TWI661502B - 基板處理裝置 - Google Patents

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小林健司
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日商斯克林集團公司
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Abstract

基板處理裝置包含有：一邊支撐基板，一邊從下方對基板進行加熱的基板加熱單元；以及使基板加熱單元在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更的姿勢變更單元。在接著加熱基板的基板高溫化步驟之後所執行的有機溶劑排除步驟中，藉由使基板加熱單元姿勢變更為傾斜姿勢，使基板之上表面傾斜於水平面。

Description

基板處理裝置
本發明係關於對基板進行處理的基板處理裝置。作為處理對象的基板包括有例如：半導體晶圓、液晶顯示裝置用基板、電漿顯示器用基板、FED(Field Emission Display，場致發射顯示器)用基板、光碟用基板、磁碟用基板、光磁碟用基板、光罩用基板、陶瓷基板、太陽能電池用基板等。
在半導體裝置的製程中，半導體晶圓等基板的表面(front surface)會利用處理液進行處理。每次處理1片基板的單片式(single substrate processing type)基板處理裝置，具備有：一邊將基板保持為大致水平，一邊使該基板旋轉的旋轉夾具；以及用以對由該旋轉夾具所旋轉的基板表面供應處理液的噴嘴。
單片式之基板處理裝置係對由旋轉夾具所保持的基板供應藥液。然後，再對基板供應清洗液。藉此，使基板上的藥液被置換為清洗液。然後，進行用以排除基板上之清洗液的旋轉乾燥步驟。在旋轉乾燥步驟中，藉由使基板高速旋轉，甩掉而去除(乾燥)附著於基板的清洗液。
在此一旋轉乾燥步驟中，作為無法充分地去除進入至基板上所形成圖案之內部之清洗液的結果，會有導致乾燥不良的可能性。所以，例如日本專利特開平9-38595號公報所記載，而提案 有如下的方法：對清洗處理後之基板的表面，供應異丙醇(isopropyl alcohol：IPA)液等有機溶劑的液體，而將進入至圖案內部的清洗液置換為有機溶劑的液體，再使基板之表面乾燥。
在習知的旋轉乾燥步驟中，鄰接的2個圖案彼此間會被互相拉近，而會有發生圖案崩潰的情形。其原因之一，據推測係在於鄰接之2個圖案間所存在之液體的表面張力。若在旋轉乾燥步驟前對基板供應IPA等有機溶劑的情形時，可能因為在鄰接的2個圖案之間存在有表面張力較低的有機溶劑，因而減弱圖案彼此間拉近之力量的結果，可防止圖案崩潰。
然而，近年來為追求高積體化，而在半導體基板的表面形成微細且高縱橫比的微細圖案(凸狀圖案、線狀圖案等)。因為微細圖案較容易崩潰，因此即便在旋轉乾燥步驟前對基板供應有機溶劑，仍會有無法充分抑制微細圖案崩潰的可能性。
本發明者等係針對在不使用旋轉乾燥(旋轉乾燥步驟)的情況下，從基板的上方順暢地且完全地將有機溶劑液膜自基板之表面排除而進行檢討。作為該情況的方法，本發明者等係針對一邊加熱基板，一邊使該基板之上表面傾斜於水平面而進行檢討。
本發明目的之一，在於一邊加熱基板、一邊使該基板之上表面傾斜於水平面。本發明另一目的，在於將有機溶劑等處理液的液膜從基板上方順暢地且完全地排除。
本發明一實施形態係提供一種基板處理裝置，其包含有：處理液供應單元，其對基板之上表面供應處理液而形成該處理液的液膜；基板加熱單元，其從下方加熱上述基板而加熱上述液 膜；以及姿勢變更單元，其一邊將上述基板與上述基板加熱單元間之相對姿勢維持為一定，一邊使上述基板及上述基板加熱單元在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更；該水平姿勢係使上述基板之上表面呈水平而將上述處理液的液膜保持於上述基板上；該傾斜姿勢係使上述基板之上表面傾斜於水平面而將經上述基板加熱單元所加熱的上述處理液之液膜從上述基板上排除。
根據該構成，一邊將基板與加熱該基板的基板加熱單元間之相對姿勢維持為一定，一邊使基板及基板加熱單元在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更。藉此，可一邊加熱基板，一邊使該基板之上表面傾斜於水平面。其結果，可將經加熱的處理液之液膜從基板上圓滑地排除。因為在使基板與基板加熱單元於水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變化的期間，基板與基板加熱單元間之相對姿勢被維持為一定，因此即便使基板與基板加熱單元進行姿勢變化，仍可將由基板加熱單元所進行基板的加熱狀態維持為一定。
上述基板加熱單元亦可接觸於上述基板之下表面而支撐該基板。上述姿勢變更單元亦可使支撐上述基板的上述基板加熱單元，在上述水平姿勢與上述傾斜姿勢之間進行姿勢變更。
根據該構成，基板加熱單元係一邊從下方加熱基板，一邊自下方接觸而支撐該基板。藉由使該基板加熱單元從水平姿勢姿勢變更為傾斜姿勢，可一邊利用基板加熱單元良好地保持基板，一邊使該基板之上表面傾斜於水平面。藉此，可一邊利用基板加熱單元加熱基板，一邊使該基板之上表面傾斜於水平面。
上述姿勢變更單元亦可包含有：支撐構件，其具有水平的支撐面；複數個伸縮單元，其係配置於上述支撐面上，可朝與 上述支撐面交叉的方向伸縮地設置，而從下方支撐上述基板加熱單元的周緣部；以及伸縮驅動單元，其以使上述複數個伸縮單元的長度成為不均勻之方式，使上述伸縮單元進行伸縮。
根據該構成，基板加熱單元的周緣部係由複數個伸縮單元從下方所支撐。藉由使複數個伸縮單元的長度成為彼此相等，而使基板加熱單元被保持為水平姿勢。又，藉由使複數個伸縮手段的長度成為不均勻，使基板加熱單元被保持為傾斜姿勢。藉此，可利用簡單的構成，使基板加熱單元在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更。
上述基板處理裝置亦可進一步包含有：防滑落構件，其在使上述基板成為上述傾斜姿勢的狀態下，與傾斜之基板的周緣部下部相抵接，而防止上述基板從上述基板加熱單元上滑落。
藉由在基板加熱單元與基板之下表面間所產生的摩擦力，使基板被支撐於基板加熱單元上。在基板及基板加熱單元呈水平姿勢的狀態下，利用上述摩擦力使基板不會移動而呈靜止狀態。另一方面，當基板呈傾斜狀態的情形時，基板會有利用自重而沿著基板加熱單元上掉落的可能性。
根據該構成，在基板及基板加熱單元呈傾斜姿勢的狀態下，防滑落構件與傾斜基板的周緣部下部相抵接，藉此可阻止基板沿著基板加熱單元上之方向的移動，而防止基板從基板加熱單元上滑落。所以，可一邊確實地防止基板從基板加熱單元上滑落，一邊將基板與基板加熱單元雙方保持為傾斜姿勢。
上述基板處理裝置亦可進一步包含有：基板保持單元，其使基板能在與上述基板加熱單元之間交接而設置。上述基板 保持單元亦可具有與上述基板的周緣部相抵接而支撐上述基板的支撐銷。上述支撐銷亦可作為上述防滑落構件而發揮功能。
根據該構成，藉由基板保持單元的支撐銷，可防止基板從基板加熱單元上滑落。藉此，可相較於設置與支撐銷不同之其他構件作為防滑落構件的情況，減少零件數量並實現成本之降低。
上述基板加熱單元亦可包含有：對向於上述基板之下表面的基板對向面、以及設置於上述基板對向面的複數個凸起(emboss)。上述複數個凸起亦可藉由抵接於上述基板之下表面，而在上述基板之下表面與上述基板對向面隔開間隔呈相對向之狀態下，支撐上述基板。
根據該構成，藉由複數個凸起抵接於基板之下表面，可在與基板對向面隔開間隔的狀態下，將基板支撐於基板加熱單元上。在該狀態下，藉由基板對向面進行發熱，可將該熱提供給基板，使基板從下方被加熱。
因為基板在與基板對向面隔開間隔的狀態下，被支撐於基板加熱單元上，所以可抑制或防止基板被吸附而靠近基板對向面從而貼附於基板對向面。又，即便於基板對向面存在有污染物質的情形時，仍可抑制或防止該污染物質轉移至基板(的下表面)。
上述複數個凸起亦可作為上述防滑落構件而發揮功能。
上述複數個凸起亦可分散配置於上述基板對向面的全域。於該情形時，因為基板係由被分散配置於基板對向面的複數個凸起所支撐，因此可在基板的面內將利用從基板對向面朝基板的傳熱所進行的熱傳導的容易程度保持均勻，而可抑制或防止基板發 生翹曲。
上述複數個凸起亦可僅被配置於上述基板對向面的周緣部。
上述姿勢變更單元亦可利用上述基板加熱單元進行上述液膜的加熱，藉此在上述基板之上表面的上方空間形成上述處理液的氣相後，使上述基板加熱單元從上述水平姿勢傾斜至上述傾斜姿勢。如此一來，便可使利用處理液的氣相而自基板隔離的處理液之液膜不分裂，以液塊的狀態從基板之上表面排除。
本發明另一實施形態係提供一種基板處理方法，其包含有：清洗步驟，其對被保持為水平姿勢的基板之上表面供應清洗液；有機溶劑置換步驟，其藉由將表面張力較上述清洗液為低的有機溶劑液體供應至上述基板之上表面，以上述有機溶劑置換上述清洗液，而形成覆蓋上述基板之上表面的有機溶劑之液膜；基板高溫化步驟，其在上述有機溶劑置換步驟開始後，利用基板加熱單元從下方加熱上述基板，使上述基板之上表面到達較上述有機溶劑之沸點高的第1溫度，藉此在覆蓋上述基板之上表面的有機溶劑之液膜與上述基板之上表面間，於上述上表面全域形成有機溶劑的氣相，並且使上述有機溶劑之液膜浮上至上述有機溶劑之氣相的上方；以及有機溶劑排除步驟，其一邊將上述基板與上述基板加熱單元間之相對姿勢維持為一定，一邊使上述基板及上述基板加熱單元進行姿勢變更而成為上述基板之上表面傾斜於水平面的傾斜姿勢，藉此從上述基板之上表面上方排除浮上的上述有機溶劑之液膜。
根據該方法，藉由對基板之上表面供應有機溶劑的液體，在基板上形成覆蓋基板之上表面的有機溶劑的液膜，而以有機 溶劑的液體來置換附著於基板之上表面的清洗液。因為有機溶劑液膜覆蓋基板上表面之全域，所以能在基板上表面之全域良好地置換清洗液。然後，在形成有機溶劑之液膜後，使基板上表面的溫度達到第1溫度。藉此，在基板之上表面全域於有機溶劑之液膜與基板之上表面間形成有機溶劑的氣相，並且使有機溶劑之液膜浮上至該有機溶劑之氣相的上方。在該狀態下，於基板之上表面與有機溶劑之液膜間所產生的摩擦力大小趨近於零，所以有機溶劑的液膜可沿基板之上表面輕易地移動。
在有機溶劑排除步驟中，一邊將基板與基板加熱單元間之相對姿勢維持為一定，一邊使基板及基板加熱單元進行姿勢變更為傾斜姿勢，而使基板之上表面傾斜於水平面。藉此，浮上的有機溶劑液膜便因自重，朝向傾斜之基板周緣部的最低部分，沿著基板之上表面移動，而從基板之周緣部被排出。有機溶劑之液膜的移動係一邊維持液塊狀態(即不分裂為多數個小滴地進行)，一邊可藉此將有機溶劑之液膜從基板上方順暢地且完全地排除。
所以，在排除有機溶劑之液膜後之基板的上表面，不會殘留有機溶劑的液滴。亦即，在微細圖案的間隙不會殘留有機溶劑的液體。所以，即便在對上表面形成有微細圖案的基板進行處理的情形時，仍可一邊抑制或防止圖案的崩潰，一邊使基板之上表面良好地乾燥。
本發明又一實施形態係提供一種基板處理裝置，其包含有：基板保持單元，其將基板水平地保持；處理液供應單元，其將處理液供應至由上述基板保持單元所保持基板的上表面，藉此形成覆蓋基板上表面之全域的處理液之液膜；基板加熱單元，其於基 板上表面之全域被處理液之液膜覆蓋的狀態下，將由上述基板保持單元所保持的基板以處理液之沸點以上的溫度加熱，藉此使處理液蒸發，而在處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相、及誘導構件，其含有在處理液之液膜與基板之上表面間介存有氣相之狀態下接觸於由上述基板保持單元所保持基板上的處理液之液膜之周緣部的外側誘導面，並藉由上述外側誘導面與處理液之液膜的接觸，而將處理液從基板之上表面誘導至基板周圍。在基板之上表面形成有圖案之情形時，基板之上表面包含母材(例如矽晶圓)之上表面、與圖案之表面。
根據該構成，將處理液供應至被水平地保持的基板之上表面，而形成覆蓋基板上表面之全域的處理液之液膜。然後，以處理液之沸點以上的溫度加熱基板，使基板溫度達到處理液之沸點以上的值。藉此，處理液係於處理液與基板之上表面的界面蒸發，而於處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相。此時，因為處理液的液膜係浮上至基板之上表面，因此作用於基板上之處理液之液膜的摩擦電阻小到幾可忽視。所以，處理液之液膜係處於能沿著基板之上表面輕易滑動的狀態。
誘導構件的外側誘導面係在處理液之液膜與基板之上表面間介存有氣相的狀態下接觸於基板上之處理液之液膜的周緣部。接觸到外側誘導面的處理液係經由誘導構件傳遞而被排出至基板的周圍。以該誘導構件與液膜間之接觸為契機，朝向基板周緣部之向外之流動便形成處理液的液膜，使基板上的處理液之液膜可不分裂為多數個小滴，而以塊狀地從基板被排除。藉此，可快速地在短時間內將處理液的液膜從基板上排除。
在利用高速旋轉使基板乾燥的旋轉乾燥步驟中，形成橫跨鄰接之2個構造物的液面(氣液之界面)。使圖案崩潰的表面張力作用於液面與圖案之接觸位置(氣體、液體、及固體的界面)。相對於此，本發明因為基板之溫度在處理液的沸點以上，因此即便處理液接觸於基板之上表面，該液體也會馬上蒸發。所以，不會形成如旋轉乾燥步驟時的液面，而對圖案施加使圖案崩潰的表面張力。因此，能降低圖案崩潰的發生。
再者，若在基板上使液膜蒸發，便會有產生水痕或微塵等缺陷的可能性。相對於此，本發明係藉由使液膜對基板進行移動而予以排除。所以，能減少水痕或微塵等的產生。尤其，因為在處理液之液膜與基板之上表面間介存有氣相，而使處理液之液膜處於能沿著基板之上表面輕易滑動的狀態，因此可快速地在短時間內排除液膜。藉此，可減少基板之上表面局部地露出於處理液之液膜的時間，因此能對基板進行更均勻的處理。
上述誘導構件亦可包含有以等間隔而被排列於基板之圓周方向的複數個外側誘導面。
若外側誘導面接觸到基板上的處理液之液膜，將基板上的處理液朝外側誘導的力便會施加於基板上的處理液之液膜。因為複數個外側誘導面係以等間隔被排列於基板之圓周方向，因此複數個外側誘導面便在基板之圓周方向上以等間隔離開的複數個位置處，接觸於基板上的處理液之液膜。所以，基板上的處理液之液膜係利用複數個外側誘導面而均勻地被誘導至外側。因此，能將基板上的處理液之液膜平均地從基板排除。
上述外側誘導面亦可呈沿著基板之周緣部延伸的環 狀或圓弧狀。
根據該構成，因為外側誘導面係沿著基板之周緣部延伸，因此可增加外側誘導面與液膜之接觸面積。藉此，可增加將基板上的處理液朝外側誘導的力。
上述外側誘導面亦可呈橫跨基板之全周而連續的環狀。
根據該構成，因為外側誘導面係橫跨基板之全周而連續，所以可進一步增加外側誘導面與液膜之接觸面積。藉此，可進一步增加將基板上的處理液朝外側誘導的力。又，因為環狀之外側誘導面接觸於液膜之周緣部的全周，因此基板上的處理液之液膜係利用環狀之外側誘導面而均勻地被誘導至外側。因此，能將基板上的處理液之液膜平均地從基板排除。
上述基板處理裝置亦可進一步包含有具有對向於由上述基板保持單元所保持基板之上表面之對向面的對向構件。上述誘導構件亦可從上述對向面朝下方突出。在基板呈圓板狀的情形，對向面較佳為具有較基板之外徑大的外徑。又，對向面較佳係平行於基板之上表面。
根據該構成，基板之上表面係由對向構件的對向面所覆蓋。在該狀態下，基板上的處理液之液膜係由誘導構件而被誘導至外側。所以，可一邊藉由對向構件保護基板上表面之露出部分，一邊將基板上的處理液之液膜從基板排除。
上述基板保持單元亦可包含有：可動銷，其含有可押抵於基板之周緣部的可動夾持部；以及夾具開閉單元，其使上述可動銷在上述可動夾持部被押抵於基板周緣部的關閉位置與上述可 動夾持部離開基板之周緣部的開放位置之間移動。上述基板處理裝置亦可進一步包含有控制裝置，該控制裝置係以在上述可動銷位於上述開放位置的狀態下，於處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相的方式，控制上述夾具開閉單元及基板加熱單元。
根據該構成，在可動夾持部離開基板之周緣部的狀態下，於處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相。從基板之上表面浮上的處理液之液膜，係處於沿著基板之上表面容易滑動的狀態。因為在處理液之液膜浮上時，可動夾持部離開基板周緣部，所以可防止處理液之液膜因與可動夾持部的接觸而意外地從基板被排除。
上述基板保持單元亦可包含有含有被押抵於基板之周緣部之可動夾持部的可動銷、以及使上述可動銷移動的夾具開閉單元。上述誘導構件亦可被設置於上述可動銷。上述夾具開閉單元亦可使上述可動銷在關閉位置與開放位置之間移動；該關閉位置係使上述可動夾持部被押抵於基板之周緣部，並且使上述外側誘導面離開基板上的處理液之液膜，該開放位置係使上述可動夾持部離開基板之周緣部，並且使上述外側誘導面接觸於基板上的處理液之液膜。
根據該構成，可動夾持部及外側誘導面係設置於可動銷。可動夾持部及外側誘導面係配置於可動銷互相不同的位置。所以，藉由改變可動銷的位置，便可區分而使用可動夾持部及外側誘導面。又，因為可動夾持部及外側誘導面被設置於共通的構件，因而可減少零件的數量。又，亦可共用使可動夾持部移動的單元與使外側誘導面移動的單元。
上述基板保持單元亦可包含有含被押抵於基板之周 緣部之可動夾持部的可動銷、以及使上述可動銷移動的夾具開閉單元。上述外側誘導面亦可被設置於上述可動夾持部。上述夾具開閉單元亦可使上述可動銷在關閉位置與開放位置之間移動；該關閉位置係使上述可動夾持部被押抵於基板之周緣部，並且使上述外側誘導面接觸於基板上的處理液之液膜；該開放位置係使上述可動夾持部離開基板之周緣部，並且使上述外側誘導面離開基板上的處理液之液膜。
根據該構成，外側誘導面係構成可動夾持部之一部分。若可動銷被配置於關閉位置，則可動夾持部便被押抵於基板之周緣部，並且使外側誘導面接觸於基板上的處理液之液膜。所以，可不需於關閉位置外，另行設置使外側誘導面接觸於基板上之處理液之液膜的誘導位置。所以，能使可動銷與移動可動銷的單元(夾具開閉單元)之構造簡單化。
亦可進一步包含氣體吐出單元，該氣體吐出單元係藉由在處理液之液膜與基板之上表面間形成有氣相的狀態下，朝向由上述基板保持單元所保持基板的上表面吐出氣體，而在基板上表面一部分的區域形成已排除處理液的乾燥區域。
根據該構成，在處理液之液膜與基板之上表面間形成有氣相的狀態下，朝基板上表面一部分區域的噴吹位置噴吹氣體。位於噴吹位置的處理液便藉由氣體的供應而被推退至其周圍。藉此，在噴吹位置處形成乾燥區域。又，因為處理液藉由氣體的供應而從噴吹位置移動至其周圍，因此處理液之液膜係形成朝基板周緣部之向外的流動。所以，藉由併用氣體之供應與誘導構件，便可快速地在短時間內將基板上的處理液之液膜從基板上排除。
上述氣體吐出單元亦可形成沿著被保持於上述基板保持單元之基板的上表面而朝向上述誘導構件流動的氣流。
根據該構成，朝向基板之上表面吐出氣體。藉此，處理液係從基板上表面之一部分被排除，而在基板之上表面形成乾燥區域。其結果，處理液之液膜係形成朝向誘導構件的流動。又，因為氣體係沿著基板之上表面朝向誘導構件流動，因此可利用沿著基板之上表面朝向誘導構件的氣流，促進朝向誘導構件之處理液的流動。所以，能有效率地排除基板上處理液的液膜。因此，可縮短液膜的排除所需要的時間。
亦可進一步包含有朝向上述誘導構件吐出氣體的防止液體殘留單元。
根據該構成，可利用朝向誘導構件吐出的氣體，將附著在誘導構件的液體吹飛。所以，可降低因附著在誘導構件的液體所造成微塵的生成。
上述基板加熱單元亦可包含對由上述基板保持單元所保持基板上表面的全域進行加熱的複數個加熱器。上述基板處理裝置亦可進一步含有控制上述基板加熱單元的控制裝置。上述控制裝置亦可執行：均勻加熱步驟，其藉由將由上述基板保持單元所保持的基板，於基板之上表面全域被處理液之液膜所覆蓋的狀態下，以處理液之沸點以上的溫度均勻地加熱，使處理液蒸發，而在處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相；以及溫度差生成步驟，其在上述均勻加熱步驟後，在處理液之液膜與基板之上表面間形成有氣相的狀態下，在基板的上表面形成處理液之沸點以上的低溫區域與較上述低溫區域更高溫的高溫區域。
根據該構成，以處理液之沸點以上的溫度均勻地加熱基板。藉此，在處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相。然後，在基板之上表面形成溫度互相不同的高溫區域與低溫區域。所以，在處理液的液膜內產生溫度差，而使處理液之液膜內形成朝低溫方向移動的流動。所以，藉由併用溫度差的生成與誘導構件，便可快速地在短時間內將基板上的處理液之液膜從基板上排除。
本發明又一實施形態係提供一種基板處理裝置，其包含有：基板保持單元，其將基板水平地保持；處理液供應單元，其將處理液供應至由上述基板保持單元所保持基板的上表面，藉此形成覆蓋基板上表面之全域的處理液之液膜；基板加熱單元，其於基板上表面全域被處理液之液膜覆蓋的狀態下將由上述基板保持單元所保持的基板，以處理液之沸點以上的溫度加熱，藉此使處理液蒸發，而在處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相；以及氣體吐出單元，其在處理液之液膜與基板之上表面間形成有氣相的狀態下，朝向由上述基板保持單元所保持基板的上表面吐出氣體，藉此在基板上表面之一部分區域形成已排除處理液的乾燥區域。在基板之上表面形成有圖案的情形時，基板之上表面包含母材(例如矽晶圓)之上表面、與圖案之表面。
根據該構成，對水平地被保持的基板之上表面供應處理液，而形成覆蓋基板上表面之全域的處理液之液膜。然後，以處理液之沸點以上的溫度加熱基板，使基板溫度到達處理液之沸點以上的值。藉此，使處理液在處理液與基板之上表面的界面蒸發，而於處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相。此時，因為處理液的液膜係從基板之上表面浮上，因此作用於基板上處理液之液膜的摩 擦電阻小到幾可忽視。所以，處理液之液膜係處於能沿基板之上表面輕易滑動的狀態。
氣體吐出單元係在處理液之液膜與基板之上表面間形成有氣相的狀態下，朝向基板上表面之一部分區域的噴吹位置吐出氣體。位於噴吹位置的處理液係藉由氣體的供應而被推退至其周圍。藉此，在噴吹位置形成乾燥區域。又，因為被氣體推擠的處理液從噴吹位置移動至其周圍，因此以氣體的供應為契機，處理液之液膜係形成朝向基板周緣部之向外的流動，而使基板上的處理液之液膜可不分裂為多數個小滴，而以塊狀地從基板被排除。藉此，可快速地在短時間內將處理液的液膜從基板上排除。
在利用高速旋轉使基板乾燥的旋轉乾燥步驟中，形成橫跨鄰接之2個構造物的液面(氣液之界面)。使圖案崩潰的表面張力作用於液面與圖案之接觸位置(氣體、液體、及固體的界面)。相對於此，本發明因為基板溫度在處理液的沸點以上，因此即便處理液接觸於基板之上表面，該液體也會馬上蒸發。所以，不會形成如旋轉乾燥步驟時的液面，而對圖案施加使圖案崩潰的表面張力。因此，能降低圖案崩潰的發生。
再者，若在基板上使液膜蒸發，便會有產生水痕或微塵等缺陷的可能性。相對於此，本發明係藉由使液膜對基板進行移動而予以排除。所以，能減少水痕或微塵等的產生。尤其，因為在處理液之液膜與基板之上表面間介存有氣相，而使處理液之液膜處於能沿著基板之上表面輕易滑動的狀態，因此可快速地在短時間內排除液膜。藉此，可減少基板之上表面局部地露出於處理液之液膜的時間，因此能對基板進行更均勻的處理。
亦可使從上述氣體吐出單元朝基板供應氣體的供應起始位置，位於基板的上表面中央部。
根據該構成，朝向由處理液之液膜所覆蓋的基板之上表面中央部吐出氣體。藉此，處理液係從基板的上表面中央部被排除，而在液膜中央部形成孔穴。又，因為藉由氣體的供應使處理液從基板的上表面中央部移動至其周圍，因此處理液之液膜係形成朝向液膜之周緣部呈輻射狀的流動。所以，能將基板上的處理液液膜不偏移地從基板排除。
亦可使從上述氣體吐出單元朝基板供應氣體的供應起始位置，位於基板的上表面周緣部。
根據該構成，朝向由處理液之液膜所覆蓋的基板之上表面周緣部吐出氣體。藉此，處理液係從基板的上表面周緣部被排除，而在基板的上表面周緣部形成乾燥區域。又，因為利用氣體之供應使處理液從基板之上表面周緣部朝向基板之上表面中央部移動，因此處理液之液膜係形成朝向液膜之周緣部的流動。所以，可快速地在短時間內將處理液之液膜從基板上排除。
上述基板處理裝置亦可進一步包含有姿勢變更單元，其一邊將上述基板加熱單元與基板的間隔維持為一定，一邊使由上述基板保持單元保持為水平的基板傾斜。上述氣體吐出單元亦可在處理液之液膜與基板之上表面間形成有氣相的狀態下，朝向利用上述姿勢變更單元而傾斜的基板上表面之上端部吐出氣體。
根據該構成，在處理液之液膜與基板之上表面間形成有氣相的狀態下，朝向傾斜的基板上表面之上端部吐出氣體。藉由基板傾斜，基板上的處理液之液膜便沿著基板之上表面朝下方流 下。又，藉由氣體的供應而促進處理液的流下。所以，可快速地在短時間內將基板上的處理液之液膜從基板上排除。而且，因為在與基板之上表面垂直的方向上基板加熱單元與基板間之間隔被維持為一定，因此相較於僅將基板傾斜的情形，較不易發生加熱的不均，而能持續地進行安定的基板加熱。
從上述氣體吐出單元所吐出氣體的溫度，亦可為處理液的沸點以上。從氣體吐出單元所吐出氣體的溫度，較佳為基板加熱單元的溫度以上。
根據該構成，處理液之沸點以上的高溫氣體，被朝向由處理液之液膜所覆蓋基板的上表面吐出。因為氣體的溫度較高，因此可抑制處理液液膜的溫度降低。或者，可對處理液的液膜進行加熱。
本發明又一實施形態係提供一種基板處理裝置，其包含有：基板保持單元，其將基板水平地保持；處理液供應單元，其將處理液供應至由上述基板保持單元所保持基板的上表面，藉此形成覆蓋基板上表面之全域的處理液之液膜；基板加熱單元，其含有對由上述基板保持單元所保持基板的上表面之全域，以各自獨立的溫度加熱的複數個加熱器，並藉由於基板之上表面全域被處理液之液膜所覆蓋的狀態下，以處理液之沸點以上的溫度對由上述基板保持單元所保持的基板進行加熱，使處理液蒸發，而在處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相；以及控制裝置，其控制上述基板加熱單元。在基板上表面形成有圖案的情形時，基板之上表面包含母材(例如矽晶圓)之上表面與圖案之表面。
上述控制裝置係執行：均勻加熱步驟，其藉由於基板 之上表面全域被處理液之液膜所覆蓋的狀態下，以處理液之沸點以上的溫度對由上述基板保持單元所保持的基板均勻地加熱，使處理液蒸發，而在處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相；以及溫度差生成步驟，其在上述均勻加熱步驟後，在處理液之液膜與基板之上表面間形成有氣相的狀態下，在基板的上表面形成處理液之沸點以上的低溫區域與較上述低溫區域更高溫的高溫區域。
根據該構成，對水平地被保持的基板之上表面供應處理液，而形成覆蓋基板上表面之全域的處理液之液膜。然後，以處理液之沸點以上的溫度加熱基板，使基板溫度到達處理液之沸點以上的值。藉此，使處理液在處理液與基板之上表面的界面蒸發，而於處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相。此時，因為處理液的液膜係從基板之上表面浮上，因此作用於基板上處理液之液膜的摩擦電阻小到幾乎可忽視。所以，處理液之液膜係處於能沿著基板之上表面輕易滑動的狀態。
控制裝置係執行均勻加熱步驟與溫度差生成步驟。在均勻加熱步驟中，以處理液之沸點以上的溫度均勻地加熱基板。藉此，在處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相。在溫度差生成步驟中，於基板之上表面形成溫度互相不同的高溫區域及低溫區域。所以，處理液的液膜內會生成溫度差，處理液之液膜係形成朝低溫側移動的流動。因此，以溫度差的生成為契機，處理液之液膜係形成朝向基板之周緣部的向外之流動，使基板上的處理液之液膜不分裂為多數個小滴，而以塊狀地從基板被排除。藉此，可快速地在短時間內將處理液的液膜從基板上排除。
在利用高速旋轉使基板乾燥的旋轉乾燥步驟中，形成 橫跨鄰接之2個構造物的液面(氣液之界面)。使圖案崩潰的表面張力作用於液面與圖案之接觸位置(氣體、液體、及固體的界面)。相對於此，本發明因為基板之溫度在處理液的沸點以上，因此即便處理液接觸於基板之上表面，該液體也會馬上蒸發。所以，不會形成如旋轉乾燥步驟時的液面，而對圖案施加使圖案崩潰的表面張力。因此，能降低圖案崩潰的發生。
再者，若在基板上使液膜蒸發，便會有產生水痕或微塵等缺陷的可能性。相對於此，本發明係藉由使液膜對基板進行移動而予以排除。所以，能減少水痕或微塵等的產生。尤其，因為在處理液之液膜與基板之上表面間介存有氣相，而使處理液之液膜處於能沿著基板之上表面輕易滑動的狀態，因此可快速地在短時間內排除液膜。藉此，可減少基板之上表面局部地露出於處理液之液膜的時間，因此能對基板進行更均勻的處理。
上述控制裝置亦可在上述溫度差生成步驟中，於基板的上表面中央部形成高溫區域。
根據該構成，覆蓋基板之上表面中央部的處理液之液膜的中央部係成為較其周圍部分更高溫。所以，處理液液膜係形成朝向液膜之周緣部呈輻射狀的流動。因此，能將基板上的處理液之液膜不偏移地從基板排除。又，可相較於最初形成高溫區域的位置為基板之上表面周緣部的情形時，縮短排除處理液之液膜的時間。
上述控制裝置亦可在上述溫度差生成步驟中，於基板的上表面周緣部形成高溫區域。
根據該構成，覆蓋基板之上表面周緣部的處理液之液膜之周緣部，係成為較液膜的其他部分更高溫。所以，處理液之液 膜係形成朝向液膜之周緣部的流動。因此，可快速地在短時間內將基板上的處理液之液膜從基板排除。
上述控制裝置亦可進一步在上述溫度差生成步驟之後，執行使上述低溫區域與上述高溫區域的界線，朝上述低溫區域側移動的界線移動步驟。
根據該構成，因為在處理液之液膜內產生溫度差，因此處理液之液膜係形成朝低溫側移動的流動。又，因為使低溫區域與高溫區域的界線朝低溫區域側移動，因此可促進液膜內朝低溫側移動的流動。藉此，可有效率地排除基板上的處理液之液膜。
上述基板處理裝置亦可進一步包含在處理液之液膜與基板之上表面間形成有氣相的狀態下，朝向上述高溫區域吐出氣體的氣體吐出單元。
根據該構成，在處理液之液膜與基板之上表面間形成有氣相的狀態下，朝向基板上表面一部分區域的高溫區域吐出氣體。被供應至高溫區域的氣體，係朝離開高溫區域的方向而沿基板之上表面流動。所以，可促進在液膜內朝低溫側移動的流動。藉此，可有效率地排除基板上的處理液之液膜。
利用上述處理液供應單元被供應至基板的處理液，亦可為表面張力較水小且沸點較水低的液體。
根據該構成，因為被供應至基板之液體的表面張力較小，因此即便暫時性地形成橫跨鄰接之2個構造物的液面，對圖案所施加的表面張力亦小。所以，可降低圖案崩潰的發生。又，因為對基板供應容易蒸發的液體，因此能一邊抑制基板加熱單元的溫度，一邊於處理液之液膜與基板之上表面間形成氣相。
上述基板處理裝置亦可包含有收容上述基板保持單元且能開閉的內腔、以及收容上述內腔的外腔。
根據該構成，收容基板保持單元的內腔係配置於外腔內。因為內腔可開閉，因此可根據需要隔離未包含內腔之外腔的內部與內腔的內部。所以，可根據需要形成由內腔與外腔覆蓋二層的高密閉度之空間。因此，可在高密閉度之空間內實施基板之加熱等處理。又，若開啟內腔，由於可使吐出氣體或液體的噴嘴往返於內腔中與內腔外之間，所以可不必在內腔內配置上述噴嘴。因此，可抑制或防止內腔之大型化。
上述基板處理裝置亦可進一步包含對上述內腔之內部供應惰性氣體的惰性氣體供應單元。
根據該構成，因為對收容基板保持單元的內腔之內部供應惰性氣體，因此可將內腔內的空氣置換為惰性氣體，而能降低內腔內的氧濃度。所以，能防止水痕等因氧所造成問題的發生。
本發明的前述或其他目的、特徵及效果，係參照所附圖式並藉由如下所述實施形態之說明而清楚明瞭。
1‧‧‧基板處理裝置
2‧‧‧處理單元
3‧‧‧控制裝置
4‧‧‧外腔
5‧‧‧腔本體
6‧‧‧閘門
7‧‧‧內腔
8‧‧‧腔本體
9‧‧‧底壁部
10‧‧‧下周壁部
11‧‧‧上蓋
12‧‧‧上壁部
13‧‧‧上周壁部
14‧‧‧蓋升降單元
15‧‧‧第1基板保持單元
16‧‧‧固定銷
17‧‧‧固定支撐部
18‧‧‧固定夾持部
19‧‧‧可動銷
20‧‧‧軸部
21‧‧‧基座部
22‧‧‧可動夾持部
23‧‧‧支撐環
24‧‧‧環旋轉單元
25‧‧‧夾具開閉單元
26‧‧‧被操作片
27‧‧‧桿操縱單元
28‧‧‧操縱桿
29‧‧‧第2基板保持單元
30‧‧‧加熱板
31‧‧‧板本體
31a‧‧‧上表面
32‧‧‧支撐銷
33‧‧‧加熱器
34‧‧‧支撐台
35‧‧‧平台部
36‧‧‧軸部
37‧‧‧板升降單元
38‧‧‧杯
40‧‧‧向上吐出口
41‧‧‧下氣體配管
42‧‧‧下氣體閥
43‧‧‧藥液噴嘴
44‧‧‧藥液配管
45‧‧‧藥液閥
46‧‧‧清洗液噴嘴
47‧‧‧清洗液配管
48‧‧‧清洗液閥
49‧‧‧噴嘴機械臂
50‧‧‧機械臂擺動單元
51‧‧‧上清洗液噴嘴
52‧‧‧上清洗液配管
53‧‧‧上清洗液閥
54‧‧‧上溶劑噴嘴
55‧‧‧上溶劑配管
56‧‧‧上溶劑閥
57‧‧‧上氣體噴嘴
58‧‧‧上氣體配管
59‧‧‧上氣體閥
60‧‧‧誘導構件
60i‧‧‧內端
60o‧‧‧外端
61‧‧‧第1部分
62‧‧‧第2部分
63‧‧‧外側誘導面
63i‧‧‧內端
63o‧‧‧外端
64‧‧‧下方誘導面
65‧‧‧對向構件
66‧‧‧對向面
67‧‧‧上傾斜面
68‧‧‧下傾斜面
69‧‧‧外氣體噴嘴
70‧‧‧外氣體配管
71‧‧‧外氣體閥
72‧‧‧紅外線加熱器
73‧‧‧姿勢變更單元
74‧‧‧伸縮單元
75‧‧‧汽缸本體
76‧‧‧桿
77‧‧‧下配管
100‧‧‧上表面
101‧‧‧圖案
102‧‧‧構造體
102A‧‧‧上端面
111‧‧‧液膜
112‧‧‧氣相
113‧‧‧龜裂等
161‧‧‧支撐銷
202‧‧‧處理單元
204‧‧‧外腔
205‧‧‧第1基板保持單元
206‧‧‧加熱板
206a‧‧‧基板對向面
206b‧‧‧第2基板保持單元
207‧‧‧處理液供應單元
208‧‧‧有機溶劑供應單元
209‧‧‧內腔
210‧‧‧固定銷
210a‧‧‧固定銷
211‧‧‧旋轉環
211a‧‧‧上表面
212‧‧‧可動銷
213‧‧‧環旋轉單元
214‧‧‧板支撐軸
215‧‧‧加熱器
216‧‧‧板升降單元
217‧‧‧支撐構件
217a‧‧‧支撐面
218‧‧‧下配管
219‧‧‧第2貫通孔
220‧‧‧下吐出口
221‧‧‧第1藥液下閥
222‧‧‧第2藥液下閥
223‧‧‧清洗液下閥
224‧‧‧伸縮單元
224a‧‧‧伸縮單元
224b‧‧‧伸縮單元
225‧‧‧伸縮驅動單元
226‧‧‧第1藥液噴嘴
227‧‧‧第2藥液噴嘴
228‧‧‧清洗液噴嘴
229‧‧‧機械臂
230‧‧‧機械臂擺動單元
231‧‧‧第1藥液配管
232‧‧‧第1藥液閥
233‧‧‧第2藥液配管
234‧‧‧第2藥液閥
235‧‧‧清洗液配管
236‧‧‧清洗液閥
237‧‧‧腔本體
238‧‧‧開口
239‧‧‧蓋構件
239a‧‧‧中央部
239b‧‧‧上環狀溝
239c‧‧‧周緣部
240‧‧‧底壁部
241‧‧‧周壁部
241a‧‧‧上端面
243‧‧‧密封構件
244‧‧‧清洗液上配管
245‧‧‧有機溶劑上配管
246‧‧‧氮氣上配管
247‧‧‧清洗液吐出口
248‧‧‧清洗液上閥
249‧‧‧有機溶劑吐出口
250‧‧‧有機溶劑閥
251‧‧‧氮氣吐出口
252‧‧‧氮氣閥
253‧‧‧密封環
254‧‧‧蓋升降單元
255‧‧‧第1貫通孔
261‧‧‧支撐銷
262‧‧‧第1假想圓
263‧‧‧第2假想圓
264‧‧‧第3假想圓
265‧‧‧小溝槽
266‧‧‧球體
267‧‧‧接著劑
269‧‧‧第4假想圓
271‧‧‧第1下軸部
272‧‧‧第1上軸部
273‧‧‧推拔面
274‧‧‧第2下軸部
275‧‧‧第2上軸部
275a‧‧‧圓筒面
276‧‧‧夾具開閉單元
277‧‧‧驅動用永久磁石
278‧‧‧銷側永久磁石
279‧‧‧操縱環
280‧‧‧操縱桿
280a‧‧‧前端部
281‧‧‧桿操縱單元
282‧‧‧N極性部
283‧‧‧S極性部
284‧‧‧圓柱狀部
285‧‧‧突出片
286‧‧‧被操作片
290‧‧‧姿勢變更單元
A1‧‧‧旋轉軸線
A2‧‧‧轉動軸線
C‧‧‧載具
CR‧‧‧搬送機器人
H‧‧‧機械臂
IR‧‧‧搬送機器人
LP‧‧‧裝載埠口
M1‧‧‧可動磁石
M2‧‧‧固定磁石
SL1‧‧‧密封構件
SL2‧‧‧密封構件
T‧‧‧膜厚
t1‧‧‧高速旋轉時間
t2‧‧‧積水時間
t3‧‧‧高速旋轉時間
v1‧‧‧積水速度
v2‧‧‧液處理旋轉速度
v3‧‧‧高旋轉速度
W‧‧‧基板
W1‧‧‧線寬
W2‧‧‧間隙
Wa‧‧‧微小間隔
圖1係本發明第1實施形態之基板處理裝置之示意性的俯視圖。
圖2係圖1所示之基板處理裝置所具備處理單元之示意性的鉛直剖視圖。
圖3係圖2所示第1基板保持單元及第2基板保持單元的俯視圖。
圖4係沿圖3所示之IV-IV線的剖視圖。
圖5係表示加熱板的基板對向面之放大鉛直剖視圖。
圖6係從水平所觀察固定銷的示意圖。
圖7係從水平所觀察可動銷及夾具開閉單元的示意圖。
圖8係沿圖7所示VIII-VIII線的剖視圖，為表示可動銷位於關閉位置之狀態的示意圖。
圖9係表示可動銷從關閉位置移動至開放位置之狀態的示意圖。
圖10係表示可動銷位於開放位置之狀態的示意圖。
圖11係將處理對象的基板表面放大而表示之剖視圖。
圖12係用以說明由處理單元所執行基板之第1處理例的程序圖。
圖13A係用以說明圖12所示第1處理例的示意圖。
圖13B係用以說明圖13A之後續步驟的示意圖。
圖13C係用以說明圖13B之後續步驟的示意圖。
圖13D係用以說明圖13C之後續步驟的示意圖。
圖13E係用以說明圖13D之後續步驟的示意圖。
圖13F係用以說明圖13E之後續步驟的示意圖。
圖13G係用以說明圖13F之後續步驟的示意圖。
圖13H係用以說明圖13G之後續步驟的示意圖。
圖13I係用以說明圖13H之後續步驟的示意圖。
圖14A係用以說明圖12所示第1處理例中基板上表面狀態之示意性的剖視圖。
圖14B係用以說明圖12所示第1處理例中基板上表面狀態之 示意性的剖視圖。
圖14C係用以說明圖12所示第1處理例中基板上表面狀態之示意性的剖視圖。
圖14D係用以說明圖12所示第1處理例中基板上表面狀態之示意性的剖視圖。
圖15係基板高溫化步驟中，從水平觀察第1基板保持單元及第2基板保持單元時的鉛直剖視圖。
圖16係有機溶劑排出步驟中，從水平觀察第1基板保持單元及第2基板保持單元時的鉛直剖視圖。
圖17係表示有機溶劑置換步驟、基板高溫化步驟及有機溶劑排出步驟中，IPA吐出流量之變化及基板旋轉速度之變化的圖。
圖18係用以說明由處理單元所執行基板之第2處理例之最終清洗步驟的示意圖。
圖19係表示由處理單元所執行基板之第3處理例之IPA吐出流量之變化及基板旋轉速度之變化的圖。
圖20係表示本發明第1實施形態之第2基板保持單元之第1變形例的圖。
圖21係表示本發明第1實施形態之第2基板保持單元之第2變形例的圖。
圖22係從水平所觀察本發明第2實施形態之處理單元之內部的示意圖。
圖23係表示第1基板保持單元及第2基板保持單元的俯視圖。
圖24係表示可動銷的俯視圖。
圖25係表示誘導構件之截面之處理單元之一部分的示意圖。
圖26係表示複數個誘導構件與基板間之位置關係的俯視圖。
圖27係從水平所觀察固定銷的示意圖。
圖28係從水平所觀察可動銷及夾具開閉單元的示意圖。
圖29A係沿圖28所示IX-IX線的剖視圖，表示可動銷位於關閉位置的狀態。
圖29B係沿圖28所示IX-IX線的剖視圖，表示可動銷位於開放位置的狀態。
圖30係用以說明利用處理單元所進行基板處理之一例的程序圖。
圖31係IPA之液膜從基板之上表面浮上之狀態示意圖。
圖32係表示利用誘導構件誘導基板上之IPA之液膜之狀態示意圖。
圖33係表示本發明第3實施形態之誘導構件的俯視圖。
圖34係表示本發明第4實施形態之處理單元之一部分的示意圖。
圖35A係表示本發明第5實施形態之誘導構件及可動銷的俯視圖，表示可動銷位於關閉位置的狀態。
圖35B係表示本發明第5實施形態之誘導構件及可動銷的俯視圖，表示可動銷位於開放位置的狀態。
圖36係表示本發明第6實施形態之誘導構件及可動銷之鉛直剖視圖，表示可動銷位於關閉位置的狀態。
圖37係表示本發明第7實施形態之有機溶劑排除步驟的示意圖。
圖38A係表示本發明第8實施形態之有機溶劑排除步驟的俯視 圖。
圖38B係從水平所觀察圖38A所示基板的示意圖。
圖39A係從水平所觀察本發明第9實施形態之姿勢變更單元的示意圖。
圖39B係表示利用本發明第9實施形態之姿勢變更單元使基板及加熱板傾斜之狀態的示意圖。
圖40係表示本發明第10實施形態之處理單元之一部分的示意圖。
圖41係表示利用氣體去除殘留於誘導構件之液滴之狀態的鉛直剖視圖。
圖42A係表示本發明第11實施形態之有機溶劑排除步驟的示意圖，表示在基板之上表面形成低溫區域與高溫區域的狀態。
圖42B係表示本發明第11實施形態之有機溶劑排除步驟中，使高溫區域朝外側擴大之狀態的示意圖。
圖43A係表示本發明第12實施形態之有機溶劑排除步驟的示意圖，表示在基板之上表面形成低溫區域與高溫區域的狀態。
圖43B係從上方觀察圖43A所示基板的示意圖。
圖44係表示本發明第13實施形態之有機溶劑排除步驟的示意圖，表示利用被配置在基板之上方之上方加熱器加熱IPA之液膜之中央部的狀態。
圖45A係表示本發明第14實施形態之有機溶劑排除步驟的示意圖。
圖45B係表示本發明第15實施形態之有機溶劑排除步驟中，使高溫區域朝外側擴大之狀態的示意圖。
圖46A係表示本發明第16實施形態之有機溶劑排除步驟的示意圖。
圖46B係從水平所觀察圖46A所示基板的示意圖。
圖47係表示在旋轉乾燥步驟中形成於圖案內之液面之基板的剖視圖。
[第1實施形態]
圖1係本發明第1實施形態之基板處理裝置1之示意性的俯視圖。圖2係圖1所示之基板處理裝置1所具備處理單元202之示意性的鉛直剖視圖。
基板處理裝置1係每次處理1片矽晶圓等圓板狀基板W的單片式裝置。如圖1所示，基板處理裝置1包含有：利用處理液處理基板W的複數個處理單元202、載置有收容利用處理單元202所處理複數片基板W之載具C的裝載埠口LP、在裝載埠口LP與處理單元202間搬送基板W的搬送機器人IR及搬送機器人CR、以及控制基板處理裝置1的控制裝置3。
處理單元202係用以對圓板狀之基板W的表面(圖案形成面)及背面，施行使用第1藥液及第2藥液之藥液處理(洗淨處理、蝕刻處理等)之單片式的單元。各處理單元202包含有：具有內部空間之箱形外腔204；作為在外腔204內一邊以水平姿勢保持一片基板W，一邊使基板W圍繞通過基板W中心之鉛直之旋轉軸線A1而旋轉之基板保持旋轉單元用的第1基板保持單元205；含有加熱基板W之加熱板(基板加熱單元)206的第2基板保持單元 206b；使基板W及加熱板206在基板W之上表面呈水平的水平姿勢、及基板W之上表面傾斜於水平面的傾斜姿勢間進行姿勢變更的姿勢變更單元290(參照圖4)；以及收容第1基板保持單元205及第2基板保持單元206b之可開閉的內腔209。
處理單元202進一步含有對由第1基板保持單元205所保持基板W供應第1藥液、第2藥液、清洗液等處理液之處理液供應單元207；以及對由第1基板保持單元205或第2基板保持單元206b所保持基板W的上表面供應表面張力較水低之有機溶劑液體之一例之IPA(處理液之一例)之液體的有機溶劑供應單元(處理液供應單元)208。
圖3係第1基板保持單元205及第2基板保持單元206b的俯視圖。圖4係沿圖3所示IV-IV線的剖視圖。
如圖2~圖4所示，第1基板保持單元205具有外徑較基板W大之圓環狀的旋轉環211。旋轉環211係由具有耐藥性的樹脂材料所製成，具有與基板W之旋轉軸線A1同心的旋轉中心。旋轉環211具有水平且平坦之圓環狀的上表面211a。在上表面211a設有：對旋轉環211不動的複數根(例如6根)固定銷(支撐銷)210、以及對旋轉環211可動的複數根(例如3根)可動銷212。
複數根固定銷210係在旋轉環211的上表面211a，沿著圓周方向等間隔而配置。複數根可動銷212係在旋轉環211的上表面211a，沿著圓周方向而配置。3根可動銷212係以1對1地對應於沿圓周方向連續地排列的3根固定銷210。3根可動銷212係分別被配置於對應的3根固定銷210的附近。3根可動銷212係沿圓周方向偏頗地配置。
於旋轉環211結合有使旋轉環211圍繞旋轉軸線A1旋轉的環旋轉單元213。環旋轉單元213例如包含有電動馬達、以及傳遞電動馬達之動力的傳動機構。
如圖2~圖4所示，加熱板206係由例如陶瓷或碳化矽(SiC)所製成的圓板狀構件。加熱板206的上表面具有平坦之圓形狀的基板對向面206a。基板對向面206a的外徑較旋轉環211的內徑小。加熱板206與第1基板保持單元205的旋轉環211，在鉛直方向上未重疊。在加熱板206的內部，埋設有例如電氣式的加熱器215。藉由對加熱器215的通電使加熱器215發熱。藉此，將包含基板對向面206a的加熱板206整體進行加熱。
如圖3所示，加熱板206具有從基板對向面206a朝向上方呈大致半球狀突出的複數根(本實施形態中為24根)支撐銷261。複數根支撐銷261具有大小彼此大致相等的直徑。複數根支撐銷261係以在基板對向面206a全域中配置密度成為大致均勻的方式，被分散配置於基板對向面206a。更具體而言，複數根支撐銷261係以旋轉軸線A1為中心，而分別被配置於被設定為直徑大小各自不同的第1假想圓262上、第2假想圓263上、及第3假想圓264上。第2假想圓263的直徑係設定為第1假想圓262直徑的約2倍。第3假想圓264的直徑係設定為第1假想圓262直徑的約3倍。在第1假想圓262上，等間隔地配置4根支撐銷261。在第2假想圓263上，等間隔地配置8根支撐銷261。在第3假想圓264上，等間隔地配置12根支撐銷261。基板W係藉由複數根支撐銷261與基板W之下表面的抵接，而在距基板對向面206a朝上方僅離開微小間隔Wa的位置支撐基板W的下表面。
若加熱器215在基板W由加熱板206所支撐的狀態下發熱，該熱便會傳導至基板W。具體而言，加熱器215的熱係經由基板對向面206a與基板W間之流體與支撐銷261而被傳導至基板W。又，加熱器215的熱係藉由熱輻射而被傳導至基板W。藉此，將由加熱板206所支撐的基板W加熱。
圖5係表示加熱板206之基板對向面206a的放大鉛直剖視圖。
如圖5所示，各支撐銷261係由形成於基板對向面206a之小溝槽265內所配置的球體266形成。更具體而言，各小溝槽265係在基板對向面206a中，被形成於應形成各支撐銷261的區域。各球體266係由例如陶瓷、碳化矽(SiC)等所形成。各球體266係以一部分較基板對向面206a突出於上方的方式，嵌合於各小溝槽265。球體266係在小溝槽265內，藉由接著劑267所固定。各支撐銷261係由球體266突出於小溝槽265的部分所形成。
各支撐銷261具有例如均勻之高度(從基板對向面206a至支撐銷261上端為止之鉛直方向的長度)。各支撐銷261的高度係與微小間隔Wa相等。各支撐銷261的高度係設定為可抑制或防止由各支撐銷261所支撐的基板W吸附於基板對向面206a，且基板對向面206a上的污染物質足以不轉移至該基板W之下表面的高度(例如約0.1mm左右)。
所以，基板W由於與基板對向面206a隔著間隔而被支撐，因此可抑制或防止基板W被吸近而貼附於基板對向面206a。又，即便於基板對向面206a存在有污染物質的情形時，仍可抑制或防止污染物質轉移至基板W(的下表面)。
又，由於基板W係由被分散配置於基板對向面206a的複數根支撐銷261所支撐，因此可在基板W的面內將利用從基板對向面206a對基板W的傳熱所進行熱傳遞的容易度保持均勻。又，因為複數根支撐銷261的位置並無偏頗，因此可抑制或防止基板W翹曲的發生。
另外，複數根支撐銷261彼此亦可非為相同之高度。例如，可使基板對向面206a中央部之支撐銷261的高度，較基板對向面206a周緣部之支撐銷261的高度低。
如圖2及圖4所示，加熱板206係經由複數個(例如3個)伸縮單元224、與支撐伸縮單元224的支撐構件217，而從下方由板支撐軸214所支撐。
支撐構件217，例如為圓板狀或環狀的構件。圖2係表示支撐構件217為圓板狀的例子。支撐構件217具有水平且平坦的支撐面217a，並被固定於板支撐軸214的上端。在支撐構件217之支撐面217a的周緣部，於圓周方向等間隔地配置有3個伸縮單元224。各伸縮單元224係於俯視時分別被配置於3個固定銷210的內側。
伸縮單元224係包含有在支撐構件217上被固定於支撐構件217的汽缸本體、以及從汽缸本體朝鉛直上方突出的伸縮桿之汽缸。伸縮單元224的長度可在從伸縮桿之突出量為最小的最大收縮狀態至伸縮桿之突出量為最大的最大伸長狀態為止之範圍內連續地調整。各伸縮單元224係從下方支撐加熱板206的周緣部。複數個伸縮單元224分別具有相同的元件。所以，複數個伸縮單元224在最大收縮狀態係具有同等的長度。於各伸縮單元224結合有 供應使各伸縮桿朝鉛直方向伸縮之驅動流體的伸縮驅動單元225。於本實施形態中，雖然伸縮單元224及伸縮驅動單元225分別設置為不同的構件，但亦可由電磁致動器等單體的構件來構成伸縮單元224。
於本實施形態中，姿勢變更單元290係由支撐構件217、伸縮單元224、及伸縮驅動單元225所構成。
在圖4所示狀態中，所有伸縮單元224均保持為最大收縮狀態。所有的伸縮單元224均具有同等的長度。藉此，加熱板206被保持為水平姿勢。在該狀態下，加熱板206的基板對向面206a係配置於水平面。加熱板206上的基板W係藉由作用於基板W與支撐銷261間的摩擦力，不會在加熱板206上移動，而保持為靜止狀態。
再者，藉由控制3個伸縮單元224，可將加熱板206從圖4所示之水平姿勢變更為圖16所示之傾斜姿勢。在圖16所示之狀態下，3個伸縮單元224中之1個係保持為最大收縮狀態，剩餘的2個則較最大收縮狀態長。藉此，加熱板206係保持為傾斜姿勢。如此，可利用含有複數個伸縮單元224之簡單構造的姿勢變更單元290，將加熱板206在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更。
板支撐軸214，例如為朝鉛直延伸的中空軸。在板支撐軸214的內部插通有對加熱器215的供電線(未圖示)、以及下配管218。
下配管218係以分別通過厚度方向貫通支撐構件217之中央部的第1貫通孔255、以及朝厚度方向貫通加熱板206之中央部的第2貫通孔219之方式配置。下配管218係連通於在加熱板 206之基板對向面206a的中央部開口的下吐出口220。下配管218至少靠近下吐出口220的部分係由軟管所構成。
對下配管218選擇性地供應作為第1藥液之一例的氟酸、作為第2藥液之一例的SC1(ammonia-hydrogen peroxide mixture：氨-過氧化氫水混合液)及清洗液。氟酸係經由第1藥液下閥221被供應至下配管218。SC1係經由第2藥液下閥222被供應至下配管218。清洗液係經由清洗液下閥223被供應至下配管218。
清洗液，例如為純水(去離子水：Deionized Water)。清洗液並不僅限定於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、還原水(氫水)、臭氧水、及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)的鹽酸水中之任一者。被供應至下配管218的第1藥液、第2藥液、及清洗液，係通過第2貫通孔219的內部而從下吐出口220朝上方吐出。
具體而言，若在關閉第2藥液下閥222及清洗液下閥223的狀態下開啟第1藥液下閥221，便從下吐出口220朝上方吐出第1藥液。在由第1基板保持單元205保持有基板W的情形時，對基板W的下表面中央部供應第1藥液。
同樣的，若在關閉第1藥液下閥221及清洗液下閥223的狀態下開啟第2藥液下閥222，便從下吐出口220朝上方吐出第2藥液。在由第1基板保持單元205保持有基板W的情形時，對基板W的下表面中央部供應第2藥液。
再者，若在關閉第1藥液下閥221及第2藥液下閥222的狀態下開啟清洗液下閥223，便從下吐出口220朝上方吐出清洗液。在由第1基板保持單元205保持著基板W的情形時，對基板W的下表面中央部供應清洗液。
如圖2~圖4所示，雖然下吐出口220具有在各處理液間共用的1個吐出口，但下吐出口220亦可具有複數個吐出口。於該情形時，下吐出口220亦可具有依每種處理液的種類吐出口。
於板支撐軸214，結合有使板支撐軸214升降的板升降單元216(參照圖2)。板升降單元216例如包含有電動馬達、以及傳遞電動馬達之動力的傳動機構(滾珠螺桿機構等)。
若板升降單元216使板支撐軸214升降，便使板支撐軸214、伸縮單元224、支撐構件217及加熱板206一體性地升降。藉由板升降單元216的驅動，加熱板206便在下位置(圖13A等所示的位置)與上位置(圖13G等所示的位置)之間升降。
加熱板206的下位置係加熱板206的基板對向面206a位於較保持於第1基板保持單元205之基板W的下表面更靠下方位置之高度。在加熱板206隨時被控制為ON的情形時，下位置亦可位於基板W之下表面不會被加熱板206大幅加熱之高度的位置處。另一方面，加熱板206的上位置係加熱板206的基板對向面206a位於較保持於第1基板保持單元205之基板W的下表面更靠上方位置的高度。如前所述，因為加熱板206與第1基板保持單元205的旋轉環211未於鉛直方向重疊，因此在加熱板206升降時，加熱板206及第1基板保持單元205不會相互干擾。
如圖2所示，處理液供應單元207包含有吐出第1藥液的第1藥液噴嘴226、吐出第2藥液的第2藥液噴嘴227、以及吐出清洗液的清洗液噴嘴228。第1藥液噴嘴226、第2藥液噴嘴227及清洗液噴嘴228係於使吐出口朝向下方的狀態下，被安裝於朝水平延伸之機械臂229的前端。機械臂229係可圍繞既定之旋轉 軸線擺動地設置。第1藥液噴嘴226、第2藥液噴嘴227及清洗液噴嘴228係排列於機械臂229的擺動方向。
在機械臂229，結合有使機械臂229在既定角度範圍內擺動的機械臂擺動單元230。第1藥液噴嘴226、第2藥液噴嘴227、及清洗液噴嘴228係藉由機械臂229的擺動，而在由第1基板保持單元205或加熱板206所保持基板W之中央部的上方、與設定於內腔209外的起始位置之間移動。
如圖2所示，第1藥液噴嘴226，例如為藉由朝下方吐出作為第1藥液之一例的氟酸而形成連續流之直線型噴嘴。於第1藥液噴嘴226，連接有形成供來自第1藥液供應源之第1藥液流動之供應通路的第1藥液配管231。在第1藥液配管231，介設有控制第1藥液之供應的第1藥液閥232。若第1藥液閥232被開啟，則第1藥液便從第1藥液配管231被供應至第1藥液噴嘴226。又，若第1藥液閥232被關閉，則停止從第1藥液配管231對第1藥液噴嘴226之第1藥液的供應。
如圖2所示，第2藥液噴嘴227，例如為藉由朝下方吐出作為第2藥液之一例的SC1而形成連續流之直線型噴嘴。於第2藥液噴嘴227，連接有形成供來自第2藥液供應源之第2藥液流動之供應通路的第2藥液配管233。在第2藥液配管233，介設有控制第2藥液之供應的第2藥液閥234。若第2藥液閥234被開啟，則第2藥液便從第2藥液配管233被供應至第2藥液噴嘴227。又，若第2藥液閥234被關閉，則停止從第2藥液配管233對第2藥液噴嘴227之第2藥液的供應。
如圖2所示，清洗液噴嘴228，例如為藉由朝下方吐 出清洗液而形成連續流之直線型噴嘴。於清洗液噴嘴228，連接有形成供來自清洗液供應源之清洗液之供應通路的清洗液配管235。在清洗液配管235，介設有控制清洗液之供應的清洗液閥236。若清洗液閥236被開啟，則清洗液便從清洗液配管235被供應至清洗液噴嘴228。又，若清洗液閥236被關閉，則停止從清洗液配管235對清洗液噴嘴228之清洗液的供應。
另外，圖2雖然表示將第1藥液噴嘴226、第2藥液噴嘴227、及清洗液噴嘴228配置於1個機械臂229的情形，但亦可將該等噴嘴分別安裝於3個機械臂。
如圖2所示，內腔209具備有：收容第1基板保持單元205及第2基板保持單元206b的腔本體237、以及將腔本體237的開口238予以封閉的蓋構件239。藉由蓋構件239封閉腔本體237的開口238，而在作為密閉腔之內腔209的內部形成密閉空間。
腔本體237係上表面設有圓形狀之開口238的有底圓筒狀。腔本體237係一體性地具備有：圓板狀之底壁部240、以及從底壁部240朝上方立起的周壁部241。周壁部241係與旋轉軸線A1同心的圓筒狀。周壁部241具有圓環狀之上端面241a。於底壁部240的上表面，連接有廢液路(未圖示)的一端。廢液路之另一端係連接於設置在基板處理裝置1之外的廢液設備(未圖示)。
在周壁部241的周圍，配設有捕獲從保持於第1基板保持單元205或第2基板保持單元206b之基板W所飛濺之處理液的捕獲杯(未圖示)。捕獲杯係連接於設置在基板處理裝置1外的廢液設備(未圖示)。板支撐軸214與底壁部240之中心部之間，係由圓環狀之密封構件243所密封。
蓋構件239係在腔本體237的上方，以中心位於基板W之旋轉軸線A1上的方式，呈水平姿勢地配置。於蓋構件239，結合有蓋升降單元254。蓋升降單元254，例如包含有電動馬達、以及傳遞電動馬達之動力的傳動機構(滾珠螺桿機構等)。藉由蓋升降單元254的驅動，蓋構件239係在將腔本體237之開口238予以封閉的蓋關閉位置、與退避至較腔本體237更靠上方而開放腔本體237之開口238的蓋開放位置間升降。
蓋構件239的下表面含有水平且平坦的圓形狀之中央部239a。蓋構件239之下表面的中央部239a係對向於由第1基板保持單元205所保持基板W之上表面的中央部、或由加熱板206所保持基板W之上表面的中央部。
在蓋構件239之下表面的周緣部239c，橫跨全周地設置有密封環253。密封環253係由例如合成樹脂等之彈性材料所製成。在蓋構件239位於蓋關閉位置時，被配置在蓋構件239下表面之周緣部239c的密封環253，係於在圓周方向之全域抵接於腔本體237的上端面241a，將蓋構件239與腔本體237間予以密封。在除了蓋構件239下表面之中央部239a及周緣部239c外的區域，形成有與蓋構件239同心的圓筒狀之上環狀溝239b。
如圖2所示，清洗液上配管244、有機溶劑上配管245及氮氣上配管246係插入在蓋構件239下表面之中央部239a開口的孔穴中。
清洗液上配管244的下端，係在蓋構件239下表面之中央部239a開口，而形成清洗液吐出口247。於清洗液上配管244，連接有清洗液供應源。對清洗液上配管244，清洗液係供應自清洗 液供應源。在清洗液上配管244，介設有控制清洗液之供應的清洗液上閥248。
有機溶劑上配管245的下端，係在蓋構件239下表面之中央部239a開口，而形成有機溶劑吐出口249。於有機溶劑上配管245，連接有有機溶劑供應源。對有機溶劑上配管245，IPA係供應自IPA供應源IPA。在有機溶劑上配管245，介設有控制IPA之供應的有機溶劑閥250。藉由有機溶劑上配管245及有機溶劑閥250，構成有機溶劑供應單元208。有機溶劑供應單元亦為處理液供應單元之一例。
氮氣上配管246的下端係在蓋構件239下表面的中央部239a開口，而形成吐出作為惰性氣體一例之氮氣(N2)的氮氣吐出口251。於氮氣上配管246，連接有氮氣供應源。來自氮氣供應源的氮氣係經由形成氮氣供應通路的氮氣上配管246，被供應至氮氣吐出口251。在氮氣上配管246，介設有控制氮氣之供應的氮氣閥252。
圖6係從水平所觀察固定銷210的示意圖。如圖6所示，各固定銷210包含有結合於旋轉環211的第1下軸部271、以及一體形成於第1下軸部271上端的第1上軸部272。第1下軸部271及第1上軸部272分別為圓柱形狀。第1上軸部272係偏心於第1下軸部271的中心軸線。在第1下軸部271連結於第1上軸部272的部分，形成有前端朝上方向變細的推拔面273。
圖7係從水平所觀察可動銷212及夾具開閉單元276的示意圖。各可動銷212包含有結合於可圍繞轉動軸線A2而轉動的旋轉環211且朝鉛直方向延伸的第2下軸部274、以及在中心軸 線偏心於轉動軸線A2的狀態下被固定於第2下軸部274的第2上軸部275。第2上軸部275具有能抵接於基板W之周端的圓筒面275a。藉由第2下軸部274的旋轉，第2上軸部275的圓筒面275a係在離開基板W之旋轉軸線A1(參照圖2)的開放位置與接近旋轉軸線A1的保持位置間進行位移。各可動銷212係連接於夾具開閉單元276。夾具開閉單元276係藉由使第2上軸部275的位置在開放位置與保持位置間進行位移，而執行或停止基板W的夾持。
如圖6所示，在藉由複數根固定銷210從下方支撐基板W的狀態下，基板W之周端係抵接於各固定銷210的推拔面273。在該狀態下，複數根可動銷212的第2上軸部275係從開放位置位移於保持位置(參照圖7)。若各第2上軸部275從開放位置位移至保持位置，圓筒面275a便抵接於基板W的周端，並且抵接於圓筒面275a的接觸部分(基板W周端的一部分)便朝基板W的內側被推擠。藉此，隔著旋轉軸線A1而位於上述接觸部分相反側的對向部分(基板W周端的一部分)，便被押抵於隔著旋轉軸線A1而位於可動銷212相反側的固定銷210之第1上軸部272。如此，藉由使複數根可動銷212的第2上軸部275從開放位置位移至保持位置，使複數根可動銷212從開放位置(參照後述之圖10)位移至關閉位置(參照後述之圖8)。藉此，基板W便由複數根固定銷210及複數根可動銷212被夾持為水平姿勢。
另外，亦可取代以圓筒面275a押抵基板W的周端之構成，而採用在圓筒面275a具有朝向旋轉軸線A1側且朝水平方向開口之V溝的複數根可動銷212。即便利用此一複數根可動銷212，仍可藉由使構成該V溝的上下之推拔面抵接於基板W的周端，而 夾持基板W。
圖8~圖10係沿圖7所示VIII-VIII線的剖視圖。圖8係表示可動銷212位於關閉位置之狀態的示意圖。圖9係表示可動銷212從關閉位置移動至開放位置之狀態的示意圖。圖10係表示可動銷212位於開放位置之狀態的示意圖。參照圖7~圖10，並針對夾具開閉單元276的構成進行說明。
夾具開閉單元276係僅在必要的情形時才會使可動銷212從關閉位置移動至開放位置之隨時關閉的單元。夾具開閉單元276包含有驅動用永久磁石277、銷側永久磁石278、操縱環279、操縱桿280、及桿操縱單元281。
驅動用永久磁石277係在可動銷212之第2下軸部274的外側，被配置於旋轉環211的上表面211a。驅動用永久磁石277例如以使磁極方向沿第1基板保持單元205之旋轉半徑方向的方式，被固定於上表面211a。於本實施形態中，驅動用永久磁石277的N極係朝向加熱板206的內側。另一方面，驅動用永久磁石277的S極係朝向加熱板206的外側。
銷側永久磁石278係厚壁之圓環狀體或圓筒體狀的磁石。銷側永久磁石278係外嵌固定於第2下軸部274的中途部。銷側永久磁石278的中心軸線係與可動銷212的轉動軸線A2一致。銷側永久磁石278的外周面係對向於驅動用永久磁石277的N極性。在銷側永久磁石278中，N極性部282與S極性部283係在圓周方向上被設置於不同的位置。於本實施形態中，S極性部283係於從上方觀察可動銷212的俯視時，相對於N極性部282以轉動軸線A2為中心朝逆時針例如約偏移90°。
操縱環279係在旋轉環211的上表面211a與銷側永久磁石278之間被外嵌固定於第2下軸部274。操縱環279的中心軸線係與可動銷212的轉動軸線A2一致。
操縱環279包含有圓柱狀部284、與一對突出片285。一對突出片285係配置於轉動軸線A2 180°的相反側，從圓柱狀部284朝旋轉半徑方向的外側延伸。一對突出片285的一者係與操縱桿280相抵接而被操作的被操作片286。一對突出片285的另一者係位於銷側永久磁石278的N極性部282的上方。操縱環279係設置為能與銷側永久磁石278一體地旋轉。若操縱環279旋轉，銷側永久磁石278的外周面中，對向於驅動用永久磁石277之N極性的部分便會旋轉。
操縱桿280係配置於加熱板206的下方空間。操縱桿280係以不會接觸於加熱板206的方式，而形成對應於加熱板206之下表面之凹凸形狀的曲柄狀。操縱桿280具有例如棒狀的前端部280a。操縱桿280的前端部280a係從加熱板206朝向外側(離開旋轉軸線A1的方向)延伸。操縱桿280係設置為能沿水平方向的既定方向滑動。操縱桿280的前端部280a係藉由按押被操作片286使被操作片286轉動，而使可動銷212從關閉位置移動至開放位置。
於操縱桿280，結合有桿操縱單元281。雖未圖示，但桿操縱單元281，例如為包含由加熱板206所保持的汽缸本體、以及能相對於汽缸本體進行移動的桿之空氣汽缸。藉由桿操縱單元281的驅動，操縱桿280係在前端部280a退避至被操作片286側邊的退避位置(圖8所示位置)與後述解除位置(圖10所示位置)之間，朝水平方向滑動。
如圖7及圖8所示，在可動銷212的關閉位置，第2上軸部275被配置於保持位置。在關閉位置，驅動用永久磁石277的N極性、與銷側永久磁石278的S極性部283係彼此相對向。另一方面，如圖10所示，在可動銷212的開放位置，第2上軸部275被配置於開放位置。在開放位置，驅動用永久磁石277的N極性與銷側永久磁石278的N極性部282係彼此相對向。第2上軸部275的開放位置係於俯視時，為以轉動軸線A2為中心，而從第2上軸部275的保持位置朝逆時針轉動約90°的位置。
如圖8所示，在可動銷212的關閉位置，驅動用永久磁石277的N極性與銷側永久磁石278的S極性部283係相對向。所以，在驅動用永久磁石277與銷側永久磁石278的S極性部283之間，產生沿銷側永久磁石278之徑向的相吸磁力。所以，在可動銷212的關閉位置，銷側永久磁石278被保持為N極性部282對向於驅動用永久磁石277的姿勢。藉此，第2上軸部275被保持於保持位置。在可動銷212的關閉位置，操縱桿280係藉由桿操縱單元281而退避至退避位置。
當使可動銷212從關閉位置移動至開放位置時，如圖9所示，桿操縱單元281使操縱桿280移動，而使操縱桿280的前端部280a抵接於被操作片286。在抵接於被操作片286後，持續利用桿操縱單元281進行操縱桿280的移動。操縱桿280的前端部280a係於俯視時，一邊保持與被操作片286抵接的狀態，一邊以轉動軸線A2為中心朝逆時針轉動。藉此，被操作片286便反抗驅動用永久磁石277與銷側永久磁石278間的相吸磁力，而圍繞轉動軸線A2進行轉動。第2下軸部274及第2上軸部275係隨被操作片 286的轉動，而圍繞轉動軸線A2進行轉動。隨操縱桿280朝解除位置的移動，第2上軸部275位移至開放位置，藉此，使可動銷212位於開放位置。
如圖10所示，在可動銷212的開放位置，藉由桿操縱單元281，操縱桿280被保持於解除位置。又，驅動用永久磁石277的N極性與銷側永久磁石278的N極性部282相對向。所以，在驅動用永久磁石277與銷側永久磁石278之間，產生反斥磁力。該反斥磁力係朝圓周方向作用於銷側永久磁石278。更具體而言，俯視時朝順時針的力，會作用於銷側永久磁石278。然而，因為操縱桿280與被操作片286相卡合，因此第2上軸部275與被操作片286不會轉動。所以，第2上軸部275仍被保持於開放位置。
當使可動銷212從開放位置移動至關閉位置時，桿操縱單元281使操縱桿280移動，而使操縱桿280返回退避位置。如前述，在第2上軸部275位於開放位置的情形時，順時針的力會作用於銷側永久磁石278。所以，若操縱桿280返回退避位置，而解除操縱桿280的前端部280a與被操作片286之卡合，則銷側永久磁石278便朝俯視時之順時針旋轉。藉此，第2上軸部275從開放位置位移至保持位置。藉此，可動銷212位移至關閉位置。
另外，N極及S極的極性方向被反轉的驅動用永久磁石277，亦可配置於旋轉環211的上表面211a。伴隨於此，亦可使銷側永久磁石278的N極性部282及S極性部283的極性方向反轉。
再者，於前述之說明中，已針對在第2上軸部275位於開放位置時，反斥磁力作用於驅動用永久磁石277與銷側永久磁石278之間，而在第2上軸部275位於保持位置時，相吸磁力則作 用於驅動用永久磁石277與銷側永久磁石278之間的例子進行說明。
然而，驅動用永久磁石277及銷側永久磁石278亦可構成為在第2上軸部275位於開放位置時，使相吸磁力作用於驅動用永久磁石277與銷側永久磁石278之間，而在第2上軸部275位於保持位置時，使反斥磁力作用於驅動用永久磁石277與銷側永久磁石278之間。
如圖1所示，控制裝置3例如，由微電腦等所構成。控制裝置3係依照預定之程式，對環旋轉單元213、伸縮驅動單元225、板升降單元216、機械臂擺動單元230、蓋升降單元254、夾具開閉單元276、及桿操縱單元281等的動作進行控制。又，控制裝置3係調整對加熱器215所供應的電力。又，控制裝置3係對第1藥液下閥221、第2藥液下閥222、清洗液下閥223、第1藥液閥232、第2藥液閥234、清洗液閥236、清洗液上閥248、有機溶劑閥250、及氮氣閥252等的開閉進行控制。
圖11係放大地表示由處理單元202所處理基板W之表面的剖視圖。處理對象的基板W例如，為矽晶圓。在作為基板W之圖案形成面的表面(上表面100)，形成有圖案101。
圖案101亦可如圖11所示，為由具有凸形狀(柱狀)之構造體102以行列狀配置的圖案。於該情形時，構造體102的線寬W1，例如為10nm~45nm左右。又，圖案101的間隙W2，例如為10nm~數μm左右。圖案101的膜厚T，例如為50nm~5μm左右。又，圖案101的縱橫比(膜厚T對線寬W1的比)亦可為例如5~500左右(具代表性的為5~50左右)。
圖案101包含有例如絕緣膜。又，圖案101亦可含有導體膜。更具體而言，圖案101亦可由經積層之複數層膜的積層膜所形成。積層膜亦可含有絕緣膜與導體膜。圖案101亦可為由單層膜所構成的圖案。絕緣膜亦可為氧化矽膜(SiO2膜)或氮化矽膜(SiN膜)。又，導體膜亦可為導入有低電阻化用之雜質的非晶矽膜，亦可為金屬膜(例如金屬佈線膜)。
另外，圖案101亦可為重複排列由微細之溝渠所形成線狀之圖案者。又，圖案101亦可藉由在薄膜設置複數個微細孔(孔洞(void)或孔隙(pore))而形成。
圖12係用以說明由處理單元202所執行基板W之第1處理例的程序圖。圖13A~圖13I係用以說明第1處理例的示意圖。圖14A~圖14D係用以說明第1處理例中基板W上表面之狀態之示意性的剖視圖。圖15及圖16係從水平觀察第1基板保持單元205及第2基板保持單元206b時的鉛直剖視圖。圖15係表示基板高溫化步驟(S10)時，圖16係表示有機溶劑排出步驟(S11)時。圖17係表示有機溶劑置換步驟(S9)、基板高溫化步驟(S10)及有機溶劑排出步驟(S11)中，IPA之吐出流量之變化、及基板W之旋轉速度之變化的圖。
以下，參照圖1及圖2。適當參照圖11~圖17。另外，以下說明中「基板W的表面(上表面)」，包含基板W本身的表面(上表面)及圖案101的表面(上表面)。
在利用處理單元202處理基板W時，進行將未處理之基板W搬入外腔204內的基板搬入步驟(步驟S1)。在基板搬入步驟(S1)之前，控制裝置3係預先將加熱器215導通(通電狀態)， 並使加熱板206配置於從由第1基板保持單元205所進行基板W的保持位置，朝下方大幅地退避的下位置。又，控制裝置3係使所有噴嘴從第1基板保持單元205的上方退避。又，控制裝置3係使所有可動銷212呈開放狀態。
於基板搬入步驟(S1)中，控制裝置3係使保持著基板W的搬送機器人CR(參照圖1)之機械臂H進入外腔204內，並利用搬送機器人CR將基板W載置於第1基板保持單元205上。藉此，基板W係於圖案形成面(表面)朝上的狀態下，利用第1基板保持單元205的複數根固定銷210從下方支撐。然後，控制裝置3係使複數根可動銷212均移動至關閉位置。藉此，如圖13A所示，基板W係由複數根固定銷210及複數根可動銷212以水平姿勢挾持(圖13A僅圖示固定銷210)。控制裝置3係在基板W被交持給第1基板保持單元205後，便使搬送機器人CR的機械臂H從外腔204內退避。
當由複數根固定銷210及複數根可動銷212挾持基板W，控制裝置3便控制環旋轉單元213，而開始進行基板W的旋轉。基板W的旋轉速度係上升至預定之液處理旋轉速度v2(參照圖17。例如為300rpm~500rpm左右)，並維持於液處理旋轉速度v2。
另外，從基板搬入步驟(S1)起，加熱器215便被控制為導通狀態，使加熱板206處於發熱狀態。然而，因為位於下位置的加熱板206與由第1基板保持單元205所保持的基板W間之間隔夠大，因此來自加熱板206的熱無法充分地到達基板W。
接著，進行對基板W供應第1藥液的第1藥液步驟(步驟S2)。
具體而言，如圖13B所示，控制裝置3係藉由控制機械臂擺動 單元230，使機械臂229從起始位置擺動，而使第1藥液噴嘴226從退避位置移動至基板W的上方。藉此，使第1藥液噴嘴226被配置於處理位置(第1藥液噴嘴226對向於基板W之上表面中央部的位置)。在第1藥液噴嘴226被配置於處理位置後，控制裝置3便一邊關閉第2藥液閥234及清洗液閥236，一邊開啟第1藥液閥232。藉此，從第1藥液噴嘴226的吐出口吐出第1藥液。又，控制裝置3係一邊關閉第2藥液下閥222及清洗液下閥223，一邊開啟第1藥液下閥221。藉此，從下吐出口220朝上方吐出第1藥液。
供應至基板W上表面之中央部的第1藥液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之上表面朝向基板W之周緣部流動。另一方面，供應至基板W下表面之中央部的第1藥液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之下表面朝基板W之周緣部流動。藉此，第1藥液被供應至基板W之上表面全域及下表面全域，而對基板W上表面及下表面之全域施行利用第1藥液所進行的處理。到達基板W之上表面周緣部及下表面周緣部的第1藥液，係朝基板W的側邊飛散。所以，第1藥液的液滴便從基板W的周緣部朝外側飛散。
從基板W周緣部飛散的第1藥液，係由腔本體237周壁部241的內壁所承接，並在該內壁上傳遞而滯留於腔本體237的底部。滯留於腔本體237底部的第1藥液，係經由廢液路(未圖示)被送至廢液設備(未圖示)，並利用廢液設備進行處理。第1藥液亦可不送至廢液設備，而送至回收設備進行再利用。
若從第1藥液開始吐出並經過預定的時間，控制裝置3便關閉第1藥液閥232及第1藥液下閥221，停止從第1藥液噴 嘴226及下吐出口220所進行第1藥液的吐出。
接著，進行用以從基板W去除第1藥液的第1清洗步驟(步驟S3)。
具體而言，如圖13C所示，控制裝置3係藉由控制機械臂擺動單元230使機械臂229擺動，而使清洗液噴嘴228被配置於處理位置。在清洗液噴嘴228被配置於處理位置後，控制裝置3係一邊關閉第1藥液閥232及第2藥液閥234，一邊開啟清洗液閥236。藉此，從清洗液噴嘴228的吐出口吐出清洗液。又，控制裝置3係一邊關閉第1藥液下閥221及第2藥液下閥222，一邊開啟清洗液下閥223。藉此，從下吐出口220朝上方吐出清洗液。
供應至基板W上表面之中央部的清洗液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之上表面朝向基板W之周緣部流動。另一方面，供應至基板W下表面之中央部的清洗液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之下表面朝向基板W之周緣部流動。藉此，對基板W之上表面全域及下表面全域供應清洗液，而沖洗掉附著於基板W之上表面及下表面的第1藥液。到達基板W之上表面周緣部及下表面周緣部的清洗液，會朝向基板W的側邊飛散。所以，清洗液的液滴會從基板W的周緣部朝外側飛散。
從基板W之周緣部飛散的清洗液，係由腔本體237之周壁部241的內壁所承接，並在該內壁上傳遞而滯留於腔本體237的底部。滯留於腔本體237底部的清洗液，係經由廢液路(未圖示)被送至廢液設備(未圖示)，並利用廢液設備進行處理。
若從清洗液開始吐出並經過預定的時間，控制裝置3 便關閉清洗液閥236及清洗液下閥223，而停止從清洗液噴嘴228及下吐出口220所進行清洗液的吐出。
接著，進行對基板W供應第2藥液的第2藥液步驟(圖12的步驟S4)。
具體而言，如圖13D所示，控制裝置3係藉由控制機械臂擺動單元230，使機械臂229擺動，而使第2藥液噴嘴227被配置於處理位置。在第2藥液噴嘴227被配置於處理位置後，控制裝置3便一邊關閉第1藥液閥232及清洗液閥236，一邊開啟第2藥液閥234。藉此，從第2藥液噴嘴227的吐出口吐出第2藥液。又，控制裝置3係一邊關閉第1藥液下閥221及清洗液下閥223，一邊開啟第2藥液下閥222。藉此，從下吐出口220朝上方吐出第2藥液。
供應至基板W上表面之中央部的第2藥液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之上表面朝向基板W之周緣部流動。另一方面，供應至基板W下表面之中央部的第2藥液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W下表面朝向基板W之周緣部流動。藉此，第2藥液被供應至基板W之上表面全域及下表面全域，而對基板W上表面及下表面之全域施行利用第2藥液所進行的處理。到達基板W之上表面周緣部及下表面周緣部的第2藥液，係朝基板W的側邊飛散。所以，第2藥液的液滴便從基板W的周緣部朝外側飛散。
從基板W周緣部飛散的第2藥液，係由腔本體237周壁部241的內壁所承接，並在該內壁上傳遞而滯留於腔本體237的底部。滯留於腔本體237底部的第2藥液，係經由廢液路(未圖示)被送至廢液設備(未圖示)，並利用廢液設備進行處理。第2藥液 亦可不送至廢液設備，而送至回收設備進行再利用。
若從第2藥液開始吐出並經過預定的時間，控制裝置3便關閉第2藥液閥234及第2藥液下閥222，停止從第2藥液噴嘴227及下吐出口220所進行第2藥液的吐出。
接著，進行用以從基板W去除第2藥液的第2清洗步驟(圖12的步驟S5。再次參照圖13C)。
具體而言，控制裝置3係藉由控制機械臂擺動單元230使機械臂229擺動，而使清洗液噴嘴228被配置於處理位置。在清洗液噴嘴228被配置於處理位置後，控制裝置3係一邊關閉第1藥液閥232及第2藥液閥234，一邊開啟清洗液閥236。藉此，從清洗液噴嘴228的吐出口吐出清洗液。又，控制裝置3係一邊關閉第1藥液下閥221及第2藥液下閥222，一邊開啟清洗液下閥223。藉此，從下吐出口220朝上方吐出清洗液。
供應至基板W上表面之中央部的清洗液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之上表面朝向基板W之周緣部流動。另一方面，供應至基板W下表面之中央部的清洗液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之下表面朝向基板W之周緣部流動。藉此，對基板W之上表面全域及下表面全域供應清洗液，而沖洗掉附著於基板W之上表面及下表面的第2藥液。到達基板W之上表面周緣部及下表面周緣部的清洗液，係朝基板W的側邊飛散。所以，清洗液的液滴會從基板W之周緣部朝外側飛散。從基板W之周緣部飛散的清洗液係如前述，被送至廢液設備(未圖示)，並進行處理。
若從清洗液開始吐出並經過預定的時間，控制裝置3 便關閉清洗液閥236及清洗液下閥223，停止從清洗液噴嘴228及下吐出口220進行清洗液的吐出。接著，再次進行對基板W供應第1藥液的第1藥液步驟(步驟S6)。
具體而言，再次參照圖13B，控制裝置3係藉由控制機械臂擺動單元230，使機械臂229擺動，而使第1藥液噴嘴226被配置於處理位置。在第1藥液噴嘴226被配置於處理位置後，控制裝置3係一邊關閉第2藥液閥234及清洗液閥236，一邊開啟第1藥液閥232。藉此，從第1藥液噴嘴226的吐出口吐出第1藥液。又，控制裝置3係一邊關閉第2藥液下閥222及清洗液下閥223，一邊開啟第1藥液下閥221。藉此，從下吐出口220朝上方吐出第1藥液。
供應至基板W上表面之中央部的第1藥液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之上表面朝向基板W之周緣部流動。另一方面，供應至基板W下表面之中央部的第1藥液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之下表面朝向基板W之周緣部流動。藉此，第1藥液被供應至基板W之上表面全域及下表面全域，而對基板W上表面及下表面之全域施行利用第1藥液所進行的處理。到達基板W之上表面周緣部及下表面周緣部的第1藥液，係朝基板W的側邊飛散。所以，第1藥液的液滴便從基板W的周緣部朝外側飛散。從基板W之周緣部飛散的第1藥液係如前述，被送至廢液設備(未圖示)，並進行處理。
若從第1藥液開始吐出並經過預定的時間，控制裝置3便關閉第1藥液閥232及第1藥液下閥221，停止從第1藥液噴嘴226及下吐出口220所進行第1藥液的吐出。接著，進行用以從 基板W去除第1藥液的第3清洗步驟(步驟S7)。
具體而言，再次參照圖13C，控制裝置3係藉由控制機械臂擺動單元230使機械臂229擺動，而使清洗液噴嘴228被配置於處理位置。在清洗液噴嘴228被配置於處理位置後，控制裝置3係一邊關閉第1藥液閥232及第2藥液閥234，一邊開啟清洗液閥236。藉此，從清洗液噴嘴228的吐出口吐出清洗液。又，控制裝置3係一邊關閉第1藥液下閥221及第2藥液下閥222，一邊開啟清洗液下閥223。藉此，從下吐出口220朝上方吐出清洗液。
供應至基板W上表面之中央部的清洗液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之上表面朝向基板W之周緣部流動。另一方面，供應至基板W下表面之中央部的清洗液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之下表面朝向基板W之周緣部流動。藉此，對基板W之上表面全域及下表面全域供應清洗液，而沖洗掉附著於基板W之上表面及下表面的第1藥液。到達基板W之上表面周緣部及下表面周緣部的清洗液，會朝向基板W的側邊飛散。所以，清洗液的液滴會從基板W的周緣部朝外側飛散。從基板W周緣部飛散的清洗液係如前述，被送至廢液設備(未圖示)並進行處理。
若從清洗液開始吐出並經過預定的時間，控制裝置3便關閉清洗液閥236及清洗液下閥223，而停止從清洗液噴嘴228及下吐出口220所進行清洗液的吐出，並且控制機械臂擺動單元230，使機械臂229返回起始位置。藉此，使第1藥液噴嘴226、第2藥液噴嘴227及清洗液噴嘴228返回退避位置。
接著，控制裝置3控制蓋升降單元254，如圖13E所 示，使蓋構件239下降至蓋關閉位置。利用下降至蓋關閉位置的蓋構件239，使腔本體237的開口238被封閉。在該狀態下，若藉由鎖構件(未圖示)將蓋構件239與腔本體237結合，配置於蓋構件239下表面之周緣部239c的密封環253，便橫跨其圓周方向之全域抵接於腔本體237的上端面241a，而將腔本體237與蓋構件239之間予以密封。藉此，使腔本體237及蓋構件239的內部空間被密閉。在該狀態下，清洗液吐出口247、有機溶劑吐出口249及氮氣吐出口251係分別被配置為與基板W之上表面相對向。
接著，對基板W進行最終清洗步驟(步驟S8)。
具體而言，如圖13E所示，控制裝置3係開啟清洗液上閥248，從清洗液上配管244的清洗液吐出口247吐出清洗液。從清洗液吐出口247吐出的清洗液係滴落於基板W上表面的中央部。
供應至基板W上表面之中央部的清洗液，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之上表面朝向基板W之周緣部流動。藉此，對基板W之上表面全域供應清洗液，而對基板W之上表面進行清洗處理。
在最終清洗步驟(S8)中，如圖14A所示，清洗液係遍及形成於基板W之上表面100之圖案101之間隙的底部(該間隙中極為接近基板W本身之上表面100的位置)。
再者，從基板W周緣部飛散的清洗液，係由腔本體237周壁部241的內壁所承接，並在該內壁傳遞而滯留於腔本體237的底部。滯留於腔本體237底部的清洗液，係經由廢液路(未圖示)被送至廢液設備(未圖示)，並利用廢液設備進行處理。
若從清洗液開始吐出並經過預定的時間，控制裝置3 便關閉清洗液上閥248，而停止從清洗液吐出口247所進行清洗液吐出。
在最終清洗步驟(S8)結束後，控制裝置3便如圖17所示，使基板W從液處理旋轉速度v2加速至高旋轉速度v3(第1旋轉速度及第2旋轉速度。例如為800rpm)。接著，對基板W的上表面供應IPA液體，進行以IPA置換基板W上表面之清洗液的有機溶劑置換步驟(步驟S9)。
若基板W的旋轉速度到達高旋轉速度v3，控制裝置3便如圖13F所示，開啟有機溶劑閥250，而從有機溶劑上配管245的有機溶劑吐出口249吐出IPA液體。藉此，開始進行IPA的吐出。從有機溶劑吐出口249所吐出的IPA，係為常溫(例如25℃)、即具有未滿IPA之沸點(82.4℃)之液溫的液體。從有機溶劑吐出口249所吐出的IPA液體，係滴落於基板W上表面的中央部。藉由開始吐出IPA，便開始進行有機溶劑置換步驟(S9)。
供應至基板W上表面之中央部的IPA液體，受到因基板W旋轉所產生的離心力，而在基板W之上表面朝向基板W之周緣部流動。所以，供應至基板W上表面之中央部的IPA液體便可朝向周緣部擴展。藉此，可使IPA液體遍及基板W上表面之全域。此時，加熱板206係位於下位置，來自加熱板206的熱未充分地傳導至基板W。所以，基板W上表面的溫度例如為常溫，IPA液體係在維持為常溫的狀態下，於基板W的上表面流動。
控制裝置3係如圖17所示，在進行有機溶劑置換步驟(S9)的同時，進行如下之步驟：以高旋轉速度v3使基板W旋轉的第1高速旋轉步驟(步驟S91)；以及接在第1高速旋轉步驟(S91) 之後，以積水速度v1(趨近零的低速。例如在未滿50rpm的範圍內，例如約為20rpm)使基板W旋轉的積水步驟(步驟S92)。
具體而言，控制裝置3係在有機溶劑置換步驟(S9)開始後既定之高速旋轉時間t1(例如約15秒鐘)的期間，使基板W以高旋轉速度v3旋轉(第1高速旋轉步驟(S91))。在經過高速旋轉時間t1之後，控制裝置3便使基板W的旋轉速度從高旋轉速度v3降低至積水速度v1。隨著基板W的減速，作用於基板W上的IPA液體之離心力變小，IPA液體不會從基板W周緣部被排出而滯留於基板W之上表面。其結果，在基板W上表面保持有處於積水狀態的IPA之液膜111(積水步驟(S92))。因為IPA液體遍及基板W上表面之全域，因此IPA的液膜111係覆蓋基板W上表面的全域。IPA的液膜111具有既定之膜厚(例如1mm左右)。
因為IPA液體係供應至基板W的上表面，因此如圖14B所示，可良好地置換存在於圖案101之間隙的清洗液。又，因為形成有覆蓋基板W上表面之全域的IPA之液膜111，因此在基板W上表面的全域，可將清洗液良好地置換為IPA液體。在經過積水時間t2(例如約15秒鐘)後，控制裝置3便控制環旋轉單元213，使基板W的旋轉停止。
另外，雖然已針對積水步驟(S92)中，以低速的積水速度v1使基板W旋轉之例子進行說明，但亦可在積水步驟(S92)中，使基板W的旋轉停止，而將基板W的旋轉速度維持為零。於該情形時，在積水步驟(S92)中，作用於基板W上的IPA液體之離心力係為零，IPA液體不會從基板W的周緣部被排出，而滯留於基板W的上表面，在基板W的上表面，保持有處於積水狀態的IPA 之液膜111。
在進行有機溶劑置換步驟(步驟S9)後，執行基板高溫化步驟(步驟S10)。
控制裝置3係控制板升降單元216，使加熱板206從下位置(圖13F所示之位置)上升至上位置(圖13G所示之位置)。若使加熱板206上升至與旋轉環211相同的高度，加熱板206便抵接於基板W的下表面。若控制裝置3使加熱板206持續上升，基板W便離開第1基板保持單元205，而僅由加熱板206支撐基板W。藉此，基板W從第1基板保持單元205被交接至加熱板206。交接至加熱板206的基板W，係由複數根支撐銷261從下方所支撐。在基板W被交接後加熱板206仍持續上升，當到達上位置時便停止加熱板206的上升。加熱板206被配置於上位置的狀態，係如圖13G及圖15所示。
因為加熱器215被控制成隨時導通的狀態，因此加熱板206(基板對向面206a)係處於發熱狀態。在加熱板206上載置有基板W的狀態下，來自基板對向面206a的熱被施加於基板W的下表面。藉此，使基板W被加熱，而使基板W上IPA之液膜111亦被加熱。被施加於基板W每單位面積熱量係於基板W之全域大致均勻。
在基板高溫化步驟(S10)中，藉由加熱板206對基板W的加熱，使基板W的上表面升溫至預定的液膜浮上溫度(第1溫度)TE1。液膜浮上溫度TE1係設定為較IPA之沸點(82.4℃)高例如10~50℃之範圍的既定溫度。又，如下所述，雖然在基板高溫化步驟(S10)中，IPA之液膜111係從基板W的上表面浮上，但液膜浮 上溫度TE1係不會使浮上的IPA液膜111沸騰的溫度。
在基板W上表面的溫度到達液膜浮上溫度TE1後，基板W上表面的溫度(圖案101(參照圖14C等)上表面的溫度，更詳細而言係各構造體102之上端面102A的溫度)係維持於液膜浮上溫度TE1。基板W上表面之全域係維持於液膜浮上溫度TE1。此時，加熱器215每單位時間的發熱量係以使載置於加熱板206的基板W的上表面維持為液膜浮上溫度TE1之方式設定。
若從基板W上表面的溫度到達液膜浮上溫度TE1後經短暫的時間，圖案101的間隙便由IPA液膜111所生成的IPA蒸發充滿。又，IPA的蒸發會在基板W上表面(各構造體102的上端面102A)的上方空間形成IPA的氣相112。藉此，IPA液膜111便從基板W的上表面(各構造體102的上端面102A)浮上(參照圖14C)。又，圖案101的間隙係由IPA的氣相112所充滿。
例如，當圖案101的間隙被IPA液體充滿時，若在該狀態下使基板W乾燥，便會施加將鄰接之構造體102彼此拉近的力(表面張力)。所以，存在有圖案101會崩潰的可能性。
相對於此，在圖14C的狀態下，圖案101的間隙係由IPA的氣相112所充滿。所以，可抑制或防止因表面張力所造成圖案101的崩潰。
然後，在圖14C所示之狀態下，因為IPA的液膜111會從基板W的上表面(各構造體102的上端面102A)浮上，因此在基板W之上表面與IPA之液膜111間所生成摩擦力的大小便趨近於零。
基板高溫化步驟(S10)的執行期間係至少設定為圖案 101間隙中所有的IPA液體均氣化，且使IPA的液膜111在基板W上表面的全域浮上的長度。基板高溫化步驟(S10)的執行期間係指從加熱板206保持基板W之後的時間。在第1處理例中，基板高溫化步驟(S10)的執行期間，例如為1~2分鐘。
在圖案101的縱橫比較高的情形時，IPA液體與構造體102之接觸面積會增加。於該情形時，因為存在於相鄰之2個構造體102間之空間的IPA液量會增加，因此為了使IPA液體蒸發就需要更大的熱量。所以，最佳為根據圖案101之縱橫比的大小，來調節液膜浮上溫度TE1與基板高溫化時間。
但是，浮上於基板W上方的IPA之液膜111有發生龜裂、斷裂(以下稱為「龜裂等113」)的情形。發生龜裂等113的結果，在該部分會於IPA液體與基板W之間形成固液界面，而存在有於基板W乾燥時發生因表面張力而造成圖案101崩潰的可能性。又，在發生龜裂等113的部分，存在有於乾燥後亦會有發生水痕等缺陷的可能性。所以，在基板高溫化步驟(S10)中，必須抑制或防止浮上的IPA液膜111發生龜裂等113。
作為浮上的IPA液膜111會發生龜裂等113的要因，可列舉如下之2個要因。
第1個要因係因基板W長時間的加熱而導致大量IPA蒸氣的生成、及/或IPA之液膜111的沸騰。若生成大量的IPA蒸氣，IPA的氣相112便會突破位於其上方的IPA之液膜111，並從該IPA之液膜111朝上方噴出。其結果，會有IPA的液膜111發生龜裂等113的可能性。關於IPA之液膜111的沸騰亦同，會有IPA的液膜111發生龜裂等113的可能性。
關於該第1個要因，在第1處理例中，係以藉由將基板高溫化步驟(S10)中液膜浮上溫度TE1及基板高溫化步驟(S10)之執行期間分別設定為不會發生龜裂等113的範圍之方式來對應。並且，在基板高溫化步驟(S10)中，亦藉由持續進IPA液體的供應，而在基板高溫化步驟(S10)的整個期間，使浮上的IPA液膜111維持為不會發生龜裂等113之程度的厚度。
發生龜裂等113的第2個要因，係因受到伴隨著基板W之旋轉所產生的離心力，而發生IPA之液膜111的分裂。關於第2個要因，在第1處理例中，係在基板高溫化步驟(S10)中停止基板W的旋轉。所以，可防止IPA之液膜111發生因離心力所造成的分裂。藉此，可防止龜裂等等113的發生。
在基板高溫化步驟(S10)之後，接著執行將位於IPA之氣相112上方之IPA的液膜111，以液塊的狀態予以排除的有機溶劑排除步驟(步驟S11)。
具體而言，當從基板W被交接至加熱板206後經過預定的時間，控制裝置3便如圖13G及圖16所示，控制伸縮驅動單元225而使加熱板206從水平姿勢變更為傾斜姿勢。
以下，一邊參照圖16，一邊詳述加熱板206的姿勢變更。此處，將3個伸縮單元224中之1個稱為「伸縮單元224a」，並將其餘2個稱為「伸縮單元224b」。
在使加熱板206從水平姿勢變化為傾斜姿勢時，一邊使1個伸縮單元224a的長度保持原狀，一邊使其他2個伸縮單元224b(圖16中僅圖示1個)的長度伸長為較長的狀態。此時2個伸縮單元224b的伸長量彼此相等。藉此，可使加熱板206姿勢變更為 傾斜姿勢。加熱板206的傾斜姿勢，基板對向面206a係傾斜於水平面。此時的傾斜角度，例如約為1°。亦即，加熱板206的傾斜姿勢，基板對向面206a係傾斜於水平面例如約1°。藉此，由加熱板206所支撐基板W的上表面亦傾斜於水平面例如約1°。此時，加熱板206有關加熱板206圓周方向上對應於2個伸縮單元224b中間的位置係為最高，而對應於伸縮單元224a的位置則為最低。
如圖16所示，若加熱板206傾斜，則由加熱板206所支撐的基板W亦傾斜。當基板W及加熱板206呈傾斜姿勢時，沿著基板對向面206a方向的力(作用於基板W自重的分力)就會作用於基板W。若該力大於作用於基板W與支撐銷261之間的摩擦力，則存在基板W會沿基板對向面206a方向移動的可能性。
基板W周緣部的最低部分(圖16中基板W的左端部)，係配置於6根固定銷210中之1根(固定銷210a)的內側。該固定銷210係並排於在加熱板206呈傾斜姿勢時最短伸縮單元224與加熱板206的徑向。如圖16所示，當加熱板206呈傾斜姿勢時，即便基板W相對於加熱板206沿基板對向面206a之方向移動，仍可利用基板W與固定銷210之接觸，而限制基板W對加熱板206的移動。藉此，可一邊確實地防止基板W從加熱板206上滑落，一邊使基板W及加熱板206雙方均保持為傾斜姿勢。
再者，因為藉由支撐基板W的固定銷210，可達成基板W從加熱板206上滑落的防止，因此相較於在固定銷210之外另行設置防滑落構件的情形，可減少零件數量並且達成本之降低。
在基板高溫化步驟(S10)結束的時間點，如前述，在基板W之上表面與IPA之液膜111間所生成摩擦力的大小趨近於 零。所以，IPA之液膜111可沿基板W的上表面輕易移動。在有機溶劑排除步驟(S11)中，因為基板W的上表面傾斜於水平面，因此IPA的液膜111會利用自重朝向傾斜之基板W周緣部的最低部分，而沿基板W之上表面移動。IPA之液膜111的移動係在不會分裂為多數小滴之情況下，維持液塊的狀態而進行。藉此，IPA之液膜111便從基板W之上方被排除。
在從基板W上方完全排除IPA之液膜111後，控制裝置3便控制伸縮單元224，使加熱板206從傾斜姿勢返回水平姿勢。又，控制裝置3係控制板升降單元216，使加熱板206從上位置下降至下位置。在加熱板206從上位置下降至下位置的途中，基板W的下表面周緣部會抵接於固定銷210的推拔面273。然後，藉由使加熱板206進一步下降，便將基板W從加熱板206交接至第1基板保持單元205。基板W係利用第1基板保持單元205的複數根固定銷210而由下方支撐。因為可動銷212係位於開放位置，因此基板W僅利用固定銷210從下方支撐，並沒有被固定銷210或可動銷212等所夾持。
再者，控制裝置3係驅動鎖構件(未圖示)，而解除蓋構件239與腔本體237之結合。然後，控制裝置3係如圖13I所示，控制蓋升降單元254，使蓋構件239上升至蓋開放位置。
在使加熱板206下降至下位置後，因為加熱板206與由第1基板保持單元205所保持基板W間之間隔夠大，因此加熱板206的熱不會充分地傳遞至基板W。藉此，結束利用加熱板206所進行基板W的加熱，而使基板W的溫度逐漸降低至常溫。
藉此，結束對1片基板W的藥液處理，並利用搬送 機器人CR(參照圖1)，將已處理的基板W從外腔204中搬出(步驟S12)。藉此，對基板W的上表面供應IPA液體，在基板W上形成覆蓋基板W上表面的IPA之液膜111，藉此以IPA之液體置換存在於圖案101之間隙的清洗液。因為IPA之液膜111覆蓋基板W上表面之全域，因此在基板W上表面之全域之可良好地置換存在於圖案101之間隙的清洗液。然後，在形成IPA之液膜111後，使基板W上表面的溫度到達液膜浮上溫度TE1。藉此，在基板W上表面之全域，於IPA之液膜111與基板W之上表面間形成IPA之氣相112，並且使IPA之液膜111浮上至該IPA之氣相112的上方。在該狀態下，因為在基板W之上表面與IPA之液膜111間所生成摩擦力的大小趨近於零，因此IPA之液膜111可沿基板W之上表面輕易地移動。
在有機溶劑排除步驟(S11)中，一邊將基板W與加熱板206的相對姿勢維持為一定，一邊使基板W及加熱板206姿勢變更而成為傾斜姿勢，以使基板W之上表面傾斜於水平面。藉此，浮上的IPA之液膜111便利用其自重，朝向傾斜之基板W之周緣部的最低部分，沿基板W之上表面移動，而從基板W的周緣部被排出。IPA之液膜111的移動係一邊在不會分裂為多數小滴而維持液塊狀態一邊進行。藉此，IPA液膜111可從基板W之上方順暢地且完全地被排除。
所以，在IPA之液膜111排除後之基板W的上表面，並沒有殘留IPA的液滴。亦即，在圖案101的間隙不會有IPA之液體殘留。所以，即便對上表面形成有圖案101的基板W進行處理時，仍可一邊抑制或防止圖案101的崩潰，一邊使基板W之上表 面良好地乾燥。
再者，在進行有機溶劑置換步驟(S9)的同時以較高旋轉速度v3低速的積水速度v1使基板W旋轉。隨此一基板W的減速，作用於基板W上的IPA液體之離心力便成為零或減小，IPA之液體就不會從基板W周緣部被排出而滯留於基板W的上表面。其結果，在基板W上表面，保持有積水狀態的IPA之液膜111。利用基板W之上表面所保持IPA之液膜111所含有的IPA，置換基板W上表面的清洗液。藉此，在基板W之上表面可更良好地以IPA置換清洗液。
再者，在積水步驟(S92)之前，執行第1高速旋轉步驟(S91)。在第1高速旋轉步驟(S91)中，使基板W以第1旋轉速度進行旋轉。藉此，基板W上的IPA液體受到因基板W的旋轉所產生的離心力，而朝向基板W的周緣部擴展。因此，可使IPA液體遍佈於基板W上表面之全域。所以，在第1高速旋轉步驟(S91)後接著執行的積水步驟(S92)中，在基板W之上表面保持有覆蓋基板W上表面之全域的積水狀態IPA之液膜111。藉此，在基板W上表面之全域便可利用IPA之液體，良好地置換基板W上表面的清洗液。
再者，在基板W未旋轉的狀態下執行基板高溫化步驟(S8)。若在基板高溫化步驟(S8)中使基板W高速旋轉，基板W的周緣部便利用基板W的旋轉而冷卻。所以，基板W之上表面周緣部的溫度存在有不會到達液膜浮上溫度TE1的可能性。於該情形時，在基板W的周緣部，存在有IPA之液膜111不會良好地浮上的可能性。
相對於此，在第1處理例中，因為在基板W未旋轉的狀態下執行基板高溫化步驟(S10)，所以可使基板W之上表面周緣部升溫至液膜浮上溫度TE1。藉此，可使IPA之液膜111在基板W上表面之全域浮上。
再者，加熱板206係一邊從下方加熱基板W，一邊從下方接觸支撐該基板W。藉由使該加熱板206從水平姿勢姿勢變更而成為傾斜姿勢，便可一邊利用加熱板206良好地保持基板W，一邊使該基板W的上表面傾斜於水平面。藉此，可一邊利用加熱板206加熱基板W，一邊使該基板W的上表面傾斜於水平面。
再者，加熱板206的周緣部係利用複數個伸縮單元224而從下方被支撐。藉由將複數個伸縮單元224的長度設為彼此相等，便可使加熱板206保持為水平姿勢。又，藉由使複數個伸縮單元224中之至少1個伸縮單元224的長度，不同於其餘的伸縮單元224，使加熱板206保持為傾斜姿勢。藉此，可藉由簡單的構成，使加熱板206在水平姿勢與傾斜姿勢之間進行姿勢變更。
圖18係用以說明由處理單元202所執行基板W之第2處理例之最終清洗步驟(S8)的示意圖。
第2處理例與第1處理例的差異，在於在最終清洗步驟(S8)及有機溶劑置換步驟(S9)中，利用加熱板206加熱基板W之上表面。一連串步驟的流程係等同於圖12所示第1處理例之情形。
在第2處理例中，在最終清洗步驟(S8)之前或最終清洗步驟(S8)中，控制裝置3係控制板升降單元216，使加熱板206從下位置(圖13A等所示的位置)上升至中間位置(圖18所示的位置)。中間位置係至少使加熱板206的基板對向面206a位於較由第 1基板保持單元205所保持基板W的下表面更下方之高度位置。加熱板206係橫跨最終清洗步驟(S8)與有機溶劑置換步驟(S9)，被配置於中間位置。
在加熱板206位於中間位置的狀態下，若加熱器215被控制為導通狀態，使加熱板206呈發熱狀態，則來自加熱板206的熱便利用熱輻射施加至由第1基板保持單元205所保持的基板W。在該狀態下，因為加熱板206與基板W係隔著間隔配置，因此施加至基板W的熱量係小於基板W被保持於加熱板206上的情形。
在第2處理例的最終清洗步驟(S8)中，藉由加熱板206所進行基板W的加熱，係使基板W的上表面升溫至預定的事前加熱溫度(第2溫度)TE2。事前加熱溫度TE2係設定為低於IPA之沸點(82.4℃)且高於常溫的既定溫度(例如約40℃~約80℃)。
在基板W的上表面溫度到達事前加熱溫度TE2後，基板W上表面的溫度(圖案101(參照圖14C等)上表面的溫度，更詳細而言，各構造體102之上端面102A的溫度)被維持為事前加熱溫度TE2。此時，在基板W上表面之全域被維持為事前加熱溫度TE2。亦即，以基板W的上表面成為事前加熱溫度TE2的方式設定加熱板206之中間位置的高度。
藉此，在第2處理例的最終清洗步驟(S8)及有機溶劑置換步驟(S9)中，基板W的上表面會被加熱至事前加熱溫度TE2。所以，接觸於基板W上表面之IPA液體的擴散係數會上升。藉此，可提高IPA的置換效率。其結果，可縮短有機溶劑置換步驟(S9)的執行期間。
再者，因為在基板W的上表面被加熱的狀態下開始 進行基板高溫化步驟(S10)，因此可縮短基板W的上表面升溫至液膜浮上溫度TE1所需要的時間。其結果，可縮短基板高溫化步驟(S10)的執行期間。
當有機溶劑置換步驟(S9)結束，控制裝置3便控制板升降單元216，使加熱板206從中間位置(圖18所示的位置)上升至上位置(圖13G等所示的位置)。藉此，基板W便脫離第1基板保持單元205，而使基板W被交接至加熱板206。接著，執行基板高溫化步驟(S10)。
另外，在第2處理例中，雖然利用加熱板206所進行基板W的加熱係從最終清洗步驟(S8)開始，但基板W的加熱亦可從有機溶劑置換步驟(S9)開始。
圖19係表示由處理單元202所執行基板W之第3處理例之IPA吐出流量之變化及基板W旋轉速度之變化的圖。
第3處理例與第1處理例的差異，在於在有機溶劑置換步驟(S9)中，於積水步驟(S92)結束後，便於基板高溫化步驟(S10)開始之前，執行第2高速旋轉步驟(步驟S93)。在第2高速旋轉步驟(S93)中，在進行有機溶劑置換步驟(S9)的同時，使基板W以較積水步驟(S92)中基板W的旋轉速度更快之速度進行旋轉。
具體而言，在積水步驟(S92)結束後，控制裝置3係使基板W從積水速度v1加速至高旋轉速度v3(例如800rpm)。基板W係在既定高速旋轉時間t3(例如約5秒鐘)的期間內，以高旋轉速度v3進行旋轉。藉由基板W的高速旋轉，因基板W旋轉所生成的離心力便作用於基板W上之IPA的液膜111，使基板W上的IPA液體從基板W被排出。藉此，在基板W上表面之全域被IPA之液 膜111覆蓋的狀態下，IPA之液膜111的厚度會減少，而使IPA的液膜111變薄。變薄後之IPA之液膜111的厚度，例如為0.5mm。
在積水步驟(S92)中，因為作用於基板W上的IPA液體之離心力為零或較小，因此IPA之液膜111的厚度相對較大(例如1mm)。若在該厚度的狀態下移至基板高溫化步驟(S10)，因為浮上至基板W上方的IPA之液膜111的厚度相對較大，因此存在有在液膜排除步驟(S11)中為了排除IPA液膜111而需要較長期間的可能性。
相對於此，在第3處理例中，因為在基板高溫化步驟(S10)之前便執行第2高速旋轉步驟(S93)，因此在基板高溫化步驟(S10)中，浮上至基板W上方的IPA之液膜111會變薄(例如，厚度從1mm減少為0.5mm)。藉此，可縮短液膜排除步驟(S11)的執行期間(為了排除IPA之液膜111所需要的期間)。
另外，在第3處理例中，雖將第2高速旋轉步驟(S93)中基板W的旋轉速度，設定為與第1高速旋轉步驟(S91)中基板W的旋轉速度(高旋轉速度v3)相同，但此僅為一例而已，亦可設定為與第1高速旋轉步驟(S91)中基板W的旋轉速度為不同的速度。
再者，在第1~第3處理例中，雖然已針對在腔本體237及蓋構件239的內部空間被密閉的狀態下執行最終清洗步驟(S8)進行說明，但亦可在腔本體237及蓋構件239的內部空間為開放(蓋構件239位於蓋開放位置)的狀態下，執行最終清洗步驟(S8)。亦可從清洗液上配管244的清洗液吐出口247朝基板W的上表面供應清洗液，亦可使清洗液噴嘴228對向於基板W之上表面而配置，並從清洗液噴嘴228朝基板W之上表面供應清洗液。於該情形時， 在最終清洗步驟(S8)之後，使腔本體237及蓋構件239的內部空間成為密閉狀態。
再者，在第1~第3處理例中，雖然重複2次第1藥液步驟(S2、S6)，但亦可重複第1藥液步驟(S2、S6)2次以上，亦可僅施行1次。
再者，雖然在第1~第3處理例的第1藥液步驟及第2藥液步驟(S2、S4、S6)、以及第1~第3清洗步驟(S3、S5、S7)中，已以基板W的上下雙面處理為例進行說明，但亦可於該等步驟(S2~S7)中，僅對基板W的上表面(圖案形成面)進行處理。
再者，於第1~第3處理例中，亦可省略第3清洗步驟(S7)。
以上，雖然已針對本發明第1實施形態進行說明，但本發明亦可如下述來實施。
例如，如圖20所示，複數根支撐銷261亦可不配置於基板對向面206a之全域，而僅配置於基板對向面206a的周緣部。在圖20中，複數根支撐銷261係在基板對向面206a的周緣部，等間隔地配置於以旋轉軸線A1為中心的第4假想圓269上。
再者，亦可取代由球體266一部分所構成的支撐銷261，而如圖21所示，採用與加熱板206一體設計的支撐銷161。
再者，於前述之實施形態中，雖然已針對3個伸縮單元224分別配置於3個固定銷210的內側進行說明，但各伸縮單元224亦可相對於固定銷210而在加熱板206的圓周方向上偏移地配置。於該情形時，在基板W呈傾斜姿勢的狀態下，離最大收縮狀態的伸縮單元224最近之固定銷210(固定銷210a)，係抵接於傾斜 的基板W周緣部之下部。藉此，防止基板W從加熱板206上滑落。
再者，在前述之實施形態中，雖然已以藉由使加熱板206升降，而在加熱板206與第1基板保持單元205之間交接基板W的構成為例進行說明，但亦可藉由使第1基板保持單元205升降，而進行基板W的交接。又，亦可藉由使加熱板206與第1基板保持單元205的雙方進行升降，而在第1基板保持單元205與加熱板206之間進行基板W的交接。
再者，亦可在固定銷210之外另行設置防滑落構件。
再者，在基板W及加熱板206呈傾斜姿勢的狀態下，使基板W不會沿基板對向面206a的方向上移動之情形時，亦可不必以固定銷210等防滑落構件來防止基板W的滑落。
例如，若支撐銷261(161)的前端係由摩擦係數較高的構件所構成，則即便基板W傾斜，基板W仍不易相對於支撐銷261(161)移動。於該情形時，即便未以固定銷210等支撐基板W之周緣部，仍可防止傾斜之基板W滑落。所以，例如在傾斜角度較小的情形、或在支撐銷261與基板W之下表面間所生成的摩擦力較大之情形時，因為基板W不會沿基板對向面206a的方向移動，因此亦可不必利用固定銷210等防滑落構件來防止基板W滑落。
再者，於前述之實施形態中，雖然已針對在基板高溫化步驟(S10)中，於加熱板206上載置有基板W的狀態下加熱基板W進行說明，但亦可在基板高溫化步驟(S10)中，使基板W在靠近由第1基板保持單元205所保持基板W的下表面配置加熱板206並予以加熱。於該情形時，藉由使加熱板206與基板W間之間隔變化，可調整施加至基板W的熱量。
再者，於前述之實施形態中，雖然控制板升降單元216使加熱板206升降，藉此調整基板W的加熱溫度，但在加熱板206的發熱量可至少以2階段(ON狀態與OFF狀態)進行調整的情形時，則不需依靠板升降單元216即可調整基板W的加熱溫度。
於該情形時，可在進行基板高溫化步驟(S10)的同時，使基板W旋轉。基板高溫化步驟(S10)中基板W的旋轉，亦可在基板高溫化步驟(S10)一部分的期間內執行，亦可橫跨整個期間來執行。然而，基板W的旋轉速度較佳為基板W上表面之周緣部不會被冷卻之程度的低速(例如約10rpm~約100rpm左右)。當基板W的旋轉速度為低速的情形時，於基板高溫化步驟(S10)中對IPA液膜111僅會作用較小的離心力。所以，可更確實地防止IPA之液膜111發生龜裂等113。
於前述之實施形態中，雖然已分別以氟酸及SC1作為第1藥液及第2藥液而例示，但在進行洗淨處理、蝕刻處理等之時，可採用含有例如硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH：氫氧四甲銨等)、界面活性劑、防腐蝕劑中之至少1者的溶液作為第1藥液或第2藥液。
再者，亦可不採用複數種(2種)藥液，而僅使用1種藥液來對基板W施行處理。
再者，雖然已以IPA作為表面張力小於水的有機溶劑為例進行說明，但除了IPA之外，亦可採用例如：甲醇、乙醇、丙酮、及HFE(氫氟醚)等。
再者，雖然前述之實施形態的藥液處理(蝕刻處理、 洗淨處理等)係在大氣壓下執行，但處理環境的壓力並不僅侷限於此。例如，亦可將以蓋構件239與腔本體237所區隔密閉空間的環境，使用既定壓力調整單元來加壓或減壓，藉此調整為高於大氣壓的高壓環境、或低於大氣壓的減壓環境，而執行各實施形態的蝕刻處理、洗淨處理等。
[第2實施形態]
其次，針對本發明第2實施形態進行說明。在圖22以下，關於與前述之圖1~圖21所示各部位相當之構成部分，賦予與圖1等相同的元件符號並省略其說明。
如圖22所示，處理單元2包含有：第1基板保持單元15，其一邊以水平姿勢保持一片基板W，一邊使基板W圍繞通過基板W中央部之鉛直的旋轉軸線A1旋轉；以及第2基板保持單元29，其一邊以水平姿勢保持一片基板W，一邊將該基板W加熱。第1基板保持單元15及第2基板保持單元29係基板保持單元之一例。
如圖22所示，處理單元2進一步包含有：內腔7，其可開閉且收容第1基板保持單元15及第2基板保持單元29；筒狀之杯38，其圍繞旋轉軸線A1地包圍內腔7；以及外腔4，其收容內腔7及杯38。
如圖22所示，外腔4包含有：箱形之腔本體5，其收容第1基板保持單元15及第2基板保持單元29等；以及閘門6，其對設置於腔本體5的搬入/搬出口進行開閉。雖未圖示，但外腔4進一步包含有：閘門開閉單元，其使閘門6在開啟搬入/搬出口的開 放位置與關閉搬入/搬出口的關閉位置之間移動。
如圖22所示，內腔7包含有：有底筒狀之腔本體8，其收容第1基板保持單元15及第2基板保持單元29；上蓋11，其對設置於腔本體8上端的開口進行開閉；以及蓋升降單元14，其使上蓋11在開啟腔本體8之開口的上位置與以上蓋11關閉腔本體8之開口的下位置之間，於外腔4內沿鉛直方向進行升降。
如圖22所示，腔本體8包含有：沿著外腔4之底面配置之圓板狀的底壁部9、以及從底壁部9之外周部朝上方延伸之圓筒狀的下周壁部10。上蓋11包含有：在腔本體8之上方被保持為水平姿勢之圓板狀的上壁部12、以及從上壁部12之外周部朝下方延伸之圓筒狀的上周壁部13。上蓋11的上壁部12係配置於第1基板保持單元15及第2基板保持單元29的上方。腔本體8的下周壁部10係包圍第1基板保持單元15及第2基板保持單元29。上蓋11的上周壁部13係配置於腔本體8之下周壁部10的上方。腔本體8係連接於導引從腔本體8內被排出之液體的排液配管(未圖示)。
如圖22及圖25所示，蓋升降單元14係使上蓋11在上位置(圖22所示的位置)與下位置(圖25所示的位置)之間，沿鉛直方向進行升降。下位置係關閉腔本體8之開口的密閉位置。上位置係上蓋11從腔本體8退避至上方的退避位置。若蓋升降單元14使上蓋11移動至下位置，上周壁部13環狀的下表面便靠近下周壁部10環狀的上表面，使上周壁部13與下周壁部10間的間隙藉由被上周壁部13所保持之環狀的密封構件SL1所密閉。藉此，提高內腔7內部的密閉度。另一方面，若蓋升降單元14使上蓋11移動至上位置，上周壁部13環狀的下表面便從下周壁部10環狀的上表 面朝上方離開，使上周壁部13的下表面與下周壁部10的上表面間之間隔，擴大至掃描噴嘴(scan nozzle)能進入上周壁部13與下周壁部10之間的大小。
如圖22所示，第1基板保持單元15包含有：以水平姿勢支撐基板W的複數根(例如6根)固定銷16、以及與複數根固定銷16一起動作並以水平姿勢夾持基板W的複數根(例如3根)可動銷19。第1基板保持單元15進一步包含有：支撐環23，其保持複數根固定銷16與複數根可動銷19；夾具開閉單元25，其使複數根可動銷19相對於支撐環23進行移動；以及環旋轉單元24，其使支撐環23圍繞旋轉軸線A1旋轉。雖未圖示，但環旋轉單元24包含有：與支撐環23一起圍繞旋轉軸線A1旋轉的轉子、以及由內腔7的腔本體8所保持的定子。
如圖22所示，固定銷16及可動銷19係從支撐環23突出於上方。固定銷16及可動銷19係由支撐環23所保持。如圖23所示，6根固定銷16係以等間隔地被排列在圓周方向上。3根可動銷19係沿圓周方向分別被配置於相鄰之3根固定銷16的附近。以俯視時通過3根可動銷19之圓弧的中心角係未滿180度，3根可動銷19係偏頗於圓周方向而配置。固定銷16係無法相對於支撐環23而移動，可動銷19係可相對於支撐環23而移動。支撐環23具有大於基板W之外徑的外徑。支撐環23係保持於內腔7的腔本體8內。
如圖27所示，固定銷16包含有：固定支撐部17，其藉由接觸基板W的下表面周緣部而以水平姿勢支撐基板W；以及固定夾持部18，其係押抵於由固定支撐部17所支撐之基板W的 周緣部。固定支撐部17包含有朝斜下且沿內側延伸的支撐面。複數根固定銷16係藉由固定支撐部17與基板W之下表面周緣部的接觸，而以水平姿勢保持基板W。由複數根固定銷16對基板W的支撐位置，係位於較內腔7的下周壁部10之上端更靠上方的位置。
如圖24所示，可動銷19包含有：朝上下方向延伸的軸部20、由軸部20所支撐的基座部21、以及從基座部21朝上方突出之圓柱狀的可動夾持部22。可動銷19係在可動夾持部22被押抵於基板W之周緣部的關閉位置(實線所示的位置)與可動夾持部22離開基板W的開放位置(二點鏈線所示的位置)之間，可相對於支撐環23而圍繞鉛直之轉動軸線A2(軸部20的中心線)進行移動。複數根可動銷19係與複數根固定銷16的固定夾持部18一起動作地夾持基板W。由固定銷16及可動銷19對基板W的夾持位置，係與由複數根固定銷16對基板W的支撐位置為相同位置。
夾具開閉單元25僅在必要的情形時才使可動銷19從關閉位置移動，為隨時關閉的單元。如圖29A及圖29B所示，夾具開閉單元25包含有：與可動銷19一起圍繞轉動軸線A2轉動的可動磁石M1、以及對可動磁石M1施加使可動銷19移動至關閉位置之磁力的固定磁石M2。可動磁石M1及固定磁石M2均為永久磁石。可動磁石M1及固定磁石M2係相當於使可動銷19移動至關閉位置的關閉單元。
可動磁石M1係由可動銷19所保持，可相對於支撐環23進行移動。固定磁石M2係固定於支撐環23，無法相對於支撐環23進行移動。可動銷19係利用作用於可動磁石M1及固定磁石M2間的斥力或引力，而朝關閉位置的方向賦能。所以，當作用 於可動磁石M1及固定磁石M2間的磁力以外之力，未施加於可動銷19的情形時，可動銷19係配置於關閉位置。
如圖29A及圖29B所示，夾具開閉單元25包含有：與可動銷19一起圍繞轉動軸線A2轉動的2個被操作片26、產生使可動銷19移動至開放位置之動力的桿操縱單元27、以及將桿操縱單元27的動力傳遞至2個被操作片26之一者的操縱桿28。被操作片26、桿操縱單元27、及操縱桿28係相當於使可動銷19移動至開放位置的開放單元。
如圖29A及圖29B所示，2個被操作片26為了減輕重量的偏頗，而被配置於轉動軸線A2之180度的相反側。雖未圖示，但桿操縱單元27例如為空氣汽缸，其包含有：由加熱板30所保持的汽缸本體、以及能相對於汽缸本體移動的桿。操縱桿28係安裝於桿上。桿操縱單元27及操縱桿28係與加熱板30一起沿鉛直方向進行升降。
如圖28所示，操縱桿28的前端部係從加熱板30朝外側(離開旋轉軸線A1的方向)延伸。操縱桿28的前端部係在水平地對向於被操作片26的狀態下按押被操作片26，藉此使被操作片26轉動，而使可動銷19從關閉位置移動至開放位置。如後述般，加熱板30係橫跨第1基板交接步驟(步驟S7)至第2基板交接步驟(步驟S10)朝上下方向移動，並隨此使操縱桿28的前端部分亦朝上下方向移動。為了使操縱桿28的前端部分即便如上述般朝上下方向移動，操縱桿28的前端部仍可隨時抵接於被操作片26，操縱桿28的前端部與被操作片26係於上下方向具有充分的厚度。
在使可動銷19移動至開放位置的情形時，如圖29B 所示，控制裝置3係以使操縱桿28的前端部水平地對向於一被操作片26的方式，控制支撐環23的旋轉角與加熱板30的高度。在操縱桿28的前端部水平地對向於一被操作片26的狀態下，若操縱桿28朝外側移動，便如圖29B所示，一被操作片26會被操縱桿28推擠，而使可動銷19朝開放位置移動。藉此，可動銷19便從關閉位置移動至開放位置。
搬送機器人CR係將由機械臂H(參照圖1)從下方所支撐的基板W放置於複數根固定銷16的固定支撐部17，並將由複數根固定銷16的固定支撐部17所支撐的基板W，利用機械臂H從下方舉起。在基板W由複數根固定銷16支撐的狀態下，若可動銷19從開放位置移動至關閉位置，可動銷19的可動夾持部22便被押抵於基板W的周緣部，使基板W朝水平移動至可動銷19的相反側。藉此，在與可動銷19相反側的位置處，基板W的周緣部被固定銷16的固定夾持部18押抵，基板W便由固定銷16與可動銷19所夾持。所以，基板W係以水平姿勢牢固地被保持。
如圖22所示，第2基板保持單元29包含有：加熱板30，其係作為以水平姿勢支撐基板W的支撐板；支撐台34，其支撐加熱板30；以及板升降單元37，其藉由使支撐台34朝鉛直方向移動，而使加熱板30沿鉛直方向升降。
如圖22所示，加熱板30包含有：板本體31，其具有呈水平且平坦之圓形狀的上表面31a；複數根支撐銷32，其在基板W之下表面靠近於板本體31之上表面31a的狀態下，由板本體31之上方支撐基板W；以及複數個加熱器33，其從下方對由複數根支撐銷32所保持的基板W，以高於室溫(例如20~30℃)的溫度進 行加熱。複數個加熱器33係基板加熱單元之一例。
如圖23所示，板本體31具有小於基板W之外徑(例如小6mm)的外徑。板本體31係可朝上下方向通過支撐環23的內側空間。支撐銷32包含有從板本體31的上表面31a朝上方突出的半球狀之突出部。複數根支撐銷32係藉由各突出部與基板W之下表面之點接觸，而在基板W之下表面與板本體31之上表面31a呈平行或大致平行的狀態下，由板本體31之上方支撐基板W。
支撐銷32亦可與板本體31為一體，亦可為與板本體31不同的其他構件。又，各支撐銷32的高度既可為一定，亦可為不同。當基板W發生翹曲時，存在有該翹曲方式(中央部朝上凸出或朝下凸出)能根據已進行的基板W處理而在某種程度上進行預測的情況。所以，亦可以基板W由複數根支撐銷32均勻地支撐的方式，配合基板W的翹曲而預先調整各支撐銷32的高度。
如圖23所示，複數個加熱器33係配置於板本體31的內部。複數個加熱器33係對板本體31之上表面31a的全域進行加熱。複數個加熱器33係對基板W上表面的複數個區域，以每個區域獨立的溫度個別地加熱。所以，控制裝置3可藉由控制複數個加熱器33，而對板本體31上表面31a之全域以均勻的溫度進行加熱，或使板本體31之上表面31a產生溫度差。加熱器33包含有：對板本體31之上表面31a中央部進行加熱的中央加熱器、對包圍板本體31之上表面31a中央部之環狀的上表面中間部進行加熱的中間加熱器、以及對包圍板本體31之上表面31a中間部之環狀的上表面周緣部進行加熱的周緣加熱器。
如圖22所示，複數根支撐銷32係以使基板W之下 表面隔著例如0.1mm左右的間隔而對向於板本體31之上表面31a的方式，由板本體31之上方支撐基板W。加熱器33的熱係傳遞至板本體31的上表面31a。加熱器33的熱係經由基板W與板本體31間的空間而傳遞至基板W。又，加熱器33的熱係經由點接觸於基板W之下表面的支撐銷32而傳遞至基板W。因為基板W與板本體31相靠近，因此可抑制基板W之加熱效率的降低。又，因為基板W與支撐銷32之接觸面積較小，因此可抑制基板W之溫度均勻性的降低。
在基板W之下表面面接觸於板本體31之上表面31a的情形時，當基板W之下表面與板本體31之上表面31a朝上下方向離開時，在二者間會產生負壓，而有基板W被吸附於板本體31的情形。在本實施形態中，基板W係於基板W之下表面離開板本體31之上表面31a的狀態下，由複數根支撐銷32所支撐。所以，能抑制或防止該現象的發生。又，因為基板W的下表面係離開板本體31的上表面31a，因此可抑制或防止板本體31之上表面31a的異物附著於基板W。
如圖22所示，支撐台34包含有：支撐加熱板30之圓板狀的平台部35、以及從平台部35之中央部沿旋轉軸線A1朝下方延伸的軸部36。軸部36係通過內腔7的底壁部9而從內腔7中延伸至內腔7外。支撐台34的軸部36與內腔7的底壁部9間之間隙，係由環狀之密封構件SL2所密閉。板升降單元37係連接於軸部36。
被搬入至處理單元2內部的基板W，最初係由第1基板保持單元15的複數根固定銷16所保持。此時，加熱板30係 退避至較第1基板保持單元15更下方。然後，加熱板30會上升。在加熱板30上升的過程中，基板W從第1基板保持單元15被讓渡至加熱板30。若加熱板30進一步上升，基板W便移動至較由複數根固定銷16對基板W的支撐位置之更上方。若從該狀態使加熱板30下降，便從加熱板30將基板W讓渡給複數根固定銷16。如此，基板W藉由加熱板30的升降，便在複數根固定銷16與加熱板30之間相互讓渡。
如圖22及圖25所示，板升降單元37係藉由使支撐台34移動，而使加熱板30在上位置(圖25所示位置)與下位置(圖22所示位置)之間朝鉛直方向升降。上位置係使由複數根固定銷16所支撐之基板W的支撐位置，位於由加熱板30所支撐之基板W的支撐位置上方之高度。下位置係使由複數根固定銷16所支撐之基板W的支撐位置，位於由加熱板30所支撐之基板W的支撐位置下方之高度。下位置係使加熱板30退避至較由複數根固定銷16所支撐之基板W的支撐位置更下方之退避位置。板升降單元37可使加熱板30位於從上位置至下位置間之任意高度。
如圖22及圖25所示，在第1基板保持單元15的複數根固定銷16支撐基板W的狀態(基板W的夾持被解除的狀態)下，若板升降單元37使加熱板30上升至較基板W之下表面更上方的高度，基板W便從複數根固定銷16移動至加熱板30。相反地，在加熱板30支撐基板W的狀態下，若板升降單元37使加熱板30下降至較複數根固定銷16更下方的高度，基板W便從加熱板30移動至複數根固定銷16。
如圖22所示，處理單元2包含有：下氣體配管41， 其將氣體供應至在加熱板30的上表面中央部開口的向上吐出口40；下氣體閥42，其係介設於下氣體配管41；以及管線用加熱器(in-line heater)，其係對從下氣體配管41供應至向上吐出口40的氣體進行加熱。被供應至向上吐出口40的氣體為氮氣。被供應至向上吐出口40的氣體並不侷限於氮氣，既可為氬氣等氮氣以外的惰性氣體，亦可為乾燥空氣或清淨空氣。被供應至向上吐出口40的氣體之溫度既可為室溫，亦可高於室溫。
如圖22所示，處理單元2包含有：朝下方吐出處理液或處理氣體的掃描噴嘴；於前端部安裝有掃描噴嘴的噴嘴機械臂49；以及使噴嘴機械臂49移動的機械臂擺動單元50。圖22係表示處理單元2含有2個掃描噴嘴(藥液噴嘴43及清洗液噴嘴46)的例子。藥液噴嘴43係連接於介設有藥液閥45的藥液配管44。清洗液噴嘴46係連接於介設有清洗液閥48的清洗液配管47。
從藥液噴嘴43所吐出藥液的例子，係含有硫酸、醋酸、硝酸、鹽酸、氟酸、氨水、過氧化氫水、有機酸(例如檸檬酸、草酸等)、有機鹼(例如TMAH：氫氧四甲銨等)、界面活性劑、防腐蝕劑中之至少1者的溶液。
從清洗液噴嘴46所吐出的清洗液為純水(去離子水：Deionized Water)。從清洗液噴嘴46所吐出的清洗液並不侷限於純水，亦可為碳酸水、電解離子水、氫水、臭氧水、及稀釋濃度(例如10~100ppm左右)的鹽酸水中之任一者。
機械臂擺動單元50係通過內腔7的腔本體8與內腔7的上蓋11間之空間，而使噴嘴機械臂49的前端部在內腔7之內部與內腔7之外部間移動。藉此，掃描噴嘴便在從掃描噴嘴所吐出 的處理液滴落於基板W之上表面的處理位置與掃描噴嘴退避至基板W周圍的退避位置之間水平地移動。處理位置包含有：處理液滴落於基板W之上表面中央部的中央位置、與處理液滴落於基板W之上表面周緣部的周緣位置。
如圖22所示，處理單元2包含有朝下方吐出處理液或處理氣體的固定噴嘴。圖22係表示處理單元2含有3個固定噴嘴(上清洗液噴嘴51、上溶劑噴嘴54、及上氣體噴嘴57)的例子。上清洗液噴嘴51、上溶劑噴嘴54、及上氣體噴嘴57係由上蓋11所保持，與上蓋11一起沿鉛直方向升降。上清洗液噴嘴51、上溶劑噴嘴54、及上氣體噴嘴57係配置於朝上下方向貫通上蓋11之中央部的貫通孔內。上清洗液噴嘴51係連接於介設有上清洗液閥53的上清洗液配管52。上溶劑噴嘴54係連接於介設有上溶劑閥56的上溶劑配管55。上氣體噴嘴57係連接於介設有上氣體閥59的上氣體配管58。
從上清洗液噴嘴51所吐出的清洗液為純水。從上清洗液噴嘴51所吐出的清洗液並不侷限於純水，亦可為前述之其他的清洗液。
從上溶劑噴嘴54所吐出溶劑的液體為室溫之IPA的液體。IPA之液體係表面張力小於水，且沸點亦低於水的低表面張力液之一例。低表面張力液並不侷限於IPA，亦可為HFE(氫氟醚)的液體。
被供應至上氣體噴嘴57的氣體為室溫的氮氣。被供應至上氣體噴嘴57的氣體並不侷限於氮氣，既可為氬氣等氮氣以外的惰性氣體，亦可為乾燥空氣或清淨空氣。又，被供應至上氣體 噴嘴57之氣體的溫度，亦可高於室溫。
如圖22所示，杯38可在上位置(圖22所示的位置)與下位置之間朝鉛直方向升降。上位置係使杯38之上端位於內腔7之下周壁部10之上端與噴嘴機械臂49間之高度的處理位置。下位置係使杯38之上端位於較內腔7之下周壁部10之上端更下方的退避位置。處理單元2包含有使杯38在上位置與下位置間朝鉛直方向升降的杯升降單元(未圖示)。在上蓋11及杯38位於上位置的狀態下，從由第1基板保持單元15所保持之基板W被排出至其周圍的處理液，係由杯38承接，並收集至杯38內。然後，被收集至杯38內的處理液，便被送往未圖示之回收裝置或排液裝置。
如圖26所示，處理單元2包含有將基板W上的液體誘導於外側的複數個(3個以上。例如4個)誘導構件60。如圖25所示，誘導構件60具有：朝上下方向延伸之第1部分61、以及從第1部分61朝內側(朝向旋轉軸線A1的方向)延伸之第2部分62。誘導構件60係由上蓋11所保持，與上蓋11一起朝鉛直方向升降。如圖26所示，複數個誘導構件60係等間隔地排列在基板W的圓周方向。誘導構件60的內端60i係配置在以俯視時重疊於基板W的位置。誘導構件60的外端60o係配置在以俯視時不會重疊於基板W的位置(基板W的周圍)。
以下，以上蓋11位於下位置的狀態為基準，繼續進行誘導構件60的說明。如圖25所示，誘導構件60具有隔著間隔而對向於基板W的上表面及周緣部之內面。誘導構件60的內面具有：朝斜下且朝外側延伸的外側誘導面63、以及從外側誘導面63的外端63o(下端)朝下方鉛直地延伸的下方誘導面64。外側誘導面 63之內端63i的高度係設定為位在較後述之有機溶劑加熱步驟及有機溶劑排除步驟時的基板W之上表面的平坦部分更上方的高度。外側誘導面63的外端63o係配置在較基板W更外側。外側誘導面63之外端63o的高度係設定為配置在有機溶劑加熱步驟及有機溶劑排除步驟時較基板W之上表面更下方且較基板W之下表面更上方的高度。下方誘導面64的下端係配置在較有機溶劑加熱步驟及有機溶劑排除步驟時的基板W更下方。
如圖14A所示，利用處理單元2所處理的基板W，係例如在其作為圖案形成面的表面(上表面100)上形成有圖案101的矽晶圓。
如圖14A所示，圖案101亦可為由具有凸形狀(柱狀)之構造體102呈行列狀配置的圖案。於該情形時，構造體102的線寬W1例如為10nm~45nm左右，相鄰接之構造體102間的間隙W2例如為10nm~數μm左右。又，圖案101的膜厚T(參照圖14A)例如為50nm~5μm左右。又，圖案101的例如縱橫比(膜厚T對線寬W1的比)，亦可為例如5~500左右(具代表性的為5~50左右)。
圖案101包含有例如絕緣膜。又，圖案101亦可含有導體膜。更具體而言，圖案101亦可由積層複數層膜的積層膜所形成。積層膜亦可含有絕緣膜與導體膜。圖案101亦可為由單層膜所構成的圖案。絕緣膜亦可為氧化矽膜(SiO2膜)或氮化矽膜(SiN膜)。又，導體膜亦可為導入有為了成為低電阻化之雜質的非晶矽膜，亦可為金屬膜(例如金屬佈線膜)。
另外，圖案101亦可為重複排列由微細之溝槽(trench)所形成線狀之圖案。又，圖案101亦可藉由在薄膜設置複數個微細 孔(孔洞(void)或孔隙(pore))所形成。
接著，針對利用處理單元2所進行基板W之處理的一例進行說明。以下，參照圖22及圖30。在利用處理單元2進行基板W之處理時，進行將基板W搬入外腔4內的搬入步驟(圖30的步驟S1)。
具體而言，控制裝置3係在使上蓋11、噴嘴機械臂49、及杯38退避的狀態下，使保持著基板W的搬送機器人CR之機械臂H進入至外腔4內。然後，控制裝置3便以機械臂H上的基板W被放置於複數根固定銷16上的方式，控制搬送機器人CR。此時，加熱板30雖從接觸基板W之下表面(背面：rear surface)的高度朝下方離開，但夾具開閉單元25係配置於能驅動可動銷19的高度。又，夾具開閉單元25係使可動銷19位於開放位置。控制裝置3係在使作為元件形成面的表面向上之狀態下將基板W放置於複數根固定銷16上之後，使搬送機器人CR的機械臂H從外腔4內退避。
控制裝置3係在將基板W放置於複數根固定銷16的固定支撐部17上之後，利用夾具開閉單元25使可動銷19從開放位置移動至關閉位置。藉此，使可動銷19的可動夾持部22被押抵於基板W的周緣部，並且使固定銷16的固定夾持部18被押抵於基板W的周緣部。所以，基板W係由固定銷16及可動銷19以水平姿勢所夾持。然後，控制裝置3係在夾持基板W之後，藉由環旋轉單元24使基板W開始旋轉。又，控制裝置3係使杯38上升至杯38可承接從基板W所排出之處理液的上位置。
其次，進行將藥液供應至基板W的藥液供應步驟(圖 30的步驟S2)。
具體而言，控制裝置3係藉由控制機械臂擺動單元50，使上蓋11退避至上位置，而在加熱板30離開基板W的狀態下，使噴嘴機械臂49從退避位置移動至處理位置。藉此，藥液噴嘴43便通過內腔7之下周壁部10與內腔7之上周壁部13之間，而移動至基板W的上方。控制裝置3係在使藥液噴嘴43移動至基板W之上方後，開啟藥液閥45，使藥液噴嘴43朝向旋轉中的基板W之上表面吐出藥液。控制裝置3係在該狀態下控制機械臂擺動單元50，藉此使藥液相對於基板W上表面的滴落位置，在中央部與周緣部之間移動。然後，若從藥液閥45被開啟經過既定時間，控制裝置3便關閉藥液閥45，而停止藥液之吐出。
從藥液噴嘴43所吐出的藥液，在滴落於基板W之上表面後，利用離心力沿基板W之上表面朝外側流動。然後，從基板W周緣部朝其周圍飛散的藥液，會通過內腔7之下周壁部10的上方，而由杯38所承接。藥液係供應至基板W的上表面全域，形成覆蓋基板W之上表面全域的液膜。又，因為控制裝置3係在基板W旋轉之狀態下，使藥液相對於基板W上表面的滴落位置在中央部與周緣部之間移動，因此藥液的滴落位置便會通過基板W之上表面全域。所以，基板W之上表面便能均勻地由藥液所處理。
其次，進行將作為清洗液一例之純水供應至基板W的第1清洗液供應步驟(圖30的步驟S3)。
具體而言，控制裝置3係在由噴嘴機械臂49所保持的清洗液噴嘴46位於基板W之上方，並在加熱板30離開基板W的狀態下，開啟清洗液閥48。藉此，純水便從清洗液噴嘴46朝向旋轉中之基 板W的上表面中央部被吐出。所以，基板W上的藥液便被純水沖洗掉，而形成覆蓋基板W之上表面全域之純水的液膜。然後，若清洗液閥48被開啟後經過既定時間，控制裝置3便關閉清洗液閥48，而停止純水之吐出。然後，控制裝置3係控制機械臂擺動單元50，藉此使噴嘴機械臂49從處理位置移動至退避位置。
其次，進行關閉內腔7的內腔密閉步驟(圖30的步驟S4)。
具體而言，控制裝置3係藉由控制蓋升降單元14，使噴嘴機械臂49退避至退避位置，並在基板W之上表面全域由純水之液膜所覆蓋的狀態下，使上蓋11從上位置移動至下位置。藉此，使上蓋11之上周壁部13與腔本體8之下周壁部10間的間隙被密閉。此時，基板W係由固定銷16及可動銷19所夾持。又，加熱板30係離開基板W，而距離即便加熱器33發熱，加熱器33的熱亦不會充分地傳遞至基板W的高度。
其次，進行將作為清洗液一例之純水供應至基板W的第2清洗液供應步驟(圖30的步驟S5)。
具體而言，控制裝置3係在上蓋11移動至下位置後，開啟上清洗液閥53，而從上清洗液噴嘴51朝向旋轉中之基板W的上表面中央部吐出純水。藉此，利用從上清洗液噴嘴51所吐出的純水，形成覆蓋基板W之上表面全域的液膜。又，從基板W周緣部朝其周圍飛散的純水，係從腔本體8的底壁部9被排出。若上清洗液閥53被開啟後經過既定時間，控制裝置3便關閉上清洗液閥53，而停止純水之吐出。
其次，在內腔7被關閉的狀態下，進行將作為有機溶劑 一例的IPA液體供應至基板W的有機溶劑供應步驟(圖30的步驟S6)。
具體而言，控制裝置3係關閉內腔7，並在基板W之上表面全域由純水之液膜所覆蓋的狀態下，開啟上溶劑閥56。此時，基板W係由固定銷16及可動銷19所夾持，而加熱板30係離開基板W。從上溶劑噴嘴54所吐出IPA的液體，會滴落於旋轉中之基板W的上表面中央部，並沿基板W之上表面朝外側流動。藉此，基板W上的純水便被置換為IPA之液體，而形成覆蓋基板W之上表面全域的IPA之液膜。然後，若上溶劑閥56被開啟後經過既定時間，控制裝置3便關閉上溶劑閥56，而停止IPA之吐出。
在上溶劑噴嘴54吐出IPA之液體的期間，基板W的旋轉速度既可為一定，亦可被變更。例如，為了促進從純水置換為IPA，亦可僅在IPA之液體被吐出期間的初期，使基板W以置換促進速度(例如800rpm)旋轉後，便以小於置換促進速度的置換後速度使基板W旋轉。又，亦可在完成置換為IPA後，便於停止IPA之吐出的狀態下，使覆蓋基板W之上表面全域的IPA之積水(puddle)被保持於基板W上。具體而言，亦可在使基板W的旋轉速度降低至積水速度(超過0且未達50rpm的速度。例如20rpm)後，或者，在停止基板W之旋轉後，停止從上溶劑噴嘴54吐出IPA。於該情形時，因為離心力的降低使來自基板W之IPA的排出量減少，因此可在基板W上保持具有既定膜厚之IPA的積水。
其次，進行使基板W從第1基板保持單元15移動至第2基板保持單元29的第1基板交接步驟(圖30的步驟S7)。具體而言，控制裝置3係控制支撐環23的旋轉角與加熱板30的高度，藉此使夾具開閉單元25及可動銷19移動至由加熱板30所保持的 夾具開閉單元25能驅動支撐環23上之可動銷19的位置。然後，控制裝置3係控制夾具開閉單元25，藉此使可動銷19從關閉位置移動至開放位置。藉此，使由固定銷16及可動銷19所進行基板W的夾持被解除，使基板W以非夾持狀態而由複數根固定銷16所支撐。控制裝置3係控制板升降單元37，藉此使加熱板30移動至上方。藉此，基板W係由加熱板30的支撐銷32所舉起，離開複數根固定銷16而上升。控制裝置3係使加熱板30上升至基板W上之IPA的液膜即將接觸到前述之誘導構件60之外側誘導面63及下方誘導面64(參照圖25參照)之前。
其次，進行藉由使基板W上的IPA液體蒸發，而在IPA之液膜與基板W之上表面間形成氣相的有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)。
具體而言，控制裝置3係開始對加熱器33進行通電，藉此使加熱器33發熱。加熱器33的發熱，既可與基板W由加熱板30支撐之同時便開始，亦可在基板W由加熱板30支撐前或後開始。藉由加熱器33的發熱，使加熱板30的溫度(板本體31的溫度)到達較IPA之沸點(82.4℃)更高的液膜浮上溫度(例如較IPA的沸點高10~50℃的溫度)，並維持在該溫度。藉此，在基板W之上表面所有位置使IPA液體蒸發，而使IPA液膜離開基板W之上表面。另外，此時，基板W與複數個誘導構件60係設定為浮上後之IPA的液膜不會接觸複數個誘導構件60的外側誘導面63及下方誘導面64之位置關係。關於IPA之液膜浮上的詳細情形，將於後述。
其次，進行在IPA之液膜與基板W之上表面間介存有氣相之狀態下，將IPA之液膜從基板W排除的有機溶劑排除步 驟(圖30的步驟S9)。
具體而言，控制裝置3係在IPA之液膜從基板W的上表面浮上的狀態下，使複數個誘導構件60的外側誘導面63接觸於IPA液膜的周緣部。控制裝置3例如，使加熱板30較進行有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)時更微量地上升，而使複數個誘導構件60的外側誘導面63接觸於基板W上的IPA液膜。不僅限於此，加熱板30的高度亦可在有機溶劑加熱步驟時與有機溶劑排除步驟時相同。亦即，基板W上的IPA液膜亦可從有機溶劑加熱步驟(步驟S8)的階段起便接觸於複數個誘導構件60的外側誘導面63。IPA之液膜係藉由與複數個誘導構件60之接觸而相對於基板W進行移動，而從基板W被排除。關於IPA液膜之排除的詳細內容，將於後述。
另外，無論在橫跨從有機溶劑加熱步驟(步驟S8)至有機溶劑排除步驟(步驟S9)而使加熱板30微量上升的情形、及未使其上升的情形中之任一情形時，有機溶劑排除步驟(S9)時的複數個誘導構件60與基板W間之位置關係，均設定為使複數個誘導構件60的高度成為較由複數根固定銷16所支撐基板W的支撐位置更上方。
其次，進行使基板W從第2基板保持單元29移動至第1基板保持單元15的第2基板交接步驟(圖30的步驟S10)。
具體而言，控制裝置3係控制支撐環23的旋轉角與加熱板30的高度，藉此使夾具開閉單元25及可動銷19移動至夾具開閉單元25能驅動可動銷19的位置。因為夾具開閉單元25為隨時關閉的單元，因此可動銷19係配置於關閉位置。所以，控制裝置3係藉由控制夾具開閉單元25，而使可動銷19從關閉位置移動至開放位置。控制裝置3係藉由控制板升降單元37，而在該狀態下使加熱板 30移動至下方。藉此，使複數根固定銷16接觸於基板W的下表面，並使加熱板30離開基板W的下表面。
其次，進行開啟內腔7的內腔開放步驟(圖30的步驟S11)、及從外腔4內搬出基板W的搬出步驟(圖30的步驟S12)。
具體而言，控制裝置3係藉由控制蓋升降單元14，而使上蓋11從下位置移動至上位置。此時，加熱板30雖然離開基板W，但夾具開閉單元25係配置於能驅動可動銷19的位置。夾具開閉單元25係使可動銷19位於開放位置。控制裝置3係在上蓋11退避至上位置，且杯38位於下位置的狀態下，使搬送機器人CR的機械臂H進入外腔4內。然後，控制裝置3係由搬送機器人CR的機械臂H，來支撐由複數根固定銷16所支撐的基板W。然後，控制裝置3係使搬送機器人CR的機械臂H從外腔4內退避。藉此，使已處理之基板W從外腔4被搬出。
其次，針對有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)中IPA液膜之浮上進行詳細說明。
上表面全域均由IPA液膜所覆蓋的基板W，係在前述之有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)中，以液膜浮上溫度均勻地被加熱，並維持於液膜浮上溫度。又，基板W上的IPA液膜之加熱係在基板W未旋轉而處於靜止的狀態下進行。液膜浮上溫度係較IPA之沸點(82.4℃)高既定溫度(例如10~50℃)的溫度。液膜浮上溫度係浮上的IPA液膜不致沸騰之程度的溫度。
因為基板W的溫度高於IPA的沸點，因此在基板W上表面的各部位，IPA的液體會蒸發，而生成IPA的蒸氣。又，藉由IPA液體的溫度上升，IPA液體之所含微量的氣體會膨脹。所以， 在基板W之上表面(母材之上表面及圖案之表面)附近會產生氣泡。
如圖14A所示，圖案101的內部(鄰接之2個構造物間的空間、或筒狀之構造物的內部空間)係由IPA的液體所充滿。藉由IPA蒸氣的產生，圖案101的內部係由氣體所充滿。亦即，如圖14B所示，圖案101內的IPA液體，會因基板W的加熱而瞬間從圖案101內被排出。又，基板W上的IPA液膜111，會因IPA蒸氣的產生而逐漸被抬起，從而離開圖案101。亦即，含有IPA之蒸氣的氣相112係介存於圖案101之上表面(構造體102的上端面102A)與IPA之液膜111間，IPA之液膜111係經由氣相112而由基板W所支撐。
如圖14D所示，從基板W之上表面浮上之IPA的液膜111，存在有發生龜裂或斷裂113(以下稱為「龜裂等113」)的情形。於發生龜裂等113的部分，會有乾燥後便產生水痕等缺陷的可能性。所以，在有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)中，必須抑制或防止浮上的IPA液膜111發生龜裂等113之情形。
作為在浮上的IPA液膜111會發生龜裂等113的要因，可列舉如下2個要因。
第1個要因，係因基板W長時間的加熱所導致大量之IPA蒸氣的生成、或IPA之液膜111的沸騰。若生成大量的IPA蒸氣、或造成IPA之液膜111的沸騰，IPA的蒸氣就會突破位於上方之IPA的液膜111，而從該IPA之液膜111朝上方噴出。其結果，會有在IPA的液膜111發生龜裂等113的可能性。第1個要因係藉由調整液膜浮上溫度或液膜的加熱時間來因應。
第2個要因，係因受到伴隨著基板W之旋轉所產生 的離心力，而使IPA之液膜111分裂。第2個要因係藉由使基板W停止旋轉來因應。亦即，在有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)中，停止基板W的旋轉。所以，可防止IPA之液膜111發生因離心力所造成的分裂。藉此，可防止龜裂等113的發生。
再者，若圖案的縱橫比變大，圖案的表面與IPA之液體之接觸面積就會增加，而提高熱從基板W傳遞至IPA液體的傳導效率，其結果，會使基板W的溫度容易降低。又，若圖案的縱橫比變大，因為圖案的內部所存在IPA的液量就會增加，因此若不對基板W施加更多的熱，便無法在短時間內排除圖案內的IPA液體。所以，亦可配合圖案的縱橫比，來調整加熱板30的溫度。
其次，針對有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中IPA液膜的排除進行詳細說明。
在氣相介存於IPA之液膜與基板W之上表面之間時，作用於基板W上之IPA液膜的摩擦電阻係小到幾乎可忽視。所以，若平行於基板W上表面之方向的力施加於浮上之IPA的液膜，IPA的液膜便可輕易地移動。
在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，誘導構件60係在IPA之液膜從基板W之上表面浮上的狀態(圖31所示的狀態)下，接觸於IPA之液膜的周緣部。如圖32所示，若誘導構件60接觸到IPA之液膜的周緣部，IPA液膜之一部分(IPA的液體)便會從基板W移動至誘導構件60的外側誘導面63，並沿著誘導構件60的外側誘導面63朝外側流動。又，被誘導構件60的外側誘導面63誘導至外側的IPA，會被誘導構件60的下方誘導面64誘導至下方。藉此，使IPA液體從基板W的上表面外周部被排出。
若基板W上的IPA液體經由誘導構件60傳遞而被排出，IPA的液膜便形成向外的流動。亦即，使具有平行於基板W上表面之方向之成分的力，施加於浮上的IPA之液膜。所以，基板W上的IPA液體便會在基板W上逐漸朝外側移動，並經由誘導構件60、或通過沿圓周方向相鄰接之2個誘導構件60之間(參照圖26)，而從基板W被排出。藉此，IPA之液膜便可在基板W之上表面不分散地，且在連續性地連結為一整塊的狀態下，經由基板W的周緣部而從基板W被排除。
IPA之液膜係在從基板W之上表面浮上的狀態、即圖案101之內部未被液體充滿的狀態下，從基板W被排除。在IPA之液膜從基板W被排除後，在基板W上沒有液體殘留，基板W係成為乾燥的狀態。假設，即便有IPA之液體殘留，該量亦為不會對圖案101崩潰或產生水痕造成影響的極微量，馬上就會蒸發。所以，基板W係在圖案101的內部未被液體所充滿的狀態下進行乾燥。若在圖案101內部由液體所充滿的狀態下使基板W乾燥，由於因表面張力所產生的力便會從液體施加給圖案101，因此會有圖案101出現崩潰的情形。相對於此，於第2實施形態中，因為液體從圖案101的內部被排除，因此可抑制或防止圖案101的崩潰。
於如上述的第2實施形態中，誘導構件60的外側誘導面63係在IPA之液膜與基板W之上表面間介存有氣相的狀態下，接觸於基板W上的IPA液膜之周緣部。接觸於外側誘導面63的IPA液體會經由誘導構件60被排出至基板W的周圍。以該誘導構件60與液膜的接觸為契機，而在IPA的液膜形成朝向基板W之周緣部的向外之流動，使基板W上的IPA液膜不分裂為多數個小 滴，而以塊狀地從基板W被排除。藉此，可將IPA之液膜快速地在短時間內從基板W排除。
再者，於第2實施形態中，在處理單元2設有複數個誘導構件60。若誘導構件60的外側誘導面63接觸基板W上的IPA液膜，將基板W上的IPA液體朝外側誘導的力便會施加於基板W上的IPA液膜。因為複數個外側誘導面63係等間隔地被排列於基板W之圓周方向上，因此複數個外側誘導面63便在基板W之圓周方向上呈等間隔地分開的複數個位置處，接觸於基板W上的IPA液膜。所以，基板W上的IPA液膜便會被複數個外側誘導面63均勻地誘導至外側。因此，便可將基板W上的IPA液膜不偏頗地從基板W上排除。
再者，在第2實施形態中，基板W係僅由加熱板30從下方支撐，而在基板W之周緣部未接觸於固定銷16與可動銷19的狀態下，於IPA之液膜與基板W之上表面間形成氣相。從基板W上表面浮上的IPA之液膜係處於容易沿著基板W之上表面移動的狀態。IPA之液膜浮上時，因為固定銷16與可動銷19係離開基板W的周緣部，因此可防止IPA之液膜因與固定銷16或可動銷19的接觸而意外地從基板W被排除。
再者，在第2實施形態中，在作為低表面張力液之一例的IPA液體位於基板W上的狀態下使基板W乾燥。因為乾燥前基板W上之液體的表面張力較小，因此即便暫時性地形成橫跨鄰接之2個構造物的液面，施加於圖案101的表面張力仍較小。所以，可降低圖案崩潰的發生。又，因為將容易蒸發的液體(IPA液體)供應至基板W，因此可一邊抑制加熱器33的溫度，一邊於IPA之液 膜與基板W之上表面間形成氣相。
再者，在第2實施形態中，收容有第1基板保持單元15及第2基板保持單元29的內腔7係配置於外腔4內。因為內腔7可開閉，因此可根據需要將內腔7的內部從不包含內腔7的外腔4之內部隔離。所以，可根據需要形成由內腔7及外腔4呈雙層地覆蓋的高密閉度之空間。因此，可在高密閉度之空間內實施基板W的加熱等處理。又，若開啟內腔7，便可使吐出氣體或液體的噴嘴往返於內腔7中與內腔7外之間，因而此種噴嘴亦可未配置於內腔7內。所以，可抑制或防止內腔7大型化。
再者，在第2實施形態中，因為可對收容第1基板保持單元15及第2基板保持單元29的內腔7內部供應惰性氣體，因此可將內腔7內的空氣置換為惰性氣體，便可降低內腔7內的氧濃度。所以，能防止發生水痕等因氧所造成的問題。
以上係本發明第2實施形態的說明，惟本發明並非侷限於第2實施形態者，在本發明範圍內可進行各種變更。
例如，在第2實施形態中，雖已針對將外側誘導面63與下方誘導面64設置於誘導構件60的情形進行說明，但亦可省略包含下方誘導面64的第1部分61。
再者，如圖33所示，誘導構件60亦可為沿著基板W的周緣部延伸且呈橫跨全周而連續的環狀。又，誘導構件60亦可為沿著基板W之周緣部延伸的圓弧狀。
根據該構成，因為外側誘導面63係沿著基板W之周緣部延伸，因此可增加外側誘導面63與液膜之接觸面積。藉此，可增加將基板W上的IPA液體朝外側誘導的力。又，在誘導構件 60呈環狀的情形時，因為環狀之外側誘導面63係接觸於液膜周緣部的全周，因此基板W上的IPA液膜係由環狀之外側誘導面63均勻地誘導至外側。所以，可將基板W上的IPA液膜不偏頗地從基板W排除。
在使用圓弧狀之誘導構件60的情形時，加熱板30的升降動作係與第2實施形態的情形時相同。亦即，在第1基板交接步驟(圖30的步驟S7)中，加熱板30係上升至基板W上的IPA液膜即將接觸到誘導構件60的外側誘導面63、及下方誘導面64之前為止。又，在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，加熱板30係上升至基板W上的IPA液膜能接觸到誘導構件60之外側誘導面63的高度為止。但是，在使誘導構件60從有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)的階段起便預先接觸於IPA液膜的情形時，有機溶劑排除步驟(步驟S9)中的基板W便不需要上述上升的動作。
再者，如圖34所示，處理單元2亦可更進一步具備：具有對向於由第2基板保持單元29所保持基板W之上表面之對向面66的對向構件65。對向構件65係由上蓋11所保持，並與上蓋11一起朝鉛直方向升降。對向面66例如為平行於基板W之上表面的平坦面。對向面66具有大於基板W之外徑的外徑。對向面66係配置於與朝鉛直方向貫通上蓋11之中央部的貫通孔之下端相同之高度。誘導構件60係從對向面66的周緣部朝下方突出。
根據該構成，基板W的上表面係由對向構件65的對向面66所覆蓋。在該狀態下，基板W上的IPA液膜被誘導構件60誘導至外側。所以，一邊利用對向構件65保護基板W上表面之露出部分，一邊將基板W上的IPA液膜從基板W排除。
在使用被安裝於對向構件65的誘導構件60之情形時，加熱板30的升降動作係與第2實施形態的情形相同。亦即，在第1基板交接步驟(圖30的步驟S7)中，加熱板30係上升至基板W上的IPA液膜即將接觸到誘導構件60的外側誘導面63、及下方誘導面64之前為止。又，在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，加熱板30係上升至基板W上的IPA液膜能接觸到誘導構件60之外側誘導面63的高度為止(且上昇至不會接觸到對向面66的高度為止)。但是，在使誘導構件60從有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)的階段起便預先接觸於IPA液膜的情形時，有機溶劑排除步驟(步驟S9)中的基板W便不需要上述上升的動作。
再者，如圖35A及圖35B所示，誘導構件60亦可設置於可動銷19。誘導構件60係從可動銷19的基座部21朝上方延伸。夾具開閉單元25係使可動銷19在關閉位置、中間位置及開放位置之間移動；該關閉位置係可動銷19的可動夾持部22被押抵於基板W的周緣部，並且誘導構件60的外側誘導面63離開基板W上之IPA液膜的位置；該中間位置係可動夾持部22離開基板W的周緣部，並且外側誘導面63離開基板W上之IPA液膜的位置；該開放位置係可動夾持部22離開基板W的周緣部，並且外側誘導面63接觸於基板W上之IPA液膜的位置。
根據該構成，可動夾持部22及外側誘導面63係設置於可動銷19。可動夾持部22及外側誘導面63係配置於與可動銷19之彼此不同的位置。所以，藉由改變可動銷19的位置，便可區分地使用可動夾持部22及外側誘導面63。又，因為可動夾持部22及外側誘導面63係設置於共通的構件，因此可減少零件數量。又， 亦可共用使可動夾持部22移動的單元與使外側誘導面63移動的單元。
在使用圖35A及圖35B所示之誘導構件60的情形時，可動銷19的動作及加熱板30的升降動作係如下所述。直到第1基板交接步驟(圖30的步驟S7)為止，可動銷19為了能夾持基板W而位於關閉位置。加熱板30係位於下位置。
在執行第1基板交接步驟(圖30的步驟S7)時，可動銷19係移動至中間位置。藉此，使可動銷19的可動夾持部22離開基板W的周緣部，基板W係成為僅由固定銷16所支撐。然後，加熱板30上升，基板W係從固定銷16被交接至加熱板30。然後，在該狀態下執行有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)，使基板W上的IPA之液膜浮上。
在執行其次的有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)時，可動銷19係移動至開放位置。藉此，使誘導構件60的外側誘導面63接觸於基板W上的IPA液膜，IPA液膜便從基板W之上表面被排除。
在第2實施形態的情形時，從有機溶劑加熱步驟(步驟S8)移至有機溶劑排除步驟(步驟S9)時，必須使基板W微量上升，而使誘導構件60接觸到IPA之液膜。相對於此，在使用圖35A、圖35B的誘導構件60之情形時，藉由使一體化之可動銷19及誘導構件60的夾持誘導構件移動，便可使誘導構件60在會接觸IPA液膜的位置與不會接觸IPA液膜的位置之間移動，因此在從有機溶劑加熱步驟(步驟S8)移至有機溶劑排除步驟(步驟S9)時，就不需要使基板W微量上升。
另外，在使誘導構件60從有機溶劑加熱步驟(步驟S8)階段起便接觸於IPA液膜的情形時，亦可使可動銷19在第1基板交接步驟(圖30的步驟S7)階段便移動至開放位置。
再者，如圖36所示，可動銷19的可動夾持部22亦可含有形成具有朝向內開口之V狀鉛直截面之收容溝槽的2個傾斜面(上傾斜面67及下傾斜面68)。誘導構件60的外側誘導面63係設置於上傾斜面67。
如圖36所示，若可動銷19被配置於關閉位置(圖36所示的位置)，基板W的周緣部便被收容於收容溝槽，並且可動銷19的上傾斜面67及下傾斜面68被押抵於基板W的周緣部。又，在IPA之液膜從基板W的上表面浮上的狀態下，若可動銷19被配置於關閉位置，外側誘導面63便會接觸於基板W上的IPA液膜。另一方面，若可動銷19被配置於開放位置，上傾斜面67及下傾斜面68便離開基板W的周緣部，並且外側誘導面63會離開基板W上的IPA液膜。
根據該構成，外側誘導面63係構成可動夾持部22的一部分。若可動銷19被配置於關閉位置，可動夾持部22便被押抵於基板W的周緣部，並且外側誘導面63會接觸於基板W上的IPA液膜。所以，亦可不用在關閉位置之外，另行設置外側誘導面63接觸基板W上之IPA液膜的誘導位置。所以，能使可動銷19、及使可動銷19移動的單元(夾具開閉單元25)之構造簡單化。
再者，如圖37所示，控制裝置3亦可在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，開啟上氣體閥59，使上氣體噴嘴57吐出氮氣。IPA之液膜係藉由誘導構件60與液膜之接觸、以及朝基 板W上表面所進行氮氣的供應，而相對於基板W進行移動，並從基板W被排除。
具體而言，控制裝置3係在IPA液膜從基板W之上表面浮上的狀態下，使複數個誘導構件60的外側誘導面63接觸於IPA之液膜的周緣部。又，控制裝置3係開啟上氣體閥59，使上氣體噴嘴57吐出氮氣。
從上氣體噴嘴57所進行氮氣的吐出，既可在誘導構件60接觸到IPA液膜之前或後才開始，亦可在誘導構件60接觸到IPA液膜之同時便開始。又，氮氣的吐出既可持續至IPA液膜從基板W上消失為止，亦可在IPA液膜從基板W上消失前便停止。又，氮氣的溫度既可為室溫，亦可為了抑制基板W與液膜的溫度降低，而為IPA的沸點以上(較佳為加熱板30的溫度以上)。當氮氣的溫度到達IPA的沸點以上之情形時，可抑制IPA之液膜的溫度降低。或者，可加熱IPA之液膜。
如圖37所示，在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，於IPA之液膜與基板W之上表面間形成有氣相的狀態下，使從上氣體噴嘴57所吐出的氮氣吹抵於基板W的上表面中央部(噴吹位置)。位於噴吹位置的IPA之液體會因氮氣的供應而朝其周圍被擠退。藉此，便在噴吹位置形成乾燥區域。又，因為IPA液體係藉由氮氣之供應而從噴吹位置朝其周圍移動，因此會在IPA之液膜形成朝向基板W之周緣部之向外的流動。
再者，在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，誘導構件60係在IPA之液膜從基板W之上表面浮上的狀態(圖31所示的狀態)下，接觸於IPA之液膜的周緣部。如圖32所示，若誘導 構件60接觸到IPA液膜的周緣部，IPA液膜的一部分(IPA之液體)便會從基板W移動至誘導構件60的外側誘導面63，並沿著誘導構件60的外側誘導面63朝外側流動。又，被誘導構件60的外側誘導面63誘導至外側的IPA，會被誘導構件60的下方誘導面64誘導至下方。藉此，IPA之液體便從基板W的上表面外周部被排出。若基板W上的IPA液體經由誘導構件60被排出，便在IPA之液膜形成向外的流動。亦即，具有平行於基板W上表面之方向之成分的力，會施加於浮上的IPA之液膜。所以，基板W上的IPA液體會在基板W上逐漸朝外側移動，並經由誘導構件60或通過在圓周方向鄰接之2個誘導構件60之間(參照圖26)，從基板W被排出。
如上述，根據該構成，上氣體噴嘴57係在IPA之液膜與基板W之上表面間形成有氣相的狀態下，朝向基板W的上表面中央部(噴吹位置)吐出氮氣。位於噴吹位置的IPA液體會因氮氣的供應而朝其周圍被擠退。藉此，便在噴吹位置形成乾燥區域。又，因為被氮氣推擠的IPA液體會從噴吹位置朝其周圍移動，因此以氮氣之供應為契機，便在IPA之液膜形成朝向基板W之周緣部之向外的流動。藉此，基板W上的IPA液膜便不分裂為多數個小滴，而以連續性地連結為一整塊的狀態從基板W被排除。所以，藉由併用氮氣之供應與誘導構件60，便可將基板W上的IPA液膜快速地在短時間內從基板W排除。
再者，根據該構成，朝向由IPA液膜所覆蓋的基板W之上表面中央部吐出氮氣。藉此，IPA之液體係從基板W的上表面中央部被排除，並在液膜之中央部形成孔。亦即，最先形成IPA液體被排除之乾燥區域的位置，係為基板W的上表面中央部。因為 藉由氮氣的供應使IPA液體從基板W之上表面中央部朝其周圍移動，因此在IPA之液膜形成朝向液膜之周緣部之輻射狀的流動。所以，可將基板W上的IPA液膜不偏頗地從基板W排除。又，相較於最先形成乾燥區域的位置為基板W之上表面周緣部的情形，可在短時間內排除IPA之液膜。
再者，如圖38A及圖38B所示，上氣體噴嘴57亦可以從上氣體噴嘴57朝向基板W的上表面周緣部(噴吹位置)，且朝傾斜於基板W之上表面的方向，朝內側吐出氮氣的方式，由上蓋11(參照圖22)所保持。
根據該構成，朝向基板W的上表面周緣部吐出氮氣。藉此，IPA之液體便從基板W的上表面周緣部被排除，而在基板W的上表面周緣部形成乾燥區域。其結果，在IPA之液膜形成朝向誘導構件60的流動。又，因為氮氣係沿基板W上表面朝向誘導構件60流動，因此可利用沿著基板W之上表面朝向誘導構件60的氣流，促進朝向誘導構件60之IPA液體的流動。所以，能有效率地排除基板W上的IPA液膜。因此，可縮短液膜的排除所需要的時間。
在圖37、圖38A及圖38B中，雖然已針對誘導構件60被設置於處理單元2的情形進行說明，但處理單元2亦可不具備誘導構件60。亦即，在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，從基板W之上表面浮上的IPA液膜，亦可僅由氣體之供應來排除。
如圖39A及圖39B所示，在處理單元2未設置誘導構件60的情形時，處理單元2亦可進一步具備有：姿勢變更單元73，一邊將基板W之下表面與加熱板30之上表面(板本體31的上 表面31a)之間隔維持為一定，一邊使基板W及加熱板30在基板W之上表面呈水平的水平姿勢與基板W之上表面傾斜於水平面的傾斜姿勢之間進行姿勢變更。
姿勢變更單元73含有被配置在加熱板30與支撐台34之間的複數個(3個以上)伸縮單元74。複數個伸縮單元74係配置於支撐台34的平台部35上。複數個伸縮單元74係在平台部35的上表面周緣部，以等間隔地排列於圓周方向。伸縮單元74例如為空氣汽缸。伸縮單元74並不侷限於空氣汽缸，亦可為含有：電動馬達等致動器、以及將致動器的動力傳遞至加熱板30的傳動單元(例如滾珠螺桿機構)之單元。
伸縮單元74包含有：被固定於支撐台34之平台部35的汽缸本體75、以及可相對於汽缸本體75朝鉛直方向移動的桿76。汽缸本體75係配置於加熱板30與支撐台34之間。桿76係從汽缸本體75朝上方突出。加熱板30係藉由各桿76與加熱板30之下表面之接觸，而由複數個伸縮單元74所支撐。在加熱板30的上表面中央部開口之向上吐出口40，係連接於從加熱板30之中央部朝下方延伸且可彈性變形的下配管77。下配管77係插入於設置在支撐台34之軸部36之內部的通路中，並連接於下氣體配管41。
桿76從汽缸本體75所突出的突出量，係由控制裝置3，依照每個伸縮單元74來設定。控制裝置3係藉由調整各桿76的突出量，而使基板W及加熱板30的姿勢在水平姿勢與傾斜姿勢之間變更。呈傾斜姿勢時的加熱板30之上表面的傾斜角度(相對於水平面的角度)，例如為1度左右的小角度。所以，基板W係由作用於基板W之下表面與加熱板30的摩擦力所保持。假設，即便基 板W相對於加熱板30進行滑動，如圖39B所示，只要使固定銷16與可動銷19等擋止位於基板W之周圍，便可限制基板W相對於加熱板30的移動。
如圖39B所示，控制裝置3係在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，使基板W及加熱板30的姿勢變更為傾斜姿勢。又，控制裝置3係開啟上氣體閥59，朝向傾斜之基板W上表面的上端部，由上氣體噴嘴57吐出氮氣。從上氣體噴嘴57所進行氮氣的吐出，既可在基板W傾斜之前或後才開始，亦可在基板W傾斜之同時便開始。
若根據圖39A及圖39B所示之構成，在IPA之液膜與基板W之上表面間形成有氣相的狀態下，朝向傾斜的基板W之上表面的上端部吐出氮氣。藉由基板W傾斜，基板W上的IPA液膜便沿著基板W的上表面朝下方流落。又，藉由氮氣的供應會促進IPA液體的流下。所以，可快速地在短時間內從基板W排除基板W上的IPA液膜。而且，因為在基板W上表面的垂直方向上，加熱器33與基板W之間隔係維持為一定，因此相較於僅使基板W傾斜的情形，較不易發生加熱不均的情形，而能持續地進行安定之基板W的加熱。
再者，如圖40及圖41所示，處理單元2亦可進一步具備有分別對應複數個誘導構件60的複數個外氣體噴嘴69。外氣體噴嘴69係由上蓋11所保持，與上蓋11一起朝鉛直方向進行升降。上氣體噴嘴57係連接於介設有外氣體閥71的外氣體配管70。外氣體噴嘴69係朝向誘導構件60的外側誘導面63及下方誘導面64吐出氣體(例如氮氣)。
控制裝置3例如在已處理之基板W從外腔4被搬出後，便開啟外氣體閥71，使各外氣體噴嘴69吐出氣體。如圖41所示，附著於誘導構件60的液體，會被從外氣體噴嘴69所吐出的氣體吹飛。所以，可降低因附著於誘導構件60的液體所造成微塵的產生。
再者，如圖42A及圖42B所示，控制裝置3亦可控制複數個加熱器33的設定溫度，藉此在有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)中，以IPA之沸點以上的溫度均勻地加熱基板W，並在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，於基板W之上表面形成IPA之沸點以上的低溫區域與較低溫區域高溫的高溫區域。IPA之液膜係藉由誘導構件60與液膜之接觸、以及在基板W上所產生的溫度差，相對於基板W移動，而從基板W被排除。
具體而言，控制裝置3係在IPA之液膜從基板W之上表面浮上的狀態下，使複數個誘導構件60的外側誘導面63接觸於IPA液膜的周緣部。又，控制裝置3係控制複數個加熱器33的設定溫度，藉此在基板W之上表面形成IPA之沸點以上的低溫區域與較低溫區域高溫的高溫區域。
高溫區域及低溫區域的形成，既可在誘導構件60接觸IPA液膜之前或後才開始，亦可在誘導構件60接觸IPA液膜之同時便開始。又，高溫區域及低溫區域的形成，既可持續至IPA液膜從基板W上消失為止，亦可在IPA液膜從基板W上消失前便停止。
如圖42A所示，在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，藉由高溫區域及低溫區域的形成，可使覆蓋基板W之上表 面中央部的IPA液膜之中央部成為較其周圍部分更高溫。液膜內的IPA液體會朝低溫的方向移動。所以，在IPA之液膜會形成朝向液膜之周緣部之輻射狀的流動。其結果，如圖42A所示，在IPA液膜的中央部會形成孔。亦即，在IPA液膜的中心會生成氣液界面。IPA液膜之孔的外徑係呈同心圓狀地擴大。
再者，如圖42B所示，控制裝置3亦可在基板W之上表面中央部形成高溫區域，並在其周圍形成低溫區域後，使低溫區域與高溫區域間之環狀的界線朝低溫區域側移動。亦即，控制裝置3亦可使低溫區域與高溫區域之界線的直徑增加。於該情形時，控制裝置3係以使加熱器33的高溫區域與低溫區域之界線，與IPA的氣液界面位置一致的方式來控制加熱器33。又，控制裝置3係連動於IPA之氣液界面位置的移動，使加熱器33的高溫區域與低溫區域之界線位置從基板W的中心朝向周緣移動。如圖42B所示，在使低溫區域與高溫區域之界線朝低溫區域側移動的情形時，會促進液膜內朝低溫側移動的流動。
再者，在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，誘導構件60係在IPA之液膜從基板W之上表面浮上的狀態(圖31所示的狀態)下，接觸於IPA液膜的周緣部。如圖32所示，若誘導構件60接觸到IPA液膜的周緣部，IPA液膜的一部分(IPA之液體)便會從基板W移動至誘導構件60的外側誘導面63，而沿著誘導構件60的外側誘導面63朝外側流動。又，被誘導構件60的外側誘導面63誘導至外側的IPA，會被誘導構件60的下方誘導面64朝下方誘導。藉此，使IPA之液體從基板W的上表面外周部被排出。若基板W上的IPA液體經由誘導構件60而被排出，便在IPA之液膜形 成向外的流動。亦即，具有平行於基板W上表面之方向之成分的力，會施加於浮上的IPA之液膜。所以，基板W上的IPA液體會在基板W上逐漸朝外側移動，並經由誘導構件60，或通過圓周方向上鄰接之2個誘導構件60之間(參照圖26)，而從基板W被排出。
如上述，根據該構成，控制裝置3係執行：包含均勻加熱步驟的有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)、以及包含溫度差生成步驟的有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)。在均勻加熱步驟中，以IPA之沸點以上的溫度均勻地加熱基板W。藉此，在IPA之液膜與基板W之上表面間形成氣相。在溫度差生成步驟中，於基板W之上表面形成有溫度彼此不同的高溫區域及低溫區域。所以，在IPA之液膜內會產生溫度差，而在IPA之液膜形成朝低溫側移動的流動。所以，以溫度差的產生為契機，在IPA之液膜形成朝向基板W之周緣部之向外的流動，使基板W上的IPA液膜不分裂為多數個小滴，而以連續性地連結為一整塊的狀態從基板W被排除。藉此，可快速地在短時間內從基板W排除IPA之液膜。
再者，根據該構成，控制裝置3會最先在基板W的上表面中央部形成高溫區域。所以，覆蓋基板W之上表面中央部的IPA液膜之中央部便成為較其周圍之部分更高溫。液膜內的IPA液體將朝低溫的方向移動。因此，在IPA之液膜形成朝向液膜之周緣部之輻射狀的流動。其結果，如圖42A及圖42B所示，在IPA之液膜的中央部形成孔，且該孔的外徑係呈同心圓狀地擴大。所以，藉由併用溫度差的產生與誘導構件60，便可快速地在短時間內從基板W排除基板W上的IPA液膜。又，在使低溫區域與高溫區域之界線朝低溫區域側移動時，會促進液膜內朝低溫側移動的流 動。藉此，能有效率地排除基板W上的IPA液膜。
再者，如圖43A及圖43B所示，控制裝置3亦可在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，於基板W的上表面周緣部形成高溫區域，並在基板W之上表面的其他部分形成低溫區域。控制裝置3亦可在其後，再使低溫區域與高溫區域的界線朝低溫區域側移動。
於該情形時，覆蓋基板W之上表面周緣部的IPA液膜之周緣部係成為較液膜之其他部分更高溫。所以，在IPA之液膜形成朝向誘導構件60的流動。其結果，如圖43A及圖43B所示，IPA之液體從基板W的上表面周緣部消失，而逐漸增加已排除IPA液體之部分的面積。因此，藉由併用溫度差的產生與誘導構件60，便可快速地在短時間內從基板W排除基板W上的IPA液膜。又，在使低溫區域與高溫區域之界線朝低溫區域側移動的情形時，會促進液膜內朝低溫側移動的流動。藉此，能有效率地排除基板W上的IPA液膜。
再者，如圖44所示，處理單元2亦可進一步具備有：作為在內腔7內被配置於基板W上方的上方加熱器之一例的紅外線加熱器72。於該情形時，控制裝置3係在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，一邊以加熱板30加熱基板W，一邊以紅外線加熱器72對IPA液膜之一部分從基板W之上方進行加熱。又，控制裝置3係將紅外線加熱器72的溫度設定為不會因IPA的蒸發而使基板W之上表面中央部露出的溫度。因為IPA液膜的中央部會被紅外線加熱器72所加熱，因此IPA的液膜會產生溫度差。藉此，在IPA之液膜形成朝向液膜之周緣部之輻射狀的流動。
再者，控制裝置3亦可在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，一邊以加熱板30加熱基板W，一邊開啟下氣體閥42，將溫度為IPA之沸點以上(較佳為加熱板30的溫度以上)之高溫的氮氣，從在加熱板30的上表面中央部開口之向上吐出口40，朝基板W的下表面中央部吐出。此時，控制裝置3亦可以圖44所示之紅外線加熱器72加熱IPA液膜的中央部。
在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，若高溫之氮氣吹抵於基板W的下表面中央部，基板W之上表面中央部的溫度便會更加升高，因此IPA液膜的中央部便會進一步被加熱。藉此，IPA的液膜便會產生溫度差，並在IPA之液膜形成朝向液膜之周緣部之輻射狀的流動。又，若同時進行利用高溫之氮氣所進行的加熱與利用紅外線加熱器72所進行的加熱之情形時，便可使IPA液膜在短時間內產生溫度差。
在圖42A~圖44中，雖然已針對誘導構件60被設置於處理單元2的情形進行說明，但處理單元2亦可不具備誘導構件60。亦即，在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，從基板W之上表面浮上的IPA之液膜亦可僅藉由溫度差的產生來排除。
再者，如圖45A及圖45B所示，控制裝置3亦可控制複數個加熱器33的設定溫度，藉此在有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)中，以IPA之沸點以上的溫度均勻地加熱基板W，並在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，於基板W之上表面形成IPA之沸點以上的低溫區域與較低溫區域高溫的高溫區域。又，在最先形成高溫區域的位置為基板W的上表面中央部之情形時，控制裝置3亦可在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，開啟上氣體閥 59，使上氣體噴嘴57吐出氮氣。
於該情形時，氮氣的溫度既可為室溫，亦可為IPA之沸點以上(較佳為加熱板30的溫度以上)。若氮氣之溫度為IPA的沸點以上之情形時，便可抑制IPA之液膜的溫度降低。或者，可加熱IPA之液膜。又，氮氣的吐出既可持續至IPA之液膜從基板W上消失為止，亦可在IPA之液膜從基板W上消失前便停止。
根據該構成，覆蓋基板W之上表面中央部的IPA液膜之中央部會成為較其周圍部分更高溫。所以，在IPA之液膜會形成朝向液膜之周緣部之輻射狀的流動。其結果，如圖45A及圖45B所示，在IPA之液膜的中央部形成孔，且該孔的外徑係呈同心圓狀地擴大。
再者，根據該構成，在IPA之液膜與基板W之上表面間形成有氣相的狀態下，將氮氣吹抵於基板W的上表面中央部(噴吹位置)。位於噴吹位置的IPA之液體，會因氮氣的供應而朝周圍被擠退。藉此，便在噴吹位置形成乾燥區域。又，因為IPA的液體係藉由氮氣之供應而從噴吹位置朝其周圍移動，因此在IPA之液膜會形成朝向基板W之周緣部之向外的流動。所以，藉由併用在基板W產生溫度差與氮氣之供應，便可快速地在短時間內從基板W排除基板W上的IPA液膜。
再者，控制裝置3亦可如圖45B所示，隨著乾燥區域的擴大，使加熱器33的高溫區域與低溫區域之界線從基板W中心朝向周緣部擴大。亦即，控制裝置3係以使加熱器33的高溫區域與低溫區域之界線，與IPA的氣液界面位置一致的方式，控制加熱器33。又，控制裝置3係連動於IPA之氣液界面位置的移動，使加 熱器33的高溫區域與低溫區域之界線位置從基板W之中心朝向周緣部移動。在低溫區域與高溫區域之界線朝低溫區域側移動之情形時，會促進液膜內朝低溫側移動的流動。藉此，便能有效率地排除基板W上的IPA液膜。
再者，如圖46A及圖46B所示，控制裝置3亦可在有機溶劑排除步驟(圖30的步驟S9)中，於基板W的上表面周緣部形成高溫區域，並在基板W上表面的其他部分形成低溫區域。又，在最先形成高溫區域的位置為基板W的上表面周緣部之情形時，上氣體噴嘴57係以從上氣體噴嘴57朝向基板W的上表面周緣部(噴吹位置)，且朝傾斜於基板W之上表面的方向，朝內側吐出氮氣的方式，由上蓋11(參照圖22)所保持。於該構成中，控制裝置3亦可連動於IPA的氣液界面位置之移動，而使加熱器33的高溫區域與低溫區域之界線位置移動。
根據該構成，覆蓋基板W之上表面周緣部的IPA液膜之周緣部係成為較液膜之其他部分更高溫。所以，在IPA之液膜係形成朝向誘導構件60的流動。其結果，如圖46A及圖46B所示，IPA液體係從基板W的上表面周緣部消失，而使IPA之液體被排除之部分的面積逐漸增加。藉此，IPA液體係從基板W的上表面周緣部被排除，而在基板W的上表面周緣部形成乾燥區域。其結果，在IPA之液膜形成朝向誘導構件60的流動。
再者，根據該構成，朝向基板W的上表面周緣部吐出氮氣。藉此，因為氮氣係沿著基板W的上表面朝向誘導構件60流動，因此藉由沿著基板W之上表面朝向誘導構件60的氣流，會促進朝向誘導構件60的IPA之液體的流動。所以，藉由併用溫度 差的產生與氮氣之供應，便能有效率地排除基板W上的IPA液膜。所以，可縮短液膜之排除所需要的時間。又，在使低溫區域與高溫區域的界線朝低溫區域側移動之情形時，會促進液膜內朝低溫側移動的流動。藉此，能有效率地排除基板W上的IPA液膜。
在圖45A~圖46B中，雖然已針對誘導構件60被設置於處理單元2的情形進行說明，但亦可從該等圖示之構成中省略誘導構件60。
在第2實施形態~第16實施形態中，雖然已針對在有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8)中，使IPA之液膜浮上的情形進行說明，但亦可使IPA以外的液膜浮上。例如亦可在相當於有機溶劑加熱步驟的液膜加熱步驟中使純水的液膜浮上，而在相當於有機溶劑排除步驟的液膜排除步驟中，排除純水的液膜。
再者，在有機溶劑加熱步驟(圖30中的步驟S8)中，為了防止基板W之上表面局部地露出，亦可對基板W的上表面適當地補充IPA之液體。
在第2實施形態~第16實施形態中，已藉由使加熱板30接觸於基板W的背面而加熱基板W(有機溶劑加熱步驟(圖30的步驟S8))。但是，有機溶劑加熱步驟(步驟S8)亦可在使加熱板30與基板W隔離的狀態下執行。於該情形時，不需要在固定銷16與加熱板30之間進行基板W的交接。又，亦不需要在基板處理的途中暫時解除利用可動銷19所進行基板W的夾持狀態。
雖然已針對基板處理裝置為處理圓板狀之基板之裝置的情形進行說明，但基板處理裝置亦可為處理多角形之基板的裝置。
亦可組合前述之所有構成中之2種以上。同樣地，亦可組合前述之所有方法中之2種以上。
本申請案係對應於：2014年2月27日對日本特許廳所提出的特願2014-037293號、2014年3月26日對日本特許廳所提出的特願2014-063694號、2014年3月26日對日本特許廳所提出的特願2014-063695號、以及2014年3月26日對日本特許廳所提出的特願2014-063696號申請案，該等申請案的所有揭示均已引用並融入於本案中。
雖然已針對本發明之實施形態進行詳細說明，惟該等僅為用以清楚明瞭本發明技術內容而採用的具體例，不應解釋為本發明僅限定於該等具體例，本發明的精神及範圍僅由隨附之申請專利範圍所限定。

Claims (18)

  1. 一種基板處理裝置，其包含有：基板保持單元，其將基板水平地保持；處理液供應單元，其對由上述基板保持單元所保持之基板之上表面供應處理液，藉此形成覆蓋基板之上表面全域之處理液的液膜；基板加熱單元，其在基板之上表面全域被處理液之液膜所覆蓋的狀態下，以處理液之沸點以上的溫度對由上述基板保持單元所保持之基板進行加熱，藉此使處理液蒸發，而在處理液之液膜與基板之上表面之間形成氣相；以及誘導構件，其包含在處理液之液膜與基板之上表面之間介存有氣相的狀態下接觸於由上述基板保持單元所保持之基板上之處理液之液膜之周緣部的外側誘導面，並藉由上述外側誘導面與處理液之液膜的接觸，將處理液從基板之上表面誘導至基板的周圍。
  2. 如請求項1之基板處理裝置，其中，上述誘導構件包含以等間隔被排列於基板之圓周方向的複數個外側誘導面。
  3. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述外側誘導面呈沿著基板之周緣部延伸的環狀或圓弧狀。
  4. 如請求項3之基板處理裝置，其中，上述外側誘導面呈遍及基板之全周而連續的環狀。
  5. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置進一步包含具有對向於由上述基板保持單元所保持之基板之上表面之對向面的對向構件，上述誘導構件從上述對向面朝下方突出。
  6. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述基板保持單元包含有：可動銷，其含有可押抵於基板之周緣部的可動夾持部；以及夾具開閉單元，其使上述可動銷在上述可動夾持部被押抵於基板之周緣部的關閉位置與上述可動夾持部離開基板之周緣部的開放位置之間移動；上述基板處理裝置進一步包含有控制裝置，其以在上述可動銷位於上述開放位置的狀態下，在處理液之液膜與基板之上表面之間形成有氣相的方式，控制上述夾具開閉單元及基板加熱單元。
  7. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述基板保持單元包含有：可動銷，其含有可押抵於基板之周緣部的可動夾持部；以及夾具開閉單元，其使上述可動銷進行移動；上述誘導構件係設置於上述可動銷；上述夾具開閉單元使上述可動銷在關閉位置與開放位置之間移動；該關閉位置係上述可動夾持部被押抵於基板之周緣部，並且上述外側誘導面離開基板上之處理液之液膜的位置；該開放位置係上述可動夾持部離開基板之周緣部，並且上述外側誘導面接觸於基板上之處理液之液膜的位置。
  8. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述基板保持單元包含有：可動銷，其含有可押抵於基板之周緣部的可動夾持部；以及夾具開閉單元，其使上述可動銷進行移動；上述外側誘導面係設置於上述可動夾持部；上述夾具開閉單元使上述可動銷在關閉位置與開放位置之間移動；該關閉位置係上述可動夾持部被押抵於基板之周緣部，並且上述外側誘導面接觸於基板上之處理液之液膜的位置；該開放位置係上述可動夾持部離開基板之周緣部，並且上述外側誘導面離開基板上之處理液之液膜的位置。
  9. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，其進一步包含有氣體吐出單元，其在處理液之液膜與基板之上表面之間形成有氣相的狀態下，朝向由上述基板保持單元所保持之基板之上表面吐出氣體，藉此在基板之上表面之一部分的區域形成已排除處理液的乾燥區域。
  10. 如請求項9之基板處理裝置，其中，上述氣體吐出單元形成沿著由上述基板保持單元所保持之基板之上表面而朝向上述誘導構件流動的氣流。
  11. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，其進一步包含朝向上述誘導構件吐出氣體的防止液體殘留單元。
  12. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述基板加熱單元包含對由上述基板保持單元所保持之基板之上表面全域以各自獨立之溫度進行加熱的複數個加熱器，上述基板處理裝置進一步包含控制上述基板加熱單元的控制裝置，上述控制裝置執行：均勻加熱步驟，其在基板之上表面全域被處理液之液膜所覆蓋的狀態下，以處理液之沸點以上的溫度均勻地加熱由上述基板保持單元所保持之基板，藉此使處理液蒸發，而在處理液之液膜與基板之上表面之間形成氣相；以及溫度差生成步驟，其在上述均勻加熱步驟之後，在處理液之液膜與基板之上表面之間形成有氣相的狀態下，於基板之上表面形成處理液之沸點以上的低溫區域與較上述低溫區域更高溫的高溫區域。
  13. 如請求項12之基板處理裝置，其中，上述控制裝置在上述溫度差生成步驟中，於基板的上表面中央部形成高溫區域。
  14. 如請求項12之基板處理裝置，其中，上述控制裝置在上述溫度差生成步驟中，於基板的上表面周緣部形成高溫區域。
  15. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述控制裝置在上述溫度差生成步驟之後，進一步執行使上述低溫區域與上述高溫區域的界線朝上述低溫區域側移動的界線移動步驟。
  16. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，利用上述處理液供應單元而被供應至基板的處理液，係表面張力較水更小，且沸點較水更低的液體。
  17. 如請求項1或2之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置包含有：內腔，其收容上述基板保持單元且可進行開閉；以及外腔，其收容上述內腔。
  18. 如請求項17之基板處理裝置，其中，上述基板處理裝置進一步包含對上述內腔之內部供應惰性氣體的惰性氣體供應單元。
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
JP6270270B2 (ja) * 2014-03-17 2018-01-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6304592B2 (ja) * 2014-03-25 2018-04-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP6543481B2 (ja) * 2015-02-23 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 蒸気供給装置、蒸気乾燥装置、蒸気供給方法および蒸気乾燥方法
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) * 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
WO2017066418A1 (en) * 2015-10-15 2017-04-20 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system
US10269557B2 (en) * 2015-10-20 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus of processing semiconductor substrate
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
KR102378336B1 (ko) * 2015-11-13 2022-03-24 세메스 주식회사 베이크 장치 및 베이크 방법
US9812349B2 (en) * 2015-12-01 2017-11-07 Lam Research Corporation Control of the incidence angle of an ion beam on a substrate
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US9972514B2 (en) * 2016-03-07 2018-05-15 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
JP6653608B2 (ja) 2016-03-29 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6671217B2 (ja) 2016-03-31 2020-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
JP6710608B2 (ja) * 2016-08-30 2020-06-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6687486B2 (ja) 2016-08-31 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6764288B2 (ja) * 2016-09-12 2020-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6215426B1 (ja) * 2016-09-21 2017-10-18 オリジン電気株式会社 加熱装置及び板状部材の製造方法
JP6698489B2 (ja) * 2016-09-26 2020-05-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR20180070971A (ko) 2016-12-19 2018-06-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
JP6770886B2 (ja) * 2016-12-28 2020-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
JP6811619B2 (ja) * 2017-01-12 2021-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6826890B2 (ja) * 2017-01-12 2021-02-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6916003B2 (ja) * 2017-02-24 2021-08-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6945314B2 (ja) 2017-03-24 2021-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6818607B2 (ja) 2017-03-27 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6923344B2 (ja) * 2017-04-13 2021-08-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 周縁処理装置および周縁処理方法
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
KR102410974B1 (ko) * 2017-10-13 2022-06-20 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치의 구동 방법
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10658221B2 (en) * 2017-11-14 2020-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus and method for cleaning semiconductor wafer
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
US11639811B2 (en) 2017-11-27 2023-05-02 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
CN111316417B (zh) 2017-11-27 2023-12-22 阿斯莫Ip控股公司 与批式炉偕同使用的用于储存晶圆匣的储存装置
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
JP6971865B2 (ja) 2018-01-17 2021-11-24 キオクシア株式会社 処理装置
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
TW202325889A (zh) 2018-01-19 2023-07-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
JP7064339B2 (ja) * 2018-01-31 2022-05-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
CN116732497A (zh) 2018-02-14 2023-09-12 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环沉积工艺在衬底上沉积含钌膜的方法
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
JP7242341B2 (ja) * 2018-03-30 2023-03-20 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
TWI811348B (zh) 2018-05-08 2023-08-11 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
TW202349473A (zh) 2018-05-11 2023-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於基板上形成摻雜金屬碳化物薄膜之方法及相關半導體元件結構
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TW202013553A (zh) 2018-06-04 2020-04-01 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US20190393053A1 (en) * 2018-06-20 2019-12-26 Applied Materials, Inc. Etching apparatus
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR20210027265A (ko) 2018-06-27 2021-03-10 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 함유 재료를 형성하기 위한 주기적 증착 방법 및 금속 함유 재료를 포함하는 막 및 구조체
WO2020002995A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
KR20200002519A (ko) 2018-06-29 2020-01-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
JP7220030B2 (ja) * 2018-07-25 2023-02-09 株式会社ジャパンディスプレイ マスクユニットの製造装置
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
JP7077184B2 (ja) * 2018-08-30 2022-05-30 キオクシア株式会社 基板処理方法及び半導体装置の製造方法
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR20200030162A (ko) 2018-09-11 2020-03-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
CN110970344A (zh) 2018-10-01 2020-04-07 Asm Ip控股有限公司 衬底保持设备、包含所述设备的系统及其使用方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
JP7101583B2 (ja) * 2018-10-04 2022-07-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
CN111063652B (zh) * 2018-10-16 2022-08-30 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种基板夹持承载台
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102162260B1 (ko) * 2018-10-22 2020-10-06 세메스 주식회사 가이드 핀 및 이를 구비하는 포토 마스크 지지 유닛과 포토 마스크 세정 장치
JP7336306B2 (ja) * 2018-10-23 2023-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) * 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
CN109663713B (zh) * 2018-12-05 2023-09-26 青岛理工大学 一种沥蜡倾斜机及倒蜡方法
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
TW202037745A (zh) 2018-12-14 2020-10-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成裝置結構之方法、其所形成之結構及施行其之系統
KR102262113B1 (ko) * 2018-12-18 2021-06-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
WO2020167630A1 (en) * 2019-02-11 2020-08-20 Kateeva, Inc. Printing system, process chamber and printing method for handling substrates in different orientations
KR102638425B1 (ko) 2019-02-20 2024-02-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 내에 형성된 오목부를 충진하기 위한 방법 및 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
TW202104632A (zh) 2019-02-20 2021-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
TW202100794A (zh) 2019-02-22 2021-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7373302B2 (ja) * 2019-05-15 2023-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP7285692B2 (ja) * 2019-05-17 2023-06-02 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置、基板処理システム、および乾燥方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141002A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 배기 가스 분석을 포함한 기상 반응기 시스템을 사용하는 방법
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP2021015791A (ja) 2019-07-09 2021-02-12 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
TW202121506A (zh) 2019-07-19 2021-06-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
KR20210018759A (ko) 2019-08-05 2021-02-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 화학물질 공급원 용기를 위한 액체 레벨 센서
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN110648891B (zh) * 2019-09-20 2022-02-15 湖北中培电子科技有限公司 一种等离子刻蚀机用二氧化硅去除组件
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
TW202129060A (zh) 2019-10-08 2021-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 基板處理裝置、及基板處理方法
TW202115273A (zh) 2019-10-10 2021-04-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成光阻底層之方法及包括光阻底層之結構
KR102301191B1 (ko) * 2019-10-15 2021-09-10 (주)에스티아이 기판처리장치
KR20210045930A (ko) 2019-10-16 2021-04-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 산화물의 토폴로지-선택적 막의 형성 방법
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
US11450529B2 (en) 2019-11-26 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively forming a target film on a substrate comprising a first dielectric surface and a second metallic surface
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP2021090042A (ja) 2019-12-02 2021-06-10 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR102508052B1 (ko) * 2019-12-27 2023-03-09 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20210095050A (ko) 2020-01-20 2021-07-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
TW202146715A (zh) 2020-02-17 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於生長磷摻雜矽層之方法及其系統
WO2021177078A1 (ja) * 2020-03-05 2021-09-10 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法、及び基板処理装置
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
US11876356B2 (en) 2020-03-11 2024-01-16 Asm Ip Holding B.V. Lockout tagout assembly and system and method of using same
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
KR20210132605A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 냉각 가스 공급부를 포함한 수직형 배치 퍼니스 어셈블리
KR20210132576A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 나이트라이드 함유 층을 형성하는 방법 및 이를 포함하는 구조
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
US11398391B2 (en) * 2020-05-19 2022-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Substrate processing apparatus and method for processing substrate
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
CN111455341B (zh) * 2020-06-18 2020-09-08 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 基于磁耦合旋转的物理气相沉积设备
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR20220010438A (ko) 2020-07-17 2022-01-25 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토리소그래피에 사용하기 위한 구조체 및 방법
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
TW202217037A (zh) 2020-10-22 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 沉積釩金屬的方法、結構、裝置及沉積總成
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
KR20220076343A (ko) 2020-11-30 2022-06-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치의 반응 챔버 내에 배열되도록 구성된 인젝터
CN114639631A (zh) 2020-12-16 2022-06-17 Asm Ip私人控股有限公司 跳动和摆动测量固定装置
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN112736020A (zh) * 2020-12-31 2021-04-30 拓荆科技股份有限公司 晶圆支撑销升降装置
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
TWI812996B (zh) * 2021-08-12 2023-08-21 國立中山大學 晶圓清洗及乾燥方法
US20230073660A1 (en) * 2021-09-02 2023-03-09 Wonik Ips Co., Ltd. Substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR20230043015A (ko) 2021-09-23 2023-03-30 주식회사 지디텍 반도체장치 및 그 제조방법
JP2023046946A (ja) * 2021-09-24 2023-04-05 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形品の製造方法、フィルム固定部材、液状樹脂拡大機構、及び樹脂成形装置
CN117019567A (zh) * 2023-10-10 2023-11-10 常州捷佳创智能装备有限公司 一种硅片上料涂覆机构、涂布平台、硅片涂布机
CN117423644B (zh) * 2023-12-18 2024-03-05 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 晶圆清洗方法
CN117654838A (zh) * 2024-01-31 2024-03-08 江苏天网光电科技有限公司 一种高压发生器灌封治具

Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060102289A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate position correcting apparatus, and substrate position correcting method
US20070144563A1 (en) * 2005-12-28 2007-06-28 Hiroyuki Araki Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
US20090235866A1 (en) * 2008-03-21 2009-09-24 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater
TW201043347A (en) * 2009-03-04 2010-12-16 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus, liquid processing method, and resist coating method
JP2011238967A (ja) * 2006-04-18 2011-11-24 Tokyo Electron Ltd 液処理装置

Family Cites Families (46)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07105336B2 (ja) * 1992-08-27 1995-11-13 日本電気株式会社 レジスト現像方法
JP3402932B2 (ja) 1995-05-23 2003-05-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法及びその装置
TW386235B (en) 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
JPH09213610A (ja) 1996-02-05 1997-08-15 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 基板処理装置及び処理方法
JPH10284360A (ja) 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
DE69828592T8 (de) * 1997-09-24 2006-06-08 Interuniversitair Micro-Elektronica Centrum Vzw Verfahren zum entfernen einer flüssigkeit von einer oberfläche einer substrat
US6334902B1 (en) 1997-09-24 2002-01-01 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface
US6192600B1 (en) * 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
KR100676404B1 (ko) * 1999-12-06 2007-01-31 도시바 세라믹스 가부시키가이샤 반도체 기판의 온도 승강 제어 방법과 그 장치
KR20010068646A (ko) * 2000-01-07 2001-07-23 박종섭 웨이퍼 가열장치
DE10030431A1 (de) * 2000-06-21 2002-01-10 Karl Suess Kg Praez Sgeraete F Verfahren und Vorrichtung zum Reinigen und/oder Bonden von Substraten
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US7011715B2 (en) 2003-04-03 2006-03-14 Applied Materials, Inc. Rotational thermophoretic drying
JP4488780B2 (ja) 2003-05-28 2010-06-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8277569B2 (en) * 2004-07-01 2012-10-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
JP2006156648A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
KR100696378B1 (ko) 2005-04-13 2007-03-19 삼성전자주식회사 반도체 기판을 세정하는 장치 및 방법
CN100505154C (zh) * 2005-09-30 2009-06-24 株式会社日立高科技 基板干燥装置、基板干燥方法以及基板制造方法
US20070094885A1 (en) * 2005-11-03 2007-05-03 Alan Walter Apparatus and method for removing trace amounts of liquid from substrates during single-substrate processing
JP4675772B2 (ja) * 2005-12-16 2011-04-27 東京エレクトロン株式会社 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体
KR101029691B1 (ko) 2006-01-17 2011-04-15 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP2008016660A (ja) * 2006-07-06 2008-01-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
KR100809590B1 (ko) * 2006-08-24 2008-03-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR100829924B1 (ko) * 2006-09-12 2008-05-19 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하여 웨이퍼를 홀딩/언홀딩하는 방법
JP4762098B2 (ja) * 2006-09-28 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5043406B2 (ja) * 2006-11-21 2012-10-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板乾燥方法および基板乾燥装置
JP5188216B2 (ja) * 2007-07-30 2013-04-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US7964042B2 (en) 2007-07-30 2011-06-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5080954B2 (ja) 2007-12-17 2012-11-21 日本発條株式会社 ヒータユニットとその製造方法
JP4988615B2 (ja) 2008-01-31 2012-08-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
CA2655972C (en) * 2008-02-26 2011-09-13 Indsale Limited Blister package assembly and method and system for manufacturing the same
JP5413016B2 (ja) 2008-07-31 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
JP5280964B2 (ja) * 2008-09-04 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
CN101738069A (zh) * 2008-11-06 2010-06-16 奇美电子股份有限公司 真空干燥软烤设备及真空干燥软烤工艺
KR101067608B1 (ko) * 2009-03-30 2011-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5712101B2 (ja) * 2010-12-24 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP5254308B2 (ja) * 2010-12-27 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
US20120260947A1 (en) * 2011-04-12 2012-10-18 Satoshi Kaneko Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable recording medium having substrate cleaning program recorded therein
JP5885989B2 (ja) * 2011-10-13 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5837829B2 (ja) * 2012-01-11 2015-12-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN103295936B (zh) * 2012-02-29 2016-01-13 斯克林集团公司 基板处理装置及基板处理方法
JP6010398B2 (ja) 2012-08-31 2016-10-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
KR101512560B1 (ko) 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
JP6131162B2 (ja) 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6351993B2 (ja) 2013-03-18 2018-07-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
JP6276924B2 (ja) 2013-03-18 2018-02-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20060102289A1 (en) * 2004-11-15 2006-05-18 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus, substrate processing method, substrate position correcting apparatus, and substrate position correcting method
US20070144563A1 (en) * 2005-12-28 2007-06-28 Hiroyuki Araki Substrate treatment apparatus and substrate treatment method
JP2011238967A (ja) * 2006-04-18 2011-11-24 Tokyo Electron Ltd 液処理装置
US20090235866A1 (en) * 2008-03-21 2009-09-24 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater
TW201043347A (en) * 2009-03-04 2010-12-16 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus, liquid processing method, and resist coating method

Also Published As

Publication number Publication date
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