JPH04192525A - 窒化膜ウェットエッチング装置 - Google Patents
窒化膜ウェットエッチング装置Info
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- JPH04192525A JPH04192525A JP32481890A JP32481890A JPH04192525A JP H04192525 A JPH04192525 A JP H04192525A JP 32481890 A JP32481890 A JP 32481890A JP 32481890 A JP32481890 A JP 32481890A JP H04192525 A JPH04192525 A JP H04192525A
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- phosphoric acid
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- 238000001039 wet etching Methods 0.000 title claims description 11
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 title claims description 10
- NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N Phosphoric acid Chemical compound OP(O)(O)=O NBIIXXVUZAFLBC-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims abstract description 60
- 238000005530 etching Methods 0.000 claims abstract description 54
- 239000007788 liquid Substances 0.000 claims abstract description 49
- 229910000147 aluminium phosphate Inorganic materials 0.000 claims abstract description 30
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 7
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 6
- 229910052581 Si3N4 Inorganic materials 0.000 claims description 5
- HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N silicon nitride Chemical compound N12[Si]34N5[Si]62N3[Si]51N64 HQVNEWCFYHHQES-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 abstract description 5
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Abstract
(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。
め要約のデータは記録されません。
Description
【発明の詳細な説明】
〔産業上の利用分野〕
本発明は、半導体製造装置に関し、特に薬液によるウェ
ットエツチング装置に関する。
ットエツチング装置に関する。
従来の窒化膜ウェットエツチング装置は、第３図に示す
ように半導体基板２上の窒化シリコン膜をエツチングす
るためのエツチング槽１と、エツチング槽１の液を排液
する排液バルブ４と、エツチング槽１の液を加熱するヒ
ーター１２と、エツチング槽１にリン酸を供給するため
の給液バルブ８と、エツチング槽１の液交換に要する量
以上のリン酸を貯液する貯液槽１３と、貯液槽１３に液
を給液する補給バルブ７と、エツチング槽１内のリン酸
の寿命を管理する液交換タイマー９と、液交換タイ−９
からの信号を受けて排液バルブ４．給液バルブ８の開閉
及びヒーター１２のオン・オフを制御するコントローラ
１０とを有している。
ように半導体基板２上の窒化シリコン膜をエツチングす
るためのエツチング槽１と、エツチング槽１の液を排液
する排液バルブ４と、エツチング槽１の液を加熱するヒ
ーター１２と、エツチング槽１にリン酸を供給するため
の給液バルブ８と、エツチング槽１の液交換に要する量
以上のリン酸を貯液する貯液槽１３と、貯液槽１３に液
を給液する補給バルブ７と、エツチング槽１内のリン酸
の寿命を管理する液交換タイマー９と、液交換タイ−９
からの信号を受けて排液バルブ４．給液バルブ８の開閉
及びヒーター１２のオン・オフを制御するコントローラ
１０とを有している。
以下に動作について説明する。
コントローラ１０は、液交換タイマー９のタイムアツプ
信号を受けて、排液バルブ４を開ける。エツチング槽１
の液が全て排液されたならば、排液バルブ４を閉じ、給
液バルブ８を開ける。エッチング槽１の液面かエツチン
グ処理可能な高さになったならば、給液バルブ８を閉じ
、補給バルブ７を開ける。貯液槽１３が情況になれば、
補給バルブ７を閉じる。ヒーター１２は、液交換タイマ
ー９のタイムアツプ時点でオフとなり、エツチング槽１
の給液完了時点でオン・オフ制御を開始するものである
。
信号を受けて、排液バルブ４を開ける。エツチング槽１
の液が全て排液されたならば、排液バルブ４を閉じ、給
液バルブ８を開ける。エッチング槽１の液面かエツチン
グ処理可能な高さになったならば、給液バルブ８を閉じ
、補給バルブ７を開ける。貯液槽１３が情況になれば、
補給バルブ７を閉じる。ヒーター１２は、液交換タイマ
ー９のタイムアツプ時点でオフとなり、エツチング槽１
の給液完了時点でオン・オフ制御を開始するものである
。
上記の一連動作を表わしたのが、第４図のタイミングチ
ャート図である。
ャート図である。
この従来の窒化膜ウェットエンチング装置では、液交換
するとき、エツチング槽に給液完了した時点から昇温開
始するため、昇温時間が長く、稼動時間が短いという問
題かあった。
するとき、エツチング槽に給液完了した時点から昇温開
始するため、昇温時間が長く、稼動時間が短いという問
題かあった。
本発明の目的は、エツチング槽の処理可能時間を長くし
た窒化膜ウェットエツチング装置を提供することにある
。
た窒化膜ウェットエツチング装置を提供することにある
。
前記目的を達成するため、本発明に係る窒化膜ウェット
エツチング装置においては、半導体基板上の窒化シリコ
ン膜を熱リン酸により工・ソチングする窒化膜ウェット
エツチング装置において、リン酸を予め加熱温調する予
備温調槽と、予備温調槽のリン酸をエツチング槽に供給
する自動弁と、予備温調槽にリン酸を供給する自動弁と
、エツチング槽にリンｔｉ供給完了後から設定時間経過
した時点で信号を出力する液交換タイマーと、液交換タ
イマーがタイムアツプする時点から設定時間前に信号を
出力する予備温調タイマーと、予備温調タイマー及び液
交換タイマーからの出力信号を受けて前記自動弁の開閉
を制御するコントローラとを有するものである。
エツチング装置においては、半導体基板上の窒化シリコ
ン膜を熱リン酸により工・ソチングする窒化膜ウェット
エツチング装置において、リン酸を予め加熱温調する予
備温調槽と、予備温調槽のリン酸をエツチング槽に供給
する自動弁と、予備温調槽にリン酸を供給する自動弁と
、エツチング槽にリンｔｉ供給完了後から設定時間経過
した時点で信号を出力する液交換タイマーと、液交換タ
イマーがタイムアツプする時点から設定時間前に信号を
出力する予備温調タイマーと、予備温調タイマー及び液
交換タイマーからの出力信号を受けて前記自動弁の開閉
を制御するコントローラとを有するものである。
エツチング槽の使用済の液を排液する直前に、新液を貯
液し加熱温調する。これにより、エツチング槽に供給し
た時点でのエツチング処理が可能となる。
液し加熱温調する。これにより、エツチング槽に供給し
た時点でのエツチング処理が可能となる。
次に本発明について図面を参照して説明する。
第１図は、本発明の一実施例を示す配管図である。
図において、エンチング槽１は、半導体基板２の窒化シ
リコン膜をエツチング処理するための槽であり、エツチ
ング槽ヒーター３は、エツチング槽１のリン酸を１６０
℃から１８０℃に加熱温調するものであり、排液バルブ
４は、エツチング槽１のリン酸を排液するためのもので
ある。
リコン膜をエツチング処理するための槽であり、エツチ
ング槽ヒーター３は、エツチング槽１のリン酸を１６０
℃から１８０℃に加熱温調するものであり、排液バルブ
４は、エツチング槽１のリン酸を排液するためのもので
ある。
予備温調槽５は、エツチング槽１のリン酸の液を新液に
交換するために、予めエツチング槽１の槽容量分のリン
酸を貯液するものであり、予（ｉ１１ｉ温調ヒーター６
は、予備温調槽５のリン酸を予め加熱温調するためのも
のであり、補給バルブ７は、予備温調槽５にリン酸を供
給するものであり、給液バルブ８は、予備温調槽５のリ
ン酸をエツチング槽１に供給するものである。
交換するために、予めエツチング槽１の槽容量分のリン
酸を貯液するものであり、予（ｉ１１ｉ温調ヒーター６
は、予備温調槽５のリン酸を予め加熱温調するためのも
のであり、補給バルブ７は、予備温調槽５にリン酸を供
給するものであり、給液バルブ８は、予備温調槽５のリ
ン酸をエツチング槽１に供給するものである。
液交換タイマー９は、エツチング槽１のリン酸の寿命を
コントローラ１０に出力するものであり、予備温調タイ
マー１１は、予備温調槽５にリン酸を所定量供給する時
間と、設定温度まで加熱する時間の合計時間とをコント
ローラ１０に出力するためのものである。
コントローラ１０に出力するものであり、予備温調タイ
マー１１は、予備温調槽５にリン酸を所定量供給する時
間と、設定温度まで加熱する時間の合計時間とをコント
ローラ１０に出力するためのものである。
コントローラ１０は、液交換タイマー９、予備温調タイ
マー１１の信号を受けて補給バルブ７、給液バルブ８、
排液バルブ４の開閉及びエツチング槽ヒーター３、予（
１ｍｍｍｍ−ター６のオン・オフを制御するものである
。
マー１１の信号を受けて補給バルブ７、給液バルブ８、
排液バルブ４の開閉及びエツチング槽ヒーター３、予（
１ｍｍｍｍ−ター６のオン・オフを制御するものである
。
次に、動作について説明する。
コントローラ１０は予備温調タイマー１１のタイムアツ
プ信号を受けて補給バルブ７を開け、予備温調槽５にリ
ン酸を所定量供給する。供給完了後、予備温調ヒーター
６をオンにして、リン酸の液温を設定温度にする。その
後、液交換タイマー９かタイムアツプ信号を出力すれば
、排液バルブ４を開け、エツチング槽１を空にし、排液
バルブ４を閉じ、給液バルブ８を開ける。
プ信号を受けて補給バルブ７を開け、予備温調槽５にリ
ン酸を所定量供給する。供給完了後、予備温調ヒーター
６をオンにして、リン酸の液温を設定温度にする。その
後、液交換タイマー９かタイムアツプ信号を出力すれば
、排液バルブ４を開け、エツチング槽１を空にし、排液
バルブ４を閉じ、給液バルブ８を開ける。
予備温調槽５が空になり、エツチング槽１に所定量のリ
ン酸が供給されれば、エツチング槽ビータ−３がオンし
て、エツチング槽１の温調が開始され、液交換か終了す
る。
ン酸が供給されれば、エツチング槽ビータ−３がオンし
て、エツチング槽１の温調が開始され、液交換か終了す
る。
そこで、次の予備温調タイマー１１のタイムアッブ信号
か出力されるまで、この状態を保ち、予備温調タイマー
１１のタイムアツプ信号か出力されれば、前記の一連動
作を繰返すものである。
か出力されるまで、この状態を保ち、予備温調タイマー
１１のタイムアツプ信号か出力されれば、前記の一連動
作を繰返すものである。
第２図は、それらのタイミングを表わすタイミングチャ
ート図である。
ート図である。
以上説明したように本発明は、工・Ｖチング槽の使用済
の液を排液する直前に新液を貯液し加熱温調するので、
エツチング槽に供給した時点でエツチング処理が可能と
なり、工・ソチング槽の処理可能時間か長くなる。また
、エツチング槽に供給する直前に加熱するため、リン酸
の劣化の心配がない。
の液を排液する直前に新液を貯液し加熱温調するので、
エツチング槽に供給した時点でエツチング処理が可能と
なり、工・ソチング槽の処理可能時間か長くなる。また
、エツチング槽に供給する直前に加熱するため、リン酸
の劣化の心配がない。
第１図は、本発明の一実施例を示す配管図、第２図は、
第１図に示した窒化膜ウェットエツチング装置のタイミ
ングチャート図、第３図は、従来の窒化膜ウェットエツ
チング装置を示す配管図、第４図は、第３図に示した装
置のタイミングチャート図である。 １・・・エツチング槽 ２・・・半導体基板３・・
・エツチング槽ヒーター ４・・・排液バルブ ５・・・予備温調槽６・・
・予備温調ヒーター ７・・・補給バルブ８・・・給液
バルブ ９・・・液交換タイマー１０・・・コン
トローラ １１・・・予備温調タイマー１２・・・
ヒーター １３・・・貯液槽特許出願人
日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中、・−
１−１−−ミ ＼；− 第１図 第３図 第４図
第１図に示した窒化膜ウェットエツチング装置のタイミ
ングチャート図、第３図は、従来の窒化膜ウェットエツ
チング装置を示す配管図、第４図は、第３図に示した装
置のタイミングチャート図である。 １・・・エツチング槽 ２・・・半導体基板３・・
・エツチング槽ヒーター ４・・・排液バルブ ５・・・予備温調槽６・・
・予備温調ヒーター ７・・・補給バルブ８・・・給液
バルブ ９・・・液交換タイマー１０・・・コン
トローラ １１・・・予備温調タイマー１２・・・
ヒーター １３・・・貯液槽特許出願人
日本電気株式会社 代 理 人 弁理士 菅 野 中、・−
１−１−−ミ ＼；− 第１図 第３図 第４図
Claims (1)
- （１）半導体基板上の窒化シリコン膜を熱リン酸により
エッチングする窒化膜ウェットエッチング装置において
、リン酸を予め加熱温調する予備温調槽と、予備温調槽
のリン酸をエッチング槽に供給する自動弁と、予備温調
槽にリン酸を供給する自動弁と、エッチング槽にリン酸
供給完了後から設定時間経過した時点で信号を出力する
液交換タイマーと、液交換タイマーがタイムアップする
時点から設定時間前に信号を出力する予備温調タイマー
と、予備温調タイマー及び液交換タイマーからの出力信
号を受けて前記自動弁の開閉を制御するコントローラと
を有するものであることを特徴とする窒化膜ウェットエ
ッチング装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2324818A JP2853324B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 窒化膜ウェットエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2324818A JP2853324B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 窒化膜ウェットエッチング装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH04192525A true JPH04192525A (ja) | 1992-07-10 |
| JP2853324B2 JP2853324B2 (ja) | 1999-02-03 |
Family
ID=18170016
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2324818A Expired - Fee Related JP2853324B2 (ja) | 1990-11-27 | 1990-11-27 | 窒化膜ウェットエッチング装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2853324B2 (ja) |
Cited By (5)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2002089192A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of wet etching an inorganic antireflection layer |
| JP2008187013A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| US7687455B2 (en) | 2004-04-13 | 2010-03-30 | Immune Targeting Systems Ltd. | Antigen delivery vectors and constructs |
| JP2013093478A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| CN110942988A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628527A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| JPH0296334A (ja) * | 1988-10-01 | 1990-04-09 | Nisso Eng Kk | 高温エッチング液の循環方法 |
-
1990
- 1990-11-27 JP JP2324818A patent/JP2853324B2/ja not_active Expired - Fee Related
Patent Citations (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JPS628527A (ja) * | 1985-07-04 | 1987-01-16 | Toshiba Corp | 半導体製造装置 |
| JPH0296334A (ja) * | 1988-10-01 | 1990-04-09 | Nisso Eng Kk | 高温エッチング液の循環方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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| WO2002089193A1 (en) * | 2001-04-27 | 2002-11-07 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Method of wet etching a silicon and nitrogen containing material |
| US7687455B2 (en) | 2004-04-13 | 2010-03-30 | Immune Targeting Systems Ltd. | Antigen delivery vectors and constructs |
| US8110540B2 (en) | 2004-04-13 | 2012-02-07 | Immune Targeting Systems Ltd. | Antigen delivery vectors and constructs |
| US8129333B2 (en) | 2004-04-13 | 2012-03-06 | Immune Targeting Systems Ltd. | Antigen delivery vectors and constructs |
| US8759281B2 (en) | 2004-04-13 | 2014-06-24 | Immune Targeting Systems Ltd. | Antigen delivery vectors and constructs |
| JP2008187013A (ja) * | 2007-01-30 | 2008-08-14 | Dainippon Screen Mfg Co Ltd | 基板処理方法および基板処理装置 |
| JP2013093478A (ja) * | 2011-10-27 | 2013-05-16 | Tokyo Electron Ltd | 基板処理装置及び基板処理方法並びに基板処理プログラムを記憶したコンピュータ読み取り可能な記憶媒体 |
| CN110942988A (zh) * | 2018-09-21 | 2020-03-31 | 株式会社斯库林集团 | 基板处理装置以及基板处理方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JP2853324B2 (ja) | 1999-02-03 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |