JP7463459B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置に関し、より詳細には、高圧及び低圧によって基板処理が行われる基板処理装置に関するものである。

基板処理装置は、ウエハなどの基板に対する工程を処理するものであり、一般に基板に対するエッチング、蒸着、熱処理などを行うことができる。

このとき、基板上に蒸着による成膜する場合、基板の薄成膜後の膜内不純物除去及び膜の特性を改善するための工程が求められている。

特に、３次元半導体素子、高いアスペクト比を有する基板の登場に応じてステップカバレッジの規格を満たすために蒸着温度をより低温化するか、不純物の含量の高いガスを必然的に使用することより、膜内の不純物除去がさらに難しくなっている実状である。

従って、基板上に薄膜形成後の薄膜特性の劣化がなくても薄膜内に存在する不純物を除去して薄膜の特性を改善することができる基板処理方法とこれを行う基板処理装置が求められている。

また、基板上の薄膜だけでなく、チャンバ内部に残っている微量の不純物などにより、蒸着される薄膜が汚染されるなどの問題があり、これにより、基板を支持する基板支持部を含むチャンバ内部に対する不純物の除去などが必要である。

このような問題点を改善するために、従来の特許文献１は、高圧及び低圧の雰囲気を繰り返し形成し、基板表面及びチャンバ内部の不完全性を低減して薄膜の特性を改善する基板処理方法を開示した。

しかし、従来の基板処理装置に前述した基板処理方法を適用する場合、基板を処理する処理空間の容積が比較的大きいため、速い圧力変化速度を実現できない問題があった。

また、従来の基板処理装置は、低圧である０．０１Ｔｏｒｒから高圧である５Ｂａｒレベルの広い圧力範囲を短時間で繰り返し行う工程を実現できないという問題があった。

また、従来基板処理装置は、高圧の基板処理実行時に、処理空間を密閉するゲートバルブが圧力に耐えられず、高圧の基板処理の実行が困難になり、ゲートバルブの耐久性を担保することができない問題があった。

しかし、従来基板処理装置により当該工程を行う場合、基板が処理される処理空間内の圧力が急変するにつれて温度変化が発生し、このような温度変化を能動的に制御することができないことから、基板処理の完成度が低下される問題があった。

より具体的に、基板を支持する基板支持部を介した基板加熱時に、基板の処理面とヒータと間の間接接触による熱伝達効率の低下、基板支持部とプロセスチャンバの下部面との間の近接性による熱損失、基板支持部内に設けられるヒータの特性により急変する温度に対応して基板温度を制御することができない問題があった。

このような問題点を改善するために、従来の基板処理装置に処理空間容積を最小化したが、最小化された処理空間容積により、基板とガスが供給されるガス噴射部との間の距離が隣接して、ガス噴射部によるガスによる影響が非常に大きな問題があった。

特に、ガス噴射部を介して基板に対する均一なガス供給が行えないため、局部的に基板の温度が低下し、その処理率が変わり、結果的に基板処理の均一度が低下される問題があった。

韓国 特許出願第１０－２０２１－００４５２９４Ａ号

本発明の目的は、前記のような問題点を解決するために、処理空間の容積を最小化して、広い圧力範囲の圧力変化速度を向上させることができる基板処理装置を提供することにある。

また、本発明の目的は、前記のような問題点を解決するために、基板に対する温度制御が容易であり、基板に対する均一なガス供給が可能な基板処理装置を提供することにある。

本発明は、前記のような本発明の目的を達成するために創出されたものであり、本発明は、上部が開放され、底面の中心側に取り付け溝が形成され、一側に基板を搬出入するためのゲートを含むチャンバ本体と、前記チャンバ本体の上部に結合され、内部空間を形成するトップリッドを含むプロセスチャンバと、前記チャンバ本体の前記取り付け溝に内挿されるように設けられ、上面に基板が載置される基板支持部と、前記内部空間に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が前記取り付け溝に隣接した前記底面と密着して、前記基板支持部が内部に位置する密閉された処理空間を形成するインナーリッド部と、前記処理空間と連通するように設けられ、前記処理空間にプロセスガスを供給するガス供給部と、前記トップリッドを貫通して設けられ、前記インナーリッド部の上下移動を駆動するインナーリッド駆動部と、を含むことを特徴とする基板処理装置を開示する。

前記底面は、前記基板支持部に載置される前記基板の上面より高く位置することができる。

前記取り付け溝は、前記処理空間が最小化されるように設けられる前記基板支持部に対応する形状に形成される。

前記基板支持部は、上面に前記基板が載置される平面視で円形である基板支持プレートと、前記取り付け溝の底を貫通して、前記基板支持プレートと連結される基板支持ポストと、を含み、前記取り付け溝は、前記基板支持プレートが設けられる空間を除いた残余空間が最小化されるように、前記基板支持プレートに対応される形状に形成される。

前記インナーリッド部と前記底面が密着する位置で、前記インナーリッド部の底面又は前記底面のいずれか一つに備えられるシール部を含む。

前記シール部は、前記インナーリッド部の底面の縁に沿って備えられる第１シール部材と、前記第１シール部材に一定間隔で離隔された位置に備えられる第２シール部材を含む。

前記プロセスチャンバの前記インナーリッド部と密着位置に設けられ、前記シール部をポンプするポンプ部をさらに含む。

前記ポンプ部は、前記第１シール部材と前記第２シール部材と間の間空間をポンプする。

前記ガス供給部は、前記基板支持部の縁に隣接して設けられる。

前記処理空間は、前記インナーリッド部の底面の一部と前記ガス供給部と前記基板支持部を結ぶ上面の間に形成される。

前記ガス供給部は、前記取り付け溝の縁に設けられ、前記プロセスガスを噴射するガス噴射部と、前記プロセスチャンバの下部面を貫通して備えられ、外部から前記プロセスガスを前記ガス噴射部に供給するガス供給流路を含む。

前記インナーリッド駆動部は、一端が前記プロセスチャンバの上部面を貫通して、前記インナーリッド部に結合される複数の駆動ロッドと、複数の前記駆動ロッドの他端に連結され、前記駆動ロッドを上下方向に駆動する少なくとも一つの駆動源を含む。

前記インナーリッド駆動部は、前記プロセスチャンバの上部面と前記インナーリッド部との間に前記駆動ロッドを囲むように設けられるベローズをさらに含む。

前記ガス供給部は、前記プロセスガスが拡散される第１拡散空間を形成するガス噴射部と、前記ガス噴射部に形成され、前記処理空間に向けて前記プロセスガスを噴射する複数のガス噴射孔と、を含む。

前記ガス噴射部は、前記基板支持部の縁に沿って設けられるように環状に設けられる。

前記プロセスチャンバは、下部面を貫通して備えられ、前記第１拡散空間と連通し、前記第１拡散空間に外部から前記プロセスガスを伝達する供給流路を含み、前記ガス噴射部は、底面に前記供給流路と連通し、前記第１拡散空間のための第１拡散溝が形成される。

前記ガス噴射部は、内部に前記第１拡散空間が形成され、前記ガス供給流路から前記プロセスガスが供給されるため、底面の前記ガス供給流路に対応する位置に形成される貫通口を含む。

前記ガス噴射孔は、前記ガス噴射部の上面に形成される。

前記ガス噴射孔は、前記ガス供給流路側に隣接するほど、段階的又は徐々に大きさを小さくすることができる。

前記ガス噴射孔は、前記ガス供給流路側に隣接するほど、段階的又は徐々に隣接するガス噴射孔との間隔が離れ得る。

前記ガス噴射孔は、平面視で前記基板支持部の中心に対して、点対称に配置される。

前記ガス噴射部は、上面が縁に行くほど、高くなる傾斜が形成される。

前記ガス供給部と前記プロセスチャンバとの間に配置され、第２拡散空間を形成して、前記ガス供給部に伝達される前記プロセスガスを拡散するガス拡散部をさらに含む。

前記ガス拡散部は、前記プロセスチャンバと共に前記第２拡散空間を形成するように、底面に第２拡散溝が形成される。

前記ガス供給部は、前記ガス噴射部を貫通して、前記ガス拡散部に結合する第１締結部材をさらに含む。

前記プロセスチャンバは、前記ガス拡散部の一部が挿入されるか、前記第２拡散溝にガス供給流路の一部が挿入されるように、段差を有して形成される第１段差部を含む。

前記ガス噴射部は、前記ガス拡散部の上面に設けられ、前記ガス拡散部の上面と共に前記第１拡散空間を形成し、前記ガス拡散部は、上面に前記第２拡散空間から前記第１拡散空間に前記プロセスガスを伝達するために形成される少なくとも一つのガス伝達孔を含む。

前記ガス拡散部は、上面に一部が前記第１拡散溝に挿入されるように形成される第２段差部を含む。

前記ガス伝達孔は、複数個であり、平面視で前記基板支持部の中心に対して点対称に配置される。

前記ガス拡散部は、前記プロセスチャンバと前記ガス噴射部との間に積層されて複数個備えられる。

前記インナーリッド部に設けられ、前記処理空間に位置する前記基板に対する温度を調節する温度調節部をさらに含む。

前記基板支持部は、上面に前記基板が載置される基板支持プレートと、前記取り付け溝の底を貫通して、前記基板支持プレートと連結される基板支持ポストと、前記基板支持プレート内部に設けられる内部ヒータと、を含む。

前記温度調節部は、前記インナーリッド部に設けられ、前記基板を加熱又は冷却する温度調節プレートと、前記トップリッドを貫通して、前記温度調節プレートに結合するロッド部と、を含む。

前記温度調節プレートは、前記基板１に対応する前記インナーリッド部の中心側に形成される貫通口に設けられる。

前記温度調節部は、前記インナーリッド部の下側で前記貫通口を覆うバッファープレートをさらに含む。

前記温度調節プレートは、平面視で互いに区分され、互いに独立して温度調節が可能である少なくとも２つの温度調節領域を含む。

前記温度調節部の加熱又は冷却を制御する制御部をさらに含み、前記制御部は、前記処理空間の変圧過程の間、前記基板又は前記処理空間の温度を一定に維持するように前記温度調節部を制御する。

前記温度調節部は、前記インナーリッド部の上側で前記貫通口を覆うように設けられるカバープレートをさらに含む。

前記温度調節プレートは、前記インナーリッド部の底面の前記基板１に対向する位置に設けられる。

前記温度調節部は、前記基板を加熱するためのハロゲン又はＬＥＤヒータであってもよい。

前記温度調節プレートは、前記基板に対応する前記インナーリッド部の上部面の中心側に形成される挿入溝に挿入されて設けられる。

前記温度調節領域は、平面視で円形である前記温度調節プレートと中心を共有して、前記基板の中心側に対応する位置で平面視で円形に区分される第１温度調節領域と、前記温度調節プレートの縁で区分される第３温度調節領域と、前記第１温度調節領域と前記第３温度調節領域との間に区分される第２温度調節領域を含む。

前記温度調節部の加熱又は冷却を制御する制御部をさらに含み、前記制御部は、前記第３温度調節領域を前記第１温度調節領域より高い温度に制御する。

また、本発明は、内部空間を形成し、一側にゲートが形成されるプロセスチャンバと、上面に基板が載置される基板支持部と、前記基板支持部と対向し、前記内部空間で上下移動可能に設けられるインナーリッド部と、を含む基板処理装置の基板処理方法であって、外部に備えられた搬送ロボットにより、前記基板を前記ゲートを介して前記内部空間で導入し、前記基板支持部に載置される基板導入ステップと、前記基板導入ステップを通じて前記基板が前記基板支持部に載置された状態で、前記インナーリッド部を下降させ、一部を前記プロセスチャンバの底面と密着させることにより、前記内部空間を密閉された処理空間とそれ以外の非処理空間に分割形成する処理空間形成ステップと、前記処理空間内に配置された前記基板に対する基板処理を行う基板処理ステップと、を含む基板処理方法を開示する。

前記基板処理ステップを通じた基板処理後に、前記インナーリッド部を上昇させ、密閉された前記処理空間を解除する処理空間解除ステップと、外部に備えられた搬送ロボットにより、基板処理が完了した前記基板を前記ゲートを通介して内部空間から外部に搬出する基板搬出ステップを含む。

前記基板導入ステップ、前記処理空間形成ステップ、前記基板処理ステップ、前記処理空間解除ステップ及び前記基板搬出ステップは、順次に複数回繰り返し行うことができる。

前記基板導入ステップを通じて前記内部空間への前記基板１導入前に、前記インナーリッド部が上昇された状態で、前記処理空間側を介してガスを供給し、前記非処理空間側を介してガスを排気する洗浄ステップを含む。

前記基板処理ステップは、前記処理空間の圧力を常圧より高い第１圧力に上昇させる圧力上昇ステップと、前記処理空間の圧力を第１圧力から第２圧力に下降させる圧力下降ステップを含む。

前記第２圧力は、常圧より低い圧力であってもよい。

前記圧力下降ステップは、前記処理空間の圧力を前記第１圧力から常圧に下降させる第１圧力下降ステップと、前記処理空間の圧力を常圧から常圧より低い前記第２圧力に下降させる第２圧力下降ステップを含む。

前記基板処理ステップは、前記非処理空間の圧力を常圧より低い真空圧に一定に維持することができる。

前記処理空間解除ステップは、前記非処理空間及び前記処理空間の少なくとも一つの圧力を調節し、前記非処理空間と前記処理空間との間の圧力差を予め設定された範囲内に調節する圧力調節ステップと、前記インナーリッド部を上昇させ、前記処理空間を解除するインナーリッド上昇ステップを含む。

前記圧力調節ステップは、前記非処理空間及び前記処理空間の圧力が互いに等しくなるように調節することができる。

前記プロセスチャンバは、前記ゲートを開閉するゲートバルブをさらに含み、前記処理空間形成ステップ後に、前記ゲートバルブを通介して前記ゲートを閉鎖し、前記内部空間を密閉するゲート閉鎖ステップを含む。

本発明による基板処理装置は、チャンバ内部の基板が処理される処理空間の容積を最小化し、広い圧力範囲の圧力変化速度を向上させることができる利点がある。

特に、本発明による基板処理装置は、基板が処理される処理空間の容積を最小化することにより、低圧の０．０１Ｔｏｒｒから高圧の５Ｂａｒまで１Ｂａｒ／ｓの高い圧力変化速度で圧力変化が可能な利点がある。

特に、本発明による基板処理装置は、基板が導入及び搬出が容易でありながらも基板が処理される処理空間の容積を最小化することができる利点がある。

また、本発明による基板処理装置は、最小化された処理空間からのシール部の設置を通じてガスなど異質物の漏れを防止しながらも、シール部に対するパージを通じてシール部の腐食及び損傷を防止し、耐久性に優れた利点がある。

また、本発明による基板処理装置は、急激な圧力変化を通じて基板の異質物、不純物を効果的に除去し、基板処理速度を向上させることができる利点がある。

また、本発明による基板処理装置は、高圧工程を通じて基板処理にもゲートバルブとは無関係に、インナーリッド部の下降密着を通じた密閉された処理空間の形成により基板処理を行うことができ、ゲートバルブの性能とは無関係に、高圧工程の基板処理実行が容易であり、ゲートバルブに対する損傷を防止することができる利点がある。

また、本発明による基板処理装置は、高圧工程による基板処理時に、処理空間からリークが発生する場合にも二重空間の形成を通した内部空間でのポンプを介して装置外部への流出を防止し、安全性が向上される利点がある。

また、本発明による基板処理装置は、基板が処理される処理空間の容積を最小化し、広い圧力範囲の圧力変化速度を向上させ、これにより、基板の温度変化に対応して精密な温度制御が可能な利点がある。

特に、本発明による基板処理装置は、急激な加減減の圧力変化による温度変化要因にも基板の温度を一定に維持するように調節し、工程効果を増大し、均一な膜質形成が可能な利点がある。

また、本発明による基板処理装置は、基板処理面である上側で直接加熱又は冷却を行うことができ、温度補償が速く、基板に対する迅速且つ精密な温度制御が可能な利点がある。

また、本発明による基板処理装置は、最小化された処理空間で基板に隣接した位置に備えられるガス噴射部を介して均一なガスを噴射することにより、基板に対する局部的な温度及び処理偏差を改善し、均一な基板処理が可能な利点がある。

本発明による基板処理装置の様子を示す断面図である。 図１による基板処理装置の処理空間形成の様子を示す断面図である。 図１によるＯリングの様子を示すＡ部分拡大図である。 図１による基板処理装置による工程による圧力変化の様子を示すグラフである。 本発明による基板処理装置の別の実施例を示す断面図である。 図５による基板処理装置における温度調節部の様子を示す断面図である。 図５による基板処理装置における温度調節部の別の実施例を示す断面図である。 図５による基板処理装置における温度調節部の区分される温度調節領域の様子を示す底面図である。 図５による基板処理装置による処理空間及び非処理空間の圧力変化の様子を示すグラフである 本発明による基板処理装置の別の実施例を示す断面図である。 図１０による基板処理装置におけるガス供給部及びガス拡散部の様子を示す分解斜視図である。 図１０による基板処理装置におけるガス供給部及びガス拡散部の底面の様子を示す底面方向分解斜視図である。 図１０による基板処理装置におけるガス供給部及びガス拡散部の様子を示す拡大断面図である。 図１０による基板処理装置における別の実施例のガス供給部及びガス拡散部の様子を示す拡大断面図である。 図１０による基板処理装置における別の実施例のガス供給部及びガス拡散部の様子を示す拡大断面図である。 本発明による基板処理装置の別の実施例を示す断面図である。 本発明による基板処理装置を利用した基板処理方法を示す流れ図である。 図１７による基板処理方法における基板処理ステップの様子を示す流れ図である。 図１７による基板処理方法における処理空間解除ステップの様子を示す流れ図である。

以下、本発明による基板処理装置について、添付図面を参照して説明すれば以下の通りである。

本発明による基板処理装置は、図１に示されるように、図１に示されるように、上部が開放され、底面１２０の中心側に取り付け溝１３０が形成され、一側に基板１を搬出入するためのゲート１１１を含むチャンバ本体１１０と、前記チャンバ本体１１０の上部に結合され、内部空間Ｓ１を形成するトップリッド１４０を含むプロセスチャンバ１００と、前記チャンバ本体１１０の前記取り付け溝１３０に内挿されるように設けられ、上面に基板１が載置される基板支持部２００と、前記内部空間Ｓ１に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が前記取り付け溝１３０に隣接した前記底面１２０と密着して、前記基板支持部２００が内部に位置する密閉された処理空間Ｓ２を形成するインナーリッド部３００と、前記処理空間Ｓ２と連通するように設けられ、前記処理空間Ｓ２にプロセスガスを供給するガス供給部４００と、前記トップリッド１４０を貫通して設けられ、前記インナーリッド部３００の上下移動を駆動するインナーリッド駆動部６００と、を含む。

また、本発明による基板処理装置は、前記プロセスチャンバ１００の前記インナーリッド部３００と密着位置に設けられ、シール部９００に漏れるガスをポンプするポンプ部５００をさらに含むことができる。

また、本発明による基板処理装置は、前記基板支持部２００と前記取り付け溝１３０の内面の間に設けられ、前記基板支持部２００と前記取り付け溝１３０の内面との間の空間の少なくとも一部を占める充填部材７００を含むことができる。

また、本発明による基板処理装置は、プロセスチャンバ１００に導入及び搬出される基板１を支持し、基板支持部に２００に載置される基板支持ピン部８００をさらに含むことができる。

また、本発明による基板処理装置は、インナーリッド部３００に設けられ、処理空間Ｓ２に位置する基板１に対する温度を調節する温度調節部１１００を含む。

ここで、処理対象となる基板１は、ＬＣＤ、ＬＥＤ、ＯＬＥＤなどの表示装置に使用する基板、半導体基板、太陽電池基板、ガラス基板などのすべての基板を含む意味である。

前記プロセスチャンバ１００は、内部に内部空間Ｓ１が形成される構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記プロセスチャンバ１００は、上部が開放されたチャンバ本体１１０とチャンバ本体１１０の開放された上部を覆い、チャンバ本体１１０と共に密閉された内部空間Ｓ１を形成するトップリッド１４０を含むことができる。

また、前記プロセスチャンバ１００は、内部空間Ｓ１の底を形成する底面１２０と、底面１２０に基板支持部２００が設けられるように形成される取り付け溝１３０と、を含むことができる。

また、前記プロセスチャンバ１００は、基板１を搬出入するために、チャンバ本体１１０の一側に形成されるゲート１１１を開閉するためのゲートバルブ１５０をさらに含むことができる。

また、前記プロセスチャンバ１００は、後記する基板支持部２００中の基板支持リング８２０が設けられるために、下部面に形成される支持ピン取り付け溝１６０をさらに含むことができる。

前記チャンバ本体１１０は、上部が開放され、後記するトップリッド１４０と共に内部に密閉された内部空間Ｓ１を形成することができる。

このとき、前記チャンバ本体１１０は、アルミニウムをはじめとする金属材質であってもよく、別の例として、石英材質であってもよく、従来開示されたチャンバと共に直方体の形態を有することができる。

一方、前記内部空間Ｓ１は、後記するインナーリッド部３００を介して処理空間Ｓ２と処理空間Ｓ２を除いた空間である非処理空間Ｓ３に区分される。

前記トップリッド１４０は、上部が開放されたチャンバ本体１１０の上側に結合され、チャンバ本体１１０と共に内部に密閉された内部空間Ｓ１を形成する構成であってもよい。

このとき、前記トップリッド１４０は、チャンバ本体１１０の形状に対応して、平面視で長方形の形態で形成されてもよく、チャンバ本体１１０と同じ材質で構成することができる。

また、前記トップリッド１４０は、後記するインナーリッド駆動部６００が貫通して設けられるように、複数の貫通孔が形成され、底面に後記する第１ベローズ６３０の終端が結合され、外部への各種ガス及び異質物の漏れを防止することができる。

一方、前記トップリッド１４０の構成が省略され、前記チャンバ本体１１０が内部に密閉された内部空間Ｓ１を形成する一体型に形成されてもよいことはいうまでもない。

前記プロセスチャンバ１００は、内側の下部面が内部空間Ｓ１の底を形成する底面１２０と、底面１２０に後記する基板支持部２００が設けられるように形成される取り付け溝１３０と、を含むことができる。

より具体的に、前記プロセスチャンバ１００は、図１に示されるように、下部面の中心側に、後記する基板支持部２００に対応して、段差を有して取り付け溝１３０が形成され、取り付け溝１３０の縁に底面１２０が構成されてもよい。

即ち、前記プロセスチャンバ１００は、内側の下部面に基板支持部２００が設けられるための取り付け溝１３０が段差を有して形成され、それ以外の部分は、底面１２０として定義され、取り付け溝１３０より高い高さに形成することができる。

前記ゲートバルブ１５０は、基板１を搬出入するためにチャンバ本体１１０の一側に形成されるゲート１１１を開閉するための構成であり、様々な構成が可能である。

このとき、前記ゲートバルブ１５０は、上下駆動及び前後退駆動を通じてチャンバ本体１１０と密着又は解除されることにより、ゲート１１１を閉鎖又は開放することができ、別の例として、対角線方向への単一駆動を通じてゲート１１１を開放又は閉鎖することができ、この過程で、シリンダー、カム、電磁気など従来開示された様々な形態の駆動方法を適用することができる。

前記支持ピン取り付け溝１６０は、基板１を支持して基板支持部２００に載置するか、基板支持部２００から上側に離隔して、基板１を支持することにより、基板１が導入及び搬出されるようにする基板支持ピン部８００を設けるための構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記支持ピン取り付け溝１６０は、後記する基板支持リング８２０が設けられるように、基板支持リング８２０に対応して、平面視で環状の溝で形成される。

このとき、前記支持ピン取り付け溝１６０は、プロセスチャンバ１００の下部面に基板支持リング８２０が設けられる位置に対応して設けられ、より具体的には、取り付け溝１３０に形成される。

即ち、前記支持ピン取り付け溝１６０は、底面１２０から段差を有して形成される取り付け溝１３０に形成され、基板支持リング８２０が設けられた状態で、上下移動可能に一定の深さを有して形成される。

これにより、前記支持ピン取り付け溝１６０は、基板支持リング８２０が設けられ、複数の基板支持ピン８１０が上側に充填部材７００及び基板支持プレート２１０を貫通して設けることができる。

一方、前記支持ピン取り付け溝１６０は、取り付け溝１３０に形成され、一定の大きさを形成するので、後記するインナーリッド部３００により形成される処理空間Ｓ２の容積の増加を引き起こす問題があった。

このような問題点を改善するために、充填部材７００が取り付け溝１３０に設けられ、支持ピン取り付け溝１６０を覆うことにより、処理空間Ｓ２と支持ピン取り付け溝１６０が形成する空間の間を遮断することができ、これにより、処理空間Ｓ２を最小容積で形成することができる。

より具体的に、前記支持ピン取り付け溝１６０がない場合には、後記する基板支持ピン８１０及び基板支持リング８２０のための空間が基板支持プレート２１０の下部に別途に必要となるため、デッドボリュームの増加を引き起こし、デッドボリュームの除去のために基板支持ピン８１０及び基板支持リング８２０が下降時に、内部に挿入されるように支持ピン取り付け溝１６０を形成することができる。

一方、これとは違って、前記支持ピン取り付け溝１６０は、プロセスチャンバ１００の底面１２０に設けられず、取り付け溝１３０に設けられる充填部材７００に形成することができる。

即ち、前記支持ピン取り付け溝１６０は、充填部材７００の上部面に一定の深さ、より具体的には、基板支持リング８２０及び基板支持ピン８１０が内挿されるレベルの深さに形成され、充填部材７００内に内挿された状態で、基板１を支持するために上昇することができる。

一方、このとき、基板支持ピン８１０は、充填部材７００を貫通して設けられ得る。

前記基板支持部２００は、プロセスチャンバ１００に設けられ、上面に基板１が載置される構成であり、様々な構成が可能である。

即ち、前記基板支持部２００は、上面に基板１を載置させることで、処理される基板１を支持し、基板処理過程で固定することができる。

また、前記基板支持部２００は、内部にヒータを備え、基板処理のための処理空間Ｓ２の温度の雰囲気を形成することができる。

例えば、前記基板支持部２００は、上面に前記基板１が載置される基板支持プレート２１０と、前記取り付け溝１３０の底を貫通して前記基板支持プレート２１０と連結される基板支持ポスト２２０と、前記基板支持プレート２１０内部に設けられる前記内部ヒータ２３０と、を含むことができる。

前記基板支持プレート２１０は、上面に基板１が載置される構成であり、基板１の形状に対応して、平面視で円形のプレート構成であってもよい。

このとき、前記基板支持プレート２１０は、内部に内部ヒータ２３０が備えられ、処理空間Ｓ２に基板処理のためのプロセス温度を造成し、このときのプロセス温度は、約４００℃～５５０℃であってもよい。

前記基板支持ポスト２２０は、プロセスチャンバ１００の下部面を貫通して基板支持プレート２１０と連結される構成であり、様々な構成が可能である。

前記基板支持ポスト２２０は、プロセスチャンバ１００の下部面を貫通して基板支持プレート２１０と結合することができ、内部ヒータ２３０に電源を供給するための各種導線が内部に設けられる。

前記内部ヒータ２３０は、基板支持プレート２１０内部に設けられ、基板１を処理するために処理空間Ｓ２及び基板１を加熱する構成であってもよい。

このとき、前記内部ヒータ２３０は、従来開示されたいかなる形態のヒータも適用可能であり、一例として、基板支持プレート２１０の内部に備えられ、外部から伝達された電源を介して発熱する熱線形態であってもよい。

一方、本発明による基板処理装置は、図４に示されるように、高圧と低圧の圧力の雰囲気を短時間内に繰り返し変化させて造成する基板処理を行うための装置であり、より具体的には、５Ｂａｒから０．０１Ｔｏｒｒの圧力範囲を１Ｂａｒ／ｓレベルの圧力変化速度に繰り返し変化させなければならない必要がある。

しかし、チャンバ本体１１０の内部空間Ｓ１の膨大な空間容積を考慮するとき、前述した圧力変化速度を達成できないため、基板処理のための処理空間Ｓ２の容積を最小化しなければならない必要性がある。

そのために、本発明による基板処理装置は、前記内部空間Ｓ１に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が前記プロセスチャンバ１００と密着して、前記基板支持部２００が内部に位置する密閉された処理空間Ｓ２を形成するインナーリッド部３００を含む。

前記インナーリッド部３００は、内部空間Ｓ１に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部がプロセスチャンバ１００と密着して、基板支持部２００が内部に位置する密閉された処理空間Ｓ２を形成する構成であってもよい。

即ち、前記インナーリッド部３００は、内部空間Ｓ１中の基板支持部２００の上側で上下移動可能に設けられ、下降を通じてプロセスチャンバ１００の内部面の少なくとも一部と密着することにより、内部空間Ｓ１をプロセスチャンバ１００の内側の下部面との間に密閉された処理空間Ｓ２と処理空間Ｓ２を除いた非処理空間Ｓ３に分割形成することができる。

これにより、前記基板支持部２００は、処理空間Ｓ２内に位置させることができ、基板支持部２００に載置される基板１に対する基板処理を容積が最小化された処理空間Ｓ２内で行うことができる。

一例として、前記インナーリッド部３００は、下降を通じて縁が底面１２０に密着することにより、底面とプロセスチャンバ１００の内側の下部面との間で密閉された処理空間Ｓ２を形成することができる。

一方、別の例として、前記インナーリッド部３００は、下降を通じて縁がプロセスチャンバ１００の内側面に密着することにより、密閉された処理空間Ｓ２を形成することができることは言うまでもない。

前記インナーリッド部３００は、下降を通じて縁が底面１２０に密着して、密閉された処理空間Ｓ２を形成し、取り付け溝１３０に設けられる基板支持部２００を処理空間Ｓ２内に配置することができる。

即ち、前記インナーリッド部３００は、図２に示されるように、下降を通じて縁が取り付け溝１３０と段差を有して高い位置に位置する底面１２０に密着することにより、底面と取り付け溝１３０との間に密閉された処理空間Ｓ２を形成することができる。

このとき、取り付け溝１３０に基板支持部２００、より具体的には、基板支持プレート２１０と、充填部材７００が設けられることにより、処理空間Ｓ２の容積を最小化して、上面に処理対象基板１を位置させることができる。

この過程で、処理空間Ｓ２の容積を最小化するために、取り付け溝１３０は、処理空間Ｓ２が設けられる基板支持部２００に対応する形状で形成されてもよく、より具体的には、円形の基板支持プレート２１０に対応して円柱状の形態を有する溝で形成されてもよい。

即ち、取り付け溝１３０が形成する設置空間のうち、基板支持プレート２１０及び充填部材７００が設けられる空間を除いた残余空間が最小化となるように、基板支持プレート２１０の形状に対応する形状で形成することができる。

この過程で、基板支持プレート２１０の上面に載置される基板１とインナーリッド部３００との間の干渉を防止するために、底面１２０の高さは、基板支持部２００に載置される基板１の上面より高い位置に形成することができる。

一方、基板支持部２００に載置される基板１とインナーリッド部３００の底面との間の間隔が広くなるほど、処理空間Ｓ２の容積もまた大きくなることを意味するので、基板１とインナーリッド部３００との間の干渉が防止されながらも、これらの間の間隔が最小化される位置に底面１２０の高さを設定することができる。

前記インナーリッド部３００は、インナーリッド駆動部６００を介して上下移動するインナーリッド３１０を含むことができる。

前記インナーリッド３１０は、インナーリッド駆動部６００を介して内部空間内で上下移動可能な構成であり、様々な構成が可能である。

このとき、前記インナーリッド３１０は、平面視で取り付け溝１３０を覆い、縁が底面１２０一部に対応する大きさに形成されてもよく、縁が底面１２０に密着することにより、取り付け溝１３０との間に密閉された処理空間Ｓ２を形成することができる。

一方、前記インナーリッド３１０は、別の例として、縁がプロセスチャンバ１００の内側面に密着して、処理空間Ｓ２を形成することができることは言うまでもない。

また、前記インナーリッド３１０は、上下移動により形成される密閉された処理空間Ｓ２内のプロセス温度を効果的に達成及び維持するために、処理空間Ｓ２の温度が内部空間などで失われることを防止することができる断熱効果に優れた材質で形成することができる。

また、前記インナーリッド部３００は、図５に示されるように、後記する温度調節部１１００が設けられる構成であってもよい。

このとき、前記インナーリッド部３００は、後記する温度調節部１１００、より具体的には、温度調節プレート１１１０及びバッファープレート１１３０が設けられるように中心側に貫通口３２０が形成されてもよく、上側で貫通口３２０に温度調節プレート１１１０を設けることができる。

より具体的に、前記インナーリッド３１０の基板１及び基板支持プレート２１０に対向する位置に、貫通口３２０が形成され、温度調節プレート１１１０を設けることができる。

このとき、温度調節プレート１１１０を支持するために、貫通口３２０の上側にインナーリッド３１０の半径方向に支持段差３４０が形成されてもよく、支持段差３４０に温度調節プレート１１１０の終端が支持されることにより、温度調節プレート１１１０が貫通口３２０に安定的に支持される。

一方、別の例として、前記インナーリッド部３００は、図５に示されるように、後記する温度調節プレート１１１０が内部に挿入されるように上部面に挿入溝３３０を形成することができる。

即ち、前記インナーリッド３１０は、前述したものと違って、図７に示されるように、上部面に単純挿入溝３３０が形成され、温度調節プレート１１１０が内部に挿入されて設けられてもよく、このとき、挿入溝３３０は、基板１及び基板支持部２００に対向する位置であるインナーリッド３１０の中心側に形成され得る。

一方、この場合にも前述したように、挿入溝３３０の上側にインナーリッド３１０の半径方向に支持段差３４０が形成されることにより、挿入溝３３０に挿入されて設けられる温度調節プレート１１１０を支持できることは言うまでもない。

さらに、このとき、インナーリッド３１０は、挿入溝３３０の下側の部分３６０が温度調節プレート１１１０を介して供給される熱や基板１及び処理空間Ｓ２から温度調節プレート１１１０に提供される熱が容易に伝達されるように、透明な素材で形成することができる。

即ち、インナーリッド３１０は、挿入溝３３０の下側の部分３６０を通過して、基板１及び処理空間Ｓ２と熱交換を行わなければならなく、後記する温度調節プレート１１１０の熱供給方式がＬＥＤヒータ又はハロゲンヒータであることを考慮するとき、下側の部分３６０が、熱透過が容易な透明な材質で部分的に構成することができる。

前記シール部９００は、インナーリッド部３００又はプロセスチャンバ１００底面１２０の少なくとも一つに備えられる構成であり、プロセスチャンバ１００の底面１２０とインナーリッド部３００とが密着する位置に対応して備えられる。

即ち、前記シール部９００は、インナーリッド部３００の縁が底面１２０に接触して密閉された処理空間Ｓ２を形成する場合、インナーリッド部３００の底面の縁に沿って備えられて底面１２０との間に接触することができる。

これにより、前記シール部９００は、密閉された処理空間Ｓ２が形成されるように誘導することができ、処理空間Ｓ２のプロセスガスなどが内部空間Ｓ１等外部に流出されることを防止することができる。

例えば、前記シール部９００は、インナーリッド部３００の底面の縁に沿って備えられる第１シール部材９１０と、第１シール部材９１０に一定間隔が離隔された位置に備えられる第２シール部材９２０を含むことができる。

このとき、前記第１シール部材９１０及び前記第２シール部材９２０は、従来開示された形態のＯリングであり、インナーリッド部３００の底面の縁に従沿って互いに一定間隔で離隔されて並んで設けられてもよい。

即ち、前記第１シール部材９１０及び前記第２シール部材９２０は、二重で処理空間Ｓ２に対するシールを行うことにより、処理空間Ｓ２から外部へのプロセスガスなどの流出を遮断することができる。

一方、前記シール部９００は、底面１２０に備えられる挿入溝に挿入されて設けられ、インナーリッド部３００の上下移動によりインナーリッド部３００と密着又は分離することができる。
別の例として、シール部９００がインナーリッド部３００の底面に備えられることは言うまでもない。

前記ポンプ部５００は、プロセスチャンバ１００の前記インナーリッド部３００と密着位置に設けられ、シール部９００に漏れるプロセスガスをポンプする構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記ポンプ部５００は、インナーリッド部３００とプロセスチャンバ１００との間の密着位置に対応する位置でプロセスチャンバ１００の下部面を貫通して設けられることにより、インナーリッド部３００に設けられるシール部９００をポンプすることができる。

即ち、前記ポンプ部５００は、消耗品であるシール部９００へのプロセスガスの露出を最小化することにより、高温及びプロセスガスが使用される処理空間Ｓ２に露出されるシール部９００の腐食及び損傷を最小化して、耐久性を増大させることができる。
そのために、前記ポンプ部５００は、第１シール部材９１０と第２シール部材９２０と間の間空間Ｓ４をポンプすることができる。

例えば、前記ポンプ部５００は、外部に備えられ、間空間Ｓ４に対するポンプを行うポンプ５３０と、 第１シール部材９１０と第２シール部材９２０との間に対応する位置に設けられるポンプノズル５１０と、一端がポンプノズル５１０に連通し、他端が外部のポンプ５３０と連結するように、プロセスチャンバ１００の下部面を貫通して備えられるポンプ流路５２０と、を含むことができる。

このとき、前記ポンプノズル５１０は、シール部９００に沿って平面視で円形で形成してもよく、別の例として、シール部９００に沿ってプロセスチャンバ１００の下部面に形成される溝の一部に備えられ、溝に沿ってポンプを行う構成であってもよい。

一方、前記ポンプ流路５２０は、プロセスチャンバ１００の下部面を貫通するように形成される別途の配管構成であってもよく、別の例として、プロセスチャンバ１００の下部面を加工して形成することができる。

一方、前記ポンプ部５００は、シール部９００に漏れるプロセスガスをポンプする前述した例とは違って、第１シール部材９１０と第２シール部材９２０との間の間空間Ｓ４にパージガスを供給する構成であってもよい。

前記ガス供給部４００は、処理空間Ｓ２と連通し、処理空間Ｓ２にプロセスガスを供給する構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記ガス供給部４００は、図１に示されるように、処理空間Ｓ２に露出され、処理空間Ｓ２内にプロセスガスを供給するガス供給ノズル４１０と、プロセスチャンバ１００を貫通してガス供給ノズル４１０と連結し、ガス供給ノズル４１０を介して供給されるプロセスガスを伝達するガス供給流路４２０を含むことができる。

このとき、前記ガス供給部４００は、図２に示されるように、取り付け溝１３０の縁に基板支持部２００に隣接して設けられ、これにより、処理空間Ｓ２にプロセスガスを供給することができる。

一方、これにより処理空間Ｓ２は、インナーリッド部３００の底面の一部とガス供給部４００及び基板支持部２００の上面との間に形成することができる。
前記ガス供給ノズル４１０は、処理空間Ｓ２に露出され、処理空間Ｓ２内にプロセスガスを供給する構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記ガス供給ノズル４１０は、取り付け溝１３０の縁に基板支持プレート２１０の側面に隣接するように設けられ、上側又は基板支持プレート２１０側にプロセスガスを噴射して、処理空間Ｓ２内にプロセスガスを供給することができる。

このとき、前記ガス供給ノズル４１０は、取り付け溝１３０の縁に基板支持プレート２１０を囲むように備えられ、平面視で基板支持プレート２１０の側面の少なくとも一部からプロセスガスを噴射することができる。

一例として、前記ガス供給ノズル４１０は、取り付け溝１３０の縁からインナーリッド部３００の底面に向けてプロセスガスを噴射することができ、処理空間Ｓ２の最小化された容積に応じて処理空間Ｓ２を短時間内に所望の圧力に造成するためにプロセスガスを供給することができる。

前記ガス供給流路４２０は、プロセスチャンバ１００の下部面を貫通して、外部のプロセスガス貯蔵部と連結でき、プロセスガスが伝達されてプロセスガス供給ノズル４１０に供給することができる。

このとき、前記ガス供給流路４２０は、プロセスチャンバ１００の下部面を貫通して設けられる配管であってもよく、別の例として、プロセスチャンバ１００の下部面を加工して形成することができる。

一方、前記ガス供給部４００は、別の例として、図１０に示されるように、プロセスガスが拡散される第１拡散空間Ｓ５を形成するガス噴射部４３０と、ガス噴射部４３０に形成され、処理空間Ｓ２に向けてプロセスガスを噴射する複数のガス噴射孔４４０を含むことができる。

また、前記ガス供給部４００は、ガス噴射部４３０を貫通してガス拡散部１０００に結合する第１締結部材４５０をさらに含むことができる。

このとき、前記プロセスチャンバ１００は、下部面を貫通して備えられ、第１拡散空間Ｓ５と連通して、第１拡散空間Ｓ５に外部からプロセスガスを伝達する供給流路１９０を含むことができる。

前記供給流路１９０は、前述したガス供給流路４２０に対応する構成であり、外部からプロセスガスを、プロセスチャンバ１００を貫通して第１拡散空間Ｓ５に伝達するための構成であってもよい。

即ち、前記供給流路１９０は、プロセスチャンバ１００の下部面を貫通して外部のプロセスガス貯蔵部と連結でき、プロセスガスを伝達されて後記するガス供給部４００にプロセスガスを供給することができる。

このとき、前記供給流路１９０は、プロセスチャンバ１００の下部面を貫通して設けられる配管を介して形成でき、別の例として、プロセスチャンバ１００の下部面を加工して形成することができる。

また、前記供給流路１９０は、プロセスチャンバ１００下部面の後記するガス供給部４００が設けられる基板１の縁に隣接した位置の少なくともいずれか一つの位置に形成することができる。

従って、前記ガス供給部４００は、前述した供給流路１９０に連通する 第１拡散空間Ｓ５を形成し、供給されるプロセスガスを拡散させ、処理空間Ｓ２に噴射する構成であってもよい。

前記ガス噴射部４３０は、基板支持部２００の縁に沿って設けられるように環状に設けられており、基板支持部２００の縁、即ち、基板１を囲んで設けられてもよい。

これにより、前記ガス噴射部４３０は、基板１最接近した縁でプロセスガスを処理空間Ｓ２に噴射することができる。

一方、前記ガス噴射部４３０は、基板支持部２００の縁、即ち、基板１を囲んで設けられ、前述した取り付け溝１３０内壁面に設けられ、垂直方向に貫通してプロセスチャンバ１００に結合する複数の第２締結部材（未図示）を介して固定設置することができる。

このとき、前記ガス噴射部４３０は、底面に第１拡散空間Ｓ５のための第１拡散溝４３１を形成することができる。

例えば、前記ガス噴射部４３０は、図１１及び図１２に示されるように、環状の構成であり、底面に第１拡散溝４３１を対応する環状に形成することができ、これにより、底面にプロセスチャンバ１００の底面１２０又はガス拡散部１０００上面が位置し、第１拡散溝４３１を覆うことによって第１拡散空間Ｓ５を形成することができる。

一方、このとき、前記ガス噴射部４３０は、上面に後記するガス噴射孔４４０が多数形成されて処理空間Ｓ２にプロセスガスを噴射することができ、このとき、上面は水平の平面に形成される。

これにより、前記ガス噴射部４３０は、プロセスガスを基板１側に直接噴射せずに処理空間Ｓ２を形成するインナーリッド部３００の底面に直接噴射された以後に基板１側を向くようにすることにより、プロセスガス噴射圧及び温度による基板１への影響を最小化することができる。

また、別の例として、前記ガス噴射部４３０は、図１４に示されるように、上面が縁に行くほど、高くなる傾斜が形成され、上面にガス噴射孔４４０が多数形成されるにつれて自然に処理空間Ｓ２中の基板１側に向けてプロセスガスが噴射することができる。

即ち、前記ガス噴射部４３０は、上面に傾斜が形成されるにつれてプロセスガスを上側垂直方向に噴射することなく、上側基板１側に向かう方向に噴射することができる。

一方、前記ガス噴射部４３０は、上面が縁に行くほど、低くなる傾斜で形成されてもよいことは言うまでもない。

また、別の例として、前記ガス噴射部４３０は、図１５に示されるように、内部に第１拡散空間Ｓ５が形成され、供給流路１９０からプロセスガスの供給を受けるために、底面の供給流路１９０に対応する位置に形成される貫通口４３２を含むことができる。

即ち、前記ガス噴射部４３０は、内部に第１拡散空間Ｓ５が形成される構成であり、第１拡散空間Ｓ５にプロセスガスが供給されるように、供給流路１９０又は後記するガス拡散部１０００の上面のガス伝達孔１０２０に対応する位置に貫通口４３２を形成することができる。

この場合、前記ガス噴射部４３０は、前述したように、第１拡散溝４３１が形成された状態で、底面を覆うカバー部（未図示）を溶接などで結合することにより作製でき、これにより、ガス噴射部４３０とガス拡散部１０００の上面との間で基板支持部２００側にプロセスガスの漏れを防止することができる。

前記ガス噴射孔４４０は、ガス噴射部４３０に形成され、処理空間Ｓ２にプロセスガスを噴射する構成であり、複数個備えられてもよい。

このとき、前記ガス噴射孔４４０は、ガス噴射部４３０の上面に複数個形成されてもよく、環状のガス噴射部４３０基準に複数個が互いに等しい間隔及び大きさに形成されてもよい。

即ち、前記ガス噴射孔４４０は、平面視で基板支持部２００の中心に対して点対称に配置することができる。

また、別の例として、前記ガス噴射孔４４０は、均一なプロセスガス噴射のために基板支持部２００を基準に縁の一側に単数で備えられる供給流路１９０を考慮して、供給流路１９０側に隣接するほど、段階的又は徐々にサイズが小さくなるように形成することができる。

即ち、平面視で供給流路１９０と隣接した位置に配置されるガス噴射孔４４０を介したプロセスガスの噴射量が、供給流路１９０から遠い位置に配置されるガス噴射孔４４０を介したプロセスガスの噴射量に比べて大きくなる場合があり、これを補正するために、ガス噴射孔４４０のサイズ及び配置を適切に調節することができる。

従って、前記ガス噴射孔４４０は、供給流路１９０側に隣接するほど、段階的又は徐々に孔のサイズが小さくなるように形成することができ、別の例として、前記ガス噴射孔４４０は、供給流路１９０側に隣接するほど、段階的又は徐々に隣接するガス噴射孔４４０との間隔が離れるように形成することができる。

前記ガス拡散部１０００は、ガス供給部４００とプロセスチャンバ１００と間に配置され、第２拡散空間Ｓ６を形成してガス供給部４００に伝達されるプロセスガスを拡散する構成であり、様々な構成が可能である。

即ち、前記ガス拡散部１０００は、ガス供給部４００と供給流路１９０との間に配置され、供給流路１９０からプロセスガスが伝達され、１次拡散を行って、拡散されたプロセスガスをガス供給部４００に伝達する構成であってもよい。

このとき、前記ガス拡散部１０００は、単数で備えられてもよく、別の例として、複数個が積層されて備えられることで、追加的な拡散を誘導することができる。

前記ガス拡散部１０００は、プロセスチャンバ１００と共に第２拡散空間Ｓ６を形成するように底面に第２拡散溝１０１０を形成することができる。

また、前記ガス拡散部１０００は、上面に第２拡散空間Ｓ６から第１拡散空間Ｓ５にプロセスガスを伝達するために形成される少なくとも一つのガス伝達孔１０２０を含むことができる。

また、前記ガス拡散部１０００は、上面に一部が第１拡散溝４３１に挿入されるように形成される第２段差部１０３０を含むことができる。

前記ガス拡散部１０００は、前述したガス供給部４００と同様の構成であり、基板支持部２００の縁を囲むように環状に設けられてもよく、上面にガス供給部４００が積層されて配置される構成であり、対応する平面形状及びサイズを有することができる。

前記第２拡散溝１０１０は、プロセスチャンバ１００と共に第２拡散空間Ｓ６を形成するようにガス拡散部１０００の底面に形成される構成であり、第１拡散溝４３１と一緒に底面全体に環状に形成することができる。

即ち、前記第２拡散溝１０１０は、プロセスチャンバ１００を介して覆われ、第２拡散空間Ｓ６を形成することができる。

別の例として、前記ガス拡散部１０００は、図１５に示されるように、内部に第２拡散空間Ｓ６が形成され、供給流路１９０からプロセスガスの供給を受けるために底面の供給流路１９０に対応する位置に形成されるガス導入口１０４０を含むことができる。

即ち、前記ガス拡散部１０００は、内部に第２拡散空間Ｓ６が形成される構成であり、第２拡散空間Ｓ６にプロセスガスが供給されるように供給流路１９０に対応する位置にガス導入口１０４０を形成することができる。

この場合、前記ガス拡散部１０００は、前述したように、第２拡散溝１０１０が形成された状態で、底面を覆うカバー部（未図示）を溶接などで結合することによって作成することができ、これにより、ガス拡散部１０００とプロセスチャンバ１００接触面から基板支持部２００側にプロセスガスが漏れることを防止することができる。

前記ガス伝達孔１０２０は、ガス拡散部１０００の上面に第２拡散空間Ｓ６から第１拡散空間Ｓ５にプロセスガスを伝達するために形成される構成であり、少なくとも一つ、より好ましくは、複数個が形成されてもよい。

このとき、前記ガス伝達孔１０２０は、平面視で基板支持部２００の中心に対して点対称に配置することができ、互いに同じ間隔で離隔されて配置することができる。

また、別の例として、前述したガス噴射孔４４０のように、供給流路１９０を考慮して、非対称に形成されてもよいことは言うまでもない。

前記第２段差部１０３０は、上面に一部が第１拡散溝４３１に挿入されるようにガス拡散部１０００上面に突出して段差を形成する構成であってもよい。

即ち、前記第２段差部１０３０は、上面に突出して段差を形成し、第１拡散溝４３１に挿入されることにより、ガス拡散部１０００とガス供給部４００接触部と第１拡散空間Ｓ５との間に段差が形成され、プロセスガスの漏れを最小化することができる。

また、ガス拡散部１０００一部が挿入されるか、第２拡散溝１０１０に供給流路１９０一部が挿入されるように、対応するプロセスチャンバ１００の底面１２０に段差を有して形成される第１段差部１９１を含むことができる。

即ち、前記第１段差部１９１は、図１３に示されるように、ガス拡散部１０００一部が挿入されるように底面１２０に形成され、ガス拡散部１０００とプロセスチャンバ１００との間に形成される第２拡散空間Ｓ６からの漏れを防止することができる。

また、別の例として、前記第１段差部１９１は、供給流路１９０が形成される底面１２０が突出して前記第２拡散溝１０１０に挿入されることにより、第２拡散空間Ｓ６からガス拡散部１０００とプロセスチャンバ１００接触面と間に段差を形成して、プロセスガスの漏れを防止することができる。

前記インナーリッド駆動部６００は、プロセスチャンバ１００の上部面を貫通して設けられ、インナーリッド部３００の上下移動を駆動する構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記インナーリッド駆動部６００は、一端がプロセスチャンバ１００の上部面を貫通して、インナーリッド部３００に結合される複数の駆動ロッド６１０と、複数の駆動ロッド６１０の他端に連結され、駆動ロッド６１０を上下方向に駆動する少なくとも一つの駆動源６２０を含むことができる。

また、前記インナーリッド駆動部６００は、プロセスチャンバ１００の上部面、即ち、トップリッド１４０に設けられ、前記駆動ロッド６１０の終端を固定して支持する固定支持部６４０と、プロセスチャンバ１００の上部面とインナーリッド部３００との間に駆動ロッド６１０を囲むように設けられる第１ベローズ６３０を含むことができる。

また、前記インナーリッド駆動部６００は、後記する温度調節部１１００のロッド部１１２０がインナーリッド部３００の上下移動により上下に移動しており、ロッド部１１２０がトップリッド１４０を貫通して設けられることにより発生し得る外部へのガスの漏れを防止するために、ロッド部１１２０を囲んで設けられる第２ベローズ６５０を含むことができる。

前記駆動ロッド６１０は、一端がプロセスチャンバ１００の上部面を貫通してインナーリッド部３００に結合され、他端がプロセスチャンバ１００の外部で駆動源６２０に結合され、駆動源６２０を介した上下移動によってインナーリッド部３００を上下に駆動する構成であってもよい。

このとき、前記駆動ロッド６１０は、複数個、より具体的には、２個又は４個がインナーリッド部３００の上面に一定間隔で結合し、インナーリッド部３００が水平を維持して、上下移動するように誘導することができる。

前記駆動源６２０は、固定支持部６４０に設けられて結合する駆動ロッド６１０を上下に駆動する構成であり、様々な構成が可能である。

前記駆動源６２０は、従来開示された駆動方式であればどのような構成でも適用可能であり、例えば、シリンダー方式、電磁気駆動、スクリューモータ駆動、カム駆動など様々な駆動方式を適用することができる。

前記第１ベローズ６３０は、プロセスチャンバ１００の上部面とインナーリッド部３００との間に駆動ロッド６１０を囲むように設けられ、内部空間Ｓ１のガスなどがプロセスチャンバ１００の上部面を介して漏れることを防止する構成であってもよい。

一方、前記第１ベローズ６３０は、インナーリッド部３００の上下移動を考慮して設けることができる。

前記第２ベローズ６５０は、一端が後記するカバープレート１１４０に結合し、他端がトップリッド１４０の底面に結合し、ロッド部１１２０を囲むように設けられ、インナーリッド部３００及び温度調節プレート１１１０の上下移動にもロッド部１１２０を貫通するトップリッド１４０を介したガスの漏れを防止することができる。

前記温度調節部１１００は、前記インナーリッド部３００に設けられ、前記内部ヒータ２３０と共に前記処理空間Ｓ２に位置する前記基板１に対する温度を調節する構成であり、様々な構成が可能である。

即ち、前記温度調節部１１００は、内部ヒータ２３０と共に処理空間Ｓ２及び基板１に対する温度調節が可能に、基板１を加熱又は冷却する構成であってもよい。

例えば、前記温度調節部１１００は、図５に示されるように、前記インナーリッド部３００に設けられ、前記基板１を加熱又は冷却する温度調節プレート１１１０と、前記トップリッド１４０を貫通して前記温度調節プレート１１１０に結合するロッド部１１２０と、を含むことができる。

また、前記温度調節部１１００は、インナーリッド部３００の下側で貫通口３２０に結合し、温度調節プレート１１１０を覆うバッファープレート１１３０をさらに含むことができる。

また、前記温度調節部１１００は、前記インナーリッド部３００の上側で前記貫通口３２０を覆うように設けられるカバープレート１１４０をさらに含むことができる。

前記温度調節プレート１１１０は、インナーリッド部３００に設けられ、基板１を加熱又は冷却する構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記温度調節プレート１１１０は、前述したように、インナーリッド３１０に形成される貫通口３２０に設けられ、基板１を加熱又は冷却することができる。

一方、前述した内部ヒータ２３０は、電力供給による発熱体の発熱として基板支持プレート２１０を通過して基板１及び処理空間Ｓ２に熱を供給する構成であるところ、初期加熱に時間がかかり、急速な温度変化に即刻に対応するのが難しい問題があった。

これにより、前記温度調節プレート１１１０は、基板１に短時間内に即刻に熱を供給するための構成であり、例えばハロゲン又はＬＥＤヒータを適用することができる。

また、前記温度調節プレート１１１０は、基板１を短時間内に即刻に冷却するために、内部に冷却流路が形成され、冷媒の循環を通じて基板１を冷却することができる。

一方、前記温度調節プレート１１１０は、縁に段差が形成され、前述したように、インナーリッド３１０の貫通口３２０に形成される支持段差３４０に支持されて設けることができる。

さらに、別の例として、前記温度調節プレート１１１０は、基板１に直接露出されるようにインナーリッド３１０の底面に単純付着、結合等によって設けられてもよいことは言うまでもない。

また、前記温度調節プレート１１１０は、平面視で互いに区分され、互いに独立して温度調節が可能である小さくても２つの温度調節領域を含むことができる。

このとき、温度調節領域は、図８に示されるように、平面視で円形である温度調節プレート１１１０と中心を共有して、基板１の中心側に対応する位置で平面視で円形に区分される第１温度調節領域１１１１と、温度調節プレート１１１０の縁で区分される第３温度調節領域１１１３と、第１温度調節領域１１１１と前記第３温度調節領域１１１３との間に区分される第２温度調節領域１１１２を含むことができる。

即ち、前記温度調節領域は、温度調節プレート１１１０に対向する基板１に対応する領域に応じて独立して温度調節が可能な領域に区分されてもよく、これにより、基板１の特定領域に対する温度を区分された領域とは独立して調節することができる。

前記ロッド部１１２０は、トップリッド１４０を貫通して温度調節プレート１１１０に結合する構成であり、様々な構成が可能である。

このとき、前記ロッド部１１２０は、内部に中空が形成され、外部から温度調節プレート１１１０に各種冷媒又は電源を供給するための構成であってもよい。

例えば、前記ロッド部１１２０は、トップリッド１４０を貫通して温度調節プレート１１１０に結合し、温度調節プレート１１１０を支持するロッド１１２１と、ロッド１１２１の中空に挿入され、外部から温度調節プレート１１１０に電源又は冷媒などを供給する供給ライン１１２２を含むことができる。

前記バッファープレート１１３０は、前記インナーリッド部３００の下側で前記貫通口３２０に結合し、前記温度調節プレート１１１０を覆う構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記バッファープレート１１３０は、図６に示されるように、インナーリッド部３００の下側で貫通口３２０に結合し、温度調節プレート１１１０と基板１との間に位置することができ、温度調節プレート１１１０と基板１と間の熱交換を媒介することができる。

このとき、前記バッファープレート１１３０は、高温高圧の環境でも安定した設計に作成することができ、石英材質で形成することができる。

これにより、前記バッファープレート１１３０は、処理空間Ｓ２の高圧環境に温度調節プレート１１１０の直接の露出を防止し、高圧による影響を最小化することができ、熱交換を容易にしながらも温度調節プレート１１１０を保護することができる。

このとき、前記バッファープレート１１３０は、図２に示されるように、インナーリッド３１０の貫通口３２０の下側に設けられ、より具体的には、インナーリッド３１０の貫通口３２０下側の縁に設けられる支持部３５０に支持されていてもよい。

前記カバープレート１１４０は、インナーリッド部３００の上側で貫通口３２０を覆うように設けられる構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記カバープレート１１４０は、ロッド部１１２０が貫通した状態で、インナーリッド３１０の温度調節プレート１１１０が設けられる貫通口３２０を覆うことができ、前述した第２ベローズ６５０の終端が結合し、温度調節プレート１１１０の移動を容易にすることができる。

前記制御部は、前記温度調節部１１００の加熱又は冷却を制御する構成であってもよい。

例えば、前記制御部は、基板１の縁に対する温度が中心側に比べて比較的に低い点を考慮して、これを補完するために前記第３温度調節領域１１１３を前記第１温度調節領域１１１１より高い温度に制御することができる。

また、前記制御部は、前記処理空間Ｓ２の変圧過程中に、前記基板１又は前記処理空間Ｓ２の温度を一定に維持するように前記温度調節部１１００を制御することができる。

特に、本発明による基板処理装置は、図９に示されるように、処理空間Ｓ２に対する急激な圧力変化が行われるところ、基板１が位置する処理空間Ｓ２の圧力変化による温度変化が急激に発生する可能性がある。

このような温度変化を防止するために、基板１及び処理空間Ｓ２の温度を一定に維持するように温度調節部１１００を制御することができる。

一方、前述したように、基板支持部２００が取り付け溝１３０に設けられる場合、基板支持部２００、より具体的には、基板支持プレート２１０と取り付け溝１３０との間に空間が形成され、処理空間Ｓ２の容積が増加する要因になることがある。

このような問題点を改善するために、基板支持部２００を取り付け溝１３０に接触して設ける場合、基板支持部２００内に存在するヒータを介して供給する熱をプロセスチャンバ１００の下部面、即ち、取り付け溝１３０を介してプロセスチャンバ１００に奪われて熱損失が発生し、処理空間Ｓ２に対するプロセス温度設定及び維持が困難になり、効率が低下される問題があった。

このような問題点を改善するために、本発明による前記充填部材７００は、基板支持部２００とプロセスチャンバ１００の下部面との間に設けられる構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記充填部材７００は、取り付け溝１３０に設けられてもよく、取り付け溝１３０に設けられた状態で、基板支持プレート２１０が上側に設けられ、取り付け溝１３０と基板支持プレート２１０との間の残余容積を最小化して、処理空間Ｓ２の容積を減らすことができる。

そのために、前記充填部材７００は、前記処理空間Ｓ２が最小化されるように、前記取り付け溝１３０と前記基板支持部２００との間の間空間に対応する形状に形成することができる。

より具体的に、前記充填部材７００は、平面視で円形であり、底面１２０から一定の深さを有するように段差を有して形成される取り付け溝１３０と、平面視で円形の基板支持プレート２１０との間の間空間に対応する形状に形成することができる。

即ち、前記充填部材７００は、前記基板支持プレート２１０の側面及び底面の少なくとも一つに隣接して設けられ、前記基板支持プレート２１０から離隔され、前記基板支持プレート２１０の底面及び側面を囲むように形成されて設けることができる。

このとき、前記基板支持部２００は、充填部材７００を介した熱損失を防止するために、充填部材７００と離隔して設けられてもよく、より詳細には、接触しないレベルの微細な間隔を有して設けられてもよい。

これにより、前記基板支持部２００と充填部材７００との間には、一定の間隔が維持され、この間隔が排気流路として作用することにより、処理空間Ｓ２に対する排気を行うことができる。

より具体的に、前記基板支持部２００と充填部材７００が互いに離隔されて設けられることにより、排気流路を形成することができ、このとき、排気流路が、基板支持ポスト２２０が貫通する取り付け溝１３０の底と連通して外部に処理空間Ｓ２のプロセスガスを排気することができる。

一方、前記充填部材７００は、石英、セラミック及びＳＵＳの少なくとも一つの材質であってもよい。

また、前記充填部材７００は、単純に処理空間Ｓ２の容積を最小化するために取り付け溝１３０と基板支持部２００との間の空間を占めるだけでなく、断熱により基板支持部２００を介して基板１に伝達される熱の損失を最小化し、さらに熱反射を通じて処理空間Ｓ２への損失される熱を反射することができる。

即ち、前記充填部材７００は、処理空間Ｓ２の容積を最小化するだけでなく、基板支持部２００を介した熱のプロセスチャンバ１００底面１２０側への損失を防止するための断熱、さらに熱の反射を通した熱効率を増大させる反射機能を含むことができる。

一方、これに加えて、基板支持部２００を介して発散する熱の処理空間Ｓ２への反射効果を増大させるために、表面に備えられる反射部７２０をさらに含むことができる。

即ち、前記充填部材７００は、前記処理空間Ｓ２から外部への熱を遮断するための断熱部７１０と、前記断熱部７１０の表面に備えられ、熱を反射する反射部７２０を含むことができる。

このとき、前記反射部７２０は、断熱部７１０の表面にコートされるか、接着又は塗布され、反射層を形成することができ、処理空間Ｓ２からプロセスチャンバ１００を介して失われる熱を反射させ、再度処理空間Ｓ２に伝達することができる。

また、前記充填部材７００は、前述した基板支持ポスト２２０が設けられるために、中心に対応するサイズに形成される第１貫通口７３１と、複数の基板支持ピン８１０が貫通して、上下に移動するための複数の第２貫通口７３２をさらに形成することができる。

前記基板支持ピン部８００は、プロセスチャンバ１００に導入及び搬出される基板１を支持し、基板支持部に２００に載置される構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記基板支持ピン部８００は、前記充填部材７００及び前記基板支持部２００を貫通して上下に移動することにより、前記基板１を支持する複数の基板支持ピン８１０と、複数の前記基板支持ピン８１０が設けられる環状の基板支持リング８２０と、複数の前記基板支持ピン８１０を上下駆動する基板支持ピン駆動部８３０と、を含むことができる。

前記複数の基板支持ピン８１０は、基板支持リング８２０に複数個備えられ、充填部材７００及び基板支持部２００を貫通して上下に移動することにより、基板１を支持する構成であり、様々な構成が可能である。

このとき、複数の基板支持ピン８１０は、少なくとも３個が備えられてもよく、基板支持リング８２０に互いに離隔してそれぞれ設けられ、上昇して基板支持部２００から露出されることにより、導入される基板１を支持するか、排出される基板１を支持し、下降して基板支持部２００内部に位置することにより、基板１を基板支持部２００に載置させることができる。

前記基板支持リング８２０は、環状の構成であり、複数の基板支持ピン８１０が設けられ、上下移動を通じて複数の基板支持ピン８１０が同時に上下に移動するように設けられる構成であってもよい。

特に、前記基板支持リング８２０は、プロセスチャンバ１００の下部面、即ち取り付け溝１３０に形成される支持ピン取り付け溝１６０に設けられて、基板支持ピン駆動部８３０により上下に移動することができる。

前記基板支持ピン駆動部８３０は、プロセスチャンバ１００の外部に設けられ、基板支持リング８２０を上下に駆動する構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記基板支持ピン駆動部８３０は、一端が基板支持リング８２０の底面に連結され、他端が基板支持ピン駆動源８３３に連結され、基板支持ピン駆動源８３３の駆動力によって上下移動する基板支持ピンロッド８３１と、基板支持ピンロッド８３１の線形移動をガイドする基板支持ピンガイド８３２と、基板支持ピンロッド８３１を駆動する基板支持ピン駆動源８３３を含むことができる。

また、前記基板支持ピン部８００は、基板支持ピンロッド８３１を囲んでプロセスチャンバ１００の底面と基板支持ピン駆動源８３３との間に設けられる基板支持ピンベローズ８４０をさらに含むことができる。

以下では、本発明による基板処理装置の別の実施例について添付図面を参照して説明し、前述した構成と同じ構成に対する重複説明は省略する。

したがって、重複説明が省略された構成については、前述した内容をすべて同様に適用することができる。

本発明による基板処理装置は、図１６に示されるように、上部が開放され、底面１２０の中心側に取り付け溝１３０が形成され、一側に基板１を搬出入するためのゲート１１１を含むチャンバ本体１１０と、前記チャンバ本体１１０の上部に結合され、非処理空間Ｓ３を形成するトップリッド１４０を含むプロセスチャンバ１００と、前記チャンバ本体１１０の前記取り付け溝１３０に内挿されるように設けられ、上面に基板１が載置される基板支持部２００と、前記内部空間に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が前記取り付け溝１３０に隣接した前記底面１２０と密着して、前記基板支持部２００が内部に位置する密閉された処理空間Ｓ２を形成するインナーリッド部３００と、前記処理空間Ｓ２と連通し、前記処理空間Ｓ２に対する圧力を調節する第１圧力調節部１２００と、前記非処理空間Ｓ３と連通し、前記処理空間Ｓ２と独立して前記非処理空間Ｓ３に対する圧力を調節する第２圧力調節部１３００と、を含む。

また、本発明による基板処理装置は、前記プロセスチャンバ１００の上部面を貫通して設けられ、前記インナーリッド部３００の上下移動を駆動するインナーリッド駆動部６００をさらに含むことができる。

また、本発明による基板処理装置は、図５に示されるように、第１圧力調節部１２００及び第２圧力調節部１３００を介した処理空間Ｓ２及び非処理空間Ｓ３に対する圧力調節を制御する制御部をさらに含むことができる。

また、前記プロセスチャンバ１００は、一側に後記する第２ガス供給部１３１０が連結され、充填ガスを非処理空間Ｓ３に供給するように備えられるガス供給孔１７０をさらに含むことができる。

また、前記プロセスチャンバ１００は、他側に後記する第２ガス排気部１３２０が連結され、非処理空間Ｓ３を排気下記するように備えられるガス排気孔１８０をさらに含むことができる。

前記ガス供給孔１７０は、プロセスチャンバ１００のチャンバ本体１１０一側に備えられ、第２ガス供給部１３１０が連結される構成であってもよい。

例えば、前記ガス供給孔１７０は、チャンバ本体１１０の一側に加工により形成されるか、チャンバ本体１１０の一側に形成される貫通口に設けられて備えることができる。

これにより、前記ガス供給孔１７０は、第２ガス供給部１３１０が設けられ、非処理空間Ｓ３と第２ガス供給部１３１０を連結することができ、これにより、非処理空間Ｓ３に充填ガスを供給することができる。

前記ガス排気孔１８０は、プロセスチャンバ１００のチャンバ本体１１０他側に備えられ、第２ガス排気部１３２０が連結される構成であってもよい。

例えば、前記ガス排気孔１８０は、チャンバ本体１１０の他側に加工により形成されるか、チャンバ本体１１０の他側に形成される貫通口に設けられて備えられることができる。

これにより、前記ガス排気孔１８０は、第２ガス排気部１３２０が設けられ、非処理空間Ｓ３に対する排気を行うようにすることができる。

このとき、前記インナーリッド部３００は、平面視で取り付け溝１３０を覆い、縁が底面１２０一部に対応するサイズに形成することができ、縁が底面１２０に密着することにより、取り付け溝１３０との間に密閉された処理空間Ｓ２を形成することができる。

一方、前記インナーリッド部３００は、別の例として、縁がプロセスチャンバ１００の内側面に密着して、処理空間Ｓ２を形成することができることは言うまでもない。

また、前記インナーリッド部３００は、上下移動により形成される密閉された処理空間Ｓ２内のプロセス温度を効果的に達成及び維持するために、処理空間Ｓ２の温度が内部空間などに失われることを防止できる断熱効果に優れた材質で形成することができる。

即ち、前記インナーリッド部３００は、内部空間Ｓ１に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が取り付け溝１３０に隣接した底面１２０と密着して、内部空間Ｓ１を前記基板支持部２００が内部に位置する密閉された処理空間Ｓ２と、その以外の非処理空間Ｓ３に分割することができる。

結果的に、前記インナーリッド部３００は、プロセスチャンバ１００内部の内部空間Ｓ１を、下降を通じて底面１２０と密着して、基板支持部２００が内部に位置する密閉された処理空間Ｓ２と以外の非処理空間Ｓ３に分割することができ、上昇を通じて処理空間Ｓ２と非処理空間Ｓ３を連通することができる。

前記第１圧力調節部１２００は、処理空間Ｓ２と連通され、処理空間Ｓ２に対する圧力を調節する構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記第１圧力調節部１２００は、処理空間Ｓ２にプロセスガスを供給するガス供給部４００と、処理空間Ｓ２に対する排気を行うガス排気部１２２０と、を含むことができる。

即ち、前記第１圧力調節部１２００は、処理空間Ｓ２にプロセスガスを供給し、処理空間Ｓ２を適切に排気することにより、処理空間Ｓ２に対する圧力を調節することができ、これにより、図９に示されるように、処理空間Ｓ２を高圧と低圧の圧力の雰囲気を短時間内に繰り返し変化させて造成することができる。

このとき、より具体的には、処理空間Ｓ２の圧力を５Ｂａｒから０．０１Ｔｏｒｒの圧力範囲の間で１Ｂａｒ／ｓレベルの圧力変化速度に繰り返し変化させることができる。

特に、このとき、前記第１圧力調節部１２００は、第１圧力から常圧に処理空間Ｓ２の圧力を下降させ、常圧から真空の第２圧力に処理空間Ｓ２の圧力を段階的に下降させることができる。

また、前記第１圧力調節部１２００は、基板処理のために処理空間Ｓ２の圧力を第１圧力から第２圧力を経て第１圧力に順次に複数回繰り返し変圧することができる。

前記ガス供給部４００は、処理空間Ｓ２に連通され、プロセスガスを供給する構成であり、前述した構成が同様に適用されるところ詳細な説明は省略する。

前記ガス排気部１２２０は、処理空間Ｓ２に対する排気を行う構成であり、様々な構成が可能である。

例えば、前記ガス排気部１２２０は、処理空間Ｓ２と連通され、外部に設けられる外部排気装置を含むことにより、処理空間Ｓ２に対する排気量を制御することができ、これにより、処理空間Ｓ２の圧力を調節することができる。

前記第２圧力調節部１３００は、非処理空間Ｓ３と連通され、処理空間Ｓ２と独立して非処理空間Ｓ３に対する圧力を調節する構成であり、様々な構成が可能である。

特に、前記第２圧力調節部１３００は、処理空間Ｓ２と区分されて形成される非処理空間Ｓ３を処理空間Ｓ２と独立して圧力を調節することができる。

例えば、前記第２圧力調節部１３００は、前記非処理空間Ｓ３と連通され、前記非処理空間Ｓ３に充填ガスを供給する第２ガス供給部１３１０と、非処理空間Ｓ３に対する排気を行う第２ガス排気部１３２０と、を含むことができる。

前記第２ガス供給部１３１０は、前述したガス供給孔１７０に連結され、非処理空間Ｓ３に充填ガスを供給することができ、これにより、非処理空間Ｓ３に対する圧力を調節することができる。

前記第２ガス排気部１３２０は、前述したガス排気孔１８０に連結され、非処理空間Ｓ３に対する排気を行う構成であり、これより、非処理空間Ｓ３に対する圧力を調節することができる。

一方、前記第２ガス供給部１３１０及び前記第２ガス排気部１３２０は、従来開示された充填ガスの供給と排気を行う構成であればどのような構成でも適用可能である。

前記第２圧力調節部１３００は、基板処理のために、基板１が載置される処理空間Ｓ２の圧力を常圧より高い第１圧力から第２圧力に変化させる過程で、非処理空間Ｓ３の圧力を一定に維持することができる。

このとき、前記第２圧力調節部１３００は、基板処理が行われる間、非処理空間Ｓ３の圧力を真空に維持でき、この過程で、処理空間Ｓ２の圧力より低いか、等しく維持することができる。

即ち、前記第２圧力調節部１３００は、基板処理過程で非処理空間Ｓ３の圧力を第２圧力である０．０１Ｔｏｒｒに一定に維持することによって、処理空間Ｓ２の圧力よりも等しいか低く維持し、これにより、非処理空間Ｓ３の不純物などの処理空間Ｓ２への流入を防止することができる。

一方、別の例として、前記第２圧力調節部１３００は、非処理空間Ｓ３の圧力を変圧させることができ、この過程でも処理空間Ｓ２の圧力よりは低い圧力値を有するようにすることができる。

また、前記第２圧力調節部１３００は、基板処理過程で、非処理空間Ｓ３に対する充填ガスの供給なしに排気だけを通じて非処理空間Ｓ３の圧力を調節することができる。

即ち、前記第２圧力調節部１３００は、第２ガス供給部１３１０による充填ガスの供給なしに第２ガス排気部１３２０の作動のみを介して非処理空間Ｓ３に対する圧力を調節することができる。

一方、別の例として、前記第２圧力調節部１３００は、非処理空間Ｓ３に充填ガスを供給し、第２ガス排気部１３２０の排気と共に非処理空間Ｓ３の圧力を調節することもできることは言うまでもない。

一方、前述とは違って、前記第２圧力調節部１３００は、プロセスチャンバ１００、即ち、チャンバ本体１１０の一側に形成されるガス排気孔１８０と、他側に形成されるガス供給孔１７０であり、外部から供給される充填ガスを伝達するガス供給孔１７０と非処理空間Ｓ３に対する排気を行うガス排気孔１８０であってもよい。

前記制御部は、第１圧力調節部１２００及び第２圧力調節部１３００を介した処理空間Ｓ２及び非処理空間Ｓ３に対する圧力調節を制御する構成であってもよい。

特に、前記制御部は、基板処理の工程ステップと連係し、各ステップにおける非処理空間Ｓ３及び処理空間Ｓ２の第１圧力調節部１２００及び第２圧力調節部１３００を介した制御を行うことができる。

例えば、前記制御部は、インナーリッド部３００が上昇し、処理空間Ｓ２及び非処理空間Ｓ３が互いに連通された状態で、ガス供給部４００を介してパージガスを供給し、第２ガス排気部１３２０を介して排気を行うことができる。

より具体的に、前記制御部は、基板処理が行われる処理空間Ｓ２に対する洗浄を行うために、インナーリッド部３００が上昇し、処理空間Ｓ２と非処理空間Ｓ３が互いに連通された状態で、ガス供給部４００を介してパージガスを供給し、基板処理が行われた基板支持部２００周囲を洗浄又はパージすることができる。

さらに、プロセスチャンバ１００の側面に備えられる第２ガス排気部１３２０を介してパージガスを排気することにより、ガス供給部４００を介して供給されたパージガスの側面への上昇流れを誘導し、内部浮遊物を非処理空間Ｓ３及び外部に排出するように誘導することができる。

また、前記制御部は、インナーリッド部３００の上昇前に、第１圧力調節部１２００及び第２圧力調節部１３００の少なくとも一つを介して処理空間Ｓ２と非処理空間Ｓ３の圧力を互いに等しくなるように調節することができる。

より具体的に、前記制御部は、インナーリッド部３００の下降により密閉された処理空間Ｓ２が形成された状態で基板処理が行われ、処理が完了した基板１に対する搬出のためにインナーリッド部３００が上昇する前、非処理空間Ｓ３と処理空間Ｓ２との間の圧力差による基板１に対する位置変化又は損傷を防止するために、第１圧力調節部１２００及び第２圧力調節部１３００の少なくとも一つを介した非処理空間Ｓ３と処理空間Ｓ２との間の圧力が等しくなるように制御することができる。

即ち、前記制御部は、非処理空間Ｓ３と処理空間Ｓ２との間の圧力差が維持された状態で、インナーリッド部３００の上昇により非処理空間Ｓ３と処理空間Ｓ２が連通される場合、圧力差による一方向への気流発生により基板１が影響されることを防止するために、これらの間の圧力を等しく調節するように第１圧力調節部１２００及び第２圧力調節部１３００の少なくとも一つを制御することができる。

以下、本発明による基板処理装置を使用した基板処理方法について添付図面を参照して説明する。

本発明による基板処理方法は、図１６～図１８に示されるように、外部に備えられた搬送ロボットにより前記基板１を、前記ゲート１１１を介して前記内部空間Ｓ１に導入して前記基板支持部２００に載置する基板導入ステップＳ１００と、;前記基板導入ステップＳ１００を通じて前記基板１が前記基板支持部２００に載置された状態で、前記インナーリッド部３００を下降させて一部を前記プロセスチャンバ１００の底面１２０と密着させることにより、前記内部空間Ｓ１を密閉された処理空間Ｓ２とそれ以外の非処理空間Ｓ３に分割形成する処理空間形成ステップＳ２００と、前記処理空間Ｓ２内に配置された前記基板１に対する基板処理を行う基板処理ステップＳ３００と、を含む。

また、本発明による基板処理方法は、前記基板処理ステップＳ３００を通じた基板処理後に、前記インナーリッド部３００を上昇させて密閉された前記処理空間Ｓ２を解除する処理空間解除ステップＳ４００と、外部に備えられた搬送ロボットにより基板処理が完了した前記基板１を、前記ゲート１１１を介して内部空間Ｓ１から外部に搬出する基板搬出ステップＳ５００と、をさらに含むことができる。

また、本発明による基板処理方法は、基板導入ステップＳ１００を通じて内部空間Ｓ１への基板１導入前に、インナーリッド部３００が上昇された状態で、処理空間Ｓ２側を介してプロセスガスを供給し、非処理空間Ｓ３側を介してプロセスガスを排気する洗浄ステップをさらに含むことができる。

前記基板導入ステップＳ１００は、外部に備えられた搬送ロボットにより前記基板１を、前記ゲート１１１を介して前記内部空間に導入し、前記基板支持部２００に載置するステップであり、様々な方法によって行うことができる。

即ち、前記基板導入ステップＳ１００は、処理対象である基板１を外部の搬送ロボットを介して内部空間Ｓ１で導入し、基板支持部２００に載置させることにより、基板１に対する処理を準備することができる。

例えば、前記基板導入ステップＳ１００は、後記する導入ステップの前に、インナーリッド部３００が上昇された状態で、基板支持ピン８１０を基板支持部２００の上側に上昇させる導入ピンアップステップを含むことができる。

また、前記基板導入ステップＳ１００は、外部に備えられた搬送ロボットにより基板１を、ゲート１１１を介して内部空間に導入し、上昇された基板支持ピン８１０を介して支持する導入ステップと、基板１を支持する基板支持ピン８１０を下降させ、基板１を前記基板支持部２００に載置させる導入ピンダウンステップを含むことができる。

前記導入ピンアップステップは、インナーリッド部３００が上昇された状態、即ち、処理空間Ｓ２が解除された状態で、基板支持ピン８１０を基板支持部２００の上側に上昇させるステップであってもよい。

このとき、前記導入ピンアップステップは、繰り返し多数の基板１に対する基板処理が行われるところ、最初の１回の基板１が導入される場合に行い、以降には後記する搬出ピンアップステップにより基板支持ピン８１０が上昇した状態で、基板処理が完了した基板１を搬出し、続いて直ちに導入ステップが続くことがあるので省略することができる。

結果的に、前記導入ピンアップステップは、基板処理装置に対して最初基板１を導入する状況で行われ、以降には省略することができる。

前記導入ステップは、外部に備えられた搬送ロボットにより基板１を、ゲート１１１を介して内部空間Ｓ１に導入し、基板支持ピン８１０を介して支持するステップであってもよい。

より具体的に、前記導入ステップは、外部に備えられた搬送ロボットにより支持された基板１を、ゲート１１１を介して内部空間Ｓ１に導入した状態で、搬送ロボットが下降して、基板１を基板支持ピン８１０に支持させ、外部ロボットは内部空間Ｓ１の外に搬出することができる。

一方、別の例として、外部に備えられた搬送ロボットにより支持された基板１を、ゲート１１１を介して内部空間Ｓ１に導入した状態で、基板支持ピン８１０を上昇させ、基板支持ピン８１０に基板１を支持させ、外部ロボットを搬出することもできる。

前記導入ピンダウンステップは、基板１を支持する基板支持ピン８１０を下降させ、基板支持部２００、より具体的には、基板支持プレート２１０の内部に基板支持ピン８１０を挿入することにより、基板１を基板支持プレート２１０の上面に載置することができる。

前記処理空間形成ステップＳ２００は、基板導入ステップＳ１００を通じて基板１が基板支持部２００に載置された状態で、インナーリッド部３００を下降させ、一部をプロセスチャンバ１００の底面１２０と密着させることにより、内部空間Ｓ１を密閉された処理空間Ｓ２とその以外の非処理空間Ｓ３に分割形成するステップであり、様々な方法によって行うことができる。

例えば、前記処理空間形成ステップＳ２００は、基板１が基板支持部２００に載置された状態で、インナーリッド部３００を下降させ、プロセスチャンバ１００の底面１２０と縁が密着することにより、密閉された処理空間Ｓ２を形成することができ、このとき、密閉された処理空間Ｓ２の形成のために、インナーリッド部３００のシール部９００が底面１２０と密着することができる。

これにより、前記処理空間形成ステップＳ２００は、内部空間Ｓ１と分離される別途の密閉された処理空間Ｓ２を形成することができ、基板１が内部に配置された状態で、処理空間Ｓ２の容積を最小化して形成することができる。

さらに、前記処理空間形成ステップＳ２００は、内部空間Ｓ１を、インナーリッド部３００を下降し、プロセスチャンバ１００底面１２０に一部を密着することにより、密閉された処理空間Ｓ２とその以外の非処理空間Ｓ３に分割することができる。

これより、従来内部空間を高圧に形成して基板処理を行うことにより、ゲートバルブに損傷が引き起こされる問題を改善して、処理空間Ｓ２とゲートバルブとの間に非処理空間Ｓ３の一種のバッファー空間が形成されることにより、高圧基板処理においてもゲートバルブの損傷を防止することができる利点がある。

前記基板処理ステップＳ３００は、処理空間Ｓ２内に配置された基板１に対する基板処理を行うステップであり、様々な方法によって行うことができる。

このとき、前記基板処理ステップＳ３００は、ガス供給部４００を介して密閉された処理空間Ｓ２内にプロセスガスを供給することができ、これにより、処理空間Ｓ２内の圧力を調節及び制御することができる。

特に、前記基板処理ステップＳ３００は、図１７に示されるように、プロセスガスを通じて処理空間Ｓ２の圧力を上昇させる加圧ステップと、加圧ステップ以後に処理空間Ｓ２の圧力を下降させる減圧ステップを行うことができる。

このとき、前記基板処理ステップＳ３００は、常圧より高い圧力、例えば、５バールレベルの高圧に圧力を上昇させることができ、常圧より低い圧力、例えば０．０１Ｔｏｒｒレベルの低圧に圧力を下降させることができる。

この場合、前記基板処理ステップＳ３００は、加圧ステップ及び減圧ステップを短時間内に繰り返し行うことができる。

より具体的に、前記基板処理ステップＳ３００は、処理空間Ｓ２の圧力を常圧より高い第１圧力に上昇させる圧力上昇ステップＳ３１０と、処理空間Ｓ２の圧力を第１圧力から第２圧力に下降させる圧力下降ステップＳ３２０を含む。

また、前記基板処理ステップＳ３００は、圧力上昇ステップＳ３１０と圧力下降ステップＳ３２０を一つの単位サイクルとして複数回繰り返し行うことにより、処理空間Ｓ２の反復的な変圧を行うことができる。

このとき、前記第２圧力は、常圧より低い圧力であってもよく、第１圧力は常圧より高い圧力であってもよい。

前記圧力下降ステップＳ３２０は、処理空間Ｓ２の圧力を第１圧力から常圧に下降させる第１圧力下降ステップＳ３２１と、処理空間Ｓ２の圧力を常圧から常圧より低い第２圧力に下降させる第２圧力下降ステップＳ３２２を含むことができる。

従って、前記圧力下降ステップＳ３２０は、処理空間Ｓ２の圧力を常圧より高い第１圧力から常圧に下降させる第１圧力下降ステップＳ３２１と、常圧から常圧より低い第２圧力に下降させる第２圧力下降ステップＳ３２２を経て段階的に圧力を下降させることができる。

また、前記基板処理ステップＳ３００は、処理空間Ｓ２での圧力変化過程の間、非処理空間Ｓ３の圧力を常圧より低い真空圧に一定に維持することができる。

前記処理空間解除ステップＳ４００は、前記基板処理ステップＳ３００を通した基板処理後に、前記インナーリッド部３００を上昇させ、密閉された前記処理空間Ｓ２を解除するステップであり、様々な方法によって行うことができる。

このとき、前記処理空間解除ステップＳ４００は、前述したインナーリッド駆動部６００を介してインナーリッド部３００を上昇させることにより、プロセスチャンバ１００の底面１２０との接触を解除し、内部空間と処理空間Ｓ２との間を連通することができ、これにより、密閉された処理空間Ｓ２を解除することができる。

一方、この場合、処理空間Ｓ２と非処理空間Ｓ３との間の圧力差が大きい状態で、インナーリッド部３００を上昇させる場合、２つの空間の圧力差により基板１及び耐久性の損傷が発生する可能性があるので、２つの空間の間の圧力差を最小化する必要がある。

そのために、前記処理空間解除ステップＳ４００は、非処理空間Ｓ３及び処理空間Ｓ２の少なくとも一つの圧力を調節し、非処理空間Ｓ３と処理空間Ｓ２の間の圧力差を予め設定された水準以下に調節する圧力調節ステップＳ４１０と、インナーリッド部３００を上昇させ、処理空間Ｓ２を解除するインナーリッド上昇ステップＳ４２０を含むことができる。

このとき、前記圧力調節ステップＳ４１０は、ガス供給部４００又は処理空間Ｓ２を排気するための排気部（未図示）を介して処理空間Ｓ２の圧力を調節して非処理空間Ｓ３と圧力差を小さくすることができ、他の方法で非処理空間Ｓ３にガスを注入することにより処理空間Ｓ２と圧力差を一定水準以下に低減することができる。

この場合、前記圧力調節ステップＳ４１０は、処理空間Ｓ２と非処理空間Ｓ３との間の圧力差が一定範囲内の値を有するように処理空間Ｓ２と非処理空間Ｓ３の少なくとも一つの圧力調節を行うことができる。

特に、高圧状態の処理空間Ｓ２と真空状態の非処理空間Ｓ３の状態で、インナーリッド部３００が上昇する場合、急激な空間の間の圧力差により基板１がスリープするなどの問題があるので、これらの間の圧力が等しくなるように調節した状態で、インナーリッド部３００を上昇することができる。

前記基板搬出ステップＳ５００は、外部に備えられた搬送ロボットにより基板処理が完了した前記基板１を、前記ゲート１１１を介して内部空間Ｓ１から外部に搬出するステップであり、様々な方法によって行うことができる。

即ち、前記基板搬出ステップＳ５００は、処理が完了した基板１を外部の搬送ロボットを介して基板支持部２００から渡され、内部空間Ｓ１から搬出することができる。

例えば、前記基板搬出ステップＳ５００は、前記基板支持ピン８１０を上昇させて前記基板支持部２００に載置された前記基板１を前記基板支持部２００から上側に離隔し、前記基板支持ピン８１０を介して支持する搬出ピンアップステップと、外部に備えられた搬送ロボットにより基板処理が完了した前記基板１を、前記ゲート１１１を介して前記内部空間Ｓ１から外部に搬出する搬出ステップを含むことができる。

また、前記基板搬出ステップＳ５００は、後記する搬出ステップ後に、前記基板支持ピン８１０を前記基板支持部２００の内部に下降させる搬出ピンダウンステップをさらに含むことができる。

前記搬出ピンアップステップは、前述した処理空間解除ステップＳ４００によりインナーリッド部３００が上昇された状態、即ち、処理空間Ｓ２が解除された状態で、基板支持ピン８１０を基板支持部２００の上側に上昇させるステップであってもよい。

これにより、前記搬出ピンアップステップは、基板支持部２００の上面に載置された処理が完了した基板１を、基板支持ピン８１０を基板支持プレート２１０から上側に移動及び露出させ、基板１を基板支持プレート２１０から上側に離隔して支持するようにすることができる。

前記搬出ステップは、外部に備えられた搬送ロボットにより基板処理が完了した前記基板１を、前記ゲート１１１を介して前記内部空間Ｓ１から外部に搬出するステップであってもよい。

より具体的に、前記搬出ステップは、基板支持ピン８１０に支持された基板１を、ゲート１１１を介して内部空間Ｓ１に引入した搬送ロボットにより支持し、支持された基板１を外部に搬出することができる。

そのために、前記搬出ステップは、処理が完了した基板１が基板支持ピン８１０に支持された状態で、搬送ロボットが基板１の下側に位置し、搬送ロボットを上昇させることにより、搬送ロボットが基板１を支持するようにすることができる。

一方、別の例として、前記搬出ステップは、処理が完了した基板１が基板支持ピン８１０に支持された状態で、搬送ロボットが基板１の下側に位置し、基板支持ピン８１０を下降させることにより、搬送ロボットに基板１が位置するようにすることができる。

前述のように、基板１が搬送ロボットに支持された状態で、搬送ロボットがゲート１１１を介して外部に移動することにより、基板処理が完了した基板１を搬出することができる。

前記搬出ピンダウンステップは、基板１を支持する基板支持ピン８１０を下降させ、基板支持部２００、より具体的には、基板支持プレート２１０の内部に基板支持ピン８１０を挿入するステップであってもよい。

このとき、前記搬出ピンダウンステップは、繰り返し多数の基板１に対する基板処理が行われるところ、最後の１回の基板１が搬出された以降に行うことができ、以前には前述した導入ステップが行われるために、基板支持ピン８１０が上昇した状態を維持する必要があるところ、省略することができる。

結果的に、前記搬出ピンダウンステップは、基板処理装置に対して最後の基板１を搬出する状況、又は中間に基板処理装置をメンテナンスの状況で行うことができる。

一方、前述した前記基板導入ステップＳ１００、前記処理空間形成ステップＳ２００、前記基板処理ステップＳ３００、前記処理空間解除ステップＳ４００及び前記基板搬出ステップＳ５００は、単位サイクルＳ１０をなして順次に複数回繰り返し行うことができ、一つの基板１に対して一つのサイクルが対応して行うことができる。

また、別の例として、本発明による基板処理方法は、前記処理空間形成ステップＳ２００後に、ゲートバルブ１５０を介してゲート１１１を閉鎖し、前記内部空間Ｓ１を密閉するゲート閉鎖ステップをさらに含むことができる。

また、本発明による基板処理方法は、前記基板導入ステップＳ１００の前に、前記ゲートバルブ１５０を介して前記ゲート１１１を開放するゲート開放ステップをさらに含むことができる。

また、本発明による基板処理方法は、前記処理空間解除ステップＳ４００の後に、前記ゲートバルブ１５０を介して前記ゲート１１１を開放するゲート開放ステップをさらに含むことができる。

また、本発明による基板処理方法は、前記搬出ステップＳ５００後に、前記ゲートバルブ１５０を介して前記ゲート１１１を閉鎖するゲート閉鎖ステップをさらに含むことができる。

前記ゲート閉鎖ステップは、ゲートバルブ１５０を介してゲート１１１を閉鎖し、内部空間Ｓ１を密閉するステップであってもよい。

このとき、前記ゲート閉鎖ステップは、処理空間形成ステップＳ２００の後に、内部空間に対する密閉を行うことができ、この場合、別の例として、処理空間形成ステップＳ２００の前、基板導入ステップＳ１００の後に、ゲート閉鎖ステップが行われてもよいことは言うまでもない。

即ち、本発明による基板処理方法は、処理空間Ｓ２を内部空間Ｓ１内に別途必要に応じて選択的に形成することができるので、ゲートバルブ１５０を介したゲート１１１の閉鎖が処理空間Ｓ２の形成とは別に行うことができる。

即ち、インナーリッド部３００の処理空間Ｓ２形成により、ゲートバルブ１５０を介したゲート１１１の閉鎖を必要に応じて行うことができる。

一方、内部空間に対する別途の圧力制御のために、ゲートバルブ１５０を介してゲート１１１を閉鎖するゲート閉鎖ステップを行うことができ、処理空間形成ステップＳ２００の後に行うことができる。

また、前記ゲート閉鎖ステップは、搬出ステップＳ５００の後に、ゲート１１１を閉鎖するように行うことができ、この場合、多数の基板１に対して繰り返し基板処理が行われる過程では省略され、最後の基板１に対する基板処理が完了する場合、又は基板処理装置に対するメンテナンスなどが必要な場合にのみ行うことができる。

前記ゲート開放ステップは、ゲートバルブ１５０を介してゲート１１１を開放するステップであってもよい。

このとき、前記ゲート開放ステップは、処理空間解除ステップＳ４００の後に、内部空間に対する開放をおこなうことができ、この場合、別の例として、処理空間解除ステップＳ４００の前、基板処理ステップＳ３００お後に、ゲート閉鎖ステップが行われてもよいことは言うまでもない。

これにより、前記ゲート開放ステップは、基板搬出ステップＳ５００の前に行われ、基板処理が完了した基板１が外部に搬出されるようにすることができる。

また、前記ゲート開放ステップは、基板導入ステップＳ１００の前に、ゲート１１１を開放するように行うことができ、この場合、多数の基板１に対して繰り返し基板処理が行われる過程では省略され、最初の基板１に対する導入が行われる場合、又は基板処理装置に対するメンテナンスなどが必要な場合にのみ選択的に行うことができる。

前記洗浄ステップは、基板導入ステップＳ１００を通じて内部空間Ｓ１への基板１導入の前、インナーリッド部３００が上昇された状態で、処理空間Ｓ２側を介してガスを供給し、非処理空間Ｓ３側を介してガスを排気するステップであってもよい。

より具体的に、基板導入ステップＳ１００を通した内部空間への基板１導入の前、また、基板排出ステップＳ５００を通した内部空間への基板１の排出の後、基板処理が行われた処理空間Ｓ２を含む内部空間Ｓ１を洗浄するためのステップであってもよい。

このとき、前記洗浄ステップは、前述した非処理空間Ｓ３側のガス排気孔（未図示）を介して排気を行うことができ、処理空間側のガス供給部４００を介して洗浄ガスを噴射することにより、処理空間Ｓ２を経て非処理空間Ｓ３のガス排気孔を介してパージガスが排出されるようにすることができる。

即ち、このとき、前記ガスは、基板処理のためのプロセスガス、装置内部を洗浄するための洗浄ガス及び内部空間Ｓ１に対するパージ実行のためのパージガスなど様々な種類のガスを意味し、処理空間側のガス供給部４００を介して洗浄ガスを噴射し、非処理空間Ｓ３のガス排気孔を介してパージガスを排出することができる。

これにより、前記洗浄ステップは、処理空間Ｓ２から非処理空間Ｓ３に洗浄ガスの流れを誘導し、内部空間Ｓ１、特に処理空間Ｓ２に対応する領域に対する洗浄をより完全に行うことができる。

以上、本発明によって具現することができる好ましい実施例の一部について説明したもの過ぎず、周知のように本発明の範囲は前記実施例に限定されて解釈されるべきではなく、前述した本発明の技術的思想とその根本を合わせた技術的思想は、すべて本発明の範囲に含まれる。

１００ プロセスチャンバ
２００ 基板支持部
３００ インナーリッド部
４００ ガス供給部
５００ ポンプ部
６００ インナーリッド駆動部
７００ 充填部材
８００ 基板支持ピン部
９００ シール部
１０００ ガス拡散部
１１００ 温度調節部
１２００ 第１圧力調節部
１３００ 第２圧力調節部

Claims (20)

1. 上部が開放され、底面の中心側に取り付け溝が形成され、一側に基板を搬出入するためのゲートを含むチャンバ本体と、前記チャンバ本体の上部に結合され、内部空間を形成するトップリッドを含むプロセスチャンバと、
   前記チャンバ本体の前記取り付け溝に内挿されるように設けられ、上面に基板が載置される基板支持部と、
   前記内部空間に上下移動可能に設けられ、下降を通じて一部が前記取り付け溝に隣接した前記底面と密着して、前記基板支持部が内部に位置する密閉された処理空間を形成するインナーリッド部と、
   前記処理空間と連通するように設けられ、前記処理空間にプロセスガスを供給するガス供給部と、
   前記トップリッドを貫通して設けられ、前記インナーリッド部の上下移動を駆動するインナーリッド駆動部と、
   を含むことを特徴とする基板処理装置。
2. 前記底面は、
   前記基板支持部に載置される前記基板の上面より高く位置することを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記取り付け溝は、
   前記処理空間が最小化されるように設けられる前記基板支持部に対応する形状に形成されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
4. 前記基板支持部は、
   上面に前記基板が載置される平面視で円形である基板支持プレートと、前記取り付け溝の底を貫通して、前記基板支持プレートと連結される基板支持ポストと、を含み、
   前記取り付け溝は、
   前記基板支持プレートが設けられる空間を除いた残余空間が最小化されるように、前記基板支持プレートに対応される形状に形成されることを特徴とする請求項２に記載の基板処理装置。
5. 前記ガス供給部は、
   前記基板支持部の縁に隣接して設けられることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
6. 前記処理空間は、
   前記インナーリッド部の底面の一部と前記ガス供給部と前記基板支持部を結ぶ上面の間に形成されることを特徴とする請求項５に記載の基板処理装置。
7. 前記ガス供給部は、
   前記プロセスガスが拡散される第１拡散空間を形成するガス噴射部と、前記ガス噴射部に形成され、前記処理空間に向けて前記プロセスガスを噴射する複数のガス噴射孔と、を含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
8. 前記ガス噴射部は、
   前記基板支持部の縁に沿って設けられるように環状に設けられることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
9. 前記プロセスチャンバは、
   下部面を貫通して備えられ、前記第１拡散空間と連通し、前記第１拡散空間に外部から前記プロセスガスを伝達する供給流路を含み、
   前記ガス噴射部は、
   底面に前記供給流路と連通し、前記第１拡散空間のための第１拡散溝が形成されることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
10. 前記ガス噴射孔は、
    前記ガス噴射部の上面に形成されることを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
11. 前記ガス供給部と前記プロセスチャンバとの間に配置され、第２拡散空間を形成して、前記ガス供給部に伝達される前記プロセスガスを拡散するガス拡散部をさらに含むことを特徴とする請求項７に記載の基板処理装置。
12. 前記ガス拡散部は、
    前記プロセスチャンバと共に前記第２拡散空間を形成するように、底面に第２拡散溝が形成されることを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
13. 前記ガス噴射部は、
    前記ガス拡散部の上面に設けられ、前記ガス拡散部の上面と共に前記第１拡散空間を形成し、
    前記ガス拡散部は、
    上面に前記第２拡散空間から前記第１拡散空間に前記プロセスガスを伝達するために形成される少なくとも一つのガス伝達孔を含むことを特徴とする請求項１１に記載の基板処理装置。
14. 前記インナーリッド部に設けられ、前記処理空間に位置する前記基板に対する温度を調節する温度調節部をさらに含むことを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
15. 前記基板支持部は、
    上面に前記基板が載置される基板支持プレートと、前記取り付け溝の底を貫通して、前記基板支持プレートと連結される基板支持ポストと、前記基板支持プレート内部に設けられる内部ヒータと、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
16. 前記温度調節部は、
    前記インナーリッド部に設けられ、前記基板を加熱又は冷却する温度調節プレートと、前記トップリッドを貫通して、前記温度調節プレートに結合するロッド部と、を含むことを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。
17. 前記温度調節プレートは、
    前記基板に対応する前記インナーリッド部の中心側に形成される貫通口に設けられることを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
18. 前記温度調節部は、
    前記インナーリッド部の下側で前記貫通口を覆うバッファープレートをさらに含むことを特徴とする請求項１７に記載の基板処理装置。
19. 前記温度調節プレートは、
    平面視で互いに区分され、互いに独立して温度調節が可能である少なくとも２つの温度調節領域を含むことを特徴とする請求項１６に記載の基板処理装置。
20. 前記温度調節部の加熱又は冷却を制御する制御部をさらに含み、
    前記制御部は、
    前記処理空間の変圧過程の間、前記基板又は前記処理空間の温度を一定に維持するように前記温度調節部を制御することを特徴とする請求項１４に記載の基板処理装置。