KR200478233Y1 - 공정 가스 리크 검출 장치 - Google Patents

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KR200478233Y1
KR200478233Y1 KR2020150003475U KR20150003475U KR200478233Y1 KR 200478233 Y1 KR200478233 Y1 KR 200478233Y1 KR 2020150003475 U KR2020150003475 U KR 2020150003475U KR 20150003475 U KR20150003475 U KR 20150003475U KR 200478233 Y1 KR200478233 Y1 KR 200478233Y1
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Abstract

본 고안은 반도체 기판을 처리할 때의 공정 가스의 리크를 검출하는 장치로서, 공정 가스의 리크가 발생될 때 이를 알람 발생하는 장치에 관한 것이다. 본 고안의 실시 형태는, 반도체 제조 시에 사용되는 공정 가스의 누출을 검출하는 공정 가스 리크 검출 장치에 있어서, 공정 챔버로부터 누출되는 공정 가스를 검출하며, 공정 가스의 종류별로 각각 검출하도록 복수개로 마련되는 개별 검출 센서; 공정 챔버를 지지하는 지지 프레임에 마련되며, 상기 개별 검출 센서에서 공정 가스가 검출되면, 알람 발생과 함께 누출된 공정 가스의 종류, 검출량, 및 검출된 공정 챔버 모델명을 표시하는 공정 가스 알람 발생 제어기; 및 상기 개별 검출 센서에서 검출된 검출값을 센서 아이디와 함께 상기 알람 발생 제어기로 전달해주는 유무선 통신망;을 포함할 수 있다.

Description

공정 가스 리크 검출 장치{Apparatus for detecting processing gas leak}
본 고안은 반도체 기판을 처리할 때의 공정 가스의 리크를 검출하는 장치로서, 공정 가스의 리크가 발생될 때 이를 알람 발생하는 장치에 관한 것이다.
진공에서 플라즈마를 사용하는 장비를 통해 이루어지는 반도체 기판 제조 공정에서 반도체, 유전체, 및 도체 물질, 예를 들어 폴리실리콘, 이산화 실리콘, 및 알루미늄층은 기판 상에 증착되고, 게이트, 비아, 콘택홀 또는 상호 배선 라인의 패턴을 형성하도록 식각된다.
이때, 상기의 층들은 전형적으로 화학적 기상증착(CVD), 물리적 기상 증착(PVD), 또는 산화 및 질화 공정에 의해 형성된다. 예를들어, CVD공정에서 반응성 가스는 기판상에서 물질층을 증착시키기 위해 분해되며, PVD공정에서는 기판상에 물질을 증착시키기 위해 타겟이 스퍼터링된다.
산화 및 질화 공정에서, 산화층 또는 질화층은 전형적으로 이산화 실리콘층 또는 질화 실리콘층이 기판 상에 형성된다. 식각 공정에서 포토레지스트의 패턴화된 마스크층 또는 하드 마스크가 포토리소그라픽 방법에 의해 기판상에 형성되어 기판의 노출부가 Cl2, HBr 또는 BCl3와 같은 활성화된 가스에 의해 식각된다.
이때, 진공에서 플라즈마를 사용하는 장비를 이용한 증착공정에 있어, 공정챔버에서 리크의 발생으로 장비 불량이 초래되는 경우, 종래에는 장비 불량을 초래하는 리크의 발생시점을 실시간으로 발견하기가 상당히 어려웠다.
즉, 증착공정이 진행되는 상태에서 공정 챔버에서 리크가 발생하는 경우, 종래에는 매 공정단계(shift)마다 장비가동을 중지하고 풀 펌핑(Full Pumping)을 한 후 모든 밸브를 닫은 상태에서 공정챔버내의 압력변화를 측정함으로써 리크가 발생되었는지를 체크할 수 있는데, 이 경우 그 체크에 따른 시간(약 20∼30분 정도)이 많이 소요됨은 물론, 장비 가동의 중지로 인해 생산성이 저하되는 단점이 있다.
이에 따라, 종래에는 고온의 고밀도 플라즈마(HDP; High Density Plasma) CVD의 장비를 이용한 공정에서 공정챔버의 균열이 발생하더라도, 장비 가동이 중단된 상태에서 리크를 체크하는 동안 공정챔버의 냉각으로 인해 상기와 같은 균열상태의 확인이 불가능하게 되면서 공정챔버의 손상을 초래하는 사고를 유발시킬 수 밖에 없었다.
한국공개특허 10-2004-0093017
본 고안의 기술적 과제는 반도체 기판을 처리할 때의 공정 가스의 리크를 검출하는 장치를 제공하는데 있다. 또한 본 고안의 기술적 과제는, 공정 가스의 리크가 발생될 때 이를 알람 발생하는 장치를 제공하는데 있다. 또한 본 고안의 기술적 과제는, 공정 가스의 리크가 발생시에 빠른 시간내에 공정 가스를 배출하도록 하는데 있다.
본 고안의 실시 형태는, 반도체 제조 시에 사용되는 공정 가스의 누출을 검출하는 공정 가스 리크 검출 장치에 있어서, 공정 챔버로부터 누출되는 공정 가스를 검출하며, 공정 가스의 종류별로 각각 검출하도록 복수개로 마련되는 개별 검출 센서; 공정 챔버를 지지하는 지지 프레임에 마련되며, 상기 개별 검출 센서에서 공정 가스가 검출되면, 알람 발생과 함께 누출된 공정 가스의 종류, 검출량, 및 검출된 공정 챔버 모델명을 표시하는 공정 가스 알람 발생 제어기; 및 상기 개별 검출 센서에서 검출된 검출값을 센서 아이디와 함께 상기 알람 발생 제어기로 전달해주는 유무선 통신망; 을 포함하며, 상기 공정 가스 리크 검출 장치는, 상기 공정 챔버의 온도인 챔버 온도를 측정하는 온도 측정 센서; 상기 공정 챔버의 벽체에 매립된 냉각매 매립관; 상기 냉각매 매립관에 냉각매를 공급하는 냉각매 공급부; 및 공정 가스의 종류마다 임계 온도값이 할당된 임계 온도값 데이터베이스; 를 포함하며, 상기 공정 가스 알람 발생 제어기는, 누출된 공정 가스의 종류를 파악한 후, 상기 챔버 온도가 누출된 공정 가스의 종류에 할당된 임계 온도값을 초과하는 경우, 상기 냉각매 매립관에 냉각매가 공급되도록 제어할 수 있다.
상기 공정 가스 리크 검출 장치는, 상기 공정 챔버의 기판 처리 공간과 연결된 배기관; 및 상기 배기관을 통해 공정 가스를 외부로 배출하는 배기 펌프;를 포함하며, 상기 공정 가스 알람 발생 제어기는, 누출된 공정 가스의 검출량이 미리 설정된 임계 검출량을 넘을 경우 상기 공정 가스를 배출하도록 상기 배기 펌프를 구동시킬 수 있다.
상기 배기관은, 상기 공정 챔버의 벽체 상반부에 일단이 연결된 제1배기관과; 상기 공정 챔버의 벽체 하반부에 일단이 연결된 제2배기관을 포함하고, 상기 배기 펌프는, 상기 제1배기관의 타단에 연결된 제1배기 펌프와; 상기 제2배기관의 타단에 연결된 제2배기 펌프를 포함하며, 상기 공정 가스 알람 발생 제어기는, 누출된 공정 가스의 검출량이 미리 설정된 임계 검출량을 넘을 경우, 누출된 공정 가스의 종류에 따라서 상기 제1배기 펌프 또는 제2배기 펌프 중 어느 하나 이상을 구동시킬 수 있다.
삭제
상기 공정 가스 리크 검출 장치는, 상기 공정 챔버의 내부 공간으로 가스와 흡착하는 흡착재를 분사하는 흡착재 분사기; 및 공정 가스의 종류마다 흡착재가 할당된 흡착재 데이터베이스;를 포함하며, 상기 공정 가스 알람 발생 제어기는, 누출된 공정 가스의 종류를 파악한 후, 상기 챔버 온도가 누출된 공정 가스의 종류에 할당된 임계 온도값을 초과하는 경우, 누출된 공정 가스의 종류에 할당된 흡착재를 상기 공정 챔버의 내부 공간으로 분사되도록 제어하며, 상기 흡착재는 공정가스가 달라붙었을 때 공정가스의 유해성이 제거될 수 잇도록 공정가스와 상극성을 가짐을 특징으로 할 수 있다.
본 고안의 실시 형태에 따르면 공정 가스의 리크 발생을 알람해줌으로써, 현장의 관리자나 작업자가 즉각적인 조치를 취할 수 있다. 또한 본 고안의 실시 형태에 따르면 배기 펌프, 흡착재, 냉각재를 이용하여 효과적인 조치를 취할 수 있어, 사고를 방지할 수 있다.
도 1은 본 고안의 실시예에 따른 플라즈마 스퍼터 증착 장치를 도시한 그림.
도 2는 본 고안의 실시예에 따른 공정 가스 리크 검출 장치의 구성 블록도.
도 3은 본 고안의 실시예에 따라 배기관과 배기 펌프가 도시된 플라즈마 스퍼터 증착 장치를 도시한 그림.
도 4는 본 고안의 실시예에 따른 냉각매 제어를 수행하는 공정 가스 리크 검출 장치의 구성 블록도.
도 5는 본 고안의 실시예에 따른 흡착재 제어를 수행하는 공정 가스 리크 검출 장치의 구성 블록도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 고안의 실시예를 더욱 상세히 설명하기로 한다. 그러나 본 고안은 이하에서 개시되는 실시예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시예들은 본 고안의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 고안의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다. 도면 상에서 동일 부호는 동일한 요소를 지칭한다.
도 1은 본 고안의 실시예에 따른 플라즈마 스퍼터 증착 장치를 도시한 그림이며, 도 2는 본 고안의 실시예에 따른 공정 가스 리크 검출 장치의 구성 블록도이다.
이하 설명에서는, 반도체 기판 처리 장치로서 플라즈마 스퍼터 증착 장치를 예로 들어 공정 가스 리크 검출 장치를 설명할 것이다. 그러나 본 고안은 이에 한정되지 않고 화학기상증착(CVD) 장치, 물리기상증착(PVD) 장치, 원자층 증착(ALD) 장치, 레이저 처리 장치 등 다양한 반도체 기판 처리 장치에서 공정 가스의 리크(leak)를 검출하는데 적용할 수 있을 것이다.
또한 리크(leak)란, 공정 챔버(10)에서 기판 처리에 사용되는 공정 가스가 공정 챔버(10) 외부로 누출되는 것을 말하는 것으로서, 본 고안은 공정 챔버(10)에서 누출되는 공정 가스를 검출하여 알람 경보 및 환풍구 개방의 동작을 제어한다. 또한 공정 챔버(10)의 주변 온도를 감지하여 온도에 따라 냉각매 공급 및 흡착재 투입을 수행한다. 이하 상술한다.
공정 챔버(10)(10)는 증착 공정을 수행하기 위하여 진공 상태가 유지된다. 도 1을 참조하면, 공정 챔버(10)의 측면에는 게이트(미도시)가 마련되어 공정 챔버(10) 내부로 로딩, 언로딩될 수 있다.
또한 공정 챔버(10)(10)의 상부에는 타겟(12)과 캐소드 전극(11)이 구비되어 있다. 타겟(12)은 기판(13)에 증착시키고자 하는 금속 물질(예를 들면, Al, Ti 등)로 되어 있다. 캐소드 전극(11)은 타겟(12)의 위쪽에 위치한다. 상기 공정 챔버(10)(10) 내에는 상기 캐소드 전극(11)에 대응하는 애노드 전극이 존재하며 몸체를 구성한다. 상애노드 전극은 일반적으로 접지되어 있다. 캐소드 전극(11)과 애노드 전극에 특정 전압을 인가하면 공정 챔버(10)(10) 내부가 플라즈마 상태로 된다. 예로서, 상기 캐소드 전극(11)에는 -350V ~ - 500V 의 DC 전압을 인가하고 애노드 전극을 그라운드로 연결한 상태에서 아르곤 가스를 공급하면 상기 공정 챔버(10)(10)의 내부는 아르곤 이온(Ar+)과 전자(e-)가 밀집된 플라즈마 상태가 형성된다.
공정 챔버(10)(10)의 하부에는 기판(13)와 히터 테이블(14)이 구비되어 있다. 히터 테이블(14)은 공정 챔버(10)(10) 내에서 게이트(미도시)를 통해 기판(13)를 로딩(Loading) 또는 언로딩(Unloading) 하기 위한 장치이며, 기판(13)은 히터 테이블(14) 상에 탑재된다. 공정 챔버(10)(10)의 일 측면에는 복수의 가스 공급원(15)와 가스 공급관(16)이 구비되어 있고, 각 가스 공급관(16)을 통해 삼불화붕소(BF3), 포스핀(PH3), 아르신(AsH3), Ge, 이산화탄소(Co2), 디보란디암민(B2H6), 아르곤가스(Ar) 등이 공정 챔버(10)로 공급된다. 공급되는 공정 가스는 이온 형태로 공급될 수도 있으나 원소로 공급되어 공정 챔버(10)(10) 내에서 이온이 될 수도 있다. 또한 공정 챔버(10)(10)의 내부를 진공 상태로 유지하기 위한 장치로서 밸브미도시)가 구비되어 있다.
공정 챔버(10)(10) 내에서 플라즈마 형성과정 및 기판에 금속 이온이 증착되는 과정을 설명하면 다음과 같다. 캐소드 전극(11)에 특정 전압(예를 들면, -350V ~ -500V)을 인가하고, 상기 애노드 전극을 그라운드로 연결하면 양 단 사이에 전기장이 형성된다. 이때 상기 캐소드 전극(11)과 연결된 타겟(12)에서는 자유 전자가 발생되고, 전기장에 의해 큰 운동에너지를 얻어 가속된다. 한편, 아르곤(Ar) 가스가 공급되면, 상기 아르곤 가스는 공정 챔버(10)(10) 내에서 가속된 전자들과 충돌을 일으켜 아르곤 이온(Ar+)이 된다. 따라서 공정 챔버(10)(10) 내에는 아르곤 이온(Ar+)과 전자(e-)가 밀집된 플라즈마가 형성된다. 상기 아르곤 이온(Ar+)은 상기 공정 챔버(10)(10) 내에 형성된 전계에 의해 상기 캐소드 전극(11) 쪽으로 가속되어 상기 타겟(12)과 충돌한다. 이때 충격력으로 상기 타겟(12)을 이루는 금속 물질(예를 들면 Al, Ti 등)의 일부가 떨어져 나와 상기 기판(13)에 증착된다.
본 고안의 개별 검출 센서(100)는, 공정 챔버(10)를 지지하는 지지 프레임(F)에 마련되며, 공정 챔버(10)로부터 누출되는 공정 가스를 검출하며, 공정 가스의 종류별로 각각 검출하도록 복수개로 마련된다. 공정 챔버(10)를 지지하는 지지 프레임(F)에 복수의 개별 검출 센서(100)가 설치되어, 공정 챔버(10)에서 누출되는 공정 가스가 있는지를 검출한다.
본 고안은 반도체 제조 시에 사용되는 공정 가스의 누출을 검출하는 공정 가스의 리크를 검출하는데, 도 2를 참조하여 상술한다. 도 2에 도시한 바와 같이 개별 검출 센서(100), 가스 알람 발생기(200), 유무선 통신망(300)을 포함할 수 있다.
개별 검출 센서(100)는, 공정 챔버(10)를 지지하는 지지 프레임(F)에 마련되며, 공정 챔버(10)로부터 누출되는 공정 가스를 검출하며, 공정 가스의 종류별로 각각 검출하도록 복수개로 마련된다. 공정 챔버(10)를 지지하는 지지 프레임(F)에 복수의 개별 검출 센서(100)가 설치되어, 공정 챔버(10)에서 누출되는 공정 가스가 있는지를 검출한다. 이러한 개별 검출 센서(100)는, 다양한 공정 가스를 검출할 수 있도록 복수개로서 개별적으로 구비된다. 예를 들어, 삼불화붕소(BF3)의 공정 가스를 검출할 수 있는 제1개별 검출 센서(100a), 포스핀(PH3)의 공정 가스를 검출할 수 있는 제2개별 검출 센서(100b), 아르신(AsH3)의 공정 가스를 검출할 수 있는 제3개별 검출 센서(100c), Ge의 공정 가스를 검출할 수 있는 제4개별 검출 센서(100d), 이산화탄소(Co2)의 공정 가스를 검출할 수 있는 제5개별 검출 센서(100e), 디보란디암민(B2H6)의 공정 가스를 검출할 수 있는 제6개별 검출 센서(100f)를 구비할 수 있다.
각 개별 검출 센서(100)는, 감지된 검출량을 센서를 식별할 수 있는 센서 아이디와 함께 공정 가스 알람 발생 제어기(200)로 전송한다. 센서 아이디는 공정 가스 알람 발생 제어기(200)에 이미 등록되어 있어, 공정 가스 알람 발생 제어기(200)는 해당 센서가 어느 공정 챔버에 설치된 센서임을 알 수 있게 된다.
유무선 통신망(300)은, 개별 검출 센서(100)에서 검출된 검출값을 센서 아이디와 함께 공정 가스 알람 발생 제어기(200)로 전달해줄수 있다. 이러한 유무선 통신망(300)은, 이더넷(Ethernet), 범용 직렬 버스(Universal Serial Bus), IEEE 1394, 직렬통신(serial communication) 및 병렬 통신(parallel communication)과 같은 유선 통신 방식이 사용될 수 있으며, 적외선 통신(Infrared Radiation), 블루투스(Bluetooth), 홈 RF(Radio Frequency) 및 무선 랜(Wireless LAN)과 같은 무선 통신 방식이 사용될 수도 있는 것이다. 참고로, 블루투스(bluetooth)란 기기간의 사진, 음성 등을 정보를 전달하는 근거리 무선 통신 기술을 말한다.
공정 가스 알람 발생 제어기(200)는, 개별 검출 센서(100)에서 공정 가스가 검출되면, 알람 발생과 함께 누출된 공정 가스의 종류, 검출량, 및 검출된 공정 챔버(10) 모델명을 표시한다. 예를 들어, 제1개별 검출 센서(100a)를 통해 삼불화붕소(BF3)가 검출된 경우, 삼불화붕소 가스의 검출 사실을 표시하며, 아울러 삼불화붕소 가스의 검출량과 공정 챔버(10) 모델명을 표시하여 현장의 작업자가 곧바로 대처할 수 있도록 한다. 마찬가지로, 제2개별 검출 센서(100b)를 통해 스핀(PH3)의 공정 가스가 검출된 경우, 스핀 가스의 검출 사실을 표시하며, 아울러 스핀 가스의 검출량과 공정 챔버(10) 모델명을 표시할 수 있다.
또한 공정 가스 알람 발생 제어기(200)는 지지 프레임(F)의 장비 정면에 마련되어, 현장 작업자, 장비 관리 담당자가 리크 발생 경고(warnning) 단계에서 정확하고 쉽게 공정 가스의 검출량, 검출된 공정 가스의 종류, 공정 챔버(10) 모델을 알 수 있게 되어, 현장에서 조기에 조치할 수 있어 사고를 미연에 방지할 수 있다.
한편, 본 고안의 실시예는 공정 가스 알람 발생 제어기(200)는, 공정 가스의 누출이 발생되면, 알람 발생에 그치지 않고 좀더 능동적으로 공정 챔버(10)내의 공정 가스의 누출이 더 발생되지 않도록 공정 가스의 공급을 중단하고, 공정 챔버(10)내의 공정 가스를 신속하게 외부로 배출되도록 구현한다.
이를 위하여 도 3에 도시한 바와 같이, 공정 챔버(10)의 기판 처리 공간과 연결된 배기관(17)과, 배기관(17)을 통해 공정 가스를 외부로 배출하는 배기 펌프(18)를 포함하며, 공정 가스 알람 발생 제어기(200)는, 누출된 공정 가스의 검출량이 미리 설정된 임계 검출량을 넘을 경우 공정 가스를 배출하도록 배기 펌프(18)를 구동시킨다. 예를 들어, 인화성이 높은 공정 가스의 경우 위험도가 매우 크기 때문에, 누출된 공정 가스의 검출량이 미리 설정된 임계 검출량을 넘을 경우 배기 펌프(18)를 구동시켜 공정 챔버(10)의 내부의 공정 가스를 외부로 배출시켜 더이상 공정 가스가 누출되지 않도록 하는 것이다. 여기서 외부라 함은, 공정 가스를 안전하게 처리할 수 있는 시설을 말한다.
한편, 공정 가스의 종류에 따라 공기보다 밀도가 높거나, 공기보다 밀도가 낮을 수 잇다. 공기보다 밀도가 낮은 공정 가스는 부상하여 상층에 위치하려 할 것이고, 공기보다 밀도가 높은 공정가스는 바닥에 가라앉을려 할 것이다.
공정 진행 진행중에 공정 챔버(10) 내부의 대기압이 진공 상태가 아닌 경우, 이러한 공정 가스는 그 종류에 따라서 공정 챔버(10)의 상층 또는 하층에 대부분이 위치할 것이다. 따라서 공정 가스 알람 발생 제어기(200)는, 공정 가스의 누출이 발생되면, 공정 챔버(10)내의 공정 가스의 누출이 더 발생되지 않도록 공정 가스의 공급을 중단하고, 공정 챔버(10)내의 공정 가스를 신속하게 외부로 배출되도록 배기관(17)을 복수개로 구비하여 공정 가스의 종류에 따라 배기 펌프(18)의 구동을 달리하여, 배기 효율을 향상시킨다.
이를 위해 도 3에 도시한 바와 같이 공정 챔버(10)의 벽체 상반부에 일단이 연결된 제1배기관(17a)과, 제1배기관(17a)의 타단에 연결된 제1배기 펌프(18a)와, 공정 챔버(10)의 벽체 하반부에 일단이 연결된 제2배기관(17b)과, 제2배기관(17b)의 타단에 연결된 제2배기 펌프(18b)를 구비한다.
따라서 공정 가스 알람 발생 제어기(200)는, 누출된 공정 가스의 검출량이 미리 설정된 임계 검출량을 넘을 경우, 누출된 공정 가스의 종류에 따라서 제1배기 펌프(18a) 또는 제2배기 펌프(18b) 중 어느 하나 이상을 구동시킨다. 예를 들어, 누출된 공정 가스가 대기중에서 뜨는 특성을 가지는 공정 가스인 경우, 제1배기 펌프(18a)를 구동시켜 공정 챔버(10)내의 상측에 주로 위치한 공정 가스를 외부로 배출시킨다. 반대로, 누출된 공정 가스가 대기중에서 가라앉는 특성을 가지는 공정 가스인 경우, 제2배기 펌프(18b)를 구동시켜 공정 챔버(10)내의 하측에 주로 위치한 공정 가스를 외부로 배출시킨다
한편, 공정 가스의 경우 주변 온도에 따라 활성화가 되어 화재 발생 등의 위험이 발생할 수 있다. 인화성 공정 가스의 경우 주변 온도가 높을 시에 발화 가능성이 더 커지게 된다. 따라서 본 고안은, 공정 가스의 누출이 있을 때 공정 챔버(10)의 온도를 낮출 필요가 있다. 이를 위하여 도 4의 블록도에 도시한 바와 같이 공정 챔버(10)의 온도인 챔버 온도를 측정하는 온도 측정 센서(110)와, 공정 챔버(10)의 벽체에 매립된 냉각매 매립관(120)과, 냉각매 매립관(120)에 냉각매를 공급하는 냉각매 공급부(130)와, 공정 가스의 종류마다 임계 온도값이 할당된 임계 온도값 데이터베이스(140)를 포함할 수 있다. 공정 가스마다 끓는 점 등의 특성이 다르기 때문에 공정 가스의 종류마다 임계 온도값을 다르게 할당한 것이다.
따라서 공정 가스 알람 발생 제어기(200)는, 누출된 공정 가스의 종류를 파악한 후, 챔버 온도가 누출된 공정 가스의 종류에 할당된 임계 온도값을 초과하는 경우, 냉각매 매립관(120)에 냉각매가 공급되도록 제어할 수 있다.
한편, 공정 가스의 누출이 있을 때, 배기 펌프(18)로의 배기, 공정 챔버(10)의 온도 하강 등의 조치만으로는 부족할 수 있다. 공정 가스의 잔재가 안남도록 완전히 공정 챔버(10)내의 공정 가스를 제거해야만, 더이상의 공정 가스 누출이 안 생기기 때문이다.
이를 위하여 본 고안은 도 5에 도시한 바와 같이 공정 챔버(10)의 내부 공간으로 가스와 흡착하는 흡착재를 분사하는 흡착재 분사기(150)와, 공정 가스의 종류마다 흡착재가 할당된 흡착재 데이터베이스(160)를 포함한다. 흡착재는 가스가 잘 달라붙는 가스나 미립자가 될 수 있다. 또한 흡착재는 각 공정 가스의 종류마다 잘 달라붙을 수 있는 흡착재의 종류가 다르게 된다. 바람직하게는 흡착재는 공정가스가 달라붙었을 때 공정가스의 유해성이 제거될 수 잇도록, 공정가스와 상극인 특성의 재질로 함이 바람직하다.
참고로, 흡착재에 달라붙은 공정 가스는 그 질량이 증가하여 공정 챔버(10)외 외부로 누출되기 어려우면, 흡착된 공정 가스는 배기관(17)을 통해 외부로 배출될 수 있다.
본 고안을 첨부 도면과 전술된 바람직한 실시예를 참조하여 설명하였으나, 본 고안은 그에 한정되지 않으며, 후술되는 실용신안등록청구범위에 의해 한정된다. 따라서, 본 기술분야의 통상의 지식을 가진 자라면 후술되는 실용신안등록청구범위의 기술적 사상에서 벗어나지 않는 범위 내에서 본 고안을 다양하게 변형 및 수정할 수 있다.
100:개별 검출 센서
110:온도 측정 센서
120:냉각매 매립관
130:냉각매 공급부
140:임계 온도값 데이터베이스
150:흡착재 분사기
160:흡착재 데이터베이스
200:공정 가스 알람 발생 제어기

Claims (5)

  1. 반도체 제조 시에 사용되는 공정 가스의 누출을 검출하는 공정 가스 리크 검출 장치에 있어서,
    공정 챔버로부터 누출되는 공정 가스를 검출하며, 공정 가스의 종류별로 각각 검출하도록 복수개로 마련되는 개별 검출 센서;
    공정 챔버를 지지하는 지지 프레임에 마련되며, 상기 개별 검출 센서에서 공정 가스가 검출되면, 알람 발생과 함께 누출된 공정 가스의 종류, 검출량, 및 검출된 공정 챔버 모델명을 표시하는 공정 가스 알람 발생 제어기; 및
    상기 개별 검출 센서에서 검출된 검출값을 센서 아이디와 함께 상기 알람 발생 제어기로 전달해주는 유무선 통신망;
    를 포함하며,
    상기 공정 가스 리크 검출 장치는,
    상기 공정 챔버의 온도인 챔버 온도를 측정하는 온도 측정 센서;
    상기 공정 챔버의 벽체에 매립된 냉각매 매립관;
    상기 냉각매 매립관에 냉각매를 공급하는 냉각매 공급부; 및
    공정 가스의 종류마다 임계 온도값이 할당된 임계 온도값 데이터베이스;
    를 포함하며, 상기 공정 가스 알람 발생 제어기는, 누출된 공정 가스의 종류를 파악한 후, 상기 챔버 온도가 누출된 공정 가스의 종류에 할당된 임계 온도값을 초과하는 경우, 상기 냉각매 매립관에 냉각매가 공급되도록 제어하는 공정 가스 리크 검출 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 공정 가스 리크 검출 장치는,
    상기 공정 챔버의 기판 처리 공간과 연결된 배기관; 및
    상기 배기관을 통해 공정 가스를 외부로 배출하는 배기 펌프;
    를 포함하며, 상기 공정 가스 알람 발생 제어기는, 누출된 공정 가스의 검출량이 미리 설정된 임계 검출량을 넘을 경우 상기 공정 가스를 배출하도록 상기 배기 펌프를 구동시키는 공정 가스 리크 검출 장치.
  3. 청구항 2에 있어서,
    상기 배기관은,
    상기 공정 챔버의 벽체 상반부에 일단이 연결된 제1배기관과;
    상기 공정 챔버의 벽체 하반부에 일단이 연결된 제2배기관을 포함하고,
    상기 배기 펌프는,
    상기 제1배기관의 타단에 연결된 제1배기 펌프와;
    상기 제2배기관의 타단에 연결된 제2배기 펌프를 포함하며,
    상기 공정 가스 알람 발생 제어기는, 누출된 공정 가스의 검출량이 미리 설정된 임계 검출량을 넘을 경우, 누출된 공정 가스의 종류에 따라서 상기 제1배기 펌프 또는 제2배기 펌프 중 어느 하나 이상을 구동시키는 공정 가스 리크 검출 장치.
  4. 삭제
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 공정 가스 리크 검출 장치는,
    상기 공정 챔버의 내부 공간으로 가스와 흡착하는 흡착재를 분사하는 흡착재 분사기; 및
    공정 가스의 종류마다 흡착재가 할당된 흡착재 데이터베이스;
    를 포함하며, 상기 공정 가스 알람 발생 제어기는, 누출된 공정 가스의 종류를 파악한 후, 상기 챔버 온도가 누출된 공정 가스의 종류에 할당된 임계 온도값을 초과하는 경우, 누출된 공정 가스의 종류에 할당된 흡착재를 상기 공정 챔버의 내부 공간으로 분사되도록 제어하며,
    상기 흡착재는 공정가스가 달라붙었을 때 공정가스의 유해성이 제거될 수 있도록 공정가스와 상극성을 가짐을 특징으로 하는 공정 가스 리크 검출 장치.
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