TWI838863B - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明涉及基板處理裝置，更詳細地說，涉及通過在高壓與低壓之間的變壓執行基板處理的基板處理裝置。本發明提供一種基板處理裝置，包括：製程腔室(100)，形成貫通孔(150)，並且形成內部空間(S1)；基板支撑部(200)，在上面放置基板(1)；氣體供應部(400)，供應用於基板處理的製程氣體；排氣部(500)，向外部排放通過氣體供應部(400)供應的製程氣體；其中，腔室主體(110)形成有排氣通道，所述排氣通道形成在基板支撑軸(220)外周面與貫通孔(150)內側面之間以與排氣部(500)連通。

Description

基板處理裝置

本發明涉及基板處理裝置，更詳細地說，涉及通過在高壓與低壓之間的變壓執行基板處理的基板處理裝置。

基板處理裝置是對於諸如晶片的基板執行處理製程，通常對於基板可執行蝕刻、沉積、熱處理等。

此時，通過沉積在基板上形成薄膜的情况下，要求在基板形成薄膜之後去除薄膜內雜質及改善薄膜特性的製程。

尤其是，隨著三維半導體器件（亦即具有高縱橫比）的基板的出現，為了滿足階梯覆蓋率標準，將薄膜沉積溫度低溫化或者必然使用高雜質含量的氣體，因此存在去除雜質變得更加困難的實情。

從而，要求一種基板處理方法及執行該方法的基板處理裝置，在基板上成膜之後，通過除去存在於薄膜中的雜質可改善膜特性，避免薄膜特性劣化。

另外，除了基板上的薄膜以外，還存在因為在腔室內部殘留微量雜質等污染沉積的薄膜等問題，因此需要對於包括支撑基板的基板支撑部的腔室內部去除雜質等。

為了改善這種問題，習知的韓國專利申請第10-2021-0045294A號公開一種基板處理方法，其反復生成高壓及低壓環境，以減少基板表面及腔室內部的缺陷，進而改善薄膜特性。

然而，在習知的基板處理裝置適用上述基板處理方法的情况下，處理基板的處理空間的體積相對較大，因此存在無法實現快速的壓力變換速度的問題。

亦即，習知的基板處理裝置存在無法實現在短時間內反復執行從低壓的0.01 Torr至高壓的5 Bar水平的大壓力範圍的製程的問題。

尤其是，習知的基板處理裝置存在如下的問題：為了實現快速的壓力變化速度，與處理空間連通的排氣空間是必不可少的，因為這種排氣空間增加處理空間的體積，因此無法實現快速的壓力變化速度。

《要解决的問題》

為了解决如上所述問題，本發明的目的在於提供一種將用於排放處理空間的氣體的排氣空間最小化以實現快速的壓力變化速度的基板處理裝置。 《解决問題的手段》

本發明是為了達到如上所述的本發明目的而提出的，本發明提供一種基板處理裝置，包括：製程腔室，包括腔室主體和頂蓋，所述腔室主體上部開放並在下面形成貫通孔，所述頂蓋結合於腔室主體的上部以形成內部空間；基板支撑部，包括基板支撑板與基板支撑軸，所述基板支撑板設置在所述製程腔室並且在上面放置所述基板，所述基板支撑軸設置為貫通所述貫通孔以支撑所述基板支撑板；氣體供應部，供應用於基板處理的製程氣體；排氣部，形成在所述腔室主體的下部，並且向外部排放通過所述氣體供應部供應的製程氣體；其中，所述腔室主體形成有排氣通道，所述排氣通道形成在所述基板支撑軸的外周面與所述貫通孔的內側面之間以與所述排氣部連通。

所述製程腔室可以包括設置槽，所述設置槽形成為使所述基板支撑部插入設置在包括所述貫通孔的所述腔室主體的底面。

所述基板處理裝置包括內蓋部，所述內蓋部可上下移動地設置在所述內部空間，並且通過下降使其一部分緊貼於與所述設置槽相鄰的所述底面，進而形成內部有所述基板支撑部的密封的處理空間。所述氣體供應部可與所述基板支撑軸邊緣相鄰設置，以將所述製程氣體供應於所述處理空間。

所述基板處理裝置可包括內蓋驅動部，所述內蓋驅動部設置為貫通所述製程腔室的所述頂蓋，以驅動所述內蓋部上下移動。

所述基板處理裝置可包括填充部件，所述填充部件設置在所述基板支撑部與所述設置槽之間，以填充所述基板支撑部與所述設置槽的間隔空間的一部分，形成連接所述處理空間與所述排氣通道的設置槽排氣通道。

所述基板處理裝置可形成設置槽排氣通道，所述設置槽排氣通道形成在所述基板支撑板與所述設置槽之間，以連接所述處理空間與所述排氣通道。

所述排氣部可包括：排氣主體，設置在所述貫通孔內側面的至少一部分上以支撑所述基板支撑軸，並且上部開放以形成與所述排氣通道連通的所述排氣空間；至少一個排氣口，形成在所述排氣主體側面，以向外部排放流進所述排氣空間的所述製程氣體。 《發明的效果》

本發明的基板處理裝置將處理空間與排氣空間連通，由於處理空間的體積以及與處理空間連通的排氣空間的體積都是决定調節處理空間壓力的所需時間的因素，因此將排氣空間的體積最小化來縮小整體體積具有可提高大壓力範圍的壓力變化速度的優點。

另外，並未單獨形成與處理空間連通來排放處理空間的氣體的排氣部，而是將形成基板支撑軸的空間靈活作為排氣部，因此無需排氣空間，具有能够縮小排氣空間的優點。

因此，本發明的基板處理裝置將與處理空間連通以調節處理空間的壓力的排氣空間最小化，進而縮小處理空間的整體體積，具有可實現快速的壓力變化速度的優點。

以下，參照附圖說明本發明的基板處理裝置。

如圖1所示，本發明的基板處理裝置包括：製程腔室100，包括腔室主體110和頂蓋140，所述腔室主體110上部開放並在下面形成貫通孔150，所述頂蓋140結合於腔室主體110上部以形成內部空間S1；基板支撑部200，包括基板支撑板210和基板支撑軸220，所述基板支撑板210設置在所述製程腔室100並在上面放置基板1，所述基板支撑軸220設置為貫通所述貫通孔150以支撑所述基板支撑板210；氣體供應部400，供應用於基板處理的製程氣體；排氣部500，形成在所述腔室主體110下部，並向外部排放通過所述氣體供應部400供應的製程氣體；其中，所述腔室主體110形成有排氣通道，所述排氣通道形成在所述基板支撑軸220外周面與所述貫通孔150內側面之間以與所述排氣部500連通。

另外，本發明的基板處理裝置還可包括內蓋部300，所述內蓋部300設置在內部空間S1，並且一部分與製程腔室100緊貼，進而在內部形成設置基板支撑部200的密封的處理空間S2。

另外，本發明的基板處理裝置還可包括內蓋驅動部600，所述內蓋驅動部600貫通地設置在製程腔室100的上面，以驅動內蓋部300的上下移動。

另外，本發明的基板處理裝置可包括填充部件700，所述填充部件700設置在基板支撑部200與製程腔室100下面之間。

另外，本發明的基板處理裝置可包括填充部件700，所述填充部件700設置在所述基板支撑部200與所述製程腔室100下面之間。

在此，對於作為處理對象的基板1可理解為包括所有基板的含義，諸如在LCD、LED、OLED等顯示裝置使用的基板、半導體基板、太陽能電池基板、玻璃基板等。

所述製程腔室100為在內部形成內部空間S1的結構，可採用各種結構。

例如，所述製程腔室100可包括腔室主體110和頂蓋140，所述腔室主體110上部開放，所述頂蓋140覆蓋腔室主體110開放的上部以與腔室主體110一同形成密封的內部空間S1。

另外，所述製程腔室100可包括底面120和設置槽130，所述底面120形成內部空間S1的底部，所述設置槽130使基板支撑部200設置在底面120。

另外，在所述製程腔室100下面可形成設置後述排氣部500的貫通孔150。

另外，所述製程腔室100還可包括閘門閥，所述閘門閥用於開關形成在腔室主體110一側的閘門，以供基板1進出。

所述腔室主體110為上部開放，可與後述的頂蓋140一同在內部形成密封的內部空間S1。

此時，所述腔室主體110可用包含鋁的金屬材料構成，作為另一示例，可用石英材料構成，並且與以往揭露的腔室相同地可具有直角六面體形狀。

所述頂蓋140可以是結合於上部開放的腔室主體110的上側以與腔室主體110一同在內部形成密封的內部空間S1的結構。

此時，所述頂蓋140對應於腔室主體110的形狀，在平面上可形成為直角四邊形的形狀，並可用與腔室主體110相同的材料構成。

另外，所述頂蓋140可形成有複數個貫通孔，以貫通地設置後述的內蓋驅動部600，並在底面結合後述的波紋管630的末端，可防止向外部洩漏各種氣體及異物。

另一方面，當然還可省略所述頂蓋140的結構，並且所述腔室主體110可一體成型為在內部形成內部空間S1。

所述製程腔室100可包括底面120和設置槽130，所述底面120的內側下面形成內部空間S1的底部，所述設置槽130形成為使後述的基板支撑部200設置在底面120。

更具體地說，如圖1所示，在所述製程腔室100下面中的中心側可形成設置槽130，所述設置槽130對應於後述的基板支撑部200形成階梯，在設置槽130的邊緣可構成底面120。

亦即，在所述製程腔室100內側下面形成用於設置基板支撑部200的設置槽130，所述設置槽130形成階梯，除此之外的部分定義為底面120，可形成高於設置槽130的高度。

所述閘門閥為用於開關形成在腔室主體110一側的閘門以供基板1進出的結構，可採用各種結構。

此時，所述閘門閥通過上下驅動及前進後退驅動與腔室主體110緊貼或者解除緊貼，進而可關閉或者開放閘門，作為另一示例，通過對角線方向的單一驅動可關閉或者開放閘門，在該過程中可適用在以往公開的各種驅動方式，例如氣缸、凸輪、電磁等。

所述貫通孔150為形成在製程腔室100下面的結構，更具體地說，形成在製程腔室100下面以與後述的處理空間S2連通，進而可設置用於排放處理空間S2的氣體的排氣部500。

亦即，所述貫通孔150形成在製程腔室100下面以與通過後述的內蓋部300的下降形成的處理空間S2連通，並可設置排氣部500。

另一方面，所述貫通孔150可貫通地設置後述的基板支撑部200中的基板支撑軸220，據此通過形成在基板支撑軸220與貫通孔150內側面之間的排氣通道可排放處理空間S2的製程氣體。

所述基板支撑部200為設置在製程腔室100並在上面放置基板1的結構，可採用各種結構。

亦即，在所述基板支撑部200上面放置基板1，進而支撑處理的基板1，並可在基板處理過程中固定該基板1。

另外，所述基板支撑部200內部具有加熱器，可營造用於基板處理的處理空間S2的溫度環境。

例如，所述基板支撑部200可包括：基板支撑板210，在平面上形成為圓形，並在上面放置所述基板1；基板支撑軸220，貫通所述製程腔室100下面，以與所述基板支撑板210連接。

另外，所述基板支撑部200可包括加熱器，所述加熱器設置在基板支撑板210內並加熱放置在基板支撑板210的基板1。

此時，在所述基板支撑板210內部配置加熱器，可在處理空間S2營造用於基板處理的製程溫度，此時的製程溫度可以是約400℃至550℃。

所述基板支撑軸220為貫通製程腔室100的貫通孔150以與所述基板支撑板210連接的結構，可採用各種結構。

所述基板支撑軸220貫通製程腔室100下面可與基板支撑板210結合，並在內部可設置用於給加熱器供電的各種導線。

另一方面，如圖3所示，本發明的基板處理裝置為用於執行在短時間內反復變換並營造高壓與低壓的壓力環境的基板處理的裝置，更具體地說，需要以1Bar/s水平的壓力變換速度反復改變5 Bar至0.01 Torr的壓力範圍。

然而，在考慮腔室主體110的內部空間S1的龐大空間體積時無法達到上述的壓力變換速度，因此有必要將用於基板處理的處理空間S2的體積最小化。

為此，本發明的基板處理裝置包括內蓋部300，所述內蓋部300可上下移動地設置在所述內部空間S1，並通過下降使其一部分與所述製程腔室100緊貼，以形成內部有所述基板支撑部200的密封的處理空間S2。

所述內蓋部300可以是可上下移動地設置在所述內部空間S1，並通過下降一部分與所述製程腔室100緊貼以形成內部有所述基板支撑部200之密封的處理空間S2的結構。

亦即，所述內蓋部300設置成在內部空間S1中可在基板支撑部200上側進行上下移動，通過下降與製程腔室100的內部面中的至少一部分緊貼，進而根據需求可在所述內蓋部300與製程腔室100內側下面之間形成密封的處理空間S2。

據此，所述基板支撑部200可位於處理空間S2內，並可在將體積最小化的處理空間S2內對放置在基板支撑部200的基板1執行基板處理。

作為一示例，所述內蓋部300通過下降邊緣緊貼於底面120，進而可在所述內蓋部300底面與製程腔室100內側下面之間形成密封的處理空間S2。

另一方面，作為另一示例，所述內蓋部300通過下降邊緣緊貼於製程腔室100的內側面，進而當然可形成密封的處理空間S2。

所述內蓋部300通過下降邊緣緊貼於底面120形成密封的處理空間S2，設置在設置槽130的基板支撑部200可位於處理空間S2內。

亦即，如圖1所示，所述內蓋部300通過下降邊緣緊貼於與設置槽130形成階梯並位於高處的底面120，進而在所述內蓋部300底面與設置槽130之間可形成密封的處理空間S2。

此時，在設置槽130設置基板支撑部200，更具體地說，設置基板支撑板210和填充部件700，進而將處理空間S2的體積最小化的同時可將作為處理對象的基板1位於上面。

為了在該過程中將處理空間S2的體積最小化，設置槽130可形成為與設置處理空間S2的基板支撑部200相對應的形狀，更具體地說，對應於圓形的基板支撑板210，可形成為具有圓柱形狀的凹槽。

亦即，為了在由設置槽130形成的設置空間中將除了設置基板支撑板210及填充部件700的空間以外的剩餘空間最小化，設置槽130可形成為與基板支撑板210的形狀相對應的形狀。

為了防止在該過程中放置在基板支撑板210上面的基板1與內蓋部300之間發生干擾，底面120的高度可高於放置在基板支撑部200的基板1上面。

另一方面，放置在基板支撑部200的基板1與內蓋部300底面之間的間距越大就意味著處理空間S2的體積也隨之擴大，因此可將底面120的高度設定在防止基板1與內蓋部300之間的干擾的同時將這兩者之間的間距最小化的高度。

所述內蓋部300為通過內蓋驅動部600進行上下移動的結構，可採用各種結構。

所述內蓋部300可以是通過內蓋驅動部600在內部空間內進行上下移動的結構。

此時，所述內蓋部300在平面上可形成為覆蓋設置槽130並且邊緣與底面120一部分相對應的大小，並且所述內蓋部300邊緣緊貼於底面120，進而在所述內蓋部300與設置槽130之間可形成密封的處理空間S2。

另一方面，作為另一示例，當然可以是所述內蓋部300邊緣緊貼於製程腔室100的內側面形成處理空間S2。

另外，為了有效達到及保持通過所述內蓋部300上下移動形成的密封的處理空間S2內的製程溫度，所述內蓋部300可用隔熱效果優異的材料形成，可防止處理空間S2向內部空間等損失溫度。

所述密封部900作為配置在內蓋部300或者製程腔室100的底面120中的至少一個的結構，可對應於製程腔室100的底面120與內蓋部300緊貼的位置配置。

亦即，在內蓋部300的邊緣接觸於底面120形成密封的處理空間S2的情况下，所述密封部900在內蓋部300的底面中沿著邊緣配置，可接觸於內蓋部300的邊緣與底面120之間。

由此，所述密封部900可引導形成密封的處理空間S2，並可防止處理空間S2的製程氣體等洩漏到非處理空間S1等的外部。

例如，所述密封部900可包括：第一密封部件910，沿內蓋部300的底面中的邊緣配置；第二密封部件920，配置在與第一密封部件910間隔預定間距的位置。

此時，所述第一密封部件910及所述第二密封部件920作為在以往公開的類型的O型環，在內蓋部300的底面中沿著邊緣可相互間隔預定間距並列設置。

亦即，所述第一密封部件910及所述第二密封部件920對於處理空間S2執行雙重密封，進而可斷絕製程氣體等從處理空間S2洩漏到外部。

另一方面，所述密封部900可插入於設置在底面120的插入槽，隨著內蓋部300的上下移動可與內蓋部300緊貼或者分開。

作為另一示例，密封部900當然也可配置在內蓋部300的底面。

所述氣體供應部400作為與處理空間S2連通以將製程氣體供應於處理空間S2的結構，可採用各種結構。

例如，所述氣體供應部400可包括：氣體供應噴嘴410，暴露在處理空間S2以將製程氣體供應於處理空間S2內；供氣通道420，貫通製程腔室100，與氣體供應噴嘴410連接，並傳遞通過氣體供應噴嘴410供應的製程氣體。

此時，如圖1所示，所述氣體供應部400可與基板支撑部200相鄰地設置在與設置槽130的邊緣，由此可將製程氣體供應於處理空間S2。

另一方面，由此處理空間S2可形成在內蓋部300的底面中的一部分與氣體供應部400及基板支撑部200的上面之間。

所述氣體供應噴嘴410作為暴露在處理空間S2以將製程氣體供應於處理空間S2內的結構，可採用各種結構。

例如，所述氣體供應噴嘴410與基板支撑板210的側面相鄰地設置在設置槽130的邊緣，向上側或者基板支撑板210側噴射製程氣體，進而可將製程氣體供應於處理空間S2內。

此時，所述氣體供應噴嘴410配置在設置槽130的邊緣，包圍基板支撑板210，在平面上可從基板支撑板210的側面中的至少一部分噴射製程氣體。

作為一示例，所述氣體供應噴嘴410可從設置槽130的邊緣朝內蓋部300的底面噴射製程氣體，並可以為了通過處理空間S2的最小化的體積在短時間內將處理空間S2的壓力調節在希望的壓力而供應製程氣體。

所述供氣通道420貫通製程腔室100下面，可與外部的製程氣體儲存部連接，並且接收製程氣體，可將製程氣體供應於氣體供應噴嘴410。

此時，所述供氣通道420可以是貫通製程腔室100下面而設置的管道，作為另一示例，所述供氣通道420可以是加工製程腔室100下面而成。

所述內蓋驅動部600作為貫通製程腔室100上面而設置以驅動內蓋部300的上下移動的結構，可採用各種結構。

例如，所述內蓋驅動部600可包括：複數個驅動桿610，一端貫通製程腔室100上面以結合於內蓋部300；至少一個驅動源620，連接於複數個驅動桿610的另一端，以上下方向驅動驅動桿610。

另外，所述內蓋驅動部600可包括：固定支撑部640，設置在製程腔室100上面（亦即頂蓋140上面），固定並支撑所述驅動桿610的末端；第一波紋管630，設置在製程腔室100上面與內蓋部300之間，以包圍驅動桿610。

所述驅動桿610可以是一端貫通製程腔室100上面以結合於內蓋部300而另一端在製程腔室100外部結合於驅動源620，透過驅動源620進行上下移動，通過該上下移動可上下驅動內蓋部300的結構。

此時，相比於形成複數個所述驅動桿610，可形成二個或者四個所述驅動桿610，間隔預定間距地結合在內蓋部300上面，進而可引導內蓋部300保持水平的同時進行上下移動。

所述驅動源620為設置在固定支撑部640以上下驅動結合的驅動桿610的結構，可採用各種結構。

對於所述驅動源620，只要是在以往公開的驅動方式，可適用任意一種結構，例如可以適用氣缸方式、電磁驅動、螺桿馬達驅動、凸輪驅動等各種驅動方式。

所述波紋管630可以是包圍驅動桿610地設置在製程腔室100上面與內蓋部300之間，以防止內部空間S1的氣體等通過製程腔室100上面洩漏。

此時，可考慮內蓋部300的上下移動來設置所述波紋管630。

所述排氣部500為包圍基板支撑軸220地設置在貫通孔150並向外部排放製程氣體的結構，可採用各種結構。

例如，如圖1所示，所述排氣部500可包括：排氣主體510，設置在所述貫通孔150內側面的至少一部分上以支撑所述基板支撑軸220，並且開放上部，以形成與所述排氣通道連通的所述排氣空間S4；至少一個排氣口，形成在所述排氣主體510側面，以向外部排放流進所述排氣空間S4的所述製程氣體。

亦即，所述排氣部500設置在製程腔室100的貫通孔150，在內部可形成與處理空間S2連通的排氣空間S4。

此時，所述排氣主體510包圍基板支撑軸220地設置在製程腔室100的貫通孔150，並且通過設置槽排氣通道S3可與通過內蓋部300的下降形成的處理空間S2連通。

另外，所述排氣主體510可形成下部貫通孔511，以貫通設置各種導線，該導線通過上述的基板支撑軸220與設置在基板支撑板210的加熱器連接。

所述排氣主體510根據處理空間S2的壓力狀態可具有相互不同的排氣口，進而可具有高壓排氣口520與低壓排氣口530，所述高壓排氣口520在對於處理空間S2之高於常壓的高壓氣體執行排氣的情况下與外部排氣裝置連接以排放高壓的製程氣體，所述低壓排氣口530在對於處理空間S2之低於常壓的低壓氣體執行排氣的情况下與外部真空泵連接以排放低壓的製程氣體。

另一方面，如上所述，在基板支撑部200設置在設置槽130的情况下，在基板支撑部200（更具體地說在基板支撑板210與設置槽130之間）形成空間，以增加設置槽排氣通道S3的體積，這可以是增加處理空間S2的體積的因素。

為了改善這種問題，將板支撑部200單純接觸於設置槽130設置的情况下，存在如下的問題：藉由存在於基板支撑部200內的加熱器供應的熱通過製程腔室100下面（亦即設置槽130下面）被製程腔室100吸取可能發生熱損失，並且對於處理空間S2難以設定及保持製程溫度，降低效率。

為了改善這種問題，本發明的所述填充部件700為設置在基板支撑部200與製程腔室100下面之間的結構，可採用各種結構。

例如，所述填充部件700可設置在設置槽130，處於設置在設置槽130的狀態下基板支撑板210設置在所述填充部件700上側，將設置槽130與基板支撑板210之間的剩餘體積最小化，進而可縮小設置槽排氣通道S3及處理空間S2的體積。

為此，所述填充部件700可形成為與所述設置槽130和所述基板支撑部200之間的空間相對應的形狀，以將所述處理空間S2最小化。

更具體地說，所述填充部件700可形成為與在平面上形成為圓形且形成從底面120具有預定深度的階梯的設置槽130與平面上形成為圓形的基板支撑板210之間的空間相對應的形狀。

另一方面，所述填充部件700可用石英、陶瓷及SUS中的至少一種材料形成。

另外，所述填充部件700不僅是為了單純地將處理空間S2的體積最小化而占據設置槽130與基板支撑部200之間的空間，還通過隔熱將通過基板支撑部200傳遞於基板1的熱的損失最小化，更進一步地通過熱反射可向處理空間S2反射損失的熱。

另一方面，為了在基板支撑部200的側面及底面之間形成設置槽排氣通道S3，所述填充部件700可與所述基板支撑板210的側面及底面中的至少一面相鄰設置，並且間隔於所述基板支撑板210，可設置成包圍所述基板支撑板210的底面及側面。

以下，參照附圖詳細說明本發明的用於排放製程氣體的設置槽排氣通道S3。

所述設置槽排氣通道S3可與排氣部500連通地設置在基板支撑部200與製程腔室10的內側下面之間。

亦即，所述設置槽排氣通道S3可形成在基板支撑部200中的基板支撑板210的側面及底面與製程腔室100的內側下面之間，此時形成的設置槽排氣通道S3連通於設置排氣部500的製程腔室100的貫通孔150，可將製程氣體傳遞至排氣部500的排氣空間S4。

另一方面，更具體地說，所述設置槽排氣通道S3可沿著設置在設置槽130的基板支撑板210的側面及底面與設置槽130的內壁之間形成。

另外，作為另一示例，如圖2所示，在設置槽130設置填充部件700，所述設置槽排氣通道S3可沿著基板支撑板210的側面及底面與填充部件700的相向面之間形成。

此時，為了將處理空間S2的體積最小化的同時執行流暢地排氣，能够以預先設定的水平形成設置槽排氣通道S3的體積，為此可調節填充部件700與基板支撑板210之間的間距。

另一方面，如圖2所示，所述設置槽排氣通道S3在填充部件700的末端與基板支撑軸220及基板支撑板210之間的結合位置可與排氣空間S4連接，並且移動方向可從水平方向變為垂直方向的移動。

此時，為了保持排放的製程氣體的排氣流動的同時防止逆流，在基板支撑軸220與基板支撑板210之間的結合位置可形成引導排放氣體的流動的引導面230，此時引導面230能够以對應於使排放氣體的水平流動方向轉換為下側垂直方向的角度形成。

另外，與所述引導面230相向的填充部件700的末端邊界部710也可相對應地從水平方向朝垂直方向傾斜形成。

另一方面，為了引導通過設置槽排氣通道S3的排放氣體向排氣部500內的狹縫方向流暢地移動，可適用各種實施例。

作為一示例，如圖2所示，使填充部件700的基板支撑軸220側末端與基板支撑軸220的第一水平距離D1小於排氣部500的內側面與基板支撑軸220的第二水平距離D2 ，進而可引導排放氣體從填充部件700的末端向排氣空間S4側流暢地流動。

以上僅是可由本發明實現的較佳實施例的一部分的相關說明，衆所周知，不得限於實施例解釋本發明的範圍，以上說明的本發明的技術思想及其根本的技術思想全部包含在本發明的範圍內。

1:基板 100:製程腔室 110:腔室主體 120:底面 130:設置槽 140:頂蓋 150:貫通孔 200:基板支撐部 210:基板支撐板 220:基板支撐軸 230:引導面 300:內蓋部 400:氣體供應部 410:氣體供應噴嘴 420:供氣通道 500:排氣部 510:排氣主體 511:下部貫通孔 520:高壓排氣口 530:低壓排氣口 600:內蓋驅動部 610:驅動桿 620:驅動源 630:第一波紋管 640:固定支撐部 700:填充部件 710:末端邊界部 900:密封部 910:第一密封件 920:第二密封件 S1:內部空間 S2:處理空間 S3:設置槽排氣通道 S4:排氣空間 D1:第一水平距離 D2:第二水平距離

圖1是顯示本發明的基板處理裝置的剖面圖； 圖2是將本發明的基板處理裝置的A部分放大的局部放大剖面圖；以及 圖3是顯示通過圖1的基板處理裝置執行處理空間的壓力變化的曲線圖。

100:製程腔室

110:腔室主體

120:底面

130:設置槽

140:頂蓋

150:貫通孔

200:基板支撐部

210:基板支撐板

220:基板支撐軸

300:內蓋部

400:氣體供應部

410:氣體供應噴嘴

420:供氣通道

500:排氣部

510:排氣主體

511:下部貫通孔

520:高壓排氣口

530:低壓排氣口

600:內蓋驅動部

610:驅動桿

620:驅動源

630:第一波紋管

640:固定支撐部

700:填充部件

900:密封部

910:第一密封件

920:第二密封件

S1:內部空間

Claims (7)

1. 一種基板處理裝置，包括：一製程腔室(100)，包括一腔室主體(110)和一頂蓋(140)，所述腔室主體(110)上部開放並在下面形成一貫通孔(150)，所述頂蓋(140)結合於所述腔室主體(110)的上部以形成一內部空間(S1)；一基板支撑部(200)，包括一基板支撑板(210)和一基板支撑軸(220)，所述基板支撑板(210)設置在所述製程腔室(100)並在上面放置一基板(1)，所述基板支撑軸(220)設置為貫通所述貫通孔(150)以支撑所述基板支撑板(210)；一氣體供應部(400)，供應用於基板處理的製程氣體；以及一排氣部(500)，形成在所述腔室主體(110)的下部，並向外部排放通過所述氣體供應部(400)供應的製程氣體，其中，所述腔室主體(110)形成有一排氣通道，所述排氣通道形成在所述基板支撑軸(220)外周面與所述貫通孔(150)內側面之間，並與所述排氣部(500)直接連通以使體積最小化。
2. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，所述製程腔室(100)還包括一設置槽(130)，所述設置槽(130)形成為供所述基板支撑部(200)插入設置在包含所述貫通孔(150)的所述腔室主體(110)的底面(120)。
3. 根據請求項2所述的基板處理裝置，還包括：一內蓋部(300)，可上下移動地設置在所述內部空間(S1)，並且通過下降使其一部分緊貼於與所述設置槽(130)相鄰的所述底面(120)，進而形成內部有所述基板支撑部(200)的密封的一處理空間(S2)，其中，所述氣體供應部(400)與所述基板支撑軸(220)的邊緣相鄰設置，以將所述製程氣體供應於所述處理空間(S2)。
4. 根據請求項3所述的基板處理裝置，還包括：一內蓋驅動部(600)，設置為貫通所述製程腔室(100)的所述頂蓋(140)，以驅動所述內蓋部(300)上下移動。
5. 根據請求項3所述的基板處理裝置，還包括：一填充部件(700)，設置在所述基板支撑部(200)與所述設置槽(130)之間，以 填充所述基板支撑部(200)與所述設置槽(130)的間隔空間的一部分，形成連接所述處理空間(S2)與所述排氣通道的一設置槽排氣通道(S3)。
6. 根據請求項3所述的基板處理裝置，其中，在所述基板支撑板(210)與所述設置槽(130)之間形成一設置槽排氣通道(S3)，以連接所述處理空間(S2)與所述排氣通道。
7. 根據請求項1至6中任一項所述的基板處理裝置，其中，所述排氣部(500)包括：一排氣主體(510)，設置在所述貫通孔(150)內側面的至少一部分上以支撑所述基板支撑軸(220)，並且上部開放以形成與所述排氣通道連通的一排氣空間(S4)；以及至少一個排氣口，形成在所述排氣主體(510)的側面，以向外部排放流進所述排氣空間(S4)的所述製程氣體。