KR100829364B1 - 정전척 세정을 위한 공정 챔버 및 방법 - Google Patents

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Abstract

본 발명은 정전척 세정을 위한 공정 챔버 및 방법을 개시한다. 이에 의하면, 에칭 챔버의 하부 챔버 내에 정전척 세정용 노즐부를 설치함으로써 상기 에칭 챔버의 가동을 중단시키지 않은 채 정전척 캐소드부 상에 부착되는 불순물을 용이하게 제거시킨다. 그 결과, 상기 정전척 캐소드부의 상부면 표면에 웨이퍼가 항상 완전히 밀착되므로 상기 정전척 캐소드부의 통로를 통하여 순환되는 헬륨(He)과 같은 냉각 매체가 상기 상부 챔버의 내부 공간으로 다량 누설되거나 상기 정전척 캐소드부의 상부면 표면에 방전 현상에 의한 손상이 발생하는 불량 현상이 방지될 수 있다.
따라서, 에칭 공정의 신뢰성 및 생산성을 향상시키고 또한 설비의 가동율을 향상시킨다. 더욱이, 상기 정전척 캐소드부의 세정에 따른 작업자의 인력 낭비가 방지 가능하고, 또한 상기 정전척 캐소드부의 심각한 오염이 예방하므로 상기 정전척 캐소드부와 같은 부품의 교체에 따른 부품 비용의 상승을 억제할 수 있다.

Description

정전척 세정을 위한 공정 챔버 및 방법{Process Chamber And Method For Cleaning Electrostatic Chuck}
도 1은 일반적인 공정 챔버의 요부를 나타낸 단면 구조도.
도 2는 본 발명에 의한 정전척 세정을 위한 공정 챔버의 요부를 절단한 구성도.
도 3a는 도 2의 질소 노즐부가 정전척 캐소드부의 세정 및 비세정 때에 각각 위치하는 지점을 나타낸 평면도.
도 3b는 도 2의 질소 노즐부가 정전척 캐소드부의 세정을 나타낸 단면도.
도 4는 본 발명에 의한 정전척 세정을 위한 방법을 나타낸 플로우차트.
본 발명은 공정 챔버에 관한 것으로, 더욱 상세하게는 공정 챔버의 가동을 중단시키지 않으면서도 공정 챔버의 정전척을 용이하게 세정하도록 한 정전척 세정을 위한 공정 챔버 및 방법에 관한 것이다.
일반적으로, 반도체 제조 공정의 하나인 에칭 공정은 습식 에칭 공정과 건식 에칭 공정으로 구분된다. 상기 건식 에칭 공정은 통상 '에칭 챔버'라고 불리는 독립된 진공 상태의 공간에서 진행된다.
일반적인 에칭 챔버는 도 1에 도시된 바와 같이 구성된다. 도 1에서 에칭 챔버(100)는 상부 챔버(110)와 하부 챔버(120)로 이루어진다. 상기 상부 챔버(110)의 본체(111)의 측벽에 공정 가스를 균일한 분산을 위해 가스 노즐 구(113)가 각각 일정 간격을 두고 형성된다. 상기 상부 챔버(110)의 커버체(115)가 세라믹 재질의 돔 형상의 중앙부를 갖는다. 상기 하부 챔버(120)의 본체(121)의 저면 중앙부에 정전척 캐소드부(123)의 수직 승강을 위한 캐소드 승강부(125)가 수직 관통하여 설치된다. 정전척 캐소드부(123)는 에칭 처리할 웨이퍼(도시 안됨)를 고정시킨다. 상기 정전척 캐소드부(123)가 최상 위치에서 상기 본체(111)의 저면 개구부(117)를 밀봉시킨다. 상기 하부 챔버(120)의 본체(121)의 측벽 및 상기 정전척 캐소드부(123)의 내부에 헬륨(He)과 같은 냉각 매체의 흐름을 위한 통로(127)가 형성된다. 또한, 상기 웨이퍼(도시 안됨)의 수직 승강을 위해 상기 정전척 캐소드부(123)의 정해진 부분에 웨이퍼 승강핀(128)이 각각 일정 간격을 두고 수직 관통하여 설치되고 아울러 상기 하부 챔버(120)의 본체의 내측 저면부에 상기 승강핀(128)을 수직 승강시키기 위한 승강핀 승강부(129)가 설치된다. 또한, 상기 상부 챔버(110)의 내부 압력은 상기 본체(111)의 개구부(119)를 밀봉시키도록 설치된, 상기 트로틀밸브를 갖는 폐루프 압력 제어 시스템(도시 안됨)에 의해 제어된다. 설명의 편의상 도시하지 않았으나, 상기 에칭 챔버의 외측에 플라즈마의 발생을 위한 플라즈마 발생 장치가 설 치되어 있다.
이와 같이 구성된 종래의 에칭 챔버의 경우, 도 1에 도시된 바와 같이, 상기 상부 챔버(110)의 내부 공간에서 실질적인 에칭 처리가 진행되는 동안에는 상기 정전척 캐소드부(123)가 최상 위치에서 상기 상부 챔버(110)의 본체(111)의 저면 개구부(117)를 밀봉시킨 상태를 계속 유지한다. 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면에 웨이퍼(도시 안됨)가 고정된다.
상기 웨이퍼의 에칭 처리가 완료되고 나면, 상기 캐소드 승강부(125)가 수직 하강함에 따라 상기 정전척 캐소드부(123)도 수직 하강한다. 이때, 상기 정전척 캐소드부(123)는 상기 웨이퍼의 이송을 위해 상기 하부 챔버(120)와 트랜스퍼 챔버(도시 안됨) 사이의 웨이퍼 진출/진입구의 레벨까지 하강한다.
상기 정전척 캐소드부(123)의 하강이 완료되면, 상기 승강핀 승강부(129)가 수직 상승하고, 상기 승강핀 승강부(129)의 승강핀 접촉부(129a)가 상기 승강핀(128)을 수직 상승시킨다. 따라서, 상기 승강핀(128)이 상기 웨이퍼를 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면으로부터 일정 거리를 두고 이격시킨다.
이후, 상기 웨이퍼 진출/진입구의 도아가 개방되고 상기 트랜스퍼 챔버의 웨이퍼 이송용 로봇이 상기 웨이퍼 진출/진입구를 거쳐 상기 웨이퍼를 상기 트랜스퍼 챔버로 이송함으로써 상기 웨이퍼가 최종적으로 웨이퍼 카세트(도시 안됨)로 이송된다.
그런 다음, 상기 로봇이 에칭 처리를 위한 또 다른 웨이퍼를 상기 웨이퍼 카세트로부터 상기 웨이퍼 진출/진입구를 거쳐 상기 정전척 캐소드부(123)의 승강핀(128)에 올려놓고 원래의 위치로 되돌아간 후 상기 웨이퍼 진출/진입구의 도아가 폐쇄된다. 이어서, 상기 승강핀 접촉부(129a)가 상기 승강핀 승강부(129)의 하강에 의해 하강하고 상기 승강핀(128)도 하강한다. 따라서, 상기 웨이퍼가 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면에 고정된다.
이후, 상기 캐소드 승강부(125)가 최상 위치까지 수직 상승함으로써 상기 상부 챔버(110)의 본체(111)의 저면 개구부(117)를 밀봉시킨다. 이러한 상태에서 실질적인 에칭 공정이 진행된다.
이러한 일련의 과정이 반복 진행됨으로써 상기 웨이퍼 카세트의 웨이퍼가 모두 에칭 처리된다.
그런데, 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면에 상기 불순물이 존재하는 경우, 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면에 놓여진 웨이퍼는 상기 표면에 완전히 밀착되지 못하고 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면으로부터 들어올려진 상태가 된다. 그러므로, 상기 정전척 캐소드부(123)의 통로(127)를 통하여 순환되는 헬륨(He)과 같은 냉각 매체가 상기 상부 챔버(110)의 내부 공간으로 다량 누설되거나 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면에 방전 현상에 의한 손상이 발생한다. 그 결과, 이러한 상태에서는 더 이상 에칭 공정을 정상적으로 진행하기가 불가능하다. 따라서, 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면에는 어떠한 불순물이 존재하지 않는 깨끗한 상태를 유지하고 있어야 한다.
하지만, 실제로는 에칭 공정이 진행됨에 따라 여러 가지 부산물이 폴리머 형태로 상기 상부 챔버(110)의 본체(111)의 내벽에 두껍게 부착되고, 상기 부산물의 일부는 공정 시간이 길어짐에 따라 상기 본체(111)의 내벽으로부터 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면에 떨어지거나, 상기 에칭 공정의 이전 단계에서 상기 웨이퍼의 후면에 부착되었던 불순물이 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면에 떨어질 가능성이 높다.
그러나, 종래에는 상기 하부 챔버(120)의 내부에 정전척 세정부가 존재하지 않기 때문에 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면을 세정하기 위해서는 상기 에칭 챔버의 가동을 중단시키고 상기 정전척 캐소드부(123)를 분리한 후 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면을 세정하지 않으면 안된다. 이는 상기 에칭 챔버의 가동율 저하를 가져오고 나아가 생산성 저하를 가져온다. 또한, 상기 정전척 캐소드부(123)의 세정에 따른 작업자의 인력이 많이 소요된다.
더욱이, 상기 정전척 캐소드부(123)의 오염이 심각하면, 기존의 오염된 정전척 캐소드부(123)를 새로운 정전척 캐소드부로 교체하여야 한다. 이는 부품의 빈번한 교체에 따른 부품 비용의 상승이 불가피하다.
이러한 현실을 감안하여 상기 정전척 캐소드부의 상부면 표면으로부터 불순물을 용이하게 제거시키기 위한 요구가 증대되고 있는 실정이다.
따라서, 본 발명은 에칭 챔버의 정전척 캐소드부의 상부면 표면으로부터 불순물을 용이하게 제거시킴으로써 에칭 공정의 신뢰성을 향상시키는데 있다.
본 발명의 다른 목적은 정전척 캐소드부의 손상을 방지하는데 있다.
이와 같은 목적을 달성하기 위한 본 발명에 의한 정전척 세정을 위한 공정 챔버는
상부 챔버와 하부 챔버를 갖는 공정 챔버; 상기 상부 챔버의 저면 개구부를 밀봉시키며, 공정 처리할 웨이퍼를 정전기적으로 고정하는 정전척 캐소드부; 상기 정전척 캐소드부에 체결되어 상기 정전척 캐소드부를 수직 승강시키는 캐소드 승강부; 및 상기 수직 하강한 정전척 캐소드부를 세정 가스의 분사에 의해 세정하는 정전척 세정부를 포함하는 것을 특징으로 한다.
바람직하게는, 상기 정전척 세정부는 상기 하부 챔버 내에 설치되어, 상기 세정 가스를 분사하는 노즐부; 상기 노즐부에 연통하여 상기 노즐부로 상기 세정 가스를 공급하는 세정 가스 공급관; 및 상기 세정 가스 공급관을 수평 회전시킴으로써 상기 노즐부를 수평 회동시키는 회전 구동부를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 세정 가스가 질소 가스일 수 있다.
바람직하게는, 상기 공정 챔버가 에칭 챔버일 수 있다.
또한, 이와 같은 목적을 달성하기 위한 정전척 세정을 위한 방법은
하부 챔버 내의 정전척 캐소드부 상에 웨이퍼를 고정시킨 상태에서 상부 챔버의 저면 개구부를 상기 정전척 캐소드부에 의해 밀봉시킨 후 상기 웨이퍼를 공정 처리하는 단계; 상기 정전척 캐소드부를 수직 하강시키고 상기 공정 처리된 웨이퍼를 언로딩하는 단계; 상기 정전척 캐소드부에 새로이 공정 처리할 웨이퍼를 로딩하 는 단계; 및 상기 웨이퍼의 로딩 및 언로딩 단계 사이에서 상기 정전척 캐소드부를 상기 하부 챔버 내의 노즐부에 의해 하향 분사된 세정 가스로 세정시키는 단계를 포함할 수 있다.
바람직하게는, 상기 정전척 캐소드부의 세정 때에 상기 노즐부를 상기 정전척 캐소드부 상으로 이동시키고 상기 정전척 캐소드부의 비세정 때에 상기 노즐부를 상기 정전척 캐소드부의 외측으로 이동시킬 수 있다.
바람직하게는, 상기 세정 가스로서 질소 가스를 사용할 수 있다.
바람직하게는, 상기 웨이퍼를 에칭 처리할 수 있다.
이하, 본 발명에 의한 정전척 세정을 위한 공정 챔버 및 방법을 첨부된 도면을 참조하여 상세히 설명하기로 한다. 종래의 부분과 동일 구성 및 동일 작용의 부분에는 동일 부호를 부여한다.
도 2는 본 발명에 의한 정전척 세정을 위한 공정 챔버의 요부를 절단한 구성도이고, 도 3a는 도 2의 질소 노즐부가 정전척 캐소드부의 세정 및 비세정 때에 각각 위치하는 지점을 나타낸 평면도이고, 도 3b는 도 2의 질소 노즐부가 정전척 캐소드부의 세정을 나타낸 단면도이다.
도 2를 참조하면, 본 발명의 공정 챔버의 하나인 에칭 챔버(200)는 상부 챔버(110)와 하부 챔버(120) 및 정전척 세정부(130)를 포함하여 구성된다. 상기 상부 챔버(110)의 본체(111)의 측벽에 공정 가스를 균일한 분산을 위해 가스 노즐 구(113)가 각각 일정 간격을 두고 형성된다. 상기 상부 챔버(110)의 커버체(115)가 세라믹 재질의 돔 형상의 중앙부를 갖는다. 상기 하부 챔버(120)의 본체(121)의 저면 중앙부에 정전척 캐소드부(123)의 수직 승강을 위한 캐소드 승강부(125)가 수직 관통하여 설치된다. 정전척 캐소드부(123)는 에칭 처리할 웨이퍼(도시 안됨)를 고정시킨다. 상기 정전척 캐소드부(123)가 최상 위치에서 상기 본체(111)의 저면 개구부(117)를 밀봉시킨다. 상기 하부 챔버(120)의 본체(121)의 측벽 및 상기 정전척 캐소드부(123)의 내부에 헬륨(He)과 같은 냉각 매체의 흐름을 위한 통로(127)가 형성된다. 또한, 상기 웨이퍼(도시 안됨)의 수직 승강을 위해 상기 정전척 캐소드부(123)의 정해진 부분에 웨이퍼 승강핀(128)이 각각 일정 간격을 두고 수직 관통하여 설치되고 아울러 상기 하부 챔버(120)의 본체의 내측 저면부에 상기 승강핀(128)을 수직 승강시키기 위한 승강핀 승강부(129)가 설치된다. 또한, 상기 상부 챔버(110)의 내부 압력은 상기 본체(111)의 개구부(119)를 밀봉시키도록 설치되는 상기 트로틀밸브를 갖는 폐루프 압력 제어 시스템(도시 안됨)에 의해 제어된다. 설명의 편의상 도시하지 않았으나, 상기 에칭 챔버의 외측에 플라즈마의 발생을 위한 플라즈마 발생 장치가 설치되어 있다.
또한, 상기 정전척 세정부(130)에서는 세정 가스를 분사하기 위한 노즐부(131)가 상기 하부 챔버(120)의 본체(121)의 저면부를 관통하여 상기 하부 챔버(12)의 내부 공간에 배치되고, 상기 노즐부(131)에 세정 가스를 공급하기 위한 세정 가스 공급관(133)이 연통되고, 상기 세정 가스 공급관(133)의 일부분에 상기 세정 가스 공급관(133)을 수평 왕복 회전시키기 위한 회전 구동부, 예를 들어 스텝 모터(135)가 설치되고, 상기 세정 가스 공급관(133)의 일부분에 세정 가스 공급을 차단하기 위한 개폐용 밸브(V)가 설치된다.
여기서, 상기 노즐부(131)는 도 3a 및 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 정전척 캐소드부(123)의 세정 때에 상기 정전척 캐소드부(123) 상에 배치되고 세정 가스, 예를 들어 질소(N2) 가스가 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면으로 하향 분사된다. 이때, 상기 노즐부(131)는 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면 전체를 세정하기 위해 상기 스텝 모터(135)에 의해 수평 회동된다.
따라서, 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면이 세정되고 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면 상의 불순물이 진공 라인(도시 안됨)을 거쳐 배기된다. 상기 노즐부(131)는 상기 정전척 캐소드부(123)의 비세정 때에 도 3에서 점선으로 표시된 바와 같이, 상기 정전척 캐소드부(123)의 외측부에 배치된다.
이와 같이 구성되는 본 발명의 반도체 제조 장치용 에칭 챔버의 경우, 도 4에 도시된 바와 같이, 단계(S10)에서는 상기 상부 챔버(110)의 내부 공간에서 실질적인 에칭 처리가 진행되는 동안에는 상기 정전척 캐소드부(123)가 최상 위치에서 상기 상부 챔버(110)의 본체(111)의 저면 개구부(117)를 밀봉시킨 상태를 계속 유지한다. 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면에는 웨이퍼(도시 안됨)가 정전기적으로 고정된다.
단계(S20)에서는 상기 웨이퍼의 에칭 처리가 완료되고 나면, 상기 캐소드 승강부(125)가 수직 하강함에 따라 상기 정전척 캐소드부(123)도 수직 하강한다. 이때, 상기 정전척 캐소드부(123)는 상기 웨이퍼의 이송을 위해 상기 하부 챔버(120) 와 트랜스퍼 챔버(도시 안됨) 사이의 웨이퍼 진출/진입구의 레벨까지 하강한다.
단계(S30)에서는 상기 정전척 캐소드부(123)의 하강이 완료되면, 상기 승강핀 승강부(129)가 수직 상승하고, 상기 승강핀 승강부(129)의 승강핀 접촉부(129a)가 상기 승강핀(128)을 수직 상승시킨다. 따라서, 상기 승강핀(128)이 상기 웨이퍼를 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면으로부터 일정 거리를 두고 이격시킨다.
단계(S40)에서는 이후, 상기 웨이퍼 진출/진입구의 도아가 개방되고 상기 트랜스퍼 챔버의 웨이퍼 이송용 로봇이 상기 정전척 캐소드부(123)로부터 이격된 상기 웨이퍼를 상기 진출/진입구를 거쳐 상기 트랜스퍼 챔버로 언로딩한다. 상기 웨이퍼는 최종적으로 웨이퍼 카세트(도시 안됨)로 이송된다.
단계(S50)에서는 그런 다음, 상기 정전척 세정부(130)의 노즐부(131)가 도 3a에서 점선으로 표시된 바와 같이, 상기 정전척 캐소드부(123)의 외측부에서 상기 정전척 캐소드부(123)의 중심부로 수평 이동한다. 이는 상기 스텝 모터(135)가 상기 노즐부(131)에 연통된 상기 세정 가스 공급관(133)을 수평 회전시키기 때문에 가능하다. 여기서, 상기 노즐부(131)는 도 3b에 도시된 바와 같이, 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면 상에 일정 거리를 두고 이격한다.
이러한 상태에서 상기 세정 가스 공급관(133)의 개폐용 밸브(V)가 일정 시간동안 개방되면, 세정 가스, 예를 들어 질소(N2) 가스가 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면으로 하향 분사되므로 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면 상의 불순물이 진공 라인(도시 안됨)을 거쳐 배기된다. 이때, 상기 노즐부(131)는 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면 전체를 세정하기 위해 상기 스텝 모터(135)에 의해 수평 회동되는 것이 바람직하다. 따라서, 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면이 세정된다. 한편, 설명의 편의상 상기 정전척 캐소드부(123)가 하강할 때마다 세정하는 것을 기준으로 설명하였으나, 상기 정전척 캐소드부(123)가 임의의 횟수만큼 하강하였을 때마다 세정하는 것도 가능함은 자명한 사실이다.
따라서, 본 발명은 상기 상부 챔버(110)의 본체(111)의 내벽에 두껍게 부착된 부산물의 일부가 상기 본체(111)의 내벽으로부터 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면에 떨어지거나, 상기 에칭 공정의 이전 단계에서 상기 웨이퍼의 후면에 부착되었던 불순물이 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면에 떨어지는 경우가 발생하더더라도 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면을 상기 정전척 세정부(130)에 의해 세정시킨다.
따라서, 본 발명은 종래와 달리 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면을 세정하는 동안에도 상기 에칭 챔버의 가동을 중단시키고 상기 정전척 캐소드부(123)를 분리하지 않아도 좋다. 이는 상기 에칭 챔버의 가동율 상승을 가져오고 나아가 생산성 향상을 가져온다. 더욱이, 상기 정전척 캐소드부(123)의 세정에 따른 작업자의 인력 낭비가 방지 가능하다.
또한, 본 발명은 상기 정전척 캐소드부(123)의 심각한 오염을 예방하므로 정전척 캐소드부(123)와 같은 부품의 교체에 따른 부품 비용의 상승을 억제할 수 있 다.
더욱이, 본 발명은 상기 정전척 캐소드부(123)에 불순물이 없는 상태에서 상기 웨이퍼를 에칭 처리하므로 에칭 공정의 신뢰성을 향상시킬 수가 있다.
이후, 상기 밸브(V)가 폐쇄되고, 상기 회전 구동부(135)가 상기 노즐부(131)를 수평 회전시킴으로써 상기 정전척 캐소드부(123)의 중심부에서 외측부로 원위치시킨다.
단계(S60)에서는 이어서, 상기 트랜스퍼 챔버의 웨이퍼 이송용 로봇이 상기 웨이퍼 진출/진입구를 거쳐 새로이 에칭 처리할 또 다른 웨이퍼를 상기 승강핀(128)에 로딩하고 난 다음 원래의 위치로 되돌아가고 상기 웨이퍼 진출/진입구의 도아가 폐쇄된다. 이후, 상기 승강핀 승강부(129)가 수직 하강하고, 이에 연동하여 상기 승강핀(128)도 수직 하강한다. 따라서, 상기 웨이퍼가 상기 정전척 캐소드부(123)의 상부면 표면에 정전기적으로 고정된다.
단계(S70)에서는 그런 다음, 상기 캐소드 승강부(125)가 수직 상승함에 따라 상기 정전척 캐소드부(123)도 최상 위치에서 수직 상승한다. 따라서, 상기 정전척 캐소드부(123)가 상기 상부 챔버(110)의 본체(111)의 저면 개구부(117)를 밀봉시킨 다. 이후, 상기 상부 챔버(110)의 내부 공간에서 실질적인 에칭 처리가 진행될 수가 있다.
한편, 본 발명은 에칭용 공정 챔버를 기준으로 설명하였으나 그 이외 공정 챔버에도 적용할 수 있음은 자명한 사실이다.
이상에서 상세히 설명한 바와 같이, 본 발명에 의한 정전척 세정을 위한 공정 챔버 및 방법은 에칭 챔버의 하부 챔버 내에 정전척 세정용 노즐부를 설치함으로써 상기 에칭 챔버의 가동을 중단시키지 않은 채 정전척 캐소드부 상에 부착되는 불순물을 용이하게 제거시킨다. 그 결과, 상기 정전척 캐소드부의 상부면 표면에 웨이퍼가 항상 완전히 밀착되므로 상기 정전척 캐소드부의 통로를 통하여 순환되는 헬륨(He)과 같은 냉각 매체가 상기 상부 챔버의 내부 공간으로 다량 누설되거나 상기 정전척 캐소드부의 상부면 표면에 방전 현상에 의한 손상이 발생하는 불량 현상이 방지될 수 있다.
따라서, 에칭 공정의 신뢰성 및 생산성을 향상시키고 또한 설비의 가동율을 향상시킨다. 더욱이, 상기 정전척 캐소드부의 세정에 따른 작업자의 인력 낭비가 방지 가능하다. 또한, 상기 정전척 캐소드부의 심각한 오염이 예방하므로 상기 정전척 캐소드부와 같은 부품의 교체에 따른 부품 비용의 상승을 억제할 수 있다.
한편, 본 발명은 도시된 도면과 상세한 설명에 기술된 내용에 한정하지 않으며 본 발명의 사상을 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 형태의 변형도 가능함은 이 분야에 통상의 지식을 가진 자에게는 자명한 사실이다.

Claims (9)

  1. 상부 챔버(110)와 하부 챔버(120)를 갖는 공정 챔버;
    상기 상부 챔버(110)의 저면 개구부를 밀봉시키며, 공정 처리할 웨이퍼를 정전기적으로 고정하는 정전척 캐소드부(123);
    상기 정전척 캐소드부(123)에 체결되어 상기 정전척 캐소드부(123)를 수직 승강시키는 캐소드 승강부(125); 및
    상기 수직 하강한 정전척 캐소드부(123)를 세정 가스의 분사에 의해 세정하는 정전척 세정부(130)를 포함하고,
    상기 정전척 세정부(130)는,
    상기 하부 챔버(120) 내에 설치되어, 상기 세정 가스를 분사하는 노즐부(131);
    상기 노즐부(131)에 연통하여 상기 노즐부(131)로 상기 세정 가스를 공급하는 세정 가스 공급관(133); 및
    상기 세정 가스 공급관(133)을 수평 회전시킴으로써 상기 노즐부(131)를 수평 회동시키는 회전 구동부를 포함하는 것을 특징으로 하는 정전척 세정을 위한 공정 챔버.
  2. 삭제
  3. 제 1 항에 있어서, 상기 세정 가스가 질소 가스인 것을 특징으로 하는 정전 척 세정을 위한 공정 챔버.
  4. 제 1 항에 있어서, 상기 공정 챔버가 에칭 챔버인 것을 특징으로 하는 정전척 세정을 위한 공정 챔버.
  5. 하부 챔버(120) 내의 정전척 캐소드부(123) 상에 웨이퍼를 고정시킨 상태에서 상부 챔버(110)의 저면 개구부를 상기 정전척 캐소드부(123)에 의해 밀봉시킨 후 상기 웨이퍼를 공정 처리하는 단계;
    상기 정전척 캐소드부(123)를 수직 하강시키고 상기 공정 처리된 웨이퍼를 언로딩하는 단계;
    상기 정전척 캐소드부(123)에 새로이 공정 처리할 웨이퍼를 로딩하는 단계; 및
    상기 웨이퍼의 로딩 및 언로딩 단계 사이에서 상기 정전척 캐소드부(123)를 상기 하부 챔버(120) 내의 노즐부(131)에 의해 하향 분사된 세정 가스로 세정시키는 단계를 포함하고,
    상기 세정 때에 상기 노즐부(131)를 회동시키는 것을 특징으로 하는 정전척 세정을 위한 방법.
  6. 제5항에 있어서, 상기 정전척 캐소드부(123)의 세정 때에 상기 노즐부(131)를 상기 정전척 캐소드부(123) 상으로 이동시키고 상기 정전척 캐소드부(123)의 비세정 때에 상기 노즐부(131)를 상기 정전척 캐소드부(123)의 외측으로 이동시키는 것을 특징으로 하는 정전척 세정을 위한 방법.
  7. 제 5 항에 있어서, 상기 세정 가스로서 질소 가스를 사용하는 것을 특징으로 하는 정전척 세정을 위한 방법.
  8. 제 5 항에 있어서, 상기 웨이퍼를 에칭 처리하는 것을 특징으로 하는 정전척 세정을 위한 방법.
  9. 삭제
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