JPWO2012008439A1 - 基板処理方法及び基板処理システム - Google Patents

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Abstract

ロードロック室（１０）内における被処理基板（Ｋ）の有機物汚染を低コストで防止でき、また、より完全に防止し得る基板処理方法及び基板処理システムを提供する。複数の被処理基板（Ｋ）をカセット（８０）内に収納してロードロック室（１０）内に格納した後、パージガスを供給しつつ減圧する準備工程と、ロードロック室（１０）に連設された搬送室内の搬送機構により、カセット（８０）内の被処理基板（Ｋ）を取り出し、処理室に搬送して被処理基板（Ｋ）を処理し、処理後の被処理基板（Ｋ）を処理室から取り出して、ロードロック室（１０）内のカセット（８０）に収納する処理工程とから構成される。準備工程では、パージガスの供給位置をカセット（８０）の上方位置に、排気位置をカセット（８０）の下方位置に設定し、カセット（８０）を供給位置と排気位置との間に載置する。カセット（８０）に収納される最上位の被処理基板（Ｋ）の上面全面を、その上方に設けたカバー体によって覆う。また、準備工程において、ロードロック室（１０）内の圧力が第１基準圧力となったとき、ロードロック室（１０）内へのパージガスの供給と排気を停止し、第２基準圧力となったとき、ロードロック室（１０）内へのパージガスの供給と排気を再開する。

Description

本発明は、減圧下で被処理基板を処理する基板処理方法及び基板処理システムに係り、特に、減圧下のロードロック室内に被処理基板を待機させるようにした基板処理方法及び基板処理システムに関する。
上記基板処理システムとして、従来、特開２００７−３５８７４号公報に開示されるものが知られている。
この基板処理システムは、カセットが格納されるロードロック室と、被処理基板を処理するための処理室と、ロードロック室及び処理室に連設された搬送室と、ロードロック室内の気体を排気して該ロードロック室内を減圧するロードロック室減圧手段と、ロードロック室内にパージガスを供給するパージガス供給手段と、搬送室内の気体を排気して該搬送室内を減圧する搬送室減圧手段と、処理室内の気体を排気して該処理室内を減圧する処理室減圧手段とを備えている。
前記カセットは、複数の平板状の被処理基板を収納するもので、複数の被処理基板が垂直方向に所定間隔をあけて積層状に収納される。
また、前記搬送室内には搬送機構が設けられており、この搬送機構により、前記ロードロック室内のカセットに収納された被処理基板を取り出して前記処理室内に導入し、逆に、処理室内の処理後の被処理基板を取り出して前記ロードロック室内のカセットに収納する。
また、前記パージガス供給手段は、ロードロック室内にパージガスを供給する供給位置が前記カセットの上方位置に設定され、前記ロードロック室減圧手段は、ロードロック室から気体を排気する排気位置が、前記カセットの下方位置に設定されており、前記カセットは、前記供給位置と排気位置との間に載置されるようになっている。
斯くして、この基板処理システムによれば、まず、処理室減圧手段によって処理室内が減圧されるとともに、搬送室減圧手段によって搬送室内が減圧され、これら処理室及び搬送室がほぼ同じ減圧状態にされる。
そして、これと同時に、又はこの後、大気圧下にあるロードロック室内に、複数の被処理基板が収納されたカセットが格納され、当該ロードロック室内がロードロック室減圧手段によって減圧される。
その際、カセットの上方位置に設定された供給位置から、パージガス供給手段によってロードロック室内にパージガスが供給され、一方、カセットの下方位置に設定された排気位置から、ロードロック室減圧手段によってロードロック室内の気体が排気される。このようにして、当該ロードロック室はパージガスが供給されつつ減圧される。
斯くして、前記供給位置と排気位置との間に載置された前記カセットは、前記供給位置から前記排気位置に向かうパージガス流に晒された状態となる。
ロードロック室内が前記搬送室及び処理室とほぼ同じ圧力になると、前記搬送機構によって、前記カセット内の被処理基板が取り出され、前記処理室内に導入される。そして、この処理室内で被処理基板に対して所定の処理が行われ、処理後の被処理基板が、前記搬送機構によって取り出され、前記ロードロック室内のカセットに再び収納される。
以後、同様にしてカセット内の全ての被処理基板が処理されると、ロードロック室内が大気圧にされ、処理済のカセットと未処理のカセットとが交換され、以降同様にして処理が行われる。
ところで、減圧（真空）下で基板を処理するシステムでは、ロードロック室内の可動部や擦動部から有機物が発生し、また前記ロードロック室減圧手段から有機物が逆流するといった現象を生じており、このような有機物が当該ロードロック室内で待機状態にある被処理基板に付着すると、付着した有機物が前記処理室内での処理に悪影響を及ぼすという問題を引き起こす。
そこで、上記基板処理システムでは、前記ロードロック室にパージガスを供給して、このパージガス流に前記カセットを晒すことで、有機物がカセット内に侵入するのを当該パージガス流によって防止するとともに、有機物をパージガスと共に積極的に室外に排出し、これらの作用によって有機物が被処理基板に付着するのを防止するようにしている。
特開２００７−３５８７４号公報
ところが、上記従来の基板処理システムでは、ロードロック室に被処理基板が格納され、待機状態にある間、常に、ロードロック室内にパージガスが供給され、また、ロードロック室内から気体が排気されるようになっており、パージガス使用量の軽減や使用電力の節減といった製造コスト低減の観点から、更なる改善の余地があった。
特に、有機物汚染を軽減若しくは防止するという観点を重視すれば、ロードロック室内に多量のパージガスを供給し、当該ロードロック室内の圧力を高めに維持することによって、有機物の平均自由行程を短くするのが好ましいが、このように、パージガス使用量を多くすると、上述した如く、製造コストの上昇を招くという問題がある。
また、上記従来の基板処理システムにおいては、カセット内に収納された最上位の被処理基板については、前記有機物汚染を生じ易いという問題もあった。即ち、上記従来の基板処理システムでは、上述したように、ロードロック室にパージガスを供給して、このパージガス流にカセットを晒すことで、有機物が被処理基板に付着するのを防止するものであるが、カセット内に収納された最上位の被処理基板については、カセットから露出している部分が多く、このため、この露出部分については依然として有機物と接触可能であり、当該露出部分が有機物によって汚染され易いのである。
特に、被処理基板をＨＦガス等の処理ガスを用いた非プラズマプロセスによって処理する場合には、プラズマプロセスに比べてその処理時間が長くなることが多く、被処理基板がロードロック室内で待機する時間が長くなる傾向にあるため、上述した諸問題が顕著となる。
また、かかる非プラズマプロセスでは、プラズマプロセスで起こる分子レベルでの物理的な被処理基板表面の付着物（有機物）の清浄化がなされないため、被処理基板に有機物が付着している場合には、被処理基板と処理ガスとの接触がこの有機物によって阻害され、エッチングレートの低下やエッチングの均一性が悪化する等の問題を生じ、この結果、被処理基板の良品歩留まりが悪くなり、処理コストが高くなるという問題を生じる。
本発明は以上の実情に鑑みなされたものであって、被処理基板の有機物汚染を防止するに当たり、製造コストの低減を図ることができ、また、ロードロック室内における被処理基板の有機物汚染をより完全に防止し得る基板処理方法及び基板処理システムの提供を、その目的とする。
上記課題を解決するための本方法発明は、
被処理基板をロードロック室内に格納した後、該ロードロック室内にパージガスを供給しつつ該ロードロック室内から排気して該ロードロック室内を減圧する工程であって、前記パージガスの供給位置を前記被処理基板の上方位置に、排気位置を前記被処理基板の下方位置にそれぞれ設定するとともに、前記被処理基板を前記供給位置と排気位置との間に載置するようにした準備工程と、
前記ロードロック室に連設された減圧状態にある搬送室内の搬送機構により、前記ロードロック室内の被処理基板を取り出し、該搬送室に連設された同じく減圧状態にある処理室に搬送して該処理室内で被処理基板を処理し、処理後の被処理基板を前記搬送機構により処理室から取り出して、前記ロードロック室内に収納する処理工程とから構成される基板処理方法において、
前記準備工程では、前記パージガスの供給と排気を実施して、ロードロック室内の圧力が前記第１基準圧力となったとき前記パージガスの供給を停止するとともに、これと同時に又はこれより遅れて前記ロードロック室内の排気を停止し、排気を停止後、ロードロック室内の圧力が前記第１基準圧力よりも高い第２基準圧力となったとき前記パージガスの供給と排気を再開するようにした基板処理方法に係る。
また、本装置発明は、
被処理基板が格納されるロードロック室と、
前記被処理基板を処理するための処理室と、
前記ロードロック室及び処理室に連設された搬送室と、
前記搬送室内に設けられ、前記ロードロック室内の被処理基板を取り出して前記処理室内に導入するとともに、前記処理室内の被処理基板を取り出して前記ロードロック室内に収納する搬送機構と、
前記ロードロック室内の気体を排気して該ロードロック室内を減圧するロードロック室減圧手段と、
前記ロードロック室内にパージガスを供給するパージガス供給手段と、
前記ロードロック室内の圧力を検出する圧力検出手段と、
前記ロードロック室減圧手段及びパージガス供給手段の作動を制御する制御手段と、
前記搬送室内の気体を排気して該搬送室内を減圧する搬送室減圧手段と、
前記処理室内の気体を排気して該処理室内を減圧する処理室減圧手段とを備え、
前記パージガス供給手段は、前記ロードロック室内に前記パージガスを供給する供給位置が前記被処理基板の上方位置に設定され、
前記ロードロック室減圧手段は、前記ロードロック室から気体を排気する排気位置が、前記被処理基板の下方位置に設定され、
前記被処理基板が、前記供給位置と排気位置との間に載置されるように構成された基板処理システムにおいて、
前記制御手段は、
前記被処理基板が前記ロードロック室内に格納されている間、
前記パージガス供給手段により前記ロードロック室内にパージガスを供給しつつ、前記ロードロック室減圧手段により前記ロードロック室内から排気して該ロードロック室内を減圧し、前記圧力検出手段によって検出される前記ロードロック室内の圧力が第１基準圧力となったとき、前記パージガス供給手段による前記パージガスの供給を停止するとともに、これと同時に又はこれより遅れて前記ロードロック室減圧手段による前記ロードロック室内からの排気を停止する処理と、
停止後、前記圧力検出手段によって検出されるロードロック室内の圧力が前記第１基準圧力よりも高い第２基準圧力となったとき、前記パージガス供給手段によるパージガスの供給を再開するとともに、前記ロードロック室減圧手段による前記ロードロック室内からの排気を再開する処理とを実行するように構成された基板処理システムに係る。
本発明によれば、まず、処理室減圧手段によって処理室内が減圧されるとともに、搬送室減圧手段によって搬送室内が減圧され、これら処理室及び搬送室がほぼ同じ減圧状態にされる。
一方、大気圧下にあるロードロック室内には、被処理基板が格納される。尚、被処理基板は前記供給位置と排気位置との間に載置される。
そして、被処理基板が所定位置に載置された後、この被処理基板がロードロック室内で待機状態にある間、前記制御手段による制御の下で、以下の処理が行なわれる。
即ち、まず、下方位置に設定された排気位置から、ロードロック室減圧手段によってロードロック室内の気体が排気され、一方、被処理基板の上方位置に設定された供給位置から、パージガス供給手段によってロードロック室内にパージガスが供給され、当該ロードロック室はパージガスが供給されつつ減圧される。尚、パージガスとしては、Ｎ２ガスを例示することができるが、これに限られるものではない。
斯くして、前記供給位置と排気位置との間に載置された被処理基板は、供給位置から排気位置に向かうパージガス流に晒されることになる。
上述したように、減圧下のロードロック室内には有機物が存在している可能性があるが、従来と同様に、被処理基板をパージガス流に晒すことで、被処理基板に有機物が付着するのが防止される。
そして、本発明では、圧力検出手段によって検出されるロードロック室内の圧力が第１基準圧力になったとき、パージガス供給手段によるロードロック室内へのパージガスの供給が停止されるとともに、これと同時に又はこれより遅れて、ロードロック室減圧手段によるロードロック室内からの排気が停止される。
そして、前記停止後、圧力検出手段によって検出されるロードロック室内の圧力が第１基準圧力より高い第２基準圧力となったとき、ロードロック室減圧手段によるロードロック室内からの排気が再開されるとともに、パージガス供給手段によるロードロック室内へのパージガスの供給が再開され、再び、ロードロック室内が減圧される。
以後、被処理基板がロードロック室内で待機状態にある間、継続して、パージガスの供給及び排気の停止と、その再開が繰り返される。
本発明者等は、前述した課題を解決すべく、鋭意研究を行なった結果、ロードロック室内にパージガスを供給しつつ当該ロードロック室内を所定の圧力まで減圧すると、その後、パージガスの供給とロードロック室内からの排気を停止しても、被処理基板への有機物の付着を防止する作用が持続され、被処理基板への有機物の付着が許容範囲内に収まるとの知見を得るに至った。
上述した従来例によれば、被処理基板への有機物の付着を防止するには、パージガス流が不可欠であると認識されたが、本発明者等が鋭意研究を行なった結果、パージガスの供給とロードロック室内からの排気を停止しても、上記作用が持続されることが判明したのである。ここで、作用が持続されるのは、パージガスの供給とロードロック室内からの排気を停止しても、パージガスがロードロック室内に残留しており、これにより有機物の平均自由行程が抑えられているためだと思われる。
尚、ロードロック室を完全な気密状態にすることは困難であるため、前記排気を停止すると、リークによりロードロック室内に外気が侵入して、当該ロードロック室内の圧力が上昇するが、被処理基板を取り出す際には、このロードロック室内の圧力を隣接の搬送室や処理室と同じ圧力に戻す必要があるため、ロードロック室の圧力があまり高くなりすぎると、これを減圧するのに時間を要することとなって好ましくない。
そこで、本発明では、圧力検出手段によって検出されるロードロック室内の圧力が第１基準圧力より高い第２基準圧力となったとき、ロードロック室減圧手段によるロードロック室内からの排気を再開するとともに、パージガス供給手段によるロードロック室内へのパージガスの供給を再開するようにした。
尚、以上を考慮した本発明者等の知見によれば、前記第１基準圧力は、１０Ｐａ〜３０Ｐａの範囲内に設定するのが好ましく、また、前記第２基準圧力は、１５Ｐａ〜３００Ｐａの範囲内に設定するのが好ましい。
また、減圧時のロードロック室内の設定圧がかなり低い圧力である場合には、パージガスを供給しつつ排気したのでは、この設定圧にまで当該ロードロック室内を減圧できない場合がある。この場合、パージガスの供給と排気を停止する際に、まず、パージガスの供給を停止して、この後、これより所定時間遅れて、排気を停止するようにすると良い。パージガスの供給を停止した状態で減圧することによって、ロードロック室内の圧力を当該設定圧にすることができる。
以上のようにして、ロードロック室内で待機状態にある被処理基板は、適宜、前記搬送機構によって当該ロードロック室内から取り出されて前記処理室内に導入され、この処理室内で所定の処理が行なわれた後、前記搬送機構によって再びロードロック室内に戻される。
斯くして、本発明によれば、被処理基板がロードロック室内で待機状態にある間、被処理基板をパージガス雰囲気下に晒すようにしているので、当該被処理基板に有機物が付着するのを防止することができる。
また、被処理基板の有機物汚染を効果的に防止可能な範囲で、パージガスの供給と、ロードロック室内の排気とを停止する時間を設けているので、パージガス使用量の軽減や使用電力の節減を図ることができ、ひいては製造コストの低減を図ることができるという効果を奏する。
また、本発明においては、前記パージガス供給手段は、一端が前記ロードロック室の供給位置に接続される供給管と、該供給管に介在せしめられたパージ用開閉バルブと、前記供給管の他端に接続されたパージガス供給部とを備えて構成され、また、前記ロードロック室減圧手段は、一端が前記ロードロック室の排気位置に接続される排気管と、該排気管に介在せしめられた排気用開閉バルブと、前記排気管の他端に接続する排気ポンプとを備えて構成され、
更に、当該基板処理システムは、前記パージ用開閉バルブより上流側の前記供給管に一端が接続され、前記排気用開閉バルブより下流側の前記排気管に他端が接続された配管、及びこの配管に介在せしめられた供給用開閉バルブを備え、
前記制御手段は、前記パージガス供給部を作動させた状態で前記パージ用開閉バルブを閉じることによって前記ロードロック室内へのパージガスの供給を停止するとともに、前記排気ポンプを駆動した状態で前記排気用開閉バルブを閉じることによって前記ロードロック室内からの排気を停止するように構成され、
前記ロードロック室内からの排気を停止した後、これと同時に又はこれより遅れて前記供給用開閉バルブを開いて、前記配管を通し前記排気管に前記パージガスが供給して、該排気管内下流側に向けて流通させるとともに、前記再開処理の実行後、これと同時に又はこれより遅れて前記供給用開閉バルブを閉じて、前記排気管へのパージガスの供給を停止するように構成されているのがより好ましい。
パージガスの供給を停止し、且つロードロック室内からの排気を停止している間に、排気管にパージガスを供給して、その下流側に向けて流通させることで、排気ポンプから有機物が逆流するのを防止することができ、また、排気用開閉バルブを開いて排気を再開する際に、当該有機物がロードロック室内に侵入するのを防止することができるため、被処理基板への有機物の付着をより効果的に防止することができる。
また、停止中に排気管に供給するパージガスの供給量（流量）は、ロードロック室に供給する供給量よりもかなり少量でよく、この意味において、パージガスの使用量を従来に比べ低減することができる。
尚、排気管にパージガスを供給するタイミングは、ロードロック室内からの排気の停止と同時である必要はなく、これより所定時間遅れて供給するようにしても良い。同様に、排気管へのパージガスの供給を停止するタイミングも、前記再開処理の実行と同時である必要はなく、これより所定時間遅れて停止するようにしても良い。
また、本発明では、前記被処理基板の複数枚を、垂直方向に所定間隔をあけてカセット内に収納し、収納したカセットを前記ロードロック室内の前記供給位置と排気位置との間に載置するようにしても良い。
そして、この場合、前記カセットは、収納された被処理基板の内、最上位の被処理基板の上方に配置されて、少なくとも該最上位の被処理基板の上面全面を覆うカバー体を備えているのが好ましい。
上述したように、複数の被処理基板をカセット内に収納した態様では、最上位の被処理基板がその下方の被処理基板に比べて有機物によって汚染され易いという問題があるが、上記カバー体を設けることで、当該最上位の被処理基板についても、有機物との接触がこのカバー体によって防止され、当該有機物が付着するのを防止することができる。
斯くして、このようにすれば、カセット内に収納した全ての被処理基板について、これらが有機物によって汚染されるのを有効に防止することができる。
尚、本発明における前記カバー体は、被処理基板と同形状であっても良く、この場合、被処理基板と同様にカセット内に収納することができ、当該カバー体は、最上位の被処理基板の上方に位置するようにカセット内に収納される。
また、前記カバー体は、カセットの天板を構成するものとしても良い。この場合、カバー体は、収納される最上位の被処理基板の少なくとも上面全面を覆うように構成される。
本発明によれば、被処理基板の有機物汚染を効果的に防止可能な範囲で、パージガスの供給と、ロードロック室内の排気とを停止する時間を設けているので、パージガス使用量の軽減や使用電力の節減を図ることができ、ひいては製造コストの低減を図ることができるという効果が奏される。
また、複数の被処理基板をカセット内に収納した状態で供給する態様では、カセット内に収容される最上位の被処理基板についても、有機物による汚染を防止することができ、カセット内に収納した全ての被処理基板について、これらが有機物によって汚染されるのを有効に防止することができるという効果が奏される。
本発明の一実施形態に係る基板処理システムを示す平面図である。 図１における矢視Ａ−Ａ方向の断面図である。 図１における矢視Ｂ−Ｂ方向の断面図である。 本実施形態に係るカセットを示した斜視図である。 本発明の他の実施形態に係るロードロック室部を示した断面図である。 本発明の他の実施形態に係るカセットを示した斜視図である。
以下、本発明の一具体的な実施の態様につき、図面に基づいて説明する。
図１〜図３に示すように、本例の基板処理システム１は、平面形状が四角形をなした搬送室４０と、この搬送室４０内に配設された搬送機構４５と、搬送室４０内を減圧する搬送室減圧機構４１と、前記搬送室４０の４つの外周面の内の１つにゲートバルブ１１を介して連設されたロードロック室１０と、他の３つの外周面にそれぞれゲートバルブ５１，６１，７１を介して連設された処理室５０，６０，７０と、前記ロードロック室１０内を減圧するロードロック室減圧機構２５と、ロードロック室１０内にパージガスを供給するパージガス供給機構３０と、ロードロック室減圧機構２５及びパージガス供給機構３０等の作動を制御するロードロック室制御部１５と、前記処理室５０，６０，７０内をそれぞれ減圧する処理室減圧機構５２，６２，７２とからなる。尚、搬送室４０、搬送機構４５、搬送室減圧機構４１、ゲートバルブ１１，５１，６１，７１、処理室５０，６０，７０、処理室減圧機構５２，６２，７２等は、図示しない他の制御部によってその作動が制御される。
図３に示すように、前記ロードロック室１０内には、カセット８０を載置するための載置台２０が設けられている。この載置台２０は、ロードロック室１０の底面を貫通して鉛直方向に配設された昇降ロッド２２の上端部によって支持されており、この昇降ロッド２２の下端部に接続した昇降駆動部２１によって鉛直方向に上下動する。尚、ロードロック室１０の前記昇降ロッド２２によって貫通される貫通部は、適宜シール部材によってシールされており、また、ロードロック室１０内にある昇降ロッド２２は、上端が前記載置台２０の下面に固設され、下端がロードロック室１０内の底面に固設された筒状の蛇腹２３によってカバーされている。
また、ロードロック室１０の底面には排気孔１２が形成されており、この排気孔１２に前記ロードロック室減圧機構２５が接続され、また、ロードロック室１０の壁面には給気孔１３が形成され、この給気孔１３に前記パージガス供給機構３０が接続されている。給気孔１３は前記載置台２０上のカセット８０よりも上方に位置しており、カセット８０は給気孔１３と排気孔１２とを結ぶその中間に位置している。
前記カセット８０は、図４に示すように、被処理基板Ｋを保持する保持溝８１を、所定間隔をあけて鉛直方向に複数備えた構造を有し、本例では、最上部を除いた各保持溝８１にそれぞれ被処理基板Ｋが挿入され、最上部の保持溝８１には被処理基板Ｋと同形状のカバー体９０が挿入される。尚、被処理基板Ｋ及びカバー体９０は、カセット８０の開口側８２から出し入れされる。
ロードロック室減圧機構２５は、排気ポンプ２６と、一端がこの排気ポンプ２６に接続し、他端が前記排気孔１２に接続した排気管２７と、排気管２７の中間部に配設された排気用開閉バルブ２８とからなり、排気用開閉バルブ２８が開状態のとき、排気ポンプ２６により、排気孔１２及び排気管２７を通してロードロック室１０内の気体が排気され、減圧される。
また、パージガス供給機構３０は、図示するように、パージガス供給部３１、供給管３２、ディフューザ３３、ベント用開閉バルブ３４、パージ用開閉バルブ３５及び流量調整部３６から構成される。
前記供給管３２は、その一端がパージガス供給部３１に接続するとともに、他端が前記ロードロック室１０の給気孔１３に接続しており、その中間部が２つの分岐管３２ａ，３２ｂに分岐している。そして、一方の分岐管３２ａに前記ベント用開閉バルブ３４が設けられ、他方の分岐管３２ｂに前記パージ用開閉バルブ３５及び流量調整部３６が設けられている。
また、前記ディフューザ３３は、ロードロック室１０の内壁面に開口する前記給気孔１３を塞ぐように当該内壁面に固設されたカップ状の部材で、その平面には多数の貫通孔が穿設されている。
斯くして、このパージガス供給機構３０によれば、前記パージガス供給部３１から供給管３２にパージガスが供給され、給気孔１３及びディフューザ３３の貫通孔を通してロードロック室１０内にパージガスが流入する。
その際、ベント用開閉バルブ３４が開き、パージ用開閉バルブ３５が閉じているときには、このベント用開閉バルブ３４を通して多量のパージガスがロードロック室１０内に供給され、当該ロードロック室１０内が大気圧にされる。尚、ロードロック室１０内が大気圧になった後、当該ベント用開閉バルブ３４が閉じられる。
一方、ベント用開閉バルブ３４が閉じ、パージ用開閉バルブ３５が開いているときには、流量調整部３６によって調整された流量のパージガスがこのパージ用開閉バルブ３５を通してロードロック室１０内に供給される。
前記搬送室減圧機構４１は、排気ポンプ４２と、一端がこの排気ポンプ４２に接続し、他端が前記搬送室４０に接続した排気管４３と、排気管４３の中間部に配設された開閉バルブ４４とからなり、開閉バルブ４４が開状態のとき、排気ポンプ４２により、排気管４３を通して搬送室４０内の気体が排気され、所定の圧力に減圧される。
前記搬送機構４５は、支持台４６と、軸線が鉛直方向となるように前記支持台４６によって支持され、前記鉛直方向に上下に微動する支持軸４７と、この支持軸４７に水平に支持され水平面内で伸縮するアーム４８と、アーム４８の先端部に設けられたピックアップハンド４９とからなる。
前記処理室減圧機構５２，６２，７２は、それぞれ排気ポンプ５３，６３，７３と、一端がこの排気ポンプ５３，６３，７３に接続し、他端が各処理室５０，６０，７０に接続した排気管５４，６４，７４と、各排気管５４，６４，７４の中間部に配設された開閉バルブ５５，６５，７５とからなり、開閉バルブ５５，６５，７５が開状態のとき、排気ポンプ５３，６３，７３により、排気管５４，６４，７４を通して各処理室５０，６０，７０の気体が排気され、所定の圧力に減圧される。
尚、前記処理室５０，６０，７０は、前記被処理基板Ｋを処理するための処理室であり、その具体的な構造の説明は省略するが、例えば、ＨＦガス、アルコール（エタノール，メタノール等）蒸気及びＮ２ガスの混合ガスによって被処理基板Ｋ上のＳｉＯ２膜をエッチングするといった各種の処理が実施される。
また、前記ロードロック室制御部１５は、前記パージガス供給機構３０のパージガス供給部３１、ベント用開閉バルブ３４、パージ用開閉バルブ３５及び流量調整部３６、前記ロードロック室減圧機構２５の排気ポンプ２６及び排気用開閉バルブ２８、並びに前記昇降駆動部２１の作動を制御するように構成されている。
また、前記ロードロック室１０には、その内部の圧力を検出する圧力検出器１７が付設されており、この圧力検出器１７によって検出された圧力に係る検出信号が前記ロードロック室制御部１５に送信されるようになっている。
以上の構成を備えた本例の基板処理システム１によれば、まず、上述した他の制御部（図示せず）による制御の下で、処理室減圧機構５２，６２，７２により各処理室５０，６０，７０内が減圧されるとともに、搬送室減圧機構４１によって搬送室４０内が減圧され、これら処理室５０，６０，７０内及び搬送室４０内がほぼ同じ減圧（真空）状態にされる。尚、以降の動作説明において、搬送室４０、搬送機構４５、搬送室減圧機構４１、ゲートバルブ１１，５１，６１，７１、処理室５０，６０，７０、処理室減圧機構５２，６２，７２の動作は、当該他の制御部（図示せず）による制御の下で実行される。
一方、大気圧下にあるロードロック室１０内には、複数の被処理基板Ｋが収納されたカセット８０が格納される。
カセット８０には、図４に示す如く、複数の被処理基板Ｋが収納され、更に、最上位の被処理基板Ｋの上方にこれと同形状のカバー体９０が収納されており、当該最上位の被処理基板Ｋの上面全面がカバー体９０によって覆われた状態になっている。そして、かかるカセット８０がロードロック室１０内の載置台２０上に、その開口側８２が搬送室４０と対峙するように載置される。
カセット８０が載置台２０上に載置されると、前記ロードロック室制御部１５による制御の下で、以下の動作が実行される。尚、以降の動作説明において、パージガス供給部３１、ベント用開閉バルブ３４、パージ用開閉バルブ３５及び流量調整部３６、排気ポンプ２６及び排気用開閉バルブ２８、並びに昇降駆動部２１の動作は、ロードロック室制御部１５の制御の下で実行される。
即ち、まず、ロードロック室減圧機構２５の排気ポンプ２６が駆動されるとともに、排気用開閉バルブ２８が開かれ、これによってロードロック室１０内の気体が排気される。一方、パージガス供給機構３０は、そのパージガス供給部３０が駆動されるとともに、ベント用開閉バルブ３４は閉じた状態、パージ用開閉バルブ３５は開いた状態にされ、これにより、流量調整部３６によって調整された流量のパージガスが、パージ用開閉バルブ３５を通してロードロック室１０内に供給される。以上により、ロードロック室１０はパージガスが供給されつつ減圧される。尚、パージガスとしては、Ｎ２ガスを例示することができるが、これに限られるものではない。
斯くして、載置台２０上に載置されたカセット８０は、前記ディフューザ３３の貫通孔から吐出され、前記排気孔１２に向かうパージガス流に晒されることになる。
ついで、ロードロック室１０内が前記搬送室４０及び処理室５０，６０，７０とほぼ同じ圧力になると、前記搬送機構４５によって、前記カセット８０内の被処理基板Ｋが取り出される。
即ち、まず、搬送機構４５は、支持軸４７を軸中心に回転させてピックアップハンド４９をロードロック室１０と対峙させる。ついで、ゲートバルブ１１が開になり、搬送機構４５はアーム４８を伸張させてゲートバルブ１１を通してピックアップハンド４９をロードロック室１０内に進入させる。
このとき、前記載置台２０の位置は、前記昇降機構部２１により、鉛直方向において、前記ピックアップハンド４９の位置が取り出すべき被処理基板Ｋの僅かに下方に位置するように調整されており、ピックアップハンド４９は当該被処理基板Ｋの下方に挿入される。
ついで、搬送機構４５は、支持軸４７を僅かに上昇させて、ピックアップハンド４９上に前記被処理基板Ｋを受け取り、この後、アーム４８を収縮させることで、当該被処理基板Ｋをカセット８０から抜き取るとともに、ロードロック室１０内から取り出す。そして、この後、ゲートバルブ１１は閉じられる。
ついで、搬送機構４５は、このようにして取り出した被処理基板Ｋを、予定された、例えば、処理室５０に導入する。導入動作の具体的な説明は省略するが、この後、処理室５０では、予定された処理が基板に対して実施される。
尚、各処理室５０，６０，７０では、同じ処理を行うようにしても、それぞれ異なる処理を行うようにしてもよく、各処理室５０，６０，７０に順次被処理基板Ｋを経由させることで、当該被処理基板Ｋに対して一連の処理が行われるようにしても良い。
そして、被処理基板Ｋに対して所定の処理を終えると、前記搬送機構４５は、処理室５０，６０，７０から被処理基板Ｋを取り出して、ロードロック室１０内のカセット８０に再び格納する。
このようにして、カセット８０に収納された全ての被処理基板Ｋに対して処理を終えると、前記パージガス供給機構３０は、そのパージ用開閉バルブ３５を閉じ、ベント用開閉バルブ３４を開いて多量のパージガスをロードロック室１０内に供給し、当該ロードロック室１０内を大気圧にする。尚、このとき前記ロードロック室減圧機構２５はその排気用開閉バルブ２８を閉じている。排気用開閉バルブ２８を閉じるタイミングは、前記ベント用開閉バルブ３４の開動作と同時であっても、この開動作以前であっても良い。
ロードロック室１０内が大気圧になった後、処理済のカセット８０と未処理のカセット８０とが交換され、以後同様にして処理が行われる。
そして、以上の処理工程において、カセット８０がロードロック室１０内で待機状態にある間、ロードロック室制御部１５は以下の動作を実行する。
即ち、ロードロック室制御部１５は、圧力検出器１７によって検出されるロードロック室１０内の圧力を監視し、この圧力が所定の第１基準圧力となったとき、パージ用開閉バルブ３５を閉じて、ロードロック室１０へのパージガスの供給を停止するとともに、これと同時に又はこれより遅れて、前記排気用開閉バルブ２８を閉じて、ロードロック室１０内からの排気を停止する。尚、このとき、排気ポンプ２６及びパージガス供給部３１は、これらの作動を停止させても、引き続き駆動した状態を継続させてどちらでも良い。
そして、このようにしてパージガスの供給と排気を停止した後、圧力検出手段によって検出されるロードロック室内の圧力が第１基準圧力より高い第２基準圧力となったとき、ロードロック室制御部１５は、前記排気用開閉バルブ２８を開いて（排気ポンプ２６が停止している場合には、当該排気ポンプ２６も駆動して）、ロードロック室１０内からの排気を再開し、同時に、パージ用開閉バルブ３５を開いて（パージガス供給部３１の作動が停止している場合には、これを動作させて）、ロードロック室１０へのパージガスの供給を再開する。
そして、以後、第１基準圧力と第２基準圧力とを基準に、パージガスの供給及び排気の停止と再開とを繰り返して実行する。
以上、本実施形態に係る基板処理システム１の具体的な構成及びその動作について詳述したが、当該説明から分かるように、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、ロードロック室１０内で被処理基板Ｋが待機している間、パージガス供給機構３０によってロードロック室１０内にパージガスを供給するようにしているので、かかるパージガス流によって、被処理基板Ｋの収納されたカセット８０が晒されており、有機物がカセット内に侵入するのが、かかるパージガス流によって防止される。また、有機物がパージガスと共にロードロック室１０外に排出され、これらの作用によって、被処理基板Ｋに有機物が付着するのが防止される。
また、本実施形態に係る基板処理システム１では、ロードロック室１０内の圧力が第１基準圧力になったとき、当該ロードロック室１０内からの排気と当該ロードロック室１０内へのパージガスの供給を停止し、ロードロック室１０内の圧力が第２基準圧力になったとき、前記排気と供給を再開するにしているが、これは、ロードロック室１０内にパージガスを供給しつつ当該ロードロック室１０内を所定の圧力まで減圧すると、その後、パージガスの供給と排気を停止しても、被処理基板Ｋへの有機物の付着を防止する作用が持続され、被処理基Ｋ板への有機物の付着が許容範囲内に収まるとの、本発明者等の知見に基づくものである。
上述した従来例によれば、被処理基板Ｋへの有機物の付着を防止するには、パージガス流が不可欠であると認識されたが、本発明者等が鋭意研究した結果、パージガスの供給とロードロック室１０内からの排気を停止しても、上記作用が持続されることが判明したのである。ここで、作用が持続されるのは、パージガスの供給とロードロック室１０内からの排気を停止しても、パージガスがロードロック室１０内に残留しており、これにより有機物の平均自由行程が抑えられているためだと思われる。
尚、ロードロック室１０を完全な気密状態にすることは困難であるため、前記排気を停止すると、リークによりロードロック室１０内に外気が侵入して、当該ロードロック室１０内の圧力が上昇するが、被処理基板Ｋを取り出す際には、このロードロック室１０内の圧力を隣接の搬送室４０や処理室５０，６０，７０と同じ圧力に戻す必要があるため、ロードロック室１０の圧力があまり高くなりすぎると、これを減圧するのに時間を要することとなって好ましくない。
そこで、本例では、圧力検出器１７によって検出されるロードロック室１０内の圧力が第１基準圧力より高い第２基準圧力となったとき、前記排気とパージガスの供給を再開するようにした。
尚、本発明者等の知見によると、前記第１基準圧力は、１０Ｐａ〜３０Ｐａの範囲内に設定するのが好ましい。また、前記第２基準圧力は、１５Ｐａ〜３００Ｐａの範囲内に設定するのが好ましい。
（実験例１）
因みに、前記第１基準圧力を１０Ｐａに設定し、第２基準圧力を１５Ｐａに設定するとともに、カセット８０内の最上位の被処理基板Ｋをカバー体９０によって覆わない状態で当該カセット８０をロードロック室１０内に格納し、ＨＦガス、エタノール蒸気及びＮ２ガスの混合ガスにより被処理基板Ｋ上のＳｉＯ２膜をエッチングする処理を行い、最初の被処理基板Ｋ（カセット８０内の最低位の被処理基板Ｋ）と、ロードロック室１０内に３時間待機させた被処理基板Ｋ（カセット８０内の最上位の被処理基板Ｋ）との、エッチングレート及びエッチングの均一性を比較したところ、両者で同等であった。
また、本実施形態では、カセット８０内に収納される被処理基板Ｋの内、その最上位に位置する被処理基板Ｋについては、その上方に配置したカバー体９０によってその上面全面が覆われているので、このカバー体９０により有機物との接触が防止され、かかる最上位の被処理基板Ｋについても、同様に有機物が付着するのを防止することができる。
上述した、ＨＦガス、アルコール（エタノール，メタノール等）蒸気及びＮ２ガスの混合ガスによって、被処理基板Ｋ上のＳｉＯ２膜をエッチングするといった処理の場合、処理時間が長く、被処理基板Ｋが有機物によって汚染される危険性が高いが、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、このような場合でも、被処理基板Ｋに有機物が付着するのを有効に防止することができる。
（実験例２）
因みに、上記と同様、前記第１基準圧力を１０Ｐａに設定し、第２基準圧力を１５Ｐａに設定するとともに、カセット８０内の最上位の被処理基板Ｋをカバー体９０によって覆った状態でロードロック室１０内に格納して、ＨＦガス、エタノール蒸気及びＮ２ガスの混合ガスにより被処理基板Ｋ上のＳｉＯ２膜をエッチングする処理を行い、最初の被処理基板Ｋ（カセット８０内の最低位の被処理基板Ｋ）と、ロードロック室１０内に１４時間待機させた被処理基板Ｋ（カセット８０内の最上位の被処理基板Ｋ）との、エッチングレート及びエッチングの均一性を比較したところ、両者で同等であった。
（実験例３）
一方、最上位の被処理基板Ｋをカバー体９０によって保護しないで、実験例２と同様の処理を行い、最初の被処理基板Ｋと、ロードロック室１０内に１４時間待機させた最上位の被処理基板Ｋとのエッチングレート及びエッチングの均一性を比較すると、最上位の被処理基板Ｋは最初の被処理基板Ｋに比べて、エッチングレートが約１０％遅くなり、エッチングの均一性が５０％悪くなった。
このように、本実施形態に係る基板処理システム１によれば、カセット８０に収納された最上位の被処理基板Ｋについても、これを有機物の汚染から有効に保護することができ、カセット８０内に収納した全ての被処理基板Ｋについて、これらが有機物によって汚染されるのを有効に防止することができる。
また、減圧時のロードロック室１０内の設定圧がかなり低い圧力である場合には、パージガスを供給しつつ排気したのでは、この設定圧にまで当該ロードロック室１０内を減圧できない場合がある。この場合、パージガスの供給と排気を停止する際に、まず、パージガスの供給を停止して、この後、これより所定時間遅れて、排気を停止するようにすると良い。パージガスの供給を停止した状態で減圧することによって、ロードロック室１０内の圧力を当該設定圧にすることができる。
以上のように、被処理基板Ｋの有機物汚染を効果的に防止可能な範囲で、パージガスの供給と排気を停止する時間を設けているので、パージガス使用量の軽減や使用電力の節減を図ることができ、ひいては製造コストの低減を図ることができるという効果が奏される。
以上、本発明の具体的な実施形態について説明したが、本発明が採り得る態様は、何らこれに限定されるものではない。
例えば、図５に示すように、上述した基板処理システム１において、前記パージ用開閉バルブ３５より上流側の前記供給管３２ｂに一端が接続され、前記排気用開閉バルブ２８より下流側の前記排気管２７に他端が接続された配管３８を設けるとともに、この配管３８に供給用開閉バルブ３９を介在せしめた構成としても良い。
この場合、前記ロードロック室制御部１５は、ロードロック室１０内の圧力が前記第１基準圧力となったとき、前記パージガス供給部３１を作動させた状態で前記パージ用開閉バルブ３５を閉じることによって前記ロードロック室１０内へのパージガスの供給を停止するとともに、前記排気ポンプ２６を駆動した状態で前記排気用開閉バルブ２８を閉じることによって前記ロードロック室１０内からの排気を停止し、排気の停止と同時に又はこれより遅れて供給用開閉バルブ３９を開くことによって配管３８を通して排気管２７にパージガスを供給し、一方、ロードロック室１０内の圧力が前記第２基準圧力となったとき、前記ロードロック室１０内へのパージガスの供給と当該ロードロック室１０内からの排気を再開し、これと同時に又はこれより遅れて前記供給用開閉バルブ３９を閉じて、前記排気管２７へのパージガスの供給を停止する様に構成される。
斯くして、このように構成された基板処理システム１では、前記ロードロック室１０内へのパージガスの供給が停止され、且つ前記ロードロック室１０内からの排気が停止している間、前記配管３８を通して排気管２７にパージガスが供給され、その下流側に向けて流通される。
このようにすれば、排気ポンプ２６から有機物が逆流するのを防止することができ、また、排気用開閉バルブ２８を開いて排気を再開する際に、有機物がロードロック室１９内に侵入するのを防止することができるため、被処理基板Ｋへの有機物の付着をより効果的に防止することができる。
尚、停止中に排気管に供給するパージガスの供給量（流量）は、ロードロック室１０に供給する供給量よりもかなり少量でよく、この意味において、パージガスの使用量を従来に比べ低減することができる。
また、前記カバー体９０は、これを被処理基板Ｋと同形状にしたが、これに限られるものではなく、被処理基板Ｋと同様にカセット８０内に収納することができ、且つ少なくとも被処理基板Ｋの上面全面を覆うことができれば、どのような形状であっても良い。
また、カバー体９０は、これをカセット８０と別のものとする必要は無く、図６に示すように、カセット８０の天板８５をカバー体として構成しても良い。この場合、天板８５は、収納される最上位の被処理基板Ｋの少なくとも上面全面を覆うように構成される。
１ 基板処理システム
１０ ロードロック室
１２ 排気孔
１３ 給気孔
１５ ロードロック室制御部
１７ 圧力検出器
２５ ロードロック室減圧機構
２６ 排気ポンプ
２７ 排気管
２８ 排気用開閉バルブ
３０ パージガス供給機構
３１ パージガス供給部
３２ 供給管
３３ ディフューザ
３４ ベント用開閉バルブ
３５ パージ用開閉バルブ
３８ 配管
３９ 供給用開閉バルブ
４０ 搬送室
４１ 搬送室減圧機構
４５ 搬送機構
５０，６０，７０ 処理室
５２，６２，７２ 処理室減圧機構
８０ カセット
９０ カバー体
Ｋ 被処理基板

Claims (12)

  1. 被処理基板をロードロック室内に格納した後、該ロードロック室内にパージガスを供給しつつ該ロードロック室内から排気して該ロードロック室内を減圧する工程であって、前記パージガスの供給位置を前記被処理基板の上方位置に、排気位置を前記被処理基板の下方位置にそれぞれ設定するとともに、前記被処理基板を前記供給位置と排気位置との間に載置するようにした準備工程と、
    前記ロードロック室に連設された減圧状態にある搬送室内の搬送機構により、前記ロードロック室内の被処理基板を取り出し、該搬送室に連設された同じく減圧状態にある処理室に搬送して該処理室内で被処理基板を処理し、処理後の被処理基板を前記搬送機構により処理室から取り出して、前記ロードロック室内に収納する処理工程とから構成される基板処理方法において、
    前記準備工程では、前記パージガスの供給と排気を実施して、ロードロック室内の圧力が前記第１基準圧力となったとき前記パージガスの供給を停止するとともに、これと同時に又これより遅れて前記ロードロック室内の排気を停止し、排気を停止後、ロードロック室内の圧力が前記第１基準圧力よりも高い第２基準圧力となったとき前記パージガスの供給と排気を再開するようにしたことを特徴とする基板処理方法。
  2. 前記準備工程において、前記ロードロック室の排気位置に接続した排気管に前記パージガスを供給して、該排気管内下流側に向けて該パージガスを流通させるようにした請求項１記載の基板処理方法であって、
    前記排気を停止した後、これと同時に又はこれより遅れて前記排気管へのパージガスの供給を開始し、前記パージガスの供給と排気を再開後、これと同時に又はこれより遅れて前記排気管へのパージガスの供給を停止するようにしたことを特徴とする基板処理方法。
  3. 前記第１基準圧力を１０Ｐａ〜３０Ｐａの範囲内に設定し、前記第２基準圧力を１５Ｐａ〜３００Ｐａの範囲内に設定したことを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理方法。
  4. 複数の前記被処理基板を、垂直方向に所定間隔をあけてカセット内に収納した状態で前記ロードロック室内の前記供給位置と排気位置との間に載置するとともに、前記カセットに収納される被処理基板の内、最上位の被処理基板の少なくとも上面全面を、その上方に設けたカバー体によって覆うようにしたことを特徴とする請求項１又は２記載の基板処理方法。
  5. 前記被処理基板と同形状の前記カバー体を用い、該カバー体を、前記最上位の被処理基板の上方に位置するように前記カセット内に収納して、前記最上位の被処理基板の上面全面を覆うようにしたことを特徴とする請求項４記載の基板処理方法。
  6. 前記カセットに天板を設け、この天板により前記最上位の被処理基板の少なくとも上面全面を覆うようにしたことを特徴とする請求項４記載の基板処理方法。
  7. 被処理基板が格納されるロードロック室と、
    前記被処理基板を処理するための処理室と、
    前記ロードロック室及び処理室に連設された搬送室と、
    前記搬送室内に設けられ、前記ロードロック室内の被処理基板を取り出して前記処理室内に導入するとともに、前記処理室内の被処理基板を取り出して前記ロードロック室内に収納する搬送機構と、
    前記ロードロック室内の気体を排気して該ロードロック室内を減圧するロードロック室減圧手段と、
    前記ロードロック室内にパージガスを供給するパージガス供給手段と、
    前記ロードロック室内の圧力を検出する圧力検出手段と、
    前記ロードロック室減圧手段及びパージガス供給手段の作動を制御する制御手段と、
    前記搬送室内の気体を排気して該搬送室内を減圧する搬送室減圧手段と、
    前記処理室内の気体を排気して該処理室内を減圧する処理室減圧手段とを備え、
    前記パージガス供給手段は、前記ロードロック室内に前記パージガスを供給する供給位置が前記被処理基板の上方位置に設定され、
    前記ロードロック室減圧手段は、前記ロードロック室から気体を排気する排気位置が、前記被処理基板の下方位置に設定され、
    前記被処理基板が、前記供給位置と排気位置との間に載置されるように構成された基板処理システムにおいて、
    前記制御手段は、
    前記被処理基板が前記ロードロック室内に格納されている間、
    前記パージガス供給手段により前記ロードロック室内にパージガスを供給しつつ、前記ロードロック室減圧手段により前記ロードロック室内から排気して該ロードロック室内を減圧し、前記圧力検出手段によって検出される前記ロードロック室内の圧力が第１基準圧力となったとき、前記パージガス供給手段による前記パージガスの供給を停止するとともに、これと同時に又はこれより遅れて前記ロードロック室減圧手段による前記ロードロック室内からの排気を停止する処理と、
    停止後、前記圧力検出手段によって検出されるロードロック室内の圧力が前記第１基準圧力よりも高い第２基準圧力となったとき、前記パージガス供給手段によるパージガスの供給を再開するとともに、前記ロードロック室減圧手段による前記ロードロック室内からの排気を再開する処理とを実行するように構成されていることを特徴とする基板処理システム。
  8. 請求項７に記載した基板処理システムであって、
    前記パージガス供給手段は、一端が前記ロードロック室の供給位置に接続される供給管、該供給管に介在せしめられたパージ用開閉バルブ、及び前記供給管の他端に接続されたパージガス供給部を有し、
    前記ロードロック室減圧手段は、一端が前記ロードロック室の排気位置に接続される排気管、該排気管に介在せしめられた排気用開閉バルブ、及び前記排気管の他端に接続する排気ポンプを有し、
    前記基板処理システムは、更に、前記パージ用開閉バルブより上流側の前記供給管に一端が接続され、前記排気用開閉バルブより下流側の前記排気管に他端が接続された配管、及びこの配管に介在せしめられた供給用開閉バルブを備え、
    前記制御手段は、前記パージガス供給部を作動させた状態で前記パージ用開閉バルブを閉じることによって前記ロードロック室内へのパージガスの供給を停止するとともに、前記排気ポンプを駆動した状態で前記排気用開閉バルブを閉じることによって前記ロードロック室内からの排気を停止するように構成され、
    前記ロードロック室内からの排気を停止した後、これと同時に又はこれより遅れて前記供給用開閉バルブを開いて、前記配管を通し前記排気管に前記パージガスを供給して、該排気管内下流側に向けて流通させるとともに、前記再開処理の実行後、これと同時に又はこれより遅れて前記供給用開閉バルブを閉じて、前記排気管へのパージガスの供給を停止するように構成されていることを特徴とする基板処理システム。
  9. 前記第１基準圧力が１０Ｐａ〜３０Ｐａの範囲内に設定され、前記第２基準圧力が１５Ｐａ〜３００Ｐａの範囲内に設定されていることを特徴とする請求項７又は８記載の基板処理システム。
  10. 請求項７又は８に記載した基板処理システムであって、
    複数の被処理基板を、垂直方向に所定間隔をあけて収納するカセットを更に備え、
    該カセットは、前記ロードロック室内の前記供給位置と排気位置との間に載置され、
    更に、該カセットは、収納された被処理基板の内、最上位の被処理基板の上方に配置されて、少なくとも該最上位の被処理基板の上面全面を覆うカバー体を備えていることを特徴とする基板処理システム。
  11. 前記カバー体が、前記被処理基板と同じ形状を備えていることを特徴とする請求項１０記載の基板処理システム。
  12. 前記カバー体は、前記カセットの天板を構成し、該天板が前記最上位の被処理基板の少なくとも上面全面を覆うように構成されていることを特徴とする請求項１０記載の基板処理システム。
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