TWI829327B - 基板處理裝置 - Google Patents

基板處理裝置 Download PDF

Info

Publication number
TWI829327B
TWI829327B TW111133521A TW111133521A TWI829327B TW I829327 B TWI829327 B TW I829327B TW 111133521 A TW111133521 A TW 111133521A TW 111133521 A TW111133521 A TW 111133521A TW I829327 B TWI829327 B TW I829327B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
phosphoric acid
acid solution
tank
mentioned
temperature
Prior art date
Application number
TW111133521A
Other languages
English (en)
Other versions
TW202316544A (zh
Inventor
高橋朋宏
內田博章
岸田拓也
杉岡真治
Original Assignee
日商斯庫林集團股份有限公司
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by 日商斯庫林集團股份有限公司 filed Critical 日商斯庫林集團股份有限公司
Publication of TW202316544A publication Critical patent/TW202316544A/zh
Application granted granted Critical
Publication of TWI829327B publication Critical patent/TWI829327B/zh

Links

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Weting (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Cleaning Or Drying Semiconductors (AREA)

Abstract

本發明係關於一種基板處理裝置。於作為第1循環配管35之一部分之濃縮用配管39,設置有具有石英管47之石英加熱器41。第1迂迴配管36之兩端36A、36B連接於濃縮用配管39之上游端及下游端。於第1迂迴配管36,設置有具有非石英管51之非石英加熱器45。控制部93於將第1槽T1內之磷酸溶液濃縮時,一面將磷酸溶液輸送至濃縮用配管39,一面使用石英加熱器41將通過濃縮用配管39之磷酸溶液加熱。控制部93於第1槽T1內之磷酸溶液之濃縮完成時,一面將磷酸溶液輸送至第1迂迴配管36,一面使用非石英加熱器45將通過第1迂迴配管36之磷酸溶液加熱。

Description

基板處理裝置
本發明係關於一種處理基板之基板處理裝置。基板例如可例舉半導體基板、FPD(Flat Panel Display,平板顯示器)用基板、光罩用玻璃基板、光碟用基板、磁碟用基板、陶瓷基板、太陽電池用基板等。FPD例如可例舉液晶顯示裝置、有機EL(electroluminescence,電致發光)顯示裝置等。
以往之基板處理裝置具備處理槽、外槽及循環管線(例如參照專利文獻1)。處理槽貯存磷酸溶液。基板藉由浸漬於處理槽內之磷酸溶液中而被處理。外槽設置於處理槽之外周,接收從處理槽溢出之磷酸溶液。循環管線構成為使從外槽排出之磷酸溶液返回至處理槽。循環管線設置有循環泵及調溫器。
又,基板處理裝置具備預調溫單元。預調溫單元具備貯存磷酸溶液(處理液)之容器。對該容器從藥液供給源供給磷酸(磷酸溶液),或供給純水。供給至容器內之磷酸溶液一面循環,一面被進行溫度調節。之後,進行了溫度調節之磷酸溶液經由外槽及循環管線被供給至處理槽。
且說,例如存在一種3D-NAND(Three dimensional NOT-AND,三維反及)器件作為非易失性記憶體。於該器件之製造工序中,於基板上形成氮化矽膜與氧化矽膜交替地積層而得之構造。然後,使用磷酸溶液來選擇性地蝕刻氮化矽膜。
藉由向磷酸溶液中添加矽,相比氧化矽膜而言,可提高磷酸溶液對氮化矽膜之蝕刻速率。換言之,於磷酸溶液之矽濃度處於適當範圍內之情形時,磷酸溶液對氧化矽膜之蝕刻速率被確保充分低於氮化矽膜之蝕刻速率。其結果,基板上之氮化矽膜被選擇性地蝕刻(例如參照專利文獻2、3)。 [專利技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本專利特開2018-050001號公報 [專利文獻2] 日本專利特開2020-088003號公報 [專利文獻3] 日本專利特開2015-177139號公報
[發明所欲解決之問題]
但是,以往之基板處理裝置存在以下問題。從預調溫單元供給之磷酸溶液之矽濃度被假設為0(零)ppm或接近0 ppm之濃度。但是,發明者確認到從預調溫單元供給之磷酸溶液之矽濃度超過假設,為高濃度。基板處理裝置係基於磷酸溶液之矽濃度為0 ppm或接近0 ppm之濃度這一前提將磷酸溶液供給至處理部(例如處理槽)。儘管如此,當實際上矽濃度較高時,例如會從預調溫單元持續供給較假設量更多之磷酸溶液等,從而對處理產生影響。
本發明係鑒於上述情況而完成,目的在於提供一種能夠防止供給至處理部之磷酸溶液之矽濃度為高濃度之基板處理裝置。 [解決問題之技術手段]
為了解決上述問題,發明者努力研究後獲得如下見解:矽從加熱器之石英零件溶出係導致矽濃度上升之原因。
基於上述見解得到之本發明採用如下構成。即,本發明之基板處理裝置之特徵在於具備:處理部,其具有貯存磷酸溶液以浸漬基板之處理槽;槽,其貯存上述磷酸溶液;供給流路,其用於將上述槽內之上述磷酸溶液輸送至上述處理部;循環流路,其兩端連接於上述槽,用於使從上述槽內流入之上述磷酸溶液返回至上述槽;泵,其設置於上述循環流路;石英加熱器,其設置於作為上述循環流路之一部分之濃縮用流路,具有由石英形成且用於供上述磷酸溶液通過之石英管;迂迴流路,其兩端連接於上述濃縮用流路之上游端及下游端;非石英加熱器,其設置於上述迂迴流路,具有並非由石英形成且用於供上述磷酸溶液通過之非石英管;及控制部;上述控制部於將上述槽內之上述磷酸溶液濃縮時,一面對上述濃縮用流路輸送上述磷酸溶液,一面使用上述石英加熱器將通過上述濃縮用流路之上述磷酸溶液加熱;上述控制部於上述槽內之上述磷酸溶液之濃縮完成時,一面將上述磷酸溶液輸送至上述迂迴流路,一面使用上述非石英加熱器將通過上述迂迴流路之上述磷酸溶液加熱,藉此維持上述槽內之上述磷酸溶液之溫度。
根據本發明之基板處理裝置,於作為循環流路之一部分之濃縮用流路,設置有石英加熱器,於使石英加熱器迂迴之迂迴流路,設置有非石英加熱器。於將槽內之磷酸溶液濃縮時,使用石英加熱器將通過濃縮用流路之磷酸溶液加熱。於槽內之磷酸溶液之濃縮完成,而維持槽內之磷酸溶液之溫度時,使用非石英加熱器將通過迂迴流路之磷酸溶液加熱。於使用非石英加熱器之情形時,能防止矽溶出至磷酸溶液中,整體上來看,矽向磷酸溶液中之溶出變少。因此,能夠防止供給至處理部之磷酸溶液之矽濃度為高濃度。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為進而具備測定上述槽內之上述磷酸溶液之濃度之磷酸濃度感測器,上述控制部於利用上述磷酸濃度感測器測得之濃度值小於預先設定之閾值時,將上述槽內之上述磷酸溶液濃縮,上述控制部於利用上述磷酸濃度感測器測得之濃度值為上述閾值以上時,判斷上述槽內之上述磷酸溶液之濃縮完成,而維持上述槽內之上述磷酸溶液之溫度。藉此,能夠基於利用磷酸濃度感測器測得之濃度值,於石英加熱器之加熱與非石英加熱器之加熱之間切換。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為上述控制部於將上述槽內之上述磷酸溶液濃縮時,以上述槽內之上述磷酸溶液之溫度成為預先設定之第1溫度之方式,使用上述石英加熱器將通過上述濃縮用流路之上述磷酸溶液加熱;上述控制部於維持上述槽內之上述磷酸溶液之溫度時,以上述槽內之上述磷酸溶液之溫度成為較上述第1溫度低之第2溫度之方式,使用上述非石英加熱器將通過上述迂迴流路之上述磷酸溶液加熱。藉此,能夠抑制非石英加熱器之輸出。因此,能夠防止非石英管受到損害。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為上述第1溫度為上述磷酸溶液之沸點以上。若第1溫度為磷酸溶液之沸點以上,則能夠進一步促進濃縮。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為上述第2溫度為100℃以上,且未達上述磷酸溶液之沸點。當磷酸溶液之溫度未達100℃時,磷酸溶液會吸濕。藉由使磷酸溶液之溫度為100℃以上,而防止磷酸溶液吸濕。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為具備供給流路用加熱器,該供給流路用加熱器設置於上述供給流路,將通過上述供給流路之上述磷酸溶液加熱。於通過供給路徑供給至處理部之磷酸溶液之溫度低於處理部之處理槽內之磷酸溶液之溫度之情形時,能夠抑制溫度差。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為進而具備氣泡供給部,上述氣泡供給部配置於上述槽內之底壁側,且具有多個孔,構成為從上述多個孔對上述槽內供給氣泡。藉此,能夠促進磷酸溶液之濃縮。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為於進行使基板浸漬於上述處理槽之基板處理時,上述控制部通過上述供給流路對上述處理部供給上述磷酸溶液。藉此,緩緩地進行處理槽之磷酸溶液之更換,因而能夠抑制處理槽等內之磷酸溶液之矽濃度之上升。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為於進行使基板浸漬於上述處理槽之基板處理時,上述控制部一面將上述處理槽內之上述磷酸溶液之一部分排出,一面通過上述供給流路將上述磷酸溶液供給至上述處理部。藉此,處理槽內之磷酸溶液局部被替換,因而能夠使磷酸溶液之矽濃度值相對大幅地下降。
又,於上述基板處理裝置中,上述非石英管之一例係由氟系樹脂形成之氟系樹脂管。能夠防止矽從加熱器零件溶出至磷酸溶液中。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為具備:第2槽,其介置於用於從上述槽向上述處理部輸送磷酸溶液之供給流路,貯存從上述槽輸送來之上述磷酸溶液;第2循環流路,其兩端連接於上述第2槽,用於使從上述第2槽內流入之上述磷酸溶液返回至上述第2槽;第2泵,其設置於上述第2循環流路;第2石英加熱器,其設置於作為上述第2循環流路之一部分之第2濃縮用流路,具有由石英形成且用於供上述磷酸溶液通過之第2石英管;第2迂迴流路,其兩端連接於上述第2濃縮用流路之上游端及下游端;及第2非石英加熱器,其設置於上述第2迂迴流路,具有並非由石英形成且用於供上述磷酸溶液通過之第2非石英管;且上述控制部於將上述第2槽內之上述磷酸溶液濃縮時,一面將上述磷酸溶液輸送至上述第2濃縮用流路,一面使用上述第2石英加熱器將通過上述第2濃縮用流路之上述磷酸溶液加熱;上述控制部於上述第2槽內之上述磷酸溶液之濃縮完成時,一面將上述磷酸溶液輸送至上述第2迂迴流路,一面使用上述第2非石英加熱器將通過上述第2迂迴流路之上述磷酸溶液加熱,藉此維持上述第2槽內之上述磷酸溶液之溫度。
於第2槽內之磷酸溶液之濃縮完成,而維持第2槽內之磷酸溶液之溫度時,使用第2非石英加熱器將通過第2迂迴流路之磷酸溶液加熱。於使用第2非石英加熱器之情形時,能防止矽溶出至磷酸溶液中,整體上來看,矽向磷酸溶液中之溶出變少。因此,能夠防止供給至處理部之磷酸溶液之矽濃度成為高濃度。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為具備:第2槽,其介置於用於從上述槽向上述處理部輸送磷酸溶液之供給流路,貯存從上述槽輸送來之上述磷酸溶液;第2循環流路,其兩端連接於上述第2槽,用於使從上述第2槽內流入之磷酸溶液返回至上述第2槽;第2泵,其設置於上述第2循環流路;及第2石英加熱器,其設置於上述第2循環流路,具有由石英形成且用於供上述磷酸溶液通過之第2石英管;且上述控制部於將上述槽內之上述磷酸溶液濃縮時,以上述槽內之上述磷酸溶液之溫度成為預先設定之第1溫度之方式,使用上述石英加熱器將通過上述濃縮用流路之上述磷酸溶液加熱;上述控制部為了維持上述磷酸溶液之濃度,以上述第2槽內之上述磷酸溶液之溫度成為較上述第1溫度低之第2溫度之方式,使用上述第2石英加熱器將通過上述第2循環流路之上述磷酸溶液加熱,藉此維持上述第2槽內之上述磷酸溶液之溫度。
又,於上述基板處理裝置中,較佳為具備:第2槽,其介置於用於從上述槽向上述處理部輸送磷酸溶液之供給流路,貯存從上述槽輸送來之上述磷酸溶液;第2循環流路,其兩端連接於上述第2槽,用於使從上述第2槽內流入之磷酸溶液返回至上述第2槽;第2泵,其設置於上述第2循環流路;及第2石英加熱器,其設置於上述第2循環流路,具有由石英形成且用於供上述磷酸溶液通過之第2石英管;且上述控制部於將上述第2槽內之上述磷酸溶液濃縮時,以上述第2槽內之上述磷酸溶液之溫度成為預先設定之第1溫度之方式,使用上述第2石英加熱器將通過上述第2循環流路之上述磷酸溶液加熱;上述控制部於上述第2槽內之上述磷酸溶液之濃縮完成時,以上述第2槽內之上述磷酸溶液之溫度成為較上述第1溫度低之第2溫度之方式,使用上述第2石英加熱器將通過上述第2循環流路之上述磷酸溶液加熱。
於磷酸溶液之濃縮完成後,以較磷酸溶液濃縮時所設定之第1溫度低之第2溫度維持磷酸溶液之溫度。藉由使第2石英加熱器之加熱溫度下降,能夠抑制矽從第2石英加熱器之第2石英管溶出。因此,整體上來看,矽向磷酸溶液中之溶出變少。因此,能夠防止供給至處理部之磷酸溶液之矽濃度變為高濃度。
又,本發明之基板處理裝置之特徵在於具備:處理部,其具有貯存磷酸溶液以浸漬基板之處理槽;槽,其貯存上述磷酸溶液;供給流路,其用於將上述槽內之上述磷酸溶液輸送至上述處理部;循環流路,其兩端連接於上述槽,用於使從上述槽內流入之上述磷酸溶液返回至上述槽;泵,其設置於上述循環流路;石英加熱器,其設置於上述循環流路,具有由石英形成且供上述磷酸溶液通過之石英管;及控制部;且上述控制部於將上述槽內之上述磷酸溶液濃縮時,以上述槽內之上述磷酸溶液之溫度成為預先設定之第1溫度之方式,使用上述石英加熱器將通過上述循環流路之上述磷酸溶液加熱;上述控制部於上述槽內之上述磷酸溶液之濃縮完成時,以上述槽內之上述磷酸溶液之溫度成為較上述第1溫度低之第2溫度之方式,使用上述石英加熱器將通過上述循環流路之上述磷酸溶液加熱。
根據本發明之基板處理裝置,於將槽內之磷酸溶液濃縮時,以槽內之磷酸溶液之溫度成為第1溫度之方式,使用石英加熱器將通過循環流路之磷酸溶液加熱。於槽內之磷酸溶液之濃縮完成而維持槽內之磷酸溶液之溫度時,以槽內之磷酸溶液之溫度成為較第1溫度低之第2溫度之方式,使用石英加熱器將通過循環流路之磷酸溶液加熱。雖然使用了石英加熱器,但通過升溫至較第1溫度低之第2溫度,相比第1溫度而言於第2溫度下矽向磷酸溶液之溶出變少。因此,能夠防止供給至處理部之磷酸溶液之矽濃度成為高濃度。 [發明之效果]
根據本發明之基板處理裝置,能夠防止供給至處理部之磷酸溶液之矽濃度為高濃度。
[實施例1]
以下,參照圖式對本發明之實施例1進行說明。圖1係表示基板處理裝置1之圖。圖2係表示處理部2A(2B/2C)之圖。
(1)基板處理裝置1之構成 參照圖1。基板處理裝置1係總括地對多個(例如50片)基板W進行處理之分批式裝置。基板處理裝置1具備3個處理部2A、2B、2C、及預調溫單元4。再者,處理部之個數不限於3個。
對處理部2A之構成進行說明。2個處理部2B、2C分別以與處理部2A相同之方式構成。參照圖2。處理部2A具備處理槽6、外槽7、槽用加熱器8、處理部循環流路9及升降器(基板保持部)11。
處理槽6係貯存磷酸溶液之容器。磷酸溶液係包含磷酸與純水之溶液。外槽7設置於處理槽6之周圍。外槽7係接收從處理槽6溢出之磷酸溶液之容器。外槽7連接有排出管14。當外槽7內之磷酸溶液之水面高度達到排出管14之入口14A之高度以上時,外槽7內之磷酸溶液會流出至排出管14。
槽用加熱器8設置於處理槽6及外槽7之外壁。槽用加熱器8從處理槽6及外槽7之外側對處理槽6及外槽7內之磷酸溶液進行加熱。槽用加熱器8及下述加熱器19以處理槽6內之磷酸溶液之溫度達到預先設定之溫度(例如160℃)之方式,對磷酸溶液進行加熱。
處理部循環流路9例如包含配管。處理部循環流路9將外槽7與處理槽6連接。具體而言,處理部循環流路9將外槽7之底部與設置於處理槽6之底部之噴出管15連接。噴出管15具有噴出磷酸溶液之噴出口。處理部循環流路9使從外槽7流入之磷酸溶液經由噴出管15返回至處理槽6。又,於處理部循環流路9,從外槽7側依序設置有泵17、加熱器19、過濾器21及矽濃度感測器23。
泵17輸送處理部循環流路9內之磷酸溶液。加熱器19對通過處理部循環流路9之磷酸溶液進行加熱。過濾器21從返回至處理槽6之磷酸溶液中去除顆粒。矽濃度感測器23對通過處理部循環流路9之磷酸溶液之矽濃度進行測定。
升降器11將作為處理對象之多個基板W等間隔地保持為立起姿勢。升降器11具備背板11A、及固定於背板11A之下部之多個(3根)支撐部11B。支撐部11B構成為相互平行,且沿水平方向延伸。支撐部11B保持多個基板W。
又,處理部2A具備多個氣泡供給管25、氣體供給源27、供給配管28及開閉閥V21。各氣泡供給管25設置於處理槽6之底部或其附近。各氣泡供給管25具有多個孔,從該等多個孔向磷酸溶液中供給氣泡。藉此,氣泡進入2片基板W間,促進2片基板W間之磷酸溶液之置換。來自氣體供給源27之氣體(氮氣等惰性氣體)通過供給配管28被輸送至多個氣泡供給管25。開閉閥V21執行氣體之供給及其停止。
又,處理槽6之底部連接有排出管30。排出管30設置有開閉閥V22。排出管30供排出處理槽6內之磷酸溶液。開閉閥V22執行磷酸溶液之排出及其停止。
處理部2A具備對處理槽6內之磷酸溶液之溫度進行測定之溫度感測器TS11。處理部2A控制槽用加熱器8及加熱器19,以使利用溫度感測器TS11測得之溫度成為預先設定之溫度(160℃)。再者,亦可構成為對處理槽6直接供給未經濃縮之磷酸溶液及純水(DIW:deionized water)之至少一者。又,處理部2A亦可具備磷酸濃度感測器,該磷酸濃度感測器測定處理槽6、外槽7或處理部循環流路9內磷酸溶液中之磷酸濃度。
(1-1)預調溫單元4之構成 返回至圖1。預調溫單元4對各處理部2A、2B、2C供給磷酸溶液。預調溫單元4具備預循環部分31及主循環部分33。通常,市面上流通之磷酸溶液於室溫下磷酸濃度為85%。預循環部分31對磷酸濃度為85%之磷酸溶液進行加熱。藉此,磷酸溶液之水分被吹散,磷酸濃度被濃縮為88~89%。主循環部分33使磷酸濃度及磷酸溶液之溫度穩定。首先,對預循環部分31之構成進行說明。
預循環部分31具備第1槽T1、第1循環配管35、第1迂迴配管36及第1供給配管37。再者,第1循環配管35相當於本發明之循環流路。第1迂迴配管36相當於本發明之迂迴流路。
第1槽T1係貯存磷酸溶液之容器。再者,第1槽T1及下述第2槽T2構成為可脫氣。第1槽T1具備出口OL1及入口IL1。出口OL1設置於第1槽T1之底部,入口IL1設置於第1槽T1之頂壁。
第1循環配管35之兩端35A、35B連接於第1槽T1。具體而言,第1循環配管35之第1端35A連接於第1槽T1之出口OL1,第1循環配管35之第2端35B連接於第1槽T1之入口IL1。第1循環配管35係用於使從第1槽T1內流入之磷酸溶液返回至第1槽T1之配管。
濃縮用配管39係第1循環配管35之一部分。濃縮用配管39設置有串聯配置之2個石英加熱器41(41A、41B)。出口OL1與石英加熱器41A之間之第1循環配管35設置有第1泵43。第1泵43輸送磷酸溶液。
第1迂迴配管36使2個石英加熱器41迂迴。第1迂迴配管36之第1端36A連接於第1泵43與石英加熱器41A之間之第1循環配管35。又,第1迂迴配管36之第2端36B連接於石英加熱器41B與下述分支管35C之間之第1循環配管35。第1端36A與第2端36B之間之第1循環配管35為濃縮用配管39。因此,第1迂迴配管36之兩端36A、36B連接於濃縮用配管39之上游端及下游端。
第1迂迴配管36設置有非石英加熱器45。此處,參照圖3(a)、圖3(b),對石英加熱器41與非石英加熱器45之構成進行說明。圖3(a)係表示石英加熱器41之圖。石英加熱器41具備石英管47及加熱器主體49。石英管47配置於濃縮用配管39之中途。石英管47供磷酸溶液通過。石英管47由石英形成。於石英管47之外周,設置有中空筒狀之加熱器主體49。加熱器主體49及下述加熱器主體53例如由具有鎳鉻合金線之電熱器構成。石英加熱器41將通過濃縮用配管39(具體為石英管47)之磷酸溶液加熱。
圖3(b)係表示非石英加熱器45之圖。非石英加熱器45具備非石英管51及加熱器主體53。非石英管51配置於第1迂迴配管36之中途。非石英管51供磷酸溶液通過。非石英管51並非由石英形成。即,非石英管51例如由PFA(全氟烷氧基烷烴:perfluoroalkoxyalkane)或、PTFE(聚四氟乙烯:polytetrafluoroethylene)等氟系樹脂形成。因此,非石英管51為氟系樹脂管。藉此,能夠防止矽從加熱器零件溶出至磷酸溶液中。於非石英管51之外周,設置有中空筒狀之加熱器主體53。非石英加熱器45將通過第1迂迴配管36(具體為非石英管51)之磷酸溶液加熱。
再者,濃縮用配管39相當於本發明之濃縮用流路。石英加熱器41相當於本發明之石英加熱器。石英管47相當於本發明之石英管。非石英加熱器45相當於本發明之非石英加熱器。非石英管51相當於本發明之非石英加熱器。
返回至圖1。石英加熱器41B與入口IL1之間之第1循環配管35設置有分支管35C。第1供給配管37係用於將磷酸溶液從第1槽T1輸送至主循環部分33之第2槽T2之配管。第1供給配管37之第1端連接於分支管35C。第1供給配管37之第2端插入至第2槽T2中,且配置於第2槽T2內之底壁附近。
又,預調溫單元4具備磷酸供給源55、配管56、泵57及開閉閥V1。磷酸供給源55例如由容器構成。配管56之第1端連接於磷酸供給源55。配管56之第2端插入至第1槽T1,且配置於第1槽T1之底壁附近。將於室溫下磷酸濃度為85%之硫酸溶液從磷酸供給源55供給至第1槽T1。配管56設置有輸送磷酸溶液之泵57、及開閉閥V1。開閉閥V1執行磷酸溶液之供給及其停止。
又,預調溫單元4具備純水供給源59、2根配管61、62、泵64及2個開閉閥V2、V3。純水供給源59例如由容器構成。配管61之第1端連接於純水供給源59。配管61之第2端插入至第1槽T1中,且配置於第1槽T1之底壁附近。配管61設置有輸送純水(DIW;deionized water)之泵64、及開閉閥V2。泵64與開閉閥V2之間之配管61設置有分支管65。配管62之第1端連接於分支管65。配管62之第2端插入至第2槽T2中,且配置於第2槽T2之底壁附近。於配管62設置有開閉閥V3。開閉閥V2執行對第1槽T1之純水之供給及其停止。開閉閥V3執行對第2槽T2之純水之供給及其停止。
又,預循環部分31具備4個開閉閥V4、V5、V6、V7。開閉閥V4設置於第1迂迴配管36之第1端36A與石英加熱器41A之間之濃縮用配管39。開閉閥V5設置於第1端36A與非石英加熱器45之間之第1迂迴配管36。開閉閥V6設置於分支管35C與入口IL1之間之第1循環配管35。開閉閥V7設置於第1供給配管37。
預循環部分31使開閉閥V4、V6為打開狀態,且使開閉閥V5、V7為關閉狀態,並且使第1泵43驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL1、第1泵43、「2個石英加熱器41」、分支管35C、入口IL1之順序循環。又,預循環部分31使開閉閥V5、V6為打開狀態,且使開閉閥V4、V7為關閉狀態,並且使第1泵43驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL1、第1泵43、「非石英加熱器45」、分支管35C、入口IL1之順序循環。預循環部分31使開閉閥V5、V7為打開狀態,且使開閉閥V4、V6為關閉狀態,並且驅動第1泵43。藉此,使磷酸溶液按照出口OL1、第1泵43、非石英加熱器45、分支管35C、第1供給配管37、「第2槽T2」之順序流動。
再者,於對第2槽T2供給磷酸溶液之情形時,亦可使磷酸溶液通過設置有2個石英加熱器41之濃縮用配管39。即,預循環部分31亦可使開閉閥V4、V7為打開狀態,且使開閉閥V5、V6為關閉狀態,並且使第1泵43驅動。
又,預循環部分31具備氣泡供給部67、氣體供給源69、供給配管71及開閉閥V8。氣泡供給部67例如由多個管構成。氣泡供給部67具有向第1槽T1內之磷酸溶液中供給氣泡之多個孔。氣泡供給部67配置於第1槽T1內之底壁側。氣體供給源69例如由容器構成。從氣體供給源69供給之氣體(例如氮氣等惰性氣體)經由供給配管71而輸送至氣泡供給部67。開閉閥V8執行來自氣泡供給部67之氣泡之供給及其停止。
又,預循環部分31具備溫度感測器TS1、磷酸濃度感測器PS1、液面感測器LS1。溫度感測器TS1測定第1槽T1內之磷酸溶液之溫度。磷酸濃度感測器PS1測定第1槽T1內之磷酸溶液之磷酸濃度。磷酸濃度感測器PS1具備檢測管74及壓力感測器75。壓力感測器75對被供給一定流量之惰性氣體(例如氮氣)之檢測管74內的惰性氣體之壓力進行測定。磷酸濃度感測器PS1基於壓力與比重之相關關係及比重與濃度之相關關係,根據測量出之壓力而算出磷酸濃度。液面感測器LS1檢測第1槽T1內之磷酸溶液之液面高度。
其次,對主循環部分33進行說明。主循環部分33具備第2槽T2、第2循環配管77、第2迂迴配管78及3根第2供給配管80、81、82。第2槽T2係貯存磷酸溶液之容器。第2槽T2介置於用於從第1槽T1向例如處理部2A輸送磷酸溶液之第1供給配管37與例如第2供給配管80,貯存從第1槽T1輸送之磷酸溶液。第2槽T2具備出口OL2及入口IL2。出口OL2設置於第2槽T2之底部,入口IL2設置於第2槽T2之頂壁。
第2循環配管77之兩端77A、77B連接於第2槽T2。具體而言,第2循環配管77之第1端77A連接於第2槽T2之出口OL2,第2循環配管77之第2端77B連接於第2槽T2之入口IL2。第2循環配管77係用於使從第2槽T2內流入之磷酸溶液返回至第2槽T2之配管。
濃縮用配管85係第2循環配管77之一部分。濃縮用配管85設置有石英加熱器87。石英加熱器87以與圖3(a)所示之石英加熱器41相同之方式構成。於出口OL2與石英加熱器87之間之第2循環配管77,設置有第2泵89。
第2迂迴配管78使石英加熱器87迂迴。第2迂迴配管78之第1端78A連接於第2泵89與石英加熱器87之間之第2循環配管77。又,第2迂迴配管78之第2端78B連接於石英加熱器87與下述分支管77C之間之第2循環配管77。第1端78A與第2端78B之間之第2循環配管77為濃縮用配管85。因此,第2迂迴配管78之兩端78A、78B連接於濃縮用配管85之上游端及下游端。於第2迂迴配管78設置有非石英加熱器91。非石英加熱器91以與圖3(b)所示之非石英加熱器45相同之方式構成。
再者,第2循環配管77相當於本發明之第2循環流路。第2迂迴配管78相當於本發明之第2迂迴流路。濃縮用配管85相當於本發明之第2濃縮用流路。石英加熱器87相當於本發明之第2石英加熱器。石英加熱器87所具有之石英管47(參照圖3(a))係本發明之第2石英管。非石英加熱器91相當於本發明之第2非石英加熱器。非石英加熱器91所具有之非石英管51(參照圖3(b))係本發明之第2非石英管。
3個分支管77C、77D、77E設置於石英加熱器87與入口IL2之間之第2循環配管77。3根第2供給配管80、81、82分別為用於將磷酸溶液從第2槽T2輸送至3個處理部2A、2B、2C之配管。第2供給配管80之第1端連接於分支管77C。第2供給配管80之第2端80B配置於處理部2A之處理槽6之例如上方,以便對處理部2A之處理槽6供給磷酸溶液。
同樣,第2供給配管81之第1端連接於分支管77D。第2供給配管81之第2端81B配置於處理部2B之處理槽6之例如上方,以便對處理部2B之處理槽6供給磷酸溶液。第2供給配管82之第1端連接於分支管77E。第2供給配管82之第2端82B配置於處理部2C之處理槽6之例如上方。
再者,第1供給配管37及第2供給配管80~82分別相當於本發明之供給流路。本發明之供給流路係用於將第1槽T1內之磷酸溶液選擇性地輸送至處理部2A、2B、2C之流路。
主循環部分33具備6個開閉閥V9、V10、V11、V12、V13、V14。開閉閥V9設置於第2泵89與石英加熱器87之間之濃縮用配管85。開閉閥V10設置於第2泵89與非石英加熱器91之間之第2迂迴配管78。開閉閥V11設置於分支管77E與入口IL2之間之第2循環配管77。開閉閥V12設置於第2供給配管80。開閉閥V13設置於第2供給配管81。開閉閥V14設置於第2供給配管82。
主循環部分33使開閉閥V9、V11為打開狀態,且使開閉閥V10、V12~V14為關閉狀態,並且使第2泵89驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL2、第2泵89、「石英加熱器87」、入口IL2之順序循環。又,主循環部分33使開閉閥V10、V11為打開狀態,且使開閉閥V9、V12~V14為關閉狀態,並且使第2泵89驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL2、第2泵89、「非石英加熱器91」、入口IL2之順序循環。
主循環部分33例如使開閉閥V10、V12為打開狀態,且使開閉閥V9、V11、V13、V14為關閉狀態,並且使第2泵89驅動。藉此,按照出口OL2、第2泵89、非石英加熱器91、第2供給流路80、處理部2A之處理槽6之順序輸送磷酸溶液。再者,於向處理部2B輸送磷酸溶液之情形時,將開閉閥V10、V13打開,並且將開閉閥V9、V11、V12、V14關閉。又,於向處理部2C輸送磷酸溶液之情形時,將開閉閥V10、V14打開,並且將開閉閥V9、V11~V13關閉。
再者,於向各處理部2A、2B、2C供給磷酸溶液之情形時,亦可使磷酸溶液通過設置有石英加熱器87之濃縮用配管85。即,主循環部分33例如亦可使開閉閥V9、V12為打開狀態,且使開閉閥V10、V11、V13、V14為關閉狀態,並且使第2泵89驅動。
又,主循環部分33具備溫度感測器TS2、磷酸濃度感測器PS2、液面感測器LS2。溫度感測器TS2測定第2槽T2內之磷酸溶液之溫度。磷酸濃度感測器PS2以與磷酸濃度感測器PS1相同之方式構成,測定第2槽T2內之磷酸溶液之磷酸濃度。液面感測器LS2測定第2槽T2內之磷酸溶液之液面高度。
基板處理裝置1具備控制部93及記憶部(未圖示)。控制部93控制基板處理裝置1之各構成。控制部93例如具備中央運算處理裝置(CPU)等1個或多個處理器。又,記憶部具備ROM(Read-only Memory,唯讀記憶體)、RAM(Random-Access Memory,隨機存取記憶體)及硬碟中之至少一個。記憶部記憶用於使基板處理裝置1動作之計算機程式。
(2)基板處理裝置1之動作 參照圖4,對基板處理裝置1之動作、主要是預調溫單元4之動作進行說明。
[步驟S01]向第1槽T1供給磷酸溶液(磷酸) 開閉閥V1成為打開狀態。藉此,將磷酸溶液從磷酸供給源55通過配管56供給至第1槽T1。磷酸溶液之供給係基於利用液面感測器LS1檢測出之液面高度而進行。所供給之磷酸溶液係磷酸濃度為85%(室溫)之磷酸溶液。當對第1槽T1供給特定量之磷酸溶液時,開閉閥V1成為關閉狀態,停止向第1槽T1供給磷酸溶液。
[步驟S02]升溫、濃縮 當從磷酸供給源55供給磷酸溶液時,預循環部分31一面使第1槽T1內之磷酸溶液升溫,一面使磷酸溶液濃縮。以下將具體地進行說明。
預循環部分31於利用磷酸濃度感測器PS1測得之濃度值小於預先設定之閾值(例如88%)時,將第1槽T1內之磷酸溶液濃縮。首先,於將第1槽T1內之磷酸溶液濃縮時,預循環部分31使開閉閥V4、V6為打開狀態,且使開閉閥V5、V7為關閉狀態,並且使第1泵43驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL1、第1泵43、2個石英加熱器41(濃縮用配管39)、分支管35C、入口IL1之順序循環。
進而,預循環部分31一面將磷酸溶液輸送至濃縮用配管39,一面使用2個石英加熱器41將通過濃縮用配管39之磷酸溶液加熱。再者,通過2個石英加熱器41之磷酸溶液亦可被加熱至下述第1溫度(例如160℃)以上。
溫度感測器TS1測定第1槽T1內之磷酸溶液之溫度。預循環部分31使用2個石英加熱器41將磷酸溶液加熱,以使利用溫度感測器TS1測得之溫度達到預先設定之第1溫度(例如160℃)。2個石英加熱器41例如具有1個石英加熱器87之2倍之升溫能力,為高輸出。因此,能夠相對快速地進行升溫、濃縮作業。又,於將第1槽T1內之磷酸溶液濃縮時,使開閉閥V8為打開狀態,藉此,氣泡供給部67對第1槽T1之磷酸溶液內供給氣泡。藉此,能夠促進磷酸溶液之濃縮。
再者,第1溫度被預先設定為160℃。該方面,第1溫度例如亦可為150℃以上。即,第1溫度係小於磷酸溶液之沸點且處於沸點附近之溫度,或者為磷酸溶液之沸點以上。通過將磷酸溶液加熱而執行濃縮作業。若第1溫度小於磷酸溶液之沸點且為沸點附近之溫度,則濃縮將會相對快速地進行。若第1溫度為磷酸溶液之沸點以上,則能夠進一步促進濃縮。再者,室溫下磷酸濃度為85%之磷酸溶液之沸點為157℃~158℃。
再者,於該步驟S02中,未被用於磷酸溶液之加熱之非石英加熱器45停止加熱,或以近似於加熱停止之狀態被加熱。
[步驟S03]維持調溫狀態 將磷酸溶液之磷酸濃度從85%濃縮至例如88%~89%後,為了確保磷酸濃度,預循環部分31將磷酸溶液之溫度維持於160℃。以下將具體地進行說明。
預循環部分31於利用磷酸濃度感測器PS1測得之濃度值為閾值(88%)以上時,判斷第1槽T1內之磷酸溶液之濃縮完成,從而維持第1槽T1內之磷酸溶液之溫度(160℃)。藉此,能夠基於利用磷酸濃度感測器PS1測得之濃度值,於石英加熱器41之加熱與非石英加熱器45之加熱之間切換。
首先,預循環部分31於第1槽T1內之磷酸溶液之濃縮完成時,切換循環路線。預循環部分31使開閉閥V5、V6為打開狀態,且使開閉閥V4、V7為關閉狀態,並且使第1泵43驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL1、第1泵43、非石英加熱器45(第1迂迴配管36)、分支管35C、入口IL1之順序循環。
進而,預循環部分31一面將磷酸溶液輸送至第1迂迴配管36,一面使用非石英加熱器45將通過第1迂迴配管36之磷酸溶液加熱。藉此,維持第1槽T1內之磷酸溶液之溫度(160℃)。又,於濃縮完成後,使開閉閥V8為關閉狀態,藉此,氣泡供給部67停止氣泡之供給。
調溫維持狀態之第1槽T1內之磷酸溶液於出現向第2槽T2之供給指示之前處於等待狀態。再者,該說明中,磷酸溶液之濃縮閾值被設定為88%。關於此點,閾值亦可為大於從磷酸供給源55供給之磷酸溶液之磷酸濃度(85%)之值。又,亦可設定磷酸濃度未達100%之上限閾值。於超過上限閾值之情形時,從純水供給源59對第1槽T1供給純水。於該情形時,返回至步驟S02。
再者,於該步驟S03中,未被用於磷酸溶液之加熱之石英加熱器41停止加熱,或以近似於加熱停止之狀態進行加熱。
[步驟S04]向第2槽T2供給磷酸溶液 預循環部分31從第1槽T1向第2槽T2供給磷酸溶液。預循環部分31使開閉閥V5、V7為打開狀態,使開閉閥V4、V6為關閉狀態,並且使第1泵43驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL1、第1泵43、非石英加熱器45、分支管35C、第1供給配管37、第2槽T2之順序流動。
再者,當將磷酸溶液從第1槽T1輸送至第2槽T2時,液面感測器LS1檢測出第1槽T1內之磷酸溶液之液面下降。因此,需要從磷酸供給源55對第1槽T1供給磷酸溶液之動作。於該情形時,進入下一步驟S05,並且返回至步驟S01。
[步驟S05]升溫、濃縮 當對第2槽T2供給磷酸溶液時,主循環部分33為了使磷酸濃度及磷酸溶液之溫度穩定,而進行與上述步驟S02、S03之作業相同之作業。因此,主循環部分33一面使第2槽T2內之磷酸溶液升溫,一面使磷酸溶液濃縮。以下將具體地進行說明。
主循環部分33於利用磷酸濃度感測器PS2測得之濃度值小於預先設定之閾值(例如88%)時,將第2槽T2內之磷酸溶液濃縮。首先,於將第2槽T2內之磷酸溶液濃縮時,主循環部分33使開閉閥V9、V11為打開狀態,且使開閉閥V10、V12~V14為關閉狀態,並且使第2泵89驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL2、第2泵89、石英加熱器87(濃縮用配管85)、入口IL2之順序循環。
進而,主循環部分33使用石英加熱器87將通過濃縮用配管85之磷酸溶液加熱。溫度感測器TS2測定第2槽T2內之磷酸溶液之溫度。主循環部分33以利用溫度感測器TS2測得之溫度成為預先設定之第1溫度(例如160℃)之方式,使用石英加熱器87將磷酸溶液加熱。
再者,於該步驟S05中,未被用於磷酸溶液之加熱之非石英加熱器91停止加熱,或以近似於加熱停止之狀態進行加熱。
[步驟S06]維持調溫狀態 於將磷酸溶液之磷酸濃度濃縮為例如88%~89%後,主循環部分33將磷酸溶液之溫度維持於160℃,以確保磷酸濃度。以下將具體地進行說明。
主循環部分33於利用磷酸濃度感測器PS2測得之濃度值為閾值(88%)以上時,判斷第2槽T2內之磷酸溶液之濃縮已完成,並維持第2槽T2內之磷酸溶液之溫度(160℃)。
即,主循環部分33於第2槽T2內之磷酸溶液之濃縮完成時,首先,切換循環路線。主循環部分33使開閉閥V10、V11為打開狀態,且使開閉閥V9、V12~V14為關閉狀態,並且使第2泵89驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL2、第2泵89、非石英加熱器91(第2迂迴配管78)、入口IL2之順序循環。
進而,主循環部分33一面將磷酸溶液輸送至第2迂迴配管78,一面使用非石英加熱器91將通過第2迂迴配管78之磷酸溶液加熱。藉此,維持第2槽T2內之磷酸溶液之溫度(160℃)。
調溫維持狀態之第2槽T2內之磷酸溶液於出現向各處理部2A、2B、2C之供給指示之前處於等待狀態。再者,於該步驟S06之說明中,磷酸溶液之濃縮閾值被設定為88%。關於此點,閾值亦可為大於從磷酸供給源55供給之磷酸溶液之磷酸濃度(85%)之值。又,亦可設定磷酸濃度未達100%之上限閾值。於超過上限閾值之情形時,從純水供給源59對第2槽T2供給純水。於該情形時,返回至步驟S05。
再者,該步驟S06中,未被用於磷酸溶液之加熱之石英加熱器87停止加熱,或以近似於加熱停止之狀態進行加熱。
[步驟S07]向處理部2A(2B、2C)供給磷酸溶液 主循環部分33從第2槽T2向各處理部2A、2B、2C供給磷酸溶液。主循環部分33使開閉閥V10、V12為打開狀態,且使開閉閥V9、V11、V13、V14為關閉狀態,並且使第2泵89驅動。藉此,將磷酸溶液按照出口OL2、第2泵89、非石英加熱器91、第2供給配管80、處理部2A之處理槽6之順序輸送。對處理部2A之處理槽6,供給矽濃度較低之磷酸溶液。
再者,於對處理部2B輸送磷酸溶液之情形時,使開閉閥V10、V13為打開狀態,並且使開閉閥V11、V12、V14為關閉狀態。又,於對處理部2C輸送磷酸溶液之情形時,使開閉閥V10、V14為打開狀態,並且使開閉閥V11、V12~V14為關閉狀態。
此處,對兩種供給方法進行說明。兩種供給方法係指不斷補充與局部液體更換。參照圖2。首先,對不斷補充進行說明。再者,於該說明中,對處理部2A供給磷酸溶液。於對處理部2B、2C之任一個供給磷酸溶液時亦同樣進行。
所謂不斷補充係指,於進行使由升降器11保持之多個基板W浸漬於處理部2A之處理槽6中之基板處理時,利用預調溫單元4將磷酸溶液持續供給至處理部2A之處理槽6中。藉此,緩緩地進行處理槽6之磷酸溶液之更換,因而能夠抑制處理槽6內之磷酸溶液之矽濃度之上升。
浸漬於處理槽6中之各基板W具有氮化矽膜與氧化矽膜交替地積層而得之構造。基板處理係指使用磷酸溶液,選擇性地對氮化矽膜進行蝕刻。又,處理部2A之多餘磷酸溶液從連接於外槽7之排出管14自然地排出。再者,當基板處理結束時,停止從預調溫單元4供給磷酸溶液。
其次,對局部液體更換進行說明。所謂局部液體更換,係指於進行使基板W浸漬於處理部2A之處理槽6中之基板處理時,利用預調溫單元4將處理槽6內之磷酸溶液之一部分排出,並且通過第2供給配管80對處理部2A之處理槽6供給磷酸溶液。
矽濃度感測器23(參照圖2)設置於處理部2A之處理部循環流路9。基板處理裝置1於利用矽濃度感測器23測得之矽濃度值大於預先設定之閾值時,使開閉閥V22為打開狀態,並且利用預調溫單元4從第2槽T2對處理部2A之處理槽6供給磷酸溶液。使開閉閥V22為打開狀態,藉此,使得處理部2A之處理槽6內之磷酸溶液通過排出管30而排出。於排出之同時,利用預調溫單元4對處理部2A之處理槽6供給磷酸溶液。藉此,處理槽6內之磷酸溶液局部被替換,因此能夠使磷酸溶液之矽濃度值相對大幅地下降。
再者,亦可於不斷補充之作業中,中斷局部液體更換之作業。又,向各處理部2A、2B、2C之磷酸溶液之供給方法為任意方法,不限於上述兩種供給方法。
當從第2槽T2向各處理部2A、2B、2C輸送磷酸溶液時,液面感測器LS2檢測出第2槽T2內之磷酸溶液之液面下降。因此,需要從第1槽T1向第2槽T2供給磷酸溶液之動作。於該情形時,返回至步驟S04。
根據本實施例,於作為第1循環配管35之一部分之第1濃縮用配管39,設置有石英加熱器41,於使石英加熱器41迂迴之第1迂迴配管36,設置有非石英加熱器45。於將第1槽T1內之磷酸溶液濃縮時,使用石英加熱器41將通過濃縮用配管39之磷酸溶液加熱。又,於第1槽T1內之磷酸溶液之濃縮完成,而維持第1槽T1內之磷酸溶液之溫度時,使用非石英加熱器41將通過第1迂迴配管36之磷酸溶液加熱。於使用非石英加熱器45之情形時,能防止矽溶出至磷酸溶液中,整體上來看,矽向磷酸溶液中之溶出變少。因此,例如能夠防止供給至處理部2A之磷酸溶液之矽濃度成為高濃度。
又,於作為第2循環配管77之一部分之第2濃縮用配管85,設置有石英加熱器87,於使石英加熱器87迂迴之第2迂迴配管78,設置有非石英加熱器91。於將第2槽T2內之磷酸溶液濃縮時,使用石英加熱器87將通過濃縮用配管85之磷酸溶液加熱。又,於第2槽T2內之磷酸溶液之濃縮完成,而維持第2槽T2內之磷酸溶液之溫度時,使用第2非石英加熱器91將通過第2迂迴配管78之磷酸溶液加熱。於使用第2非石英加熱器91之情形時,能防止矽溶出至磷酸溶液中,整體上來看,矽向磷酸溶液中之溶出變少。因此,例如能夠防止供給至處理部2A之磷酸溶液之矽濃度成為高濃度。
[實施例2] 其次,參照圖式來說明本發明之實施例2。再者,省略與實施例1重複之說明。
實施例1中,於2個步驟S03、S06中,將磷酸溶液之溫度維持於160℃。關於此點,於實施例2中,將磷酸溶液之溫度維持於120℃。
實施例2之預調溫單元4具有與圖1所示之實施例1之預調溫單元4相同之構造上之特徵。即,於實施例2之預調溫單元4中,預循環部分31具備第1迂迴配管36及非石英加熱器45。又,主循環部分33具備第2迂迴配管78及非石英加熱器91。
其次,參照圖5對預調溫單元4之動作進行說明。再者,圖5所示之步驟S11、S12、S14、S15、S17分別與圖4所示之步驟S01、S02、S04、S05、S07動作相同。步驟S12中,預循環部分31以第1槽T1內之磷酸溶液之溫度成為預先設定之第1溫度(160℃)之方式,使用2個石英加熱器41將通過濃縮用配管39之磷酸溶液加熱,而使得磷酸溶液濃縮。
[步驟S13]維持調溫狀態 將磷酸溶液之磷酸濃度從85%濃縮至例如88%~89%後,預循環部分31將磷酸溶液之溫度維持於120℃。以下將具體地進行說明。
預循環部分31於利用磷酸濃度感測器PS1測得之濃度值為閾值(88%)以上時,判斷第1槽T1內之磷酸溶液之濃縮完成,而維持第1槽T1內之磷酸溶液之溫度(120℃)。
即,預循環部分31於第1槽T1內之磷酸溶液之濃縮完成時,首先,切換循環路線。預循環部分31使開閉閥V5、V6為打開狀態,且使開閉閥V4、V7為關閉狀態,並且使第1泵43驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL1、第1泵43、非石英加熱器45(第1迂迴配管36)、分支管35C、入口IL1之順序循環。進而,預循環部分31一面將磷酸溶液輸送至第1迂迴配管36,一面使用非石英加熱器45將通過第1迂迴配管36之磷酸溶液加熱。
此時,預循環部分31以第1槽T1內之磷酸溶液之溫度成為第2溫度(120℃)之方式,使用非石英加熱器45進行加熱。第2溫度(120℃)設定得較第1溫度(160℃)低。於該說明中,第2溫度設定為120℃。關於此點,第2溫度例如亦可設定為100℃以上且未達磷酸溶液之沸點。當磷酸溶液之溫度未達100℃時,磷酸溶液會吸濕。因此,磷酸溶液之磷酸濃度會降低。藉由使磷酸溶液之溫度為100℃以上,能夠防止磷酸溶液吸濕。
磷酸溶液從第1槽T1被輸送至第2槽T2(步驟S14)。主循環部分33以第2槽T2內之磷酸溶液之溫度成為預先設定之第1溫度(160℃)之方式,使用石英加熱器87將通過濃縮用配管85之磷酸溶液加熱(步驟S15),而使得磷酸溶液濃縮。
[步驟S16]維持調溫狀態 將磷酸溶液之磷酸濃度濃縮至例如88%~89%後,主循環部分33將磷酸溶液之溫度維持於120℃。以下將具體地進行說明。
主循環部分33於利用磷酸濃度感測器PS2測得之濃度值為閾值(88%)以上時,判斷第2槽T2內之磷酸溶液之濃縮完成,而維持第2槽T2內之磷酸溶液之溫度(120℃)。
即,主循環部分33於第2槽T2內之磷酸溶液之濃縮完成時,首先,切換循環路線。主循環部分33使開閉閥V10、V11為打開狀態,且使開閉閥V9、V12~V14為關閉狀態,並且使第2泵89驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL2、第2泵89、非石英加熱器91(第2迂迴配管78)、入口IL2之順序循環。進而,主循環部分33一面將磷酸溶液輸送至第2迂迴配管78,一面使用非石英加熱器91將通過第2迂迴配管78之磷酸溶液加熱。
此時,主循環部分33以第2槽T2內之磷酸溶液之溫度成為較第1溫度(160℃)低之第2溫度(120℃)之方式,使用非石英加熱器91進行加熱。
之後,於步驟S17中,利用預調溫單元4對處理槽6供給120℃之磷酸溶液。因對處理槽6內之160℃之磷酸溶液中供給120℃之磷酸溶液,故擔心處理過程會產生問題。但是,來自預調溫單元4之磷酸溶液之磷酸濃度係與處理槽6內之磷酸溶液相同之磷酸濃度。因此,不會發生沸騰等不穩定之行為。又,認為只要處理槽6之2個加熱器8、19之升溫能力足夠,則能迅速地加熱至160℃,因此處理過程不存在問題。
根據本實施例,除實施例1之效果以外,還具有以下效果。即,能夠抑制非石英加熱器45之輸出。因此,能夠防止非石英管受到損害。例如加熱可能會引起非石英管熔解。本實施例能夠防止上述情況。又,能增加非石英加熱器之選項。 [實施例3]
其次,參照圖式來說明本發明之實施例3。再者,省略與實施例1、2重複之說明。
圖6係表示實施例3之基板處理裝置1之構成之圖。實施例3中,主循環部分33不具備圖1所示之第2迂迴配管78、非石英加熱器91及2個開閉閥V9、V10。又,於第2循環配管77中,未將濃縮用配管85加以區分。其他構成與圖1所示之構成相同。
其次,參照圖7對預調溫單元4之動作進行說明。圖7所示之步驟S21~S24之動作分別與圖4所示之步驟S01~S04之動作相同。
步驟S24中,從第1槽T1對第2槽T2供給磷酸溶液。第1槽T1內之磷酸溶液係維持於160℃,且被濃縮至88%~89%之磷酸溶液。進入步驟S26。
[步驟S26]維持調溫狀態 首先,主循環部分33使第2槽T2內之磷酸溶液循環。具體而言,主循環部分33使開閉閥V11為打開狀態,且使開閉閥V12~V14為關閉狀態,並且使第2泵89驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL2、第2泵89、石英加熱器87、開閉閥V11、入口IL2之順序循環。
主循環部分33不使磷酸溶液升溫至第1溫度(160℃)。即,主循環部分33以第2槽T2內之磷酸溶液之溫度成為第2溫度(120℃)之方式,使用石英加熱器87將通過第2循環配管77之磷酸溶液加熱。藉此,將第2槽T2內之磷酸溶液之溫度維持於120℃。第2槽T2內之磷酸溶液之溫度係利用溫度感測器TS2而測定。
再者,第2溫度設定得較第1溫度低。於該說明中,第2溫度設定為120℃。關於此點,第2溫度例如亦可設定為100℃以上140℃以下之範圍。其原因在於,當磷酸溶液之溫度未達100℃時,磷酸溶液會吸濕。又,認為與使用石英加熱器87(41)令磷酸溶液升溫至160℃時相比,於使用石英加熱器87(41)令磷酸溶液升溫至140℃時,能夠將矽(Si)之溶出量抑制為約1/2。
又,第2溫度較佳為設定為100℃以上120℃以下之範圍。其原因在於,認為與使用石英加熱器87(41)令磷酸溶液升溫至160℃時相比,使用石英加熱器87(41)令磷酸溶液升溫至120℃時,能夠將矽(Si)之溶出量抑制為約1/10。
圖8係表示預調溫單元4之調溫時間與預期矽濃度之關係之曲線圖。圖8中,調溫時間表示越往右,則時間經過得越久。又,預期矽濃度表示越往上,則矽濃度越高。預期矽濃度係使用3個石英加熱器41A、41B、87令磷酸溶液分別升溫至160℃、120℃時之算出結果。圖8示出120℃之預期矽濃度為160℃之預期矽濃度之約1/10。又,姑且預測140℃之預期矽濃度為160℃之濃度與120℃之濃度之間之濃度,即為160℃之濃度之約1/2。
根據本實施例,於磷酸溶液之濃縮完成後,將磷酸溶液之溫度維持於較磷酸溶液濃縮時所設定之第1溫度低之第2溫度。藉由降低第2石英加熱器87之加熱溫度,能夠抑制矽從第2石英加熱器87之第2石英管47(參照圖3(a))溶出。因此,整體上來看,矽向磷酸溶液中之溶出變少。因此,例如能夠防止供給至處理部2A之磷酸溶液之矽濃度成為高濃度。
再者,於圖7所示之步驟S23中,將第1槽T1內之磷酸溶液維持為第1溫度(160℃)。關於此點,亦可如圖5之步驟S13般,使用非石英加熱器45將第1槽T1內之磷酸溶液加熱至較第1溫度低之第2溫度(120℃)。
又,主循環部分33具備石英加熱器87。亦可代替石英加熱器87,將如圖3(b)所示之非石英加熱器45(91)設置於第1循環配管35。又,主循環部分33亦可為於使用石英加熱器87將磷酸溶液濃縮時,將第2槽T2內之磷酸溶液加熱至160℃,於維持調溫狀態時,將第2槽T2內之磷酸溶液加熱至120℃。
[實施例4] 其次,參照圖式來說明本發明之實施例4。再者,說明與實施例1~3重複之說明。圖9係表示實施例4之預調溫單元4之構成之圖。
實施例1中,預循環部分31具備非石英加熱器45,主循環部分33具備非石英加熱器91。關於此點,實施例4之預調溫單元4不具備2個非石英加熱器45、91。
參照圖9。於預循環部分31,第1循環配管35之兩端35A、35B分別連接於第1槽T1之出口OL1及入口IL1。於第1循環配管35,從出口OL1側起依序設置有第1泵43、石英加熱器41A、石英加熱器41B、分支管35C、開閉閥V6。
於主循環部分33,第2循環配管77之兩端77A、77B分別連接於第2槽T2之出口OL2及入口IL2。於第2循環配管77,從出口OL2起依序設置有第2泵89、石英加熱器87、分支管77C、分支管77D、分支管77E、開閉閥V11。
其次,參照圖10對預調溫單元4之動作進行說明。從磷酸供給源55對第1槽T1供給磷酸溶液(步驟S31)。
[步驟S32]升溫、濃縮 預循環部分31於利用磷酸濃度感測器PS1測得之濃度值小於預先設定之閾值(例如88%)時,將第1槽T1內之磷酸溶液濃縮。於將磷酸溶液濃縮時,首先,預循環部分31使開閉閥V6為打開狀態,且使開閉閥V7為關閉狀態,並且使第1泵43驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL1、第1泵43、2個石英加熱器41、開閉閥V6、入口IL1之順序,通過第1循環配管35而循環。
進而,預循環部分31使用2個石英加熱器41將通過第1循環配管35之磷酸溶液加熱。又,預循環部分31以利用溫度感測器TS1測得之溫度成為預先設定之第1溫度(例如160℃)之方式,將磷酸溶液加熱。
[步驟S33]維持調溫狀態 持續執行磷酸溶液之循環。預循環部分31於利用磷酸濃度感測器PS1測得之濃度值為閾值(88%)以上時,判斷第1槽T1內之磷酸溶液之濃縮完成,而維持第1槽T1內之磷酸溶液之溫度(120℃)。即,預循環部分31於第1槽T1內之磷酸溶液之濃縮完成時,一面將磷酸溶液輸送至第1循環配管35,一面使用2個石英加熱器41之至少一者將通過第1循環配管35之磷酸溶液加熱。
此時,預循環部分31以第1槽T1內之磷酸溶液之溫度成為第2溫度(120℃)之方式,將通過第1循環配管35之磷酸溶液加熱。第2溫度設定得較第1溫度低。
[步驟S34]向第2槽T2供給磷酸溶液 預循環部分31從第1槽T1向第2槽T2供給磷酸溶液。預循環部分31使開閉閥V7為打開狀態,使開閉閥V6為關閉狀態,並且使第1泵43驅動。
[步驟S35]升溫、濃縮 首先,主循環部分33使開閉閥V11為打開狀態,且使開閉閥V12、V13、V14為關閉狀態,並且使第2泵89驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL2、第2泵89、石英加熱器87、開閉閥V11、入口IL2之順序,通過第2循環配管77而循環。
該狀態下,主循環部分33於利用磷酸濃度感測器PS2測得之濃度值小於預先設定之閾值(例如88%)時,將第2槽T2內之磷酸溶液濃縮。此時,主循環部分33使用石英加熱器87將通過第2循環配管77之磷酸溶液加熱。又,主循環部分33以利用溫度感測器TS2測得之溫度成為預先設定之第1溫度(例如160℃)之方式,將磷酸溶液加熱。
[步驟S36]維持調溫狀態 於將磷酸溶液之磷酸濃度濃縮至例如88%~89%後,主循環部分33維持磷酸溶液之溫度(120℃)。以下將具體地進行說明。
持續執行磷酸溶液之循環。主循環部分33於利用磷酸濃度感測器PS2測得之濃度值為閾值(88%)以上時,判斷第2槽T2內之磷酸溶液之濃縮完成,將第2槽T2內之磷酸溶液之溫度維持於預先設定之溫度(120℃)。即,主循環部分33於第2槽T2內之磷酸溶液之濃縮完成時,一面將磷酸溶液輸送至第2循環配管77,一面使用石英加熱器87將通過第2循環配管77之磷酸溶液加熱。
此時,主循環部分33以第2槽T2內之磷酸溶液之溫度成為較第1溫度(160℃)低之第2溫度(120℃)之方式,使用石英加熱器87進行加熱。
[步驟S37]向處理部2A(2B、2C)供給磷酸溶液 主循環部分33將第2槽T2內之磷酸溶液供給至例如處理部2A。具體而言,主循環部分33使開閉閥V12為打開狀態,且使開閉閥V11、V13、V14為關閉狀態,並且使第2泵89驅動。藉此,通過第2供給配管80,對處理部2A之處理槽6供給磷酸溶液。
根據本實施例,於將第1槽T1內之磷酸溶液濃縮時,以第1槽T1內之磷酸溶液之溫度成為第1溫度之方式,使用2個石英加熱器41將通過第1循環流路35之磷酸溶液加熱。於第1槽T1內之磷酸溶液之濃縮完成而維持第1槽T1內之磷酸溶液之溫度時,以第1槽T1內之磷酸溶液之溫度成為較第1溫度低之第2溫度之方式,使用石英加熱器41將通過第1循環流路35之磷酸溶液加熱。雖然使用了石英加熱器41,但由於升溫至較第1溫度低之第2溫度,故相比第1溫度而言於第2溫度下矽向磷酸溶液之溶出變少。因此,例如能夠防止供給至處理部2A之磷酸溶液之矽濃度成為高濃度。
又,於圖9所示之預調溫單元4中,亦可將圖9所示之主循環部分33置換為圖1所示之主循環部分33。 [實施例5]
其次,參照圖式來說明本發明之實施例5。再者,省略與實施例1~4重複之說明。
實施例1中,預調溫單元4具備2個循環部分31、33,以2個階段準備供給至各處理部2A、2B、2C之磷酸溶液。關於此點,預調溫單元4亦可以1個階段準備磷酸溶液。
參照圖11。預調溫單元4具備與圖1所示之預循環部分31相似之構成。即,預調溫單元4具備第1槽T1、第1循環配管35、第1迂迴配管36及3根供給配管(供給流路)101、102、103。於第1迂迴配管36之第2端36B與入口IL1之間之第1循環配管35,設置有3個分支管35D、35E、35F。
3個分支管35D、35E、35F分別連接有供給配管101、102、103。供給配管101係用於對處理部2A之處理槽6直接供給磷酸溶液之配管。2根供給配管102、103分別為用於對處理部2B、2C之2個處理槽6直接供給磷酸溶液之配管。
本實施例5之預調溫單元4具備6個開閉閥V4、V5、V6、V16、V17、V18。開閉閥V6設置於分支管35F與入口IL1之間之第1循環配管35。開閉閥V16設置於供給配管101。開閉閥V17設置於供給配管102。開閉閥V18設置於供給配管103。
其次,參照圖12對本實施例之預調溫單元4之動作進行說明。從磷酸供給源55對第1槽T1供給室溫下濃度為85%之磷酸溶液(步驟S41)。
[步驟S42]升溫、濃縮 預調溫單元4一面使第1槽T1內之磷酸溶液升溫,一面使磷酸溶液濃縮。以下將具體地進行說明。
預調溫單元4於利用磷酸濃度感測器PS1測得之濃度值小於預先設定之閾值(例如88%)時,將第1槽T1內之磷酸溶液濃縮。於將磷酸溶液濃縮時,首先,預調溫單元4使開閉閥V4、V6為打開狀態,且使開閉閥V5、V16~V18為關閉狀態,並且使第1泵43驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL1、第1泵43、2個石英加熱器41(濃縮用配管39)、開閉閥V6、入口IL1之順序循環。
進而,預調溫單元4一面輸送濃縮用配管39之磷酸溶液,一面使用2個石英加熱器41將通過濃縮用配管39之磷酸溶液加熱。又,2個石英加熱器41之加熱係以利用溫度感測器TS1測得之溫度成為預先設定之第1溫度(160℃)之方式進行。再者,溫度感測器TS1測定第1槽T1內之磷酸溶液之溫度。濃縮作業係於利用磷酸濃度感測器PS1測得之濃度值達到預先設定之閾值(例如88%)時完成。
[步驟S43]維持調溫狀態 預調溫單元4於濃縮完成後,將磷酸溶液之溫度維持於160℃,以確保磷酸濃度。以下將具體地進行說明。
預調溫單元4於利用磷酸濃度感測器PS1測得之濃度值為閾值(88%)以上時,判斷第1槽T1內之磷酸溶液之濃縮完成,而維持第1槽T1內之磷酸溶液之溫度(160℃)。即,預調溫單元4於第1槽T1內之磷酸溶液之濃縮完成時,切換循環路線。預調溫單元4使開閉閥V4、V6為打開狀態,且使開閉閥V4、V16~V18為關閉狀態,並且使第1泵43驅動。藉此,使磷酸溶液按照出口OL1、第1泵43、非石英加熱器45(第1迂迴配管36)、開閉閥V6、入口IL1之順序循環。
預調溫單元4一面將磷酸溶液輸送至第1迂迴配管36,一面使用非石英加熱器45將通過第1迂迴配管36之磷酸溶液加熱。藉此,維持第1槽T1內之磷酸溶液之溫度(160℃)。調溫維持狀態之第1槽T1內之磷酸溶液於出現向3個處理部2A、2B、2C之任一個之供給指示之前處於等待狀態。
[步驟S44]向處理部2A(2B、2C)供給磷酸溶液 預調溫單元4例如將第1槽T1內之磷酸溶液輸送至處理部2A。預調溫單元4使開閉閥V5、V16為打開狀態,且使開閉閥V4、V6、V17、V18為關閉狀態,並且使第1泵43驅動。藉此,按照出口OL1、第1泵43、非石英加熱器45、分支管35D、供給配管101、處理部2A之處理槽6之順序,供給第1槽T1內之磷酸溶液。
當從第1槽T1對3個處理部2A、2B、2C之任一個供給磷酸溶液時,液面感測器LS1檢測出第1槽T1內之磷酸溶液之水面高度降低。於該情形時,需要從磷酸供給源55對第1槽T1補充磷酸溶液。因此,返回至步驟S41。
根據本實施例,如實施例1般,整體上來看,矽向磷酸溶液中之溶出變少。因此,例如能夠防止供給至處理部2A之磷酸溶液之矽濃度成為高濃度。
本發明不限於上述實施方式,能以如下方式變化而實施。
(1)於上述實施例5中,濃縮作業時,利用石英加熱器41將磷酸溶液加熱,維持調溫狀態時,利用非石英加熱器45將磷酸溶液加熱。關於此點,亦可如實施例4所記載,不設置非石英加熱器45,而於濃縮作業時利用石英加熱器41將磷酸溶液加熱至第1溫度(160℃),於維持調溫狀態時利用石英加熱器41將磷酸溶液加熱至第2溫度(120℃)。
換言之,圖9所示之實施例4之預調溫單元4具備2個循環部分31、33,以2個階段準備供給至各處理部2A、2B、2C之磷酸溶液。關於此點,預調溫單元4亦可為以1個階段準備磷酸溶液之類之構成。
(2)於上述各實施例及變化例(1)中,預調溫單元4例如於對處理部2A供給磷酸溶液時,將磷酸溶液直接供給至處理槽6。關於此點,預調溫單元4亦可將磷酸溶液直接供給至外槽7,並經由外槽7及處理部循環流路9間接地供給至處理槽6。
(3)於上述各實施例2~4及各變化例中,於濃縮作業時將磷酸溶液加熱至第1溫度(160℃),於維持調溫狀態時,加熱至第2溫度(120℃)。然後,將維持於第2溫度(120℃)之磷酸溶液供給至貯存被加熱至160℃之磷酸溶液之處理槽6。關於此點,例如於圖9中,亦可將二點鏈線所示之加熱器105、106、107設置於3根供給配管80~82之每一個。例如,加熱器105將通過第2供給配管80之磷酸溶液加熱。2個加熱器106、107分別將2根供給配管81、82加熱。
例如於通過第2供給配管80而供給至處理部2A之磷酸溶液之溫度低於處理部2A之處理槽6內之磷酸溶液之溫度時,能夠抑制溫度差。再者,各加熱器105~107相當於本發明之供給流路用加熱器。各加熱器105~107較佳為包含非石英加熱器。
(4)於上述各實施例2~4及各變化例中,預循環部分31及主循環部分33均將濃縮時之磷酸溶液之第1溫度設定為160℃,將維持調溫狀態時之磷酸溶液之第2溫度設定為160℃或120℃。關於此點,於預循環部分31設定之第1溫度亦可與於主循環部分33設定之第1溫度不同。同樣,於預循環部分31設定之第2溫度亦可與於主循環部分33設定之第2溫度不同。
(5)於上述各實施例1~4及各變化例中,氣泡供給部67僅設置於第1槽T1內。關於此點,氣泡供給部67亦可設置於第2槽T2內。
(6)於上述各實施例及各變化例中,第1供給配管37之第1端經由分支管35C連接於第1循環配管35,又,例如第2供給配管80之第1端經由分支管77C連接於第2循環配管77。關於此點,第1供給配管37之第1端亦可直接連接於第1槽T1。又,第2供給配管80之第1端亦可直接連接於第2槽T2。
1:基板處理裝置 2A:處理部 2B:處理部 2C:處理部 4:預調溫單元 6:處理槽 7:外槽 8:槽用加熱器 9:處理部循環流路 11:升降器(基板保持部) 11A:背板 11B:支撐部 14:排出管 14A:入口 15:噴出管 17:泵 19:加熱器 21:過濾器 23:矽濃度感測器 25:氣泡供給管 27:氣體供給源 28:供給配管 30:排出管 31:預循環部分 33:主循環部分 35:第1循環配管 35A,35B:兩端 35C:分支管 35D,35E,35F:分支管 36:第1迂迴配管 36A:第1迂迴配管之第1端 36B:第1迂迴配管之第2端 37:第1供給配管 39:濃縮用配管 41:石英加熱器 41A,41B:石英加熱器 43:第1泵 45:非石英加熱器 47:石英管 49:加熱器主體 51:非石英管 53:加熱器主體 55:磷酸供給源 56:配管 57:泵 59:純水供給源 61,62:配管 64:泵 65:分支管 67:氣泡供給部 69:氣體供給源 71:供給配管 74:檢測管 75:壓力感測器 77:第2循環配管 77A:第2循環配管之第1端 77B:第2循環配管之第2端 77C,77D,77E:分支管 78:第2迂迴配管 78A:第2迂迴配管78之第1端 78B:第2迂迴配管78之第2端 80:第2供給配管 80B:第2端 81:第2供給配管 81B:第2端 82:第2供給配管 82B:第2端 85:濃縮用配管 87:石英加熱器 89:第2泵 91:非石英加熱器 93:控制部 101:第2供給配管 102:第2供給配管 103:第2供給配管 IL1:入口 IL2:入口 LS1:液面感測器 OL1:出口 OL2:出口 PS1:磷酸濃度感測器 PS2:磷酸濃度感測器 S01~S07:步驟 S11~S17:步驟 S21:步驟 S22:步驟 S23:步驟 S24:步驟 S26:步驟 S27:步驟 S31~S37:步驟 S41:步驟 S42:步驟 S43:步驟 S47:步驟 T1:第1槽 T2:第2槽 TS1:溫度感測器 TS2:溫度感測器 TS11:溫度感測器 V1,V2,V3:開閉閥 V4,V5,V6,V7:開閉閥 V8:開閉閥 V9,V10,V11,V12,V13,V14:開閉閥 V21:開閉閥 V22:開閉閥 W:基板
圖1係表示實施例1、2之基板處理裝置之圖。 圖2係表示處理部之圖。 圖3(a)係表示石英加熱器之圖,圖3(b)係表示非石英加熱器之圖。 圖4係用於說明實施例1之預調溫單元之動作之流程圖。 圖5係用於說明實施例2之預調溫單元之動作之流程圖。 圖6係表示實施例3之基板處理裝置之圖。 圖7係用於說明實施例3之預調溫單元之動作之流程圖。 圖8係表示預期矽濃度與調溫時間之關係之圖。 圖9係表示實施例4之基板處理裝置之圖。 圖10係用於說明實施例4之預調溫單元之動作之流程圖。 圖11係表示實施例5之基板處理裝置之圖。 圖12係用於說明實施例5之預調溫單元之動作之流程圖。
1:基板處理裝置
2A:處理部
2B:處理部
2C:處理部
4:預調溫單元
6:處理槽
7:外槽
31:預循環部分
33:主循環部分
35:第1循環配管
35A,35B:兩端
35C:分支管
36:第1迂迴配管
36A:第1迂迴配管之第1端
36B:第1迂迴配管之第2端
37:第1供給配管
39:濃縮用配管
41:石英加熱器
41A,41B:石英加熱器
43:第1泵
45:非石英加熱器
55:磷酸供給源
56:配管
57:泵
59:純水供給源
61,62:配管
64:泵
65:分支管
67:氣泡供給部
69:氣體供給源
71:供給配管
74:檢測管
75:壓力感測器
77:第2循環配管
77A:第2循環配管之第1端
77B:第2循環配管之第2端
77C,77D,77E:分支管
78:第2迂迴配管
78A:第2迂迴配管78之第1端
78B:第2迂迴配管78之第2端
80:第2供給配管
80B:第2端
81:第2供給配管
81B:第2端
82:第2供給配管
82B:第2端
85:濃縮用配管
87:石英加熱器
89:第2泵
91:非石英加熱器
93:控制部
IL1:入口
IL2:入口
LS1:液面感測器
OL1:出口
OL2:出口
PS1:磷酸濃度感測器
PS2:磷酸濃度感測器
T1:第1槽
T2:第2槽
TS1:溫度感測器
TS2:溫度感測器
V1,V2,V3:開閉閥
V4,V5,V6,V7:開閉閥
V8:開閉閥
V9,V10,V11,V12,V13,V14:開閉閥
W:基板

Claims (14)

  1. 一種基板處理裝置,其特徵在於具備: 處理部,其具有貯存磷酸溶液以浸漬基板之處理槽; 槽,其貯存上述磷酸溶液; 供給流路,其用於將上述槽內之上述磷酸溶液輸送至上述處理部; 循環流路,其兩端連接於上述槽,用於使從上述槽內流入之上述磷酸溶液返回至上述槽; 泵,其設置於上述循環流路; 石英加熱器,其設置於作為上述循環流路之一部分之濃縮用流路,具有由石英形成且用於供上述磷酸溶液通過之石英管; 迂迴流路,其兩端連接於上述濃縮用流路之上游端及下游端; 非石英加熱器,其設置於上述迂迴流路,具有並非由石英形成且用於供上述磷酸溶液通過之非石英管;及 控制部;且 上述控制部於將上述槽內之上述磷酸溶液濃縮時,一面對上述濃縮用流路輸送上述磷酸溶液,一面使用上述石英加熱器將通過上述濃縮用流路之上述磷酸溶液加熱; 上述控制部於上述槽內之上述磷酸溶液之濃縮完成時,一面將上述磷酸溶液輸送至上述迂迴流路,一面使用上述非石英加熱器將通過上述迂迴流路之上述磷酸溶液加熱,藉此維持上述槽內之上述磷酸溶液之溫度。
  2. 如請求項1之基板處理裝置,其 進而具備測定上述槽內之上述磷酸溶液之濃度之磷酸濃度感測器, 上述控制部於利用上述磷酸濃度感測器測得之濃度值小於預先設定之閾值時,將上述槽內之上述磷酸溶液濃縮, 上述控制部於利用上述磷酸濃度感測器測得之濃度值為上述閾值以上時,判斷上述槽內之上述磷酸溶液之濃縮完成,而維持上述槽內之上述磷酸溶液之溫度。
  3. 如請求項1之基板處理裝置,其中 上述控制部於將上述槽內之上述磷酸溶液濃縮時,以上述槽內之上述磷酸溶液之溫度成為預先設定之第1溫度之方式,使用上述石英加熱器將通過上述濃縮用流路之上述磷酸溶液加熱; 上述控制部於維持上述槽內之上述磷酸溶液之溫度時,以上述槽內之上述磷酸溶液之溫度成為較上述第1溫度低之第2溫度之方式,使用上述非石英加熱器將通過上述迂迴流路之上述磷酸溶液加熱。
  4. 如請求項3之基板處理裝置,其中 上述第1溫度為上述磷酸溶液之沸點以上。
  5. 如請求項3之基板處理裝置,其中 上述第2溫度為100℃以上,且未達上述磷酸溶液之沸點。
  6. 如請求項3之基板處理裝置,其 具備供給流路用加熱器,該供給流路用加熱器設置於上述供給流路,將通過上述供給流路之上述磷酸溶液加熱。
  7. 如請求項1之基板處理裝置,其 進而具備氣泡供給部,上述氣泡供給部配置於上述槽內之底壁側,且具有多個孔,構成為從上述多個孔對上述槽內供給氣泡。
  8. 如請求項1之基板處理裝置,其中 於進行使基板浸漬於上述處理槽之基板處理時,上述控制部通過上述供給流路對上述處理部供給上述磷酸溶液。
  9. 如請求項1之基板處理裝置,其中 於進行使基板浸漬於上述處理槽之基板處理時,上述控制部一面將上述處理槽內之上述磷酸溶液之一部分排出,一面通過上述供給流路將上述磷酸溶液供給至上述處理部。
  10. 如請求項1之基板處理裝置,其中 上述非石英管係由氟系樹脂形成之氟系樹脂管。
  11. 如請求項1至10中任一項之基板處理裝置,其具備: 第2槽,其介置於用於從上述槽向上述處理部輸送磷酸溶液之供給流路,貯存從上述槽輸送來之上述磷酸溶液; 第2循環流路,其兩端連接於上述第2槽,用於使從上述第2槽內流入之上述磷酸溶液返回至上述第2槽; 第2泵,其設置於上述第2循環流路; 第2石英加熱器,其設置於作為上述第2循環流路之一部分之第2濃縮用流路,具有由石英形成且用於供上述磷酸溶液通過之第2石英管; 第2迂迴流路,其兩端連接於上述第2濃縮用流路之上游端及下游端;及 第2非石英加熱器,其設置於上述第2迂迴流路,具有並非由石英形成且用於供上述磷酸溶液通過之第2非石英管; 上述控制部於將上述第2槽內之上述磷酸溶液濃縮時,一面將上述磷酸溶液輸送至上述第2濃縮用流路,一面使用上述第2石英加熱器將通過上述第2濃縮用流路之上述磷酸溶液加熱; 上述控制部於上述第2槽內之上述磷酸溶液之濃縮完成時,一面將上述磷酸溶液輸送至上述第2迂迴流路,一面使用上述第2非石英加熱器將通過上述第2迂迴流路之上述磷酸溶液加熱,藉此維持上述第2槽內之上述磷酸溶液之溫度。
  12. 如請求項1至10中任一項之基板處理裝置,其具備: 第2槽,其介置於用於從上述槽向上述處理部輸送磷酸溶液之供給流路,貯存從上述槽輸送來之上述磷酸溶液; 第2循環流路,其兩端連接於上述第2槽,用於使從上述第2槽內流入之磷酸溶液返回至上述第2槽; 第2泵,其設置於上述第2循環流路;及 第2石英加熱器,其設置於上述第2循環流路,具有由石英形成且用於供上述磷酸溶液通過之第2石英管;且 上述控制部於將上述槽內之上述磷酸溶液濃縮時,以上述槽內之上述磷酸溶液之溫度成為預先設定之第1溫度之方式,使用上述石英加熱器將通過上述濃縮用流路之上述磷酸溶液加熱; 上述控制部為了維持上述磷酸溶液之濃度,以上述第2槽內之上述磷酸溶液之溫度成為較上述第1溫度低之第2溫度之方式,使用上述第2石英加熱器將通過上述第2循環流路之上述磷酸溶液加熱,藉此維持上述第2槽內之上述磷酸溶液之溫度。
  13. 如請求項1至10中任一項之基板處理裝置,其具備: 第2槽,其介置於用於從上述槽向上述處理部輸送磷酸溶液之供給流路,貯存從上述槽輸送來之上述磷酸溶液; 第2循環流路,其兩端連接於上述第2槽,用於使從上述第2槽內流入之磷酸溶液返回至上述第2槽; 第2泵,其設置於上述第2循環流路;及 第2石英加熱器,其設置於上述第2循環流路,具有由石英形成且用於供上述磷酸溶液通過之第2石英管;且 上述控制部於將上述第2槽內之上述磷酸溶液濃縮時,以上述第2槽內之上述磷酸溶液之溫度成為預先設定之第1溫度之方式,使用上述第2石英加熱器將通過上述第2循環流路之上述磷酸溶液加熱; 上述控制部於上述第2槽內之上述磷酸溶液之濃縮完成時,以上述第2槽內之上述磷酸溶液之溫度成為較上述第1溫度低之第2溫度之方式,使用上述第2石英加熱器將通過上述第2循環流路之上述磷酸溶液加熱。
  14. 一種基板處理裝置,其特徵在於具備: 處理部,其具有貯存磷酸溶液以浸漬基板之處理槽; 槽,其貯存上述磷酸溶液; 供給流路,其用於將上述槽內之上述磷酸溶液輸送至上述處理部; 循環流路,其兩端連接於上述槽,用於使從上述槽內流入之上述磷酸溶液返回至上述槽; 泵,其設置於上述循環流路; 石英加熱器,其設置於上述循環流路,具有由石英形成且供上述磷酸溶液通過之石英管;及 控制部; 上述控制部於將上述槽內之上述磷酸溶液濃縮時,以上述槽內之上述磷酸溶液之溫度成為預先設定之第1溫度之方式,使用上述石英加熱器將通過上述循環流路之上述磷酸溶液加熱; 上述控制部於上述槽內之上述磷酸溶液之濃縮完成時,以上述槽內之上述磷酸溶液之溫度成為較上述第1溫度低之第2溫度之方式,使用上述石英加熱器將通過上述循環流路之上述磷酸溶液加熱。
TW111133521A 2021-09-21 2022-09-05 基板處理裝置 TWI829327B (zh)

Applications Claiming Priority (2)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2021153226A JP2023045047A (ja) 2021-09-21 2021-09-21 基板処理装置
JP2021-153226 2021-09-21

Publications (2)

Publication Number Publication Date
TW202316544A TW202316544A (zh) 2023-04-16
TWI829327B true TWI829327B (zh) 2024-01-11

Family

ID=85575463

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW111133521A TWI829327B (zh) 2021-09-21 2022-09-05 基板處理裝置

Country Status (4)

Country Link
JP (1) JP2023045047A (zh)
KR (1) KR102660547B1 (zh)
CN (1) CN115841965A (zh)
TW (1) TWI829327B (zh)

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202027157A (zh) * 2018-11-16 2020-07-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
US20200251343A1 (en) * 2019-02-05 2020-08-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5416582A (en) * 1977-07-07 1979-02-07 Asahi Chem Ind Co Ltd Laminated film
JP2002075946A (ja) * 2000-08-30 2002-03-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置
JP5715546B2 (ja) 2011-10-27 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6324775B2 (ja) 2014-03-17 2018-05-16 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置および基板処理装置を用いた基板処理方法
JP6940232B2 (ja) 2016-09-23 2021-09-22 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP6857526B2 (ja) * 2017-03-27 2021-04-14 株式会社Screenホールディングス 基板処理装置、および、基板処理方法
JP7160642B2 (ja) 2018-11-16 2022-10-25 株式会社Screenホールディングス 基板処理方法、3次元メモリデバイスの製造方法および基板処理装置
JP6851515B2 (ja) * 2019-03-15 2021-03-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW202027157A (zh) * 2018-11-16 2020-07-16 日商斯庫林集團股份有限公司 基板處理裝置及基板處理方法
US20200251343A1 (en) * 2019-02-05 2020-08-06 Tokyo Electron Limited Substrate processing method and substrate processing apparatus

Also Published As

Publication number Publication date
CN115841965A (zh) 2023-03-24
KR20230042579A (ko) 2023-03-28
TW202316544A (zh) 2023-04-16
KR102660547B1 (ko) 2024-04-24
JP2023045047A (ja) 2023-04-03

Similar Documents

Publication Publication Date Title
KR101768773B1 (ko) 기판 처리 장치
JP6370233B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
KR102513202B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기판 액처리 프로그램을 기억한 컴퓨터 판독 가능한 기억 매체
US11185896B2 (en) Substrate liquid processing apparatus, substrate liquid processing method, and computer-readable storage medium having substrate liquid processing program stored thereon
CN107492511B (zh) 基板液处理装置、基板液处理方法以及存储介质
JP6707412B2 (ja) 基板液処理装置、基板液処理方法および記憶媒体
TW201923832A (zh) 基板處理裝置、基板處理裝置的洗淨方法
JP2018174257A (ja) 基板液処理装置
JP2018133558A (ja) 基板液処理装置
KR20180037598A (ko) 기판 액 처리 장치, 기판 액 처리 방법 및 기억 매체
KR102611293B1 (ko) 기판 액처리 장치, 기판 액처리 방법 및 기억 매체
TWI829327B (zh) 基板處理裝置
KR102134949B1 (ko) 처리액 공급 장치, 기판 처리 장치, 및 처리액 공급 방법
JP6441198B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6813378B2 (ja) 流体加熱装置
KR20160083484A (ko) 순환 냉각 유닛 및 이를 구비하는 열처리 장치
JP6516908B2 (ja) リン酸水溶液を用いたエッチング処理制御装置及びリン酸水溶液を用いたエッチング処理制御方法並びに基板をリン酸水溶液でエッチング処理させるプログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP6632684B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2003077878A (ja) 液処理方法及び液処理装置
KR102337608B1 (ko) 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
JP6552687B2 (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP2002075946A (ja) 基板処理装置
JP4351981B2 (ja) 半導体基板の洗浄方法及びその装置
JP2018157235A (ja) 基板液処理装置及び基板液処理方法並びに基板液処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体
JP4204238B2 (ja) 基板処理装置