JP7346620B2 - 基板処理装置 - Google Patents

Description

本発明は、基板処理装置に係り、より具体的には、高温及び高圧環境で基板を処理する半導体製造設備における物体間の摩擦による損傷を防止するための基板処理装置に関する。

半導体（又はディスプレイ）製造工程は、基板（例えば、ウェーハ）上に半導体素子を製造するための工程であって、例えば露光、蒸着、エッチング、イオン注入、洗浄などを含む。特に、基板上には様々な有機及び無機異物が存在する。よって、製造歩留まりを向上させるためには、基板上の異物を効果的に除去することが非常に重要である。

異物除去のために、処理液（洗浄液）を用いた洗浄工程が主に用いられる。洗浄工程は、基板を支持したスピンチャックを回転させながら基板の上面又は後面に処理液を供給して行われることができ、洗浄処理後には、リンス液を用いたリンス工程、乾燥気体を用いた乾燥工程が行われる。

乾燥処理段階は、基板上に残留したリンス液を乾燥させるための工程であり、イソプロピルアルコール（ＩＰＡ）のように表面張力がリンス液よりも低い有機溶剤で基板上のリンス液を置換し、その後、有機溶剤を除去する。しかしながら、基板に形成されたパターンとパターンとの距離が微細化するにつれて、それらのパターンの間の空間に残留する有機溶剤によってパターン同士が密着するパターンリーニング（ｐａｔｔｅｒｎ ｌｅａｎｉｎｇ）現象が発生する。

そのため、最近、超臨界流体を用いて、基板上に残留する有機溶剤を除去する工程が導入されており、超臨界処理工程は、高温及び高圧の環境で行われる。このような高温及び高圧の環境を実現して基板を処理する基板処理装置が導入されている。高温及び高圧の環境を構成するために、２つのボディが互いに結合する構造を採用する場合、物体間の摩擦による損傷及びパーティクルが発生する。

そこで、本発明の実施形態は、物体間の接触時に発生する衝撃による損傷及びパーティクルを低減させることができる基板処理装置を提供する。

本発明の解決課題は、上述したものに限定されず、上述していない他の解決課題は、以降の記載から当業者に明確に理解できるだろう。

本発明の実施形態による基板処理装置は、互いに結合して内部に処理空間を形成する第１ボディと第２ボディを含む工程チャンバと、前記第１ボディと前記第２ボディをクランピングするクランピング部材と、前記第１ボディと前記第２ボディに対して前記クランピング部材が接触する接触領域に設けられた溝に装着される摩擦防止部材と、を含む。

本発明の一実施形態において、前記溝は、前記第１ボディに設けられた第１ボディ溝と、前記第２ボディに設けられた第２ボディ溝と、を含むことができる。

本発明の一実施形態において、前記溝は、前記クランピング部材における前記第１ボディに対応する領域に設けられた第１クランピング溝と、前記クランピング部材における前記第２ボディに対応する領域に設けられた第２クランピング溝と、を含むことができる。

本発明の一実施形態において、前記摩擦防止部材は、ＰＥＥＫ（ｐｏｌｙ ｅｔｈｅｒ ｅｔｈｅｒ ｋｅｔｏｎ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリアラミド、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ジルコニア（ｚｉｒｃｏｎｉａ）、ＳｉＣ、ＳｉＮ、及びアルミナ（Ａｌｕｍｉｎａ）のうちの少なくとも一つで構成できる。

本発明の一実施形態において、前記摩擦防止部材は、表面に樹脂コーティング又はＤＬＣ（ｄｉａｍｏｎｄ－ｌｉｋｅ ｃｏａｔｉｎｇ）処理された金属性ボディで構成できる。

本発明の一実施形態において、前記摩擦防止部材の表面積は、前記溝の表面積よりも小さく構成できる。

本発明の一実施形態において、前記摩擦防止部材と前記溝の側壁との間に一定間隔が設けられ、前記一定間隔は、前記摩擦防止部材に加わる圧力による変形量よりも大きく設定できる。

本発明の一実施形態において、前記摩擦防止部材は、前記溝の周辺部よりも突出することができる。

本発明の一実施形態において、前記摩擦防止部材には貫通口が設けられ、前記貫通口を介して締結部材が前記接触領域に締結されることにより、前記摩擦防止部材を固定させることができる。

本発明の他の実施形態による基板処理装置は、一側に開口部が設けられたチャンバ形状の第１ボディと、前記開口部に対応する形状をし、前記開口部に結合することにより基板の処理空間を形成する第２ボディと、前記第２ボディと前記第１ボディを固定させるロック部材と、前記第２ボディに対して前記ロック部材が接触する接触領域に設けられた溝に装着される摩擦防止部材と、を含む。

本発明の実施形態による基板処理設備は、基板が投入及び排出される基板ローディング部と、前記基板を搬送する基板搬送部と、前記基板に残っている異物を除去するための洗浄液を前記基板へ供給し、前記洗浄液を除去するためのリンス液を前記基板へ供給し、前記リンス液を乾燥させるための有機溶剤を前記基板へ供給する第１工程処理ユニットと、前記基板に残っている有機溶剤を乾燥させる第２工程処理ユニットと、を含む。前記第２工程処理ユニットは、互いに結合して内部に処理空間を形成する第１ボディと第２ボディを含む工程チャンバと、前記処理空間へ流体を供給する流体供給部と、前記処理空間の温度を調節する温度調節部と、前記第１ボディと前記第２ボディをクランプするクランピング部材と、前記第１ボディ及び前記第２ボディに対して前記クランピング部材が接触する接触領域に設けられた溝に装着される摩擦防止部材と、を含む。ここで、前記溝の側壁と前記摩擦防止部材の側面とが接触しないように構成される。

本発明の実施形態による基板処理装置は、第１ボディ及び第２ボディとクランピング部材（又はロック部材）とが接触する接触領域に設けられた溝に装着される摩擦防止部材を備えることにより、接触時に発生する衝撃による損傷及びパーティクルを低減させることができる。

本発明の効果は、上述したものに限定されず、上述していない他の効果は、以降の記載から当業者に明確に理解できるだろう。

基板処理設備の概略構造を示す図である。 超臨界流体を用いて基板上のリンス液を乾燥させる基板処理装置及び基板処理装置の動作手順の例を示す図である。 超臨界流体を用いて基板上のリンス液を乾燥させる基板処理装置及び基板処理装置の動作手順の例を示す図である。 超臨界流体を用いて基板上のリンス液を乾燥させる基板処理装置及び基板処理装置の動作手順の例を示す図である。 超臨界流体を用いて基板上のリンス液を乾燥させる基板処理装置及び基板処理装置の動作手順の例を示す図である。 超臨界流体を用いて基板上のリンス液を乾燥させる基板処理装置及び基板処理装置の動作手順の例を示す図である。 本発明の実施形態による基板処理装置の構造を概略的に示す図である。 本発明の実施形態による基板処理装置の構造を概略的に示す図である。 本発明の実施形態による基板処理装置の構造を概略的に示す図である。 本発明の一実施形態による基板処理装置において摩擦防止部材が挿入されたボディを示す図である。 本発明の実施形態による摩擦防止部材が挿入された状態のボディの断面図である。 本発明の実施形態による摩擦防止部材が挿入された状態のボディの断面図である。 本発明の実施形態による摩擦防止部材が適用された基板処理装置の他の例を示す図である。 本発明の実施形態による摩擦防止部材が適用された基板処理装置の他の例を示す図である。 本発明の実施形態による摩擦防止部材が適用された基板処理装置の他の例を示す図である。 本発明の実施形態による摩擦防止部材が適用された基板処理装置の他の例を示す図である。 本発明の他の実施形態による摩擦防止部材が適用された基板処理装置を示す図である。 本発明の他の実施形態による摩擦防止部材が適用された基板処理装置を示す図である。 本発明の他の実施形態による摩擦防止部材が適用された基板処理装置を示す図である。 本発明の別の実施形態による摩擦防止部材が適用された基板処理装置を示す図である。 本発明の別の実施形態による摩擦防止部材が適用された基板処理装置を示す図である。

以下、添付図面を参照して、本発明の実施形態について、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者が容易に実施し得るように詳細に説明する。本発明は、様々に異なる形態で実現でき、ここで説明する実施形態に限定されない。

本発明を明確に説明するために、説明と関係のない部分は省略し、明細書全体にわたって、同一又は類似の構成要素については同一の参照符号を付する。

また、幾つかの実施形態において、同一の構成を有する構成要素については同一の符号を用いて代表的な実施形態でのみ説明し、それ以外の他の実施形態では、代表的な実施形態とは異なる構成についてのみ説明する。

明細書全体にわたって、ある部分が他の部分と「連結（又は結合）」されているとするとき、これは、「直接的に連結（又は結合）」されている場合だけでなく、別の部材を挟んで「間接的に連結（又は結合）」されている場合も含む。また、ある部分がある構成要素を「含む」とするとき、これは、特に反対される記載がない限り、別の構成要素を除外するのではなく、別の構成要素をさらに含むことができることを意味する。

他に定義されない限り、技術的又は科学的な用語を含めてここで使用されるすべての用語は、本発明の属する技術分野における通常の知識を有する者によって一般的に理解されるのと同じ意味を持っている。一般的に使用される辞典に定義されている用語は、関連技術の文脈上持つ意味と一致する意味を持つものと解釈されるべきであり、本出願において明白に定義しない限り、理想的又は過度に形式的な意味で解釈されない。

図１は基板処理設備１の概略構成を示す。基板処理設備１はインデックス部１０及び工程処理部２０を含む。

インデックス部１０はロードポート１２０及びインデックスチャンバ１４０を含む。図１に示すように、ロードポート１２０、インデックスチャンバ１４０、工程処理部２０は順次一列に配列できる。以下、ロードポート１２０、インデックスチャンバ１４０及び工程処理部２０が配列された方向を第１方向１２という。そして、上方から見たとき、第１方向１２に対して垂直な方向を第２方向１４といい、第１方向１２と第２方向１４を含む平面に対して垂直な方向を第３方向１６という。

ロードポート１２０には、基板Ｗが収納されたキャリア１８が装着される。ロードポート１２０は複数が設けられ、これらは第２方向１４に沿って一列に配置されることができる。図１では、４つのロードポート１２０が提供されたことを示している。しかし、ロードポート１２０の数は、工程処理部２０の工程効率及びフットプリントなどの条件に応じて増加又は減少することができる。キャリア１８としては、前面開放一体型ポッド（ＦＯＵＰ：Ｆｒｏｎｔ Ｏｐｅｎｉｎｇ Ｕｎｉｆｉｅｄ Ｐｏｄ）が使用できる。

インデックスチャンバ１４０は、ロードポート１２０と工程処理部２０との間に位置する。インデックスチャンバ１４０は、前面パネル、後面パネル及び両側面パネルを含む直方体の形状を有し、その内部には、ロードポート１２０に装着されたキャリア１８とロードロックチャンバ２２０との間に基板Ｗを搬送するためのインデックスロボット１４４が設けられる。図示してはいないが、インデックスチャンバ１４０は、内部空間へパーティクルが流入するのを防止するために、ベント（ｖｅｎｔｓ）、層流システム（ｌａｍｉｎａｒ ｆｌｏｗ ｓｙｓｔｅｍ）などの制御された空気流動システムを含むことができる。

インデックスレール１４２は、その長さ方向が第２方向１４と並ぶように設けられる。インデックスロボット１４４は、インデックスレール１４２上に設置され、インデックスレール１４２に沿って第２方向１４に直線移動する。インデックスロボット１４４は、ベース１４４ａ、ロボットボディ１４４ｂ、及びインデックスアーム１４４ｃを有する。ベース１４４ａは、インデックスレール１４２に沿って移動可能に設置される。ロボットボディ１４４ｂはベース１４４ａに結合する。ロボットボディ１４４ｂは、ベース１４４ａ上で第３方向１６に沿って移動可能に設けられる。また、ロボットボディ１４４ｂは、ベース１４４ａ上で回転可能に設けられる。インデックスアーム１４４ｃは、ロボットボディ１４４ｂに結合し、ロボットボディ１４４ｂに対して前進及び後進移動可能に設けられる。インデックスアーム１４４ｃは複数設けられ、それぞれ個別に駆動されるように提供される。インデックスアーム１４４ｃは、第３方向１６に沿って互いに離隔した状態で積層されるように配置される。インデックスアーム１４４ｃの一部は、工程処理部２０からキャリア１８へ基板Ｗを搬送するときに使用され、インデックスアームの他の一部は、キャリア１８から工程処理部２０へ基板Ｗを搬送するときに使用され得る。これは、インデックスロボット１４４が基板Ｗを搬入及び搬出する過程で、工程処理前の基板Ｗから発生したパーティクルが工程処理後の基板Ｗに付着することを防止することができる。

工程処理部２０は、ロードロックチャンバ２２０、搬送チャンバ２４０、第１工程処理ユニット２６０、及び第２工程処理ユニット２８０を含むことができる。搬送チャンバ２４０は、その長さ方向が第１方向１２と平行になるように配置されることができる。第２方向１４に沿って搬送チャンバ２４０の一側に第１工程処理ユニット２６０が配置され、搬送チャンバの他側に第２工程処理ユニット２８０が配置されることができる。また、第１工程処理ユニット２６０と第２工程処理ユニット２８０とは、互いに積層されるように配置されることができる。

ロードロックチャンバ２２０は、インデックスチャンバ１４０と搬送チャンバ２４０との間に配置される。ロードロックチャンバ２２０は、搬送チャンバ２４０とインデックスチャンバ１４０との間に基板Ｗが搬送される前に、基板Ｗを一時的に積載する空間を提供する。ロードロックチャンバ２２０は、その内部に基板Ｗが置かれるスロット（図示せず）が設けられ、スロット（図示せず）は、互いに第３方向１６に沿って離隔するように複数設けられる。ロードロックチャンバ２２０における、インデックスチャンバ１４０に対向する面と、搬送チャンバ２４０に対向する面のそれぞれが開放された形態で提供できる。一方、インデックスチャンバ１４０、ロードロックチャンバ２２０及びメインロボット２４４は、基板搬送部と総称することができる。

搬送チャンバ２４０は、ロードロックチャンバ２２０、第１工程処理ユニット２６０及び第２工程処理ユニット２８０の間で基板Ｗを搬送することができる。搬送チャンバ２４０には、ガイドレール２４２とメインロボット２４４が設けられることができる。ガイドレール２４２は、その長さ方向が第１方向１２と平行になるように配置される。メインロボット２４４は、ガイドレール２４２上に設置され、ガイドレール２４２上で第１方向１２に沿って直線移動できるように備えられる。

以下、基板Ｗを搬送する構成を搬送ユニットと定義する。一例として、搬送ユニットには、搬送チャンバ２４０及びインデックスチャンバ１４０が含まれることができる。また、搬送ユニットには、搬送チャンバ２４０に設けられるメインロボット２４４及びインデックスロボット１４４が含まれることができる。

第１工程処理ユニット２６０及び第２工程処理ユニット２８０は、一つの基板Ｗに対して順次工程を行うことができる。例えば、基板Ｗは、第１工程処理ユニット２６０でケミカル工程、リンス工程、及び一次乾燥工程が行われ、第２工程処理ユニット２８０で二次乾燥工程が行われることができる。この場合、一次乾燥工程は有機溶剤によって行われ、二次乾燥工程は超臨界流体によって行われることができる。有機溶剤としてはイソプロピルアルコール（ＩＰＡ）液が使用され、超臨界流体としては二酸化炭素（ＣＯ_２）が使用され得る。これとは異なり、第１工程処理ユニット２６０における一次乾燥工程は省略可能である。

すなわち、第１工程処理ユニット２６０は、基板Ｗ上に残っている異物を除去するための洗浄液を基板Ｗへ一次供給し、その後、洗浄液を除去するためのリンス液（例えば、純水）を基板Ｗへ二次供給し、その後、リンス液を乾燥させるための有機溶剤を基板Ｗへ三次供給することができる。その後、基板Ｗは、搬送ユニットによって第２工程処理ユニット２８０へ移送される。第２工程処理ユニット２８０は、基板Ｗ上に残っている有機溶剤を乾燥させるための流体を供給し、処理空間内の圧力及び温度を高温／高圧環境に造成して流体を超臨界相に維持する。すなわち、第２工程処理ユニット２８０は、超臨界相で基板Ｗ上に残っている有機溶剤を乾燥させることにより、パターンリーニングなどの工程不良を防止することができる。

一実施形態によれば、有機溶剤としてイソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ、ＩＰＡ）が使用され、流体として二酸化炭素（ＣＯ_２）が使用され、第２工程処理ユニット２８０は、二酸化炭素を超臨界状態に維持して基板Ｗ上のイソプロピルアルコールを乾燥させるように構成できる。

以下では、第２工程処理ユニット２８０の一部として提供される基板処理装置に適用される本発明の実施形態について説明する。第２工程処理ユニット２８０には、基板Ｗの二次乾燥工程が行われる基板処理装置４００が提供される。基板処理装置４００は、有機溶剤が残っている基板Ｗを乾燥処理する。基板処理装置４００は、超臨界流体を用いて基板Ｗを乾燥処理することができる。

図２乃至図６は超臨界流体を用いて基板上のリンス液を乾燥させる基板処理装置及び基板処理装置の動作手順の例を示す。図２乃至図６を参照すると、基板処理装置４００は、ハウジング４０２、工程チャンバ４１０、基板支持ユニット４４０、昇降部材４５０、加熱部材４６０、遮断部材４８０、排気ユニット４７０、流体供給ユニット４９０、クランピング部材５００、移動部材５５０、及び制御器（図示せず）を含む。

ハウジング４０２は、フレーム４０４及び中間板４０６を含む。フレーム４０４は、内部に空間を有する筒状に設けられる。例えば、フレーム４０４は、直方体形状に設けられることができる。フレーム４０４の上面には、流体が流動できる貫通孔４０５が設けられる。

中間板４０６はフレーム４０４内に位置する。中間板４０６は、フレーム４０４の内部を上部空間４０８ａと下部空間４０８ｂに区画する。中間板４０６は、中空を有する板状に設けられることができる。上部空間４０８ａには工程チャンバ４１０及びクランピング部材５００が位置し、下部空間４０８ｂには昇降部材４５０が位置することができる。移動部材５５０はハウジング４０２の上部に位置することができる。

工程チャンバ４１０は、内部に基板Ｗを処理する処理空間４１２が設けられる。工程チャンバ４１０は、基板Ｗを処理する間にその処理空間４１２を外部から密閉させる。工程チャンバ４１０は第２ボディ４２０、第１ボディ４３０、及びシール部材４１４を含む。

例えば、第２ボディ４２０は、略円筒状をすることができる。第２ボディ４２０は、昇降部材４５０によってフレーム４０４の上部空間４０８ａ及び下部空間４０８ｂに昇降移動可能である。第２ボディ４２０の底面には下部供給ポート４２２及び排気ポート４２６が設けられる。下部供給ポート４２２は、処理空間４１２へ超臨界流体を供給する流路として機能する。

第１ボディ４３０は、第２ボディ４２０と組み合わされて内部に処理空間４１２を形成する。第１ボディ４３０は第２ボディ４２０の上部に位置する。第１ボディ４３０はハウジング４０２の上部空間４０８ａに位置する。第１ボディ４３０は緩衝部材４３５によってフレーム４０４の天井面に結合する。第１ボディ４３０の側端は段差付いている。第１ボディ４３０は、上面の中央部がエッジ部よりも高く位置する形状をする。例えば、第１ボディ４３０は略円筒状とすることができる。第１ボディ４３０には上部供給ポート４３２が設けられる。上部供給ポート４３２は、処理空間４１２へ超臨界流体が供給される流路として機能する。一例によれば、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０のそれぞれは金属材質であり得る。上部供給ポート４３２と下部供給ポート４２２は流体供給部と総称することができる。

本発明の一実施形態によれば、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０における、クランピング部材５００に接触する接触領域に設けられた溝に摩擦防止部材７３０が装着できる。図２乃至図６は、摩擦防止部材７３０が第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０に装着された場合を示す。一方、摩擦防止部材７３０はクランピング部材５００に装着されることもできる。

シール部材４１４は、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０との間の隙間をシールする。シール部材４１４は、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０との間に位置する。シール部材４１４は、環状のリング形状を有する。例えば、シール部材４１４は、Ｏリング４１４として提供されてもよい。シール部材４１４は、第１ボディ４３０の下端面又は第２ボディ４２０の上端面に設けられる。本実施形態では、シール部材４１４が第２ボディ４２０の上端面に設けられるものと説明する。第２ボディ４２０の上端面には、シール部材４１４が挿入されるシール溝が設けられる。シール部材４１４の一部はシール溝に挿入され、シール部材の他の一部はシール溝から突出する。シール部材４１４は、弾性を含む材質からなることができる。

基板支持ユニット４４０は、処理空間４１２において基板Ｗを支持する。基板支持ユニット４４０は、基板Ｗの処理面が上向きとなるように基板Ｗを支持する。

昇降部材４５０は、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０との間で相対位置を調節する。昇降部材４５０は、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０のうちのいずれか一方が他方に対して近づくか或いは遠ざかるように昇降させる。昇降部材４５０は、工程チャンバ４１０が開位置又は閉位置に移動するように第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０のうちのいずれか一つを昇降させる。ここで、開位置は、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０とが互いに離隔する位置であり、閉位置は、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０とが互いに密着して接触する位置である。すなわち、開位置で処理空間４１２が外部から開放され、閉位置で処理空間４１２が外部から密閉される。

本明細書は、昇降部材４５０が下部空間４０８ｂにおいて第２ボディ４２０を昇降させ、第１ボディ４３０は位置が固定されるものと説明する。選択的に、第２ボディ４２０は固定され、第１ボディ４３０は第２ボディ４２０に対して昇降移動することができる。この場合、昇降部材４５０は、上部空間４０８ａに位置することができる。

昇降部材４５０は、支持板４５２、昇降軸４５４、及び駆動器４５６を含む。支持板４５２は、下部空間４０８ｂにおいて第２ボディ４２０を支持する。支持板４５２には第２ボディ４２０が固定結合される。支持板４５２は円形の板状をする。支持板４５２は、中空よりも大きい直径を持つように設けられる。これにより、第２ボディ４２０の下端は、閉位置においても下部空間４０８ｂに位置する。昇降軸４５４は、下部空間４０８ｂにおいて支持板４５２の底面を支持する。昇降軸４５４は支持板４５２に固定結合される。昇降軸４５４は複数設けられることができる。昇降軸４５４は、周方向に沿って配列されるように位置することができる。駆動器４５６はそれぞれの昇降軸４５４を昇降させる。駆動器４５６は複数設けられ、昇降軸４５４と一対一で対応するように結合する。駆動器４５６に駆動力が提供されると、第２ボディ４２０及び昇降軸４５４が昇降移動し、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０は、処理空間が密閉される閉位置に移動する。閉位置で駆動器４５６の駆動力が解除されると、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０は閉位置を維持することができる。それぞれの駆動器４５６は、同一に駆動力が提供されるか、或いは駆動力が同一に解除される。これにより、複数の昇降軸４５４は昇降中に同一の高さに位置し、支持板４５２及び第２ボディ４２０は水平を維持したまま昇降が可能である。例えば、駆動器４５６はシリンダ又はモータであり得る。

選択的に閉位置で駆動器４５６の駆動力が解除されると、第２ボディ４２０及び昇降軸４５４は下降移動し、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０は、処理空間が開放される開位置に移動することができる。

加熱部材４６０は処理空間４１２を加熱する。加熱部材４６０は、処理空間４１２に供給された超臨界流体を臨界温度以上に加熱して超臨界流体相に維持する。加熱部材４６０は複数のヒータを含むことができる。一方、加熱部材４６０は温度調節部と呼ばれることがある。

加熱部材４６０は、互いに平行な長さ方向を有するバー状又は棒状に設けられる。加熱部材４６０は、クランプ５１０、５２０が移動する方向に対して垂直な長さ方向を有する。例えば、加熱部材４６０は、各ボディ４２０、４３０が移動する方向と平行な長さ方向を有する。これは、各ボディ４２０、４３０の側部がクランプされるので、加熱部材４６０を各ボディ４２０、４３０の側面から挿入させることが不可能である。第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０のうちの少なくとも一つの壁内に埋め込まれて設置されることができる。例えば、ヒータは外部から電源を受けて熱を発生させることができる。本実施形態では、加熱部材４６０が第１ボディ４３０に設けられるものと説明したが、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０のそれぞれに設けられることができる。また、加熱部材４６０は、第１ボディ４３０に設けられず、第２ボディ４２０に設けられることができる。

遮断部材４８０は遮断プレート４８２及び支持台４８４を含む。遮断プレート４８２は下部供給ポート４２２と基板支持ユニット４４０との間に位置する。遮断プレート４８２は円形の板状をする。遮断プレート４８２は、第２ボディ４２０の内径よりも小さい直径を有する。上方から見たとき、遮断プレート４８２は、下部供給ポート４２２及び排気ポート４２６の両方を覆う直径を有する。例えば、遮断プレート４８２は、基板Ｗの直径に対応するか、或いはこれよりも大きい直径を有するように設けられることができる。支持台４８４は遮断プレート４８２を支持する。支持台４８４は、複数設けられ、遮断プレート４８２の周方向に沿って配置される。それぞれの支持台４８４は、互いに一定間隔で離隔するように配列される。

排気ユニット４７０は処理空間４１２の流体を排気する。処理空間４１２に発生した工程副産物は、排気ユニット４７０を介して排気される。排気は自然排気又は強制排気であり得る。また、排気ユニット４７０は、工程副産物を排気するとともに、処理空間４１２の圧力を調節することが可能である。排気ユニット４７０は排気ライン４７２及び圧力測定部材４７４を含む。排気ライン４７２は排気ポート４２６に接続される。排気ライン４７２に設置された排気弁４７６は、処理空間４１２の排気量を調節することが可能である。圧力測定部材４７４は、排気ライン４７２に設置され、排気ライン４７２の圧力を測定する。圧力測定部材４７４は、排気方向に対して排気弁４７６よりも上流に位置する。排気ユニット４７０によって、処理空間４１２は常圧、又は工程チャンバ４１０の外部に対応する圧力に減圧できる。

流体供給ユニット４９０は、処理空間４１２へ処理流体を供給する。処理流体は、臨界温度及び臨界圧力によって超臨界状態で供給される。流体供給ユニット４９０は上部供給ライン４９２及び下部供給ライン４９４を含む。上部供給ライン４９２は上部供給ポート４３２に接続される。処理流体は、上部供給ライン４９２及び上部供給ポート４３２を順次経て処理空間４１２に供給される。上部供給ライン４９２には上部弁４９３が設置される。上部弁４９３は上部供給ライン４９２を開閉する。下部供給ライン４９４は、上部供給ライン４９２と下部供給ポート４２２とを互いに連結する。下部供給ライン４９４は、上部供給ライン４９２から分岐して下部供給ポート４２２に連結される。すなわち、上部供給ライン４９２及び下部供給ライン４９４のそれぞれから供給される処理流体は、同じ種類の流体であり得る。処理流体は、下部供給ライン４９４及び下部供給ポート４２２を順次経て処理空間４１２に供給される。下部供給ライン４９４には下部弁４９５が設置される。下部弁４９５は下部供給ライン４９４を開閉する。

一例によれば、基板Ｗの非処理面に対向する下部供給ポート４２２から処理流体が供給され、その後、基板Ｗの処理面に対向する上部供給ポート４３２から処理流体が供給されることができる。よって、処理流体は、下部供給ライン４９４を介して処理空間４１２へ供給され、続いて上部供給ライン４９２を介して処理空間４１２へ供給されることができる。これは、初期に供給される処理流体が臨界圧力又は臨界温度に達していない状態で基板Ｗに供給されることを防止するためである。

クランピング部材５００は、閉位置に位置する第１ボディ４３０と第２ボディ４２０をクランプする。これにより、工程の進行時に処理空間内の圧力が上昇しても、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０との間に隙間が発生することを防止することができる。また、クランピング部材５００によって工程チャンバ４１０がクランプされる間に、駆動器４５６の駆動力が解除される。これにより、長時間にわたって駆動器４５６に強い力が作用し、駆動器４５６が損傷するのを防止することができる。

クランピング部材５００は、第１クランプ５１０及び第２クランプ５２０を含む。第１クランプ５１０及び第２クランプ５２０は工程チャンバ４１０の側部に位置する。一例によれば、第１クランプ５１０及び第２クランプ５２０のそれぞれは、工程チャンバ４１０を挟んで互いに対向するように位置する。第１クランプ５１０及び第２クランプ５２０のそれぞれは、工程チャンバ４１０を囲む形状に提供される。第１クランプ５１０及び第２クランプ５２０のそれぞれは、工程チャンバ４１０に面する内側面にクランプ溝が設けられる。クランプ溝には、閉位置に位置した第１ボディ４３０の縁部及び第２ボディ４２０の縁部が挿入可能である。クランピング部材５００はロック位置又はロック解除位置に移動可能である。ここで、ロック位置は、第１クランプ５１０と第２クランプ５２０とが互いに近接して第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０をクランプする位置であり、ロック解除位置は、第１クランプ５１０及び第２クランプ５２０が第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０から離隔する位置であると定義する。第１クランプ５１０及び第２クランプ５２０は、ロック位置で互いに組み合わされて環状のリング形状を持つように提供される。例えば、第１クランプ５１０及び第２クランプ５２０のうちのいずれか一方の垂直断面は、「Ｃ」又は

字状を有し、他方の垂直断面は、垂直軸を基準にいずれか一つの垂直断面と対称になるように提供されることができる。

移動部材５５０は、クランピング部材５００をロック位置及びロック解除位置に移動させる。移動部材５５０は、クランピング部材５００を工程チャンバ４１０の移動方向に対して垂直な方向に移動させる。移動部材５５０は、ガイドレール５６０、ブラケット５７０及び駆動部材５８０を含む。ガイドレール５６０はハウジング４０２の外部に位置する。ガイドレール５６０は、第１ボディ４３０が位置する上部空間４０８ａに隣接して位置する。ガイドレール５６０はハウジング４０２の上面に設置される。ガイドレール５６０は工程チャンバ４１０の移動方向に対して垂直な長さ方向を有する。ガイドレール５６０は、複数設けられ、それぞれは同じ長さ方向を有する。一例によれば、ガイドレール５６０は貫通孔４０５と同じ個数で提供される。ガイドレール５６０は、貫通孔４０５と平行な長さ方向を有する。上方から見たとき、ガイドレール５６０は、貫通孔４０５とオーバーラップするように位置する。ブラケット５７０は、ガイドレール５６０とクランピング部材５００とを互いに固定結合させる。ブラケット５７０は、ガイドレール５６０と同じ個数で設けられる。一例によれば、上方から見たとき、一側に位置するガイドレール５６０には第１クランプ５１０が連結され、他側に位置するガイドレールには第２クランプ５２０が連結されることができる。駆動部材５８０は、クランピング部材５００がガイドレール５６０の長さ方向に沿ってロック位置又はロック解除位置に移動するようにガイドレール５６０を駆動させる。

制御器は昇降部材４５０及び移動部材５５０を制御する。制御器は、工程チャンバ４１０が閉位置又は開位置に移動するように昇降部材４５０を制御し、クランピング部材５００がロック位置又はロック解除位置に移動するように移動部材５５０を制御する。一例によれば、制御器は、工程チャンバ４１０が開位置から閉位置へ移動すると、クランピング部材５００は、ロック解除位置からロック位置へ移動することができる。制御器は、工程チャンバ４１０がクランピング部材５００によって閉じられると、駆動器４５６の駆動力が解除されるように昇降部材４５０を制御することができる。

図２乃至図６は、基板Ｗを基板処理装置（第２処理ユニット２８０）に投入された後、基板Ｗの処理及び排出が行われる段階を示す。図２に示すように、第２ボディ４２０が下降して開状態で基板Ｗが投入されて基板支持ユニット４４０に装着される。その後、図３に示すように、第２ボディ４２０が昇降部材４５０によって上昇し、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０とが接触して処理空間４１２を密閉させる。その後、図４に示すように、クランピング部材５００が第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０をクランプし、処理空間４１２へ処理流体が供給され、加熱部材４６０によって処理空間４１２へ熱エネルギーが供給される。一定レベルの圧力及び温度が形成されると、処理空間４１２の内部に超臨界流体が形成され、超臨界流体による処理工程が行われる。超臨界処理工程が完了すると、図５に示すようにクランピング部材５００がクランプ解除位置へ移動し、その後、図６に示すように第２ボディ４２０が下降し、基板Ｗが外部へ排出されることができる。

図２乃至図６に示すように、クランピング部材５００は、水平移動を介して第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０と接触し、処理空間４１２内の圧力とは反対の方向で第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０を加圧して密着させる。

処理空間４１２の内部を超臨界状態に維持するために、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０は、内部圧力よりも大きな力でクランプされなければならない。このとき、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０がクランピング部材５００と接触する部位で摩擦が発生し、これによりパーティクルが発生することができる。特に、第１ボディ４３０、第２ボディ４２０、クランピング部材５００が金属材質からなる場合、基板Ｗに致命的な金属性パーティクルが発生して工程不良を引き起こすおそれがある。第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０がクランピング部材５００に接触する領域にフィルムなどを付着させる方法が考えられるが、フィルムの場合は、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０が移動する過程で剥がれるおそれがあり、フィルムの付着に使用される接着剤によって汚染が発生するおそれがある。

したがって、本発明の実施形態は、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０に対してクランピング部材５００が接触する接触領域に設けられた溝にパッド状の摩擦防止部材７３０を装着することにより、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０がクランピング部材５００に接触して生じる損傷及びパーティクルを低減させることができる。

一方、フィルムを付着させる場合と比較して、パッド状の摩擦防止部材７３０は、部品損傷及び付着不良発生の可能性が低いため、長寿命を有する。また、組立位置が構造的に決定されているので、別途の組立治具なしにも同じ位置に繰り返し設置することができるという利点がある。

結論として、パッド状の摩擦防止部材７３０を導入することにより、基板処理装置のメンテナンスのためのコスト及び時間が減少し、全体的な設備稼働率が改善されることができる。以下、摩擦防止部材７３０が適用される基板処理装置の様々な実施形態について説明する。

図７乃至図９は本発明の実施形態による基板処理装置の構造を概略的に示す。

本発明の実施形態による基板処理装置は、互いに結合して内部に処理空間を形成する第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０を含む工程チャンバ４１０と、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０とが密着するように第１ボディ４３０と第２ボディ４２０をクランプするクランピング部材５００と、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０に対してクランピング部材５００が接触する接触領域に設けられた溝に装着される摩擦防止部材７３０と、を含む。

図７は第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０にボディ溝４２４、４３４がそれぞれ設けられ、ボディ溝４２４、４３４に摩擦防止部材７３０が挿入された場合を示す。本発明の実施形態によれば、摩擦防止部材７３０が装着される溝は、第１ボディ４３０に設けられた第１ボディ溝４３４と、第２ボディ４２０に設けられた第２ボディ溝４２４と、を含む。

図８はクランピング部材５００における第１ボディ４３０に接触する領域に第１クランプ溝５３２が設けられ、クランピング部材５００において第２ボディ４２０に接触する領域に第２クランプ溝５３４が設けられ、摩擦防止部材７３０が第１クランプ溝５３２及び第２クランプ溝５３４に挿入された場合を示す。本発明の実施形態によれば、摩擦防止部材７３０が装着される溝は、クランピング部材５００における第１ボディ４３０に対応する領域に設けられた第１クランプ溝５３２、及びクランピング部材５００における第２ボディ４２０に対応する領域に設けられた第２クランプ溝５３４を含むことができる。

図９は第１ボディ４３０、第２ボディ４２０及びクランピング部材５００に溝が設けられて摩擦防止部材が装着される場合を示す。図９に示すように、第１ボディ４３０に設けられた第１ボディ溝４３４、第２ボディ４２０に設けられた第２ボディ溝４２４、クランピング部材５００に設けられた第１クランプ溝５３２及び第２クランプ溝５３４に摩擦防止部材が挿入できる。

本発明の実施形態によれば、摩擦防止部材７３０は、ＰＥＥＫ（ｐｏｌｙ ｅｔｈｅｒ ｅｔｈｅｒ ｋｅｔｏｎ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリアラミド（ｐｏｌｙ－ａｒａｍｉｄ）、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ジルコニア、ＳｉＣ、ＳｉＮ及びアルミナ（Ａｌｕｍｉｎａ）のうちの少なくとも一つで構成できる。

さらに、摩擦防止部材７３０は、表面に樹脂コーティング又はＤＬＣ（ｄｉａｍｏｎｄ－ｌｉｋｅ ｃｏａｔｉｎｇ）処理された金属性ボディで構成できる。

本発明の実施形態によれば、摩擦防止部材７３０は、複数の摩擦防止パッドで構成できる。例えば、図１０に示すように、第１ボディ４３０の溝に装着される摩擦防止部材７３０は、４つの摩擦防止パッドで構成できる。単一の円形パッドを構成する場合、第１ボディ４３０全体を分離して摩擦防止パッドを交換しなければならないが、図１０に示すように複数個で摩擦防止パッドを構成する場合、第１ボディ４３０を分離しなくても摩擦防止パッドを交換することができるので、より容易に摩擦防止パッドを交換することができる。

一方、摩擦防止部材７３０は、一つの摩擦防止パッドで構成されてもよく、２つ、３つ、４つなどの様々な形態の摩擦防止パッドで構成されてもよい。

図１１及び図１２は本発明の実施形態による摩擦防止部材７３０が挿入された状態のボディの断面図である。

本発明の実施形態によれば、摩擦防止部材７３０に貫通口が設けられ、貫通口を介して締結部材７５０が接触領域に締結されることにより、摩擦防止部材７３０を固定することができる。図１１及び図１２に示すように、第１ボディ４３０に設けられた第１ボディ溝４３４に摩擦防止部材７３０が挿入され、締結部材７５０を介して摩擦防止部材７３０が第１ボディ４３０に固定される。

一方、摩擦防止部材７３０は、第１ボディ溝４３４の底面４３４Ａに塗布された接着剤を介して第１ボディ４３０に固定されることもできる。

本発明の実施形態によれば、摩擦防止部材７３０と溝４３４の側壁４３４Ｂとの間に一定間隔ｇが設けられることができる。すなわち、摩擦防止部材７３０の表面積は、溝４３４の表面積よりも小さく構成できる。例えば、処理空間４１２内の圧力によってクランピング部材５００と第１ボディ４３０との接触領域に圧力が作用し、圧力によって摩擦防止部材７３０が変形する場合を考慮して、摩擦防止部材７３０と溝４３４の側壁４３４Ｂとの間に一定間隔ｇを構成することができる。そのため、一定間隔ｇは、摩擦防止部材７３０に加わる圧力による変形量よりも大きく設定できる。

また、摩擦防止部材７３０は、溝４３４の周辺部よりも突出するように構成されることができる。圧力によって摩擦防止部材７３０が水平方向に変形する場合を考慮して、摩擦防止部材７３０が一定高さｔだけ突出するように構成することにより、変形が発生しても摩擦防止機能を行うようにすることができる。

上述した摩擦防止部材７３０は、図２乃至図６に示す基板処理装置４００の一部として構成できる。本発明の実施形態による基板処理装置４００は、互いに結合して内部に処理空間４１２を形成する第１ボディ４３０と第２ボディ４２０を含む工程チャンバ４１０と、処理空間４１２へ流体を供給する流体供給部４３２、４２２と、処理空間４１２の温度を調節する温度調節部（加熱部材４６０）と、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０とが互いに密着するように第１ボディ４３０と第２ボディ４２０をクランプするクランピング部材５００と、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０に対してクランピング部材５００が接触する接触領域に設けられた溝に装着される摩擦防止部材７３０と、を含むことができる。

一方、上述した摩擦防止部材７３０を含む基板処理装置４００は、基板処理設備１の一部として提供できる。例えば、基板処理装置４００は、第２工程処理ユニット２８０に含まれることができる。

本発明の実施形態による基板処理設備１は、基板Ｗが投入及び排出されるロードポート１２０と、基板Ｗを搬送する基板搬送部１４０、２２０、２４４と、処理液を基板Ｗへ供給して処理する第１工程処理ユニット２６０と、基板Ｗに残っている処理液を乾燥させる第２工程処理ユニット２８０と、を含む。

第２工程処理ユニット２８０は、互いに結合して内部に処理空間４１２を形成する第１ボディ４３０と第２ボディ４２０を含む工程チャンバ４１０と、処理空間４１２へ流体を供給する流体供給部４３２、４２２と、処理空間４１２の温度を調節する温度調節部（加熱部材４６０）と、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０とが互いに密着するように第１ボディ４３０と第２ボディ４２０をクランプするクランピング部材５００と、第１ボディ４３０及び前記第２ボディ４２０に対してクランピング部材５００が接触する接触領域に設けられた溝に装着される摩擦防止部材７３０と、を含むことができる。

一方、上述したように、溝の側壁４３４Ｂと摩擦防止部材７３０の側面とは互いに接触しないように構成できる。例えば、図１１に示すように、摩擦防止部材７３０と溝４３４の側壁４３４Ｂとの間に一定間隔ｇが形成できる。

図１３乃至図１６は本発明の実施形態による摩擦防止部材が適用された基板処理装置の他の例を示す。

図１３乃至図１６を参照すると、一側に開口部が設けられたチャンバ状の第１ボディ１４１０、開口部に対応する形状をし、開口部に結合することにより基板Ｗの処理空間を形成する第２ボディ１４２５と、を含む。第２ボディ１４２５には、基板Ｗを支持する基板支持ユニット１４２０が設置され、第２ボディ１４２５は、駆動装置によって水平方向に移動して第１ボディ１４１０に結合することができる。また、第１ボディ１４１０と第２ボディ１４２５との結合によって内部に処理空間が形成され、第１ボディ１４１０と第２ボディ１４２５を固定するためのロック部材１４４０が提供される。一方、図１３及び図１４に示すように、基板Ｗを支持する基板支持ユニット１４２０が水平方向に移動して第１ボディ１４１０に進入した後、ロック部材１４４０の昇降によって第１ボディ１４１０と第２ボディ１４２５がクランプされる。

その後、図１５に示すように、処理空間が密閉された状態で流体供給部１４３０Ａ、１４３０Ｂによって流体が供給され、温度調節部によって処理空間に熱エネルギーが加えられながら高温及び高圧環境が造成される。高温及び高圧環境で工程処理が完了すると、流体排出部１４３５を介して流体が排出され、ロック部材１４４０が下降し、基板Ｗが排出されることができる。

本発明の実施形態によれば、第２ボディ１４２５とロック部材１４４０とが接触する接触領域に摩擦防止部材１４５０が形成できる。前述したのと同様に、摩擦防止部材１４５０は、接触領域に設けられた溝に装着できる。

本発明の一実施形態によれば、図１５に示すように、摩擦防止部材１４５０は、ロック部材１４４０の接触領域に設けられた溝に装着できる。また、図１６に示すように、摩擦防止部材１４５０は、第２ボディ１４２５の接触領域に設けられた溝に装着できる。

本発明の実施形態によれば、摩擦防止部材１４５０は、ＰＥＥＫ（ｐｏｌｙ ｅｔｈｅｒ ｅｔｈｅｒ ｋｅｔｏｎ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリアラミド（ｐｏｌｙ－ａｒａｍｉｄ）、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ジルコニア、ＳｉＣ、ＳｉＮ及びアルミナ（Ａｌｕｍｉｎａ）のうちの少なくとも一つで構成できる。また、摩擦防止部材１４５０は、表面に樹脂コーティング又はＤＬＣ処理された金属性ボディで構成できる。

本発明の実施形態によれば、摩擦防止部材１４５０と溝の側壁との間に一定間隔が形成できる。ここで、摩擦防止部材１４５０と溝との間隔は、摩擦防止部材１４５０に加わる圧力による変形量よりも大きく設定できる。また、摩擦防止部材１４５０は溝の周辺部よりも突出することができる。

本発明の実施形態によれば、摩擦防止部材１４５０には貫通口が設けられ、貫通口を介して締結部材が接触領域（第２ボディ１４２５又はロック部材１４４０）に締結されることにより、摩擦防止部材１４５０を第２ボディ１４２５又はロック部材１４４０に固定させることができる。

図１７乃至図１９は本発明の他の実施形態による摩擦防止部材が適用された基板処理装置を示す。先立って図２乃至図１０を参照して説明した実施形態は、クランピング部材５００によって、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０との間隔が開かないようにクランプされる場合である。しかしながら、より簡単に設備を構成するために、クランピング装置なしに第１ボディ４３０と第２ボディ４２０とが結合し、昇降部材４５０（シリンダの油圧）によって第１ボディ４３０と第２ボディ４２０とが互いに開かないようにすることができる。この場合、図１７乃至図１９に示すように、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０とが互いに接触する接触領域に摩擦防止部材７３０が位置することができる。

例えば、図１７に示すように、上部に位置する第１ボディ４３０に設けられた溝に摩擦防止部材７３０が装着できる。また、図１８に示すように、下部に位置する第２ボディ４２０に設けられた溝に摩擦防止部材７３０が装着できる。一方、図１９に示すように、第１ボディ４３０と第２ボディ４２０にそれぞれ溝が設けられて摩擦防止部材７３０が装着できる。

図２０及び図２１は本発明の別の実施形態による摩擦防止部材が適用された基板処理装置を示す。図７乃至図１２を参照して説明した実施形態のように第１ボディ４３０、第２ボディ４２０、又はクランピング部材５００の中央部分に溝が設けられ、中央部分に設けられた溝に摩擦防止部材７３０が挿入されるのとは異なり、第１ボディ４３０、第２ボディ４２０、又はクランピング部材５００のエッジ部分に溝が設けられ、エッジ部分に位置した溝に摩擦防止部材７３０が挿入されることができる。

例えば、図２０に示すように、クランピング部材５００における、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０に接触する部分のエッジに溝が設けられ、エッジの溝に摩擦防止部材７３０が装着できる。また、図２１に示すように、第１ボディ４３０及び第２ボディ４２０における、クランピング部材５００に接触する部分のエッジに溝が設けられ、エッジの溝に摩擦防止部材７３０が装着されることができる。

本実施形態及び本明細書に添付された図面は、本発明に含まれる技術的思想の一部を明確に示しているものに過ぎず、本発明の明細書及び図面に含まれている技術的思想の範囲内で当業者が容易に類推することができる変形例と具体的な実施形態はいずれも本発明の権利範囲に含まれることが自明であるというべきである。

したがって、本発明の思想は、説明された実施形態に局限されて定められてはならず、後述する特許請求の範囲だけでなく、この特許請求の範囲と均等であるか或いは等価的変形があるすべてのものは、本発明の思想の範疇に属するというべきである。

Claims (9)

1. 互いに結合して内部に処理空間を形成する第１ボディと第２ボディを含む工程チャンバと、
   前記第１ボディと前記第２ボディをクランプするクランピング部材と、
   前記第１ボディ又は前記第２ボディに対して前記クランピング部材が接触する接触領域に設けられた溝に装着される摩擦防止部材と、を含み、
   前記摩擦防止部材には貫通口が設けられ、前記貫通口を介して締結部材が前記接触領域に締結されることにより、前記摩擦防止部材を固定させ、
   前記摩擦防止部材は前記溝の周辺部及び前記締結部材よりも突出し、
   前記摩擦防止部材と前記溝の側壁との間に一定間隔が設けられる、基板処理装置。
2. 前記溝は、前記第１ボディに設けられた第１ボディ溝と、前記第２ボディに設けられた第２ボディ溝とを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
3. 前記溝は、前記クランピング部材における前記第１ボディに対応する領域に設けられた第１クランプ溝と、前記クランピング部材における前記第２ボディに対応する領域に設けられた第２クランプ溝とを含む、請求項１に記載の基板処理装置。
4. 前記摩擦防止部材は、ＰＥＥＫ（ｐｏｌｙ ｅｔｈｅｒ ｅｔｈｅｒ ｋｅｔｏｎ）、ＰＩ（ｐｏｌｙｉｍｉｄｅ）、ポリアラミド（ｐｏｌｙ－ａｒａｍｉｄ）、ＰＥＴ（Ｐｏｌｙｅｔｈｙｌｅｎｅ ｔｅｒｅｐｈｔｈａｌａｔｅ）、ジルコニア、ＳｉＣ、ＳｉＮ及びアルミナ（Ａｌｕｍｉｎａ）のうちの少なくとも一つで構成される、請求項１に記載の基板処理装置。
5. 前記摩擦防止部材は、表面に樹脂コーティング又はＤＬＣ（ｄｉａｍｏｎｄ－ｌｉｋｅ
   ｃｏａｔｉｎｇ）処理された金属性ボディで構成される、請求項１に記載の基板処理装置。
6. 前記摩擦防止部材の表面積は前記溝の表面積よりも小さく構成される、請求項１に記載の基板処理装置。
7. 前記一定間隔は、前記摩擦防止部材に加わる圧力による変形量よりも大きく設定される、請求項６に記載の基板処理装置。
8. 基板が投入及び排出される基板ローディング部と、
   前記基板を搬送する基板搬送部と、
   前記基板に残っている異物を除去するための洗浄液を前記基板へ供給し、前記洗浄液を除去するためのリンス液を前記基板へ供給し、前記リンス液を乾燥させるための有機溶剤を前記基板へ供給する第１工程処理ユニットと、
   前記基板に残っている有機溶剤を乾燥させる第２工程処理ユニットと、を含み、
   前記第２工程処理ユニットは、
   互いに結合して内部に処理空間を形成する第１ボディと第２ボディを含む工程チャンバと、
   前記処理空間へ流体を供給する流体供給部と、
   前記処理空間の温度を調節する温度調節部と、
   前記第１ボディと前記第２ボディをクランプするクランピング部材と、
   前記第１ボディ及び前記第２ボディに対して前記クランピング部材が接触する接触領域に設けられた溝に装着される摩擦防止部材と、を含み、
   前記摩擦防止部材には貫通口が設けられ、前記貫通口を介して締結部材が前記接触領域に締結されることにより、前記摩擦防止部材を固定させ、
   前記摩擦防止部材は前記溝の周辺部及び前記締結部材よりも突出し、
   前記溝の側壁と前記摩擦防止部材の側面とが接触しないように構成される、基板処理設備。
9. 前記有機溶剤としてイソプロピルアルコール（ｉｓｏｐｒｏｐｙｌ ａｌｃｏｈｏｌ、ＩＰＡ）が使用され、前記流体として二酸化炭素（ＣＯ２）が使用され、
   前記第２工程処理ユニットは、前記二酸化炭素を超臨界状態に維持して前記基板上のイソプロピルアルコールを乾燥させるように構成される、請求項８に記載の基板処理設備。