CN203250724U - 晶圆清洗装置 - Google Patents

Abstract

本实用新型揭示了一种晶圆清洗装置，包括：主体框架、晶圆装载端口、晶圆传送装置、槽式清洗装置及单片清洗装置。晶圆装载端口设置于主体框架的外侧端，晶圆传送装置、槽式清洗装置及单片清洗装置设置于主体框架内。晶圆装载端口接收和放置晶圆盒，晶圆盒存放晶圆。槽式清洗装置开设有用于传送晶圆的第一晶圆进出口，槽式清洗装置用于一片或多片晶圆的浸泡清洗。单片清洗装置开设有用于传送晶圆的第二晶圆进出口，单片清洗装置用于单片晶圆的清洗和干燥。晶圆传送装置在晶圆装载端口的晶圆盒、槽式清洗装置及单片清洗装置之间传送晶圆。本实用新型通过将槽式清洗装置和单片清洗装置集成于主体框架内，由一套晶圆传送装置完成晶圆的传送，缩短了晶圆清洗工艺周期，降低了生产成本，且集成于一套装置后占用空间缩小。

Description

晶圆清洗装置

技术领域

本实用新型涉及半导体集成电路制造技术领域，尤其涉及一种晶圆清洗装置。

背景技术

对于半导体产业而言，随着半导体器件关键尺寸的不断缩小以及新材料的引入，在半导体器件的制造过程中，对半导体基板如晶圆表面的洁净度要求越来越严苛，同时，由于半导体器件关键尺寸的缩小使得清洗的工艺窗口变窄，进而使既要满足基板清洗效率又要尽量减小基板表面刻损和结构损坏变得不那么容易。而现如今，对于基板上的污染物的去除能力以及基板表面的刻损和结构损坏程度的要求越来越高，基板上的污染物如颗粒、有机物和金属通常需要用化学反应或物理力作用来克服化学键的引力或物理粘附力从而被去除。

目前基板清洗仍以湿式清洗为主，湿式清洗通常分为槽式清洗和单片清洗两种方式。槽式清洗能同时处理若干片基板，具有很高的清洗效率，然而，随着半导体器件关键尺寸的缩小，槽式清洗已经越来越无法适应湿式清洗的要求。槽式清洗的最大缺点是污染物去除率受到一定的限制，这是因为即使在清洗中使用高纯度的化学试剂与去离子水，从基板上清洗下来的污染物仍然存在于清洗液中，会对基板造成二次污染。为了避免基板被二次污染，单片清洗正逐步取代槽式清洗，单片清洗能有效防止基板的二次污染。在基板的清洗过程中，新的化学试剂和去离子水不断地供应到基板的表面，而用过的化学试剂与去离子水直接排出并被回收。此外，成品率也是转型到单片清洗的一个重要因素，通过使用单片清洗可以有效提高100纳米及以下工艺的成品率。与槽式清洗相比，单片清洗具有清洗效果好，清洗液回收率高，能有效防止交叉污染等优势，不过产能相比槽式清洗而言比较低。

在一些工艺中，为了获得较佳的清洗效果，需要采用槽式清洗和单片清洗相结合的方式对基板进行清洗，而现有的槽式清洗装置和单片清洗装置是完全独立分开的两套装置，基板在槽式清洗装置中清洗并干燥后，再放入单片清洗装置中清洗和干燥，从而导致清洗工艺周期长，清洗成本高，且两套装置占用空间大。

实用新型内容

本实用新型的目的在于提供一种晶圆清洗装置，该装置不仅能够对晶圆进行槽式清洗和单片清洗，而且该装置能够缩短晶圆清洗工艺周期，降低清洗成本，此外，该装置占用空间小。

为实现上述目的，本实用新型提供的一种晶圆清洗装置，包括：主体框架、晶圆装载端口、晶圆传送装置、槽式清洗装置及单片清洗装置。晶圆装载端口设置于主体框架的外侧端，晶圆传送装置、槽式清洗装置及单片清洗装置设置于主体框架内。晶圆装载端口接收和放置晶圆盒，晶圆盒存放晶圆。槽式清洗装置开设有用于传送晶圆的第一晶圆进出口，槽式清洗装置用于一片或多片晶圆的浸泡清洗。单片清洗装置开设有用于传送晶圆的第二晶圆进出口，单片清洗装置用于单片晶圆的清洗和干燥。晶圆传送装置在晶圆装载端口的晶圆盒、槽式清洗装置及单片清洗装置之间传送晶圆。

综上所述，本实用新型晶圆清洗装置通过将槽式清洗装置和单片清洗装置集成于主体框架内，由一套晶圆传送装置完成晶圆的传送，缩短了晶圆清洗工艺周期，降低了生产成本，且集成于一套装置后占用空间缩小。

附图说明

图1揭示了根据本实用新型的晶圆清洗装置的结构示意图。

图2揭示了根据本实用新型的晶圆清洗装置的又一结构示意图。

图3揭示了根据本实用新型的晶圆传送装置的结构示意图。

图4揭示了根据本实用新型的晶圆传送装置的又一结构示意图。

图5揭示了根据本实用新型的晶圆传送装置的传送机械手的一实施例的结构示意图。

图6揭示了根据图5的沿VI-VI的剖面结构示意图。

图7揭示了根据本实用新型的晶圆传送装置的传送机械手的又一实施例的结构示意图。

图8揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置的结构示意图。

图9揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置的槽式清洗槽的结构示意图。

图10揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置的密封盖的结构示意图。

图11揭示了根据本实用新型的密封盖的剖视图。

图12揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置打开密封盖的结构示意图。

图13揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置打开密封盖的又一结构示意图。

图14揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置的又一结构示意图。

图15揭示了根据本实用新型的槽式清洗装置的又一实施例的结构示意图。

图16揭示了根据本实用新型的单片清洗装置的结构示意图。

图17揭示了根据图16的沿XVII-XVII的剖面结构示意图。

图18揭示了根据图17的B处的局部放大图。

具体实施方式

为详细说明本实用新型的技术内容、构造特征、所达成目的及功效，下面将结合实施例并配合图式予以详细说明。

参阅图1和图2，揭示了根据本实用新型的晶圆清洗装置的结构示意图。该晶圆清洗装置包括主体框架110、晶圆装载端口120、晶圆传送装置130、槽式清洗装置140及单片清洗装置150。晶圆装载端口120设置于主体框架110的外侧端，晶圆装载端口120接收和放置晶圆盒（图中未示），晶圆盒存放待清洗或清洗完毕的晶圆。晶圆装载端口120的数量不限于一个，可以根据晶圆清洗装置的处理能力选择合适数量的晶圆装置端口120。晶圆传送装置130、槽式清洗装置140及单片清洗装置150分别集成于主体框架110内。

如图3和图4所示，晶圆传送装置130包括传送机械手131、溶液接收器132及机械手安装台133。传送机械手131用于在晶圆装载端口120的晶圆盒、槽式清洗装置140及单片清洗装置150之间传送晶圆。传送机械手131和溶液接收器132均装配在机械手安装台133上，溶液接收器132位于传送机械手131的下方，工艺处理时，溶液接收器132接收从传送机械手131上滴落的溶液，以避免传送机械手131上的溶液滴落至晶圆清洗装置内，污染晶圆清洗装置。溶液接收器132大致呈漏斗形，溶液接收器132的底部开设有排液口138，溶液接收器132内的溶液从排液口138排出。

晶圆传送装置130还包括机械手驱动装置134、支架板135及支座136。机械手安装台133装配在支架板135上，机械手驱动装置134驱动支架板135沿支座136垂直上升或下降，从而带动机械手安装台133垂直上升或下降。由于传送机械手131和溶液接收器132装配在机械手安装台133上，因而，传送机械手131和溶液接收器132随机械手安装台133垂直上升或下降，以调节传送机械手131和溶液接收器132在垂直方向的高度。支座136的顶端设置有一对限位块137，支架板135沿支座136垂直上升至限位块137处时，支架板135停止上升。机械手驱动装置134可以选用气缸。

通常设置有两个或两个以上的传送机械手131，较佳的，至少设置两个传送机械手131，其中一个传送机械手131用于传送干态晶圆，一个传送机械手131用于传送湿态晶圆，用于传送湿态晶圆的传送机械手131位于用于传送干态晶圆的传送机械手131的下方。传送机械手131可以选用本领域技术人员熟知的机械手，但在工艺处理时，传统机械手存在一弊端，即清洗溶液会堆积在机械手上，使用传统机械手取放晶圆时，晶圆粘附在机械手上不易脱落。为了解决此弊端，本实用新型对传统机械手实施了改进，如图5和图6所示，本实用新型传送机械手131上用于承载晶圆的一面开设有大致呈V型的凹槽1311，凹槽1311的开口宽度大致与传送机械手131末指端的宽度一致。凹槽1311内开设有数个通孔1312，堆积在传送机械手131上的清洗溶液汇集于凹槽1311内，并从通孔1312滴落至传送机械手131下方的溶液接收器132内。

参阅图7，揭示了根据本实用新型的传送机械手的又一实施例的结构示意图。该传送机械手131’上用于承载晶圆的一面开设有大致呈V型的凹槽1311’，凹槽1311’内开设有数个通孔1312’。与前述实施例的不同之处在于，本实施例的传送机械手131’上用于承载晶圆的一面还设置有数个台阶状的凸起1313’，传送晶圆时，该数个凸起1313’托起晶圆，目的是尽量减少晶圆与传送机械手131’的接触面积，进而减少晶圆与传送机械手131’之间的粘附力，以利于晶圆的取放。

参阅图8、图12至图14同时结合图1和图2，槽式清洗装置140包括隔板141，隔板141将槽式清洗装置140与晶圆传送装置130隔离，隔板141的前侧设置晶圆传送装置130，隔板141的背侧设置槽式清洗装置140。隔板141上开设有用于传送晶圆的第一晶圆进出口142，传送机械手131通过该第一晶圆进出口142将晶圆放入槽式清洗装置140或从槽式清洗装置140内取出。设置于隔板141背侧的槽式清洗装置140包括槽式清洗槽143、密封盖144、密封挡板145、支撑架146、升降机构147、翻转机构148及晶圆卡盒149。槽式清洗槽143、密封盖144及密封挡板145形成一密闭空间，以用于一片或多片晶圆的工艺处理。密封挡板145固定安装在槽式清洗槽143上。升降机构147安装在支撑架146上，升降机构147与密封盖144连接，升降机构147驱动密封盖144上升或下降，以打开或闭合该密闭空间。用于放置并卡持晶圆的晶圆卡盒149装配在密封盖144上，翻转机构148驱动晶圆卡盒149翻转，以使晶圆卡盒149水平布置于密封盖144内或竖直悬挂于密封盖144下。

如图9所示，槽式清洗槽143具有内槽1431和外槽1432。内槽1431存放清洗溶液如TMAH、NMP、IPA、DIW或丙酮等，晶圆卡盒149竖直悬挂于密封盖144下并竖直收容于内槽1431以用于一片或多片晶圆的浸泡清洗。内槽1431的槽口呈锯齿型，以防止清洗溶液堆积于内槽1431槽口的顶面，如果清洗溶液较粘稠，使用一段时间后，清洗溶液可能会凝固于内槽1431槽口的顶面，设计成锯齿型后，清洗溶液不会堆积于内槽1431槽口的顶面。外槽1432的底面为倾斜的斜坡面，且在斜坡面的坡底部开设有出液口1433。出液口1433与一泵（图中未示）的进液口连接，泵的出液口与槽式清洗槽的内槽1431连接。在泵的出液口与槽式清洗槽的内槽1431之间设置有加热装置（图中未示）。内槽1431中的清洗溶液通过内槽1431的槽口溢出至外槽1432，由于外槽1432的底面为倾斜的斜坡面，外槽1432中的清洗溶液汇集于斜坡面的坡底部，并通过出液口1433、泵及加热装置后再供应至内槽1431，以构成清洗溶液的循环使用。

密封盖144扣合于槽式清洗槽143上，以形成上述密闭空间。如图10和图11所示，密封盖144具有顶壁1441和与顶壁1441连接的两侧壁1442及后壁1443。密封盖144的顶壁1441、两侧壁1442及后壁1443围成一容纳空间以收容晶圆卡盒149。密封盖144的顶壁1441为前高后低的倾斜斜面。密封盖144的后壁1443的底部形成有导流槽1444。工艺处理时，如果槽式清洗槽143的内槽1431内的清洗溶液温度较高，清洗溶液汽化为蒸汽，为了防止蒸汽泄漏，密封盖144扣合于槽式清洗槽143上，且连同密封挡板145形成上述密闭空间。蒸汽上升至密封盖144的顶壁1441后，蒸汽在密封盖144的顶壁1441液化，液化后的清洗溶液沿密封盖144的顶壁1441流至密封盖144的后壁1443后流入导流槽1444，然后清洗溶液从导流槽1444流入槽式清洗槽143的外槽1432，并通过出液口1433、泵及加热装置后再供应至内槽1431，以构成清洗溶液的循环使用。

参阅图12至图14，使用该槽式清洗装置140清洗晶圆时，传送机械手131从晶圆装载端口120处的晶圆盒取出待清洗的晶圆，此时，升降机构147驱动密封盖144上升至工艺所需的高度，翻转机构148驱动晶圆卡盒149翻转，以使晶圆卡盒149水平布置于密封盖144内。然后，传送机械手131通过第一晶圆进出口142将晶圆水平放置于晶圆卡盒149内。放入数片晶圆至晶圆卡盒149后，翻转机构148驱动晶圆卡盒149翻转，以使晶圆卡盒149竖直悬挂于密封盖144下。升降机构147驱动密封盖144下降，槽式清洗槽143、密封盖144及密封挡板145形成密闭空间，悬挂于密封盖144下的晶圆卡盒149收容于槽式清洗槽143的内槽1431，以浸泡清洗晶圆。晶圆清洗完毕后，升降机构147驱动密封盖144上升，打开密闭空间，翻转机构148驱动晶圆卡盒149翻转，以使晶圆卡盒149水平布置于密封盖144内，传送机械手131通过第一晶圆进出口142从晶圆卡盒149内水平取出晶圆。

隔板141的背侧设置有氮气保护装置160，该氮气保护装置160位于第一晶圆进出口142的上方。氮气保护装置160用于向传送机械手131吹氮气，尽量使传送机械手131保持干的状态，以免晶圆粘附在传送机械手131上。

为了提高晶圆清洗装置的使用寿命，本实用新型揭示了槽式清洗装置的又一实施例，如图15所示，在该实施例中，隔板141由外壳141’取代，该外壳141’具有顶壁、底壁、前壁、后壁及两侧壁（其中有一侧壁在图中未显示），外壳141’的顶壁、底壁、前壁、后壁及两侧壁围成了一密闭的收容空间。槽式清洗装置140’的槽式清洗槽143’、密封盖144’、密封挡板145’、支撑架146’、升降机构147’、翻转机构148’及晶圆卡盒均收容于该密闭的收容空间。外壳141’的侧壁开设有排气口1411’，该排气口1411’与排气装置（图中未示）相连，显然，排气口1411’不限于开设在外壳141’的侧壁，例如，外壳141’的后壁也可以开设该排气口1411’。外壳141’的前壁开设有第一晶圆进出口142’。氮气保护装置160’设置在外壳141’的前壁并收容于该密闭的收容空间。氮气保护装置160’位于第一晶圆进出口142’的上方。工艺处理时，氮气保护装置160’一直向第一晶圆进出口142’处吹氮气，通过外壳141’的内外压力差阻止外壳141’内的气体泄漏。通过设置外壳141’，槽式清洗装置140’内清洗溶液和气体不会泄漏至晶圆清洗装置内，因而可以提高晶圆清洗装置的使用寿命。

参阅图16至图18，单片清洗装置150用于单片晶圆的清洗和干燥。单片清洗装置150开设有用于传送晶圆的第二晶圆进出口151。单片清洗装置150的顶部设置有风机过滤器机组（FFU）152。单片清洗装置150的底部开设有排气口（图中未示）。单片清洗装置150是一个完全密封的装置，单片清洗装置150内的气体只能通过排气口排出。为了实现单片清洗装置150的完全密封性，本实用新型使用了大量密封圈以密封单片清洗装置150，例如，单片清洗装置150具有架体153及安装于架体153上的架板154，架体153与架板154的安装处设置有密封圈155。单片清洗装置150内设置有超/兆声波装置，可以对单片清洗装置150内的晶圆进行超/兆声波清洗。单片清洗装置150内的清洗溶液可以为TMAH、NMP、IPA、DIW或丙酮等。

本实用新型在槽式清洗装置140和单片清洗装置150内分别设有火焰探测器和灭火器喷头，目的是保证槽式清洗装置140和单片清洗装置150的安全性。

为了保证槽式清洗装置140/140’和单片清洗装置150的密封性，本实用新型分别在第一晶圆进出口142/142’及第二晶圆进出口151处设置有感应门，只有当传送机械手131需要通过第一晶圆进出口142/142’或第二晶圆进出口151取放晶圆时，感应门才打开，其余时间段，感应门关闭。

本实用新型晶圆清洗装置清洗晶圆的过程如下：传送机械手131从晶圆装载端口120处的晶圆盒取出待清洗的晶圆，此时，升降机构147驱动密封盖144上升至工艺所需的高度，翻转机构148驱动晶圆卡盒149翻转，以使晶圆卡盒149水平布置于密封盖144内。然后，传送机械手131通过第一晶圆进出口142将晶圆水平放置于晶圆卡盒149内。放入数片晶圆至晶圆卡盒149后，翻转机构148驱动晶圆卡盒149翻转，以使晶圆卡盒149竖直悬挂于密封盖144下。升降机构147驱动密封盖144下降，槽式清洗槽143、密封盖144及密封挡板145形成密闭空间，悬挂于密封盖144下的晶圆卡盒149收容于槽式清洗槽143的内槽1431，以浸泡清洗晶圆。晶圆清洗完毕后，升降机构147驱动密封盖144上升，打开密闭空间，翻转机构148驱动晶圆卡盒149翻转，以使晶圆卡盒149水平布置于密封盖144内，传送机械手131通过第一晶圆进出口142从晶圆卡盒149内水平取出晶圆。然后，传送机械手131通过第二晶圆进出口151将晶圆放入单片清洗装置150内进行清洗和干燥。晶圆在单片清洗装置150内清洗和干燥后，传送机械手131通过第二晶圆进出口151从单片清洗装置150内取出晶圆并将晶圆放回至晶圆装载端口120处的晶圆盒。

为了提高单片晶圆的处理效率，通常设置有两个或两个以上单片清洗装置150，在本实用新型中，设置有两个单片清洗装置150，该两个单片清洗装置150层叠设置于主体框架110内。将晶圆放入顶层的单片清洗装置150或从顶层的单片清洗装置150内取出晶圆时，机械手驱动装置134驱动支架板135沿支座136垂直上升，从而带动机械手安装台133垂直上升，使传送机械手131与顶层的单片清洗装置150的第二晶圆进出口151位于相同的高度。将晶圆放入底层的单片清洗装置150或从底层的单片清洗装置150内取出晶圆时，机械手驱动装置134驱动支架板135沿支座136垂直下降，从而带动机械手安装台133垂直下降，使传送机械手131与底层的单片清洗装置150的第二晶圆进出口151位于相同的高度。

本实用新型晶圆清洗装置通过将槽式清洗装置140和单片清洗装置150集成于主体框架110内，由一套晶圆传送装置130完成晶圆的传送，缩短了晶圆清洗工艺周期，降低了生产成本，且集成于一套装置后占用空间缩小。

综上所述，本实用新型晶圆清洗装置通过上述实施方式及相关图式说明，己具体、详实的揭露了相关技术，使本领域的技术人员可以据以实施。而以上所述实施例只是用来说明本实用新型，而不是用来限制本实用新型的，本实用新型的权利范围，应由本实用新型的权利要求来界定。至于本文中所述元件数目的改变或等效元件的代替等仍都应属于本实用新型的权利范围。

Claims (20)

1.一种晶圆清洗装置，其特征在于，包括：主体框架、晶圆装载端口、晶圆传送装置、槽式清洗装置及单片清洗装置，所述晶圆装载端口设置于主体框架的外侧端，所述晶圆传送装置、槽式清洗装置及单片清洗装置设置于主体框架内，其中，

所述晶圆装载端口接收和放置晶圆盒，晶圆盒存放晶圆；

所述槽式清洗装置开设有传送晶圆的第一晶圆进出口，槽式清洗装置浸泡清洗一片或多片晶圆；

所述单片清洗装置开设有传送晶圆的第二晶圆进出口，单片清洗装置清洗和干燥单片晶圆；

所述晶圆传送装置在晶圆装载端口的晶圆盒、槽式清洗装置及单片清洗装置之间传送晶圆。

2.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆传送装置包括至少一传送机械手、溶液接收器及机械手安装台，所述传送机械手和溶液接收器装配在机械手安装台上，溶液接收器位于传送机械手的下方，溶液接收器接收从传送机械手上滴落的溶液。

3.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述溶液接收器呈漏斗形，溶液接收器的底部开设有排液口，溶液接收器内的溶液从排液口排出。

4.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述传送机械手上承载晶圆的一面开设有凹槽，凹槽内开设有数个通孔。

5.根据权利要求4所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述传送机械手上承载晶圆的一面设置有数个凸起，凸起托起晶圆。

6.根据权利要求2所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述晶圆传送装置还包括机械手驱动装置、支架板及支座，所述机械手安装台装配在支架板上，机械手驱动装置驱动支架板沿支座垂直上升或下降。

7.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述槽式清洗装置包括槽式清洗槽、密封盖、密封挡板、支撑架、升降机构、翻转机构及晶圆卡盒，所述槽式清洗槽、密封盖及密封挡板形成一密闭空间，所述密封挡板固定安装在槽式清洗槽上，所述升降机构安装在支撑架上，升降机构与密封盖连接，升降机构驱动密封盖上升或下降，打开或闭合该密闭空间，所述晶圆卡盒装配在密封盖上，所述翻转机构驱动晶圆卡盒翻转，晶圆卡盒水平布置于密封盖内或竖直悬挂于密封盖下。

8.根据权利要求7所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述槽式清洗槽具有内槽和外槽，所述晶圆卡盒收容于内槽浸泡清洗一片或多片晶圆，内槽槽口呈锯齿型。

9.根据权利要求8所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述槽式清洗槽的外槽的底面为倾斜的斜坡面，且在斜坡面的坡底部开设有出液口。

10.根据权利要求9所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述槽式清洗槽的外槽的出液口与一泵的进液口连接，泵的出液口与槽式清洗槽的内槽连接。

11.根据权利要求10所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述泵的出液口与槽式清洗槽的内槽之间设置有加热装置。

12.根据权利要求7所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述密封盖扣合于槽式清洗槽上形成所述密闭空间，密封盖具有顶壁、两侧壁及后壁，顶壁为前高后低的倾斜的斜面，后壁的底部形成有导流槽。

13.根据权利要求7所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述槽式清洗装置还包括隔板，所述晶圆传送装置设置于隔板的前侧，所述槽式清洗槽、密封盖、密封挡板、支撑架、升降机构、翻转机构及晶圆卡盒设置于隔板的背侧，所述第一晶圆进出口开设于隔板上。

14.根据权利要求7所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述槽式清洗装置还包括外壳，所述外壳的顶壁、底壁、前壁、后壁及两侧壁围成了一密闭的收容空间，所述槽式清洗槽、密封盖、密封挡板、支撑架、升降机构、翻转机构及晶圆卡盒均收容于该密闭的收容空间，所述外壳开设有排气口及所述第一晶圆进出口。

15.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，还包括氮气保护装置，所述氮气保护装置设置在槽式清洗装置内且位于槽式清洗装置的第一晶圆进出口的上方。

16.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述单片清洗装置是一个完全密封的装置，所述单片清洗装置设置有风机过滤器机组并开设有排气口，单片清洗装置内的气体仅能够通过单片清洗装置的排气口排出。

17.根据权利要求16所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述单片清洗装置具有架体及安装于架体上的架板，架体与架板的安装处设有密封圈。

18.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述单片清洗装置内设置有超/兆声波装置。

19.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述第一晶圆进出口及第二晶圆进出口处分别设置有感应门。

20.根据权利要求1所述的晶圆清洗装置，其特征在于，所述槽式清洗装置及单片清洗装置内分别设有火焰探测器和灭火器喷头。

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