JP2000296309A - 半導体製造システム - Google Patents

半導体製造システム

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JP2000296309A
JP2000296309A JP11104209A JP10420999A JP2000296309A JP 2000296309 A JP2000296309 A JP 2000296309A JP 11104209 A JP11104209 A JP 11104209A JP 10420999 A JP10420999 A JP 10420999A JP 2000296309 A JP2000296309 A JP 2000296309A
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Keiichiro Kametani
桂一郎 亀谷
Atsuhiro Fujii
淳弘 藤井
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Daikin Industries Ltd
Mitsubishi Electric Corp
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Daikin Industries Ltd
Mitsubishi Electric Corp
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 クリーンな乾燥空気を比較的安価に生成可能
な半導体製造システムを得る。 【解決手段】 乾式除湿機１における多孔性のハニカム
構造に吸湿剤が固着された構造の除湿ローター２０は、
吸湿ゾーン２２において、縦型拡散炉室２８外の水分を
含んだ多湿空気Ａ１を通過させることにより、水分が除
去されかつケミカルコンタミが除去されたクリーンな乾
燥空気Ａ２に変換して吸気ダクト１１から縦型拡散炉室
２８内に導入するとともに、再生ゾーン２１において縦
型拡散炉室２８で生じる廃熱空気Ａ５を通過させること
により、乾式除湿機１の除湿機能を再生させている。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】この発明は電子産業等で用い
る半導体製造装置を含んだ半導体製造システムに関し、
特に半導体製造装置が使用する乾燥空気に関する。
【０００２】
【従来の技術】半導体の製造装置で利用されるクリーン
ルームには、フィルターを通した清浄度が高い空気（ク
リーン空気）を用いている。近年雰囲気制御として、ゴ
ミ（パーティクル）だけではなく、化学的汚染に対する
クリーン化要求が強まり、特にミニエンバイロメント
（局所的清浄環境）等において重要とされている。
【０００３】このため、ケミカルフィルターを用いたク
リーン化システムが実用化されてきた。しかし、ケミカ
ルフィルターは、化学結合を用いるため不可逆反応であ
り、吸着剤の寿命が短く（使い捨て）、かつ吸着剤の寿
命管理が難しく、金額も高価でもあった。
【０００４】また近年、シリコン表面の清浄度管理が重
要になっている。すなわち、接触角（基板と水滴の角
度）の変化で現れる有機物の吸着、及び空気中の水分、
酸素によるシリコン酸化膜（自然酸化膜）の形成、ボロ
ン、リンなどのｐ型，ｎ型の不純物吸着に対する対策が
重要になっている。このため、半導体製造装置における
ウエハ処理チャンバー周辺環境制御が重要になってい
る。
【０００５】自然酸化膜の形成には、酸素分圧よりも、
水分の影響が大きく、水蒸気分圧を下げる技術が多く開
発されてきている。
【０００６】対策としては、真空、高純度窒素環境下で
の搬送、および乾燥空気下での搬送が必要になってきて
いる。しかしながら、真空搬送では装置が大型化し、ま
たメンテナンスが困難という問題点があり、窒素パージ
は、酸欠等の事故対策、ランニングコスト高の問題点が
ある。一方、乾燥空気は、酸欠の問題は防げるが、後述
するようにランニングコスト高の問題点がある。
【０００７】一方、有機物対策として、窒素パージや乾
燥空気パージ、系内における樹脂の除去等が進められて
いる。
【０００８】また、近年エネルギーの有効活用が産業界
での必須事項となっている。半導体製造工場における電
気エネルギーの消費は多く、大規模工場では、１月当た
り１千万ＫＷｈを越える電力を消費する。この消費量は
実に発電所の発電量の１割以上にも当たる。
【０００９】このような半導体製造工場のエネルギー消
費の内、拡散ＣＶＤ等の高温電気熱炉の電力消費が約１
０％程度以上であり、電気エネルギーの効率化を図る上
で高温電気熱炉の廃熱の有効利用が必要となる。
【００１０】また、処理時間短縮のため急熱急冷炉の要
求が強くなっている。急冷却の方法は、ヒーター部に冷
却用空気を流し炉体を強制的に冷やす方法が一般的であ
るため数百度の高温の廃熱が排気される。また枚葉処理
のランプアニールの場合さらに、１枚毎に昇降温を繰り
返すために１ロット処理時の廃熱量が大きい。
【００１１】半導体製造装置の廃熱利用の例として、拡
散炉の廃熱利用がある。例えば、特開平７−１８３３０
７号公報に、『半導体製造装置：炉の放熱を廃熱回収ユ
ニットで吸収し、吸収した廃熱により発電暖房等を行
う』が開示されている。
【００１２】しかし、上記先行例の半導体製造装置は、
エネルギーの吸収効率が低く、発電機も小さいため、効
率が悪く回収効率は良くない。暖房の場合も、半導体工
場では装置、空調機からの発熱に対する冷却が主であ
り、暖房をすることはほとんどない。このため、必然的
に暖房は半導体工場外で行われることになり、拡散炉の
排熱を装置近くで消費できないためロスが多い。
【００１３】他に排熱利用の先行例として、特開平７−
２４３６６０号公報に『空気調和機：凝縮器の排熱を利
用して安価に除湿運転を行う』が開示されている。
【００１４】上記先行例で開示された技術において除湿
された空気は、ケミカル成分除去や、半導体で言う乾空
（露点−６０度以下）の水準にはほど遠く、その水準の
達成は到底不可能である。
【００１５】
【発明が解決しようとする課題】特開平７−２７５６３
６号公報に『有毒ガス除去排出ユニット：活性炭ロータ
ーで有毒ガスを除去し、ローターを回転させ噴射蒸気で
再生させ焼き戻し再生や新規交換を無用にした』が開示
されている。
【００１６】しかし、活性炭ロータは、活性炭を表面に
コートしたプリーツまたはハニカム構造のみであるた
め、半導体製造水準のケミカルフィルターとして使用で
きる吸着特性は無く、圧力損失も大きい。水蒸気噴射再
生手法も、従来の活性炭吸着剤の再生方法そのままに過
ぎない。また、活性炭ベースであるため再生を繰り返す
と吸着特性が劣化してケミカルコンタミを除去できない
という問題点を有する。
【００１７】東京エレクトロンニュース（THE NEWS/SPE
Vol.46(Oct.1997),VOL.47(january,1998)）で紹介され
た縦型拡散炉の場合、図１２の矢印に示すように、装置
天井部の吸い込み口４１，４２より空気を取り込み装置
内部の循環フィルター５１〜５３で濾過した空気で清浄
度を保っている。
【００１８】一般的には、炉室〜装置内の雰囲気は、パ
ーティクルの少ないクリーン空気ではあるが、フィルタ
ーを通過した循環空気であり、Ｂ（ボロン）やＰ（リ
ン）などを含む無機物の蒸気成分、ＮＨ3などの無機成
分や、湿度（水蒸気）、有機成分に対する有効な対策を
行っていない。
【００１９】化学汚染対策が必要な場合は、図１２の構
成では、天井部の吸い込み口４１，４２近傍にケミカル
フィルターを設けるか、内部循環フィルター５１〜５３
としてケミカルフィルターを設けることになる。
【００２０】また、水分対策のためには、窒素パージや
真空ロードロックを使用した装置も提案されているが、
大型化すると共に、高コスト化するという問題点があっ
た。
【００２１】従来の乾燥空気の製造方法は、空気を取り
込み圧縮機で圧縮し、凝縮した水分を取り除いて乾燥空
気を供給する方法が一般的であり、さらに乾燥した空気
を要求される場合には、上記した方法にフィルターや吸
着を組み合わせて乾燥空気を製造していた。このため、
従来の乾燥空気の製造コストは高く、ランニングコスト
が高くなるという問題点もあった。
【００２２】この発明は上記問題点を解決するためにな
されたもので、有機成分等のケミカルコンタミが除去さ
れたクリーンな乾燥空気を比較的安価に生成可能な半導
体製造システムを得ることを目的とする。
【００２３】
【課題を解決するための手段】この発明に係る請求項１
記載の半導体製造システムは、水分を含んだ多湿空気の
水分を除去して乾燥空気を生成する除湿機（１）を備
え、前記除湿機は多孔性構造体に吸湿剤を固着させた構
造の除湿部（２０）を含み、前記除湿部は前記多湿空気
を通過させることにより前記多湿空気の水分を除去する
と同時にケミカルコンタミをも除去したクリーンな乾燥
空気を生成する除湿機能を有し、前記クリーンな乾燥空
気を用いて所定の製造処理を行う半導体製造装置（２
８）をさらに備えている。
【００２４】請求項２記載の半導体製造システムにおい
て、イオン成分、有機物及び無機物のうち少なくとも一
つを含んでいる。
【００２５】請求項３記載の半導体製造システムにおい
て、前記イオン成分は、ＮＯ3 -、ＳＯ4 2-及びＮＨ4 +
のうち少なくとも一つを含み、前記有機物はトリメチル
シアノール、ヘキサメチルジシラザン及びフタル酸ジブ
チルのうち少なくとも一つを含み、前記無機物はＰ（リ
ン）及びＢ（ボロン）のうち少なくとも一つを含んでい
る。
【００２６】請求項４記載の半導体製造システムにおい
て、前記クリーンな乾燥空気は、前記イオン成分のイオ
ン成分濃度が５μｇ／ｍ3以下あるいは前記有機物の有
機物濃度が１μｇ／ｍ3以下である。
【００２７】請求項５記載の半導体製造システムにおい
て、前記クリーンな乾燥空気は、−６０℃以下の露点を
有する乾燥空気を含んでいる。
【００２８】請求項６記載の半導体製造システムにおい
て、前記除湿機は、前記多湿空気の前記除湿部への通過
領域に設けられる冷却コイル（４９Ａ）をさらに含んで
いる。
【００２９】請求項７記載の半導体製造システムにおい
て、前記除湿機は、前記多湿空気の前記除湿部への通過
領域（４８）に設けられる結露フィルター（４９Ｂ）を
さらに含んでいる。
【００３０】請求項８記載の半導体製造システムにおい
て、前記クリーンな乾燥空気は、−９０℃以下の露点を
有する乾燥空気を含んでいる。
【００３１】請求項９記載の半導体製造システムは、前
記クリーンな乾燥空気を使用してウェハ等の半導体製造
対象物を搬送するための搬送エリア（３９）をさらに備
えている。
【００３２】請求項１０記載の半導体製造システムにお
いて、前記除湿部は、多孔性ハニカム構造体に吸着剤を
固着させたものを含んでいる。
【００３３】請求項１１記載の半導体製造システムにお
いて、前記除湿部は、円柱形状の除湿ローターを含んで
いる。
【００３４】請求項１２記載の半導体製造システムにお
いて、前記除湿ローターは、加熱された空気を通過させ
ることにより前記除湿機能を再生することが可能であ
る。
【００３５】
【発明の実施の形態】＜＜実施の形態１＞＞図１はこの
発明の実施の形態１である半導体製造システムの構成を
模式的に示す説明図である。同図に示すように、半導体
製造装置である縦型拡散炉室２８の天井空気採り入れ口
に、乾式除湿機１を設置する。
【００３６】乾式除湿機１（除湿ローター２０のみを代
表して記す）は吸湿ゾーン２２において、縦型拡散炉室
２８外の水分を含んだ多湿空気Ａ１を通過させることに
より、水分が除去された乾燥空気Ａ２に変換して吸気ダ
クト１１から縦型拡散炉室２８内に導入するとともに、
再生ゾーン２１において縦型拡散炉室２８で生じる廃熱
空気Ａ５を通過させることにより、乾式除湿機１の除湿
機能を再生させている。
【００３７】図２及び図３は乾式除湿機１の詳細構成を
示す説明図である。図２に示すように、乾式除湿機１
は、除湿部である除湿ローター２０、駆動用モーター２
３、処理ファン２４、再生ファン２５、フィルター２
６，２７及び加熱器２９から構成される。
【００３８】除湿ローター２０は、所定の材質を表面主
成分とする多孔性のハニカム構造に吸湿剤を固着させた
円柱形状を呈しており、駆動用モーター２３の駆動によ
って所定の回転速度で回転する。したがって、除湿ロー
ター２０の各領域は回転に伴い再生ゾーン２１，吸湿ゾ
ーン２２間を時々刻々と移動することになる。
【００３９】除湿ローター２０は、吸湿ゾーン２２にお
いて、フィルター２６を介して得られる多湿空気Ａ１を
通過させることにより、処理ファン２４から乾燥空気Ａ
２を送出する。したがって、図３に示すように、除湿ロ
ーター２０は吸湿ゾーン２２において多湿空気Ａ１の水
分を徐々に吸収していき、しかる後、水分を吸収した領
域は除湿ローター２０の回転によって再生ゾーン２１に
移動する。
【００４０】一方、再生ゾーン２１において、フィルタ
ー２７を介して加熱器２９で加熱された後、多湿空気Ａ
１と逆方向から得られる縦型拡散炉室２８で生じる廃熱
空気Ａ５を通過させることにより、再生ファン２５から
排気用空気Ａ６を排出する。このとき、縦型拡散炉室２
８の廃熱空気Ａ５は水分を追い出すに十分な温度を有し
ているため、水分を含ませた排気用空気Ａ６を排出する
ことによって、再生ゾーン２１に位置する除湿ローター
２０の領域から水分を追い出すことができる。その結
果、再生ゾーン２１に位置する除湿ローター２０の領域
の除湿機能が再生され、しかる後、除湿機能が再生され
た領域が除湿ローター２０の回転によって吸湿ゾーン２
２に移動する。なお、廃熱空気Ａ５が十分高い温度を有
する場合は加熱器２９による加熱は必要ない。
【００４１】このように、除湿ローター２０は、回転さ
せながら除湿ゾーン２２と再生ゾーン２１とを適宜切り
替え、除湿ゾーン２２に多湿空気Ａ１を通過させてクリ
ーンな乾燥空気Ａ２を得るとととも再生ゾーン２１に廃
熱空気Ａ５を通過させて除湿機能を再生させることによ
り、取り替えることなく半永久的に使用することができ
る。
【００４２】乾式除湿機１の吸着特性は、除湿ローター
２０の材質、通過距離、吸湿ゾーン２２を通過する多湿
空気Ａ１の流速、再生温度（再生ゾーン２１を通過する
廃熱空気Ａ５の温度）、除湿ローター２０の単位時間当
たりの回転数などのパラメーターによって変化する。
【００４３】一例として、ゼオライト、活性炭及びシリ
カゲルのうち１または２以上の組合せを表面主成分とし
た多孔性のハニカム構造の円筒体（円柱形状の構造体）
に対し、積層した活性炭紙に塩化リチウムを含浸した活
性炭ローターを除湿ローター２０として準備した場合を
考える。
【００４４】上記構成で、−２〜１０度程度の冷却コイ
ル（低温な面に結露させて水分を除去するためのコイ
ル）を通した多湿空気Ａ１を、毎時２〜２０回転させた
除湿ローター２０に通し、１００〜１５０度の廃熱空気
Ａ５で再生させたときの、ケミカルコンタミの除去性能
を表１及び表２に示す。なお、表１はイオン成分除去評
価の分析結果を示し、表２は有機成分除去評価の分析結
果を示している。
【００４５】
【表１】
【００４６】
【表２】
【００４７】−６０℃以下の露点の乾燥空気Ａ２が得ら
れると共に、表１のイオン成分除去評価に示すように、
アンモニアイオン（ＮＨ4 +）、窒素酸化物イオン（Ｎ
Ｏ3 -）、硫酸イオン（ＳＯ4 2-）または亜硫酸イオン
（ＳＯ3 2-）の総計が５μｇ／ｍ3以下という高い水準
で除去されている。同様に、表２の有機成分除去評価に
示すように、トリメチルシアノール、ヘキサメチルジシ
ラザン及びフタル酸ジブチルＤＢＰの総計が１μｇ／ｍ
3以下という高い水準で除去されていることが分かる。
このように、低露点でかつケミカルコンタミが高水準で
除去されたクリーンな乾燥空気Ａ２を得ることができ
る。
【００４８】また、Ｂ、Ｐを含んだ無機物も除去されて
いる。Ｂは、天井のＨＥＰＡ（Ｈigh Ｅfficiency Ｐar
ticulate Ａir）フィルターやＵＬＰＡ（Ｕltra Ｌow
Ｐenetration Ａir）フィルターに混入している、硼珪
酸ガラスに水分や酸が反応して発生する。そして、ＢＦ
3ガスの形やＢ2Ｏ3（水に溶けると硼酸）を含むミスト
（蒸気成分）で存在する。
【００４９】また、Ｂはクリーンルーム内の空気中にも
（１０〜２００ｐｐｂ（ｐarts ｐer ｂillion）レベル
程度）存在しており、ウェハ表面に吸着し、ｐ型の不純
物になる。このため、トランジスタ等のデバイスの閾値
電圧が変化し、最悪の場合、リンをイオン注入しても面
内でｎ型にならずに、ｐ型に反転するという不具合が生
じる。
【００５０】一方、Ｐは、壁の塗料やシーラントに含ま
れ、またＢＰＳＧ（Ｂoron-dopedＰhospho-Ｓilicate
Ｇlass）やＰ（リン）がドープされたポリシリコンから
も発生する。ＰはＰ2Ｏ3やＰ2Ｏ5（水に溶けると燐酸や
亜燐酸となる）を含むミストで存在する。また、燐酸エ
ステル（有機物）、トリメチルフォスフェイト（ＴＭＰ
Ｏ：（ＣＨ3Ｏ）3ＰＯ）などの形でも存在する。
【００５１】Ｐによる不具合も、Ｂと同様に生じる。た
だし、導電型はＢの場合と反対のｎ型となる。
【００５２】なお、上記構成の活性炭ローターはハニカ
ム構造の円筒体に限らず、プリーツ構造のものであって
よく、また、上記構成の活性炭ローターの代わりにセラ
ミック繊維ペーパーにシリカゲルを化学合成結合させた
シリカゲルローターを除湿ローター２０として用いても
同様な効果が期待できる。すなわち、多孔性構造体に吸
湿剤（塩化リチウム、シリカゲル）を固着させた構造の
ローターを除湿ローター２０として用いることによって
クリーンな乾燥空気Ａ２を得ることが期待できる。ただ
し、活性炭は吸湿機能に加え吸着機能も有しているた
め、より高水準なクリーンな乾燥空気Ａ２を得るには上
記構成の活性炭ローターを用いた方が良い。
【００５３】これらの除去機能は、上記吸着特性のパラ
メーターを調整する、乾式除湿機を２〜３段組みにす
る、あるいは従来式のケミカルフィルターをさらに組み
合わせることで更に改善できる。ケミカルフィルターを
さらに組み合わせた場合のケミカルフィルターの寿命は
大幅に向上しほぼメンテナンスフリーになる。
【００５４】このように、実施の形態１の半導体製造シ
ステムにおける除湿ローター２０は多孔性ハニカム構造
体に吸湿剤を固着させた構造を呈し、多湿空気をも通過
させることにより多湿空気の水分を除去すると同時にケ
ミカルコンタミをも除去したクリーンな乾燥空気を生成
するため、クリーンな乾燥空気を比較的安価に生成する
ことができる。
【００５５】したがって、クリーンでかつ乾燥した空気
を用いて所定の製造処理を行う必要がある縦型拡散炉室
２８等の半導体製造装置の利用空気として除湿ローター
２０より生成されるクリーンな乾燥空気を用いることに
より、比較的安価に半導体製造システムを構築すること
ができる。
【００５６】なお、実施の形態１の半導体製造システム
は、物理吸着を主たる反応としているため、酸性ガス、
アルカリ性ガス、および有機物（例えば、ＴＨＣ（Tota
l Hydoro Carbon；有機物の総量）で表現される）も同
時に除去されるため、ケミカルフィルターのような選択
吸着性はなく、効果的なフィルターリング処理を行うこ
とができる。
【００５７】また露点（水蒸気量）を更に減らす場合、
吸湿ゾーン２２の近傍領域（望ましくは吸湿ゾーン２２
の前段）の多湿空気Ａ１の通過領域４８に冷却コイル４
９Ａを設け、その冷却コイルを併用して乾式除湿機１を
使用すると低露点（−９０℃以下）の乾空（乾燥空気）
が得られる。この冷熱源としては、半導体製造装置で大
量に使用する、液体窒素、液体酸素、液体アルゴン等の
液化ガスの気化潜熱（ＣＥ(cold evaporator)の気化器
によって液体を気化させる際のエネルギー）を利用すれ
ば、さらにエネルギー効率上有効である。
【００５８】さらに、乾式除湿機１の通過領域４８に結
露フィルター４９Ｂ（結露させて水分を除去するための
フィルター）がさらに設けられている場合、上述した冷
却コイルと結露フィルターの冷却エネルギーに、上述し
た気化潜熱を利用すると無駄が省けると共にさらに低露
点（−９０度以下）の乾燥空気Ａ２を得ることができ
る。
【００５９】このような乾式除湿機１を縦型拡散炉室２
８の天井部に取り付け、乾式除湿機１の吸湿ゾーン２２
に位置する領域に多湿空気Ａ１を通過させて吸気ダクト
１１から乾燥空気Ａ２を縦型拡散炉室２８内に流入させ
る。乾燥空気Ａ２はフィルター４（ＦＦＵ，FUN FILTER
UNIT）を通過して内部乾燥空気Ａ３としてウェハ群３
に還元される。なお、フィルター４は必要に応じてケミ
カルフィルターを使用する場合もある。
【００６０】フィルター４にはモーター４ａが備え付け
られており、モーター４ａを駆動させて毎秒１０ｍ3 の
内部乾燥空気Ａ３をウェハ群３に還元している。一方、
乾燥空気Ａ２は毎秒３ｍ3 程度が縦型拡散炉室２８内に
流入されるため、残りの７ｍ3 の空気は縦型拡散炉室２
８内を循環する内部乾燥空気Ａ４を利用することにな
る。
【００６１】ヒーター２は所定数のウェハからなるウェ
ハ群３を内部に収納可能であり、内部で３００〜１２０
０度の熱処理が可能である。ヒーター２による熱処理時
に生じる廃熱空気Ａ５はラジエター５、ダンパー６及び
補助ヒーター７を介して再生ゾーン２１に位置する領域
にある乾式除湿機１を通過する。ラジエター５は必要時
に廃熱空気Ａ５を冷却するために設けられ、ダンパー６
は廃熱空気Ａ５の排気風速を一定にするために設けら
れ、補助ヒーター７はラジエター５とは逆に必要時に廃
熱空気Ａ５を暖めるために設けられる。
【００６２】廃熱空気Ａ５は再生ゾーン２１を通過する
と、再生ゾーン２１の水分を吸収した排気用空気Ａ６と
なり、排気ブロア１２によって排気用空気Ａ６は排気ダ
クト１０に排出される。
【００６３】廃熱空気Ａ５は、通常、１０ｋＷ程度の熱
量で排気されている。この熱量は廃熱空気Ａ５が高温に
なれば大きくなり、低温になれば小さくなる。
【００６４】なお、ロードロック８は、外部からウェハ
群３を内部に持ち込む際、縦型拡散炉室２８内部を乾燥
空気で維持させるために、２重扉を形成して縦型拡散炉
室２８外部の空気との関門になっている。
【００６５】このように、実施の形態１の半導体製造シ
ステムは、乾式除湿機１を通して得られる、クリーンな
乾燥空気Ａ２を縦型拡散炉室２８のウェハ群３及びその
近傍領域であるローディングエリアに導入することで、
化学汚染がない状態での処理が可能になり、従来の問題
点を解消することになる。
【００６６】一方、乾式除湿機１の再生用の温風は、縦
型拡散炉室２８で生じる高温の廃熱空気Ａ５を利用する
ため、乾式除湿機１の除湿機能再生に専用動力を必要と
しない。すなわち、半導体製造装置単体でのエネルギー
の有効利用を図っている。
【００６７】再生用の温風は１００〜１５０℃の温度を
必要とするため、従来、ラジエター５で十分冷却した後
に排気する必要があった廃熱空気Ａ５を冷却するための
ラジエター５への冷却水量の低減を図ることができる。
【００６８】なお、廃熱空気Ａ５の気温度制御の方法
は、ラジエター５への冷却水量、排気ダンパー６の開
度、排気ブロア１２の風量等を調整する事で実現でき
る。
【００６９】また、実施の形態１の半導体製造システム
は、乾式除湿機１を縦型拡散炉室２８の天井に配置し、
乾式除湿機１の吸湿ゾーン２２に位置する領域を介して
乾燥空気Ａ２（Ａ３）を縦型拡散炉室２８に流入させ、
縦型拡散炉室２８で発生する廃熱空気Ａ５を用い乾式除
湿機１の除湿ローター２０の再生ゾーン２１に位置する
領域を再生させるという構成であるため、縦型拡散炉室
２８内の構成は従来と同様な構成のものを用いても、実
施の形態１の半導体製造システムを実現することは勿論
可能である。
【００７０】また、炉の設定温度（ヒーター２の熱処理
温度）の高低により、廃熱空気Ａ５の温度が変化する。
炉の設定温度が低い場合、乾式除湿機１の補助ヒーター
７を稼働させ廃熱空気Ａ５を昇温する。これにより乾式
除湿機１の除湿機性能を一定レベルに保つことができ
る。この場合も当然、従来のように排熱を利用すること
なく乾式除湿機を単体で稼働させる場合よりエネルギー
投入量は非常に少量に抑えることができる。
【００７１】また、排気ブロア１２で排気用空気Ａ６を
排気することができるため、縦型拡散炉室２８を一部と
して含むクリーンルーム外で集中排気する従来方式と異
なり、排気用空気Ａ６の排気圧、量を装置毎に制御でき
るため、排気量制御精度の向上に伴い個別装置の成膜特
性を向上させることが可能になる。
【００７２】また、従来自然酸化膜形成防止のため、ロ
ードロック８によって、窒素パージ（パージボックス）
や真空ロードロックを行っていたが、乾燥空気Ａ２中の
水分が極端に少ないため、縦型拡散炉室２８内を真空状
態にすることなく乾燥空気Ａ２雰囲気化することによ
り、真空状態とほぼ同等の機能が得られる。したがっ
て、窒素パージや真空ロードロックを行う必要はない。
【００７３】さらに、窒素パージを行う場合に比べて１
００％の窒素ガスを用いないため作業エリアの酸欠に対
する安全性が確保できる。
【００７４】また、縦型拡散炉室２８と乾式除湿機１と
が隣接して配置されており、廃熱空気Ａ５が縦型拡散炉
室２８から排出される極近くの領域に除湿ローター２０
の再生ゾーン２１が位置し、廃熱空気Ａ５の熱を温水等
の形で移送する必要がないため、移送に伴うロスもなく
エネルギー効率も良い。
【００７５】なお、実施の形態１においては、除湿機の
再生用熱源として、縦型拡散炉室２８で生じる廃熱空気
を利用する場合を例に挙げて説明したが、必ずしも廃熱
空気Ａ５を利用する必要はなく、廃熱空気Ａ５を利用す
るための設備を設けるスペースがない場合などは、加熱
器２９のみを用いても良い。
【００７６】＜＜実施の形態２＞＞ ＜前提技術＞図４は実施の形態２の前提技術となる半導
体製造システムの構成を示す説明図である。同図に示す
ように、クリーンルーム内であることを規定するクリー
ン領域３４に、廃熱空気を排出する複数の半導体製造装
置（Ｍ／Ｃ）３０、乾燥空気を利用する半導体製造装置
（Ｍ／Ｃ）３１及びストッカー３２が設置され、クリー
ン領域３４外に排風器３３が設置される。
【００７７】各半導体製造装置３０の廃熱空気Ａ５は共
通の排気ダクト４３を通り、クリーン領域３４外に設定
された排風器３３から外部に排出される。
【００７８】一方、吸気ブロア１７によって供給される
クリーンな多湿空気Ａ１が吸気ダクト５４中のケミカル
フィルター１６を通過することにより、化学汚染対策が
なされて半導体製造装置３１及びストッカー３２に供給
される。
【００７９】クリーン領域３４の多湿空気Ａ１は、温
度、パーティクル等は適切なレベルに制御されている
が、湿度３５〜５０％程度の水分を含み、かつ循環空気
であるため、ホウ素（Ｂ）やリン（Ｐ）やアンモニア
（ＮＨ3）といったケミカルコンタミも多い。
【００８０】ケミカルフィルター１６を通過させること
により、多湿空気Ａ１からケミカルコンタミを取り除い
た空気を半導体製造装置３１及びストッカー３２に供給
することができるが、依然として水分に対する考慮はな
されていない。
【００８１】また、図１１に示すように、ケミカルフィ
ルター５１にＵＬＰＡフィルター５２を組み合わせるこ
とにより、多湿空気Ａ１に残存するパーティクル及びガ
ス（有機，無機）を共に取り除くことができるが、この
構成を用いても水分を除去することはできていない。
【００８２】＜実態構成＞図５はこの発明の実施の形態
２である半導体製造システムの構成を示す説明図であ
る。同図に示すように、複数の半導体製造装置３０の天
井部に複数の乾式除湿機１（除湿ローター２０）がそれ
ぞれ設置され、各乾式除湿機１の再生ゾーン２１におい
て、対応する半導体製造装置３０の廃熱空気Ａ５を通過
させることにより、乾式除湿機１の除湿機能の再生を図
っている。そして、再生ゾーン２１を通過した各半導体
製造装置３０の廃熱空気Ａ５は排気用空気Ａ６として共
通の排気ダクト４３を通り、クリーン領域３４外に設定
された排風器３３から外部に排出される。
【００８３】半導体製造装置３０としては、５０〜１５
０度程度の廃熱空気Ａ５が得られ、クリーンな乾燥空気
Ａ２を必要としない装置が該当し、例えば乾燥空気を必
要としない拡散炉、エピ炉、ＣＶＤ拡散炉、ランプアニ
ール、枚葉ＣＶＤ炉等を有する半導体製造装置がある。
従来、これらの半導体製造装置３０の比較的低温の廃熱
空気Ａ５は、（1）冷却水への回収（2）排気として工場
外へ捨てる（3）1.2の組み合わせ等によって、処理（廃
棄）されていた。
【００８４】一方、多湿空気Ａ１が複数の乾式除湿機１
の吸湿ゾーン２２に位置する領域を通過して得られるク
リーンな乾燥空気Ａ２が共通の吸気ダクト４４に集めら
れた後、吸気ブロア１７によって半導体製造装置３１及
びストッカー３２に供給される。なお、半導体製造装置
３１としては例えばフォトリソグラフを行う装置が該当
し、ストッカー３２としては例えばウエハストッカーが
該当する。
【００８５】このように、実施の形態２の半導体製造シ
ステムは、各半導体製造装置３０の廃熱空気Ａ５を用い
て乾式除湿機１の除湿機能を再生し、半導体製造装置３
１及びストッカー３２が使用するクリーンな乾燥空気Ａ
２を生成するのに利用することにより、有効利用が図
れ、従来捨てていた排熱エネルギーを効率よく回収でき
る。
【００８６】また、対応する半導体製造装置３０と乾式
除湿機１とが隣接して配置されており、廃熱空気Ａ５の
熱を温水等の形で移送する必要がないため、移送に伴う
ロスもなくエネルギー効率も良い。
【００８７】また、乾燥空気の形でエネルギーを変換し
て運べるため、単純に廃熱空気の温度を利用する場合に
おける温度低下による劣化もない。乾燥空気Ａ２は吸気
ダクト４４内を陽圧にして運ばれるため、外部に漏れる
リーク分以外はロスがない。またリークしても危険性が
ないためダクト形成費用も安くて済む。
【００８８】前提条件で述べたように、クリーン領域３
４の多湿空気Ａ１は、温度、パーティクル等は適切なレ
ベルに制御されているが、湿度３５〜５０％程度の水分
を含み、かつ循環空気であるため、ホウ素（Ｂ）やリン
（Ｐ）やアンモニア（ＮＨ3）といったケミカルコンタ
ミも多い。
【００８９】実施の形態２では、実施の形態１同様、乾
式除湿機１の吸湿ゾーン２２に位置する領域に多湿空気
Ａ１を通過させることにより乾燥空気Ａ２を得ている。
乾燥空気Ａ２は、実施の形態１で述べたように、−５０
〜−６０℃程度の露点を有する程度に水分が除去される
とともに、アンモニア、窒素酸化物、亜硫酸ガス等の無
機物および有機物が除去されている。これらの条件は、
実施の形態１で述べた各種パラメーターを調整すること
や乾式除湿機を２〜３段直列つなぎ化する事、さらに従
来式のケミカルフィルターを組み合わせることで更に改
善できる。
【００９０】また、乾式除湿機１は、物理吸着を主たる
反応としているため、Ｂ、Ｐを含むガス、酸性ガス、ア
ルカリ性ガス、および有機物（ＴＨＣ換算：ＴＨＣ（Ｔ
otalＨydro Ｃarbon））も同時に除去することができ、
ケミカルフィルターのような選択吸着性はない。
【００９１】なお、各半導体製造装置３０の設定温度の
高低によって廃熱空気Ａ５の温度が変化する。廃熱空気
Ａ５の温度が低い場合、乾式除湿機１の再生ゾーン２１
側に設けられた加熱器２９（図２参照）によって、廃熱
空気Ａ５の温度を所望の温度に保つようにすれば、乾燥
空気Ａ２の生成制御が簡単になり乾式除湿機１の性能が
一定化する。この場合でも当然、乾式除湿機を単体で稼
働させる場合よりエネルギー投入量は少なくて済む。
【００９２】また露点（水蒸気量）を更に減らす場合、
実施の形態１同様、冷却コイルを併用すると低露点の乾
空が得られる。この冷熱源としては、半導体製造装置で
大量に使用する窒素、アルゴン等の不活性ガス等の気化
潜熱を利用すれば、さらにエネルギー効率上有効であ
る。
【００９３】また、実施の形態２では、各半導体製造装
置３０に乾式除湿機１を設置した例を示したが、所定数
の半導体製造装置３０の廃熱空気Ａ５を集めて、１つの
乾式除湿機１の除湿機能を再生させるように構成しても
同様な効果が得られる。
【００９４】＜＜実施の形態３＞＞ ＜前提条件＞図６は実施の形態３の半導体製造システム
の前提となる半導体製造装置の構成例を示す説明図であ
る。
【００９５】同図に示すように、半導体製造装置にはス
トッカー室Ｒ１及び処理室Ｒ２とが存在する。このよう
なクリーンルーム環境で、ストッカー室Ｒ１にあるポッ
ド３６に格納されたウェハ群３８から一のウェハ３８Ａ
を取り出して処理室Ｒ２にあるチャンバー３７内に設置
する場合を考える。ここで、ポッドとは密閉ケース内に
収納されたウェハのことである。
【００９６】この場合、ポッド３６を開放し、ポッド３
６のウェハ群３８から一のウェハ３８Ａを取り出してチ
ャンバー３７内に収納するまでの間、取り出したウェハ
３８Ａ及びポッド３６の開放期間中におけるポッド３６
内に残存するウェハ群３８がクリーンルーム内の空気に
さらされる。クリーンルーム内の空気は多湿空気である
ため、ウェハ３８Ａに自然酸化膜が成長してしまう。
【００９７】また、ストッカー室Ｒ１と処理室Ｒ２との
間領域に中間処理室を設け、ケミカルフィルターに多湿
空気を通過させた空気を中間処理室に流入させることに
よりミニエンバイロメント化し、中間処理室で上記ウェ
ハの取り出し処理を行う装置構成も考えられるが、ケミ
カルフィルターの寿命管理が困難であり、ケミカルフィ
ルターは水分（水蒸気）を制御していないため、取り出
されたウェハ３８Ａ及びポッド３６に残存するウェハ群
３８への自然酸化膜の成長を回避することはできない。
また、開閉時の周辺空気の状態により、パーティクルは
制御できるが、ケミカルコンタミ及び有機物汚染は回避
できない。
【００９８】＜実態構成＞実施の形態３の半導体製造シ
ステムは、基本的に実施の形態２と同様である。異なる
のは乾燥空気Ａ２を供給するクリーン領域３４内の対象
である乾燥空気使用部を、実施の形態２の半導体製造装
置３１及びストッカー３２から、ミニエンバイロメント
（局所的洗浄環境）化した半導体製造装置にした点にあ
る。
【００９９】図７はこの発明の実施の形態３である半導
体製造システムにおいて乾燥空気Ａ２を利用する半導体
製造装置の構成を示す説明図である。同図に示すよう
に、ストッカー室Ｒ１と処理室Ｒ２との間に中間処理室
Ｒ３を設け、乾式除湿機１を用いて得られる乾燥空気Ａ
２を中間処理室Ｒ３に流入させて中間処理室Ｒ３のミニ
エンバイロメントを図った半導体製造装置が実施の形態
３である。
【０１００】そして、ポッド３６及びチャンバー３７の
側面に開閉部を設け、側面からのウェハの取り出し及び
収納を可能にして、ポッド３６の開閉部をストッカー室
Ｒ１と中間処理室Ｒ３との境界近傍に配置するとともに
チャンバー３７の開閉部を処理室Ｒ２と中間処理室Ｒ３
との境界近傍に配置することにより、中間処理室Ｒ３を
陽圧にしてポッド３６及びチャンバー３７の開閉部周辺
に常に乾燥空気Ａ２が流入されるようにしている。
【０１０１】この場合、ポッド３６を開放し、ポッド３
６のウェハ群３８から一のウェハ３８Ａを取り出してチ
ャンバー３７内に収納するまでの間、取り出したウェハ
３８Ａ及びポッド３６の開放期間中におけるポッド３６
内に残存するウェハ群３８が中間処理室Ｒ３内の乾燥空
気Ａ２に空気にさらされるが、乾燥空気Ａ２は十分に水
分が除去されているため、残存するウェハ群３８及びウ
ェハ３８Ａへの自然酸化膜の成長を確実に回避すること
ができる。また、ストッカー室Ｒ１内の空気は通常のク
リーン空気より清浄度の低い空気を用いても何等支障は
ない。
【０１０２】このように、実施の形態３の半導体製造シ
ステムは、乾燥空気Ａ２を受ける半導体製造装置の中間
処理室Ｒ３をミニエンバイロメント化して、その雰囲気
を乾燥空気Ａ２によってクリーン乾空化することで、ポ
ッド３６内のウェハ群３８及びウエハ３８Ａがむき出し
で処理される場合でもウエハの表面汚染を確実に防ぐこ
とができる。
【０１０３】＜＜実施の形態４＞＞実施の形態４の半導
体製造システムは、基本的に実施の形態２と同様であ
る。異なるのは乾燥空気Ａ２を供給するクリーン領域３
４内の対象である乾燥空気使用部を、実施の形態２の半
導体製造装置３１及びストッカー３２から、搬送エリア
にした点にある。
【０１０４】図８は実施の形態３の半導体製造システム
におけるウェハの搬送エリア及びその周辺の環境を示す
説明図である。
【０１０５】同図に示すように、クリーンルーム内には
ストッカー室Ｒ１及び処理室Ｒ２と、ストッカー室Ｒ
１，処理室Ｒ２間のウェハ搬送用の乾空トンネル３９を
設けている。そして、乾式除湿機１を用いて乾燥空気Ａ
２を乾空トンネル３９に流入させることにより、乾空ト
ンネル３９内を乾燥空気の雰囲気にしている。
【０１０６】このようなクリーンルーム環境で、ストッ
カー室Ｒ１に収納されたウェハ群３８から所定枚数のウ
ェハ３８Ｂを取り出して処理室Ｒ２にあるチャンバー３
７内に設置する場合を考える。
【０１０７】この場合、取り出した所定枚数のウェハ３
８Ｂを、オープンカセット等に搭載して、乾空トンネル
３９中を搬送させた後、処理室Ｒ２にあるチャンバー３
７内に設置することにより、搬送中のウェハ３８Ｂへの
自然酸化膜の成長を確実に回避することができる。
【０１０８】実施の形態４のシステムは、搬送エリアの
内部雰囲気の改良であるため、従来のオープンカセット
で使用した自動化搬送技術（オーバーヘッドシャトル
（天井での搬送）、ＲＧＶ（Rale guided vehicle）、
ＡＧＶ（Automatic guided vehicle））をそのまま使用
できる。
【０１０９】また、乾空トンネル３９内の搬送は、窒素
搬送、真空搬送と異なり、メンテナンス性がすぐれ、か
つ人間が内部にはいることも可能であり、酸素欠乏の事
故もない。
【０１１０】さらに、実施の形態４のシステムは、全て
の工程で乾燥空気によるクリーン状態を設定する必要が
ないため、ライン切り分け、構築が容易である。
【０１１１】また、搬送エリアに清浄度の高い空気を導
入するには大量の空気を使用するため、ケミカルフィル
ター等を用いる従来方式ではコスト的に対応できない。
一方、乾式除湿機１を用いた乾燥空気Ａ２を搬送エリア
に流入させる実施の形態４のシステムでは、半導体製造
装置３０の廃熱空気Ａ５を利用するため、エネルギーコ
ストが低くでき、従来方式の１／１０程度のコストに抑
えることができる。
【０１１２】＜＜実施の形態５＞＞ ＜前提条件＞塗布現像装置では、ケミカルフィルターに
よって毒であるＮＨ3等を除去するが、製造プロセスの
反応生成物で新たにＮＨ3やアミンがでてしまう。
【０１１３】図９は従来の塗布現像装置の構成を示す説
明図である。同図に示すように、塗布現像装置５０は、
クリーン空気Ａ２０をケミカルフィルター４５に通すこ
とにより、高付加価値空気Ａ２１を得ている。高付加価
値空気Ａ２１はゴミを取ったクリーン空気Ａ２０から、
ケミカルフィルター４５を用いて温度、湿度、ＮＨ3等
を除去する等のケミカルを制御した空気である。なお、
４５ａは空気吸収用のモーターである。
【０１１４】この高付加価値空気Ａ２１を塗布現像カッ
プ１３及び塗布現像カップ１３内に収納されたウェハ４
６に供給し、ウェハ４６に対する塗布現像処理を行って
いる。高付加価値空気Ａ２１は一度塗布現像処理が行わ
れると使用済み空気Ａ２２として排気ダクト４７から、
ブロア，排風器等（図示せず）に介して外部に排出され
る。すなわち、従来は高付加価値空気Ａ２１をたった１
度の使用で排気していた。
【０１１５】＜実態構成＞図１０はこの発明の実施の形
態５である半導体製造システムにおける塗布現像装置の
構成を示す説明図である。同図に示すように、このシス
テムは塗布現像装置４０と乾式除湿機１とから構成さ
れ、塗布現像装置４０は、使用済み空気Ａ２２を外部排
気することなく乾式除湿機１の吸湿ゾーン２２において
内部で通過させることにより、ＮＨ3等の無機成分が除
去された再利用乾燥空気Ａ２３に変換し、排気ブロア１
５によって加湿ユニット９を通過させることにより再利
用乾燥空気Ａ２３の湿度を向上させて、再びクリーン空
気Ａ２０として帰還させている。
【０１１６】なお、乾式除湿機１の再生ゾーン２１にお
ける除湿機能の再生に用いられる廃熱空気Ａ５として
は、実施の形態１のように塗布現像装置自身の使用済み
空気Ａ２２の一部であっても、実施の形態２〜４のよう
に他の装置（図５の半導体製造装置３０に相当）からの
廃熱空気のいずれを用いても良い。
【０１１７】このように、実施の形態５の半導体製造シ
ステムは、塗布現像装置４０内で高付加価値空気Ａ２１
に基づく空気を循環させることができ、空気の加湿だけ
で一定雰囲気を保つことができ、高付加価値空気Ａ２１
の有効利用を図ることができる。
【０１１８】また、塗布現像装置４０内の空気清浄化に
ケミカルフィルター４５と乾式除湿機１とを併用するこ
とにより、再生不可能なケミカルフィルタの寿命を大幅
に増大させメンテナンスフリーにすることができる。
【０１１９】
【発明の効果】以上説明したように、この発明における
請求項１記載の半導体製造システムにおける除湿部は多
孔性構造体に吸湿剤を固着させた構造を呈し、多湿空気
をも通過させることにより多湿空気の水分を除去すると
同時にケミカルコンタミをも除去したクリーンな乾燥空
気を生成するため、クリーンな乾燥空気を比較的安価に
生成することができる。
【０１２０】したがって、クリーンでかつ乾燥した空気
を用いて所定の製造処理を行う必要がある半導体製造装
置の利用空気として上記除湿部より生成される上記クリ
ーンな乾燥空気を用いることにより、比較的安価に半導
体製造システムを構築することができる。
【０１２１】請求項９記載の半導体製造システムはウェ
ハ等の半導体製造対象物を搬送するための搬送エリアを
さらに備えるため、搬送エリアを用いることにより半導
体製造対象物の品質を損ねることなく搬送することがで
きる。
【０１２２】請求項１２記載の半導体製造システムの除
湿ローターは、加熱された再生用空気を通過させること
により除湿機能を再生することが可能であるため、回転
させながら除湿領域と再生領域とを適宜切り替え、除湿
領域に多湿空気を通過させてクリーンな乾燥空気を得る
とととも再生領域に再生用通気を通過させて除湿機能を
再生させることにより、取り替えることなく半永久的に
除湿ローターを使用することができる。
【図面の簡単な説明】
【図１】 この発明の実施の形態１である半導体製造装
置の構成を示す説明図である。
【図２】 図１の乾式除湿機の構成を示す説明図であ
る。
【図３】 図２の除湿ローターの機能を示す説明図であ
る。
【図４】 実施の形態２の前提条件となる半導体製造シ
ステムの構成を示す説明図である。
【図５】 この発明の実施の形態２である半導体製造シ
ステムの構成を示す説明図である。
【図６】 実施の形態３の前提条件となる半導体製造シ
ステムの一部を示す説明図である。
【図７】 この発明の実施の形態３である半導体製造シ
ステムの一部を示す説明図である。
【図８】 この発明の実施の形態４である半導体製造シ
ステムの一部を示す説明図である。
【図９】 実施の形態５の前提条件となる半導体製造装
置の構成を示す説明図である。
【図１０】 この発明の実施の形態５である半導体製造
装置の構成を示す説明図である。
【図１１】 ケミカルフィルターの比較例を示す説明図
である。
【図１２】 従来の縦型拡散炉の空気の循環を示す斜視
図である。
【符号の説明】
１ 乾式除湿機、９ 加湿ユニット、２０ 除湿ロータ
ー、２１ 再生ゾーン、２２ 吸湿ゾーン、３０，３１
半導体製造装置（Ｍ／Ｃ）、３２ ストッカー、３９
乾空トンネル、４９Ａ 冷却コイル、４９Ｂ 結露フ
ィルター
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (72)発明者 藤井 淳弘 東京都千代田区丸の内二丁目２番３号 三 菱電機株式会社内 Ｆターム(参考） 3L051 BC10 4D052 AA00 AA08 CB01 DA01 DA06 DB01 FA01 GA01 GA04 GB00 GB01 GB02 GB03 GB04 GB08 GB09 HA01 HA03 HA14 HA21 HB02

Claims (12)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 水分を含んだ多湿空気の水分を除去して
    乾燥空気を生成する除湿機（１）を備え、前記除湿機は
    多孔性ハニカム構造体に吸湿剤を固着させた構造の除湿
    部（２０）を含み、前記除湿部は前記多湿空気を通過さ
    せることにより前記多湿空気の水分を除去すると同時に
    ケミカルコンタミをも除去したクリーンな乾燥空気を生
    成する除湿機能を有し、 前記クリーンな乾燥空気を用いて所定の製造処理を行う
    半導体製造装置（２８）をさらに備える、半導体製造シ
    ステム。
  2. 【請求項２】 前記ケミカルコンタミは、イオン成分、
    有機物及び無機物のうち少なくとも一つを含む、請求項
    １記載の半導体製造システム。
  3. 【請求項３】 前記イオン成分は、ＮＯ3 -、ＳＯ4 2-
    及びＮＨ4 +のうち少なくとも一つを含み、前記有機物
    はトリメチルシアノール、ヘキサメチルジシラザン及び
    フタル酸ジブチルのうち少なくとも一つを含み、前記無
    機物はＰ（リン）及びＢ（ボロン）のうち少なくとも一
    つを含む、請求項２記載の半導体製造システム。
  4. 【請求項４】 前記クリーンな乾燥空気は、前記イオン
    成分のイオン成分濃度が５μｇ／ｍ3以下あるいは前記
    有機物の有機物濃度が１μｇ／ｍ3以下である、請求項
    ２あるいは請求項３に記載の半導体製造システム。
  5. 【請求項５】 前記クリーンな乾燥空気は、−６０℃以
    下の露点を有する乾燥空気を含む、請求項１ないし請求
    項４のうちいずれか１項に記載の半導体製造システム。
  6. 【請求項６】 前記除湿機は、前記多湿空気の前記除湿
    部への通過領域に設けられる冷却コイル（４９Ａ）をさ
    らに含む、請求項１ないし請求項５のうちいずれか１項
    に記載の半導体製造システム。
  7. 【請求項７】 前記除湿機は、前記多湿空気の前記除湿
    部への通過領域に設けられる結露フィルター（４９Ｂ）
    をさらに含む、請求項１ないし請求項６のうちいずれか
    １項に記載の半導体製造システム。
  8. 【請求項８】 前記クリーンな乾燥空気は、−９０℃以
    下の露点を有する乾燥空気を含む、請求項６あるいは請
    求項７に記載の半導体製造システム。
  9. 【請求項９】 前記クリーンな乾燥空気を使用してウェ
    ハ等の半導体製造対象物を搬送するための搬送エリア
    （３９）をさらに備える、請求項１ないし請求項８のう
    ちいずれか１項に記載の半導体製造システム。
  10. 【請求項１０】 前記除湿部は、多孔性ハニカム構造体
    に吸着剤を固着させたものを含む、請求項１記載の半導
    体製造システム。
  11. 【請求項１１】 前記除湿部は、円柱形状の除湿ロータ
    ーを含む、請求項１記載の半導体製造システム。
  12. 【請求項１２】 前記除湿ローターは、加熱された空気
    を通過させることにより前記除湿機能を再生することが
    可能である、請求項１１記載の半導体製造システム。
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