JP2017538291A - 基板キャリア及びパージチャンバの環境制御を伴う基板処理のシステム、装置、及び方法 - Google Patents

Abstract

ファクトリインターフェース、キャリアパージチャンバ、及び１つ以上の基板キャリアの環境制御を含む電子デバイス処理システムが、記載される。１つの電子デバイス処理システムは、ファクトリインターフェースチャンバを有するファクトリインターフェース、ファクトリインターフェースに連結された１つ以上の基板キャリア、並びに、ファクトリインターフェース、キャリアパージチャンバ、及び１つ以上の基板キャリアに連結され、少なくとも、ファクトリインターフェースチャンバ、キャリアパージチャンバ、及び１つ以上の基板キャリア内の環境を制御するように動作可能な環境制御システムを有する。多数の他の態様と同様に、基板を処理するための方法が説明される。【選択図】図６

Description

関連出願
本願は、２０１５年１月２８日に出願された「ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＳＹＳＴＥＭＳ， ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ， ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＷＩＴＨ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ ＣＡＲＲＩＥＲ ＡＮＤ ＰＵＲＧＥ ＣＨＡＭＢＥＲ ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴＡＬ ＣＯＮＴＲＯＬＳ」と題する米国仮出願第６２／１０８，８３４号（整理番号２２４４４／Ｌ２）に対して、及び２０１４年１１月２５日に出願された「ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ ＰＲＯＣＥＳＳＩＮＧ ＳＹＳＴＥＭＳ， ＡＰＰＡＲＡＴＵＳ， ＡＮＤ ＭＥＴＨＯＤＳ ＷＩＴＨ ＳＵＢＳＴＲＡＴＥ ＣＡＲＲＩＥＲ ＡＮＤ ＰＵＲＧＥ ＣＨＡＭＢＥＲ ＥＮＶＩＲＯＮＭＥＮＴＡＬ」と題する米国仮出願第６２／０８４，３５０号（整理番号２２４４４／Ｌ）に対して優先権及びその利益を主張し、これらの開示はそれぞれ、全ての目的のために参照によって本書に援用される。

実施形態は、電子デバイス製造に関し、具体的には、基板キャリアのインターフェース及び機器フロントエンドモジュール（ＥＦＥＭｓ）のインターフェース、並びに、基板を処理するための装置、システム、及び方法に関する。

半導体構成要素の製造における基板の処理は概して、複数の処理ツール内で実施され、基板は基板キャリア（例えば前部開口一体型ポッド、即ちＦＯＵＰ）の中で、処理ツール間を移動する。ＦＯＵＰは、ＥＦＥＭ（「ファクトリインターフェース」と称されることがある）であって、各ＦＯＵＰと処理ツールのメインフレームの１つ以上のロードロックとの間で基板を移送するよう動作可能であり、従って、処理のために基板が処理ツールの移送チャンバに通り抜けるのを可能にするロード／アンロードロボットを内部に含む、ＥＦＥＭにドッキングされ得る。既存の基板処理システムは、効率品質の改善及び／または処理品質の改善によって恩恵を受け得る。

そのため、基板の処理における効率及び／または能力が改良された、システム、装置、及び方法が望まれている。

一態様では、電子デバイス処理システムが提供される。電子デバイス処理システムは、ファクトリインターフェースチャンバ、ファクトリインターフェースに連結された１つ以上の基板キャリア、並びに、ファクトリインターフェース及び１つ以上の基板キャリアに連結され、１つ以上の基板キャリア内及びファクトリインターフェースのファクトリインターフェースチャンバ内の環境を制御するように動作可能な環境制御システムを含む、ファクトリインターフェースを含む。

別の態様では、電子デバイス処理システムが提供される。電子デバイス処理システムは、ファクトリインターフェースチャンバ、ファクトリインターフェースに連結された１つ以上の基板キャリア、ファクトリインターフェースチャンバと１つ以上の基板キャリアとの間のキャリアパージチャンバ、並びに、キャリアパージチャンバ及び１つ以上の基板キャリアに連結され、１つ以上の基板キャリア内及びキャリアパージチャンバ内の環境を制御するように動作可能な環境制御システムを含む、ファクトリインターフェースを含む。

方法の態様では、電子デバイス処理システム内で基板を処理する方法が提供される。方法は、ファクトリインターフェースチャンバを含むファクトリインターフェースを提供すること、ファクトリインターフェースにドッキングされた１つ以上の基板キャリアを提供すること、ファクトリインターフェースチャンバと１つ以上の基板キャリアとの間にキャリアパージチャンバを提供すること、並びに、キャリアパージチャンバ内及び１つ以上の基板キャリア内の環境条件を制御することを含む。

さらに別の方法の態様では、電子デバイス処理システム内で基板を処理する方法が提供される。方法は、ファクトリインターフェースチャンバを含むファクトリインターフェース、ファクトリインターフェースにドッキングされた１つ以上の基板キャリア、及びファクトリインターフェースチャンバ内の１つ以上のキャリアパージチャンバを提供すること、並びに、ファクトリインターフェース内、１つ以上のキャリアパージチャンバ内、及び１つ以上の基板キャリア内の環境条件を制御すること、を含む。

別の態様では、電子デバイス処理システムが提供される。電子デバイス処理システムは、ファクトリインターフェースチャンバを含むファクトリインターフェース、ファクトリインターフェースに連結された１つ以上の基板キャリア、ファクトリインターフェースチャンバと１つ以上の基板キャリアの間のキャリアパージチャンバであって、ロードポートのバックプレートとドアオープナーの少なくとも一部によって形成されたキャリアパージチャンバ、及び、特定の環境条件が満たされるまで、キャリアパージチャンバをパージするように構成され適合された、キャリアパージチャンバ環境制御システムを含む。

多数の他の態様が、本発明の上記の及びその他の実施形態によって提供される。本発明の実施形態の他の特徴及び態様は、以下の詳細な説明、付随する特許請求の範囲、及び添付の図面から、より完全に明らかになるだろう。

以下に記載される図面は、例示のためだけのものであり、必ずしも縮尺どおりには描かれていない。図面は、いかなるようにも、本発明の範囲を限定することを意図していない。

１つ以上の実施形態による、ファクトリインターフェース環境制御、キャリアパージチャンバ環境制御、及び基板キャリア環境制御を含む、電子デバイス処理システムの概略上面図である。 １つ以上の実施形態による、キャリアパージチャンバ環境制御システムの部分背面図である。 １つ以上の実施形態による、キャリア環境制御システムの部分の、一部を断面にした前面図である。 １つ以上の実施形態による環境制御を含む、電子デバイス処理システムの概略上面図である。 １つ以上の実施形態による、電子デバイス処理システム内で基板を処理する方法を表すフロー図を示す。 １つ以上の実施形態によるキャリアパージチャンバ環境制御の一実施形態を含む、電子デバイス処理システムの別の実施形態の、断面が示されている側面図である。

ここで、添付の図面に示される、例示的実施形態を詳細に参照する。複数の図を通して同一のまたは類似した部分を参照するために、可能な限り、図面全体を通して同一の参照番号が使用される。別様に特記されていない限り、本書に記載の様々な実施形態の特徴は、互いに組み合わされ得る。

比較的に高い、湿度や温度、または他の環境要因が観測される（例えば、酸素（Ｏ_２）のレベルが高すぎるか、他の汚染化学物質のレベルが高すぎる）場合、既存の電子デバイス製造システムは、問題に悩まされ得る。具体的には、ある実施形態では、比較的高い湿度レベル、比較的高いＯ_２レベル、または他の汚染物質に基板を曝すことによって、基板の特性に悪影響が及び得る。

本発明の１つ以上の実施形態により、基板処理を改善するように適合された電子デバイス処理システムが、提供される。本書に記載のシステム及び方法は、ツール間を移送中に、及びファクトリインターフェースとのインターフェース中に基板が曝される環境条件を制御することによって、基板の処理における効率及び／または処理を改善し得る。ファクトリインターフェースは、ファクトリインターフェースの壁にドッキングされた（例えば、ファクトリインターフェースの前面にドッキングされた）１つ以上の基板キャリアから基板を受容し、ロード／アンロードロボットは、ファクトリインターフェースの別の表面（例えばファクトリインターフェースの後面）に連結された１つ以上のロードロックに基板を供給する。ある実施形態では、１つ以上の環境パラメータ（例えば相対湿度、温度、Ｏ_２の量、不活性ガスの量、または別の汚染化学物質の量）がモニタ及び制御されており、ファクトリインターフェースのファクトリインターフェースチャンバ内の環境に関する特定の前提条件が満たされない限り、ファクトリインターフェースにドッキングされたいずれのＦＯＵＰも、開かれなくてよい。

さらに、ファクトリインターフェース内の環境もまた、制御される。要するに、環境は、最初から最後まで、１つの処理ツールのロードロックから別の処理ツールのロードロックまで、移送経路の全てに沿って制御される。

本発明の実施形態の例示的な装置、システム、及び方法のさらなる詳細を、本書の図１から図６を参照しつつ説明する。

図１は、本発明の１つ以上の実施形態による、電子デバイス処理システム１００の例示的な実施形態の概略図である。電子デバイス処理システム１００は、移送チャンバ１０２を画定するハウジング壁を有するメインフレームハウジング１０１を含み得る。移送ロボット１０３（点線の円で示す）は、少なくとも部分的に、移送チャンバ１０２の中に収納され得る。移送ロボット１０３は、その動作を介して、基板を目標位置に載置するか、または目標位置から取り出するように、構成され適合され得る。本書で使用する場合、基板とは、シリカ含有のディスクまたはウエハ、パターン付きウエハ、ガラスプレートなどのような、電子デバイスまたは回路構成要素を作るために使用される物品を意味するものとする。

図示されている実施形態では、移送ロボット１０３は、例えば米国特許公報第２０１０／０１７８１４７号で開示されているロボットといった、移送チャンバ１０２に連結され、移送チャンバ１０２からアクセス可能な、（示されているツインチャンバといった）様々なチャンバに供給するように適合された、任意の適切な型のロボットであり得る。他のロボットタイプが使用されてもよい。

移送ロボット１０３の様々なアーム構成要素の動作は、コントローラ１２５からのコマンドに従った、移送ロボット１０３の複数の駆動モータを包む駆動アセンブリ（図示せず）に対する適切なコマンドによって制御され得る。コントローラ１２５からの信号は、移送ロボット１０３の様々な構成要素の動作を引き起こし得る。適切なフィードバック機構が、位置エンコーダのような様々なセンサなどによって、構成要素のうちの１つ以上に対して提供され得る。

図示される実施形態では、移送チャンバ１０２は、概して正方形またはわずかに長方形の形状であってよい。しかし、他の適切な形状のメインフレームハウジング１０１、及び、他の適切な数のファセット及び処理チャンバも、可能である。基板の移送先は、第１の処理チャンバの組１０８Ａ、１０８Ｂであってよく、これら第１の処理チャンバの組は、そこに供給された基板に対して処理を実施するように、構成され動作可能であってよい。

基板の移送先はまた、第１の処理チャンバの組１０８Ａ、１０８Ｂに概して対向していてよい、第２の処理チャンバの組１０８Ｃ、１０８Ｄであってもよい。第２の処理チャンバの組１０８Ｃ、１０８Ｄは、第２のファセットに連結されていてよく、任意の適切な処理を基板に対して実施するように、構成され適合されていてよい。同様に、基板の移送先はまた、第３のファセットに連結されたロードロック装置１１２に概して対向していてよい、第３の処理チャンバの組１０８Ｅ、１０８Ｆであってもよい。第３の処理チャンバの組１０８Ｅ、１０８Ｆは、任意の適切な処理を基板に対して実施するように、構成され適合されていてよい。処理チャンバ１０８Ａ〜１０８Ｆによって実施される処理は、プラズマ気相堆積（ＰＶＤ）、または化学気相堆積（ＣＶＤ）、エッチ、アニール処理、予洗浄、金属もしくは金属酸化物の除去などといった、任意の適切な処理であり得る。中の基板には、他の処理も実施されてよい。

基板は、ファクトリインターフェース１１４から移送チャンバ１０２内に受容されてよく、また、移送チャンバ１０２を出て、ファクトリインターフェース１１４の表面（例えば後方壁）に結合されているロードロック装置１１２を通り、ファクトリインターフェース１１４に至り得る。ロードロック装置１１２は、１つ以上のロードロックチャンバ（例えばロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂ）を含み得る。ロードロック装置１１２に含まれるロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂは、単一ウエハロードロック（ＳＷＬＬ）チャンバであるか、またはマルチウエハロードロックチャンバであってよい。

ファクトリインターフェース１１４は、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃを形成する側壁表面（前部、後部、２つの側壁、頂部及び底部を含む）を有する、任意のエンクロージャであってよい。ファクトリインターフェース１１４の表面（前面など）には、１つ以上のロードポート１１５が設けられていてよく、ロードポート１１５は、１つ以上の基板キャリア１１６（例えば、前部開口一体型ポッド、即ちＦＯＵＰ）をそこで受容するように構成され適合されていてよい。ファクトリインターフェース１１４は、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内に、従来型構造の適切なロード／アンロードロボット１１７（点線で示す）を含み得る。ロード／アンロードロボット１１７は、基板キャリア１１６のドアが開放されると、１つ以上の基板キャリア１１６から基板を取り出し、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃを通じて、１つ以上のロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂ内へと基板を供給するように、構成され動作可能であってよい。移送チャンバ１０２とファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃとの間での基板の移送を可能にする、ロードロック装置１１２の任意の適切な構造が使用され得る。

移送チャンバ１０２は、様々な処理チャンバ１０８Ａ〜１０８Ｆへの入口／出口に、スリットバルブを含んでいてよい。同様に、１つ以上のロードロック装置１１２内のロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂは、内側ロードロックスリットバルブと外側ロードロックスリットバルブを含んでいてよい。スリットバルブは、様々な処理チャンバ１０８Ａ〜１０８Ｆ及びロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂに基板を載置する時、またはそれらから基板を取り出す時に、開閉するように適合されている。スリットバルブは、例えば、Ｌモーションスリットバルブなどの任意の適切な従来型構造であってよい。

示される実施形態では、環境制御システム１２６が提供される。環境制御システム１２６は、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃに対して、そこに環境的に制御された空気を供給するための、ファクトリインターフェース環境制御システム１２６Ａを提供し得る。具体的には、ファクトリインターフェース環境制御システム１２６Ａは、ファクトリインターフェース１１４に連結されており、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の環境条件をモニタ及び／または制御するように動作可能である。ある実施形態では、ある時点において、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃはその中に、不活性ガス供給部１１８Ａから、アルゴン（Ａｒ）、窒素（Ｎ_２）、またはヘリウム（Ｈｅ）などの不活性ガスを受容し得る。他の実施形態では、または他の時点においては、空気供給部１１８Ｂから空気（例えば、ろ過空気）が供給され得る。

より詳細には、ファクトリインターフェース環境制御システム１２６Ａは、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の環境の、
１）相対湿度（ＲＨ）、
２）温度（Ｔ）、
３）Ｏ_２の量、
４）不活性ガスの量、または
５）汚染化学物質の量（例えば、アミン、塩基、１つ以上の揮発性有機化合物（ＶＯＣ）の量など）
のうちの、少なくとも１つを制御し得る。ファクトリインターフェースチャンバからのまたはファクトリインターフェースへのガス流量、もしくはチャンバ圧力、またはその両方といった、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃの他の環境条件も、モニタ及び／または制御され得る。

環境制御システム１２６は、コントローラ１２５を含む。コントローラ１２５は、様々なセンサ（例えば、相対湿度センサ、酸素センサ、化学成分センサ、及び／または温度センサ）からの入力を受信し、１つ以上のバルブを制御するように構成され適合された、適切なプロセッサ、メモリ、及び電子コンポーネントを含み得る。コントローラ１２５は、クローズドループまたは他の適切な制御スキームを実行し得る。一実施形態では、制御スキームは、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内に導入されるガスの流量を変化させ得る。別の実施形態では、制御スキームは、ファクトリインターフェース１１４Ｃの条件に基づいて、基板をいつファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内に移送するかを決定し得る。

１つ以上の実施形態では、環境制御システム１２６は、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の相対湿度（ＲＨ）を感知することによって、ＲＨをモニタし得る。ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃは、内部に１つ以上のセンサ１３０を含み得る。例えば、１つ以上のセンサ１３０は、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の相対湿度センサを含み得る。湿度センサは、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の相対湿度（ＲＨ）を感知するように構成され適合されていてよい。容量型センサといった、任意の適切な型の相対湿度センサ１３０が、使用され得る。コントローラ１２５はＲＨをモニタし得、コントローラ１２５に提供されるＲＨの測定値が既定のＲＨ閾値を上回っている時には、ファクトリインターフェース１１４のロードポートに連結された１つ以上の基板キャリア１１６のキャリアドアは、閉じたままとなる。

ＲＨの測定値が既定のＲＨ閾値を下回ると、基板キャリア１１６のキャリアドアが開放され得る。ＲＨは、不活性ガス供給部１１８Ａからファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内へと適切な量の不活性ガスを流すことによって、低下し得る。本書に記載されるように、不活性ガス供給部１１８Ａからの不活性ガスは、アルゴン、窒素ガス（Ｎ_２）、ヘリウム、またはそれらの混合物であってよい。乾燥窒素ガス（Ｎ_２）の供給がかなり効果的であり得る。Ｈ_２Ｏレベル（例えば５ｐｐｍ未満）が低い圧縮されたバルク不活性ガスが、不活性ガス供給部１１８Ａとして使用され得る。不活性ガス供給部１１８Ａから供給される不活性ガスは、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃを満たし得る。

別の態様では、環境制御システム１２６は１つ以上のセンサ１３０（例えば相対湿度センサ）を用いてＲＨ値をモニタし得、相対湿度の測定値が既定の基準相対湿度値を上回っている場合には、１つ以上のロードロック装置１１２の外側ロードロックスリットバルブは、閉じたままである。１つ以上のロードロック装置１１２は、ＲＨレベルが既定の基準ＲＨ値を下回るまで、閉じたままであり得る。上述のように、ＲＨは、不活性ガス供給部１１８Ａからファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内への適切な量の不活性ガスの流れを開始する、コントローラ１２５から環境制御システム１２６への制御信号によって、低下し得る。

１つ以上の実施形態では、既定の基準ＲＨ値は、電子デバイス処理システム１００において実施される特定の処理にとって許容可能である水分のレベルに応じて、水分１０００ｐｐｍ未満であるか、水分５００ｐｐｍ未満であるか、または水分１００ｐｐｍ未満ですらあり得る。

それまで満たされていなかった環境前提条件を満たす、すなわち下回るようにするために、不活性ガス（例えば乾燥Ｎ_２ガスまたは他の不活性ガス）が、不活性ガス供給部１１８Ａからファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内へと流され得る。不活性ガス供給部１１８Ａは、例えば、加圧状態の不活性ガスが入った適切なキャニスタであり得る。ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内に提供される不活性ガスの流量は、供給ライン上の好適な流量センサ（図示せず）、及び／または、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内に配置された圧力センサ、またはその両方によって、モニタされ得る。コントローラ１２５からの制御信号に応答して、不活性ガス供給部１１８Ａに連結されたバルブを調整することによって、４００ＳＬＭ以上の流量が提供され得る。約５００Ｐａを上回る圧力が、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内で維持され得る。ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内への不活性ガス（例えばＮ_２または他の不活性ガス）の流れは、相対湿度（ＲＨ）レベルを下げるように動作可能であり、キャリアドア及び／または１つ以上のロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂの外側ロードロックスリットバルブは、相対湿度閾値が満たされたときに、開放され得る。このことは、基板キャリア１１６から搬出される基板、ロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂから搬出される基板、また同様に、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃを通過する基板のいずれも、適切に低湿度な環境にのみ露出されることを、確保する助けとなる。

別の実施例では、例えば、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の酸素（Ｏ_２）の測定レベルが既定のレベルを下回った場合に、環境前提条件が満たされ得る。酸素（Ｏ_２）レベルは、酸素センサといった、１つ以上のセンサ１３０によって感知され得る。酸素（Ｏ_２）の測定レベルが既定の酸素閾値レベルを下回る場合（例えば、Ｏ_２が５０ｐｐｍ未満、Ｏ_２が１０ｐｐｍ未満、Ｏ_２が５ｐｐｍ未満、もしくはＯ_２が３ｐｐｍ未満、またはそれ以下でさえある場合）、基板の交換は、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃを通じて行われ得る。行われる処理に応じて、他の適切な酸素レベル閾値も使用され得る。ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の既定の酸素閾値レベルが満たされていない場合、コントローラ１２５は、不活性ガス供給部１１８Ａに連結されたバルブに対して制御信号を発し、既定の酸素閾値レベルが満たされたとコントローラ１２５によって決定されるまで、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内へと不活性ガスを流す。

既定の酸素閾値レベルが満たされると、キャリアドア及び／または１つ以上のロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂの外側ロードロックスリットバルブが開放され得る。このことは、基板キャリア１１６から搬出される基板、ロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂから搬出される基板、また同様に、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃを通過する基板のいずれも、比較的低い酸素レベルにのみ露出されることを、確保する助けとなる。

別の例では、環境前提条件は、例えば、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の基板の温度といった、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の温度の測定レベルが既定の温度閾値レベルを下回る場合（例えば摂氏１００度を下回るか、またはそれを下回りさえする場合）に、満たされ得る。１つ以上の実施形態では、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の温度を感知するように構成され適合されている温度センサを含む、１つ以上のセンサ１３０が使用され得る。ある実施形態では、温度センサは、基板がファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃを通過する際の基板の経路に非常に近接して、設置されていてよい。ある実施形態では、温度センサは、基板が冷却された程度を判定するために使用され得るレーザーセンサといった、指向性温度センサであってよい。既定の温度閾値レベルが満たされると、適切に冷却された基板は、移送のために基板キャリア１１６内にロードされ得る。

別の実施例では、例えば、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の汚染化学物質の測定レベルが既定のレベルを下回った場合に、環境前提条件が満たされ得る。１つ以上の実施形態では、１つ以上のセンサ１３０は、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内に含まれる１つ以上の汚染化学物質（例えば、アミン、塩基、１つ以上の揮発性有機化合物（ＶＯＣ）など）の量を感知するように構成され適合された、１つ以上の化学センサを含み得る。ある実施形態では、既定の化学物質閾値レベルが満たされると基板２４５が基板キャリア１１６からアンロードされ、そうでなければ、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃを通って移送される。

ある実施形態では、電子デバイス処理システム１００の環境制御システム１２６は、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃに連結された空気供給部１１８Ｂを含み得る。空気供給部１１８Ｂは、ファンまたは空気ポンプによって提供される、ろ過空気の供給であってよい。空気供給部１１８Ｂは、適切な導管及び１つ以上のバルブによって、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃに連結されていてよい。環境制御システム１２６は、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の、またはファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃから出る、酸素（Ｏ_２）のレベルを感知するよう構成され適合されている、酸素センサを含み得る。一実施形態では、作業者がファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃに入ろうとして立入申請を開始すると、環境制御システム１２６のコントローラ１２５は、不活性ガス環境の少なくとも一部が排気され、空気に置換されるように、空気供給部１１８Ｂからの空気の流れを開始し得る。ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内で検出された酸素のレベルが、安全と判定されている既定の酸素レベルの値に到達すると、アクセスドア１４２を閉鎖状態に保つドアインターロック（例えば、電子機械式ロック）は、解除されて、アクセスドア１４２の開扉（点線で示す）を可能にし得、その結果、作業者のファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃへのアクセスを許可し得る。

電子デバイス処理システム１００の環境制御システム１２６は、不活性ガス再循環もまた含み得る。具体的には、不活性ガスは、より効率的なファクトリインターフェース１１４の環境制御を提供するために、リサイクル及び再使用され得る。例えば、図示されている実施形態では、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃからの不活性ガスは、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃから排気導管１５０で排気され得、減湿フィルタであってよく粒子のろ過も行い得るフィルタ１５２を通ってろ過され得、次いで、ファクトリインターフェースチャンバ内に送り返され得る。フィルタ１５２は、吸湿材料の複数の層を含み得る、吸湿フィルタであってよい。しかし、凝縮装置または他の湿度除去装置のような、含水量を低減するための他の機構または装置も使用され得る。ある実施形態では、不活性ガスは冷却されてもよい。１つ以上の実施形態では、フィルタ１５２は、アミン、塩基、及び／または１つ以上のＶＯＣといった、１つ以上の汚染化学物質をろ過することもまた可能であってよい。

例えば、図示されている実施形態では、排気循環ルートの一部分は、アクセスドア１４２を通っていてよい。例えば、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃからの排気は、アクセスドア１４２内に形成されたチャネル（例えばダクト）内に入り得る。チャネルは、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃからの入口を、例えばアクセスドア１４２の底部またはその付近に有していてよい。排気ガスは、フィルタ１５２へと前進し得る。フィルタ１５２は、ある実施形態ではファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃの上部内にあってよいが、さもなければファクトリインターフェース１１４の一部であってよい。したがって、チャネルは、排気導管１５０の一部であってよい。

不活性ガスの消費量は、ある実施形態では、不活性ガス供給部１１８Ａからの供給ラインにおける流量センサ（図示せず）の使用などによって、モニタされてよく、測定された流量は、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内で特定のＲＨ値を実現することと相関していてよい。不活性ガスの消費量が予め規定された限度を外れている場合、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の漏出が、例えばオペレータへのメッセージ、視覚的標示、警報などによって、合図され得る。オプションで、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の圧力が予め規定された限度を外れている（例えば下回っている）場合、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の漏出が、上記と同様に合図され得る。

図示される実施形態では、環境制御システム１２６は、キャリアパージチャンバ環境制御システム１２６Ｂを含み得る。キャリアパージチャンバ環境制御システム１２６Ｂは、１つ以上のキャリアパージチャンバ１５４への不活性ガスの流れを提供する。

キャリアパージチャンバ環境制御システム１２６Ｂは、不活性ガス供給部（例えば不活性ガス供給部１１８Ａ）、並びに複数の供給導管１５５及びそれらに連結されたバルブを含む。複数の供給導管１５５及びバルブは、コントローラ１２５からの制御信号に応答して、ある時点において、キャリアパージチャンバ１５４に対して不活性ガスを供給する。キャリアパージチャンバ１５４内の環境をパージして特定の環境前提条件を満たすため、キャリアパージチャンバ１５４への不活性ガスの供給は、例えば基板キャリア１１６のキャリアドアを開放する直前に提供され得る。こうした環境前提条件は、基板キャリアドアを開放して、基板キャリア１１６からファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内への基板の移送を可能にする前に、満たされてよい。

キャリアパージチャンバ環境制御システム１２６Ｂの詳細、並びに構成要素及び動作について、図２及び図３を参照しつつ、ここで説明する。キャリアパージチャンバ環境制御システム１２６Ｂは、チャンバのパージ能力を含む、各基板キャリア１１６用のキャリアパージハウジング２５６を含み得る。こうしたチャンバのパージ能力は、一部または全部の基板キャリア１１６に関して、含まれていてよい。キャリアパージハウジング２５６は、各キャリアパージチャンバ１５４の一部を形成する。キャリアパージハウジング２５６は、ファクトリインターフェース１１４のロードポートバックプレート２５８の内壁２５７（例えば前壁）の表面を封止し、キャリアパージチャンバ１５４を形成し得る。ガスケットまたはＯリングのような、任意の適切なシールが使用され得る。キャリアパージチャンバ１５４が供給導管１５５から不活性ガスのパージ流を受流する際、キャリアパージハウジング２５６は、内壁２５７の表面に対して封止されたままである。キャリアパージチャンバ１５４をパージするため、不活性ガスは、適切な流量（例えば１ｓｌｍ）で提供されてよい。環境条件を所望の既定のレベルに制御するための適切なパージの後、キャリアドア２１６Ｄが開放されてよい。

明らかなように、キャリアパージチャンバ環境制御システム１２６Ｂは、キャリアドア２１６Ｄが開放された時点で、基板キャリア１１６のキャリア環境２６２をキャリアパージチャンバ１５４内に受容するように適合されている。キャリアドア２１６Ｄは、ドアオープナー２６５及びドア後退機構２６７の動作を介して開放され得る。キャリアドア２１６Ｄが開放されると、望ましくないレベルのＯ_２、湿気、粒子、または他の揮発性ガス及び材料を含み得るキャリア環境２６２がファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃに入らないように、キャリアパージチャンバ１５４のさらなるパージが行われ得る。キャリアパージチャンバ１５４のパージによって、特定の環境条件が引き続き確実に満たされ得る。キャリアパージチャンバ１５４内に不活性ガスを供給する供給導管１５５からの出口部には、１つ以上のディフューザー２５９が含まれ得る。

以下から明らかなように、キャリア環境制御システム１２６Ｃは、環境制御システム１２６内に含まれていてよく、基板キャリア１１６内のキャリア環境２６２が特定の環境条件を満たすよう制御するために動作可能であってよい。その結果、基板キャリア１１６内のキャリア環境２６２は、キャリアドア２１６Ｄを開放する時点で、環境前提条件を既に満たしていてよい。したがって、ドアを開放して基板２４５をアンロードする時間は、短縮され得る。

キャリア環境２６２及びキャリアパージチャンバ１５４にとって望ましい環境条件は、例えば、キャリア環境２６２及びキャリアパージチャンバ１５４のそれぞれに関する、既定の相対湿度ＲＨ閾値レベル、及び／または既定のＯ_２閾値レベル、及び／または既定の汚染化学物質閾値レベルに基づいていてよい。これらの値は同じであってもよく、異っていてもよい。ある実施形態では、キャリアドア２１６Ｄを開放し、キャリアパージハウジング２５６及び連結されたキャリアドア２１６Ｄを内壁２５７から離して後退させる前に、キャリア環境２６２及びキャリアパージチャンバ１５４のそれぞれにおいて、既定のＲＨ閾値レベル未満（例えば、湿度約５％未満、約５０，０００ｐｐｍ未満）の相対湿度が求められてよい。キャリアパージハウジング２５６は、一旦内壁２５７から引き離されると、ロード／アンロードロボット１１７（図１では点線の四角で示す）のアクセスを許可して基板２４５を取り外すべく、下げられてよい。酸素レベルを環境判定基準にしている場合、キャリアドア２１６Ｄを開放してキャリアパージハウジング２５６を後退及び下降させる前に、既定の閾値レベル未満（例えばＯ_２約５００ｐｐｍ未満）である、キャリア環境２６２及びキャリアパージチャンバ１５４のＯ_２閾値レベルが、求められてよい。他の既定の閾値レベルも使用され得る。

汚染化学物質レベルを環境判定基準にしている場合、キャリアドア２１６Ｄを開放してキャリアパージハウジング２５６を後退及び下降させる前に、既定の閾値レベル未満である、キャリア環境２６２及びキャリアパージチャンバ１５４の汚染化学物質閾値レベルが、求められてよい。アミン、塩基、１つ以上の揮発性有機化合物（ＶＯＣ）などといった汚染化学物質は、好ましくないものであり得る。

キャリアパージチャンバ１５４内でこれらの閾値レベルの一部または全部を達成するために、コントローラ１２５と通信可能な、チャンバ相対湿度センサ２７６、及び／またはチャンバ酸素センサ２７８、及び／または１つ以上の化学センサ２７７が提供されていてよい。チャンバ相対湿度センサ２７６、１つ以上の化学センサ２７７、及び／またはチャンバ酸素センサ２７８は、キャリアパージハウジング２５６の上もしくは中にあるか、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内のチャンバ排気導管２８０内にあるか、または、ファクトリインターフェース１１４の外側に設置されていてさえよい。キャリアパージチャンバ１５４を不活性ガス（例えばＮ_２）でパージすることは、センサによって行われた測定に基づいて環境前提条件が満たされるまで、継続されてよい。ある実施形態では、環境前提条件が満たされたことの推定に使用するために、事前に実行された実験に基づいた、予め規定されたある時間または体積のガスによるパージが用いられ得る。

ここで、環境制御システム１２６のサブコンポーネントであるキャリア環境制御システム１２６Ｃが、より詳細に記載される。キャリア環境制御システム１２６Ｃは、１つ以上の基板キャリア１１６に連結され、ロードポート１１５にドッキングされた時点で、１つ以上の基板キャリア１１６内のキャリア環境２６２を制御するように動作可能である。キャリア環境制御システム１２６Ｃは、１つ以上の基板キャリア１１６に対して不活性ガス供給部１１８Ａから不活性ガスを提供するように、構成され動作可能であってよい。キャリアドア２１６Ｄの開放に先立って、基板キャリア１１６からキャリア環境２６２をパージするため、不活性ガスが提供され得る。不活性ガスは、例えばＮ_２ガス、アルゴン、またはヘリウムであり得る。

キャリア環境制御システム１２６Ｃは、１つ以上の基板キャリア１１６内の、相対湿度ＲＨ、温度、酸素（Ｏ_２）の量、不活性ガスの量、及び／または１つ以上の汚染化学物質の量（例えば、アミン、塩基、１つ以上の揮発性有機化合物（ＶＯＣ）などの量）を制御するように動作可能であってよい。ある実施形態では、１つ以上の基板キャリア１１６から出る、酸素レベル、ＲＨレベル、汚染化学物質レベル、またはこれらの組合せを感知するように構成され適合された、酸素センサ、ＲＨセンサ、汚染化学物質センサ、または上記の組合せといったセンサ２８１が、キャリア排気導管２６８上に設けられていてよい。

したがって、上記から、コントローラ１２５は、キャリアパージチャンバ１５４内または１つ以上の基板キャリア１１６内、同様にファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の、相対湿度、Ｏ_２の量、温度、不活性ガスの量、または１つ以上の汚染化学物質の量のうちの、１つ以上を制御するように構成され適合されていてよいことが、認識されるべきである。概して、環境制御システム１２６は、基板キャリア１１６とロードロック装置１１２との間の全ての関連する空間の環境制御を可能にする、パージ能力を提供する。

キャリア環境制御システム１２６Ｃの詳細が、ここでさらに記載される。基板キャリア１１６はドッキングプラットフォーム２８２上に装着されているため、各基板キャリア１１６内の開口２８３は、ドッキングプラットフォーム２８２の可動部２８２Ｍ上に設けられていてよい、出入口シール２８４と整列されていてよい。基板キャリア１１６がドッキングされるとすぐに、基板キャリア１１６のフランジ２１６Ｆをロードポートバックプレート２５８に対して封止するために可動部２８２Ｍが前進する前であっても、パージが開始されてよい。

パージは、不活性ガス供給部１１８Ａからキャリアパージ導管１５５Ｃを通る不活性ガスの流れを提供することによって、達成され得る。キャリア環境２６２をパージするため、不活性ガスは適切な流量（例えば７５ｓｌｍ）で提供されてよい。環境条件を所望の既定のレベルに制御するための適切なパージの後、キャリアドア２１６Ｄが開放されてよい。キャリア環境２６２の流出は、キャリア排気導管２６８を通じてであってよく、キャリア排気導管２６８は、チェックバルブなどを含んでいてよい。チェックバルブは、例えば約５インチの水といった既定の圧力で、ポンと開く（ｐｏｐ）ようにセットされていてよい。

ある実施形態では、例えば２か所以上で（例えば周縁に沿って）フランジ２１６Ｆを係合するため、フェイスクランプシステム２７１（矢印で示す）が含まれていてよい。フェイスクランプシステム２７１は、フランジ２１６Ｆをロードポートバックプレート２５８に対して封止するように動作する。フェイスクランプシステム２７１のクランプにとって理想的な箇所は、基板キャリア１１６の左辺及び右辺である。任意の適切なフェイスクランプシステムが用いられ得る。

動作中に、キャリアパージハウジング２５６はドアオープナー２６５を取り囲み得る。ドアオープナー２６５は、キャリアパージハウジング２５６の内部の中に後退可能であるよう適合されている。ドアオープナー２６５の後退は、線形摺動２６９及びラックピニオン機構といった、ドア後退機構２６７によるものであってよい。ラックピニオン機構は、ラック２７２、ピニオン２７４、及び、ピニオン２７４に連結された駆動モータ２７５を含み得る。コントローラ１２５から駆動モータ２７５への駆動信号によって、キャリアドア２１６Ｄが後退し、キャリア環境２６２（パージ済み）とキャリアパージチャンバ１５４内のキャリア環境（こちらもパージ済み）との混合が起こる。従来型の場合と同様に、キャリアドア２１６Ｄを把持して開くため、ドアオープナー２６５には、任意の適切な型のドア開錠把持機構２７３が使用され得る。

キャリアパージハウジング２５６による、内壁２５７からの後退及び内壁２５７に対する閉鎖（例えば封止）は、ハウジング駆動システム２８９によって提供され得る。摺動機構２９０は、エレベータ２８５に付着している支持フレーム２９１に対する、内壁２５７に向かう、及びそれから離れる、線形動作を可能にする。ハウジング駆動システム２８９は、内壁２５７に向かう、及びそれから離れる動作を引き起こすために、適切なモータ及び伝達機構を含み得る。図示されている実施形態では、キャリアパージハウジング２５６に連結されたハウジングラック３８６、ハウジングピニオン３８８、及びハウジング駆動モータ３９２を含む、ラックピニオン機構（図３）が示されている。ハウジング駆動モータ３９２を駆動させることによって、キャリアパージハウジング２５６が、エレベータ２８５及び内壁２５７に対して内側方向または外側方向に、水平に移動する。

キャリアパージハウジング２５６の下降は、エレベータ２８５によって実現され得る。エレベータ２８５は、キャリアパージハウジング２５６の垂直動作を提供するための、任意の適切な機構構造を含み得る。例えば、図示するように、エレベータ２８５は、軸受摺動部２９４、レール２９５、及び装着ブロック２９５Ｍを含む、線形軸受アセンブリ２９３を含む。装着ブロック２９５Ｍは、レール２９５を内壁２５７に固定し得る。軸受摺動部２９４は、垂直アクチュエータ２９６に固定され得る。垂直アクチュエータレール２９７もまた提供され得、内壁２５７に固定され得る。垂直アクチュエータ２９６の作動は、垂直アクチュエータレール２９７に対する垂直動作を引き起こし、支持フレーム２９１、及び連結されたキャリアパージハウジング２５６を上昇または下降させる。垂直アクチュエータ２９６は、油圧、空気圧、電気などといった、任意の適切な型のアクチュエータであり得る。したがって、キャリア環境制御システム１２６Ｃがキャリア環境２６２をパージした後、ドア開錠把持機構２７３によってキャリアドア２１６Ｄが把持され開扉され、環境前提条件を満たすため、キャリアパージチャンバ環境制御システム１２６Ｂがキャリアパージチャンバ１５４をパージすることは明らかであろう。ラックピニオン機構によってキャリアドア２１６Ｄが後退され、ハウジング駆動システム２８９によってキャリアパージハウジング２５６が後退され、エレベータ２８５によってキャリアパージハウジング２５６とキャリアドア２１６Ｄが下げられ、それによって、ロード／アンロードロボット１１７は基板キャリア１１６内の基板２４５にアクセスし得る。

ここで図４を参照すると、基板製造システム４００が示されている。基板製造システム４００は、上記のように、電子デバイス処理システム１００を含む。第２の電子デバイス処理システム１００Ａもまた、設けられる。第２の電子デバイス処理システム１００Ａは、ファクトリインターフェース１１４及び環境制御システム１２６という点では同じであってよいが、そこでは、１つ以上の異なる基板処理が行われてよい。電子デバイス処理システム１００で処理が完了し、基板キャリア１１６が基板２４５で満たされると、キャリアパージハウジング２５６は再封止され得、キャリアドア２１６Ｄ（図２）が基板キャリア１１６に再設置され得る。基板キャリア１１６は次に、移送システム４９８によってロードされ得、処理のために次のステーション（例えば第２の電子デバイス処理システム１００Ａ）に搬送され得る。基板キャリア１１６を移送するため、任意の適切な移送システム４９８が用いられ得る。

移送中、基板キャリア１１６は、中に提供された不活性ガス環境を保持し得る。移送に先立って、またキャリアドア２１６Ｄを再設置することによって基板キャリア１１６が閉鎖されると、ポストプロセスのパージが開始され得る。図２に示すように、基板キャリア１１６がドッキングプラットフォーム２８２から切り離されると開口２８３を閉鎖し封止環境を提供するように動作可能な、バルブアセンブリ２９９が設けられ得る。リードバルブ、フラッパーバルブ、ダックビルバルブ、アンブレラバルブ、ボールバルブ、ドームバルブ、ベルヴィルバルブなどといった、一方向動作の任意の適切なバルブアセンブリ２９９が用いられ得る。入口からは一方向の流入のみが可能である一方、出口からは一方向の流出のみが可能である。こうして、基板２４５には、その処理の間を通じて、即ち、電子デバイス処理システム１００における処理から第２の電子デバイス処理システム１００Ａにおける処理まで、環境制御が設けられていてよい。

ここで図５を参照しつつ、電子デバイス処理システム（例えば電子デバイス処理システム１００）内で基板を処理する一方法が説明される。方法５００は、５０２において、ファクトリインターフェースチャンバ（例えばファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ）を有するファクトリインターフェース（例えばファクトリインターフェース１１４）を設けることを含み、５０４において、ファクトリインターフェースにドッキングされた１つ以上の基板キャリア（例えば基板キャリア１１６）を設けることを含む。

方法５００は、５０６において、ファクトリインターフェースチャンバと１つ以上の基板キャリアとの間にキャリアパージチャンバ（例えばキャリアパージチャンバ１５４）を設けることを含み、５０８において、キャリアパージチャンバ内及び１つ以上の基板キャリア内の環境条件を制御することを含む。

この制御は、環境制御システム１２６を介して、環境前提条件を満たすために環境条件を制御することを含み得る。例えば、基板キャリア内及びキャリアパージチャンバ１５４内の環境前提条件を満たすために環境条件を制御することは、１つ以上の基板キャリアドアのうちの任意の１つ（例えばキャリアドア２１６Ｄ）を開放する前に起こり得る。ファクトリインターフェースチャンバ内の環境条件もまた、環境前提条件を満たすため、ファクトリインターフェース環境制御システム１２６Ａを介して制御され得る。ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃの中の環境条件を制御することは、１つ以上の基板キャリアドアのうちのいずれか１つ（例えばキャリアドア２１６Ｄ）、または、１つ以上のロードロックチャンバのうちのいずれか１つ（例えばロードロックチャンバ１１２Ａ、１１２Ｂの外側ロードロックスリットバルブ）を開くことを可能にする前に、ファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃ内の環境前提条件を満たすことを含み得る。

図６は、キャリアパージチャンバ環境制御システム６２６Ｂの別の実施形態を示す。この実施形態によって、キャリアドア２１６Ｄとドアオープナー６６５との間の空間のパージが、ドアオープナー６６５を取り囲む（図２の実施形態のキャリアパージハウジング２５６のような）第２のハウジングという、さらなる複雑さとさらなる出費を要することなく、可能になる。キャリアパージチャンバ環境制御システム６２６Ｂは、１つ以上の供給導管１５５及びそれに連結されたバルブを含む。これらは、不活性ガス供給部（例えば不活性ガス供給部１１８Ａ）に連結されている。１つ以上の供給導管１５５及びバルブは、コントローラ（例えばコントローラ１２５）からの制御信号に応答して、ある時点において、１つ以上のキャリアパージチャンバ６５４に対して不活性ガスを供給する。キャリアパージチャンバ６５４内の現存する環境をパージするため、不活性ガスの供給は、例えば基板キャリア１１６のそれぞれのキャリアドア２１６Ｄを開放するのに先立って、キャリアパージチャンバ６５４のそれぞれに対して提供され得る。ある実施形態では、キャリアパージチャンバ６５４は、特定の環境前提条件を満たすためにパージされてよい。例えば、環境前提条件は、酸素（Ｏ_２）のレベル、相対湿度（ＲＨ）、温度、または上記の１つ以上の汚染化学物質のレベルであってよい。こうした環境前提条件は、基板キャリアドア２１６Ｄを開放して、基板キャリア１１６からファクトリインターフェース１１４Ｃ内への基板２４５の移送を可能にする前に、満たされてよい。

キャリアパージチャンバ環境制御システム６２６Ｂの詳細、並びに構成要素及び動作について、図６を参照しつつ、ここで説明する。キャリアパージチャンバ環境制御システム６２６Ｂは、各基板キャリア１１６のためのキャリアパージチャンバ６５４を含み得、キャリアパージチャンバはこうしたチャンバのパージ能力を含む。こうしたチャンバのパージ能力は、一部または全部の基板キャリア１１６のために、含まれていてよい。ロードポートバックプレート６５８及びドアオープナー６６５の少なくとも一部、並びに場合によってはキャリアドア２１６Ｄの一部は、各キャリアパージチャンバ６５４の一部を形成し得る。ドアオープナー６６５は、ファクトリインターフェース１１４のロードポートバックプレート６５８の内壁６５７（例えば前部壁）の内表面に対して封止され得、キャリアパージチャンバ６５４を形成し得る。同様に、フランジ２１６Ｆは、ロードポートバックプレート６５８の外表面に対して封止され得る。ガスケットまたはＯリングのような、任意の好適な型のシールが使用され得る。キャリアパージチャンバ６５４が、供給導管１５５から、部分的または完全にロードポートバックプレート６５８内に形成されていてよい１つ以上の流入経路６６０を通じて不活性ガスのパージ流を受流する際、ドアオープナー６６５は、内壁６５７の表面に対して封止されたままである。キャリアパージチャンバ６５４をパージするため、不活性ガスは、適切な流量（例えば１ｓｌｍ）で提供されてよい。不活性ガスは、これもまた部分的または完全にロードポートバックプレート６５８内に形成されていてよい、流出経路６６１を通じて流出し得る。

キャリアパージチャンバ６５４のパージ中、キャリアドア２１６Ｄは、勢いよくわずかに開けられてよく（ｍａｙ ｂｅ ｃｒａｃｋｅｄ ｏｐｅｎ ｓｌｉｇｈｔｌｙ）、それによってキャリア環境２６２のキャリアパージチャンバ６５４への漏出が可能になる。環境条件を所望の既定のレベルに制御するための適切なパージの後、ドアオープナー６６５の動作によって、キャリアドア２１６Ｄが完全に開放され、遠ざけられ得る。

望ましくないレベルのＯ_２、湿気、粒子、または他の揮発性ガス及び材料（例えば汚染化学物質）を含み得るキャリア環境２６２がファクトリインターフェースチャンバ１１４Ｃに入らないように、キャリアパージチャンバ６５４のパージが行われ得る。キャリアパージチャンバ６５４のパージによって、特定の環境条件が引き続き確実に満たされ得る。

上記で検討されたように、キャリア環境制御システム１２６Ｃは、キャリアパージチャンバ環境制御システム６２６Ｂと組み合わされて含まれていてよく、基板キャリア１１６内のキャリア環境２６２が特定の環境条件を満たすよう制御するために、動作可能であってよい。その結果、基板キャリア１１６内のキャリア環境２６２は、キャリアドア２１６Ｄを開放する時点で、特定の環境前提条件を既に満たしていてよい。したがって、ドアを開放して基板２４５をアンロードする時間は、短縮され得る。

さらに、処理の後且つ移送の前に、基板キャリア１１６内に基板がロードされると、キャリアドア２１６Ｄは閉鎖され得、キャリア環境２６２はポストプロセスのパージを受け得る。基板キャリア１１６がドッキングプラットフォーム２８２の可動部２８２Ｍの出入口シール２８４から切り離されると開口２８３を閉鎖して封止環境を提供するように動作し得る、バルブアセンブリ２９９が設けられてよい。

キャリアパージチャンバ環境制御システム６２６Ｂは、キャリアパージチャンバ６５４の、相対湿度ＲＨ、酸素（Ｏ_２）の量、温度、不活性ガスの量、及び１つ以上の汚染化学物質の量（例えば、アミン、塩基、１つ以上のＶＯＣの量）などを制御するように動作可能であってよい。ある実施形態では、酸素センサ、ＲＨセンサ、汚染化学物質センサなどといった１つ以上のセンサ２８１が、キャリア排気導管２６８上に設けられていてよい。１つ以上のセンサ２８１は、キャリアパージチャンバ６５４から出る、酸素レベル、ＲＨレベル、温度、上記の汚染化学物質レベル、またはそれらの組合せを感知するように、構成され適合されていてよい。

キャリアパージチャンバ環境制御システム６２６Ｂは、キャリア環境制御システム１２６Ｃと組み合わされ得るか、または単独で用いられ得る。例えば、キャリアパージチャンバ６５４及びキャリア環境２６２は共に、キャリアドア２１６Ｄを勢いよくわずかに開けて、流入経路６６０から入り流出経路６６１から出るパージを開始することで、キャリアパージチャンバ環境制御システム６２６Ｂによってパージされてよい。

エレベータ２８５は、上記のように、ロード／アンロードロボット１１７（図１）が基板キャリア１１６内の基板２４５にアクセスし得るように、ドアオープナー６６５及びドアオープナー６６５に取り付けられたキャリアドア２１６Ｄを下降及び上昇させる。ドアオープナー６６５及び連結されたキャリアドア２１６Ｄを上昇及び下降させるための、他の適切なエレベータシステムが用いられ得る。

前述の説明は、本発明の例示的な実施形態を開示しているにすぎない。本発明の範囲に含まれる、上記で開示された装置、システム、及び方法の修正例が、当業者には容易に自明となろう。そのため、本発明は例示的な実施形態に関連して開示されているが、他の実施形態も、以下の特許請求の範囲によって規定される本発明の範囲に含まれ得ると理解すべきである。

Claims (15)

1. ファクトリインターフェースチャンバを含むファクトリインターフェースと、
   前記ファクトリインターフェースに連結された１つ以上の基板キャリアと、
   前記ファクトリインターフェース及び前記１つ以上の基板キャリアに連結され、前記１つ以上の基板キャリア及び前記ファクトリインターフェースのファクトリインターフェースチャンバ内の環境を制御するように動作可能な環境制御システムと
   を備える、電子デバイス処理システム。
2. 前記環境制御システムが、
   前記１つ以上の基板キャリアをパージする不活性ガスを提供するように動作可能なキャリア環境制御システムと、
   前記ファクトリインターフェースチャンバに不活性ガスを提供するように動作可能なファクトリインターフェース環境制御システムと
   を備える、請求項１に記載の電子デバイス処理システム。
3. 前記環境制御システムが、
   前記１つ以上の基板キャリアに不活性ガスを提供するように動作可能なキャリア環境制御システムと、
   前記ファクトリインターフェースの壁に対して封止されたキャリアパージチャンバに不活性ガスを提供するように動作可能なキャリアパージチャンバ環境制御システムと
   を備える、請求項１に記載の電子デバイス処理システム。
4. 前記環境制御システムは、前記ファクトリインターフェースチャンバ及び前記１つ以上の基板キャリア内のＯ_２の量、または不活性ガスの量を制御するように動作可能である、請求項１に記載の電子デバイス処理システム。
5. 前記ファクトリインターフェースチャンバまたは前記１つ以上の基板キャリアの相対湿度を感知するよう適合された湿度センサを備える、請求項１に記載の電子デバイス処理システム。
6. 前記ファクトリインターフェースチャンバまたは前記１つ以上の基板キャリアの酸素レベルを感知するよう適合された酸素センサを備える、請求項１に記載の電子デバイス処理システム。
7. 前記ファクトリインターフェースチャンバまたは前記１つ以上の基板キャリア内の、
   相対湿度、
   Ｏ_２の量、
   温度、
   不活性ガスの量、または
   汚染化学物質の量
   のうちの１つ以上を制御するように構成され適合されたコントローラを備える、請求項１に記載の電子デバイス処理システム。
8. 前記環境制御システムが、
   コントローラ、及び
   前記コントローラに応答し、ある量の不活性ガスを前記１つ以上の基板キャリア及び前記ファクトリインターフェースの前記ファクトリインターフェースチャンバに流すように構成され適合された不活性ガス供給部を備える、請求項１に記載の電子デバイス処理システム。
9. 前記環境制御システムは、前記１つ以上の基板キャリアの底部に連結されたキャリア環境制御システムを備える、請求項１に記載の電子デバイス処理システム。
10. 特定の環境条件が満たされるまで、キャリアパージチャンバをパージするように構成され適合されたキャリアパージチャンバ環境制御システム
    を備える、請求項１に記載の電子デバイス処理システム。
11. 前記キャリアパージチャンバは、ロードポートバックプレート及びドアオープナーの少なくとも一部によって形成されている、請求項１０に記載の電子デバイス処理システム。
12. ファクトリインターフェースチャンバを含むファクトリインターフェース、
    前記ファクトリインターフェースに連結された１つ以上の基板キャリア、
    前記ファクトリインターフェースチャンバと前記１つ以上の基板キャリアとの間のキャリアパージチャンバ、並びに
    前記キャリアパージチャンバ及び前記１つ以上の基板キャリアに連結され、前記１つ以上の基板キャリア内及び前記キャリアパージチャンバ内の環境を制御するように動作可能な環境制御システム
    を備える、電子デバイス処理システム。
13. ファクトリインターフェースチャンバを含むファクトリインターフェースを設けること、
    前記ファクトリインターフェースにドッキングされた、１つ以上の基板キャリアを設けること、
    前記ファクトリインターフェースチャンバと前記１つ以上の基板キャリアとの間にキャリアパージチャンバを設けること、及び
    前記キャリアパージチャンバ及び前記１つ以上の基板キャリア内の環境条件を制御すること
    を含む、電子デバイス処理システム内で基板を処理する方法。
14. ファクトリインターフェースチャンバを含むファクトリインターフェース、前記ファクトリインターフェースにドッキングされた１つ以上の基板キャリア、及び前記ファクトリインターフェースチャンバ内の１つ以上のキャリアパージチャンバを設けること、並びに、
    前記ファクトリインターフェースチャンバ内、前記１つ以上のキャリアパージチャンバ内、及び前記１つ以上の基板キャリア内の環境条件を制御すること
    を含む、電子デバイス処理システム内で基板を処理する方法。
15. ファクトリインターフェースチャンバを含むファクトリインターフェース、
    前記ファクトリインターフェースに連結された１つ以上の基板キャリア、
    前記ファクトリインターフェースチャンバと前記１つ以上の基板キャリアの間のキャリアパージチャンバであって、ロードポートバックプレートとドアオープナーの少なくとも一部によって形成されたキャリアパージチャンバ、及び、
    特定の環境条件が満たされるまで、前記キャリアパージチャンバをパージするように構成され適合された、キャリアパージチャンバ環境制御システム
    を備える、電子デバイス処理システム。

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