KR20070101500A - 반도체 제조설비 - Google Patents

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KR20070101500A
KR20070101500A KR1020060032573A KR20060032573A KR20070101500A KR 20070101500 A KR20070101500 A KR 20070101500A KR 1020060032573 A KR1020060032573 A KR 1020060032573A KR 20060032573 A KR20060032573 A KR 20060032573A KR 20070101500 A KR20070101500 A KR 20070101500A
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김종인
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삼성전자주식회사
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Abstract

본 발명은 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비에 관한 것이다. 본 발명에 따른 상기 반도체 제조설비는, 반도체 제조공정이 수행되는 공정 챔버; 상기 공정챔버의 하단에 형성되어 웨이퍼를 지지하는 척; 상기 척의 둘레에서 승하강되면서 상기웨이퍼를 외부로부터 독립시키도록 형성된 링씰; 상기 링씰을 지지하고 승하강시키도록 형성된 복수개의 실린더; 상기 복수개의 실린더에 에어를 공급하거나, 배기시키는 에어 공급부 및 에어 배기부; 및 상기 에어 공급부 및 상기 에어 배기부에서 상기 복수개의 실린더에 공급 또는 배기되는 에어를 동일 또는 유사한 유량으로 공급 또는 배기시키기 위해 상기 에어 공급부 및 상기 에어 배기부에서 각기 분기되어 상기 복수개의 실린더에 연결되는 복수개의 튜브를 포함하여 이루어진다.
링씰(ring seal), 에어(air), 실린더, 챔버, 척(chuck)

Description

반도체 제조설비{Equipment for manufacturing semiconductor device}
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도이다.
도 2는 도 1의 링씰 및 실린더를 나타내는 도면이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성단면도이다.
도 4는 도 3의 링씰 및 실린더를 나타내는 도면이다.
* 도면의 주요부분에 대한 부호의 설명 *
110 : 로드락 챔버 120 : 공정 챔버
130 : 실린더 140 : 에어 공급부
150 : 에어 배기부 160 : 에어튜브
본 발명은 반도체 제조설비에 관한 것으로, 상세하게는 웨이퍼의 반도체 제 조공정이 수행되는 공정 챔버를 구비하여 파티클의 오염을 방지토록 할 수 있는 반도체 제조설비에 관한 것이다.
통상적으로, 웨이퍼는 사진, 확산, 식각, 증착, 및 금속 배선 등의 공정이 반복 수행됨에 따라 반도체 소자로 제작된다. 이들 각 공정을 수행하기 위한 반도체 제조설비, 즉, 정렬 노광 설비, 식각 설비, 이온주입 설비, 증착 설비 등은 웨이퍼 상면에 대하여 특정한 방향성을 갖고 있으며, 웨이퍼가 정확히 정렬되지 않은 상태로 로딩(Loading)될 경우, 공정이 정확하게 수행되지 않아 반도체 장치의 각부 형성 및 특성을 변화시키고, 수율(yield)이 저하되는 문제점이 발생된다.
이와 같은 반도체 제조설비의 해당 설비 내부에서 파티클의 존재 또는 대기중의 오염물질은 생산수율에 매우 큰 영향을 미치므로, 설비내부를 높은 청정도로 유지하는 것은 중요하다. 따라서, 종래의 반도체 제조 설비들은 상기 파티클과 같은 오염물질이 최소화된 진공의 분위기에서 공정을 진행하기 위해 외부로부터 밀폐된 공간이 제공되는 공정 챔버(process chamber)를 포함하여 이루어진다. 또한, 종래의 반도체 제조설비는 상기 공정 챔버에 웨이퍼가 투입될 때마다 상압 상태에서 진공압 상태로 펌핑되기 위해서는 불필요한 많은 예비시간이 소요되기 때문에 상기 공정 챔버에 투입될 다수개의 웨이퍼가 탑재되는 웨이퍼 카세트를 위치시켜 상기 공정 챔버와 유사한 진공압 상태로 만드는 로드락 챔버와, 상기 로드락 챔버에 위치된 상기 웨이퍼 카세트에서 상기 웨이퍼를 취출하여 상기 공정 챔버로 이송시키는 로봇암이 설치된 트랜스퍼 챔버를 더 포함하여 이루어진다. 이때, 상기 로드락 챔버 내에 유입된 다수개의 웨이퍼의 반도체 제조공정을 수행하는 상기 공정 챔버 를 복수개로 연동시켜 반도체 제조공정의 효율을 높일 수 있다. 예컨대, 10인치 웨이퍼 제조공정이 진행되는 일반적인 반도체 제조설비의 경우, 복수개의 공정 챔버가 하나의 로드락 챔버와 연동되는 클러스터 타입으로 반도체 제조공정의 효율을 높일 수 있다. 반면, 12인치 웨이퍼 제조공정이 수행되는 종래의 반도체 제조설비의 경우, 공정 챔버당 하나의 로드락 챔버에 연결되도록 형성되어 있다.
이하, 도면을 참조하여 종래 기술에 따른 반도체 제조설비를 설명하면 다음과 같다.
도 1은 종래 기술에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성 단면도이다.
도 1에 도시된 바와 같이, 종래의 반도체 제조설비는, 외부로부터 유입되는 웨이퍼(W)를 일시 대기 또는 저장토록 형성된 로드락 챔버(10)와, 상기 로드락 챔버(10)의 일측에 형성되어 반도체 제조공정을 수행토록 형성된 공정 챔버(20)와, 상기 공정 챔버(20)의 하단에서 상기 웨이퍼(W)를 지지하도록 형성된 척(22)과, 상기 척(22)의 둘레에서 승하강되면서 상기 웨이퍼(W)를 상기 로드락 챔버(10) 또는 외부로부터 독립시키도록 형성된 링씰(24)과, 상기 링씰(24)을 지지하여 승하강시키도록 형성된 복수개의 실린더(30)와, 상기 복수개의 실린더(30)에 에어를 공급하거나, 배기시키는 에어 공급부(40) 및 에어 배기부(50)와, 상기 에어 공급부(40)에서 상기 에어 배기부(50)까지 순차적으로 연결되는 복수개의 에어튜브(60)를 포함하여 구성된다. 도시되지는 않았지만, 상기 로드락 챔버(10)의 내부 상기 공정 챔버(20)의 일측에 형성되어 상기 로드락 챔버(10)와 상기 공정 챔버(20)간에 상기 웨이퍼(W)를 이송하는 클램프를 더 포함하여 구성된다.
여기서, 로드락 챔버(10)는 상기 공정 챔버(20)로 유입되는 외부의 공기를 차단하여 상기 공정 챔버(20)와 외부의 진공을 버퍼링하도록 형성되어 있다. 또한, 상기 로드락 챔버(10)는 외부의 로봇에 의해 내부로 상기 웨이퍼(W)가 유출입되는 유입단을 개폐하는 도어(12)를 포함하여 이루어진다.
상기 공정 챔버(20)는 상기 웨이퍼(W)의 반도체 제조공정이 외부와 격리되어 수행될 수 있도록 상기 로드락 챔버(10)의 내부에서 외부와 독립적으로 형성되어 있다. 또한, 상기 공정 챔버(20)는 상기 웨이퍼(W)의 반도체 제조공정이 수행되는 분위기를 제공한다. 예컨대, 상기 공정 챔버(20)는 상기 웨이퍼(W)의 반도체 제조공정에 사용되는 반응가스를 상기 웨이퍼(W) 상에 분사하는 샤워헤드(26)가 상단에 형성되어 있고, 상기 샤워헤드(26)에 대향되는 상기 공정 챔버(20)의 하단에 상기 척(22)이 형성되어 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 공정 챔버(20) 내부의 공기를 펌핑하는 진공 펌프가 연결되는 배관이 상기 공정 챔버(20)의 하부와 상기 로드락 챔버(10)의 하부에 형성되어 있다.
상기 링씰(24)은 상기 로드락 챔버(10)의 내부에서 상기 웨이퍼(W)의 반도체 제조공정으로부터 발생되는 반응가스의 유출입을 차단하기 위해 상기 로드락 챔버(10)와 상기 공정 챔버(20)를 독립시키도록 형성되어 있다.
도 2는 도 1의 링씰(24) 및 실린더(30)를 나타내는 도면으로서, 상기 링씰(24)은 4개의 상기 실린더(30)에 의해 웨이퍼(W)의 외곽 둘레를 따라 상승하여 상기 공정 챔버(20)의 내벽에 결합되면서 상기 공정 챔버(20)를 상기 로드락 챔 버(10)로부터 독립시키도록 형성되어 있다. 여기서, 복수개의 실린더(30)는 상기 에어 공급부(40)에서 연결된 에어튜브(60)를 통해 공급되는 에어를 순차적으로 배분하여 상기 링씰(24)을 승강시킬 수 있다. 이때, 상기 에어 공급부(40) 및 상기 에어 배기부(50)는 상기 복수개의 실린더(30)에 각기 단독으로 에어튜브(60)에 연결되어 있으며, 상기 복수개의 실린더(30)는 연동되어 서로 직렬로 상기 에어튜브(60)가 연결되어 있다. 또한, 상기 실린더(30)는 상기 에어의 공급에 의해 수축 또는 팽창되는 피스톤(32)와, 상기 에어 공급부(40)에서 공급되는 에어를 유입시키는 유입구(34)와, 상기 에어를 배기시키는 배출구(36)를 포함하여 이루어진다. 예컨대, 상기 에어 공급부(40)는 상기 에어튜브(60)를 통해 공급되는 에어를 단속하는 공급 밸브(42)를 구비하고, 상기 에어 배기부(50)는 상기 에어튜브(60)를 통해 배기되는 에어를 단속하는 배기 밸브(52)를 구비하여 이루어진다.
따라서, 종래의 반도체 제조설비는 에어 공급부(40) 및 에어 배기부(50)에 직렬로 연결된 에어튜브(60)를 통해 복수개의 실린더(30)에 공급 또는 배기되는 에어에 의해 링씰(24)을 승하강시키도록 형성되어 있다.
하지만, 종래 기술에 따른 반도체 제조설비는 다음과 같은 문제점이 있었다.
종래의 반도체 제조설비는 링씰(24)을 승하강시키는 복수개의 실린더(30) 중 어느 하나가 동일한 유격으로 왕복 이동되지 못할 경우, 링씰(24)이 일측으로 기울어져 개폐동작되고, 상기 링씰(24)이 챔버의 내벽에 충돌됨에 따라 파티클이 유발되어 반도체 생산공정의 불량이 발생될 수 있기 때문에 생산수율이 떨어지는 단점이 있었다.
상기와 같은 문제점을 해결하기 위한 본 발명의 목적은, 링씰(24)을 승하강시키는 복수개의 실린더(30) 중 어느 하나가 동일한 유격으로 왕복 이동되지 못하더라도 링씰(24)이 일측으로 기울어져 개폐동작되지 않도록 하고, 상기 링씰(24)이 챔버의 내벽에 충돌됨에 따라 발생되는 파티클의 유발을 방지하고, 반도체 생산공정의 불량을 방지하여 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 반도체 제조설비를 제공하는 데 있다.
상기 목적을 달성하기 위한 본 발명의 양태에 따른 반도체 제조설비는, 반도체 제조공정이 수행되는 공정 챔버; 상기 공정 챔버의 하단에 형성되어 웨이퍼를 지지하는 척; 상기 척의 둘레에서 승하강되면서 상기 웨이퍼를 외부로부터 독립시키도록 형성된 링씰; 상기 링씰을 지지하고 승하강시키도록 형성된 복수개의 실린더; 상기 복수개의 실린더에 에어를 공급하거나, 배기시키는 에어 공급부 및 에어 배기부; 및 상기 에어 공급부 및 상기 에어 배기부에서 상기 복수개의 실린더에 공급 또는 배기되는 에어를 동일 또는 유사한 유량으로 공급 또는 배기시키기 위해 상기 에어 공급부 및 상기 에어 배기부에서 각기 분기되어 상기 복수개의 실린더에 연결되는 복수개의 튜브를 포함함을 특징으로 한다.
이하, 도면을 참조하여 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비를 설명하 면 다음과 같다. 본 발명의 실시예는 여러가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 상술하는 실시예로 인해 한정되어 지는 것으로 해석되어져서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되어지는 것이다. 따라서 도면에서의 요소의 형상은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장되어진 것이다.
도 3은 본 발명의 실시예에 따른 반도체 제조설비를 개략적으로 나타낸 구성단면도이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 외부로부터 유입되는 웨이퍼(W)를 일시 대기 또는 저장토록 형성된 로드락 챔버(110)와, 상기 로드락 챔버(110)의 일측에서 반도체 제조공정이 수행되도록 형성된 공정 챔버(120)와, 상기 공정 챔버(120)의 하단에 형성되어 웨이퍼(W)를 지지하는 척(122)과, 상기 척(122)의 둘레에서 승하강되면서 상기 웨이퍼(W)를 상기 로드락 챔버(110) 또는 외부로부터 독립시키도록 형성된 링씰(124)과, 상기 링씰(124)을 지지하고 승하강시키도록 형성된 복수개의 실린더(130)와, 상기 복수개의 실린더(130)에 에어를 공급하거나, 배기시키는 에어 공급부(140) 및 에어 배기부(150)와, 상기 에어 공급부(140) 및 상기 에어 배기부(150)에서 상기 복수개의 실린더(130)에 공급 또는 배기되는 에어를 동일 또는 유사한 유량으로 공급 또는 배기시키기 위해 상기 에어 공급부(140) 및 상기 에어 배기부(150)에서 각기 분기되어 상기 복수개의 실린더(130)에 병렬로 연결되는 복수개의 에어튜브(160)를 포함하여 구성된다. 도시되지는 않았지만, 상기 로드락 챔버(110)의 내부 상기 공정 챔버(120)의 일측에 형성되어 상기 로드락 챔버(110)의 내부로 유입된 웨이퍼(W)를 파지하고, 상기 로드락 챔버(110)와 상기 공정 챔버(120)간에 상기 웨이퍼(W)를 이송하는 클램프를 더 포함하여 구성된다.
여기서, 상기 로드락 챔버(110)는 상기 공정 챔버(120)에 유출입되는 외부의 공기를 차단하여 상기 공정 챔버(120)에서의 반도체 제조공정이 외부의 영향을 받지 않고 수행되도록 상기 공정 챔버(120)와 외부의 진공을 버퍼링하도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 로드락 챔버(110)는 내부의 공기를 펌핑하는 진공 펌프와 연결되는 배관에 연결되어 있으며, 약 10-3Torr 정도의 저진공으로 펌핑된다. 또한, 상기 로드락 챔버(110)는 외부의 로봇에 의해 내부로 상기 웨이퍼(W)가 유출입되는 유입단을 개폐하는 도어(112)를 포함하여 이루어지며, 상기 도어(112)의 개폐동작은 상기 웨이퍼(W)의 유출입시에만 이루어진다.
상기 공정 챔버(120)는 상기 웨이퍼(W)의 반도체 제조공정이 상기 로드락 챔버(110)와 격리되어 수행될 수 있도록 상기 로드락 챔버(110)의 내부에서 독립적으로 형성되어 있다. 예컨대, 상기 공정 챔버(120)는 로드락 챔버(110) 내의 일측에서 상기 로드락 챔버(110)보다 더 높게 형성되어 있다. 도시되지 않았지만, 상기 공정 챔버(120)는 상기 로드락 챔버(110)에서 상기 클램프에 의해 이송되는 웨이퍼(W)를 지지하도록 상기 척(122)의 상부로 승하강되는 복수개의 리프트 핀을 더 포함하여 이루어진다. 또한, 상기 공정 챔버(120)는 상기 웨이퍼(W)의 반도체 제조공정이 수행되는 분위기를 제공한다. 예컨대, 상기 공정 챔버(120)는 상기 웨이퍼(W)의 반도체 제조공정에 사용되는 반응가스를 상기 웨이퍼(W) 상에 분사하는 샤 워헤드(126)가 상단에 형성되어 있고, 상기 샤워헤드(126)에 대향되는 상기 공정 챔버(120)의 하단에 상기 척(122)이 형성되어 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 공정 챔버(120) 내부의 공기를 펌핑하는 진공 펌프가 연결되는 배관이 상기 공정 챔버(120)의 하부와 상기 로드락 챔버(110)의 하부에 형성되어 있다. 따라서, 공정 챔버(120)는 상기 샤워헤드(126)를 통해 분사되는 반응가스가 상기 웨이퍼(W)의 중심상단에서 가장자리로 유동되면서 상기 웨이퍼(W)의 표면에 형성된 박막을 식각토록 형성되어 있다. 상기 반응가스는 상기 웨이퍼(W) 상에 형성된 박막의 식각특성이 우수한 화합물 가스가 주로 사용되며 플라즈마 반응에 의해 상기 박막의 수직 식각특성을 향상시킬 수도 있다. 도시되지는 않았지만, 상기 공정 챔버(120)는 상기 샤워헤드(126)의 상단에 형성된 상부 전극과, 상기 상부 전극에 대향하여 상기 척(122)의 하단에 형성된 하부 전극으로 이루어진 플라즈마 전극에 인가되는 고주파 파워에 의해 상기 반응가스의 플라즈마 반응을 유도시킬 수 있도록 형성된다. 상기 고주파 파워는 상기 공정 챔버(120)의 외부에 형성된 매칭 박스에서 제어되어 상기 상부 전극 또는 하부 전극을 포함하는 플라즈마 전극에 인가된다. 이때, 상기 플라즈마 전극에 인가되는 플라즈마 반응은 상기 반응가스가 고온에서 전자와 양이온으로 분리되면서 균일하게 혼합되어 상기 웨이퍼(W)의 표면으로 소정의 에너지를 갖고 수직으로 상기 반응가스가 이동되면서 상기 박막의 식각특성을 향상시킬 수 있다. 그러나, 고온의 상기 플라즈마 반응에 의해 상기 웨이퍼(W) 또는 상기 웨이퍼(W)에 형성된 반도체 소자가 열화(heat budget)될 수 있기 때문에 상기 웨이퍼(W)를 냉각시켜야만 한다. 따라서, 상기 척(122)은 상기 웨이퍼(W)를 소정의 힘 으로 고정시키면서 상기 웨이퍼(W)의 후면을 냉각시켜야만 한다. 예컨대, 상기 척(122)은 정전기력으로 상기 웨이퍼(W)를 고정시키는 정전척(122)이 사용되며, 상기 정전척(122)은 상기 웨이퍼(W)의 후면에 접촉되면서 상기 웨이퍼(W)의 후면으로 헬륨과 같은 냉매를 유동시키는 냉매홀이 형성되어 있다.
상기 링씰(124)은 상기 로드락 챔버(110)의 내부에서 상기 웨이퍼(W)의 반도체 제조공정에 사용되는 반응가스 및 반응후가스의 유출입을 차단하기 위해 상기 로드락 챔버(110)와 상기 공정 챔버(120)를 독립시키도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 링씰(124)은 상기 웨이퍼(W)의 외곽을 따라 상기 척(122)의 상부로 상승되면서 상기 챔버의 내벽에 결합되어 상기 웨이퍼(W)가 위치된 상기 공정 챔버(120)의 내부를 밀폐시키도록 형성되어 있다.
도 4는 도 3의 링씰(124) 및 실린더(130)를 나타내는 도면으로서, 상기 링씰(124)은 상기 에어 공급부(140)에서 공급되는 공기가 복수개의 실린더(130)에 각기 별도로 공급되어 상기 에어 배기부(150)로 배기되도록 상기 에어튜브(160)가 상기 에어 공급부(140) 및 에어 배기부(150)에서 상기 복수개의 실린더(130)에 병렬로 연결되어 있다.
여기서, 상기 링씰(124)은 내면이 상기 척(122)의 외주면에서 슬라이딩되면서 승하강되고, 상기 링씰(124)의 내면과 상기 척(122)의 외주면으로 공기가 누설되지 않도록 씰링된다. 도시되지는 않았지만, 상기 링씰(124) 하단의 말단부에는 상기 척(122)의 외주면과 밀착되도록 형성된 고무 재질의 오링이 형성되어 있다. 예컨대, 상기 링씰(124)은 상기 링씰(124)이 상승하여 접촉되는 상기 공정 챔 버(120)의 내벽과, 상기 척(122) 상단까지의 거리에 대응되는 높이를 갖도록 형성된다. 또한, 상기 링씰(124)은 높이에 대응되는 거리만큼 상기 실린더(130)에 의해 승하강된다. 상기 링씰(124)은 4개의 상기 실린더(130)에 의해 웨이퍼(W)의 외곽 둘레를 따라 상승하여 상기 공정 챔버(120)의 내벽에 결합되면서 상기 공정 챔버(120)를 상기 로드락 챔버(110)로부터 독립시키도록 형성되어 있다.
상기 복수개의 실린더(130)는 상기 에어 공급부(140)에서 공급되는 에어의 공급량에 따라 일정한 거리만큼 팽창되는 피스톤(132)을 구비하며, 상기 복수개의 피스톤(132)이 상기 링씰(124)을 승하강시키도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 복수개의 실린더(130)는 공압 실린더(130)로 이루어지며, 펌프 따위에서 피스톤(132)이 왕복운동을 하는 부분으로 상기 실린더(130)는 내열·내식성(耐蝕性)이 요구되며 보통 알루미늄 합금과 같은 금속 재질로 제조된다. 또한, 실린더(130)는 상기 에어 공급부(140)에서 공급되는 에어를 유입시키는 유입구(134)와, 상기 유입구(134)를 통해 상기 실린더(130)의 내부로 유입된 공기를 배기하는 배출구(136)를 포함하여 이루어진다. 따라서, 상기 복수개의 실린더(130)는 유입구(134)를 통해 내부로 유입된 에어의 유량에 의해 상기 피스톤(132)의 팽창거리가 결정되며, 상기 배출구(136)를 통해 배출되는 에어의 유량에 의해 상기 피스톤(132)의 수축거리가 결정된다.
상기 에어 공급부(140)에서 각기 분기되어 상기 복수개의 실린더(130) 유입구(134)에 연결된 에어튜브(160)는 소정 공압을 이겨낼 수 있는 인장강도를 갖도록 형성되어 있다. 상기 복수개의 실린더(130) 배출구(136)에 연결되어 상기 에어 배 기부(150)에 병합되는 에어튜브(160) 또한 마찬가지의 인장강도를 갖도록 형성되어 있다. 예컨대, 상기 에에튜브는 약 5mm정도의 내경을 갖는 공압 튜브를 포함하여 이루어진다.
상기 에어 공급부(140)는 소정의 압력을 갖는 에어를 상기 실린더(130)에 공급한다. 예컨대, 상기 에어 공급부(140)는 약 30기압 정도의 압력을 갖는 공압을 공급토록 형성되어 있다. 또한, 상기 에어 공급부(140)는 상기 공압을 단속하는 적어도 하나이상의 공급 밸브(142)를 더 포함하여 이루어진다.
상기 에어 배기부(150)는 상기 실린더(130)에 공급된 에어를 배출토록 형성되어 있다. 또한, 상기 에어 배기부(150)는 상기 에어를 단속하여 배출토록 형성된 적어도 하나이상의 배기 밸브(152)를 더 포함하여 이루어진다.
이때, 상기 배기 밸브(152)와 상기 공급 밸브(142)는 서로 배타적으로 개폐동작된다. 즉, 상기 배기 밸브(152)가 닫혀지면 상기 공급 밸브(142)가 열려지면서 상기 피스톤(132)이 상승하여 상기 링씰(124)이 상승되고, 상기 공급 밸브(142)가 닫혀지면 상기 배기 밸븍 열려지면서 상기 피스톤(132)이 하강하여 상기 링씰(124)이 하강된다. 예컨대, 상기 공급 밸브(142)와 배기 밸브(152)는 외부에서 인가되는 전기적인 제어신호에 의해 개폐동작되는 솔레노이드 밸브를 포함하여 이루어진다.
따라서, 상기 공급 밸브(142)와 배기 밸브(152)는 상기 복수개의 실린더(130)에 각기 개별적으로 연결된 에어튜브(160)를 통해 상기 복수개의 실린더(130)에 에어를 동일 또는 유사한 유량으로 공급하거나 배기토록 할 수 있다. 이때, 상기 복수개의 실린더(130)에 공급되거나 배기되는 동일 또는 유사한 유량의 에어에 의해 상기 복수개의 실린더(130)에서 수축 또는 팽창되는 복수개의 피스톤(132)의 이동거리가 서로 동일 또는 유사하기 때문에 상기 복수개의 피스톤(132)에 연결되어 승하강되는 링씰(124)이 수평으로 이동될 수 있다.
또한, 상기 링씰(124)이 일측으로 기울어지지 않고 수평으로 이동됨으로서 상기 링씰(124)이 상기 챔버의 내벽에 충돌되는 것을 방지토록 하고, 종래 상기 챔버의 내벽과 상기 링씰(124)의 충돌에 의해 유발되던 파티클을 방지토록 할 수 있다.
그리고, 상기 링씰(124)에 연결된 복수개의 실린더(130) 중 어느 하나의 유격이 달라지더라도, 유격이 달라진 실린더(130)에 인접하는 복수개의 실린더(130)에 의해 상기 링씰(124) 수평상태를 갖고 승하강될 수 있다.
따라서, 본 발명에 따른 반도체 제조설비는 에어 공급부(140) 및 에어 배기부(150)에서 각기 분기되어 복수개의 실린더(130)에 병렬로 연결된 에어튜브(160)를 구비하여 링씰(124)을 승하강시키는 복수개의 실린더(130) 중 어느 하나가 동일한 유격으로 왕복 이동되지 못하더라도 링씰(124)이 일측으로 기울어져 개폐 동작되지 않도록 하고, 상기 링씰(124)이 챔버의 내벽에 충돌됨에 따라 발생되는 파티클의 유발을 방지하여 반도체 생산공정의 불량을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있다.
또한, 상기한 실시예의 설명은 본 발명의 더욱 철저한 이해를 제공하기 위하여 도면을 참조로 예를 든 것에 불과하므로, 본 발명을 한정하는 의미로 해석되어서는 안될 것이다. 그리고, 본 발명의 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 있 어 본 발명의 기본적 원리를 벗어나지 않는 범위 내에서 다양한 변화와 변경이 가능함은 물론이다.
상술한 바와 같이 본 발명에 의하면, 에어 공급부 및 에어 배기부에서 각기 분기되어 복수개의 실린더에 병렬로 연결된 에어튜브를 구비하여 링씰을 승하강시키는 복수개의 실린더 중 어느 하나가 동일한 유격으로 왕복 이동되지 못하더라도 링씰이 일측으로 기울어져 개폐 동작되지 않도록 하고, 상기 링씰이 챔버의 내벽에 충돌됨에 따라 발생되는 파티클의 유발을 방지하여 반도체 생산공정의 불량을 방지할 수 있기 때문에 생산수율을 증대 또는 극대화할 수 있는 효과가 있다.

Claims (2)

  1. 반도체 제조공정이 수행되는 공정 챔버;
    상기 공정 챔버의 하단에 형성되어 웨이퍼를 지지하는 척;
    상기 척의 둘레에서 승하강되면서 상기 웨이퍼를 외부로부터 독립시키도록 형성된 링씰;
    상기 링씰을 지지하고 승하강시키도록 형성된 복수개의 실린더;
    상기 복수개의 실린더에 에어를 공급하거나, 배기시키는 에어 공급부 및 에어 배기부; 및
    상기 에어 공급부 및 상기 에어 배기부에서 상기 복수개의 실린더에 공급 또는 배기되는 에어를 동일 또는 유사한 유량으로 공급 또는 배기시키기 위해 상기 에어 공급부 및 상기 에어 배기부에서 각기 분기되어 상기 복수개의 실린더에 연결되는 복수개의 튜브를 포함함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 에어 공급부 및 상기 에어 배기부는 상기 복수개의 실린더에 상기 복수개의 튜브를 병렬로 연결함을 특징으로 하는 반도체 제조설비.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
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WO2024030307A1 (en) * 2022-08-03 2024-02-08 Lam Research Corporation System and method to maintain constant clamping pressure during chamber rebooting and power failure instances

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