JP2002118067A - 真空処理方法及び真空処理装置 - Google Patents
真空処理方法及び真空処理装置Info
- Publication number
- JP2002118067A JP2002118067A JP2000308750A JP2000308750A JP2002118067A JP 2002118067 A JP2002118067 A JP 2002118067A JP 2000308750 A JP2000308750 A JP 2000308750A JP 2000308750 A JP2000308750 A JP 2000308750A JP 2002118067 A JP2002118067 A JP 2002118067A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- vacuum processing
- processing chamber
- vacuum
- vacuum treatment
- treatment chamber
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Drying Of Semiconductors (AREA)
- Chemical Vapour Deposition (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 真空処理装置の開放時において、真空処理室
内の残留ガスが拡散し、人体に悪影響を与えたり、金属
等を腐食させるという課題があった。また、開放時、真
空処理室が窒素ガスで満たされるため、窒息防止のため
に、作業者が空気呼吸器を装着するので、作業性が悪く
なるという課題があった。 【解決手段】 真空処理室フタが開いたことが、センサ
ー３により検出され、真空処理室フタが開いたと同時
に、真空排気バルブ４とは別の排気バルブ５が開くこと
により、真空処理室内の残留ガスが真空排気口６とは別
の排気口７から排気され、残留ガスの拡散を防ぐととも
に、迅速に真空処理室内の大気導入を行う。
内の残留ガスが拡散し、人体に悪影響を与えたり、金属
等を腐食させるという課題があった。また、開放時、真
空処理室が窒素ガスで満たされるため、窒息防止のため
に、作業者が空気呼吸器を装着するので、作業性が悪く
なるという課題があった。 【解決手段】 真空処理室フタが開いたことが、センサ
ー３により検出され、真空処理室フタが開いたと同時
に、真空排気バルブ４とは別の排気バルブ５が開くこと
により、真空処理室内の残留ガスが真空排気口６とは別
の排気口７から排気され、残留ガスの拡散を防ぐととも
に、迅速に真空処理室内の大気導入を行う。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、液晶や半導体など
の電子デバイスの製造に関わる、ＣＶＤやエッチング装
置などの真空処理方法と、その方法の実施に適した真空
処理装置に関するものである。
の電子デバイスの製造に関わる、ＣＶＤやエッチング装
置などの真空処理方法と、その方法の実施に適した真空
処理装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】従来の真空処理装置の概略図を図２に示
す。真空処理室１内部の真空状態を保つために真空処理
室１は常に排気口６から真空ポンプ１２により真空排気
されている。真空処理室をメンテナンスするために真空
処理装置を大気開放する際には、まず真空排気バルブ４
を閉じて、次に真空処理室１内を外部空間に開放するた
めに、真空処理室フタ８を閉めた状態で図示していない
ガス供給手段により窒素ガスなどの不活性ガスを真空処
理室１内に大気圧状態まで満たす。その後、真空処理室
フタ８をあける。この時、真空処理装置の処理の際に、
金属に対する腐食性を持つガスを使用している場合、そ
の残留ガスが真空処理室１内に残留する。このガスの残
留を防ぐために真空排気バルブ４を閉じる前に十分な排
気時間をとっても完全にガスを排気することは出来な
い。そこで、この残留ガスが真空処理室１内部から外部
空間へ広がるのを防止するため、ビニールカーテン９お
よびフード１０を設置し、残留ガスが周囲に広がること
を防ぎ排気口１１より残留ガスを排気する。
す。真空処理室１内部の真空状態を保つために真空処理
室１は常に排気口６から真空ポンプ１２により真空排気
されている。真空処理室をメンテナンスするために真空
処理装置を大気開放する際には、まず真空排気バルブ４
を閉じて、次に真空処理室１内を外部空間に開放するた
めに、真空処理室フタ８を閉めた状態で図示していない
ガス供給手段により窒素ガスなどの不活性ガスを真空処
理室１内に大気圧状態まで満たす。その後、真空処理室
フタ８をあける。この時、真空処理装置の処理の際に、
金属に対する腐食性を持つガスを使用している場合、そ
の残留ガスが真空処理室１内に残留する。このガスの残
留を防ぐために真空排気バルブ４を閉じる前に十分な排
気時間をとっても完全にガスを排気することは出来な
い。そこで、この残留ガスが真空処理室１内部から外部
空間へ広がるのを防止するため、ビニールカーテン９お
よびフード１０を設置し、残留ガスが周囲に広がること
を防ぎ排気口１１より残留ガスを排気する。
【０００３】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この従来の方
法では、真空処理室内の残留ガスがビニールカーテン内
に流出する際に、ビニールカーテン内の金属や、排気フ
ィルター等を腐食させるという課題があった。さらに、
真空処理室を開放する前に、真空処理室を大気圧状態に
する目的で真空処理室に満たした窒素などのガスを防ぐ
ために、作業者が空気呼吸器を装着する必要があり、作
業性が非常に悪くなるという課題があった。
法では、真空処理室内の残留ガスがビニールカーテン内
に流出する際に、ビニールカーテン内の金属や、排気フ
ィルター等を腐食させるという課題があった。さらに、
真空処理室を開放する前に、真空処理室を大気圧状態に
する目的で真空処理室に満たした窒素などのガスを防ぐ
ために、作業者が空気呼吸器を装着する必要があり、作
業性が非常に悪くなるという課題があった。
【０００４】
【課題を解決するための手段】この課題を解決するた
め、本発明は、真空処理室の大気開放時に（真空処理室
に設けた基板搬出入口以外の開閉部が開かれたことを検
出した時に）、真空処理室を真空状態に保つ真空排気手
段とは別の排気手段により、真空処理室内の気体を外部
空間に排出するのを開始するものである。これにより、
残留ガスの真空処理室外への拡散を防止することが可能
になる。
め、本発明は、真空処理室の大気開放時に（真空処理室
に設けた基板搬出入口以外の開閉部が開かれたことを検
出した時に）、真空処理室を真空状態に保つ真空排気手
段とは別の排気手段により、真空処理室内の気体を外部
空間に排出するのを開始するものである。これにより、
残留ガスの真空処理室外への拡散を防止することが可能
になる。
【０００５】
【発明の実施の形態】本発明にかかる実施の形態である
真空処理装置を図１に示す。この真空処理装置は真空処
理室内にガスを供給するためのガス供給手段と、真空処
理室内を排気するための２つの排気手段を具備してい
る。
真空処理装置を図１に示す。この真空処理装置は真空処
理室内にガスを供給するためのガス供給手段と、真空処
理室内を排気するための２つの排気手段を具備してい
る。
【０００６】図１において、真空処理室１は通常の真空
処理時に排気口６から真空ポンプ１２により真空排気さ
れているが、真空処理室１内のメンテナンスのために定
期的な大気開放が必要となる。真空処理室１内を大気開
放する時は、まず真空排気バルブ４を閉じ、次に真空処
理室１内を図示していないガス供給手段により窒素ガス
で充満し、真空処理室１が大気圧になったことを圧力ス
イッチ２が検出する。そして作業者が真空処理室フタ８
を開ける際に、近接センサー３により真空処理室フタ８
の開放が検出され、真空処理室フタ８が開いたと同時に
真空排気バルブ４とは別の排気バルブ５を開放させ、真
空処理室内の残留ガスと窒素ガスは真空排気口６とは別
の排気口７から図示していない排気ポンプにより排気さ
れる。この時、真空処理室フタ側からは外部空間の大気
が真空処理装置内に流入し、迅速に真空処理室内が大気
導入される。こうして残留ガスの拡散を防止することが
出きるようになる。
処理時に排気口６から真空ポンプ１２により真空排気さ
れているが、真空処理室１内のメンテナンスのために定
期的な大気開放が必要となる。真空処理室１内を大気開
放する時は、まず真空排気バルブ４を閉じ、次に真空処
理室１内を図示していないガス供給手段により窒素ガス
で充満し、真空処理室１が大気圧になったことを圧力ス
イッチ２が検出する。そして作業者が真空処理室フタ８
を開ける際に、近接センサー３により真空処理室フタ８
の開放が検出され、真空処理室フタ８が開いたと同時に
真空排気バルブ４とは別の排気バルブ５を開放させ、真
空処理室内の残留ガスと窒素ガスは真空排気口６とは別
の排気口７から図示していない排気ポンプにより排気さ
れる。この時、真空処理室フタ側からは外部空間の大気
が真空処理装置内に流入し、迅速に真空処理室内が大気
導入される。こうして残留ガスの拡散を防止することが
出きるようになる。
【０００７】なお、真空処理室フタ８の開閉の検出は近
接センサー３に限定されず、真空処理室フタ８が開く等
の真空処理室の大気開放が確認できる手段であればよ
い。
接センサー３に限定されず、真空処理室フタ８が開く等
の真空処理室の大気開放が確認できる手段であればよ
い。
【０００８】また、フタの開閉を検出せず作業者が手動
で排気ポンプを動作させてからフタを開けても同様の効
果がある。
で排気ポンプを動作させてからフタを開けても同様の効
果がある。
【０００９】また、真空処理室内を排気するための排気
手段を２つ設けているのは、真空処理時に真空処理室内
部を真空排気するために常時作動している真空ポンプ１
２のランニングコストを低減するために閉空間（密閉真
空処理室）専用の真空ポンプ１２を用いているためであ
り、開空間（大気開放真空処理室）で使用可能な真空ポ
ンプのランニングコストが低減出来れば２つの排気手段
を共通にして１つの排気手段で密閉時も大気開放時も真
空処理室を排気してもよい。
手段を２つ設けているのは、真空処理時に真空処理室内
部を真空排気するために常時作動している真空ポンプ１
２のランニングコストを低減するために閉空間（密閉真
空処理室）専用の真空ポンプ１２を用いているためであ
り、開空間（大気開放真空処理室）で使用可能な真空ポ
ンプのランニングコストが低減出来れば２つの排気手段
を共通にして１つの排気手段で密閉時も大気開放時も真
空処理室を排気してもよい。
【００１０】
【発明の効果】以上のように本発明によれば、真空処理
装置内の残留ガスや窒素ガスの装置外への拡散が大幅に
減少でき、同時に真空処理装置内の大気導入が迅速にで
きるので、金属や排気フィルターなどを腐食させる可能
性が減少し、さらに真空処理装置室内で作業者が空気呼
吸器を装着するのも不要となるために作業者の作業性向
上や作業時間の短縮が可能になるという効果が得られ
る。
装置内の残留ガスや窒素ガスの装置外への拡散が大幅に
減少でき、同時に真空処理装置内の大気導入が迅速にで
きるので、金属や排気フィルターなどを腐食させる可能
性が減少し、さらに真空処理装置室内で作業者が空気呼
吸器を装着するのも不要となるために作業者の作業性向
上や作業時間の短縮が可能になるという効果が得られ
る。
【図１】本発明の実施の形態を示す真空処理装置の概略
図
図
【図２】従来の真空処理装置を示す概略図
１ 真空処理室 ２ 圧力スイッチ ３ 近接センサー（検出手段） ４ 真空排気バルブ ５ 排気バルブ ６ 真空排気口 ７ 排気口 ８ 真空処理室フタ（開閉部） ９ ビニールカーテン １０ フード １１ 排気口 １２ 真空ポンプ
───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 4K030 EA11 FA01 KA11 KA39 KA43 KA49 LA15 LA18 5F004 AA16 BC01 BC02 5F045 AA08 BB20 EG03 EG05 EN01
Claims (4)
- 【請求項１】 真空処理室にプラズマを発生させ基板を
プラズマ処理する真空処理方法において、 前記真空処理室に設けた基板搬出入口以外の開閉部の開
放時に前記真空処理室内のガスの排気を行うことを特徴
とする真空処理方法。 - 【請求項２】 前記開閉部が開かれたことを検出し、そ
の時に真空処理室内の排気を開始することを特徴とする
請求項１記載の真空処理方法。 - 【請求項３】 真空処理室にプラズマを発生させ基板を
プラズマ処理する真空処理装置において、 真空処理室内部を外部空間に開放する基板搬出入口以外
の開閉部と、真空処理室の大気開放時に真空処理室内を
排気するための排気手段と、前記排気手段を動作させる
ために真空処理室が大気開放されたことを検出する検出
手段とを設けたことを特徴とする真空処理装置。 - 【請求項４】 前記検出手段は前記開閉部が開いたこと
を検出する検出手段であることを特徴とする請求項３記
載の真空処理装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000308750A JP2002118067A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 真空処理方法及び真空処理装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2000308750A JP2002118067A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 真空処理方法及び真空処理装置 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2002118067A true JP2002118067A (ja) | 2002-04-19 |
Family
ID=18789008
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2000308750A Pending JP2002118067A (ja) | 2000-10-10 | 2000-10-10 | 真空処理方法及び真空処理装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2002118067A (ja) |
Cited By (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010263048A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-18 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング装置 |
| CN111383886A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 防刻蚀气体供应管道腐蚀的系统及等离子反应器运行方法 |
-
2000
- 2000-10-10 JP JP2000308750A patent/JP2002118067A/ja active Pending
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2010263048A (ja) * | 2009-05-01 | 2010-11-18 | Ulvac Japan Ltd | ドライエッチング装置 |
| CN111383886A (zh) * | 2018-12-27 | 2020-07-07 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 防刻蚀气体供应管道腐蚀的系统及等离子反应器运行方法 |
| CN111383886B (zh) * | 2018-12-27 | 2023-03-10 | 中微半导体设备(上海)股份有限公司 | 防刻蚀气体供应管道腐蚀的系统及等离子反应器运行方法 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| JP2006310561A (ja) | 真空処理装置および真空処理方法 | |
| JP2011114319A (ja) | 気体置換装置および気体置換方法 | |
| TW201700772A (zh) | 排氣管無害化方法及成膜裝置 | |
| JP2002118067A (ja) | 真空処理方法及び真空処理装置 | |
| JP2000292301A (ja) | 漏れ検査装置及び漏れ検査装置の校正方法 | |
| JP2001338967A (ja) | 基板処理装置 | |
| JPH113867A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JP2772835B2 (ja) | 基板処理装置及び真空処理方法 | |
| JP3305817B2 (ja) | 半導体製造装置及びウェーハ処理方法 | |
| KR20130016359A (ko) | 기판 처리 방법 및 기판 처리 시스템 | |
| KR20200144643A (ko) | 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치 및 그에 의한 웨이퍼 클리닝 방법 | |
| JP4490636B2 (ja) | 半導体製造装置および半導体装置の製造方法 | |
| KR20140107646A (ko) | 로드록 장치 및 이를 구비한 진공처리장치 | |
| JP2004228602A5 (ja) | ||
| JPH08340037A (ja) | 半導体製造装置 | |
| JPH10326730A (ja) | 半導体製造装置及びそのメンテナンス方法 | |
| JP2009158527A (ja) | ロードロック室を有する真空チャンバー装置 | |
| JP2002198411A (ja) | 圧力制御方法、搬送装置およびクラスタツール | |
| JP5337532B2 (ja) | 真空処理装置 | |
| JPS6067664A (ja) | 真空成膜装置 | |
| JPH0631154A (ja) | 真空装置 | |
| KR100585120B1 (ko) | 로드락 챔버의 부식성 잔류물 배출장치 | |
| JPH025774A (ja) | 半導体基板処理装置 | |
| JPH11274040A (ja) | 基板処理装置および基板処理方法 | |
| JPH0697114A (ja) | 真空処理装置 |