KR20210075939A - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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KR20210075939A
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겐지 고바야시
마나부 오쿠타니
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가부시키가이샤 스크린 홀딩스
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Abstract

기판 처리 장치는, 기판을 지지하면서, 기판을 하방으로부터 가열하는 기판 가열 유닛과, 기판 가열 유닛을, 수평 자세와 경사 자세의 사이에서 자세 변경시키는 자세 변경 유닛을 포함한다. 기판이 가열되는 기판 고온화 공정에 이어 실행되는 유기 용제 배제 공정에 있어서, 기판 가열 유닛을 경사 자세로 자세 변경시킴으로써, 기판의 상면이 수평면에 대해 경사진다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND SUBSTRATE PROCESSING METHOD}
본 발명은, 기판을 처리하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것이다. 처리 대상이 되는 기판에는, 예를 들어, 반도체 웨이퍼, 액정 표시 장치용 기판, 플라즈마 디스플레이용 기판, FED (Field Emission Display) 용 기판, 광 디스크용 기판, 자기 디스크용 기판, 광 자기 디스크용 기판, 포토마스크용 기판, 세라믹 기판, 태양 전지용 기판 등이 포함된다.
반도체 장치의 제조 공정에서는, 반도체 웨이퍼 등의 기판의 표면 (front surface) 이 처리액으로 처리된다. 기판을 1 매씩 처리하는 매엽식 (single substrate processing type) 의 기판 처리 장치는, 기판을 거의 수평으로 유지하면서, 그 기판을 회전시키는 스핀 척과, 이 스핀 척에 의해 회전되는 기판의 표면에 처리액을 공급하기 위한 노즐을 구비하고 있다.
매엽식의 기판 처리 장치에서는, 스핀 척에 유지된 기판에 대해 약액이 공급된다. 그 후, 린스액이 기판에 공급된다. 이로써, 기판 상의 약액이 린스액으로 치환된다. 그 후, 기판 상의 린스액을 배제하기 위한 스핀 드라이 공정이 실시된다. 스핀 드라이 공정에서는, 기판이 고속 회전됨으로써, 기판에 부착되어 있는 린스액이 털어져 제거 (건조) 된다.
이와 같은 스핀 드라이 공정에서는, 기판에 형성된 패턴의 내부에 침투된 린스액을 충분히 제거할 수 없는 결과, 건조 불량이 생길 우려가 있다. 그 때문에, 예를 들어 일본 공개특허공보 평9－38595호에 기재되어 있는 바와 같이, 린스 처리 후의 기판의 표면에, 이소프로필알코올 (isopropyl alcohol ： IPA) 액 등의 유기 용제의 액체를 공급하고, 패턴의 내부에 침투된 린스액을 유기 용제의 액체로 치환하여, 기판의 표면을 건조시키는 수법이 제안되어 있다.
종래의 스핀 드라이 공정에서는, 인접하는 2 개의 패턴끼리가 끌어당겨져, 패턴 도괴가 발생하는 경우가 있다. 이 원인의 하나는, 인접하는 2 개의 패턴간에 존재하는 액에 의한 표면장력에 있다고 추찰된다. 스핀 드라이 공정 전에 IPA 등의 유기 용제를 기판에 공급하는 경우에는, 표면장력이 낮은 유기 용제가 인접하는 2 개의 패턴간에 존재하므로, 패턴끼리를 끌어당기는 힘이 약해지는 결과, 패턴 도괴를 방지할 수 있다고 생각되고 있다.
그러나, 최근, 반도체 기판의 표면에는, 고집적화를 위해서, 미세하고 또한 어스펙트비가 높은 미세 패턴 (볼록형 패턴, 라인상의 패턴 등) 이 형성되어 있다. 미세 패턴은 도괴되기 쉽기 때문에, 스핀 드라이 공정 전에 유기 용제를 기판에 공급해도, 미세 패턴의 도괴를 충분히 억제할 수 없는 우려가 있다.
본 발명자들은, 스핀 건조 (스핀 드라이 공정) 를 사용하지 않고, 기판의 표면으로부터 유기 용제의 액막을 기판의 상방으로부터 순조롭고 완전하게 배제하는 것을 검토하고 있다. 그것을 위한 수법으로서, 본 발명자들은, 기판을 가열하면서, 당해 기판의 상면을 수평면에 대해 경사시키는 것을 검토하고 있다.
본 발명의 목적의 하나는, 기판을 가열하면서, 당해 기판의 상면을 수평면에 대해 경사시키는 것이다. 본 발명의 다른 목적은, 유기 용제 등의 처리액의 액막을 기판의 상방으로부터 순조롭고 완전하게 배제하는 것이다.
본 발명의 일 실시형태는, 기판의 상면에 처리액을 공급하여 당해 처리액의 액막을 형성하는 처리액 공급 유닛과, 상기 기판을 하방으로부터 가열하여 상기 액막을 가열하는 기판 가열 유닛과, 상기 기판과 상기 기판 가열 유닛의 상대 자세를 일정하게 유지하면서, 상기 기판 및 상기 기판 가열 유닛을, 상기 기판의 상면을 수평으로 하여 상기 기판 상에 상기 처리액의 액막을 유지시키는 수평 자세와, 상기 기판의 상면을 수평면에 대해 경사시켜 상기 기판 가열 유닛에 의해 가열된 상기 처리액의 액막을 상기 기판 상으로부터 배제하는 경사 자세의 사이에서 자세 변경시키는 자세 변경 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다.
이 구성에 의하면, 기판과, 당해 기판을 가열하는 기판 가열 유닛의 상대 자세를 일정하게 유지하면서, 기판 및 기판 가열 유닛이, 수평 자세와 경사 자세의 사이에서 자세 변경된다. 이로써, 기판을 가열하면서, 당해 기판의 상면을 수평면에 대해 경사시킬 수 있다. 그 결과, 가열된 처리액의 액막을 기판 상으로부터 원활히 배제할 수 있다. 기판과 기판 가열 유닛을 수평 자세와 경사 자세의 사이에서 자세 변화시키는 동안, 기판과 기판 가열 유닛의 상대 자세는 일정하게 유지되기 때문에, 기판과 기판 가열 유닛을 자세 변화시켜도 기판 가열 유닛에 의한 기판의 가열 상태를 일정하게 유지할 수 있다.
상기 기판 가열 유닛은, 상기 기판의 하면에 접촉하여 당해 기판을 지지해도 된다. 상기 자세 변경 유닛은, 상기 기판을 지지하고 있는 상기 기판 가열 유닛을, 상기 수평 자세와 상기 경사 자세의 사이에서 자세 변경시켜도 된다.
이 구성에 의하면, 기판 가열 유닛은, 기판을 하방으로부터 가열하면서, 당해 기판을 하방으로부터 접촉 지지한다. 이 기판 가열 유닛을 수평 자세로부터 경사 자세로 자세 변경시킴으로써, 기판 가열 유닛에 의해 기판을 양호하게 유지하면서, 당해 기판의 상면을 수평면에 대해 경사시킬 수 있다. 이로써, 기판 가열 유닛에 의해 기판을 가열하면서, 당해 기판의 상면을 수평면에 대해 경사시킬 수 있다.
상기 자세 변경 유닛은, 수평한 지지면을 갖는 지지 부재와, 상기 지지면 상에 배치되고, 상기 지지면에 교차하는 방향으로 신축 가능하게 형성되어 상기 기판 가열 유닛의 주연부 (周緣部) 를 하방으로부터 지지하는 복수의 신축 유닛과, 상기 복수의 신축 수단의 길이가 불균일해지도록, 상기 신축 유닛을 신축시키는 신축 구동 유닛을 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 기판 가열 유닛의 주연부가, 복수의 신축 유닛에 의해 하방으로부터 지지되어 있다. 복수의 신축 유닛의 길이를 서로 동일하게 함으로써, 기판 가열 유닛이 수평 자세로 유지된다. 또, 복수의 신축 수단의 길이를 불균일하게 함으로써, 기판 가열 유닛이 경사 자세로 유지된다. 이로써, 간단한 구성으로, 기판 가열 유닛을 수평 자세와 경사 자세의 사이에서 자세 변경시킬 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판이 상기 경사 자세를 이루는 상태에서, 경사져 있는 기판의 주연부의 하부와 맞닿고, 상기 기판 가열 유닛 상으로부터의 상기 기판의 활락 (滑落) 을 방지하는 활락 방지 부재를 추가로 포함하고 있어도 된다.
기판 가열 유닛과 기판의 하면의 사이에 생기는 마찰력에 의해, 기판이 기판 가열 유닛 상에서 지지되어 있다. 기판 및 기판 가열 유닛이 수평 자세를 이루는 상태에서는, 상기의 마찰력에 의해, 기판은 이동하지 않고, 정지 상태에 있다. 한편, 기판이 경사 상태를 이루는 경우에는, 기판은, 자중에 의해 기판 가열 유닛 상을 따라 낙하할 우려가 있다.
이 구성에 의하면, 기판 및 기판 가열 유닛이 경사 자세를 이루는 상태에서, 활락 방지 부재가, 경사져 있는 기판의 주연부의 하부와 맞닿고, 이로써, 기판 가열 유닛 상을 따르는 방향에 관한 기판의 이동이 저지되어, 기판 가열 유닛 상으로부터의 기판의 활락이 방지된다. 그러므로, 기판 가열 유닛 상으로부터의 기판의 활락을 확실하게 방지하면서, 기판 및 기판 가열 유닛의 쌍방을 경사 자세로 유지할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 가열 유닛과의 사이에서 기판이 수수(授受) 가능하게 형성된 기판 유지 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다. 상기 기판 유지 유닛은, 상기 기판의 주연부와 맞닿아 상기 기판을 지지하는 지지핀을 가지고 있어도 된다. 상기 지지핀이 상기 활락 방지 부재로서 기능해도 된다.
이 구성에 의하면, 기판 유지 유닛의 지지핀에 의해, 기판 가열 유닛 상으로부터의 기판의 활락이 방지된다. 이로써, 활락 방지 부재를 지지핀과는 다른 부재로 형성하는 경우와 비교해서, 부품 점수를 저감할 수 있음과 함께 비용 절감을 도모할 수 있다.
상기 기판 가열 유닛은, 상기 기판의 하면에 대향하는 기판 대향면과, 상기 기판 대향면에 형성된 복수의 엠보스를 포함하고 있어도 된다. 상기 복수의 엠보스는, 상기 기판의 하면에 맞닿음으로써, 상기 기판의 하면과 상기 기판 대향면이 간격을 두고 대향한 상태에서, 상기 기판을 지지해도 된다.
이 구성에 의하면, 복수의 엠보스가 기판의 하면에 맞닿음으로써, 기판 대향면과 간격을 둔 상태에서, 기판이 기판 가열 유닛 상에 지지된다. 이 상태에서, 기판 대향면이 발열함으로써, 이 열이 기판에 부여되어, 기판이 하방으로부터 가열된다.
기판 대향면과 간격을 둔 상태에서, 기판이 기판 가열 유닛 상에 지지되어 있으므로, 기판이 기판 대향면에 끌어당겨져 기판 대향면에 첩부되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또, 기판 대향면에 오염 물질이 있는 경우여도, 그 오염 물질이 기판 (의 하면) 에 전사되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 복수의 엠보스가 상기 활락 방지 부재로서 기능하고 있어도 된다.
상기 복수의 엠보스는, 상기 기판 대향면의 전체 영역에 분산 배치되어 있어도 된다. 이 경우, 기판 대향면에 분산 배치되어 있는 복수의 엠보스에 의해 기판이 지지되어 있으므로, 기판 대향면으로부터 기판으로의 전열에 의한 열의 전달되기 쉬움을 기판의 면내에서 균일하게 유지할 수 있음과 함께, 기판의 휨이 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 복수의 엠보스는, 상기 기판 대향면의 주연부에만 배치되어 있어도 된다.
상기 자세 변경 유닛은, 상기 기판 가열 유닛에 의한 상기 액막의 가열에 의해, 상기 기판의 상면의 상방 공간에 상기 처리액의 기상이 형성된 후에, 상기 기판 가열 유닛을, 상기 수평 자세로부터 상기 경사 자세로 경사시켜도 된다. 이와 같이 하면, 처리액의 기상에 의해 기판으로부터 격리된 처리액의 액막을 분열시키지 않고, 액 덩어리채 기판의 상면으로부터 배제할 수 있다.
본 발명의 다른 실시형태는, 수평 자세로 유지되어 있는 기판의 상면에 린스액을 공급하는 린스 공정과, 상기 린스액보다 표면장력이 낮은 유기 용제의 액체를 상기 기판의 상면에 공급함으로써, 상기 린스액을 상기 유기 용제로 치환하여, 상기 기판의 상면을 덮는 유기 용제의 액막을 형성하는 유기 용제 치환 공정과, 상기 유기 용제 치환 공정의 개시 후, 기판 가열 유닛에 의해 상기 기판을 하방으로부터 가열하여, 상기 기판의 상면을 상기 유기 용제의 비점보다 높은 제 1 온도에 도달시키고, 이로써, 상기 기판의 상면을 덮는 유기 용제의 액막과 상기 기판의 상면의 사이에, 상기 상면 전체 영역에 있어서 유기 용제의 기상을 형성함과 함께, 상기 유기 용제의 기상의 상방에 상기 유기 용제의 액막을 부상 (浮上) 시키는 기판 고온화 공정과, 상기 기판과 상기 기판 가열 유닛의 상대 자세를 일정하게 유지하면서, 상기 기판 및 상기 기판 가열 유닛을, 상기 기판의 상면이 수평면에 대해 경사지는 경사 자세로 자세 변경시킴으로써, 부상하고 있는 상기 유기 용제의 액막을, 상기 기판의 상면의 상방으로부터 배제하는 유기 용제 배제 공정을 포함하는, 기판 처리 방법을 제공한다.
이 방법에 의하면, 기판의 상면에 유기 용제의 액체를 공급하여, 기판의 상면을 덮는 유기 용제의 액막을 기판 상에 형성함으로써, 기판의 상면에 부착되어 있는 린스액을 유기 용제의 액체로 치환한다. 유기 용제의 액막이 기판의 상면의 전체 영역을 덮고 있으므로, 기판의 상면의 전체 영역에 있어서 린스액을 양호하게 치환할 수 있다. 그리고, 유기 용제의 액막의 형성 후에, 기판의 상면의 온도를 제 1 온도에 도달시킨다. 이로써, 기판의 상면 전체 영역에 있어서 유기 용제의 액막과 기판의 상면의 사이에 유기 용제의 기상이 형성됨과 함께, 당해 유기 용제의 기상의 상방에 유기 용제의 액막이 부상한다. 이 상태에서는, 기판의 상면과 유기 용제의 액막의 사이에 생기는 마찰력의 크기는 대략 영이며, 그 때문에, 유기 용제의 액막은, 기판의 상면을 따라 이동하기 쉽다.
유기 용제 배제 공정에 있어서, 기판과 기판 가열 유닛의 상대 자세를 일정하게 유지하면서, 기판 및 기판 가열 유닛을 경사 자세로 자세 변경시켜, 기판의 상면을 수평면에 대해 경사시킨다. 이로써, 부상하고 있는 유기 용제의 액막은 자중을 받아, 경사져 있는 기판의 주연부의 가장 낮은 부분을 향하여, 기판의 상면을 따라 이동하고, 기판의 주연부로부터 배출된다. 유기 용제의 액막의 이동은, 액 덩어리 상태를 유지하면서, 즉, 다수의 소적 (小滴) 으로 분열되는 일 없이 실시되고, 이로써, 유기 용제의 액막을, 기판의 상방으로부터 순조롭고 완전하게 배제할 수 있다.
그 때문에, 유기 용제의 액막의 배제 후의 기판의 상면에는, 유기 용제의 액적이 잔류하지 않는다. 즉, 미세 패턴의 간극에 유기 용제의 액체가 잔류하지 않는다. 따라서, 미세 패턴이 상면에 형성된 기판을 처리하는 경우여도, 패턴의 도괴를 억제 또는 방지하면서, 기판의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 처리액을 공급함으로써, 기판의 상면 전체 영역을 덮는 처리액의 액막을 형성하는 처리액 공급 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 기판의 상면 전체 영역이 처리액의 액막으로 덮여 있는 상태에서, 처리액의 비점 이상의 온도에서 가열함으로써, 처리액을 증발시켜, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상을 형성하는 기판 가열 유닛과, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 개재되어 있는 상태에서 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판 상의 처리액의 액막의 주연부에 접촉하는 외방 유도면을 포함하고, 상기 외방 유도면과 처리액의 액막의 접촉에 의해, 처리액을 기판의 상면으로부터 기판의 주위로 유도하는 유도 부재를 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다. 기판의 상면에 패턴이 형성되어 있는 경우, 기판의 상면은, 모재 (예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 의 상면과 패턴의 표면을 포함한다.
이 구성에 의하면, 수평으로 유지되어 있는 기판의 상면에 처리액이 공급되어, 기판의 상면 전체 영역을 덮는 처리액의 액막이 형성된다. 그 후, 처리액의 비점 이상의 온도에서 기판이 가열되어, 기판의 온도가 처리액의 비점 이상의 값에 도달한다. 이로써, 처리액과 기판의 상면의 계면에서 처리액이 증발하여, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성된다. 이 때, 처리액의 액막은 기판의 상면으로부터 부상하므로, 기판 상의 처리액의 액막에 작용하는 마찰 저항은, 영으로 간주할 수 있을 만큼 작다. 그 때문에, 처리액의 액막은, 기판의 상면을 따라 미끄러지기 쉬운 상태에 있다.
유도 부재의 외방 유도면은, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 개재되어 있는 상태에서 기판 상의 처리액의 액막의 주연부에 접촉한다. 외방 유도면에 접촉한 처리액은, 유도 부재를 따라 기판의 주위에 배출된다. 이 유도 부재와 액막의 접촉을 계기로, 기판의 주연부를 향하는 외향의 흐름이 처리액의 액막에 형성되고, 기판 상의 처리액의 액막이 다수의 소적으로 분열되는 일 없이, 덩어리채 기판으로부터 배제된다. 이로써, 처리액의 액막을 기판으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다.
고속 회전에 의해 기판을 건조시키는 스핀 드라이 공정에서는, 인접하는 2 개의 구조물에 걸치는 액면 (기액의 계면) 이 형성된다. 패턴을 도괴시키는 표면장력은, 액면과 패턴의 접촉 위치 (기체, 액체, 및 고체의 계면) 에 작용한다. 이에 대하여, 본 발명에서는, 기판의 온도가 처리액의 비점 이상이므로, 처리액이 기판의 상면에 접촉했다고 해도, 이 액체는 곧바로 증발한다. 그 때문에, 스핀 드라이 공정 때와 같은 액면이 형성되지 않고, 패턴을 도괴시키는 표면장력이 패턴에 가해지지 않는다. 따라서, 패턴 도괴의 발생을 저감할 수 있다.
또한, 기판 상에서 액막을 증발시키면, 워터 마크나 파티클 등의 결함이 발생할 우려가 있다. 이에 대하여, 본 발명에서는, 액막을 기판에 대해 이동시킴으로써 배제한다. 따라서, 워터 마크나 파티클 등의 발생을 저감할 수 있다. 특히, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 개재되어 있고, 처리액의 액막이 기판의 상면을 따라 미끄러지기 쉬운 상태에 있으므로, 재빠르게 단시간에 액막을 배제할 수 있다. 이로써, 기판의 상면이 처리액의 액막으로부터 부분적으로 노출되어 있는 시간을 저감할 수 있으므로, 보다 균일한 처리를 기판에 실시할 수 있다.
상기 유도 부재는, 등간격으로 기판의 둘레 방향으로 배열된 복수의 외방 유도면을 포함하고 있어도 된다.
외방 유도면이 기판 상의 처리액의 액막에 접촉하면, 기판 상의 처리액을 외방으로 유도하는 힘이 기판 상의 처리액의 액막에 가해진다. 복수의 외방 유도면이 기판의 둘레 방향으로 등간격으로 배열되어 있으므로, 복수의 외방 유도면은, 기판의 둘레 방향으로 등간격으로 떨어진 복수의 위치에서, 기판 상의 처리액의 액막에 접촉한다. 따라서, 기판 상의 처리액의 액막은, 복수의 외방 유도면에 의해 균일하게 외방으로 유도된다. 그 때문에, 기판 상의 처리액의 액막을 치우침 없이 기판으로부터 배제할 수 있다.
상기 외방 유도면은, 기판의 주연부를 따라 연장되는 환상 또는 원호상이어도 된다.
이 구성에 의하면, 외방 유도면이 기판의 주연부를 따라 연장되어 있으므로, 외방 유도면과 액막의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 이로써, 기판 상의 처리액을 외방으로 유도하는 힘을 증가시킬 수 있다.
상기 외방 유도면은, 기판의 전체 둘레에 걸쳐서 연속된 환상이어도 된다.
이 구성에 의하면, 외방 유도면이 기판의 전체 둘레에 걸쳐서 연속되어 있으므로, 외방 유도면과 액막의 접촉 면적을 더욱 증가시킬 수 있다. 이로써, 기판 상의 처리액을 외방으로 유도하는 힘을 더욱 증가시킬 수 있다. 또한, 환상의 외방 유도면이 액막의 주연부의 전체 둘레에 접촉하므로, 기판 상의 처리액의 액막은, 환상의 외방 유도면에 의해 균일하게 외방으로 유도된다. 그 때문에, 기판 상의 처리액의 액막을 치우침 없이 기판으로부터 배제할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 대향하는 대향면을 갖는 대향 부재를 추가로 포함하고 있어도 된다. 상기 유도 부재는, 상기 대향면으로부터 하방에 돌출되어 있어도 된다. 기판이 원판상인 경우, 대향면은, 기판의 외경보다 큰 외경을 가지고 있는 것이 바람직하다. 또, 대향면은, 기판의 상면과 평행한 것이 바람직하다.
이 구성에 의하면, 대향 부재의 대향면에 의해 기판의 상면이 덮인다. 이 상태에서, 기판 상의 처리액의 액막이, 유도 부재에 의해 외방으로 유도된다. 따라서, 기판의 상면의 노출 부분을 대향 부재로 보호하면서, 기판 상의 처리액의 액막을 기판으로부터 배제할 수 있다.
상기 기판 유지 유닛은, 기판의 주연부에 가압되는 가동 파지부를 포함하는 가동핀과, 상기 가동 파지부가 기판의 주연부에 가압되는 폐쇄 위치와 상기 가동 파지부가 기판의 주연부로부터 멀어지는 개방 위치의 사이에서 상기 가동핀을 이동시키는 척 개폐 유닛을 포함하고 있어도 된다. 상기 기판 처리 장치는, 상기 가동핀이 상기 개방 위치에 위치하고 있는 상태에서, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되도록, 상기 척 개폐 유닛 및 기판 가열 유닛을 제어하는 제어 장치를 추가로 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 가동 파지부가 기판의 주연부로부터 떨어져 있는 상태에서, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성된다. 기판의 상면으로부터 부상하고 있는 처리액의 액막은, 기판의 상면을 따라 미끄러지기 쉬운 상태에 있다. 처리액의 액막이 부상했을 때에 가동 파지부가 기판의 주연부로부터 떨어져 있으므로, 처리액의 액막이 가동 파지부와의 접촉에 의해 의도하지 않고 기판으로부터 배제되는 것을 방지할 수 있다.
상기 기판 유지 유닛은, 기판의 주연부에 가압되는 가동 파지부를 포함하는 가동핀과, 상기 가동핀을 이동시키는 척 개폐 유닛을 포함하고 있어도 된다. 상기 유도 부재는, 상기 가동핀에 형성되어 있어도 된다. 상기 척 개폐 유닛은, 상기 가동 파지부가 기판의 주연부에 가압됨과 함께, 상기 외방 유도면이 기판 상의 처리액의 액막으로부터 멀어지는 폐쇄 위치와, 상기 가동 파지부가 기판의 주연부로부터 멀어짐과 함께, 상기 외방 유도면이 기판 상의 처리액의 액막에 접촉하는 개방 위치의 사이에서, 상기 가동핀을 이동시켜도 된다.
이 구성에 의하면, 가동 파지부 및 외방 유도면이, 가동핀에 형성되어 있다. 가동 파지부 및 외방 유도면은, 가동핀의 서로 상이한 위치에 배치되어 있다. 따라서, 가동핀의 위치를 변경함으로써, 가동 파지부 및 외방 유도면을 구분하여 사용할 수 있다. 또한, 가동 파지부 및 외방 유도면이 공통의 부재에 형성되어 있으므로, 부품 점수를 줄일 수 있다. 또한, 가동 파지부를 이동시키는 유닛과, 외방 유도면을 이동시키는 유닛을 공용할 수도 있다.
상기 기판 유지 유닛은, 기판의 주연부에 가압되는 가동 파지부를 포함하는 가동핀과, 상기 가동핀을 이동시키는 척 개폐 유닛을 포함하고 있어도 된다. 상기 외방 유도면은, 상기 가동 파지부에 형성되어 있어도 된다. 상기 척 개폐 유닛은, 상기 가동 파지부가 기판의 주연부에 가압됨과 함께, 상기 외방 유도면이 기판 상의 처리액의 액막에 접촉하는 폐쇄 위치와, 상기 가동 파지부가 기판의 주연부로부터 멀어짐과 함께, 상기 외방 유도면이 기판 상의 처리액의 액막으로부터 멀어지는 개방 위치의 사이에서, 상기 가동핀을 이동시켜도 된다.
이 구성에 의하면, 외방 유도면이 가동 파지부의 일부를 구성하고 있다. 가동핀이 폐쇄 위치에 배치되면, 가동 파지부가 기판의 주연부에 가압됨과 함께, 외방 유도면이 기판 상의 처리액의 액막에 접촉한다. 따라서, 외방 유도면이 기판 상의 처리액의 액막에 접촉하는 유도 위치를, 폐쇄 위치와는 별도로 형성하지 않아도 된다. 그 때문에, 가동핀이나 가동핀을 이동시키는 유닛 (척 개폐 유닛) 의 구조를 간소화할 수 있다.
처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면을 향하여 기체를 토출함으로써, 처리액이 배제된 건조 영역을 기판의 상면의 일부 영역에 형성하는 기체 토출 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 기판의 상면의 일부의 영역인 분사 위치에 기체가 분사된다. 분사 위치에 있는 처리액은, 기체의 공급에 의해 그 주위로 밀려나간다. 이로써, 분사 위치에 건조 영역이 형성된다. 또한, 처리액이 기체의 공급에 의해 분사 위치로부터 그 주위로 이동하므로, 기판의 주연부를 향하는 외향의 흐름이 처리액의 액막에 형성된다. 따라서, 기체의 공급과 유도 부재를 병용함으로써, 기판 상의 처리액의 액막을 기판으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다.
상기 기체 토출 유닛은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면을 따라 상기 유도 부재를 향해 흐르는 기류를 형성해도 된다.
이 구성에 의하면, 기판의 상면을 향하여 기체가 토출된다. 이로써, 기판의 상면의 일부로부터 처리액이 배제되어, 건조 영역이 기판의 상면에 형성된다. 그 결과, 유도 부재를 향하는 흐름이 처리액의 액막에 형성된다. 또한, 기체가 기판의 상면을 따라 유도 부재를 향해 흐르므로, 유도 부재를 향하는 처리액의 흐름이, 기판의 상면을 따라 유도 부재를 향하는 기류에 의해 촉진된다. 따라서, 기판 상의 처리액의 액막을 효율적으로 배제할 수 있다. 그 때문에, 액막의 배제에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.
상기 유도 부재를 향하여 기체를 토출하는 액 잔류 방지 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 유도 부재를 향하여 토출된 기체에 의해, 유도 부재에 부착되어 있는 액체가 날려간다. 그 때문에, 유도 부재에 부착되어 있는 액체에서 기인하는 파티클의 발생을 저감할 수 있다.
상기 기판 가열 유닛은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면 전체 영역을 가열하는 복수의 히터를 포함하고 있어도 된다. 상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 가열 유닛을 제어하는 제어 장치를 추가로 포함하고 있어도 된다. 상기 제어 장치는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 기판의 상면 전체 영역이 처리액의 액막으로 덮여 있는 상태에서, 처리액의 비점 이상의 온도에서 균일하게 가열함으로써, 처리액을 증발시켜, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상을 형성하는 균일 가열 공정과, 상기 균일 가열 공정 후에, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 처리액의 비점 이상의 저온 영역과 상기 저온 영역보다 고온의 고온 영역을 기판의 상면에 형성하는 온도차 발생 공정을 실행해도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액의 비점 이상의 온도에서 기판이 균일하게 가열된다. 이로써, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성된다. 그 후, 서로 온도가 상이한 고온 영역 및 저온 영역이, 기판의 상면에 형성된다. 그 때문에, 처리액의 액막 내에 온도차가 발생하여, 저온쪽으로 이동하는 흐름이 처리액의 액막에 형성된다. 따라서, 온도차의 발생과 유도 부재를 병용함으로써, 기판 상의 처리액의 액막을 기판으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 처리액을 공급함으로써, 기판의 상면 전체 영역을 덮는 처리액의 액막을 형성하는 처리액 공급 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 기판의 상면 전체 영역이 처리액의 액막으로 덮여 있는 상태에서, 처리액의 비점 이상의 온도에서 가열함으로써, 처리액을 증발시켜, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상을 형성하는 기판 가열 유닛과, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면을 향하여 기체를 토출함으로써, 처리액이 배제된 건조 영역을 기판의 상면의 일부 영역에 형성하는 기체 토출 유닛을 포함하는 기판 처리 장치를 제공한다. 기판의 상면에 패턴이 형성되어 있는 경우, 기판의 상면은, 모재 (예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 의 상면과 패턴의 표면을 포함한다.
이 구성에 의하면, 수평으로 유지되어 있는 기판의 상면에 처리액이 공급되어, 기판의 상면 전체 영역을 덮는 처리액의 액막이 형성된다. 그 후, 처리액의 비점 이상의 온도에서 기판이 가열되어, 기판의 온도가 처리액의 비점 이상의 값에 도달한다. 이로써, 처리액과 기판의 상면의 계면에서 처리액이 증발하여, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성된다. 이 때, 처리액의 액막은 기판의 상면으로부터 부상하므로, 기판 상의 처리액의 액막에 작용하는 마찰 저항은, 영으로 간주할 수 있을 만큼 작다. 그 때문에, 처리액의 액막은, 기판의 상면을 따라 미끄러지기 쉬운 상태에 있다.
기체 토출 유닛은, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 기판의 상면의 일부의 영역인 분사 위치를 향하여 기체를 토출한다. 분사 위치에 있는 처리액은, 기체의 공급에 의해 그 주위로 밀려나간다. 이로써, 건조 영역이 분사 위치에 형성된다. 또한, 기체에 밀린 처리액이 분사 위치로부터 그 주위로 이동하므로, 기체의 공급을 계기로, 기판의 주연부를 향하는 외향의 흐름이 처리액의 액막에 형성되고, 기판 상의 처리액의 액막이 다수의 소적으로 분열되는 일 없이, 덩어리채 기판으로부터 배제된다. 이로써, 처리액의 액막을 기판으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다.
고속 회전에 의해 기판을 건조시키는 스핀 드라이 공정에서는, 인접하는 2 개의 구조물에 걸치는 액면 (기액의 계면) 이 형성된다. 패턴을 도괴시키는 표면장력은, 액면과 패턴의 접촉 위치 (기체, 액체, 및 고체의 계면) 에 작용한다. 이에 대하여, 본 발명에서는, 기판의 온도가 처리액의 비점 이상이므로, 처리액이 기판의 상면에 접촉했다고 해도, 이 액체는 곧바로 증발한다. 그 때문에, 스핀 드라이 공정 때와 같은 액면이 형성되지 않고, 패턴을 도괴시키는 표면장력이 패턴에 가해지지 않는다. 따라서, 패턴 도괴의 발생을 저감할 수 있다.
또한, 기판 상에서 액막을 증발시키면, 워터 마크나 파티클 등의 결함이 발생할 우려가 있다. 이에 대하여, 본 발명에서는, 액막을 기판에 대해 이동시킴으로써 배제한다. 따라서, 워터 마크나 파티클 등의 발생을 저감할 수 있다. 특히, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 개재되어 있고, 처리액의 액막이 기판의 상면을 따라 미끄러지기 쉬운 상태에 있으므로, 재빠르게 단시간에 액막을 배제할 수 있다. 이로써, 기판의 상면이 처리액의 액막으로부터 부분적으로 노출되어 있는 시간을 저감할 수 있으므로, 보다 균일한 처리를 기판에 실시할 수 있다.
상기 기체 토출 유닛으로부터 기판에 공급되는 기체의 공급 개시 위치가, 기판의 상면 중앙부여도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액의 액막에 덮여 있는 기판의 상면 중앙부를 향하여 기체가 토출된다. 이로써, 기판의 상면 중앙부로부터 처리액이 배제되어, 액막의 중앙부에 구멍이 형성된다. 또한, 기체의 공급에 의해 기판의 상면 중앙부로부터 그 주위로 처리액이 이동하므로, 액막의 주연부를 향하는 방사상의 흐름이, 처리액의 액막에 형성된다. 따라서, 기판 상의 처리액의 액막을 치우침 없이 기판으로부터 배제할 수 있다.
상기 기체 토출 유닛으로부터 기판에 공급되는 기체의 공급 개시 위치가, 기판의 상면 주연부여도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액의 액막에 덮여 있는 기판의 상면 주연부를 향하여 기체가 토출된다. 이로써, 기판의 상면 주연부로부터 처리액이 배제되어, 기판의 상면 주연부에 건조 영역이 형성된다. 또한, 기체의 공급에 의해 기판의 상면 주연부로부터 기판의 상면 중앙부를 향해 처리액이 이동하므로, 액막의 주연부를 향하는 흐름이, 처리액의 액막에 형성된다. 따라서, 처리액의 액막을 기판으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 가열 유닛과 기판의 간격을 일정하게 유지하면서, 상기 기판 유지 유닛에 수평으로 유지되어 있는 기판을 비스듬하게 기울이는 자세 변경 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다. 상기 기체 토출 유닛은, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 상기 자세 변경 유닛에 의해 기울어진 기판의 상면의 상단부를 향하여 기체를 토출해도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 비스듬하게 기울어진 기판의 상면의 상단부를 향하여 기체가 토출된다. 기판이 기울어짐으로써, 기판 상의 처리액의 액막은, 기판의 상면을 따라 하방으로 흘러 떨어진다. 또한, 기체의 공급에 의해 처리액의 유하 (流下) 가 촉진된다. 따라서, 기판 상의 처리액의 액막을 기판으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다. 게다가, 기판의 상면에 수직인 방향에 있어서의 기판 가열 유닛과 기판의 간격이 일정하게 유지되므로, 기판만을 기울이는 경우에 비해 가열의 불균일이 발생하기 어려워, 안정적인 기판의 가열을 계속할 수 있다.
상기 기체 토출 유닛으로부터 토출되는 기체의 온도는, 처리액의 비점 이상이어도 된다. 기체 토출 유닛으로부터 토출되는 기체의 온도는, 바람직하게는, 기판 가열 유닛의 온도 이상이다.
이 구성에 의하면, 처리액의 비점 이상의 고온의 기체가, 처리액의 액막으로 덮여 있는 기판의 상면을 향하여 토출된다. 기체의 온도가 높기 때문에, 처리액의 액막의 온도 저하를 억제할 수 있다. 혹은, 처리액의 액막을 가열할 수 있다.
본 발명의 또 다른 실시형태는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면에 처리액을 공급함으로써, 기판의 상면 전체 영역을 덮는 처리액의 액막을 형성하는 처리액 공급 유닛과, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면 전체 영역을 각각 독립된 온도에서 가열하는 복수의 히터를 포함하고, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 기판의 상면 전체 영역이 처리액의 액막으로 덮여 있는 상태에서, 처리액의 비점 이상의 온도에서 가열함으로써, 처리액을 증발시켜, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상을 형성하는 기판 가열 유닛과, 상기 기판 가열 유닛을 제어하는 제어 장치를 포함하는, 기판 처리 장치를 제공한다. 기판의 상면에 패턴이 형성되어 있는 경우, 기판의 상면은, 모재 (예를 들어, 실리콘 웨이퍼) 의 상면과 패턴의 표면을 포함한다.
상기 제어 장치는, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판을, 기판의 상면 전체 영역이 처리액의 액막으로 덮여 있는 상태에서, 처리액의 비점 이상의 온도에서 균일하게 가열함으로써, 처리액을 증발시켜, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상을 형성하는 균일 가열 공정과, 상기 균일 가열 공정 후에, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 처리액의 비점 이상의 저온 영역과 상기 저온 영역보다 고온의 고온 영역을 기판의 상면에 형성하는 온도차 발생 공정을 실행한다.
이 구성에 의하면, 수평으로 유지되어 있는 기판의 상면에 처리액이 공급되어, 기판의 상면 전체 영역을 덮는 처리액의 액막이 형성된다. 그 후, 처리액의 비점 이상의 온도에서 기판이 가열되어, 기판의 온도가 처리액의 비점 이상의 값에 도달한다. 이로써, 처리액과 기판의 상면의 계면에서 처리액이 증발하여, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성된다. 이 때, 처리액의 액막은 기판의 상면으로부터 부상하므로, 기판 상의 처리액의 액막에 작용하는 마찰 저항은, 영으로 간주할 수 있을 만큼 작다. 그 때문에, 처리액의 액막은, 기판의 상면을 따라 미끄러지기 쉬운 상태에 있다.
제어 장치는, 균일 가열 공정과 온도차 발생 공정을 실행한다. 균일 가열 공정에서는, 처리액의 비점 이상의 온도에서 기판이 균일하게 가열된다. 이로써, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성된다. 온도차 발생 공정에서는, 서로 온도가 상이한 고온 영역 및 저온 영역이, 기판의 상면에 형성된다. 그 때문에, 처리액의 액막 내에 온도차가 발생하여, 저온쪽으로 이동하는 흐름이 처리액의 액막에 형성된다. 따라서, 온도차의 발생을 계기로, 기판의 주연부를 향하는 외향의 흐름이 처리액의 액막에 형성되고, 기판 상의 처리액의 액막이 다수의 소적으로 분열되는 일 없이, 덩어리채 기판으로부터 배제된다. 이로써, 처리액의 액막을 기판으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다.
고속 회전에 의해 기판을 건조시키는 스핀 드라이 공정에서는, 인접하는 2 개의 구조물에 걸치는 액면 (기액의 계면) 이 형성된다. 패턴을 도괴시키는 표면장력은, 액면과 패턴의 접촉 위치 (기체, 액체, 및 고체의 계면) 에 작용한다. 이에 대하여, 본 발명에서는, 기판의 온도가 처리액의 비점 이상이므로, 처리액이 기판의 상면에 접촉했다고 해도, 이 액체는 곧바로 증발한다. 그 때문에, 스핀 드라이 공정 때와 같은 액면이 형성되지 않고, 패턴을 도괴시키는 표면장력이 패턴에 가해지지 않는다. 따라서, 패턴 도괴의 발생을 저감할 수 있다.
또한, 기판 상에서 액막을 증발시키면, 워터 마크나 파티클 등의 결함이 발생할 우려가 있다. 이에 대하여, 본 발명에서는, 액막을 기판에 대해 이동시킴으로써 배제한다. 따라서, 워터 마크나 파티클 등의 발생을 저감할 수 있다. 특히, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 개재되어 있고, 처리액의 액막이 기판의 상면을 따라 미끄러지기 쉬운 상태에 있으므로, 재빠르게 단시간에 액막을 배제할 수 있다. 이로써, 기판의 상면이 처리액의 액막으로부터 부분적으로 노출되어 있는 시간을 저감할 수 있으므로, 보다 균일한 처리를 기판에 실시할 수 있다.
상기 제어 장치는, 상기 온도차 발생 공정에 있어서, 기판의 상면 중앙부에 고온 영역을 형성해도 된다.
이 구성에 의하면, 기판의 상면 중앙부를 덮는 처리액의 액막의 중앙부가 그 주위의 부분보다 고온이 된다. 그 때문에, 액막의 주연부를 향하는 방사상의 흐름이, 처리액의 액막에 형성된다. 따라서, 기판 상의 처리액의 액막을 치우침 없이 기판으로부터 배제할 수 있다. 또한, 고온 영역이 최초로 형성되는 위치가 기판의 상면 주연부인 경우보다, 처리액의 액막을 배제하는 시간을 단축할 수 있다.
상기 제어 장치는, 상기 온도차 발생 공정에 있어서, 기판의 상면 주연부에 고온 영역을 형성해도 된다.
이 구성에 의하면, 기판의 상면 주연부를 덮는 처리액의 액막의 주연부가 액막의 다른 부분보다 고온이 된다. 그 때문에, 액막의 주연부를 향하는 흐름이, 처리액의 액막에 형성된다. 따라서, 기판 상의 처리액의 액막을 기판으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다.
상기 제어 장치는, 상기 온도차 발생 공정 후에, 상기 저온 영역과 상기 고온 영역의 경계를 상기 저온 영역쪽으로 이동시키는 경계 이동 공정을 추가로 실행해도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액의 액막 내에 온도차가 발생하므로, 저온쪽으로 이동하는 흐름이 처리액의 액막에 형성된다. 또한, 저온 영역과 고온 영역의 경계를 저온 영역쪽으로 이동시키므로, 액막 내에 있어서 저온쪽으로 이동하는 흐름이 촉진된다. 이로써, 기판 상의 처리액의 액막을 효율적으로 배제할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 상기 고온 영역을 향하여 기체를 토출하는 기체 토출 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 기판의 상면의 일부의 영역인 고온 영역을 향하여 기체가 토출된다. 고온 영역에 공급된 기체는, 고온 영역으로부터 멀어지는 방향으로 기판의 상면을 따라 흐른다. 그 때문에, 액막 내에 있어서 저온쪽으로 이동하는 흐름이 촉진된다. 이로써, 기판 상의 처리액의 액막을 효율적으로 배제할 수 있다.
상기 처리액 공급 유닛에 의해 기판에 공급되는 처리액은, 물보다 표면장력이 작고, 물보다 비점이 낮은 액체여도 된다.
이 구성에 의하면, 기판에 공급되는 액체의 표면장력이 작기 때문에, 인접하는 2 개의 구조물에 걸치는 액면이, 일시적으로 형성되었다고 해도, 패턴에 가해지는 표면장력이 작다. 따라서, 패턴 도괴의 발생을 저감할 수 있다. 또한, 증발하기 쉬운 액체가 기판에 공급되므로, 기판 가열 유닛의 온도를 억제하면서, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상을 형성할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 기판 유지 유닛을 수용하는 개폐 가능한 이너 챔버와, 상기 이너 챔버를 수용하는 아우터 챔버를 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 기판 유지 유닛을 수용하는 이너 챔버가, 아우터 챔버 내에 배치되어 있다. 이너 챔버가 개폐 가능하므로, 이너 챔버를 제외한 아우터 챔버의 내부와 이너 챔버의 내부를 필요에 따라 격리할 수 있다. 따라서, 이너 챔버 및 아우터 챔버에 의해 이중으로 덮인 밀폐도가 높은 공간을 필요에 따라 형성할 수 있다. 그 때문에, 밀폐도가 높은 공간 내에서 기판의 가열 등의 처리를 실시할 수 있다. 또한, 이너 챔버를 열면, 기체 또는 액체를 토출하는 노즐을 이너 챔버 내와 이너 챔버 외부의 사이에서 왕래시킬 수 있으므로, 이와 같은 노즐을 이너 챔버 내에 배치하지 않아도 된다. 따라서, 이너 챔버의 대형화를 억제 또는 방지할 수 있다.
상기 기판 처리 장치는, 상기 이너 챔버의 내부에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 유닛을 추가로 포함하고 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 기판 유지 유닛을 수용하는 이너 챔버의 내부에 불활성 가스를 공급하므로, 이너 챔버 내의 공기를 불활성 가스로 치환할 수 있어, 이너 챔버 내의 산소 농도를 저감할 수 있다. 따라서, 워터 마크 등의 산소에서 기인하는 문제의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명에 있어서의 전술한, 또는 추가로 다른 목적, 특징 및 효과는, 첨부 도면을 참조하여 다음에 기술하는 실시형태의 설명에 의해 밝혀진다.
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치의 모식적인 평면도.
도 2 는, 도 1 에 나타내는 기판 처리 장치에 구비된 처리 유닛의 모식적인 연직 단면도.
도 3 은, 도 2 에 나타내는 제 1 기판 유지 유닛 및 제 2 기판 유지 유닛의 평면도.
도 4 는, 도 3 에 나타내는 IV－IV 선을 따른 단면도.
도 5 는, 핫 플레이트의 기판 대향면을 나타내는 확대 연직 단면도.
도 6 은, 고정핀을 수평으로 본 모식도.
도 7 은, 가동핀 및 척 개폐 유닛을 수평으로 본 모식도.
도 8 은, 도 7 에 나타내는 VIII－VIII 선을 따른 단면도이며, 가동핀이 폐쇄 위치에 위치하고 있는 상태를 나타내는 모식도.
도 9 는, 가동핀이 폐쇄 위치로부터 개방 위치로 이동하고 있는 상태를 나타내는 모식도.
도 10 은, 가동핀이 개방 위치에 위치하고 있는 상태를 나타내는 모식도.
도 11 은, 처리 대상의 기판의 표면을 확대하여 나타내는 단면도.
도 12 는, 처리 유닛에서 실행되는 기판의 제 1 처리예를 설명하기 위한 공정도.
도 13a 는, 도 12 에 나타내는 제 1 처리예를 설명하기 위한 모식도.
도 13b 는, 도 13a 에 계속되는 공정을 설명하기 위한 모식도.
도 13c 는, 도 13b 에 계속되는 공정을 설명하기 위한 모식도.
도 13d 는, 도 13c 에 계속되는 공정을 설명하기 위한 모식도.
도 13e 는, 도 13d 에 계속되는 공정을 설명하기 위한 모식도.
도 13f 는, 도 13e 에 계속되는 공정을 설명하기 위한 모식도.
도 13g 는, 도 13f 에 계속되는 공정을 설명하기 위한 모식도.
도 13h 는, 도 13g 에 계속되는 공정을 설명하기 위한 모식도.
도 13i 는, 도 13h 에 계속되는 공정을 설명하기 위한 모식도.
도 14a 는, 도 12 에 나타내는 제 1 처리예에 있어서의 기판의 상면의 상태를 설명하기 위한 모식적인 단면도.
도 14b 는, 도 12 에 나타내는 제 1 처리예에 있어서의 기판의 상면의 상태를 설명하기 위한 모식적인 단면도.
도 14c 는, 도 12 에 나타내는 제 1 처리예에 있어서의 기판의 상면의 상태를 설명하기 위한 모식적인 단면도.
도 14d 는, 도 12 에 나타내는 제 1 처리예에 있어서의 기판의 상면의 상태를 설명하기 위한 모식적인 단면도.
도 15 는, 기판 고온화 공정에 있어서, 제 1 기판 유지 유닛 및 제 2 기판 유지 유닛을 수평으로 보았을 때의 연직 단면도.
도 16 은, 유기 용제 배출 공정에 있어서, 제 1 기판 유지 유닛 및 제 2 기판 유지 유닛을 수평으로 보았을 때의 연직 단면도.
도 17 은, 유기 용제 치환 공정, 기판 고온화 공정 및 유기 용제 배출 공정에 있어서의, IPA 의 토출 유량의 변화, 및 기판의 회전 속도의 변화를 나타내는 도면.
도 18 은, 처리 유닛에서 실행되는 기판의 제 2 처리예의 최종 린스 공정을 설명하기 위한 모식도.
도 19 는, 처리 유닛에서 실행되는 기판의 제 3 처리예의 IPA 의 토출 유량의 변화 및 기판의 회전 속도의 변화를 나타내는 도면.
도 20 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 제 2 기판 유지 유닛의 제 1 변형예를 나타내는 도면.
도 21 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 제 2 기판 유지 유닛의 제 2 변형예를 나타내는 도면.
도 22 는, 본 발명의 제 2 실시형태에 관련된 처리 유닛의 내부를 수평으로 본 모식도.
도 23 은, 제 1 기판 유지 유닛 및 제 2 기판 유지 유닛을 나타내는 평면도.
도 24 는, 가동핀을 나타내는 평면도.
도 25 는, 유도 부재의 단면을 나타내는 처리 유닛의 일부의 모식도.
도 26 은, 복수의 유도 부재와 기판의 위치 관계를 나타내는 평면도.
도 27 은, 고정핀을 수평으로 본 모식도.
도 28 은, 가동핀 및 척 개폐 유닛을 수평으로 본 모식도.
도 29a 는, 도 28 에 나타내는 IX－IX 선을 따른 단면도이며, 가동핀이 폐쇄 위치에 위치하고 있는 상태를 나타내는 도면.
도 29b 는, 도 28 에 나타내는 IX－IX 선을 따른 단면도이며, 가동핀이 개방 위치에 위치하고 있는 상태를 나타내는 도면.
도 30 은, 처리 유닛에 의해 실시되는 기판의 처리의 일례에 대해 설명하기 위한 공정도.
도 31 은, IPA 의 액막이 기판의 상면으로부터 부상하고 있는 상태를 나타내는 모식도.
도 32 는, 기판 상의 IPA 의 액막이 유도 부재에 의해 유도되고 있는 상태를 나타내는 모식도.
도 33 은, 본 발명의 제 3 실시형태에 관련된 유도 부재를 나타내는 평면도.
도 34 는, 본 발명의 제 4 실시형태에 관련된 처리 유닛의 일부를 나타내는 모식도.
도 35a 는, 본 발명의 제 5 실시형태에 관련된 유도 부재 및 가동핀을 나타내는 평면도이며, 가동핀이 폐쇄 위치에 위치하고 있는 상태를 나타내는 도면.
도 35b 는, 본 발명의 제 5 실시형태에 관련된 유도 부재 및 가동핀을 나타내는 평면도이며, 가동핀이 개방 위치에 위치하고 있는 상태를 나타내는 도면.
도 36 은, 본 발명의 제 6 실시형태에 관련된 유도 부재 및 가동핀을 나타내는 연직 단면도이며, 가동핀이 폐쇄 위치에 위치하고 있는 상태를 나타내는 도면.
도 37 은, 본 발명의 제 7 실시형태에 관련된 유기 용제 배제 공정을 나타내는 모식도.
도 38a 는, 본 발명의 제 8 실시형태에 관련된 유기 용제 배제 공정을 나타내는 평면도.
도 38b 는, 도 38a 에 나타내는 기판을 수평으로 본 모식도.
도 39a 는, 본 발명의 제 9 실시형태에 관련된 자세 변경 유닛을 수평으로 본 모식도.
도 39b 는, 본 발명의 제 9 실시형태에 관련된 자세 변경 유닛에 의해 기판 및 핫 플레이트가 기울어져 있는 상태를 나타내는 모식도.
도 40 은, 본 발명의 제 10 실시형태에 관련된 처리 유닛의 일부를 나타내는 모식도.
도 41 은, 유도 부재에 잔류하고 있는 액적을 기체로 제거하고 있는 상태를 나타내는 연직 단면도.
도 42a 는, 본 발명의 제 11 실시형태에 관련된 유기 용제 배제 공정을 나타내는 모식도이며, 저온 영역과 고온 영역이 기판의 상면에 형성되어 있는 상태를 나타내는 도면.
도 42b 는, 본 발명의 제 11 실시형태에 관련된 유기 용제 배제 공정에 있어서, 고온 영역을 외방으로 확대시키고 있는 상태를 나타내는 모식도.
도 43a 는, 본 발명의 제 12 실시형태에 관련된 유기 용제 배제 공정을 나타내는 모식도이며, 저온 영역과 고온 영역이 기판의 상면에 형성되어 있는 상태를 나타내는 도면.
도 43b 는, 도 43a 에 나타내는 기판을 위에서 본 모식도.
도 44 는, 본 발명의 제 13 실시형태에 관련된 유기 용제 배제 공정을 나타내는 모식도이며, 기판의 상방에 배치된 상방 히터에서 IPA 의 액막의 중앙부를 가열하고 있는 상태를 나타내는 도면.
도 45a 는, 본 발명의 제 14 실시형태에 관련된 유기 용제 배제 공정을 나타내는 모식도.
도 45b 는, 본 발명의 제 15 실시형태에 관련된 유기 용제 배제 공정에 있어서, 고온 영역을 외방으로 확대시키고 있는 상태를 나타내는 모식도.
도 46a 는, 본 발명의 제 16 실시형태에 관련된 유기 용제 배제 공정을 나타내는 모식도.
도 46b 는, 도 46a 에 나타내는 기판을 수평으로 본 모식도.
도 47 은, 스핀 드라이 공정에 있어서 패턴 내에 형성되는 액면을 나타내는 기판의 단면도.
제 1 실시형태
도 1 은, 본 발명의 제 1 실시형태에 관련된 기판 처리 장치 (1) 의 모식적인 평면도이다. 도 2 는, 도 1 에 나타내는 기판 처리 장치 (1) 에 구비된 처리 유닛 (202) 의 모식적인 연직 단면도이다.
기판 처리 장치 (1) 는, 실리콘 웨이퍼 등의 원판상의 기판 (W) 을 1 매씩 처리하는 매엽식의 장치이다. 도 1 에 나타내는 바와 같이, 기판 처리 장치 (1) 는, 처리액으로 기판 (W) 을 처리하는 복수의 처리 유닛 (202) 과, 처리 유닛 (202) 에서 처리되는 복수 매의 기판 (W) 을 수용하는 캐리어 (C) 가 재치 (載置) 되는 로드 포트 (LP) 와, 로드 포트 (LP) 와 처리 유닛 (202) 의 사이에서 기판 (W) 을 반송하는 반송 로봇 (IR) 및 반송 로봇 (CR) 과, 기판 처리 장치 (1) 를 제어하는 제어 장치 (3) 를 포함한다.
처리 유닛 (202) 은, 원판상의 기판 (W) 의 표면 (패턴 형성면) 및 이면에 대해, 제 1 약액 및 제 2 약액을 사용한 약액 처리 (세정 처리, 에칭 처리 등) 를 실시하기 위한 매엽식의 유닛이다. 각 처리 유닛 (202) 은, 내부 공간을 갖는 박스형의 아우터 챔버 (204) 와, 아우터 챔버 (204) 내에서 1 매의 기판 (W) 을 수평한 자세로 유지하면서, 기판 (W) 의 중심을 통과하는 연직인 회전축선 (A1) 둘레로 기판 (W) 을 회전시키는 기판 유지 회전 유닛으로서의 제 1 기판 유지 유닛 (205) 과, 기판 (W) 을 가열하는 핫 플레이트 (기판 가열 유닛) (206) 를 포함하는 제 2 기판 유지 유닛 (206b) 과, 기판 (W) 및 핫 플레이트 (206) 를, 기판 (W) 의 상면이 수평이 되는 수평 자세와, 기판 (W) 의 상면이 수평면에 대해 경사지는 경사 자세의 사이에서 자세 변경시키는 자세 변경 유닛 (290) (도 4 참조) 과, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 및 제 2 기판 유지 유닛 (206b) 을 수용하는 개폐 가능한 이너 챔버 (209) 를 포함한다.
처리 유닛 (202) 은, 또한, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 유지되어 있는 기판 (W) 에, 제 1 약액, 제 2 약액, 린스액 등의 처리액을 공급하는 처리액 공급 유닛 (207) 과, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 또는 제 2 기판 유지 유닛 (206b) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 상면에, 물보다 표면장력이 낮은 유기 용제의 액체의 일례인 IPA (처리액의 일례) 의 액체를 공급하는 유기 용제 공급 유닛 (처리액 공급 유닛) (208) 을 포함한다.
도 3 은, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 및 제 2 기판 유지 유닛 (206b) 의 평면도이다. 도 4 는, 도 3 에 나타내는 IV－IV 선을 따른 단면도이다.
도 2 ∼ 도 4 에 나타내는 바와 같이, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 은, 기판 (W) 보다 큰 외경을 갖는 둥근 환상의 회전링 (211) 을 가지고 있다. 회전링 (211) 은, 내약성을 갖는 수지 재료로 제조되어 있고, 기판 (W) 의 회전축선 (A1) 과 동심의 회전 중심을 가지고 있다. 회전링 (211) 은, 수평으로 평탄한 둥근 환상의 상면 (211a) 을 가지고 있다. 상면 (211a) 에는, 회전링 (211) 에 대해 부동의 복수개 (예를 들어 6 개) 의 고정핀 (210) 과, 회전링 (211) 에 대해 가동의 복수개 (예를 들어 3 개) 의 가동핀 (212) 이 형성되어 있다.
복수개의 고정핀 (210) 은, 회전링 (211) 의 상면 (211a) 에 있어서, 둘레 방향을 따라 등간격으로 배치되어 있다. 복수개의 가동핀 (212) 은, 회전링 (211) 의 상면 (211a) 에 있어서, 둘레 방향을 따라 배치되어 있다. 3 개의 가동핀 (212) 은, 둘레 방향으로 연속해서 늘어선 3 개의 고정핀 (210) 에 1 대 1 로 대응되어 있다. 3 개의 가동핀 (212) 은, 대응하는 3 개의 고정핀 (210) 의 근방에 각각 배치되어 있다. 3 개의 가동핀 (212) 은, 둘레 방향으로 치우쳐 배치되어 있다.
회전링 (211) 에는, 회전링 (211) 을 회전축선 (A1) 둘레로 회전시키는 링 회전 유닛 (213) 이 결합되어 있다. 링 회전 유닛 (213) 은, 예를 들어, 전동 모터와, 전동 모터의 동력을 전달하는 전달 기구를 포함한다.
도 2 ∼ 도 4 에 나타내는 바와 같이, 핫 플레이트 (206) 는, 예를 들어 세라믹이나 탄화규소 (SiC) 로 제조된 원판상의 부재이다. 핫 플레이트 (206) 의 상면은, 평탄한 원형상의 기판 대향면 (206a) 을 가지고 있다. 기판 대향면 (206a) 의 외경은, 회전링 (211) 의 내경보다 작다. 핫 플레이트 (206) 와 제 1 기판 유지 유닛 (205) 의 회전링 (211) 은, 연직 방향으로 중복되어 있지 않다. 핫 플레이트 (206) 의 내부에는, 예를 들어 전기식의 히터 (215) 가 매설되어 있다. 히터 (215) 에의 통전에 의해 히터 (215) 가 발열한다. 이로써, 기판 대향면 (206a) 을 포함하는 핫 플레이트 (206) 전체가 가열된다.
도 3 에 나타내는 바와 같이, 핫 플레이트 (206) 는, 기판 대향면 (206a) 으로부터 상방을 향하여 대략 반구상으로 돌출하는 복수 (이 실시형태에서는, 24 개) 의 지지핀 (261) 을 가지고 있다. 복수개의 지지핀 (261) 은, 서로 대략 동일한 크기의 직경을 가지고 있다. 복수개의 지지핀 (261) 은, 배치 밀도가 기판 대향면 (206a) 전체 영역에 있어서 대략 균일하게 되도록, 기판 대향면 (206a) 에 분산 배치되어 있다. 보다 구체적으로는, 복수개의 지지핀 (261) 은, 회전축선 (A1) 을 중심으로 하여, 각각이 상이한 크기의 직경으로 설정된 제 1 가상원 (262) 상, 제 2 가상원 (263) 상, 및 제 3 가상원 (264) 상의 각각에 배치되어 있다. 제 2 가상원 (263) 의 직경은, 제 1 가상원 (262) 의 직경의 약 2 배로 설정되어 있다. 제 3 가상원 (264) 의 직경은, 제 1 가상원 (262) 의 직경의 약 3 배로 설정되어 있다. 제 1 가상원 (262) 상에는, 4 개의 지지핀 (261) 이 등간격으로 배치되어 있다. 제 2 가상원 (263) 상에는, 8 개의 지지핀 (261) 이 등간격으로 배치되어 있다. 제 3 가상원 (264) 상에는, 12 개의 지지핀 (261) 이 등간격으로 배치되어 있다. 기판 (W) 은, 복수개의 지지핀 (261) 과 기판 (W) 의 하면의 맞닿음에 의해, 기판 (W) 의 하면이 기판 대향면 (206a) 으로부터 미소 간격 (Wa) 만큼 상방으로 떨어진 위치에서 지지된다.
기판 (W) 이 핫 플레이트 (206) 에 지지된 상태에서 히터 (215) 가 발열하면, 이 열이, 기판 (W) 에 전달된다. 구체적으로는, 히터 (215) 의 열은, 기판 대향면 (206a) 과 기판 (W) 사이의 유체나 지지핀 (261) 을 통해서 기판 (W) 에 전달된다. 또, 히터 (215) 의 열은, 열복사에 의해 기판 (W) 에 전달된다. 이로써, 핫 플레이트 (206) 에 의해 지지되어 있는 기판 (W) 이 가열된다.
도 5 는, 핫 플레이트 (206) 의 기판 대향면 (206a) 을 나타내는 확대 연직 단면도이다.
도 5 에 나타내는 바와 같이, 각 지지핀 (261) 은, 기판 대향면 (206a) 에 형성된 작은 홈 (265) 내에 배치된 구체 (266) 에 의해 형성되어 있다. 보다 구체적으로는, 각 작은 홈 (265) 은, 기판 대향면 (206a) 에 있어서, 각 지지핀 (261) 이 형성될 영역에 형성되어 있다. 각 구체 (266) 는, 예를 들어 세라믹이나 탄화규소 (SiC) 등으로 형성되어 있다. 각 구체 (266) 는, 기판 대향면 (206a) 보다 상방으로 일부가 비어져 나오도록, 각 작은 홈 (265) 에 끼워 맞춤되어 있다. 구체 (266) 는, 작은 홈 (265) 내에서, 접착제 (267) 에 의해 고정되어 있다. 각 지지핀 (261) 은, 구체 (266) 가 작은 홈 (265) 으로부터 비어져 나와 있는 부분에 의해 형성되어 있다.
각 지지핀 (261) 은, 예를 들어 균일한 높이 (기판 대향면 (206a) 으로부터 지지핀 (261) 의 상단까지의 연직 방향의 길이) 를 가지고 있다. 각 지지핀 (261) 의 높이는, 미소 간격 (Wa) 과 동일하다. 각 지지핀 (261) 의 높이는, 각 지지핀 (261) 에 의해 지지되는 기판 (W) 이 기판 대향면 (206a) 에 흡착되는 것을 억제 또는 방지할 수 있고, 또한 기판 대향면 (206a) 상의 오염 물질이 당해 기판 (W) 의 하면에 전사되지 않는 충분한 높이 (예를 들어 약 0.1 mm 정도) 로 설정되어 있다.
따라서, 기판 (W) 은, 기판 대향면 (206a) 으로부터 간격을 두고 지지되므로, 기판 (W) 이 기판 대향면 (206a) 에 끌어당겨져 첩부되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다. 또, 기판 대향면 (206a) 에 오염 물질이 있는 경우여도, 오염 물질이 기판 (W) (의 하면) 에 전사되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
또, 기판 (W) 이, 기판 대향면 (206a) 에 분산 배치된 복수개의 지지핀 (261) 에 의해 지지되어 있으므로, 기판 대향면 (206a) 으로부터 기판 (W) 으로의 전열에 의한 열이 전달되기 쉬움을 기판 (W) 의 면내에서 균일하게 유지할 수 있다. 또, 복수개의 지지핀 (261) 이 편재되어 있지 않았기 때문에, 기판 (W) 의 휨이 발생하는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
또한, 복수개의 지지핀 (261) 은 서로 균일 높이가 아니어도 된다. 예를 들어, 기판 대향면 (206a) 의 중앙부의 지지핀 (261) 의 높이가, 기판 대향면 (206a) 의 주연부의 지지핀 (261) 의 높이보다 낮아도 된다.
도 2 및 도 4 에 나타내는 바와 같이, 핫 플레이트 (206) 는, 복수개 (예를 들어 3 개) 의 신축 유닛 (224) 과, 신축 유닛 (224) 을 지지하는 지지 부재 (217) 를 통하여, 플레이트 지지축 (214) 에 의해 하방으로부터 지지되어 있다.
지지 부재 (217) 는, 예를 들어 원판상 또는 링상의 부재이다. 도 2 는, 지지 부재 (217) 가 원판상인 예를 나타내고 있다. 지지 부재 (217) 는, 수평으로 평탄한 지지면 (217a) 을 가지며, 플레이트 지지축 (214) 의 상단에 고정되어 있다. 지지 부재 (217) 의 지지면 (217a) 의 주연부에는, 3 개의 신축 유닛 (224) 이 둘레 방향으로 등간격으로 배치되어 있다. 각 신축 유닛 (224) 은, 평면에서 보아, 3 개의 고정핀 (210) 의 내방에 각각 배치되어 있다.
신축 유닛 (224) 은, 지지 부재 (217) 상에서 지지 부재 (217) 에 고정된 실린더 본체와, 실린더 본체로부터 연직 상방에 돌출하는 신축 로드를 포함하는 실린더이다. 신축 유닛 (224) 의 길이는, 신축 로드의 돌출량이 최소의 최대 수축 상태로부터 신축 로드의 돌출량이 최대의 최대 신장 상태까지의 범위에서 연속적으로 조정된다. 각 신축 유닛 (224) 은, 핫 플레이트 (206) 의 주연부를 하방으로부터 지지하고 있다. 복수의 신축 유닛 (224) 은, 각각 동일한 제원 (諸元) 을 가지고 있다. 그 때문에, 복수의 신축 유닛 (224) 은, 최대 수축 상태로 동일한 길이를 가지고 있다. 각 신축 유닛 (224) 에는, 각 신축 로드를 연직 방향으로 신축시키는 구동 유체를 공급하는 신축 구동 유닛 (225) 이 결합되어 있다. 이 실시형태에서는, 신축 유닛 (224) 및 신축 구동 유닛 (225) 의 각각이, 별도의 부재에 의해 형성되어 있지만, 전자 액츄에이터 등의 단체의 부재로 신축 유닛 (224) 을 구성해도 된다.
이 실시형태에서는, 자세 변경 유닛 (290) 이, 지지 부재 (217) 와 신축 유닛 (224) 과 신축 구동 유닛 (225) 에 의해, 구성되어 있다.
도 4 에 나타내는 상태에서는, 모든 신축 유닛 (224) 이 최대 수축 상태로 유지되어 있다. 모든 신축 유닛 (224) 은, 동등한 길이를 가지고 있다. 이로써, 핫 플레이트 (206) 가 수평 자세로 유지되어 있다. 이 상태에서는, 핫 플레이트 (206) 의 기판 대향면 (206a) 이 수평면에 배치된다. 핫 플레이트 (206) 상의 기판 (W) 은, 기판 (W) 과 지지핀 (261) 의 사이에 작용하는 마찰력에 의해, 핫 플레이트 (206) 상에서 이동하지 않고, 정지 상태로 유지된다.
또, 3 개의 신축 유닛 (224) 을 제어함으로써, 핫 플레이트 (206) 를, 도 4 에 나타내는 수평 자세로부터 도 16 에 나타내는 경사 자세로 변경할 수 있다. 도 16 에 나타내는 상태에서는, 3 개의 신축 유닛 (224) 중 하나가 최대 수축 상태로 유지되어 있고, 나머지 2 개가 최대 수축 상태보다 길다. 이로써, 핫 플레이트 (206) 가 경사 자세로 유지되어 있다. 이와 같이, 복수의 신축 유닛 (224) 을 포함하는 간단한 구성의 자세 변경 유닛 (290) 에 의해, 핫 플레이트 (206) 를, 수평 자세와 경사 자세의 사이에서 자세 변경할 수 있다.
플레이트 지지축 (214) 은, 예를 들어 연직으로 연장되는 중공축이다. 플레이트 지지축 (214) 의 내부에는, 히터 (215) 에의 급전선 (도시 생략) 과 하배관 (218) 이 삽입 통과되고 있다.
하배관 (218) 은, 지지 부재 (217) 의 중앙부를 그 두께 방향으로 관통하는 제 1 관통공 (255), 및 핫 플레이트 (206) 의 중앙부를 그 두께 방향으로 관통하는 제 2 관통공 (219) 의 각각을 통과하도록 배치되어 있다. 하배관 (218) 은, 핫 플레이트 (206) 의 기판 대향면 (206a) 의 중앙부에서 개구하는 하토출구 (220) 에 연통되어 있다. 하배관 (218) 은, 적어도 하토출구 (220) 에 가까운 부분이 플렉시블 파이프에 의해 구성되어 있다.
하배관 (218) 에는, 제 1 약액의 일례인 불산, 제 2 약액의 일례인 SC1 (ammonia-hydrogen peroxide mixture ： 암모니아과산화수소수 혼합액) 및 린스액이, 선택적으로 공급된다. 불산은, 제 1 약액 하밸브 (221) 를 통하여 하배관 (218) 에 공급된다. SC1 은, 제 2 약액 하밸브 (222) 를 통하여 하배관 (218) 에 공급된다. 린스액은, 린스액 하밸브 (223) 를 통하여 하배관 (218) 에 공급된다.
린스액은, 예를 들어, 순수 (탈이온수 ： Deionized Water) 이다. 린스액은, 순수에 한정하지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 환원수 (수소수), 오존수, 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수 중 어느 것이어도 된다. 하배관 (218) 에 공급된 제 1 약액, 제 2 약액, 및 린스액은, 제 2 관통공 (219) 의 내부를 통과하여 하토출구 (220) 로부터 상방으로 토출된다.
구체적으로는, 제 2 약액 하밸브 (222) 및 린스액 하밸브 (223) 가 닫혀진 상태에서 제 1 약액 하밸브 (221) 가 열리면, 하토출구 (220) 로부터 제 1 약액이 상방으로 토출된다. 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 기판 (W) 이 유지되어 있는 경우에는, 기판 (W) 의 하면 중앙부에 제 1 약액이 공급된다.
마찬가지로, 제 1 약액 하밸브 (221) 및 린스액 하밸브 (223) 가 닫혀진 상태에서 제 2 약액 하밸브 (222) 가 열리면, 하토출구 (220) 로부터 제 2 약액이 상방으로 토출된다. 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 기판 (W) 이 유지되어 있는 경우에는, 기판 (W) 의 하면 중앙부에 제 2 약액이 공급된다.
또, 제 1 약액 하밸브 (221) 및 제 2 약액 하밸브 (222) 가 닫혀진 상태에서 린스액 하밸브 (223) 가 열리면, 하토출구 (220) 로부터 린스액이 상방으로 토출된다. 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 기판 (W) 이 유지되어 있는 경우에는, 기판 (W) 의 하면 중앙부에 린스액이 공급된다.
도 2 ∼ 도 4 에 나타내는 바와 같이, 하토출구 (220) 는, 각 처리액간에 공유되는 1 개의 토출구를 가지고 있지만, 하토출구 (220) 는, 복수의 토출구를 가지고 있어도 된다. 이 경우, 하토출구 (220) 는, 처리액의 종류마다 토출구를 가지고 있어도 된다.
플레이트 지지축 (214) 에는, 플레이트 지지축 (214) 을 승강시키는 플레이트 승강 유닛 (216) (도 2 참조) 이 결합되어 있다. 플레이트 승강 유닛 (216) 은, 예를 들어, 전동 모터와, 전동 모터의 동력을 전달하는 전달 기구 (볼나사 기구 등) 를 포함한다.
플레이트 승강 유닛 (216) 이 플레이트 지지축 (214) 을 승강시키면, 플레이트 지지축 (214), 신축 유닛 (224), 지지 부재 (217) 및 핫 플레이트 (206) 가 일체적으로 승강된다. 플레이트 승강 유닛 (216) 의 구동에 의해, 핫 플레이트 (206) 는, 하위치 (도 13a 등에 나타내는 위치) 와 상위치 (도 13g 등에 나타내는 위치) 의 사이에서 승강된다.
핫 플레이트 (206) 의 하위치는, 핫 플레이트 (206) 의 기판 대향면 (206a) 이, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 유지되는 기판 (W) 의 하면보다 하방에 위치하는 높이이다. 핫 플레이트 (206) 가 상시 ON 으로 제어되는 경우, 하위치는, 기판 (W) 의 하면이 핫 플레이트 (206) 에 의해 크게 가열되지 않는 높이 위치여도 된다. 한편, 핫 플레이트 (206) 의 상위치는, 핫 플레이트 (206) 의 기판 대향면 (206a) 이, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 유지되는 기판 (W) 의 하면보다 상방에 위치하는 높이이다. 전술한 바와 같이, 핫 플레이트 (206) 와 제 1 기판 유지 유닛 (205) 의 회전링 (211) 이 연직 방향으로 중복되어 있지 않기 때문에, 핫 플레이트 (206) 의 승강 시에, 핫 플레이트 (206) 및 제 1 기판 유지 유닛 (205) 은 서로 간섭하지 않는다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 처리액 공급 유닛 (207) 은, 제 1 약액을 토출하는 제 1 약액 노즐 (226) 과, 제 2 약액을 토출하는 제 2 약액 노즐 (227) 과, 린스액을 토출하는 린스액 노즐 (228) 을 포함한다. 제 1 약액 노즐 (226), 제 2 약액 노즐 (227) 및 린스액 노즐 (228) 은, 토출구를 하방으로 향한 상태에서, 수평으로 연장되는 아암 (229) 의 선단에 장착되어 있다. 아암 (229) 은 소정의 회전축선 둘레로 요동 가능하게 형성되어 있다. 제 1 약액 노즐 (226), 제 2 약액 노즐 (227) 및 린스액 노즐 (228) 은, 아암 (229) 의 요동 방향으로 늘어서 있다.
아암 (229) 에는, 소정 각도 범위 내에서 아암 (229) 을 요동시키는 아암 요동 유닛 (230) 이 결합되어 있다. 제 1 약액 노즐 (226), 제 2 약액 노즐 (227), 및 린스액 노즐 (228) 은, 아암 (229) 의 요동에 의해, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 또는 핫 플레이트 (206) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 중앙부의 상방과, 이너 챔버 (209) 외에 설정된 홈 포지션의 사이를 이동한다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 1 약액 노즐 (226) 은, 예를 들어, 제 1 약액의 일례인 불산을 하방으로 토출함으로써 연속류를 형성하는 스트레이트 노즐이다. 제 1 약액 노즐 (226) 에는, 제 1 약액 공급원으로부터의 제 1 약액이 흐르는 공급 통로를 형성하는 제 1 약액 배관 (231) 이 접속되어 있다. 제 1 약액 배관 (231) 에는, 제 1 약액의 공급을 제어하는 제 1 약액 밸브 (232) 가 개재되어 장착되어 있다. 제 1 약액 밸브 (232) 가 열리면, 제 1 약액 배관 (231) 으로부터 제 1 약액 노즐 (226) 에 제 1 약액이 공급된다. 또, 제 1 약액 밸브 (232) 가 닫히면, 제 1 약액 배관 (231) 으로부터 제 1 약액 노즐 (226) 에 대한 제 1 약액의 공급이 정지된다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 제 2 약액 노즐 (227) 은, 예를 들어, 제 2 약액의 일례인 SC1 을 하방으로 토출함으로써 연속류를 형성하는 스트레이트 노즐이다. 제 2 약액 노즐 (227) 에는, 제 2 약액 공급원으로부터의 제 2 약액이 흐르는 공급 통로를 형성하는 제 2 약액 배관 (233) 이 접속되어 있다. 제 2 약액 배관 (233) 에는, 제 2 약액의 공급을 제어하는 제 2 약액 밸브 (234) 가 개재되어 장착되어 있다. 제 2 약액 밸브 (234) 가 열리면, 제 2 약액 배관 (233) 으로부터 제 2 약액 노즐 (227) 에 제 2 약액이 공급된다. 또, 제 2 약액 밸브 (234) 가 닫히면, 제 2 약액 배관 (233) 으로부터 제 2 약액 노즐 (227) 에 대한 제 2 약액의 공급이 정지된다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 린스액 노즐 (228) 은, 예를 들어, 린스액을 하방으로 토출함으로써 연속류를 형성하는 스트레이트 노즐이다. 린스액 노즐 (228) 에는, 린스액 공급원으로부터의 린스액이 흐르는 공급 통로를 형성하는 린스액 배관 (235) 이 접속되어 있다. 린스액 배관 (235) 에는, 린스액의 공급을 제어하는 린스액 밸브 (236) 가 개재되어 장착되어 있다. 린스액 밸브 (236) 가 열리면, 린스액 배관 (235) 으로부터 린스액 노즐 (228) 에 린스액이 공급된다. 또, 린스액 밸브 (236) 가 닫히면, 린스액 배관 (235) 으로부터 린스액 노즐 (228) 로의 린스액의 공급이 정지된다.
또한, 도 2 에서는, 제 1 약액 노즐 (226), 제 2 약액 노즐 (227), 및 린스액 노즐 (228) 을 1 개의 아암 (229) 에 배치하는 경우를 나타내고 있지만, 이들 노즐은, 각각 3 개의 아암에 장착되어 있어도 된다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 이너 챔버 (209) 는, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 및 제 2 기판 유지 유닛 (206b) 을 수용하는 챔버 본체 (237) 와, 챔버 본체 (237) 의 개구 (238) 를 폐색하는 덮개 부재 (239) 를 구비하고 있다. 덮개 부재 (239) 가 챔버 본체 (237) 의 개구 (238) 를 폐색함으로써, 밀폐 챔버로서의 이너 챔버 (209) 의 내부에 밀폐 공간이 형성된다.
챔버 본체 (237) 는, 원형상의 개구 (238) 가 상면에 형성된 유저 원통상이다. 챔버 본체 (237) 는, 원판상의 저벽부 (240) 와, 저벽부 (240) 로부터 상방으로 일어서는 둘레벽부 (241) 를 일체적으로 구비하고 있다. 둘레벽부 (241) 는, 회전축선 (A1) 과 동심의 원통상이다. 둘레벽부 (241) 는, 둥근 환상의 상단면 (241a) 을 가지고 있다. 저벽부 (240) 의 상면에는, 폐액로 (도시 생략) 의 일단이 접속되어 있다. 폐액로의 타단은, 기판 처리 장치 (1) 의 밖에 설치된 폐액 설비 (도시 생략) 에 접속되어 있다.
둘레벽부 (241) 의 주위에는, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 또는 제 2 기판 유지 유닛 (206b) 에 유지된 기판 (W) 으로부터 비산하는 처리액을 포획하는 포획 컵 (도시 생략) 이 배치 형성되어 있다. 포획 컵은, 기판 처리 장치 (1) 의 밖에 설치된 폐액 설비 (도시 생략) 에 접속되어 있다. 플레이트 지지축 (214) 과 저벽부 (240) 의 중심부의 사이는, 원환상의 시일 부재 (243) 에 의해 시일되어 있다.
덮개 부재 (239) 는, 챔버 본체 (237) 의 상방에 있어서, 그 중심이 기판 (W) 의 회전축선 (A1) 상에 위치하도록, 수평인 자세로 배치되어 있다. 덮개 부재 (239) 에는, 덮개 승강 유닛 (254) 이 결합되어 있다. 덮개 승강 유닛 (254) 은, 예를 들어, 전동 모터와, 전동 모터의 동력을 전달하는 전달 기구 (볼나사 기구 등) 를 포함한다. 덮개 승강 유닛 (254) 의 구동에 의해, 덮개 부재 (239) 는, 챔버 본체 (237) 의 개구 (238) 를 폐색하는 덮개 폐쇄 위치와, 챔버 본체 (237) 보다 상방으로 퇴피하여 챔버 본체 (237) 의 개구 (238) 를 개방하는 덮개 개방 위치의 사이에서 승강된다.
덮개 부재 (239) 의 하면은, 수평으로 평탄한 원형상의 중앙부 (239a) 를 포함한다. 덮개 부재 (239) 의 하면의 중앙부 (239a) 는, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 유지된 기판 (W) 의 상면의 중앙부, 또는 핫 플레이트 (206) 에 유지된 기판 (W) 의 상면의 중앙부에 대향하고 있다.
덮개 부재 (239) 의 하면의 주연부 (239c) 에는, 시일 고리 (253) 가 전체 둘레에 걸쳐 형성되어 있다. 시일 고리 (253) 는, 예를 들어 합성 수지 등의 탄성 재료로 제조되어 있다. 덮개 부재 (239) 가 덮개 폐쇄 위치에 위치할 때, 덮개 부재 (239) 의 하면의 주연부 (239c) 에 배치된 시일 고리 (253) 가, 그 둘레 방향의 전체 영역에서 챔버 본체 (237) 의 상단면 (241a) 에 맞닿고, 덮개 부재 (239) 와 챔버 본체 (237) 의 사이가 시일된다. 덮개 부재 (239) 의 하면의 중앙부 (239a) 및 주연부 (239c) 를 제외한 영역에는, 덮개 부재 (239) 와 동심의 원통상의 상환상 홈 (239b) 이 형성되어 있다.
도 2 에 나타내는 바와 같이, 린스액 상배관 (244), 유기 용제 상배관 (245) 및 질소 가스 상배관 (246) 은, 덮개 부재 (239) 의 하면의 중앙부 (239a) 에서 개구하는 구멍에 삽입되어 있다.
린스액 상배관 (244) 의 하단은, 덮개 부재 (239) 의 하면의 중앙부 (239a) 에서 개구하고, 린스액 토출구 (247) 를 형성하고 있다. 린스액 상배관 (244) 에는, 린스액 공급원이 접속되어 있다. 린스액 상배관 (244) 에는, 린스액이, 린스액 공급원으로부터 공급된다. 린스액 상배관 (244) 에는, 린스액의 공급을 제어하는 린스액 상밸브 (248) 가 개재되어 장착되어 있다.
유기 용제 상배관 (245) 의 하단은, 덮개 부재 (239) 의 하면의 중앙부 (239a) 에서 개구하고, 유기 용제 토출구 (249) 를 형성하고 있다. 유기 용제 상배관 (245) 에는, 유기 용제 공급원이 접속되어 있다. 유기 용제 상배관 (245) 에는, IPA 가, IPA 공급원으로부터 공급된다. 유기 용제 상배관 (245) 에는, IPA 의 공급을 제어하는 유기 용제 밸브 (250) 가 개재되어 장착되어 있다. 유기 용제 상배관 (245) 및 유기 용제 밸브 (250) 에 의해, 유기 용제 공급 유닛 (208) 이 구성되어 있다. 유기 용제 공급 유닛은, 처리액 공급 유닛의 일례이기도 하다.
질소 가스 상배관 (246) 의 하단은, 덮개 부재 (239) 의 하면의 중앙부 (239a) 에서 개구하고, 불활성 가스의 일례로서의 질소 가스 (N2) 를 토출하는 질소 가스 토출구 (251) 를 형성하고 있다. 질소 가스 상배관 (246) 에는, 질소 가스 공급원이 접속되어 있다. 질소 가스 공급원으로부터의 질소 가스는, 질소 가스 공급 통로를 형성하는 질소 가스 상배관 (246) 을 통하여 질소 가스 토출구 (251) 에 공급된다. 질소 가스 상배관 (246) 에는, 질소 가스의 공급을 제어하는 질소 가스 밸브 (252) 가 개재되어 장착되어 있다.
도 6 은, 고정핀 (210) 을 수평으로 본 모식도이다. 도 6 에 나타내는 바와 같이, 각 고정핀 (210) 은, 회전링 (211) 에 결합된 제 1 하축부 (271) 와, 제 1 하축부 (271) 의 상단에 일체적으로 형성된 제 1 상축부 (272) 를 포함한다. 제 1 하축부 (271) 및 제 1 상축부 (272) 의 각각은, 원주 형상이다. 제 1 상축부 (272) 는, 제 1 하축부 (271) 의 중심축선으로부터 편심되어 있다. 제 1 하축부 (271) 가 제 1 상축부 (272) 에 연결되는 부분에는, 상방향으로 끝이 가늘어진 테이퍼면 (273) 이 형성되어 있다.
도 7 은, 가동핀 (212) 및 척 개폐 유닛 (276) 을 수평으로 본 모식도이다. 각 가동핀 (212) 은, 회동 (回動) 축선 (A2) 둘레로 회동 가능하게 회전링 (211) 에 결합된 연직 방향으로 연장되는 제 2 하축부 (274) 와, 중심축선이 회동 축선 (A2) 으로부터 편심된 상태에서 제 2 하축부 (274) 에 고정된 제 2 상축부 (275) 를 포함한다. 제 2 상축부 (275) 는, 기판 (W) 의 둘레단에 맞닿음 가능한 원통면 (275a) 을 가지고 있다. 제 2 하축부 (274) 의 회전에 의해, 제 2 상축부 (275) 의 원통면 (275a) 은, 기판 (W) 의 회전축선 (A1) (도 2 참조) 으로부터 떨어진 개방 위치와, 회전축선 (A1) 에 근접한 유지 위치의 사이에서 변위된다. 각 가동핀 (212) 은, 척 개폐 유닛 (276) 에 접속되어 있다. 척 개폐 유닛 (276) 은, 제 2 상축부 (275) 의 위치를 개방 위치와 유지 위치의 사이에서 변위시킴으로써, 기판 (W) 의 협지를 실행 또는 정지한다.
도 6 에 나타내는 바와 같이, 복수개의 고정핀 (210) 에 의해 기판 (W) 이 하방으로부터 지지되어 있는 상태에서는, 각 고정핀 (210) 의 테이퍼면 (273) 에 기판 (W) 의 둘레단이 맞닿고 있다. 이 상태에 있어서, 복수개의 가동핀 (212) 의 제 2 상축부 (275) 가 개방 위치로부터 유지 위치 (도 7 참조) 로 변위된다. 각 제 2 상축부 (275) 가 개방 위치로부터 유지 위치로 변위되면, 원통면 (275a) 이 기판 (W) 의 둘레단에 맞닿음과 함께, 원통면 (275a) 에 맞닿고 있는 접촉 부분 (기판 (W) 의 둘레단의 일부) 이 기판 (W) 의 내방으로 밀린다. 이로써, 회전축선 (A1) 을 사이에 두고 상기 접촉 부분의 반대측에 위치하는 반대 부분 (기판 (W) 의 둘레단의 일부) 이, 회전축선 (A1) 을 사이에 두고 가동핀 (212) 의 반대측에 위치하는 고정핀 (210) 의 제 1 상축부 (272) 에 가압된다. 이와 같이, 복수개의 가동핀 (212) 의 제 2 상축부 (275) 가 개방 위치로부터 유지 위치로 변위됨으로써, 복수개의 가동핀 (212) 이 개방 위치 (후술하는 도 10 참조) 로부터 폐쇄 위치 (후술하는 도 8 참조) 로 변위된다. 이로써, 기판 (W) 이, 복수개의 고정핀 (210) 및 복수개의 가동핀 (212) 에 의해, 수평 자세로 협지된다.
또한, 원통면 (275a) 에서 기판 (W) 의 둘레단을 가압하는 구성 대신에, 회전축선 (A1) 측으로 향하고 또한 수평 방향으로 열리는 V 홈을 원통면 (275a) 에 갖는 복수개의 가동핀 (212) 을 채용해도 된다. 이와 같은 복수개의 가동핀 (212) 에 의해서도, 당해 V 홈을 구성하는 상하의 테이퍼면을 기판 (W) 의 둘레단에 맞닿게 함으로써, 기판 (W) 을 협지할 수 있다.
도 8 ∼ 도 10 은, 도 7 에 나타내는 VIII－VIII 선을 따른 단면도이다. 도 8 은, 가동핀 (212) 이 폐쇄 위치에 위치하고 있는 상태를 나타내는 모식도이다. 도 9 는, 가동핀 (212) 이 폐쇄 위치로부터 개방 위치로 이동하고 있는 상태를 나타내는 모식도이다. 도 10 은, 가동핀 (212) 이 개방 위치에 위치하고 있는 상태를 나타내는 모식도이다. 도 7 ∼ 도 10 을 참조하여, 척 개폐 유닛 (276) 의 구성에 대해 설명한다.
척 개폐 유닛 (276) 은, 필요한 경우만 가동핀 (212) 을 폐쇄 위치로부터 개방 위치로 이동시키는, 상시 폐쇄의 유닛이다. 척 개폐 유닛 (276) 은, 구동용 영구 자석 (277) 과, 핀측 영구 자석 (278) 과, 조작 링 (279) 과, 조작 레버 (280) 와, 레버 조작 유닛 (281) 을 포함한다.
구동용 영구 자석 (277) 은, 가동핀 (212) 의 제 2 하축부 (274) 의 외측에 있어서, 회전링 (211) 의 상면 (211a) 에 배치되어 있다. 구동용 영구 자석 (277) 은, 예를 들어, 자극의 방향이 제 1 기판 유지 유닛 (205) 의 회전 반경 방향을 따르도록, 상면 (211a) 에 고정되어 있다. 이 실시형태에서는, 구동용 영구 자석 (277) 의 N 극은, 핫 플레이트 (206) 의 내측으로 향해져 있다. 한편, 구동용 영구 자석 (277) 의 S 극은, 핫 플레이트 (206) 의 외측으로 향해져 있다.
핀측 영구 자석 (278) 은, 두꺼운 원 환상체 또는 원통체상의 자석이다. 핀측 영구 자석 (278) 은, 제 2 하축부 (274) 의 도중부에 외감 (外嵌) 고정되어 있다. 핀측 영구 자석 (278) 의 중심축선은, 가동핀 (212) 의 회동 축선 (A2) 에 일치하고 있다. 핀측 영구 자석 (278) 의 외주면은, 구동용 영구 자석 (277) 의 N 극성에 대향하고 있다. 핀측 영구 자석 (278) 에는, N 극성부 (282) 와 S 극성부 (283) 가, 둘레 방향에 관해서 상이한 위치에 형성되어 있다. 이 실시형태에서는, S 극성부 (283) 는, 가동핀 (212) 을 상방에서 본 평면에서 보아, N 극성부 (282) 에 대해 회동 축선 (A2) 을 중심으로 반시계 방향으로 예를 들어 약 90 °어긋나 있다.
조작 링 (279) 은, 회전링 (211) 의 상면 (211a) 과 핀측 영구 자석 (278) 의 사이에서 제 2 하축부 (274) 에 외감 고정되어 있다. 조작 링 (279) 의 중심축선은, 가동핀 (212) 의 회동 축선 (A2) 에 일치하고 있다.
조작 링 (279) 은, 원주상부 (284) 와 1 쌍의 장출편 (285) 을 포함한다. 1 쌍의 장출편 (285) 은, 회동 축선 (A2) 에 관해서 180 °반대측에 배치되고, 원주상부 (284) 로부터 회전 반경 방향의 외방으로 연장되어 있다. 1 쌍의 장출편 (285) 의 일방은, 조작 레버 (280) 와 맞닿아 조작되는 피조작편 (286) 이다. 1 쌍의 장출편 (285) 의 타방은, 핀측 영구 자석 (278) 의 N 극성부 (282) 의 상방에 위치하고 있다. 조작 링 (279) 은, 핀측 영구 자석 (278) 과 일체적으로 회전 가능하게 형성되어 있다. 조작 링 (279) 이 회전하면, 핀측 영구 자석 (278) 의 외주면 중 구동용 영구 자석 (277) 의 N 극성에 대향하는 부분이 회전한다.
조작 레버 (280) 는, 핫 플레이트 (206) 의 하방 공간에 배치되어 있다. 조작 레버 (280) 는, 핫 플레이트 (206) 에 접촉하지 않도록, 핫 플레이트 (206) 의 하면의 요철 형상에 대응한 크랭크상으로 형성되어 있다. 조작 레버 (280) 는, 예를 들어 봉상의 선단부 (280a) 를 가지고 있다. 조작 레버 (280) 의 선단부 (280a) 는, 핫 플레이트 (206) 로부터 외방 (회전축선 (A1) 으로부터 멀어지는 방향) 을 향하여 연장되어 있다. 조작 레버 (280) 는, 수평 방향을 따르는 소정의 방향을 따라 슬라이드 이동 가능하게 형성되어 있다. 조작 레버 (280) 의 선단부 (280a) 는, 피조작편 (286) 을 가압함으로써 피조작편 (286) 을 회동시켜, 가동핀 (212) 을 폐쇄 위치로부터 개방 위치로 이동시킨다.
조작 레버 (280) 에는, 레버 조작 유닛 (281) 이 결합되어 있다. 도시는 하지 않지만, 레버 조작 유닛 (281) 은, 예를 들어, 핫 플레이트 (206) 에 유지된 실린더 본체와, 실린더 본체에 대해 이동 가능한 로드를 포함하는 에어 실린더이다. 레버 조작 유닛 (281) 의 구동에 의해, 조작 레버 (280) 는, 선단부 (280a) 가 피조작편 (286) 의 측방으로 퇴피하는 퇴피 위치 (도 8 에 나타내는 위치) 와, 후술하는 해제 위치 (도 10 에 나타내는 위치) 의 사이에서, 수평 방향으로 슬라이드 이동된다.
도 7 및 도 8 에 나타내는 바와 같이, 가동핀 (212) 의 폐쇄 위치에서는, 제 2 상축부 (275) 가 유지 위치에 배치된다. 폐쇄 위치에 있어서, 구동용 영구 자석 (277) 의 N 극성과 핀측 영구 자석 (278) 의 S 극성부 (283) 가, 서로 대향하고 있다. 한편, 도 10 에 나타내는 바와 같이, 가동핀 (212) 의 개방 위치에서는, 제 2 상축부 (275) 가 개방 위치에 배치된다. 개방 위치에 있어서, 구동용 영구 자석 (277) 의 N 극성과 핀측 영구 자석 (278) 의 N 극성부 (282) 가, 서로 대향하고 있다. 제 2 상축부 (275) 의 개방 위치는, 평면에서 보아, 제 2 상축부 (275) 의 유지 위치로부터, 회동 축선 (A2) 을 중심으로 반시계 방향으로 약 90 °회동한 위치이다.
도 8 에 나타내는 바와 같이, 가동핀 (212) 의 폐쇄 위치에서는, 구동용 영구 자석 (277) 의 N 극성과, 핀측 영구 자석 (278) 의 S 극성부 (283) 가 대향하고 있다. 그 때문에, 구동용 영구 자석 (277) 과 핀측 영구 자석 (278) 의 S 극성부 (283) 의 사이에, 핀측 영구 자석 (278) 의 직경 방향을 따르는 흡인 자력이 생긴다. 따라서, 가동핀 (212) 의 폐쇄 위치에서, 핀측 영구 자석 (278) 은, N 극성부 (282) 가 구동용 영구 자석 (277) 에 대향하는 자세로 유지된다. 이로써, 제 2 상축부 (275) 가 유지 위치에 유지된다. 가동핀 (212) 의 폐쇄 위치에서, 조작 레버 (280) 는, 레버 조작 유닛 (281) 으로부터, 퇴피 위치로 퇴피되어 있다.
가동핀 (212) 을 폐쇄 위치로부터 개방 위치로 이동시킬 때에는, 도 9 에 나타내는 바와 같이, 레버 조작 유닛 (281) 이 조작 레버 (280) 를 이동시켜, 조작 레버 (280) 의 선단부 (280a) 를 피조작편 (286) 에 맞닿게 한다. 피조작편 (286) 에의 맞닿음 후도, 레버 조작 유닛 (281) 에 의한 조작 레버 (280) 의 이동은 속행된다. 조작 레버 (280) 의 선단부 (280a) 는, 평면에서 보아, 피조작편 (286) 과 맞닿은 상태를 유지하면서, 회동 축선 (A2) 을 중심으로 반시계 방향으로 회동한다. 이로써, 피조작편 (286) 이, 구동용 영구 자석 (277) 과 핀측 영구 자석 (278) 사이의 흡인 자력에 거슬러서, 회동 축선 (A2) 둘레로 회동한다. 제 2 하축부 (274) 및 제 2 상축부 (275) 는, 피조작편 (286) 의 회동에 수반하여, 회동 축선 (A2) 둘레로 회동한다. 해제 위치로의 조작 레버 (280) 의 이동에 수반하여, 제 2 상축부 (275) 가 개방 위치로 변위하고, 이로써, 가동핀 (212) 이 개방 위치가 된다.
도 10 에 나타내는 바와 같이, 가동핀 (212) 의 개방 위치에서는, 레버 조작 유닛 (281) 에 의해, 조작 레버 (280) 가 해제 위치에 유지되어 있다. 또, 구동용 영구 자석 (277) 의 N 극성과, 핀측 영구 자석 (278) 의 N 극성부 (282) 가 대향하고 있다. 그 때문에, 구동용 영구 자석 (277) 과 핀측 영구 자석 (278) 의 사이에, 반발 자력이 생기고 있다. 이 반발 자력은, 핀측 영구 자석 (278) 에 대해, 둘레 방향으로 작용한다. 보다 구체적으로는, 평면에서 보아 시계 방향으로 향하는 힘이, 핀측 영구 자석 (278) 에 작용하고 있다. 그러나, 조작 레버 (280) 가, 피조작편 (286) 과 걸어맞추어져 있으므로, 제 2 상축부 (275) 나 피조작편 (286) 이 회동하지 않는다. 그 때문에, 제 2 상축부 (275) 가 개방 위치인 채 유지된다.
가동핀 (212) 을 개방 위치로부터 폐쇄 위치로 이동시킬 때에는, 레버 조작 유닛 (281) 이 조작 레버 (280) 를 이동시켜, 조작 레버 (280) 를 퇴피 위치로 되돌린다. 전술한 바와 같이, 제 2 상축부 (275) 가 개방 위치에 위치하는 경우, 시계 방향의 힘이, 핀측 영구 자석 (278) 에 작용하고 있다. 따라서, 조작 레버 (280) 가 퇴피 위치로 되돌려져, 조작 레버 (280) 의 선단부 (280a) 와 피조작편 (286) 의 걸어맞춤이 해제되면, 핀측 영구 자석 (278) 은, 평면에서 보아 시계 방향으로 회전한다. 이로써, 제 2 상축부 (275) 가 개방 위치로부터 유지 위치로 변위된다. 이로써, 가동핀 (212) 이 폐쇄 위치로 변위된다.
또한, N 극 및 S 극의 극성 방향이 반전된 구동용 영구 자석 (277) 이, 회전링 (211) 의 상면 (211a) 에 배치되어도 된다. 이것에 수반하여, 핀측 영구 자석 (278) 의 N 극성부 (282) 및 S 극성부 (283) 의 극성 방향을 반전시켜도 된다.
또, 전술한 설명에서는, 제 2 상축부 (275) 가 개방 위치에 위치할 때, 구동용 영구 자석 (277) 과 핀측 영구 자석 (278) 의 사이에 반발 자력이 작용하고, 제 2 상축부 (275) 가 유지 위치에 위치할 때, 구동용 영구 자석 (277) 과 핀측 영구 자석 (278) 의 사이에 흡인 자력이 작용하는 예를 설명했다.
그러나, 구동용 영구 자석 (277) 및 핀측 영구 자석 (278) 은, 제 2 상축부 (275) 가 개방 위치에 위치할 때, 구동용 영구 자석 (277) 과 핀측 영구 자석 (278) 의 사이에 흡인 자력이 작용하고, 제 2 상축부 (275) 가 유지 위치에 위치할 때, 구동용 영구 자석 (277) 과 핀측 영구 자석 (278) 의 사이에 반발 자력이 작용하도록 구성되어도 된다.
도 1 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 예를 들어 마이크로 컴퓨터 등에 의해 구성되어 있다. 제어 장치 (3) 는, 미리 정해진 프로그램에 따라, 링 회전 유닛 (213), 신축 구동 유닛 (225), 플레이트 승강 유닛 (216), 아암 요동 유닛 (230), 덮개 승강 유닛 (254), 척 개폐 유닛 (276), 레버 조작 유닛 (281) 등의 동작을 제어한다. 또, 제어 장치 (3) 는, 히터 (215) 에 공급되는 전력을 조정한다. 또한, 제어 장치 (3) 는, 제 1 약액 하밸브 (221), 제 2 약액 하밸브 (222), 린스액 하밸브 (223), 제 1 약액 밸브 (232), 제 2 약액 밸브 (234), 린스액 밸브 (236), 린스액 상밸브 (248), 유기 용제 밸브 (250), 질소 가스 밸브 (252) 등의 개폐를 제어한다.
도 11 은, 처리 유닛 (202) 에 의해 처리되는 기판 (W) 의 표면을 확대하여 나타내는 단면도이다. 처리 대상의 기판 (W) 은, 예를 들어 실리콘 웨이퍼이다. 기판 (W) 의 패턴 형성면인 표면 (상면 (100)) 에, 패턴 (101) 이 형성되어 있다.
패턴 (101) 은, 도 11 에 나타내는 바와 같이, 볼록 형상 (기둥상) 을 갖는 구조체 (102) 가 행렬상으로 배치된 패턴이어도 된다. 이 경우, 구조체 (102) 의 선폭 (W1) 은, 예를 들어 10 nm ∼ 45 nm 정도이다. 또, 패턴 (101) 의 간극 (W2) 은, 예를 들어 10 nm ∼ 수 ㎛ 정도이다. 패턴 (101) 의 막두께 (T) 는, 예를 들어, 50 nm ∼ 5 ㎛ 정도이다. 또, 패턴 (101) 의 어스펙트비 (선폭 (W1) 에 대한 막두께 (T) 의 비) 가, 예를 들어, 5 ∼ 500 정도여도 된다 (전형적으로는, 5 ∼ 50 정도이다).
패턴 (101) 은, 예를 들어 절연막을 포함한다. 또, 패턴 (101) 은, 도체막을 포함하고 있어도 된다. 보다 구체적으로는, 패턴 (101) 은, 복수의 막을 적층한 적층막에 의해 형성되어 있어도 된다. 적층막은, 절연막과 도체막을 포함하고 있어도 된다. 패턴 (101) 은, 단층막으로 구성되는 패턴이어도 된다. 절연막은, 실리콘 산화막 (SiO2 막) 이나 실리콘 질화막 (SiN 막) 이어도 된다. 또, 도체막은, 저저항화를 위한 불순물을 도입한 아모르퍼스 실리콘막이어도 되고, 금속막 (예를 들어 금속 배선막) 이어도 된다.
또한, 패턴 (101) 은, 미세한 트렌치에 의해 형성된 라인상의 패턴이, 반복하여 늘어서는 것이어도 된다. 또, 패턴 (101) 은, 박막에, 복수의 미세공 (보이드 (void) 또는 포어 (pore)) 을 형성함으로써 형성되어도 된다.
도 12 는, 처리 유닛 (202) 에서 실행되는 기판 (W) 의 제 1 처리예에 대해 설명하기 위한 공정도이다. 도 13a ∼ 도 13i 는, 제 1 처리예를 설명하기 위한 모식도이다. 도 14a ∼ 도 14d 는, 제 1 처리예에 있어서의 기판 (W) 의 상면의 상태를 설명하기 위한 모식적인 단면도이다. 도 15 및 도 16 은, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 및 제 2 기판 유지 유닛 (206b) 을 수평으로 보았을 때의 연직 단면도이다. 도 15 에는, 기판 고온화 공정 (S10) 시를 나타내고, 도 16 에는, 유기 용제 배출 공정 (S11) 시를 나타낸다. 도 17 은, 유기 용제 치환 공정 (S9), 기판 고온화 공정 (S10) 및 유기 용제 배출 공정 (S11) 에 있어서의, IPA 의 토출 유량의 변화, 및 기판 (W) 의 회전 속도의 변화를 나타내는 도면이다.
이하, 도 1 및 도 2 를 참조한다. 도 11 ∼ 도 17 에 대해서는 적절히 참조한다. 또한, 이하의 설명에 있어서의 「기판 (W) 의 표면 (상면)」 은, 기판 (W) 자체의 표면 (상면) 및 패턴 (101) 의 표면 (상면) 을 포함한다.
처리 유닛 (202) 에 의해 기판 (W) 이 처리될 때에는, 아우터 챔버 (204) 내에 미처리 기판 (W) 을 반입하는 기판 반입 공정 (단계 S1) 이 실시된다. 기판 반입 공정 (S1) 에 앞서, 제어 장치 (3) 는, 히터 (215) 를 온 (통전 상태) 으로 해 두고, 핫 플레이트 (206) 를, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 의한 기판 (W) 의 유지 위치로부터 하방으로 크게 퇴피한 하위치에 배치시킨다. 또, 제어 장치 (3) 는, 모든 노즐을 제 1 기판 유지 유닛 (205) 의 상방으로부터 퇴피시킨다. 또, 제어 장치 (3) 는, 모든 가동핀 (212) 을 개방 상태로 한다.
기판 반입 공정 (S1) 에서는, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 을 유지하고 있는 반송 로봇 (CR) (도 1 참조) 의 핸드 (H) 를 아우터 챔버 (204) 내에 진입시켜, 반송 로봇 (CR) 에 기판 (W) 을 제 1 기판 유지 유닛 (205) 위에 배치시킨다. 이로써, 기판 (W) 은, 패턴 형성면 (표면) 이 위로 향해진 상태에서, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 의 복수개의 고정핀 (210) 에 의해 하방으로부터 지지된다. 그 후, 제어 장치 (3) 는, 복수개의 가동핀 (212) 을 모두 폐쇄 위치로 이동시킨다. 이로써, 도 13a 에 나타내는 바와 같이, 복수개의 고정핀 (210) 및 복수개의 가동핀 (212) 에 의해 기판 (W) 이 수평 자세로 협지된다 (도 13a 에서는, 고정핀 (210) 만을 도시). 제어 장치 (3) 는, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 기판 (W) 이 넘겨진 후, 반송 로봇 (CR) 의 핸드 (H) 를 아우터 챔버 (204) 내로부터 퇴피시킨다.
복수개의 고정핀 (210) 및 복수개의 가동핀 (212) 에 의해 기판 (W) 이 협지되면, 제어 장치 (3) 는, 링 회전 유닛 (213) 을 제어하여, 기판 (W) 의 회전을 개시시킨다. 기판 (W) 의 회전 속도는, 미리 정하는 액처리 회전 속도 (v2) (도 17 참조. 예를 들어 300 rpm ∼ 500 rpm 정도) 까지 상승되어, 액처리 회전 속도 (v2) 로 유지된다.
또한, 기판 반입 공정 (S1) 으로부터 히터 (215) 가 온 상태로 제어되어, 핫 플레이트 (206) 가 발열 상태로 되어 있다. 그러나, 하위치에 있는 핫 플레이트 (206) 와 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 간격이 충분히 크기 때문에, 핫 플레이트 (206) 로부터의 열이 기판 (W) 에 충분히 미치지 않는다.
이어서, 제 1 약액을 기판 (W) 에 공급하는 제 1 약액 공정 (단계 S2) 이 실시된다.
구체적으로는, 도 13b 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 아암 요동 유닛 (230) 을 제어함으로써, 아암 (229) 을 홈 포지션으로부터 요동시켜, 제 1 약액 노즐 (226) 을 퇴피 위치로부터 기판 (W) 의 상방으로 이동시킨다. 이로써, 제 1 약액 노즐 (226) 이 처리 위치 (제 1 약액 노즐 (226) 이 기판 (W) 의 상면 중앙부에 대향하는 위치) 에 배치된다. 제 1 약액 노즐 (226) 이 처리 위치에 배치된 후, 제어 장치 (3) 는, 제 2 약액 밸브 (234) 및 린스액 밸브 (236) 를 닫으면서 제 1 약액 밸브 (232) 를 연다. 이로써, 제 1 약액 노즐 (226) 의 토출구로부터 제 1 약액이 토출된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 제 2 약액 하밸브 (222) 및 린스액 하밸브 (223) 를 닫으면서 제 1 약액 하밸브 (221) 를 연다. 이로써, 하토출구 (220) 로부터 제 1 약액이 상방으로 토출된다.
기판 (W) 의 상면의 중앙부에 공급된 제 1 약액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 상면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 한편, 기판 (W) 의 하면의 중앙부에 공급된 제 1 약액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 하면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전체 영역 및 하면 전체 영역에 제 1 약액이 공급되어, 기판 (W) 의 상면 및 하면의 전체 영역에 제 1 약액에 의한 처리가 실시된다. 기판 (W) 의 상면 주연부 및 하면 주연부에 도달한 제 1 약액은, 기판 (W) 의 측방을 향하여 비산한다. 그 때문에, 제 1 약액의 액적이, 기판 (W) 의 주연부로부터 외방으로 비산한다.
기판 (W) 의 주연부로부터 비산하는 제 1 약액은, 챔버 본체 (237) 의 둘레벽부 (241) 의 내벽에 받아들여져, 이 내벽을 따라 챔버 본체 (237) 의 저부에 고인다. 챔버 본체 (237) 의 저부에 고인 제 1 약액은, 폐액로 (도시 생략) 를 통하여 폐액 설비 (도시 생략) 에 보내져 폐액 설비에서 처리된다. 제 1 약액은, 폐액 설비가 아니고, 회수 설비로 보내져 재이용되어도 된다.
제 1 약액의 토출 개시부터, 미리 정하는 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 제 1 약액 밸브 (232) 및 제 1 약액 하밸브 (221) 를 닫고, 제 1 약액 노즐 (226) 및 하토출구 (220) 로부터의 제 1 약액의 토출을 정지한다.
이어서, 기판 (W) 으로부터 제 1 약액을 제거하기 위한 제 1 린스 공정 (단계 S3) 이 실시된다.
구체적으로는, 도 13c 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 아암 요동 유닛 (230) 을 제어함으로써 아암 (229) 을 요동시켜, 린스액 노즐 (228) 을 처리 위치에 배치시킨다. 린스액 노즐 (228) 이 처리 위치에 배치된 후, 제어 장치 (3) 는, 제 1 약액 밸브 (232) 및 제 2 약액 밸브 (234) 를 닫으면서 린스액 밸브 (236) 를 연다. 이로써, 린스액 노즐 (228) 의 토출구로부터 린스액이 토출된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 제 1 약액 하밸브 (221) 및 제 2 약액 하밸브 (222) 를 닫으면서 린스액 하밸브 (223) 를 연다. 이로써, 하토출구 (220) 로부터 린스액이 상방으로 토출된다.
기판 (W) 의 상면의 중앙부에 공급된 린스액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 상면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 한편, 기판 (W) 의 하면의 중앙부에 공급된 린스액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 하면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전체 영역 및 하면 전체 영역에 린스액이 공급되어, 기판 (W) 의 상면 및 하면에 부착되어 있는 제 1 약액이 씻겨나간다. 기판 (W) 의 상면 주연부 및 하면 주연부에 도달한 린스액은, 기판 (W) 의 측방을 향하여 비산한다. 그 때문에, 린스액의 액적이, 기판 (W) 의 주연부로부터 외방으로 비산한다.
기판 (W) 의 주연부로부터 비산하는 린스액은, 챔버 본체 (237) 의 둘레벽부 (241) 의 내벽에 받아들여져, 이 내벽을 따라 챔버 본체 (237) 의 저부에 고인다. 챔버 본체 (237) 의 저부에 고인 린스액은, 폐액로 (도시 생략) 를 통하여 폐액 설비 (도시 생략) 에 보내져 폐액 설비에서 처리된다.
린스액의 토출 개시부터, 미리 정하는 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 린스액 밸브 (236) 및 린스액 하밸브 (223) 를 닫고, 린스액 노즐 (228) 및 하토출구 (220) 로부터의 린스액의 토출을 정지한다.
이어서, 제 2 약액을 기판 (W) 에 공급하는 제 2 약액 공정 (도 12 의 단계 S4) 이 실시된다.
구체적으로는, 도 13d 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 아암 요동 유닛 (230) 을 제어함으로써 아암 (229) 을 요동시켜, 제 2 약액 노즐 (227) 을 처리 위치에 배치시킨다. 제 2 약액 노즐 (227) 이 처리 위치에 배치된 후, 제어 장치 (3) 는, 제 1 약액 밸브 (232) 및 린스액 밸브 (236) 를 닫으면서 제 2 약액 밸브 (234) 를 연다. 이로써, 제 2 약액 노즐 (227) 의 토출구로부터 제 2 약액이 토출된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 제 1 약액 하밸브 (221) 및 린스액 하밸브 (223) 를 닫으면서 제 2 약액 하밸브 (222) 를 연다. 이로써, 하토출구 (220) 로부터 제 2 약액이 상방으로 토출된다.
기판 (W) 의 상면의 중앙부에 공급된 제 2 약액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 상면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 한편, 기판 (W) 의 하면의 중앙부에 공급된 제 2 약액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 하면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전체 영역 및 하면 전체 영역에 제 2 약액이 공급되어, 기판 (W) 의 상면 및 하면의 전체 영역에 제 2 약액에 의한 처리가 실시된다. 기판 (W) 의 상면 주연부 및 하면 주연부에 도달한 제 2 약액은, 기판 (W) 의 측방을 향하여 비산한다. 그 때문에, 제 2 약액의 액적이, 기판 (W) 의 주연부로부터 외방으로 비산한다.
기판 (W) 의 주연부로부터 비산하는 제 2 약액은, 챔버 본체 (237) 의 둘레벽부 (241) 의 내벽에 받아들여져, 이 내벽을 따라 챔버 본체 (237) 의 저부에 고인다. 챔버 본체 (237) 의 저부에 고인 제 2 약액은, 폐액로 (도시 생략) 를 통하여 폐액 설비 (도시 생략) 에 보내져 폐액 설비에서 처리된다. 제 2 약액은, 폐액 설비가 아니고, 회수 설비로 보내져 재이용되어도 된다.
제 2 약액의 토출 개시부터, 미리 정하는 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 제 2 약액 밸브 (234) 및 제 2 약액 하밸브 (222) 를 닫고, 제 2 약액 노즐 (227) 및 하토출구 (220) 로부터의 제 2 약액의 토출을 정지한다.
이어서, 기판 (W) 으로부터 제 2 약액을 제거하기 위한 제 2 린스 공정 (도 12 의 단계 S5. 도 13c 를 재차 참조) 이 실시된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 아암 요동 유닛 (230) 을 제어함으로써 아암 (229) 을 요동시켜, 린스액 노즐 (228) 을 처리 위치에 배치시킨다. 린스액 노즐 (228) 이 처리 위치에 배치된 후, 제어 장치 (3) 는, 제 1 약액 밸브 (232) 및 제 2 약액 밸브 (234) 를 닫으면서 린스액 밸브 (236) 를 연다. 이로써, 린스액 노즐 (228) 의 토출구로부터 린스액이 토출된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 제 1 약액 하밸브 (221) 및 제 2 약액 하밸브 (222) 를 닫으면서 린스액 하밸브 (223) 를 연다. 이로써, 하토출구 (220) 로부터 린스액이 상방으로 토출된다.
기판 (W) 의 상면의 중앙부에 공급된 린스액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 상면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 한편, 기판 (W) 의 하면의 중앙부에 공급된 린스액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 하면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전체 영역 및 하면 전체 영역에 린스액이 공급되어, 기판 (W) 의 상면 및 하면에 부착되어 있는 제 2 약액이 씻겨나간다. 기판 (W) 의 상면 주연부 및 하면 주연부에 도달한 린스액은, 기판 (W) 의 측방을 향하여 비산한다. 그 때문에, 린스액의 액적이, 기판 (W) 의 주연부로부터 외방으로 비산한다. 기판 (W) 의 주연부로부터 비산하는 린스액은, 전술한 바와 같이, 폐액 설비 (도시 생략) 에 보내져, 처리된다.
린스액의 토출 개시부터, 미리 정하는 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 린스액 밸브 (236) 및 린스액 하밸브 (223) 를 닫고, 린스액 노즐 (228) 및 하토출구 (220) 로부터의 린스액의 토출을 정지한다. 이어서, 다시, 제 1 약액을 기판 (W) 에 공급하는 제 1 약액 공정 (단계 S6) 이 실시된다.
구체적으로는, 도 13b 를 재차 참조하여, 제어 장치 (3) 는, 아암 요동 유닛 (230) 을 제어함으로써 아암 (229) 을 요동시켜, 제 1 약액 노즐 (226) 을 처리 위치에 배치시킨다. 제 1 약액 노즐 (226) 이 처리 위치에 배치된 후, 제어 장치 (3) 는, 제 2 약액 밸브 (234) 및 린스액 밸브 (236) 를 닫으면서 제 1 약액 밸브 (232) 를 연다. 이로써, 제 1 약액 노즐 (226) 의 토출구로부터 제 1 약액이 토출된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 제 2 약액 하밸브 (222) 및 린스액 하밸브 (223) 를 닫으면서 제 1 약액 하밸브 (221) 를 연다. 이로써, 하토출구 (220) 로부터 제 1 약액이 상방으로 토출된다.
기판 (W) 의 상면의 중앙부에 공급된 제 1 약액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 상면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 한편, 기판 (W) 의 하면의 중앙부에 공급된 제 1 약액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 하면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전체 영역 및 하면 전체 영역에 제 1 약액이 공급되어, 기판 (W) 의 상면 및 하면의 전체 영역에 제 1 약액에 의한 처리가 실시된다. 기판 (W) 의 상면 주연부 및 하면 주연부에 도달한 제 1 약액은, 기판 (W) 의 측방을 향하여 비산한다. 그 때문에, 제 1 약액의 액적이, 기판 (W) 의 주연부로부터 외방으로 비산한다. 기판 (W) 의 주연부로부터 비산하는 제 1 약액은, 전술한 바와 같이, 폐액 설비 (도시 생략) 에 보내져, 처리된다.
제 1 약액의 토출 개시부터, 미리 정하는 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 제 1 약액 밸브 (232) 및 제 1 약액 하밸브 (221) 를 닫고, 제 1 약액 노즐 (226) 및 하토출구 (220) 로부터의 제 1 약액의 토출을 정지한다. 이어서, 기판 (W) 으로부터 제 1 약액을 제거하기 위한 제 3 린스 공정 (단계 S7) 이 실시된다.
구체적으로는, 도 13c 를 재차 참조하여, 제어 장치 (3) 는, 아암 요동 유닛 (230) 을 제어함으로써 아암 (229) 을 요동시켜, 린스액 노즐 (228) 을 처리 위치에 배치시킨다. 린스액 노즐 (228) 이 처리 위치에 배치된 후, 제어 장치 (3) 는, 제 1 약액 밸브 (232) 및 제 2 약액 밸브 (234) 를 닫으면서 린스액 밸브 (236) 를 연다. 이로써, 린스액 노즐 (228) 의 토출구로부터 린스액이 토출된다. 또, 제어 장치 (3) 는, 제 1 약액 하밸브 (221) 및 제 2 약액 하밸브 (222) 를 닫으면서 린스액 하밸브 (223) 를 연다. 이로써, 하토출구 (220) 로부터 린스액이 상방에 토출된다.
기판 (W) 의 상면의 중앙부에 공급된 린스액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 상면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 한편, 기판 (W) 의 하면의 중앙부에 공급된 린스액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 하면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전체 영역 및 하면 전체 영역에 린스액이 공급되어, 기판 (W) 의 상면 및 하면에 부착되어 있는 제 1 약액이 씻겨나간다. 기판 (W) 의 상면 주연부 및 하면 주연부에 도달한 린스액은, 기판 (W) 의 측방을 향하여 비산한다. 그 때문에, 린스액의 액적이, 기판 (W) 의 주연부로부터 외방으로 비산한다. 기판 (W) 의 주연부로부터 비산하는 린스액은, 전술한 바와 같이, 폐액 설비 (도시 생략) 에 보내져, 처리된다.
린스액의 토출 개시부터, 미리 정하는 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 린스액 밸브 (236) 및 린스액 하밸브 (223) 를 닫고, 린스액 노즐 (228) 및 하토출구 (220) 로부터의 린스액의 토출을 정지함과 함께, 아암 요동 유닛 (230) 을 제어하여, 아암 (229) 을, 홈 포지션으로 되돌린다. 이로써, 제 1 약액 노즐 (226), 제 2 약액 노즐 (227) 및 린스액 노즐 (228) 이, 퇴피 위치로 되돌아간다.
이어서, 제어 장치 (3) 는, 덮개 승강 유닛 (254) 을 제어하여, 도 13e 에 나타내는 바와 같이, 덮개 부재 (239) 를 덮개 폐쇄 위치까지 하강시킨다. 덮개 폐쇄 위치로 하강한 덮개 부재 (239) 에 의해, 챔버 본체 (237) 의 개구 (238) 가 폐색된다. 이 상태에서, 로크 부재 (도시 생략) 에 의해 덮개 부재 (239) 와 챔버 본체 (237) 가 결합되면, 덮개 부재 (239) 의 하면의 주연부 (239c) 에 배치된 시일 고리 (253) 가, 그 둘레 방향의 전체 영역에 걸쳐 챔버 본체 (237) 의 상단면 (241a) 에 맞닿고, 챔버 본체 (237) 와 덮개 부재 (239) 의 사이가 시일된다. 이로써, 챔버 본체 (237) 및 덮개 부재 (239) 의 내부 공간이 밀폐된다. 이 상태에서, 린스액 토출구 (247), 유기 용제 토출구 (249) 및 질소 가스 토출구 (251) 의 각각이, 기판 (W) 의 상면에 대향하여 배치되어 있다.
이어서, 최종 린스 공정 (단계 S8) 이 기판 (W) 에 실시된다.
구체적으로는, 도 13e 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 린스액 상밸브 (248) 를 열어, 린스액 상배관 (244) 의 린스액 토출구 (247) 로부터 린스액을 토출한다. 린스액 토출구 (247) 로부터 토출된 린스액은, 기판 (W) 의 상면의 중앙부에 착액된다.
기판 (W) 의 상면의 중앙부에 공급된 린스액은, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 상면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전체 영역에 린스액이 공급되어, 기판 (W) 의 상면에 린스 처리가 실시된다.
최종 린스 공정 (S8) 에 있어서, 도 14a 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 상면 (100) 에 형성된 패턴 (101) 의 간극의 저부 (당해 간극에 있어서의 기판 (W) 자체의 상면 (100) 에 매우 가까운 위치) 까지 린스액이 널리 퍼진다.
또, 기판 (W) 의 주연부로부터 비산하는 린스액은, 챔버 본체 (237) 의 둘레벽부 (241) 의 내벽에 받아들여져, 이 내벽을 따라 챔버 본체 (237) 의 저부에 고인다. 챔버 본체 (237) 의 저부에 고인 린스액은, 폐액로 (도시 생략) 를 통하여, 폐액 설비 (도시 생략) 에 보내져 폐액 설비에서 처리된다.
린스액의 토출 개시부터, 미리 정하는 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 린스액 상밸브 (248) 를 닫고, 린스액 토출구 (247) 로부터의 린스액의 토출을 정지한다.
최종 린스 공정 (S8) 의 종료 후, 제어 장치 (3) 는, 도 17 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 을, 액처리 회전 속도 (v2) 로부터 고회전 속도 (v3) (제 1 회전 속도 및 제 2 회전 속도. 예를 들어 800 rpm) 로 가속시킨다. 이어서, 기판 (W) 의 상면에 IPA 의 액체를 공급하여, 기판 (W) 의 상면의 린스액을 IPA 로 치환하는 유기 용제 치환 공정 (단계 S9) 이 실시된다.
기판 (W) 의 회전 속도가 고회전 속도 (v3) 에 도달하면, 제어 장치 (3) 는, 도 13f 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 밸브 (250) 를 열어, 유기 용제 상배관 (245) 의 유기 용제 토출구 (249) 로부터 IPA 의 액체를 토출시킨다. 이로써, IPA 의 토출이 개시된다. 유기 용제 토출구 (249) 로부터 토출되는 IPA 는, 상온 (예를 들어 25 ℃), 즉 IPA 의 비점 (82.4 ℃) 미만의 액온도를 갖는 액체이다. 유기 용제 토출구 (249) 로부터 토출된 IPA 의 액체는, 기판 (W) 의 상면의 중앙부에 착액된다. IPA 의 토출 개시에 의해, 유기 용제 치환 공정 (S9) 이 개시된다.
기판 (W) 의 상면의 중앙부에 공급된 IPA 의 액체는, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아, 기판 (W) 의 상면을 기판 (W) 의 주연부를 향하여 흐른다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면의 중앙부에 공급된 IPA 의 액체를 주연부를 향하여 확산시킬 수 있다. 이로써, 기판 (W) 의 상면의 전체 영역에 IPA 의 액체를 널리 퍼지게 할 수 있다. 이 때, 핫 플레이트 (206) 는 하위치에 있고, 기판 (W) 은 핫 플레이트 (206) 로부터의 열이 충분히 전달되고 있지 않다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면의 온도는 예를 들어 상온이며, IPA 의 액체는, 상온을 유지한 채로, 기판 (W) 의 상면을 흐른다.
제어 장치 (3) 는, 도 17 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 치환 공정 (S9) 에 병행하여, 고회전 속도 (v3) 로 기판 (W) 을 회전시키는 제 1 고속 회전 공정 (단계 S91) 과, 제 1 고속 회전 공정 (S91) 에 계속해서, 패들 속도 (v1) (영에 가까운 저속. 예를 들어 50 rpm 미만의 범위에서, 예를 들어 약 20 rpm) 로 기판 (W) 을 회전시키는 패들 공정 (단계 S92) 을 실행한다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 치환 공정 (S9) 의 개시 후 소정의 고속 회전 시간 (t1) (예를 들어 약 15 초간) 동안, 기판 (W) 을, 고회전 속도 (v3) 로 회전시킨다 (제 1 고속 회전 공정 (S91)). 고속 회전 시간 (t1) 의 경과 후, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 회전 속도를, 고회전 속도 (v3) 로부터 패들 속도 (v1) 로 저하시킨다. 기판 (W) 의 감속에 수반하여, 기판 (W) 상의 IPA 의 액체에 작용하는 원심력이 작아져, IPA 의 액체가 기판 (W) 의 주연부로부터 배출되지 않고 기판 (W) 의 상면에 체류한다. 그 결과, 기판 (W) 의 상면에, 패들 상태의 IPA 의 액막 (111) 이 유지된다 (패들 공정 (S92)). 기판 (W) 의 상면의 전체 영역에 IPA 의 액체가 널리 퍼지고 있으므로, IPA 의 액막 (111) 은, 기판 (W) 의 상면의 전체 영역을 덮는다. IPA 의 액막 (111) 은, 소정의 막두께 (예를 들어 1 mm 정도) 를 가지고 있다.
IPA 의 액체가 기판 (W) 의 상면에 공급되기 때문에, 도 14b 에 나타내는 바와 같이, 패턴 (101) 의 간극에 존재하는 린스액을, 양호하게 치환할 수 있다. 또, 기판 (W) 의 상면의 전체 영역을 덮는 IPA 의 액막 (111) 이 형성되므로, 기판 (W) 의 상면의 전체 영역에 있어서, 린스액을 IPA 의 액체로 양호하게 치환할 수 있다. 패들 시간 (t2) (예를 들어 약 15 초간) 의 경과 후, 제어 장치 (3) 는, 링 회전 유닛 (213) 을 제어하여, 기판 (W) 의 회전을 정지시킨다.
또한, 패들 공정 (S92) 에 있어서, 저속의 패들 속도 (v1) 로 기판 (W) 을 회전시키는 예를 설명했지만, 패들 공정 (S92) 에 있어서, 기판 (W) 의 회전을 정지시켜, 기판 (W) 의 회전 속도를 영으로 유지해도 된다. 이 경우, 패들 공정 (S92) 에서는, 기판 (W) 상의 IPA 의 액체에 작용하는 원심력이 영이 되어, IPA 의 액체가 기판 (W) 의 주연부로부터 배출되지 않고 기판 (W) 의 상면에 체류하고, 기판 (W) 의 상면에, 패들 상태의 IPA 의 액막 (111) 이 유지된다.
유기 용제 치환 공정 (단계 S9) 이 실시된 후는, 기판 고온화 공정 (단계 S10) 이 실행된다.
제어 장치 (3) 는, 플레이트 승강 유닛 (216) 을 제어하여, 핫 플레이트 (206) 를, 하위치 (도 13f 에 나타내는 위치) 로부터 상위치 (도 13g 에 나타내는 위치) 까지 상승시킨다. 핫 플레이트 (206) 가 회전링 (211) 과 동일한 높이까지 상승하면, 기판 (W) 의 하면에 핫 플레이트 (206) 가 맞닿는다. 제어 장치 (3) 가, 핫 플레이트 (206) 를 계속해서 상승시키면, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 으로부터 기판 (W) 이 떨어져, 기판 (W) 이, 핫 플레이트 (206) 만으로 지지된다. 이로써, 기판 (W) 이, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 으로부터 핫 플레이트 (206) 에 수수된다. 핫 플레이트 (206) 에 인도된 기판 (W) 은, 복수개의 지지핀 (261) 에 의해 하방으로부터 지지된다. 기판 (W) 이 인도된 후도 핫 플레이트 (206) 의 상승은 속행되어, 상위치에 도달하면 핫 플레이트 (206) 의 상승이 정지된다. 핫 플레이트 (206) 가 상위치에 배치된 상태를, 도 13g 및 도 15 에 나타낸다.
히터 (215) 는 상시 온 상태로 제어되어 있기 때문에, 핫 플레이트 (206) (기판 대향면 (206a)) 가 발열 상태로 되어 있다. 핫 플레이트 (206) 상에 기판 (W) 이 재치된 상태에서는, 기판 대향면 (206a) 으로부터의 열이 기판 (W) 의 하면에 부여된다. 이로써, 기판 (W) 이 가열되어, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막 (111) 도 가열된다. 기판 (W) 에 부여되는 단위 면적당 열량은, 기판 (W) 의 전체 영역에 있어서 거의 균일하다.
기판 고온화 공정 (S10) 에서는, 핫 플레이트 (206) 에 의한 기판 (W) 에의 가열에 의해, 기판 (W) 의 상면이, 미리 정하는 액막 부상 온도 (제 1 온도) (TE1) 까지 승온된다. 액막 부상 온도 (TE1) 는, IPA 의 비점 (82.4 ℃) 보다 예를 들어 10 ∼ 50 ℃ 높은 범위의 소정 온도로 설정되어 있다. 또, 다음에 기술하는 바와 같이, 기판 고온화 공정 (S10) 에서는 IPA 의 액막 (111) 이 기판 (W) 의 상면으로부터 부상하지만, 액막 부상 온도 (TE1) 는, 부상하고 있는 IPA 의 액막 (111) 이 비등하지 않는 온도이다.
기판 (W) 의 상면의 온도가 액막 부상 온도 (TE1) 에 도달한 후, 기판 (W) 의 상면의 온도 (패턴 (101) (도 14c 등 참조) 의 상면, 보다 상세하게는, 각 구조체 (102) 의 상단면 (102A) 의 온도) 는, 액막 부상 온도 (TE1) 로 유지된다. 기판 (W) 의 상면의 전체 영역은, 액막 부상 온도 (TE1) 로 유지된다. 이 때, 히터 (215) 의 단위 시간당 발열량은, 핫 플레이트 (206) 에 재치되어 있는 기판 (W) 의 상면이 액막 부상 온도 (TE1) 로 유지되도록 설정되어 있다.
기판 (W) 의 상면의 온도가 액막 부상 온도 (TE1) 에 도달하고 나서 잠시 후에, 패턴 (101) 의 간극이, IPA 의 액막 (111) 에서 발생한 IPA 의 증발로 채워진다. 또한, IPA 의 증발은, 기판 (W) 의 상면 (각 구조체 (102) 의 상단면 (102A)) 의 상방 공간에 IPA 의 기상 (112) 을 형성한다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 (각 구조체 (102) 의 상단면 (102A)) 으로부터 IPA 의 액막 (111) 이 부상한다 (도 14c 참조). 또, 패턴 (101) 의 간극이 IPA 의 기상 (112) 에 의해 채워진다.
예를 들어, 패턴 (101) 의 간극이 IPA 의 액체로 채워져 있는 경우, 이 상태에서 기판 (W) 을 건조시키면, 인접하는 구조체 (102) 끼리를 끌어당기는 힘 (표면장력) 이 가해진다. 그 때문에, 패턴 (101) 이 도괴될 우려가 있다.
이것에 대해, 도 14c 의 상태에서는, 패턴 (101) 의 간극은, IPA 의 기상 (112) 으로 채워져 있다. 그 때문에, 표면장력에서 기인하는 패턴 (101) 의 도괴를 억제 또는 방지할 수 있다.
그리고, 도 14c 의 상태에서는, IPA 의 액막 (111) 이, 기판 (W) 의 상면 (각 구조체 (102) 의 상단면 (102A)) 으로부터 부상하고 있기 때문에, 기판 (W) 의 상면과 IPA 의 액막 (111) 의 사이에 생기는 마찰력의 크기는 대략 영이다.
기판 고온화 공정 (S10) 의 실행 기간은, 적어도, 패턴 (101) 의 간극에 있는 모든 IPA 의 액체가 기화되어, 기판 (W) 의 상면 전체 영역에서 IPA 의 액막 (111) 이 부상하는 길이로 설정되어 있다. 기판 고온화 공정 (S10) 의 실행 기간은, 핫 플레이트 (206) 가 기판 (W) 을 유지했을 때부터의 시간을 의미한다. 제 1 처리예에서는, 기판 고온화 공정 (S10) 의 실행 기간은, 예를 들어, 1 ∼ 2 분간이다.
패턴 (101) 의 어스펙트비가 높은 경우, IPA 의 액체와 구조체 (102) 의 접촉 면적이 증가한다. 이 경우, 이웃하는 2 개의 구조체 (102) 의 사이의 공간에 존재하는 IPA 의 액량이 증가하므로, IPA 의 액체를 증발시키기 위해서, 보다 큰 열량이 필요하게 된다. 그 때문에, 패턴 (101) 의 어스펙트비의 크기에 따라, 액막 부상 온도 (TE1) 나 기판 고온화 시간을 조절하는 것이 바람직하다.
그런데, 기판 (W) 의 상방에 부상하고 있는 IPA 의 액막 (111) 에, 균열이나 크랙 (이하, 「균열 등 (113)」 이라고 한다) 이 생기는 경우가 있다. 균열 등 (113) 이 생기는 결과, 그 부분에 IPA 의 액체와 기판 (W) 의 사이에 액고 계면이 형성되어, 표면장력에서 기인하는 패턴 (101) 의 도괴가 기판 (W) 의 건조 시에 발생할 우려가 있다. 또, 균열 등 (113) 이 생긴 부분에는, 건조 후에 워터 마크 등의 결함이 생길 우려도 있다. 그 때문에, 기판 고온화 공정 (S10) 중에 있어서, 부상하고 있는 IPA 의 액막 (111) 에 균열 등 (113) 이 발생하는 것을 억제 또는 방지할 필요가 있다.
부상하고 있는 IPA 의 액막 (111) 에 균열 등 (113) 이 생기는 요인으로서, 다음의 2 개의 요인을 들 수 있다.
첫 번째 요인은, 기판 (W) 의 장시간의 가열에 의한 다량의 IPA 의 증기의 발생, 및/또는 IPA 의 액막 (111) 의 비등이다. 다량의 IPA 의 증기가 발생하면, IPA 의 기상 (112) 은, 그 상방에 위치하는 IPA 의 액막 (111) 을 찢어, 당해 IPA 의 액막 (111) 으로부터 상방으로 분출한다. 그 결과, IPA 의 액막 (111) 에 균열 등 (113) 을 일으킬 우려가 있다. IPA 의 액막 (111) 의 비등에 대해서도 동일하게, IPA 의 액막 (111) 에 균열 등 (113) 을 일으킬 우려가 있다.
이 첫 번째의 요인에 관하여, 제 1 처리예에서는, 기판 고온화 공정 (S10) 에 있어서의 액막 부상 온도 (TE1), 및 기판 고온화 공정 (S10) 의 실행 기간을, 각각, 균열 등 (113) 이 생기지 않는 범위로 설정함으로써 대응하고 있다. 아울러, 기판 고온화 공정 (S10) 중도, IPA 의 액체의 공급을 속행함으로써, 기판 고온화 공정 (S10) 의 전 기간을 통해, 부상하고 있는 IPA 의 액막 (111) 을, 균열 등 (113) 이 생기지 않을 정도의 두께로 유지하고 있다.
균열 등 (113) 이 생기는 두 번째 요인은, 기판 (W) 의 회전에 수반하는 원심력을 받음으로써 발생하는, IPA 의 액막 (111) 의 분열이다. 두 번째의 요인에 관해서, 제 1 처리예에서는, 기판 고온화 공정 (S10) 중에 있어서, 기판 (W) 의 회전을 정지시키고 있다. 그 때문에, IPA 의 액막 (111) 에 원심력에서 기인하는 분열이 생기는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 균열 등 (113) 의 발생을 방지할 수 있다.
기판 고온화 공정 (S10) 에 이어, IPA 의 기상 (112) 의 상방에 위치하는 IPA 의 액막 (111) 을 액 덩어리 상태인 채 배제하는 유기 용제 배제 공정 (단계 S11) 이 실행된다.
구체적으로는, 핫 플레이트 (206) 에 기판 (W) 이 인도되고 나서 미리 정하는 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 도 13g 및 도 16 에 나타내는 바와 같이, 신축 구동 유닛 (225) 을 제어하여 핫 플레이트 (206) 를 수평 자세로부터 경사 자세로 변경한다.
이하에서는, 도 16 을 참조하면서, 핫 플레이트 (206) 의 자세 변경에 대해 상세히 서술한다. 여기서는, 3 개의 신축 유닛 (224) 중 하나를 신축 유닛 (224a) 이라고 하고, 나머지 2 개를 신축 유닛 (224b) 이라고 한다.
핫 플레이트 (206) 를 수평 자세로부터 경사 자세로 변화시킬 때는, 1 개의 신축 유닛 (224a) 의 길이를 그대로 하면서, 다른 2 개의 신축 유닛 (224b) (도 16 에서는 1 개만 도시) 의 길이를, 그때까지 보다 길게 한다. 이 때의 2 개의 신축 유닛 (224b) 의 신장량은 서로 동일하다. 이로써, 핫 플레이트 (206) 를 경사 자세로 자세 변경할 수 있다. 핫 플레이트 (206) 의 경사 자세에서는, 기판 대향면 (206a) 이 수평면에 대해 경사져 있다. 이 때의 경사 각도는, 예를 들어 약 1 °이다. 즉, 핫 플레이트 (206) 의 경사 자세에서는, 기판 대향면 (206a) 이 수평면에 대해 예를 들어 약 1 °경사져 있다. 이로써, 핫 플레이트 (206) 에 의해 지지되어 있는 기판 (W) 의 상면도, 수평면에 대해 예를 들어 약 1 °경사져 있다. 이 때, 핫 플레이트 (206) 는, 핫 플레이트 (206) 의 둘레 방향에 관한 2 개의 신축 유닛 (224b) 의 중간에 대응하는 위치가 가장 높고, 신축 유닛 (224a) 에 대응하는 위치가 가장 낮다.
도 16 에 나타내는 바와 같이, 핫 플레이트 (206) 가 기울면, 핫 플레이트 (206) 에 지지되어 있는 기판 (W) 도 기운다. 기판 (W) 및 핫 플레이트 (206) 가 경사 자세에 있을 때, 기판 대향면 (206a) 을 따른 방향의 힘 (기판 (W) 에 작용하는 자중의 분력) 이 기판 (W) 에 작용한다. 이 힘이, 기판 (W) 과 지지핀 (261) 의 사이에 작용하는 마찰력을 상회하면, 기판 (W) 이, 기판 대향면 (206a) 을 따른 방향으로 이동할 우려가 있다.
기판 (W) 의 주연부의 가장 낮은 부분 (도 16 에 있어서의 기판 (W) 의 좌단부) 은, 6 개의 고정핀 (210) 의 하나 (고정핀 (210a)) 의 내방에 배치되어 있다. 이 고정핀 (210) 은, 핫 플레이트 (206) 가 경사 자세일 때에 가장 짧은 신축 유닛 (224) 과 핫 플레이트 (206) 의 직경 방향으로 늘어서 있다. 도 16 에 나타내는 바와 같이, 핫 플레이트 (206) 가 경사 자세일 때에, 기판 (W) 이 핫 플레이트 (206) 에 대해 기판 대향면 (206a) 을 따른 방향으로 이동했다고 해도, 기판 (W) 과 고정핀 (210) 의 접촉에 의해, 핫 플레이트 (206) 에 대한 기판 (W) 의 이동이 규제된다. 이로써, 핫 플레이트 (206) 상으로부터의 기판 (W) 의 활락을 확실하게 방지하면서, 기판 (W) 및 핫 플레이트 (206) 의 쌍방을 경사 자세로 유지할 수 있다.
또, 기판 (W) 을 지지하는 고정핀 (210) 에 의해, 핫 플레이트 (206) 상으로부터의 기판 (W) 의 활락의 방지가 달성되어 있으므로, 활락 방지 부재를 고정핀 (210) 과는 다른 부재로 형성하는 경우와 비교해서, 부품 점수를 저감할 수 있음과 함께 비용 절감을 도모할 수 있다.
기판 고온화 공정 (S10) 의 종료 시점에 있어서, 전술한 바와 같이, 기판 (W) 의 상면과 IPA 의 액막 (111) 의 사이에 생기는 마찰력의 크기는 대략 영이다. 그 때문에, IPA 의 액막 (111) 은 기판 (W) 의 상면을 따라 이동하기 쉽다. 유기 용제 배제 공정 (S11) 에서는, 기판 (W) 의 상면이 수평면에 대해 경사지므로, IPA 의 액막 (111) 은, 그 자중에 의해, 경사져 있는 기판 (W) 의 주연부의 가장 낮은 부분을 향하여, 기판 (W) 의 상면을 따라 이동한다. IPA 의 액막 (111) 의 이동은, 다수의 소적으로 분열되는 일 없이 액 덩어리 상태를 유지하면서 실시된다. 이로써, IPA 의 액막 (111) 이 기판 (W) 의 상방으로부터 배제된다.
기판 (W) 의 상방으로부터 IPA 의 액막 (111) 이 모두 배제된 후, 제어 장치 (3) 는, 신축 유닛 (224) 을 제어하여 핫 플레이트 (206) 를 경사 자세로부터 수평 자세로 되돌린다. 또, 제어 장치 (3) 는, 플레이트 승강 유닛 (216) 을 제어하여, 핫 플레이트 (206) 를, 상위치로부터 하위치까지 하강시킨다. 핫 플레이트 (206) 가 상위치로부터 하위치까지 하강하는 도중에, 기판 (W) 의 하면 주연부가, 고정핀 (210) 의 테이퍼면 (273) 과 맞닿는다. 그 후, 핫 플레이트 (206) 가 더욱 하강됨으로써, 핫 플레이트 (206) 로부터 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 기판 (W) 이 인도된다. 기판 (W) 은, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 의 복수개의 고정핀 (210) 에 의해 하방으로부터 지지된다. 가동핀 (212) 은 개방 위치에 위치하고 있기 때문에, 기판 (W) 은, 고정핀 (210) 에 의해 아래로부터 지지될 뿐으로, 고정핀 (210) 이나 가동핀 (212) 등에 협지되지 않는다.
또, 제어 장치 (3) 는, 로크 부재 (도시 생략) 를 구동하여, 덮개 부재 (239) 와 챔버 본체 (237) 의 결합을 해제한다. 그리고, 제어 장치 (3) 는, 도 13i 에 나타내는 바와 같이, 덮개 승강 유닛 (254) 을 제어하여, 덮개 부재 (239) 를 덮개 개방 위치까지 상승시킨다.
핫 플레이트 (206) 가 하위치까지 하강된 후, 핫 플레이트 (206) 와 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 간격이 충분히 크기 때문에, 핫 플레이트 (206) 의 열이 기판 (W) 에 충분히 미치지 않는다. 이로써, 핫 플레이트 (206) 에 의한 기판 (W) 의 가열이 종료되고, 기판 (W) 의 온도가 상온까지 서서히 저하된다.
이로써, 1 매의 기판 (W) 에 대한 약액 처리가 종료되고, 반송 로봇 (CR) (도 1 참조) 에 의해, 처리 완료된 기판 (W) 이 아우터 챔버 (204) 로부터 반출된다 (단계 S12). 이상에 의해, 기판 (W) 의 상면에 IPA 의 액체를 공급하여, 기판 (W) 의 상면을 덮는 IPA 의 액막 (111) 을 기판 (W) 상에 형성함으로써, 패턴 (101) 의 간극에 존재하는 린스액이 IPA 의 액체로 치환된다. IPA 의 액막 (111) 이 기판 (W) 의 상면의 전체 영역을 덮고 있으므로, 기판 (W) 의 상면의 전체 영역에 있어서, 패턴 (101) 의 간극에 존재하는 린스액을 양호하게 치환할 수 있다. 그리고, IPA 의 액막 (111) 의 형성 후에, 기판 (W) 의 상면의 온도를 액막 부상 온도 (TE1) 에 도달시킨다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전체 영역에 있어서 IPA 의 액막 (111) 과 기판 (W) 의 상면의 사이에 IPA 의 기상 (112) 이 형성됨과 함께, 당해 IPA 의 기상 (112) 의 상방에 IPA 의 액막 (111) 이 부상한다. 이 상태에서는, 기판 (W) 의 상면과 IPA 의 액막 (111) 의 사이에 생기는 마찰력의 크기는 대략 영이기 때문에, IPA 의 액막 (111) 은, 기판 (W) 의 상면을 따라 이동하기 쉽다.
유기 용제 배제 공정 (S11) 에 있어서, 기판 (W) 과 핫 플레이트 (206) 의 상대 자세를 일정하게 유지하면서, 기판 (W) 및 핫 플레이트 (206) 를 경사 자세로 자세 변경시켜, 기판 (W) 의 상면을 수평면에 대해 경사시킨다. 이로써, 부상하고 있는 IPA 의 액막 (111) 은, 그 자중에 의해, 경사져 있는 기판 (W) 의 주연부의 가장 낮은 부분을 향하여, 기판 (W) 의 상면을 따라 이동하고, 기판 (W) 의 주연부로부터 배출된다. IPA 의 액막 (111) 의 이동은, 다수의 소적으로 분열되는 일 없이 액 덩어리 상태를 유지하면서 실시된다. 이로써, IPA 의 액막 (111) 을, 기판 (W) 의 상방으로부터 순조롭고 완전하게 배제할 수 있다.
그 때문에, IPA 의 액막 (111) 의 배제 후의 기판 (W) 의 상면에는, IPA 의 액적이 잔류하지 않는다. 즉, 패턴 (101) 의 간극에 IPA 의 액체가 잔류하지 않는다. 따라서, 패턴 (101) 이 상면에 형성된 기판 (W) 을 처리하는 경우여도, 패턴 (101) 의 도괴를 억제 또는 방지하면서, 기판 (W) 의 상면을 양호하게 건조시킬 수 있다.
또, 유기 용제 치환 공정 (S9) 에 병행하여 고회전 속도 (v3) 보다 저속의 패들 속도 (v1) 로 기판 (W) 이 회전된다. 이와 같은 기판 (W) 의 감속에 수반하여, 기판 (W) 상의 IPA 의 액체에 작용하는 원심력이 영 또는 작아져, IPA 의 액체가 기판 (W) 의 주연부로부터 배출되지 않고 기판 (W) 의 상면에 체류한다. 그 결과, 기판 (W) 의 상면에, 패들 상태의 IPA 의 액막 (111) 이 유지된다. 기판 (W) 의 상면에 유지되는 IPA 의 액막 (111) 에 포함되는 IPA 에 의해, 기판 (W) 의 상면의 린스액이 치환된다. 이로써, 기판 (W) 의 상면에 있어서 린스액을 보다 한층 양호하게 IPA 로 치환할 수 있다.
또, 패들 공정 (S92) 에 앞서, 제 1 고속 회전 공정 (S91) 이 실행된다. 제 1 고속 회전 공정 (S91) 에서는, 기판 (W) 이 제 1 회전 속도로 회전된다. 이로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액체가, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력을 받아 기판 (W) 의 주연부를 향하여 확산된다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면의 전체 영역에 IPA 의 액체를 널리 퍼지게 할 수 있다. 따라서, 제 1 고속 회전 공정 (S91) 에 이어 실행되는 패들 공정 (S92) 에서는, 기판 (W) 의 상면의 전체 영역을 덮는 패들 상태의 IPA 의 액막 (111) 이, 기판 (W) 의 상면에 유지된다. 이로써, 기판 (W) 의 상면의 전체 영역에 있어서, 기판 (W) 의 상면의 린스액을, IPA 의 액체에 의해 양호하게 치환할 수 있다.
또, 기판 (W) 이 회전하고 있지 않은 상태에서 기판 고온화 공정 (S8) 이 실행된다. 기판 고온화 공정 (S8) 중에 기판 (W) 이 고속으로 회전하고 있으면, 기판 (W) 의 주연부가 기판 (W) 의 회전에 의해 냉각된다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면의 주연부의 온도가, 액막 부상 온도 (TE1) 까지 도달하지 않을 우려가 있다. 이 경우, 기판 (W) 의 주연부에 있어서, IPA 의 액막 (111) 이 양호하게 부상하지 않을 우려가 있다.
이것에 대해, 제 1 처리예에서는, 기판 (W) 이 회전하고 있지 않은 상태에서 기판 고온화 공정 (S10) 이 실행되므로, 기판 (W) 의 상면의 주연부를, 액막 부상 온도 (TE1) 까지 승온시킬 수 있다. 이로써, 기판 (W) 의 상면의 전체 영역에서 IPA 의 액막 (111) 을 부상시킬 수 있다.
또, 핫 플레이트 (206) 는, 기판 (W) 을 하방으로부터 가열하면서, 당해 기판 (W) 을 하방으로부터 접촉 지지한다. 이 핫 플레이트 (206) 를 수평 자세로부터 경사 자세로 자세 변경시킴으로써, 핫 플레이트 (206) 에 의해 기판 (W) 을 양호하게 유지하면서, 당해 기판 (W) 의 상면을 수평면에 대해 경사시킬 수 있다. 이로써, 핫 플레이트 (206) 에 의해 기판 (W) 을 가열하면서, 당해 기판 (W) 의 상면을 수평면에 대해 경사시킬 수 있다.
또, 핫 플레이트 (206) 의 주연부가, 복수의 신축 유닛 (224) 에 의해 하방으로부터 지지되어 있다. 복수의 신축 유닛 (224) 의 길이를 서로 동일하게 함으로써, 핫 플레이트 (206) 가 수평 자세로 유지된다. 또, 복수의 신축 유닛 (224) 중 적어도 1 개의 신축 유닛 (224) 의 길이를, 그 이외의 신축 유닛 (224) 과 다르게 함으로써, 핫 플레이트 (206) 가 경사 자세로 유지된다. 이로써, 간단한 구성으로, 핫 플레이트 (206) 를 수평 자세와 경사 자세의 사이에서 자세 변경시킬 수 있다.
도 18 은, 처리 유닛 (202) 에서 실행되는 기판 (W) 의 제 2 처리예의 최종 린스 공정 (S8) 을 설명하기 위한 모식도이다.
제 2 처리예가, 제 1 처리예와 상이한 점은, 최종 린스 공정 (S8) 및 유기 용제 치환 공정 (S9) 에 있어서, 핫 플레이트 (206) 에 의해 기판 (W) 의 상면이 데워지는 점이다. 일련의 공정의 흐름은, 도 12 에 나타내는 제 1 처리예의 경우와 동등하다.
제 2 처리예에서는, 최종 린스 공정 (S8) 에 앞서, 또는 최종 린스 공정 (S8) 중에 있어서, 제어 장치 (3) 는, 플레이트 승강 유닛 (216) 을 제어하여, 핫 플레이트 (206) 를, 하위치 (도 13a 등에 나타내는 위치) 로부터 중간 위치 (도 18 에 나타내는 위치) 까지 상승시킨다. 중간 위치는, 핫 플레이트 (206) 의 기판 대향면 (206a) 이, 적어도, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 유지되는 기판 (W) 의 하면보다 하방이 되는 높이 위치이다. 핫 플레이트 (206) 는, 최종 린스 공정 (S8) 및 유기 용제 치환 공정 (S9) 에 걸쳐, 중간 위치에 배치되어 있다.
핫 플레이트 (206) 가 중간 위치에 위치하는 상태에 있어서, 히터 (215) 가 온 상태로 제어되어, 핫 플레이트 (206) 가 발열 상태이면, 핫 플레이트 (206) 로부터의 열이, 열복사에 의해, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 유지되어 있는 기판 (W) 에 부여된다. 이 상태에서는, 핫 플레이트 (206) 와 기판 (W) 이 간격을 두고 배치되어 있기 때문에, 기판 (W) 에 부여되는 열량은, 핫 플레이트 (206) 상에 기판 (W) 이 유지되어 있는 경우보다 작다.
제 2 처리예의 최종 린스 공정 (S8) 에서는, 핫 플레이트 (206) 에 의한 기판 (W) 의 가열에 의해, 기판 (W) 의 상면이, 미리 정하는 사전 가열 온도 (제 2 온도) (TE2) 까지 승온된다. 사전 가열 온도 (TE2) 는, IPA 의 비점 (82.4 ℃) 보다 낮고 상온보다 높은 소정 온도 (예를 들어 약 40 ℃ ∼ 약 80 ℃) 로 설정되어 있다.
기판 (W) 의 상면의 온도가 사전 가열 온도 (TE2) 에 도달한 후, 기판 (W) 의 상면의 온도 (패턴 (101) (도 14c 등 참조) 의 상면, 보다 상세하게는, 각 구조체 (102) 의 상단면 (102A) 의 온도) 는, 사전 가열 온도 (TE2) 로 유지된다. 이 때, 기판 (W) 의 상면의 전체 영역에 있어서, 사전 가열 온도 (TE2) 로 유지된다. 즉, 기판 (W) 의 상면이 사전 가열 온도 (TE2) 가 되도록, 핫 플레이트 (206) 의 중간 위치의 높이가 설정되어 있다.
이로써, 제 2 처리예의 최종 린스 공정 (S8) 및 유기 용제 치환 공정 (S9) 에서는, 기판 (W) 의 상면이 사전 가열 온도 (TE2) 로 데워지고 있다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면에 접촉하고 있는 IPA 의 액체의 확산 계수가 상승한다. 이로써, IPA 의 치환 효율을 높일 수 있다. 그 결과, 유기 용제 치환 공정 (S9) 의 실행 기간을 단축하는 것이 가능하다.
또, 기판 (W) 의 상면이 데워져 있는 상태에서 기판 고온화 공정 (S10) 을 개시하므로, 기판 (W) 의 상면이 액막 부상 온도 (TE1) 까지 승온하는데 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다. 그 결과, 기판 고온화 공정 (S10) 의 실행 기간을 단축하는 것이 가능하다.
유기 용제 치환 공정 (S9) 이 종료되면, 제어 장치 (3) 는, 플레이트 승강 유닛 (216) 을 제어하여, 핫 플레이트 (206) 를, 중간 위치 (도 18 에 나타내는 위치) 에서 상위치 (도 13g 등에 나타내는 위치) 까지 상승시킨다. 이로써, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 으로부터 기판 (W) 이 이탈하여, 핫 플레이트 (206) 에 기판 (W) 이 인도된다. 이어서, 기판 고온화 공정 (S10) 이 실행된다.
또한, 제 2 처리예에서는, 핫 플레이트 (206) 에 의한 기판 (W) 의 가열을 최종 린스 공정 (S8) 으로부터 개시하고 있지만, 기판 (W) 의 가열을 유기 용제 치환 공정 (S9) 으로부터 개시해도 된다.
도 19 는, 처리 유닛 (202) 에서 실행되는 기판 (W) 의 제 3 처리예의 IPA 의 토출 유량의 변화 및 기판 (W) 의 회전 속도의 변화를 나타내는 도면이다.
제 3 처리예가, 제 1 처리예와 상이한 점은, 유기 용제 치환 공정 (S9) 에 있어서, 패들 공정 (S92) 의 종료 후, 기판 고온화 공정 (S10) 의 개시에 앞서, 제 2 고속 회전 공정 (단계 S93) 이 실행되는 점이다. 제 2 고속 회전 공정 (S93) 에서는, 유기 용제 치환 공정 (S9) 에 병행하여, 기판 (W) 이, 패들 공정 (S92) 에 있어서의 기판 (W) 의 회전 속도보다 빠른 속도로 회전된다.
구체적으로는, 패들 공정 (S92) 의 종료 후, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 을 패들 속도 (v1) 로부터 고회전 속도 (v3) (예를 들어 800 rpm) 로 가속시킨다. 기판 (W) 은, 소정의 고속 회전 시간 (t3) (예를 들어 약 5 초간) 동안, 고회전 속도 (v3) 로 회전된다. 기판 (W) 의 고속 회전에 의해, 기판 (W) 의 회전에 의한 원심력이 기판 (W) 상의 IPA 의 액막 (111) 에 작용하여, 기판 (W) 상의 IPA 의 액체가 기판 (W) 으로부터 배출된다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전체 영역이 IPA 의 액막 (111) 으로 덮인 채로 IPA 의 액막 (111) 의 두께가 감소하여, IPA 의 액막 (111) 이 얇아진다. 얇아진 후의 IPA 의 액막 (111) 의 두께는, 예를 들어 0.5 mm 이다.
패들 공정 (S92) 에서는, 기판 (W) 상의 IPA 의 액체에 작용하는 원심력이 영 또는 작기 때문에, IPA 의 액막 (111) 의 두께가 비교적 크다 (예를 들어 1 mm). 이 두께인 채 기판 고온화 공정 (S10) 으로 이행하면, 기판 (W) 의 상방으로 부상하는 IPA 의 액막 (111) 의 두께가 비교적 크기 때문에, 액막 배제 공정 (S11) 에 있어서 IPA 의 액막 (111) 을 배제하기 위해서 장기간을 필요로 할 우려가 있다.
이것에 대해, 제 3 처리예에서는, 기판 고온화 공정 (S10) 에 앞서 제 2 고속 회전 공정 (S93) 이 실행되므로, 기판 고온화 공정 (S10) 에 있어서, 기판 (W) 의 상방으로 부상하는 IPA 의 액막 (111) 이 얇아진다 (예를 들어, 두께가 1 mm 에서 0.5 mm 로 감소한다). 이로써, 액막 배제 공정 (S11) 의 실행 기간 (IPA 의 액막 (111) 을 배제하기 위해서 필요로 하는 기간) 을 단축할 수 있다.
또한, 제 3 처리예에서는, 제 2 고속 회전 공정 (S93) 에 있어서의 기판 (W) 의 회전 속도를, 제 1 고속 회전 공정 (S91) 에 있어서의 기판 (W) 의 회전 속도 (고회전 속도 (v3)) 와 동등하게 하고 있지만, 이것은 일례에 지나지 않고, 제 1 고속 회전 공정 (S91) 에 있어서의 기판 (W) 의 회전 속도와 다른 속도로 설정할 수 있다.
또, 제 1 ∼ 제 3 처리예에 있어서, 챔버 본체 (237) 및 덮개 부재 (239) 의 내부 공간이 밀폐된 상태에서 최종 린스 공정 (S8) 이 실행된다고 설명했지만, 챔버 본체 (237) 및 덮개 부재 (239) 의 내부 공간이 개방되어 있는 (덮개 부재 (239) 가 덮개 개방 위치에 있는) 상태에서, 최종 린스 공정 (S8) 이 실행되어도 된다. 린스액 상배관 (244) 의 린스액 토출구 (247) 로부터 기판 (W) 의 상면에, 린스액을 공급해도 되고, 린스액 노즐 (228) 을 기판 (W) 의 상면에 대향하여 배치시켜, 린스액 노즐 (228) 로부터 기판 (W) 의 상면에, 린스액을 공급해도 된다. 이 경우, 최종 린스 공정 (S8) 후, 챔버 본체 (237) 및 덮개 부재 (239) 의 내부 공간이 밀폐 상태가 된다.
또, 제 1 ∼ 제 3 처리예에 있어서, 제 1 약액 공정 (S2, S6) 을 2 회 반복하고 있지만, 제 1 약액 공정 (S2, S6) 이, 2 회 이상 반복되어도 되고, 1 회만이어도 된다.
또, 제 1 ∼ 제 3 처리예의 제 1 약액 공정 및 제 2 약액 공정 (S2, S4, S6) 그리고 제 1 ∼ 제 3 린스 공정 (S3, S5, S7) 에 있어서, 기판 (W) 의 상하 양면 처리를 예로 들어 설명했지만, 이들의 공정 (S2 ∼ S7) 에 있어서, 기판 (W) 의 상면 (패턴 형성면) 만을 처리하는 것이어도 된다.
또, 제 1 ∼ 제 3 처리예에 있어서, 제 3 린스 공정 (S7) 을 생략해도 된다.
이상, 본 발명의 제 1 실시형태에 대해 설명했지만, 본 발명은 이하와 같이 실시할 수도 있다.
예를 들어, 도 20 에 나타내는 바와 같이, 복수개의 지지핀 (261) 이, 기판 대향면 (206a) 의 전체 영역이 아니고, 기판 대향면 (206a) 의 주연부에만 배치되어도 된다. 도 20 에서는, 복수개의 지지핀 (261) 이, 기판 대향면 (206a) 의 주연부에 있어서, 회전축선 (A1) 을 중심으로 하는 제 4 가상원 (269) 상에 등간격으로 배치되어 있다.
또, 구체 (266) 의 일부에 의해 구성되는 지지핀 (261) 대신에, 도 21 에 나타내는 바와 같이, 핫 플레이트 (206) 와 일체로 형성된 지지핀 (161) 이 채용되어도 된다.
또, 전술한 실시형태에서는, 3 개의 신축 유닛 (224) 이, 각각, 3 개의 고정핀 (210) 의 내방에 배치되어 있다고 설명했지만, 각 신축 유닛 (224) 은, 고정핀 (210) 에 대해 핫 플레이트 (206) 의 둘레 방향으로 어긋나 있어도 된다. 이 경우, 기판 (W) 이 경사 자세를 이루는 상태에서, 최대 수축 상태의 신축 유닛 (224) 에 가장 가까운 고정핀 (210) (고정핀 (210a)) 이, 기울어져 있는 기판 (W) 의 주연부의 하부에 맞닿는다. 이로써, 핫 플레이트 (206) 상으로부터의 기판 (W) 의 활락이 방지된다.
또, 전술한 실시형태에서는, 핫 플레이트 (206) 를 승강시킴으로써, 핫 플레이트 (206) 와 제 1 기판 유지 유닛 (205) 의 사이에서 기판 (W) 을 수수하는 구성을 예로 들어 설명했지만, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 을 승강시킴으로써, 기판 (W) 을 수수하도록 해도 된다. 또, 핫 플레이트 (206) 와 제 1 기판 유지 유닛 (205) 의 쌍방을 승강시킴으로써, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 과 핫 플레이트 (206) 의 사이에서 기판 (W) 의 수수를 실시해도 된다.
또, 고정핀 (210) 과는 상이한 활락 방지 부재를 형성해도 된다.
또, 기판 (W) 및 핫 플레이트 (206) 가 경사 자세를 이루는 상태에서, 기판 (W) 이, 기판 대향면 (206a) 을 따른 방향으로 이동하지 않는 경우에는, 고정핀 (210) 등의 활락 방지 부재로 기판 (W) 의 활락을 방지하지 않아도 된다.
예를 들어, 지지핀 (261(161)) 의 선단을 마찰 계수가 높은 부재로 구성하면, 기판 (W) 이 기울어도, 지지핀 (261(161)) 에 대해 기판 (W) 이 이동하기 어렵다. 이 경우, 기판 (W) 의 주연부를 고정핀 (210) 등으로 지지하지 않아도, 경사진 기판 (W) 의 활락을 방지할 수 있다. 따라서, 예를 들어 경사 각도가 작은 경우나, 지지핀 (261) 과 기판 (W) 의 하면의 사이에 생기는 마찰력이 큰 경우에는, 기판 (W) 이, 기판 대향면 (206a) 을 따르는 방향으로 이동하지 않기 때문에, 고정핀 (210) 등의 활락 방지 부재로 기판 (W) 의 활락을 방지하지 않아도 된다.
또, 전술한 실시형태에서는, 기판 고온화 공정 (S10) 에 있어서, 핫 플레이트 (206) 에 기판 (W) 이 재치된 상태에서 기판 (W) 을 가열한다고 설명했지만, 기판 고온화 공정 (S10) 에 있어서, 기판 (W) 은, 제 1 기판 유지 유닛 (205) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 하면에 핫 플레이트 (206) 를 근접 배치하여 가열해도 된다. 이 경우, 핫 플레이트 (206) 와 기판 (W) 의 간격을 변화시킴으로써, 기판 (W) 에 부여되는 열량을 조정할 수 있다.
또, 전술한 실시형태에서는, 플레이트 승강 유닛 (216) 을 제어하여 핫 플레이트 (206) 를 승강시킴으로써 기판 (W) 의 가열 온도를 조정했지만, 핫 플레이트 (206) 의 발열량을 적어도 2 단계 (ON 상태와 OFF 상태) 로 조정할 수 있는 경우에는, 플레이트 승강 유닛 (216) 에 의하지 않고 기판 (W) 의 가열 온도를 조정하는 것이 가능하다.
이 경우, 기판 고온화 공정 (S10) 에 병행하여 기판 (W) 을 회전시키는 것이 가능하다. 기판 고온화 공정 (S10) 에 있어서의 기판 (W) 의 회전은, 기판 고온화 공정 (S10) 의 일부의 기간에서 실행되어도 되고, 전 기간에 걸쳐 실행되어도 된다. 단, 기판 (W) 의 회전 속도는, 기판 (W) 의 상면의 주연부가 냉각되지 않을 정도의 저속 (예를 들어 약 10 rpm ∼ 약 100 rpm 정도) 인 것이 바람직하다. 기판 (W) 의 회전 속도가 저속인 경우, 기판 고온화 공정 (S10) 에 있어서 IPA 의 액막 (111) 에 작은 원심력밖에 작용하지 않는다. 그 때문에, IPA 의 액막 (111) 에 균열 등 (113) 이 발생하는 것을, 보다 확실하게 방지할 수 있다.
전술한 실시형태에서는, 제 1 약액 및 제 2 약액으로서, 각각 불산 및 SC1 을 예시했지만, 세정 처리, 에칭 처리 등에서는, 제 1 약액 또는 제 2 약액으로서 황산, 아세트산, 질산, 염산, 불산, 암모니아수, 과산화수소수, 유기산 (예를 들어 시트르산, 옥살산 등), 유기 알칼리 (예를 들어, TMAH ： 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등), 계면 활성제, 부식 방지제 중 적어도 1 개를 포함하는 액을 채용할 수 있다.
또, 복수 종류 (2 종류) 의 약액을 사용하는 것이 아니고, 1 종류의 약액만을 사용하여 기판 (W) 에 처리를 실시해도 된다.
또, 물보다 낮은 표면장력을 갖는 유기 용제로서 IPA 를 예로 들어 설명했지만, IPA 이외에, 예를 들어, 메탄올, 에탄올, 아세톤, 및 HFE (하이드로플루오로에테르) 등을 채용할 수 있다.
또, 전술한 실시형태의 약액 처리 (에칭 처리, 세정 처리 등) 는, 대기압하에서 실행했지만, 처리 분위기의 압력은 이것에 한정되는 것은 아니다. 예를 들어, 덮개 부재 (239) 와 챔버 본체 (237) 로 구획되는 밀폐 공간의 분위기를, 소정의 압력 조정 유닛을 사용하여 가압 또는 감압함으로써, 대기압보다 높은 고압 분위기 또는 대기압보다 낮은 감압 분위기로 조정하고, 각 실시형태의 에칭 처리, 세정 처리 등을 실행해도 된다.
제 2 실시형태
다음으로, 본 발명의 제 2 실시형태에 대해 설명한다. 도 22 이후에 있어서, 전술한 도 1 ∼ 도 21 에 나타낸 각 부와 동등한 구성 부분에 대해서는, 도 1 등과 동일한 참조 부호를 부여하여 그 설명을 생략한다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 1 매의 기판 (W) 을 수평한 자세로 유지하면서, 기판 (W) 의 중앙부를 통과하는 연직인 회전축선 (A1) 둘레로 기판 (W) 을 회전시키는 제 1 기판 유지 유닛 (15) 과, 1 매의 기판 (W) 을 수평한 자세로 유지하면서 가열하는 제 2 기판 유지 유닛 (29) 을 포함한다. 제 1 기판 유지 유닛 (15) 및 제 2 기판 유지 유닛 (29) 은, 기판 유지 유닛의 일례이다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 추가로 제 1 기판 유지 유닛 (15) 및 제 2 기판 유지 유닛 (29) 을 수용하는 개폐 가능한 이너 챔버 (7) 와, 회전축선 (A1) 둘레에 이너 챔버 (7) 를 둘러싸는 통형상의 컵 (38) 과, 이너 챔버 (7) 및 컵 (38) 을 수용하는 아우터 챔버 (4) 를 포함한다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 아우터 챔버 (4) 는, 제 1 기판 유지 유닛 (15) 및 제 2 기판 유지 유닛 (29) 등을 수용하는 박스형의 챔버 본체 (5) 와, 챔버 본체 (5) 에 형성된 반입·반출구를 개폐하는 셔터 (6) 를 포함한다. 도시는 하지 않지만, 아우터 챔버 (4) 는, 추가로 반입·반출구가 열리는 개방 위치와 반입·반출구가 닫히는 폐쇄 위치의 사이에서 셔터 (6) 를 이동시키는 셔터 개폐 유닛을 포함한다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 이너 챔버 (7) 는, 제 1 기판 유지 유닛 (15) 및 제 2 기판 유지 유닛 (29) 을 수용하는 유저 통형상의 챔버 본체 (8) 와, 챔버 본체 (8) 의 상단에 형성된 개구를 개폐하는 상덮개 (11) 와, 챔버 본체 (8) 의 개구가 열리는 상위치와 챔버 본체 (8) 의 개구가 상덮개 (11) 로 닫히는 하위치의 사이에서, 상덮개 (11) 를 아우터 챔버 (4) 내에서 연직 방향으로 승강시키는 덮개 승강 유닛 (14) 을 포함한다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 챔버 본체 (8) 는, 아우터 챔버 (4) 의 플로어면을 따라 배치된 원판상의 저벽부 (9) 와, 저벽부 (9) 의 외주부로부터 상방으로 연장되는 원통상의 하둘레벽부 (10) 를 포함한다. 상덮개 (11) 는, 챔버 본체 (8) 의 상방에서 수평인 자세로 유지된 원판상의 상벽부 (12) 와, 상벽부 (12) 의 외주부로부터 하방으로 연장되는 원통상의 상둘레벽부 (13) 를 포함한다. 상덮개 (11) 의 상벽부 (12) 는, 제 1 기판 유지 유닛 (15) 및 제 2 기판 유지 유닛 (29) 의 상방에 배치되어 있다. 챔버 본체 (8) 의 하둘레벽부 (10) 는, 제 1 기판 유지 유닛 (15) 및 제 2 기판 유지 유닛 (29) 을 둘러싸고 있다. 상덮개 (11) 의 상둘레벽부 (13) 는, 챔버 본체 (8) 의 하둘레벽부 (10) 의 상방에 배치되어 있다. 챔버 본체 (8) 는, 챔버 본체 (8) 내로부터 배출된 액체를 안내하는 배액 배관 (도시 생략) 에 접속되어 있다.
도 22 및 도 25 에 나타내는 바와 같이, 덮개 승강 유닛 (14) 은, 상위치 (도 22 에 나타내는 위치) 와 하위치 (도 25 에 나타내는 위치) 의 사이에서 상덮개 (11) 를 연직 방향으로 승강시킨다. 하위치는, 챔버 본체 (8) 의 개구가 닫히는 밀폐 위치이다. 상위치는, 상덮개 (11) 가 챔버 본체 (8) 로부터 상방으로 퇴피한 퇴피 위치이다. 덮개 승강 유닛 (14) 이 상덮개 (11) 를 하위치로 이동시키면, 상둘레벽부 (13) 의 환상의 하면이, 하둘레벽부 (10) 의 환상의 상면에 근접하여, 상둘레벽부 (13) 와 하둘레벽부 (10) 사이의 간극이, 상둘레벽부 (13) 에 유지된 환상의 시일 부재 (SL1) 에 의해 밀폐된다. 이로써, 이너 챔버 (7) 의 내부의 밀폐도가 높아진다. 그 한편, 덮개 승강 유닛 (14) 이 상덮개 (11) 를 상위치로 이동시키면, 상둘레벽부 (13) 의 환상의 하면이, 하둘레벽부 (10) 의 환상의 상면으로부터 상방으로 멀어져, 상둘레벽부 (13) 의 하면과 하둘레벽부 (10) 의 상면의 간격이, 상둘레벽부 (13) 와 하둘레벽부 (10) 의 사이에 스캔 노즐이 진입 가능한 크기까지 확대된다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 제 1 기판 유지 유닛 (15) 은, 기판 (W) 을 수평한 자세로 지지하는 복수개 (예를 들어, 6 개) 의 고정핀 (16) 과, 복수개의 고정핀 (16) 과 협동하여 기판 (W) 을 수평한 자세로 파지하는 복수개 (예를 들어, 3 개) 의 가동핀 (19) 을 포함한다. 제 1 기판 유지 유닛 (15) 은, 추가로, 복수개의 고정핀 (16) 과 복수개의 가동핀 (19) 을 유지하는 지지링 (23) 과, 지지링 (23) 에 대해 복수개의 가동핀 (19) 을 이동시키는 척 개폐 유닛 (25) 과, 회전축선 (A1) 둘레로 지지링 (23) 을 회전시키는 링 회전 유닛 (24) 을 포함한다. 도시는 하지 않지만, 링 회전 유닛 (24) 은, 지지링 (23) 과 함께 회전축선 (A1) 둘레로 회전하는 로터와, 이너 챔버 (7) 의 챔버 본체 (8) 에 유지된 스테이터를 포함한다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 고정핀 (16) 및 가동핀 (19) 은, 지지링 (23) 으로부터 상방에 돌출되어 있다. 고정핀 (16) 및 가동핀 (19) 은, 지지링 (23) 에 유지되어 있다. 도 23 에 나타내는 바와 같이, 6 개의 고정핀 (16) 은, 등간격으로 둘레 방향으로 배열되어 있다. 3 개의 가동핀 (19) 은, 둘레 방향으로 이웃하는 3 개의 고정핀 (16) 의 근방에 각각 배치되어 있다. 평면에서 보아 3 개의 가동핀 (19) 을 통과하는 원호의 중심각은 180 도 미만이며, 3 개의 가동핀 (19) 은, 둘레 방향으로 치우쳐 배치되어 있다. 고정핀 (16) 은, 지지링 (23) 에 대해 이동 불능이며, 가동핀 (19) 은, 지지링 (23) 에 대해 이동 가능하다. 지지링 (23) 은, 기판 (W) 의 외경보다 큰 외경을 가지고 있다. 지지링 (23) 은, 이너 챔버 (7) 의 챔버 본체 (8) 내에 유지되어 있다.
도 27 에 나타내는 바와 같이, 고정핀 (16) 은, 기판 (W) 의 하면 주연부에 접촉함으로써 기판 (W) 을 수평한 자세로 지지하는 고정 지지부 (17) 와, 고정 지지부 (17) 에 지지되어 있는 기판 (W) 의 주연부에 가압되는 고정 파지부 (18) 를 포함한다. 고정 지지부 (17) 는, 경사 아래에 내방으로 연장되는 지지면을 포함한다. 복수개의 고정핀 (16) 은, 고정 지지부 (17) 와 기판 (W) 의 하면 주연부의 접촉에 의해, 기판 (W) 을 수평한 자세로 유지한다. 복수개의 고정핀 (16) 에 의한 기판 (W) 의 지지 위치는, 이너 챔버 (7) 의 하둘레벽부 (10) 의 상단보다 상방의 위치이다.
도 24 에 나타내는 바와 같이, 가동핀 (19) 은, 상하 방향으로 연장되는 샤프트부 (20) 와, 샤프트부 (20) 에 지지된 베이스부 (21) 와, 베이스부 (21) 로부터 상방에 돌출하는 원주상의 가동 파지부 (22) 를 포함한다. 가동핀 (19) 은, 가동 파지부 (22) 가 기판 (W) 의 주연부에 가압되는 폐쇄 위치 (실선으로 나타내는 위치) 와, 가동 파지부 (22) 가 기판 (W) 으로부터 멀어지는 개방 위치 (2 점 쇄선으로 나타내는 위치) 의 사이에서, 연직인 회동 축선 (A2) (샤프트부 (20) 의 중심선) 둘레로 지지링 (23) 에 대해 이동 가능하다. 복수개의 가동핀 (19) 은, 복수개의 고정핀 (16) 의 고정 파지부 (18) 와 협동하여, 기판 (W) 을 파지한다. 고정핀 (16) 및 가동핀 (19) 에 의한 기판 (W) 의 파지 위치는, 복수개의 고정핀 (16) 에 의한 기판 (W) 의 지지 위치와 동일한 위치이다.
척 개폐 유닛 (25) 은, 필요한 경우만 가동핀 (19) 을 폐쇄 위치로부터 이동시키는, 상시 폐쇄 유닛이다. 도 29a 및 도 29b 에 나타내는 바와 같이, 척 개폐 유닛 (25) 은, 가동핀 (19) 과 함께 회동 축선 (A2) 둘레로 회동하는 가동 자석 (M1) 과, 가동핀 (19) 을 폐쇄 위치로 이동시키는 자력을 가동 자석 (M1) 에 부여하는 고정 자석 (M2) 을 포함한다. 가동 자석 (M1) 및 고정 자석 (M2) 은, 모두 영구 자석이다. 가동 자석 (M1) 및 고정 자석 (M2) 은, 가동핀 (19) 을 폐쇄 위치로 이동시키는 클로즈 유닛에 상당한다.
가동 자석 (M1) 은, 가동핀 (19) 에 유지되어 있고, 지지링 (23) 에 대해 이동 가능하다. 고정 자석 (M2) 은, 지지링 (23) 에 고정되어 있고, 지지링 (23) 에 대해 이동 불능이다. 가동핀 (19) 은, 가동 자석 (M1) 및 고정 자석 (M2) 의 사이에서 작용하는 척력 또는 인력에 의해, 폐쇄 위치의 방향으로 탄성 지지되어 있다. 따라서, 가동 자석 (M1) 및 고정 자석 (M2) 의 사이에서 작용하는 자력 이외의 힘이, 가동핀 (19) 에 가해지지 않는 경우, 가동핀 (19) 은 폐쇄 위치에 배치된다.
도 29a 및 도 29b 에 나타내는 바와 같이, 척 개폐 유닛 (25) 은, 가동핀 (19) 과 함께 회동 축선 (A2) 둘레로 회동하는 2 개의 피조작편 (26) 과, 가동핀 (19) 을 개방 위치로 이동시키는 동력을 발생하는 레버 조작 유닛 (27) 과, 레버 조작 유닛 (27) 의 동력을 2 개의 피조작편 (26) 의 일방에 전달하는 조작 레버 (28) 를 포함한다. 피조작편 (26), 레버 조작 유닛 (27), 및 조작 레버 (28) 는, 가동핀 (19) 을 개방 위치로 이동시키는 오픈 유닛에 상당한다.
도 29a 및 도 29b 에 나타내는 바와 같이, 2 개의 피조작편 (26) 은, 중량의 치우침을 저감하기 위해서, 회동 축선 (A2) 에 관해서 180 도 반대측에 배치되어 있다. 도시는 하지 않지만, 레버 조작 유닛 (27) 은, 예를 들어, 핫 플레이트 (30) 에 유지된 실린더 본체와, 실린더 본체에 대해 이동 가능한 로드를 포함하는, 에어 실린더이다. 조작 레버 (28) 는, 로드에 장착되어 있다. 레버 조작 유닛 (27) 및 조작 레버 (28) 는, 핫 플레이트 (30) 와 함께 연직 방향으로 승강된다.
도 28 에 나타내는 바와 같이, 조작 레버 (28) 의 선단부는, 핫 플레이트 (30) 로부터 외방 (회전축선 (A1) 으로부터 멀어지는 방향) 으로 연장되어 있다. 조작 레버 (28) 의 선단부는, 피조작편 (26) 에 수평으로 대향한 상태에서 피조작편 (26) 을 가압함으로써 피조작편 (26) 을 회동시켜, 가동핀 (19) 을 폐쇄 위치로부터 개방 위치로 이동시킨다. 후술하는 바와 같이, 핫 플레이트 (30) 는 제 1 기판 수수 공정 (단계 S7) 으로부터 제 2 기판 수수 공정 (단계 S10) 에 걸쳐 상하 방향으로 이동하고, 그것에 따라 조작 레버 (28) 의 선단 부분도 상하 방향으로 이동한다. 조작 레버 (28) 의 선단 부분이 이와 같이 상하 방향으로 이동해도, 조작 레버 (28) 의 선단부가 피조작편 (26) 과 항상 맞닿음 가능해지도록, 조작 레버 (28) 의 선단부와 피조작편 (26) 은 상하 방향으로 충분한 두께를 가지고 있다.
가동핀 (19) 을 개방 위치로 이동시키는 경우, 도 29b 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 조작 레버 (28) 의 선단부가 일방의 피조작편 (26) 에 수평으로 대향하도록, 지지링 (23) 의 회전각과 핫 플레이트 (30) 의 높이를 제어한다. 조작 레버 (28) 의 선단부가 일방의 피조작편 (26) 에 수평으로 대향하고 있는 상태에서, 조작 레버 (28) 가 외방으로 이동하면, 도 29b 에 나타내는 바와 같이, 일방의 피조작편 (26) 이 조작 레버 (28) 에 밀려 가동핀 (19) 이 개방 위치쪽으로 이동한다. 이로써, 가동핀 (19) 이 폐쇄 위치로부터 개방 위치로 이동한다.
반송 로봇 (CR) 은, 핸드 (H) (도 1 참조) 에 의해 아래로부터 지지하고 있는 기판 (W) 을 복수개의 고정핀 (16) 의 고정 지지부 (17) 에 놓고, 복수개의 고정핀 (16) 의 고정 지지부 (17) 에 지지되어 있는 기판 (W) 을 핸드 (H) 로 아래에서 건져올린다. 기판 (W) 이 복수개의 고정핀 (16) 에 지지되어 있는 상태에서, 가동핀 (19) 이 개방 위치로부터 폐쇄 위치로 이동하면, 가동핀 (19) 의 가동 파지부 (22) 가 기판 (W) 의 주연부에 가압되어, 가동핀 (19) 과는 반대측으로 기판 (W) 이 수평으로 이동한다. 이로써, 가동핀 (19) 과는 반대측의 위치에 있어서 기판 (W) 의 주연부가 고정핀 (16) 의 고정 파지부 (18) 에 가압되어, 기판 (W) 이, 고정핀 (16) 과 가동핀 (19) 에 의해 파지된다. 그 때문에, 기판 (W) 이 수평한 자세로 강고하게 유지된다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 제 2 기판 유지 유닛 (29) 은, 기판 (W) 을 수평한 자세로 지지하는 지지 플레이트로서의 핫 플레이트 (30) 와, 핫 플레이트 (30) 를 지지하는 지지 테이블 (34) 과, 지지 테이블 (34) 을 연직 방향으로 이동시킴으로써 핫 플레이트 (30) 를 연직 방향으로 승강시키는 플레이트 승강 유닛 (37) 을 포함한다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 핫 플레이트 (30) 는, 수평으로 평탄한 원형상의 상면 (31a) 을 갖는 플레이트 본체 (31) 와, 기판 (W) 의 하면이 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 에 근접한 상태에서 기판 (W) 을 플레이트 본체 (31) 의 상방에서 지지하는 복수개의 지지핀 (32) 과, 복수개의 지지핀 (32) 에 유지되어 있는 기판 (W) 을 그 하방으로부터 실온 (예를 들어, 20 ∼ 30 ℃) 보다 높은 온도에서 가열하는 복수의 히터 (33) 를 포함한다. 복수의 히터 (33) 는, 기판 가열 유닛의 일례이다.
도 23 에 나타내는 바와 같이, 플레이트 본체 (31) 는, 기판 (W) 의 외경보다 작은 (예를 들어, 6 mm 작은) 외경을 가지고 있다. 플레이트 본체 (31) 는, 지지링 (23) 의 내측의 공간을 상하 방향으로 통과 가능하다. 지지핀 (32) 은, 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 으로부터 상방으로 돌출하는 반구상의 돌출부를 포함한다. 복수개의 지지핀 (32) 은, 각 돌출부와 기판 (W) 의 하면과의 점접촉에 의해, 기판 (W) 의 하면과 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 이 평행 또는 대략 평행한 상태에서, 기판 (W) 을 플레이트 본체 (31) 의 상방에서 지지한다.
지지핀 (32) 은, 플레이트 본체 (31) 와 일체여도 되고, 플레이트 본체 (31) 와는 다른 부재여도 된다. 또, 각 지지핀 (32) 의 높이는, 일정해도 되고, 상이해도 된다. 기판 (W) 에 휨이 생길 때, 그 휘는 방향 (중앙부가 위로 볼록한지 아래로 볼록한지) 은, 이미 실시된 기판 (W) 의 처리에 기초하여 어느 정도 예상할 수 있는 경우가 있다. 그 때문에, 기판 (W) 이 복수개의 지지핀 (32) 에 균일하게 지지되도록, 기판 (W) 의 휨에 맞추어 각 지지핀 (32) 의 높이가 미리 조정되어도 된다.
도 23 에 나타내는 바와 같이, 복수의 히터 (33) 는, 플레이트 본체 (31) 의 내부에 배치되어 있다. 복수의 히터 (33) 는, 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 전체 영역을 가열한다. 복수의 히터 (33) 는, 기판 (W) 의 상면의 복수의 영역을 영역마다 독립된 온도에서 개별적으로 가열한다. 따라서, 제어 장치 (3) 는, 복수의 히터 (33) 를 제어함으로써, 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 전체 영역을 균일한 온도에서 가열하거나, 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 에 온도차를 발생시키거나 할 수 있다. 히터 (33) 는, 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 중앙부를 가열하는 중앙 히터와, 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 중앙부를 둘러싸는 환상의 상면 중간부를 가열하는 중간 히터와, 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 중간부를 둘러싸는 환상의 상면 주연부를 가열하는 주연 히터를 포함한다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 복수개의 지지핀 (32) 은, 기판 (W) 의 하면이 예를 들어 0.1 mm 정도의 간격을 두고 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 에 대향하도록, 기판 (W) 을 플레이트 본체 (31) 의 상방에서 지지한다. 히터 (33) 의 열은, 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 에 전달된다. 히터 (33) 의 열은, 기판 (W) 과 플레이트 본체 (31) 사이의 공간을 통하여 기판 (W) 에 전달된다. 또, 히터 (33) 의 열은, 기판 (W) 의 하면에 점접촉하는 지지핀 (32) 을 통하여 기판 (W) 에 전달된다. 기판 (W) 과 플레이트 본체 (31) 가 근접해 있으므로, 기판 (W) 의 가열 효율의 저하를 억제할 수 있다. 또한, 기판 (W) 과 지지핀 (32) 의 접촉 면적이 작기 때문에, 기판 (W) 의 온도의 균일성의 저하를 억제할 수 있다.
기판 (W) 의 하면이 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 에 면접촉하고 있는 경우, 기판 (W) 의 하면과 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 이 상하 방향으로 떨어질 때, 양자간에서 부압이 발생하고, 기판 (W) 이 플레이트 본체 (31) 에 흡착되는 경우가 있다. 이 실시형태에서는, 기판 (W) 은, 기판 (W) 의 하면이 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 으로부터 떨어진 상태에서, 복수개의 지지핀 (32) 에 지지된다. 따라서, 이와 같은 현상의 발생을 억제 또는 방지할 수 있다. 또한, 기판 (W) 의 하면이 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 으로부터 떨어져 있으므로, 플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a) 에 있는 이물질이 기판 (W) 에 부착되는 것을 억제 또는 방지할 수 있다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 지지 테이블 (34) 은, 핫 플레이트 (30) 를 지지하는 원판상의 테이블부 (35) 와, 테이블부 (35) 의 중앙부로부터 회전축선 (A1) 을 따라 하방으로 연장되는 샤프트부 (36) 를 포함한다. 샤프트부 (36) 는, 이너 챔버 (7) 의 저벽부 (9) 를 통과하여 이너 챔버 (7) 내에서 이너 챔버 (7) 외로 연장되어 있다. 지지 테이블 (34) 의 샤프트부 (36) 와 이너 챔버 (7) 의 저벽부 (9) 사이의 간극은, 환상의 시일 부재 (SL2) 에 의해 밀폐되어 있다. 플레이트 승강 유닛 (37) 은, 샤프트부 (36) 에 접속되어 있다.
처리 유닛 (2) 내부에 반입된 기판 (W) 은, 최초, 제 1 기판 유지 유닛 (15) 의 복수개의 고정핀 (16) 에 유지된다. 이 때, 핫 플레이트 (30) 는 제 1 기판 유지 유닛 (15) 보다 하방으로 퇴피하고 있다. 그 후, 핫 플레이트 (30) 가 상승한다. 핫 플레이트 (30) 가 상승하는 과정에서 제 1 기판 유지 유닛 (15) 으로부터 핫 플레이트 (30) 에 기판 (W) 이 수수된다. 핫 플레이트 (30) 가 더욱 상승하면, 기판 (W) 은 복수개의 고정핀 (16) 에 의한 기판 (W) 의 지지 위치에서 상방까지 이동한다. 이 상태로부터 핫 플레이트 (30) 를 하강시키면, 핫 플레이트 (30) 로부터 복수개의 고정핀 (16) 에 기판 (W) 이 수수된다. 이와 같이 기판 (W) 은 핫 플레이트 (30) 의 승강에 의해, 복수개의 고정핀 (16) 과 핫 플레이트 (30) 의 사이에서 서로 수수된다.
도 22 및 도 25 에 나타내는 바와 같이, 플레이트 승강 유닛 (37) 은, 지지 테이블 (34) 을 이동시킴으로써, 상위치 (도 25 에 나타내는 위치) 와 하위치 (도 22 에 나타내는 위치) 의 사이에서 핫 플레이트 (30) 를 연직 방향으로 승강시킨다. 상위치는, 복수개의 고정핀 (16) 에 의한 기판 (W) 의 지지 위치가, 핫 플레이트 (30) 에 의한 기판 (W) 의 지지 위치의 상방에 위치하는 높이이다. 하위치는, 복수개의 고정핀 (16) 에 의한 기판 (W) 의 지지 위치가, 핫 플레이트 (30) 에 의한 기판 (W) 의 지지 위치의 하방에 위치하는 높이이다. 하위치는, 핫 플레이트 (30) 가 복수개의 고정핀 (16) 에 의한 기판 (W) 의 지지 위치보다 하방으로 퇴피한 퇴피 위치이다. 플레이트 승강 유닛 (37) 은, 상위치로부터 하위치까지의 임의의 높이에 핫 플레이트 (30) 를 위치시킬 수 있다.
도 22 및 도 25 에 나타내는 바와 같이, 제 1 기판 유지 유닛 (15) 의 복수개의 고정핀 (16) 이 기판 (W) 을 지지하고 있는 상태 (기판 (W) 의 파지가 해제되어 있는 상태) 에서, 플레이트 승강 유닛 (37) 이 핫 플레이트 (30) 를 기판 (W) 의 하면보다 상방의 높이까지 상승시키면, 기판 (W) 은 복수개의 고정핀 (16) 으로부터 핫 플레이트 (30) 로 이동한다. 이것과는 반대로, 핫 플레이트 (30) 가 기판 (W) 을 지지하고 있는 상태에서, 플레이트 승강 유닛 (37) 이 핫 플레이트 (30) 를 복수개의 고정핀 (16) 보다 하방의 높이까지 하강시키면, 기판 (W) 은 핫 플레이트 (30) 로부터 복수개의 고정핀 (16) 으로 이동한다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 핫 플레이트 (30) 의 상면 중앙부에서 개구하는 상향 토출구 (40) 에 기체를 공급하는 하기체 배관 (41) 과, 하기체 배관 (41) 에 개재되어 장착된 하기체 밸브 (42) 와, 하기체 배관 (41) 으로부터 상향 토출구 (40) 에 공급되는 기체를 가열하는 인라인 히터를 포함한다. 상향 토출구 (40) 에 공급되는 기체는, 질소 가스이다. 상향 토출구 (40) 에 공급되는 기체는, 질소 가스에 한정되지 않고, 아르곤 가스 등의 질소 가스 이외의 불활성 가스여도 되고, 건조 공기 또는 청정 공기여도 된다. 상향 토출구 (40) 에 공급되는 기체의 온도는, 실온이어도 되고, 실온보다 높아도 된다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 처리액 또는 처리 가스를 하방으로 토출하는 스캔 노즐과, 스캔 노즐이 선단부에 장착된 노즐 아암 (49) 과, 노즐 아암 (49) 을 이동시키는 아암 요동 유닛 (50) 을 포함한다. 도 22 는, 처리 유닛 (2) 이 2 개의 스캔 노즐 (약액 노즐 (43) 및 린스액 노즐 (46)) 을 포함하는 예를 나타내고 있다. 약액 노즐 (43) 은, 약액 밸브 (45) 가 개재되어 장착된 약액 배관 (44) 에 접속되어 있다. 린스액 노즐 (46) 은, 린스액 밸브 (48) 가 개재되어 장착된 린스액 배관 (47) 에 접속되어 있다.
약액 노즐 (43) 로부터 토출되는 약액의 예는, 황산, 아세트산, 질산, 염산, 불산, 암모니아수, 과산화수소수, 유기산 (예를 들어 시트르산, 옥살산 등), 유기 알칼리 (예를 들어, TMAH ： 테트라메틸암모늄하이드로옥사이드 등), 계면 활성제, 부식 방지제 중 적어도 1 개를 포함하는 액이다.
린스액 노즐 (46) 로부터 토출되는 린스액은, 순수(純水) (탈이온수 ： Deionized Water) 이다. 린스액 노즐 (46) 로부터 토출되는 린스액은, 순수에 한정되지 않고, 탄산수, 전해 이온수, 수소수, 오존수, 및 희석 농도 (예를 들어, 10 ∼ 100 ppm 정도) 의 염산수 중 어느 것이어도 된다.
아암 요동 유닛 (50) 은, 이너 챔버 (7) 의 챔버 본체 (8) 와 이너 챔버 (7) 의 상덮개 (11) 사이의 공간을 통해서, 노즐 아암 (49) 의 선단부를 이너 챔버 (7) 의 내부와 이너 챔버 (7) 의 외부의 사이에서 이동시킨다. 이로써, 스캔 노즐로부터 토출된 처리액이 기판 (W) 의 상면에 착액되는 처리 위치와, 스캔 노즐이 기판 (W) 의 주위로 퇴피한 퇴피 위치의 사이에서, 스캔 노즐이 수평으로 이동한다. 처리 위치는, 처리액이 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액되는 중앙 위치와, 처리액이 기판 (W) 의 상면 주연부에 착액되는 주연 위치를 포함한다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 처리액 또는 처리 가스를 하방으로 토출하는 고정 노즐을 포함한다. 도 22 는, 처리 유닛 (2) 이 3 개의 고정 노즐 (상린스액 노즐 (51), 상용제 노즐 (54), 및 상기체 노즐 (57)) 을 포함하는 예를 나타내고 있다. 상린스액 노즐 (51), 상용제 노즐 (54), 및 상기체 노즐 (57) 은, 상덮개 (11) 에 유지되어 있고, 상덮개 (11) 와 함께 연직 방향으로 승강된다. 상린스액 노즐 (51), 상용제 노즐 (54), 및 상기체 노즐 (57) 은, 상덮개 (11) 의 중앙부를 상하 방향으로 관통하는 관통공 내에 배치되어 있다. 상 린스액 노즐 (51) 은, 상린스액 밸브 (53) 가 개재되어 장착된 상린스액 배관 (52) 에 접속되어 있다. 상용제 노즐 (54) 은, 상용제 밸브 (56) 가 개재되어 장착된 상용제 배관 (55) 에 접속되어 있다. 상기체 노즐 (57) 은, 상기체 밸브 (59) 가 개재되어 장착된 상기체 배관 (58) 에 접속되어 있다.
상린스액 노즐 (51) 로부터 토출되는 린스액은, 순수이다. 상린스액 노즐 (51) 로부터 토출되는 린스액은, 순수에 한정되지 않고, 전술한 다른 린스액이어도 된다.
상용제 노즐 (54) 로부터 토출되는 용제의 액체는, 실온의 IPA 의 액체이다. IPA 의 액체는, 물보다 표면장력이 작고, 물보다 비점이 낮은 저표면장력액의 일례이다. 저표면장력액은, IPA 에 한정되지 않고, HFE (하이드로플루오로에테르) 의 액체여도 된다.
상기체 노즐 (57) 에 공급되는 기체는, 실온의 질소 가스이다. 상기체 노즐 (57) 에 공급되는 기체는, 질소 가스에 한정되지 않고, 아르곤 가스 등의 질소 가스 이외의 불활성 가스여도 되고, 건조 공기 또는 청정 공기여도 된다. 또, 상기체 노즐 (57) 에 공급되는 기체의 온도는, 실온보다 높아도 된다.
도 22 에 나타내는 바와 같이, 컵 (38) 은, 상위치 (도 22 에 나타내는 위치) 와 하위치의 사이에서 연직 방향으로 승강 가능하다. 상위치는, 컵 (38) 의 상단이 이너 챔버 (7) 의 하둘레벽부 (10) 의 상단과 노즐 아암 (49) 사이의 높이에 위치하는 처리 위치이다. 하위치는, 컵 (38) 의 상단이 이너 챔버 (7) 의 하둘레벽부 (10) 의 상단보다 하방에 위치하는 퇴피 위치이다. 처리 유닛 (2) 은, 컵 (38) 을 상위치와 하위치의 사이에서 연직 방향으로 승강시키는 컵 승강 유닛 (도시 생략) 을 포함한다. 상덮개 (11) 및 컵 (38) 이 상위치에 위치하고 있는 상태에서는, 제 1 기판 유지 유닛 (15) 에 유지되어 있는 기판 (W) 으로부터 그 주위에 배출된 처리액이, 컵 (38) 에 의해 받아들여져, 컵 (38) 내에 모인다. 그리고, 컵 (38) 내에 모인 처리액은, 도시되지 않은 회수 장치 또는 배액 장치로 보내진다.
도 26 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 기판 (W) 상의 액체를 외방으로 유도하는 복수 (3 개 이상. 예를 들어, 4 개) 의 유도 부재 (60) 를 포함한다. 도 25 에 나타내는 바와 같이, 유도 부재 (60) 는, 상하 방향으로 연장되는 제 1 부분 (61) 과, 제 1 부분 (61) 으로부터 내방 (회전축선 (A1) 을 향하는 방향) 으로 연장되는 제 2 부분 (62) 을 갖는다. 유도 부재 (60) 는, 상덮개 (11) 에 유지되어 있고, 상덮개 (11) 와 함께 연직 방향으로 승강된다. 도 26 에 나타내는 바와 같이, 복수의 유도 부재 (60) 는, 등간격으로 기판 (W) 의 둘레 방향으로 배열되어 있다. 유도 부재 (60) 의 내단 (60i) 은, 평면에서 보아 기판 (W) 에 겹쳐지는 위치에 배치되어 있다. 유도 부재 (60) 의 외단 (60o) 은, 평면에서 보아 기판 (W) 에 겹쳐지지 않는 위치 (기판 (W) 의 주위) 에 배치되어 있다.
이하, 상덮개 (11) 가 하위치에 위치하는 상태를 기준으로 하여 유도 부재 (60) 의 설명을 계속한다. 도 25 에 나타내는 바와 같이, 유도 부재 (60) 는, 간격을 두고 기판 (W) 의 상면 및 주연부에 대향하는 내면을 갖는다. 유도 부재 (60) 의 내면은, 경사 아래에 외방으로 연장되는 외방 유도면 (63) 과, 외방 유도면 (63) 의 외단 (63o) (하단) 으로부터 하방으로 연직으로 연장되는 하방 유도면 (64) 을 갖는다. 외방 유도면 (63) 의 내단 (63i) 의 높이는, 후술하는 유기 용제 가열 공정 및 유기 용제 배제 공정 시에 있어서의 기판 (W) 의 상면의 평탄 부분보다 상방에 위치하는 높이로 설정되어 있다. 외방 유도면 (63) 의 외단 (63o) 은, 기판 (W) 보다 외방에 배치되어 있다. 외방 유도면 (63) 의 외단 (63o) 의 높이는, 유기 용제 가열 공정 및 유기 용제 배제 공정 시에 있어서의 기판 (W) 의 상면보다 하방이고, 또한, 기판 (W) 의 하면보다 상방에 배치되는 높이로 설정되어 있다. 하방 유도면 (64) 의 하단은, 유기 용제 가열 공정 및 유기 용제 배제 공정 시에 있어서의 기판 (W) 보다 하방에 배치되어 있다.
도 14a 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 에 의해 처리되는 기판 (W) 은, 예를 들어, 패턴 형성면인 그 표면 (상면 (100)) 에 패턴 (101) 이 형성된 실리콘 웨이퍼이다.
도 14a 에 나타내는 바와 같이, 패턴 (101) 은, 볼록 형상 (기둥형) 을 갖는 구조체 (102) 가 행렬상으로 배치된 패턴이어도 된다. 이 경우, 구조체 (102) 의 선폭 (W1) 은 예를 들어 10 nm ∼ 45 nm 정도이며, 인접하는 구조체 (102) 간의 간극 (W2) 은 예를 들어 10 nm ∼ 수 ㎛ 정도이다. 또, 패턴 (101) 의 막두께 (T) (도 14a 참조) 는, 예를 들어, 50 nm ∼ 5 ㎛ 정도이다. 또, 패턴 (101) 은, 예를 들어, 어스펙트비 (선폭 (W1) 에 대한 막두께 (T) 의 비) 가, 예를 들어, 5 ∼ 500 정도여도 된다 (전형적으로는, 5 ∼ 50 정도이다).
패턴 (101) 은, 예를 들어 절연막을 포함한다. 또, 패턴 (101) 은, 도체막을 포함하고 있어도 된다. 보다 구체적으로는, 패턴 (101) 은, 복수의 막을 적층한 적층막에 의해 형성되어 있어도 된다. 적층막은, 절연막과 도체막을 포함하고 있어도 된다. 패턴 (101) 은, 단층막으로 구성되는 패턴이어도 된다. 절연막은, 실리콘 산화막 (SiO2 막) 이나 실리콘 질화막 (SiN 막) 이어도 된다. 또, 도체막은, 저저항화를 위한 불순물을 도입한 아모르퍼스 실리콘막이어도 되고, 금속막 (예를 들어 금속 배선막) 이어도 된다.
또한, 패턴 (101) 은, 미세한 트렌치에 의해 형성된 라인상의 패턴이, 반복하여 늘어서는 것이어도 된다. 또, 패턴 (101) 은, 박막에, 복수의 미세공 (보이드 (void) 또는 포어 (pore)) 을 형성함으로써 형성되어 있어도 된다.
다음으로, 처리 유닛 (2) 에 의해 실시되는 기판 (W) 의 처리의 일례에 대해 설명한다. 이하에서는, 도 22 및 도 30 을 참조한다. 처리 유닛 (2) 에 의해 기판 (W) 이 처리될 때에는, 아우터 챔버 (4) 내에 기판 (W) 을 반입하는 반입 공정 (도 30 의 단계 S1) 이 실시된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 상덮개 (11), 노즐 아암 (49), 및 컵 (38) 을 퇴피시킨 상태에서, 기판 (W) 을 유지하고 있는 반송 로봇 (CR) 의 핸드 (H) 를 아우터 챔버 (4) 내에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치 (3) 는, 핸드 (H) 위의 기판 (W) 이 복수개의 고정핀 (16) 위에 놓여지도록, 반송 로봇 (CR) 을 제어한다. 이 때, 핫 플레이트 (30) 는, 기판 (W) 의 하면 (이면 ： rear surface) 에 접촉하는 높이로부터 하방으로 떨어져 있지만, 척 개폐 유닛 (25) 이 가동핀 (19) 을 구동 가능한 높이로 배치되어 있다. 또한, 척 개폐 유닛 (25) 은, 가동핀 (19) 을 개방 위치에 위치시키고 있다. 제어 장치 (3) 는, 디바이스 형성면인 표면이 위로 향해진 상태에서 기판 (W) 이 복수개의 고정핀 (16) 위에 놓여진 후, 반송 로봇 (CR) 의 핸드 (H) 를 아우터 챔버 (4) 내로부터 퇴피시킨다.
제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 이 복수개의 고정핀 (16) 의 고정 지지부 (17) 위에 놓여진 후, 척 개폐 유닛 (25) 에 의해 가동핀 (19) 을 개방 위치로부터 폐쇄 위치로 이동시킨다. 이로써, 가동핀 (19) 의 가동 파지부 (22) 가 기판 (W) 의 주연부에 가압됨과 함께, 고정핀 (16) 의 고정 파지부 (18) 가 기판 (W) 의 주연부에 가압된다. 그 때문에, 기판 (W) 이 고정핀 (16) 및 가동핀 (19) 에 의해 수평한 자세로 파지된다. 그리고, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 이 파지된 후, 링 회전 유닛 (24) 에 기판 (W) 의 회전을 개시시킨다. 또한, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 으로부터 배출된 처리액을 컵 (38) 이 받아들이는 상위치로 컵 (38) 을 상승시킨다.
다음으로, 약액을 기판 (W) 에 공급하는 약액 공급 공정 (도 30 의 단계 S2) 이 실시된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 아암 요동 유닛 (50) 을 제어함으로써 상덮개 (11) 가 상위치로 퇴피하고, 핫 플레이트 (30) 가 기판 (W) 으로부터 떨어진 상태에서, 노즐 아암 (49) 을 퇴피 위치로부터 처리 위치로 이동시킨다. 이로써, 약액 노즐 (43) 은, 이너 챔버 (7) 의 하둘레벽부 (10) 와 이너 챔버 (7) 의 상둘레벽부 (13) 의 사이를 통과하여, 기판 (W) 의 상방으로 이동한다. 제어 장치 (3) 는, 약액 노즐 (43) 을 기판 (W) 의 상방으로 이동시킨 후, 약액 밸브 (45) 를 열고, 회전하고 있는 기판 (W) 의 상면을 향하여 약액을 약액 노즐 (43) 에 토출시킨다. 제어 장치 (3) 는, 이 상태에서 아암 요동 유닛 (50) 을 제어함으로써, 기판 (W) 의 상면에 대한 약액의 착액 위치를 중앙부와 주연부의 사이에서 이동시킨다. 그리고, 약액 밸브 (45) 가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 약액 밸브 (45) 를 닫고, 약액의 토출을 정지시킨다.
약액 노즐 (43) 로부터 토출된 약액은, 기판 (W) 의 상면에 착액된 후, 원심력에 의해 기판 (W) 의 상면을 따라 외방으로 흐른다. 그리고, 기판 (W) 의 주연부로부터 그 주위에 비산한 약액은, 이너 챔버 (7) 의 하둘레벽부 (10) 의 상방을 통과하여, 컵 (38) 에 받아들여진다. 약액은, 기판 (W) 의 상면 전체 영역에 공급되어, 기판 (W) 의 상면 전체 영역을 덮는 액막을 형성한다. 또한, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 이 회전하고 있는 상태에서, 기판 (W) 의 상면에 대한 약액의 착액 위치를 중앙부와 주연부의 사이에서 이동시키므로, 약액의 착액 위치가, 기판 (W) 의 상면 전체 영역을 통과한다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면이 균일하게 약액으로 처리된다.
다음으로, 린스액의 일례인 순수를 기판 (W) 에 공급하는 제 1 린스액 공급 공정 (도 30 의 단계 S3) 이 실시된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 노즐 아암 (49) 에 유지되어 있는 린스액 노즐 (46) 이 기판 (W) 의 상방에 위치하고 있고, 핫 플레이트 (30) 가 기판 (W) 으로부터 떨어진 상태에서, 린스액 밸브 (48) 를 연다. 이로써, 순수가, 회전하고 있는 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향하여 린스액 노즐 (46) 로부터 토출된다. 그 때문에, 기판 (W) 상의 약액이 순수에 의해 씻겨나가, 기판 (W) 의 상면 전체 영역을 덮는 순수의 액막이 형성된다. 그리고, 린스액 밸브 (48) 가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 린스액 밸브 (48) 를 닫고, 순수의 토출을 정지시킨다. 그 후, 제어 장치 (3) 는, 아암 요동 유닛 (50) 을 제어함으로써, 노즐 아암 (49) 을 처리 위치로부터 퇴피 위치로 이동시킨다.
다음으로, 이너 챔버 (7) 를 닫는 이너 챔버 밀폐 공정 (도 30 의 단계 S4) 이 실시된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 덮개 승강 유닛 (14) 을 제어함으로써, 노즐 아암 (49) 이 퇴피 위치로 퇴피하고 있고, 기판 (W) 의 상면 전체 영역이 순수의 액막으로 덮여 있는 상태에서, 상덮개 (11) 를 상위치로부터 하위치로 이동시킨다. 이로써, 상덮개 (11) 의 상둘레벽부 (13) 와 챔버 본체 (8) 의 하둘레벽부 (10) 사이의 간극이 밀폐된다. 이 때, 기판 (W) 은, 고정핀 (16) 및 가동핀 (19) 에 파지되어 있다. 또, 핫 플레이트 (30) 는, 가령 히터 (33) 가 발열하고 있어도 히터 (33) 의 열이 기판 (W) 에 충분히 전해지지 않는 높이까지 기판 (W) 으로부터 떨어져 있다.
다음으로, 린스액의 일례인 순수를 기판 (W) 에 공급하는 제 2 린스액 공급 공정 (도 30 의 단계 S5) 이 실시된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 상덮개 (11) 가 하위치로 이동한 후, 상린스액 밸브 (53) 를 열고, 회전하고 있는 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향하여 상린스액 노즐 (51) 에 순수를 토출시킨다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 전체 영역을 덮는 액막이, 상린스액 노즐 (51) 로부터 토출된 순수에 의해 형성된다. 또, 기판 (W) 의 주연부로부터 그 주위에 비산한 순수는, 챔버 본체 (8) 의 저벽부 (9) 로부터 배출된다. 상린스액 밸브 (53) 가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 상린스액 밸브 (53) 를 닫고, 순수의 토출을 정지시킨다.
다음으로, 이너 챔버 (7) 가 닫혀진 상태에서, 유기 용제의 일례인 IPA 의 액체를 기판 (W) 에 공급하는 유기 용제 공급 공정 (도 30 의 단계 S6) 이 실시된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 이너 챔버 (7) 가 닫혀져 있고, 기판 (W) 의 상면 전체 영역이 순수의 액막으로 덮여 있는 상태에서, 상용제 밸브 (56) 를 연다. 이 때, 기판 (W) 은, 고정핀 (16) 및 가동핀 (19) 에 파지되어 있고, 핫 플레이트 (30) 는, 기판 (W) 으로부터 떨어져 있다. 상용제 노즐 (54) 로부터 토출된 IPA 의 액체는, 회전하고 있는 기판 (W) 의 상면 중앙부에 착액되고, 기판 (W) 의 상면을 따라 외방으로 흐른다. 이로써, 기판 (W) 상의 순수가 IPA 의 액체로 치환되고, 기판 (W) 의 상면 전체 영역을 덮는 IPA 의 액막이 형성된다. 그리고, 상용제 밸브 (56) 가 열리고 나서 소정 시간이 경과하면, 제어 장치 (3) 는, 상용제 밸브 (56) 를 닫고, IPA 의 토출을 정지시킨다.
상용제 노즐 (54) 이 IPA 의 액체를 토출하고 있는 동안, 기판 (W) 의 회전 속도는, 일정해도 되고, 변경되어도 된다. 예를 들어, 순수로부터 IPA 로의 치환을 촉진하기 위해서, IPA 의 액체가 토출되는 기간의 초기만 치환 촉진 속도 (예를 들어 800 rpm) 로 기판 (W) 을 회전시킨 후, 치환 촉진 속도보다 작은 치환 후 속도로 기판 (W) 을 회전시켜도 된다. 또, IPA 로의 치환이 완료한 후, IPA 의 토출을 정지한 상태에서, 기판 (W) 의 상면 전체 영역을 덮는 IPA 의 패들을 기판 (W) 상에 유지시켜도 된다. 구체적으로는, 기판 (W) 의 회전 속도를 패들 속도 (0 을 초과하는 50 rpm 미만의 속도. 예를 들어 20 rpm) 까지 저하시킨 후, 혹은, 기판 (W) 의 회전을 정지시킨 후, 상용제 노즐 (54) 로부터의 IPA 의 토출을 정지시켜도 된다. 이 경우, 원심력의 저하에 의해 기판 (W) 으로부터의 IPA 의 배출량이 감소하므로, 소정의 막두께를 갖는 IPA 의 패들이 기판 (W) 상에 유지된다.
다음으로, 제 1 기판 유지 유닛 (15) 으로부터 제 2 기판 유지 유닛 (29) 에 기판 (W) 을 이동시키는 제 1 기판 수수 공정 (도 30 의 단계 S7) 이 실시된다. 구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 지지링 (23) 의 회전각과 핫 플레이트 (30) 의 높이를 제어함으로써, 핫 플레이트 (30) 에 유지된 척 개폐 유닛 (25) 이 지지링 (23) 상의 가동핀 (19) 을 구동 가능한 위치로, 척 개폐 유닛 (25) 및 가동핀 (19) 을 이동시킨다. 그 후, 제어 장치 (3) 는, 척 개폐 유닛 (25) 을 제어함으로써, 가동핀 (19) 을 폐쇄 위치로부터 개방 위치로 이동시킨다. 이로써, 고정핀 (16) 및 가동핀 (19) 에 의한 기판 (W) 의 파지가 해제되어, 비파지 상태로 기판 (W) 이 복수개의 고정핀 (16) 에 지지된다. 제어 장치 (3) 는, 플레이트 승강 유닛 (37) 을 제어함으로써, 핫 플레이트 (30) 를 상방으로 이동시킨다. 이로써, 기판 (W) 은 핫 플레이트 (30) 의 지지핀 (32) 에 의해 들어올려지고, 복수개의 고정핀 (16) 으로부터 떨어져 상승된다. 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막이 전술한 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 및 하방 유도면 (64) (도 25 참조) 에 접촉하는 앞까지 핫 플레이트 (30) 를 상승시킨다.
다음으로, 기판 (W) 상의 IPA 의 액체를 증발시킴으로써, IPA 의 액막과 기판 (W) 의 상면의 사이에 기상을 형성하는 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 이 실시된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 히터 (33) 에의 통전을 개시함으로써, 히터 (33) 를 발열시킨다. 히터 (33) 의 발열은, 기판 (W) 이 핫 플레이트 (30) 에 지지됨과 동시에 개시되어도 되고, 기판 (W) 이 핫 플레이트 (30) 에 지지되기 전 또는 후에 개시되어도 된다. 히터 (33) 의 발열에 의해, 핫 플레이트 (30) 의 온도 (플레이트 본체 (31) 의 온도) 가, IPA 의 비점 (82.4 ℃) 보다 높은 액막 부상 온도 (예를 들어, IPA 의 비점보다 10 ∼ 50 ℃ 높은 온도) 에 도달하고, 그 온도로 유지된다. 이로써, 기판 (W) 의 상면의 모든 위치에서 IPA 의 액체가 증발하여, IPA 의 액막이 기판 (W) 의 상면으로부터 떨어진다. 또한, 이 때, 기판 (W) 과 복수의 유도 부재 (60) 는, 부상 후의 IPA 의 액막이 복수의 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 및 하방 유도면 (64) 에 접하지 않는 위치 관계로 설정되어 있다. IPA 의 액막의 부상의 상세한 것에 대해서는 후술한다.
다음으로, IPA 의 액막과 기판 (W) 의 상면의 사이에 기상이 개재되어 있는 상태에서, IPA 의 액막을 기판 (W) 으로부터 배제하는 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 이 실시된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, IPA 의 액막이 기판 (W) 의 상면으로부터 부상한 상태에서, 복수의 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 을 IPA 의 액막의 주연부에 접촉시킨다. 제어 장치 (3) 는, 예를 들어, 핫 플레이트 (30) 를 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 때보다 미소량 상승시켜, 복수의 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 을 기판 (W) 상의 IPA 의 액막에 접촉시킨다. 이것에 한정되지 않고, 핫 플레이트 (30) 의 높이는 유기 용제 가열 공정 시와 유기 용제 배제 공정 시에, 동일해도 된다. 즉, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막은 유기 용제 가열 공정 (단계 S8) 의 단계로부터 복수의 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 에 접촉하고 있어도 된다. IPA 의 액막은, 복수의 유도 부재 (60) 와의 접촉에 의해 기판 (W) 에 대해 이동하여, 기판 (W) 으로부터 배제된다. IPA 의 액막의 배제의 상세한 것에 대해서는 후술한다.
또한, 유기 용제 가열 공정 (단계 S8) 으로부터 유기 용제 배제 공정 (단계 S9) 에 걸쳐 핫 플레이트 (30) 를 미소량 상승시키는 경우, 및 상승시키지 않는 경우, 어느 경우도, 유기 용제 배제 공정 (S9) 시의 복수의 유도 부재 (60) 와 기판 (W) 의 위치 관계는, 복수의 유도 부재 (60) 의 높이가 복수개의 고정핀 (16) 에 의한 기판 (W) 의 지지 위치보다 상방이 되도록 설정되어 있다.
다음으로, 제 2 기판 유지 유닛 (29) 으로부터 제 1 기판 유지 유닛 (15) 에 기판 (W) 을 이동시키는 제 2 기판 수수 공정 (도 30 의 단계 S10) 이 실시된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 지지링 (23) 의 회전각과 핫 플레이트 (30) 의 높이를 제어함으로써, 척 개폐 유닛 (25) 이 가동핀 (19) 을 구동 가능한 위치까지 척 개폐 유닛 (25) 및 가동핀 (19) 을 이동시킨다. 척 개폐 유닛 (25) 은 상시 폐쇄의 유닛이기 때문에, 가동핀 (19) 은 폐쇄 위치에 배치되어 있다. 그 때문에, 제어 장치 (3) 는, 척 개폐 유닛 (25) 을 제어함으로써, 가동핀 (19) 을 폐쇄 위치로부터 개방 위치로 이동시킨다. 제어 장치 (3) 는, 플레이트 승강 유닛 (37) 을 제어함으로써, 이 상태에서 핫 플레이트 (30) 를 하방으로 이동시킨다. 이로써, 복수개의 고정핀 (16) 이 기판 (W) 의 하면에 접촉하고, 핫 플레이트 (30) 가, 기판 (W) 의 하면으로부터 떨어진다.
다음으로, 이너 챔버 (7) 를 여는 이너 챔버 해방 공정 (도 30 의 단계 S11) 과, 아우터 챔버 (4) 내로부터 기판 (W) 을 반출하는 반출 공정 (도 30 의 단계 S12) 이 실시된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, 덮개 승강 유닛 (14) 을 제어함으로써, 상덮개 (11) 를 하위치로부터 상위치로 이동시킨다. 이 때, 핫 플레이트 (30) 는, 기판 (W) 으로부터 떨어져 있지만, 척 개폐 유닛 (25) 이 가동핀 (19) 을 구동 가능한 위치에 배치되어 있다. 척 개폐 유닛 (25) 은, 가동핀 (19) 을 개방 위치에 위치시키고 있다. 제어 장치 (3) 는, 상덮개 (11) 가 상위치로 퇴피하고 있고, 컵 (38) 이 하위치에 위치하고 있는 상태에서, 반송 로봇 (CR) 의 핸드 (H) 를 아우터 챔버 (4) 내에 진입시킨다. 그리고, 제어 장치 (3) 는, 복수개의 고정핀 (16) 에 지지되어 있는 기판 (W) 을 반송 로봇 (CR) 의 핸드 (H) 에 지지시킨다. 그 후, 제어 장치 (3) 는, 반송 로봇 (CR) 의 핸드 (H) 를 아우터 챔버 (4) 내로부터 퇴피시킨다. 이로써, 처리 완료된 기판 (W) 이 아우터 챔버 (4) 로부터 반출된다.
다음으로, 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 에 있어서의 IPA 의 액막의 부상에 대해 상세하게 설명한다.
상면 전체 영역이 IPA 의 액막으로 덮인 기판 (W) 은, 전술한 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 에 있어서 액막 부상 온도에서 균일하게 가열되어, 액막 부상 온도로 유지된다. 또한, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막의 가열은, 기판 (W) 이 회전하고 있지 않고, 정지하고 있는 상태에서 실시된다. 액막 부상 온도는, IPA 의 비점 (82.4 ℃) 보다 소정 온도 (예를 들어, 10 ∼ 50 ℃) 높은 온도이다. 액막 부상 온도는, 부상하고 있는 IPA 의 액막이 비등하지 않을 정도의 온도이다.
기판 (W) 의 온도가 IPA 의 비점보다 높기 때문에, 기판 (W) 의 상면의 각 부에서 IPA 의 액체가 증발하여, IPA 의 증기가 발생한다. 또한, IPA 의 액체의 온도 상승에 의해, IPA 의 액체에 포함되는 미량의 기체가 팽창한다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면 (모재의 상면 및 패턴의 표면) 근방에서 기포가 발생한다.
도 14a 에 나타내는 바와 같이, 패턴 (101) 의 내부 (인접하는 2 개 구조물 사이의 공간 또는 통형상의 구조물의 내부 공간) 는, IPA 의 액체로 채워져 있다. IPA 의 증기의 발생에 의해, 패턴 (101) 의 내부는 기체로 채워진다. 요컨대, 도 14b 에 나타내는 바와 같이, 패턴 (101) 내의 IPA 의 액체는, 기판 (W) 의 가열에 의해 패턴 (101) 내로부터 순시에 배출된다. 또한, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막 (111) 은, IPA 의 증기의 발생에 의해 서서히 들어 올려져, 패턴 (101) 으로부터 떨어진다. 요컨대, IPA 의 증기를 포함하는 기상 (112) 이, 패턴 (101) 의 상면 (구조체 (102) 의 상단면 (102A)) 과 IPA 의 액막 (111) 의 사이에 개재되고, IPA 의 액막 (111) 이, 기상 (112) 을 통하여 기판 (W) 에 지지된다.
도 14d 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 상면으로부터 부상하고 있는 IPA 의 액막 (111) 에, 균열이나 크랙 (113) (이하, 「균열 등 (113)」 이라고 한다) 이 생기는 경우가 있다. 균열 등 (113) 이 생긴 부분에는, 건조 후에 워터 마크 등의 결함이 생길 우려가 있다. 그 때문에, 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 에 있어서, 부상하고 있는 IPA 의 액막 (111) 에 균열 등 (113) 이 발생하는 것을 억제 또는 방지할 필요가 있다.
부상하고 있는 IPA 의 액막 (111) 에 균열 등 (113) 이 생기는 요인으로서, 다음 2 개의 요인을 들 수 있다.
첫 번째 요인은, 기판 (W) 의 장시간의 가열에 의한 다량의 IPA 의 증기의 발생 또는 IPA 의 액막 (111) 의 비등이다. 다량의 IPA 의 증기가 발생하거나, IPA 의 액막 (111) 이 비등하면, IPA 의 증기가 상방에 위치하는 IPA 의 액막 (111) 을 찢어, 당해 IPA 의 액막 (111) 으로부터 상방으로 분출된다. 그 결과, IPA 의 액막 (111) 에 균열 등 (113) 을 일으킬 우려가 있다. 첫 번째 요인은, 액막 부상 온도나 액막의 가열 시간을 조정함으로써 대처하고 있다.
두 번째 요인은, 기판 (W) 의 회전에 수반하는 원심력을 받음으로써 발생하는, IPA 의 액막 (111) 의 분열이다. 두 번째 요인은, 기판 (W) 의 회전을 정지시키고 있음으로써 대처하고 있다. 즉, 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 에 있어서, 기판 (W) 의 회전을 정지시키고 있다. 그 때문에, 원심력에서 기인하는 분열이 IPA 의 액막 (111) 에 생기는 것을 방지할 수 있다. 이로써, 균열 등 (113) 의 발생을 방지할 수 있다.
또, 패턴의 어스펙트비가 커지면, 패턴의 표면과 IPA 의 액체의 접촉 면적이 증가하고, 기판 (W) 으로부터 IPA 의 액체로의 열의 전달 효율이 높아지는 결과, 기판 (W) 의 온도가 저하되기 쉽다. 또한, 패턴의 어스펙트비가 커지면, 패턴의 내부에 존재하는 IPA 의 액량이 증가하므로, 보다 많은 열을 기판 (W) 에 부여하지 않으면, 패턴 내의 IPA 의 액체를 단시간에 배제할 수 없다. 따라서, 패턴의 어스펙트비에 따라, 핫 플레이트 (30) 의 온도를 조정해도 된다.
다음으로, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서의 IPA 의 액막의 배제에 대해 상세하게 설명한다.
기상이 IPA 의 액막과 기판 (W) 의 상면의 사이에 개재되어 있을 때, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막에 작용하는 마찰 저항은, 영으로 간주할 수 있을 만큼 작다. 그 때문에, 기판 (W) 의 상면에 평행한 방향의 힘이, 부상하고 있는 IPA 의 액막에 가해지면, IPA 의 액막은 간단히 이동한다.
유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에서는, 유도 부재 (60) 는, IPA 의 액막이 기판 (W) 의 상면으로부터 부상하고 있는 상태 (도 31 에 나타내는 상태) 에서, IPA 의 액막의 주연부에 접촉한다. 도 32 에 나타내는 바와 같이, 유도 부재 (60) 가 IPA 의 액막의 주연부에 접촉하면, IPA 의 액막의 일부 (IPA 의 액체) 가, 기판 (W) 으로부터 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 으로 이동하여, 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 을 따라 외방으로 흐른다. 또한, 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 에 의해 외방으로 유도된 IPA 는, 유도 부재 (60) 의 하방 유도면 (64) 에 의해 하방으로 유도된다. 이로써, IPA 의 액체가 기판 (W) 의 상면 외주부로부터 배출된다.
기판 (W) 상의 IPA 의 액체가 유도 부재 (60) 를 따라 배출되면, 외향의 흐름이 IPA 의 액막에 형성된다. 요컨대, 기판 (W) 의 상면에 평행한 방향의 성분을 갖는 힘이, 부상하고 있는 IPA 의 액막에 가해진다. 그 때문에, 기판 (W) 상의 IPA 의 액체는, 기판 (W) 상을 차례차례로 외방으로 이동하여, 유도 부재 (60) 를 따라, 혹은 둘레 방향에 인접하는 2 개의 유도 부재 (60) 의 사이를 통과하여 (도 26 참조), 기판 (W) 으로부터 배출된다. 이로써, IPA 의 액막은, 기판 (W) 의 상면에서 분산되는 일 없이, 연속적으로 연결된 하나의 덩어리채, 기판 (W) 의 주연부를 따라 기판 (W) 으로부터 배제된다.
IPA 의 액막은, 기판 (W) 의 상면으로부터 부상한 상태, 요컨대, 패턴 (101) 의 내부가 액체로 채워지지 않은 상태에서 기판 (W) 으로부터 배제된다. IPA 의 액막이 기판 (W) 으로부터 배제된 후는, 기판 (W) 상에 액체가 잔류하고 있지 않아, 기판 (W) 은 건조되어 있다. 가령, IPA 의 액체가 잔류하고 있었다고 해도, 그 양은 패턴 (101) 의 도괴나 워터 마크의 발생에 영향을 미치지 않는 극히 미량으로, 즉시 증발한다. 따라서, 기판 (W) 은, 패턴 (101) 의 내부가 액체로 채워지지 않은 상태에서 건조된다. 패턴 (101) 의 내부가 액체로 채워져 있는 상태에서 기판 (W) 을 건조시키면, 표면장력에서 기인하는 힘이, 액체로부터 패턴 (101) 에 가해지므로, 패턴 (101) 이 도괴하는 경우가 있다. 이에 대하여, 제 2 실시형태에서는, 패턴 (101) 의 내부로부터 액체가 배제되어 있으므로, 패턴 (101) 의 도괴를 억제 또는 방지할 수 있다.
이상과 같이 제 2 실시형태에서는, 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 은, IPA 의 액막과 기판 (W) 의 상면의 사이에 기상이 개재되어 있는 상태에서 기판 (W) 상의 IPA 의 액막의 주연부에 접촉한다. 외방 유도면 (63) 에 접촉한 IPA 의 액체는, 유도 부재 (60) 를 따라 기판 (W) 의 주위에 배출된다. 이 유도 부재 (60) 와 액막의 접촉을 계기로, 기판 (W) 의 주연부를 향하는 외향의 흐름이 IPA 의 액막에 형성되고, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막이 다수의 소적으로 분열되는 일 없이, 덩어리채 기판 (W) 으로부터 배제된다. 이로써, IPA 의 액막을 기판 (W) 으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다.
또 제 2 실시형태에서는, 처리 유닛 (2) 에 복수의 유도 부재 (60) 가 형성되어 있다. 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 이 기판 (W) 상의 IPA 의 액막에 접촉하면, 기판 (W) 상의 IPA 의 액체를 외방으로 유도하는 힘이 기판 (W) 상의 IPA 의 액막에 가해진다. 복수의 외방 유도면 (63) 이 기판 (W) 의 둘레 방향으로 등간격으로 배열되어 있으므로, 복수의 외방 유도면 (63) 은, 기판 (W) 의 둘레 방향으로 등간격으로 떨어진 복수의 위치에서, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막에 접촉한다. 따라서, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막은, 복수의 외방 유도면 (63) 에 의해 균일하게 외방으로 유도된다. 그 때문에, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 치우침 없이 기판 (W) 으로부터 배제할 수 있다.
또 제 2 실시형태에서는, 기판 (W) 이 핫 플레이트 (30) 만에 의해 하방으로부터 지지되고, 기판 (W) 의 주연부가 고정핀 (16) 이나 가동핀 (19) 에 접하지 않은 상태에서, IPA 의 액막과 기판 (W) 의 상면의 사이에 기상이 형성된다. 기판 (W) 의 상면으로부터 부상하고 있는 IPA 의 액막은, 기판 (W) 의 상면을 따라 이동하기 쉬운 상태에 있다. IPA 의 액막이 부상했을 때에 고정핀 (16) 이나 가동핀 (19) 이 기판 (W) 의 주연부로부터 떨어져 있으므로, IPA 의 액막이 고정핀 (16) 이나 가동핀 (19) 과의 접촉에 의해 의도하지 않고 기판 (W) 으로부터 배제되는 것을 방지할 수 있다.
또 제 2 실시형태에서는, 저표면장력액의 일례인 IPA 의 액체가 기판 (W) 상에 위치하고 있는 상태에서 기판 (W) 을 건조시킨다. 건조 전의 기판 (W) 상에 있는 액체의 표면장력이 작기 때문에, 인접하는 2 개의 구조물에 걸치는 액면이, 일시적으로 형성되었다고 해도, 패턴 (101) 에 가해지는 표면장력이 작다. 따라서, 패턴 도괴의 발생을 저감할 수 있다. 또한, 증발하기 쉬운 액체 (IPA 의 액체) 가 기판 (W) 에 공급되므로, 히터 (33) 의 온도를 억제하면서, IPA 의 액막과 기판 (W) 의 상면의 사이에 기상을 형성할 수 있다.
또 제 2 실시형태에서는, 제 1 기판 유지 유닛 (15) 및 제 2 기판 유지 유닛 (29) 을 수용하는 이너 챔버 (7) 가, 아우터 챔버 (4) 내에 배치되어 있다. 이너 챔버 (7) 가 개폐 가능하므로, 이너 챔버 (7) 의 내부를 이너 챔버 (7) 를 제외한 아우터 챔버 (4) 의 내부로부터 필요에 따라 격리할 수 있다. 따라서, 이너 챔버 (7) 및 아우터 챔버 (4) 에 의해 이중으로 덮인 밀폐도가 높은 공간을 필요에 따라 형성할 수 있다. 그 때문에, 밀폐도가 높은 공간 내에서 기판 (W) 의 가열 등의 처리를 실시할 수 있다. 또한, 이너 챔버 (7) 를 열면, 기체 또는 액체를 토출하는 노즐을 이너 챔버 (7) 내와 이너 챔버 (7) 의 외부의 사이에서 왕래시킬 수 있으므로, 이와 같은 노즐을 이너 챔버 (7) 내에 배치하지 않아도 된다. 따라서, 이너 챔버 (7) 의 대형화를 억제 또는 방지할 수 있다.
또 제 2 실시형태에서는, 제 1 기판 유지 유닛 (15) 및 제 2 기판 유지 유닛 (29) 을 수용하는 이너 챔버 (7) 의 내부에 불활성 가스를 공급할 수 있으므로, 이너 챔버 (7) 내의 공기를 불활성 가스로 치환할 수 있어, 이너 챔버 (7) 내의 산소 농도를 저감할 수 있다. 따라서, 워터 마크 등의 산소에서 기인하는 문제의 발생을 방지할 수 있다.
본 발명의 제 2 실시형태의 설명은 이상이지만, 본 발명은, 제 2 실시형태의 내용으로 한정되는 것이 아니고, 본 발명의 범위 내에 있어서 여러 가지의 변경이 가능하다.
예를 들어, 제 2 실시형태에서는, 외방 유도면 (63) 과 하방 유도면 (64) 이 유도 부재 (60) 에 형성되어 있는 경우에 대해 설명했지만, 하방 유도면 (64) 을 포함하는 제 1 부분 (61) 이 생략되어도 된다.
또, 도 33 에 나타내는 바와 같이, 유도 부재 (60) 는, 기판 (W) 의 주연부를 따라 연장되는, 전체 둘레에 걸쳐서 연속된 환상이어도 된다. 또, 유도 부재 (60) 는, 기판 (W) 의 주연부를 따라 연장되는 원호상이어도 된다.
이 구성에 의하면, 외방 유도면 (63) 이 기판 (W) 의 주연부를 따라 연장되어 있으므로, 외방 유도면 (63) 과 액막의 접촉 면적을 증가시킬 수 있다. 이로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액체를 외방으로 유도하는 힘을 증가시킬 수 있다. 또한, 유도 부재 (60) 가 환상인 경우에는, 환상의 외방 유도면 (63) 이 액막의 주연부의 전체 둘레에 접촉하므로, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막은, 환상의 외방 유도면 (63) 에 의해 균일하게 외방으로 유도된다. 그 때문에, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 치우침 없이 기판 (W) 으로부터 배제할 수 있다.
원호상의 유도 부재 (60) 를 사용한 경우에 있어서의 핫 플레이트 (30) 의 승강 동작은, 제 2 실시형태의 경우와 동일하다. 즉, 제 1 기판 수수 공정 (도 30 의 단계 S7) 에서는, 핫 플레이트 (30) 는 기판 (W) 상의 IPA 의 액막이 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 및 하방 유도면 (64) 에 접촉하는 앞까지 상승한다. 또, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에서는, 핫 플레이트 (30) 는 기판 (W) 상의 IPA 의 액막이 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 에 접촉 가능한 높이까지 상승한다. 단, 유도 부재 (60) 를 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 의 단계로부터 IPA 의 액막에 접촉시켜 두는 경우에는, 유기 용제 배제 공정 (단계 S9) 에 있어서의 기판 (W) 의 상기 상승은 불필요하다.
또, 도 34 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 제 2 기판 유지 유닛 (29) 에 유지되어 있는 기판 (W) 의 상면에 대향하는 대향면 (66) 을 갖는 대향 부재 (65) 를 추가로 구비하고 있어도 된다. 대향 부재 (65) 는, 상덮개 (11) 에 유지되어 있고, 상덮개 (11) 와 함께 연직 방향으로 승강된다. 대향면 (66) 은, 예를 들어, 기판 (W) 의 상면과 평행한 평탄면이다. 대향면 (66) 은, 기판 (W) 의 외경보다 큰 외경을 가지고 있다. 대향면 (66) 은, 상덮개 (11) 의 중앙부를 연직 방향으로 관통하는 관통공의 하단과 동일한 높이에 배치되어 있다. 유도 부재 (60) 는, 대향면 (66) 의 주연부로부터 하방으로 돌출되어 있다.
이 구성에 의하면, 대향 부재 (65) 의 대향면 (66) 에 의해 기판 (W) 의 상면이 덮인다. 이 상태에서, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막이, 유도 부재 (60) 에 의해 외방으로 유도된다. 따라서, 기판 (W) 의 상면의 노출 부분을 대향 부재 (65) 로 보호하면서, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 기판 (W) 으로부터 배제할 수 있다.
대향 부재 (65) 에 장착된 유도 부재 (60) 를 사용한 경우에 있어서의 핫 플레이트 (30) 의 승강 동작은, 제 2 실시형태의 경우와 동일하다. 즉, 제 1 기판 수수 공정 (도 30 의 단계 S7) 에서는, 핫 플레이트 (30) 는 기판 (W) 상의 IPA 의 액막이 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 및 하방 유도면 (64) 에 접촉하는 앞까지 상승한다. 또, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에서는, 핫 플레이트 (30) 는 기판 (W) 상의 IPA 의 액막이 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 에 접촉 가능한 높이까지 (또한, 대향면 (66) 에는 접촉하지 않는 높이까지) 상승한다. 단, 유도 부재 (60) 를 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 의 단계로부터 IPA 의 액막에 접촉시켜 두는 경우에는, 유기 용제 배제 공정 (단계 S9) 에 있어서의 기판 (W) 의 상기 상승은 불필요하다.
또, 도 35a 및 도 35b 에 나타내는 바와 같이, 유도 부재 (60) 는, 가동핀 (19) 에 형성되어 있어도 된다. 유도 부재 (60) 는, 가동핀 (19) 의 베이스부 (21) 로부터 상방으로 연장되어 있다. 척 개폐 유닛 (25) 은, 가동핀 (19) 의 가동 파지부 (22) 가 기판 (W) 의 주연부에 가압됨과 함께, 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 이 기판 (W) 상의 IPA 의 액막으로부터 떨어지는 폐쇄 위치와, 가동 파지부 (22) 가 기판 (W) 의 주연부로부터 떨어짐과 함께, 외방 유도면 (63) 이 기판 (W) 상의 IPA 의 액막으로부터 떨어지는 중간 위치와, 가동 파지부 (22) 가 기판 (W) 의 주연부로부터 떨어짐과 함께, 외방 유도면 (63) 이 기판 (W) 상의 IPA 의 액막에 접촉하는 개방 위치의 사이에서, 가동핀 (19) 을 이동시킨다.
이 구성에 의하면, 가동 파지부 (22) 및 외방 유도면 (63) 이, 가동핀 (19) 에 형성되어 있다. 가동 파지부 (22) 및 외방 유도면 (63) 은, 가동핀 (19) 의 서로 상이한 위치에 배치되어 있다. 따라서, 가동핀 (19) 의 위치를 변경함으로써, 가동 파지부 (22) 및 외방 유도면 (63) 을 구분하여 사용할 수 있다. 또한, 가동 파지부 (22) 및 외방 유도면 (63) 이 공통 부재에 형성되어 있으므로, 부품 점수를 줄일 수 있다. 또한, 가동 파지부 (22) 를 이동시키는 유닛과, 외방 유도면 (63) 을 이동시키는 유닛을 공용할 수도 있다.
도 35a 및 도 35b 에 나타낸 유도 부재 (60) 를 사용한 경우에 있어서의 가동핀 (19) 의 동작 및 핫 플레이트 (30) 의 승강 동작은 이하와 같다. 제 1 기판 수수 공정 (도 30 의 단계 S7) 까지는 가동핀 (19) 은 기판 (W) 을 파지하기 위해서 폐쇄 위치에 위치하고 있다. 핫 플레이트 (30) 는 하위치에 위치하고 있다.
제 1 기판 수수 공정 (도 30 의 단계 S7) 의 실행 시에, 가동핀 (19) 은 중간 위치까지 이동한다. 이로써, 가동핀 (19) 의 가동 파지부 (22) 가 기판 (W) 의 주연부로부터 떨어져, 기판 (W) 은 고정핀 (16) 만에 의해 지지되게 된다. 그 후, 핫 플레이트 (30) 가 상승하여, 기판 (W) 은 고정핀 (16) 으로부터 핫 플레이트 (30) 에 수수된다. 그리고, 이 상태에서 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 이 실행되어 기판 (W) 상의 IPA 의 액막이 부상한다.
다음의 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 의 실행 시에 가동핀 (19) 은 개방 위치까지 이동한다. 이로써, 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 이 기판 (W) 상의 IPA 의 액막에 접촉하여, IPA 의 액막이 기판 (W) 의 상면으로부터 배제된다.
제 2 실시형태의 경우, 유기 용제 가열 공정 (단계 S8) 으로부터 유기 용제 배제 공정 (단계 S9) 으로 이행할 때에 기판 (W) 을 미소량 상승시켜, 유도 부재 (60) 를 IPA 의 액막에 접촉시킬 필요가 있었다. 이에 대하여, 도 35a, 도 35b 의 유도 부재 (60) 를 사용한 경우에는, 가동핀 (19) 및 유도 부재 (60) 가 일체화된 파지 유도 부재를 이동시킴으로써 유도 부재 (60) 를 IPA 의 액막에 접촉하는 위치와 접촉하지 않는 위치의 사이에서 이동시킬 수 있으므로, 유기 용제 가열 공정 (단계 S8) 으로부터 유기 용제 배제 공정 (단계 S9) 으로 이행할 때에 기판 (W) 을 미소량 상승시킬 필요가 없다.
또한, 유도 부재 (60) 를 유기 용제 가열 공정 (단계 S8) 의 단계로부터 IPA 의 액막에 접촉시키는 경우에는, 가동핀 (19) 은 제 1 기판 수수 공정 (도 30 의 단계 S7) 의 단계에서 개방 위치까지 이동해도 된다.
또, 도 36 에 나타내는 바와 같이, 가동핀 (19) 의 가동 파지부 (22) 는, 내향으로 열린 V 자상의 연직 단면을 갖는 수용홈을 형성하는 2 개의 경사면 (상경사면 (67) 및 하경사면 (68)) 을 포함하고 있어도 된다. 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 은, 상경사면 (67) 에 형성되어 있다.
도 36 에 나타내는 바와 같이, 가동핀 (19) 이 폐쇄 위치 (도 36 에 나타내는 위치) 에 배치되면, 기판 (W) 의 주연부가 수용홈에 수용됨과 함께, 가동핀 (19) 의 상경사면 (67) 및 하경사면 (68) 이 기판 (W) 의 주연부에 가압된다. 또, IPA 의 액막이 기판 (W) 의 상면으로부터 부상하고 있는 상태에서, 가동핀 (19) 이 폐쇄 위치에 배치되면, 외방 유도면 (63) 이 기판 (W) 상의 IPA 의 액막에 접촉한다. 그 한편, 가동핀 (19) 이 개방 위치에 배치되면, 상경사면 (67) 및 하경사면 (68) 이 기판 (W) 의 주연부로부터 떨어짐과 함께, 외방 유도면 (63) 이 기판 (W) 상의 IPA 의 액막으로부터 떨어진다.
이 구성에 의하면, 외방 유도면 (63) 이 가동 파지부 (22) 의 일부를 구성 하고 있다. 가동핀 (19) 이 폐쇄 위치에 배치되면, 가동 파지부 (22) 가 기판 (W) 의 주연부에 가압됨과 함께, 외방 유도면 (63) 이 기판 (W) 상의 IPA 의 액막에 접촉한다. 따라서, 외방 유도면 (63) 이 기판 (W) 상의 IPA 의 액막에 접촉하는 유도 위치를, 폐쇄 위치와는 별도로 형성하지 않아도 된다. 그 때문에, 가동핀 (19) 이나 가동핀 (19) 을 이동시키는 유닛 (척 개폐 유닛 (25)) 의 구조를 간소화할 수 있다.
또, 도 37 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서, 상기체 밸브 (59) 를 열어, 상기체 노즐 (57) 에 질소 가스를 토출시켜도 된다. IPA 의 액막은, 유도 부재 (60) 와 액막의 접촉과, 기판 (W) 의 상면에의 질소 가스의 공급에 의해, 기판 (W) 에 대해 이동하여, 기판 (W) 으로부터 배제된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, IPA 의 액막이 기판 (W) 의 상면으로부터 부상한 상태에서, 복수의 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 을 IPA 의 액막의 주연부에 접촉시킨다. 또한, 제어 장치 (3) 는, 상기체 밸브 (59) 를 열어, 상기체 노즐 (57) 에 질소 가스를 토출시킨다.
상기체 노즐 (57) 로부터의 질소 가스의 토출은, 유도 부재 (60) 가 IPA 의 액막에 접촉하기 전 또는 후에 개시되어도 되고, 유도 부재 (60) 가 IPA 의 액막에 접촉하는 것과 동시에 개시되어도 된다. 또, 질소 가스의 토출은, IPA 의 액막이 기판 (W) 상으로부터 없어질 때까지 계속되어도 되고, IPA 의 액막이 기판 (W) 상으로부터 없어지기 전에 정지되어도 된다. 또, 질소 가스의 온도는, 실온이어도 되고, 기판 (W) 과 액막의 온도 저하를 억제하기 위해서, IPA 의 비점 이상 (바람직하게는, 핫 플레이트 (30) 의 온도 이상) 이어도 된다. 질소 가스의 온도가 IPA 의 비점 이상인 경우에는, IPA 의 액막의 온도 저하를 억제할 수 있다. 혹은, IPA 의 액막을 가열할 수 있다.
도 37 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에서는, IPA 의 액막과 기판 (W) 의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 상기체 노즐 (57) 로부터 토출된 질소 가스가, 기판 (W) 의 상면 중앙부 (분사 위치) 에 분사된다. 분사 위치에 있는 IPA 의 액체는, 질소 가스의 공급에 의해 그 주위로 밀려나간다. 이로써, 분사 위치에 건조 영역이 형성된다. 또한, IPA 의 액체가 질소 가스의 공급에 의해 분사 위치로부터 그 주위로 이동하므로, 기판 (W) 의 주연부를 향하는 외향의 흐름이 IPA 의 액막에 형성된다.
또한, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에서는, 유도 부재 (60) 는, IPA 의 액막이 기판 (W) 의 상면으로부터 부상하고 있는 상태 (도 31 에 나타내는 상태) 에서, IPA 의 액막의 주연부에 접촉한다. 도 32 에 나타내는 바와 같이, 유도 부재 (60) 가 IPA 의 액막의 주연부에 접촉하면, IPA 의 액막의 일부 (IPA 의 액체) 가, 기판 (W) 으로부터 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 으로 이동하여, 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 을 따라 외방으로 흐른다. 또한, 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 에 의해 외방으로 유도된 IPA 는, 유도 부재 (60) 의 하방 유도면 (64) 에 의해 하방에 유도된다. 이로써, IPA 의 액체가 기판 (W) 의 상면 외주부로부터 배출된다. 기판 (W) 상의 IPA 의 액체가 유도 부재 (60) 를 따라 배출되면, 외향의 흐름이 IPA 의 액막에 형성된다. 요컨대, 기판 (W) 의 상면에 평행한 방향의 성분을 갖는 힘이, 부상하고 있는 IPA 의 액막에 가해진다. 그 때문에, 기판 (W) 상의 IPA 의 액체는, 기판 (W) 상을 차례차례로 외방으로 이동하여, 유도 부재 (60) 를 따라, 혹은 둘레 방향에 인접하는 2 개의 유도 부재 (60) 의 사이를 통과하여 (도 26 참조), 기판 (W) 으로부터 배출된다.
이상과 같이, 이 구성에 의하면, 상기체 노즐 (57) 은, IPA 의 액막과 기판 (W) 의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 기판 (W) 의 상면 중앙부 (분사 위치) 를 향하여 질소 가스를 토출한다. 분사 위치에 있는 IPA 의 액체는, 질소 가스의 공급에 의해 그 주위로 밀려나간다. 이로써, 건조 영역이 분사 위치에 형성된다. 또한, 질소 가스에 밀린 IPA 의 액체가 분사 위치로부터 그 주위로 이동하므로, 질소 가스의 공급을 계기로, 기판 (W) 의 주연부를 향하는 외향의 흐름이 IPA 의 액막에 형성된다. 이로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막이 다수의 소적으로 분열되는 일 없이, 연속적으로 연결된 하나의 덩어리채 기판 (W) 으로부터 배제된다. 따라서, 질소 가스의 공급과 유도 부재 (60) 를 병용함으로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 기판 (W) 으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다.
또, 이 구성에 의하면, IPA 의 액막에 덮여 있는 기판 (W) 의 상면 중앙부를 향하여 질소 가스가 토출된다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 중앙부로부터 IPA 의 액체가 배제되어 액막의 중앙부에 구멍이 형성된다. 요컨대, IPA 의 액체가 배제된 건조 영역이 최초로 형성되는 위치는, 기판 (W) 의 상면 중앙부이다. 질소 가스의 공급에 의해 기판 (W) 의 상면 중앙부로부터 그 주위로 IPA 의 액체가 이동하므로, 액막의 주연부를 향하는 방사상의 흐름이, IPA 의 액막에 형성된다. 따라서, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 치우침 없이 기판 (W) 으로부터 배제할 수 있다. 또한, 건조 영역이 최초로 형성되는 위치가 기판 (W) 의 상면 주연부인 경우보다, 단시간에 IPA 의 액막을 배제할 수 있다.
또, 도 38a 및 도 38b 에 나타내는 바와 같이, 상기체 노즐 (57) 은, 상기체 노즐 (57) 로부터 기판 (W) 의 상면 주연부 (분사 위치) 를 향하여, 기판 (W) 의 상면에 대해 비스듬하게 기울어진 방향으로, 질소 가스를 내방으로 토출하도록, 상덮개 (11) (도 22 참조) 에 유지되어 있어도 된다.
이 구성에 의하면, 기판 (W) 의 상면 주연부를 향하여 질소 가스가 토출된다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 주연부로부터 IPA 의 액체가 배제되어, 건조 영역이 기판 (W) 의 상면 주연부에 형성된다. 그 결과, 유도 부재 (60) 를 향하는 흐름이 IPA 의 액막에 형성된다. 또한, 질소 가스가 기판 (W) 의 상면을 따라 유도 부재 (60) 를 향해 흐르므로, 유도 부재 (60) 를 향하는 IPA 의 액체의 흐름이, 기판 (W) 의 상면을 따라 유도 부재 (60) 를 향하는 기류에 의해 촉진된다. 따라서, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 효율적으로 배제할 수 있다. 그 때문에, 액막의 배제에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다.
도 37, 도 38a 및 도 38b 에서는, 유도 부재 (60) 가 처리 유닛 (2) 에 형성되어 있는 경우에 대해 설명했지만, 처리 유닛 (2) 은 유도 부재 (60) 를 구비하고 있지 않아도 된다. 요컨대, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서, 기판 (W) 의 상면으로부터 부상하는 IPA 의 액막을, 기체의 공급만으로 배제해도 된다.
도 39a 및 도 39b 에 나타내는 바와 같이, 유도 부재 (60) 가 처리 유닛 (2) 에 형성되어 있지 않은 경우, 처리 유닛 (2) 은, 기판 (W) 의 하면과 핫 플레이트 (30) 의 상면 (플레이트 본체 (31) 의 상면 (31a)) 의 간격을 일정하게 유지하면서, 기판 (W) 및 핫 플레이트 (30) 를, 기판 (W) 의 상면이 수평이 되는 수평 자세와, 기판 (W) 의 상면이 수평면에 대해 경사지는 경사 자세의 사이에서 자세 변경시키는 자세 변경 유닛 (73) 을 추가로 구비하고 있어도 된다.
자세 변경 유닛 (73) 은, 핫 플레이트 (30) 와 지지 테이블 (34) 의 사이에 배치된 복수 (3 개 이상) 의 신축 유닛 (74) 을 포함한다. 복수의 신축 유닛 (74) 은, 지지 테이블 (34) 의 테이블부 (35) 위에 배치되어 있다. 복수의 신축 유닛 (74) 은, 테이블부 (35) 의 상면 주연부에서 등간격으로 둘레 방향으로 배열되어 있다. 신축 유닛 (74) 은, 예를 들어, 에어 실린더이다. 신축 유닛 (74) 은, 에어 실린더에 한정되지 않고, 전동 모터 등의 액츄에이터와, 액츄에이터의 동력을 핫 플레이트 (30) 에 전달하는 전달 유닛 (예를 들어, 볼나사 기구) 을 포함하는 유닛이어도 된다.
신축 유닛 (74) 은, 지지 테이블 (34) 의 테이블부 (35) 에 고정된 실린더 본체 (75) 와, 실린더 본체 (75) 에 대해 연직 방향으로 이동 가능한 로드 (76) 를 포함한다. 실린더 본체 (75) 는, 핫 플레이트 (30) 와 지지 테이블 (34) 의 사이에 배치되어 있다. 로드 (76) 는, 실린더 본체 (75) 로부터 상방에 돌출되어 있다. 핫 플레이트 (30) 는, 각 로드 (76) 와 핫 플레이트 (30) 의 하면의 접촉에 의해, 복수의 신축 유닛 (74) 에 지지되어 있다. 핫 플레이트 (30) 의 상면 중앙부에서 개구하는 상향 토출구 (40) 는, 핫 플레이트 (30) 의 중앙부로부터 하방으로 연장되는 탄성 변형 가능한 하배관 (77) 에 접속되어 있다. 하배관 (77) 은, 지지 테이블 (34) 의 샤프트부 (36) 의 내부에 형성된 통로에 삽입되어 있고, 하기체 배관 (41) 에 접속되어 있다.
실린더 본체 (75) 로부터의 로드 (76) 의 돌출량은, 제어 장치 (3) 에 의해, 신축 유닛 (74) 마다 설정된다. 제어 장치 (3) 는, 각 로드 (76) 의 돌출량을 조정함으로써, 수평 자세와 경사 자세의 사이에서, 기판 (W) 및 핫 플레이트 (30) 의 자세를 변경시킨다. 경사 자세에서의 핫 플레이트 (30) 의 상면의 경사 각도 (수평면에 대한 각도) 는, 예를 들어, 1 도 정도로 작다. 따라서, 기판 (W) 은, 기판 (W) 의 하면과 핫 플레이트 (30) 의 사이에 작용하는 마찰력에 의해 유지된다. 가령, 기판 (W) 이 핫 플레이트 (30) 에 대해 슬라이드했다고 해도, 도 39b 에 나타내는 바와 같이, 고정핀 (16) 이나 가동핀 (19) 등의 스토퍼를 기판 (W) 의 주위에 위치시켜 두면, 핫 플레이트 (30) 에 대한 기판 (W) 의 이동을 규제할 수 있다.
도 39b 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서, 기판 (W) 및 핫 플레이트 (30) 의 자세를 경사 자세로 변경한다. 또한, 제어 장치 (3) 는, 상기체 밸브 (59) 를 열어, 기울어진 기판 (W) 의 상면의 상단부를 향하여 상기체 노즐 (57) 에 질소 가스를 토출시킨다. 상기체 노즐 (57) 로부터의 질소 가스의 토출은, 기판 (W) 이 기울어지기 전 또는 후에 개시되어도 되고, 기판 (W) 이 기울어짐과 동시에 개시되어도 된다.
도 39a 및 도 39b 에 나타내는 구성에 의하면, IPA 의 액막과 기판 (W) 의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 비스듬하게 기울어진 기판 (W) 의 상면의 상단부를 향하여 질소 가스가 토출된다. 기판 (W) 이 기울어짐으로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막은, 기판 (W) 의 상면을 따라 하방으로 흘러 떨어진다. 또한, 질소 가스의 공급에 의해 IPA 의 액체의 유하가 촉진된다. 따라서, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 기판 (W) 으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다. 게다가, 기판 (W) 의 상면에 수직인 방향에 있어서의 히터 (33) 와 기판 (W) 의 간격이 일정하게 유지되므로, 기판 (W) 만을 기울이는 경우에 비해 가열의 불균일이 발생하기 어려워, 안정적인 기판 (W) 의 가열을 계속할 수 있다.
또, 도 40 및 도 41 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 복수의 유도 부재 (60) 에 각각 대응하는 복수의 외기체 노즐 (69) 을 추가로 구비하고 있어도 된다. 외기체 노즐 (69) 은, 상덮개 (11) 에 유지되어 있고, 상덮개 (11) 와 함께 연직 방향으로 승강된다. 상기체 노즐 (57) 은, 외기체 밸브 (71) 가 개재되어 장착된 외기체 배관 (70) 에 접속되어 있다. 외기체 노즐 (69) 은, 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 및 하방 유도면 (64) 을 향하여 기체 (예를 들어, 질소 가스) 를 토출한다.
제어 장치 (3) 는, 예를 들어, 처리 완료된 기판 (W) 이 아우터 챔버 (4) 로부터 반출된 후, 외기체 밸브 (71) 를 열어, 각 외기체 노즐 (69) 에 기체를 토출시킨다. 도 41 에 나타내는 바와 같이, 유도 부재 (60) 에 부착되어 있는 액체는, 외기체 노즐 (69) 로부터 토출된 기체에 의해 날려 버려진다. 그 때문에, 유도 부재 (60) 에 부착되어 있는 액체에서 기인하는 파티클의 발생을 저감할 수 있다.
또, 도 42a 및 도 42b 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 복수의 히터 (33) 의 설정 온도를 제어함으로써, 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 에 있어서 IPA 의 비점 이상의 온도에서 기판 (W) 을 균일하게 가열하고, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서 IPA 의 비점 이상의 저온 영역과 저온 영역보다 고온의 고온 영역을 기판 (W) 의 상면에 형성해도 된다. IPA 의 액막은, 유도 부재 (60) 와 액막의 접촉과, 기판 (W) 에 있어서의 온도차의 발생에 의해, 기판 (W) 에 대해 이동하여, 기판 (W) 으로부터 배제된다.
구체적으로는, 제어 장치 (3) 는, IPA 의 액막이 기판 (W) 의 상면으로부터 부상한 상태에서, 복수의 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 을 IPA 의 액막의 주연부에 접촉시킨다. 또한, 제어 장치 (3) 는, 복수의 히터 (33) 의 설정 온도를 제어함으로써, IPA 의 비점 이상의 저온 영역과 저온 영역보다 고온의 고온 영역을 기판 (W) 의 상면에 형성한다.
고온 영역 및 저온 영역의 형성은, 유도 부재 (60) 가 IPA 의 액막에 접촉하기 전 또는 후에 개시되어도 되고, 유도 부재 (60) 가 IPA 의 액막에 접촉하는 것과 동시에 개시되어도 된다. 또, 고온 영역 및 저온 영역의 형성은, IPA 의 액막이 기판 (W) 상으로부터 없어질 때까지 계속되어도 되고, IPA 의 액막이 기판 (W) 상으로부터 없어지기 전에 정지되어도 된다.
도 42a 에 나타내는 바와 같이, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에서는, 고온 영역 및 저온 영역의 형성에 의해, 기판 (W) 의 상면 중앙부를 덮는 IPA 의 액막의 중앙부가 그 주위의 부분보다 고온이 된다. 액막 내의 IPA 의 액체는, 저온의 방향으로 이동하고자 한다. 그 때문에, 액막의 주연부를 향하는 방사상의 흐름이, IPA 의 액막에 형성된다. 그 결과, 도 42a 에 나타내는 바와 같이, IPA 의 액막의 중앙부에 구멍이 형성된다. 즉, IPA 의 액막의 중심에 기액 계면이 발생한다. IPA 의 액막의 구멍의 외경은, 동심원상으로 확대되어 간다.
또, 도 42b 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 기판 (W) 의 상면 중앙부에 고온 영역을 형성하고, 그 주위에 저온 영역을 형성한 후, 저온 영역과 고온 영역의 환상의 경계를 저온 영역쪽으로 이동시켜도 된다. 요컨대, 제어 장치 (3) 는, 저온 영역과 고온 영역의 경계의 직경을 증가시켜도 된다. 이 경우, 제어 장치 (3) 는, 히터 (33) 의 고온 영역과 저온 영역의 경계가, IPA 의 기액 계면 위치에 일치하도록 히터 (33) 를 제어한다. 또, 제어 장치 (3) 는, IPA 의 기액 계면 위치의 이동에 연동시켜 히터 (33) 의 고온 영역과 저온 영역의 경계 위치를 기판 (W) 의 중심으로부터 주연을 향하여 이동시킨다. 도 42b 에 나타내는 바와 같이, 저온 영역과 고온 영역의 경계를 저온 영역쪽으로 이동시키는 경우에는, 액막 내에 있어서 저온쪽으로 이동하는 흐름이 촉진된다.
또한, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에서는, 유도 부재 (60) 는, IPA 의 액막이 기판 (W) 의 상면으로부터 부상하고 있는 상태 (도 31 에 나타내는 상태) 에서, IPA 의 액막의 주연부에 접촉한다. 도 32 에 나타내는 바와 같이, 유도 부재 (60) 가 IPA 의 액막의 주연부에 접촉하면, IPA 의 액막의 일부 (IPA 의 액체) 가, 기판 (W) 으로부터 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 으로 이동하여, 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 을 따라 외방으로 흐른다. 또한, 유도 부재 (60) 의 외방 유도면 (63) 에 의해 외방으로 유도된 IPA 는, 유도 부재 (60) 의 하방 유도면 (64) 에 의해 하방으로 유도된다. 이로써, IPA 의 액체가 기판 (W) 의 상면 외주부로부터 배출된다. 기판 (W) 상의 IPA 의 액체가 유도 부재 (60) 를 따라 배출되면, 외향의 흐름이 IPA 의 액막에 형성된다. 요컨대, 기판 (W) 의 상면에 평행한 방향의 성분을 갖는 힘이, 부상하고 있는 IPA 의 액막에 가해진다. 그 때문에, 기판 (W) 상의 IPA 의 액체는, 기판 (W) 상을 차례차례로 외방으로 이동하여, 유도 부재 (60) 를 따라, 혹은 둘레 방향에 인접하는 2 개의 유도 부재 (60) 의 사이를 통과하여 (도 26 참조), 기판 (W) 으로부터 배출된다.
이상과 같이, 이 구성에 의하면, 제어 장치 (3) 는, 균일 가열 공정을 포함하는 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 과, 온도차 발생 공정을 포함하는 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 을 실행한다. 균일 가열 공정에서는, IPA 의 비점 이상의 온도에서 기판 (W) 이 균일하게 가열된다. 이로써, IPA 의 액막과 기판 (W) 의 상면의 사이에 기상이 형성된다. 온도차 발생 공정에서는, 서로 온도가 상이한 고온 영역 및 저온 영역이, 기판 (W) 의 상면에 형성된다. 그 때문에, IPA 의 액막 내에 온도차가 발생하여, 저온쪽으로 이동하는 흐름이 IPA 의 액막에 형성된다. 따라서, 온도차의 발생을 계기로, 기판 (W) 의 주연부를 향하는 외향의 흐름이 IPA 의 액막에 형성되고, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막이 다수의 소적으로 분열되는 일 없이, 연속적으로 연결된 하나의 덩어리채 기판 (W) 으로부터 배제된다. 이로써, IPA 의 액막을 기판 (W) 으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다.
또, 이 구성에 의하면, 제어 장치 (3) 는, 고온 영역을 기판 (W) 의 상면 중앙부에 최초로 형성한다. 따라서, 기판 (W) 의 상면 중앙부를 덮는 IPA 의 액막의 중앙부가 그 주위의 부분보다 고온이 된다. 액막 내의 IPA 의 액체는, 저온의 방향으로 이동하고자 한다. 그 때문에, 액막의 주연부를 향하는 방사상의 흐름이, IPA 의 액막에 형성된다. 그 결과, 도 42a 및 도 42b 에 나타내는 바와 같이, IPA 의 액막의 중앙부에 구멍이 형성되어, 이 구멍의 외경이 동심원상으로 확대되어 간다. 따라서, 온도차의 발생과 유도 부재 (60) 를 병용함으로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 기판 (W) 으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다. 또한, 저온 영역과 고온 영역의 경계를 저온 영역쪽으로 이동시키는 경우에는, 액막 내에 있어서 저온쪽으로 이동하는 흐름이 촉진된다. 이로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 효율적으로 배제할 수 있다.
또, 도 43a 및 도 43b 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서, 기판 (W) 의 상면 주연부에 고온 영역을 형성하고, 기판 (W) 의 상면의 다른 부분에 저온 영역을 형성해도 된다. 제어 장치 (3) 는, 그 후, 저온 영역과 고온 영역의 경계를 저온 영역쪽으로 이동시켜도 된다.
이 경우, 기판 (W) 의 상면 주연부를 덮는 IPA 의 액막의 주연부가 액막의 다른 부분보다 고온이 된다. 그 때문에, 유도 부재 (60) 를 향하는 흐름이 IPA 의 액막에 형성된다. 그 결과, 도 43a 및 도 43b 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 상면 주연부로부터 IPA 의 액체가 없어져, IPA 의 액체가 배제된 부분의 면적이 증가해 간다. 따라서, 온도차의 발생과 유도 부재 (60) 를 병용함으로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 기판 (W) 으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다. 또한, 저온 영역과 고온 영역의 경계를 저온 영역쪽으로 이동시키는 경우에는, 액막 내에 있어서 저온쪽으로 이동하는 흐름이 촉진된다. 이로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 효율적으로 배제할 수 있다.
또, 도 44 에 나타내는 바와 같이, 처리 유닛 (2) 은, 이너 챔버 (7) 내에서 기판 (W) 의 상방에 배치된 상방 히터의 일례인 적외선 히터 (72) 를 추가로 구비하고 있어도 된다. 이 경우, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서, 기판 (W) 을 핫 플레이트 (30) 로 가열하면서, IPA 의 액막의 일부를 적외선 히터 (72) 로 기판 (W) 의 상방으로부터 가열한다. 또한, 제어 장치 (3) 는, 적외선 히터 (72) 의 온도를, IPA 의 증발에 의해 기판 (W) 의 상면 중앙부가 노출되지 않는 온도로 설정한다. IPA 의 액막의 중앙부가 적외선 히터 (72) 로 가열되므로, IPA 의 액막에 온도차가 생긴다. 이로써, 액막의 주연부를 향하는 방사상의 흐름이, IPA 의 액막에 형성된다.
또, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서, 기판 (W) 을 핫 플레이트 (30) 로 가열하면서, 하기체 밸브 (42) 를 열어, 온도가 IPA 의 비점 이상 (바람직하게는, 핫 플레이트 (30) 의 온도 이상) 의 고온의 질소 가스를 핫 플레이트 (30) 의 상면 중앙부에서 개구하는 상향 토출구 (40) 로부터 기판 (W) 의 하면 중앙부를 향하여 토출시켜도 된다. 이 때, 제어 장치 (3) 는, 도 44 에 나타내는 적외선 히터 (72) 에 IPA 의 액막의 중앙부를 가열시켜도 된다.
유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서, 고온의 질소 가스가 기판 (W) 의 하면 중앙부에 분사되면, 기판 (W) 의 상면 중앙부의 온도가 더욱 높아지므로, IPA 의 액막의 중앙부가 더욱 가열된다. 이로써, IPA 의 액막에 온도차가 생겨, 액막의 주연부를 향하는 방사상의 흐름이, IPA 의 액막에 형성된다. 또한, 고온의 질소 가스에 의한 가열과, 적외선 히터 (72) 에 의한 가열을 동시에 실시하는 경우에는, IPA 의 액막에 온도차를 단시간에 발생시킬 수 있다.
도 42a ∼ 도 44 에서는, 유도 부재 (60) 가 처리 유닛 (2) 에 형성되어 있는 경우에 대해 설명했지만, 처리 유닛 (2) 은 유도 부재 (60) 를 구비하지 않아도 된다. 요컨대, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서, 기판 (W) 의 상면으로부터 부상하는 IPA 의 액막을, 온도차의 발생만으로 배제해도 된다.
또, 도 45a 및 도 45b 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 복수의 히터 (33) 의 설정 온도를 제어함으로써, 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 에 있어서 IPA 의 비점 이상의 온도에서 기판 (W) 을 균일하게 가열하고, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서 IPA 의 비점 이상의 저온 영역과 저온 영역보다 고온의 고온 영역을 기판 (W) 의 상면에 형성해도 된다. 또, 고온 영역이 최초로 형성되는 위치가 기판 (W) 의 상면 중앙부인 경우, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서, 상기체 밸브 (59) 를 열어, 상기체 노즐 (57) 에 질소 가스를 토출시켜도 된다.
이 경우, 질소 가스의 온도는, 실온이어도 되고, IPA 의 비점 이상 (바람직하게는, 핫 플레이트 (30) 의 온도 이상) 이어도 된다. 질소 가스의 온도가 IPA 의 비점 이상인 경우에는, IPA 의 액막의 온도 저하를 억제할 수 있다. 혹은, IPA 의 액막을 가열할 수 있다. 또, 질소 가스의 토출은, IPA 의 액막이 기판 (W) 상으로부터 없어질 때까지 계속되어도 되고, IPA 의 액막이 기판 (W) 상으로부터 없어지기 전에 정지되어도 된다.
이 구성에 의하면, 기판 (W) 의 상면 중앙부를 덮는 IPA 의 액막의 중앙부가 그 주위의 부분보다 고온이 된다. 액막 내의 IPA 의 액체는, 저온의 방향으로 이동하고자 한다. 그 때문에, 액막의 주연부를 향하는 방사상의 흐름이, IPA 의 액막에 형성된다. 그 결과, 도 45a 및 도 45b 에 나타내는 바와 같이, IPA 의 액막의 중앙부에 구멍이 형성되어, 이 구멍의 외경이 동심원상으로 확대되어 간다.
또, 이 구성에 의하면, IPA 의 액막과 기판 (W) 의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 기판 (W) 의 상면 중앙부 (분사 위치) 에 질소 가스가 분사된다. 분사 위치에 있는 IPA 의 액체는, 질소 가스의 공급에 의해 그 주위로 밀려나간다. 이로써, 분사 위치에 건조 영역이 형성된다. 또한, IPA 의 액체가 질소 가스의 공급에 의해 분사 위치로부터 그 주위로 이동하므로, 기판 (W) 의 주연부를 향하는 외향의 흐름이 IPA 의 액막에 형성된다. 따라서, 기판 (W) 에서의 온도차의 발생과 질소 가스의 공급을 병용함으로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 기판 (W) 으로부터 재빠르게 단시간에 배제할 수 있다.
또, 제어 장치 (3) 는, 도 45b 에 나타내는 바와 같이, 건조 영역의 확대와 함께, 히터 (33) 의 고온 영역과 저온 영역의 경계를 기판 (W) 의 중심으로부터 주연부를 향하여 확대시켜도 된다. 즉, 제어 장치 (3) 는, 히터 (33) 의 고온 영역과 저온 영역의 경계가, 건조 영역의 발생에 의해 기판 (W) 의 상면에 형성되는 IPA 의 기액 계면 위치에 일치하도록 히터 (33) 를 제어한다. 또, 제어 장치 (3) 는, IPA 의 기액 계면 위치의 이동에 연동시켜 히터 (33) 의 고온 영역과 저온 영역의 경계 위치를 기판 (W) 의 중심으로부터 주연부를 향하여 이동시킨다. 저온 영역과 고온 영역의 경계를 저온 영역쪽으로 이동시키는 경우에는, 액막 내에 있어서 저온쪽으로 이동하는 흐름이 촉진된다. 이로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 효율적으로 배제할 수 있다.
또, 도 46a 및 도 46b 에 나타내는 바와 같이, 제어 장치 (3) 는, 유기 용제 배제 공정 (도 30 의 단계 S9) 에 있어서, 기판 (W) 의 상면 주연부에 고온 영역을 형성하고, 기판 (W) 의 상면의 다른 부분에 저온 영역을 형성해도 된다. 또, 고온 영역이 최초로 형성되는 위치가 기판 (W) 의 상면 주연부인 경우, 상기체 노즐 (57) 은, 상기체 노즐 (57) 로부터 기판 (W) 의 상면 주연부 (분사 위치) 를 향하여, 기판 (W) 의 상면에 대해 비스듬하게 기울어진 방향으로, 질소 가스를 내방으로 토출하도록, 상덮개 (11) (도 22 참조) 에 유지되어 있어도 된다. 이 구성에 있어서도, 제어 장치 (3) 는, IPA 의 기액 계면 위치의 이동에 연동시켜, 히터 (33) 의 고온 영역과 저온 영역의 경계 위치를 이동시켜도 된다.
이 구성에 의하면, 기판 (W) 의 상면 주연부를 덮는 IPA 의 액막의 주연부가 액막의 다른 부분보다 고온이 된다. 그 때문에, 유도 부재 (60) 를 향하는 흐름이 IPA 의 액막에 형성된다. 그 결과, 도 46a 및 도 46b 에 나타내는 바와 같이, 기판 (W) 의 상면 주연부로부터 IPA 의 액체가 없어져, IPA 의 액체가 배제된 부분의 면적이 증가해 간다. 이로써, 기판 (W) 의 상면 주연부로부터 IPA 의 액체가 배제되어, 건조 영역이 기판 (W) 의 상면 주연부에 형성된다. 그 결과, 유도 부재 (60) 를 향하는 흐름이 IPA 의 액막에 형성된다.
또, 이 구성에 의하면, 기판 (W) 의 상면 주연부를 향하여 질소 가스가 토출된다. 이로써, 질소 가스가 기판 (W) 의 상면을 따라 유도 부재 (60) 를 향해 흐르므로, 유도 부재 (60) 를 향하는 IPA 의 액체의 흐름이, 기판 (W) 의 상면을 따라 유도 부재 (60) 를 향하는 기류에 의해 촉진된다. 따라서, 온도차의 발생과 질소 가스의 공급을 병용함으로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 효율적으로 배제할 수 있다. 그 때문에, 액막의 배제에 필요로 하는 시간을 단축할 수 있다. 또한, 저온 영역과 고온 영역의 경계를 저온 영역쪽으로 이동시키는 경우에는, 액막 내에 있어서 저온쪽으로 이동하는 흐름이 촉진된다. 이로써, 기판 (W) 상의 IPA 의 액막을 효율적으로 배제할 수 있다.
도 45a ∼ 도 46b 에서는, 유도 부재 (60) 가 처리 유닛 (2) 에 형성되어 있는 경우에 대해 설명했지만, 이들의 도면에 나타내는 구성에서 유도 부재 (60) 가 생략되어도 된다.
제 2 실시형태 ∼ 제 16 실시형태에서는, 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 에 있어서 IPA 의 액막을 부상시키는 경우에 대해 설명했지만, IPA 이외의 액막을 부상시켜도 된다. 예를 들어, 유기 용제 가열 공정에 상당하는 액막 가열 공정에 있어서 순수의 액막을 부상시켜, 유기 용제 배제 공정에 상당하는 액막 배제 공정에 있어서 순수의 액막을 배제해도 된다.
또, 유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8) 에 있어서 기판 (W) 의 상면이 부분적으로 노출되는 것을 방지하기 위해서, IPA 의 액체를 기판 (W) 의 상면에 적절히 보충해도 된다.
제 2 실시형태 ∼ 제 16 실시형태에서는, 핫 플레이트 (30) 를 기판 (W) 의 이면에 접촉시킴으로써 기판 (W) 을 가열했다 (유기 용제 가열 공정 (도 30 의 단계 S8)). 그러나, 유기 용제 가열 공정 (단계 S8) 은, 핫 플레이트 (30) 를 기판 (W) 으로부터 격리시킨 상태에서 실행되어도 된다. 이 경우, 기판 (W) 을 고정핀 (16) 과 핫 플레이트 (30) 의 사이에서 수수할 필요가 없다. 또, 가동핀 (19) 에 의한 기판 (W) 의 파지 상태를 기판 처리의 도중에 일시적으로 해제할 필요도 없다.
기판 처리 장치가, 원판상의 기판을 처리하는 장치인 경우에 대해 설명했지만, 기판 처리 장치는, 다각형의 기판을 처리하는 장치여도 된다.
전술한 모든 구성의 2 개 이상이 조합되어도 된다. 마찬가지로, 전술한 모든 방법의 2 개 이상이 조합되어도 된다.
본 출원은, 2014 년 2 월 27 일에 일본 특허청에 제출된 특허출원 2014－037293호와, 2014 년 3 월 26 일에 일본 특허청에 제출된 특허출원 2014－063694호와, 2014 년 3 월 26 일에 일본 특허청에 제출된 특허출원 2014－063695호와, 2014 년 3 월 26 일에 일본 특허청에 제출된 특허출원 2014－063696호에 대응하고 있고, 이들 출원의 전체 개시는 여기에 인용에 의해 삽입되는 것으로 한다.
본 발명의 실시형태에 대해 상세하게 설명해 왔지만, 이들은 본 발명의 기술적 내용을 분명히 하기 위해서 이용된 구체예에 불과하고, 본 발명은 이들의 구체예로 한정하여 해석되어야 하는 것은 아니며, 본 발명의 정신 및 범위는 첨부된 청구 범위에 의해서만 한정된다.

Claims (34)

  1. 기판의 상면에 처리액을 공급하여 당해 처리액의 액막을 형성하는 처리액 공급 유닛과,
    상기 기판을 하방으로부터 가열하여 상기 액막을 가열하는 기판 가열 유닛과,
    상기 기판과 상기 기판 가열 유닛의 상대 자세를 일정하게 유지하면서, 상기 기판 및 상기 기판 가열 유닛을, 상기 기판의 상면을 수평으로 하여 상기 기판 상에 상기 처리액의 액막을 유지시키는 수평 자세와, 상기 기판의 상면을 수평면에 대해 경사시켜 상기 기판 가열 유닛에 의해 가열된 상기 처리액의 액막을 상기 기판 상으로부터 배제하는 경사 자세의 사이에서 자세 변경시키는 자세 변경 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 가열 유닛은, 상기 기판의 하면에 접촉하여 당해 기판을 지지하고,
    상기 자세 변경 유닛은, 상기 기판을 지지하고 있는 상기 기판 가열 유닛을, 상기 수평 자세와 상기 경사 자세의 사이에서 자세 변경시키는, 기판 처리 장치.
  3. 제 2 항에 있어서,
    상기 자세 변경 유닛은,
    수평한 지지면을 갖는 지지 부재와,
    상기 지지면 상에 배치되고, 상기 지지면에 교차하는 방향으로 신축 가능하게 형성되어 상기 기판 가열 유닛의 주연부를 하방으로부터 지지하는 복수의 신축 유닛과,
    상기 복수의 신축 유닛의 길이가 불균일해지도록, 상기 복수의 신축 유닛을 신축시키는 신축 구동 유닛을 포함하는, 기판 처리 장치.
  4. 제 2 항에 있어서,
    상기 기판이 상기 경사 자세를 이루는 상태에서, 경사져 있는 기판의 주연부의 하부와 맞닿고, 상기 기판 가열 유닛 상으로부터의 상기 기판의 활락을 방지하는 활락 방지 부재를 추가로 포함하는, 기판 처리 장치.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 기판의 주연부와 맞닿아 상기 기판을 지지하는 지지핀을 가지며, 상기 기판 가열 유닛과의 사이에서 기판이 수수 가능하게 형성된 기판 유지 유닛을 추가로 포함하고,
    상기 지지핀이 상기 활락 방지 부재로서 기능하고 있는, 기판 처리 장치.
  6. 제 4 항에 있어서,
    상기 기판 가열 유닛은,
    상기 기판의 하면에 대향하는 기판 대향면과,
    상기 기판 대향면에 형성된 복수의 엠보스를 포함하고,
    상기 복수의 엠보스는, 상기 기판의 하면에 맞닿음으로써, 상기 기판의 하면과 상기 기판 대향면이 간격을 두고 대향한 상태에서 상기 기판을 지지하는, 기판 처리 장치.
  7. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 엠보스가 상기 활락 방지 부재로서 기능하고 있는, 기판 처리 장치.
  8. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 엠보스는, 상기 기판 대향면의 전체 영역에 분산 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  9. 제 6 항에 있어서,
    상기 복수의 엠보스는, 상기 기판 대향면의 주연부에만 배치되어 있는, 기판 처리 장치.
  10. 제 1 항에 있어서,
    상기 자세 변경 유닛은, 상기 기판 가열 유닛에 의한 상기 액막의 가열에 의해, 상기 기판의 상면의 상방 공간에 상기 처리액의 기상이 형성된 후에, 상기 기판 및 기판 가열 유닛을, 상기 수평 자세로부터 상기 경사 자세로 경사시키는, 기판 처리 장치.
  11. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 가열 유닛은, 상기 액막의 가열에 의해 처리액을 증발시켜, 상기 기판의 상면의 상방 공간에 상기 처리액의 기상을 형성하는 유닛이며,
    상기 기판 처리 장치는, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 개재되어 있는 상태에서 기판 상의 처리액의 액막의 주연부에 접촉하는 외방 유도면을 포함하고, 상기 외방 유도면과 처리액의 액막의 접촉에 의해, 처리액을 기판의 상면으로부터 기판의 주위로 유도하는 유도 부재를 추가로 포함하는, 기판 처리 장치.
  12. 제 11 항에 있어서,
    상기 유도 부재는, 등간격으로 기판의 둘레 방향으로 배열된 복수의 외방 유도면을 포함하는, 기판 처리 장치.
  13. 제 11 항에 있어서,
    상기 외방 유도면은, 기판의 주연부를 따라 연장되는 환상 또는 원호상인, 기판 처리 장치.
  14. 제 13 항에 있어서,
    상기 외방 유도면은, 기판의 전체 둘레에 걸쳐서 연속된 환상인, 기판 처리 장치.
  15. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 기판의 상면에 대향하는 대향면을 갖는 대향 부재를 추가로 포함하고,
    상기 유도 부재는, 상기 대향면으로부터 하방에 돌출되어 있는, 기판 처리 장치.
  16. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛을 추가로 포함하고,
    상기 기판 유지 유닛은, 기판의 주연부에 가압되는 가동 파지부를 포함하는 가동핀과, 상기 가동 파지부가 기판의 주연부에 가압되는 폐쇄 위치와 상기 가동 파지부가 기판의 주연부로부터 멀어지는 개방 위치의 사이에서 상기 가동핀을 이동시키는 척 개폐 유닛을 포함하고,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 가동핀이 상기 개방 위치에 위치하고 있는 상태에서, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되도록, 상기 척 개폐 유닛 및 기판 가열 유닛을 제어하는 제어 장치를 추가로 포함하는, 기판 처리 장치.
  17. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛을 추가로 포함하고,
    상기 기판 유지 유닛은, 기판의 주연부에 가압되는 가동 파지부를 포함하는 가동핀과, 상기 가동핀을 이동시키는 척 개폐 유닛을 포함하고,
    상기 유도 부재는, 상기 가동핀에 형성되어 있고,
    상기 척 개폐 유닛은, 상기 가동 파지부가 기판의 주연부에 가압됨과 함께, 상기 외방 유도면이 기판 상의 처리액의 액막으로부터 멀어지는 폐쇄 위치와, 상기 가동 파지부가 기판의 주연부로부터 멀어짐과 함께, 상기 외방 유도면이 기판 상의 처리액의 액막에 접촉하는 개방 위치의 사이에서, 상기 가동핀을 이동시키는, 기판 처리 장치.
  18. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛을 추가로 포함하고,
    상기 기판 유지 유닛은, 기판의 주연부에 가압되는 가동 파지부를 포함하는 가동핀과, 상기 가동핀을 이동시키는 척 개폐 유닛을 포함하고,
    상기 외방 유도면은, 상기 가동 파지부에 형성되어 있고,
    상기 척 개폐 유닛은, 상기 가동 파지부가 기판의 주연부에 가압됨과 함께, 상기 외방 유도면이 기판 상의 처리액의 액막에 접촉하는 폐쇄 위치와, 상기 가동 파지부가 기판의 주연부로부터 멀어짐과 함께, 상기 외방 유도면이 기판 상의 처리액의 액막으로부터 멀어지는 개방 위치의 사이에서, 상기 가동핀을 이동시키는, 기판 처리 장치.
  19. 제 11 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 기판의 상면을 향하여 기체를 토출함으로써, 처리액이 배제된 건조 영역을 기판의 상면의 일부의 영역에 형성하는 기체 토출 유닛을 추가로 포함하고,
    상기 기체 토출 유닛은, 상기 기판 유지 유닛에 유지되어 있는 기판의 상면을 따라 상기 유도 부재를 향하여 흐르는 기류를 형성하는, 기판 처리 장치.
  20. 제 11 항에 있어서,
    상기 유도 부재를 향하여 기체를 토출하는 액 잔류 방지 유닛을 추가로 포함하는, 기판 처리 장치.
  21. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 가열 유닛은, 상기 액막의 가열에 의해 처리액을 증발시켜, 상기 기판의 상면의 상방 공간에 상기 처리액의 기상을 형성하는 유닛이며,
    상기 기판 처리 장치는, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 기판의 상면을 향하여 기체를 토출함으로써, 처리액이 배제된 건조 영역을 기판의 상면의 일부의 영역에 형성하는 기체 토출 유닛을 추가로 포함하는, 기판 처리 장치.
  22. 제 21 항에 있어서,
    상기 기체 토출 유닛으로부터 기판에 공급되는 기체의 공급 개시 위치가, 기판의 상면 중앙부인, 기판 처리 장치.
  23. 제 21 항에 있어서,
    상기 기체 토출 유닛으로부터 기판에 공급되는 기체의 공급 개시 위치가, 기판의 상면 주연부인, 기판 처리 장치.
  24. 제 21 항에 있어서,
    상기 기체 토출 유닛은, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 상기 자세 변경 유닛에 의해 기울어진 기판의 상면의 상단부를 향하여 기체를 토출하는, 기판 처리 장치.
  25. 제 21 항에 있어서,
    상기 기체 토출 유닛으로부터 토출되는 기체의 온도는, 처리액의 비점 이상인, 기판 처리 장치.
  26. 제 1 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는,
    기판의 상면 전체 영역을 가열하는 복수의 히터를 포함하고, 기판의 상면 전체 영역이 처리액의 액막으로 덮여 있는 상태에서, 처리액의 비점 이상의 온도에서 기판을 가열함으로써, 처리액을 증발시켜, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상을 형성하는 기판 가열 유닛과,
    상기 기판 가열 유닛을 제어하는 제어 장치를 추가로 포함하고,
    상기 제어 장치는,
    기판의 상면 전체 영역이 처리액의 액막으로 덮여 있는 상태에서, 처리액의 비점 이상의 온도에서 기판을 균일하게 가열함으로써, 처리액을 증발시켜, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상을 형성하는 균일 가열 공정과,
    상기 균일 가열 공정 후에, 처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 처리액의 비점 이상의 저온 영역과 상기 저온 영역보다 고온의 고온 영역을 기판의 상면에 형성하는 온도차 발생 공정을 실행하는, 기판 처리 장치.
  27. 제 26 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 온도차 발생 공정에 있어서, 기판의 상면 중앙부에 상기 고온 영역을 형성하는, 기판 처리 장치.
  28. 제 26 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 온도차 발생 공정에 있어서, 기판의 상면 주연부에 상기 고온 영역을 형성하는, 기판 처리 장치.
  29. 제 26 항에 있어서,
    상기 제어 장치는, 상기 온도차 발생 공정 후에, 상기 저온 영역과 상기 고온 영역의 경계를 상기 저온 영역쪽으로 이동시키는 경계 이동 공정을 추가로 실행하는, 기판 처리 장치.
  30. 제 26 항에 있어서,
    처리액의 액막과 기판의 상면의 사이에 기상이 형성되어 있는 상태에서, 상기 고온 영역을 향하여 기체를 토출하는 기체 토출 유닛을 추가로 포함하는, 기판 처리 장치.
  31. 제 1 항에 있어서,
    상기 처리액 공급 유닛에 의해 기판에 공급되는 처리액은, 물보다 표면장력이 작고, 물보다 비점이 낮은 액체인, 기판 처리 장치.
  32. 제 1 항 내지 제 31 항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 기판을 수평으로 유지하는 기판 유지 유닛과, 상기 기판 유지 유닛을 수용하는 개폐 가능한 이너 챔버와, 상기 이너 챔버를 수용하는 아우터 챔버를 포함하는, 기판 처리 장치.
  33. 제 32 항에 있어서,
    상기 기판 처리 장치는, 상기 이너 챔버의 내부에 불활성 가스를 공급하는 불활성 가스 공급 유닛을 추가로 포함하는, 기판 처리 장치.
  34. 수평 자세로 유지되어 있는 기판의 상면에 린스액을 공급하는 린스 공정과,
    상기 린스액보다 표면장력이 낮은 유기 용제의 액체를 상기 기판의 상면에 공급함으로써, 상기 린스액을 상기 유기 용제로 치환하여, 상기 기판의 상면을 덮는 유기 용제의 액막을 형성하는 유기 용제 치환 공정과,
    상기 유기 용제 치환 공정의 개시 후, 기판 가열 유닛에 의해 상기 기판을 하방으로부터 가열하여, 상기 기판의 상면을 상기 유기 용제의 비점보다 높은 제 1 온도에 도달시키고, 이로써, 상기 기판의 상면을 덮는 유기 용제의 액막과 상기 기판의 상면의 사이에, 상기 상면 전체 영역에 있어서 유기 용제의 기상을 형성함과 함께, 상기 유기 용제의 기상의 상방에 상기 유기 용제의 액막을 부상시키는 기판 고온화 공정과,
    상기 기판과 상기 기판 가열 유닛의 상대 자세를 일정하게 유지하면서, 상기 기판 및 상기 기판 가열 유닛을, 상기 기판의 상면이 수평면에 대해 경사지는 경사 자세로 자세 변경시킴으로써, 부상하고 있는 상기 유기 용제의 액막을, 상기 기판의 상면의 상방으로부터 배제하는 유기 용제 배제 공정을 포함하는, 기판 처리 방법.
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* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US10378106B2 (en) 2008-11-14 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Method of forming insulation film by modified PEALD
US9394608B2 (en) 2009-04-06 2016-07-19 Asm America, Inc. Semiconductor processing reactor and components thereof
US8802201B2 (en) 2009-08-14 2014-08-12 Asm America, Inc. Systems and methods for thin-film deposition of metal oxides using excited nitrogen-oxygen species
US9312155B2 (en) 2011-06-06 2016-04-12 Asm Japan K.K. High-throughput semiconductor-processing apparatus equipped with multiple dual-chamber modules
US10364496B2 (en) 2011-06-27 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Dual section module having shared and unshared mass flow controllers
US10854498B2 (en) 2011-07-15 2020-12-01 Asm Ip Holding B.V. Wafer-supporting device and method for producing same
US20130023129A1 (en) 2011-07-20 2013-01-24 Asm America, Inc. Pressure transmitter for a semiconductor processing environment
US9017481B1 (en) 2011-10-28 2015-04-28 Asm America, Inc. Process feed management for semiconductor substrate processing
US9659799B2 (en) 2012-08-28 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Systems and methods for dynamic semiconductor process scheduling
US9021985B2 (en) 2012-09-12 2015-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Process gas management for an inductively-coupled plasma deposition reactor
US10714315B2 (en) 2012-10-12 2020-07-14 Asm Ip Holdings B.V. Semiconductor reaction chamber showerhead
US20160376700A1 (en) 2013-02-01 2016-12-29 Asm Ip Holding B.V. System for treatment of deposition reactor
US9589770B2 (en) 2013-03-08 2017-03-07 Asm Ip Holding B.V. Method and systems for in-situ formation of intermediate reactive species
US9484191B2 (en) 2013-03-08 2016-11-01 Asm Ip Holding B.V. Pulsed remote plasma method and system
US9240412B2 (en) 2013-09-27 2016-01-19 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor structure and device and methods of forming same using selective epitaxial process
US10683571B2 (en) 2014-02-25 2020-06-16 Asm Ip Holding B.V. Gas supply manifold and method of supplying gases to chamber using same
JP6270270B2 (ja) * 2014-03-17 2018-01-31 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10167557B2 (en) 2014-03-18 2019-01-01 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system, reactor including the system, and methods of using the same
US11015245B2 (en) 2014-03-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase reactor and system having exhaust plenum and components thereof
JP6304592B2 (ja) * 2014-03-25 2018-04-04 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6717191B2 (ja) * 2014-04-18 2020-07-01 株式会社ニコン 成膜装置、基板処理装置、および、デバイス製造方法
US10858737B2 (en) 2014-07-28 2020-12-08 Asm Ip Holding B.V. Showerhead assembly and components thereof
US9890456B2 (en) 2014-08-21 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Method and system for in situ formation of gas-phase compounds
US9657845B2 (en) 2014-10-07 2017-05-23 Asm Ip Holding B.V. Variable conductance gas distribution apparatus and method
US10941490B2 (en) 2014-10-07 2021-03-09 Asm Ip Holding B.V. Multiple temperature range susceptor, assembly, reactor and system including the susceptor, and methods of using the same
KR102263121B1 (ko) 2014-12-22 2021-06-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 및 그 제조 방법
JP6543481B2 (ja) * 2015-02-23 2019-07-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 蒸気供給装置、蒸気乾燥装置、蒸気供給方法および蒸気乾燥方法
US10529542B2 (en) 2015-03-11 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Cross-flow reactor and method
US10276355B2 (en) 2015-03-12 2019-04-30 Asm Ip Holding B.V. Multi-zone reactor, system including the reactor, and method of using the same
US10458018B2 (en) 2015-06-26 2019-10-29 Asm Ip Holding B.V. Structures including metal carbide material, devices including the structures, and methods of forming same
US10600673B2 (en) * 2015-07-07 2020-03-24 Asm Ip Holding B.V. Magnetic susceptor to baseplate seal
US10083836B2 (en) 2015-07-24 2018-09-25 Asm Ip Holding B.V. Formation of boron-doped titanium metal films with high work function
US9960072B2 (en) 2015-09-29 2018-05-01 Asm Ip Holding B.V. Variable adjustment for precise matching of multiple chamber cavity housings
US9929029B2 (en) 2015-10-15 2018-03-27 Applied Materials, Inc. Substrate carrier system
US10269557B2 (en) * 2015-10-20 2019-04-23 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Apparatus of processing semiconductor substrate
US10211308B2 (en) 2015-10-21 2019-02-19 Asm Ip Holding B.V. NbMC layers
US10322384B2 (en) 2015-11-09 2019-06-18 Asm Ip Holding B.V. Counter flow mixer for process chamber
KR102378336B1 (ko) * 2015-11-13 2022-03-24 세메스 주식회사 베이크 장치 및 베이크 방법
US9812349B2 (en) * 2015-12-01 2017-11-07 Lam Research Corporation Control of the incidence angle of an ion beam on a substrate
US11139308B2 (en) 2015-12-29 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Atomic layer deposition of III-V compounds to form V-NAND devices
US10529554B2 (en) 2016-02-19 2020-01-07 Asm Ip Holding B.V. Method for forming silicon nitride film selectively on sidewalls or flat surfaces of trenches
US10468251B2 (en) 2016-02-19 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Method for forming spacers using silicon nitride film for spacer-defined multiple patterning
US9972514B2 (en) * 2016-03-07 2018-05-15 Lam Research Ag Apparatus for liquid treatment of wafer shaped articles
US10501866B2 (en) 2016-03-09 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution apparatus for improved film uniformity in an epitaxial system
US10343920B2 (en) 2016-03-18 2019-07-09 Asm Ip Holding B.V. Aligned carbon nanotubes
US9892913B2 (en) 2016-03-24 2018-02-13 Asm Ip Holding B.V. Radial and thickness control via biased multi-port injection settings
JP6653608B2 (ja) 2016-03-29 2020-02-26 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
JP6671217B2 (ja) 2016-03-31 2020-03-25 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10865475B2 (en) 2016-04-21 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides and silicides
US10190213B2 (en) 2016-04-21 2019-01-29 Asm Ip Holding B.V. Deposition of metal borides
US10367080B2 (en) 2016-05-02 2019-07-30 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a germanium oxynitride film
US10032628B2 (en) 2016-05-02 2018-07-24 Asm Ip Holding B.V. Source/drain performance through conformal solid state doping
KR102592471B1 (ko) 2016-05-17 2023-10-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 배선 형성 방법 및 이를 이용한 반도체 장치의 제조 방법
US11453943B2 (en) 2016-05-25 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Method for forming carbon-containing silicon/metal oxide or nitride film by ALD using silicon precursor and hydrocarbon precursor
US10388509B2 (en) 2016-06-28 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Formation of epitaxial layers via dislocation filtering
US10612137B2 (en) 2016-07-08 2020-04-07 Asm Ip Holdings B.V. Organic reactants for atomic layer deposition
US9859151B1 (en) 2016-07-08 2018-01-02 Asm Ip Holding B.V. Selective film deposition method to form air gaps
US10714385B2 (en) 2016-07-19 2020-07-14 Asm Ip Holding B.V. Selective deposition of tungsten
KR102354490B1 (ko) 2016-07-27 2022-01-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US9887082B1 (en) 2016-07-28 2018-02-06 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
KR102532607B1 (ko) 2016-07-28 2023-05-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 가공 장치 및 그 동작 방법
US10395919B2 (en) 2016-07-28 2019-08-27 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
US9812320B1 (en) 2016-07-28 2017-11-07 Asm Ip Holding B.V. Method and apparatus for filling a gap
JP6710608B2 (ja) 2016-08-30 2020-06-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6687486B2 (ja) 2016-08-31 2020-04-22 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法
JP6764288B2 (ja) * 2016-09-12 2020-09-30 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6215426B1 (ja) * 2016-09-21 2017-10-18 オリジン電気株式会社 加熱装置及び板状部材の製造方法
JP6698489B2 (ja) * 2016-09-26 2020-05-27 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置および基板処理方法
US10410943B2 (en) 2016-10-13 2019-09-10 Asm Ip Holding B.V. Method for passivating a surface of a semiconductor and related systems
US10643826B2 (en) 2016-10-26 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for thermally calibrating reaction chambers
US11532757B2 (en) 2016-10-27 2022-12-20 Asm Ip Holding B.V. Deposition of charge trapping layers
US10714350B2 (en) 2016-11-01 2020-07-14 ASM IP Holdings, B.V. Methods for forming a transition metal niobium nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10229833B2 (en) 2016-11-01 2019-03-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related semiconductor device structures
US10643904B2 (en) 2016-11-01 2020-05-05 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a semiconductor device and related semiconductor device structures
US10435790B2 (en) 2016-11-01 2019-10-08 Asm Ip Holding B.V. Method of subatmospheric plasma-enhanced ALD using capacitively coupled electrodes with narrow gap
US10134757B2 (en) 2016-11-07 2018-11-20 Asm Ip Holding B.V. Method of processing a substrate and a device manufactured by using the method
KR102546317B1 (ko) 2016-11-15 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기체 공급 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US10340135B2 (en) 2016-11-28 2019-07-02 Asm Ip Holding B.V. Method of topologically restricted plasma-enhanced cyclic deposition of silicon or metal nitride
KR20180068582A (ko) 2016-12-14 2018-06-22 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11447861B2 (en) 2016-12-15 2022-09-20 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus and a method of forming a patterned structure
US11581186B2 (en) 2016-12-15 2023-02-14 Asm Ip Holding B.V. Sequential infiltration synthesis apparatus
KR102700194B1 (ko) 2016-12-19 2024-08-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10269558B2 (en) 2016-12-22 2019-04-23 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
US10867788B2 (en) 2016-12-28 2020-12-15 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a structure on a substrate
JP6770886B2 (ja) * 2016-12-28 2020-10-21 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置及び基板処理方法
US11390950B2 (en) 2017-01-10 2022-07-19 Asm Ip Holding B.V. Reactor system and method to reduce residue buildup during a film deposition process
JP6811619B2 (ja) * 2017-01-12 2021-01-13 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6826890B2 (ja) * 2017-01-12 2021-02-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10655221B2 (en) 2017-02-09 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing oxide film by thermal ALD and PEALD
US10468261B2 (en) 2017-02-15 2019-11-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metallic film on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6916003B2 (ja) 2017-02-24 2021-08-11 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6945314B2 (ja) * 2017-03-24 2021-10-06 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6818607B2 (ja) * 2017-03-27 2021-01-20 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10283353B2 (en) 2017-03-29 2019-05-07 Asm Ip Holding B.V. Method of reforming insulating film deposited on substrate with recess pattern
US10529563B2 (en) 2017-03-29 2020-01-07 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming doped metal oxide films on a substrate by cyclical deposition and related semiconductor device structures
JP6923344B2 (ja) * 2017-04-13 2021-08-18 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 周縁処理装置および周縁処理方法
KR102457289B1 (ko) 2017-04-25 2022-10-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10446393B2 (en) 2017-05-08 2019-10-15 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming silicon-containing epitaxial layers and related semiconductor device structures
US10770286B2 (en) 2017-05-08 2020-09-08 Asm Ip Holdings B.V. Methods for selectively forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10892156B2 (en) 2017-05-08 2021-01-12 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film on a substrate and related semiconductor device structures
US10504742B2 (en) 2017-05-31 2019-12-10 Asm Ip Holding B.V. Method of atomic layer etching using hydrogen plasma
US10886123B2 (en) 2017-06-02 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming low temperature semiconductor layers and related semiconductor device structures
US12040200B2 (en) 2017-06-20 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and methods for calibrating a semiconductor processing apparatus
US11306395B2 (en) 2017-06-28 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal nitride film on a substrate by atomic layer deposition and related deposition apparatus
US10685834B2 (en) 2017-07-05 2020-06-16 Asm Ip Holdings B.V. Methods for forming a silicon germanium tin layer and related semiconductor device structures
KR20190009245A (ko) 2017-07-18 2019-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자 구조물 형성 방법 및 관련된 반도체 소자 구조물
US10541333B2 (en) 2017-07-19 2020-01-21 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11374112B2 (en) 2017-07-19 2022-06-28 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US11018002B2 (en) 2017-07-19 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a Group IV semiconductor and related semiconductor device structures
US10312055B2 (en) 2017-07-26 2019-06-04 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing film by PEALD using negative bias
US10590535B2 (en) 2017-07-26 2020-03-17 Asm Ip Holdings B.V. Chemical treatment, deposition and/or infiltration apparatus and method for using the same
US10605530B2 (en) 2017-07-26 2020-03-31 Asm Ip Holding B.V. Assembly of a liner and a flange for a vertical furnace as well as the liner and the vertical furnace
US10692741B2 (en) 2017-08-08 2020-06-23 Asm Ip Holdings B.V. Radiation shield
US10770336B2 (en) 2017-08-08 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Substrate lift mechanism and reactor including same
US10249524B2 (en) 2017-08-09 2019-04-02 Asm Ip Holding B.V. Cassette holder assembly for a substrate cassette and holding member for use in such assembly
US11139191B2 (en) 2017-08-09 2021-10-05 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US11769682B2 (en) 2017-08-09 2023-09-26 Asm Ip Holding B.V. Storage apparatus for storing cassettes for substrates and processing apparatus equipped therewith
US10236177B1 (en) 2017-08-22 2019-03-19 ASM IP Holding B.V.. Methods for depositing a doped germanium tin semiconductor and related semiconductor device structures
USD900036S1 (en) 2017-08-24 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Heater electrical connector and adapter
US11830730B2 (en) 2017-08-29 2023-11-28 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method and apparatus
US11056344B2 (en) 2017-08-30 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Layer forming method
US11295980B2 (en) 2017-08-30 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum metal film over a dielectric surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
KR102491945B1 (ko) 2017-08-30 2023-01-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR102401446B1 (ko) 2017-08-31 2022-05-24 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US10607895B2 (en) 2017-09-18 2020-03-31 Asm Ip Holdings B.V. Method for forming a semiconductor device structure comprising a gate fill metal
KR102630301B1 (ko) 2017-09-21 2024-01-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 침투성 재료의 순차 침투 합성 방법 처리 및 이를 이용하여 형성된 구조물 및 장치
US10844484B2 (en) 2017-09-22 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
US10658205B2 (en) 2017-09-28 2020-05-19 Asm Ip Holdings B.V. Chemical dispensing apparatus and methods for dispensing a chemical to a reaction chamber
US10403504B2 (en) 2017-10-05 2019-09-03 Asm Ip Holding B.V. Method for selectively depositing a metallic film on a substrate
US10319588B2 (en) 2017-10-10 2019-06-11 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a metal chalcogenide on a substrate by cyclical deposition
KR102410974B1 (ko) * 2017-10-13 2022-06-20 삼성전자주식회사 반도체 제조 장치의 구동 방법
US10923344B2 (en) 2017-10-30 2021-02-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a semiconductor structure and related semiconductor structures
US10658221B2 (en) * 2017-11-14 2020-05-19 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co., Ltd. Semiconductor wafer cleaning apparatus and method for cleaning semiconductor wafer
KR102443047B1 (ko) 2017-11-16 2022-09-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 방법 및 그에 의해 제조된 장치
US10910262B2 (en) 2017-11-16 2021-02-02 Asm Ip Holding B.V. Method of selectively depositing a capping layer structure on a semiconductor device structure
US11022879B2 (en) 2017-11-24 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Method of forming an enhanced unexposed photoresist layer
JP7214724B2 (ja) 2017-11-27 2023-01-30 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． バッチ炉で利用されるウェハカセットを収納するための収納装置
WO2019103610A1 (en) 2017-11-27 2019-05-31 Asm Ip Holding B.V. Apparatus including a clean mini environment
US10290508B1 (en) 2017-12-05 2019-05-14 Asm Ip Holding B.V. Method for forming vertical spacers for spacer-defined patterning
US10872771B2 (en) 2018-01-16 2020-12-22 Asm Ip Holding B. V. Method for depositing a material film on a substrate within a reaction chamber by a cyclical deposition process and related device structures
JP6971865B2 (ja) * 2018-01-17 2021-11-24 キオクシア株式会社 処理装置
TWI799494B (zh) 2018-01-19 2023-04-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 沈積方法
CN111630203A (zh) 2018-01-19 2020-09-04 Asm Ip私人控股有限公司 通过等离子体辅助沉积来沉积间隙填充层的方法
USD903477S1 (en) 2018-01-24 2020-12-01 Asm Ip Holdings B.V. Metal clamp
US11018047B2 (en) 2018-01-25 2021-05-25 Asm Ip Holding B.V. Hybrid lift pin
JP7064339B2 (ja) * 2018-01-31 2022-05-10 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
US10535516B2 (en) 2018-02-01 2020-01-14 Asm Ip Holdings B.V. Method for depositing a semiconductor structure on a surface of a substrate and related semiconductor structures
USD880437S1 (en) 2018-02-01 2020-04-07 Asm Ip Holding B.V. Gas supply plate for semiconductor manufacturing apparatus
US11081345B2 (en) 2018-02-06 2021-08-03 Asm Ip Holding B.V. Method of post-deposition treatment for silicon oxide film
JP7124098B2 (ja) 2018-02-14 2022-08-23 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 周期的堆積プロセスにより基材上にルテニウム含有膜を堆積させる方法
US10896820B2 (en) 2018-02-14 2021-01-19 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a ruthenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process
US10731249B2 (en) 2018-02-15 2020-08-04 Asm Ip Holding B.V. Method of forming a transition metal containing film on a substrate by a cyclical deposition process, a method for supplying a transition metal halide compound to a reaction chamber, and related vapor deposition apparatus
US10658181B2 (en) 2018-02-20 2020-05-19 Asm Ip Holding B.V. Method of spacer-defined direct patterning in semiconductor fabrication
KR102636427B1 (ko) 2018-02-20 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 장치
US10975470B2 (en) 2018-02-23 2021-04-13 Asm Ip Holding B.V. Apparatus for detecting or monitoring for a chemical precursor in a high temperature environment
US11473195B2 (en) 2018-03-01 2022-10-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus and a method for processing a substrate
US11629406B2 (en) 2018-03-09 2023-04-18 Asm Ip Holding B.V. Semiconductor processing apparatus comprising one or more pyrometers for measuring a temperature of a substrate during transfer of the substrate
US11114283B2 (en) 2018-03-16 2021-09-07 Asm Ip Holding B.V. Reactor, system including the reactor, and methods of manufacturing and using same
KR102646467B1 (ko) 2018-03-27 2024-03-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 전극을 형성하는 방법 및 전극을 포함하는 반도체 소자 구조
US11088002B2 (en) 2018-03-29 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate rack and a substrate processing system and method
US10510536B2 (en) 2018-03-29 2019-12-17 Asm Ip Holding B.V. Method of depositing a co-doped polysilicon film on a surface of a substrate within a reaction chamber
US11230766B2 (en) 2018-03-29 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
JP7242341B2 (ja) * 2018-03-30 2023-03-20 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
KR102501472B1 (ko) 2018-03-30 2023-02-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
US12025484B2 (en) 2018-05-08 2024-07-02 Asm Ip Holding B.V. Thin film forming method
TWI843623B (zh) 2018-05-08 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 藉由循環沉積製程於基板上沉積氧化物膜之方法及相關裝置結構
KR20190129718A (ko) 2018-05-11 2019-11-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 상에 피도핑 금속 탄화물 막을 형성하는 방법 및 관련 반도체 소자 구조
KR102596988B1 (ko) 2018-05-28 2023-10-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법 및 그에 의해 제조된 장치
TWI840362B (zh) 2018-06-04 2024-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 水氣降低的晶圓處置腔室
US11718913B2 (en) 2018-06-04 2023-08-08 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution system and reactor system including same
US11286562B2 (en) 2018-06-08 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Gas-phase chemical reactor and method of using same
US20190393053A1 (en) * 2018-06-20 2019-12-26 Applied Materials, Inc. Etching apparatus
US10797133B2 (en) 2018-06-21 2020-10-06 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing a phosphorus doped silicon arsenide film and related semiconductor device structures
KR102568797B1 (ko) 2018-06-21 2023-08-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 시스템
WO2020003000A1 (en) 2018-06-27 2020-01-02 Asm Ip Holding B.V. Cyclic deposition methods for forming metal-containing material and films and structures including the metal-containing material
TW202409324A (zh) 2018-06-27 2024-03-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於形成含金屬材料之循環沉積製程
US10612136B2 (en) 2018-06-29 2020-04-07 ASM IP Holding, B.V. Temperature-controlled flange and reactor system including same
KR102686758B1 (ko) 2018-06-29 2024-07-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법 및 반도체 장치의 제조 방법
US10755922B2 (en) 2018-07-03 2020-08-25 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10388513B1 (en) 2018-07-03 2019-08-20 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing silicon-free carbon-containing film as gap-fill layer by pulse plasma-assisted deposition
US10767789B2 (en) 2018-07-16 2020-09-08 Asm Ip Holding B.V. Diaphragm valves, valve components, and methods for forming valve components
JP7220030B2 (ja) * 2018-07-25 2023-02-09 株式会社ジャパンディスプレイ マスクユニットの製造装置
US10483099B1 (en) 2018-07-26 2019-11-19 Asm Ip Holding B.V. Method for forming thermally stable organosilicon polymer film
US11053591B2 (en) 2018-08-06 2021-07-06 Asm Ip Holding B.V. Multi-port gas injection system and reactor system including same
US10883175B2 (en) 2018-08-09 2021-01-05 Asm Ip Holding B.V. Vertical furnace for processing substrates and a liner for use therein
US10829852B2 (en) 2018-08-16 2020-11-10 Asm Ip Holding B.V. Gas distribution device for a wafer processing apparatus
US11430674B2 (en) 2018-08-22 2022-08-30 Asm Ip Holding B.V. Sensor array, apparatus for dispensing a vapor phase reactant to a reaction chamber and related methods
JP7077184B2 (ja) * 2018-08-30 2022-05-30 キオクシア株式会社 基板処理方法及び半導体装置の製造方法
US11024523B2 (en) 2018-09-11 2021-06-01 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
KR102707956B1 (ko) 2018-09-11 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 증착 방법
US11049751B2 (en) 2018-09-14 2021-06-29 Asm Ip Holding B.V. Cassette supply system to store and handle cassettes and processing apparatus equipped therewith
TWI844567B (zh) 2018-10-01 2024-06-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材保持裝置、含有此裝置之系統及其使用之方法
US11232963B2 (en) 2018-10-03 2022-01-25 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus and method
JP7101583B2 (ja) * 2018-10-04 2022-07-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置および基板処理方法
KR102592699B1 (ko) 2018-10-08 2023-10-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 박막 증착 장치와 기판 처리 장치
US10847365B2 (en) 2018-10-11 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Method of forming conformal silicon carbide film by cyclic CVD
US10811256B2 (en) 2018-10-16 2020-10-20 Asm Ip Holding B.V. Method for etching a carbon-containing feature
CN111063652B (zh) * 2018-10-16 2022-08-30 沈阳芯源微电子设备股份有限公司 一种基板夹持承载台
KR102605121B1 (ko) 2018-10-19 2023-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102546322B1 (ko) 2018-10-19 2023-06-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법
KR102162260B1 (ko) * 2018-10-22 2020-10-06 세메스 주식회사 가이드 핀 및 이를 구비하는 포토 마스크 지지 유닛과 포토 마스크 세정 장치
JP7336306B2 (ja) * 2018-10-23 2023-08-31 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置、基板処理方法および記憶媒体
USD948463S1 (en) 2018-10-24 2022-04-12 Asm Ip Holding B.V. Susceptor for semiconductor substrate supporting apparatus
US10381219B1 (en) 2018-10-25 2019-08-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a silicon nitride film
US11087997B2 (en) 2018-10-31 2021-08-10 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
KR20200051105A (ko) 2018-11-02 2020-05-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 지지 유닛 및 이를 포함하는 기판 처리 장치
US11572620B2 (en) 2018-11-06 2023-02-07 Asm Ip Holding B.V. Methods for selectively depositing an amorphous silicon film on a substrate
US11031242B2 (en) 2018-11-07 2021-06-08 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a boron doped silicon germanium film
US10818758B2 (en) 2018-11-16 2020-10-27 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a metal silicate film on a substrate in a reaction chamber and related semiconductor device structures
US10847366B2 (en) 2018-11-16 2020-11-24 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a transition metal chalcogenide film on a substrate by a cyclical deposition process
US10559458B1 (en) 2018-11-26 2020-02-11 Asm Ip Holding B.V. Method of forming oxynitride film
US12040199B2 (en) 2018-11-28 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing apparatus for processing substrates
US11217444B2 (en) 2018-11-30 2022-01-04 Asm Ip Holding B.V. Method for forming an ultraviolet radiation responsive metal oxide-containing film
KR102636428B1 (ko) 2018-12-04 2024-02-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치를 세정하는 방법
CN109663713B (zh) * 2018-12-05 2023-09-26 青岛理工大学 一种沥蜡倾斜机及倒蜡方法
US11158513B2 (en) 2018-12-13 2021-10-26 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a rhenium-containing film on a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures
JP7504584B2 (ja) 2018-12-14 2024-06-24 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化ガリウムの選択的堆積を用いてデバイス構造体を形成する方法及びそのためのシステム
KR102262113B1 (ko) * 2018-12-18 2021-06-11 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
TWI819180B (zh) 2019-01-17 2023-10-21 荷蘭商Ａｓｍ 智慧財產控股公司 藉由循環沈積製程於基板上形成含過渡金屬膜之方法
KR20200091543A (ko) 2019-01-22 2020-07-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN111524788B (zh) 2019-02-01 2023-11-24 Asm Ip私人控股有限公司 氧化硅的拓扑选择性膜形成的方法
WO2020167630A1 (en) * 2019-02-11 2020-08-20 Kateeva, Inc. Printing system, process chamber and printing method for handling substrates in different orientations
TWI845607B (zh) 2019-02-20 2024-06-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用來填充形成於基材表面內之凹部的循環沉積方法及設備
KR102626263B1 (ko) 2019-02-20 2024-01-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 처리 단계를 포함하는 주기적 증착 방법 및 이를 위한 장치
KR20200102357A (ko) 2019-02-20 2020-08-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 3-d nand 응용의 플러그 충진체 증착용 장치 및 방법
JP2020136678A (ja) 2019-02-20 2020-08-31 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基材表面内に形成された凹部を充填するための方法および装置
TWI842826B (zh) 2019-02-22 2024-05-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基材處理設備及處理基材之方法
KR20200108243A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. SiOC 층을 포함한 구조체 및 이의 형성 방법
US11742198B2 (en) 2019-03-08 2023-08-29 Asm Ip Holding B.V. Structure including SiOCN layer and method of forming same
KR20200108242A (ko) 2019-03-08 2020-09-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 질화물 층을 선택적으로 증착하는 방법, 및 선택적으로 증착된 실리콘 질화물 층을 포함하는 구조체
KR20200116033A (ko) 2019-03-28 2020-10-08 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도어 개방기 및 이를 구비한 기판 처리 장치
KR20200116855A (ko) 2019-04-01 2020-10-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반도체 소자를 제조하는 방법
KR20200123380A (ko) 2019-04-19 2020-10-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 층 형성 방법 및 장치
KR20200125453A (ko) 2019-04-24 2020-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기상 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
KR20200130121A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 딥 튜브가 있는 화학물질 공급원 용기
KR20200130118A (ko) 2019-05-07 2020-11-18 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비정질 탄소 중합체 막을 개질하는 방법
KR20200130652A (ko) 2019-05-10 2020-11-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 표면 상에 재료를 증착하는 방법 및 본 방법에 따라 형성된 구조
JP7373302B2 (ja) * 2019-05-15 2023-11-02 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP2020188254A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
JP2020188255A (ja) 2019-05-16 2020-11-19 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． ウェハボートハンドリング装置、縦型バッチ炉および方法
USD975665S1 (en) 2019-05-17 2023-01-17 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP7285692B2 (ja) * 2019-05-17 2023-06-02 東京エレクトロン株式会社 乾燥装置、基板処理システム、および乾燥方法
USD947913S1 (en) 2019-05-17 2022-04-05 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
USD935572S1 (en) 2019-05-24 2021-11-09 Asm Ip Holding B.V. Gas channel plate
USD922229S1 (en) 2019-06-05 2021-06-15 Asm Ip Holding B.V. Device for controlling a temperature of a gas supply unit
KR20200141003A (ko) 2019-06-06 2020-12-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 가스 감지기를 포함하는 기상 반응기 시스템
KR20200143254A (ko) 2019-06-11 2020-12-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 개질 가스를 사용하여 전자 구조를 형성하는 방법, 상기 방법을 수행하기 위한 시스템, 및 상기 방법을 사용하여 형성되는 구조
USD944946S1 (en) 2019-06-14 2022-03-01 Asm Ip Holding B.V. Shower plate
USD931978S1 (en) 2019-06-27 2021-09-28 Asm Ip Holding B.V. Showerhead vacuum transport
KR20210005515A (ko) 2019-07-03 2021-01-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치용 온도 제어 조립체 및 이를 사용하는 방법
JP7499079B2 (ja) 2019-07-09 2024-06-13 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 同軸導波管を用いたプラズマ装置、基板処理方法
CN112216646A (zh) 2019-07-10 2021-01-12 Asm Ip私人控股有限公司 基板支撑组件及包括其的基板处理装置
KR20210010307A (ko) 2019-07-16 2021-01-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
KR20210010820A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 게르마늄 구조를 형성하는 방법
KR20210010816A (ko) 2019-07-17 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 라디칼 보조 점화 플라즈마 시스템 및 방법
US11643724B2 (en) 2019-07-18 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Method of forming structures using a neutral beam
KR20210010817A (ko) 2019-07-19 2021-01-28 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 토폴로지-제어된 비정질 탄소 중합체 막을 형성하는 방법
TWI839544B (zh) 2019-07-19 2024-04-21 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成形貌受控的非晶碳聚合物膜之方法
CN112309843A (zh) 2019-07-29 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 实现高掺杂剂掺入的选择性沉积方法
CN112309899A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112309900A (zh) 2019-07-30 2021-02-02 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
US11587815B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11587814B2 (en) 2019-07-31 2023-02-21 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
US11227782B2 (en) 2019-07-31 2022-01-18 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly
CN118422165A (zh) 2019-08-05 2024-08-02 Asm Ip私人控股有限公司 用于化学源容器的液位传感器
USD965524S1 (en) 2019-08-19 2022-10-04 Asm Ip Holding B.V. Susceptor support
USD965044S1 (en) 2019-08-19 2022-09-27 Asm Ip Holding B.V. Susceptor shaft
JP2021031769A (ja) 2019-08-21 2021-03-01 エーエスエム アイピー ホールディング ビー．ブイ． 成膜原料混合ガス生成装置及び成膜装置
USD930782S1 (en) 2019-08-22 2021-09-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor
KR20210024423A (ko) 2019-08-22 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 홀을 구비한 구조체를 형성하기 위한 방법
USD979506S1 (en) 2019-08-22 2023-02-28 Asm Ip Holding B.V. Insulator
USD949319S1 (en) 2019-08-22 2022-04-19 Asm Ip Holding B.V. Exhaust duct
USD940837S1 (en) 2019-08-22 2022-01-11 Asm Ip Holding B.V. Electrode
KR20210024420A (ko) 2019-08-23 2021-03-05 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 비스(디에틸아미노)실란을 사용하여 peald에 의해 개선된 품질을 갖는 실리콘 산화물 막을 증착하기 위한 방법
US11286558B2 (en) 2019-08-23 2022-03-29 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing a molybdenum nitride film on a surface of a substrate by a cyclical deposition process and related semiconductor device structures including a molybdenum nitride film
KR20210029090A (ko) 2019-09-04 2021-03-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 희생 캡핑 층을 이용한 선택적 증착 방법
KR20210029663A (ko) 2019-09-05 2021-03-16 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
CN110648891B (zh) * 2019-09-20 2022-02-15 湖北中培电子科技有限公司 一种等离子刻蚀机用二氧化硅去除组件
US11562901B2 (en) 2019-09-25 2023-01-24 Asm Ip Holding B.V. Substrate processing method
CN112593212B (zh) 2019-10-02 2023-12-22 Asm Ip私人控股有限公司 通过循环等离子体增强沉积工艺形成拓扑选择性氧化硅膜的方法
KR20210042810A (ko) 2019-10-08 2021-04-20 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 활성 종을 이용하기 위한 가스 분배 어셈블리를 포함한 반응기 시스템 및 이를 사용하는 방법
TWI846953B (zh) 2019-10-08 2024-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理裝置
KR20210043460A (ko) 2019-10-10 2021-04-21 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 포토레지스트 하부층을 형성하기 위한 방법 및 이를 포함한 구조체
US12009241B2 (en) 2019-10-14 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Vertical batch furnace assembly with detector to detect cassette
KR102301191B1 (ko) * 2019-10-15 2021-09-10 (주)에스티아이 기판처리장치
TWI834919B (zh) 2019-10-16 2024-03-11 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氧化矽之拓撲選擇性膜形成之方法
US11637014B2 (en) 2019-10-17 2023-04-25 Asm Ip Holding B.V. Methods for selective deposition of doped semiconductor material
KR20210047808A (ko) 2019-10-21 2021-04-30 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 막을 선택적으로 에칭하기 위한 장치 및 방법
KR20210050453A (ko) 2019-10-25 2021-05-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 표면 상의 갭 피처를 충진하는 방법 및 이와 관련된 반도체 소자 구조
US11646205B2 (en) 2019-10-29 2023-05-09 Asm Ip Holding B.V. Methods of selectively forming n-type doped material on a surface, systems for selectively forming n-type doped material, and structures formed using same
KR20210054983A (ko) 2019-11-05 2021-05-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 도핑된 반도체 층을 갖는 구조체 및 이를 형성하기 위한 방법 및 시스템
US11501968B2 (en) 2019-11-15 2022-11-15 Asm Ip Holding B.V. Method for providing a semiconductor device with silicon filled gaps
KR20210062561A (ko) 2019-11-20 2021-05-31 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판의 표면 상에 탄소 함유 물질을 증착하는 방법, 상기 방법을 사용하여 형성된 구조물, 및 상기 구조물을 형성하기 위한 시스템
KR20210065848A (ko) 2019-11-26 2021-06-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 제1 유전체 표면과 제2 금속성 표면을 포함한 기판 상에 타겟 막을 선택적으로 형성하기 위한 방법
CN112951697A (zh) 2019-11-26 2021-06-11 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885693A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
CN112885692A (zh) 2019-11-29 2021-06-01 Asm Ip私人控股有限公司 基板处理设备
JP7527928B2 (ja) 2019-12-02 2024-08-05 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 基板処理装置、基板処理方法
KR20210070898A (ko) 2019-12-04 2021-06-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
TW202125596A (zh) 2019-12-17 2021-07-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成氮化釩層之方法以及包括該氮化釩層之結構
US11527403B2 (en) 2019-12-19 2022-12-13 Asm Ip Holding B.V. Methods for filling a gap feature on a substrate surface and related semiconductor structures
KR102508052B1 (ko) * 2019-12-27 2023-03-09 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
TW202140135A (zh) 2020-01-06 2021-11-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 氣體供應總成以及閥板總成
KR20210089079A (ko) 2020-01-06 2021-07-15 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 채널형 리프트 핀
US11993847B2 (en) 2020-01-08 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Injector
KR102675856B1 (ko) 2020-01-20 2024-06-17 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법 및 박막 표면 개질 방법
TW202130846A (zh) 2020-02-03 2021-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成包括釩或銦層的結構之方法
TW202146882A (zh) 2020-02-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 驗證一物品之方法、用於驗證一物品之設備、及用於驗證一反應室之系統
US11776846B2 (en) 2020-02-07 2023-10-03 Asm Ip Holding B.V. Methods for depositing gap filling fluids and related systems and devices
US11781243B2 (en) 2020-02-17 2023-10-10 Asm Ip Holding B.V. Method for depositing low temperature phosphorous-doped silicon
TW202203344A (zh) 2020-02-28 2022-01-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 專用於零件清潔的系統
KR102553044B1 (ko) 2020-03-05 2023-07-10 도쿄엘렉트론가부시키가이샤 기판 처리 방법 및 기판 처리 장치
KR20210116249A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 록아웃 태그아웃 어셈블리 및 시스템 그리고 이의 사용 방법
KR20210116240A (ko) 2020-03-11 2021-09-27 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 조절성 접합부를 갖는 기판 핸들링 장치
CN113394086A (zh) 2020-03-12 2021-09-14 Asm Ip私人控股有限公司 用于制造具有目标拓扑轮廓的层结构的方法
KR20210124042A (ko) 2020-04-02 2021-10-14 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 박막 형성 방법
TW202146689A (zh) 2020-04-03 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ控股公司 阻障層形成方法及半導體裝置的製造方法
TW202145344A (zh) 2020-04-08 2021-12-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於選擇性蝕刻氧化矽膜之設備及方法
KR20210128343A (ko) 2020-04-15 2021-10-26 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 크롬 나이트라이드 층을 형성하는 방법 및 크롬 나이트라이드 층을 포함하는 구조
US11821078B2 (en) 2020-04-15 2023-11-21 Asm Ip Holding B.V. Method for forming precoat film and method for forming silicon-containing film
US11996289B2 (en) 2020-04-16 2024-05-28 Asm Ip Holding B.V. Methods of forming structures including silicon germanium and silicon layers, devices formed using the methods, and systems for performing the methods
TW202146831A (zh) 2020-04-24 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 垂直批式熔爐總成、及用於冷卻垂直批式熔爐之方法
KR20210132600A (ko) 2020-04-24 2021-11-04 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐, 질소 및 추가 원소를 포함한 층을 증착하기 위한 방법 및 시스템
JP2021172884A (ja) 2020-04-24 2021-11-01 エーエスエム・アイピー・ホールディング・ベー・フェー 窒化バナジウム含有層を形成する方法および窒化バナジウム含有層を含む構造体
KR20210134226A (ko) 2020-04-29 2021-11-09 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 고체 소스 전구체 용기
KR20210134869A (ko) 2020-05-01 2021-11-11 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. Foup 핸들러를 이용한 foup의 빠른 교환
TW202147543A (zh) 2020-05-04 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 半導體處理系統
KR20210141379A (ko) 2020-05-13 2021-11-23 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 반응기 시스템용 레이저 정렬 고정구
TW202146699A (zh) 2020-05-15 2021-12-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成矽鍺層之方法、半導體結構、半導體裝置、形成沉積層之方法、及沉積系統
KR20210143653A (ko) 2020-05-19 2021-11-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 장치
US11398391B2 (en) * 2020-05-19 2022-07-26 Taiwan Semiconductor Manufacturing Company Ltd. Substrate processing apparatus and method for processing substrate
KR20210145078A (ko) 2020-05-21 2021-12-01 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 다수의 탄소 층을 포함한 구조체 및 이를 형성하고 사용하는 방법
KR102702526B1 (ko) 2020-05-22 2024-09-03 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 과산화수소를 사용하여 박막을 증착하기 위한 장치
TW202201602A (zh) 2020-05-29 2022-01-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
TW202212620A (zh) 2020-06-02 2022-04-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 處理基板之設備、形成膜之方法、及控制用於處理基板之設備之方法
CN111455341B (zh) * 2020-06-18 2020-09-08 上海陛通半导体能源科技股份有限公司 基于磁耦合旋转的物理气相沉积设备
TW202218133A (zh) 2020-06-24 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成含矽層之方法
TW202217953A (zh) 2020-06-30 2022-05-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 基板處理方法
KR102707957B1 (ko) 2020-07-08 2024-09-19 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 기판 처리 방법
TW202219628A (zh) 2020-07-17 2022-05-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於光微影之結構與方法
TW202204662A (zh) 2020-07-20 2022-02-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於沉積鉬層之方法及系統
US12040177B2 (en) 2020-08-18 2024-07-16 Asm Ip Holding B.V. Methods for forming a laminate film by cyclical plasma-enhanced deposition processes
KR20220027026A (ko) 2020-08-26 2022-03-07 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 금속 실리콘 산화물 및 금속 실리콘 산질화물 층을 형성하기 위한 방법 및 시스템
TW202229601A (zh) 2020-08-27 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 形成圖案化結構的方法、操控機械特性的方法、裝置結構、及基板處理系統
USD990534S1 (en) 2020-09-11 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Weighted lift pin
USD1012873S1 (en) 2020-09-24 2024-01-30 Asm Ip Holding B.V. Electrode for semiconductor processing apparatus
US12009224B2 (en) 2020-09-29 2024-06-11 Asm Ip Holding B.V. Apparatus and method for etching metal nitrides
KR20220045900A (ko) 2020-10-06 2022-04-13 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 실리콘 함유 재료를 증착하기 위한 증착 방법 및 장치
CN114293174A (zh) 2020-10-07 2022-04-08 Asm Ip私人控股有限公司 气体供应单元和包括气体供应单元的衬底处理设备
TW202229613A (zh) 2020-10-14 2022-08-01 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 於階梯式結構上沉積材料的方法
KR20220053482A (ko) 2020-10-22 2022-04-29 에이에스엠 아이피 홀딩 비.브이. 바나듐 금속을 증착하는 방법, 구조체, 소자 및 증착 어셈블리
TW202223136A (zh) 2020-10-28 2022-06-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 用於在基板上形成層之方法、及半導體處理系統
TW202235649A (zh) 2020-11-24 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 填充間隙之方法與相關之系統及裝置
TW202235675A (zh) 2020-11-30 2022-09-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 注入器、及基板處理設備
US11946137B2 (en) 2020-12-16 2024-04-02 Asm Ip Holding B.V. Runout and wobble measurement fixtures
TW202231903A (zh) 2020-12-22 2022-08-16 荷蘭商Ａｓｍ Ｉｐ私人控股有限公司 過渡金屬沉積方法、過渡金屬層、用於沉積過渡金屬於基板上的沉積總成
CN112736020B (zh) * 2020-12-31 2024-06-07 拓荆科技股份有限公司 晶圆支撑销升降装置
USD1023959S1 (en) 2021-05-11 2024-04-23 Asm Ip Holding B.V. Electrode for substrate processing apparatus
USD980814S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas distributor for substrate processing apparatus
USD981973S1 (en) 2021-05-11 2023-03-28 Asm Ip Holding B.V. Reactor wall for substrate processing apparatus
USD980813S1 (en) 2021-05-11 2023-03-14 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate for substrate processing apparatus
TWI812996B (zh) * 2021-08-12 2023-08-21 國立中山大學 晶圓清洗及乾燥方法
US20230073660A1 (en) * 2021-09-02 2023-03-09 Wonik Ips Co., Ltd. Substrate processing apparatus
USD990441S1 (en) 2021-09-07 2023-06-27 Asm Ip Holding B.V. Gas flow control plate
KR20230043015A (ko) 2021-09-23 2023-03-30 주식회사 지디텍 반도체장치 및 그 제조방법
JP7564792B2 (ja) * 2021-09-24 2024-10-09 Ｔｏｗａ株式会社 樹脂成形品の製造方法、フィルム固定部材、液状樹脂拡大機構、及び樹脂成形装置
CN117019567A (zh) * 2023-10-10 2023-11-10 常州捷佳创智能装备有限公司 一种硅片上料涂覆机构、涂布平台、硅片涂布机
CN117423644B (zh) * 2023-12-18 2024-03-05 北京青禾晶元半导体科技有限责任公司 晶圆清洗方法
CN117654838B (zh) * 2024-01-31 2024-04-26 江苏天网光电科技有限公司 一种高压发生器灌封治具

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001506061A (ja) * 1997-09-24 2001-05-08 アンテルユニヴェルシテール・ミクロ―エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ 表面から液体を除去する方法及び装置
JP2003536269A (ja) * 2000-06-21 2003-12-02 ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング 基板を洗浄した後に接合するための方法および装置
KR20060108429A (ko) * 2005-04-13 2006-10-18 삼성전자주식회사 반도체 기판을 세정하는 장치 및 방법
JP2007165746A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Tokyo Electron Ltd 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体

Family Cites Families (47)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07105336B2 (ja) * 1992-08-27 1995-11-13 日本電気株式会社 レジスト現像方法
JP3402932B2 (ja) 1995-05-23 2003-05-06 東京エレクトロン株式会社 洗浄方法及びその装置
TW386235B (en) 1995-05-23 2000-04-01 Tokyo Electron Ltd Method for spin rinsing
JPH09213610A (ja) 1996-02-05 1997-08-15 Miyazaki Oki Electric Co Ltd 基板処理装置及び処理方法
JPH10284360A (ja) 1997-04-02 1998-10-23 Hitachi Ltd 基板温度制御装置及び方法
US6334902B1 (en) 1997-09-24 2002-01-01 Interuniversitair Microelektronica Centrum (Imec) Method and apparatus for removing a liquid from a surface
US6192600B1 (en) * 1999-09-09 2001-02-27 Semitool, Inc. Thermocapillary dryer
US6461428B2 (en) * 1999-12-06 2002-10-08 Toshiba Ceramics Co., Ltd. Method and apparatus for controlling rise and fall of temperature in semiconductor substrates
KR20010068646A (ko) * 2000-01-07 2001-07-23 박종섭 웨이퍼 가열장치
JP3958539B2 (ja) * 2001-08-02 2007-08-15 東京エレクトロン株式会社 基板処理装置及び基板処理方法
US7011715B2 (en) 2003-04-03 2006-03-14 Applied Materials, Inc. Rotational thermophoretic drying
JP4488780B2 (ja) 2003-05-28 2010-06-23 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
US8277569B2 (en) * 2004-07-01 2012-10-02 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate treating apparatus and substrate treating method
US7547181B2 (en) * 2004-11-15 2009-06-16 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate position correcting method and apparatus using either substrate radius or center of rotation correction adjustment sum
JP2006156648A (ja) * 2004-11-29 2006-06-15 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
CN100505154C (zh) * 2005-09-30 2009-06-24 株式会社日立高科技 基板干燥装置、基板干燥方法以及基板制造方法
US20070094885A1 (en) * 2005-11-03 2007-05-03 Alan Walter Apparatus and method for removing trace amounts of liquid from substrates during single-substrate processing
JP2007180426A (ja) 2005-12-28 2007-07-12 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理装置および基板処理方法
JPWO2007083358A1 (ja) 2006-01-17 2009-06-11 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
TW200802563A (en) 2006-04-18 2008-01-01 Tokyo Electron Ltd Liquid processing apparatus
JP2008016660A (ja) 2006-07-06 2008-01-24 Dainippon Screen Mfg Co Ltd 基板処理方法および基板処理装置
KR100809590B1 (ko) * 2006-08-24 2008-03-04 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 이를 이용한 기판 처리 방법
KR100829924B1 (ko) * 2006-09-12 2008-05-19 세메스 주식회사 스핀헤드 및 이를 이용하여 웨이퍼를 홀딩/언홀딩하는 방법
JP4762098B2 (ja) * 2006-09-28 2011-08-31 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5043406B2 (ja) * 2006-11-21 2012-10-10 大日本スクリーン製造株式会社 基板乾燥方法および基板乾燥装置
US7964042B2 (en) 2007-07-30 2011-06-21 Dainippon Screen Mfg. Co., Ltd. Substrate processing apparatus and substrate processing method
JP5188216B2 (ja) * 2007-07-30 2013-04-24 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置および基板処理方法
JP5080954B2 (ja) 2007-12-17 2012-11-21 日本発條株式会社 ヒータユニットとその製造方法
JP4988615B2 (ja) 2008-01-31 2012-08-01 大日本スクリーン製造株式会社 基板処理装置
US8375885B2 (en) * 2008-02-26 2013-02-19 Indsale Limited Blister package assembly and method and system for manufacturing the same
US8540819B2 (en) * 2008-03-21 2013-09-24 Ngk Insulators, Ltd. Ceramic heater
JP5413016B2 (ja) * 2008-07-31 2014-02-12 東京エレクトロン株式会社 基板の洗浄方法、基板の洗浄装置及び記憶媒体
JP5280964B2 (ja) * 2008-09-04 2013-09-04 東京エレクトロン株式会社 成膜装置、基板処理装置、成膜方法及び記憶媒体
CN101738069A (zh) * 2008-11-06 2010-06-16 奇美电子股份有限公司 真空干燥软烤设备及真空干燥软烤工艺
JP4816747B2 (ja) * 2009-03-04 2011-11-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置及び液処理方法
KR101067608B1 (ko) * 2009-03-30 2011-09-27 다이닛뽕스크린 세이조오 가부시키가이샤 기판처리장치 및 기판처리방법
JP5712101B2 (ja) * 2010-12-24 2015-05-07 東京エレクトロン株式会社 基板処理方法及び基板処理装置
JP5254308B2 (ja) * 2010-12-27 2013-08-07 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法及びその液処理方法を実行させるためのプログラムを記録した記録媒体
US20120260947A1 (en) * 2011-04-12 2012-10-18 Satoshi Kaneko Substrate cleaning apparatus, substrate cleaning method, and computer-readable recording medium having substrate cleaning program recorded therein
JP5885989B2 (ja) * 2011-10-13 2016-03-16 東京エレクトロン株式会社 液処理装置、液処理方法および記憶媒体
JP5837829B2 (ja) * 2012-01-11 2015-12-24 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
CN103295936B (zh) * 2012-02-29 2016-01-13 斯克林集团公司 基板处理装置及基板处理方法
KR101512560B1 (ko) 2012-08-31 2015-04-15 가부시키가이샤 스크린 홀딩스 기판처리장치
JP6010398B2 (ja) 2012-08-31 2016-10-19 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理装置
JP6131162B2 (ja) 2012-11-08 2017-05-17 株式会社Ｓｃｒｅｅｎホールディングス 基板処理方法および基板処理装置
JP6276924B2 (ja) 2013-03-18 2018-02-07 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置
JP6351993B2 (ja) 2013-03-18 2018-07-04 芝浦メカトロニクス株式会社 基板処理装置及び基板処理方法

Patent Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2001506061A (ja) * 1997-09-24 2001-05-08 アンテルユニヴェルシテール・ミクロ―エレクトロニカ・サントリュム・ヴェー・ゼッド・ドゥブルヴェ 表面から液体を除去する方法及び装置
JP2003536269A (ja) * 2000-06-21 2003-12-02 ズス・マイクロテック・リソグラフィ・ゲゼルシャフト・ミット・ベシュレンクテル・ハフツング 基板を洗浄した後に接合するための方法および装置
KR20060108429A (ko) * 2005-04-13 2006-10-18 삼성전자주식회사 반도체 기판을 세정하는 장치 및 방법
JP2007165746A (ja) * 2005-12-16 2007-06-28 Tokyo Electron Ltd 液処理方法、液処理装置、制御プログラム、およびコンピュータ読取可能な記憶媒体

Also Published As

Publication number Publication date
US9728443B2 (en) 2017-08-08
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