JP2003229477A - 標準製造インターフェイス装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 ポッド内への半導体ウェハからの汚染を防止
し、清浄な状態で半導体ウェハを保管することができる
標準製造インターフェイス装置を提供する。 【解決手段】 ポッド上部３には、取っ手部３ａと、キ
ャリア２の連結部２ｂを固定するための固定部３ｂとが
ある。ポッド下部４には、不活性ガスを導入するための
導入孔４ａを有するガス導入部４ｂと、雰囲気ガスを排
出するための排出孔４ｃを有するガス排出部４ｄとがあ
る。ポッド支持部７には、ガス導入部４ｂに不活性ガス
を供給するための供給孔７ａと、ガス排出部４ｄから雰
囲気ガスを排出するための排出孔７ｂとがある。そし
て、不活性ガスは、供給孔７ａからガス導入部４ｂに供
給された後、導入孔４ａからポッド６内に導入される。
また、ポッド６内の雰囲気ガスは、排出孔４ｃからガス
排出部４ｄに接続されているポッド支持部７の排出孔７
ｂを通じて排出される。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
プロセスで用いられる標準製造インターフェイス装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】近年、半導体装置の製造プロセスにおい
ては、微細化が進むにつれて製造工場への設備投資が増
大してきており、設備投資の削減が求められてきてい
る。

【０００３】特に、半導体装置の製造は、半導体基板上
へのパーティクル汚染を防止するため、特別に設計した
クリーンルーム内で行われているが、このクリーンルー
ムは、クリーン度を高くするほど保守を含めた費用がか
かりすぎるため、クリーンルームへの投資の削減が求め
られている。その方法の一つとして、クリーンルーム全
体のクリーン度を下げることによりクリーンルームへの
投資を削減し、その代わりに、クリーン度が必要な半導
体基板は、限られた空間内のみのクリーン度を保つこと
ができる標準製造インターフェイス装置を用いて、保
管、搬送する方法が提案されてきている。

【０００４】図３は、従来の標準製造インターフェイス
装置の構成を示す側面断面図である。この標準製造イン
ターフェイス装置は、半導体ウェハ５０を保持するため
のキャリア５１と、キャリア５１の上方及び側方を覆う
ようにボックス形状のポッド上部５２と、キャリア５１
の下方を覆うように平板形状のポッド下部５３と、ポッ
ド上部５２とポッド下部５３との間の気密性を確保する
ためのシール部材５４とを備えている。

【０００５】この従来の標準製造インターフェイス装置
は、製造途中の半導体ウェハ５０をキャリア５１に収納
した後、このキャリア５１をポッド上部５２とポッド下
部５３とを合わせることによって構成されるポッド５５
内部の空間に保管する。このように、ポッド上部５２と
ポッド下部５３とで構成される限られた空間内部にキャ
リア５１を保管し、これを一体として、半導体装置の製
造工程間の移送や、製造工程間の待機に用いることによ
り、製造工程間のクリーンルーム内のクリーン度を下げ
ることができるので、クリーンルームへの投資を削減す
ることができる。

【０００６】

【発明が解決しようとする課題】ところが、図３に示す
ような従来の標準製造インターフェイス装置では、ある
工程の処理を終了した半導体ウェハ５０をポッド上部５
２とポッド下部５３の中に完全に密閉してしまうので、
汚染のある工程を処理した半導体ウェハ５０を格納した
場合、半導体ウェハ５０に付着している汚染物質によっ
てポッド５５の内壁面が汚染される。そのため、次の工
程で半導体ウェハ５０を清浄し、再度ポッド５５内に半
導体ウェハ５０を格納した時に、既に汚染されているポ
ッド５５の内壁面から半導体ウェハ５０に汚染が戻って
しまうことがあるので、完成した半導体装置の信頼性低
下を招くということが課題であった。例えば、塩素系の
ガスを用いたドライエッチにより、埋め込み分離用溝を
形成した直後の半導体ウェハ５０をポッド５５内に保管
すると、ドライエッチ工程で半導体ウェハ５０に付着し
た塩素系のガスによってポッド５５の内壁面が汚染さ
れ、次の工程で半導体ウェハ５０を洗浄した後、再びポ
ッド５５に格納した時に、ポッド５５の内壁面が塩素系
のガスによって汚染されているため、半導体ウェハ５０
が再び汚染される。

【０００７】本発明の目的は、ポッド内への半導体ウェ
ハからの汚染を防止し、清浄な状態で半導体ウェハを保
管することができる標準製造インターフェイス装置を提
供することにある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の第１の標準製造
インターフェイス装置は、ポッド上部とポッド下部から
なるポッドと、前記ポッド内に保管する半導体ウェハを
保持するためのキャリアとを備え、前記ポッド上部に前
記キャリアが固定できる。

【０００９】この構成により、ポッド上部及びキャリア
を一体化し、ポッド上部及びキャリアは同じものを用
い、半導体ウェハの所望の保管状態に応じたポッド下部
に変えることにより、半導体ウェハの保管状態を容易に
変えることができる。

【００１０】上記第１の標準製造インターフェイス装置
において、前記ポッド下部は、前記ポッド内に保管用雰
囲気ガスを導入するための導入孔を有するガス導入部
と、前記ポッド内から前記雰囲気ガスを排出するための
排出孔を有するガス排出部とを有している。

【００１１】また、上記第１の標準製造インターフェイ
ス装置において、前記ポッドを支持するポッド支持部を
備え、前記ポッド支持部は、前記ポッド下部の前記ガス
導入部に前記雰囲気ガスを供給するための供給孔と、前
記ポッド下部の前記ガス排出部から前記雰囲気ガスを排
出するための排出孔とを有している。

【００１２】また、上記第１の標準製造インターフェイ
ス装置において、前記ポッド下部は、前記ポッド内に溶
液を導入するための導入孔を有する導入部と、前記ポッ
ド内から前記溶液を排出するための排出孔とを有してい
る。

【００１３】また、上記第１の標準製造インターフェイ
ス装置において、前記ポッドを支持するポッド支持部を
備え、前記ポッド支持部は、前記ポッド下部の前記導入
部に前記溶液を供給するための供給孔と、前記ポッド下
部の前記排出孔から前記溶液を排出するための排出孔と
を有している。

【００１４】本発明の第２の標準製造インターフェイス
装置は、ポッド上部とポッド下部からなるポッドと、前
記ポッド内に保管する半導体ウェハを保持するためのキ
ャリアと、前記ポッドを支持するポッド支持部とを備
え、前記ポッド下部は、前記ポッド内に保管用雰囲気ガ
スを導入するための導入孔を有するガス導入部と、前記
ポッド内から前記雰囲気ガスを排出するための排出孔を
有するガス排出部とを有し、前記ポッド支持部は、前記
ポッド下部の前記ガス導入部に前記雰囲気ガスを供給す
るための供給孔と、前記ポッド下部の前記ガス排出部か
ら前記雰囲気ガスを排出するための排出孔とを有してい
る。

【００１５】この構成により、ガス導入部に設けられた
導入孔からポッド内部に保管用雰囲気ガスを導入し、ガ
ス排出部に設けられた排出孔からポッド内部の雰囲気ガ
スを排出することができる。これにより、例えば塩素系
の汚染物質が残存している半導体ウェハをポッド内に保
管しても、次の洗浄工程までの間は、常にポッド内を保
管用雰囲気ガスが循環しているので、半導体ウェハ上に
残存している汚染物質によるポッド内部への汚染を防止
することができる。従って、次工程の洗浄工程で清浄な
状態にされた半導体ウェハをポッド内に再び保管して
も、従来のようにポッドからの汚染がないため、信頼性
の高い半導体装置を製造することができる。

【００１６】本発明の第３の標準製造インターフェイス
装置は、ポッド上部とポッド下部からなるポッドと、前
記ポッド内に保管する半導体ウェハを保持するためのキ
ャリアと、前記ポッドを支持するポッド支持部とを備
え、前記ポッド下部は、前記ポッド内に溶液を導入する
ための導入孔を有する導入部と、前記ポッド内から前記
溶液を排出するための排出孔とを有し、前記ポッド支持
部は、前記ポッド下部の前記導入部に前記溶液を供給す
るための供給孔と、前記ポッド下部の前記排出孔から前
記溶液を排出するための排出孔とを有している。

【００１７】この構成により、ポッド下部の導入部に設
けられた導入孔からポッド内部に溶液を導入し、ポッド
内部の溶液をポッド下部に設けられた排出孔からポッド
支持部に設けられた排出孔を通じて排出することができ
る。これにより、例えば塩素系の汚染物質が残存してい
る半導体ウェハをポッド内に保管しても、ポッド内部に
導入される溶液によって清浄されるため、半導体ウェハ
上に残存している汚染物質によるポッド内部への汚染を
防止することができる。従って、半導体装置の製造工程
間の搬送中にこの標準製造インターフェイス装置を用い
て半導体ウェハの洗浄工程を行うことができるため、信
頼性の高い半導体装置を製造することができ、且つ、半
導体装置製造のＴＡＴの短縮を図ることができる。

【００１８】

【発明の実施の形態】（第１の実施形態）図１は、本発
明の第１の実施形態に係る標準製造インターフェイス装
置の構成を示す側面断面図である。

【００１９】この標準製造インターフェイス装置は、複
数の半導体ウェハ１を保持するためのキャリア２と、キ
ャリア２の上方及び側方を覆うようにボックス形状のポ
ッド上部３と、キャリア２の下方を覆うように一部が平
板形状になっているポッド下部４と、ポッド上部３とポ
ッド下部４との間の気密性を確保するための第１のシー
ル部材５と、ポッド６（ポッド上部３及びポッド下部
４）を支持するポッド支持部７と、ポッド下部４とポッ
ド支持部７との間の気密性を確保するための第２のシー
ル部材８とを備えている。そして、各構成部材は、下記
のような構成を有している。

【００２０】キャリア２は、半導体ウェハ１の周縁部を
保持し、且つ、複数の半導体ウェハ１を垂直方向に一定
間隔をもって保持できる複数の溝部２ａを側部に有し、
ポッド上部３に連結固定するための連結部２ｂを上部に
有している。

【００２１】ポッド上部３は、上部外側に取っ手部３ａ
を有し、上部内側にはキャリア２の連結部２ｂを固定す
るための固定部３ｂを有している。

【００２２】ポッド下部４は、ポッド６内に不活性ガス
を導入するための導入孔４ａを有するガス導入部４ｂ
と、ポッド６内から雰囲気ガスを排出するための排出孔
４ｃを有するガス排出部４ｄとを有している。そして、
ガス導入部４ｂとガス排出部４ｄは、キャリア２の側方
に互いに対向するように配置されている。

【００２３】ポッド支持部７は、ポッド下部４のガス導
入部４ｂに不活性ガスを供給するための供給孔７ａと、
ポッド下部４のガス排出部４ｄから雰囲気ガスを排出す
るための排出孔７ｂとを有している。

【００２４】そして、ポッド支持部７上にポッド６を載
置した時に、供給孔７ａからガス導入部４ｂに不活性ガ
スが供給され、導入孔４ａからポッド６内に不活性ガス
が導入されるように配置されており、また、ポッド６内
の雰囲気ガスは排出孔４ｃからガス排出部４ｄに接続さ
れているポッド支持部７の排出孔７ｂを通じて排出され
るように配置されている。そして、ポッド支持部７の供
給孔７ａとポッド下部４のガス導入部４ｂとの接続箇
所、及び、ポッド支持部７の排出孔７ｂとポッド下部４
のガス排出部４ｄとの接続箇所は、第２のシール部材８
によって密閉するため、導入する不活性ガスや排出する
雰囲気ガスが標準製造インターフェイス装置の外部に漏
れることはない。

【００２５】上記標準製造インターフェイス装置を用い
て、ドライエッチングした半導体ウェハの保管方法につ
いて説明する。

【００２６】まず、半導体ウェハ１上に所望のレジスト
パターンを形成した後、レジストパターンをマスクにし
て塩素系のガスを用いたドライエッチにより、半導体ウ
ェハ１を所定の深さまでエッチングして埋め込み分離用
溝を形成する。このとき、半導体ウェハ１には、塩素系
の汚染物質が残存した状態になる。

【００２７】次に、塩素系の汚染物質が残存している半
導体ウェハ１をキャリア２に収納した後、移載機により
ポッド上部３の固定部３ｂに、キャリア２の連結部２ｂ
を固定する。

【００２８】次に、同じく移載機により、ポッド下部４
上にキャリア２が固定されたポッド上部３を載置し、第
１のシール部材５によってポッド６内部を密閉する。

【００２９】次に、ポッド支持部７上にポッド６を載置
する。このとき、ポッド支持部７の供給孔７ａとポッド
下部４のガス導入部４ｂ、及び、ポッド支持部７の排出
孔７ｂとポッド下部４のガス排出部４ｄとがそれぞれ接
続できるように載置し、第２のシール部材８によってそ
れぞれの接続箇所を密閉する。

【００３０】次に、ポッド支持部７の供給孔７ａからガ
ス導入部４ｂに不活性ガスを供給して導入孔４ａからポ
ッド６内部に不活性ガスを導入し、ガス排出部４ｄに設
けられた排出孔４ｃからポッド６内部の雰囲気ガスをポ
ッド支持部７の排出孔７ｂを通じて排出する。

【００３１】このとき、ポッド支持部７上にポッド下部
４を載置した後、導入孔４ａから不活性ガスを噴出状態
とし、一方、排出孔４ｃから雰囲気ガスを排出状態にし
て、キャリア２の固定されたポッド上部３をポッド下部
４上に載置してもよい。このようにすると、ポッド６内
部の汚染をさらに低減することができる。

【００３２】上記第１の実施形態において、ポッド支持
部７は、ポッド６を搬送するためのレールとなっていて
も良い。また、供給孔７ａとの接続箇所に近いポッド下
部４のガス導入部４ｂ、又は、排出孔７ｂとの接続箇所
に近いポッド下部４のガス排出部４ｄに圧力調整弁（図
示せず）を設けることにより、ポッド６内の圧力をクリ
ーンルーム内よりも高く保てるようにしても良い。これ
により、ポッド６内の清浄度をさらに高く保つことがで
きる。

【００３３】この第１の実施形態の構成によれば、ガス
導入部４ｂに設けられた導入孔４ａからポッド６内部に
不活性ガスを導入し、ガス排出部４ｄに設けられた排出
孔４ｃからポッド６内部の雰囲気ガスを排出することが
できる。これにより、例えば塩素系の汚染物質が残存し
ている半導体ウェハ１をポッド６内に保管しても、次の
洗浄工程までの間は、常にポッド６内を不活性ガスが循
環し置換されるので、半導体ウェハ１上に残存している
汚染物質によるポッド６内部への汚染を防止することが
できる。

【００３４】さらに、キャリア２をポッド上部３に固定
することにより、キャリア２が直接ポッド下部４上に載
置されず浮いた状態になる。これにより、キャリア２の
下部領域において不活性ガスの澱みを防止することがで
きる。

【００３５】従って、次工程の洗浄工程で清浄な状態に
された半導体ウェハ１をポッド６内に再び保管しても、
従来のようにポッド６からの汚染がないため、信頼性の
高い半導体装置を製造することができる。

【００３６】（第２の実施形態）図２は、本発明の第２
の実施形態に係る標準製造インターフェイス装置の構成
を示す側面断面図である。

【００３７】この標準製造インターフェイス装置は、複
数の半導体ウェハ１を保持するためのキャリア２と、キ
ャリア２の上方及び側方を覆うようにボックス形状のポ
ッド上部３と、キャリア２の下方を覆うように一部が平
板形状になっているポッド下部９と、ポッド上部３とポ
ッド下部９との間の気密性を確保するための第１のシー
ル部材５と、ポッド１０（ポッド上部３及びポッド下部
９）を支持するポッド支持部１１と、ポッド下部９とポ
ッド支持部１１との間の気密性を確保するための第２の
シール部材８とを備えている。そして、各構成部材は、
下記のような構成を有している。

【００３８】キャリア２は、半導体ウェハ１の周縁部を
保持し、且つ、複数の半導体ウェハ１を垂直方向に一定
間隔をもって保持できる複数の溝部２ａを側部に有し、
ポッド上部３に連結固定するための連結部２ｂを上部に
有している。

【００３９】ポッド上部３は、上部外側に取っ手部３ａ
を有し、上部内側にはキャリア２の連結部２ｂを固定す
るための固定部３ｂを有している。

【００４０】ポッド下部９は、ポッド１０内に洗浄水を
導入するための導入孔９ａを有する導入部９ｂと、ポッ
ド１０内から洗浄水を排出するための排出孔９ｃを有す
る。そして、導入部９ｂは、円筒形状を有しキャリア２
の側面を取り囲むように配置されており、排出孔９ｃは
キャリア２の下方に位置するように設けられている。

【００４１】ポッド支持部１１は、ポッド下部９の導入
部９ｂに洗浄水を供給するための供給孔１１ａと、ポッ
ド下部９から洗浄水を排出するための排出孔１１ｂとを
有している。

【００４２】そして、ポッド支持部１１上にポッド１０
を載置した時に、供給孔１１ａから導入部９ｂに洗浄水
が供給され、導入孔９ａからポッド１０内に洗浄水が導
入されるように配置されており、また、ポッド１０内の
洗浄水はポッド下部９の排出孔９ｃに接続されているポ
ッド支持部１１の排出孔１１ｂを通じて排出されるよう
に配置されている。そして、ポッド支持部１１の供給孔
１１ａとポッド下部９のガス導入部９ｂとの接続箇所、
及び、ポッド支持部１１の排出孔１１ｂとポッド下部９
の排出孔９ｃとの接続箇所は、第２のシール部材８によ
って密閉するため、洗浄水が標準製造インターフェイス
装置の外部に漏れることはない。

【００４３】上記標準製造インターフェイス装置を用い
て、ドライエッチングした半導体ウェハの保管方法につ
いて説明する。

【００４４】まず、半導体ウェハ１上に所望のレジスト
パターンを形成した後、レジストパターンをマスクにし
て塩素系のガスを用いたドライエッチにより、半導体ウ
ェハ１を所定の深さまでエッチングして埋め込み分離用
溝を形成する。このとき、半導体ウェハ１には、塩素系
の汚染物質が残存した状態になる。

【００４５】次に、塩素系の汚染物質が残存している半
導体ウェハ１をキャリア２に収納した後、移載機により
ポッド上部３の固定部３ｂに、キャリア２の連結部２ｂ
を固定する。

【００４６】次に、同じく移載機により、ポッド下部９
上にキャリア２が固定されたポッド上部３を載置し、第
１のシール部材５によってポッド１０内部を密閉する。

【００４７】次に、ポッド支持部１１上にポッド１０を
載置する。このとき、ポッド支持部１１の供給孔１１ａ
とポッド下部９の導入部９ｂ、及び、ポッド支持部１１
の排出孔１１ｂとポッド下部９の排出孔９ｃとがそれぞ
れ接続できるように載置し、第２のシール部材８によっ
てそれぞれの接続箇所を密閉する。

【００４８】次に、ポッド支持部１１の供給孔１１ａか
ら導入部９ｂに洗浄水を供給して導入孔９ａからポッド
１０内部に洗浄水を導入し、キャリア２の下方のポッド
下部９に設けられた排出孔９ｃからポッド１０内部の洗
浄水をポッド支持部１１の排出孔１１ｂを通じて排出す
る。

【００４９】上記第２の実施形態において、ポッド支持
部１１は、ポッド１０を搬送するためのレールとなって
いても良い。

【００５０】この第２の実施形態の構成によれば、導入
部９ｂに設けられた導入孔９ａからポッド１０内部に洗
浄水を導入し、ポッド１０内部の洗浄水をポッド下部９
に設けられた排出孔９ｃからポッド支持部１１に設けら
れた排出孔１１ｂを通じて排出することができる。これ
により、例えば塩素系の汚染物質が残存している半導体
ウェハ１をポッド１０内に保管しても、ポッド１０内部
に導入される洗浄水によって清浄されるため、半導体ウ
ェハ１上に残存している汚染物質によるポッド１０内部
への汚染を防止することができる。

【００５１】さらに、キャリア２をポッド上部３に固定
することにより、キャリア２が直接ポッド下部９上に載
置されず浮いた状態になる。これにより、キャリア２の
下部領域において洗浄水の澱みを防止することができ
る。しかも、ポッド１０内は洗浄水により清浄されるた
め、ポッド１０内の清浄度を高く保つことができる。

【００５２】従って、半導体装置の製造工程間の搬送中
に半導体ウェハの洗浄工程を行うことができるため、信
頼性の高い半導体装置を製造することができ、且つ、半
導体装置製造のＴＡＴの短縮を図ることができる。

【００５３】また、上記第１及び第２の実施形態に示す
ように、ポッド上部の固定部にキャリアの連結部を固定
することにより、容易にポッド下部を工程毎に取り変え
ることができる。すなわち、ポッド上部及びキャリアは
同じものを用い、ポッド下部を変えることにより、半導
体ウェハを不活性ガス中で保管したり、洗浄水で洗浄し
たり、あるいは、酸素やオゾン雰囲気中で保管すること
により半導体ウェハに表面保護膜となる自然酸化膜を形
成したりすることができるので、プロセスフローが非常
に柔軟となり、工程間の移送時間を半導体ウェハの清浄
時間に使用することができるので、工程時間の削減を図
ることができる。

【００５４】

【発明の効果】本発明の第１の標準製造インターフェイ
ス装置によれば、ポッド上部にキャリアを固定し一体化
することにより、同じポッド上部及びキャリアを用いな
がら、処理目的に応じた異なった構造のポッド下部を容
易に用いることができる。これにより、半導体装置製造
のＴＡＴの短縮を図ることができる。

【００５５】また、第２の標準製造インターフェイス装
置によれば、ガス導入部に設けられた導入孔からポッド
内部に保管用雰囲気ガスを導入し、ガス排出部に設けら
れた排出孔からポッド内部の雰囲気ガスを排出すること
ができる構成により、ポッド内が保管用雰囲気ガスによ
って置換されるので、半導体ウェハ上に残存している汚
染物質によるポッド内部への汚染を防止することができ
る。

【００５６】また、第３の標準製造インターフェイス装
置によれば、ポッド下部の導入部に設けられた導入孔か
らポッド内部に溶液を導入し、ポッド内部の溶液をポッ
ド下部に設けられた排出孔からポッド支持部に設けられ
た排出孔を通じて排出することができる構成により、半
導体ウェハがポッド内部に導入される溶液によって清浄
されるため、半導体ウェハ上に残存している汚染物質に
よるポッド内部への汚染を防止することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の第１の実施形態に係る標準製造インタ
ーフェイス装置の構成を示す側面断面図

【図２】本発明の第２の実施形態に係る標準製造インタ
ーフェイス装置の構成を示す側面断面図

【図３】従来の標準製造インターフェイス装置の構成を
示す側面断面図

【符号の説明】

１ 半導体ウェハ ２ キャリア ２ａ 溝部 ２ｂ 連結部 ３ ポッド上部 ３ａ 取っ手部 ３ｂ 固定部 ４ ポッド下部 ４ａ 導入孔 ４ｂ ガス導入部 ４ｃ 排出孔 ４ｄ ガス排出部 ５ 第１のシール部材 ６ ポッド ７ ポッド支持部 ７ａ 供給孔 ７ｂ 排出孔 ８ 第２のシール部材 ９ ポッド下部 ９ａ 導入孔 ９ｂ 導入部 ９ｃ 排出孔 １０ ポッド １１ ポッド支持部 １１ａ 供給孔 １１ｂ 排出孔

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き Ｆターム(参考） 3E067 AA11 AB41 AC04 BA01B BA01C EC35 EE59 FA04 FC01 GA19 GA30 3E096 AA06 AA13 BA16 BB03 BB08 CA01 CA08 CB03 DA05 DA30 DB06 FA01 FA22 GA05 5F031 CA02 DA01 DA09 EA14 EA18 EA20 MA32 NA01 NA02 NA04 NA15 NA17

Claims (7)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 ポッド上部とポッド下部からなるポッド
   と、前記ポッド内に保管する半導体ウェハを保持するた
   めのキャリアとを備え、 前記ポッド上部に前記キャリアが固定できることを特徴
   とする標準製造インターフェイス装置。
2. 【請求項２】 請求項１記載の標準製造インターフェイ
   ス装置において、 前記ポッド下部は、前記ポッド内に保管用雰囲気ガスを
   導入するための導入孔を有するガス導入部と、前記ポッ
   ド内から前記雰囲気ガスを排出するための排出孔を有す
   るガス排出部とを有していることを特徴とする標準製造
   インターフェイス装置。
3. 【請求項３】 請求項２記載の標準製造インターフェイ
   ス装置において、 前記ポッドを支持するポッド支持部を備え、 前記ポッド支持部は、前記ポッド下部の前記ガス導入部
   に前記雰囲気ガスを供給するための供給孔と、前記ポッ
   ド下部の前記ガス排出部から前記雰囲気ガスを排出する
   ための排出孔とを有していることを特徴とする標準製造
   インターフェイス装置。
4. 【請求項４】 請求項１記載の標準製造インターフェイ
   ス装置において、 前記ポッド下部は、前記ポッド内に溶液を導入するため
   の導入孔を有する導入部と、前記ポッド内から前記溶液
   を排出するための排出孔とを有していることを特徴とす
   る標準製造インターフェイス装置。
5. 【請求項５】 請求項４記載の標準製造インターフェイ
   ス装置において、 前記ポッドを支持するポッド支持部を備え、 前記ポッド支持部は、前記ポッド下部の前記導入部に前
   記溶液を供給するための供給孔と、前記ポッド下部の前
   記排出孔から前記溶液を排出するための排出孔とを有し
   ていることを特徴とする標準製造インターフェイス装
   置。
6. 【請求項６】 ポッド上部とポッド下部からなるポッド
   と、前記ポッド内に保管する半導体ウェハを保持するた
   めのキャリアと、前記ポッドを支持するポッド支持部と
   を備え、 前記ポッド下部は、前記ポッド内に保管用雰囲気ガスを
   導入するための導入孔を有するガス導入部と、前記ポッ
   ド内から前記雰囲気ガスを排出するための排出孔を有す
   るガス排出部とを有し、 前記ポッド支持部は、前記ポッド下部の前記ガス導入部
   に前記雰囲気ガスを供給するための供給孔と、前記ポッ
   ド下部の前記ガス排出部から前記雰囲気ガスを排出する
   ための排出孔とを有していることを特徴とする標準製造
   インターフェイス装置。
7. 【請求項７】 ポッド上部とポッド下部からなるポッド
   と、前記ポッド内に保管する半導体ウェハを保持するた
   めのキャリアと、前記ポッドを支持するポッド支持部と
   を備え、 前記ポッド下部は、前記ポッド内に溶液を導入するため
   の導入孔を有する導入部と、前記ポッド内から前記溶液
   を排出するための排出孔とを有し、 前記ポッド支持部は、前記ポッド下部の前記導入部に前
   記溶液を供給するための供給孔と、前記ポッド下部の前
   記排出孔から前記溶液を排出するための排出孔とを有し
   ていることを特徴とする標準製造インターフェイス装
   置。