JP5303350B2 - ドライエッチング装置 - Google Patents
ドライエッチング装置 Download PDFInfo
- Publication number
- JP5303350B2 JP5303350B2 JP2009112263A JP2009112263A JP5303350B2 JP 5303350 B2 JP5303350 B2 JP 5303350B2 JP 2009112263 A JP2009112263 A JP 2009112263A JP 2009112263 A JP2009112263 A JP 2009112263A JP 5303350 B2 JP5303350 B2 JP 5303350B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- processing chamber
- gas
- vacuum processing
- residual
- gate valve
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 title claims description 19
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 22
- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 5
- 239000000758 substrate Substances 0.000 description 18
- 238000007599 discharging Methods 0.000 description 4
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 3
- BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N Vinyl chloride Chemical compound ClC=C BZHJMEDXRYGGRV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 2
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 2
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 2
- 231100000331 toxic Toxicity 0.000 description 2
- 230000002588 toxic effect Effects 0.000 description 2
- ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N Chlorine atom Chemical compound [Cl] ZAMOUSCENKQFHK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000010923 batch production Methods 0.000 description 1
- 229910052801 chlorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000000460 chlorine Substances 0.000 description 1
- 238000000605 extraction Methods 0.000 description 1
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 230000007261 regionalization Effects 0.000 description 1
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Chemical compound O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
Images
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
Description
図2には本発明の一実施形態によるバッチ式ドライエッチング装置を示し、図示装置は真空処理室10を有し、この真空処理室10はその一側部の搬入・搬出開口部にはゲートバルブ11が設けられている。エッチング処理すべき及び処理済み基板又はトレー12は、このゲートバルブ11を通って、真空処理室10内へ挿置され、真空処理室10から取り出される。真空処理室10のゲートバルブ11の外側には、ゲートバルブ11を囲んで残留ガス排出用ケース13が設けられ、このケース13は防錆、防食性の材料、例えば塩化ビニルで構成され、ゲートバルブ11の外面から少なくとも50mm突出するように設けられ得る。またケース13には排気管14及びガス検出器15が接続されている。排気管14は好ましくは適当なガス排出及びガス処理装置(図示していない)に接続され得る。ガス検出器15は代わりに排気管14に設けてもよい。また図2において、16は基板ホルダーであり、17は基板ホルダー16に対向して設けられた対向電極であり、18はプロセスガス供給源であり、19は排気系である。
11:ゲートバルブ
12:エッチング処理すべき及び処理済み基板又はトレー
13:残留ガス排出用ケース
14:排気管
15:ガス検出器
Claims (2)
- 排気系及びガス導入系を備えた真空処理室の搬入・搬出開口部に設けたゲートバルブの外側に、該ゲートバルブ を囲んで残留ガス排出用ケースを設け、該残留ガス排出用ケースに排気管を接続し、前記残留ガス排出用ケースが、前記ゲートバルブから少なくとも50mm以上の奥行をもち、そして真空処理室内部に残留プロセスガスの検出手段及び排気処理手段を設けることなしに、前記ゲートバルブの開放時に前記真空処理室内の残留プロセスガスを外部へ拡散させずに排出処理できるように構成し、さらに、残留ガス排出用ケース又は排気管にガス検出器が設けられることを特徴とするドライエッチング装置。
- ガス検出器が残留ガスを検出すると、残留ガス排出用ケースに接続した排気管を介して真空処理室内の残留ガスを強制的に排出処理することを特徴とする請求項1記載のドライエッチング装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009112263A JP5303350B2 (ja) | 2009-05-01 | 2009-05-01 | ドライエッチング装置 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP2009112263A JP5303350B2 (ja) | 2009-05-01 | 2009-05-01 | ドライエッチング装置 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JP2010263048A JP2010263048A (ja) | 2010-11-18 |
JP5303350B2 true JP5303350B2 (ja) | 2013-10-02 |
Family
ID=43360905
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP2009112263A Expired - Fee Related JP5303350B2 (ja) | 2009-05-01 | 2009-05-01 | ドライエッチング装置 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JP5303350B2 (ja) |
Families Citing this family (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
WO2012070634A1 (en) | 2010-11-26 | 2012-05-31 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Power transmission device and wireless power transmission system including the same |
JP5570468B2 (ja) * | 2011-04-14 | 2014-08-13 | パナソニック株式会社 | プラズマ処理装置及び残留ガスの排気方法 |
Family Cites Families (3)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH0268437A (ja) * | 1988-09-02 | 1990-03-07 | Fuji Electric Co Ltd | 半導体製造装置の換気装置 |
JP2002118067A (ja) * | 2000-10-10 | 2002-04-19 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 真空処理方法及び真空処理装置 |
JP4540939B2 (ja) * | 2003-03-24 | 2010-09-08 | 東京エレクトロン株式会社 | 処理装置 |
-
2009
- 2009-05-01 JP JP2009112263A patent/JP5303350B2/ja not_active Expired - Fee Related
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
JP2010263048A (ja) | 2010-11-18 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
JP2011151387A5 (ja) | ||
JP4982320B2 (ja) | 基板処理装置 | |
KR200478233Y1 (ko) | 공정 가스 리크 검출 장치 | |
TW201243977A (en) | Load lock assembly and method for particle reduction | |
JP5303350B2 (ja) | ドライエッチング装置 | |
KR101309442B1 (ko) | 가스 처리 장치, 가스 처리 방법 및 기억매체 | |
TWI643259B (zh) | Substrate processing apparatus and substrate processing method | |
KR20080009568A (ko) | 진공챔버 내부의 온도 및 습도 모니터링 시스템을 갖는반도체 장치, 및 상기 온도 및 습도 분석 방법. | |
JP5394722B2 (ja) | 基板処理装置 | |
TWI380356B (ja) | ||
JPWO2012008439A1 (ja) | 基板処理方法及び基板処理システム | |
CN107591344B (zh) | 工艺室气氛检测方法和晶片加工设备 | |
KR100708973B1 (ko) | 유브이 램프 모듈을 구비하는 로드락 챔버를 이용한반도체 제조 장치 및 방법 | |
US10478872B2 (en) | Method and station for treatment of a transport container made of plastic material for the atmospheric storage and conveyance of substrates | |
CN112509941B (zh) | 改善铝蚀刻工艺腐蚀缺陷的方法及装置 | |
JP4293333B2 (ja) | 基板処理の不具合検出方法及び処理装置 | |
TW201830553A (zh) | 基板處理方法 | |
JP7379042B2 (ja) | 真空搬送装置および真空搬送装置の制御方法 | |
KR20060127294A (ko) | 흄제거 기능을 갖는 사이드 스토리지챔버 | |
CN214555904U (zh) | 一种新型真空等离子的表面处理机 | |
JP4490636B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
JP2006261296A (ja) | 基板処理装置 | |
JP2002118067A (ja) | 真空処理方法及び真空処理装置 | |
JP5842032B2 (ja) | 基板の熱処理装置 | |
CN118218326A (zh) | 一种基板存储容器清洁方法及清洁单元及清洁设备 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20120116 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20121024 |
|
A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20121025 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20121221 |
|
A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20130227 |
|
A521 | Request for written amendment filed |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20130426 |
|
TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20130529 |
|
A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20130624 |
|
R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 5303350 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
R250 | Receipt of annual fees |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R250 |
|
LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |