KR19980083863A - 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 플라즈마를 이용한 식각공정이 진행되는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비에 관한 것이다.
본 발명은, 식각가스를 사용한 식각공정이 진행되는 공정챔버와 상기 식각공정이 진행될 웨이퍼가 대기하며, 웨이퍼가 출입할 수 있는 슬릿밸브가 설치된 로드락챔버가 구비되는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비에 있어서, 상기 로드락챔버 상부에 퍼지가스공급원에서 공급되는 퍼지가스가 일정압력 및 일정방향으로 분사될 수 있는 가스분사수단이 설치되고, 상기 로드락챔버 일측에 상기 공정챔버에서 유출된 가스를 펌핑할 수 있는 펌핑수단이 설치된 배기라인이 더 설치됨을 특징으로 한다.
따라서, 공정챔버 내부에서 발생된 공정부산물이 로드락챔버에서 부유되어 식각공정이 진행될 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지할 수 있고, 식각가스가 카세트 대기챔버 및 식각설비 주변부를 오염시키는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
Description
본 발명은 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비에 관한 것으로서, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용한 식각공정이 진행되는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비에 관한 것이다.
통상, 웨이퍼 상에 수직적 패턴(Pattern)을 형성하기 위하여 플라즈마를 이용한 식각공정이 공정챔버, 로드락챔버 및 카세트 대기챔버 등이 구비되는 플라즈마 식각설비에서 수행된다.
도1에 도시된 상기 플라즈마 식각설비에는, 플라즈마 상태의 브롬화수소(HBr), 사염화탄소(CCl4), 사플루오르화탄소(CF4) 등의 식각가스를 사용하여 식각공정이 진행되며, 공정진행시 고진공펌프의 펌핑동작에 의해서 고진공상태가 형성되는 공정챔버(10)가 구비된다.
또한, 다른 고진공펌프에 의해서 고진공상태가 형성될 수 있으며, 웨이퍼가 일정기간 대기하는 로드락챔버(12)가 상기 공정챔버(10)와 연결되어 있다. 상기 공정챔버(10)와 로드락챔버(12) 사이에는 웨이퍼가 출입할 수 있는 웨이퍼 출입문(16)이 형성되어 있으며, 상기 로드락챔버(12) 내부에는 다수의 웨이퍼가 적재되며, 상하운동을 수행할 수 있는 보트(20)가 위치하는 웨이퍼 저장챔버(18)가 구성되어 있다.
그리고, 상기 로드락챔버(12) 일측 하부에는 질소가스 등의 퍼지가스가 저장된 퍼지가스공급원(22)이 배관라인에 의해서 연결되어 있다.
또한, 상기 로드락챔버(12)와 대기압상태의 카세트 대기챔버(14)가 연결되어 있다. 상기 로드락챔버(12)와 카세트 대기챔버(14) 사이에는 웨이퍼가 출입할 수 있는 슬릿밸브(24)가 설치되어 있으며, 상기 카세트 대기챔버(14) 내부에는 상하운동을 수행할 수 있는 카세트로딩 스테이지(26)가 설치되어 있다.
또한, 상기 카세트 대기챔버(14) 일측에는 카세트가 출입할 수 있는 카세트 출입문(28)이 형성되어 있다.
따라서, 식각공정이 진행될 다수의 웨이퍼가 적재된 카세트가 카세트 출입문(28)을 통해서 카세트 대기챔버(14) 내부의 카세트로딩 스테이지(26) 상에 위치하면, 상기 카세트로딩 스테이지(26)는 슬릿밸브(24) 위치까지 상승하게 된다.
그리고, 상기 카세트 내부에 적재된 웨이퍼는 슬릿밸브(24)를 통하여 보트(20)에 순차적으로 이송된다.
이후, 슬릿밸브(24)는 닫히고, 로드락챔버(12)의 기압상태는 고진공펌프의 펌핑동작에 의해서 고진공상태로 변환된다. 그리고, 상기 웨이퍼는 다시 개방된 웨이퍼 출입문(16)을 통해서 공정챔버(10)로 이송되어 식각가스를 사용한 식각공정이 진행된다.
그리고, 식각공정이 진행된 웨이퍼는, 웨이퍼 출입문(16)을 통해서 다시 고진공상태의 로드락챔버(12)로 다시 이송된다. 이후, 로드락챔버(12)의 기압상태가 대기압상태로 전환되면, 상기 웨이퍼는 슬릿밸브(24)를 통하여 대기압상태의 카세트 대기챔버(14)로 이송되어 카세트에 적재되며, 카세트에 적재된 웨이퍼는 카세트 출입문(28)을 통해서 외부로 방출된다.
이때, 상기 로드락챔버(12) 내부로는 퍼지가스공급원(22)에서 방출된 질소가스 등의 퍼지가스가 로드락챔버(12) 일측 하부를 통해서 400 내지 500 mTorr 정도로 항상 공급된다. 이는, 상기 웨이퍼 출입문(16)의 개폐동작시, 공정챔버(10)와 로드락챔버(12) 사이의 기압차에 의해서 발생된 와류에 의해서 공정챔버(10) 내부에서 식각공정 진행 후, 발생된 공정부산물 및 부식성, 유독성 등의 성질을 가지고 있는 식각가스 등이 로드락챔버(12) 내부로 유입되는 것을 방지하기 위함이다.
그런데, 로드락챔버 내부로 퍼지가스를 공급하여 공정챔버(10) 내부에서 발생된 공정부산물 및 부식성, 유독성 등의 성질을 가지고 있는 식각가스 등이 로드락챔버(12) 내부로 유입됨이 방지되나 여러가지 원인에 의해서 웨이퍼 출입문(16)을 통해서 상기 공정부산물 및 식각가스 등이 로드락챔버(12) 내부로 유입되었다.
이에 따라, 공정부산물은 로드락챔버(12)의 하부에 축적되고, 축적된 공정부산물은 로드락챔버(12) 하부에 형성된 배관라인을 통해서 공급되는 퍼지가스의 공급압력에 의해서 상부로 부유되어 보트(20)에 적재된 웨이퍼를 오염시키는 문제점이 있었다.
또한, 슬릿밸브(24)가 개폐동작을 수행할 때, 상기 공정챔버(10)에서 로드락챔버(12)로 유입된 부식성, 유독성 등의 성질을 가지고 있는 식각가스 등은 카세트 대기챔버(14) 내부로 유입되어 카세트 대기챔버(14)를 오염시키고, 카세트 출입문(28) 개폐동작시 다시 외부로 방출되어 식각설비 주변부를 오염시키는 문제점이 있었다.
본 발명의 목적은, 공정챔버에서 유입된 공정부산물이 식각공정이 진행될 웨이퍼가 대기하는 로드락챔버 저면에 축적된 후, 로드락챔버 저면으로 공급되는 퍼지가스의 공급압력에 의해서 상부로 부유되어 보트에 적재된 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지하는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비를 제공하는 데 있다.
본 발명의 다른 목적은, 공정챔버에서 로드락챔버 내부로 유입된 부식성, 유독성 등의 성질을 가지고 있는 식각가스 등이 슬릿밸브 개폐동작시 유출되어 카세트 대기챔버 및 식각설비 주변부를 오염시키는 것을 방지하는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비를 제공하는 데 있다.
도1은 종래의 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비의 개략적인 구성도이다.
도2는 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비의 일 실시예를 설명하기 위한 구성도이다.
※도면의 주요부분에 대한 부호의 설명
10 : 공정챔버 12 : 로드락챔버
14 : 카세트 대기챔버 16 : 웨이퍼 출입문
18 : 웨이퍼 저장챔버 20 : 보트
22 : 퍼지가스공급원 24 : 슬릿밸브
26 : 카세트로딩 스테이지 28 : 카세트 출입문
30 : 확산필터 31 : 연결봉
32 : 분산판 34 : 배기라인
36 : 아이솔레이션 밸브 38 : 송풍기
40 : 연결부 42 : 고무호스
44 : 산배기라인
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비는, 식각가스를 사용한 식각공정이 진행되는 공정챔버와 상기 식각공정이 진행될 웨이퍼가 대기하며, 웨이퍼가 출입할 수 있는 슬릿밸브가 설치된 로드락챔버가 구비되는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비에 있어서, 상기 로드락챔버 상부에 퍼지가스공급원에서 공급되는 퍼지가스가 일정압력 및 일정방향으로 분사될 수 있는 가스분사수단이 설치되고, 상기 로드락챔버 일측에 상기 공정챔버에서 유출된 가스를 펌핑할 수 있는 펌핑수단이 설치된 배기라인이 설치됨을 특징으로 한다.
상기 가스분사수단은, 서로 이격된 확산필터(30) 및 분산판(32)로 이루어질 수 있다.
또한, 상기 펌핑수단으로서 송풍기가 사용되고, 상기 배기라인 상에 배기가스의 흐름을 기준으로 상기 송풍기 전단에 밸브가 설치됨이 바람직하다.
그리고, 상기 밸브는 상기 로드락챔버에 설치된 슬릿밸브와 개폐동작을 동시에 수행하도록 설치됨이 바람직하다.
그리고, 상기 퍼지가스로 질소가스가 사용될 수 있으며, 상기 배기라인은 상기 로드락챔버 하부에 설치될 수 있다.
이하, 본 발명의 구체적인 실시예를 첨부한 도면을 참조하여 상세히 설명한다.
도2는 본 발명에 따른 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비의 일 실시예를 설명하기 위한 구성도이다.
도2를 참조하면, 상기 플라즈마 식각설비에는, 플라즈마 상태의 브롬화수소, 사염화탄소, 사플루오르화탄소 등의 식각가스를 사용하여 식각공정이 진행되며, 식각공정진행시 고진공펌프의 펌핑동작에 의해서 고진공상태가 형성되는 공정챔버(10)가 설치되어 있다.
또한, 상기 공정챔버(10)와 또다른 고진공펌프에 의해서 고진공상태가 형성될 수 있으며, 웨이퍼가 일정기간 대기하는 로드락챔버(12)가 연결되어 있다. 상기 공정챔버(10)와 로드락챔버(12) 사이에는 웨이퍼가 출입할 수 있는 웨이퍼 출입문(16)이 형성되어 있으며, 상기 로드락챔버(12) 내부에는 다수의 웨이퍼가 적재되며, 상하운동을 수행할 수 있는 보트(20)가 위치하는 웨이퍼 저장챔버(18)가 구성되어 있다.
그리고, 상기 로드락챔버(12) 일측 상부에는 통과되는 가스의 압력을 조절할 수 있는 확산필터(30)가 설치되어 있고, 상기 확산필터(30) 하부에는 통과되는 가스가 가장자리방향으로 분산될 수 있도록 가스의 흐름을 제어하는 분산판(32)이 상기 확산필터(30)와 이격된 위치에 다수의 연결봉(31)에 의해서 연결되어 있다.
또한, 상기 확산필터(30)와 질소가스 등의 퍼지가스가 저장된 퍼지가스공급원(22)이 배관라인에 의해서 연결되어 있다.
그리고, 상기 로드락챔버(12)의 웨이퍼 저장챔버(18) 하부에 공정챔버(10)에서 유입된 부식성, 유독성 등의 성질을 가진 식각가스 등을 배기할 수 있는 배기라인(34)이 형성되어 있다. 상기 배기라인(34) 상에는 배기가스의 흐름을 기준으로 아이솔레이션 밸브(36) 및 펌핑동작을 수행하는 송풍기(38)가 설치되어 있다. 또한, 상기 배기라인(34)의 단부와 산배기라인(44)이 고무호스(42)에 의해서 연결되어 있다.
그리고, 상기 로드락챔버(12)와 대기압상태의 카세트 대기챔버(14)가 연결되어 있다. 상기 로드락챔버(12)와 카세트 대기챔버(14) 사이에는 웨이퍼가 출입할 수 있는 슬릿밸브(24)가 설치되어 있다. 상기 슬릿밸브(24)와 상기 배기라인(34) 상에 설치된 아이솔레이션 밸브(36)는 개폐동작을 동시에 수행할 수 있도록 되어 있다.
그리고, 상기 카세트 대기챔버(14) 내부에는 상하운동을 수행할 수 있는 카세트로딩 스테이지(26)가 설치되어 있다. 상기 카세트 대기챔버(14) 일측에는 카세트가 출입할 수 있는 카세트 출입문(28)이 형성되어 있다.
따라서, 식각공정이 진행될 다수의 웨이퍼가 적재된 카세트가 카세트 출입문(28)을 통해서 카세트 대기챔버(14) 내부의 카세트로딩 스테이지(26) 상에 위치하면, 상기 카세트로딩 스테이지(26)는 슬릿밸브(24) 위치까지 상승하게 된다.
그리고, 상기 카세트 내부에 적재된 웨이퍼는 로봇암 등에 의해서 슬릿밸브(24)를 통하여 보트(20)에 순차적으로 이송된다.
이때, 상기 슬릿밸브(24)가 개방되면, 배기라인(34) 상에 설치된 아이솔레이션 밸브(36)도 개방되고, 송풍기(38)가 동작됨에 따라 선행된 공정의 진행에 의해서 공정챔버(10)에서 로드락챔버(12)로 유입된 부식성, 유독성 등의 성질을 가진 식각가스 등은 배기라인(34), 고무호스(42) 및 산배기라인(44)을 통해서 외부로 배기된다.
이후, 슬릿밸브(24)가 폐쇄되면, 배기라인(34) 상에 설치된 아이솔레이션 밸브(36)도 폐쇄되고, 고진공펌프의 펌핑동작에 의해서 로드락챔버(12)의 기압상태는 고진공상태로 변환된다.
그리고, 상기 로드락챔버(12)의 기압상태가 고진공상태로 변환되면, 또다른 로봇암 등에 의해서 웨이퍼는 웨이퍼 출입문(16)을 통해서 공정챔버(10)로 이송되어 식각가스를 사용한 식각공정이 진행된다.
그리고, 공정이 진행된 웨이퍼는, 웨이퍼 출입문(16)을 통해서 고진공상태의 로드락챔버(12)로 다시 이송된다. 이후, 로드락챔버(12)의 기압상태가 대기압상태로 전환되면, 공정이 진행된 상기 웨이퍼는, 슬릿밸브(24)를 통하여 카세트 대기챔버(14)로 이송되어 카세트에 적재되고, 카세트에 적재된 웨이퍼는 다시 카세트 출입문(28)을 통해서 외부로 방출된다.
상기 슬릿밸브(24)가 개방될 때, 배기라인(34) 상에 설치된 아이솔레이션 밸브(36)는 개방되고, 송풍기(38)가 동작된다. 이에 따라, 웨이퍼 출입문(16) 개폐동작시, 공정챔버(10)에서 로드락챔버(12)로 유입된 식각가스 등은 배기라인(34), 고무호스(42) 및 산배기라인(44)을 통해서 외부로 방출된다.
그리고, 상기 로드락챔버(12) 내부로는 항상 퍼지가스공급원(22)에서 공급되는 질소가스 등의 퍼지가스가 로드락챔버(12) 상부에 설치된 확산필터(30)를 통과하며 1차적으로 특정압력으로 조절되고, 다시 확산필터(30)와 이격된 분산판(32)과 부딛히며 2차적으로 압력이 조절된 후, 로드락챔버(12)로 공급된다.
이에 따라, 상기 웨이퍼 출입문(16)의 개폐동작시, 공정챔버(10)와 로드락챔버(12) 사이의 기압차에 의해서 발생된 와류에 의해서 식각공정 진행에 발생된 공정부산물이 공정챔버(10)에서 로드락챔버(18)로 유입되는 것을 방지하며, 로드락챔버(18) 내부에 축적된 공정부산물이 퍼지가스의 공급압력에 의해서 부유되어 보트(20)에 적재된 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지한다.
따라서, 본 발명에 의하면 공정챔버 내부에서 발생된 공정부산물이 로드락챔버 하부에 축적되나, 퍼지가스 등의 퍼지가스가 로드락챔버 상부에서 확산필터를 통과한 후, 분산판의 가장자리부위를 통해서 일정압력 및 일정방향으로 로드락챔버 내부로 공급되므로 로드락챔버 하부에 축적된 공정부산물이 부유되어 식각공정이 진행될 웨이퍼를 오염시키는 것을 방지할 수 있는 효과가 있다.
또한, 로드락챔버와 카세트 대기챔버 사이에 설치된 슬릿밸브가 개폐동작을 수행할 때, 배기라인 상에 설치된 송풍기의 펌핑동작에 의해서 공정챔버에서 로드락챔버 내부로 유입된 부식성, 유독성 등의 성질을 가진 식각가스가 배기라인을 통해서 외부로 배기됨으로 인해서 상기 식각가스가 슬릿밸브를 통과하여 카세트 대기챔버 및 식각설비 주변부를 오염시키는 문제점을 해결할 수 있는 효과가 있다.
이상에서 본 발명은 기재된 구체예에 대해서만 상세히 설명되었지만 본 발명의 기술사상 범위 내에서 다양한 변형 및 수정이 가능함은 당업자에게 있어서 명백한 것이며, 이러한 변형 및 수정이 첨부된 특허청구범위에 속함은 당연한 것이다.
Claims (7)
- 식각가스를 사용한 식각공정이 진행되는 공정챔버와 상기 식각공정이 진행될 웨이퍼가 대기하며, 웨이퍼가 출입할 수 있는 슬릿밸브가 설치된 로드락챔버가 구비되는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비에 있어서,상기 로드락챔버 상부에 퍼지가스공급원에서 공급되는 퍼지가스가 일정압력 및 일정방향으로 분사될 수 있는 가스분사수단이 설치되고, 상기 로드락챔버 일측에 상기 공정챔버에서 유출된 가스를 펌핑할 수 있는 펌핑수단 이 설치된 배기라인이 더 설치됨을 특징으로 하는 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비.
- 제 1 항에 있어서,상기 가스분사수단은, 서로 이격된 확산필터 및 분산판으로 이루어짐을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비.
- 제 2 항에 있어서,상기 펌핑수단으로서 송풍기가 사용됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비.
- 제 3 항에 있어서,상기 배기라인 상에 배기가스의 흐름을 기준으로 상기 송풍기 전단에 밸브가 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비.
- 제 4 항에 있어서,상기 밸브는 상기 로드락챔버에 설치된 슬릿밸브와 동시에 개폐동작을 수행하도록 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비.
- 제 1 항에 있어서,상기 퍼지가스로 질소가스를 사용함을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비.
- 제 1 항에 있어서,상기 배기라인은 상기 로드락챔버 하부에 설치됨을 특징으로 하는 상기 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비.
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|---|---|---|---|
| KR1019970019341A KR19980083863A (ko) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비 |
Applications Claiming Priority (1)
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| KR1019970019341A KR19980083863A (ko) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비 |
Publications (1)
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|---|---|
| KR19980083863A true KR19980083863A (ko) | 1998-12-05 |
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Family Applications (1)
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|---|---|---|---|
| KR1019970019341A KR19980083863A (ko) | 1997-05-19 | 1997-05-19 | 반도체장치 제조용 플라즈마 식각설비 |
Country Status (1)
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|---|---|
| KR (1) | KR19980083863A (ko) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR19990084600A (ko) * | 1998-05-08 | 1999-12-06 | 윤종용 | 로드 락 챔버를 갖는 반도체장치 |
| KR100489638B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2005-08-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치제조설비의건식식각설비 |
| KR101341429B1 (ko) * | 2012-01-31 | 2013-12-13 | 주식회사 에스에프에이 | 기판 처리용 진공장치 |
-
1997
- 1997-05-19 KR KR1019970019341A patent/KR19980083863A/ko not_active Application Discontinuation
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100489638B1 (ko) * | 1998-03-12 | 2005-08-31 | 삼성전자주식회사 | 반도체장치제조설비의건식식각설비 |
| KR19990084600A (ko) * | 1998-05-08 | 1999-12-06 | 윤종용 | 로드 락 챔버를 갖는 반도체장치 |
| KR101341429B1 (ko) * | 2012-01-31 | 2013-12-13 | 주식회사 에스에프에이 | 기판 처리용 진공장치 |
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Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| WITN | Withdrawal due to no request for examination |