는, 형상 검출부(13)의 검출 결과를 취득한다. 제어부(18)는, 형상 검출부(13)의 검출 결과에 의거하여, 기판(W)의 형상을 판정한다. 따라서, 제어부(18)는, 기판(W)의 형상을 적절히 특정할 수 있다.
[제2 실시 형태]
도면을 참조하여, 제2 실시 형태의 기판 처리 장치(1)를 설명한다. 또한, 제1 실시 형태와 같은 구성에 대해서는 동부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.
제2 실시 형태의 기판 처리 장치(1)는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 대략 같은 구성을 갖는다. 제2 실시 형태의 처리 유닛(14)은, 제1 실시 형태의 처리 유닛(14)과 상이한 동작을 실행한다. 이하에서는, 제2 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작을 예시한다.
<제2 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예>
제2 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예에서는, 제어부(18)는, 오목부(24)의 위치에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 제2 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예에서는, 제어부(18)는, 오목부(24)가 배치되는 기판(W)의 부위에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
도 8은, 제어부(18)의 제어 및 처리 유닛(14)의 동작의 절차를 도시한 플로차트이다.
단계 S11
단계 S11은, 제1 실시 형태의 단계 S1과 대략 같다.
단계 S12
제어부(18)는, 바코드 리더(4)와 형상 검출부(13, 63)의 검출 결과를 취득한다. 제어부(18)는, 바코드 리더(4)와 형상 검출부(13, 63)의 검출 결과에 의거하여, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상을 판정한다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이, 기판(W)의 상면(27)에 오목부(24)를 갖는지의 여부를 특정한다. 이하에서는, 기판(W)의 상면(27)에 형성되는 오목부(24)를, 특별히 「상측 오목부(24A)」라고 부른다. 상측 오목부(24A)는, 상방을 향한다. 상측 오목부(24A)는, 상방으로 개방된다. 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부를 특정한다.
단계 S13
제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상에 따라, 취출량(QT)을 결정한다. 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
구체적으로는, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부에 따라, 취출량(QT)을 결정한다. 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
보다 구체적으로는, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE)을 결정한다. 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE)을 바꾼다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 가질 때의 취출량(QT)이, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않을 때의 취출량(QT)보다 커지도록, 제어부(18)는 취출량(QT)을 결정한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 가질 때의 취출량(QC)이, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않을 때의 취출량(QC)보다 커지도록, 제어부(18)는 취출량(QT)을 결정한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않을 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1b)으로 결정한다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 가질 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1b)보다 큰 제2 취출량(Q2b)으로 결정한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 가질 때의 취출량(QE)이, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않을 때의 취출량(QE)보다 커지도록, 제어부(18)는 취출량(QT)을 결정한다.
예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않을 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3b)으로 결정한다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 가질 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3b)보다 큰 제4 취출량(Q4b)으로 결정한다.
또한, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 취출량(QC)보다 큰 값으로 결정하는 것이 바람직하다. 제어부(18)는, 제3 취출량(Q3b)을 제1 취출량(Q1b)보다 큰 값으로 결정하는 것이 바람직하다. 제어부(18)는, 제4 취출량(Q4b)을 제2 취출량(Q2b)보다 큰 값으로 결정하는 것이 바람직하다.
단계 S14
단계 S14는, 제1 실시 형태의 단계 S4와 대략 같다.
단계 S15
단계 S15는, 제1 실시 형태의 단계 S5와 대략 같다.
여기서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않을 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 작다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않을 때, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 작다.
고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 가질 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 크다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 가질 때, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 크다.
취출량(QE)은, 취출량(QC)보다 크다. 제3 취출량(Q3b)은, 제1 취출량(Q1b)보다 크다. 제4 취출량(Q4b)은, 제2 취출량(Q2b)보다 크다.
<제2 실시 형태의 효과>
제2 실시 형태에 있어서도, 제1 실시 형태와 같은 효과를 발휘한다. 예를 들어, 제2 실시 형태에 있어서도, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 따라서, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 이로써, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 적절히 억제할 수 있다. 따라서, 처리 유닛(14)은, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다.
또한, 제2 실시 형태에서는, 이하의 효과를 발휘한다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는 경우, 처리액은 상측 오목부(24A)에 모이기 쉽다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는 경우, 처리액은 상측 오목부(24A)에 모이기 쉽다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않는 경우, 기판(W)의 상면(27)은 대략 평탄하다. 이로 인해, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않는 경우, 처리액은 기판(W)의 상면(27)에 모이기 어렵다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는 경우에는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않는 경우에 비해, 기판(W) 상에 놓인 처리액의 양은 많다. 이로 인해, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는 경우에는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않는 경우에 비해, 기판(W)에 작용하는 처리액의 무게는 무겁다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는 경우에는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않는 경우에 비해, 기판(W)의 휨량은 커지기 쉽다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부에 따라, 제어부(18)는, 취출량(QT)을 바꾼다. 따라서, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 이로써, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 적절히 억제할 수 있다. 따라서, 처리 유닛(14)은, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다.
고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 가질 때의 취출량(QT)은, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않을 때의 취출량(QT)보다 크다. 이로 인해, 고정 핀(33)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부에 상관없이, 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부에 따라, 제어부(18)는, 취출량(QC), 및 취출량(QE)을 바꾼다. 이로 인해, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
제2 취출량(Q2b)은, 제1 취출량(Q1b)보다 크다. 구체적으로는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 가질 때의 취출량(QC)은, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않을 때의 취출량(QC)보다 크다. 이로 인해, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부에 상관없이, 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
제4 취출량(Q4b)은, 제3 취출량(Q3b)보다 크다. 구체적으로는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 가질 때의 취출량(QE)은, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖지 않을 때의 취출량(QE)보다 크다. 이로 인해, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부에 상관없이, 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
[제3 실시 형태]
도면을 참조하여, 제3 실시 형태의 기판 처리 장치(1)를 설명한다. 또한, 제1 실시 형태와 같은 구성에 대해서는 동부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.
제3 실시 형태의 기판 처리 장치(1)는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 대략 같은 구성을 갖는다. 제3 실시 형태의 처리 유닛(14)은, 제1 실시 형태의 처리 유닛(14)과 상이한 동작을 실행한다. 이하에서는, 제3 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작을 예시한다.
<제3 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예>
제3 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예에서는, 제어부(18)는, 플레이트(32)의 회전 속도에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
도 9는, 제어부(18)의 제어 및 처리 유닛(14)의 동작의 절차를 도시한 플로차트이다.
단계 S21
제어부(18)는, 처리 레시피를 참조하여, 처리 유닛(14)의 처리 조건을 특정한다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 플레이트(32)의 회전 속도를 특정한다. 플레이트(32)의 회전 속도는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 회전 속도에 상당한다. 이하에서는, 플레이트(32)의 회전 속도를 「회전 속도(RS)」라고 약기한다.
단계 S22
제어부(18)는, 처리 유닛(14)의 처리 조건에 따라, 취출량(QT)을 결정한다. 제어부(18)는, 처리 유닛(14)의 처리 조건에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 회전 속도(RS)에 따라, 취출량(QT)을 결정한다. 제어부(18)는, 회전 속도(RS)에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
보다 구체적으로는, 제어부(18)는, 회전 속도(RS)에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE)을 결정한다. 제어부(18)는, 회전 속도(RS)에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE)을 바꾼다.
예를 들어, 회전 속도(RS)가 클수록 취출량(QT)이 커지도록, 제어부(18)는 취출량(QT)을 결정한다.
예를 들어, 회전 속도(RS)가 클수록 취출량(QC)이 커지도록, 제어부(18)는 취출량(QC)을 결정한다.
예를 들어, 회전 속도(RS)가 제1 회전 속도일 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1c)으로 결정한다. 회전 속도(RS)가 제1 회전 속도보다 큰 제2 회전 속도일 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1c)보다 큰 제2 취출량(Q2c)으로 결정한다.
예를 들어, 회전 속도(RS)가 기준값(VRS)보다 작을 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1c)으로 결정한다. 회전 속도(RS)가 기준값(VRS)보다 클 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1c)보다 큰 제2 취출량(Q2c)으로 결정한다.
예를 들어, 회전 속도(RS)가 클수록 취출량(QE)이 커지도록, 제어부(18)는 취출량(QE)을 결정한다.
예를 들어, 회전 속도(RS)가 제1 회전 속도일 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3c)으로 결정한다. 회전 속도(RS)가 제1 회전 속도보다 큰 제2 회전 속도일 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3c)보다 큰 제4 취출량(Q4c)으로 결정한다.
예를 들어, 회전 속도(RS)가 기준값(VRS)보다 작을 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3c)으로 결정한다. 회전 속도(RS)가 기준값(VRS)보다 클 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3c)보다 큰 제4 취출량(Q4c)으로 결정한다.
기준값(VRS)은, 미리 설정되어 있다. 제어부(18)는, 기준값(VRS)을 미리 갖고 있다.
또한, 제어부(18)는, 취출량(QE)을, 취출량(QC)보다 큰 값으로 결정하는 것이 바람직하다. 제어부(18)는, 제3 취출량(Q3c)을 제1 취출량(Q1c)보다 큰 값으로 결정하는 것이 바람직하다. 제어부(18)는, 제4 취출량(Q4c)을 제2 취출량(Q2c)보다 큰 값으로 결정하는 것이 바람직하다.
단계 S23
단계 S23은, 제1 실시 형태의 단계 S4와 대략 같다.
단계 S24
단계 S24는, 제1 실시 형태의 단계 S5와 대략 같다. 회전 구동부(45)는, 회전 속도(RS)로 기판 유지부(31)를 회전시킨다.
여기서, 예를 들어, 플레이트(32)의 회전 속도가 클수록, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 크다. 따라서, 플레이트(32)의 회전 속도가 클수록, 큰 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 플레이트(32)의 회전 속도가 커짐에 따라, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 커진다. 따라서, 플레이트(32)의 회전 속도가 커짐에 따라, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력은 커진다.
예를 들어, 플레이트(32)의 회전 속도가 제1 회전 속도일 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 작다. 따라서, 플레이트(32)의 회전 속도가 제1 회전 속도일 때, 비교적 작은 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 플레이트(32)의 회전 속도가 제2 회전 속도일 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 크다. 따라서, 플레이트(32)의 회전 속도가 제2 회전 속도일 때, 비교적 큰 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 플레이트(32)의 회전 속도가 기준값(VRS)보다 작을 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 작다. 따라서, 플레이트(32)의 회전 속도가 기준값(VRS)보다 작을 때, 비교적 작은 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 플레이트(32)의 회전 속도가 기준값(VRS)보다 클 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 크다. 따라서, 플레이트(32)의 회전 속도가 기준값(VRS)보다 클 때, 비교적 큰 흡인력이 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용한다.
예를 들어, 취출량(QE)은, 취출량(QC)보다 크다. 제3 취출량(Q3c)은, 제1 취출량(Q1c)보다 크다. 제4 취출량(Q4c)은, 제2 취출량(Q2c)보다 크다.
<제3 실시 형태의 효과>
제어부(18)는, 회전 속도(RS)에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 여기서, 회전 속도(RS)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 따라서, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 즉, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 이로써, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 적절히 억제할 수 있다. 따라서, 처리 유닛(14)은, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다.
회전 속도(RS)가 클수록, 취출량(QT)은 크다. 따라서, 회전 속도(RS)에 상관없이, 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
제어부(18)는, 회전 속도(RS)에 따라, 취출량(QC), 및 취출량(QE)을 바꾼다. 이로 인해, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
회전 속도(RS)가 클수록, 취출량(QC)은 크다. 따라서, 회전 속도(RS)에 상관없이, 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
회전 속도(RS)가 클수록, 취출량(QE)은 크다. 따라서, 회전 속도(RS)에 상관없이, 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
[제4 실시 형태]
도면을 참조하여, 제4 실시 형태의 기판 처리 장치(1)를 설명한다. 또한, 제1 실시 형태와 같은 구성에 대해서는 동부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.
제4 실시 형태의 기판 처리 장치(1)는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 대략 같은 구성을 갖는다. 제4 실시 형태의 처리 유닛(14)은, 제1 실시 형태의 처리 유닛(14)과 상이한 동작을 실행한다. 이하에서는, 제4 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작을 예시한다.
<제4 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예>
제4 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예에서는, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 공급하는 처리액의 유량에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
도 10은, 제어부(18)의 제어 및 처리 유닛(14)의 동작의 절차를 도시한 플로차트이다.
단계 S31
제어부(18)는, 처리 레시피를 참조하여, 처리 유닛(14)의 처리 조건을 특정한다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 처리액 공급부(51)가 공급하는 처리액의 유량을 특정한다. 이하에서는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 처리액 공급부(51)가 공급하는 처리액의 유량을 「유량(FR)」이라고 약기한다.
단계 S32
제어부(18)는, 처리 조건에 따라, 취출량(QT)을 결정한다. 제어부(18)는, 처리 조건에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 유량(FR)에 따라, 취출량(QT)을 결정한다. 제어부(18)는, 유량(FR)에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
보다 구체적으로는, 제어부(18)는, 유량(FR)에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE)을 결정한다. 제어부(18)는, 유량(FR)에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE)을 바꾼다.
예를 들어, 유량(FR)이 클수록 취출량(QT)이 커지도록, 제어부(18)는 취출량(QT)을 결정한다.
예를 들어, 유량(FR)이 클수록 취출량(QC)이 커지도록, 제어부(18)는 취출량(QC)을 결정한다.
예를 들어, 유량(FR)이 제1 유량일 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1d)으로 결정한다. 유량(FR)이 제1 유량보다 큰 제2 유량일 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을, 제1 취출량(Q1d)보다 큰 제2 취출량(Q2d)으로 결정한다.
예를 들어, 유량(FR)이 기준값(VFR)보다 작을 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1d)으로 결정한다. 유량(FR)이 기준값(VFR)보다 클 때, 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 취출량(Q1d)보다 큰 제2 취출량(Q2d)으로 결정한다.
예를 들어, 유량(FR)이 클수록 취출량(QE)이 커지도록, 제어부(18)는 취출량(QE)을 결정한다.
예를 들어, 유량(FR)이 제1 유량일 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3d)으로 결정한다. 유량(FR)이 제1 유량보다 큰 제2 유량일 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3d)보다 큰 제4 취출량(Q4d)으로 결정한다.
예를 들어, 유량(FR)이 기준값(VFR)보다 작을 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3d)으로 결정한다. 유량(FR)이 기준값(VFR)보다 클 때, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제3 취출량(Q3d)보다 큰 제4 취출량(Q4d)으로 결정한다.
기준값(VFR)은, 미리 설정되어 있다. 제어부(18)는, 기준값(VFR)을 미리 갖고 있다.
또한, 제어부(18)는, 취출량(QE)을 취출량(QC)보다 큰 값으로 결정하는 것이 바람직하다. 제어부(18)는, 제3 취출량(Q3d)을 제1 취출량(Q1d)보다 큰 값으로 결정하는 것이 바람직하다. 제어부(18)는, 제4 취출량(Q4d)을 제2 취출량(Q2d)보다 큰 값으로 결정하는 것이 바람직하다.
단계 S33
단계 S33은, 제1 실시 형태의 단계 S4와 대략 같다.
단계 S34
단계 S34는, 제1 실시 형태의 단계 S5와 대략 같다.
처리액 공급부(51)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에, 유량(FR)으로 처리액을 공급한다.
여기서, 예를 들어, 유량(FR)이 클수록 취출량(QT, QC, QE)은 각각 크다. 따라서, 유량(FR)이 클수록 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력은 크다.
예를 들어, 유량(FR)이 커짐에 따라, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 커진다. 따라서, 유량(FR)이 커짐에 따라, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력은 커진다.
예를 들어, 유량(FR)이 제1 유량일 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 작다. 따라서, 유량(FR)이 제1 유량일 때, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 작다.
예를 들어, 유량(FR)이 제2 유량일 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 크다. 따라서, 유량(FR)이 제2 유량일 때, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 크다.
예를 들어, 유량(FR)이 기준값(VFR)보다 작을 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 작다. 따라서, 유량(FR)이 기준값(VFR)보다 작을 때, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 작다.
예를 들어, 유량(FR)이 기준값(VFR)보다 클 때, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 비교적 크다. 따라서, 유량(FR)이 기준값(VFR)보다 클 때, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력은 비교적 크다.
예를 들어, 취출량(QE)은, 취출량(QC)보다 크다. 제3 취출량(Q3d)은, 제1 취출량(Q1d)보다 크다. 제4 취출량(Q4d)은, 제2 취출량(Q2d)보다 크다.
<제4 실시 형태의 효과>
제어부(18)는, 유량(FR)에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 여기서, 유량(FR)은, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 따라서, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 즉, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 이로써, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 적절히 억제할 수 있다. 따라서, 처리 유닛(14)은, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다.
유량(FR)이 클수록 취출량(QT)은 크다. 따라서, 유량(FR)에 상관없이, 기판(W)을 적절히 유지할 수 있다.
제어부(18)는, 유량(FR)에 따라, 취출량(QC), 및 취출량(QE)을 바꾼다. 이로 인해, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
유량(FR)이 클수록 취출량(QC)은 크다. 따라서, 유량(FR)에 상관없이, 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
유량(FR)이 클수록 취출량(QE)은 크다. 따라서, 유량(FR)에 상관없이, 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다.
[제5 실시 형태]
도면을 참조하여, 제5 실시 형태의 기판 처리 장치(1)를 설명한다. 또한, 제1 실시 형태와 같은 구성에 대해서는 동부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.
제5 실시 형태의 기판 처리 장치(1)는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 대략 같은 구성을 갖는다. 제5 실시 형태의 처리 유닛(14)은, 제5 실시 형태의 처리 유닛(14)과 상이한 동작을 실행한다. 이하에서는, 제5 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작을 예시한다.
<제5 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예>
제5 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예에서는, 제어부(18)는, 입력부(17)에 입력된 처리 조건 정보에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
도 11은, 제어부(18)의 제어 및 처리 유닛(14)의 동작의 절차를 도시한 플로차트이다.
단계 S41
사용자는, 입력부(17)를 조작함으로써, 입력부(17)에 처리 조건 정보를 입력한다. 입력부(17)는, 처리 조건 정보를 받는다. 처리 조건 정보는, 처리 유닛(14)의 처리 조건에 관한 정보이다. 처리 조건 정보는, 취출량(QT)에 관한 명령을 포함한다. 보다 구체적으로는, 처리 조건 정보는, 취출량(QC)에 관한 제1 명령과 취출량(QE)에 관한 제2 명령을 포함한다. 제1 명령은, 예를 들어, 취출량(QC)의 값을 규정한다. 제2 명령은, 예를 들어, 취출량(QE)의 값을 규정한다.
단계 S42
제어부(18)는, 처리 조건 정보에 따라, 취출량(QT)을 결정한다. 제어부(18)는, 처리 조건 정보에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 취출량(QT)에 관한 명령에 따라, 취출량(QT)을 결정한다. 제어부(18)는, 취출량(QT)에 관한 명령에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
보다 구체적으로는, 제어부(18)는, 제1 명령에 의거하여, 취출량(QC)을 결정한다. 제어부(18)는, 취출량(QC)을 제1 명령에 규정되는 값으로 결정한다. 제어부(18)는, 제1 명령에 의거하여, 취출량(QC)을 바꾼다. 제어부(18)는, 제2 명령에 의거하여, 취출량(QE)을 결정한다. 제어부(18)는, 취출량(QE)을 제2 명령에 규정되는 값으로 결정한다. 제어부(18)는, 제2 명령에 의거하여, 취출량(QE)을 바꾼다.
단계 S43
단계 S43은, 제1 실시 형태의 단계 S4와 대략 같다.
단계 S44
단계 S44는, 제1 실시 형태의 단계 S5와 대략 같다.
<제5 실시 형태의 효과>
제어부(18)는, 처리 조건 정보에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 여기서, 처리 유닛(14)의 처리 조건은, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 따라서, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 즉, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 이로써, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 적절히 억제할 수 있다. 따라서, 처리 유닛(14)은, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다.
기판 처리 장치(1)는, 처리 조건 정보를 입력 가능한 입력부(17)를 구비한다. 따라서, 제어부(18)는, 처리 조건 정보를 용이하게 취득할 수 있다. 따라서, 제어부(18)는, 처리 조건 정보에 따라, 취출량(QT)을 용이하게 바꿀 수 있다.
입력부(17)에 입력되는 처리 조건 정보는, 취출량(QT)에 관한 명령을 포함한다. 따라서, 제어부(18)는 취출량(QT)을 간이하게 조정할 수 있다.
제어부(18)는, 입력부(17)에 입력되는 처리 조건 정보에 따라, 취출량(QC), 및 취출량(QE)을 바꾼다. 이로 인해, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
입력부(17)에 입력되는 처리 조건 정보는, 제1 명령을 포함한다. 따라서, 제어부(18)는 취출량(QC)을 간이하게 조정할 수 있다.
입력부(17)에 입력되는 처리 조건 정보는, 제2 명령을 포함한다. 따라서, 제어부(18)는 취출량(QE)을 간이하게 조정할 수 있다.
[제6 실시 형태]
도면을 참조하여, 제6 실시 형태의 기판 처리 장치(1)를 설명한다. 또한, 제1 실시 형태와 같은 구성에 대해서는 동부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.
제6 실시 형태의 기판 처리 장치(1)는, 제1 실시 형태의 기판 처리 장치(1)와 대략 같은 구성을 갖는다. 제6 실시 형태의 처리 유닛(14)은, 제6 실시 형태의 처리 유닛(14)과 상이한 동작을 실행한다. 이하에서는, 제6 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작을 예시한다.
<제6 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예>
제6 실시 형태의 처리 유닛(14)의 동작예에서는, 제어부(18)는, 입력부(17)에 입력되는 기판 형상 정보에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
도 12는, 제어부(18)의 제어 및 처리 유닛(14)의 동작의 절차를 도시한 플로차트이다.
단계 S51
사용자는, 입력부(17)를 조작함으로써, 입력부(17)에 기판 형상 정보를 입력한다. 입력부(17)는, 기판 형상 정보를 받는다. 기판 형상 정보는, 기판(W)의 형상에 관한 정보이다. 기판 형상 정보는, 기판(W)에 포함되는 주부(23)의 두께에 관한 정보를 포함한다.
단계 S52
제어부(18)는, 기판 형상 정보에 따라, 취출량(QT)을 결정한다. 제어부(18)는, 기판 형상 정보에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 구체적으로는, 제어부(18)는, 기판 형상 정보에 의해서 규정되는 주부(23)의 두께에 따라, 취출량(QT)을 결정한다. 제어부(18)는, 기판 형상 정보에 의해서 규정되는 주부(23)의 두께에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다.
보다 구체적으로는, 제어부(18)는, 기판 형상 정보에 의해서 규정되는 주부(23)의 두께에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE)을 결정한다. 제어부(18)는, 기판 형상 정보에 의해서 규정되는 주부(23)의 두께에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE)을 바꾼다.
단계 S53
단계 S53은, 제1 실시 형태의 단계 S4와 대략 같다.
단계 S54
단계 S54는, 제1 실시 형태의 단계 S5와 대략 같다.
<제6 실시 형태의 효과>
제어부(18)는, 기판 형상 정보에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 여기서, 기판(W)의 형상은, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 따라서, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다. 즉, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)을 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 이로써, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 적절히 억제할 수 있다. 따라서, 처리 유닛(14)은, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다. 기판 처리 장치(1)는, 기판(W)을 적절히 처리할 수 있다.
기판 처리 장치(1)는, 기판 형상 정보를 입력 가능한 입력부(17)를 구비한다. 따라서, 제어부(18)는, 기판 형상 정보를 용이하게 취득할 수 있다. 따라서, 제어부(18)는, 기판 형상 정보에 따라, 취출량(QT)을 용이하게 바꿀 수 있다.
입력부(17)에 입력되는 기판 형상 정보는, 기판(W)의 주부(23)의 두께에 관한 정보를 포함한다. 여기서, 기판(W)의 주부(23)의 두께는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 따라서, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다.
제어부(18)는, 입력부(17)에 입력되는 기판 형상 정보에 따라, 취출량(QC), 및 취출량(QE)을 바꾼다. 이로 인해, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 치밀하게 조정할 수 있다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
본 발명은, 제1~제6 실시 형태에 한정되는 것은 아니며, 하기와 같이 변형 실시할 수 있다.
상기 서술한 제1~제6 실시 형태에서는, 고정 핀(33)은 기판(W)의 하면(26)과 접촉한다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 고정 핀(33)은, 기판(W)의 하면(26) 및 기판(W)의 단연(28) 중 적어도 어느 하나와 접촉해도 된다. 예를 들어, 고정 핀(33)은, 기판(W)의 단연(28)에 비스듬하게 하방으로부터 접촉해도 된다.
제1~제6 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 취출량(QC) 및 취출량(QE)을 바꾼다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 제어부(18)는, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는, 기판(W)의 주부(23)의 두께에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다. 예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부에 따라, 제어부(18)는, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는, 회전 속도(RS)에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는, 유량(FR)에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는, 기판 형상 정보에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는, 처리 조건 정보에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다. 상기 서술한 각 변형 실시 형태에 의해서도, 제어부(18)는, 취출량(QT)을 적절히 바꿀 수 있다.
제1, 제2 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 제3 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 회전 속도(RS)에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 제4 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 유량(FR)에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상, 회전 속도(RS), 및 유량(FR) 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QT)을 바꾸어도 된다. 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상, 회전 속도(RS), 및 유량(FR) 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다.
제1 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 기판(W)의 주부(23)의 두께에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 제2 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖고 있는지의 여부에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 제어부(18)는, 기판(W)의 주부(23)의 두께, 및 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖고 있는지의 여부 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QT)을 바꾸어도 된다. 제어부(18)는, 기판(W)의 주부(23)의 두께, 및 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖고 있는지의 여부 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다.
제5 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 처리 조건 정보에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 제6 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 기판 형상 정보에 따라, 취출량(QT)을 바꾼다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 제어부(18)는, 기판 형상 정보, 및 처리 조건 정보 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QT)을 바꾸어도 된다. 제어부(18)는, 기판 형상 정보, 및 처리 조건 정보 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다.
제5 실시 형태에서는, 취출량(QT)에 관한 명령은, 제1 명령과 제2 명령을 포함한다. 즉, 취출량(QT)에 관한 명령은, 취출량(QC)의 값, 및 취출량(QE)의 값을 규정한다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 취출량(QT)에 관한 명령은, 취출량(QT)의 값을 규정해도 된다.
제5 실시 형태에서는, 처리 조건 정보는, 취출량(QT)에 관한 명령을 포함한다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 처리 조건 정보는, 취출량(QT)에 관한 명령, 회전 속도(RS)에 관한 명령, 및 유량(FR)에 관한 명령 중 적어도 어느 하나를 포함해도 된다. 회전 속도(RS)에 관한 정보는, 예를 들어, 회전 속도(RS)의 값을 규정한다. 유량(FR)에 관한 정보는, 예를 들어, 유량(FR)의 값을 규정한다. 여기서, 회전 속도(RS)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 유량(FR)도, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량에 영향을 주는 사항이다. 따라서, 본 변형 실시 형태에 의해서도, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다.
제5 실시 형태에서는, 처리 조건 정보는, 제1 명령과 제2 명령을 포함한다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 처리 조건 정보는, 제1 명령 및 제2 명령 중 적어도 어느 하나를 포함해도 된다. 제어부(18)는, 제1 명령, 및 제2 명령 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QT)을 바꾸어도 된다. 제어부(18)는, 제1 명령, 및 제2 명령 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다.
제6 실시 형태에서는, 기판 형상 정보는, 주부(23)의 두께에 관한 정보를 포함한다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 주부(23)의 두께에 관한 정보를, 제1 기판 형상 정보라고 부른다. 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부에 관한 정보를, 제2 기판 형상 정보라고 부른다. 예를 들어, 기판 형상 정보는, 제1 기판 형상 정보, 및 제2 기판 형상 정보 중 적어도 어느 하나를 포함해도 된다. 제어부(18)는, 제1 기판 형상 정보, 및 제2 기판 형상 정보 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QT)을 바꾸어도 된다. 제어부(18)는, 제1 기판 형상 정보, 및 제2 기판 형상 정보 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QC) 및 취출량(QE) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다. 본 변형 실시 형태에 의해서도, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 적절히 조정할 수 있다.
제3, 제4 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 처리 레시피를 참조하여, 처리 유닛(14)의 처리 조건을 특정한다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제어부(18)는, 입력부(17)에 입력되는 처리 조건 정보를 참조하여, 처리 유닛(14)의 처리 조건을 특정해도 된다.
제3 실시 형태에서는, 회전 속도(RS)가 클수록, 취출량(QT, QC, QE)은 각각 크다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 회전 속도(RS)가 클수록, 취출량(QT)은 작아도 된다. 예를 들어, 회전 속도(RS)가 클수록, 취출량(QC)은 작아도 된다. 예를 들어, 회전 속도(RS)가 클수록, 취출량(QE)은 작아도 된다.
제1~제6 실시 형태에서는, 취출 조정부(40)는, 제1 취출 조정부(41)와 제2 취출 조정부(42)를 구비한다. 취출 조정부(40)는, 취출량(QC)과 취출량(QE)을 개별적으로 조정한다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 취출 조정부(40)는, 일괄 취출 조정부(도시하지 않음)를 구비해도 된다. 예를 들어, 일괄 취출 조정부는, 공통 기체 공급로(38c)에 설치된다. 일괄 취출 조정부는, 취출량(QC) 및 취출량(QE)을 일괄적으로 조정한다. 본 변형 실시 형태에 의해서도, 취출 조정부(40)는, 취출량(QT)을 적절히 조정할 수 있다. 구체적으로는, 취출 조정부(40)는, 취출구(34)가 취출하는 기체의 유량을 적절히 조정할 수 있다. 본 변형 실시 형태에서는, 제1 취출 조정부(41)와 제2 취출 조정부(42)를 생략해도 된다.
제1~제6 실시 형태에서는, 기체 취출구(34)는, 제1 취출구(35)와 제2 취출구(36)를 구비한다. 단, 이것에 한정되지 않는다.
도 13은, 변형 실시 형태에 따르는 처리 유닛(14)을 모식적으로 도시한 도면이다. 도 14는, 변형 실시 형태에 따르는 플레이트(32)의 평면도이다. 또한, 제1 실시 형태와 같은 구성에 대해서는 동부호를 붙임으로써 상세한 설명을 생략한다.
기체 취출구(34)는, 제1 취출구(35)와 제2 취출구(36)에 더해, 제3 취출구(37)를 구비한다. 제3 취출구(37)는, 플레이트(32)의 상면(32a)에 형성된다. 제3 취출구(37)는, 제1 취출구(35)보다 외방에 배치된다. 제3 취출구(37)는, 제2 취출구(36)보다 내방에 배치된다. 제3 취출구(37)는, 고정 핀(33)보다 내방에 배치된다. 평면에서 볼 때, 제3 취출구(37)와 회전축선(A)의 거리는, 제1 취출구(35)와 회전축선(A)의 거리보다 크다. 평면에서 볼 때, 제3 취출구(37)와 회전축선(A)의 거리는, 제2 취출구(36)와 회전축선(A)의 거리보다 작다. 평면에서 볼 때, 제3 취출구(37)와 회전축선(A)의 거리는, 고정 핀(33)과 회전축선(A)의 거리보다 작다.
제3 취출구(37)는, 복수의 개구(37a)에 의해서 구성된다. 개구(37a)는, 평면에서 볼 때, 회전축선(A) 둘레의 원주 상에 배열된다.
제3 취출구(37)는 기체를 상방으로 취출한다. 제3 취출구(37)는, 플레이트(32)의 상면(32a)과 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하면(26)의 사이에, 기체를 취출한다. 제3 취출구(37)로부터 취출된 기체는, 기판(W)의 하면(26)의 일부(이하, 중간 부분이라고 한다)에 부딪힌다. 기판(W)의 하면(26)의 중간 부분은, 기판(W)의 하면(26)의 중앙부보다 외방, 또한, 기판(W)의 하면(26)의 주연부(22)보다 내방에 위치한다. 그 후, 기체는, 기판(W)의 하면(26)을 따라서 외방으로 나아간다. 그리고, 기체는, 플레이트(32)의 상면(32a)과 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하면(26)의 사이의 공간으로부터 유출된다. 기체는, 기판(W)의 주연부(22)보다 외방의 공간으로 유출된다. 제3 취출구(37)가 취출하는 기체의 유량이 커짐에 따라, 기판(W)에 작용하는 흡인력은 커진다.
기체 공급로(38)는, 제1 기체 공급로(38a)와 제2 기체 공급로(38b)에 더해, 제3 기체 공급로(38d)를 구비한다. 제3 기체 공급로(38d)는, 제3 취출구(37)에 기체를 공급한다. 제3 기체 공급로(38d)는, 제1 단과 제2 단을 갖는다. 제3 기체 공급로(38d)의 제1 단은, 제3 취출구(37)에 접속된다. 제3 기체 공급로(38d)의 제2 단은, 제1 기체 공급로(38a)의 제2 단, 제2 기체 공급로(38b)의 제2 단, 및 공통 기체 공급로(38c)의 제1 단에 접속된다. 제3 기체 공급로(38d)의 일부는, 플레이트(32)의 내부에 형성된다.
공통 기체 공급로(38c)는, 제1 기체 공급로(38a), 및 제2 기체 공급로(38b)에 더해, 제3 기체 공급로(38d)에 기체를 공급한다. 즉, 기체 공급로(38)는, 제1 취출구(35), 및 제2 취출구(36)에 더해, 제3 취출구(37)에 기체를 공급한다. 제1 기체 공급로(38a)와 제2 기체 공급로(38b)와 제3 기체 공급로(38d)는, 서로 병렬이다. 제1 기체 공급로(38a)와 제2 기체 공급로(38b)와 제3 기체 공급로(38d)는, 서로 병렬로 기체 공급원(39)에 연통 접속된다.
취출 조정부(40)는, 제1 취출 조정부(41)와 제2 취출 조정부(42)에 더해, 제3 취출 조정부(43)를 구비한다. 제3 취출 조정부(43)는, 제3 기체 공급로(38d)에 설치된다. 제3 취출 조정부(43)는, 제3 취출구(37)가 취출하는 기체의 유량을 조정한다. 즉, 제3 취출 조정부(43)는, 제3 취출구(37)에 공급되는 기체의 유량을 조정한다. 이하에서는, 제3 취출구(37)가 취출하는 기체의 유량을, 「취출량(QM)」이라고 약기한다. 취출량(QC)과 취출량(QE)과 취출량(QM)의 합계는, 취출량(QT)에 상당한다.
제1 취출 조정부(41)는, 취출량(QM)을 조정 불가능하다. 제2 취출 조정부(42)는, 취출량(QM)을 조정 불가능하다. 제3 취출 조정부(43)는, 취출량(QC)을 조정 불가능하다. 제3 취출 조정부(43)는, 취출량(QE)을 조정 불가능하다. 제1 취출 조정부(41)와 제2 취출 조정부(42)와 제3 취출 조정부(43)는, 서로 독립적으로 작동 가능하다. 따라서, 취출 조정부(40)는, 취출량(QC), 취출량(QE), 및 취출량(QM)을 서로 독립적으로 조정 가능하다. 취출 조정부(40)는, 취출량(QC), 취출량(QE), 및 취출량(QM)을 개별적으로 조정 가능하다. 제3 취출 조정부(43)는, 예를 들어, 유량 조정 밸브를 포함한다. 제3 취출 조정부(43)는, 추가로, 개폐 밸브를 포함해도 된다.
제어부(18)는, 또한, 제3 취출 조정부(43)를 제어한다. 이로써, 제어부(18)는, 취출량(QM)을 바꾼다.
예를 들어, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상, 회전 속도(RS), 및 유량(FR) 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QM)을 바꾸어도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 형상, 회전 속도(RS), 및 유량(FR) 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QC), 취출량(QE), 및 취출량(QM) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다.
예를 들어, 제어부(18)는, 입력부(17)에 입력되는 기판 형상 정보, 및 입력부(17)에 입력되는 처리 조건 정보 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QM)을 바꾸어도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는, 입력부(17)에 입력되는 기판 형상 정보, 및 입력부(17)에 입력되는 처리 조건 정보 중 적어도 어느 하나에 따라, 취출량(QC), 취출량(QE), 및 취출량(QM) 중 적어도 어느 하나를 바꾸어도 된다.
입력부(17)에 입력되는 처리 조건 정보는, 취출량(QM)에 관한 제3 명령을 포함해도 된다. 제3 명령은, 예를 들어, 취출량(QM)의 값을 규정한다.
본 변형 실시 형태에 의하면, 기체 취출구(34)는, 제3 취출구(37)를 포함한다. 따라서, 제어부(18)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)에 작용하는 흡인력을 한층 치밀하게 조정할 수 있다. 즉, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)을 한층 적절한 흡인력으로 유지할 수 있다. 이로써, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 한층 적절히 억제할 수 있다.
제3 취출구(37)가 취출하는 기체는, 기판(W)의 하면(26)의 중간 부분에 부딪힌다. 이로 인해, 기판(W)의 중간 부분이 하방으로 볼록하게 만곡하는 것을 적절히 방지할 수 있다. 따라서, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 휨량을 효과적으로 억제할 수 있다.
취출 조정부(40)는, 제3 취출 조정부(43)를 구비한다. 이로 인해, 취출 조정부(40)는, 취출량(QC), 취출량(QE), 및 취출량(QM)을 개별적으로 조정할 수 있다. 따라서, 제어부(18)는, 취출량(QC), 취출량(QE), 및 취출량(QM)을 개별적으로 바꿀 수 있다.
상기 서술한 제1, 제2 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 바코드 리더(4) 및 형상 검출부(13, 63)의 검출 결과에 의거하여, 기판(W)의 형상을 판정한다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제어부(18)는, 바코드 리더(4) 및 형상 검출부(13, 63) 중 어느 하나의 검출 결과에 의거하여, 기판(W)의 형상을 판정해도 된다.
상기 서술한 제1, 제2 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 바코드 리더(4) 및 형상 검출부(13, 63)의 검출 결과에 의거하여, 기판(W)의 형상을 판정한다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 제어부(18)가 기판(W)의 형상을 취득하는 변형 실시 형태로서, 2개의 예를 이하에 예시한다.
제1 예
기판 처리 장치(1)는, 기판(W)에 붙여지는 기판 정보를 읽어내는 기판 정보 검출부(도시하지 않음)를 구비해도 된다. 제어부(18)는, 기판 정보 검출부의 검출 결과에 의거하여, 기판(W)의 형상을 판정해도 된다. 여기서, 기판(W)에 붙여지는 기판 정보는, 예를 들어, 기판(W)에 인자되는 식별 코드이다. 기판 정보 검출부는, 예를 들어, 리더이다.
제2 예
제어부(18)는, 기판 처리 장치(1)의 외부 기기로부터, 기판(W)의 형상에 관한 정보를 취득해도 된다. 기판 처리 장치(1)의 외부 기기는, 예를 들어, 호스트 컴퓨터이다. 제어부(18)가 외부 기기로부터 기판(W)의 형상에 관한 정보를 취득하기 전에, 제어부(18)는, 예를 들어, 바코드 리더(4)의 검출 결과를 외부 기기로 송신해도 된다. 제어부(18)가 외부 기기로부터 기판(W)의 형상에 관한 정보를 취득하기 전에, 제어부(18)는, 예를 들어, 존부 검출부(6, 16)의 검출 결과를 외부 기기로 송신해도 된다. 제어부(18)가 외부 기기로부터 기판(W)의 형상에 관한 정보를 취득하기 전에, 제어부(18)는, 예를 들어, 형상 검출부(13, 63)의 검출 결과를 외부 기기로 송신해도 된다. 제어부(18)는, 외부 기기로부터 취득하는 기판(W)의 형상에 관한 정보에 의거하여, 기판(W)의 형상을 특정해도 된다.
제2 예에 있어서, 외부 기기로부터 취득하는 기판(W)의 형상에 관한 정보는, 기판(W)의 형상을 직접적으로 나타내는 정보여도 된다. 기판(W)의 형상을 직접적으로 나타내는 정보는, 예를 들어, 기판(W)의 주부(23)의 두께를 직접적으로 나타내는 정보이다. 기판(W)의 형상을 직접적으로 나타내는 정보는, 예를 들어, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)이 상측 오목부(24A)를 갖는지의 여부를 직접적으로 나타내는 정보이다. 제어부(18)가 기판(W)의 형상을 직접적으로 나타내는 정보를 취득한 경우, 제어부(18)는, 기판(W)의 형상을 판정하는 단계(예를 들어, 단계 S2, S12)를 행하지 않는다.
제2 예에 있어서, 외부 기기로부터 취득하는 기판(W)의 형상에 관한 정보는, 기판(W)의 형상을 간접적으로 나타내는 정보여도 된다. 제어부(18)가 기판(W)의 형상을 간접적으로 나타내는 정보를 취득한 경우, 제어부(18)는, 기판(W)의 형상을 간접적으로 나타내는 정보에 의거하여, 기판(W)의 형상을 판정하는 단계(예를 들어, 단계 S2, S12)를 행한다.
상기 서술한 제5 실시 형태에서는, 입력부(17)에 입력되는 처리 조건 정보는, 처리 조건을 직접적으로 나타내는 정보이다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 입력부(17)에 입력되는 처리 조건 정보는, 처리 조건을 간접적으로 나타내는 정보여도 된다. 처리 조건을 간접적으로 나타내는 정보는, 예를 들어, 처리 레시피를 식별하기 위한 정보이다. 본 변형 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 입력부(17)에 입력되는 처리 조건 정보에 의거하여, 처리 조건에 관한 판정, 또는, 처리 조건의 특정을 행해도 된다.
상기 서술한 제5 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 입력부(17)로부터 처리 조건 정보를 취득한다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제어부(18)는, 처리 레시피를 참조함으로써, 처리 조건 정보를 취득해도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는, 외부 기기로부터 처리 조건 정보를 취득해도 된다.
상기 서술한 제6 실시 형태에서는, 입력부(17)에 입력되는 기판 형상 정보는, 기판(W)의 형상을 직접적으로 나타내는 정보이다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 입력부(17)에 입력되는 기판 형상 정보는, 기판(W)의 형상을 간접적으로 나타내는 정보여도 된다. 기판(W)의 형상을 간접적으로 나타내는 정보는, 예를 들어, A형 기판(WA), B형 기판(WB) 및 C형 기판(WC) 중 어느 기판(W)이 속하는지를 나타내는 정보이다. 기판(W)의 형상을 간접적으로 나타내는 정보는, 예를 들어, 박기판(Wp) 및 후기판(Wq) 중 어느 기판(W)이 속하는지를 나타내는 정보이다. 본 변형 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 입력부(17)에 입력되는 기판 형상 정보에 의거하여, 기판(W)의 형상에 관한 판정을 행해도 된다. 본 변형 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 입력부(17)에 입력되는 기판 형상 정보에 의거하여, 기판(W)의 형상의 특정을 행해도 된다.
상기 서술한 제6 실시 형태에서는, 제어부(18)는, 입력부(17)로부터 기판 형상 정보를 취득한다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 예를 들어, 제어부(18)는, 바코드 리더(4) 및 형상 검출부(13, 63)로부터 기판 형상 정보를 취득해도 된다. 예를 들어, 제어부(18)는, 외부 기기로부터 기판 형상 정보를 취득해도 된다.
제1~제6 실시 형태에서는, 처리액 공급부(51)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하면(26)에 처리액을 공급하지 않는다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 처리액 공급부(51)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하면(26)에 처리액을 공급해도 된다. 예를 들어, 처리액 공급부(51)는, 기체 취출구(34)를 통해서 처리액을 토출해도 된다. 예를 들어, 처리액 공급부(51)는, 제1 취출구(35)를 통해서 처리액을 토출해도 된다. 처리액 공급부(51)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 하면(26)에 순수를 공급해도 된다. 예를 들어, 처리액 공급부(51)는, 기체 취출구(34)를 통해서 순수를 토출해도 된다. 예를 들어, 처리액 공급부(51)는, 제1 취출구(35)를 통해서 순수를 토출해도 된다.
제1~제6 실시 형태에서는, 처리액 공급부(51)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 상면(27)에 처리액을 공급한다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 처리액 공급부(51)는, 고정 핀(33)에 지지되는 기판(W)의 상면(27)에 처리액을 공급하지 않아도 된다.
제1~제6 실시 형태에서는, 처리액 공급부(51)가 구비하는 노즐(52)의 수는 1개이다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 처리액 공급부(51)가 구비하는 노즐(52)의 수는, 복수여도 된다.
상기 서술한 실시 형태에서는, 처리 블록(11)에 설치되는 반송 기구의 수는 1개이다. 단, 이것에 한정되지 않는다. 처리 블록(11)에 설치되는 반송 기구의 수는, 2개 이상이어도 된다. 즉, 처리 블록(11)은, 2개 이상의 반송 기구를 구비해도 된다. 처리 블록(11)에 있어서의 반송 기구의 수에 따라, 처리 유닛(14)의 개수를 늘려도 된다.
상기 서술한 실시 형태 및 각 변형 실시 형태에 대해서는, 추가로 각 구성을 다른 변형 실시 형태의 구성으로 치환 또는 조합하는 등 하여 적절히 변경해도 된다.
본 발명은, 그 사상 또는 본질로부터 일탈하지 않고 다른 구체적인 형태로 실시할 수 있으며, 따라서, 발명의 범위를 나타내는 것으로서, 이상의 설명이 아닌, 부가된 클레임을 참조해야 한다.
1…기판 처리 장치
2…인덱서부
3…캐리어 재치부
4…바코드 리더
5…반송 기구
11…처리 블록
12…재치부
13…형상 검출부
14…처리 유닛
15…반송 기구
17…입력부
18…제어부
21…기판 본체
22…주연부
23…주부
24…오목부
24A…상측 오목부
26…하면
27…상면
31…기판 유지부
32…플레이트
32a…상면
33…고정 핀(지지부)
34…기체 취출구
35…제1 취출구
36…제2 취출구
37…제3 취출구
38…기체 공급로
38a…제1 기체 공급로
38b…제2 기체 공급로
38c…공통 기체 공급로
38d…제3 기체 공급로
40…취출 조정부
41…제1 취출 조정부
42…제2 취출 조정부
43…제3 취출 조정부
45…회전 구동부
51…처리액 공급부
52…노즐
57…유량 조정부
61…가드
63…형상 검출부
A…회전축선
C…캐리어
FR…고정 핀에 지지되는 기판에 공급하는 처리액의 유량
QT…취출량(기체 취출구가 취출하는 기체의 유량)
QC…취출량(제1 취출구가 취출하는 기체의 유량)
QE…취출량(제2 취출구가 취출하는 기체의 유량)
QM…취출량(제3 취출구가 취출하는 기체의 유량)
Q1a, Q1b, Q1c, Q1d…제1 취출량
Q2a, Q2b, Q2c, Q2d…제2 취출량
Q3a, Q3b, Q3c, Q3d…제3 취출량
Q4a, Q4b, Q4c, Q4d…제4 취출량
RS…플레이트의 회전 속도
TA1…A형 기판의 주부의 두께
TB1…B형 기판의 주부의 두께
TC1…C형 기판의 주부의 두께
VT…기판(W)의 주부의 두께에 관한 기준값
VRS…플레이트의 회전 속도에 관한 기준값
VFR…고정 핀에 지지되는 기판에 공급하는 처리액의 유량에 관한 기준값
W…기판
WA…A형 기판
WB…B형 기판
WC…C형 기판
Wp…박기판
Wq…후기판

Claims (22)

  1. 기판 처리 장치로서,
    기판을 처리하는 처리 유닛과,
    상기 처리 유닛을 제어하는 제어부를 구비하고,
    상기 처리 유닛은,
    상면을 갖는 플레이트와,
    상기 플레이트를 회전시키는 회전 구동부와,
    상기 플레이트의 상기 상면으로부터 상방으로 돌출되고, 기판의 하면 및 기판의 단연(端緣) 중 적어도 어느 하나와 접촉하며, 상기 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
    상기 플레이트의 상기 상면에 형성되고, 기체를 상방으로 취출(吹出)하는 기체 취출구와,
    상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 취출 조정부와,
    상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 처리액 공급부가 기판에 공급하는 처리액의 유량을 조정하는 유량 조정부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 지지부에 지지되는 기판의 형상, 상기 플레이트의 회전 속도, 및 상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량 중 적어도 어느 하나에 따라, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 바꾸는, 기판 처리 장치.
  2. 청구항 1에 있어서,
    상기 기체 취출구는,
    상기 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 배치되는 제1 취출구와,
    상기 제1 취출구보다 외방에 배치되는 제2 취출구를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 지지부에 지지되는 기판의 형상, 상기 플레이트의 상기 회전 속도, 및 상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량 중 적어도 어느 하나에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는, 기판 처리 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 취출 조정부는,
    상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 조정하는 제1 취출 조정부와,
    상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 조정하는 제2 취출 조정부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  4. 청구항 2에 있어서,
    상기 기체 취출구는,
    상기 제1 취출구보다 외방, 또한, 상기 제2 취출구보다 내방에 배치되는 제3 취출구를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 지지부에 지지되는 기판의 형상, 상기 플레이트의 상기 회전 속도, 및 상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량 중 적어도 어느 하나에 따라, 상기 제3 취출구가 취출하는 기체의 유량을 바꾸는, 기판 처리 장치.
  5. 청구항 4에 있어서,
    상기 취출 조정부는,
    상기 제3 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 조정하는 제3 취출 조정부를 구비하는, 기판 처리 장치.
  6. 청구항 1에 있어서,
    상기 제어부는, 기판의 주연부의 내측에 위치하는 기판의 주부(主部)의 두께에 따라, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 바꾸는, 기판 처리 장치.
  7. 청구항 6에 있어서,
    기판의 상기 주부의 상기 두께가 클수록, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량은 큰, 기판 처리 장치.
  8. 청구항 6에 있어서,
    상기 기체 취출구는,
    상기 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 배치되는 제1 취출구와,
    상기 제1 취출구보다 외방에 배치되는 제2 취출구를 포함하고,
    상기 제어부는, 기판의 상기 주부의 상기 두께에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는, 기판 처리 장치.
  9. 청구항 1에 있어서,
    기판의 주연부의 내측에 위치하는 기판의 주부가 기판의 상기 주연부보다 패임으로써 상기 기판의 상면에 형성되는 상측 오목부를, 상기 지지부에 지지되는 기판이 갖는지의 여부에 따라, 상기 제어부는, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 바꾸는, 기판 처리 장치.
  10. 청구항 9에 있어서,
    상기 지지부에 지지되는 기판이 상기 상측 오목부를 가질 때에 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량은, 상기 지지부에 지지되는 기판이 상기 상측 오목부를 갖지 않을 때에 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량보다 큰, 기판 처리 장치.
  11. 청구항 9에 있어서,
    상기 기체 취출구는,
    상기 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 배치되는 제1 취출구와,
    상기 제1 취출구보다 외방에 배치되는 제2 취출구를 포함하고,
    상기 지지부에 지지되는 기판이 상기 상측 오목부를 갖는지의 여부에 따라, 상기 제어부는, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는, 기판 처리 장치.
  12. 청구항 1에 있어서,
    상기 플레이트의 상기 회전 속도가 클수록, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량은 큰, 기판 처리 장치.
  13. 청구항 12에 있어서,
    상기 기체 취출구는,
    상기 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 배치되는 제1 취출구와,
    상기 제1 취출구보다 외방에 배치되는 제2 취출구를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 플레이트의 상기 회전 속도에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는, 기판 처리 장치.
  14. 청구항 1에 있어서,
    상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량이 클수록, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량은 큰, 기판 처리 장치.
  15. 청구항 14에 있어서,
    상기 기체 취출구는,
    상기 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 배치되는 제1 취출구와,
    상기 제1 취출구보다 외방에 배치되는 제2 취출구를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 상기 유량에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는, 기판 처리 장치.
  16. 청구항 1에 있어서,
    상기 처리액 공급부는, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상면에 처리액을 공급하는, 기판 처리 장치.
  17. 기판 처리 장치로서,
    기판을 처리하는 처리 유닛과,
    상기 처리 유닛을 제어하는 제어부와,
    기판의 형상에 관한 기판 형상 정보, 및 상기 처리 유닛의 처리 조건 정보 중 적어도 어느 하나를 입력 가능한 입력부를 구비하고,
    상기 처리 유닛은,
    상면을 갖는 플레이트와,
    상기 플레이트를 회전시키는 회전 구동부와,
    상기 플레이트의 상기 상면으로부터 상방으로 돌출되고, 기판의 하면 및 기판의 단연 중 적어도 어느 하나와 접촉하며, 상기 플레이트의 상기 상면보다 높은 위치에서 기판을 지지하는 지지부와,
    상기 플레이트의 상기 상면에 형성되고, 기체를 상방으로 취출하는 기체 취출구와,
    상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 유량을 조정하는 취출 조정부와,
    상기 지지부에 지지되는 기판에 처리액을 공급하는 처리액 공급부와,
    상기 처리액 공급부가 기판에 공급하는 처리액의 유량을 조정하는 유량 조정부를 구비하고,
    상기 제어부는, 상기 입력부에 입력되는 상기 기판 형상 정보, 및 상기 입력부에 입력되는 상기 처리 조건 정보 중 적어도 어느 하나에 따라, 상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량을 바꾸는, 기판 처리 장치.
  18. 청구항 17에 있어서,
    상기 입력부에 입력되는 상기 기판 형상 정보는,
    기판의 주연부의 내측에 위치하는 기판의 주부의 두께에 관한 정보, 및
    기판의 상기 주부가 기판의 상기 주연부보다 패임으로써 상기 기판의 상면에 형성되는 상측 오목부를, 상기 지지부에 지지되는 기판이 갖는지의 여부에 관한 정보 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 기판 처리 장치.
  19. 청구항 17에 있어서,
    상기 입력부에 입력되는 상기 처리 조건 정보는,
    상기 기체 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량에 관한 명령,
    상기 플레이트의 회전 속도에 관한 명령, 및
    상기 지지부에 지지되는 기판에 상기 처리액 공급부가 공급하는 처리액의 유량에 관한 명령 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 기판 처리 장치.
  20. 청구항 17에 있어서,
    상기 기체 취출구는,
    상기 플레이트의 상기 상면의 중앙부에 배치되는 제1 취출구와,
    상기 제1 취출구보다 외방에 배치되는 제2 취출구를 포함하고,
    상기 제어부는, 상기 입력부에 입력되는 상기 기판 형상 정보, 및 상기 입력부에 입력되는 상기 처리 조건 정보 중 적어도 어느 하나에 따라, 상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 유량, 및 상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 유량 중 적어도 어느 하나를 바꾸는, 기판 처리 장치.
  21. 청구항 20에 있어서,
    상기 입력부에 입력되는 상기 처리 조건 정보는,
    상기 제1 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량에 관한 제1 명령, 및
    상기 제2 취출구가 취출하는 기체의 상기 유량에 관한 제2 명령 중 적어도 어느 하나를 포함하는, 기판 처리 장치.
  22. 청구항 17에 있어서,
    상기 처리액 공급부는, 상기 지지부에 지지되는 기판의 상면에 처리액을 공급하는, 기판 처리 장치.
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
WO2022239570A1 (ja) * 2021-05-14 2022-11-17 ローム株式会社 支持ステージ、支持装置及び半導体装置の製造方法
KR102562264B1 (ko) * 2021-08-11 2023-08-02 엘에스이 주식회사 플로팅 가스 가변 유량 제어 기능이 구비된 스핀 척 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015065226A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 株式会社テックインテック 基板保持機構およびそれを用いた基板処理装置
KR20180120614A (ko) * 2017-04-27 2018-11-06 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2003086566A (ja) 2001-09-07 2003-03-20 Supurauto:Kk 基板処理装置及び方法
JP4043019B2 (ja) * 2002-04-26 2008-02-06 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP4342260B2 (ja) 2003-09-30 2009-10-14 株式会社高田工業所 ウエハー処理装置
JP4594031B2 (ja) 2004-10-18 2010-12-08 大日本スクリーン製造株式会社 基板保持装置
JP2006186117A (ja) * 2004-12-28 2006-07-13 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板保持装置および基板回転式処理装置
JP2007067054A (ja) 2005-08-30 2007-03-15 Fluoro Mechanic Kk ベルヌーイチャック
JP2010080583A (ja) * 2008-09-25 2010-04-08 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JP5208666B2 (ja) * 2008-10-10 2013-06-12 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
JP5877005B2 (ja) * 2011-07-29 2016-03-02 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、基板保持装置、および、基板保持方法
WO2014082196A1 (en) * 2012-11-27 2014-06-05 Acm Research (Shanghai) Inc. Substrate supporting apparatus
JP2014165470A (ja) 2013-02-28 2014-09-08 Nikon Corp 搬送システム及び搬送方法、露光装置及び露光方法、並びにデバイス製造方法
KR20160022834A (ko) * 2013-06-19 2016-03-02 에이씨엠 리서치 (상하이) 인코포레이티드 반도체 기판 상에 접착 필름을 테이핑하기 위한 장치 및 방법
JP6352827B2 (ja) * 2015-02-12 2018-07-04 株式会社テックインテック 基板処理装置
JP2018142593A (ja) * 2017-02-27 2018-09-13 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP6622254B2 (ja) 2017-06-21 2019-12-18 芝浦メカトロニクス株式会社 貼合装置および貼合処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2015065226A (ja) * 2013-09-24 2015-04-09 株式会社テックインテック 基板保持機構およびそれを用いた基板処理装置
KR20180120614A (ko) * 2017-04-27 2018-11-06 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법

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