TWI713540B - 濺鍍裝置及其狀態判別方法 - Google Patents

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Abstract

提供一種能夠確實地判別真空腔內之氛圍是否為適於進行成膜的狀態之濺鍍裝置及其狀態判別方法。
本發明之濺鍍裝置之狀態判別方法，係為在對於靶材(2)進行濺鍍並在被與此靶材作對向配置的基板(W)上成膜之濺鍍裝置(SM)中，在對於基板所進行之成膜之前，判別真空腔內之氛圍是否為適於進行成膜之狀態，作為濺鍍裝置，係使用藉由隔絕手段(6、71~73)來在真空腔內設置隔絕空間並且構成為伴隨著真空腔內之真空抽氣而使隔絕空間被進行真空抽氣者，該隔絕空間，係被與真空腔內相互隔絕，靶材與基板係面臨該隔絕空間，該濺鍍裝置之狀態判別方法，係包含有：第1判別工程，係將真空腔內真空抽氣至預先所設定的壓力，並在此狀態下導入氣體，而取得此時之隔絕空間內的壓力，並且將當以特定之膜厚、膜質面內分布來進行了成膜時所預先求取出之前述隔絕空間內之壓力作為基準壓力，再對於此基準壓力和前述所取得了的隔絕空間內之壓力作比較，而判別濺鍍裝置之狀態。

Description

濺鍍裝置及其狀態判別方法
本發明，係有關於濺鍍裝置及其狀態判別方法。
於先前技術中，係周知有：當例如將氧化鋁或氮化矽等之絕緣物作為靶材，並對此進行濺鍍而在應處理之基板的與靶材相對向之面上成膜氧化物或氮化物等之絕緣膜的情況時，係使用濺鍍裝置(例如，參考專利文獻1)。
作為此種濺鍍裝置，係存在有下述之構成者：亦即是，係具備將靶材可自由裝卸地作安裝之真空腔、和在真空腔內被與靶材作對向配置並保持基板之平台、和區劃出靶材和基板所面臨的被從真空腔內而作了隔絕的隔絕空間之隔絕手段、以及將真空腔內作真空抽氣之排氣手段。隔絕手段，係對於維修性和對平台之基板的搬送等作考慮，而一般而言為將隔絕塊和複數枚之隔絕板作組裝來構成，真空腔內和隔絕空間內，係經由隔絕塊和隔絕板相互之間之空隙而相通連，伴隨著真空腔內之真空抽 氣，隔絕空間係成為被作真空抽氣。在將隔絕塊和隔絕板作組裝時，係以在對於靶材投入高頻電力時電漿不會經由隔絕板相互間之空隙而漏出的方式，來將該空隙設定為2~3mm之範圍內。
另外，在由靶材之濺鍍所致之成膜中，於隔絕板處也會附著有濺鍍粒子，此係會成為污染的原因。因此，隔絕板係定期性地被作交換，但是，若是不將隔絕板以保持有上述之空隙的方式來作組裝，則成膜時之隔絕空間內的壓力乃至於電漿密度會改變，膜厚或膜質之面內分布係會改變。
因此，係亦可考慮在隔絕空間內配置壓力感測器之測定元件，但是，如此一來，測定元件之表面也會被成膜，並成為無法以良好精確度來測定壓力。故而，於先前技術中，係對於真空腔內(亦即是，隔絕板之外側的空間)之壓力作測定，並根據此測定出之壓力來預測隔絕空間內之壓力。
然而，當隔絕板相互間之空隙改變而隔絕空間之壓力發生了變化的情況時，在如同上述先前技術例一般地所預測出之隔絕空間內之壓力和實際的隔絕空間內之壓力之間係會產生有偏差，而有著無法判別出真空腔內之氛圍是否身為適於進行成膜之狀態的問題。
[先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本特開2002-4042號公報
本發明，係有鑑於上述之問題點，而以提供一種能夠確實地判別真空腔內之氛圍是否為適於進行成膜的狀態之濺鍍裝置及其狀態判別方法一事，作為課題。
為了解決上述課題，本發明之濺鍍裝置之狀態判別方法，係為在對於靶材進行濺鍍並在被與此靶材作對向配置的基板上成膜之濺鍍裝置中，在對於基板所進行之成膜之前，判別真空腔內之氛圍是否為適於進行成膜之狀態，作為濺鍍裝置，係使用藉由隔絕手段來在真空腔內設置隔絕空間並且構成為伴隨著真空腔內之真空抽氣而使隔絕空間被進行真空抽氣者，該隔絕空間，係被與真空腔內相互隔絕，靶材與基板係面臨該隔絕空間，該濺鍍裝置之狀態判別方法，係包含有：第1判別工程，係將真空腔內真空抽氣至預先所設定的壓力，並在此狀態下導入氣體，而取得此時之隔絕空間內的壓力，並且將當以特定之膜厚、膜質面內分布來進行了成膜時所預先求取出之前述隔絕空間內之壓力作為基準壓力，再對於此基準壓力和前述所取得了的隔絕空間內之壓力作比較，而判別濺鍍裝置之狀態。
若依據本發明，則藉由取得隔絕空間內之壓力，並將此所取得了的壓力與基準壓力作比較，係能夠確實地判別真空腔內之氛圍是否為適於進行成膜的狀態。例如，當在對於隔絕手段進行交換時並未組裝於特定之位置處，而在隔絕手段之交換後所測定出的隔絕空間內之壓力相較於交換前(基準壓力)係大幅度地作了改變的情況時，膜厚或膜質之面內分布係會有產生變化之虞，而判別出係並非為適於進行成膜之狀態。於此情況，係能夠在進行假濺鍍以及成膜之前而對於隔絕手段之組裝位置作確認，故能夠縮短濺鍍裝置之維修時間，而為有利。
在本發明中，較理想，係更進而包含有：第2判別工程，係對於真空腔內之前述隔絕空間之外側的壓力作測定，並根據此測定出之壓力和前述所取得了的隔絕空間內之壓力之間的壓力差，來判別濺鍍裝置之狀態。若依據此，則在進行假濺鍍以及成膜之前，係能夠根據隔絕空間內和隔絕空間外側之間之壓力差，來對於隔絕手段之組裝位置的異常等作確認，而為有利。
在本發明中，較理想，係更進而包含有：第3判別工程，係對於在導入了前述氣體時的每單位時間之前述隔絕空間內之壓力的變化量作測定，並根據此測定出之變化量，來判別濺鍍裝置之狀態。若依據此，則在進行假濺鍍以及成膜之前，係能夠根據隔絕空間內之壓力的變化量，來對於隔絕手段之組裝位置的異常等作確認，而為有利。
在本發明中，較理想，係更進而包含有：第4判別工程，係對於在導入了前述氣體時的每單位時間之真空腔內的前述隔絕空間之外側之壓力的變化量作測定，並根據此測定出之變化量，來判別濺鍍裝置之狀態。若依據此，則當所取得了的隔絕空間內之壓力係為與基準壓力同等，並且真空腔內之前述隔絕空間之外側之壓力的變化量為多的情況時，係能夠判別出濺鍍裝置之排氣手段乃有所劣化，而能夠在適當的時期進行維修，故為有利。
又，為了解決上述課題，本發明之濺鍍裝置，係具備有：真空腔，係可自由裝卸地被安裝有靶材；和平台，係在真空腔內而被與靶材作對向配置並將基板作保持；和隔絕手段，係區劃出被從真空腔內而作了隔絕的隔絕空間，靶材和基板，係面臨該隔絕空間；和排氣手段，係藉由將真空腔內作真空抽氣，而將隔絕空間內作真空抽氣，該濺鍍裝置，其特徵為：隔絕手段，係具備有被配置在平台之周圍並被作接地的環狀之隔絕塊、和將隔絕塊與靶材之間之周圍作包圍並圍繞靶材和平台之間之空間的隔絕板，在隔絕塊處，設置使前端面臨隔絕空間並於厚度方向上作貫通之至少1個的貫通孔，並通過此貫通孔而設置了對於隔絕空間內之壓力作測定之真空計。
若依據本發明，則由於係通過隔絕塊之貫通孔來對於隔絕空間內之壓力作測定，因此，係能夠防止濺鍍粒子附著於真空計之測定元件上並成膜的情形。故而，藉由使用本發明之濺鍍裝置，由於係能夠對於隔絕空間內 之壓力作測定，因此，係能夠確實地判別真空腔內之氛圍是否為適於進行成膜的氛圍。
在本發明中，較理想，前述隔絕塊，係具備有複數之前述貫通孔，在此些之貫通孔之任一者處形成彎折部分，並通過此彎折部分而設置前述真空計。若依據此，則由於係能夠更進一步防止具有直線前進性之濺鍍粒子附著在真空計之測定元件上並成膜的情形，因此，係能夠更確實地判別真空腔內之氛圍是否為適於進行成膜的氛圍。
SM‧‧‧濺鍍裝置
W‧‧‧基板
1‧‧‧真空腔
1a‧‧‧隔絕空間
2‧‧‧靶材
5‧‧‧平台
6‧‧‧隔絕塊(隔絕手段)
61‧‧‧貫通孔
62‧‧‧彎折部分
71、72、73‧‧‧隔絕板(隔絕手段)
11‧‧‧真空計
[圖1]係為本發明之實施形態的濺鍍裝置之示意圖。
[圖2]係為對於用以確認本發明之效果的實驗結果作展示之圖表。
參考圖1，SM，係為本發明之實施形態的濺鍍裝置。此濺鍍裝置SM，係具備有真空腔1，在真空腔1之頂板部處，係被可自由裝卸地安裝有陰極單元C。於以下，在圖1中，係將朝向真空腔1之頂板部側的方向設為「上」，並將朝向其之底部側的方向作為「下」，來進行說明。
陰極單元C，係由靶材2和背板3以及磁石 單元4所構成。靶材2，係藉由因應於欲在基板W上所成膜之薄膜的組成而適宜選擇的氧化鋁等之絕緣物所構成，並因應於基板W之輪廓，來藉由公知之方法而形成為平面觀察時呈圓形。背板3，係在與靶材2之濺鍍面2a相背向的上面處，經由省略圖示之銦或錫等的接著材而被作接合，並在此被接合於靶材2處之狀態下，隔著絕緣體I1而被安裝於真空腔1之上部處。在背板3之內部，係被開設有省略圖示之冷媒循環通路，藉由在此冷媒循環通路中而使冷媒循環，在成膜中係成為能夠將靶材2冷卻。
靶材2，係被與具有公知之構造的高頻電源E作連接，於進行濺鍍時，係成為在其與接地之間而被投入有特定頻率(例如，13.56MHz)之高頻(交流)電力。磁石單元4，係為在靶材2之濺鍍面2a的下方空間處使磁場產生，並在濺鍍時將在濺鍍面2a之下方所電離了的電子等作捕捉並將從靶材2所飛散出的濺鍍粒子有效率地離子化的具備有公知之閉鎖磁場或者是尖點磁場(Cusp Magnetic Field)構造者，於此，係省略詳細之說明。
在真空腔1之底部中央，係與靶材2相對向地而被配置有平台5。平台5，係藉由例如具有筒狀之輪廓的金屬製之基台51、和被接著於此基台51之上面處的吸盤板52，而構成之。吸盤板52，係具備有較基台51之上面而更小上一圈的外徑，並被埋設有靜電吸盤用之電極52a、52b，且成為從圖外之吸盤電源而被施加有電壓。吸盤板52，係藉由環狀之防附著板53而被可自由裝卸地安 裝於基台51之上面處。防附著板53，係隔著絕緣體I2而被安裝在基台51之上面處。另外，關於靜電吸盤之構造，由於係可利用單極型或雙極型等之公知之構造，因此於此係省略詳細說明。基台51，係藉由被氣密地裝著於設置在真空腔1之底面的開口處之絕緣體I3而被作保持，並被與接地之真空腔1相互絕緣，而被設為電性浮動。作為各絕緣體I1、I2、I3之材質，係並未特別作限制，而可使用含有玻璃之氟樹脂(聚四氟乙烯)或含有玻璃之環氧樹脂等。
濺鍍裝置SM，係作為區劃出靶材2和基板W所面臨的被從真空腔1內而作了隔絕的隔絕空間1a之隔絕手段，而具備有環狀且被作接地之隔絕塊6、和複數枚之隔絕板71、72、73。隔絕塊6，係被配置在平台5之周圍的真空腔1之底面處，並以從其之內周緣部起隨著朝向徑方向外側而朝下方傾斜的方式來形成之。隔絕板71、72、73，係以包圍隔絕塊6和靶材2之周圍並且圍繞靶材2與平台5之間之空間的方式，而被作上下配置。此些之隔絕塊6和隔絕板71、72、73，係亦發揮作為防止濺鍍粒子之對於真空腔1的內壁面之附著之防附著板的作用。在隔絕板72之外側面處，係分別被連結有貫通真空腔1之底面而設置的汽缸Cy之驅動軸Cr，並藉由汽缸Cy而成為能夠在圖1中所示之下動位置與隔絕板71側之上動位置之間自由移動。藉由使隔絕板72移動至上動位置處，在隔絕板72與隔絕板73之間係形成空隙，而能夠通 過藉由圖外之閘閥來進行開閉的搬送用之透孔To而進行對於平台5之基板W的搬入、搬出。在進行隔絕板71、72、73之組裝時，係以在對於靶材2而投入了高頻電力時電漿不會經由隔絕板71、72、73相互間之空隙d而漏出的方式，來將該空隙d設定於2~3mm之範圍內。
在真空腔1之側壁處，係被連接有作為將濺鍍氣體導入至隔絕空間1a內的氣體導入手段之氣體管8，此氣體管8，係經由質量流控制器8a而與省略圖示之氣體源相通連。在濺鍍氣體中，係不僅是包含有當在隔絕空間1a內形成電漿時所導入的氬氣等之稀有氣體，而亦包含有氧氣或氮氣等之反應氣體。又，在真空腔1之側面處，係被連接有與藉由渦輪分子幫浦或是旋轉幫浦等所構成之排氣手段P相通的排氣管9，並構成為能夠藉由以排氣手段P來將真空腔1內以一定之速度作真空抽氣，而將隔絕空間1a作真空抽氣。
上述濺鍍裝置SM，係具有具備著微電腦或是序列器等之公知的控制手段Cu，並成為不僅是實施後述之狀態判別方法，並且亦對於質量流控制器8a之動作、排氣手段P之動作、高頻電源E之動作、汽缸Cy之動作等作統籌控制。以下，針對使用有上述濺鍍裝置SM之濺鍍方法，以成膜氧化鋁膜的情況為例來作說明。
藉由汽缸Cy來將隔絕板72移動至上動位置處，並使用省略圖示之搬送機器人，而通過透孔To來將基板W搬送至平台5上，並對於靜電吸盤用之電極52a、 52b施加特定電壓，而將基板W作靜電吸附。在使搬送機器人作了退避之後，藉由汽缸Cy來將隔絕板72移動至下動位置處，並從氣體管8之導入口8b來將作為濺鍍氣體之氬氣以特定流量而導入至隔絕空間1a內，且從高頻電源E來對於靶材2投入特定之高頻電力(例如，13.56MHz、1~5kW)。藉由此，在隔絕空間1a內係被形成電漿，靶材2之濺鍍面2a係被濺鍍，飛散的濺鍍粒子係附著、堆積於基板W上，氧化鋁膜等之絕緣膜係被成膜。
另外，在由濺鍍所致之成膜中，從靶材2而來之濺鍍粒子，係不僅是會附著在基板W表面上，也會附著於隔絕板71、72、73處，此係會成為污染的原因，因此，隔絕板71、72、73係定期性地被交換。此時，若是隔絕板71、72、73並未以保持上述空隙d的方式而被作組裝，則在交換後之再度開始的成膜時之隔絕空間1a內的壓力乃至於電漿密度係會改變，膜厚或膜質之面內分布係會變化。
在本實施形態中，係於隔絕塊6處，設置使前端面臨隔絕空間1a並在厚度方向上作貫通的複數之貫通孔61，並在此些之貫通孔61的其中一者處形成了彎折部分62。在真空腔1之底壁處，開設與形成有此彎折部分62的貫通孔61相通連之透孔1b，並在此透孔1b處而氣密性地安裝了真空計11之凸緣11b。藉由此真空計11，係能夠經由彎折部分62而測定隔絕空間1a內之壓力。於此，在成膜時而從靶材2所飛散的濺鍍粒子，由於 係具有直線前進性，因此，就算是濺鍍粒子射入至貫通孔61中，也不會進入至較彎折部分62而更前方處。因此，係並不會有濺鍍粒子附著於真空計11之測定元件11a上並成膜的情形。以下，針對上述濺鍍裝置SM之狀態判別方法，以在隔絕板71、72、73之交換後而實施的情況為例來作說明。
在將完成洗淨的隔絕板71、72、73作了組裝之後，藉由真空幫浦P來將真空腔1內作真空抽氣，藉由此來將隔絕空間1a內作真空抽氣。若是隔絕空間1a到達特定壓力(1×10-4Torr)，則係從氣體管8而例如將氬氣作200sccm之導入。此時，隔絕空間1a內和真空腔1內，由於係經由隔絕板71、72、73之空隙d而相通，因此，在兩者之間係產生有與上述空隙(導通度)d相對應之壓力差。亦即是，因應於上述空隙d，相對於氬氣流量之隔絕空間1a內的壓力係成為有所相異。當起因於隔絕板71、72、73之組裝不良而導致空隙d成為較特定值(設計值)而更小的情況時，隔絕空間1a內之壓力係變高，另一方面，當空隙d成為較特定值而更大的情況時，隔絕空間1a內之壓力係變低。若是如此這般地而空隙d有所變化，則在成膜時之隔絕空間1a內的壓力乃至於電漿密度係會改變，並成為無法以良好的膜厚或膜質之面內分布來進行成膜。
在本實施形態中，係於氬氣之導入開始起的特定時間之後，使上述隔絕空間Cu取得藉由真空計11所 測定的控制手段1a內之壓力(以下，亦稱作「測定壓力」)。又，係將以特定之(良好之)膜厚、膜質面內分布來作了成膜時的隔絕空間1a內之壓力，作為基準壓力而預先求取出來。之後，將所取得了的測定壓力，與預先所求取出的能夠以良好之膜厚、膜質面內分布來進行了成膜的壓力(基準壓力)作比較。若是測定壓力為與基準壓力同等(兩者之差為特定範圍內)，則判別真空腔1內之氛圍(亦即是隔絕空間1a內之氛圍)乃身為適於進行成膜的狀態(第1判別工程)。於此情況，係在進行了公知之假濺鍍之後，回到上述之成膜中。另一方面，若是測定壓力與基準壓力之間之差為超過特定範圍，則判別隔絕空間1a內之氛圍係並非為適於進行成膜的狀態。於此情況，係並不進行假濺鍍地而進行對於隔絕板71、72、73之組裝作確認等的維修。若依據此，則係能夠防止起因於隔絕板71、72、73之組裝不良而導致無法以良好之膜厚或膜質之面內分布來進行成膜的異常狀態直到假濺鍍後之成膜時才被發覺並造成在直到維修結束為止需要耗費極長之時間的問題。故而，由於係能夠在進行假濺鍍之前而進行維修，因此係能夠縮短維修時間，而為有利。
以上，雖係針對本發明之實施形態作了說明，但是，本發明，係並不被限定於上述構成。在上述實施形態中，雖係針對具備有3枚的隔絕板71、72、73之情況來作了說明，但是，枚數係並不被限定於此，只要是以在隔絕板相互之間存在有空隙d的方式來具備有複數枚 即可。
又，如同圖1中所示一般，亦可在真空腔1之側壁處設置透孔1c，並設置通過此透孔1c之第2真空計12，來構成為能夠對於真空腔1內之隔絕空間1a外側的壓力作測定。之後，係可亦對相對於氬氣流量之真空腔1內之隔絕空間1a外側的壓力作測定，並根據此測定出之壓力和隔絕空間1a內之壓力之間的壓力差，來判別濺鍍裝置SM之狀態(第2判別工程)。於此情況，若是雖然隔絕空間1a內之壓力係為與前一次所測定了的壓力同等(亦即是，測定壓力與基準壓力係為同等)，但是真空腔1內之隔絕空間1a外側之壓力為較前一次所測定的壓力而更高，則由於壓力差係變大，因此，例如係可判別出濺鍍裝置SM之排氣手段P乃有所劣化，而能夠在適當的時期進行維修，故為有利。
又，係亦可對於在濺鍍氣體之導入中的每單位時間之隔絕空間1a內的壓力之變化量或者是真空腔1內之隔絕空間1a外側的壓力之變化量作測定，並根據此測定出之變化量，來判別濺鍍裝置之狀態(第3、第4判別工程)。於此，若是隔絕板71、72、73並未以保持上述空隙d的方式而被作組裝，則隔絕空間1a內和隔絕空間1a外部之間的導通度係會變化。因此，係可根據此些之壓力變化量，來對於隔絕板71、72、73之組裝位置的異常等作確認。
在上述實施形態中，雖係以經由彎折部分62 來藉由真空計11而對於隔絕空間1a內之壓力作測定的情況為例來作了說明，但是，當濺鍍粒子係會附著於隔絕塊6之貫通孔61的內壁而濺鍍粒子並不會到達真空計11處一般的情況時，係亦可並不在貫通孔61處形成彎折部分62，於此情況，係經由貫通孔61來對於隔絕空間1a內之壓力作測定。又，在上述實施形態中，雖係在隔絕塊6處設置有複數之貫通孔61，但是，貫通孔61係並非絕對需要設置有複數，只要設置有1個的與真空計11相通連之貫通孔61即可。
接著，為了對於以上之效果作確認，使用圖1中所示之高頻濺鍍裝置SM而進行了以下之實驗。在本實驗中，係將隔絕板71、72、73組裝於適當的位置(此時，空隙d係為3mm)處，並將此狀態設為第1狀態。在此第1狀態下，藉由將真空腔1內作真空抽氣，來將隔絕空間1a內一直真空抽氣至1×10-4Torr，之後，將氬氣作200sccm之導入。藉由真空計11、12，來分別對於從此氬氣之導入開始起而經過了特定時間(5sec)之後的隔絕空間1a內之壓力(相當於「基準壓力」)以及真空腔1內之壓力作測定，其結果，係為2.1×10-2Torr、1.4×10-2Torr(此時之壓力差係為0.7×10-2Torr)。又，在此第1狀態下，對於靶材2而將13.56MHz之高頻電源E作3kW之投入，而在藉由平台5而作了保持的矽基板W之表面上成膜氧化鋁膜，並對於膜厚面內分布作了測定，其結果，係為1.46%。
接著，以使空隙d縮小為1.5mm的方式來故意地將隔絕板71、72、73之位置偏移，並將此狀態設為第2狀態。在此第2狀態下，與上述第1狀態時同樣的而將氬氣作200sccm之導入，並藉由真空計11、12，來分別對於從導入開始起而經過了特定時間(5sec)之後的隔絕空間1a內之壓力以及真空腔1內之壓力作測定，其結果，係為2.4×10-2Torr、1.4×10-2Torr(此時之壓力差係為1×10-2Torr)。又，與上述第1狀態時同樣的，而在矽基板W之表面上成膜氧化鋁膜，並對於膜厚面內分布作了測定，其結果，係為1.81%。進而，在第1狀態和第2狀態之各者中，使氬氣流量在50~300sccm之間而變化，並與上述同樣的而對於各壓力分別作了測定，其結果，係得到如同圖2中所示一般之關係。
根據以上結果，在第1狀態和第2狀態中，真空腔1內之壓力係為同等，但是，係確認到，隔絕空間1a內之壓力係有3mTorr程度之差異。又，係確認到，若是空隙d改變，則隔絕空間1a之壓力係改變，膜厚面內分布係變化。故而，係得知了：藉由以真空計11來對於隔絕空間1a內之壓力作測定，係能夠判別真空腔1內以及隔絕空間1a內之氛圍是否為適於進行成膜的狀態。又，係得知了：係亦能夠根據隔絕空間1a之壓力真空腔1內之隔絕空間1a外側之壓力之間的差壓來進行判別。
SM‧‧‧濺鍍裝置
W‧‧‧基板
1‧‧‧真空腔
1a‧‧‧隔絕空間
1b、1c‧‧‧透孔
2‧‧‧靶材
2a‧‧‧濺鍍面
3‧‧‧背板
4‧‧‧磁石單元
5‧‧‧平台
6‧‧‧隔絕塊(隔絕手段)
8‧‧‧氣體管
8a‧‧‧質量流控制器
8b‧‧‧導入口
9‧‧‧排氣管
71、72、73‧‧‧隔絕板(隔絕手段)
11‧‧‧真空計
11a‧‧‧測定元件
11b‧‧‧凸緣
12‧‧‧第2真空計
51‧‧‧基台
52‧‧‧吸盤板
52a、52b‧‧‧電極
53‧‧‧防附著板
61‧‧‧貫通孔
62‧‧‧彎折部分
C‧‧‧陰極單元
Cr‧‧‧驅動軸
Cu‧‧‧控制手段
Cy‧‧‧汽缸
d‧‧‧空隙
E‧‧‧高頻電源
I1、I2、I3‧‧‧絕緣體
P‧‧‧排氣手段
To‧‧‧透孔

Claims (6)

  1. 一種濺鍍裝置之狀態判別方法，係為在對於靶材進行濺鍍並在被與此靶材作對向配置的基板上成膜之濺鍍裝置中，在對於基板所進行之成膜之前，判別真空腔內之氛圍是否為適於進行成膜之狀態的濺鍍裝置之狀態判別方法，其特徵為：作為濺鍍裝置，係使用藉由隔絕手段來在真空腔內設置隔絕空間並且構成為伴隨著真空腔內之真空抽氣而使隔絕空間被進行真空抽氣者，該隔絕空間，係被與真空腔內相互隔絕，靶材與基板係面臨該隔絕空間，該濺鍍裝置之狀態判別方法，係包含有：第1判別工程，係將真空腔內真空抽氣至預先所設定的壓力，並在此狀態下導入氣體，而取得此時之隔絕空間內的壓力，並且將當以特定之膜厚、膜質面內分布來進行了成膜時所預先求取出之前述隔絕空間內之壓力作為基準壓力，再對於此基準壓力和前述所取得了的隔絕空間內之壓力作比較，而判別濺鍍裝置之狀態。
  2. 如申請專利範圍第1項所記載之濺鍍裝置之狀態判別方法，其中，係更進而包含有：第2判別工程，係對於真空腔內之前述隔絕空間之外側的壓力作測定，並根據此測定出之壓力和前述所取得了的隔絕空間內之壓力之間的壓力差，來判別濺鍍裝置之狀態。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之濺鍍裝置之狀態判別方法，其中，係更進而包含有：第3判別工 程，係對於在導入了前述氣體時的每單位時間之前述隔絕空間內之壓力的變化量作測定，並根據此測定出之變化量，來判別濺鍍裝置之狀態。
  4. 如申請專利範圍第1項或第2項所記載之濺鍍裝置之狀態判別方法，其中，係更進而包含有：第4判別工程，係對於在導入了前述氣體時的每單位時間之真空腔內的前述隔絕空間之外側之壓力的變化量作測定，並根據此測定出之變化量，來判別濺鍍裝置之狀態。
  5. 一種濺鍍裝置，係具備有：真空腔，係可自由裝卸地被安裝有靶材；和平台，係在真空腔內而被與靶材作對向配置並將基板作保持；和隔絕手段，係區劃出被從真空腔內而作了隔絕的隔絕空間，靶材和基板，係面臨該隔絕空間；和排氣手段，係藉由將真空腔內作真空抽氣，而將隔絕空間內作真空抽氣，該濺鍍裝置，其特徵為：隔絕手段，係具備有被配置在平台之周圍並被作接地的環狀之隔絕塊、和將隔絕塊與靶材之間之周圍作包圍並圍繞靶材和平台之間之空間的隔絕板，在隔絕塊處，設置使前端面臨隔絕空間並於厚度方向上作貫通之至少1個的貫通孔，並通過此貫通孔而設置了對於隔絕空間內之壓力作測定之真空計。
  6. 如申請專利範圍第5項所記載之濺鍍裝置，其中， 前述隔絕塊，係具備有複數之前述貫通孔，在此些之貫通孔之任一者處形成彎折部分，並通過此彎折部分而設置了前述真空計。
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