TWI824693B - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明涉及基板處理裝置，更詳細地說，涉及通過高壓及低壓執行基板處理的基板處理裝置。本發明公開了一種基板處理裝置，包括：製程腔室(100)，形成內部空間(S1)；基板支撐部(200)，在上面放置基板(1)；內蓋部(300)，可上下移動地設置在所述內部空間(S1)，通過下降，一部分緊貼於所述製程腔室(100)底面(120)，進而形成內部有所述基板支撐部(200)的密封的處理空間(S2)；氣體供應部(400)，將製程氣體供應於所述處理空間(S2)；內蓋驅動部(600)，驅動所述內蓋部(300)的上下移動。

Description

基板處理裝置

本發明涉及基板處理裝置，更詳細地說，涉及通過高壓及低壓執行基板處理的基板處理裝置。

基板處理裝置是對於諸如晶片的基板執行處理製程，通常對於基板可執行蝕刻、沉積、熱處理等。

此時，在通過沉積在基板上形成薄膜的情況下，要求在基板形成薄膜之後去除薄膜內雜質及改善薄膜特性的製程。

尤其是，隨著三維半導體器件，即具有高縱橫比的基板的出現，為了滿足階梯覆蓋率標準，將薄膜沉積溫度低溫化或者必然使用高雜質含量的氣體，因此處於去除雜質變得更加困難的實情。

從而，要求一種基板處理方法及執行該方法的基板處理裝置，在基板上成膜之後，通過除去存在於薄膜中的雜質可改善膜特性，沒有薄膜特性劣化。

另外，除了基板上的薄膜以外，還存在因為在腔室內部殘留的微量雜質等污染沉積的薄膜等的問題，因此需要對於包括支撐基板的基板支撐部的腔室內部去除雜質等。

為了改善這種問題，現有的韓國專利申請第10-2021-0045294A號公開一種基板處理方法，反復生成高壓及低壓環境，以減少基板表面及腔室內部的缺陷，進而改善薄膜特性。

然而，在現有的基板處理裝置適用上述的基板處理方法的情況下，處理基板的處理空間的體積相對較大，因此存在無法實現快速的壓力變換速度的問題。

另外，現有的基板處理裝置存在無法實現在短時間內反復執行從低壓的0.01托(Torr)至高壓的5巴(Bar)水準的大壓力範圍的製程的問題。

另外，現有的基板處理裝置存在如下的問題：在執行高壓的基板處理時，密封處理空間的閘門閥無法承受壓力而難以執行高壓的基板處理，並且無法保障閘門閥的耐久性。

然而，通過現有的基板處理裝置執行該製程的情況下，隨著處理基板的處理空間內壓力急劇變化，溫度發生變化，由於無法主動控制這種溫度變化，存在降低基板處理的水準的問題。

更具體地說，存在如下的問題：在通過支撐基板的基板支撐部加熱基板時，因為基板的處理面與加熱器之間的間接接觸降低熱傳遞效率、因為基板支撐部與製程腔室的下部面之間的接近程度出現熱損失、無法對應於由設置在基板支撐部內的加熱器的特性引起的溫度急劇變化來控制基板溫度。

為了改善這種問題，現有的基板處理裝置已將處理空間體積最小化，但是因為處理空間的體積的最小化導致基板與製程氣體的氣體噴射部之間的距離縮短，因此存在氣體噴射部噴射的氣體造成非常大的影響的問題。

尤其是，無法通過氣體噴射部向基板均勻供應氣體，因此基板溫度局部性降低、處理率發生變化，最終出現降低基板處理的均勻度的問題。

《要解决的問題》

為了解決如上所述的問題，本發明的目的在於提供一種基板處理裝置，將處理空間的體積最小化，可提高大壓力範圍的壓力變換速度。

另外，為了解決如上所述的問題，本發明的目的在於提供一種基板處理裝置，容易控制基板溫度，並且能夠向基板均勻地供應氣體。

《解决問題的手段》

本發明是為了達到如上所述的本發明的目的而提出的，本發明公開了一種基板處理裝置，包括：製程腔室，包括腔室主體與頂蓋，所述腔室主體為上部開放，在底面中心側形成設置槽，並且在一側包括用於進出基板的閘門，所述頂蓋結合於所述腔室主體的上部以形成內部空間；基板支撐部，內插地設置在所述腔室主體的所述設置槽，並且在上面放置基板；內蓋部，可上下移動地設置在所述內部空間，通過下降，一部分緊貼於與所述設置槽相鄰的所述底面，進而形成內部有所述基板支撐部的密封的處理空間；氣體供應部，設置成與所述處理空間連通，以將製程氣體供應於所述處理空間；內蓋驅動部，貫通所述頂蓋設置，以驅動所述內蓋部的上下移動。

所述底面可設置成高於放置在所述基板支撐部的所述基板的上面。

所述設置槽可形成為與為使所述處理空間最小化而設置的所述基板支撐部相對應的形狀。

所述基板支撐部包括：基板支撐板，在上面放置所述基板並且在平面上形成為圓形；基板支撐柱，貫通所述設置槽的底部，以與所述基板支撐板連接。其中，所述設置槽可形成為與所述基板支撐板相對應的形狀，以將除了設置所述基板支撐板的空間以外的剩餘空間最小化。

所述基板處理裝置可包括密封部，所述密封部在所述內蓋部與所述底面緊貼的位置中可配置在所述內蓋部的底面或者所述底面中的任意一個。

所述密封部可包括：第一密封部件，在所述內蓋部的底面沿著邊緣配置；第二密封部件，配置在與所述第一密封部件間隔預定間距的位置。

所述基板處理裝置還可包括泵部，所述泵部在所述製程腔室中設置在與所述內蓋部緊貼的位置以抽吸所述密封部。

所述泵部可抽吸所述第一密封部件與所述第二密封部件的間隙空間。

所述氣體供應部可與所述基板支撐部的邊緣相鄰設置。

所述處理空間可形成在所述內蓋部的底面中的一部分與接連所述氣體供應部與所述基板支撐部的上面之間。

所述氣體供應部可包括：氣體噴射部，設置在所述設置槽的邊緣並噴射所述製程氣體；供氣通道，貫通所述製程腔室的下部面配置，以將所述製程氣體從外部供應於所述氣體噴射部。

所述內蓋驅動部可包括：多個驅動桿，一端貫通所述製程腔室的上部面以結合於所述內蓋部；至少一個驅動源，連接於多個所述驅動桿的另一端，以上下方向驅動所述驅動桿。

所述內蓋驅動部還可包括波紋管，所述波紋管設置在所述製程腔室的上部面與所述內蓋部之間，以包裹所述驅動桿。

所述氣體供應部可包括：氣體噴射部，形成擴散所述製程氣體的第一擴散空間；多個氣體噴射孔，形成在所述氣體噴射部，以朝向所述處理空間噴射所述製程氣體。

所述氣體噴射部可配置成環形，以沿著所述基板支撐部的邊緣設置。

所述製程腔室包括氣體供應通道，所述氣體供應通道貫通所述製程腔室下部面配置，以與所述第一擴散空間連通，並且將所述製程氣體從外部傳遞於所述第一擴散空間。在所述氣體噴射部底面可形成第一擴散槽，所述第一擴散槽與所述氣體供應通道連通並用於所述第一擴散空間。

所述氣體噴射部內部形成所述第一擴散空間，並且可包括貫通口，所述貫通口在氣體噴射部底面中形成在與所述氣體供應通道相對應的位置，以從所述氣體供應通道接收所述製程氣體的供應。

所述氣體噴射孔可形成在所述氣體噴射部上面。

所述氣體噴射孔為隨著鄰近於氣體供應通道側而逐步或者逐漸縮小尺寸。

所述氣體噴射孔隨著鄰近於所述氣體供應通道側可逐步或者逐漸擴大相鄰的氣體噴射孔的間距。

所述氣體噴射孔在平面上以所述基板支撐部中心為準可點對稱配置。

所述氣體噴射部可傾斜形成，越向邊緣上面變得越高。

所述基板處理裝置還可包括氣體擴散部，所述氣體擴散部配置在所述氣體供應部與所述製程腔室之間，並且形成第二擴散空間，以擴散傳遞於所述氣體供應部的所述製程氣體。

所述氣體擴散部底面可形成第二擴散槽，以與所述製程腔室一同形成所述第二擴散空間。

所述氣體供應部還可包括第一緊固部件，所述第一緊固部件貫通所述氣體噴射部結合於所述氣體擴散部。

所述製程腔室可包括第一階梯部，所述第一階梯部形成階梯，以插入所述氣體擴散部的一部分或者使氣體供應通道一部分插入於所述第二擴散槽。

所述氣體噴射部設置在所述氣體擴散部上面，以與所述氣體擴散部上面一同形成所述第一擴散空間，所述氣體擴散部可包括至少一個氣體輸送孔，所述至少一個氣體輸送孔形成在所述氣體擴散部上面，以從所述第二擴散空間向所述第一擴散空間傳遞所述製程氣體。

所述氣體擴散部可包括第二階梯部，所述第二階梯部形成在所述氣體擴散部上面，並且使所述第二階梯部一部分插入於所述第一擴散槽。

可配置多個所述氣體輸送孔，多個所述氣體輸送孔在平面上以所述基板支撐部中心為準可點對稱配置。

在所述製程腔室與所述氣體噴射部可層疊配置多個所述氣體擴散部。

所述基板處理裝置還可包括溫度調節部，所述溫度調節部設置在所述內蓋部，以調節位於所述處理空間的所述基板的溫度。

所述基板支撐部可包括：基板支撐板，在上面放置所述基板；基板支撐柱，貫通所述設置槽的底部以與所述基板支撐板連接；內部加熱器，設置在所述基板支撐板內部。

所述溫度調節部可包括：溫度調節板，設置在所述內蓋部，以加熱或者冷卻所述基板；桿部，貫通所述頂蓋結合於所述溫度調節板。

所述溫度調節板可設置在貫通口，所述貫通口形成在與所述基板相對應的所述內蓋部的中心側。

所述溫度調節部還可包括緩衝板，所述緩衝板在所述內蓋部的下側覆蓋所述貫通口。

所述溫度調節板可包括至少兩個溫度調節區域，所述至少兩個溫度調節區域在平面上相互區分，並且可相互獨立地調節溫度。

所述基板處理裝置還可包括控制部，所述控制部控制所述溫度調節部的加熱或者冷卻。所述控制部可控制所述溫度調節部，以在所述處理空間的變壓過程期間使所述基板或者所述處理空間保持恆定溫度。

所述溫度調節部還可包括覆蓋板，所述覆蓋板設置成在所述內蓋部的上側覆蓋所述貫通口。

所述溫度調節板在所述內蓋部的底面中可設置在與所述基板相向的位置。

所述溫度調節部可以是用於加熱所述基板的鹵素燈或者LED加熱器。

所述溫度調節板可插入設置在插入槽，所述插入槽形成在與所述基板相對應的所述內蓋部的上部面中心側。

所述溫度調節區域可包括：第一溫度調節區域，與在平面上形成為圓形的所述溫度調節板共享中心，在與所述基板的中心側相對應的位置在平面上劃分成圓形；第三溫度調節區域，在所述溫度調節板的邊緣劃分；第二溫度調節區域，在所述第一溫度調節區域與所述第三溫度調節區域之間劃分。

所述基板處理裝置還可包括控制部，所述控制部控制所述溫度調節部的加熱或者冷卻。所述控制部可控制所述第三溫度調節區域的溫度高於所述第一溫度調節區域。

另外，本發明公開了一種基板處理方法，作為基板處理裝置的基板處理方法，所述基板處理裝置包括：製程腔室，形成內部空間並且在一側形成閘門；基板支撐部，在上面放置基板；內蓋部，與所述基板支撐部相向，可上下移動地設置在所述內部空間。所述基板處理方法包括：基板導入步驟，通過配置在外部的傳送機器人，將所述基板通過所述閘門導入所述內部空間，以放置在所述基板支撐部；處理空間形成步驟，在通過所述基板導入步驟在所述基板支撐部放置所述基板的狀態下，下降所述內蓋部，將所述內蓋部的一部分與所述製程腔室的底面緊貼，進而可將所述內部空間分割成密封的處理空間及除此之外的非處理空間；基板處理步驟，對於配置在所述處理空間內的所述基板執行基板處理。

在通過所述基板處理步驟執行基板處理之後可包括：處理空間解除步驟，上升所述內蓋部以解除密封的所述處理空間；基板匯出步驟，通過配置在外部的傳送機器人將完成基板處理的所述基板通過所述閘門從內部空間向外部匯出。

所述基板導入步驟、所述處理空間形成步驟、所述基板處理步驟、所述處理空間解除步驟及所述基板匯出步驟可依次反復執行多次。

在通過所述基板導入步驟向所述內部空間導入所述基板之前可包括清潔步驟，所述清潔步驟在上升所述內蓋部的狀態下通過所述處理空間側供應氣體，並且通過所述非處理空間側排放氣體。

所述基板處理步驟可包括：升壓步驟，將所述處理空間的壓力上升至高於常壓的第一壓力；降壓步驟，將所述處理空間的壓力從第一壓力下降至第二壓力。

所述第二壓力可以是低於常壓的壓力。

所述降壓步驟可包括：第一降壓步驟，將所述處理空間的壓力從所述第一壓力下降至常壓；第二降壓步驟，將所述處理空間的壓力從常壓下降至低於常壓的所述第二壓力。

所述基板處理步驟可將所述非處理空間的保持在低於常壓的真空壓的恆定壓力。

所述處理空間解除步驟可包括：壓力調節步驟，調節所述非處理空間及所述處理空間中的至少一個空間的壓力，以將所述非處理空間與所述處理空間之間的壓力差調節在預先設定的範圍以內；內蓋上升步驟，上升所述內蓋部以解除所述處理空間。

所述壓力調節步驟調節所述非處理空間及所述處理空間的壓力，相互具有相同壓力。

所述製程腔室還包括開關所述閘門的閘門閥。在所述處理空間形成步驟之後可包括閘門關閉步驟，所述閘門關閉步驟為通過所述閘門閥關閉所述閘門。

《發明的效果》

本發明的基板處理裝置為，將腔室內部的處理基板的處理空間的體積最小化，進而具有可提高大壓力範圍的壓力變換速度的優點。

尤其是，本發明的基板處理裝置為，將處理基板的處理空間的體積最小化，進而具有從低壓的0.01 Torr至高壓的5 Bar能夠以1 Bar/s的高壓力變換速度改變壓力的優點。

尤其是，本發明的基板處理裝置為，具有容易導入及匯出基板的同時還可將處理基板的處理空間的體積最小化的優點。

另外，本發明的基板處理裝置為，通過設置密封部防止從最小化的處理空間洩漏氣體等的異物，同時通過對密封部進行吹掃防止腐蝕及損壞密封部，因此具有耐久性優秀的優點。

另外，本發明的基板處理裝置為，通過急劇的壓力變化有效去除基板的異物、雜質，因此具有可提高基板處理速度的優點。

另外，本發明的基板處理裝置為，在通過高壓製程執行基板處理時，無關於閘門閥，通過內蓋部的下降緊貼也可形成密封處理空間執行基板處理，因此具有不論閘門閥的性能如何，都容易執行高壓製程的基板處理，並且可防止閘門閥損壞的優點。

另外，本發明的基板處理裝置為，在通過高壓製程處理基板時，在處理空間發生性洩漏的情況下，也可通過在形成為雙重空間的內部空間中進行抽吸防止流到裝置外部，進而具有提高安全性的優點。

另外，本發明的基板處理裝置為，將處理基板的處理空間的體積最小化，具有提高大壓力範圍的壓力變換速度，對應於由此引起基板的溫度變化可精確控制溫度的優點。

尤其是，本發明的基板處理裝置為，即使在由急劇的升降壓的壓力變化引起溫度變化的因素下也可調節基板的溫度保持恆定溫度，進而具有提高製程效果並且能夠形成質量均勻的薄膜的優點。

另外，本發明的基板處理裝置為，在基板處理面，即上側直接執行加熱或者冷卻，溫度補償快，因此具有能夠快速且精確地控制基板溫度的優點。

另外，本發明的基板處理裝置為，在最小化的處理空間中通過與基板相鄰配置的氣體噴射部均勻噴射氣體，改善基板的局部溫度及處理偏差，因此具有可均勻處理基板的優點。

以下，參照附圖如下說明本發明的基板處理裝置。

如圖1所示，本發明的基板處理裝置包括：製程腔室100，包括腔室主體110與頂蓋140，所述腔室主體110上部開放，並且在底面120中心側形成設置槽130，並且在一側包括用於進出基板1的閘門111，所述頂蓋140結合於所述腔室主體110的上部，以形成內部空間S1；基板支撐部200，內插地設置在所述腔室主體110的所述設置槽130，並且在上面放置基板1；內蓋部300，可上下移動地設置在所述內部空間S1，通過下降，一部分緊貼於與所述設置槽130相鄰的所述底面120，進而形成內部有所述基板支撐部200的密封的處理空間S2；氣體供應部400，設置成與所述處理空間S2連通，以將製程氣體供應於所述處理空間S2；內蓋驅動部600，貫通所述頂蓋140設置，以驅動所述內蓋部300的上下移動。

另外，本發明的基板處理裝置還可包括泵部500，所述泵部500在所述製程腔室100中設置在與所述內蓋部300緊貼的位置，以抽吸在密封部900洩漏的氣體。

另外，本發明的基板處理裝置可包括填充部件700，所述填充部件700設置在所述基板支撐部200與所述設置槽130的內面之間，以填充所述基板支撐部200與所述設置槽130的內面之間的空間中的至少一部分。

另外，本發明的基板處理裝置還可包括基板支撐銷部800，所述基板支撐銷部800支撐在製程腔室100導入及匯出的基板1，並且安裝在基板支撐部200。

另外，本發明的基板處理裝置包括溫度調節部1100，所述溫度調節部1100設置在內蓋部300，以調節位於處理空間S2的基板1的溫度。

在此，對於作為處理對象的基板1可理解為包括所有基板的含義，諸如在LCD、LED、OLED等的顯示裝置使用的基板、半導體基板、太陽能電池基板、玻璃基板等。

所述製程腔室100作為在內部形成內部空間S1的結構，可採用各種結構。

例如，所述製程腔室100可包括腔室主體110與頂蓋140，所述腔室主體110上部開放，所述頂蓋140覆蓋腔室主體110的開放的上部以與腔室主體110一同形成密封的內部空間S1。

另外，所述製程腔室100可包括底面120與設置槽130，所述底面形成內部空間S1的底部，所述設置槽130使基板支撐部200設置在底面120。

另外，所述製程腔室100還可包括閘門閥150，所述閘門閥150用於開關形成在腔室主體110一側的閘門111，以供基板1進出。

另外，所述製程腔室100還可包括支撐銷設置槽160，所述支撐銷設置槽160形成在所述製程腔室100下部面，以設置後述的基板支撐部200中的基板支撐環820。

所述腔室主體110為上部開放，可與後述的頂蓋140一同在內部形成密封的內部空間S1。

此時，所述腔室主體110可用包含鋁的金屬材料構成，作為另一示例，可用石英材料構成，並且與以往公開的腔室相同可具有直角六面體形狀。

另一方面，所述內部空間S1通過後述的內蓋部300可分為處理空間S2與非處理空間S3，即除了處理空間S2以外的空間。

所述頂蓋140可以是結合於上部開放的腔室主體110的上側以與腔室主體110一同在內部形成密封的內部空間S1的結構。

此時，所述頂蓋140對應於腔室主體110的形狀，在平面上可形成為直角四邊形的形狀，並且可用與腔室主體110相同的材料構成。

另外，所述頂蓋140可形成有多個貫通孔，以貫通設置後述的內蓋驅動部600，並且在底面結合後述的第一波紋管630的末端，可防止向外部洩漏各種氣體及異物。

另一方面，當然還可省略所述頂蓋140結構，並且所述腔室主體110可形成為在內部形成內部空間S1的一體型。

所述製程腔室100可包括底面120與設置槽130，所述底面120內側下部面形成內部空間S1的底部，所述設置槽130形成為使後述的基板支撐部200設置在底面120。

更具體地說，如圖1所示，在所述製程腔室100下部面中的中心側可形成設置槽130，所述設置槽130對應於後述的基板支撐部200形成階梯，在設置槽130的邊緣可構成底面120。

即，在所述製程腔室100內側下部面形成用於設置基板支撐部200的設置槽130，所述設置槽130形成階梯，除此之外的部分定義為底面120，可形成高於設置槽130的高度。

所述閘門閥150作為用於開關形成在腔室主體110一側的閘門111以供基板1進出的結構，可採用各種結構。

此時，所述閘門閥150通過上下驅動及前進後退驅動與腔室主體110緊貼或者解除緊貼，進而可關閉或者開放閘門111，作為另一示例，通過對角線方向的單一驅動可關閉或者開放閘門111，在該過程中可適用在以往公開的各種驅動方式，例如氣缸、凸輪、電磁等。

所述支撐銷設置槽160用於設置基板支撐銷部800以支撐基板1來放置於基板支撐部200或者從基板支撐部200向上側間隔來支撐基板1進而可導入及匯出基板1的結構，可採用各種結構。

例如，所述支撐銷設置槽160對應於基板支撐環820在平面上可形成為環形的凹槽，以設置後述的基板支撐環820。

此時，所述支撐銷設置槽160可對應於設置基板支撐環820的位置設置在製程腔室100的下部面，更具體地說可形成在設置槽130。

即，所述支撐銷設置槽160可形成在從底面120形成階梯的設置槽130，並且可具有預定深度，以在設置基板支撐環820的狀態下能夠進行上下移動。

由此，所述支撐銷設置槽160設置基板支撐環820，進而可設置多個基板支撐銷810，在上側貫通填充部件700及基板支撐板210。

另一方面，所述支撐銷設置槽160形成在設置槽130並且形成預定體積，因此存在引起通過後述的內蓋部300形成的處理空間S2的體積增加的問題。

為了改善這種問題，填充部件700設置在設置槽130的同時覆蓋支撐銷設置槽160，進而可隔絕處理空間S2與由支撐銷設置槽160形成的空間之間，據此可將處理空間S2體積最小化。

更具體地說，在去掉所述支撐銷設置槽160的情況下，在基板支撐板210下部需要單獨的用於後述的基板支撐銷810及基板支撐環820的空間，因此可引起死體積增加，為了消除死體積，可形成支撐銷設置槽160，以在基板支撐銷810及基板支撐環820下降時可插入到支撐銷設置槽160內部。

另一方面，與此不同，所述支撐銷設置槽160不設置在製程腔室100的底面120，而是可形成在設置在設置槽130的填充部件700。

即，所述支撐銷設置槽160在填充部件700的上部面形成預定深度，更具體地說，形成可內插基板支撐環820及基板支撐銷810的程度的深度，進而可以為了在內插於填充部件700內的狀態下支撐基板1而上升。

另一方面，此時基板支撐銷810可貫通填充部件700設置。

所述基板支撐部200作為設置在製程腔室100並且在上面放置基板1的結構，可採用各種結構。

即，在所述基板支撐部200上面放置基板1，進而支撐處理的基板1，並且可在基板處理過程中固定該基板1。

另外，所述基板支撐部200內部具有加熱器，可營造用於基板處理的處理空間S2的溫度環境。

例如，所述基板支撐部200可包括：基板支撐板210，在上面放置所述基板1；基板支撐柱220，貫通所述設置槽130的底部以與所述基板支撐板210連接；所述內部加熱器230，設置在所述基板支撐板210內部。

所述基板支撐板210作為在上面放置所述基板1的結構，可以是對應於基板1的形狀在平面上形成為圓形的板結構。

此時，在所述基板支撐板210內部配置內部加熱器230，可在處理空間S2營造用於基板處理的製程溫度，此時的製程溫度可以是約400°C至550°C。

所述基板支撐柱220作為貫通製程腔室100的下部面與所述基板支撐板210連接的結構，可採用各種結構。

所述基板支撐柱220貫通製程腔室100的下部面可與基板支撐板210結合，並且在內部可設置用於給內部加熱器230供電的各種導線。

所述內部加熱器230可以是設置在基板支撐板210內部來加熱處理空間S2及基板1，以處理基板1的結構。

此時，所述內部加熱器230也可適用在以往公開的任意類型的加熱器，作為一示例，可以是配置在基板支撐板210內部通過從外部接收的電源進行發熱的熱線類型。

另一方面，如圖4所示，本發明的基板處理裝置作為用於執行在短時間內反復變換並營造高壓與低壓的壓力環境的基板處理的裝置，更具體地說，需要以1Bar/s水準的壓力變換速度反復改變5 Bar至0.01 Torr的壓力範圍。

然而，在考慮腔室主體110的內部空間S1的龐大的空間體積時，無法達到上述的壓力變換速度，因此有必要將用於基板處理的處理空間S2的體積最小化。

為此，本發明的基板處理裝置包括內蓋部300，所述內蓋部300可上下移動地設置在所述內部空間S1，並且通過下降一部分與所述製程腔室100緊貼，以形成內部有所述基板支撐部200的密封的處理空間S2。

所述內蓋部300可以是可上下移動地設置在所述內部空間S1，並且通過下降一部分與所述製程腔室100緊貼，以形成內部有所述基板支撐部200的密封的處理空間S2的結構。

即，所述內蓋部300設置成在內部空間S1中可在基板支撐部200的上側進行上下移動，通過下降與製程腔室100的內部面中的至少一部分緊貼，進而可將內部空間S1分割成在所述內蓋部300與製程腔室100的內側下部面之間密封的處理空間S2與除了處理空間S2以外的非處理空間S3。

據此，所述基板支撐部200可位於處理空間S2內，並且可在將體積最小化的處理空間S2內對於放置在基板支撐部200的基板1執行基板處理。

作為一示例，所述內蓋部300通過下降邊緣緊貼於底面120，進而可在所述內蓋部300底面與製程腔室100的內側下部面之間形成密封的處理空間S2。

另一方面，作為另一示例，所述內蓋部300通過下降邊緣緊貼於製程腔室100的內側面，進而當然可形成密封的處理空間S2。

所述內蓋部300通過下降邊緣緊貼於底面120形成密封的處理空間S2，設置在設置槽130的基板支撐部200可位於處理空間S2內。

即，如圖2所示，所述內蓋部300通過下降邊緣緊貼於與設置槽130形成階梯並位於高處的底面120，進而在所述內蓋部300的底面與設置槽130之間可形成密封的處理空間S2。

此時，在設置槽130設置基板支撐部200，更具體地說，設置基板支撐板210與填充部件700，進而將處理空間S2的體積最小化並且可將作為處理對象的基板1位於上面。

為了在該過程中將處理空間S2的體積最小化，設置槽130可形成為與設置處理空間S2的基板支撐部200相對應的形狀，更具體地說，對應於圓形的基板支撐板210，可形成為具有圓柱形狀的凹槽。

即，為了在由設置槽130形成的設置空間中將除了設置基板支撐板210及填充部件700的空間以外的剩餘空間最小化，設置槽130可形成為與基板支撐板210的形狀相對應的形狀。

為了防止在該過程中放置在基板支撐板210上面的基板1與內蓋部300之間發生干擾，底面120的高度可高於放置在基板支撐部200的基板1的上面。

另一方面，在基板支撐部200放置的基板1與內蓋部300底面之間的間距越大就意味著處理空間S2的體積也隨之擴大，因此可將底面120的高度設定在防止基板1與內蓋部300之間的干擾的同時將這兩者之間的間距最小化的高度。

所述內蓋部300可包括內蓋310，所述內蓋310通過內蓋驅動部600進行上下移動。

所述內蓋310作為通過內蓋驅動部600在內部空間內進行上下移動的結構，可採用各種結構。

此時，所述內蓋310在平面上可形成為覆蓋設置槽130並且邊緣與底面120一部分相對應的大小，並且所述內蓋310邊緣緊貼於底面120，進而在所述內蓋310與設置槽130之間可形成密封的處理空間S2。

另一方面，作為另一示例，當然可以是所述內蓋310邊緣緊貼於製程腔室100的內側面形成處理空間S2。

另外，為了有效達到及保持通過所述內蓋310上下移動形成的密封的處理空間S2內的製程溫度，所述內蓋310可用隔熱效果優秀的材料形成，可防止處理空間S2向內部空間等損失溫度。

另外，如圖5所示，所述內蓋部300可以是設置後述的溫度調節部1100的結構。

此時，在所述內蓋部300中心側可形成貫通口320，以設置後述的溫度調節部1100，更具體地說設置溫度調節板1110及緩衝板1130。

更具體地說，在所述內蓋310中與基板1及基板支撐板210相向的位置形成貫通口320，可設置溫度調節板1110。

此時，為了支撐溫度調節板1110，在貫通口320的上側以內蓋310的半徑方向可形成支撐階梯340，在支撐階梯340支撐溫度調節板1110的末端，進而可在貫通口320穩定支撐並設置溫度調節板1110。

另一方面，作為另一示例，如圖5所示，在所述內蓋部300上部面可形成插入槽330，以使後述的溫度調節板1110插入於所述內蓋部300內部。

即，與上述不同，如圖7所示，在所述內蓋310上部面單純形成插入槽330，進而可在該插入槽330內部插入設置溫度調節板1110，此時插入槽330可形成在內蓋310的中心側，即與基板1及基板支撐部200相向的位置。

另一方面，在該情況下，如上所述在插入槽330的上側以內蓋310的半徑方向形成支撐階梯340，進而當然可支撐插入設置在插入槽330的溫度調節板1110。

更進一步地，此時內蓋310可用透明的材料形成，以使插入槽330下側部分360容易傳遞通過溫度調節板1110供應的熱或者從基板1及處理空間S2供應至溫度調節板1110的熱。

即，內蓋310應通過插入槽330、下側部分360與基板1及處理空間S2執行熱交換，因此考慮到後述的溫度調節板1110的熱供應方式為LED加熱器或者鹵素燈加熱器時，下側部分360一部分可用容易傳熱的透明材料構成。

所述密封部900作為配置在內蓋部300或者製程腔室100的底面120中的至少一個的結構，可對應於製程腔室100的底面120與內蓋部300緊貼的位置配置。

即，在內蓋部300的邊緣接觸於底面120形成密封的處理空間S2的情況下，所述密封部900在內蓋部300的底面中沿著邊緣配置，可接觸於內蓋部300的邊緣與底面120之間。

由此，所述密封部900可引導形成密封的處理空間S2，並且可防止處理空間S2的製程氣體等洩漏到內部空間S1等的外部。

例如，所述密封部900可包括：第一密封部件910，沿著內蓋部300的底面中的邊緣配置；第二密封部件920，配置在與第一密封部件910間隔預定間距的位置。

此時，所述第一密封部件910及所述第二密封部件920作為在以往公開的類型的O型圈，在內蓋部300的底面中沿著邊緣可相互間隔預定間距並列設置。

即，所述第一密封部件910及所述第二密封部件920對於處理空間S2執行雙重密封，進而可斷絕製程氣體等從處理空間S2洩漏到外部。

另一方面，所述密封部900可插入於設置在底面120的插入槽，隨著內蓋部300的上下移動可與內蓋部300緊貼或者分開。

作為另一示例，密封部900當然也可配置在內蓋部300的底面。

所述泵部500作為在製程腔室100中設置在與所述內蓋部300緊貼的位置以抽吸在密封部900洩漏的製程氣體的結構，可採用各種結構。

例如，所述泵部500設置在與內蓋部300與製程腔室100之間的緊貼位置相對應的位置，貫通製程腔室100的下部面，進而可對設置在內蓋部300的密封部900進行抽吸。

即，所述泵部500將在作為消耗品的密封部900洩漏製程氣體最小化，進而可將暴露在使用高溫及製程氣體的處理空間S2的密封部900的腐蝕及損壞最小化，進而可提高耐久性。

為此，所述泵部500可對於第一密封部件910與第二密封部件920的間隙空間S4進行抽吸。

例如，所述泵部500可包括：泵530，配置在外部對於間隙空間S4執行抽吸；泵送噴嘴510，設置在與第二密封部件920和第二密封部件920之間相對應的位置；泵送流路520，貫通製程腔室100的下部面配置，以使一端連通於泵送噴嘴510，另一端與外部的泵530連接。

此時，所述泵送噴嘴510沿著密封部900在平面上可形成為圓形，作為另一示例，可以是沿著密封部900配置在形成在製程腔室100的下部面的凹槽中的一部分以沿著凹槽執行抽吸的結構。

另一方面，所述泵送流路520可以是貫通製程腔室100的下部面而成的單獨的管道結構，作為另一示例，可以是加工製程腔室100的下部面而成。

另一方面，與抽吸在密封部900洩漏的製程氣體的上述示例不同，所述泵部500可以是將吹掃氣體供應於第一密封部件910與第二密封部件920之間的間隙空間S4的結構。

所述氣體供應部400作為與處理空間S2連通以將製程氣體供應於處理空間S2的結構，可採用各種結構。

例如，如圖1所示，所述氣體供應部400可包括：氣體供應噴嘴410，暴露在處理空間S2以將製程氣體供應於處理空間S2內；供氣通道420，貫通製程腔室100，與氣體供應噴嘴410連接，並且傳遞通過氣體供應噴嘴410供應的製程氣體。

此時，如圖2所示，所述氣體供應部400可與基板支撐部200相鄰地設置在與設置槽130的邊緣，由此可將製程氣體供應於處理空間S2。

另一方面，由此處理空間S2可形成在內蓋部300的底面中的一部分與氣體供應部400及基板支撐部200的上面之間。

所述氣體供應噴嘴410作為暴露在處理空間S2以將製程氣體供應於處理空間S2內的結構，可採用各種結構。

例如，所述氣體供應噴嘴410與基板支撐板210的側面相鄰地設置在設置槽130的邊緣，向上側或者基板支撐板210側噴射製程氣體，進而可將製程氣體供應於處理空間S2內。

此時，所述氣體供應噴嘴410配置在設置槽130的邊緣，包圍基板支撐板210，在平面上可從基板支撐板210的側面中的至少一部分噴射製程氣體。

作為一示例，所述氣體供應噴嘴410可從設置槽130的邊緣朝向內蓋部300的底面噴射製程氣體，並且可以是為了通過處理空間S2的最小化的體積在短時間內將處理空間S2的壓力調節在希望的壓力而供應製程氣體。

所述供氣通道420貫通製程腔室100的下部面，可與外部的製程氣體儲存部連接，並且接收製程氣體，可將製程氣體供應於氣體供應噴嘴410。

此時，所述供氣通道420可以是貫通製程腔室100的下部面設置的管道，作為另一示例，所述供氣通道420可以是加工製程腔室100的下部面而成。

另一方面，作為另一示例，如圖10所示，所述氣體供應部400可包括：氣體噴射部430，形成擴散製程氣體的第一擴散空間S5；多個氣體噴射孔440，形成在氣體噴射部430以朝向處理空間S2噴射製程氣體。

另外，所述氣體供應部400還可包括第一緊固部件450，所述第一緊固部件450貫通氣體噴射部430來結合於氣體擴散部1000。

此時，所述製程腔室100可包括氣體供應通道190，所述氣體供應通道190貫通製程腔室100的下部面與第一擴散空間S5連通，並且將製程氣體從外部供應於第一擴散空間S5。

所述氣體供應通道190作為與上述的供氣通道420相對應的結構，可以是用於貫通製程腔室100將製程氣體從外部傳遞於第一擴散空間S5的結構。

即，所述氣體供應通道190貫通製程腔室100的下部面可與外部的製程氣體儲存部連接，並且接收製程氣體，可將製程氣體供應於後述的氣體供應部400。

此時，所述氣體供應通道190可通過貫通製程腔室100的下部面設置的管道形成，作為另一示例，所述氣體供應通道190可以是加工製程腔室100的下部面而成。

另外，所述氣體供應通道190在製程腔室100下部面中可形成在與設置後述的氣體供應部400的基板1邊緣相鄰的位置中的至少一處。

從而，所述氣體供應部400可以是形成與上述的氣體供應通道190連通的第一擴散空間S5來擴散供應的製程氣體並向處理空間S2噴射的結構。

所述氣體噴射部430配置成沿著基板支撐部200邊緣設置的環形，可設置成包圍基板支撐部200邊緣，即包圍基板1。

由此，所述氣體噴射部430可在最接近基板1的邊緣向處理空間S2噴射製程氣體。

另一方面，所述氣體噴射部430包圍基板支撐部200邊緣，即包圍基板1，並且設置在上述的設置槽130內壁面，以垂直方向貫通，可通過結合於製程腔室100的多個第二緊固部件(未示出)固定設置所述氣體噴射部430。

此時，在所述氣體噴射部430底面可形成用於形成第一擴散空間S5的第一擴散槽431。

例如，如圖11及圖12所示，所述氣體噴射部430作為環形結構，在底面可形成相對應的環形的第一擴散槽431，由此在底面設置製程腔室100底面120或者氣體擴散部1000上面來覆蓋第一擴散槽431，進而可形成第一擴散空間S5。

另一方面，此時在所述氣體噴射部430上面形成多個後述的氣體噴射孔440，可向處理空間S2噴射製程氣體，此時上面可形成為水平的平面。

由此，所述氣體噴射部430不向基板1側直接噴射製程氣體，而是直接噴射於形成處理空間S2的內蓋部300底面之後朝向基板1側噴射，進而可將製程氣體噴射壓力及溫度給基板1造成的影響最小化。

另外，作為另一示例，如圖14所示，所述氣體噴射部430可傾斜形成，越向邊緣上面變得越高，並且在上面形成多個氣體噴射孔440，進而可向處理空間S2中的基板1側自然噴射製程氣體。

即，通過所述氣體噴射部430上面傾斜形成，不向垂直方上側噴射製程氣體，而是可朝向上側基板1側的方向噴射製程氣體。

另一方面，所述氣體噴射部430當然可傾斜成越向邊緣上面變得越低。

另外，作為另一示例，如圖15所示，在所述氣體噴射部430內部形成第一擴散空間S5，並且可包括貫通口432，所述貫通口432可在所述氣體噴射部430底面中形成在與氣體供應通道190相對應的位置，以從氣體供應通道190接收製程氣體。

即，所述氣體噴射部430作為在內部形成第一擴散空間S5的結構，可在與氣體供應通道190或者後述的氣體擴散部1000上面氣體輸送孔1020相對應的位置形成貫通口432，以向第一擴散空間S5供應製程氣體。

在該情況下，如上所述，所述氣體噴射部430在形成第一擴散槽431的狀態下通過焊接等結合覆蓋底面的蓋部（未示出）製作，據此可防止從氣體噴射部430與氣體擴散部1000上面之間向基板支撐部200側洩漏製程氣體。

所述氣體噴射孔440作為形成在氣體噴射部430以向處理空間S2噴射製程氣體的結構，可配置多個所述氣體噴射孔440。

此時，在氣體噴射部430上面可形成多個所述氣體噴射孔440，以環形的氣體噴射部430為準多個所述氣體噴射孔440可相互間隔相同的間距及形成相同的尺寸。

即，所述氣體噴射孔440在平面上針對基板支撐部200中心可點對稱配置。

另外，作為另一示例，考慮到為了均勻噴射氣體而以基板支撐部200為準在邊緣一側配置成單個的氣體供應通道190，所述氣體噴射孔440可形成為隨著與氣體供應通道190側相鄰逐步或者逐漸縮小尺寸。

即，在平面上通過配置在與氣體供應通道190相鄰的位置的氣體噴射孔440噴射製程氣體的噴射量可大於通過配置在遠離氣體供應通道190的位置的氣體噴射孔440噴射製程氣體的噴射量，為了補償這種現象，可適當調整氣體噴射孔440的尺寸及佈置。

從而，所述氣體噴射孔440可形成為隨著與氣體供應通道190側相鄰逐步或者逐漸縮小孔的尺寸，作為另一示例，所述氣體噴射孔440可形成為隨著與氣體供應通道190側相鄰逐步或者逐漸擴大相鄰的氣體噴射孔440的間距。

所述氣體擴散部1000作為配置在氣體供應部400與製程腔室100之間並且形成第二擴散空間S6以擴散傳遞於氣體供應部400的製程氣體的結構，可採用各種結構。

即，所述氣體擴散部1000可以是配置在氣體供應部400與氣體供應通道190之間從氣體供應通道190接收製程氣體執行第一次擴散，並且將擴散的氣體傳遞於氣體供應部400的結構。

此時，可配置單個的所述氣體擴散部1000，作為另一示例，可以是多個所述氣體擴散部1000層疊配置，以引導增加擴散。

在所述氣體擴散部1000底面可形成第二擴散槽1010，以與製程腔室100一同形成第二擴散空間S6。

另外，所述氣體擴散部1000可包括至少一個氣體輸送孔1020，所述至少一個氣體輸送孔1020形成在上面以從第二擴散空間S6向第一擴散空間S5傳遞製程氣體。

另外，所述氣體擴散部1000可包括第二階梯部1030，所述第二階梯部1030形成在上面，以使一部分插入於第一擴散槽431。

所述氣體擴散部1000作為與上述的氣體供應部400類似的結構，可配置成包圍基板支撐部200邊緣的環形，構成為在上面層疊配置氣體供應部400的結構，因此可具有相對應的平面形狀及尺寸。

所述第二擴散槽1010作為形成在氣體擴散部1000底面以與製程腔室100一同形成第二擴散空間S6的結構，與第一擴散槽431相同，可在整個底面形成為環形。

即，所述第二擴散槽1010被製程腔室100覆蓋可形成第二擴散空間S6。

作為另一示例，如圖15所示，在所述氣體擴散部1000內部形成第二擴散空間S6，並且可包括氣體導入口1040，所述氣體導入口1040在所述氣體擴散部1000底面中形成在與氣體供應通道190相對應的位置，以從氣體供應通道190接收製程氣體的供應。

即，所述氣體擴散部1000作為在內部形成第二擴散空間S6的結構，在與氣體供應通道190相對應的位置可形成氣體導入口1040，以向第二擴散空間S6接收製程氣體供應。

在該情況下，所述氣體擴散部1000在如上所述形成第二擴散槽1010的狀態下可通過焊接等結合覆蓋底面的蓋部（未示出）來製作，據此可防止從氣體擴散部1000與製程腔室100接觸面向基板支撐部200側洩漏製程氣體。

所述氣體輸送孔1020作為形成在氣體擴散部1000上面以從第二擴散空間S6向第一擴散空間S5傳遞製程氣體的結構，優選為可形成多個所述氣體輸送孔1020。

此時，所述氣體輸送孔1020在平面上針對基板支撐部200中心可點對稱配置，並且可相互間隔相同間距配置。

另外，作為另一示例，與上述的氣體噴射孔440相同，考慮到氣體供應通道190，當然也可非對稱形成所述氣體輸送孔1020。

所述第二階梯部1030可以是在氣體擴散部1000上面凸出形成階梯以使所述第二階梯部1030一部分在上面插入於第一擴散槽431的結構。

即，所述第二階梯部1030在上面凸出形成階梯並插入於第一擴散槽431，進而在氣體擴散部1000和氣體供應部400接觸部與第一擴散空間S5之間形成階梯，可將製程氣體的洩漏最小化。

另外，為使氣體擴散部1000一部分插入或者在第二擴散槽1010插入氣體供應通道190一部分，可包括在相對應的製程腔室100底面120形成為階梯的第一階梯部191。

即，如圖13所示，所述第一階梯部191形成在底面120，以插入氣體擴散部1000的一部分，可防止從形成在氣體擴散部1000與製程腔室100之間的第二擴散空間S6發生洩漏。

另外，作為另一示例，形成氣體供應通道190的底面120凸出插入於所述第二擴散槽1010，進而所述第一階梯部191在氣體擴散部1000與製程腔室100接觸面之間形成階梯，以防止從第二擴散空間S6洩漏製程氣體。

所述內蓋驅動部600作為貫通製程腔室100的上部面設置以驅動內蓋部300的上下移動的結構，可採用各種結構。

例如，所述內蓋驅動部600可包括：多個驅動桿610，一端貫通製程腔室100的上部面來結合於內蓋部300；至少一個驅動源620，連接於多個驅動桿610的另一端，以上下方向驅動驅動桿610。

另外，所述內蓋驅動部600可包括：固定支撐部640，設置在製程腔室100的上部面，即頂蓋140，固定並支撐所述驅動桿610的末端；第一波紋管630，設置在製程腔室100的上部面與內蓋部300之間，包圍驅動桿610。

另外，在後述的溫度調節部1100中桿部1120隨著內蓋部300的上下移動而進行上下移動，為了防止由於桿部1120貫通頂蓋140設置可發生向外部洩漏氣體，所述內蓋驅動部600可包括包圍桿部1120的第二波紋管650。

所述驅動桿610可以是一端貫通製程腔室100的上部面來結合於內蓋部300，而另一端在製程腔室100的外部結合於驅動源620，通過驅動源620進行上下移動，通過該上下移動可上下驅動內蓋部300的結構。

此時，相比於形成多個所述驅動桿610，可形成2個或者4個所述驅動桿610，間隔預定間距地結合在內蓋部300的上面，進而可引導內蓋部300保持水平的同時進行上下移動。

所述驅動源620作為設置在固定支撐部640以上下驅動結合的驅動桿610的結構，可採用各種結構。

對於所述驅動源620，只要是在以往公開的驅動方式，可適用任意一種結構，例如可以適用氣缸方式、電磁驅動、螺桿馬達驅動、凸輪驅動等各種驅動方式。

所述波紋管630可以是包圍驅動桿610地設置在製程腔室100的上部面與內蓋部300之間，以防止內部空間S1的氣體等通過製程腔室100的上部面洩漏的結構。

另一方面，可考慮內蓋部300的上下移動來設置所述第一波紋管630。

所述第二波紋管650一端結合於後述的覆蓋板1140，而另一端結合於頂蓋140的底面，設置成包圍桿部1120，在內蓋部300及溫度調節板1110上下移動的情況下也可防止通過桿部1120貫通的頂蓋140發生氣體洩漏。

所述溫度調節部1100作為設置在所述內蓋部300以與所述內部加熱器230一同調節位於所述處理空間S2的所述基板1的溫度的結構，可採用各種結構。

即，所述溫度調節部1100可以是加熱或者冷卻基板1，以與內部加熱器230一同調節處理空間S2及基板1的溫度的結構。

例如，如圖5所示，所述溫度調節部1100可包括：溫度調節板1110，設置在所述內蓋部300以加熱或者冷卻所述基板1；桿部1120，貫通所述頂蓋140來結合於所述溫度調節板1110。

另外，所述溫度調節部1100還可包括緩衝板1130，所述緩衝板1130在內蓋部300的下側結合於貫通口320，以覆蓋溫度調節板1110。

另外，所述溫度調節部1100還可包括覆蓋板1140，所述覆蓋板1140設置成在所述內蓋部300的上側覆蓋所述貫通口320。

所述溫度調節板1110作為設置在內蓋部300以加熱或者冷卻基板1的結構，可採用各種結構。

例如，如上所述，所述溫度調節板1110設置在形成在內蓋310的貫通口320，可加熱或者冷卻基板1。

另一方面，上述的內部加熱器230構成為通過供電發熱的發熱體，是通過基板支撐板210將熱供應於基板1及處理空間S2的結構，存在初期加熱時間長，並且難以即刻應對快速的溫度變化的問題。

據此，所述溫度調節板1110作為用於在短時間內對基板1即刻供熱的結構，例如，可適用鹵素燈或者LED加熱器。

另外，所述溫度調節板1110內部可形成冷卻流路可通過製冷劑的循環冷卻基板1，以在短時間內即刻冷卻基板1。

另一方面，在所述溫度調節板1110邊緣形成階梯，如上所述可被在內蓋310的貫通口320形成的支撐階梯340支撐。

更進一步地，作為另一示例，所述溫度調節板1110當然可通過單純的粘貼、結合等可設置在內蓋310的底面，以直接暴露在基板1。

另外，所述溫度調節板1110可包括至少2個溫度調節區域，所述至少2個溫度調節區域在平面上相互區分並且可相互獨立調節溫度。

此時，如圖8所示，溫度調節區域可包括：第一溫度調節區域1111，與平面上形成為圓形的溫度調節板1110共享中心，並且在與基板1的中心側相對應的位置在平面上劃分成圓形；第三溫度調節區域1113，在溫度調節板1110的邊緣劃分；第二溫度調節區域1112，在第一溫度調節區域1111與所述第三溫度調節區域1113之間劃分。

即，根據對應於與溫度調節板1110相向的基板1的區域，所述溫度調節區域可劃分為可獨立調節溫度的區域，由此可獨立於劃分的區域來調節基板1的特定區域的溫度。

所述桿部1120作為貫通頂蓋140來結合於溫度調節板1110的結構，可採用各種結構。

此時，所述桿部1120可以是內部形成中空，以從外部向溫度調節板1110供應各種製冷劑或者電源的結構。

例如，所述桿部1120可包括：桿1121，貫通頂蓋140來結合於溫度調節板1110，以支撐溫度調節板1110；供應線路1122，插入於桿1121的中空以從外部向溫度調節板1110供應電源或者製冷劑等。

所述緩衝板1130作為在所述內蓋部300的下側結合於所述貫通口320以覆蓋所述溫度調節板1110的結構，可採用各種結構。

例如，如圖6所示，所述緩衝板1130在內蓋部300的下側結合於貫通口320，可位於溫度調節板1110與基板1之間，並且可媒介溫度調節板1110與基板1之間的熱交換。

此時，所述緩衝板1130也可在高溫高壓的環境下通過穩定的設計製作，並且可用石英材料形成。

由此，所述緩衝板1130可防止溫度調節板1110直接暴露在處理空間S2的高壓環境下，可將高壓的影響最小化，並且容易熱交換的同時可保護溫度調節板1110。

此時，如圖2所示，所述緩衝板1130可設置在內蓋310的貫通口320的下側，更具體地說，可設置成被在內蓋310的貫通口320下側邊緣設置的支撐部350支撐。

所述覆蓋板1140作為設置成在內蓋部300的上側覆蓋貫通口320的結構，可採用各種結構。

例如，所述覆蓋板1140在桿部1120貫通的狀態下可覆蓋設置內蓋310的溫度調節板1110的貫通口320，並且結合上述的第二波紋管650的末端，可使溫度調節板1110容易移動。

所述控制部可以是控制所述溫度調節部1100的加熱或者冷卻的結構。

例如，考慮到基板1的邊緣溫度相對低於中心側這一點，為了補償該現象，所述控制部可將所述第三溫度調節區域1113控制在高於所述第一溫度調節區域1111的溫度。

另外，所述控制部可控制所述溫度調節部1100，以在所述處理空間S2的變壓過程期間使所述基板1或者所述處理空間S2保持恆定溫度。

尤其是，如圖9所示，本發明的基板處理裝置對於處理空間S2執行急劇的壓力變換，因為基板1所在的處理空間S2的壓力變化發生急劇的溫度變化。

為了防止這種溫度變化，可控制溫度調節部1100，使基板1及處理空間S2的保持恆定溫度。

另一方面，如上所述，在基板支撐部200設置在設置槽130的情況下，在基板支撐部200，更具體地說在基板支撐板210與設置槽130之間形成空間，這可以是增加處理空間S2的體積的因素。

為了改善這種問題，將基板支撐部200接觸於設置槽130設置的情況下，存在如下的問題：通過存在於基板支撐部200內的加熱器供應的熱通過製程腔室100的下部面，即設置槽130被製程腔室100吸取可發生熱損失，並且對於處理空間S2難以設定及保持製程溫度，降低效率。

為了改善這種問題，本發明的所述填充部件700作為設置在基板支撐部200與製程腔室100下部面之間的結構，可採用各種結構。

例如，所述填充部件700可設置在設置槽130，在設置在設置槽130的狀態下基板支撐板210設置在所述填充部件700可上側，將設置槽130與基板支撐板210之間的剩餘體積最小化，進而可縮小處理空間S2的體積。

為此，所述填充部件700可形成為與所述設置槽130與所述基板支撐部200之間的空間相對應的形狀，以將所述處理空間S2最小化。

更具體地說，所述填充部件700可形成為與在平面上形成為圓形且形成從底面120具有預定深度的階梯的設置槽130與平面上形成為圓形的基板支撐板210之間的空間相對應的形狀。

即，所述填充部件700設置成與所述基板支撐板210的側面及底面中的至少一面相鄰設置，並且間隔於所述基板支撐板210，以包圍所述基板支撐板210的底面及側面。

此時，為了防止通過填充部件700發生熱損失，所述基板支撐部200可與填充部件700間隔設置，更詳細地說，可設置成具有不接觸的程度的微小間隔。

據此，在所述基板支撐部200與填充部件700之間可保持預定間距，該間隔起到排氣通道的作用，進而可執行處理空間S2的排氣。

更具體地說，由於所述基板支撐部200與填充部件700相互間隔設置可形成排氣通道，此時排氣通道與由基板支撐柱220貫通的設置槽130的底部連通，可向外部排放處理空間S2的製程氣體。

另一方面，所述填充部件700可用石英、陶瓷及SUS中的至少一種材料形成。

另外，所述填充部件700不僅是為了單純地將處理空間S2的體最小化而佔據設置槽130與基板支撐部200之間的空間，還通過隔熱將通過基板支撐部200傳遞於基板1的熱的損失最小化，更進一步地通過熱反射可向處理空間S2反射損失的熱。

即，所述填充部件700不僅可將處理空間S2的體積最小化，還可包括用於防止通過基板支撐部200的熱向製程腔室100底面120側損失的隔熱、更進一步地通過熱反射提高熱效率的反射功能。

另一方面，此外，為了增大通過基板支撐部200散發的熱向處理空間S2反射的反射效果，所述填充部件700還可包括配置在表面的反射部720。

即，所述填充部件700可包括：隔熱部710，用於隔絕從所述處理空間S2至外部的熱；反射部720，配置在所述隔熱部710的表面以反射熱。

此時，所述反射部720塗敷、粘貼或者塗布於隔熱部710的表面可形成反射層，反射從處理空間S2通過製程腔室100損失的熱，可再次向處理空間S2傳遞熱。

另外，所述填充部件700還可包括：第一貫通口731，為了設置上述的基板支撐柱220而在所述填充部件700中心形成與基板支撐柱220相對應的尺寸；多個第二貫通口732，用於供多個基板支撐銷810貫通進行上下移動。

所述基板支撐銷部800作為支撐在製程腔室100導入及匯出的基板1並放置於基板支撐部200的結構，可採用各種結構。

例如，所述基板支撐銷部800可包括：多個基板支撐銷810，貫通所述填充部件700及所述基板支撐部200進行上下移動，進而支撐所述基板1；基板支撐環820，形成為環形並且設置多個所述基板支撐銷810；基板支撐銷驅動部830，上下驅動多個所述基板支撐銷810。

所述多個基板支撐銷810作為在基板支撐環820配置多個以貫通填充部件700及基板支撐部200進行上下移動進而支撐基板1的結構，可採用各種結構。

此時，多個基板支撐銷810至少可配置3個，相互間隔地分別設置在基板支撐環820，所述基板支撐銷810上升從基板支撐部200暴露出來以支撐導入的基板1或者支撐匯出的基板1，所述基板支撐銷810下降位於基板支撐部200內部，進而可將基板1放置於基板支撐部200。

所述基板支撐環820可以是作為環形的結構，設置多個基板支撐銷810，通過上下移動可使多個基板支撐銷810同時上下移動的結構。

尤其是，所述基板支撐環820設置在形成在製程腔室100的下部面，即設置在形成在設置槽130的支撐銷設置槽160，可通過基板支撐銷驅動部830進行上下移動。

所述基板支撐銷驅動部830作為設置在製程腔室100的外部以上下驅動基板支撐環820的結構，可採用各種結構。

例如，所述基板支撐銷驅動部830可包括：基板支撐銷桿831，一端連接於基板支撐環820的底面，而另一端連接於基板支撐銷驅動源833，通過基板支撐銷驅動源833的驅動力進行上下移動；基板支撐銷導件832，引導基板支撐銷桿831的線性移動；基板支撐銷驅動源833，驅動基板支撐銷桿831。

另外，所述基板支撐銷部800還可包括基板支撐銷波紋管840，所述基板支撐銷波紋管840包圍基板支撐銷桿831並且設置在製程腔室100的底面與基板支撐銷驅動源833之間。

以下，參照附圖，對於本發明的基板處理裝置的另一實施例進行說明，省略與上述的結構相同的結構的重複說明。

從而，對於省略重複說明的結構可全部同樣適用上述的內容。

如圖16所示，本發明的基板處理裝置包括：製程腔室100，包括腔室主體110與頂蓋140，所述腔室主體110上部開放，並且在底面120中心側形成設置槽130，並且在一側包括用於基板1進出的閘門111，所述頂蓋140結合於所述腔室主體110的上部以形成非處理空間S3；基板支撐部200，內插地設置在所述腔室主體110的所述設置槽130，並且在上面放置基板1；內蓋部300，可上下移動地設置在所述內部空間，通過下降，一部分緊貼於與所述設置槽130相鄰的所述底面120，以形成內部有所述基板支撐部200的密封的處理空間S2；第一壓力調節部1200，與所述處理空間S2連通，並且調節所述處理空間S2的壓力；第二壓力調節部1300，與所述非處理空間S3連通，並且獨立於所述處理空間S2調節所述非處理空間S3的壓力。

另外，本發明的基板處理裝置還可包括內蓋驅動部600，所述內蓋驅動部600貫通所述製程腔室100的上部面設置，以驅動所述內蓋部300的上下移動。

另外，如圖5所示，本發明的基板處理裝置還可包括控制部，所述控制部控制通過第一壓力調節部1200及第二壓力調節部1300調節處理空間S2及非處理空間S3的壓力。

另外，所述製程腔室100還可包括供氣孔170，所述供氣孔170配置在所述製程腔室100一側，連接後述的第二氣體供應部1310，以向非處理空間S3供應填充氣體。

另外，所述製程腔室100還可包括排氣孔180，所述排氣孔180配置在所述製程腔室100另一側，與後述的第二氣體排放部1320連接，以對在非處理空間S3進行排氣。

所述供氣孔170可以是配置在製程腔室100的腔室主體110一側並且連接第二氣體供應部1310的結構。

例如，所述供氣孔170可通過加工形成在腔室主體110的一側形成或者設置在形成在腔室主體110一側的貫通口。

由此，所述供氣孔170設置第二氣體供應部1310，可連接非處理空間S3與第二氣體供應部1310，據此可將填充氣體供應於非處理空間S3。

所述排氣孔180可以是配置在製程腔室100的腔室主體110另一側並且連接第二氣體排放部1320的結構。

例如，所述排氣孔180通過加工形成在腔室主體110的另一側或者設置在形成在腔室主體110另一側的貫通口。

由此，所述排氣孔180為設置第二氣體排放部1320可對非處理空間S3執行排氣。

此時，所述內蓋部300可在平面上形成為覆蓋設置槽130並且邊緣與底面120一部分相對應的尺寸，由於邊緣緊貼於底面120，進而在底面120與設置槽130之間可形成密封處理空間S2。

另一方面，作為另一示例，當然可以是所述內蓋部300邊緣緊貼於製程腔室100的內側面以形成處理空間S2。

另外，為了在有效達到及保持通過所述內蓋部300上下移動形成的密封的處理空間S2內的製程溫度，所述內蓋部300可用隔熱效果優秀的材料形成，可防止向內部空間等損失處理空間S2的溫度。

即，所述內蓋部300可上下移動地設置在內部空間S1，通過下降，一部分緊貼於與設置槽130相鄰的底面120，可將內部空間S1分割成內部有所述基板支撐部200的密封的處理空間S2與除此之外的非處理空間S3。

結果，所述內蓋部300通過下降與底面120緊貼，可將製程腔室100內部的內部空間S1分割成內部有基板支撐部200的密封的處理空間S2與除此之外的非處理空間S3，所述內蓋部300通過上升可連通處理空間S2與非處理空間S3。

所述第一壓力調節部1200作為與處理空間S2連通並且調節處理空間S2的壓力的結構，可採用各種結構。

例如，所述第一壓力調節部1200可包括氣體供應部400與氣體排放部1220，所述氣體供應部400將製程氣體供應於處理空間S2，所述氣體排放部1220對於處理空間S2執行排氣。

即，所述第一壓力調節部1200將製程氣體供應於處理空間S2並且對於處理空間S2進行適當的排氣，進而可調節處理空間S2的壓力，據此，如圖9所示，可在短時間內將處理空間S2反復變換並營造成高壓與低壓的壓力環境。

此時，更具體地說，可將處理空間S2的壓力以1Bar/s水準的壓力變換速度在5 Bar至0.01 Torr的壓力範圍內反復變換壓力。

尤其是，此時所述第一壓力調節部1200可將處理空間S2的壓力從第一壓力下降至常壓，並且可將處理空間S2的壓力逐步從常壓下降至真空的第二壓力。

另外，所述第一壓力調節部1200為了基板處理可將處理空間S2的壓力依次從第一壓力經過第二壓力再到第一壓力的壓力變換反復多次。

所述氣體供應部400作為連通於處理空間S2來供應製程氣體的結構，同樣適用上述的結構，因此省略詳細說明。

所述氣體排放部1220作為執行處理空間S2的排氣的結構，可採用各種結構。

例如，所述氣體排放部1220包括與處理空間S2連通並且設置在外部的外部排氣裝置，進而可控制處理空間S2的排氣量，由此可調節處理空間S2的壓力。

所述第二壓力調節部1300作為與非處理空間S3連通，並且獨立於處理空間S2調節非處理空間S3的壓力的結構，可採用各種結構。

尤其是，所述第二壓力調節部1300可獨立於處理空間S2調節與處理空間S2區分形成的非處理空間S3的壓力。

例如，所述第二壓力調節部1300可包括：第二氣體供應部1310，與所述非處理空間S3連通，將填充氣體供應於所述非處理空間S3；所述第二氣體排放部1320，執行非處理空間S3的排氣。

所述第二氣體供應部1310連接於上述的供氣孔170，可向非處理空間S3供應填充氣體，據此可調節非處理空間S3的壓力。

所述第二氣體排放部1320作為連接於上述的排氣孔180以執行非處理空間S3的排氣的結構，據此可調節非處理空間S3的壓力。

另一方面，對於所述第二氣體供應部1310及所述第二氣體排放部1320，只要是在以往公開的執行填充氣體的供應與排氣的結構，可適用任意一種結構。

在為了基板處理將放置基板1的處理空間S2的壓力從高於常壓的第一壓力變為第二壓力的過程中，所述第二壓力調節部1300可將非處理空間S3保持在恆定壓力。

此時，所述第二壓力調節部1300在執行基板處理的期間可將非處理空間S3的壓力保持在真空，在該過程中可保持在低於或者相同於處理空間S2的壓力。

即，所述第二壓力調節部1300在基板處理過程中將非處理空間S3的壓力保持恆定的第二壓力，即0.01 Torr，進而保持在相同或者低於處理空間S2的壓力，據此可防止非處理空間S3的雜質流進處理空間S2。

另一方面，作為另一示例，所述第二壓力調節部1300可改變非處理空間S3的壓力，在該過程中也可具有低於處理空間S2的壓力的壓力值。

另外，所述第二壓力調節部1300在基板處理過程中無需向非處理空間S3供應填充氣體，而是只通過排氣也可調節非處理空間S3的壓力

即，所述第二壓力調節部1300無需通過第二氣體供應部1310供應填充氣體，而是可只通過第二氣體排放部1320的運行調節非處理空間S3的壓力。

另一方面，作為另一示例，所述第二壓力調節部1300當然也可以將填充氣體供應於非處理空間S3，與第二氣體排放部1320的排氣一同調節非處理空間S3的壓力。

另一方面，與上述不同，所述第二壓力調節部1300作為形成在製程腔室100，即形成在腔室主體110一側的排氣孔180與形成在另一側的供氣孔170，可以是傳遞從外部供應的填充氣體的供氣孔170與執行非處理空間S3的排氣的排氣孔180。

所述控制部可以是控制通過第一壓力調節部1200及第二壓力調節部1300調節處理空間S2及非處理空間S3的壓力的結構。

尤其是，所述控制部關聯於基板處理的製程步驟，可執行在各個步驟中利用第一壓力調節部1200及第二壓力調節部1300控制非處理空間S3及處理空間S2。

例如，在內蓋部300在上升處於相互連通處理空間S2及非處理空間S3的狀態下，所述控制部可執行通過氣體供應部400供應吹掃氣體以及通過第二氣體排放部1320排氣。

更具體地說，為了對於執行基板處理的處理空間S2執行清潔，在內蓋部300上升處於相互連通處理空間S2與非處理空間S3的狀態下，所述控制部可執行通過氣體供應部400供應吹掃氣體可清潔或者吹掃執行基板處理的基板支撐部200周圍。

更進一步地，通過配置在製程腔室100側面的第二氣體排放部1320排放吹掃氣體，進而引導通過氣體供應部400供應的吹掃氣體在側面上升流動，可引導內部漂浮物向非處理空間S3及外部排放。

另外，所述控制部在內蓋部300上升之前通過第一壓力調節部1200及第二壓力調節部1300中的至少一個可調節處理空間S2與非處理空間S3的壓力以具有相同壓力。

更具體地說，所述控制部在通過內蓋部300的下降形成密封的處理空間S2的狀態下執行基板處理，在為了匯出完成處理的基板1而上升內蓋部300之前，為了防止因為非處理空間S3與處理空間S2之間的壓力差導致基板1位置發生變化或者受損，所述控制部可通過第一壓力調節部1200及第二壓力調節部1300中的至少一個控制非處理空間S3與處理空間S2之間的壓力具有相同壓力。

即，在保持非處理空間S3與處理空間S2之間的壓力差的狀態下因為內蓋部300上升連通非處理空間S3與處理空間S2的情況下，為了防止因為壓力差生成單向氣流而給基板1造成影響，所述控制部可控制第一壓力調節部1200及第二壓力調節部1300中的至少一個，以調節非處理空間S3與處理空間S2具有相同壓力。

以下，參照附圖進行利用本發明的基板處理裝置的基板處理方法的相關說明。

如圖16至圖18所示，本發明的基板處理方法包括：基板導入步驟S100，通過配置在外部的傳送機器人將所述基板1通過所述閘門111導入所述內部空間S1來放置於所述基板支撐部200；處理空間形成步驟S200，在通過所述基板導入步驟S100在所述基板支撐部200放置所述基板1的狀態下，下降所述內蓋部300，將所述內蓋部300一部分與所述製程腔室100的底面120緊貼，進而可將所述內部空間S1分割成密封的處理空間S2與除此之外的非處理空間S3；基板處理步驟S300，對於配置在所述處理空間S2內的所述基板1執行基板處理。

另外，本發明的基板處理方法還可包括：處理空間解除步驟S400，在通過所述基板處理步驟S300執行基板處理之後，上升所述內蓋部300，解除密封的所述處理空間S2；基板匯出步驟S500，通過配置在外部的傳送機器人將完成基板處理的所述基板1通過所述閘門111從內部空間S1向外部匯出。

另外，本發明的基板處理方法還可包括清潔步驟，所述清潔步驟為在通過基板導入步驟S100向內部空間S1導入基板1之前，在上升內蓋部300的狀態下通過處理空間S2側供應製程氣體，通過非處理空間S3側排放製程氣體。

所述基板導入步驟S100作為通過配置在外部的傳送機器人將所述基板1通過所述閘門111導入所述內部空間來放置於所述基板支撐部200的步驟，可通過各種方法執行。

即，所述基板導入步驟S100為通過外部的傳送機器人將作為處理對象的基板1導入內部空間S1來放置於基板支撐部200，進而可準備執行基板1處理。

例如，所述基板導入步驟S100在後述的導入步驟之前可包括導入銷上升步驟，所述導入銷上升步驟為在內蓋部300上升的狀態下將基板支撐銷810上升至基板支撐部200的上側。

另外，所述基板導入步驟S100可包括：導入步驟，通過配置在外部的傳送機器人將基板1通過閘門111導入內部空間，通過上升的基板支撐銷810支撐基板1；導入銷下降步驟，下降支撐基板1的基板支撐銷810，將基板1放置在所述基板支撐部200。

所述導入銷上升步驟可以是在內蓋部300上升的狀態，即解除處理空間S2的狀態下將基板支撐銷810上升至基板支撐部200的上側的步驟。

此時，對於多個基板1反復執行基板處理，所述導入銷上升步驟可在最初第一次導入基板1的情況下執行，之後通過後述的匯出銷上升步驟上升基板支撐銷810的狀態下匯出完成基板處理的基板1，接著可直接進行導入步驟，因此可省略所述導入銷上升步驟。

結果，所述導入銷上升步驟是在對於基板處理裝置最初導入基板1的狀況下執行，之後可以省略。

所述導入步驟可以是通過配置在外部的傳送機器人將基板1通過閘門111導入內部空間S1並通過基板支撐銷810支撐基板1的步驟。

更具體地說，所述導入步驟在通過閘門111向內部空間S1導入被配置在外部的傳送機器人支撐的基板1的狀態下，傳送機器人下降可由基板支撐銷810支撐基板1，而外部機器人可匯出至內部空間S1外。

另一方面，作為另一示例，也可以是在通過閘門111向內部空間S1導入被配置在外部的傳送機器人支撐的基板1的狀態下，上升基板支撐銷810，在基板支撐銷810支撐基板1，之後匯出外部機器人。

所述導入銷下降步驟為，下降支撐基板1的基板支撐銷810，向基板支撐部200，更具體地說向基板支撐板210內部插入基板支撐銷810，進而可使基板1放置在基板支撐板210的上面。

所述處理空間形成步驟S200作為在通過基板導入步驟S100在基板支撐部200放置基板1的狀態下下降內蓋部300，將內蓋部300一部分與製程腔室100的底面120緊貼，進而將內部空間S1分割成密封的處理空間S2與除此之外的非處理空間S3的步驟，可通過各種方法執行。

例如，所述處理空間形成步驟S200為，在基板1放置在基板支撐部200的狀態下下降內蓋部300，以緊貼製程腔室100的底面120與內蓋部300邊緣，進而可形成密封的處理空間S2，此時為了形成密封的處理空間S2，內蓋部300的密封部900可與底面120緊貼。

據此，所述處理空間形成步驟S200可形成與內部空間S1分開的單獨的密封的處理空間S2，並且在內部配置基板1的狀態下可將處理空間S2的體積最小化。

更進一步地，所述處理空間形成步驟S200為，下降內蓋部300，將內蓋部300一部分緊貼於製程腔室100底面120，進而可將內部空間S1分割成密封的處理空間S2與除此之外的非處理空間S3。

由此，改善在以往將內部空間營造成高壓來執行基板處理而引起閘門閥損壞的問題，並且在處理空間S2與閘門閥之間形成非處理空間S3的一種的緩衝空間，進而具有在高壓基板處理中也可防止閘門閥損壞的優點。

所述基板處理步驟S300作為對於配置在處理空間S2內的基板1執行基板處理的步驟，可通過各種方法執行。

此時，所述基板處理步驟S300可通過氣體供應部400將製程氣體供應於密封的處理空間S2內，由此可調節及控制處理空間S2內的壓力。

尤其是，如圖17所示，所述基板處理步驟S300可執行升壓步驟與降壓步驟，所述升壓步驟為通過製程氣體升高處理空間S2的壓力，所述降壓步驟為在升壓步驟之後降低處理空間S2的壓力。

此時，所述基板處理步驟S300可將壓力升高至高於常壓的壓力，例如5 bar水準的高壓，並且可將壓力下降至低於常壓的壓力，例如0.01 torr水準的低壓。

在該情況下，所述基板處理步驟S300可在短時間內反復執行升壓步驟及降壓步驟。

更具體地說，所述基板處理步驟S300包括：升壓步驟S310，將處理空間S2的壓力升高至高於常壓的第一壓力；降壓步驟S320，可將處理空間S2的壓力從第一壓力下降至第二壓力。

另外，所述基板處理步驟S300將升壓步驟S310與降壓步驟S320作為一個單位循環可反復執行多次，進而可反復執行處理空間S2的變壓。

此時，所述第二壓力可以是低於常壓的壓力，第一壓力可以是高於常壓的壓力。

所述降壓步驟S320可包括：第一降壓步驟S321，將處理空間S2的壓力從第一壓力下降至常壓；第二降壓步驟S322，將處理空間S2的壓力從常壓下降至低於常壓的第二壓力。

從而，所述降壓步驟S320經過將處理空間S2的壓力從高於常壓的第一壓力下降至常壓的第一降壓步驟S321及從常壓下降至低於常壓的第二壓力的第二降壓步驟S322可分步驟降低壓力。

另外，所述基板處理步驟S300在處理空間S2中變換壓力的過程期間，可將非處理空間S3的壓力保持在恆定的低於常壓的真空壓。

所述處理空間解除步驟S400作為在通過所述基板處理步驟S300執行基板處理之後上升所述內蓋部300解除密封的所述處理空間S2的步驟，可通過各種方法執行。

此時，所述處理空間解除步驟S400通過上述的內蓋驅動部600上升內蓋部300，進而解除內蓋部300與製程腔室100的底面120的接觸，可連通內部空間與處理空間S2之間，由此可解除密封的處理空間S2。

另一方面，在該情況下，若處理空間S2與非處理空間S3之間的壓力差大的狀態下上升內蓋部300，則因為兩個空間之間的壓力差可引起基板1受損及降低耐久性，因此有必要將兩個空間之間的壓力差最小化。

為此，所述處理空間解除步驟S400可包括：壓力調節步驟S410，調節非處理空間S3及處理空間S2中的至少一個空間的壓力，將非處理空間S3與處理空間S2之間的壓力差調節在預先設定的水準以下；內蓋上升步驟S420，上升內蓋部300以解除處理空間S2。

此時，所述壓力調節步驟S410通過氣體供應部400或者用於排放處理空間S2的氣體的排氣部（未示出）調節處理空間S2的壓力，可縮小處理空間S2與非處理空間S3的壓力差，作為另一方法，將氣體注入於非處理空間S3，可將非處理空間S3與處理空間S2的壓力差縮小在預定水準以下。

在該情況下，所述壓力調節步驟S410可執行調節處理空間S2與非處理空間S3中至少一個空間的壓力，以使處理空間S2與非處理空間S3之間的壓力差具有預定範圍以內的值。

尤其是，在高壓狀態的處理空間S2與真空狀態的非處理空間S3的狀態下內蓋部300上升的情況下，因為空間之間急劇的壓力差可出現基板1打滑等的問題，因此在調節這兩個空間的壓力以具有相同壓力的狀態下內蓋部300可進行上升。

所述基板匯出步驟S500作為通過配置在外部的傳送機器人將完成基板處理的所述基板1通過所述閘門111從內部空間S1向外部匯出的步驟，可通過各種方法執行。

即，所述基板匯出步驟S500通過外部的傳送機器人從基板支撐部200接收完成基板處理的基板1，可從內部空間S1匯出該基板1。

例如，所述基板匯出步驟S500可包括：匯出銷上升步驟，上升所述基板支撐銷810，從所述基板支撐部200向上側間隔放置於所述基板支撐部200的所述基板1，通過所述基板支撐銷810進行支撐；匯出步驟，通過配置在外部的傳送機器人將完成基板處理的所述基板1通過所述閘門111從所述內部空間S1向外部匯出。

另外，所述基板匯出步驟S500在後述的匯出步驟之後還可包括匯出銷下降步驟，所述匯出銷下降步驟為將所述基板支撐銷810下降至所述基板支撐部200的內部。

所述匯出銷上升步驟可以是在通過上述的處理空間解除步驟S400上升內蓋部300的狀態下，即解除處理空間S2的狀態下，將基板支撐銷810上升至基板支撐部200上側的步驟。

由此，所述匯出銷上升步驟為從基板支撐板210向上側移動及暴露基板支撐銷810，以從基板支撐板210向上側間隔基板1，進而可支撐放置在基板支撐部200上面的完成處理的基板1。

所述匯出步驟通過配置在外部的傳送機器人將完成基板處理的所述基板1通過所述閘門111從所述內部空間S1向外部匯出的步驟。

更具體地說，所述匯出步驟為由通過閘門111進入內部空間S1的傳送機器人支撐被基板支撐銷810支撐的基板1，可向外部匯出被支撐的基板1。

為此，所述匯出步驟在完成處理的基板1被基板支撐銷810支撐的狀態下傳送機器人位於基板1下側，上升傳送機器人，可使傳送機器人支撐基板1。

另一方面，作為另一示例，所述匯出步驟為，在完成處理的基板1被基板支撐銷810支撐的狀態下傳送機器人位於基板1的下側，下降基板支撐銷810，進而可使基板1位於傳送機器人。

如上所述，在基板1被傳送機器人支撐的狀態下傳送機器人通過閘門111向外部移動，進而可匯出完成基板處理的基板1。

所述匯出銷下降步驟可以是下降支撐基板1的基板支撐銷810，向基板支撐部200，更具體地向基板支撐板210的內部插入基板支撐銷810的步驟。

此時，所述匯出銷下降步驟對於多個基板1反復執行基板處理，可在匯出最後一次的基板1的之後執行，在這之前，為了執行上述的導入步驟，需要保持基板支撐銷810上升的狀態，因此可省略所述匯出銷下降步驟。

結果，所述匯出銷下降步驟可在對於基板處理裝置匯出最後的基板1的狀況或者途中維護基板處理裝置的狀況下執行。

另一方面，上述的所述基板導入步驟S100、所述處理空間形成步驟S200、所述基板處理步驟S300、所述處理空間解除步驟S400及所述基板匯出步驟S500構成單位循環S10，可依次反復執行多次，對於一個基板1對應一個循環並執行該循環。

另外，作為另一示例，本發明的基板處理方法還可包括閘門關閉步驟，所述閘門關閉步驟在所述處理空間形成步驟S200之後通過閘門閥150關閉閘門111以密封所述內部空間S1。

另外，本發明的基板處理方法在所述基板導入步驟S100之前還可包括通過所述閘門閥150開放所述閘門111的閘門開放步驟。

另外，本發明的基板處理方法在所述處理空間解除步驟S400之後還可包括通過所述閘門閥150開放所述閘門111的閘門開放步驟。

另外，本發明的基板處理方法在所述基板匯出步驟S500之後還可包括通過所述閘門閥150關閉所述閘門111的閘門關閉步驟。

所述閘門關閉步驟可以是通過閘門閥150關閉閘門111以密封內部空間S1的步驟。

此時，所述閘門關閉步驟可在處理空間形成步驟S200之後執行內部空間的密封，在該情況下，作為另一示例，當然可在處理空間形成步驟S200之前、基板導入步驟S100之後執行閘門關閉步驟。

即，本發明的基板處理方法根據需求可在內部空間S1內單獨選擇性形成處理空間S2，因此通過閘門閥150關閉閘門111可與形成處理空間S2分開單獨執行。

即，根據需求，可根據內蓋部300形成處理空間S2執行通過閘門閥150關閉閘門111。

另一方面，為了單獨控制內部空間的壓力，可執行通過閘門閥150關閉閘門111的閘門關閉步驟，並且可在處理空間形成步驟S200之後執行。

另外，所述閘門關閉步驟可在基板匯出步驟S500之後執行來關閉閘門111，在該情況下在對多個基板1反復執行基板處理的過程中省略，而是可只在對於最後的基板1完成基板處理的情況下或者需要對於基板處理裝置進行維護的情況下執行。

所述閘門開放步驟可以是通過閘門閥150開放閘門111的步驟。

此時，所述閘門開放步驟在處理空間解除步驟S400之後可執行內部空間的開放，在該情況下，作為另一示例，當然可在處理空間解除步驟S400之前、基板處理步驟S300之後執行閘門關閉步驟。

由此，所述閘門開放步驟在基板匯出步驟S500之前執行，可向外部匯出完成基板處理的基板1。

另外，所述閘門開放步驟可在基板導入步驟S100之前執行來開放閘門111，在該情況下，可在對於多個基板1反復執行基板處理的過程中省略，而是只可在最初執行基板1導入的情況或者需要對基板處理裝置進行維護的情況下選擇性執行。

所述清潔步驟可以是在通過基板導入步驟S100向內部空間S1導入基板1之前，在內蓋部300上升的狀態下通過處理空間S2側供應氣體，通過非處理空間S3側排放氣體的步驟。

更具體地說，所述清潔步驟可以是在通過基板導入步驟S100向內部空間導入基板1之前及通過基板匯出步驟S500從內部空間匯出基板1之後清潔包括已執行基板處理的處理空間S2的內部空間S1的步驟。

此時，所述清潔步驟可通過上述的非處理空間S3側排氣孔（未示出）執行排氣，並且通過處理空間側氣體供應部400噴射清潔氣體，進而可經過處理空間S2，通過非處理空間S3的排氣孔排放吹掃氣體。

即，此時所述氣體可以是指各種氣體，諸如用於基板處理的製程氣體、用於清潔設備內部的清潔氣體及用於對內部空間S1執行吹掃的吹掃氣體等，通過處理空間側的氣體供應部400噴射清潔氣體，通過非處理空間S3的排氣孔可排放吹掃氣體。

據此，所述清潔步驟引導清潔氣體從處理空間S2向非處理空間S3流動，進而可對於內部空間S1，尤其是與處理空間S2相對應的區域執行更加徹底的清潔。

以上僅是可由本發明實現的優選實施例的一部分的相關說明，眾所周知，不得限於實施例解釋本發明的範圍，以上說明的本發明的技術思想及其根本的技術思想全部包括在本發明的範圍內。

1:基板 100:製程腔室 110:腔室主體 111:閘門 120:底面 130:設置槽 140:頂蓋 150:閘門閥 160:支撐銷設置槽 170:供氣孔 180:排氣孔 190:氣體供應通道 191:第一階梯部 200:基板支撐部 210:基板支撐板 220:基板支撐柱 230:內部加熱器 300:內蓋部 310:內蓋 320:貫通口 330:插入槽 340:支撐階梯 350:支撐部 360:下側部分 400:氣體供應部 410:氣體供應噴嘴 420:供氣通道 430:氣體噴射部 431:第一擴散槽 432:貫通口 440:氣體噴射孔 450:第一緊固部件 500:泵部 510:泵送噴嘴 520:泵送流路 530:泵 600:內蓋驅動部 610:驅動桿 620:驅動源 630:波紋管 640:固定支撐部 650:第二波紋管 700:填充部件 800:基板支撐銷部 810:基板支撐銷 820:基板支撐環 830:基板支撐銷驅動部 831:基板支撐銷桿 832:基板支撐銷導件 833:基板支撐銷驅動源 840:基板支撐銷波紋管 900:密封部 910:第一密封部件 920:第二密封部件 1000:氣體擴散部 1010:第二擴散槽 1020:氣體輸送孔 1030:第二階梯部 1040:氣體導入口 1100:溫度調節部 1110:溫度調節板 1111:第一溫度調節區域 1112:第二溫度調節區域 1113:第三溫度調節區域 1120:桿部 1121:桿 1122:供應線路 1130:緩衝板 1140:覆蓋板 1200:第一壓力調節部 1220:氣體排放部 1300:第二壓力調節部 1310:第二氣體供應部 1320:第二氣體排放部 S1:內部空間 S2:處理空間 S3:非處理空間 S4:間隙空間 S5:第一擴散空間 S6:第二擴散空間 S100, S200, S300, S310, S320, S321, S322, S400, S410, S420, S500:步驟

圖1是顯示本發明的基板處理裝置的剖面圖； 圖2是顯示圖1的基板處理裝置的處理空間的剖面圖； 圖3是顯示圖1的O型圈的A部分擴大圖； 圖4是顯示在利用圖1的基板處理裝置的製程發生的壓力變化的曲線圖； 圖5是顯示本發明的基板處理裝置的另一實施例的剖面圖； 圖6是顯示圖5的基板處理裝置中的溫度調節部的剖面圖； 圖7是顯示圖5的基板處理裝置中的溫度調節部的另一實施例的剖面圖； 圖8是顯示在圖5的基板處理裝置中的溫度調節部的區分出的溫度調節區域的仰視圖； 圖9是顯示通過圖5的基板處理裝置在處理空間及非處理空間發生的壓力變化的曲線圖； 圖10是顯示本發明的基板處理裝置的另一實施例的剖面圖； 圖11是顯示在圖10的基板處理裝置中的氣體供應部及氣體擴散部的分解立體圖； 圖12是顯示在圖10的基板處理裝置中的氣體供應部及氣體擴散部的底面的仰視方向的分解立體圖； 圖13是顯示在圖10的基板處理裝置中的氣體供應部及氣體擴散部的擴大剖面圖； 圖14是顯示在圖10的基板處理裝置中的另一實施例的氣體供應部及氣體擴散部的擴大剖面圖； 圖15是顯示在圖10的基板處理裝置中的另一實施例的氣體供應部及氣體擴散部的擴大剖面圖； 圖16是顯示本發明的基板處理裝置的另一實施例的剖面圖； 圖17是顯示利用本發明的基板處理裝置的基板處理方法的流程圖； 圖18是顯示在圖17的基板處理方法中的基板處理步驟的流程圖；以及 圖19是顯示在圖17的基板處理方法中的處理空間解除步驟的流程圖。

100:製程腔室

110:腔室主體

111:閘門

120:底面

130:設置槽

140:頂蓋

150:閘門閥

200:基板支撐部

210:基板支撐板

220:基板支撐柱

300:內蓋部

400:氣體供應部

410:氣體供應噴嘴

420:供氣通道

500:泵部

600:內蓋驅動部

610:驅動桿

620:驅動源

630:波紋管

640:固定支撐部

900:密封部

910:第一密封部件

920:第二密封部件

S1:內部空間

Claims (19)

1. 一種基板處理裝置，包括：一製程腔室(100)，包括一腔室主體(110)與一頂蓋(140)，所述腔室主體(110)為上部開放，在一底面(120)的中心側形成一設置槽(130)，並且在一側包括用於進出一基板(1)的一閘門(111)，所述頂蓋(140)結合於所述腔室主體(110)的上部以形成一內部空間(S1)；一基板支撐部(200)，內插地設置在所述腔室主體(110)的所述設置槽(130)，並且在上面放置所述基板(1)；一內蓋部(300)，可上下移動地設置在所述內部空間(S1)，通過下降，一部分緊貼於與所述設置槽(130)相鄰的所述底面(120)，進而形成內部有所述基板支撐部(200)的密封的一處理空間(S2)；一氣體供應部(400)，設置成與所述處理空間(S2)連通，以將製程氣體供應於所述處理空間(S2)；以及一內蓋驅動部(600)，貫通所述頂蓋(140)設置，以驅動所述內蓋部(300)的上下移動，其中，所述設置槽(130)形成為與為使所述處理空間(S2)最小化而設置的所述基板支撐部(200)相對應的形狀。
2. 根據請求項1所述的基板處理裝置，還包括：一溫度調節部(1100)，設置在所述內蓋部(300)，以調節位於所述處理空間(S2)的所述基板(1)的溫度。
3. 根據請求項2所述的基板處理裝置，其中，所述基板支撐部(200)包括：一基板支撐板(210)，在上面放置所述基板(1)；一基板支撐柱(220)，貫通所述設置槽(130)的底部以與所述基板支撐板(210)連接；以及一內部加熱器(230)，設置在所述基板支撐板(210)內部。
4. 根據請求項2所述的基板處理裝置，其中，所述溫度調節部(1100)包括： 一溫度調節板(1110)，設置在所述內蓋部(300)，以加熱或者冷卻所述基板(1)；以及一桿部(1120)，貫通所述頂蓋(140)結合於所述溫度調節板(1110)。
5. 根據請求項4所述的基板處理裝置，其中，所述溫度調節板(1110)設置在一貫通口(320)，所述貫通口(320)形成在與所述基板(1)相對應的所述內蓋部(300)的中心側。
6. 根據請求項5所述的基板處理裝置，其中，所述溫度調節部(1100)還包括一緩衝板(1130)，所述緩衝板(1130)在所述內蓋部(300)的下側覆蓋所述貫通口(320)。
7. 根據請求項4所述的基板處理裝置，其中，所述溫度調節板(1110)包括至少兩個溫度調節區域，所述至少兩個溫度調節區域在平面上相互區分，並且可相互獨立地調節溫度。
8. 根據請求項2所述的基板處理裝置，進一步包括：一控制部，控制所述溫度調節部(1100)的加熱或者冷卻，其中，所述控制部控制所述溫度調節部(1100)，以在所述處理空間(S2)的變壓過程期間使所述基板(1)或者所述處理空間(S2)保持恆定溫度。
9. 一種基板處理裝置，包括：一製程腔室(100)，包括一腔室主體(110)與一頂蓋(140)，所述腔室主體(110)為上部開放，在一底面(120)的中心側形成一設置槽(130)，並且在一側包括用於進出一基板(1)的一閘門(111)，所述頂蓋(140)結合於所述腔室主體(110)的上部以形成一內部空間(S1)；一基板支撐部(200)，內插地設置在所述腔室主體(110)的所述設置槽(130)，並且在上面放置所述基板(1)；一內蓋部(300)，可上下移動地設置在所述內部空間(S1)，通過下降，一部分緊貼於與所述設置槽(130)相鄰的所述底面(120)，進而形成內部有所述基板支撐部(200)的密封的一處理空間(S2)；一氣體供應部(400)，設置成與所述處理空間(S2)連通，以將製程氣體供應於所述處理空間(S2)；以及 一內蓋驅動部(600)，貫通所述頂蓋(140)設置，以驅動所述內蓋部(300)的上下移動，其中，所述底面(120)設置成高於放置在所述基板支撐部(200)的所述基板(1)的上面。
10. 根據請求項9所述的基板處理裝置，其中，所述基板支撐部(200)包括：一基板支撐板(210)，在上面放置所述基板(1)並且在平面上形成為圓形；以及一基板支撐柱(220)，貫通所述設置槽(130)的底部，以與所述基板支撐板(210)連接，其中，所述設置槽(130)形成為與所述基板支撐板(210)相對應的形狀，以將除了設置所述基板支撐板(210)的空間以外的剩餘空間最小化。
11. 一種基板處理裝置，包括：一製程腔室(100)，包括一腔室主體(110)與一頂蓋(140)，所述腔室主體(110)為上部開放，在一底面(120)的中心側形成一設置槽(130)，並且在一側包括用於進出一基板(1)的一閘門(111)，所述頂蓋(140)結合於所述腔室主體(110)的上部以形成一內部空間(S1)；一基板支撐部(200)，內插地設置在所述腔室主體(110)的所述設置槽(130)，並且在上面放置所述基板(1)；一內蓋部(300)，可上下移動地設置在所述內部空間(S1)，通過下降，一部分緊貼於與所述設置槽(130)相鄰的所述底面(120)，進而形成內部有所述基板支撐部(200)的密封的一處理空間(S2)；一氣體供應部(400)，設置成與所述處理空間(S2)連通，以將製程氣體供應於所述處理空間(S2)；以及一內蓋驅動部(600)，貫通所述頂蓋(140)設置，以驅動所述內蓋部(300)的上下移動，其中，所述氣體供應部(400)與所述基板支撐部(200)的邊緣相鄰設置。
12. 根據請求項11所述的基板處理裝置，其中，所述處理空間(S2)形成在所述內蓋部(300)的底面中的一部分與接連所述氣體供應部(400)與所述基板支撐部(200)的上面之間。
13. 一種基板處理裝置，包括：一製程腔室(100)，包括一腔室主體(110)與一頂蓋(140)，所述腔室主體(110)為上部開放，在一底面(120)的中心側形成一設置槽(130)，並且在一側包括用於進出一基板(1)的一閘門(111)，所述頂蓋(140)結合於所述腔室主體(110)的上部以形成一內部空間(S1)；一基板支撐部(200)，內插地設置在所述腔室主體(110)的所述設置槽(130)，並且在上面放置所述基板(1)；一內蓋部(300)，可上下移動地設置在所述內部空間(S1)，通過下降，一部分緊貼於與所述設置槽(130)相鄰的所述底面(120)，進而形成內部有所述基板支撐部(200)的密封的一處理空間(S2)；一氣體供應部(400)，設置成與所述處理空間(S2)連通，以將製程氣體供應於所述處理空間(S2)；以及一內蓋驅動部(600)，貫通所述頂蓋(140)設置，以驅動所述內蓋部(300)的上下移動，其中，所述氣體供應部(400)包括：一氣體噴射部(430)，形成擴散所述製程氣體的一第一擴散空間(S5)；以及多個氣體噴射孔(440)，形成在所述氣體噴射部(430)，以朝向所述處理空間(S2)噴射所述製程氣體。
14. 根據請求項13所述的基板處理裝置，其中，所述氣體噴射部(430)配置成環形，以沿著所述基板支撐部(200)的邊緣設置。
15. 根據請求項13所述的基板處理裝置，其中，所述製程腔室(100)包括一氣體供應通道(190)，所述氣體供應通道(190)貫通所述製程腔室(100)下部面配置，以與所述第一擴散空間(S5)連通，並且將所述製程氣體從外部傳遞於所述第一擴散空間(S5)，以及 在所述氣體噴射部(430)底面形成一第一擴散槽(431)，所述第一擴散槽(431)與所述氣體供應通道(190)連通並用於所述第一擴散空間(S5)。
16. 根據請求項13所述的基板處理裝置，其中，所述氣體噴射孔(440)形成在所述氣體噴射部(430)上面。
17. 根據請求項13所述的基板處理裝置，進一步包括：一氣體擴散部(1000)，配置在所述氣體供應部(400)與所述製程腔室(100)之間，並且形成一第二擴散空間(S6)，以擴散傳遞於所述氣體供應部(400)的所述製程氣體。
18. 根據請求項17所述的基板處理裝置，其中，所述氣體擴散部(1000)底面形成一第二擴散槽(1010)，以與所述製程腔室(100)一同形成所述第二擴散空間(S6)。
19. 根據請求項17所述的基板處理裝置，其中，所述氣體噴射部(430)設置在所述氣體擴散部(1000)上面，以與所述氣體擴散部(1000)上面一同形成所述第一擴散空間(S5)，以及所述氣體擴散部(1000)包括至少一個氣體輸送孔(1020)，所述至少一個氣體輸送孔(1020)形成在所述氣體擴散部(1000)上面，以從所述第二擴散空間(S6)向所述第一擴散空間(S5)傳遞所述製程氣體。