KR101910801B1 - 기판 처리 장치 및 방법 - Google Patents
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Abstract
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 고압 분위기에서 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 제공하는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버, 상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 이격되는 열림 위치 또는 밀착되는 닫힘 위치로 승하강시키는 승강 부재, 상기 닫힘 위치에 위치되는 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 클램핑 부재, 그리고 상기 클램핑 부재가 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 잠금 위치 또는 상기 클램핑 부재가 상부 바디와 상기 하부 바디로부터 이격되는 상기 해제 위치로 이동시키는 이동 부재를 가진다. 이로 인해 처리 공간 내 분위기를 외부로부터 안정적으로 밀폐시킬 수 있다.
Description
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 고압 분위기에서 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것이다.
반도체소자를 제조하기 위해서, 기판에 사진, 식각, 애싱, 이온주입, 그리고 박막 증착등의 다양한 공정들을 통해 원하는 패턴을 기판에 형성한다. 각각의 공정에는 다양한 처리액들이 사용되며, 공정 진행 중에는 오염물 및 파티클이 생성된다. 이를 제거하기 위해 각각의 공정 전후에는 오염물 및 파티클을 세정 처리하기 위한 세정 공정이 필수적으로 수행된다.
일반적으로 세정 공정은 기판을 케미칼 및 린스액으로 처리한 후에 건조 처리한다. 건조 처리 단계는 기판 상에 잔류된 린스액을 건조하기 위한 공정으로, 이소프로필알코올(IPA)과 같이 표면 장력이 린스액보다 낮은 유기 용제로 기판 상의 린스액을 치환하고, 이후에 유기 용제를 제거한다. 그러나 기판에 형성된 패턴과 패턴과의 거리(CD:Critical Dimension)가 미세화됨에 따라, 그 패턴들의 사이 공간에 잔류하는 유기 용제의 제거가 용이하지 않다.
최근에는 초임계 유체를 이용하여 기판 상에 잔류된 유기 용제를 제거하는 공정을 수행한다. 초임계 처리 공정은 초임계 유체의 특정 조건을 만족하기 위해 외부로부터 밀폐된 고압의 공간에서 진행된다.
도 1은 일반적인 초임계 처리 장치를 보여주는 단면도이다. 도 1을 참조하면, 초임계 처리 공정을 수행하는 공정 챔버는 상부 바디(2) 및 하부 바디(4)를 가진다. 하부 바디(4)는 상부가 개방된 컵 형상으로 제공되며, 상부 바디(2)는 판 형상으로 제공된다. 상부 바디(2) 및 하부 바디(4)는 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 형성한다. 고압의 조건에서도 처리 공간을 밀폐하게 위해, 실린더는 상부 바디(2)와 하부 바디(4)를 밀착시키는 방향으로 계속적으로 강한 힘을 제공한다.
그러나 실린더(6)가 공정 진행 중에 계속적으로 강한 힘을 제공함에 따라 실린더(6)에는 스트레스가 가해진다. 이로 인해 실린더(6)가 손상될 우려가 있으며, 처리 공간 내 분위기는 처리 공간의 고압으로 인해 외부로 유출되는 불량이 발생된다.
본 발명은 공정 진행 중에 처리 공간 내 분위기를 외부로부터 안정적으로 밀폐시킬 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 복수의 바디들을 밀착시키기 위한 힘을 줄일 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
또한 본 발명은 복수의 바디들을 밀착시키는 과정에서 일부 장치가 손상되는 것을 방지할 수 있는 장치 및 방법을 제공하고자 한다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치 및 방법에 관한 것으로 더 상세하게는 고압 분위기에서 기판을 처리하는 장치 및 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 장치는 서로 조합되어 내부에 처리 공간을 제공하는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버, 상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 이격되는 열림 위치 또는 밀착되는 닫힘 위치로 승하강시키는 승강 부재, 상기 닫힘 위치에 위치되는 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 클램핑 부재, 그리고 상기 클램핑 부재가 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 잠금 위치 또는 상기 클램핑 부재가 상부 바디와 상기 하부 바디로부터 이격되는 상기 해제 위치로 이동시키는 이동 부재를 가진다.
상기 장치는 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛 및 상기 처리 공간으로 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛을 더 포함할 수 있다. 상기 클램핑 부재는 상기 공정 챔버의 일측에 위치되는 제1클램프 및 상기 공정 챔버를 사이에 두고, 상기 제1클램프와 마주보도록 위치되는 제2클램프를 포함할 수 있다. 상기 상부 바디는 상면 중앙부가 상면 가장자리부보다 높게 위치되는 형상을 가지고, 상기 하부 바디는 저면 중앙부가 저면 가장자리부보다 낮게 위치되는 형상을 가지되, 상기 제1클램프 및 상기 제2클램프는 각각 내측면에 상기 상부 바디의 상면 가장자리부 및 상기 하부 바디의 저면 가장자리부가 삽입 가능한 클램프 홈이 형성될 수 있다. 상기 제1클램프 및 상기 제2클램프는 각각 상기 상부 바디를 향하는 방향으로 갈수록 하향 경사진 상부면, 상기 하부 바디를 향하는 방향으로 갈수록 상향 경사진 하부면, 그리고 상기 상부면 및 상기 하부면을 연결하는 측부면를 가지되, 상기 클램프 홈은 상기 상부면, 상기 하부면, 그리고 상기 측부면의 조합에 의해 형성되고, 상기 상부 바디의 상면 가장자리부는 상기 제1클램프 및 상기 제2클램프 각각의 상기 상부면에 대응하는 형상으로 제공되고 상기 하부 바디의 저면 가장자리부는 상기 제1클램프 및 상기 제2클램프 각각의 상기 하부면에 대응하는 형상으로 제공될 수 있다.
상기 장치는 상기 공정 챔버, 상기 클램핑 부재, 그리고 상기 승강 부재를 감싸는 하우징을 더 포함하되, 상기 하우징은 통 형상의 몸체 및 상기 몸체의 내부를 상부 공간과 하부 공간으로 구획하며, 중공을 가지는 중간판을 포함하되, 상기 상부 공간과 상기 하부 공간 중 어느 하나의 공간에는 상기 공정 챔버 및 상기 클램핑 부재가 위치되고, 다른 하나의 공간에는 승강 부재가 위치될 수 있다. 상기 승강 부재는 승하강이 가능하며, 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 하나를 지지하는 지지판을 포함하되, 상기 지지판은 상기 중공에 비해 큰 직경을 가질 수 있다. 상기 이동 부재는 상기 승하강되는 방향과 수직한 길이 방향을 가지는 가이드 레일, 상기 가이드 레일과 상기 클램핑 부재를 서로 결합시키는 브라켓, 그리고 상기 가이드 레일의 길이 방향을 따라 상기 클램핑 부재가 상기 잠금 위치 또는 상기 해제 위치로 이동되도록 상기 가이드 레일을 구동시키는 구동 부재를 포함할 수 있다. 상기 가이드 레일은 상기 하우징의 외부에서 상기 하우징의 상면 또는 저면에 설치될 수 있다.
상기 이동 부재는 상기 승하강되는 방향과 평행한 길이 방향을 가지며, 상기 제1클램프 및 상기 제2클램프 각각이 힌지 결합되는 구동축 및 상기 구동축의 길이 방향을 중심으로 축회전되어 상기 클램핑 부재가 상기 잠금 위치 또는 해제 위치로 이동되도록 상기 구동축을 구동시키는 구동 부재를 포함할 수 있다.
상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 어느 하나는 상기 승강 부재에 의해 이동되고, 다른 하나는 상기 하우징에 고정되고, 상기 하우징은 상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 상기 하우징에 고정된 바디를 지지하는 완충 부재를 포함하되, 상기 완충 부재는 탄성 재질로 제공될 수 있다.
상기 제1클램프의 일측 단부에는 내측면과 외측면을 관통하는 슬릿 형상의 제1홀이 형성되고, 상기 제2클램프의 일측 단부에는 내측면과 외측면을 관통하는 슬릿 형상의 제2홀이 형성되되, 상기 클램핑 부재는 잠금 위치에서 상기 제1홀 및 상기 제2홀이 서로 연통되고, 상기 제1홀 및 상기 제2홀은 상기 기판이 반출입되는 통로로 기능할 수 있다.
상기 장치는 상기 승강 부재와 상기 이동 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 승강 부재는 상기 상부 바디 또는 상기 하부 바디를 승하강시키는 구동기를 더 포함하며, 상기 제어기는 기판이 상기 처리 공간 내로 유입되면 상기 하부 바디와 상기 상부 바디가 서로 밀착되도록 상기 구동기에 구동력을 제공하는 밀착 단계, 이후에 상기 구동력에 의해 서로 밀착된 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디를 상기 클램핑 부재가 클램핑하는 클램핑 단계, 이후에 상기 클림핑이 이루어진 상태에서 상기 구동기의 구동력을 해제하는 해제 단계가 수행되도록 상기 구동기와 상기 이동 부재를 제어하되, 상기 기판에 대한 공정은 상기 구동력이 해제된 이후에 수행될 수 있다.
상기 공정 챔버는 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디의 사이에 위치되며, 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디의 사이 공간을 실링하는 실링 부재를 더 포함하되, 상기 실링 부재는 상기 밀착 단계 및 상기 클램핑 단계에서 제1압축 상태로 제공되고, 상기 구동력이 해제된 이후에는 제2압축 상태로 제공되되, 상기 제1압축 상태는 상기 제2압축 상태보다 더 큰 압축 상태일 수 있다.
상기 장치는 상기 승강 부재와 상기 이동 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 승강 부재는 상기 상부 바디 또는 상기 하부 바디를 승하강시키는 구동기를 더 포함하며, 상기 제어기는 기판이 상기 처리 공간 내로 유입되면 상기 하부 바디와 상기 상부 바디가 서로 밀착되도록 상기 구동기에 구동력을 제공하는 밀착 단계, 이후에 상기 구동력에 의해 서로 밀착된 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디를 상기 클램핑 부재가 클램핑하는 클램핑 단계가 수행되도록 상기 구동기와 상기 이동 부재를 제어하되, 상기 기판에 대한 공정은 상기 클램핑 단계 이후에, 상기 구동기에 구동력이 계속 제공되는 상태에서 수행될 수 있다.
상기 장치는 상기 승강 부재와 상기 이동 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고, 상기 승강 부재는 상기 상부 바디 또는 상기 하부 바디를 승하강시키는 구동기를 더 포함하며, 상기 제어기는 기판이 상기 처리 공간 내로 유입되면 상기 하부 바디와 상기 상부 바디가 서로 밀착되도록 상기 구동기에 구동력을 제공하는 밀착 단계, 이후에 상기 구동력에 의해 서로 밀착된 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디를 상기 클램핑 부재가 클램핑하는 클램핑 단계, 이후에 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 기판 처리 단계가 수행되도록 상기 구동기와 상기 이동 부재를 제어하되, 상기 기판 처리 단계에서 상기 처리 공간이 처리 유체에 의해 기설정 압력에 도달되면, 상기 클램핑이 이루어진 상태에서 상기 구동기의 구동력을 해제할 수 있다.
상기 제1클램프는 상기 제2클램프와 접촉되는 일측면이 단차지도록 제공되고, 상기 제2클램프는 상기 제1클램프와 접촉되는 타측면이 상기 일측면과 대응되도록 단차지게 제공되되, 상기 제1클램프의 단차진 영역과 상기 제2클램프의 단차진 영역 중 하나에는 잠금핀이 삽입되는 제1핀홈이 형성되고, 다른 하나에는 제2핀홈이 형성되되, 상기 잠금 위치에는 상기 제1핀홈 및 상기 제2핀홈이 서로 대향되게 위치되고, 상기 제1핀홈과 상기 제2핀홈은 상기 제1클램프 및 상기 제2클램프의 이동 방향과 수직한 방향으로 대향되게 위치될 수 있다.
상기 장치는 상기 처리 공간을 가열하는 가열 부재를 더 포함하되, 상기 가열 부재는 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 적어도 하나에 위치되며, 길이 방향이 상기 클램핑 부재의 이동 방향과 수직한 방향을 향하는 바 형상을 가지는 히터를 더 포함할 수 있다.
기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법은 기판이 상기 처리 공간 내로 유입되면 상기 하부 바디와 상기 상부 바디가 서로 밀착시키는 밀착 단계, 상기 밀착 단계 이후에 서로 밀착된 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디를 상기 클램핑 부재가 클램핑하는 클램핑 단계, 그리고 상기 클램핑 단계 이후에 상기 처리 공간에서 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계를 포함한다.
상기 밀착 단계 및 상기 클램핑 단계 각각에는 상기 승강 부재의 구동기에 제공되는 구동력에 의해 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디가 서로 밀착되고, 상기 기판 처리 단계에는 상기 구동력이 해제될 수 있다.
또한 상기 밀착 단계, 상기 클램핑 단계, 그리고 상기 기판 처리 단계 각각에는 상기 승강 부재의 구동기에 제공되는 구동력에 의해 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디가 서로 밀착될 수 있다.
또한 상기 밀착 단계 및 상기 클램핑 단계 각각에는 상기 승강 부재의 구동기에 제공되는 구동력에 의해 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디가 서로 밀착되고, 상기 기판 처리 단계에는 상기 처리 공간이 상기 처리 유체를 공급하고, 상기 처리 공간이 기설정 압력에 도달되면, 상기 구동기의 구동력이 해제될 수 있다.
상기 기판 처리 단계에는 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리할 수 있다. 상기 기판 처리 단계는 기판을 건조하는 건조 공정을 포함할 수 있다.
본 발명의 실시예에 의하면, 공정 진행 중에는 상부 바디 및 하부 바디가 클램핑 부재에 의해 클램핑된다. 이로 인해 처리 공간 내 분위기를 외부로부터 안정적으로 밀폐시킬 수 있다.
또한 본 발명의 실시예에 의하면, 클램핑 부재는 바디들의 이동 방향과 수직한 방향으로 클램핑한다. 이로 인해 적은 힘으로 바디들을 클램핑할 수 있다.
또한 본 발명은 공정 챔버 내에서 고압의 공정이 진행되는 중에는 구동기의 구동력이 해제된다. 이로 인해 구동기에 가해지는 스트레스는 제거되고, 구동기 및 이의 주변 장치가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 1은 종래의 초임계 처리 장치를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1공정 유닛에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2의 제2공정 유닛에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 하우징을 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 4의 기판 지지 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 4의 클램핑 부재를 보여주는 사시도이다.
도 8 내지 도 17은 도 4의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 18은 도 8 내지 도 13에서 기판을 처리하는 과정 중 승강 부재, 클램핑 부재, 그리고 기판 처리 공정 간에 관계를 보여주는 그래프이다.
도 19는 도 18의 다른 실시예를 보여주는 그래프이다.
도 20은 도 18의 또 다른 실시예를 보여주는 그래프이다.
도 21은 도 7의 클램핑 부재의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
도 22는 도 7의 클램핑 부재의 또 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
도 23은 도 7의 클램핑 부재의 또 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
도 24는 도 7의 클램핑 부재의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 3은 도 2의 제1공정 유닛에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 4는 도 2의 제2공정 유닛에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다.
도 5는 도 4의 하우징을 보여주는 사시도이다.
도 6은 도 4의 기판 지지 유닛을 보여주는 사시도이다.
도 7은 도 4의 클램핑 부재를 보여주는 사시도이다.
도 8 내지 도 17은 도 4의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이다.
도 18은 도 8 내지 도 13에서 기판을 처리하는 과정 중 승강 부재, 클램핑 부재, 그리고 기판 처리 공정 간에 관계를 보여주는 그래프이다.
도 19는 도 18의 다른 실시예를 보여주는 그래프이다.
도 20은 도 18의 또 다른 실시예를 보여주는 그래프이다.
도 21은 도 7의 클램핑 부재의 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
도 22는 도 7의 클램핑 부재의 또 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
도 23은 도 7의 클램핑 부재의 또 다른 실시예를 보여주는 사시도이다.
도 24는 도 7의 클램핑 부재의 또 다른 실시예를 보여주는 단면도이다.
본 발명의 실시예는 여러 가지 형태로 변형될 수 있으며, 본 발명의 범위가 아래에서 서술하는 실시예로 인해 한정되어지는 것으로 해석되어서는 안된다. 본 실시예는 당업계에서 평균적인 지식을 가진 자에게 본 발명을 보다 완전하게 설명하기 위해서 제공되는 것이다. 따라서 도면에서의 구성 요소의 형상 등은 보다 명확한 설명을 강조하기 위해서 과장된 것이다.
본 발명은 도 2 내지 도 24를 참조하여 본 발명의 일 예를 상세히 설명한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비를 보여주는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(1)는 인덱스 모듈(10)과 공정 처리 모듈(20)을 가지고, 인덱스 모듈(10)은 로드 포트(120) 및 이송 프레임(140)을 가진다. 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)은 순차적으로 일렬로 배열된다. 이하, 로드 포트(120), 이송 프레임(140), 그리고 공정 처리 모듈(20)이 배열된 방향을 제1방향(12)이라 하고, 상부에서 바라볼 때, 제1방향(12)과 수직한 방향을 제2방향(14)이라 하며, 제1방향(12)과 제2방향(14)을 포함한 평면에 수직인 방향을 제3방향(16)이라 칭한다.
로드 포트(120)에는 기판(W)이 수납된 캐리어(18)가 안착된다. 로드 포트(120)는 복수 개가 제공되며 이들은 제2방향(14)을 따라 일렬로 배치된다. 도 1에서는 네 개의 로드 포트(120)가 제공된 것으로 도시하였다. 그러나 로드 포트(120)의 개수는 공정 처리 모듈(20)의 공정효율 및 풋 프린트 등의 조건에 따라 증가하거나 감소할 수도 있다. 캐리어(18)에는 기판의 가장자리를 지지하도록 제공된 슬롯(도시되지 않음)이 형성된다. 슬롯은 제3방향(16)을 따라 복수 개가 제공되고, 기판은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 캐리어(18) 내에 위치된다. 캐리어(18)로는 전면 개방 일체형 포드(Front Opening Unified Pod;FOUP)가 사용될 수 있다.
공정 처리 모듈(20)은 버퍼 유닛(220), 이송 챔버(240), 제1공정 유닛(260), 그리고 제2공정 유닛(280)를 가진다. 이송 챔버(240)는 그 길이 방향이 제1방향(12)과 평행하게 배치된다. 이송 챔버(240)의 일측에는 제2방향(14)를 따라 제1공정 유닛들(260)이 배치되고, 이송 챔버(240)의 타측에는 제2방향(14)를 따라 제2공정 유닛들(280)이 배치된다. 제1공정 유닛들(260)과 제2공정 유닛들(280)은 이송 챔버(240)를 기준으로 서로 대칭이 되도록 제공될 수 있다. 제1공정 유닛들(260) 중 일부는 이송 챔버(240)의 길이 방향을 따라 배치된다. 또한, 제1공정 유닛들(260) 중 일부는 서로 적층되게 배치된다. 즉, 이송 챔버(240)의 일측에는 제1공정 유닛들(260)이 A X B(A와 B는 각각 1이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기서 A는 제1방향(12)을 따라 일렬로 제공된 제1공정 유닛(260)의 수이고, B는 제3방향(16)을 따라 일렬로 제공된 제2공정 유닛(260)의 수이다. 이송 챔버(240)의 일측에 제1공정 유닛(260)이 4개 또는 6개 제공되는 경우, 제1공정 유닛들(260)은 2 X 2 또는 3 X 2의 배열로 배치될 수 있다. 제1공정 유닛(260)의 개수는 증가하거나 감소할 수도 있다. 제2공정 유닛들(280)도 제1공정 유닛들(260)과 유사하게 M X N(M과 N은 각각 1 이상의 자연수)의 배열로 배치될 수 있다. 여기에서 M, N은 각각 A, B와 동일한 수일 수 있다. 상술한 바와 달리, 제1공정 유닛(260)과 제2공정 유닛(280)은 모두 이송 챔버(240)의 일측에만 제공될 수 있다. 또한, 상술한 바와 달리, 제1공정 유닛(260)과 제2공정 유닛(280)은 각각 이송 챔버(240)의 일측 및 타측에 단층으로 제공될 수 있다. 또한, 제1공정 유닛(260)과 제2공정 유닛(280)은 상술한 바와 달리 다양한 배치로 제공될 수 있다.
버퍼 유닛(220)은 이송 프레임(140)과 이송 챔버(240) 사이에 배치된다. 버퍼 유닛(220)은 이송 챔버(240)와 이송 프레임(140) 간에 기판(W)이 반송되기 전에 기판(W)이 머무르는 공간을 제공한다. 버퍼 유닛(220)은 그 내부에 기판(W)이 놓이는 슬롯(미도시)이 제공되며, 슬롯(미도시)들은 서로 간에 제3방향(16)을 따라 이격되도록 복수 개 제공된다. 버퍼 유닛(220)에서 이송 프레임(140)과 마주보는 면과 이송 챔버(240)와 마주보는 면 각각이 개방된다.
이송 프레임(140)은 로드 포트(120)에 안착된 캐리어(18)와 버퍼 유닛(220) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 프레임(140)에는 인덱스레일(142)과 인덱스로봇(144)이 제공된다. 인덱스레일(142)은 그 길이 방향이 제2방향(14)과 나란하게 제공된다. 인덱스로봇(144)은 인덱스레일(142) 상에 설치되며, 인덱스레일(142)을 따라 제2방향(14)으로 직선 이동된다. 인덱스로봇(144)은 베이스(144a), 몸체(144b), 그리고 인덱스암(144c)을 가진다. 베이스(144a)는 인덱스레일(142)을 따라 이동 가능하도록 설치된다. 몸체(144b)는 베이스(144a)에 결합된다. 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 제3방향(16)을 따라 이동 가능하도록 제공된다. 또한, 몸체(144b)는 베이스(144a) 상에서 회전 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 몸체(144b)에 결합되고, 몸체(144b)에 대해 전진 및 후진 이동 가능하도록 제공된다. 인덱스암(144c)은 복수 개 제공되어 각각 개별 구동되도록 제공된다. 인덱스암(144c)들은 제3방향(16)을 따라 서로 이격된 상태로 적층되게 배치된다. 인덱스암(144c)들 중 일부는 공정 처리 모듈(20)에서 캐리어(18)로 기판(W)을 반송할 때 사용되고, 다른 일부는 캐리어(18)에서 공정 처리 모듈(20)로 기판(W)을 반송할 때 사용될 수 있다. 이는 인덱스로봇(144)이 기판(W)을 반입 및 반출하는 과정에서 공정 처리 전의 기판(W)으로부터 발생된 파티클이 공정 처리 후의 기판(W)에 부착되는 것을 방지할 수 있다.
이송 챔버(240)는 버퍼 유닛(220), 제1공정 유닛(260), 그리고 제2공정 유닛(280) 간에 기판(W)을 반송한다. 이송 챔버(240)에는 가이드 레일(242)과 메인 로봇(244)이 제공된다. 가이드 레일(242)은 그 길이 방향이 제1방향(12)과 나란하도록 배치된다. 메인 로봇(244)은 가이드 레일(242) 상에 설치되고, 가이드 레일(242) 상에서 제1방향(12)을 따라 직선 이동된다.
제1공정 유닛(260)과 제2공정 유닛(280)은 하나의 기판(W)에 대해 순차적으로 공정을 수행하도록 제공될 수 있다. 예컨대, 기판(W)은 제1공정 유닛(260)에서 케미칼 공정, 린스 공정, 그리고 1차 건조 공정이 수행되고, 제2공정 유닛(260)에서 2차 건조 공정이 수행될 수 있다. 이 경우, 1차 건조 공정은 유기 용제에 의해 이루어지고, 2차 건조 공정은 초임계 유체에 의해 이루어질 수 있다. 유기 용제로는 이소프로필 알코올(IPA) 액이 사용되고, 초임계 유체로는 이산화탄소(CO2)가 사용될 수 있다. 이와 달리 제1공정 유닛(260)에서 1차 건조 공정은 생략될 수 있다.
아래에서는 제1공정 유닛(260)에 제공된 기판 처리 장치(300)에 대해 설명한다. 도 3은 도 2의 제1공정 유닛에서 기판을 세정 처리하는 장치를 보여주는 단면도이다. 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(300)는 처리 용기(320), 스핀 헤드(340), 승강 유닛(360), 그리고 분사 부재(380)를 가진다. 처리 용기(320)는 기판처리공정이 수행되는 공간을 제공하며, 그 상부는 개방된다. 처리 용기(320)는 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)을 가진다. 각각의 회수통(322,326)은 공정에 사용된 처리액 중 서로 상이한 처리액을 회수한다. 내부 회수통(322)은 스핀 헤드(340)를 감싸는 환형의 링 형상으로 제공되고, 외부 회수통(326)은 내부 회수통(322)을 감싸는 환형의 링 형상으로 제공된다. 내부 회수통(322)의 내측공간(322a) 및 외부 회수통(326)과 내부 회수통(322)의 사이 공간(326a)은 각각 내부 회수통(322) 및 외부 회수통(326)으로 처리액이 유입되는 유입구로서 기능한다. 각각의 회수통(322,326)에는 그 저면 아래 방향으로 수직하게 연장되는 회수라인(322b,326b)이 연결된다. 각각의 회수라인(322b,326b)은 각각의 회수통(322,326)을 통해 유입된 처리액을 배출한다. 배출된 처리액은 외부의 처리액 재생 시스템(미도시)을 통해 재사용될 수 있다.
스핀 헤드(340)는 처리 용기(320) 내에 배치된다. 스핀 헤드(340)은 공정 진행 중 기판(W)을 지지하고 기판(W)을 회전시킨다. 스핀 헤드(340)는 몸체(342), 지지핀(334), 척핀(346), 그리고 지지축(348)을 가진다. 몸체(342)는 상부에서 바라볼 때 대체로 원형으로 제공되는 상부면을 가진다. 몸체(342)의 저면에는 모터(349)에 의해 회전가능한 지지축(348)이 고정결합된다. 지지핀(334)은 복수 개 제공된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면의 가장자리부에 소정 간격으로 이격되게 배치되고 몸체(342)에서 상부로 돌출된다. 지지핀들(334)은 서로 간에 조합에 의해 전체적으로 환형의 링 형상을 가지도록 배치된다. 지지핀(334)은 몸체(342)의 상부면으로부터 기판(W)이 일정거리 이격되도록 기판의 후면 가장자리를 지지한다. 척핀(346)은 복수 개 제공된다. 척핀(346)은 몸체(342)의 중심에서 지지핀(334)보다 멀리 떨어지게 배치된다. 척핀(346)은 몸체(342)에서 상부로 돌출되도록 제공된다. 척핀(346)은 스핀 헤드(340)가 회전될 때 기판(W)이 정 위치에서 측 방향으로 이탈되지 않도록 기판(W)의 측부를 지지한다. 척핀(346)은 몸체(342)의 반경 방향을 따라 대기위치와 지지위치 간에 직선 이동 가능하도록 제공된다. 대기위치는 지지위치에 비해 몸체(342)의 중심으로부터 멀리 떨어진 위치이다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 로딩 또는 언 로딩시에는 척핀(346)은 대기위치에 위치되고, 기판(W)에 대해 공정 수행시에는 척핀(346)은 지지위치에 위치된다. 지지위치에서 척핀(346)은 기판(W)의 측부와 접촉된다.
승강 유닛(360)은 처리 용기(320)를 상하 방향으로 직선 이동시킨다. 처리 용기(320)가 상하로 이동됨에 따라 스핀 헤드(340)에 대한 처리 용기(320)의 상대 높이가 변경된다. 승강 유닛(360)은 브라켓(362), 이동축(364), 그리고 구동기(366)를 가진다. 브라켓(362)은 처리 용기(320)의 외벽에 고정설치되고, 브라켓(362)에는 구동기(366)에 의해 상하 방향으로 이동되는 이동축(364)이 고정결합된다. 기판(W)이 스핀 헤드(340)에 놓이거나, 스핀 헤드(340)로부터 들어올려 질 때 스핀 헤드(340)가 처리 용기(320)의 상부로 돌출되도록 처리 용기(320)는 하강된다. 또한, 공정이 진행될 시에는 기판(W)에 공급된 처리액의 종류에 따라 처리액이 기설정된 회수통(360)으로 유입될 수 있도록 처리 용기(320)의 높이가 조절한다.
상술한 바와 달리 승강 유닛(360)은 처리 용기(320) 대신 스핀 헤드(340)를 상하 방향으로 이동시킬 수 있다.
분사 부재(380)는 기판(W) 상에 처리액을 공급한다. 분사 부재(380)는 노즐 지지대(382), 노즐(384), 지지축(386), 그리고 구동기(388)를 가진다. 지지축(386)은 그 길이 방향이 제3방향(16)을 따라 제공되고, 지지축(386)의 하단에는 구동기(388)가 결합된다. 구동기(388)는 지지축(386)을 회전 및 승강 운동한다. 노즐지지대(382)는 구동기(388)와 결합된 지지축(386)의 끝단 반대편과 수직하게 결합된다. 노즐(384)은 노즐지지대(382)의 끝단 저면에 설치된다. 노즐(384)은 구동기(388)에 의해 공정 위치와 대기 위치로 이동된다. 공정 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부에 배치된 위치이고, 대기 위치는 노즐(384)이 처리 용기(320)의 수직 상부로부터 벗어난 위치로 정의한다. 분사 부재(380)는 하나 또는 복수 개가 제공될 수 있다. 분사 부재(380)가 복수 개 제공되는 경우, 케미칼, 린스액, 그리고 유기 용제 각각은 서로 상이한 분사 부재(380)를 통해 제공될 수 있다. 케미칼은 강산 또는 강염기의 성질을 가지는 액일 수 있다. 린스액은 순수일 수 있다. 유기 용제는 이소프로필 알코올 증기와 비활성 가스의 혼합물이거나 이소프로필 알코올 액일 수 있다.
제2공정 유닛(280)에는 기판(W)의 2차 건조 공정이 수행하는 기판 처리 장치(400)가 제공된다. 기판 처리 장치(400)는 제1공정 유닛(260)에서 1차 건조 처리된 기판(W)을 2차 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 유기 용제가 잔류된 기판(W)을 건조 처리한다. 기판 처리 장치(400)는 초임계 유체를 이용하여 기판(W)을 건조 처리할 수 있다. 도 4는 도 2의 제2공정 유닛에서 기판을 건조 처리하는 장치를 보여주는 단면도이고, 도 5는 도 4의 하우징을 보여주는 사시도이다. 도 4 및 도 5를 참조하면, 기판 처리 장치(400)는 하우징(402), 공정 챔버(410), 기판 지지 유닛(440), 승강 부재(450), 가열 부재(460), 차단 부재(480), 배기 유닛(470), 유체 공급 유닛(490), 클램핑 부재(500), 이동 부재(550), 그리고 제어기(600)를 포함한다.
하우징(402)은 몸체(404) 및 중간판(406)을 포함한다. 몸체(404)는 내부에 공간을 가지는 통 형상으로 제공된다. 예컨대, 몸체(404)는 직육면체 형상으로 제공될 수 있다. 몸체(404)의 상면에는 슬릿 형상의 관통홀(405)들이 형성된다. 관통홀(405)들은 서로 상이한 위치에서 서로 동일한 길이 방향을 가지도록 제공된다. 일 예에 의하면, 관통홀(405)은 4 개이며, 어느 2 개는 일측에 위치되고, 다른 2 개는 타측에 위치될 수 있다. 선택적으로, 관통홀(405)은 짝수 개로 제공되며, 2 개 또는 6 개 이상일 수 있다. 관통홀(405)은 이동 부재(550)와 클램핑 부재(500)를 연결시키는 통로로 기능한다.
중간판(406)은 몸체(404) 내에 위치된다. 중간판(406)은 몸체(404)의 내부를 상부 공간(408a)과 하부 공간(408b)으로 구획한다. 중간판(406)은 중공(404a)을 가지는 판 형상으로 제공된다. 중공(404a)에는 하부 바디(420)가 삽입 가능하도록 제공된다. 중공(404a)은 하부 바디(420)의 하단보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 상부 공간(408a)에는 공정 챔버(410) 및 클램핑 부재(500)가 위치되고, 하부 공간(408b)에는 승강 부재(450)가 위치될 수 있다. 이동 부재(550)는 하우징(402)의 외벽에 위치될 수 있다.
공정 챔버(410)는 내부에 기판(W)을 처리하는 처리 공간(412)을 가진다. 공정 챔버(410)는 기판(W)을 처리하는 동안에 그 처리 공간(412)을 외부로부터 밀폐한다. 공정 챔버(410)는 하부 바디(420), 상부 바디(430), 그리고 실링 부재(414)를 포함한다. 하부 바디(420)의 저면은 단차지게 제공된다. 하부 바디(420)는 저면 중앙부가 가장자리부에 비해 낮게 위치되는 형상으로 제공된다. 예컨대, 하부 바디(420)는 대체로 원통 형상으로 제공될 수 있다. 하부 바디(420)는 승강 부재(450)에 의해 몸체(404)의 상부 공간(408a) 및 하부 공간(408b)으로 승하강 이동이 가능하다. 하부 바디(420)의 저면에는 하부 공급 포트(422) 및 배기 포트(426)가 형성된다. 상부에서 바라볼 때 하부 공급 포트(422)는 하부 바디(420)의 중심축을 벗어나게 위치될 수 있다. 하부 공급 포트(422)는 처리 공간(412)에 초임계 유체를 공급하는 유로로 기능한다.
상부 바디(430)는 하부 바디(420)와 조합되어 내부에 처리 공간(412)을 형성한다. 상부 바디(430)는 하부 바디(420)의 위에 위치된다. 상부 바디(430)는 하우징(402)의 상부 공간(408a)에 위치된다. 상부 바디(430)는 완충 부재(435)에 의해 몸체(404)의 천장면에 결합된다. 완충 부재(435)는 탄성 재질로 제공될 수 있다. 완충 부재(435)는 판 스프링 또는 코일 스프링일 수 있다. 예컨대, 완충 부재(435)는 스프링일 수 있다. 상부 바디(430)의 측단은 단차지게 제공된다. 상부 바디(430)는 상면의 중앙부가 가장자리부보다 높게 위치되는 형상으로 제공된다. 예컨대. 상부 바디(430)는 대체로 원통 형상으로 제공될 수 있다. 상부 바디(430)에는 상부 공급 포트(432)가 형성된다. 상부 공급 포트(432)는 처리 공간(412)에 초임계 유체가 공급되는 유로로 기능한다. 상부 공급 포트(432)는 상부 바디(430)의 중심에 일치되게 위치될 수 있다. 일 예에 의하면, 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 각각은 금속 재질로 제공될 수 있다.
실링 부재(414)는 상부 바디(430)와 하부 바디(420) 간에 틈을 실링한다. 실링 부재(414)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)의 사이에 위치된다. 실링 부재(414)는 환형의 링 형상을 가진다. 예컨대, 실링 부재(414)는 오링(O-ring, 414)으로 제공될 수 있다. 실링 부재(414)는 상부 바디(430)의 하단면 또는 하부 바디(420)의 상단면에 제공된다. 본 실시예에는 실링 부재(414)가 하부 바디(420)의 상단면에 제공되는 것으로 설명한다. 하부 바디의 상단면에는 실링 부재(414)가 삽입되는 실링홈이 형성된다. 실링 부재(414)의 일부는 실링홈에 삽입되게 위치되고, 다른 일부는 실링홈으로부터 돌출되게 위치된다. 실링 부재(414)는 탄성을 포함하는 재질로 제공될 수 있다.
기판 지지 유닛(440)은 처리 공간(412)에서 기판(W)을 지지한다. 도 6은 도 4의 기판 지지 유닛을 보여주는 사시도이다. 도 6을 참조하면, 기판 지지 유닛(440)은 기판(W)의 처리면이 위를 향하도록 기판(W)을 지지한다. 기판 지지 유닛(440)은 지지대(442) 및 기판 유지대(444)를 포함한다. 지지대(442)는 상부 바디(430)의 저면으로부터 아래로 연장된 바 형상으로 제공된다. 지지대(442)는 복수 개로 제공된다. 예컨대, 지지대(442)는 4 개일 수 있다. 기판 유지대(444)는 기판(W)의 저면 가장자리 영역을 지지한다. 기판 유지대(444)는 복수 개로 제공되며, 각각은 기판(W)의 서로 상이한 영역을 지지한다. 예컨대, 기판 유지대(444)는 2 개일 수 있다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대(444)는 라운드진 플레이트 형상으로 제공된다. 상부에서 바라볼 때 기판 유지대(444)는 지지대의 내측에 위치된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 조합되어 링 형상을 가지도록 제공된다. 각각의 기판 유지대(444)는 서로 이격되게 위치된다.
다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 간에 상대 위치를 조절한다. 승강 부재(450)는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 중 어느 하나가 다른 하나에 대해 이격 또는 밀착되도록 승하강시킨다. 승강 부재(450)는 공정 챔버(410)가 열림 위치 또는 닫힘 위치로 이동되도록 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 중 어느 하나를 승하강시킨다. 여기서 열림 위치는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)가 서로 이격되는 위치이고, 닫힘 위치는 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)가 서로 밀착되어 접촉되는 위치이다. 즉 열림 위치에서 처리 공간(412)은 외부로부터 개방되고, 닫힘 위치에서 처리 공간(412)이 외부로부터 밀폐된다. 본 실시예에는 승강 부재(450)가 하부 공간(408b)에서 하부 바디(420)를 승하강시키고, 상부 바디(430)는 위치가 고정되는 것으로 설명한다. 선택적으로, 하부 바디(420)는 고정되고, 상부 바디(430)가 하부 바디(420)에 대해 승하강 이동될 수 있다. 이 경우, 승강 부재(450)는 상부 공간(408a)에 위치될 수 있다.
승강 부재(450)는 지지판(452), 승강축(454), 그리고 구동기(456)를 포함한다. 지지판(452)은 하부 공간(408b)에서 하부 바디(420)를 지지한다. 지지판(452)에는 하부 바디(420)가 고정 결합된다. 지지판(452)은 원형의 판 형상으로 제공된다. 지지판(452)은 중공(404a)보다 큰 직경을 가지도록 제공된다. 이에 따라 하부 바디(420)의 하단은 닫힘 위치에서도 하부 공간(408b)에 위치된다. 승강축(454)은 하부 공간(408b)에서 지지판(452)의 저면을 지지한다. 승강축(454)은 지지판(452)에 고정 결합된다. 승강축(454)은 복수 개로 제공된다. 승강축(454)들은 원주 방향을 따라 배열되게 위치된다. 구동기(456)는 각각의 승강축(454)을 승하강시킨다. 구동기(456)는 복수 개로 제공되며, 승강축(454)과 일대일 대응되게 결합된다. 구동기(456)에 구동력이 제공되면, 하부 바디(420) 및 승강축(454)은 승강 이동되고, 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)는 처리 공간이 밀폐되는 닫힘 위치로 이동된다. 닫힘 위치에서 구동기(456)의 구동력이 해제되면, 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)는 닫힘 위치를 유지할 수 있다. 각각의 구동기(456)는 동일하게 구동력이 제공되거나, 구동력이 동일하게 해제된다. 이에 따라 복수의 승강축(454)들은 승하강 중에 동일 높이에 위치되며, 지지판(452) 및 하부 바디(420)는 수평을 유지한 채로 승하강이 가능하다. 예컨대, 구동기(456)은 실린더 또는 모터일 수 있다.
선택적으로 닫힘 위치에서 구동기(456)의 구동력이 해제되면, 하부 바디(420) 및 승강축(454)은 하강 이동되고, 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)는 처리 공간이 개방되는 열림 위치로 이동될 수 있다.
가열 부재(460)는 처리 공간(412)을 가열한다. 가열 부재(460)는 처리 공간(412)에 공급된 초임계 유체를 임계온도 이상으로 가열하여 초임계 유체 상으로 유지한다. 가열 부재(460)는 복수 개의 히터들(460)을 포함한다. 히터들(460)은 서로 평행한 길이 방향을 가지는 바 또는 봉 형상으로 제공된다. 히터들(460)은 클램프들(510,520)이 이동되는 방향과 수직한 길이 방향을 가진다. 예컨대, 히터들(460)은 각 바디(420,430)가 이동되는 방향과 평행한 길이 방향을 가진다. 이는 각 바디(420,430)의 측부가 클램핑되므로, 히터(460)를 각 바디(420,430)의 측면에서부터 삽입시키는 것이 불가능하다. 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 중 적어도 하나의 벽 내에 매설되어 설치될 수 있다. 예를 들어, 히터는 외부로부터 전원을 받아 열을 발생시킬 수 있다. 본 실시예에는 히터(460)가 상부 바디(430)에 제공되는 것으로 설명하였으나, 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 각각에 제공될 수 있다. 또한 히터(460)는 상부 바디(430)에 미제공되고, 하부 바디(420)에 제공될 수 있다.
차단 부재(480)는 하부 공급 포트(474)로부터 공급되는 초임계 유체가 기판(W)의 비처리면에 직접적으로 공급되는 것을 방지한다. 차단 부재(480)는 차단 플레이트(482) 및 지지대(484)를 포함한다. 차단 플레이트(482)는 하부 공급 포트(474)와 기판 지지 유닛(440) 사이에 위치된다. 차단 플레이트(482)는 원형의 판 형상을 가지도록 제공된다. 차단 플레이트(482)는 하부 바디(420)의 내경보다 작은 직경을 가진다. 상부에서 바라볼 때 차단 플레이트(482)는 하부 공급 포트(474) 및 배기 포트(426)를 모두 가리는 직경을 가진다. 예컨대, 차단 플레이트(482)는 기판(W)의 직경과 대응되거나, 이보다 큰 직경을 가지도록 제공될 수 있다. 지지대(484)는 차단 플레이트(482)를 지지한다. 지지대(484)는 복수 개로 제공되며, 차단 플레이트(482)의 원주 방향을 따라 배열된다. 각각의 지지대(484)는 서로 일정 간격으로 이격되게 배열된다.
배기 유닛(470)은 처리 공간(412)의 분위기를 배기한다. 처리 공간(412)에 발생된 공정 부산물은 배기 유닛(470)을 통해 배기된다. 배기는 자연 배기 또는 강제 배기일 수 있다. 또한 배기 유닛(470)은 공정 부산물을 배기하는 동시에, 처리 공간(412)의 압력을 조절 가능하다. 배기 유닛(470)은 배기 라인(472) 및 압력 측정 부재(474)를 포함한다. 배기 라인(472)은 배기 포트(426)에 연결된다. 배기 라인(472)에 설치된 배기 밸브(476)는 처리 공간(412)의 배기량을 조절 가능하다. 압력 측정 부재(474)는 배기 라인(472)에 설치되며, 배기 라인(472)의 압력을 측정한다. 압력 측정 부재(474)는 배기 방향에 대해 배기 밸브(476)보다 상류에 위치된다. 배기 유닛(470)에 의해 처리 공간(412)은 상압 또는 공정 챔버(410)의 외부에 대응되는 압력으로 감압될 수 있다.
유체 공급 유닛(490)은 처리 공간(412)에 처리 유체를 공급한다. 처리 유체는 임계 온도 및 임계 압력에 의해 초임계 상태로 공급된다. 유체 공급 유닛(490)은 상부 공급 라인(492) 및 하부 공급 라인(494)을 포함한다. 상부 공급 라인(492)은 상부 공급 포트(432)에 연결된다. 처리 유체는 상부 공급 라인(492) 및 상부 공급 포트(432)를 순차적으로 거쳐 처리 공간(412)에 공급된다. 상부 공급 라인(492)에는 상부 밸브(493)가 설치된다. 상부 밸브(493)는 상부 공급 라인(492)을 개폐한다. 하부 공급 라인(494)은 상부 공급 라인(492)과 하부 공급 포트(422)를 서로 연결한다. 하부 공급 라인(494)은 상부 공급 라인(492)으로부터 분기되어 하부 공급 포트(422)에 연결된다. 즉, 상부 공급 라인(492) 및 하부 공급 라인(494) 각각으로부터 공급되는 처리 유체는 동일한 종류의 유체일 수 있다. 처리 유체는 하부 공급 라인(494) 및 하부 공급 포트(422)를 순차적으로 거쳐 처리 공간(412)에 공급된다. 하부 공급 라인(494)에는 하부 밸브(495)가 설치된다. 하부 밸브(495)는 하부 공급 라인(494)을 개폐한다.
일 예에 의하면, 기판(W)의 비 처리면과 대향되는 하부 공급 포트(422)로부터 처리 유체가 공급되고, 이후에 기판(W)의 처리면과 대향되는 상부 공급 포트(432)로부터 처리 유체가 공급될 수 있다. 따라서 처리 유체는 하부 공급 라인(494)을 통해 처리 공간(412)으로 공급되고, 이후에 상부 공급 라인(492)을 통해 처리 공간(412)으로 공급될 수 있다. 이는 초기에 공급되는 처리 유체가 임계 압력 또는 임계 온도에 미도달된 상태에서 기판(W)에 공급되는 것을 방지하기 위함이다.
클램핑 부재(500)는 닫힘 위치에 위치되는 상부 바디(430)와 하부 바디(420)를 클램핑한다. 이로 인해 공정 진행 시 처리 공간 내 압력이 상승하더라도, 상부 바디(430)와 하부 바디(420) 간에 틈이 발생되는 것을 방지할 수 있다. 또한 클램핑 부재(500)에 의해 공정 챔버(410)가 클램핑되는 중에는 구동기(456)의 구동력이 해제된다. 이로 인해 오랜 시간동안 구동기(456)에 강한 힘이 작용되고, 구동기(456)가 손상되는 것을 방지할 수 있다.
도 7은 도 4의 클램핑 부재를 보여주는 사시도이다. 도 7을 참조하면, 클램핑 부재(500)는 제1클램프(510), 제2클램프(520), 그리고 잠금핀(530)을 포함한다. 제1클램프(510) 및 제2클램프(520)는 공정 챔버(410)의 측부에 위치된다. 일 예에 의하면, 제1클램프(510) 및 제2클램프(520) 각각은 공정 챔버(410)를 사이에 두고 서로 마주도보록 위치된다. 제1클램프(510) 및 제2클램프(520) 각각은 공정 챔버(410)를 감싸는 형상으로 제공된다. 제1클램프(510) 및 제2클램프(520) 각각은 공정 챔버(410)를 바라보는 내측면에 클램프 홈(512)이 형성된다. 클램프 홈(512)에는 닫힘 위치에 위치된 상부 바디(430)의 가장자리부 및 하부 바디(420)의 가장자리부가 삽입 가능하다. 클램핑 부재(500)는 잠금 위치 또는 해제 위치로 이동 가능하다. 여기서 잠금 위치는 제1클램프(510) 및 제2클램프(520)가 서로 가까워져 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)를 클램핑하는 위치이고, 해제 위치는 제1클램프(510) 및 제2클램프(520)가 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)로부터 이격되는 위치로 정의한다. 제1클램프(510) 및 제2클램프(520)는 잠금 위치에서 서로 조합되어 환형의 링 형상을 가지도록 제공된다. 예컨대, 제1클램프(510) 및 제2클램프(520) 중 어느 하나의 수직 단면은 "C" 또는 "ㄷ" 자 형상을 가지고, 다른 하나의 수직 단면은 수직축을 기준으로 어느 하나의 수직 단면과 대칭되게 제공될 수 있다.
제1클램프(510)는 제2클램프(520)와 접촉되는 일측면이 단차지도록 제공된다. 제2클램프(520)는 제1클램프(510)와 접촉되는 타측면이 단차지도록 제공된다. 제1클램프(510)의 일측면과 제2클램프(520)의 타측면은 서로 엇갈린 형상으로 제공된다. 일 예에 의하면, 제1클램프(510)의 일측면은 상단이 하단에 비해 길게 단차지고, 제2클램프(520)의 타측면은 상단이 하단에 비해 짧게 단차지도록 제공될 수 있다. 제1클램프(510)의 단차진 영역에는 잠금핀(530)이 위치되는 제1핀홈(514)이 형성되고, 제2클램프(520)의 단차진 영역에는 제2핀홈(524)이 형성된다. 제1핀홈(514) 및 제2핀홈(524) 각각은 클램핑 부재(500)의 이동 방향과 수직한 방향을 향하도록 제공된다. 잠금 위치에서 제1핀홈(514)과 제2핀홈(524)은 서로 대향되게 위치된다. 일 예에 의하면, 잠금 위치에는 잠금핀(530)이 제1핀홈(514)으로부터 돌출되어 제2핀홈(524)에 삽입될 수 있다. 또한 제1핀홈(514)은 제2클램프(520)에 더 형성되고, 제2핀홈(524)은 제1클램프(510)에 더 형성될 수 있다.
다시 도 4 및 도 5를 참조하면, 이동 부재(550)는 클램핑 부재(500)를 잠금 위치 및 해제 위치로 이동시킨다. 이동 부재(550)는 클램핑 부재(500)를 공정 챔버(410)의 이동 방향과 수직한 방향으로 이동시킨다. 이동 부재(550)는 가이드 레일(560), 브라켓(570), 그리고 구동 부재(580)를 포함한다. 가이드 레일(560)은 하우징(402)의 외부에 위치된다. 가이드 레일(560)은 상부 바디(430)가 위치되는 상부 공간(408a)과 인접하게 위치된다. 가이드 레일(560)은 하우징(402)의 상면에 설치된다. 가이드 레일(560)은 공정 챔버(410)의 이동 방향과 수직한 길이 방향을 가진다. 가이드 레일(560)은 복수 개로 제공되며, 각각은 동일한 길이 방향을 가진다. 일 예에 의하면, 가이드 레일(560)은 관통홀(405)과 동일한 개수로 제공된다. 가이드 레일(560)은 관통홀(405)과 평행한 길이 방향을 가진다. 상부에서 바라볼 때 가이드 레일(560)은 관통홀(405)과 중첩되게 위치된다. 브라켓(570)은 가이드 레일(560)과 클램핑 부재(500)를 서로 고정 결합시킨다. 브라켓(570)은 가이드 레일(560)과 동일한 개수로 제공된다 일 예에 의하면, 상부에서 바라볼 때 일측에 위치되는 가이드 레일(560)에는 제1클램프(510)에 연결되고, 타측에 위치되는 가이드 레인에는 제2클램프(520)가 연결될 수 있다. 구동 부재(580)는 클램핑 부재(500)가 가이드 레일(560)의 길이 방향을 따라 잠금 위치 또는 해제 위치로 이동되도록 가이드 레일(560)을 구동시킨다.
제어기(600)는 승강 부재(450) 및 이동 부재(550)를 제어한다. 제어기(600)는 공정 챔버(410)가 닫힘 위치 또는 열림 위치로 이동되도록 승강 부재(450)를 제어하고, 클램핑 부재(500)가 잠금 위치 또는 해제 위치로 이동되도록 이동 부재(550)를 제어한다. 일 예에 의하면, 제어기(600)는 공정 챔버(410)가 열림 위치에서 닫힘 위치로 이동되면, 클램핑 부재(500)는 해제 위치에서 잠금 위치로 이동될 수 있다. 제어기(600)는 공정 챔버(410)가 클램핑 부재(500)에 의해 닫혀지면, 구동기(456)의 구동력이 해제되도록 승강 부재(450)를 제어할 수 있다.
다음은 상술한 기판 처리 장치(400)를 이용하여 기판을 처리하는 방법을 설명한다. 도 8 내지 도 17은 도 4의 장치를 이용하여 기판을 처리하는 과정을 보여주는 도면들이고, 도 18은 도 8 내지 도 13에서 기판을 처리하는 과정 중 승강 부재, 클램핑 부재, 그리고 기판 처리 공정 간에 관계를 보여주는 그래프이다.
도 8 내지 도 18을 참조하면, 기판 처리 방법은 챔버 밀폐 단계, 기판 처리 단계, 그리고 챔버 개방 단계를 포함한다. 챔버 밀폐 단계는 공정 챔버(410) 내에 기판(W)이 반입되면, 처리 공간을 밀폐하는 과정 단계이다. 챔버 개방 단계는 공정 챔버(410)로부터 기판(W)을 반출하기 위해, 처리 공간(412)을 개방하는 과정의 단계이다. 기판 처리 단계는 밀폐된 처리 공간에서 기판(W)을 초임계 처리하는 단계이다. 다음은 챔버 밀폐 단계, 기판 처리 단계, 그리고 챔버 개방 단계를 보다 상세히 설명한다.
도 8 내지 도 12는 챔버 밀폐 단계를 보여주는 도면들이다. 도 8 내지 도 12를 참조하면, 챔버 밀폐 단계에는 밀착 단계, 클램핑 단계, 그리고 해제 단계를 포함한다. 밀착 단계, 클램핑 단계, 그리고 해제 단계는 순차적으로 진행된다. 클램핑 부재(500)는 해제 위치에 위치되고, 공정 챔버(410)는 열림 위치에 위치된 상태에서 기판(W)이 반입된다. 기판(W)이 반입되어 기판 지지 유닛(440)에 안착되면, 실린더(456)는 가압된다. 이에 따라 하부 바디(420)는 승강 이동되고, 공정 챔버(410)는 닫힘 위치로 이동된다. 공정 챔버(410)가 닫힘 위치에 위치되면, 클램핑 부재(500)는 잠금 위치로 이동되어 공정 챔버(410)를 클램핑한다. 이후에 실린더(456)의 가압은 해제된다.
도 13은 기판 처리 단계를 보여주는 도면이다. 도 13을 참조하면, 실린더(456)의 가압이 해제되면, 기판(W)에 대한 공정을 수행하는 기판 처리 단계가 진행된다. 기판 처리 단계에는 처리 공간에 하부 공급 포트(422)를 통해 처리 유체가 공급되고, 처리 공간(412)을 임계 온도 및 임계 압력으로 유지한다. 처리 공간(412)이 임계 온도 및 임계 압력에 도달되면, 하부 공급 포트(422)의 공급을 중지하고, 상부 공급 포트(432)를 통해 처리 유체를 공급한다.
도 14 내지 도 17은 챔버 개방 단계를 보여주는 도면들이다. 도 14 내지 도 17을 참조하면, 클램핑 부재(500)가 해제 위치로 이동되기 전, 실린더(456)는 가압된다. 이로 인해 하부 바디(420)는 실린더(456) 및 승강축(454)에 의해 지지된 상태를 유지한다. 이후 클램핑 부재(500)는 잠금 위치에서 해제 위치로 이동된다. 클램핑 부재(500)가 해제 위치로 이동되면, 실린더(456)의 가압은 해제되고, 하부 바디(420)는 하강 이동된다. 처리 공간(412)이 개방되면, 기판(W)은 공정 챔버(410)로부터 반출된다.
상술한 실시예에 의하면, 해제 단계에는 공정 챔버(410)가 닫힘 위치에 위치되고, 클램핑 부재(500)가 잠금 위치에 위치된 상태에서 실린더(456)의 가압이 해제된다. 이로 인해 실린더(456)에 가해지는 스트레스를 제거할 수 있다.
또한 기판 처리 단계가 진행되면, 처리 유체에 의해 처리 공간(412) 내 압력은 점진적으로 상승된다. 상승되는 압력으로 인해 상부 바디(430)와 하부 바디(420)는 클램핑된 상태에서 틈이 발생되도록 이동된다. 처리 공간(412) 내 압력이 점진적으로 상승됨에 따라 상부 바디(430)와 하부 바디(420)는 점진적으로 이동된다. 이에 따라 상부 바디(430) 및 하부 바디(430)가 클램핑 부재(500)에 급격하게 부딪히는 것을 방지할 수 있다.
또한 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 간에는 틈이 발생될지라도, 실링 부재(414)에 의해 처리 공간(412)은 밀폐된 상태를 유지 가능하며, 상부 바디(430) 및 하부 바디(420) 간에 마찰로 인한 파티클 발생을 억제할 수 있다. 즉 밀착 단계, 클램핑 단계, 그리고 해제 단계에는 서로 밀착되는 바디들(420,430)에 의해 실링 부재가 완전 압축 상태로 제공된다. 기판 처리 단계가 진행되면, 상부 바디(430) 및 하부 바디(430) 간에 틈이 발생되면서 실링 부재(414)는 일부 압축 상태로 제공된다.
선택적으로, 해제 단계에서는 실린더(414)의 가압이 해제됨에 따라 하부 바디(420) 및 승강축(454)은 점진적으로 하강 이동되고, 실링 부재(414)가 일부 압축 상태로 제공될 수 있다.
상술한 실시예와 달리, 챔버 밀폐 단계에는 밀착 단계, 클램핑 단계, 그리고 해제 단계를 포함하는 것으로 설명하였다. 그러나 도 19와 같이, 챔버 밀폐 단계는 해제 단계를 제외하고, 밀착 단계 및 클램핑 단계만을 포함할 수 있다. 클램핑 단계가 완료되면, 기판(W)에 대한 공정이 수행될 수 있다. 기판(W)에 대한 공정이 진행되는 중에는 실린더(456)의 가압이 유지될 수 있다. 즉, 상부 바디(430) 및 하부 바디(420)는 서로 밀착 및 클램핑된 상태에서 기판(W)에 대한 공정을 수행할 수 있다.
또한 도 20과 같이, 챔버 밀폐 단계는 밀착 단계 및 클램핑 단계만을 포함할 수 있다. 클램핑 단계 이후에는 기판 처리 단계가 수행될 수 있다. 기판 처리 단계에는 처리 공간에 처리 유체를 공급하고, 처리 공간(412)이 기설정 압력에 도달될 때까지 실린더(456)의 가압이 유지될 수 있다. 처리 유체에 의해 처리 공간(412)이 기설정 압력에 도달되면, 실린더(456)의 가압이 해제될 수 있다. 예컨대, 기설정 압력은 임계 압력일 수 있다.
상술한 실시예에 의하면, 제1클램프(510) 및 제2클램프(520)는 일방향을 따라 직선 이동되는 것으로 설명하였다. 그러나 도 21과 같이, 제1클램프(1510) 및 제2클램프(1520)는 승하강되는 방향과 평행한 길이 방향을 가지는 구동축(1505)에 힌지 결합될 수 있다. 제1클램프(1510) 및 제2클램프(1520) 각각은 구동기(미도시)에 의해 구동축(1505)을 중심축으로 회전되어 잠금 위치 또는 해제 위치로 이동될 수 있다.
또한 도 22와 같이, 제1클램프(510)의 일측 단부에는 제1홀(518)이 형성될 수 있다. 제1홀(518)은 제1클램프(510)의 내측면 및 외측면을 관통할 수 있다. 제1홀(518)은 제1클램프(510)의 중앙 영역에서 제1클램프(510)의 길이 방향으로 연장되는 슬릿으로 제공될 수 있다. 제2클램프(520)의 일측 단부에는 제2홀(528)이 형성될 수 있다. 제2홀(528)은 제2클램프(520)의 내측면 및 외측면을 서로 관통할 수 있다. 제2홀(528)은 제2클램프(520)의 중앙 영역에서 제2클램프(520)의 길이 방향으로 연장되는 슬릿으로 제공될 수 있다. 클램핑 부재(500)는 잠금 위치에서 제1홀(518)과 제2홀(528)이 서로 연장되게 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 클램핑 부재(500)는 해제 위치에서 제1홀(518)을 포함하는 일측 단부와 제2홀(528)을 포함하는 일측 단부를 서로 잇는 직선의 길이는 기판(W)의 직경보다 길게 제공될 수 있다. 클램핑 부재(500)는 해제 위치에서 제1홀(518) 및 제2홀(528)이 기판(W)이 반출입되는 통로로 기능할 수 있다. 이에 따라 클램핑 부재(500)의 공간 효율을 향상시킬 수 있다.
또한 도 23과 같이, 클램핑 부재(500)는 3 이상의 클램프를 포함할 수 있다. 클램핑 부재는 제1클램프(510a), 제2클램프(510b), 제3클램프(520a), 그리고 제4클램프(520b)를 포함할 수 있다. 각 클램프(510a,510b,520a,520b)는 각 바디(420,430)를 클램프하는 위치 또는 이로부터 멀어지는 위치로 이동될 수 있다.
또한 도 24와 같이, 제1클램프(510) 및 제2클램프(520) 각각은 클램프 홈을 형성하는 상부면(542), 하부면(544), 그리고 측면부(546)를 포함할 수 있다. 상부면(542)은 상부 바디(430)를 향하는 방향으로 갈수록 하향 경사지게 제공될 수 있다. 하부면(544)은 하부 바디(420)를 향하는 방향으로 갈수록 상향 경사지게 제공되 수 있다. 측면부(546)는 상부면(542) 및 하부면(544)을 연결할 수 있다. 상부 바디(430)의 상면 가장자리부는 제1클램프(510) 및 상기 제2클램프(520) 각각의 상부면(542)에 대응하는 형상으로 제공되고, 하부 바디(420)의 저면 가장자리부는 제1클램프(510) 및 제2클램프(520) 각각의 하부면(544)에 대응하는 형상으로 제공될 수 있다. 즉, 상부 바디(430)의 상면 가장자리부는 중심축으로부터 멀어질수록 상향 경사지게 제공될 수 있다. 하부 바디(420)의 저면 가장자리부는 중심축으로부터 멀어질수록 하향 경사지게 제공될 수 있다.
402: 하우징 410: 공정 챔버
420: 하부 바디 430: 상부 바디
450: 승강 부재 456: 구동기
500: 클램핑 부재 510: 제1클램프
518: 제1홀 520: 제2클램프
528: 제2홀 550: 이동 부재
420: 하부 바디 430: 상부 바디
450: 승강 부재 456: 구동기
500: 클램핑 부재 510: 제1클램프
518: 제1홀 520: 제2클램프
528: 제2홀 550: 이동 부재
Claims (24)
- 기판을 처리하는 장치에 있어서,
서로 조합되어 내부에 처리 공간을 제공하는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와;
상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 이격되는 열림 위치 또는 밀착되는 닫힘 위치로 승하강시키는 승강 부재와;
상기 닫힘 위치에 위치되는 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 클램핑 부재와;
상기 클램핑 부재가 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 잠금 위치 또는 상기 클램핑 부재가 상부 바디와 상기 하부 바디로부터 이격되는 해제 위치로 이동시키는 이동 부재를 가지고,
상기 클램핑 부재는,
상기 공정 챔버의 일측에 위치되는 제1클램프와;
상기 공정 챔버를 사이에 두고, 상기 제1클램프와 마주보도록 위치되는 제2클램프를 포함하고,
상기 상부 바디는 상면 중앙부가 상면 가장자리부보다 높게 위치되는 형상을 가지고,
상기 하부 바디는 저면 중앙부가 저면 가장자리부보다 낮게 위치되는 형상을 가지되,
상기 제1클램프 및 상기 제2클램프는 각각 내측면에 상기 상부 바디의 상면 가장자리부 및 상기 하부 바디의 저면 가장자리부가 삽입 가능한 클램프 홈이 형성되는 기판 처리 장치. - 제1항에 있어서,
상기 장치는,
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간으로 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛을 더 포함하는 기판 처리 장치. - 기판을 처리하는 장치에 있어서,
서로 조합되어 내부에 처리 공간을 제공하는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와;
상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 이격되는 열림 위치 또는 밀착되는 닫힘 위치로 승하강시키는 승강 부재와;
상기 닫힘 위치에 위치되는 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 클램핑 부재와;
상기 클램핑 부재가 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 잠금 위치 또는 상기 클램핑 부재가 상부 바디와 상기 하부 바디로부터 이격되는 해제 위치로 이동시키는 이동 부재와;
상기 공정 챔버, 상기 클램핑 부재, 그리고 상기 승강 부재를 감싸는 하우징을 포함하되,
상기 하우징은,
통 형상의 몸체와;
상기 몸체의 내부를 상부 공간과 하부 공간으로 구획하며, 중공을 가지는 중간판을 포함하되,
상기 상부 공간과 상기 하부 공간 중 어느 하나의 공간에는 상기 공정 챔버 및 상기 클램핑 부재가 위치되고, 다른 하나의 공간에는 승강 부재가 위치되고,
상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 어느 하나는 상기 승강 부재에 의해 이동되고, 다른 하나는 상기 하우징에 고정되고,
상기 하우징은,
상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 상기 하우징에 고정된 바디를 지지하는 완충 부재를 포함하되,
상기 완충 부재는 탄성 재질로 제공되는 기판 처리 장치. - 기판을 처리하는 장치에 있어서,
서로 조합되어 내부에 처리 공간을 제공하는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와;
상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 이격되는 열림 위치 또는 밀착되는 닫힘 위치로 승하강시키는 승강 부재와;
상기 닫힘 위치에 위치되는 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 클램핑 부재와;
상기 클램핑 부재가 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 잠금 위치 또는 상기 클램핑 부재가 상부 바디와 상기 하부 바디로부터 이격되는 해제 위치로 이동시키는 이동 부재와;
상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 기판 지지 유닛과;
상기 처리 공간으로 처리 유체를 공급하는 유체 공급 유닛을 가지고,
상기 클램핑 부재는,
상기 공정 챔버의 일측에 위치되는 제1클램프와;
상기 공정 챔버를 사이에 두고, 상기 제1클램프와 마주보도록 위치되는 제2클램프를 포함하고,
상기 제1클램프의 일측 단부에는 내측면과 외측면을 관통하는 슬릿 형상의 제1홀이 형성되고,
상기 제2클램프의 일측 단부에는 내측면과 외측면을 관통하는 슬릿 형상의 제2홀이 형성되되,
상기 클램핑 부재는 잠금 위치에서 상기 제1홀 및 상기 제2홀이 서로 연통되고,
상기 제1홀 및 상기 제2홀은 상기 기판이 반출입되는 통로로 기능하는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 제1클램프 및 상기 제2클램프는 각각,
상기 상부 바디를 향하는 방향으로 갈수록 하향 경사진 상부면과;
상기 하부 바디를 향하는 방향으로 갈수록 상향 경사진 하부면과; 그리고
상기 상부면 및 상기 하부면을 연결하는 측부면를 가지되,
상기 클램프 홈은 상기 상부면, 상기 하부면, 그리고 상기 측부면의 조합에 의해 형성되고,
상기 상부 바디의 상면 가장자리부는 상기 제1클램프 및 상기 제2클램프 각각의 상기 상부면에 대응하는 형상으로 제공되고
상기 하부 바디의 저면 가장자리부는 상기 제1클램프 및 상기 제2클램프 각각의 상기 하부면에 대응하는 형상으로 제공되는 기판 처리 장치 - 제2항에 있어서,
상기 장치는,
상기 공정 챔버, 상기 클램핑 부재, 그리고 상기 승강 부재를 감싸는 하우징을 더 포함하되,
상기 하우징은,
통 형상의 몸체와;
상기 몸체의 내부를 상부 공간과 하부 공간으로 구획하며, 중공을 가지는 중간판을 포함하되,
상기 상부 공간과 상기 하부 공간 중 어느 하나의 공간에는 상기 공정 챔버 및 상기 클램핑 부재가 위치되고, 다른 하나의 공간에는 승강 부재가 위치되는 기판 처리 장치. - 제6항에 있어서,
상기 승강 부재는,
승하강이 가능하며, 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 하나를 지지하는 지지판을 포함하되,
상기 지지판은 상기 중공에 비해 큰 직경을 가지는 기판 처리 장치. - 제6항에 있어서,
상기 이동 부재는,
상기 승하강되는 방향과 수직한 길이 방향을 가지는 가이드 레일과;
상기 가이드 레일과 상기 클램핑 부재를 서로 결합시키는 브라켓과;
상기 가이드 레일의 길이 방향을 따라 상기 클램핑 부재가 상기 잠금 위치 또는 상기 해제 위치로 이동되도록 상기 가이드 레일을 구동시키는 구동 부재를 포함하는 기판 처리 장치. - 제8항에 있어서,
상기 가이드 레일은 상기 하우징의 외부에서 상기 하우징의 상면 또는 저면에 설치되는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 이동 부재는,
상기 승하강되는 방향과 평행한 길이 방향을 가지며, 상기 제1클램프 및 상기 제2클램프 각각이 힌지 결합되는 구동축과;
상기 구동축의 길이 방향을 중심으로 축회전되어 상기 클램핑 부재가 상기 잠금 위치 또는 해제 위치로 이동되도록 상기 구동축을 구동시키는 구동 부재를 포함하는 기판 처리 장치. - 제6항에 있어서,
상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 어느 하나는 상기 승강 부재에 의해 이동되고, 다른 하나는 상기 하우징에 고정되고,
상기 하우징은,
상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 상기 하우징에 고정된 바디를 지지하는 완충 부재를 포함하되,
상기 완충 부재는 탄성 재질로 제공되는 기판 처리 장치. - 제2항, 제5항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1클램프의 일측 단부에는 내측면과 외측면을 관통하는 슬릿 형상의 제1홀이 형성되고,
상기 제2클램프의 일측 단부에는 내측면과 외측면을 관통하는 슬릿 형상의 제2홀이 형성되되,
상기 클램핑 부재는 잠금 위치에서 상기 제1홀 및 상기 제2홀이 서로 연통되고,
상기 제1홀 및 상기 제2홀은 상기 기판이 반출입되는 통로로 기능하는 기판 처리 장치. - 제1항, 제2항, 제5항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서 상기 장치는,
상기 승강 부재와 상기 이동 부재를 제어하는 제어기를 더 포함하고,
상기 승강 부재는,
상기 상부 바디 또는 상기 하부 바디를 승하강시키는 구동기를 더 포함하며,
상기 제어기는 기판이 상기 처리 공간 내로 유입되면 상기 하부 바디와 상기 상부 바디가 서로 밀착되도록 상기 구동기에 구동력을 제공하는 밀착 단계, 이후에 상기 구동력에 의해 서로 밀착된 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디를 상기 클램핑 부재가 클램핑하는 클램핑 단계, 이후에 상기 클램핑이 이루어진 상태에서 상기 구동기의 구동력을 해제하는 해제 단계가 수행되도록 상기 구동기와 상기 이동 부재를 제어하되,
상기 기판에 대한 공정은 상기 구동력이 해제된 이후에 수행되는 기판 처리 장치. - 제13항에 있어서,
상기 공정 챔버는,
상기 상부 바디 및 상기 하부 바디의 사이에 위치되며, 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디의 사이 공간을 실링하는 실링 부재를 더 포함하되,
상기 실링 부재는,
상기 밀착 단계 및 상기 클램핑 단계에서 제1압축 상태로 제공되고,
상기 구동력이 해제된 이후에는 제2압축 상태로 제공되되,
상기 제1압축 상태는 상기 제2압축 상태보다 더 큰 압축 상태인 기판 처리 장치. - 기판을 처리하는 장치에 있어서,
서로 조합되어 내부에 처리 공간을 제공하는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와;
상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 이격되는 열림 위치 또는 밀착되는 닫힘 위치로 승하강시키는 승강 부재와;
상기 닫힘 위치에 위치되는 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 클램핑 부재와;
상기 클램핑 부재가 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 잠금 위치 또는 상기 클램핑 부재가 상부 바디와 상기 하부 바디로부터 이격되는 해제 위치로 이동시키는 이동 부재와;
상기 승강 부재와 상기 이동 부재를 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 승강 부재는,
상기 상부 바디 또는 상기 하부 바디를 승하강시키는 구동기를 더 포함하며,
상기 제어기는 기판이 상기 처리 공간 내로 유입되면 상기 하부 바디와 상기 상부 바디가 서로 밀착되도록 상기 구동기에 구동력을 제공하는 밀착 단계, 이후에 상기 구동력에 의해 서로 밀착된 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디를 상기 클램핑 부재가 클램핑하는 클램핑 단계가 수행되도록 상기 구동기와 상기 이동 부재를 제어하되,
상기 기판에 대한 공정은 상기 클램핑 단계 이후에, 상기 구동기에 구동력이 계속 제공되는 상태에서 수행되는 기판 처리 장치. - 기판을 처리하는 장치에 있어서,
서로 조합되어 내부에 처리 공간을 제공하는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와;
상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 이격되는 열림 위치 또는 밀착되는 닫힘 위치로 승하강시키는 승강 부재와;
상기 닫힘 위치에 위치되는 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 클램핑 부재와;
상기 클램핑 부재가 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 잠금 위치 또는 상기 클램핑 부재가 상부 바디와 상기 하부 바디로부터 이격되는 해제 위치로 이동시키는 이동 부재와;
상기 승강 부재와 상기 이동 부재를 제어하는 제어기를 포함하고,
상기 승강 부재는,
상기 상부 바디 또는 상기 하부 바디를 승하강시키는 구동기를 더 포함하며,
상기 제어기는 기판이 상기 처리 공간 내로 유입되면 상기 하부 바디와 상기 상부 바디가 서로 밀착되도록 상기 구동기에 구동력을 제공하는 밀착 단계, 이후에 상기 구동력에 의해 서로 밀착된 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디를 상기 클램핑 부재가 클램핑하는 클램핑 단계, 이후에 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하는 기판 처리 단계가 수행되도록 상기 구동기와 상기 이동 부재를 제어하되,
상기 기판 처리 단계에서 상기 처리 공간이 처리 유체에 의해 기설정 압력에 도달되면, 상기 클램핑이 이루어진 상태에서 상기 구동기의 구동력을 해제하는 기판 처리 장치. - 제5항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
상기 제1클램프는 상기 제2클램프와 접촉되는 일측면이 단차지도록 제공되고,
상기 제2클램프는 상기 제1클램프와 접촉되는 타측면이 상기 일측면과 대응되도록 단차지게 제공되되,
상기 제1클램프의 단차진 영역과 상기 제2클램프의 단차진 영역 중 하나에는 잠금핀이 삽입되는 제1핀홈이 형성되고, 다른 하나에는 제2핀홈이 형성되되,
상기 잠금 위치에는 상기 제1핀홈 및 상기 제2핀홈이 서로 대향되게 위치되고,
상기 제1핀홈과 상기 제2핀홈은 상기 제1클램프 및 상기 제2클램프의 이동 방향과 수직한 방향으로 대향되게 위치되는 기판 처리 장치. - 제2항에 있어서,
상기 장치는,
상기 처리 공간을 가열하는 가열 부재를 더 포함하되,
상기 가열 부재는
상기 상부 바디 및 상기 하부 바디 중 적어도 하나에 위치되며, 길이 방향이 상기 클램핑 부재의 이동 방향과 수직한 방향을 향하는 바 형상을 가지는 히터를 더 포함하는 기판 처리 장치. - 삭제
- 삭제
- 기판을 처리하는 방법에 있어서,
서로 조합되어 내부에 처리 공간을 제공하는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와; 상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 이격되는 열림 위치 또는 밀착되는 닫힘 위치로 승하강시키는 승강 부재와; 상기 닫힘 위치에 위치되는 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 클램핑 부재와; 상기 클램핑 부재가 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 잠금 위치 또는 상기 클램핑 부재가 상부 바디와 상기 하부 바디로부터 이격되는 해제 위치로 이동시키는 이동 부재를 가지는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하되,
기판이 상기 처리 공간 내로 유입되면 상기 하부 바디와 상기 상부 바디를 서로 밀착시키는 밀착 단계와;
상기 밀착 단계 이후에 서로 밀착된 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디를 상기 클램핑 부재가 클램핑하는 클램핑 단계와;
상기 클램핑 단계 이후에 상기 처리 공간에서 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계를 포함하고,
상기 밀착 단계, 상기 클램핑 단계, 그리고 상기 기판 처리 단계 각각에는 상기 승강 부재의 구동기에 제공되는 구동력에 의해 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디가 서로 밀착되는 기판 처리 방법. - 기판을 처리하는 방법에 있어서,
서로 조합되어 내부에 처리 공간을 제공하는 상부 바디와 하부 바디를 가지는 공정 챔버와; 상기 상부 바디와 상기 하부 바디 중 어느 하나를 다른 하나에 대해 이격되는 열림 위치 또는 밀착되는 닫힘 위치로 승하강시키는 승강 부재와; 상기 닫힘 위치에 위치되는 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 클램핑 부재와; 상기 클램핑 부재가 상기 상부 바디와 상기 하부 바디를 클램핑하는 잠금 위치 또는 상기 클램핑 부재가 상부 바디와 상기 하부 바디로부터 이격되는 해제 위치로 이동시키는 이동 부재를 가지는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하되,
기판이 상기 처리 공간 내로 유입되면 상기 하부 바디와 상기 상부 바디를 서로 밀착시키는 밀착 단계와;
상기 밀착 단계 이후에 서로 밀착된 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디를 상기 클램핑 부재가 클램핑하는 클램핑 단계와;
상기 클램핑 단계 이후에 상기 처리 공간에서 상기 기판을 처리하는 기판 처리 단계를 포함하고,
상기 밀착 단계 및 상기 클램핑 단계 각각에는 상기 승강 부재의 구동기에 제공되는 구동력에 의해 상기 상부 바디 및 상기 하부 바디가 서로 밀착되고,
상기 기판 처리 단계에는 상기 처리 공간에 처리 유체를 공급하고, 상기 처리 공간이 기설정 압력에 도달되면, 상기 구동기의 구동력이 해제되는 기판 처리 방법. - 제21항 또는 제22항에 있어서,
상기 기판 처리 단계에는 초임계 유체를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 방법. - 제23항에 있어서,
상기 기판 처리 단계는 기판을 건조하는 건조 공정을 포함하는 기판 처리 방법.
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160140193A KR101910801B1 (ko) | 2016-10-26 | 2016-10-26 | 기판 처리 장치 및 방법 |
US15/793,263 US10529594B2 (en) | 2016-10-26 | 2017-10-25 | Apparatus and method for treating substrate |
CN202210027468.4A CN114373703A (zh) | 2016-10-26 | 2017-10-26 | 用于处理基板的装置和方法 |
CN201711014536.9A CN107993959B (zh) | 2016-10-26 | 2017-10-26 | 用于处理基板的装置和方法 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020160140193A KR101910801B1 (ko) | 2016-10-26 | 2016-10-26 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
KR20180045961A KR20180045961A (ko) | 2018-05-08 |
KR101910801B1 true KR101910801B1 (ko) | 2019-01-07 |
Family
ID=61969772
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
KR1020160140193A KR101910801B1 (ko) | 2016-10-26 | 2016-10-26 | 기판 처리 장치 및 방법 |
Country Status (3)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10529594B2 (ko) |
KR (1) | KR101910801B1 (ko) |
CN (2) | CN114373703A (ko) |
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Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
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US11410862B2 (en) | 2018-04-30 | 2022-08-09 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for processing substrate including cooling member closer to central axis than heating member |
US12057335B2 (en) | 2021-10-08 | 2024-08-06 | Semes Co., Ltd. | Apparatus for treating substrate and apparatus for measuring concentration |
Families Citing this family (13)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
KR102041308B1 (ko) | 2017-09-27 | 2019-11-27 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
KR101987949B1 (ko) | 2017-10-16 | 2019-06-11 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 |
KR102126180B1 (ko) * | 2018-04-30 | 2020-06-26 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 및 방법 |
WO2020209536A1 (ko) * | 2019-04-09 | 2020-10-15 | 무진전자 주식회사 | 기판 건조 챔버 |
KR102288733B1 (ko) * | 2019-09-25 | 2021-08-11 | (주)에스티아이 | 기판처리장치 |
KR102278461B1 (ko) | 2019-12-04 | 2021-07-16 | 주식회사 케이씨텍 | 경사면을 갖는 도어부를 포함하는 기판 처리 장치 |
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KR101344925B1 (ko) | 2011-07-29 | 2013-12-27 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
KR101329304B1 (ko) | 2011-07-29 | 2013-11-14 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
KR101853374B1 (ko) | 2011-11-15 | 2018-05-02 | 세메스 주식회사 | 기판처리장치 및 기판처리방법 |
KR102157837B1 (ko) | 2013-12-31 | 2020-09-18 | 세메스 주식회사 | 기판 처리 장치 그리고 기판 처리 방법 |
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-
2016
- 2016-10-26 KR KR1020160140193A patent/KR101910801B1/ko active IP Right Grant
-
2017
- 2017-10-25 US US15/793,263 patent/US10529594B2/en active Active
- 2017-10-26 CN CN202210027468.4A patent/CN114373703A/zh active Pending
- 2017-10-26 CN CN201711014536.9A patent/CN107993959B/zh active Active
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Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
CN114373703A (zh) | 2022-04-19 |
CN107993959B (zh) | 2022-01-28 |
US20180114707A1 (en) | 2018-04-26 |
US10529594B2 (en) | 2020-01-07 |
KR20180045961A (ko) | 2018-05-08 |
CN107993959A (zh) | 2018-05-04 |
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Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
A201 | Request for examination | ||
E902 | Notification of reason for refusal | ||
E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
GRNT | Written decision to grant |