KR20200144643A - 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치 및 그에 의한 웨이퍼 클리닝 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치 및 그에 의한 웨이퍼 클리닝 방법에 관한 것이다. 웨이퍼 클리닝 장치는 로드 락 챔버(11)와 플라즈마의 공급이 가능한 유도관(131)에 의하여 연결되는 원격 플라즈마 소스(13); 및 원격 플라즈마 소스(13) 또는 유도관(131)으로 수증기의 공급이 가능한 증기 공급 모듈(14)로 이루어지고, 웨이퍼가 로드 락 챔버(11)에 위치하면 원격 플라즈마 소스(13)로부터 플라즈마의 공급이 가능하다.

Description

흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치 및 그에 의한 웨이퍼 클리닝 방법{A Cleaning Apparatus for Removing a Hume on a Wafer and a Cleaning Method Using the Same}
본 발명은 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치 및 그에 의한 웨이퍼 클리닝 방법에 관한 것이고, 구체적으로 공정 챔버로부터 이송되는 웨이퍼의 이물질이 효과적으로 제거되도록 하는 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치 및 그에 의한 웨이퍼 클리닝 방법에 관한 것이다.
반도체 기술의 미세화에 따라 흄(fume)에 의한 웨이퍼의 패턴에 브리지(bridge)를 형성하거나, 이물질에 의한 부식을 발생시켜 웨이퍼가 불량이 되는 상황이 발생되고 있다. 이를 위하여 흄 오염으로부터 웨이퍼를 보호하는 방법이 제안되고 있다. 공정 챔버에서 웨이퍼에 대한 공정 과정에서 사용된 F. Cl 또는 이와 유사한 기체가 공정이 완료된 이후 EEFM(Equipment Front End Module)을 통하여 로드 포트(Load Port)로 이동하는 웨이퍼에 잔류될 수 있다. 이와 같은 기체가 대기 중의 수분과 반응하여 HF 또는 HCl 기체로 만들어질 수 있고, 이에 의하여 웨이퍼의 패턴에 브리지(bridge) 또는 부식을 발생시켜 웨이퍼의 불량을 발생시킬 수 있다. 이와 같은 문제를 해결하기 위하여 사이드 스토리지(Side Storage) 또는 N2 풉 로드 포드(Foup Load Port)를 이용하여 질소 분위기에서 웨이퍼를 보관하여 외부의 수분과 반응이 억제시키는 방법이 적용되고 있다. 특허등록번호 10-1342037은 EFEM 사이의 이송 과정에서 잔존하는 유해 가스를 있도록 밀폐형 도어 장치 및 흄 제거 장치를 가진 웨이퍼 스토리지에 대하여 개시한다. 또한 특허등록번호 10-1841925는 웨이퍼 내장 풉에 대한 지상 퍼지 스테이션에 대하여 개시한다. 공지 기술에서 개시된 것처럼 질소 기체를 FOUP에 지속적으로 공급하여 대기와 반응을 억제하는 방법은 LPM(Load Port Module)의 작동 과정에서 FAB에 질소 농도를 상승시켜 작업 위험성이 증가될 수 있다는 단점을 가진다. 또한 질소 누설 방지를 위한 배출 수단이 설치되는 경우 EFEM으로 외부 기체가 유입될 수 있고, 이를 방지하기 위하여 HEPA 필터 팬의 용량의 증가되어야 한다는 단점을 가진다. 그러므로 이와 같은 문제점을 해결할 수 있는 새로운 기술이 개발될 필요가 있다.
본 발명은 선행기술의 문제점을 해결하기 위한 것으로 아래와 같은 목적을 가진다.
선행기술 1: 특허등록번호 10-1342037(우범제, 2013.12.16. 공고) 밀폐형 도어 장치와 흄 제거 장치를 갖춘 웨이퍼 스토레이지 선행기술 2: 특허등록번호 10-1841925(크린팩토메이션 주식회사, 2018.03.26. 공고) 웨이퍼 내장 풉에 대한 지상 퍼지 스테이션
본 발명의 목적은 플라즈마 및 수증기를 진공 상태에서 웨이퍼로 공급하여 흄의 제거가 가능한 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치 및 그에 의한 웨이퍼 클리닝 방법을 제공하는 것이다.
본 발명의 적절한 실시 형태에 따르면, 웨이퍼 클리닝 장치는 로드 락 챔버와 플라즈마의 공급이 가능한 유도관에 의하여 연결되는 원격 플라즈마 소스; 및 원격 플라즈마 소스 또는 유도관으로 수증기의 공급이 가능한 증기 공급 모듈로 이루어지고, 웨이퍼가 로드 락 챔버에 위치하면 원격 플라즈마 소스로부터 플라즈마의 공급이 가능하다.
본 발명의 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 플라즈마의 공급은 진공 상태에서 이루어진다.
본 발명의 또 다른 적절한 실시 형태에 따르면, 웨이퍼에 잔류하는 흄의 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 방법은 공정이 완료된 웨이퍼가 진공 상태의 로드 락 챔버로 이송되는 단계; 원격 플라즈마 소스에서 플라즈마가 생성되는 단계; 수증기의 온도가 조절되는 단계; 온도 조절이 된 수증기와 플라즈마가 로드 락 챔버로 공급되는 단계; 및 수증기 및 플라즈마에 의하여 웨이퍼의 흄이 제거되는 단계를 포함한다.
본 발명에 따른 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치는 웨이퍼가 공정 챔버로 이동하기 위하여 버퍼 공간으로 사용되는 로드 락 챔버에서 플라즈마 드라이 크리닝 공정을 진행하는 것에 의하여 흄이 효과적으로 제거되도록 한다. 이러한 웨이퍼 클리닝 공정에 의하여 장시간 시각 공정이 진행되는 공정에서 PR 제거 공정(Photo Resist Strip Process)이 진행되지 않을 수 있도록 하는 것에 의하여 공정 효율이 향상되도록 한다. 본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 방법은 공지의 로드 포트 모듈의 설치에 따른 비용이 감소되도록 하면서 설비의 공간 효율성이 향상되도록 한다.
도 1은 본 발명에 따른 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치의 실시 예를 도시한 것이다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 장치가 공정 설비에 적용된 실시 예를 도시한 것이다.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 다른 실시 예를 도시한 것이다.
도 4는 본 발명에 따른 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 방법의 실시 예를 도시한 것이다.
아래에서 본 발명은 첨부된 도면에 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되지만 실시 예는 본 발명의 명확한 이해를 위한 것으로 본 발명은 이에 제한되지 않는다. 아래의 설명에서 서로 다른 도면에서 동일한 도면 부호를 가지는 구성요소는 유사한 기능을 가지므로 발명의 이해를 위하여 필요하지 않는다면 반복하여 설명이 되지 않으며 공지의 구성요소는 간략하게 설명이 되거나 생략이 되지만 본 발명의 실시 예에서 제외되는 것으로 이해되지 않아야 한다.
도 1은 본 발명에 따른 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치의 실시 예를 도시한 것이다.
도 1을 참조하면, 흄의 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치는 로드 락 챔버(11)와 플라즈마의 공급이 가능한 유도관(131)에 의하여 연결되는 원격 플라즈마 소스(13); 및 원격 플라즈마 소스(13) 또는 유도관(131)으로 수증기의 공급이 가능한 증기 공급 모듈(14)로 이루어지고, 웨이퍼가 로드 락 챔버(11)에 위치하면 원격 플라즈마 소스(13)로부터 플라즈마의 공급이 가능하다.
다양한 규격 또는 종류의 웨이퍼의 흄 제거를 위하여 본 발명에 따른 클리닝 장치가 적용될 수 있고, 웨이퍼의 공정을 위하여 또는 공정이 완료된 웨이퍼에 대하여 본 발명에 따른 클리닝 장치가 적용될 수 있다. 웨이퍼를 공정 챔버로 이송하는 웨이퍼 로딩을 위하여 웨이퍼는 로드 포트를 경유하여 EFEM(Equipment Front End Module)의 로봇에 의하여 반송되어 대기압 또는 이와 유사한 기압 상태를 유지하는 로드 락 챔버(11)로 이송될 수 있다. 웨이퍼가 로드 락 챔버(11)의 내부로 이송되면 로드 락 챔버(11)의 내부가 진공 상태로 만들어지고, 이후 트랜스챔버 로봇의 반송에 의하여 가공 챔버로 이송될 수 있다. 가공 챔버에서 웨이퍼에 대한 반도체 공정이 진행된 이후 웨이퍼는 다시 언로딩이 될 수 있고, 가공 챔버로부터 트랜스 챔버 로봇에 의하여 반송되어 진공 상태의 로드 락 챔버(11)로 이송될 수 있다. 이후 공정이 완료된 웨이퍼는 로드 락 챔버(11)가 대기압 또는 이와 유사한 압력 상태가 되면 EFEM의 로봇에 의하여 로드 포트로 이송되어 외부로 이동될 수 있다. 웨이퍼에 대한 공정 과정에서 웨이퍼의 표면에 흄(fume)이 잔류되어 웨이퍼 불량을 발생시킬 수 있으므로 제거될 필요가 있다. 본 발명의 하나의 실시 예에 따르면 이와 같이 웨이퍼에 잔류하는 흄이 웨이퍼의 언로딩 과정에서 진공 상태의 로드 락 챔버(11)에서 제거될 수 있다. 아래에서 구체적으로 설명된다.
공정이 완료된 웨이퍼가 로드 락 챔버(11)로 이송될 수 있고, 로드 락 챔버(11)가 대기압 상태로부터 진공 상태로 만들어질 수 있다. 웨이퍼가 로드 락 챔버(11)에 위치하여 클리닝 장치가 작동될 수 있다. 원격 플라즈마 소스(13)는 플라즈마의 이송을 위한 유도관(131)에 의하여 로드 락 챔버(11)와 연결될 수 있고, 원격 플라즈마 소스(13)는 예를 들어 로드 락 챔버(11)의 위쪽에 설치될 수 있지만 이에 제한되지 않는다. 웨이퍼가 로드 락 챔버(11)로 이송되기 전 진공 펌프(12)에 의하여 진공 상태가 될 수 있고, 진공 펌프(12)와 로드 락 챔버(11)의 내부는 진공 유도관(111)에 의하여 서로 연결될 수 있다. 로드 락 챔버(11)의 내부가 진공 상태가 되면 웨이퍼가 로드 락 챔버(11)의 내부로 이송되고, 이후 원격 플라즈마 소스(13)로부터 플라즈마가 플라즈마 유도관(131)을 통하여 로드 락 챔버(11)의 내부로 유도될 수 있다. 원격 플라즈마 소스(13)는 플라즈마 발생기를 가진 다양한 형태의 플라즈마 공급 장치가 될 수 있다. 원격 플라즈마 소스(13)는 로드 락 챔버(11)에 위치하는 웨이퍼의 클리닝을 위한 독립적인 장치가 되거나, 공정 챔버의 클리닝을 위한 장치가 될 수 있다. 원격 플라즈마 소스(13)가 독립적인 장치가 되는 경우 로드 락 챔버(151)에 설치될 수 있는 웨이퍼 탐지 센서(151)로부터 전송되는 탐지 정보의 수신에 의하여 작동이 개시되어 플라즈마를 로드 락 챔버(11)로 공급할 수 있다. 원격 플라즈마 소스(13)에 트리거 유닛(152)이 설치될 수 있고, 트리거 유닛(152)은 탐지 센서(151)로부터 전송된 정보를 수신하여 원격 플라즈마 소스(13)의 작동을 개시시킬 수 있다. 탐지 센서(151)는 웨이퍼를 탐지하면서 이와 동시에 로드 락 챔버(11)의 상태를 탐지하는 기능을 가질 수 있다. 예를 들어 로드 락 챔버(11)의 진공 상태 또는 로드 락 챔버(11)의 도어의 개폐 상태를 탐지하고, 탐지 정보를 트리거 유닛(152)으로 전송할 수 있다. 트리거 유닛(152)은 탐지 정보를 수신하면, 원격 플라즈마 소스(13)의 작동을 개시시키거나, 개폐 밸브를 작동시켜 플라즈마 유도관(131)을 통하여 플라즈마의 공급을 개시할 수 있다. 플라즈마의 공급과 함께 증기 공급 모듈(14)에 의하여 로드 락 챔버(11)로 수증기가 공급될 수 있다. 웨이퍼에 잔류하는 흄은 예를 들어 F 또는 Cl과 같은 기체를 포함할 수 있고, 이와 같은 기체는 수증기(H2O)와 반응하여 HF 또는 HCl이 되면서 웨이퍼로부터 제거될 수 있다. 또한 수증기(H2O)로부터 분리된 산소(O2)가 예를 들어 Cu와 같은 금속과 반응하여 웨이퍼로부터 제거할 수 있다. 증기 공급 모듈(14)에 의하여 공급되는 수증기는 증기 유도관(141)을 통하여 원격 플라즈마 소스(13)로 공급되어 플라즈마와 함께 로드 락 챔버(11)로 공급될 수 있다. 또는 증기 유도관(141)은 플라즈마 유도관(131)과 연결될 수 있고, 적절한 밸브 수단에 의하여 공급양이 조절되어 플라즈마와 함께 로드 락 챔버(11)로 유도될 수 있다. 로드 락 챔버(11)에 대한 수증기의 공급은 다양한 방법으로 이루어질 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다. 로드 락 챔버(11)에서 예를 들어 10초 이상 동안 공급된 플라즈마 및 수증기에 의하여 웨이퍼의 흄이 제거되면 플라즈마 및 수증기가 배출되고, 이후 로드 락 챔버(11)는 대기압 상태로 만들어질 수 있다. 이후 위에서 설명된 방법에 따라 웨이퍼가 외부로 이송될 수 있다.
본 발명에 따른 클리닝 장치는 다양한 구조를 가지는 웨이퍼 공정 설비에 결합될 수 있다.
도 2는 본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 장치가 공정 설비에 적용된 실시 예를 도시한 것이다.
도 2를 참조하면, 웨이퍼 클리닝 장치는 반도체 생산을 위한 클러스터 툴(Cluster Tool)에 설치될 수 있다. 웨이퍼(W)가 이송 카세트 또는 FOUP(Front Opening Unified Pod)와 같은 이송 수단(21)에 의하여 로드 포트(Load Port)로 이송되고, EFEM(Equipment Front End Module)(22)에 설치된 반송 로봇(221)에 의하여 로드 락 챔버(11)로 이송될 수 있다. 로드 락 챔버(11)로 웨이퍼가 이송되면 로드 락 챔버(11)가 진공 상태로 만들어질 수 있다. 이후 웨이퍼(W)가 각각의 공정 챔버(24a, 24b)로 이송되어 반도체 공정이 진행되고, 공정이 완료된 웨이퍼(W)가 로드 락 챔버(11)로 이송될 수 있다. 로드 락 챔버(11)가 진공 상태가 되면 원격 플라즈마 소스(13)가 작동되어 수증기와 함께 플라즈마가 공급되어 웨이퍼(W)의 표면에 부착된 흄이 제거될 수 있다. 이와 같이 흄이 제거된 웨이퍼(W)는 다시 반송 로봇(221)에 의하여 로드 포트로 이송되어 이송 수단(21)에 의하여 정해진 장소로 이송될 수 있다. 다양한 반도체 공정에 본 발명에 따른 클리닝 장치가 적용될 수 있고, 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.
도 3은 본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 장치의 다른 실시 예를 도시한 것이다.
도 3을 참조하면, 공정 챔버(24a)로 이송되거나, 공정 챔버(24a)로부터 이송되는 웨이퍼는 차단 벽(32)에 형성된 이송 도어(321)를 통하여 로드 락 챔버(11)의 내부로 또는 외부로 이송될 수 있다. 웨이퍼가 로드 락 챔버(11)로 이송되면 로드 락 챔버(11)는 진공 상태로 만들어질 수 있다. 그리고 웨이퍼는 트랜스챔버 로봇에 의하여 각각의 공정 챔버(24a)로 이송되고, 각각의 공정 챔버(24a)가 진공 펌프(31)에 의하여 진공 상태로 만들어질 수 있다. 예를 들어 로드 락 챔버(11)의 아래쪽에 배출 관(391)이 연결될 수 있고, 배출 관(391)은 독립적인 설치된 진공 펌프 또는 공정 챔버(24a)에 연결된 진공 펌프(31)에 연결될 수 있다. 이후 웨이퍼에 대한 반도체 공정이 진행될 수 있고, 각각의 공정 챔버(24a)에서 반도체 공정이 완료되면, 웨이퍼가 트랜스챔버 로봇에 의하여 진공 상태의 로드 락 챔버(11)로 이송되면 클리닝 장치가 작동될 수 있다. 로드 락 챔버(11)의 위쪽에 설치된 개폐 도어(37)에 플라즈마의 유입을 위한 유입 관(362)의 한쪽 끝이 연결되어 개폐 도어(37)의 개폐에 따라 원격 플라즈마 소스(13)에서 발생된 플라즈마가 로드 락 챔버(11)의 내부로 유입될 수 있다. 원격 플라즈마 소스(13)에서 발생된 플라즈마는 유동 관(331)을 통하여 믹서(33)로 유도될 수 있다. 또한 증기 공급 모듈(14)로부터 공급되는 수증기가 유동 관(332)을 통하여 믹서(33)로 유도되어 혼합될 수 있다. 선택적으로 수증기의 유동을 위한 유동 관(332)은 온도 조절 유닛(34)에 의하여 둘러싸일 수 있고, 온도 조절 유닛(34)은 단열 기능을 가지거나, 가열 기능을 가질 수 있다. 믹서(33)에서 혼합된 플라즈마와 고온의 수증기는 공급 유도관(35)에 설치된 공급 밸브(36)의 조절에 의하여 유입 관(362)을 통하여 로드 락 챔버(11)로 유도될 수 있다. 선택적으로 공급 밸브(36)에 조절 관(361)에 의하여 연결되는 압력 조절 유닛(38)이 연결될 수 있다. 압력 조절 유닛(38)은 로드 락 챔버(11)의 내부로 유입되는 플라즈마의 유입 속도를 조절하는 기능을 가질 수 있고, 예를 들어 전후 이동이 가능한 유동 실린더(381)에 의하여 플라즈마의 공급 속도 또는 공급 압력이 조절될 수 있다. 플라즈마와 수증기가 로드 락 챔버(11)로 공급이 되어 웨이퍼 표면에 존재하는 흄이 제거되면 플라즈마와 흄 생성 기체가 제거될 수 있다. 클리닝이 완료되면 플라즈마 및 오염 물질이 배출될 수 있고, 로드 락 챔버(11)의 진공이 해제되면서 대기압 상태가 될 수 있다. 로드 락 챔버(11)가 대기압 상태가 되면, 차단 벽(32)에 형성된 이송 도어(321)가 열리고, 웨이퍼는 EFEM에 설치된 반송 로봇에 의하여 로드 포트로 이송되어 외부로 반송될 수 있다.
클리닝 공정은 다양한 방법으로 이루어질 수 있고 제시된 실시 예에 제한되지 않는다.
도 4는 본 발명에 따른 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 방법의 실시 예를 도시한 것이다.
도 4를 참조하면, 웨이퍼에 잔류하는 흄의 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 방법은 공정이 완료된 웨이퍼가 진공 상태의 로드 락 챔버로 이송되는 단계(P41); 원격 플라즈마 소스에서 플라즈마가 생성되는 단계(P42); 수증기의 온도가 조절되는 단계(P43); 온도 조절이 된 수증기와 플라즈마가 로드 락 챔버로 공급되는 단계(P44); 및 수증기 및 플라즈마에 의하여 웨이퍼의 흄이 제거되는 단계(P45)를 포함한다.
반도체 공정이 완료된 웨이퍼가 진공 상태의 로드 락 챔버로 이송될 수 있고(P41), 웨이퍼는 로드 락 챔버의 정해진 위치에 고정될 수 있다. 이후 예를 들어 원격 플라즈마 소스와 같은 플라즈마의 공급이 가능한 장치로부터 플라즈마가 생성되어 공급될 준비가 될 수 있다(P42). 이와 함께 수증기 공급 모듈로부터 수증기가 공급될 준비가 되면서 공급되는 수증기의 온도가 조절될 수 있다(P43). 기체 상태의 수증기는 플라즈마 공급량에 비하여 부피비로 플라즈마: 수증기 = 10000: 1 내지 100의 비율로 공급될 수 있고, 공급되는 수증기의 온도는 적어도 120 ℃가 될 수 있다. 공급이 되어야 하는 수증기의 온도가 조절되면 플라즈마와 함께 진공 상태로 만들어진 로드 락 챔버로 공급될 수 있다. 플라즈마는 예를 들어 10초 이상 또는 10 내지 200초 동안 로드 락 챔버에서 유지될 수 있고, 플라즈마와 수증기에 의하여 웨이퍼가 클리닝이 되면서 웨이퍼에 존재할 수 있는 흄과 같은 오염 물질이 제거될 수 있다(P45). 로드 락 챔버에서 웨이퍼의 클리닝이 완료되면, 플라즈마 및 수증기가 배출이 되고, 로드 락 챔버의 진공 상태가 해제될 수 있다. 이후 반송 로봇에 의하여 클리닝이 된 웨이퍼가 로드 락 챔버의 외부로 이송될 수 있다. 이와 같은 플라즈마 및 수증기에 의하여 로드 락 챔버에서 웨이퍼의 흄을 제거하는 것에 의하여 흄 제거를 위한 웨이퍼의 클리닝 공정이 간단해지면서 공정 효율이 향상되도록 한다.
본 발명에 따른 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치는 웨이퍼가 공정 챔버로 이동하기 위하여 버퍼 공간으로 사용되는 로드 락 챔버에서 플라즈마 드라이 크리닝 공정을 진행하는 것에 의하여 흄이 효과적으로 제거되도록 한다. 이러한 웨이퍼 크리닝 공정에 의하여 장시간 시각 공정이 진행되는 공정에서 PR 제거 공정(Photo Resist Strip Process)이 진행되지 않을 수 있도록 하는 것에 의하여 공정 효율이 향상되도록 한다. 본 발명에 따른 웨이퍼 클리닝 방법은 공지의 로드 포트 모듈의 설치에 따른 비용이 감소되도록 하면서 설비의 공간 효율성이 향상되도록 한다.
위에서 본 발명은 제시된 실시 예를 참조하여 상세하게 설명이 되었지만 이 분야에서 통상의 지식을 가진 자는 제시된 실시 예를 참조하여 본 발명의 기술적 사상을 벗어나지 않는 범위에서 다양한 변형 및 수정 발명을 만들 수 있을 것이다. 본 발명은 이와 같은 변형 및 수정 발명에 의하여 제한되지 않으며 다만 아래에 첨부된 청구범위에 의하여 제한된다.
11; 로드 락 챔버 12: 진공 펌프
13: 원격 플라즈마 소스 14: 증기 공급 모듈
21: 이송 수단 22: EPEM
24a, 24b: 공정 챔버 31: 진공 펌프
32: 차단 벽 33: 믹서
34: 온도 조절 유닛 35: 공급 유도관
36: 공급 밸브 37: 개폐 도어
38: 압력 조절 유닛
111: 진공 유도관 131: 유도관
141: 증기 유도관 151: 탐지 센서
152: 트리거 유닛 221: 반송 로봇
321: 이송 도어 331: 유동관
362: 유입 관 391: 배출관

Claims (3)

  1. 로드 락 챔버(11)와 플라즈마의 공급이 가능한 유도관(131)에 의하여 연결되는 원격 플라즈마 소스(13); 및
    원격 플라즈마 소스(13) 또는 유도관(131)으로 수증기의 공급이 가능한 증기 공급 모듈(14)로 이루어지고,
    웨이퍼가 로드 락 챔버(11)에 위치하면 원격 플라즈마 소스(13)로부터 플라즈마의 공급이 가능한 것을 특징으로 하는 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치.
  2. 청구항 1에 있어서, 플라즈마의 공급은 진공 상태에서 이루어지는 것을 특징으로 하는 흄 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 장치.
  3. 웨이퍼에 잔류하는 흄의 제거를 위한 웨이퍼 클리닝 방법에 있어서,
    공정이 완료된 웨이퍼가 진공 상태의 로드 락 챔버로 이송되는 단계;
    원격 플라즈마 소스에서 플라즈마가 생성되는 단계;
    수증기의 온도가 조절되는 단계;
    온도 조절이 된 수증기와 플라즈마가 로드 락 챔버로 공급되는 단계; 및
    수증기 및 플라즈마에 의하여 웨이퍼의 흄이 제거되는 단계를 포함하는 흄의 제거를 위한 웨이퍼 클리닝
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