CN110416121B - 用于处理基板的装置 - Google Patents

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Abstract

一种用于处理基板的装置，其包括在内部具有处理空间的腔室、在所述处理空间中支承所述基板的基板支承单元、以及安装在所述腔室中并调节所述处理空间中的温度的温度调节单元。所述温度调节单元包括加热所述处理空间的加热构件、以及冷却所述处理空间的冷却构件。所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线。

Description

用于处理基板的装置
相关申请的交叉引用
本申请要求于2018年4月30日提交韩国工业产权局、申请号为10-2018-0050048的韩国专利申请的优先权和权益，其全部内容通过引用结合在本申请中。
技术领域
本文中描述的本发明构思的实施方案涉及用于处理基板的装置。
背景技术
为了制造半导体设备，通过各种工艺，例如光刻、蚀刻、灰化、离子注入和薄膜沉积等，在基板上形成所需图案。在工艺中使用各种处理液，并且在工艺期间产生污染物和颗粒。在各工艺之前和之后需要执行用于将污染物和颗粒从基板去除的清洁工艺。
在清洁工艺中，通常用化学品和清洗液处理基板，然后将其干燥。干燥工艺是用于将残留在基板上的清洗液干燥的工艺。在干燥工艺中，基板上的清洗液被例如异丙醇(isopropyl alcohol,IPA)的有机溶剂取代，有机溶剂的表面张力低于清洗液的表面张力，其后去除有机溶剂。然而，由于基板上形成的图案之间的临界尺寸(critical dimension,CD)的按比例降低，不容易去除残留在图案之间的空间中的有机溶剂。
最近，已经使用了通过使用超临界流体来去除残留在基板上的有机溶剂的工艺。与从外界密封的高温和高压空间中进行该超临界工艺，以满足超临界流体的特定条件。
在该高温和高压空间中，无法实现均匀的热对流，并且温度分布是不均匀的。通常，在其中处理基板的空间的中心部分具有比空间的边缘部分更高的温度。因此，通过超临界流体干燥产量可根据基板的区域改变，这可能导致工艺失败。
发明内容
本发明构思的实施方案提供了一种用于均匀调节封闭空间中的温度分布的装置。
根据示例性实施方案，用于处理基板的装置包括腔室，其在内部具有处理空间；基板支承单元，其在处理空间中支承基板；以及温度调节单元安装在腔室中并调节处理空间中的温度。温度调节单元包括加热构件，其加热处理空间和冷却构件，其冷却处理空间。冷却构件位于比加热构件更靠近腔室的中心轴线。
加热构件和冷却构件可具有彼此平行的纵向方向。
腔室可包括上主体和下主体，下主体与上主体结合以在内部形成处理空间。该装置还可包括致动器，该致动器在移动方向上移动上主体和下主体中的至少一个，用于在处理空间关闭的关闭位置和处理空间打开的打开位置之间的位置变化。加热构件和冷却构件的纵向方向可平行于该移动方向。加热构件可包括多个具有棒状的加热器、冷却构件可包括多个具有棒状的冷却器。当从上方观察时加热器可结合在一起以具有环形、当从上方观察时冷却器可结合在一起以具有环形。
腔室可具有形成于其中的冷却凹槽，冷却器插入到该冷却凹槽中。各冷却器可包括第一部件，其对于腔室具有第一热导率；和第二部件，其从第一部件延伸并对于腔室具有第二热导率，第二热导率比第一热导率低。
第一部件可位于比第二部件更靠近处理空间。
第一部件可具有大于第二部件的宽度。第一部件可与形成相应的一个冷却凹槽的一个表面接触，且第二部件可与该一个表面间隔开。冷却构件还可包括外主体，该外主体围绕第二部件和一个表面之间的空间。外主体可由用于阻碍第二部件和所述一个表面之间的热交换的绝热材料形成。
该装置还可包括气体供应单元，其将气体供应到处理空间中。气体供应单元可将气体供应至处理空间中，使得通过供应到处理空间中的气体，将处理空间中的压力升高至超出气体的临界压力。
附图说明
参照以下附图，上述和其他目的和特征将从以下描述中变得显而易见，其中除非另有规定，否则相同的附图标记在各个附图中指代相同的部件，并且其中：
图1为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理设备的平面图；
图2为示出了用于清洁图1的第一工艺单元中的基板的装置的剖面图；
图3为示出了用于干燥图1的第二工艺单元中的基板的装置的剖面图；
图4为示出了图3的壳体的立体图；
图5为示出了图3的基板支承单元的立体图；
图6为示出了图3的夹持构件的立体图；
图7为示出了图3的加热器和冷却器的平面图；
图8为示出了图3的加热器和冷却器的放大剖面图；
图9为示出了图3的冷却器的详细剖面图；以及
图10和图11为示出了图9的冷却器的其他实施方案的视图。
具体实施方式
然而，本发明构思可以以不同形式实施，且不应理解为受限于本文中所陈述的实施方案。相反，提供这些实施方案使得本发明构思彻底且完整，并且将本发明构思的范围完全传达给本领域的技术人员。因此，在附图中，为了清楚说明，夸大了部件的尺寸。
下文中，将参照图1至11，详细地描述本发明构思的实施方案。
图1为示出了根据本发明构思的实施方案的基板处理设备1的平面图。
参照图1，基板处理设备1具有索引模块10和处理模块20。索引模块10具有装载端口120和传送框架140。装载端口120、传送框架140和处理模块20依序排列成一排。下文中，装载端口120、传送框架140和处理模块20排列的方向被称为第一方向12，从上方观察时垂直于第一方向12的方向被称为第二方向14，且垂直于包括第一方向12和第二方向14的平面的方向被称为第三方向16。
具有基板W接收于其中的载体18放置在装载端口120上。多个装载端口120沿第二方向14排列成一排。图1示出了索引模块10包括四个装载端口120的实施例。然而，装载端口120的数量可根据诸如工艺效率和处理模块20的占地面积的条件而增加或减少。各载体18具有形成于其中的多个槽(未示出)以支撑基板W的边缘。多个槽沿第三方向16设置，且基板W沿第三方向16在载体18中一个在另一个上方堆叠，其间具有空隙。前开式晶圆盒(frontopening unified pod,FOUP)可用作载体18。
处理模块20具有缓冲单元220、传送腔室240、第一工艺单元260和第二工艺单元280。传送腔室240设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。第一工艺单元260沿第二方向14设置在传送腔室240的一侧上，且第二工艺单元280沿第二方向14设置在传送腔室240的相对侧上。第一工艺单元260和第二工艺单元280可相对于传送腔室240彼此对称。一些第一工艺单元260可沿传送腔室240的纵向方向设置。另外，其他第一工艺单元260一个在另一个上方堆叠。即，第一工艺单元260可在传送腔室240的一侧上排列成A×B阵列(A和B是1或大于1的自然数)。此处，A表示沿第一方向12排列成一排的第一工艺单元260的数量，且B表示沿第三方向16排列成一列的第一工艺单元260的数量。在传送腔室240的一侧上设置有四个或六个第一工艺单元260的情况下，第一工艺单元260可排列成2×2或3×2的阵列。第一工艺单元260的数量可增加或减少。与第一工艺单元260类似，第二工艺单元280也可排列成M×N的阵列(M和N是1或大于1的自然数)。此处，M和N可分别等于A和B。可选地，第一工艺单元260和第二工艺单元280都可仅设置在传送腔室240的一侧上。在另一情况中，第一工艺单元260和第二工艺单元280可分别以单层设置在传送腔室240的一侧和相对侧上。此外，与以上描述不同，第一工艺单元260和第二工艺单元280可以以各种排列方式设置。
缓冲单元220设置在传送框架140和传送腔室240之间。缓冲单元220提供基板W在传送腔室240和传送框架140之间传送之前停留的空间。缓冲单元220在其中具有多个槽(未示出)，基板W放置在槽上。槽(未示出)沿第三方向16彼此间隔开。缓冲单元220在面向传送框架140的一侧、以及在面向传送腔室240的相对侧是敞开的。
传送框架140在放置于装载端口120上的载体18和缓冲单元220之间传送基板W。索引轨道142和索引机械手144设置在传送框架140中。索引轨道142设置成使得其纵向方向平行于第二方向14。索引机械手144安装在索引轨道142上，并在第二方向14上沿索引轨道142线性移动。索引机械手144具有基底144a、主体144b和多个索引臂144c。将基底144a安装成沿索引轨道142为可移动的。主体144b耦合至基底144a。主体144b在基底144a上沿第三方向16为可移动的。另外，主体144b在基底144a上为可旋转的。多个索引臂144c耦合至主体144b，并相对于主体144b向前和向后可移动。多个索引臂144c可独立运行。索引臂144c沿第三方向16一个在另一个上方堆叠，其间具有空隙。一些索引臂144c可用于将基板W从处理模块20传送至载体18，且其他索引臂144c可用于将基板W从载体18传送至处理模块20。因此，可在索引机械手144在载体18和处理模块20之间传送基板W的过程中，防止从待处理的基板W产生的颗粒粘附至处理的基板W。
传送腔室240在缓冲单元220、第一工艺单元260以及第二工艺单元280之间传送基板W。导轨242和主机械手244设置在传送腔室240中。导轨242设置成使得其纵向方向平行于第一方向12。主机械手244安装在导轨242上，并沿第一方向12在导轨242上线性移动。
第一工艺单元260和第二工艺单元280可在一块基板W上依序执行工艺。例如，第一工艺单元260可在基板W上执行化学工艺、清洗工艺和第一干燥工艺，第二工艺单元280可在基板W上执行第二干燥工艺。在这种情况下，有机溶剂可用于第一干燥工艺中，超临界流体可用于第二干燥工艺中。异丙醇(IPA)溶液可用作有机溶剂，且二氧化碳(CO2)可用作超临界流体。可选地，第一工艺单元260可以不执行第一干燥工艺。
下文中，将描述设置在第一工艺单元260中的基板处理装置300。图2为示出了用于清洁图1的第一工艺单元260中的基板W的装置300的剖面图。参照图2，基板处理装置300具有处理容器320、旋转头(spin head)340、升降单元360和分配构件380。处理容器320具有在其中处理基板W的空间。处理容器320在其顶部敞开。处理容器320具有内回收料盆(recovery bowl)322和外回收料盆326。回收料盆322和326回收在工艺中使用的不同处理流体。内回收料盆322具有围绕旋转头340的环形形状，且外回收料盆326具有围绕内回收料盆322的环形形状。内回收料盆322的内空间322a以及外回收料盆326和内回收料盆322之间的空间326a用作入口，通过该入口将处理流体分别引入到内回收料盆322和外回收料盆326中。回收料盆322和326具有与其连接的回收管线322b和326b，回收管线322b和326b从回收料盆322和326的底表面垂直向下延伸。回收管线322b和326b将处理液从回收料盆322和326中排出。排出的处理液可通过外部的处理液再生系统(未示出)重新使用。
旋转头340设置在处理容器320的内部。在处理期间，旋转头340支承并旋转基板W。旋转头340具有主体342、支承销344、卡盘销346和支承轴348。从上方观察时，主体342具有大致圆形形状的上表面。可由电机349旋转的支承轴348固定地耦合至主体342的底表面。多个支承销344设置在主体342的上表面的边缘部分，其间具有预定的空隙，且多个支承销344从主体342向上突出。支承销344设置成通过其组合整体上具有环形形状。支承销344支承基板W的背面的边缘，使得基板W与主体342的上表面间隔开预定距离。多个卡盘销346设置成比支承销344更远离主体342的中心。卡盘销346从主体342向上突出。卡盘销346支承基板W的侧面，以防止基板W在旋转头340旋转时从正确位置偏离到一侧。卡盘销346沿主体342的径向在待机位置和支承位置之间线性移动。待机位置比支承位置更远离主体342的中心。在将基板W装载到旋转头340上或从旋转头340卸载时，卡盘销346位于待机位置。在基板W上执行工艺时，卡盘销346位于支承位置。在该支承位置上，卡盘销346与基板W的侧面接触。
升降单元360在垂直方向上线性移动处理容器320。处理容器320相对于旋转头340的高度随着垂直移动处理容器320而变化。升降单元360具有支架362、可移动轴364和致动器366。支架362固定地附接至处理容器320的外壁。可移动轴364固定地耦合至支架362并由致动器366垂直移动。在将基板W放置在旋转头340上或将其从旋转头340提升时，处理容器320向下移动，以使旋转头340突出到处理容器320的上方。另外，在执行工艺时，根据供应至基板W的处理液的类型，调节处理容器320的高度，以便将处理液体引入到预设的回收料盆中。
与上述不同，升降单元360可垂直移动旋转头340，而不是处理容器320。
分配构件380将处理液分配到基板W上。分配构件380具有喷嘴支承杆382、喷嘴384、支承轴386和致动器388。支承轴386设置成使得其纵向方向平行于第三方向16，且致动器388耦合至支承轴386的下端。致动器388旋转并升降支承轴386。喷嘴支承杆382垂直耦合至与支承轴386的下端相对的支承轴386的上端，致动器388耦合至支承轴386的下端。喷嘴384安装在喷嘴支承杆382的末端的底表面上。致动器388在工艺位置和待机位置之间移动喷嘴384。工艺位置被定义为喷嘴384位于处理容器320正上方的位置，待机位置被定义为喷嘴384偏离处理容器320正上方的位置。可设置一个或多个分配构件380。在设置有多个分配构件380的情况下，可通过不同的分配构件380分配化学品、清洗溶液和有机溶剂。化学品可以是具有强酸或强碱性质的液体。清洗液体可以是去离子水。有机溶剂可以是异丙醇蒸汽和惰性气体的混合物，或者可以是异丙醇溶液。
用于在基板W上执行第二干燥工艺的基板处理装置400设置在第二工艺单元280中。基板处理装置400将在第一工艺单元260中第一次干燥的基板W第二次干燥。基板处理装置400在其上残留有有机溶剂的基板W上执行干燥工艺。基板处理装置400可通过使用超临界流体在基板W上执行干燥工艺。图3为示出了用于干燥图1的第二工艺单元280中的基板W的装置400的剖面图，以及图4为示出了图3的壳体402的立体图。参照图3和图4，基板处理装置400包括壳体402、工艺腔室410、基板支承单元440、升降构件450、阻挡构件480、排气单元470、流体供应单元490、夹持构件500、可移动构件550和温度调节单元800。
壳体402包括主体404和中间板406。主体404可具有内部具有空间的容器的形状。例如，主体404可具有矩形平行六面体形状。主体404具有在其上表面形成的裂隙状(slit-shaped)通孔405。通孔405在不同位置处具有相同的纵向方向。根据实施方案，主体404可具有四个通孔405，其中两个通孔405可位于一侧，另外两个通孔405可位于相对侧。可选地，主体404可具有偶数个通孔405，例如，两个、六个或更多个通孔405。通孔405用作通道，可移动构件550和夹持构件500穿过该通道连接。
中间板406位于主体404中。中间板406将主体404的内部分成上空间408a和下空间408b。中间板406具有板状，其具有空的空间404a。第二主体420可插入到空的空间404a中。该空的空间404a可具有大于第二主体420的下端的直径。工艺腔室410和夹持构件500可位于上空间408a中，且升降构件450可位于下空间408b中。可移动构件550可位于壳体402的外壁上。
工艺腔室410在其中具有处理空间412，在该处理空间412中处理基板W。在处理基板W时，工艺腔室410将处理空间412与外部密封。工艺腔室410包括第二主体420、第一主体430和密封构件414。第二主体420的底表面具有阶梯。第二主体420具有其底表面的中心部分位于比底表面的边缘部分更低的位置的形状。第二主体420通过升降构件450可在主体404的上空间408a和下空间408b之间垂直可移动。下供应端口422和排气端口426形成于第二主体420的底表面中。当从上方观察时，下供应端口422可偏离第二主体420的中心轴线偏心定位。下供应端口422用作通道，超临界流体通过该通道供应到处理空间412中。
第一主体430与第二主体420结合以在内部形成处理空间412。第一主体430设置为位于第二主体420上方的上主体430，第二主体420设置为位于第一主体430下方的下主体420。第一主体430位于壳体402的上空间408a中。第一主体430通过缓冲构件435耦合至主体404的顶表面。缓冲构件435可由弹性材料形成。缓冲构件435可以是板弹簧或螺旋弹簧。例如，缓冲构件435可以是弹簧。第一主体430的上表面具有阶梯。第一主体430具有其上表面的中心部分位于比上表面的边缘部分更高的位置的形状。第一主体430具有形成于其中的上供应端口432。上供应端口432用作通道，超临界流体通过该通道供应到处理空间412中。上供应端口432可定位成与第一主体430的中心重合。根据实施方案，第一主体430和第二主体420可由金属形成。
密封构件414密封第一主体430和第二主体420之间的间隙。密封构件414位于第一主体430和第二主体420之间。密封构件414具有环形形状。例如，密封构件414可用O形环实现。密封构件414可设置在第一主体430的下端表面上或在第二主体420的上端表面上。在该实施方案中，密封构件414设置在第二主体420的上端表面上。第二主体420具有形成于其上端表面的密封凹槽，密封构件414插入到密封槽中。密封构件414的一部分插入到密封凹槽中，且剩余部分突出到密封凹槽上方。密封构件414可由弹性材料形成。
基板支承单元440在处理空间412中支承基板W。图5为示出了图3的基板支承单元的立体图。参照图5，基板支承单元440支承基板W，使得基板W待处理的表面朝上。基板支承单元440包括支承杆442和基板保持部件444。支承杆442具有从第一主体430的底表面向下延伸的棒状。支承杆442的数量可以是四个。基板保持部件444支承基板W的底侧的边缘区域。多个基板保持部件444支承基板W的不同区域。例如，基板保持部件444的数量可以是两个。当从上方观察时，基板保持部件444具有圆形板形状。当从上方观察时，基板保持部件444位于支承杆442的内侧。基板保持部件444结合在一起以形成环形。基板保持部件444彼此间隔开。
再次参照图3和图4，升降构件450调节第一主体430和第二主体420之间的相对位置。升降构件450升高或降低第一主体430和第二主体420中的一个，以使一个主体与另一个主体间隔开或紧密接触。升降构件450升高或降低第一主体430和第二主体420中的一个，以使工艺腔室410被移动到打开位置或关闭位置。这里，打开位置为第一主体430和第二主体420彼此间隔开的位置，关闭位置为第一主体430和第二主体420彼此紧密接触的位置。也就是说，在打开位置，处理空间412向外部开放，且在关闭位置，处理空间412与外部密封。在该实施方案中，升降构件450位于下空间408b中以升高或降低第二主体420，且第一主体430的位置是固定的。可选地，第二主体420可以为固定的，且第一主体430可相对于第二主体420升高或降低。在这种情况下，升降构件450可位于上空间408a中。
升降构件450包括支承板452、升降轴454和致动器456。支承板452在下空间408b中支承第二主体420。第二主体420固定地耦合至支承板452。支承板452具有圆板形状。支承板452具有大于空的空间404a的直径。因此，即使在关闭位置，第二主体420的下端也位于下空间408b中。升降轴454在下空间408b中支承支承板452的底表面。升降轴454固定地耦合至支承板452。多个升降轴454沿圆周方向设置。致动器456升高或降低升降轴454。致动器456以一对一的方式耦合至升降轴454。当将驱动力提供给致动器456时，第二主体420和升降轴454升高、第一主体430和第二主体420移动到关闭位置，在该关闭位置中处理空间412为关闭的。将驱动力相等地提供给致动器456或从制动器456中释放。因此，多个升降轴454可在被升高或降低时位于相同高度，且支承板452和第二主体420可在水平状态下被升高或降低。例如，致动器456可以是汽缸或发动机。
阻挡构件480防止从下供应端口422供应的超临界流体被直接供应至基板W的非处理表面。阻挡构件480包括阻挡板482和支承杆484。阻挡板482位于下供应端口422和基板支承单元440之间。阻挡板482具有圆板形状。阻挡板482具有比第二主体420的内径更小的直径。当从上方观察时，阻挡板482具有足以隐藏下供应端口422和排气端口426的直径。例如，阻挡板482可具有对应于或比基板W的直径大的直径。支承杆484支承阻挡板482。多个支承杆484沿阻挡板482的圆周方向排列。支承杆484以预定间隔彼此间隔开。
排气单元470将处理空间412的气氛释放。在处理空间412中产生的工艺副产物通过排气单元470释放。可自然地或强制地执行副产物的释放。另外，排气单元470可在释放工艺副产物的同时调节处理空间412中的压力。排气单元470包括排气管线472和压力测量构件474。排气管线472连接至排气端口426。安装在排气管线472上的排气阀476可调节处理空间412的排气量。压力测量构件474安装在排气管线472中，并测量排气管线472中的压力。压力测量构件474相对于排气方向位于排气阀476的上游。通过排气单元470，可将处理空间412中的压力降至大气压力或对应于工艺腔室410的外部的压力。
流体供应单元490将处理流体供应至处理空间412中。处理流体在其临界温度和临界压力下以超临界状态供应。流体供应单元490包括上供应管线492和下供应管线494。上供应管线492连接至上供应端口432。处理流体依序流经上供应管线492和上供应端口432，然后供应到处理空间412中。上阀493安装在上供应管线492上。上阀493打开或关闭上供应管线492。下供应管线494连接上供应管线492和下供应端口422。下供应管线494从上供应管线492分支并连接至下供应端口422。也就是说，从上供应管线492和下供应管线494供应的处理流体可以是相同类型。处理流体依序流经下供应管线494和下供应端口422，然后供应至处理空间412中。下阀495安装在下供应管线494上。下阀495打开或关闭下供应管线494。
根据实施方案，处理流体可从面向基板W的非处理表面的下供应端口422供应，其后处理流体可从面向待处理的基板W表面的上供应端口432供应。因此，处理流体可通过下供应管线494供应到处理空间412中，然后可通过上供应管线492供应到处理空间412中。原因是为了防止最初供应的处理流体在临界压力或临界温度以下供应至基板W。
夹持构件500夹持位于关闭位置的第一主体430和第二主体420。因此，即使处理期间处理空间412中的压力升高，也可防止第一主体430和第二主体420彼此间隔开。
图6为示出了图3的夹持构件500的立体图。参照图6，夹持构件500包括第一夹具510、第二夹具520和锁销530。第一夹具510和第二夹具520位于工艺腔室410的两侧上。根据实施方案，第一夹具510和第二夹具520定位成面向彼此，其间具有工艺腔室410。第一夹具510和第二夹具520具有围绕工艺腔室410的形状。第一夹具510和第二夹具520的每个都具有形成在面向工艺腔室410的内表面上的夹具槽512。处于关闭位置的第一和第二主体430和420的边缘部分可插入到夹具槽512中。也就是说，第一主体430的边缘部分和第二主体420的边缘部分设置为夹持区域。夹具槽512的垂直长度比从处于关闭位置的第一主体430的边缘部分的上端到处于关闭位置的第二主体420的边缘部分的下端的长度更长。
夹持构件500可移动到夹持位置或脱夹位置。此处，夹持位置定义为第一夹具510和第二夹具520向彼此移动以夹持第一主体430和第二主体420的位置，脱夹位置定义为第一夹具510和第二夹具520与第一主体430和第二主体420分开的位置。在夹持位置，第一夹具510和第二夹具520结合在一起以形成环形形状。例如，第一夹具510和第二夹具520中的一个可具有形状为“C”或的垂直横截面，另一个可具有与前一个夹具的垂直横截面相对于垂直轴线对称的垂直横截面。
与第二夹具520接触的第一夹具510的一侧表面具有阶梯。与第一夹具510接触的第二夹具520的相对侧表面具有阶梯。第一夹具510的一侧表面与第二夹具520的相对侧表面具有彼此互补的形状。根据实施方案，第一夹具510的一侧表面可具有上端比下端更长的阶梯，第二夹具520的相对侧表面可具有上端比下端更短的阶梯。锁销530位于其中的第一销槽514形成于第一夹具510的阶梯式区域中，第二销槽524形成于第二夹具520的阶梯式区域中。第一销槽514和第二销槽524指向垂直于夹具构件500的移动方向的方向。在夹持位置中，第一销槽514和第二销槽524定位成面向彼此。根据实施方案，在夹持位置中，锁销530可从第一销槽514突出并可插入到第二销槽524中。此外，第一销槽514可另外形成于第二夹具520中，且第二销槽524可另外形成在第一夹具510中。
再次参照图3和图4，可移动构件550在夹持位置和脱夹位置之间移动夹持构件500。可移动构件550在工艺腔室410的移动方向的垂直方向上移动夹持构件500。各可移动构件550包括导轨560、支架570和致动构件580。导轨560位于壳体402的外侧。导轨560位于上空间408a的附近，第一主体430位于该上空间408a中。导轨560安装在壳体402的上表面上。导轨560具有垂直于工艺腔室410的移动方向的纵向方向。可移动构件550的导轨560具有相同的纵向方向。根据实施方案，导轨560和通孔405以相同数量设置。导轨560具有平行于通孔405的纵向方向。将导轨560定位成当从上方观察时与通孔405重叠。支架570固定地耦合导轨560和夹持构件500。设置与导轨560一样多的支架570。根据实施方案，当从上方观察时，第一夹具510可连接至位于一侧的导轨560，第二夹具520可连接至位于另一侧的导轨560。致动构件580致动导轨560，以使夹持构件500沿导轨560的纵向方向移动至夹持位置或脱夹位置。
温度调节单元800调节处理空间412的温度。根据实施方案，温度调节单元800可将处理空间412的温度调节至比处理流体的临界温度更高的温度。温度调节单元800包括加热构件820和冷却构件840。加热构件820加热处理空间412。加热构件820加热处理空间412，使得供应到处理空间412中的处理流体被加热到临界温度或更高。加热构件820包括多个加热器820。上主体430具有形成于其中的多个加热槽，且多个加热器820插入到相应的加热槽中。下主体420具有形成于其中的多个加热槽，且多个加热器820插入到相应的加热槽中。形成在上主体430中的加热槽可从上主体430的上表面垂直向下延伸，且形成在下主体420中的加热槽可从下主体420的底表面垂直向上延伸。加热槽和加热器820具有相同的宽度。加热器820的各区域具有相同宽度。因此，加热器820的全部区域与上主体430和下主体420接触，并因此改进了加热器820以及上、下主体430和420之间的热传导效率。加热器820具有相同的形状。加热器820具有在一个方向上延伸的棒状。加热器820的纵向方向与夹持构件500的移动方向不同。根据实施方案，加热器820的纵向方向可平行于下主体420的移动方向。当向上主体430和下主体420施加高压时，加热器820的形状和纵向方向可改进上主体430和下主体420的耐久性。另外，加热器820的形状和纵向方向便于电源与加热器820的连接，而不干扰夹持构件500。相反，在加热器820的纵向方向垂直于下主体420的移动方向或加热器820具有板形的情况下，当向上主体430和下主体420施加高压时，上主体430和下主体420可能会受损。从上方观察时，加热器820可结合在一起，以形成环形形状。例如，安装在上主体430中的加热器820可位于比安装在下主体420中的加热器820更远离主体的中心轴线。
冷却构件840冷却处理空间412。冷却构件840冷却处理空间412的特定区域，以在处理空间412的整个区域上方温度均匀分布。冷却构件840包括多个冷却器840。上主体430具有形成于其中的多个冷却凹槽，且多个冷却器840插入到相应的冷却凹槽中。冷却凹槽从上主体430的上表面垂直向下延伸。各冷却凹槽从顶部到底部具有相同的宽度。相反，各冷却器840具有根据区域的不同的宽度。因此，冷却器840和上主体430的区域之间的热导率彼此不同。例如，靠近冷却器840的上主体430的区域具有比远离冷却器840的上主体430的区域更低的温度。
下文中，将更为详细地描述冷却器840。冷却器840具有棒状，冷却器840的纵向方向平行于加热器820。各冷却器840具有第一部件842和第二部件844。第一部件842定位成比第二部件844更靠近处理空间412。另外，第一部件842定位成比加热器820更靠近处理空间412。第一部件842包括冷却器840的下端，第二部件844包括冷却器840的上端。第二部件844从第一部件842向上延伸。也就是说，冷却器840的下端位于比加热器820的下端更低的位置。第一部件842具有比第二部件844更大的宽度。第一部件842具有与相应的冷却凹槽相同的宽度。因此，第一部件842与上主体430接触，并对于上主体430具有第一热导率。相反，第二部件844与上主体430间隔开，并对于上主体430具有第二热导率。根据实施方案，第一热导率可以高于第二热导率。也就是说，邻近第一部件842的上主体430的区域可具有比邻近第二部件844的上主体430的区域更低的温度，且第二部件844可使其与加热器820的热干扰最小化。冷却器840具有形成于其中的冷却管线846，冷却水流经冷却管线846。冷却管线846可形成为使得冷却水沿冷却器840的中心轴线被引入到冷却器840中和排放到冷却器840的外部。另外，冷却管线846可具有在其中停留在第一部件842中的冷却水量比停留在第二部件844中的冷却水量大的形状。例如，冷却管线846可具有在其中冷却水被引入到第二部件844中、流经第一部件842、然后返回到第二部件844的形状，并且冷却管线846可在第一部件842中具有螺旋形状。另外，从上方观察时，冷却器840可结合在一起，以形成环形。在上主体430中，冷却器840可定位成比加热器820更靠近上主体430的中心轴线。因此，可防止处理空间412的中心区域过热。
在上述实施方案中，冷却器840的第二部件844与上主体430彼此间隔开，其间具有间隙。然而，冷却构件840还可包括外主体850。外主体850位于第二部件844和上主体430之间的空间中。外主体850由绝热材料形成，该绝热材料阻碍第二部件844和上主体430之间的热交换。因此，外主体850在阻碍第二部件844和上主体430之间的热交换的同时，可防止杂质残留在第二部件844和上主体430之间的空间中。
根据本发明构思的实施方案，安装在工艺腔室中的加热器和冷却器的纵向方向平行于工艺腔室的移动方向。因此，可改进工艺腔室对高压的耐久性。
另外，根据本发明构思的实施方案，对于工艺腔室，各冷却器的第一部件具有比冷却器的第二部件更高的热导率。因此，可使加热器的热损失最小化。
此外，根据本发明构思的实施方案，冷却器的第一部件定位成比冷却器的第二部件更靠近处理空间，并具有比第二部件更大的面积。因此，可防止热量集中到处理空间的特定区域上，并使加热器的热损失最小化。
尽管已经参考示例性实施方案描述了本发明构思，但是对于本领域技术人员显而易见的是，在不脱离本发明构思的精髓和范围的情况下，可以进行各种改变和修改。因此，应当理解的是，上述实施方案不是限制性的，而是说明性的。

Claims (8)

1.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
腔室，其在内部具有处理空间；
基板支承单元，其配置成在所述处理空间中支承所述基板；以及
温度调节单元，其安装在所述腔室中并配置成调节所述处理空间中的温度，
其中，所述温度调节单元包括：
加热构件，其配置成加热所述处理空间；以及
冷却构件，其配置成冷却所述处理空间，且
其中，所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线；
所述装置还包括气体供应单元，所述气体供应单元配置成将气体供应到所述处理空间中；
所述气体供应单元将所述气体供应至所述处理空间中，使得通过供应到所述处理空间中的所述气体，将所述处理空间中的压力升高至超出所述气体的临界压力。
2.根据权利要求1所述的装置，其中，所述加热构件和所述冷却构件具有彼此平行的纵向方向。
3.一种用于处理基板的装置，所述装置包括：
腔室，其在内部具有处理空间；
基板支承单元，其配置成在所述处理空间中支承所述基板；以及
温度调节单元，其安装在所述腔室中并配置成调节所述处理空间中的温度，
其中，所述温度调节单元包括：
加热构件，其配置成加热所述处理空间；以及
冷却构件，其配置成冷却所述处理空间，且
其中，所述冷却构件位于比所述加热构件更靠近所述腔室的中心轴线，
所述加热构件和所述冷却构件具有彼此平行的纵向方向
所述腔室包括：
上主体；和
下主体，所述下主体与所述上主体结合以在内部形成所述处理空间，
其中，所述装置还包括致动器，其配置成在移动方向上移动所述上主体和所述下主体中的至少一个，用于在所述处理空间关闭的关闭位置和所述处理空间打开的打开位置之间的位置变化，且
其中，所述加热构件和所述冷却构件的纵向方向平行于所述移动方向。
4.根据权利要求3所述的装置，其中，所述加热构件包括多个具有棒状的加热器；
其中，所述冷却构件包括多个具有棒状的冷却器，
其中，当从上方观察时，所述加热器结合在一起以具有环形，且
当从上方观察时，所述冷却器结合在一起以具有环形。
5.根据权利要求4所述的装置，其中，所述腔室具有形成于其中的冷却凹槽，所述冷却器插入到所述冷却凹槽中，且
其中，各所述冷却器包括：
第一部件，其对于所述腔室具有第一热导率；以及
第二部件，其从所述第一部件延伸并对于所述腔室具有第二热导率，其中，所述第二热导率低于所述第一热导率。
6.根据权利要求5所述的装置，其中，所述第一部件位于比所述第二部件更靠近所述处理空间。
7.根据权利要求6所述的装置，其中，所述第一部件具有大于所述第二部件的宽度，
其中，所述第一部件与形成相应的一个所述冷却凹槽的一个表面接触，且
其中，所述第二部件与所述一个表面间隔开。
8.根据权利要求7所述的装置，其中，所述冷却构件还包括外主体，所述外主体配置成围绕所述第二部件和所述腔室之间的空间，且
其中，所述外主体由配置成阻碍所述第二部件和所述腔室之间的热交换的绝热材料形成。
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Families Citing this family (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102278629B1 (ko) * 2019-07-22 2021-07-19 세메스 주식회사 기판 처리 장치
KR102359532B1 (ko) * 2020-03-06 2022-02-10 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 지지 유닛
KR102537676B1 (ko) * 2020-12-31 2023-06-01 세메스 주식회사 기판 처리 장치

Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6334266B1 (en) * 1999-09-20 2002-01-01 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid drying system and method of use
KR20080058622A (ko) * 2006-12-22 2008-06-26 세메스 주식회사 챔버 모듈의 온도를 조절하기 위한 반도체 제조 설비

Family Cites Families (8)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6035101A (en) * 1997-02-12 2000-03-07 Applied Materials, Inc. High temperature multi-layered alloy heater assembly and related methods
JP4246804B2 (ja) 1997-03-26 2009-04-02 株式会社神戸製鋼所 加熱・加圧処理装置
JP3965693B2 (ja) * 2003-05-07 2007-08-29 株式会社日立ハイテクサイエンスシステムズ 微細構造乾燥処理法とその装置及びその高圧容器
KR100814033B1 (ko) * 2006-08-07 2008-04-18 (주) 비앤피 사이언스 왁스 결합 장치 및 이를 이용한 왁스 결합 방법
KR100822373B1 (ko) 2006-09-12 2008-04-17 세메스 주식회사 초임계 유체를 이용한 기판 건조 장치, 이를 구비한 기판처리 설비 및 기판 처리 방법
JP5359286B2 (ja) 2009-01-07 2013-12-04 東京エレクトロン株式会社 超臨界処理装置、基板処理システム及び超臨界処理方法
KR101935953B1 (ko) * 2016-06-02 2019-01-08 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법
KR101910801B1 (ko) 2016-10-26 2019-01-07 세메스 주식회사 기판 처리 장치 및 방법

Patent Citations (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6334266B1 (en) * 1999-09-20 2002-01-01 S.C. Fluids, Inc. Supercritical fluid drying system and method of use
KR20080058622A (ko) * 2006-12-22 2008-06-26 세메스 주식회사 챔버 모듈의 온도를 조절하기 위한 반도체 제조 설비

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Publication number Publication date
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