TWI756030B - 具有基板載具及清洗腔室環境控制的基板處理系統、設備及方法 - Google Patents

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Abstract

在此描述了電子裝置處理系統，該等電子裝置處理系統包括工廠介面的環境控制、載具清洗腔室，及一或更多個基板載具。一個電子裝置處理系統具有工廠介面，該工廠介面具有工廠介面腔室、耦合至工廠介面的一或更多個基板載具，及耦合至該工廠介面、該載具清洗腔室，及該一或更多個基板載具的環境控制系統，該環境控制系統經運作以控制至少在該工廠介面腔室、載具清洗腔室，及該一或更多個基板載具內的環境。用於處理基板的方法被描述，如同許多其他態樣。

Description

具有基板載具及清洗腔室環境控制的基板處理系統、設備及方法
實施例有關於電子裝置製造，且更具體地有關於基板載具及設備前端模組(equipment front end modules, EFEMs)介面，及用於處理基板的設備、系統及方法。
在半導體元件製造中的基板處理通常在多個處理工具中進行，其中該等基板在基板載具(例如，前開口統一艙或FOUPs (Front Opening Unified Pods))中的處理工具之間行進。FOUPs可對接到EFEM(另外被稱為「工廠介面」)，該EFEM包含裝載/卸載機器人，該裝載/卸載機器人可經操作以在分別的FOUPs及該處理工具的該主框之一或更多個裝載鎖具之間傳送基板，因此允許基板通過至處理工具的傳送腔室以用於處理。現有的基板處理系統可受益於效率及/或處理品質的改進。
從而，在基板處理中具有改善的效率及/或能力的系統、設備及方法是所需求的。
在一個態樣中，提供了電子裝置處理系統。該電子裝置處理系統包括工廠介面，該工廠介面包括工廠介面腔室、耦合到該工廠介面的一或更多個基板載具，及耦合至該工廠介面及該一或更多個基板載具的環境控制系統，該環境控制系統經運作以控制該一或更多個基板載具內的環境及該工廠介面之工廠介面腔室內的環境。
在另一個態樣中，提供了電子裝置處理系統。該電子裝置處理系統包括工廠介面，該工廠介面包括工廠介面腔室、耦合到該工廠介面的一或更多個基板載具、在該工廠介面腔室與該一或更多個基板載具之間的載具清洗腔室，及耦合至該載具清洗腔室及該一或更多個基板載具的環境控制系統，該環境控制系統經運作以控制該一或更多個基板載具內的環境及該載具清洗腔室內的環境。
在方法態樣中，提供了在電子裝置處理系統內處理基板的方法。該方法包括提供工廠介面，該工廠介面包括工廠介面腔室、提供對接到該工廠介面的一或更多個基板載具，在該工廠介面腔室與該一或更多個基板載具之間提供載具清洗腔室，及在該載具清洗腔室及該一或更多個基板載具內控制環境狀態。
在又另一個方法態樣中，提供了在電子裝置處理系統內處理基板的方法。該方法包括提供工廠介面，該工廠介面包括工廠介面腔室、對接到該工廠介面的一或更多個基板載具，及在該工廠介面腔室內的一或更多個載具清洗腔室，及在該工廠介面腔室、該一或更多個載具清洗腔室，及該一或更多個基板載具內控制環境狀態。
在另一個態樣中，提供了電子裝置處理系統。該電子裝置處理系統包括工廠介面，該工廠介面包括工廠介面腔室、耦合到該工廠介面的一或更多個基板載具、在該工廠介面腔室與該一或更多個基板載具之間的載具清洗腔室，其中該載具清洗腔室是藉由至少部分的裝載端口背板及開門器所形成，及載具清洗腔室環境控制系統，該載具清洗腔室環境控制系統經配置及適配以清洗該載具清洗腔室直到特定的環境條件滿足為止。
許多其他態樣根據本發明的這些及其他實施例提供。本發明的實施例之其他特徵及態樣將從以下的詳細描述、附加之請求項，及附圖而變得更為充分顯現。
現在詳細參考範例實施例，該等範例實施例繪示在附圖中。在可能的地方，相同的參考符號將在繪圖中的各處用來在許多視圖各處指示相同或相似的部件。在此所描述的各種實施例的特徵可彼此結合，除非另外具體指出。
現有的電子裝置製造系統可能在觀察到相對較高的溼度、溫度，或其他環境因素(例如，過高的氧氣(O2 )位準，或過高的其他化學污染物的位準)時遭受到問題。具體而言，基板暴露於相對高的溼度位準、相對高的O2 位準，或其他污染物可能不利地影響一些實施例中的基板特性。
根據本發明的一或更多個實施例，經適配以提供改進基板處理的電子裝置處理系統被提供。在此描述的系統及方法可藉由控制基板被傳送於工具之間時，及在與工廠介面接口(interfacing)時所暴露的環境條件而提供基板處理中的效率及/或處理的改進。工廠介面從對接到其壁面上(例如，對接到其前表面上)的一或更多個基板載具接收基板，且裝載/卸載機器人將該基板傳送到一或更多個裝載鎖具，該裝載鎖具耦合至工廠介面的另一個表面上(例如，其後表面上)。在一些實施例中，一或更多個環境參數(例如，相對溼度、溫度、O2 的量、惰性氣體的量，或另一種化學污染物的量)被監視及控制，且沒有任何對接至工廠介面的FOUP可被打開，除非關於工廠介面的工廠介面腔室中的環境之特定預定條件被滿足。
此外，工廠介面內的環境也被控制。簡言之，環境從頭到尾完全沿著一個處理工具的裝載鎖具到另一個處理工具的裝載鎖具之間的傳送路徑被控制。
本發明的範例設備、系統、方法實施例的進一步細節將在此參考圖1至圖6而描述。
圖1為示意圖表，該示意圖表根據本發明的一或更多個實施例繪示電子裝置處理系統100的範例實施例。電子裝置處理系統100可包括主機殼體101，該主機殼體具有殼體壁，該等殼體壁定義了傳送腔室102。傳送機器人103(顯示為虛線圓圈)可至少部分地容納在傳送腔室102內。傳送機器人103可經配置及適配以透過其運作而放置或提取基板進出目的地。在此所使用的基板是指用於製造電子裝置或電路元件的製品，例如含二氧化矽的圓盤或晶圓、圖案化晶圓、玻璃基板，或類者。
傳送機器人103，在所描繪的實施例中，可為任何適當類型的機器人，該機器人經適配以服務各種腔室(例如所顯示的雙腔室)，該等腔室耦合到傳送腔室102且可從傳送腔室102進出，例如在美國專利公開案第2010/0178147號中所揭示的機器人，舉例而言。其他類型的機器人可被使用。
傳送機器人103的各種手臂元件之運動可藉由對驅動組件(未顯示)的適當指令來控制，該驅動組件包含複數個傳送機器人103的驅動馬達，如從控制器125所下的指令。來自控制器125的信號可造成傳送機器人103的各種元件之運動。合適的反饋機制可藉由各種感測器(例如位置編碼器)而提供給一或更多個元件。
所描繪的實施例中的傳送腔室102可大致為正方形的或略為矩形的形狀。然而，主機殼體101的其他合適形狀，及面的數量及處理腔室的數量是可能的。基板的目的地可為第一處理腔室組合108A、108B，該第一處理腔室組合可經配置及運作以在傳送到該第一處理腔室組合的基板上進行處理。
基板目的地亦可為第二處理腔室組合108C、108D，該第二處理腔室組合可大致相對於該第一處理腔室組合108A、108B。第二處理腔室組合108C、108D可耦合到該第二面，且可經配置及適配以在基板上進行任何合適的處理。類似地，基板的目的地亦可為第三處理腔室組合108E、108F，該第三處理腔室組合可大致相對於裝載鎖具設備112，該裝載鎖具設備耦合至第三面。第三處理腔室組合108E、108F可經配置及適配以在基板上進行任何合適的處理。由處理腔室108A-108F所進行的處理可為任何合適的處理，例如電漿氣相沉積(PVD)或化學氣相沉積(CVD)、蝕刻、退火、預清洗、金屬礦石金屬氧化物移除，或類者。其他處理可在其內的基板上進行。
基板可透過裝載鎖具設備112而從工廠介面114被接收到傳送腔室102內，並且離開傳送腔室102到工廠介面114，該裝載鎖具設備耦合到工廠介面114的表面(例如，後壁)。裝載鎖具設備112可包括一或更多個裝載鎖具腔室(例如，裝載鎖具腔室112A、112B，舉例而言)。被包含在裝載鎖具設備112中的裝載鎖具腔室112A、112B可為單晶片裝載鎖具(single wafer load locks, SWLL)腔室，或多晶片裝載鎖具腔室。
工廠介面114可為任何封閉體，該封閉體具有側壁表面(包括前、後、兩個側壁、頂部及底部)以形成工廠介面腔室114C。一或更多個裝載端口115可被提供在工廠介面114的表面(例如，前表面)上，且可經配置及適配以當場接收一或更多個基板載具116(例如，前開口統一艙或FOUPs)。工廠介面114可在工廠介面腔室114C內包含習知結構的合適裝載/卸載機器人117(以虛線顯示)。一旦基板載具116的門被打開，裝載/卸載機器人117可經配置及運作以從一或更多個基板載具116提取基板，並饋送該等基板通過工廠介面腔室114C且進入一或更多個裝載鎖具腔室112A、112B。允許在傳送腔室102及工廠介面腔室114C之間傳送的裝載鎖具設備112之任何合適的構造可被使用。
傳送腔室102可包括狹縫閥，該等狹縫閥通過108F到各種處理腔室108A的入口/出口處。類似地，一或更多個裝載鎖具設備112中的裝載鎖具腔室112A、112B可包括內部及外部裝載鎖具狹縫閥。當放置或提取基板進出各個處理腔室108A-108F及裝載鎖具腔室112A、112B時，狹縫閥經適配以開啟及關閉。狹縫閥可為任何合適的習知構造，例如L-運動(L-motion)狹縫閥。
在所描繪的實施例中，環境控制系統126被提供。環境控制系統126可提供工廠介面環境控制系統126A給工廠介面腔室114C，以對該工廠介面腔室提供環境受控的大氣。具體而言，工廠介面環境控制系統126A耦合到工廠介面114，且經運作以監視及/或控制工廠介面腔室114C內的環境條件。在一些實施例中，且在特定的時間處，在工廠介面腔室114C可在其內接收惰性氣體，例如來自惰性氣體供應器118A的氬氣(Ar)、氮氣(N2 )，或氦氣(He)。在其他實施例中，或在其他時間處，空氣(例如，過濾空氣)可從空氣供應器118B提供。
更詳細而言，工廠介面環境控制系統126A可控制以下至少一者： 在工廠介面腔室114C內的環境之： 1)相對溼度(RH)， 2)溫度(T)， 3)O2 的量，或 4)惰性氣體的量，或 5)化學污染物的量(例如，胺、鹼，一或更多種揮發性有機化合物(VOC)的量，或類者)。工廠介面腔室114C的其他環境條件可被監視及/或控制，例如進出工廠介面腔室的氣體流動速率或腔室壓力或兩者。
環境控制系統126包括控制器125。控制器125可包括合適的處理器、記憶體，及經配置以從各種感測器(例如，相對溼度感測器、氧氣感測器、化學成分感測器，及/或溫度感測器)接收輸入及控制一或更多個閥的電子元件。控制器125可執行封閉迴路或其他合適的控制方案。在一個實施例中，控制方案可改變氣體被引入到工廠介面腔室114C中的流動速率。另一方面，該控制方案可基於工廠介面腔室114C的條件而判定何時將基板傳送至工廠介面腔室114C。
在一或更多個實施例中，環境控制系統126可藉由感測工廠介面腔室114C中的相對溼度而監視相對溼度(RH)。工廠介面腔室114C可在其中包括一或更多個感測器130。例如，一或更多個感測器130可包括在工廠介面腔室114C中的相對溼度感測器。溼度感測器可經配置及適配以感測工廠介面腔室114C中的相對溼度(RH)。任何適當類型的相對溼度感測器可被使用，例如電容式感測器。控制器125可監視相對溼度，且當提供給控制器125的所測量之相對溼度值是高於預定的相對溼度閥值時，耦合至工廠介面114之裝載端口的一或更多個基板載具116的載具門保持關閉。
當所量測到的相對溼度值低於預定的相對溼度閥值時，基板載具116的載具門可被打開。相對溼度可藉由將適量的惰性氣體從惰性氣體供應器118A流入工廠介面腔室114C而降低。如在此所述，來自惰性氣體供應器118A的惰性氣體可為氬氣、氮氣(N2 )、氦氣，或其混合物。供應乾燥的氮氣(N2 )可為頗有效的。具有低H2 O位準的壓縮體積惰性氣體(例如，小於5 ppm)可被用作惰性氣體供應器118A。從惰性氣體供應器118A所供應的惰性氣體可填充工廠介面腔室114C。
在另一個態樣中，環境控制系統126可以一或更多個感測器130(例如，相對溼度感測器)監視相對溼度值，且如果量測到的相對溼度值高於預定的參考相對溼度值，則一或更多個裝載鎖具設備112的外部裝載鎖具狹縫閥保持關閉。一或更多個裝載鎖具設備112可保持關閉，直到相對溼度位準下降到低於預定的參考相對溼度值。如上方所探討，相對溼度可藉由從控制器125到環境控制系統126的控制信號來啟動適量的惰性氣體從惰性氣體供應器118A流入工廠介面腔室114C而降低。
在一或更多個實施例中，預定的參考相對溼度值可小於1000 ppm的水分(moisture)、小於500 ppm的水分，或甚至小於100 ppm的水分，取決於水分的位準，該水分的位準是電子裝置處理系統100中實現的特定處理可容忍的。
為了滿足，亦即低於，先前失敗的環境條件，惰性氣體(例如，乾燥的N2 氣體或其他惰性氣體)可從惰性氣體供應器118A流入工廠介面腔室114C中。惰性氣體供應器118A可為加壓的惰性氣體之合適鋼瓶(canister)，舉例而言。提供到工廠介面腔室114C中的惰性氣體之流動速率可藉由傳送線上的合適流動感測器(未顯示)及/或位於工廠介面腔室114C內的壓力感測器，或兩者，來監視。400 SLM或更大的流動速率可藉由回應於來自控制器125的控制信號而調整閥來提供，該閥耦合至惰性氣體供應器118A。大於約500 Pa的壓力可維持在工廠介面腔室114C內。惰性氣體(例如，N2 或其他惰性氣體)進入到工廠介面腔室114C的流動可經運作以降低相對溼度(RH)位準，且當滿足相對溼度閥值時，一或更多個裝載鎖具腔室112A、112B的載具門及/或外部裝載鎖具狹縫閥可被開啟。此舉有助於確保離開基板載具116的基板、離開裝載鎖具腔室112A、112B的基板，及通過工廠介面腔室114C的任何基板只暴露於合適低的溼度環境。
在另一個範例中，環境的預定條件可被滿足，舉例而言，當在工廠介面腔室114C中量測到的氧氣(O2 )位準下降到低於預定位準時。氧氣(O2 )位準可由一或更多個感測器130所感測，例如藉由氧氣感測器。若所量測到的氧氣(O2 )位準下降到低於預定的氧氣閥值位準(例如，低於50 ppm的O2 、低於10 ppm的O2 、低於5 ppm的O2 ，或甚至低於3 ppm的O2 ，或甚至更低)，則基板交換可透過工廠介面腔室114C發生。其他合適的氧氣位準閥值可被使用，取決於正在發生的處理。若工廠介面腔室114C 中的預定氧氣閥值位準不被滿足，則控制器125將啟動控制信號到耦合至惰性氣體供應器118A的閥，並且將惰性氣體流入到工廠介面腔室114C，直到預定的氧氣閥值位準被滿足，如由控制器125所判定。
當預定的氧氣閥值位準被滿足時，一或更多個裝載鎖具腔室112A、112B的載具門及/或外部裝載鎖具狹縫閥可被打開。此舉有助於確保離開基板載具116的基板、離開裝載鎖具腔室112A、112B的基板，及通過工廠介面腔室114C的任何基板只暴露於相對低的氧氣位準。
在另一個範例中，環境的預定條件可被滿足，舉例而言，當在工廠介面腔室114C中量測到的溫度位準(例如工廠介面腔室114C中的基板之溫度)下降到低於預定溫度閥值位準時(例如，低於攝氏100度，或甚至更低)。一或更多個實施例中，一或更多個感測器130包括溫度感測器，該溫度感測器經配置及適配以感測工廠介面腔室114C內的溫度。在一些實施例中，溫度感測器可隨著基板通過工廠介面腔室114C而被放置在靠近基板的路徑處。在一些實施例中，溫度感測器可為定向的溫度感測器，例如雷射感測器，該雷射感測器可用來判定基板被冷卻的程度。一旦預定溫度閥值位準被滿足，適當冷卻的基板可被裝載到基板載具116中，以用於傳送。
在另一個範例中，環境的預定條件可被滿足，舉例而言，當工廠介面腔室114C中所量測到的化學污染物位準降到低於預定的閥值位準時。一或更多個實施例中，一或更多個感測器130可包括一或更多個化學感測器，該等化學感測器經配置及適配以感測被包含在工廠介面腔室114C內的一或更多個化學污染物的量(例如，胺、鹼、一或更多種揮發性有機化合物(VOC)的量，或類者)。一些實施例中，一旦預定的化學閥值位準被滿足，基板245可從基板載具116卸載，或者通過工廠介面腔室114C傳送。
在一些實施例中，電子裝置處理系統100的環境控制系統126可包括空氣供應器118B，該空氣供應器耦合到工廠介面腔室114C。空氣供應器118B可為風扇或空氣泵提供的過濾空氣之供應。空氣供應器118B可由合適的管道及一或更多個閥而耦合至工廠介面腔室114C。環境控制系統126可包括氧氣感測器，該氧氣感測器經配置及適配以感測工廠介面腔室114C內或離開工廠介面腔室114C的氧氣(O2 )位準。在一個實施例中，當操作員試圖進入工廠介面腔室114C，並發起進入請求時，環境控制系統126的控制器125可從空氣供應器118B發起氣流，使得至少某些惰性氣體環境被排放掉，並以空氣取代。當工廠介面腔室114C內所偵測到的氧氣位準達到已被確定為安全的預定氧氣位準值時，將進出門142保持關閉的門互鎖(door interlock，例如，電動機械鎖)可被解鎖，以允進出門142被打開(如顯示的虛線)，且因此允許人員進出工廠介面腔室114C。
電子裝置處理系統100的環境控制系統126亦可包括惰性氣體再循環。具體而言，惰性氣體可被回收及再利用，以提供工廠介面114的更有效的環境控制。例如，在所描繪的實施例中，來自工廠介面腔室114C的惰性氣體可在排氣管道150中從工廠介面腔室114C排放，透過過濾器152過濾，該過濾器可為減少水分的過濾器，且亦可過濾顆粒，且接著可被提供回該工廠介面腔室中。過濾器152可為吸水過濾器，該吸水過濾器可包括多層的吸收材料。然而，用於減少水分含量的其他機制或裝置可被使用，例如冷凝器(condensers)或其他的除濕裝置。在一些實施例中，惰性氣體亦可被冷卻。在一或更多個實施例中，過濾器152可能也能夠過濾一或更多種化學污染物，例如胺、鹼及/或一或更多種VOC。
在所描繪的實施例中，排氣循環路徑的一部分可通過進出門142。例如，從工廠介面腔室114C的排氣可進入通道(例如，導管)，該通道形成於進出門142中。通道可具有來自工廠介面腔室114C的入口，該入口位於或靠近進出門142的底部，舉例而言。被排放的氣體可前進至過濾器152，該過濾器在一些實施例中可位於工廠介面腔室114C的上部分內，或者在工廠介面114的一部分內。因此，通道可為排氣管道150的一部分。
惰性氣體的消耗在一些實施例中可被監視，例如藉由利用來自從惰性氣體供應器118A的運送線中之流動感測器(未顯示)，且所量測的流動速率可相關於達到工廠介面腔室114C內的特定相對溼度值。如果惰性氣體的消耗量是在預先建立的限制之外，則工廠介面腔室114C中的洩漏可被標記，例如藉由給操作員的訊息、視覺指示器、警報，或類者。選擇性地，如果工廠介面腔室114C內的壓力在預先建立的限制之外(例如，之下)，則工廠介面腔室114C中的洩漏可被標記，如上述。
在所描繪的實施例中，環境控制系統126可包括載具清洗腔室環境控制系統126B。載具清洗腔室環境控制系統126B提供惰性氣體的流動至一或更多個載具清洗腔室154。
載具清洗腔室環境控制系統126B包括惰性氣體供應器(例如，惰性氣體供應器118A)及複數個供應管道155及耦合至該供應管道的閥。複數個供應管道155及閥回應於來自控制器125的控制信號而在特定時間將惰性氣體供應到載具清洗腔室154。例如，在基板載具116的載具門正要打開之前，惰性氣體的供應可提供至載具清洗腔室154，以清洗載具清洗腔室154內的環境，以滿足特定的環境預定條件。這樣的環境預定條件可在打開基板載具門之前被滿足，以允許基板從基板載具116轉移到工廠介面腔室114C中。
載具清洗腔室環境控制系統126B的細節及元件及運作現在將參考圖2及圖3描述。載具清洗腔室環境控制系統126B對每個基板載具116可包括載具清洗殼體256，該基板載具包含腔室清洗能力。這樣的腔室清洗能力可包含給某些或所有的基板載具116。載具清洗殼體256形成每個載具清洗腔室154的一部分。載具清洗殼體256可靠著工廠介面114的裝載端口背板258的內壁257的表面(例如，前壁)而密封，並形成載具清洗腔室154。任何合適的密封件可被使用，例如墊圈(gasket)或O形環。隨著載具清洗腔室154從供應管道155接收惰性氣體的清洗流動，載具清洗殼體256靠著內壁257的表面保持密封。惰性氣體可在合適的流動速率(例如，1 slm)被提供，以清洗載具清洗腔室154。在合適的清洗以將環境條件控制到所期望的預定位準後，載具門216D可被打開。
應明顯看到，載具清洗腔室環境控制系統126B經適配以在打開載具門216D的時候將基板載具116的載具環境262接收到載具清洗腔室154中。載具門216D可透過操作開門器265及門縮回機制267而開門。一旦載具門216D被打開，載具清洗腔室154的進一步清洗可能發生，使得載具環境262不進入到工廠介面腔室114C，該載具環境可包含不期望位準的O2 、水分、顆粒，或其他揮發性氣體及材料。載具清洗腔室154的清洗可繼續，以確保特定的環境條件被滿足。一或更多個擴散器259可被包含在來自供應管道155的出口處，該供應管道供應惰性氣體至載具清洗腔室154。
如將顯見於下方，載具環境控制系統126C可被包括在環境控制系統126中，且可經運作以控制基板載具116內的載具環境262，以滿足特定的環境條件。從而，一旦打開載具門216D，基板載具116內的載具環境262可能已經滿足環境的預定條件。因此，開門及卸載基板245的時間可被縮短。
對載具環境262及載具清洗腔室154所期望的環境條件可基於每個載具環境262及載具清洗腔室154的預定相對溼度RH閥值位準及/或預定的O2 閥值位準及/或預定化學污染物閥值位準，舉例而言。該等數值可為相同的或不同的。在一些實施例中，小於預定相對溼度閥值位準(例如，小於約5％的水分-小於約50,000 ppm)的相對溼度可在打開載具門216D且縮回載具清洗殼體256及耦合的載具門216D遠離內壁257之前，在每個載具環境262及載具清洗腔室154中尋得。一旦從內壁257分離，載具清洗殼體256可被降低以允許裝載/卸載機器人117(圖1中顯示為虛線框)進出並移除基板245。如果氧氣位準是環境標準，則小於預定閥值位準(例如，小於約500 ppm的O2 )的載具環境262及載具清洗腔室154的O2 閥值位準可在打開載具門216D並縮回且降低載具清洗殼體256之前尋得。其他預定閥值位準可被使用。
如果化學污染物位準是環境標準，則小於預定閥值位準的載具環境262及載具清洗腔室154的化學污染物閥值位準可在打開載具門216D並縮回且降低載具清洗殼體256之前尋得。化學污染物，例如胺、鹼、一或更多種揮發性有機化合物(VOC)的量，或類者可為所不期望的。
為了達到載具清洗腔室154中的某些或全部的該等閥值位準，與控制器125通訊的腔室相對溼度感測器276及/或腔室氧氣感測器278及/或一或更多個化學感測器277可被提供。腔室相對溼度感測器276、一或更多個化學感測器277，及/或腔室氧氣感測器278可在載具清洗殼體256之上或之內、在工廠介面腔室114C內的腔室排氣管道280中，或甚至位於外工廠介面114之外。以惰性氣體(例如，N2 )清洗載具清洗腔室154可基於感測器所進行的量測而持續直到環境預定條件被滿足為止。在一些實施例中，基於先前進行的實驗而以預先建立的時間或氣體體積清洗可被用來估計環境的預定條件已被滿足。
更詳細地，載具環境控制系統126C現在將被描述，該載具環境控制系統是環境控制系統126的子元件。載具環境控制系統126C被耦合到一或更多個基板載具116，且一旦被對接至裝載端口115，則可經運作以控制一或更多個基板載具116內的載具環境262。載具環境控制系統126C經配置及運作以從惰性氣體供應器118A提供惰性氣體至一或更多個基板載具116。惰性氣體可被提供，以在打開載具門216D之前，清洗來自基板載具116的載具環境262。該惰性氣體可為N2 氣體、氬氣，或氦氣，舉例而言。
載具環境控制系統126C可經運作以控制相對溼度RH、溫度、氧氣(O2 )的量、一或更多個基板載具116內的惰性氣體量，及/或一或更多種化學污染物的量(例如，胺、鹼、一或更多種揮發性有機化合物(VOC)的量，或者)。在一些實施例中，感測器281，例如氧氣感測器、相對溼度感測器、化學污染物感測器，或前述的組合，可在載具排氣管道268上提供，該載具排氣管道經配置及適配以感測離開一或更多個基板載具116的氧氣位準、相對溼度位準、化學污染物位準，或其組合。
因此，從上述內容來看，應意識到控制器125可經配置及適配以控制載具清洗腔室154內，或一或更多個基板載具116內，以及工廠介面腔室114C中的以下一或更多者：相對溼度、O2 的量、溫度、惰性氣體的量，或一或更多種化學污染物的量。總體而言，環境控制系統126提供清洗能力，以致使基板載具116及裝載鎖具設備112之間的所有相關體積的環境控制。
載具環境控制系統126C的細節現在將進一步描述。隨著基板載具116安裝到對接平台282，每個基板載具116中的開口283可與入口及出口密封件284對準，該入口及出口密封件可被提供在對接平台282的移動部分282M上。一旦基板載具116被對接，清洗可立刻開始，且甚至在移動部分282M向前移動以靠著裝載端口背板258密封基板載具116的凸緣216F之前。
藉由從惰性氣體供應器118A提供惰性氣體的流動通過載具清洗管道155C，清洗可被達成。惰性氣體可以合適的流動速率(例如，75 slm)被提供，以清洗載具環境262。在合適的清洗以將環境條件控制到所期望的預定位準後，載具門216D可被打開。載具環境262的外流可通過載具排氣管道268，該載具排氣管道可包括止回閥(check valve)或類者。止回閥可經設置以在預定壓力彈出，例如約5英寸的水，舉例而言。
在一些實施例中，面部夾持系統271(由箭頭表示)可被包含，以例如在二或更多個位置處(例如，圍繞周邊)接合凸緣216F。面部夾持系統271經運作以將密封凸緣216F密封至裝載端口背板258。面部夾持系統271的夾具之理想位置是在基板載具116的左側及右側。任何合適的面部夾持系統可被使用。
在運作中，載具清洗殼體256可圍繞開門器265。開門器265經適配以可在載具清洗殼體256的內部體積內縮回。開門器265的縮回可透過門縮回機制267，例如線性滑軌269以及齒條及小齒輪(rack and pinion)機制。齒條及小齒輪機制可包括齒條272、小齒輪274，及耦合至小齒輪274的驅動馬達275。從控制器125到驅動馬達275的驅動信號造成載具門216D的縮回及載具環境262(先前清洗的)與載具清洗腔室154中的載具環境(也是先前清洗的)混合。任何合適類型的門解鎖及抓握機制273可用於開門器265上，以抓握並打開載具門216D，這是習知的。
藉由載具清洗殼體256而從內壁257縮回及靠著內壁257關閉(例如，密封)可藉由殼體驅動系統289來提供。滑動機制290允許線性運動以相對於支撐框架291朝向及遠離內壁257，該支撐框架附接到升降梯285。殼體驅動系統289可包括合適的馬達及傳送機制，以造成朝向及遠離內壁257的運動。在所描繪的實施例中，齒條及小齒輪機制被顯示(圖3)為包括耦合至載具清洗殼體256的殼體齒條386、殼體小齒輪388，及殼體驅動馬達392。驅動殼體驅動馬達392將轉移載具清洗殼體256相對於升降梯285及內壁257水平進出。
載具清洗殼體256的降低可藉由升降梯285來達成。升降梯285可包括任何用於提供載具清洗殼體256之垂直運動的合適機制構造。例如，如所描繪地，升降梯285包括線性軸承組件293，該線性軸承組件包括軸承滑軌294、軌道295，及安裝區塊295M。安裝區塊295M可將軌道295緊扣到內壁257。軸承滑軌294可緊扣到豎直致動器296。垂直致動器軌道297也可被提供，且可被緊扣到內壁257。垂直致動器296的致動造成相對於垂直致動器軌道297的垂直運動，以升高或降低支撐框架291及耦合的載具清洗殼體256。垂直致動器296可為任何合適的致動器類型，例如水力(hydraulic)、氣動(pneumatic)、電動，或類者。因此，應明顯觀察到，在載具環境控制系統126C已清洗載具環境262，且載具清洗腔室環境控制系統126B清洗載具清洗腔室154以滿足環境預定條件後，門抓握及解鎖機制273的運作抓住且開啟載具門216D。齒條及小齒輪機制縮回載具門216D，殼體驅動系統289縮回載具清洗殼體256，且升降梯285降低了載具清洗殼體256及載具門216D，使得裝載/卸載機器人117可取得基板載具116中的基板245。
現在參考圖4，顯示了基板製造系統400。基板製造系統400包括如先前描述的電子裝置處理系統100。第二電子裝置處理系統100A亦被提供，該第二電子裝置處理系統在工廠介面114及環境控制系統126方面可能是相同的，但可具有一或更多個不同的基板處理在該第二電子裝置處理系統發生。隨著在電子裝置處理系統100完成處理，且基板載具116充滿基板245，載具清洗殼體256可被重新密封，且載具門216D(圖2)重新安裝到基板載具116上。基板載具116接著可由傳送系統498裝載(load)且承載(carried)到下一個站以用於處理(例如，在第二電子裝置處理系統100A中)。任何合適的傳送系統498可被用於傳送基板載具116。
傳送期間，基板載具116可保留其中提供的惰性氣體環境。傳送前，且一旦基板載具116透過重新安裝載具門216D而關閉，後續的處理清洗可發生。如圖2中所示，閥組件299可被提供，該閥組件可經運作以在基板載具116從對接平台282分離時，關閉開口283並提供密封的環境。任何單向作用的合適的閥組件299可被使用，例如簧片閥(reed valve)、擋板閥(flapper valve)、鴨嘴閥(duckbill valve)、傘閥、球閥、圓頂閥、貝爾維爾閥(Belleville valve)，及類者。入口只允許單向流入，而排氣口只允許單向流出。如此，基板245在其整個處理過程中可被提供環境控制，亦即從電子裝置處理系統100的處理到第二電子裝置處理系統100A的處理。
現在參考圖5，在電子裝置處理系統(例如，電子裝置處理系統100)內處理基板的一種方法將被描述。方法500包括，在502中，提供工廠介面(例如，工廠介面114)，該工廠介面具有工廠介面腔室(例如，工廠介面腔室114C)，且在504中，提供對接到工廠介面的一或更多個基板載具(例如，基板載具116)。
方法500包括，在506中，在工廠介面腔室及該一或更多個基板載具之間提供載具清洗腔室(例如，載具清洗腔室154)；及在508中，控制載具清洗腔及該一或更多個基板載具內的環境條件。
該控制可包括透過環境控制系統126來控制環境條件，以滿足環境的預定條件。例如，控制環境條件，以滿足基板載具及載具清洗腔室154內的環境預定條件可發生在打開一或更多個基板載具門(例如，載具門216D)的任一者之前。工廠介面腔室中的環境條件亦可透過工廠介面環境控制系統126A來控制，以滿足環境預定條件。在工廠介面腔室114C內控制環境條件可包括在允許打開一或更多個基板載具門(例如，載具門216D)的任何一者，或一或更多個裝載鎖具腔室(例如，裝載鎖具腔室112A、112B的外部裝載鎖具狹縫閥)的任何一者之前，滿足工廠介面腔室114C中的環境預定條件。
圖6繪示另一種載具清洗腔室環境控制系統626B的實施例。此實施例致使載具門216D及開門器665之間的體積之清洗，而不需要環繞開門器665的次要殼體之額外複雜性及費用(類似圖2實施例的載具清洗殼體256)。載具清洗腔室環境控制系統626B包括一或更多個供應管道155及耦合至該供應管道的閥，該閥耦合到惰性氣體供應器(例如，惰性氣體供應器118A)。一或更多個供應管道155及閥在特定的時間回應於來自控制器(例如，控制器125)的控制信號而將惰性氣體供應到一或更多個載具清洗腔室654。例如，惰性氣體的供應可在開啟基板載具116的載具門216D的分別一者之前，提供到每個載具清洗腔室654，以清洗載具清洗腔室654內存在的環境。載具清洗腔室654可被清洗以滿足一些實施例中的特定環境預定條件。例如，環境預定條件可為氧氣(O2 )、相對溼度(RH)、溫度的位準，或上述的一或更多種化學污染物的位準。這樣的環境預定條件可在打開載具門216D且允許基板245從基板載具116轉移到工廠介面腔室114C之前被滿足。
載具清洗腔室環境控制系統626B的細節及元件及運作現在將參考圖6描述。載具清洗腔室環境控制系統626B可包括用於每個基板載具116的載具清洗腔室654，該基板載具包括這樣的腔室清洗能力。這樣的腔室清洗能力可包含給某些或全部的基板載具116。裝載端口背板658及開門器665的至少一部分及可能部分的載具門216D可形成每個載具清洗腔室654的一部分。開門器665可靠著工廠介面114的裝載端口背板658的內壁657的內表面(例如，前壁)而密封，並形成載具清洗腔室654。類似地，凸緣216F可靠著裝載端口背板658的外部表面而密封。任何合適類型的密封件可被使用，例如墊圈或O形環。隨著載具清洗腔室654透過一或更多個流入通道660而從供應管道155接收惰性氣體的清洗流動，開門器665靠著內壁657的表面保持密封，該流入通道可部分地或完全地形成於裝載端口背板658中。惰性氣體可以合適的流動速率(例如，1 slm)提供，以清洗載具清洗腔室654。該惰性氣體可通過流出通道661而流出，該流出通道也可部分地或完全地形成於裝載端口背板658中。
在載具清洗腔室654的清洗期間，載具門216D可稍微裂開，從而允許載具環境262到載具清洗腔室654的脫離。在合適的清洗以將環境條件控制到所期望的預定位準後，載具門216D可藉由開門器665的動作而被完全打開且遠離。
載具清洗腔室654的清洗可發生，使得載具環境262不進入到工廠介面腔室114C中，該載具環境可能包含不期望位準的O2 、水分、顆粒，或其他揮發性氣體及材料(例如，化學污染物)。載具清洗腔室654的清洗可能持續以確保特定的環境條件被滿足。
如上方所探討地，載具環境控制系統126C可與載具清洗腔室環境控制系統626B結合包含，且可經運作以控制基板載具116內的載具環境262，以滿足特定的環境條件。從而，一旦打開載具門216D，基板載具116內的載具環境262可能已經滿足特定的環境預定條件。因此，開門且卸載基板245的時間可被縮短。
進一步而言，在處理之後且在傳送之前，一旦將基板245裝載到基板載具116中，載具門216D可被關閉，且載具環境262可被後處理清洗。閥組件299可被提供，該閥組件可經運作以在基板載具116從對接平台282的移動部分282M的入口及出口密封件284脫離時關閉開口283，並提供密封的環境。
載具清洗腔室環境控制系統626B可經運作以控制載具清洗腔室654內的相對溼度RH、氧氣的量(O2 )、溫度、惰性氣體的量，或一或更多種化學污染物的量(例如，胺、鹼、一或更多種VOC的量)，或類者。在一些實施例中，一或更多個感測器281，例如氧氣感測器、相對溼度感測器、化學污染物感測器，或類者，可提供於載具排氣管道268上。一或更多個感測器281可經配置及適配以如上述地感測離開載具清洗腔室654的氧氣位準、相對溼度位準、溫度、化學污染物位準，或其組合。
載具清洗腔室環境控制系統626B可以與載具環境控制系統126C結合，或可單獨使用。例如，載具清洗腔室654及載具環境262兩者皆可由載具清洗腔室環境控制系統626B清洗，該清洗是藉由使載具門216D稍微裂開並且啟動通過流入通道660而進入且通過流出通道661而離開的清洗。
如上述地，升降梯285降低及升高開門器665及附接至開門器665的載具門216D，使得裝載/卸載機器人117(圖1)可取得基板載具116中的基板245。其他合適的升降梯系統可被用於升高及降低開門器665及耦合的載具門216D。
上方的描述僅揭示本發明的範例實施例。落入本發明範疇內的上方揭示之設備、系統及方法的修改對於本領域具有通常知識者將是顯而易見的。從而，雖然本發明已連結範例實施例揭示，但應理解到其他實施例可落入本發明的範疇內，如以下的請求項所定義。
100:電子裝置處理系統 101:主機殼體 103:傳送機器人 108A:第一處理腔室組合 108B:第一處理腔室組合 108C:第二處理腔室組合 108D:第二處理腔室組合 108E:第三處理腔室組合 108F:第三處理腔室組合 112:裝載鎖具設備 112A:裝載鎖具腔室 112B:裝載鎖具腔室 114:工廠介面 114C:工廠介面腔室 115:裝載端口 116:基板載具 117:裝載/卸載機器人 118A:惰性氣體供應器 118B:空氣供應器 125:控制器 126:環境控制系統 126A:工廠介面環境控制系統 126B:載具清洗腔室環境控制系統 126C:載具環境控制系統 130:感測器 142:進出門 150:排氣管道 152:過濾器 154:載具清洗腔室 155:供應管道 155C:載具清洗管道 216D:載具門 216F:凸緣 245:基板 256:載具清洗殼體 257:內壁 258:裝載端口背板 259:擴散器 262:載具環境 265:開門器 267:門縮回機制 268:排氣管道 269:線性滑軌 271:面部夾持系統 272:齒條 273:門解鎖及抓握機制 274:小齒輪 275:驅動馬達 276:溼度感測器 277:化學感測器 278:氧氣感測器 280:排氣管道 281:感測器 282:對接平台 282M:移動部分 283:開口 284:入口及出口密封件 285:升降梯 289:殼體驅動系統 290:滑動機制 291:支撐框架 293:線性軸承組件 294:軸承滑軌 295:軌道 295M:安裝區塊 296:垂直致動器 297:垂直致動器軌道 299:閥組件 386:殼體齒條 388:殼體小齒輪 392:殼體驅動馬達 400:基板製造系統 498:傳送系統 500:方法 502:步驟 504:步驟 506:步驟 508:步驟 626B:載具清洗腔室環境控制系統 654:載具清洗腔室 657:內壁 658:裝載端口背板 660:流入通道 661:流出通道 665:開門器
以下所描述的繪圖僅用於例示性的目的，且並非必然按比例繪製。該等繪圖並非意於以任何方式限制本發明的範疇。
圖1依據一或更多個實施例繪示電子裝置處理系統的示意頂視圖，該電子裝置處理系統包括工廠介面環境控制、載具清洗腔室環境控制，及基板載具環境控制。
圖2依據一或更多個實施例繪示載具清洗腔室環境控制系統的部分後視圖。
圖3依據一或更多個實施例繪示部分的載具環境控制系統的部分剖面前視圖。
圖4依據一或更多個實施例繪示包含環境控制的電子裝置處理系統之示意頂視圖。
圖5依據一或更多個實施例繪示流程圖，該流程圖描繪在電子裝置處理系統內處理基板的方法。
圖6依據一或更多個實施例繪示電子裝置處理系統的另一個實施例的剖面側視圖，該電子裝置處理系統包括載具清洗腔室環境控制的實施例。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
114:工廠介面
114C:工廠介面腔室
116:基板載具
126C:載具環境控制系統
155:供應管道
216D:載具門
216F:凸緣
245基板
262:載具環境
268:排氣管道
271:面部夾持系統
281:感測器
282:對接平台
282M:移動部分
283:開口
284:入口及出口密封件
285:升降梯
299:閥組件
626B:載具清洗腔室環境控制系統
654:載具清洗腔室
657:內壁
660:流入通道
661:流出通道
665:開門器

Claims (20)

  1. 一種電子裝置處理系統，包括： 一工廠介面，該工廠介面包含一工廠介面腔室，該工廠介面經配置以接收一或更多個基板載具，該一或更多個基板載具耦合至該工廠介面，該一或更多個基板載具之每一者包括一載具門；及一環境控制系統，該環境控制系統耦合至該工廠介面並且經配置以耦合至該一或更多個基板載具，該環境控制系統可經運作以分別地控制該一或更多個基板載具內的一環境及該工廠介面的該工廠介面腔室內的一環境，其中該環境控制系統可經運作以在該一或更多個基板載具的該載具門關閉的同時，控制該一或更多個基板載具內的該環境。
  2. 如請求項1所述之電子裝置處理系統，其中該環境控制系統包括： 一載具環境控制系統，該載具環境控制系統可經運作以提供一惰性氣體，以清洗該一或更多個基板載具；及 一工廠介面環境控制系統，該工廠介面環境控制系統可經運作以提供一惰性氣體至該工廠介面腔室。
  3. 如請求項1所述之電子裝置處理系統，其中該環境控制系統包括： 一載具環境控制系統，該載具環境控制系統可經運作以提供一惰性氣體至該一或更多個基板載具；及 一載具清洗腔室環境控制系統，該載具清洗腔室環境控制系統可經運作以提供一惰性氣體至一載具清洗腔室，該載具清洗腔室對著該工廠介面的一壁面密封。
  4. 如請求項1所述之電子裝置處理系統，其中： 該一或更多個基板載具內的該環境之該控制包含提供一惰性氣體至該一或更多個基板載具，該惰性氣體包括氬氣、N2 氣體，或氦氣的其中至少一者；及 該工廠介面腔室內的該環境之該控制包含提供一惰性氣體至該工廠介面腔室，該惰性氣體包括氬氣、N2 氣體，或氦氣的其中至少一者。
  5. 如請求項1所述之電子裝置處理系統，其中該環境控制系統可經運作以控制該工廠介面腔室及該一或更多個基板載具內的一O2 量或一惰性氣體量的其中至少一者。
  6. 如請求項1所述之電子裝置處理系統，進一步包括以下至少一者： 一溼度感測器，該溼度感測器經適配以感測該工廠介面腔室或該一或更多個基板載具的其中至少一者的相對溼度； 一氧氣感測器，該氧氣感測器經適配以感測該工廠介面腔室或該一或更多個基板載具的其中至少一者的一氧氣位準；或 一控制器，該控制器經配置及適配以控制該工廠介面腔室或該一或更多個基板載具的其中至少一者內的以下一或更多者：一相對溼度、一O2 量、一溫度、一惰性氣體量，或一化學污染物量。
  7. 如請求項1所述之電子裝置處理系統，其中該環境控制系統包括： 一控制器；及 一惰性氣體供應器，該惰性氣體供應器經配置以使一惰性氣體量流動至該一或更多個基板載具及該工廠介面的該工廠介面腔室中。
  8. 如請求項1所述之電子裝置處理系統，其中該環境控制系統包括一載具環境控制系統，該載具環境控制系統耦合至該一或更多個基板載具的一底部。
  9. 如請求項1所述之電子裝置處理系統，進一步包括： 一凸緣夾持系統，該凸緣夾持系統經配置以將該一或更多個基板載具的一凸緣密封至該工廠介面的一外壁。
  10. 如請求項1所述之電子裝置處理系統，進一步包括： 一載具清洗腔室環境控制系統，該載具清洗腔室環境控制系統經配置及適配以清洗一載具清洗腔室，直到滿足目標環境條件為止。
  11. 如請求項10所述之電子裝置處理系統，其中該載具清洗腔室是由一裝載端口背板的至少一部分以及一開門器的至少一部分所形成。
  12. 一種電子裝置處理系統，包括： 一工廠介面，該工廠介面包含一工廠介面腔室及一載具清洗腔室，該工廠介面經配置以接收一或更多個基板載具，該一或更多個基板載具耦合至該工廠介面，使得該載具清洗腔室被定位在該工廠介面腔室與該一或更多個基板載具之間；及 一環境控制系統，該環境控制系統耦合至該載具清洗腔室並且經配置以耦合至該一或更多個基板載具，且該環境控制系統可經運作以分別地控制該一或更多個基板載具內的一環境及該載具清洗腔室內的一環境。
  13. 如請求項12所述之電子裝置處理系統，其中該環境控制系統包括： 一載具清洗腔室環境控制系統，該載具清洗腔室環境控制系統可經運作以提供一惰性氣體，以清洗該載具清洗腔室；及 一工廠介面環境控制系統，該工廠介面環境控制系統可經運作以提供一惰性氣體至該工廠介面腔室。
  14. 如請求項13所述之電子裝置處理系統，其中該環境控制系統進一步包括： 一載具環境控制系統，該載具環境控制系統可經運作以提供一惰性氣體至該一或更多個基板載具。
  15. 如請求項12所述之電子裝置處理系統，其中： 該載具清洗腔室內的該環境之該控制包含提供一惰性氣體至該載具清洗腔室，該惰性氣體包括氬氣、N2 氣體，或氦氣的其中至少一者；及 該工廠介面腔室內的該環境之該控制包含提供一惰性氣體至該工廠介面腔室，該惰性氣體包括氬氣、N2 氣體，或氦氣的其中至少一者。
  16. 如請求項12所述之電子裝置處理系統，其中該環境控制系統可經運作以控制該工廠介面腔室及該載具清洗腔室內的一O2 量或一惰性氣體量的其中至少一者。
  17. 如請求項12所述之電子裝置處理系統，進一步包括以下至少一者： 一溼度感測器，該溼度感測器經適配以感測該工廠介面腔室或該載具清洗腔室的其中至少一者的相對溼度； 一氧氣感測器，該氧氣感測器經適配以感測該工廠介面腔室或該載具清洗腔室的其中至少一者的一氧氣位準；或 一控制器，該控制器經配置及適配以控制該工廠介面腔室或該載具清洗腔室的其中至少一者內的以下一或更多者：一相對溼度、一O2 量、一溫度、一惰性氣體量，或一化學污染物量。
  18. 如請求項12所述之電子裝置處理系統，其中該環境控制系統包括： 一控制器；及 一惰性氣體供應器，該惰性氣體供應器經配置以使一惰性氣體量流動至該載具清洗腔室及該工廠介面的該工廠介面腔室中。
  19. 如請求項12所述之電子裝置處理系統，其中該載具清洗腔室是由一裝載端口背板的至少一部分以及一開門器的至少一部分所形成。
  20. 一種在一電子裝置處理系統內處理基板的方法，包括以下步驟： 由包含一工廠介面腔室的一工廠介面接收一或更多個基板載具，該一或更多個基板載具對接至該工廠介面，其中該工廠介面包括一載具清洗腔室，該載具清洗腔室位於該工廠介面腔室與該一或更多個基板載具之間；及 分別地控制以下至少一者內的環境條件： 該載具清洗腔室及該一或更多個基板載具； 該載具清洗腔室及該工廠介面腔室；或 該工廠介面腔室及該一或更多個基板載具。
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Families Citing this family (36)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN105453246A (zh) 2013-08-12 2016-03-30 应用材料公司 具有工厂接口环境控制的基板处理系统、装置和方法
JP6226190B2 (ja) * 2014-02-20 2017-11-08 Tdk株式会社 パージシステム、及び該パージシステムに供せられるポッド及びロードポート装置
CN107004624B (zh) 2014-11-25 2020-06-16 应用材料公司 具有基板载体和净化腔室环境控制的基板处理系统、设备和方法
JP6458595B2 (ja) * 2015-03-27 2019-01-30 東京エレクトロン株式会社 成膜装置及び成膜方法並びに記憶媒体
JP6700000B2 (ja) * 2015-07-06 2020-05-27 Tdk株式会社 フープロードポート装置
TWI567856B (zh) * 2015-09-08 2017-01-21 古震維 具有吹淨功能的晶圓傳送裝置
JP6632403B2 (ja) * 2016-02-02 2020-01-22 東京エレクトロン株式会社 基板収納容器の連結機構および連結方法
US10159169B2 (en) 2016-10-27 2018-12-18 Applied Materials, Inc. Flexible equipment front end module interfaces, environmentally-controlled equipment front end modules, and assembly methods
US10453726B2 (en) 2016-11-10 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing load port apparatus, systems, and methods
US10541165B2 (en) 2016-11-10 2020-01-21 Applied Materials, Inc. Systems, apparatus, and methods for an improved load port backplane
US10453727B2 (en) 2016-11-10 2019-10-22 Applied Materials, Inc. Electronic device manufacturing load port apparatus, systems, and methods
US10262884B2 (en) 2016-11-10 2019-04-16 Applied Materials, Inc. Systems, apparatus, and methods for an improved load port
US10741432B2 (en) * 2017-02-06 2020-08-11 Applied Materials, Inc. Systems, apparatus, and methods for a load port door opener
JP7158133B2 (ja) * 2017-03-03 2022-10-21 アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド 雰囲気が制御された移送モジュール及び処理システム
US10446428B2 (en) * 2017-03-14 2019-10-15 Applied Materials, Inc. Load port operation in electronic device manufacturing apparatus, systems, and methods
US10566216B2 (en) * 2017-06-09 2020-02-18 Lam Research Corporation Equipment front end module gas recirculation
KR102423761B1 (ko) 2017-06-23 2022-07-20 어플라이드 머티어리얼스, 인코포레이티드 인덱서블 측면 저장 포드 장치, 가열식 측면 저장 포드 장치, 시스템들, 및 방법들
US10388547B2 (en) 2017-06-23 2019-08-20 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for processing substrates
TWI635559B (zh) * 2017-07-25 2018-09-11 春田科技顧問股份有限公司 裝載埠的吹淨裝置及其吹淨方法
US10861692B2 (en) 2017-10-26 2020-12-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Substrate carrier deterioration detection and repair
US10763134B2 (en) * 2018-02-27 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
JP6963179B2 (ja) * 2018-03-15 2021-11-05 シンフォニアテクノロジー株式会社 Ｅｆｅｍ
US10403514B1 (en) * 2018-04-12 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Substrate transporting system, storage medium and substrate transporting method
KR102592920B1 (ko) * 2018-07-16 2023-10-23 삼성전자주식회사 로드락 모듈 및 이를 포함하는 반도체 제조 장치
US11244844B2 (en) * 2018-10-26 2022-02-08 Applied Materials, Inc. High flow velocity, gas-purged, side storage pod apparatus, assemblies, and methods
US11610794B2 (en) * 2018-10-26 2023-03-21 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating the same
US11189511B2 (en) * 2018-10-26 2021-11-30 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for operating EFEMs
US11373891B2 (en) 2018-10-26 2022-06-28 Applied Materials, Inc. Front-ducted equipment front end modules, side storage pods, and methods of operating the same
US11315816B2 (en) 2020-06-10 2022-04-26 Kla Corporation Localized purge module for substrate handling
JP7189914B2 (ja) * 2020-08-31 2022-12-14 株式会社Kokusai Electric クリーニング方法、半導体装置の製造方法、基板処理装置、およびプログラム
JP7111146B2 (ja) * 2020-12-18 2022-08-02 Tdk株式会社 容器内清浄化装置
JP7513547B2 (ja) * 2021-02-25 2024-07-09 キオクシア株式会社 半導体製造装置および半導体装置の製造方法
US11493909B1 (en) * 2021-04-16 2022-11-08 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Method for detecting environmental parameter in semiconductor fabrication facility
US20230211390A1 (en) * 2021-12-30 2023-07-06 Semes Co., Ltd. Apparatus for treating substrate and method for treating a substrate
KR102409487B1 (ko) * 2022-04-19 2022-06-15 주식회사 위드텍 반도체 웨이퍼 풉용 로드포트의 분석가스 공급을 위한 제어장치 및 그 제어방법
CN116759349B (zh) * 2023-08-22 2023-12-12 宁波润华全芯微电子设备有限公司 一种晶圆刻蚀清洗装置

Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200811926A (en) * 2006-06-26 2008-03-01 Applied Materials Inc Batch processing platform for ALD and CVD

Family Cites Families (116)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US3688540A (en) 1969-07-29 1972-09-05 Superior Tube Co Tube rolling mill employing a tapered mandrel and a cluster of rolls that each have specially designed tube contacting grooves
JPS62222625A (ja) 1986-03-25 1987-09-30 Shimizu Constr Co Ltd 半導体製造装置
US5186594A (en) 1990-04-19 1993-02-16 Applied Materials, Inc. Dual cassette load lock
JPH05326421A (ja) 1992-05-20 1993-12-10 Fujitsu Ltd 成膜方法
JPH0634479A (ja) 1992-07-16 1994-02-08 Toshiba Ceramics Co Ltd 半導体用熱処理炉のガスリーク検知方法および装置
US5527390A (en) 1993-03-19 1996-06-18 Tokyo Electron Kabushiki Treatment system including a plurality of treatment apparatus
KR100221983B1 (ko) 1993-04-13 1999-09-15 히가시 데쓰로 처리장치
JP2626516B2 (ja) 1993-11-15 1997-07-02 日本電気株式会社 分子線結晶成長装置
TW273574B (zh) 1993-12-10 1996-04-01 Tokyo Electron Co Ltd
JP2885142B2 (ja) 1995-08-16 1999-04-19 日本電気株式会社 真空処理装置及び真空処理装置への大気混入の検知方法
JP2806919B2 (ja) 1996-12-25 1998-09-30 日本電気ファクトリエンジニアリング株式会社 恒温槽
JPH10270535A (ja) 1997-03-25 1998-10-09 Nikon Corp 移動ステージ装置、及び該ステージ装置を用いた回路デバイス製造方法
JP3839555B2 (ja) 1997-06-05 2006-11-01 高砂熱学工業株式会社 局所密閉型清浄装置
JP3425592B2 (ja) 1997-08-12 2003-07-14 東京エレクトロン株式会社 処理装置
JPH11312640A (ja) 1998-02-25 1999-11-09 Canon Inc 処理装置および該処理装置を用いたデバイス製造方法
JP2000058619A (ja) 1998-08-07 2000-02-25 Kokusai Electric Co Ltd 基板処理装置及び基板処理方法
JP2000150613A (ja) * 1998-11-17 2000-05-30 Tokyo Electron Ltd 被処理体の搬送装置
JP2000296309A (ja) 1999-04-12 2000-10-24 Daikin Ind Ltd 半導体製造システム
US6877219B1 (en) 1999-10-26 2005-04-12 Air Liquide America, L.P. Apparatus for placing components on printed circuit boards
EP1124252A2 (en) * 2000-02-10 2001-08-16 Applied Materials, Inc. Apparatus and process for processing substrates
WO2002004774A2 (en) 2000-07-07 2002-01-17 Applied Materials, Inc. Automatic door opener
TW522482B (en) 2000-08-23 2003-03-01 Tokyo Electron Ltd Vertical heat treatment system, method for controlling vertical heat treatment system, and method for transferring object to be treated
US6690993B2 (en) 2000-10-12 2004-02-10 R. Foulke Development Company, Llc Reticle storage system
JP3939101B2 (ja) 2000-12-04 2007-07-04 株式会社荏原製作所 基板搬送方法および基板搬送容器
WO2002075795A1 (fr) * 2001-03-19 2002-09-26 Nikon Corporation Procede et dispositif d'exposition et procede pour produire ledit dispositif
JP2002350925A (ja) 2001-05-30 2002-12-04 Fuji Photo Film Co Ltd カメラの絞り切換え装置
US6585470B2 (en) 2001-06-19 2003-07-01 Brooks Automation, Inc. System for transporting substrates
US20030031538A1 (en) 2001-06-30 2003-02-13 Applied Materials, Inc. Datum plate for use in installations of substrate handling systems
US8796589B2 (en) 2001-07-15 2014-08-05 Applied Materials, Inc. Processing system with the dual end-effector handling
US6819517B2 (en) 2001-07-31 2004-11-16 Seagate Technology Llc Disc drive servo track writer gas leak detector and method
JP3880343B2 (ja) * 2001-08-01 2007-02-14 株式会社ルネサステクノロジ ロードポート、基板処理装置および雰囲気置換方法
US6672864B2 (en) 2001-08-31 2004-01-06 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for processing substrates in a system having high and low pressure areas
JP4218821B2 (ja) 2002-06-11 2009-02-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置
US20040081546A1 (en) 2002-08-31 2004-04-29 Applied Materials, Inc. Method and apparatus for supplying substrates to a processing tool
US6955197B2 (en) 2002-08-31 2005-10-18 Applied Materials, Inc. Substrate carrier having door latching and substrate clamping mechanisms
US7258520B2 (en) 2002-08-31 2007-08-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for using substrate carrier movement to actuate substrate carrier door opening/closing
US20040069409A1 (en) 2002-10-11 2004-04-15 Hippo Wu Front opening unified pod door opener with dust-proof device
KR100486690B1 (ko) 2002-11-29 2005-05-03 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치및 방법
KR20040064326A (ko) 2003-01-10 2004-07-19 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈의 오염을 제어할 수 있는 기판 처리 장치
JP2004235516A (ja) * 2003-01-31 2004-08-19 Trecenti Technologies Inc ウエハ収納治具のパージ方法、ロードポートおよび半導体装置の製造方法
KR100505061B1 (ko) 2003-02-12 2005-08-01 삼성전자주식회사 기판 이송 모듈
KR100562500B1 (ko) 2003-02-25 2006-03-21 삼성전자주식회사 기판 이송 시스템 및 기판 이송 방법
TWI228750B (en) * 2003-02-25 2005-03-01 Samsung Electronics Co Ltd Apparatus and method for processing wafers
JP4468021B2 (ja) 2003-03-25 2010-05-26 キヤノン株式会社 ロードロックシステム及び露光処理システム並びにデバイスの製造方法
ES2629344T3 (es) * 2003-05-12 2017-08-08 Helion Biotech Aps Anticuerpos contra la MASP-2
US7654221B2 (en) * 2003-10-06 2010-02-02 Applied Materials, Inc. Apparatus for electroless deposition of metals onto semiconductor substrates
KR100583726B1 (ko) 2003-11-12 2006-05-25 삼성전자주식회사 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
JP4451221B2 (ja) * 2004-06-04 2010-04-14 東京エレクトロン株式会社 ガス処理装置および成膜装置
US7611319B2 (en) 2004-06-16 2009-11-03 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for identifying small lot size substrate carriers
JP4585514B2 (ja) 2004-06-21 2010-11-24 株式会社ライト製作所 ロードポート
US9010384B2 (en) 2004-06-21 2015-04-21 Right Mfg. Co. Ltd. Load port
JP2006012964A (ja) * 2004-06-23 2006-01-12 Canon Inc ロードロック機構
KR100583730B1 (ko) 2004-06-29 2006-05-26 삼성전자주식회사 기판 이송 시스템 및 상기 시스템의 프레임 내 압력을조절하는 방법
JP2006019726A (ja) 2004-06-29 2006-01-19 Samsung Electronics Co Ltd ウェーハ移送システム及びシステム内の圧力調整方法
CN101023429B (zh) 2004-07-02 2010-09-01 斯特拉斯鲍公司 用于处理晶片的方法和系统
FR2874744B1 (fr) 2004-08-30 2006-11-24 Cit Alcatel Interface sous vide entre une boite de mini-environnement et un equipement
US20080236487A1 (en) 2004-09-15 2008-10-02 Hitachi Kokusai Electric Inc., Semiconductor Manufacturing Apparatus And Semiconductor Device Manufacturing Method
US20060240680A1 (en) 2005-04-25 2006-10-26 Applied Materials, Inc. Substrate processing platform allowing processing in different ambients
JP4541232B2 (ja) * 2005-06-16 2010-09-08 東京エレクトロン株式会社 処理システム及び処理方法
WO2007061604A2 (en) 2005-11-21 2007-05-31 Applied Materials, Inc. Apparatus and methods for a substrate carrier having an inflatable seal
US20070119393A1 (en) * 2005-11-28 2007-05-31 Ashizawa Kengo Vacuum processing system
US20070140822A1 (en) 2005-12-16 2007-06-21 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for opening and closing substrate carriers
CN101370616B (zh) 2006-01-11 2011-04-27 应用材料股份有限公司 一种基材载件、一种装载端口以及一种清洗基材载件的方法
KR100765850B1 (ko) 2006-04-18 2007-10-29 뉴영엠테크 주식회사 반도체 제조장치의 질소가스충전용 후프오프너
KR101217516B1 (ko) 2006-07-11 2013-01-02 주성엔지니어링(주) 클러스터 툴
WO2008040002A2 (en) * 2006-09-28 2008-04-03 Fred Hutchinson Cancer Research Center Methods, compositions and articles of manufacture for hif modulating compounds
JP4832276B2 (ja) 2006-12-25 2011-12-07 株式会社アルバック 基板吸着システムおよび半導体製造装置
TWI475627B (zh) 2007-05-17 2015-03-01 Brooks Automation Inc 基板運送機、基板處理裝置和系統、於基板處理期間降低基板之微粒污染的方法，及使運送機與處理機結合之方法
KR20150140395A (ko) 2007-05-17 2015-12-15 브룩스 오토메이션 인코퍼레이티드 측면 개방형 기판 캐리어 및 로드 포트
JP4309935B2 (ja) 2007-07-31 2009-08-05 Ｔｄｋ株式会社 密閉容器の蓋開閉システム及び当該システムを用いた基板処理方法
US8443484B2 (en) * 2007-08-14 2013-05-21 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP4359640B2 (ja) 2007-09-25 2009-11-04 東京エレクトロン株式会社 基板搬送装置及びダウンフロー制御方法
JP2009088437A (ja) 2007-10-03 2009-04-23 Tokyo Electron Ltd 被処理体の導入ポート機構及び処理システム
US8991785B2 (en) 2007-10-26 2015-03-31 Applied Materials, Inc. Methods and apparatus for sealing a slit valve door
US8870512B2 (en) 2007-10-27 2014-10-28 Applied Materials, Inc. Sealed substrate carriers and systems and methods for transporting substrates
JP2009117554A (ja) 2007-11-05 2009-05-28 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
US20090179366A1 (en) * 2008-01-16 2009-07-16 Sokudo Co., Ltd. Apparatus for supporting a substrate during semiconductor processing operations
CN101911253B (zh) 2008-01-31 2012-08-22 应用材料公司 闭环mocvd沉积控制
US9091491B2 (en) 2008-02-22 2015-07-28 Applied Materials, Inc. Cooling plates and semiconductor apparatus thereof
JP4577663B2 (ja) 2008-03-04 2010-11-10 Ｔｄｋ株式会社 パージ制御装置及びそれを備えるロードボート装置
US8186927B2 (en) * 2008-05-27 2012-05-29 Tdk Corporation Contained object transfer system
US8827695B2 (en) 2008-06-23 2014-09-09 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. Wafer's ambiance control
US8070408B2 (en) 2008-08-27 2011-12-06 Applied Materials, Inc. Load lock chamber for large area substrate processing system
KR20100060513A (ko) 2008-11-27 2010-06-07 세메스 주식회사 압력 리크 모니터링 유니트를 갖는 디스플레이 제조 장치
KR20100062392A (ko) 2008-12-02 2010-06-10 삼성전자주식회사 반도체 제조설비 및 그의 제조방법
US8784033B2 (en) 2009-01-11 2014-07-22 Applied Materials, Inc. Robot systems, apparatus and methods for transporting substrates
CN102414786B (zh) 2009-04-28 2016-08-24 应用材料公司 在原位清洁后利用nh3净化对mocvd腔室进行去污染处理
US8591809B2 (en) 2010-03-15 2013-11-26 Samsung Electronics Co., Ltd. Substrate transfer container, gas purge monitoring tool, and semiconductor manufacturing equipment with the same
US8564237B2 (en) 2010-06-17 2013-10-22 General Electric Company Seal leakage and seal oil contamination detection in generator
JP5768337B2 (ja) * 2010-07-07 2015-08-26 シンフォニアテクノロジー株式会社 ロードポート
JP2012069542A (ja) 2010-09-21 2012-04-05 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理システム
JP2012094822A (ja) * 2010-09-30 2012-05-17 Shibaura Mechatronics Corp 密閉型容器及び半導体製造装置
EP2444993A1 (en) 2010-10-21 2012-04-25 Applied Materials, Inc. Load lock chamber, substrate processing system and method for venting
JP5617708B2 (ja) * 2011-03-16 2014-11-05 東京エレクトロン株式会社 蓋体開閉装置
JP2012204645A (ja) 2011-03-25 2012-10-22 Tokyo Electron Ltd 蓋体開閉装置
WO2012133441A1 (ja) 2011-03-28 2012-10-04 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法及び基板処理方法
JP5729148B2 (ja) 2011-06-07 2015-06-03 東京エレクトロン株式会社 基板搬送容器の開閉装置、蓋体の開閉装置及び半導体製造装置
KR20120136881A (ko) 2011-06-10 2012-12-20 동우 화인켐 주식회사 결정성 실리콘 웨이퍼의 텍스쳐 에칭액 조성물 및 텍스쳐 에칭방법
JP5925474B2 (ja) * 2011-12-06 2016-05-25 株式会社日立ハイテクマニファクチャ＆サービス ウエハ処理装置
JP5527624B2 (ja) 2012-01-05 2014-06-18 株式会社ダイフク 保管棚用の不活性ガス注入装置
CN202888140U (zh) 2012-07-05 2013-04-17 圣凰科技有限公司 具有监控排气端气体特性功能的晶片载具气体填充装置
JP2014038888A (ja) * 2012-08-10 2014-02-27 Hitachi High-Tech Control Systems Corp ミニエンバイロメント装置及びその内部雰囲気置換方法
JP5993252B2 (ja) 2012-09-06 2016-09-14 東京エレクトロン株式会社 蓋体開閉装置及びこれを用いた熱処理装置、並びに蓋体開閉方法
US9695509B2 (en) 2012-10-23 2017-07-04 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus, purging apparatus, method of manufacturing semiconductor device, and recording medium
JP6099945B2 (ja) * 2012-11-22 2017-03-22 東京エレクトロン株式会社 蓋開閉機構、遮蔽機構及び容器の内部パージ方法
US20140262028A1 (en) * 2013-03-13 2014-09-18 Intermolecular, Inc. Non-Contact Wet-Process Cell Confining Liquid to a Region of a Solid Surface by Differential Pressure
US20140271097A1 (en) * 2013-03-15 2014-09-18 Applied Materials, Inc. Processing systems and methods for halide scavenging
WO2015005192A1 (ja) * 2013-07-09 2015-01-15 株式会社日立国際電気 基板処理装置、ガスパージ方法、半導体装置の製造方法、及び異常処理プログラムが格納された記録媒体
US10115616B2 (en) 2013-07-18 2018-10-30 Applied Materials, Inc. Carrier adapter insert apparatus and carrier adapter insert detection methods
CN105453246A (zh) 2013-08-12 2016-03-30 应用材料公司 具有工厂接口环境控制的基板处理系统、装置和方法
US9214340B2 (en) * 2014-02-05 2015-12-15 Applied Materials, Inc. Apparatus and method of forming an indium gallium zinc oxide layer
CN107004624B (zh) * 2014-11-25 2020-06-16 应用材料公司 具有基板载体和净化腔室环境控制的基板处理系统、设备和方法
US10159169B2 (en) * 2016-10-27 2018-12-18 Applied Materials, Inc. Flexible equipment front end module interfaces, environmentally-controlled equipment front end modules, and assembly methods
US10388547B2 (en) * 2017-06-23 2019-08-20 Applied Materials, Inc. Side storage pods, equipment front end modules, and methods for processing substrates
US10763134B2 (en) * 2018-02-27 2020-09-01 Applied Materials, Inc. Substrate processing apparatus and methods with factory interface chamber filter purge
US20190362989A1 (en) * 2018-05-25 2019-11-28 Applied Materials, Inc. Substrate manufacturing apparatus and methods with factory interface chamber heating

Patent Citations (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200811926A (en) * 2006-06-26 2008-03-01 Applied Materials Inc Batch processing platform for ALD and CVD

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