TWI829326B - 基板處理裝置 - Google Patents

Abstract

本發明涉及一種基板處理裝置，具體而言，涉及一種可在高壓和低壓之間轉換從而執行基板處理的基板處理裝置。本發明公開一種基板處理裝置，其包括：製程腔體(100)，基板支撐部(200)，內蓋部(300)，以及內蓋驅動部(600)；其中上述內蓋部(300)包括：內蓋(310)；以及氣體供應流路(320)。

Description

基板處理裝置

本發明涉及一種基板處理裝置，具體而言，是通過在高壓和低壓作用下，執行基板處理的基板處理裝置。

基板處理裝置是對晶片等基板進行製程處理的裝置，通常是可以對基板進行蝕刻、沉積、熱處理等製程。

此時，當沉積完成後在基板上形成膜時，需要進一步在薄膜形成後對膜內進行不純物的去除以及改善薄膜特性的製程。

特別是隨著三維半導體元件中具有高縱橫比的基板的出現，為了能滿足台階覆蓋率的規格，必然會通過使用降低沉積溫度或使用雜質含量高的氣體的方法來，但膜內雜質的去除將變得更加困難。

因此，現實就要求開發能改善薄膜特性的基板處理方法及執行該方法的基板處理裝置，即在基板上形成薄膜後，在不降低薄膜特性的情況下去除薄膜內存在的雜質。

並且，不僅基板上的薄膜，在腔體內部殘留的微量雜質等沉積時也會造成薄膜的污染，因此，為了解決上述問題，有必要清除包括支撐基板的基板支撐部的腔體內部的雜質等。

為了改善上述這些問題，習知的韓國專利申請第10-2021-0045294A號公開了一種基板處理方法，其能通過重複形成高壓和低壓的環境來減少基板表面和腔體內部的不完整性，進而改善薄膜特性。

但當將上述基板處理方法應用於習知的基板處理裝置時，由於處理基板的處理空間的體積相對較大，無法實現快速的壓力變化，對於在短時間內反復從低壓的0.01托(Torr)到高壓的5巴(Bar)水平的壓力範圍內執行相應製程是無法實現的，因此存在這樣的現實問題。

為了改善該問題，將習知的基板處理裝置的處理空間體積最小化，但是由於用於向處理空間中供應處理氣體的供氣部的結構性限制，仍然存在死角，又會出現此類問題。

並且，將有限的處理空間內的體積最小化，同時單獨安裝供氣部，進而將供氣部設置於與基板支撐部相鄰位置上，這樣就能從基板邊緣一側供應處理氣體。但這樣就又不能將處理氣體平穩地傳遞到基板中心側，造成不能執行均勻的基板處理的問題出現。

特別是在傳統的基板處理裝置裡，由於在基板支撐部和供氣部之間設置用於處理空間排氣的泵吸流路，因此不能將處理氣體供應到基板中心側，導致這樣的問題出現。

並且，習知基板處理裝置的問題在於，由於通過在高壓和低壓之間進行反復變壓來執行基板處理，因此容易損壞密閉處理空間的密封部件，導致內部製程氣體容易從高壓環境中洩漏或從低壓環境中流入外部進來的雜質。

並且，習知的基板處理裝置的問題在於，由於對反復對單一產線在高壓和低壓之間進行變壓來完成處理空間的排氣，與外部連接的外部真空泵暴露在高壓下而受損，導致耐久性下降。

並且，由於處理空間得到了最小化處理，因此基板的導入和匯出就存在一定困難，這導致基板的轉移就產生了問題。

但是，當利用習知的基板處理裝置來執行相應製程時，由於基板處理空間中的壓力發生劇變，進而導致發生溫度變化。並且由於不能主動地控制這種溫度變化，所以這就使基板處理的完成度有所降低，存在這樣的問題。

更具體而言，當通過支撐基板的基板支撐部加熱基板時，由於基板的處理表面和加熱器之間存在間接接觸，這導致的傳熱效率降低，基板支撐部和製程腔體的下部面之間的位置接近，進而造成了一定熱損失；以及由於安裝在基板支撐部內的加熱器的特性，在應對劇變的溫度時導致而無法控制基板溫度的問題會出現。

《技術問題》

本發明的目的在於，提供一種可解決上述問題的裝置，該裝置是可以順利將氣體供應至基板中心的基板處理裝置。

《解决問題的手段》

本發明的目的在於，解決如上所述的技術課題。本發明公開了一種基板處理裝置，包括：製程腔體，在底面中心側形成安裝槽，並形成內部空間；以及基板支撐部，內插設置於上述安裝槽，基板設置於其上面；以及內蓋部，在上述內部空間可進行上下移動，在下降時其部分結構與上述安裝槽相鄰的底面緊密接觸，將上述內部空間分割成基板支撐部所在內部的密封的處理空間以及餘下的非處理空間；以及內蓋驅動部，貫通上述製程腔體上部，驅動其上下移動；其中上述內蓋部包括：內蓋，可在上述內部空間進行上下移動；以及氣體供應流路，設置以在上述內蓋內部與上述處理空間之間相連通。

本發明進一步包括：供氣部，設置於上述內蓋部的下部，通過上述氣體供應流路將供應的製程氣體向上述處理空間噴射。

上述供氣部包括：噴射平板，設置於上述內蓋部的下側，並設置有多個噴射孔。

上述供氣部進一步包括：噴射平板支撐部，支撐上述噴射平板的邊緣位置，並結合於上述內蓋部底面。

上述供氣部進一步包括：多個緊固部件，貫通上述噴射平板支撐部並結合於上述內蓋部。

上述噴射平板分隔設置於上述內蓋部的下側，並在與上述內蓋部之間的位置形成製程氣體擴散的擴散空間。

上述噴射平板可以由金屬或者石英材料構成。

上述噴射平板支撐部可包括：支撐台階，向內面中心一側形成凸起結構，形成上述噴射平板底面的邊緣部位。

上述內蓋形成有插入安裝槽，上述供氣部的至少一部分插入於其底面。

上述插入安裝槽的內面從邊緣位置向中心一側形成沿上側越來越高的傾斜結構。

上述供氣部插入設置於上述插入安裝槽的狀態下，其底面形成上述內蓋的底面和平面。

上述內蓋在底面中心側形成於上述氣體供應流路末端相連接的氣體導入槽。

上述供氣部進一步包括：擴散部件，插入設置於上述氣體導入槽340，使供應的上述製程氣體擴散。

上述擴散部件其側面可形成傾斜面，沿中心越來越高。

上述製程腔體包括：氣體導入流路，向與上述內蓋部相接觸的下部面供應從外部導入的上述製程氣體；上述內蓋部通過下降與上述底面120緊密接觸，將上述氣體導入流路和上述氣體供應流路相連接，將製程氣體供應至上述氣體供應流路。

上述氣體供應流路可包括：垂直供應流路，設置於與內蓋邊緣側的氣體導入流路相對應的位置，並與氣體導入流路相連接；以及水平供應流路，設置於上述垂直供應流路到內蓋中心側。

本發明包括：處理空間壓力調節部，與上述處理空間連通，對上述處理空間的壓力進行調節；以及非處理空間壓力調節部，與上述非處理空間連通，能獨立於上述處理空間對上述非處理空間的壓力進行調節；以及控制部，通過上述處理空間壓力調節部和上述非處理空間壓力調節部對上述處理空間和上述非處理空間的壓力進行調節的控制。

上述處理空間壓力調節部包括：向上述處理空間供應製程氣體的供氣部；以及對上述處理空間進行排氣的排氣部；上述非處理空間壓力調節部包括：非處理空間排氣部，與上述製程腔體的一側面上形成的排氣端口相連接，對上述非處理空間進行排氣；以及非處理空間供氣部，與上述製程腔體的另一側面形成的供氣端口相連接，向上述非處理空間供應填充氣體。

上述控制部至少控制上述處理空間壓力調節部以及上述非處理空間壓力調節部中的其中一個，在上述內蓋部在上升前，使上述處理空間和上述非處理空間的壓力相互趨於相同。

上述控制部通過上述處理空間壓力調節部，將用於基板處理並安裝上述基板的上述處理空間的壓力進行變壓調節，使其處於高於常壓的第一壓力和低於常壓的第二壓力範圍之間。

上述控制部通過上述非處理空間壓力調節部在執行基板處理的期間，對上述非處理空間的壓力進行調節，維持成真空。

上述控制部可通過上述非處理空間壓力調節部在執行基板處理的期間，對上述非處理空間的壓力進行調節，使其低於上述處理空間的壓力。

上述控制部可以通過上述處理空間壓力調節部從第一壓力降低處理空間的壓力至常壓，並再從常壓逐步降低處理空間的壓力，直至達到真空的第二壓力。

上述控制部可以通過處理空間壓力調節部將處理空間的壓力從第一壓力經由第二壓力再調整至第一壓力，如此依次反復執行變壓。

本發明進一步包括：溫度調節部，設置於上述內蓋部，並且可以用於調節位於處理空間的基板的溫度。

上述基板支撐部可以包括：基板支撐板，在上面上安裝有上述基板；基板支撐柱，貫通上述安裝槽底部並與上述基板支撐板連接；以及內部加熱器，安裝在上述基板支撐板內部。

上述溫度控制部包括：溫度調節板，設置於上述內蓋部，對上述基板進行加熱或冷卻；以及桿部，貫通上述內蓋，與上述溫度調節板相結合。

上述溫度調節平板可設置於與上述基板相對應的上述內蓋部的中心側所形成的貫通口。

上述溫度調節部進一步包括：緩衝板，在上述內蓋部的下側與貫通口相結合，並覆蓋上述溫度調節板。

上述溫度調節部進一步包括：蓋板，在上述內蓋部的上側覆蓋貫通口而設置。

上述溫度調節板，可設置於上述內蓋部的底面中與上述基板相對向的位置上。

上述溫度調節部可以是用於加熱上述基板的LED加熱器或鹵素加熱器。

上述溫度調節板可以插入設置於與上述基板相對應的上述內蓋部上部面中心側形成的插入槽。

上述溫度調節板可包括：至少兩個溫度調節領域，平面上相互區分，並且能相互獨立地對溫度進行調節。

溫度調節區域可包括：第一溫度調節區域，其與平面上圓形的溫度調節板共用一個中心，並且在與基板的中心相對應的位置處被劃分為平面上的圓形；第三溫度調節區域，在上述溫度調節板的邊緣的位置被劃分出來；以及第二溫度調節區域，在上述第一溫度調節區域與第三溫度調節區域之間被劃分出來。

上述溫度調節部可進一步包括：溫度控制部，能控制加熱或冷卻，上述溫度控制部調控溫度，使第三溫度調節區域的溫度高於上述第一溫度調節區域的溫度。

上述溫度調節部還可包括：溫度控制部，能控制加熱或冷卻，上述溫度控制部，利用上述溫度調節部，在上述處理空間進行變壓的期間，對上述基板或者上述處理空間的溫度進行維持穩定不變。

本發明中的處理裝置，包括：製程腔體，形成內部空間，並在其一側形成閘門；以及基板支撐部，基板設置於其上面；以及內蓋部，與上述基板支撐部相對向設置，在內部空間可進行上下移動。其中涉及到相關的基板處理方法，具體包括：基板導入步驟，通過設置於外部的移送機器人將上述基板通過上述閘門導入至上述內部空間並安裝於上述基板支撐部；處理空間形成步驟，通過上述基板導入步驟，在上述基板安裝於上述基板支撐部的狀態下，將上述內蓋部下移，使其部分結構緊貼於上述製程腔體的底面，從而將上述內部空間分割形成密封的處理空間以及除此之外剩下的非處理空間；以及基板處理步驟，對上述處理空間內安裝的上述基板執行基板處理。

本發明的基板處理方法，進一步包括：處理空間解除步驟，在完成基板處理步驟進行的基板處理之後，將內蓋部上移，從而解除封閉的處理空間；以及基板匯出步驟，通過設置於外部的移送機器人完成基板處理的基板，被上述閘門從內部空間匯出至外部。

上述基板導入步驟，上述處理空間形成步驟，上述基板處理步驟，上述處理空間解除步驟以及上述基板處理步驟，可以依次反復執行上述操作步驟。

本發明中的基板處理方法進一步包括：清潔步驟，在通過基板導入步驟向內部空間導入基板前，在內蓋部完成上升的狀態下，通過處理空間一側供應製程氣體並通過非處理空間一側進行製程氣體的排氣。

上述基板處理步驟可包括：將處理空間的壓力升高至高於常壓的第一壓力的升壓步驟；以及將處理空間的壓力從第一壓力下降為第二壓力的壓力降壓步驟。

此時，上述第二壓力可以是低於常壓的壓力。

上述降壓步驟可以包括：將處理空間的壓力從第一壓力下降到常壓的第一壓力下降步驟；以及將處理空間的壓力從常壓下降到低於常壓的第二壓力的第二壓力下降步驟。

上述基板處理步驟可對非處理空間的壓力進行維持，保持其以低於常壓的真空壓恆定不變。

上述處理空間解除步驟可以包括：壓力調節步驟，至少調節非處理空間和處理空間中的至少一個壓力，將非處理空間和處理空間之間的壓力差調節至預設水平以下；以及內蓋部上升步驟，通過上升內蓋部來解除處理空間。

上述壓力調節步驟將上述非處理空間與處理空間的壓力調節至相同壓力。

上述製程腔體進一步包括：閘門閥，可開閉上述閘門，同時還包括：閘門關閉步驟，在處理空間形成步驟之後通過閘門閥關閉閘門，從而將內部空間密封。

《發明效果》

本發明中的基板處理裝置的優點在於，通過將腔體內部的基板處理空間的體積最小化，提高較寬壓力範圍的壓力變化速度，從而完成從低壓0.01Torr到高壓5Bar，1Bar/s的快速壓力變化的壓力轉化。

並且，本發明中的基板處理裝置的優點在於，當從基板支撐部的上側噴射製程氣體時，省略了在基板支撐部相鄰位置處單獨設置供氣部，從而可以減小死角的體積實現了體積的最小化。

並且，本發明中的基板處理裝置的優點在於，由於從基板支撐部上側向基板噴射製程氣體，不僅可以向基板邊緣側供應，還可以向中心側順利地供應製程氣體，從而實現均勻的基板處理。

並且，本發明中的基板處理裝置的優點在於，在處理空間和製程腔體外部空間之間設置非處理空間的一種緩衝空間，從而防止處理空間中的處理氣體等有害物質洩漏至製程腔體外部，這樣就能提高基板處理的安全性。

並且，本發明中的基板處理裝置的優點在於，在處理空間和製程腔體的外部空間之間設置非處理空間，通過控制非處理空間的壓力，防止雜質等流入至處理空間，從而提高基板處理的質量。

並且，本發明中的基板處理裝置的優點在於，通過根據壓力對處理空間的排氣進行二元化處理，從而提高處理空間的排氣效率，進而進一步提高裝置結構的耐久性。

並且，本發明中的基板處理裝置，其優點在於：可以在將處理腔體內部處理基板的處理空間的體積最小化，與此同時還能輕鬆地將基板導入和匯出至腔體內部。

本發明中的基板處理裝置，其優點在於：通過將處理基板的處理空間的體積最小化，可以提高更寬壓力範圍的壓力轉換速度，並響應於基板的溫度變化進行精確的溫度控制。

特別是本發明中基板處理裝置的另一優點在於，在急劇的加壓減壓作用的壓力變化下，即使由此引起了溫度變化，也可以通過調節基板的溫度來維持基板的溫度保持穩定，進而可增大製程效果並形成均勻的膜質。

並且，本發明中基板處理裝置還具有以下優點：由於是直接在基板處理表面上側執行加熱或冷卻，因此溫度補償快，這樣就可以快速且精確地實現溫度的控制。

以下將參照附圖，針對本發明的基板處理裝置進行詳細地說明。

本發明中的基板處理裝置如圖1所示，包括：腔體主體110，其上部開放並在底面120中心側形成安裝槽130，在一側形成包括用於導入基板1的閘門111；以及製程腔體100，結合於上述腔體主體110的上部，並包括並形成非處理空間S1的頂蓋140；以及基板支撐部200，內插設置於上述安裝槽130，其上面安裝有基板1；內蓋部300，設置於上述內部空間並可進行上下移動，通過下降移動，其一部分與上述安裝槽130相鄰的上述底面120緊貼，形成上述基板支撐部200位於內部的密閉的處理空間S2；內蓋驅動部600，貫通設置於上述製程腔體100的上部，驅動上述內蓋部300進行上下移動。

並且，本發明中的基板處理裝置包括：處理空間壓力調節部400，與處理空間S2相連通，調節上述處理空間S2的壓力；以及非處理空間壓力調節部500，與上述非處理空間S1相連通，能獨立於上述處理空間S2並對上述非處理空間S1的壓力進行調節。

並且，本發明中的基板處理裝置，還可以進一步包括：控制部，該控制部利用處理空間壓力調節部400和非處理空間壓力調節部500來控制處理空間S2和非處理空間S1的壓力。

並且，本發明中的基板處理裝置，可以包括：填充部件700，安裝在基板支撐部200和安裝槽130的內部面之間，並且至少佔據基板支撐部200和安裝槽130的內部面之間空間的一部分。

並且，本發明中的基板處理裝置還可進一步包括：基板支撐銷部800，支撐被導入和匯出至製程腔體100的基板1並設置在基板支撐部200上。

並且，本發明中的基板處理裝置，包括：溫度調節部1100，設置於內蓋部300，對位於處理空間S2的基板1進行溫度的調節。

在這裡，成為處理對象的基板1可以理解為是包括LCD、LED、OLED等顯示裝置中使用的基板、半導體基板、太陽能電池基板、玻璃基板等所有基板裝置。

上述製程腔體100作為在內部形成內部空間的結構，可以具有多種結構形態。

例如，上述製程腔體100可以包括：頂部開口的腔體主體110；以及頂蓋140，覆蓋腔體主體110頂部的開口，並與腔體主體110一起形成密閉的非處理空間S1。

並且，上述製程腔體100可以包括：形成內部空間的底部的底面120；以及設置於底面120上並設置基板支撐部200的安裝槽130。

並且，上述製程腔體100可以進一步包括：閘門閥150，用於打開和關閉在腔體主體110的一側上形成的閘門111，從而將基板1導入。

並且，上述製程腔體100，為了能順利安裝後述的基板支撐銷部800中的基板支撐環820，還可以額外包括：設置於下部面的支撐銷安裝槽160。

並且，上述製程腔體100，可以包括氣體導入流路190，從外部將導入的氣體供應至與內蓋部300相接觸的下部面。

並且，上述製程腔體100可以進一步包括：供氣端口170，在一側與後述的非處理空間供氣部510相連接，並將填充氣體供應至非處理空間S1。

並且，上述製程腔體100可以進一步包括：排氣端口180，在另一側與後述的非處理空間排氣部相連接，使非處理空間S1進行排氣。

上述腔體主體110的頂部開放，並與後述的頂蓋140一起在內部形成密閉的非處理空間S1。

此時，腔體主體110可以由包括鋁在內的金屬材料構成，並且在另一例中可以由石英材料製成，與習知技術中公開的腔體相類似地設置成直六面形形狀。

上述頂蓋140，結合於上部開放的腔體主體110的上側，在結構上可以與腔體主體110一起在內部形成密閉的非處理空間S1。

此時，上述頂蓋140可以形成與腔體主體110的形狀相對應的平面矩形形狀，並且可以由與腔體主體110相同的材料構成。

並且，上述頂蓋140可以形成有多個貫通孔，用於使後述的內蓋驅動部600貫通設置，並且其底面與後述的第一波紋管630的端部相結合，這樣就可以防止各種氣體和異物洩漏到外部。

另外，省略頂蓋140的結構並將腔體主體110設置成其內部形成密閉的非處理空間S1的一體型結構，當然也是可以的。

上述製程腔體100，可以包括：在內側下部面形成非處理空間S1的底板的底面120；以及形成於底面120上並設置後述的基板支撐部200的安裝槽130。

更具體而言，如圖1所示的上述製程腔體100，與下部面中的中心側上形成與後述基板支撐部200相對應的階梯狀結構，並形成安裝槽130，在安裝槽130的邊緣位置處形成底面120。

即，上述製程腔體100，在內側下部面上形成用於設置基板支撐部200的安裝槽130，其具有台階狀結構，其他部分可被定義為底面120，其高度要高於安裝槽130的高度。

上述閘門閥150是用於打開和關閉在腔體主體110的一側上形成的閘門111，作為具有這種可以導入基板1的結構，可以具有多種結構形態。

此時，上述閘門閥150通過上下驅動和前進後退驅動與腔體主體110完成緊密接觸或解除，這樣就可以關閉或打開閘門111。作為另一個例，可以通過沿對角線方向的單一驅動方式打開或關閉閘門111，在此過程中還可以應用氣缸、凸輪、電子器件等習知技術公開的多種形式的驅動方法。

上述支撐銷安裝槽160是支撐基板1並設置於基板支撐部200，又或是從基板支撐部200向上分隔以支撐基板1的結構，並且作為用於設置使基板1被導入和匯出的基板支撐銷部800的結構，可以具有多種結構形態。

例如，上述支撐銷安裝槽160可以形成為與基板支撐環820相對應的平面轉環形槽，用於安置後述的基板支撐環820。

此時，上述支撐銷安裝槽160可以設置於製程腔體100的下部面，與安裝基板支撐環820的位置相對應，更具體而言，還可以設置於安裝槽130。

即，上述支撐銷安裝槽160可以設置於從底面120開始形成台階狀結構的安裝槽130，並且在安置有基板支撐環820的狀態下具有一定的深度，使其能夠上下移動。

由此，上述支撐銷安裝槽160設置有基板支撐環820，多個基板支撐銷810向上貫通填充部件700和基板支撐平板210。

另外，支撐銷安裝槽160形成於安裝槽130並形成有一定體積，這樣由後述的內蓋部300形成的處理空間S2體積就會增加，存在這樣的問題。

為了改善上述問題，通過在安裝槽130中安裝後述的填充部件700，同時通過將支撐銷安裝槽160覆蓋，這樣可以阻隔處理空間S2和支撐銷安裝槽160之間形成的空間，將處理空間S2的體積降低至最小。

更具體而言，當上述支撐銷安裝槽160不存在時，就需要在基板支撐平板210下方單獨設置基板支撐銷810和基板支撐環820的空間，這樣就造成了死角的增大。為了能消除死角，可以支撐銷安裝槽160，這樣能使基板支撐銷810和基板支撐環820在下降時可插入於內部。

另外，與上述不同的是，支撐銷安裝槽160不設置在製程腔體100的底面120上，可以將其設置於設置在安裝槽130的填充部件700。

即上述支撐銷安裝槽160，在填充部件700的上部面具有一定深度，具體而言，其具有的深度與基板支撐環820和基板支撐銷810的嵌入深度相當，在嵌入於填充部件700中的狀態下，可以上升以支撐基板1。

另外，此時的基板支撐銷810可貫通填充部件700而設置。

上述供氣端口170，可以是設置於製程腔體100的腔體主體110的一側並且與非處理空間供氣部510相連接的結構。

例如，上述供氣端口170可以通過加工而形成於腔體主體110的一側，或者設置於腔體主體110的一側上形成的通孔口。

因此，上述供氣端口170，設置有非處理空間供氣部510並可以連接非處理空間S1和非處理空間供氣部510，這樣就可以向非處理空間S1供應填充氣體。

上述排氣端口180，是設置於製程腔體100的腔體主體110的另一側並且可以是非處理空間排氣部520的結構。

例如，上述排氣端口180可以是通過加工而形成於腔體主體110的另一側，或者是設置於腔體主體110的另一側所形成的貫通口。

因此上述排氣端口180可以通過安裝非處理空間排氣部520來執行對非處理空間S1的排氣。

上述氣體導入流路190作為設置於製程腔體100的下部面，即將從外部導入的製程氣體供應至與內蓋部300接觸的位置上的結構，可以具有多種結構形態。

例如，上述氣體導入流路190可以通過貫通腔體主體110的下部面或側面並與外部的製程氣體存儲部連接，下部面中的內蓋部300，特別是在後述的氣體供應流路320相對應的位置上形成末端。

當上述氣體導入流路190在內蓋部300下降後與底面120緊密接觸時，就可與氣體供應流路320連接，進而將製程氣體供應至氣體供應流路320。

另外，在上述情況下的上述氣體導入流路190，可以通過安裝在製程腔體100的下部面上的管道而形成，作為另一例，可以通過加工形成於腔體主體110內部。

並且，上述氣體導入流路190可形成於在製程腔體100下部面中的與後述的氣體供應流路320相對應的基板1邊緣相鄰的位置中的至少某一個位置上。

上述基板支撐部200設置於製程腔體100，作為安置基板1在上部面的結構，可以具有多種結構形態。

即上述基板支撐部200，通過將基板1設置在上部面來支撐處理的基板1並在基板處理過程中將其固定。

並且上述基板支撐部200通過在內部設置加熱器，可以形成用於基板處理的處理空間S2的溫度環境。

例如，上述基板支撐部200可以包括：基板支撐平板210，其上面設置有上述基板1；以及基板支撐柱220，貫通上述安裝槽130的底部，與上述基板支撐平板210相連接；以及設置於上述基板支撐平板210內部的上述內部加熱器230。

上述基板支撐平板210，作為在其上部面安裝有基板1的結構，可以是與基板1的形狀相對應的平面圓形平板狀結構。

此時上述基板支撐平板210內部設有加熱器，在處理空間S2上形成用於處理基板的製程溫度，這時的製程溫度約為400°C至700°C。

上述基板支撐柱220作為貫通製程腔體100的下部面並與基板支撐平板210連接的結構，可以具有多種結構形態。

上述基板支撐柱220貫通製程腔體100的下部面並可以與基板支撐平板210相結合，其內部設置有用於向加熱器供電的各種導線。

另外，本發明中的基板處理裝置如圖2所示，是在短時間內反復改變高壓和低壓壓力環境從而完成基板處理，更具體而言，需要以1Bar/s水平的壓力變化速度反復從5Bar改變至0.01Torr的壓力範圍。

但是考慮到腔體主體110的內部空間具有的龐大空間體積，無法實現上述壓力變化速度，因此有必要將用於基板處理的處理空間S2的體積降低至最低。

為此，本發明中的基板處理裝置包括：內蓋部300，設置於內部空間並能進行上下移動，通過下降移動與的一部分與製程腔體100緊密接觸以使基板支撐部200在內部形成密閉的處理空間S2。

上述內蓋部300，設置於內部空間並可進行上下移動，通過下降移動其一部分可以緊貼於製程腔體100，可以是形成基板支撐部200在內部形成密閉的處理空間S2的結構。

即上述內蓋部300設置於內部空間並可進行上下移動，通過下降移動其一部分就能緊貼於與安裝槽130相鄰的底面120，可以將內部空間劃分為基板支撐部200所在的密閉的處理空間S2；以及除此之外的非處理空間S1。

因此，上述內蓋部300，可以設置於內部中的基板支撐部200的上側，並可進行上下移動，通過下降移動與製程腔體100的內部面中的至少一部分緊密接觸，從而可以根據需要在與製程腔體100的內側下部面之間形成密閉的處理空間S2。

因此上述基板支撐部200位於處理空間S2內，並可以在體積最小化的處理空間S2內執行安裝在基板支撐部200上的基板1的基板處理。

例如，在上述內蓋部300在下降後，其邊緣位置與底面120緊密接觸從而可以在底面與製程腔體100的內側下部面之間形成密閉的處理空間S2。

另外，作為另一個例，上述內蓋部300通過下降使其邊緣與製程腔體100的內側面緊密接觸，從而形成密封處理空間S2的這種方式當然是可以的。

在上述內蓋部300，其邊緣通過下降與底面120緊密接觸從而形成密封的處理空間S2，並且安裝於安裝槽130的基板支撐部200可以設置於處理空間S2內。

即上述內蓋部300如圖2所示，通過下降移動後，其邊緣就緊貼於與安裝槽130形成台階狀結構並位於較高位置的底面120，這樣底面120與安裝槽130之間的位置就能形成密閉的處理空間S2。

此時，在安裝槽130設置基板支撐部200，更具體而言，通過設置基板支撐平板210和填充部件700，將處理空間S2的體積最小化，並使基板1處於上面位置。

在此過程中，為了使處理空間S2的體積最小化，安裝槽130的設置形狀與設置有處理空間S2的基板支撐部200相對應的形狀。具體而言，可以形成與圓形基板支撐平板210相對應的圓柱狀的槽結構。

即在安裝槽130形成的安裝空間中，除了基板支撐平板210和填充部件700安裝的空間外，為了將剩餘空間最小化，可以形成與基板支撐平板210的形狀相對應的形狀。

在此過程中，為了防止安裝在基板支撐平板210上面的基板1和內蓋部300之間產生干擾，相比於安裝在基板支撐板200上的基板1的上面的高度，底面120的設置高度要高一些。

另外，隨著安裝在基板支撐部200上的基板1和內蓋部300的底面之間的間隔越寬，這也就意味著處理空間S2的體積也就越大。因此，在防止基板1和內蓋部300之間產生干擾的同時，可以在使它們之間間隔最小的位置處，設置為底面120的高度。

上述內蓋部300作為通過內蓋驅動部600而進行上下移動的結構，可以具有多種結構。

上述內蓋部300可以是通過內蓋驅動部600在內部空間內進行上下移動的結構。

此時，上述內蓋部300可以覆蓋平面上的安裝槽130，並且其邊緣部分大小結構與底面120的一部分形成相對應的關係，同時邊緣部分與底面120緊貼後，就可在與安裝槽130之間的位置形成密閉的處理空間S2。

另外，作為另一例的上述內蓋部300，其邊緣部分緊貼與製程腔體100的內側面從而形成處理空間S2，這樣的方式也是當然可以的。

另外，為了能夠有效地實現和保持沿上下方向移動並形成的密閉處理空間S2內的製程溫度，上述內蓋部300可以由絕熱效果優異的材料構成，這樣就能夠防止處理空間S2的溫度損失至內部空間等其他結構。

並且，上述內蓋部300可以在內部設置氣體供應流路320，以便將從上述氣體導入流路190接收的製程氣體輸送於後述的供氣部410。

例如，上述內蓋部300可以包括：在內部空間可上下移動的內蓋310；以及設置於上述內蓋310內部的氣體供應流路320，與內部處理空間S2相連通。

並且，上述內蓋310可形成插入安裝槽330，在其底面有插入設置的後述供氣部410。

並且，上述內蓋310的的底部中心側，可以形成與氣體供應流路320末端相連接的氣體導入槽340。

上述內蓋310作為在內部空間可上下移動的結構，其大小和形狀與覆蓋製程腔體100的安裝槽130的大小和形狀相對應。

例如，上述內蓋310作為圓形平板狀結構，可形成與基板1相對應的平面形狀。

上述氣體供應流路320作為設置於內蓋310內部並與處理空間S2相連通的結構，可以具有多種結構形態。

這時，上述氣體供應流路320與上述氣體導入流路190相類似，通過設置於內蓋310內部的管道而形成，作為另一例，並且可以通過加工設置於內蓋310的內部。

另外，上述氣體供應流路320在內蓋310下降後，其與底面120緊密接觸，這樣就能與能氣體導入流路190相連接，通過氣體導入流路190接收製程氣體，再通過後述的氣體導入槽340向供氣部410供應製程氣體。

為此，上述氣體供應流路320可包括：垂直供應流路321，設置於與內蓋310邊緣側的氣體導入流路190相對應的位置，並與氣體導入流路190相連接；以及水平供應流路322，設置於上述垂直供應流路321到內蓋310中心側。

即，在與內蓋310邊緣側的氣體導入流路190平面相對應的位置上設置垂直供應流路321，從氣體導入流路190接收製程氣體後，通過從垂直供應流路321延長並沿內蓋310中心側設置的水平供應流路322，將製程氣體輸送至上述氣體導入槽340。

在上述情況下，通過垂直供應流路321從氣體導入流路190接收製程氣體，為了將內蓋部300和製程腔體100接觸面產生的氣體洩漏降低至最低，垂直供應流路321的內徑可以大於或等於氣體導入流路190的內徑。

上述插入安裝槽330可以是後述的供氣部410中的至少一部分插入於內蓋310的底面的結構。

為此，上述插入安裝槽330可以在內蓋310的底面上形成與供氣部410相對應的形狀，並且可以在中心側額外設置氣體導入槽340。

此時，上述插入安裝槽330，在與後述的供氣部410之間位置形成擴散空間S3，為了增加擴散空間S3的體積，引導通過氣體導入槽340供應的製程氣體在水平方向上順利擴散，可以使內面從邊緣位置向中心側形成越來越高的傾斜結構。

即上述插入安裝槽330的內面可形成三角錐結構，邊緣位置一側沿下側方向的半徑越來大，形成傾斜的結構。

上述氣體導入槽340，在底面中心一側與氣體供應流路320末端連接，可以構成向擴散空間S3噴射製程氣體的結構。

此時，上述氣體導入槽340，其內面垂直設置，可以供應製程氣體。作為另一個例，其直徑向下越來越大形成傾斜的結構，這樣能引導供應的製程氣體在水平方向上，即向邊緣位置一側擴散並供應。

並且，如圖6至圖8所示的上述內蓋部300，可以是設置有後述溫度調節部1100的結構。

此時，上述內蓋部300可在中心側形成貫通口350，以便安裝後述的溫度調節部1100，具體而言是安裝溫度調節板1110和緩衝板1130，並且可以在上側的貫通口350安裝溫度調節板1110。

更具體而言，在上述內蓋部300的基板1和基板支撐平板210相對向的位置上設置貫通口350，進而設置溫度調節板1110。

此時，為了支撐溫度調節板1110，可以在貫通口350的上側沿內蓋310的半徑方向設置支撐台階370，並且通過使上述支撐台階370支撐上述溫度調節板1110的末端，這樣就能使溫度調節板1110可以穩定地支撐並設置於貫通口350。

此時，為了支撐溫度調節板1110，可以在貫通口350的上側沿內蓋310的半徑方向形成支撐台階370，並且通過將支撐台階370支撐溫度調節板1110的端部，從而使溫度調節板1110可以穩定地支撐並設置於貫通口350上。

另外，作為另一個例子，如圖8所示的上述內蓋部300可以在上部面形成插入槽360，以便將後述的溫度調節板1110插入並設置於內部。

即，上述內蓋310與前述不同，如圖8所示，在上部面形成單純的插入槽360，溫度調節板1110可以插入於內部而設置，此時插入槽360可以設置在與基板1和基板支撐部200相對的位置，即設置於內蓋310的中心側。

另外，這種情況也如上所述，當然可以在插入槽360的上側沿內蓋310的半徑方向設置支撐台階370，從而可以支撐插入設置於插入槽360的溫度調節板1110。

再進一步而言，這時的內蓋310可以由透明的材料構成，從而使插入槽360的下側部分390通過溫度調節板1110供應的熱量，或者從基板1和處理空間S2向溫度調節板1110供應的熱量能更容易地進行傳導。

即，內蓋310必須通過插入槽360的下側部分390，與基板1和處理空間S2進行熱交換。考慮到後述的溫度調節板1110的熱供應方式是利用LED加熱器或鹵素加熱器，在設置下側部分390時可以將部分結構由容易導熱的透明材料來構成。

上述處理空間壓力調節部400與處理空間S2相連通，作為調節處理空間S2壓力的結構，可以具有多種結構形態。

例如，上述處理空間壓力調節部400可以包括：向處理空間S2供應製程氣體的供氣部410；以及對處理空間S2進行排氣的排氣部420。

上述處理空間壓力調節部400，通過向處理空間S2供應製程氣體並適當地對處理空間S2排氣處理後，可以調節處理空間S2的壓力。如圖6所示，這樣就可以在短時間內反復在高壓和低壓之間改變壓力的環境。

此時，更具體而言，處理空間S2的壓力可以從5Bar到0.01Torr的壓力範圍之間，以1Bar/s的水平進行反復快速的壓力變化。

特別是，此時上述處理空間壓力調節部400可以將處理空間S2的壓力從第一壓力降低到常壓，並且可以將處理空間S2的壓力從常壓狀態，階段性地降低到真空的第二壓力。

另外，上述處理空間壓力調節部400可以將處理空間S2的壓力從第一壓力轉換成第二壓力後再轉換成第一壓力，這樣按順序重複變壓多次，就是為了執行基板的處理。

上述供氣部410作為設置於內蓋部300下部並將氣體供應流路320傳來的製程氣體向處理空間S2噴射的結構，可以具有多種結構形態。

例如，上述供氣部410包括：噴射平板412，設置於內蓋部300下側並具備多個噴射孔411；噴射平板支撐部413，支撐噴射平板412的邊緣並與內蓋部300底部相連接。

並且，上述供氣部410可以額外包括：多個緊固部件414，貫穿噴射平板支撐部413並與內蓋部300相結合。

上述噴射平板412設置於內蓋部300的下側，可以通過多個噴射孔411將製程氣體噴射至處理空間S2中。

此時，上述噴射平板412，以預設間隔分隔設置於上述內蓋部300，從而形成製程氣體擴散於與內蓋部300之間的擴散空間S3。

另外，上述噴射平板412可以由金屬或石英材料設置而成，特別是可以阻止從基板支撐部200產生的熱量直接傳遞到內蓋部300，這樣就可以防止內蓋部300因熱應力而產生彎曲或損壞的現象。

為此，上述噴射平板412可以由具有優異的隔熱性能的SUS或石英材料所構成，並且可以執行對底面進行隔熱性能的強化或者進行熱反射的表面處理。

上述噴射孔411在垂直方向上貫通上述噴射平板412，並且在整個面積上形成有多個，這樣就能對製程氣體進行均勻噴射。

上述噴射平板支撐部413作為支撐上述噴射平板412的結構，可具有多種結構形態。

例如，上述噴射平板支撐部413可設置成環形以包裹圓形噴射平板412的邊緣，並且通過支撐噴射平板412的邊緣位置來引導噴射平板412的安裝。

為此，上述噴射平板支撐部413在內面向中心側突出形成支撐台階部415，形成有噴射平板412底面邊緣位置，這樣可以防止噴射平板412和內蓋部300之間產生直接的接觸，緩衝上述噴射平板412的熱變形，進而防止對內蓋部300產生的直接加熱。

另外，如圖4所示的上述噴射平板支撐部413，通過多個緊固部件414貫通，並且緊固部件414緊固於內蓋310的底部，由此就可以支撐噴射平板412。

在這種情況下，上述供氣部410可以插入設置於插入安裝槽330，並且在插入於插入安裝槽330的狀態下，底面，即噴射平板412和噴射平板支撐部413的底部可以與內蓋310的底部形成平面結構。

另外，上述供氣部410可以額外設置：擴散部件（未圖示），插入設置於氣體導入槽340使供應的製程氣體沿水平方向擴散。

此時，上述擴散部件形成在側面上傾斜面形成正方向的圓錐體或圓錐台形狀，以使得其高度沿中心而不斷增加的結構，並且通過氣體導入槽340使供應的製程氣體沿邊緣側的水平方向擴散。

為此，上述擴散部件可以支撐設置於內蓋310的底部，作為另一例，可以安裝設置於噴射平板412的上面位置。

上述排氣部420是對處理空間S2執行排氣的結構，可以具有多種結構形態。

例如，上述排氣部420與處理空間S2相連通，包括設置在外部的外部排氣裝置，從而控制處理空間S2的排氣量，進而調節處理空間S2的壓力。

上述非處理空間壓力調節部500，與非處理空間S1相連通，並且作為獨立於處理空間S2而對非處理空間S1的壓力進行調節的結構，可以具有多種結構形態。

特別是非處理空間壓力調節部500可以獨立於上述處理空間S2，對與處理空間S2分隔而形成的非處理空間S1的壓力可進行單獨調節。

例如，非處理空間壓力調節部500，與上述非處理空間S1連通，並且可以包括：向上述非處理空間S1供應填充氣體的非處理空間供氣部510；以及對非處理空間S1進行排氣的非處理空間排氣部520。

上述非處理空間供氣部510連接至上述供氣端口170，並可以向非處理空間S1供應填充氣體，由此就可以調節非處理空間S1的壓力。

上述非處理空間排氣部520與上述排氣端口180相連接，作為對非處理空間S1進行排氣的結構，可以對非處理空間S1的壓力進行調節。

另外，上述非處理空間供氣部510和上述非處理空間排氣部520只要是執行習知技術中公開的對填充氣體進行供應和排氣的結構，可以適用任何結構。

另外，用於調節非處理空間S1壓力的非處理空間壓力調節部500和處理空間壓力調節部400，其相關結構可以通過共享同一個外部排氣裝置來連接，作為另一個例子，還可以是連接至獨立的外部排氣裝置來進行排氣，這種設置結構當然是可以的。

並且，非處理空間壓力調節部500和處理空間壓力調節部400的結構，可以是通過共享相同的外部真空泵來連接，並且作為另一個例子，可以連接到獨立的外部真空泵來進行泵吸，這種設置結構當然也是可以的。

上述，非處理空間壓力調節部500將設置有基板1的處理空間S2的壓力從高於常壓的第一壓力轉變為第二壓力，在此過程中，可以保持非處理空間S1的壓力保持恆定。

此時，非處理空間壓力調節部500可以在基板處理期間將非處理空間S1的壓力維持成真空狀態，並且在此過程中可以保持其壓力低於或等於處理空間S2的壓力。

即，非處理空間壓力調節部500在基板處理過程中，可將非處理空間S1的壓力保持為恆定的第2壓力，即0.01 Torr，從而使其壓力保持低於或者等於處理空間S2的壓力，這樣就能防止非處理空間S1的雜質等異物流入於處理空間S2。

另外，作為另一個例子，非處理空間壓力調節部500可以改變非處理空間S1的壓力，在此過程中也可以使其壓力值低於處理空間S2的壓力值。

另外，上述非處理空間壓力調節部500，可以在基板處理過程中僅通過排氣來控制和調節非處理空間S1的壓力，此時無需向非處理空間S1供應填充氣體。

即，上述非處理空間壓力調節部500，無需供應非處理空間供氣部510供應來的填充氣體，僅利用非處理空間排氣部520就可以對非處理空間S1的壓力進行調節。

另外，作為另一個例子，非處理空間壓力調節部500向非處理空間S1供應填充氣體，在非處理空間排氣部520進行排氣的同時，與其一起調節非處理空間S1的壓力。

另外，與前述不同的是，非處理空間壓力調節部500可以是在製程腔體100，即形成於腔體主體110的一側的排氣端口180，以及作為形成於另一側並將從外部供給來的填充氣體輸送供氣端口170；以及對非處理空間S1進行排氣的排氣端口180。

特別是，上述控制部可以是通過處理空間壓力調節部400和非處理空間壓力調節部500來對處理空間S2和非處理空間S1進行壓力調節的控制結構。

特別是上述控制部與基板處理的製程步驟相關聯，在各個步驟中的非處理空間S1和處理空間S2的上述處理空間壓力調節部400和非處理空間壓力調節部500進行控制。

例如，上述控制部在內蓋部300上升並且處理空間S2和非處理空間S1彼此連通的狀態下，可以通過供氣部410供應吹掃氣體，並通過非處理空間排氣部520進行排氣。

更具體而言，上述控制部為了對基板處理的處理空間S2進行清潔操作，在內蓋部300上升並且處理空間S2和非處理空間S1彼此連通的狀態下，可以通過供氣部410供應吹掃氣體，從而對基板處理的基板支撐部200的周圍進行清潔或吹掃操作。

此外，通過設置於製程腔體100側面的非處理空間排氣部520將吹掃氣體排出，由此就可以引導通過第一供氣部410供應的吹掃氣體向側面上升流動，進而再引導內部懸浮物排出至非處理空間S1及外部。

並且上述控制部在內蓋部300上升之前，可以利用處理空間壓力調節部400和非處理空間壓力調節部500中的至少一個，來調節處理空間S2和非處理空間S1的壓力。

更具體而言，在內蓋部300下降而形成密閉的處理空間S2的狀態下執行基板處理，為了能將處理完成的基板1順利匯出，在內蓋部300上升之前，防止由於非處理空間S1和處理空間S2之間的壓力差導致對基板1的位置發生變化或發生損壞，上述控制部可以利用處理空間壓力調節部400和非處理空間壓力調節部500中的至少一個，控制非處理空間S1和處理空間S2之間的壓力保持恆定。

即上述控制部，將非處理空間S1和處理空間S2之間的壓力差保持恆定的狀態下，在內蓋部300上升而使非處理空間S1和處理空間S2相連通時，為了防止因壓力差而產生單向氣流進而影響到基板1，可以利用處理空間壓力調節部400和非處理空間壓力調節部500中的至少一個，來調節上述兩者之間的壓力差保持恆定。

另外，本發明中的基板處理裝置還可額外設置密封部900，其又包括：第一密封部件910，設置於內蓋部300和製程腔體100的接觸面，用於防止製程氣體從處理空間S2洩漏至非處理空間S1；以及第二密封部件920，用於防止製程氣體通過氣體供應流路190而洩漏。

上述密封部900作為設置於內蓋部300或製程腔體100底面120中的至少一個上的結構，可以設置在對應於製程腔體100的底面120和內蓋部300緊密接觸的位置。

當內蓋部300的邊緣與底面120接觸並形成密封處理空間S2時，上述第一密封部件910沿著內蓋部300的底面的邊緣而設置，這樣能與底面120相接觸。

因此，上述密封部件910可以引導密閉的處理空間S2順利形成，並且可以防止處理空間S2的製程氣體等洩漏至非處理空間S1等的外部空間。

並且在當內蓋310下降並且氣體導入流路190和氣體供應流路320連接時，為了防止製程氣體從接觸面洩漏，上述第二密封部件920，其設置方式可以是包裹氣體導入流路190，或者從內蓋310底部包裹氣體供應流路320。

此時，上述第一密封部件910和上述第二密封部件920可以是習知技術中公開的圓環形態。

並且，上述密封部900可以插入設置於位於底面120的槽，並且可以隨著內蓋部300的上下移動，與內蓋部300緊密接觸或分離。

作為另一個例子，密封部900可以設置在內蓋部300的底部，這種設置方式當然也是可以的。

上述內蓋驅動部600貫通設置製程腔體100的上部面，並且作為驅動內蓋部300進行上下移動的結構，可以具有多種結構形態。

例如，上述內蓋驅動部600可以包括：一端貫通製程腔體100的上部面並結合於內蓋部300的多個驅動桿610，以及連接於多個驅動桿610的另一端，從驅動上述驅動桿610進行上下移動的至少一個驅動源620。

並且，上述內蓋驅動部600還可以額外包括：安裝在製程腔體100的上部面，即頂蓋140上並固定支撐上述驅動桿610末端的固定支撐部640；以及設置於製程腔體100的上部面和內蓋部300之間並包裹驅動桿610的第一波紋管630。

並且，上述內蓋驅動部600，還可包括：包裹上述桿部1120而設置的第二波紋管650，這是為了防止由於貫通頂蓋140的設置而導致可能發生的氣體洩漏。後述的溫度調節部1100中的桿部1120，可隨著內蓋部300的上下移動而進行上下移動。

上述驅動桿610可以是具有以下功能的結構：其一端貫穿製程腔體100的上部面並結合於內蓋部300，而另一端在製程腔體100的外部結合於驅動源620，利用驅動源620而進行上移動，從而驅動內蓋部300上下移動。

此時，多個上述驅動桿610可以以一定的間隔結合於內蓋部300的上部面，更具體而言其數量可以是兩個或四個，用於引導內蓋部300維持水平狀態下進行上下移動。

上述驅動源620作為將結合設置於固定支撐部640並驅動上述驅動桿610進行上下移動的結構，可以具有多種結構形態。

對於上述驅動源620，只要是習知技術中公開的常規的驅動方法，則都是可以應用的，例如，氣缸方式、電子器驅動、螺旋電動機驅動以及凸輪驅動等各種驅動方法都是可行的。

上述第一波紋管630安裝在製程腔體100的上部面和內蓋部300之間，並包裹上述驅動桿610，用於防止內部空間的氣體等通過製程腔體100的上部面洩漏出去。

此時，在設置上述第一波紋管630時可以考慮內蓋部300的上下移動來進行相應安裝。

上述第二波紋管650，其一端與後述的蓋板1140結合，另一端與頂蓋140的底部結合，並且包裹上述桿部1120，這樣即使在內蓋部300和溫度調節板1110在進行上下移動時，也可以防止氣體通過貫通桿部1120的頂蓋140而洩漏。

上述溫度調節部1100設置於上述內蓋部300，作為與上述內部加熱器230一起對位於上述處理空間S2的上述基板1進行溫度調節的結構，可以具有多種結構形態。

即，上述溫度調節部1100，可以是對基板1進行加熱或冷卻的結構，從而可與內部加熱器230一同對處理空間S2及基板1進行溫度的調節。

例如，如圖7所示的上述溫度調節部1100，可以包括：安裝於內蓋部300用於對基板1進行加熱或冷卻的溫度調節板1110；以及貫通頂蓋140並結合於上述溫度調節板1110的桿部1120。

並且，上述溫度調節部1100，可以進一步包括：緩衝板1130，在內蓋部300的下側與貫通口350結合，並覆蓋溫度調節板1110。

並且，上述溫度調節部1100，可以進一步包括：蓋板1140，設置於內蓋部300的上側並覆蓋上述貫通口350。

上述溫度調節板1110，作為設置於內蓋部300並對基板1進行加熱或冷卻的結構，可具有多種結構形態。

例如，如上所述的上述溫度調節板1110，設置於形成在內蓋310上的貫通口350上，並且可以對基板1進行加熱或冷卻。

另外，上述內部加熱器230作為利用電力供應而產熱的發熱體並通過基板支撐平板210向基板1及處理空間S2提供熱能的結構，在初期加熱時，加熱所需時間久、很難立即應對快速的溫度變化，又會存在這樣一些問題。

因此，上述溫度調節板1110作為在短時間內立即向基板1提供熱量的結構，例如可以應用鹵素或LED加熱器來實現高效溫度調節。

並且，上述溫度調節板1110，為了能在短時間內立即冷卻基板1，可在內部形成冷卻流路，從而可以在利用製冷劑循環的情形下對基板1進行冷卻。

另外，上述溫度調節板1110在其邊緣上可形成台階狀結構，如上所述，可受到設置於內蓋310的貫通口350的支撐台階370的支撐。

此外，作為另一例，上述溫度調節板1110當然可以通過簡單地附著或結合等方式設置於內蓋310的底面，從而直接暴露於基板1。

並且，上述溫度調節板1110可以包括至少兩個溫度調節區域，該溫度調節區域的平面彼此分開並且能夠彼此獨立地進行溫度的調節。

此時，如圖9所示的溫度調節區域可以包括：第一溫度調節區域1111，其與平面上圓形的溫度調節板1110共用一個中心，並且在與基板1的中心相對應的位置處被劃分為平面上的圓形；在上述溫度調節板1110的邊緣的位置被劃分出來的第三溫度調節區域1113，以及第二溫度調節區域1112，在上述第一溫度調節區域1111與第三溫度調節區域1113之間被劃分出來。

即，上述溫度調節區域，可以根據與溫度調節板1110對向設置的基板1相對應的區域劃分為可以獨立調節溫度的區域，這樣就可以獨立度調節基板1上的特定區域的溫度。

上述桿部1120作為貫通頂蓋140並結合於上述溫度調節板1110的結構，可以具有多種結構形態。

此時，上述桿部1120可以是在內部形成中空並從外部向溫度調節板1110提供各種製冷劑或電源的結構。

例如，上述桿部1120可以包括：桿部1121，貫穿頂蓋140並支撐結合於上述溫度調節板1110；以及供應線1122，插入桿部1121的中空位置並從外部向溫度調節板1110提供電源或製冷劑。

上述緩衝板1130是在上述內蓋部300的下側與上述貫通口350結合，作為覆蓋上述溫度調節板1110的結構，可以具有多種結構形態。

例如，如圖6所示的上述緩衝板1130，在內蓋部300的下側結合於貫通口350，並可設置於溫度調節板1110和基板1之間，這樣對溫度調節板1110和基板1之間的熱交換起到媒介作用。

此時，上述緩衝板1130由石英材料構成，並且即使在高溫高壓環境下也可以穩定地進行設計和製造。

由此，上述緩衝板1130可以防止上述溫度調節板1110直接暴露於處理空間S2的高壓環境中，這樣就能將高壓帶來的影響降低到最小，在便於熱交換的同時還能保護上述溫度調節板1110。

此時，如圖2所示的上述緩衝板1130，可以設置在內蓋310的貫通口350的下側，更具體而言，可以被設置於內蓋310的貫通口350下側邊緣的支撐部380所支撐。

上述蓋板1140，作為在上述內蓋部300的上側設置並覆蓋上述貫通口350的結構，可具有多種結構形態。

例如，上述蓋板1140可以在桿部1120貫通的狀態下，覆蓋內蓋310的溫度調節板1110形成的上述貫通口350，並且通過結合上述第二波紋管650的端部，可以能使上述溫度調節板1110的移動更加輕鬆容易。

上述溫度控制部，可以是對上述溫度調節部1100進行加熱或冷卻的結構。

例如，在考慮到上述基板1邊緣溫度相較於中心側較低，為了能夠對此進行改善，上述溫度控制部通過調控溫度，使第三溫度調節區域1113的溫度高於上述第一溫度調節區域1111的溫度。

並且，上述溫度控制部，可以通過控制溫度調節部1100，來對上述處理空間S2的變壓過程期間上述基板1或處理空間S2的溫度維持恆定。

特別是如圖6所示的本發明中的基板處理裝置，對處理空間S2進行快速的壓力調整，基板1上設置的處理空間S2的壓力發生變化，這進一步導致產生了急劇的溫度變化。

為了防止這種溫度的急劇變化，可以通過控制溫度調節部1100使基板1和處理空間S2的溫度維持恆定。

另外，如上文所述，當基板支撐部200安裝在安裝槽130中時，基板支撐部200，更具體而言，基板支撐平板210和安裝槽130之間形成一定空間，這樣可以增加處理空間S2體積，成為改變體積的一個要素。

為了改善上述問題，當將安裝槽130設置於接觸到基板支撐部200時，設置於基板支撐部200內的加熱器產生的熱，即通過安裝槽130而被製程腔體100的下部面所吸收，進而產生了一定熱損失，這樣就導致處理空間S2的製程溫度很難進一步設定和維持，存在效率低下的問題。

為了改善這些問題，基於本發明中的填充部件700，作為設置於基板支撐部200和製程腔體100的下部面之間的結構，可以具有多種結構。

例如，上述填充部件700可以安裝在安裝槽130，並且在設置於安裝槽130的狀態下，基板支撐平板210可以將設置於上側並位於安裝槽130和基板支撐平板210之間的剩餘空間的體積減小到最小，這樣就能進一步減小處理空間S2的體積。

為此，填充部件700可以形成與安裝槽130和基板支撐部200之間的空間相對應的形狀，從而使處理空間S2的體積最小化。

更具體而言，填充部件700的形狀與上述安裝槽130以及平面圓形的基板支撐平板210之間形成的空間相對應，其中上述安裝槽形成平面上的圓形台階狀結構，從底面120凸起形成一定高度。

為此，上述填充部件700可具有設置於基板支撐平板210和安裝槽130之間的圓形平板形狀結構，或者是在圓形平板形狀結構下，在邊緣部分向上形成台階狀結構，從而佔據基板支撐平板210的側面和安裝槽130之間的空間。

即上述填充部件700，與上述基板支撐平板210的側面及底面中的至少一個相鄰設置，並且與上述基板支撐平板210分隔而設置，形成包裹上述基板支撐平板210的底面及側面的結構。

此時，上述基板支撐部200為了防止通過填充部件700的熱損失，可以與填充部件700分隔而設置，更詳細而言，可以保持相互不接觸的狀態下以細微的間隔而設置間距。

由此，就可以在基板支撐部200和填充部件700之間保持一定間隔，並且該間隔具有排氣流路的作用，進而可以對處理空間S2進行排氣。

更具體而言，由於基板支撐件200和填充部件700之間彼此設置有間隔，因此可以形成排氣流路。此時排氣流路與基板支撐柱220貫通的安裝槽130的底部相連通，從而可以將處理空間S2的製程氣體排出到外部。

另一方面，填充部件700可以由石英、陶瓷以及SUS中的至少一種材料而構成。

並且，上述填充部件700為了能將處理空間S2的體積降低至最小，不僅佔據安裝槽130和基板支撐部200之間的空間，而且還通過隔熱使通過基板支撐部200傳遞到基板1的熱量損失降低至最小，再進一步將還可以通過熱反射使傳遞至處理空間S2的損失熱量反射。

即上述填充部件700不僅可以將處理空間S2的體積最小化，還可以防止通過基板支撐部200的熱量損失至製程腔體100的底面120一側，這樣就能進一步通過熱反射將熱能利用率提高。

另外，在此基礎上，可以還額外包括：設置於表面的反射部，用於增加通過基板支撐部200將散發的熱反射至處理空間S2的效果。

即上述填充部件700可以包括：隔熱部，用於阻擋從處理空間S2向外部散發的熱量；以及隔熱部，設置在隔熱部表面並將熱量反射。

此時，上述反射部可以形成反射層，其塗抹在隔熱部的表面上，或者通過黏合或塗覆來形成，並且可以通過製程腔體100將從處理空間S2損失的熱量反射，然後再次傳遞到處理空間S2。

並且，在上述填充部件700還可額外形成：多個第一貫通口，為了能安裝於上述基板支撐柱220而具有與中心相對應的大小；以及多個第二貫通口，多個基板支撐銷810貫通並可沿上下方向移動。

上述基板支撐銷部800作為將基板1導入至製程腔體100和匯出並安裝在基板支撐件200上的結構，可以具有多種結構。

例如，上述基板支撐銷部800可以包括：多個基板支撐銷810，貫通填充部件700和上述基板支撐部200並可進行上下移動來支撐上述基板1；以及安裝有多個上述基板支撐銷810的環形基板支撐環820；以及沿上下方向驅動多個上述基板支撐銷810的基板支撐銷驅動部830。

上述多個基板支撐銷810設置於基板支撐環820，通過貫通填充部件700和基板支撐部200並進行上下移動來支撐基板1，其相關結構可以具有多種設計。

此時，多個基板支撐銷810可以至少設置三個，並且彼此間隔設置於基板支撐環820上，在上升時從基板支撐部200露出而支撐導入的基板1，或者支撐匯出的基板1；在下降時就位於基板支撐部200內部，這樣就可以將基板1安置於基板支撐部200。

上述基板支撐環820作為環形結構，設置有多個基板支撐銷810，在進行上下移動時使多個基板支撐銷810也同時進行上下移動。

特別是上述基板支撐環820設置在製程腔體100的下部面，即設置在安裝槽130中形成的支撐銷安裝槽160，可在基板支撐銷驅動部830的作用下進行上下移動。

上述基板支撐銷驅動部830，作為設置於製程腔體100的外部並設置有沿上下方向驅動基板支撐環820的結構，可以具有多種結構形態。

例如，上述基板支撐銷驅動部830可包括：基板支撐銷桿831，其一端連接至基板支撐環820的底部，另一端連接到基板支撐銷驅動源833，在基板支撐銷驅動源833的驅動力作用下進行上下移動；以及基板支撐銷引導件832，引導基板支撐銷桿831進行線性移動，以及驅動基板支撐銷桿831的基板支撐銷驅動源833。

並且，上述基板支撐銷部800可以額外包括：基板支撐銷平衡器840，包裹基板支撐銷桿831，並設置於製程腔體100的底部與基板支撐銷驅動源833之間。

上述歧管部1000設置於製程腔體100的下部面，與處理空間S2連通，並且作為形成至少一個處理空間排氣端口用於與上述排氣部420連通的結構，可以具有多種結構形態。

例如，如圖3所示的上述歧管部1000可以包括：設置在製程腔體100的下部面並與內部處理空間S2相連通的歧管1010；以及設置於上述歧管1010並結合於上述處理空間壓力調節部400中的至少一個的處理空間排氣端口。

此時，上述歧管1010安裝在製程腔體100的下部面，可以與處理空間S2相連通而執行排氣。

另外，上述歧管1010設置有下部貫通孔1011，通過前述基板支撐柱220貫通與設置於基板支撐平板210上的加熱器連接的各種導線。

上述處理空間排氣端口可包括：高壓排氣端口1020，設置於歧管1010，並如上所述形成排氣部420；以及泵吸排氣端口1030。作為另一例，歧管1010上設置單個端口，在與高壓排氣端口1020或泵吸排氣端口1030結合的狀態下，可以與高壓排氣端口1020和泵吸排氣端口1030這兩者都連接。

以下將針對利用了本發明基板處理裝置的基板處理方法，參照附圖進行詳細說明。

基於本發明的基板處理方法，如圖10至圖12所示，其包括：基板導入步驟S100，通過設置於外部的移送機器人將上述基板1通過上述閘門111導入至上述內部空間並安裝於上述基板支撐部200；處理空間形成步驟S200，通過上述基板導入步驟S100，在上述基板1安裝於上述基板支撐部200的狀態下，將上述內蓋部300下移，使其部分結構緊貼於上述製程腔體100的底面120，從而將上述內部空間分割形成密封的處理空間S2以及除此之外剩下的非處理空間S1；以及基板處理步驟S300，對上述處理空間S2內安裝的上述基板1執行基板處理。

並且，本發明的基板處理方法，還可額外包括：處理空間解除步驟S400，在完成基板處理步驟S300進行的基板處理之後，將內蓋部300上移，從而解除封閉的處理空間S2；以及基板匯出步驟S500，通過設置於外部的移送機器人完成基板處理的基板1，被上述閘門111從內部空間匯出至外部。

並且，本發明中的基板處理方法還額外包括：清潔步驟，在通過基板導入步驟S100向內部空間導入基板1前，在內蓋部300完成上升的狀態下，通過處理空間S2一側供應製程氣體並通過非處理空間S1一側進行製程氣體的排氣。

上述基板導入步驟S100，是通過設置於外部的移送機器人將上述基板1再通過上述閘門111導入至上述內部空間的，並作為並安裝在上述基板支撐部200的步驟，可以使用多種方法來執行。

即，在上述基板導入步驟S100中，通過外部的移送機器人將作為處理對象的基板1導入至內部空間，並安裝在上述基板支撐部200，從而對基板1進行處理的相關準備。

例如，上述基板導入步驟S100可以包括：導入加固步驟，在後述導入步驟之前，在內蓋部300上升完成的狀態下，將基板支撐銷810上移至基板支撐部200的上側。

並且，上述基板導入步驟S100包括：導入步驟，通過設置於外部的移送機器人將基板1通過閘門111導入至內部空間，並利用上升的基板支撐銷810來進行支撐；以及導入固定步驟，將支撐基板1的基板支撐銷810下移，使基板1安裝於上述基板支撐部200。

上述導入加固步驟，在內蓋部300完成上升的狀態，即在處理空間S2被解除的狀態下，是將基板支撐銷810升高至基板支撐部200的上方的步驟。

此時，上述導入加固步驟，是反復對多個基板1進行基板處理的步驟，在最初第一次基板1被導入時可以執行處理，之後根據後述的匯出加固步驟在基板支撐銷810完成上升的狀態下將完成基板處理的基板1匯出之後，可以立即進行導入步驟，因此可以省略。

結果就是，上述導入加固步驟，是對基板處理裝置進行基板1 最初的導入，是在這種情形下執行的，而之後就不再冗長敘述並將其省略。

上述導入步驟是利用設置於外部的移送機器人將基板1通過閘門111導入內部空間並利用基板支撐銷810來支撐的步驟。

更具體而言，上述導入步驟，通過閘門111將設置在外部的移送機器人支撐的基板1導入至內部空間的狀態下，移送機器人下降，將基板1支撐在基板支撐銷810上，如此外部機器人將其可以從內部空間匯出至外部。

另外，作為另一個例子，在通過閘門111將設置於外部的移送機器人支撐的基板1導入至內部空間的狀態下，將基板支撐銷810上移，使基板支撐銷810支撐基板1並將外部機器人匯出。

在上述導入固定步驟中，通過使支撐基板1的基板支撐銷810下降來支撐基板支撐部200，更具體而言，通過將基板支撐銷810插入於基板支撐平板210的內部，這樣就可以使基板1固定安裝於基板支撐平板210的上面。

上述處理空間形成步驟S200，是通過基板導入階段S100將基板1安裝在基板支撐部200的狀態下，將內蓋部300下移並使其部分結構與製程腔體100的底面120緊密接觸，將內部空間分割成密閉的處理空間S2和除此之外的非處理空間S1的步驟，可以利用多種方法來執行。

例如，上述處理空間形成步驟S200，是在基板1安裝在基板支撐部200的狀態下，將內蓋部300下移並緊貼於製程腔體100的底面120和邊緣位置，從而形成密閉的處理空間S2。此時。為了能形成密閉的處理空間S2，內蓋部300的內蓋310可以與底面120緊密接觸。

由此，上述處理空間形成步驟S200可以單獨形成與內部空間分離的密閉處理空間S2，並且可以在基板1設置於內部的狀態下，將處理空間S2的體積最小化。

除此之外，上述處理空間形成步驟S200，將內蓋部300下移而使其部分結構與製程腔體100的底面120緊密接觸，如此就能將內部空間劃分為密閉的處理空間S2和除此之外的非處理空間S1。

由此，上述的設置方式在現有的內部空間裡形成了高壓環境，從而執行基板處理，這樣就改善了引起閘門閥損壞的問題。並且通過在處理空間S2和閘門閥之間形成非處理空間S1的一種緩衝空間，這樣即使在高壓的基板處理過程中，也可以防止閘門閥的損壞。

上述基板處理步驟S300，是用於對設置在處理空間S2中的基板1執行基板處理的步驟，可以利用多種方法來執行。

此時，上述基板處理步驟S300，可以通過供氣部400向密閉的處理空間S2內供應處理氣體，從而調節和控制處理空間S2內的壓力。

特別是如圖17所示的上述基板處理步驟S300，可包括：加壓步驟，利用製程氣體增加處理空間S2壓力；以及減壓步驟，在加壓步驟之後降低處理空間S2壓力。

此時，上述基板處理步驟S300中，可以對壓力進行升高，升高至高於常壓的水平，例如將壓力升高至5 bar水平的高壓，並且也可以對壓力進行降低，例如將壓力調整至低於常壓的0.01 torr的水平。

在這種情況下，上述基板處理步驟S300就可以在短時間內多次重複執行加壓步驟和減壓步驟。

更具體而言，上述基板處理步驟S300包括：將處理空間S2的壓力升高至高於常壓的第一壓力的升壓步驟S310；以及將處理空間S2的壓力從第一壓力下降為第二壓力的壓力降壓步驟S320。

並且，上述基板處理步驟S300，通過將升壓步驟S310和降壓步驟S320作為一個單位循環進行多次反復，這樣就可以執行處理空間S2的反復變壓。

此時，上述第二壓力可以是低於常壓的壓力，而第一壓力可以是高於常壓的壓力。

上述降壓步驟S320可以包括：將處理空間S2的壓力從第一壓力下降到常壓的第一壓力下降步驟S321；以及將處理空間S2的壓力從常壓下降到低於常壓的第二壓力的第二壓力下降步驟S322。

因此，上述降壓步驟S320，經過處理空間S2的壓力從高於常壓的第一壓力下降到常壓的第一壓力下降步驟S321；以及從常壓下降到低於常壓的第二壓力的第二壓力下降步驟S322後，可以階段性地降低壓力。

並且，上述基板處理步驟S300，在處理空間S2的壓力變化過程中，可對非處理空間S1的壓力進行維持，保持其以低於常壓的真空壓恆定不變。

上述處理空間解除步驟S400是在通過上述基板處理步驟S300進行基板處理之後，將上述內蓋部300上移從而解除密閉的上述處理空間S2的步驟，可通過多種方法來執行。

此時，上述處理空間解除步驟S400，通過上述內蓋驅動部600將內蓋部300上移，從而解除與製程腔體100的底面120相接觸，使內部空間和處理空間S2之間再次連通，這樣就可以解除密閉的處理空間S2。

另外，在這種情況下，在處理空間S2和非處理空間S1之間的壓力差較大的狀態下，內蓋部300上升的情形下，兩個空間的壓力差可能會導致基板1以及耐久性受損，因此有必要將兩個空間之間的壓力差降低至最低。

為此，上述處理空間解除步驟S400可以包括：壓力調節步驟S410，至少調節非處理空間S1和處理空間S2中的至少一個壓力，將非處理空間S1和處理空間S2之間的壓力差調節至預設水平以下；以及內蓋部上升步驟S420，通過上升內蓋部300來解除處理空間S2。

此時，在上述壓力調節步驟S410，可以利用排氣部（未圖示）來對供氣部400或處理空間S2進行排氣，從而調節處理空間S2的壓力，進而減小與非處理空間S1的壓力差。並且還可通過其他方法注入氣體，將與處理空間S2和壓力差減小到一定水平以下。

在這種情況下，上述壓力調節步驟S410，可以對處理空間S2和非處理空間S1中的至少一個進行壓力的調節，從而使處理空間S2和非處理空間S1之間的壓力差維持在一定範圍內。

特別是內蓋部300在高壓狀態的處理空間S2和真空狀態的非處理空間S1的狀態下進行上升時，由於空間之間的壓力差發生劇變導致基板1出現滑動等問題，因此可在調節它們之間的壓力使其相同的情況下，內蓋部300進行上升。

上述基板匯出步驟S500，是通過設置於外部的移送機器人將完成基板處理的上述基板1通過上述閘門111從內部空間匯出到外部的步驟，可以通過多種方法來執行。

即，上述基板匯出步驟S500，可以通過外部移送機器人從基板支撐部200接收處理完畢的基板1並從內部空間匯出。

例如，上述基板匯出步驟S500，可以包括：匯出加固步驟；將上述基板支撐銷810上升，再將安裝在上述基板支撐部200上的上述基板1從上述基板支撐部200向上方隔開，並利用上述基板支撐銷810來支撐，以及匯出步驟，通過設置於外部的移送機器人將完成基板處理的上述基板1通過上述閘門111從上述內部空間匯出。

並且，上述基板匯出步驟S500在後述的匯出步驟之後，還可額外包括：匯出固定步驟，使上述基板支撐銷810下降至上述基板支撐部200內部。

上述匯出加固步驟，是在上述處理空間解除步驟S400中內蓋部300完成上升的狀態下，即處理空間S2解除的狀態下，將基板支撐銷810提升到基板支撐部200的上方的步驟。

由此，在上述匯出加固步驟中，可以將安裝在基板支撐平板210上面的基板1在完成處理後與基板支撐銷810一起從基板支撐平板210移動並暴露於上側，從而使基板1從基板支撐平板210向上分隔而支撐。

上述匯出步驟，是依靠設置於外部的移送機器人將基板處理完成的上述基板1通過上述閘門111從上述內部空間匯出至外部的步驟。

更具體而言，在上述匯出步驟中，受基板支撐銷810支撐的上述基板1由通過閘門111導入至內部空間的移送機器人支撐，並且將支撐的基板1匯出至外部。

上述匯出步驟，可以是依靠設置於外部的移送機器人將已完成基板處理的上述基板1經由上述閘門111從上述內部空間匯出至外部的步驟。

更具體而言，在上述匯出步驟中，受基板支撐銷810支撐的基板1通過閘門111導入內部空間的移送機器人支撐，被支撐的基板1就可以匯出到外部。

為此，在上述匯出步驟中，在處理完畢的基板1被基板支撐銷810支撐的狀態下，移送機器人位於基板1的下側，將移送機器人上移從而使移送機器人可以支撐基板1。

另外，作為另一個例子，在上述匯出步驟中，在處理完畢的基板1被基板支撐銷810支撐的狀態下，移送機器人位於基板1的下側，將基板支撐銷810下降後就能使基板1可以位於移送機器人上。

根據如上內容所述，在基板1被移送機器人支撐的狀態下，移送機器人通過閘門111移動到外部，完成基板處理的基板1就可以順利匯出。

上述匯出固定步驟，可以是通過使支撐基板1的基板支撐銷810下降從而使基板支撐銷810插入於支撐基板支撐部200的步驟，更具體而言是插入於基板支撐平板210內部。

此時，上述匯出固定步驟，可以反復對多個上述基板1進行基板處理，並在最後一次基板1匯出後執行，之前為了執行上述導入步驟，有必要維持基板支撐銷810上升的狀態，在此對這部分進行省略。

最終結果就是，上述匯出固定步驟，可以在對基板處理裝置將最後的基板1匯出，或者在中間對基板處理裝置進行維持保修的狀況下執行。

另外，上述基板導入步驟S100、上述處理空間形成步驟S200、上述基板處理步驟S300、上述處理空間解除步驟S400以及上述基板匯出步驟S500可組成單位循環S10，並可依次重複執行多次，對一個基板1可以對應一個循環來執行。

另外，作為另一個例子，本發明中的基板處理方法可以進一步包括：閘門關閉步驟，在處理空間形成步驟S200之後通過閘門閥150關閉閘門111，從而將內部空間密封。

並且，本發明中的基板處理方法還可以進一步包括：閘門打開步驟，在上述基板導入步驟S100之前，通過上述閘門閥150打開上述閘門111。

並且，本發明中的基板處理方法還可以進一步包括：閘門打開步驟，在處理空間解除步驟S400之後，通過上述閘門閥150打開上述閘門111。

並且，本發明中的基板處理方法可以進一步包括：閘門關閉步驟，在上述匯出步驟S500之後，通過閘門閥150關閉閘門111。

上述閘門關閉步驟，可以是通過閘門閥150關閉閘門111從而將內部空間來密閉的步驟。

此時，上述閘門關閉步驟，可在處理空間形成步驟S200之後對內部空間進行密閉。在這種情況下，作為另一個例子，當然可以在處理空間形成步驟S200之前、基板導入步驟S100之後，執行上述閘門關閉步驟。

即，本發明中的基板處理方法，由於可以單獨在內部空間中根據需要選擇性地形成處理空間S2，因此可以通過閘門閥150將閘門111關閉，這樣就可順利執行相應步驟，與處理空間S2的形成與否無關。

即，基於內蓋部300的處理空間S2的形成，就可以根據是否需要通過閘門閥150關閉閘門111來決定執行。

另外，為了能對內部空間單獨進行壓力控制，可以通過閘門閥150執行關閉閘門111的閘門關閉步驟，並且可以在處理空間形成步驟S200之後執行。

並且，上述閘門關閉步驟，可以在匯出步驟S500之後執行關閉閘門111，在這種情況下，對多個基板1反復執行基板處理的過程中就可被省略，只有在完成對最後基板1的基板處理或者需要維護基板處理裝置的情況下，才可以再執行。

上述閘門打開步驟，可以是通過上述閘門閥150打開上述閘門111的步驟。

這時，上述閘門打開步驟，可以在處理空間解除步驟S400之後執行對內部空間的開放，在這種情況下，作為另一個例子，當然可以在處理空間解除步驟S400之前、基板處理階段S300之後執行閘門關閉步驟。

由此，上述閘門打開步驟，可在基板匯出步驟S500之前執行，使得完成基板處理的基板1可以匯出至外部。

並且，上述閘門打開步驟，可以在基板導入步驟S100之前執行並打開閘門111。在這種情況下，對多個基板1進行反復基板處理的過程可被省略，只有在最初對基板1進行導入或需要對基板處理裝置進行維護等的情況下，才能有選擇性地執行相應步驟。

上述清潔步驟，可以是通過基板導入步驟S100將基板1導入內部空間之前，在內蓋部300完成上升的狀態下，通過處理空間S2側供應氣體，並通過非處理空間S1側進行排氣的步驟。

更具體而言，在通過基板導入步驟S100將基板1導入內部空間之前，或者在通過基板匯出步驟S500從內部空間匯出基板1之後，對包括執行基板處理的處理空間S2的內部空間進行清潔的步驟。

此時，在上述清潔步驟中，可以通過上述非處理空間S1側的排氣孔未圖示進行排氣，並且通過處理空間壓力調節部400噴射清潔氣體，從而將經由處理空間S2並通過非處理空間S1的排氣孔將吹掃氣體排出。

即，此時的上述氣體，可以是指用於基板處理的製程氣體、用於清潔設備內部的清潔氣體，以及用於對內部空間執行吹掃的吹掃氣體等多種氣體。並且可以通過處理空間壓力調節部400來噴射清潔氣體，並通過非處理空間S1的排氣孔將吹掃氣體排出。

由此，在上述清潔步驟中，引導清潔氣體從處理空間S2流向非處理空間S1，這樣就可以更完整地執行對內部空間，特別是對與處理空間S2相對應的區域進行清潔。

此時，如圖6所示的高壓控制部430為了保護外部真空泵1200，從外部真空泵1200的後端連接至外部排氣管線1120，進而可以將廢氣輸送至有害物質去除部1110。

以上內容只是對本發明中可實現較佳實施例進行了相應的說明，因此本發明技術核心的範圍不局限於上述實施例，並且上文說明涉及到的本發明技術思想，以及與其技術核心相結合的所有技術思想都應理解為包含在本發明的範圍之內。

1:基板 100:製程腔體 110:腔室主體 111:閘門 120:底面 130:安裝槽 140:頂蓋 150:閘門閥 160:支撐銷安裝槽 170:供氣端口 180:排氣端口 190:氣體導入流路 200:基板支撐部 210:基板支撐平板 220:基板支撐柱 230:內部加熱器 300:內蓋部 310:內蓋 320:氣體供應流路 321:垂直供應流路 322:水平供應流路 330:插入安裝槽 340:氣體導入槽 350:貫通口 360:插入槽 370:支撐台階 380:支撐部 390:下側部分 400:處理空間壓力調節部 410:供氣部 411:噴射孔 412:噴射平板 413:噴射平板支撐部 414:緊固部件 415:支撐台階部 420:排氣部 500:非處理空間壓力調節部 510:非處理空間供氣部 520:非處理空間排氣部 600:內蓋驅動部 610:驅動桿 620:驅動源 630:第一波紋管 640:固定支撐部 700:填充部件 800:基板支撐銷部 810:基板支撐銷 820:基板支撐環 830:基板支撐銷驅動部 831:基板支撐銷桿 832:基板支撐銷引導件 833:基板支撐銷驅動源 840:基板支撐銷平衡器 900:密封部 910:第一密封部件 920:第二密封部件 1000:歧管部 1010:歧管 1011:下部貫通孔 1020:高壓排氣端口 1030:泵吸排氣端口 1100:溫度調節部 1110:溫度調節板 1111:第一溫度調節區域 1112:第二溫度調節區域 1113:第三溫度調節區域 1120:桿部 1121:桿部 1122:供應線 1130:緩衝板 1140:蓋板 S1:非處理空間 S2:處理空間 S3:擴散空間 S100, S200, S300, S310, S320, S321, S322, S400, S410, S420, S500:步驟

圖1是顯示本發明基板處理裝置外部結構的截面圖； 圖2是顯示基於圖1中內蓋部上升狀態結構的截面圖； 圖3是顯示基於圖2的基板處理裝置中A部分結構的擴大截面圖； 圖4是顯示基於圖1中基板處理裝置的氣體噴射部結構的擴大截面圖； 圖5是顯示基於本發明基板處理裝置的另一實施例的截面圖； 圖6是顯示基於圖1中基板處理裝置而執行的處理空間和非處理空間的各自壓力變化的曲線圖； 圖7是顯示基於圖1中溫度調節部結構的截面圖； 圖8是顯示基於圖1中溫度調節部的另一實施例的截面圖； 圖9是顯示基於圖1基板處理裝置的溫度調節部所區分出的溫度調節領域的結構的底面圖； 圖10是顯示利用基於圖1基板處理裝置的基板處理方法的相關流程圖； 圖11是顯示基於圖10的基板處理方法中基板處理步驟的相關流程圖；以及 圖12是顯示基於圖10的基板處理方法中處理空間接觸步驟的相關流程圖。

1:基板

100:製程腔體

110:腔室主體

111:閘門

120:底面

130:安裝槽

140:頂蓋

150:閘門閥

160:支撐銷安裝槽

190:氣體導入流路

200:基板支撐部

210:基板支撐平板

220:基板支撐柱

300:內蓋部

310:內蓋

320:氣體供應流路

321:垂直供應流路

322:水平供應流路

410:供氣部

412:噴射平板

413:噴射平板支撐部

600:內蓋驅動部

610:驅動桿

620:驅動源

630:第一波紋管

640:固定支撐部

700:填充部件

800:基板支撐銷部

810:基板支撐銷

820:基板支撐環

830:基板支撐銷驅動部

831:基板支撐銷桿

832:基板支撐銷引導件

833:基板支撐銷驅動源

840:基板支撐銷平衡器

900:密封部

910:第一密封部件

920:第二密封部件

S1:非處理空間

S2:處理空間

Claims (20)

1. 一種基板處理裝置，包括：一製程腔體(100)，在一底面(120)的中心側形成一安裝槽(130)，並形成一內部空間；以及一基板支撐部(200)，內插設置於上述安裝槽(130)，一基板(1)設置於其上面；以及一內蓋部(300)，在上述內部空間可進行上下移動，在下降時其部分結構與上述安裝槽(130)相鄰的上述底面(120)緊密接觸，將上述內部空間分割成上述基板支撐部(200)所在內部的密封的一處理空間(S2)以及獨立於上述密封的處理空間(S2)的一非處理空間(S1)；以及一內蓋驅動部(600)，貫通上述製程腔體(100)上部，驅動其上下移動，其中，上述內蓋部(300)包括：一內蓋(310)，可在上述內部空間進行上下移動；以及一氣體供應流路(320)，設置以在上述內蓋(310)內部與上述處理空間(S2)之間相連通，以及其中，上述氣體供應流路(320)用於向上述基板(1)上側供應製程氣體。
2. 根據請求項1所述的基板處理裝置，進一步包括：一供氣部(410)，設置於上述內蓋部(300)的下部，通過上述氣體供應流路(320)將供應的製程氣體向上述處理空間(S2)噴射。
3. 根據請求項2所述的基板處理裝置，其中，上述供氣部(410)包括：一噴射平板(412)，設置於上述內蓋部(300)的下側，並設置有多個噴射孔(411)。
4. 根據請求項3所述的基板處理裝置，其中，上述供氣部(410)進一步包括：一噴射平板支撐部(413)，支撐上述噴射平板(412)的邊緣位置，並結合於上述內蓋部(300)底面。
5. 根據請求項3所述的基板處理裝置，其中，上述噴射平板(412)分隔設置於上述內蓋部(300)，並在與上述內蓋部(300)之間形成上述製程氣體進行擴散的一擴散空間(S3)。
6. 根據請求項2所述的基板處理裝置，其中，上述內蓋(310)形成有一插入安裝槽(330)，上述供氣部(410)的至少一部分插入於其底面。
7. 根據請求項6所述的基板處理裝置，其中，在上述供氣部(410)插入設置於上述插入安裝槽(330)的狀態下，其底面形成上述內蓋(310)的底面和平面。
8. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，上述內蓋(310)在底面中心側形成於上述氣體供應流路(320)末端相連接的一氣體導入槽(340)。
9. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，上述製程腔體(100)包括：一氣體導入流路(190)，向與上述內蓋部(300)相接觸的下部面供應從外部導入的上述製程氣體，其中，上述內蓋部(300)通過下降與上述底面(120)緊密接觸，將上述氣體導入流路(190)和上述氣體供應流路(320)相連接，將上述製程氣體從上述氣體供應流路(320)接收。
10. 根據請求項9所述的基板處理裝置，其中，上述氣體供應流路(320)包括：一垂直供應流路(321)，設置於上述內蓋(310)的邊緣位置側與上述氣體導入流路(190)相對應的位置，並與上述氣體導入流路(190)相連接；以及一水平供應流路(322)，沿上述內蓋(310)中心一側設置於上述垂直供應流路(321)。
11. 根據請求項1所述的基板處理裝置，進一步包括：一處理空間壓力調節部(400)，與上述處理空間(S2)連通，對上述處理空間(S2)的壓力進行調節；以及一非處理空間壓力調節部(500)，與上述非處理空間(S1)連通，能獨立於上述處理空間(S2)對上述非處理空間(S1)的壓力進行調節；以及 一控制部，通過上述處理空間壓力調節部(400)和上述非處理空間壓力調節部(500)對上述處理空間(S2)和上述非處理空間(S1)的壓力進行調節的控制。
12. 根據請求項9所述的基板處理裝置，其中，上述處理空間壓力調節部(400)包括：一供氣部(410)，向上述處理空間(S2)供應上述製程氣體；以及一排氣部(420)，對上述處理空間(S2)進行排氣，其中，上述非處理空間壓力調節部(500)包括：一非處理空間排氣部(520)，與上述製程腔體(100)的一側面上形成的一排氣端口(180)相連接，對上述非處理空間(S1)進行排氣；以及一非處理空間供氣部(510)，與上述製程腔體(100)的另一側面形成的一供氣端口(170)相連接，向上述非處理空間(S1)供應填充氣體。
13. 根據請求項11所述的基板處理裝置，其中，上述控制部至少控制上述處理空間壓力調節部(400)以及上述非處理空間壓力調節部(500)中的其中一個，在上述內蓋部(300)在上升前，使上述處理空間(S2)和上述非處理空間(S1)的壓力相互趨於相同。
14. 根據請求項11所述的基板處理裝置，其中，上述控制部通過上述處理空間壓力調節部(400)，將用於基板處理並安裝上述基板(1)的上述處理空間(S2)的壓力進行變壓調節，使其處於高於常壓的第一壓力和低於常壓的第二壓力範圍之間。
15. 根據請求項1所述的基板處理裝置，進一步包括：一溫度調節部(1100)，設置於上述內蓋部(300)，對位於上述處理空間(S2)的上述基板(1)進行溫度的調節。
16. 根據請求項1所述的基板處理裝置，其中，上述基板支撐部(200)，包括：一基板支撐平板(210)，其上面安裝有上述基板(1)；一基板支撐柱(220)，貫通上述安裝槽(130)的底部，與上述基板支撐平板(210)相連接；以及一內部加熱器(230)，設置於上述基板支撐平板(210)內部。
17. 根據請求項15所述的基板處理裝置，其中，上述溫度調節部(1100)包括：一溫度調節板(1110)，設置於上述內蓋部(300)，對上述基板(1)進行加熱或冷卻；以及一桿部(1120)，貫通一頂蓋(140)，與上述溫度調節板(1110)相結合。
18. 根據請求項17所述的基板處理裝置，其中，上述溫度調節部(1100)進一步包括：一緩衝板(1130)，在上述內蓋部(300)的下側與一貫通口(350)相結合，並覆蓋上述溫度調節板(1110)。
19. 根據請求項17所述的基板處理裝置，其中，上述溫度調節板(1110)包括：至少兩個溫度調節領域，平面上相互區分，並且能相互獨立地對溫度進行調節。
20. 根據請求項15所述的基板處理裝置，進一步包括：一溫度控制部，控制上述溫度調節部(1100)的加熱或冷卻，其中，上述溫度控制部，在上述處理空間(S2)的變壓過程期間，控制上述溫度調節部(1100)，使上述基板(1)或者上述處理空間(S2)的溫度保持穩定不變。