KR20190064188A - 리프트 핀 유닛 및 이를 구비하는 기판 지지 유닛 - Google Patents

리프트 핀 유닛 및 이를 구비하는 기판 지지 유닛 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 지지하는 기판 지지 유닛을 제공한다. 본 발명의 일 실시예에 의한 기판 지지 유닛은 기판을 지지하고, 상하방향으로 핀홀이 형성된 서셉터; 상기 핀홀을 따라 승강하도록 제공되는 리프트 핀; 상기 리프트 핀을 지지하는 지지부; 및 상기 지지부를 상하 방향으로 이동시키는 구동부를 포함하되, 상기 리프트 핀은 상기 핀홀의 내부 공기가 외부로 배출될 수 있는 공기 방출통로를 가질 수 있다.

Description

리프트 핀 유닛 및 이를 구비하는 기판 지지 유닛{Lift pin unit and Unit for supporting substrate}
본 발명은 기판지지대의 상부에 기판을 안착시키는 리프트 핀 유닛 및 이를 포함하는 기판 지지 유닛에 관한 것이다
반도체 제조 공정을 위한 플라즈마(Plasma) 처리가 이루어지는 챔버 내부에는 기판이 안착 될 수 있는 서셉터를 구비한다. 서셉터에는 기판을 상부면에 안착시키고, 상부면으로부터 기판을 분리, 지지하기 위한 리프트 핀들이 제공된다.
도 1에는 자유낙하 방식의 골프 티 핀(Golf Tee Pin) 형태의 리프트 핀(1)이 도시되어 있다. 이러한 리프트 핀(1)은 넓은 면적의 휨(Warpage)이 있는 기판(W)을 홀딩하는데 적합하다. 기판(W)은 리프트 핀(1)이 다운된 상태에서 서셉터(2)의 상부면에 안착된다.
자유 낙하 방식의 리프트 핀(1)은 다운시 핀홀(Pin Hole)(3)에 에어(Air)가 트랩(Trap)된다. 플라즈마 처리를 위한 펌핑시에 핀홀(3)에 갇힌 에어가 방출되는 과정에서 리프트 핀(1)에 진동(움직임)이 발생하게 되고, 이러한 진동에 의해 기판(W) 뒷면에 데미지가 발생된다.
본 발명은 공정 챔버 펌핑시 발생되는 진동을 방지할 수 있는 리프트 핀 유닛 및 이를 구비하는 기판 지지 유닛을 제공하기 위한 것이다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명의 일측면에 따르면, 기판을 지지하고, 상하방향으로 핀홀이 형성된 서셉터; 상기 핀홀을 따라 승강하도록 제공되는 리프트 핀; 상기 리프트 핀을 지지하는 지지부; 및 상기 지지부를 상하 방향으로 이동시키는 구동부를 포함하되, 상기 리프트 핀은 상기 핀홀의 내부 공기가 외부로 배출될 수 있는 공기 방출통로를 갖는 기판 지지 유닛이 제공될 수 있다.
또한, 상기 리프트 핀은 핀 샤프트; 및 상기 핀 샤프트보다 큰 직경을 갖고, 상기 핀 샤프트의 상단에 제공되는 핀 헤드를 포함하며, 상기 공기 방출통로는 상기 핀 헤드에 형성될 수 있다.
또한, 상기 리프트 핀은 핀 샤프트의 상단에 제공되고, 핀 샤프트로부터 멀어질수록 직경이 커지는 접시 모양으로 형상지어진 핀 헤드를 포함하되; 상기 핀 헤드는 기판의 저면을 지지하는 상면과 경사진 측면을 포함하며, 상기 공기 방출통로는 상기 핀 헤드의 상면과 상기 핀 헤드의 측면을 연결하도록 형성될 수 있다.
또한, 상기 핀홀은 상기 핀 샤프트가 위치되는 샤프트 공간과, 상기 핀 헤드가 위치되는 헤드 공간을 포함하되; 상기 헤드 공간은 상기 핀 헤드의 경사진 측면보다 작은 경사각을 갖는 경사진 내측면을 가질 수 있다.
또한, 상기 헤드 공간의 상부 직경은 상기 핀 헤드의 상면 직경보다 클 수 있다.
또한, 상기 리프트 핀은 핀 샤프트의 상단에 제공되고, 핀 샤프트로부터 멀어질수록 직경이 커지는 접시 모양으로 형상지어진 핀 헤드를 포함하되; 상기 핀 헤드는 기판의 저면을 지지하는 상면과 경사진 측면을 포함하며, 상기 공기 방출통로는 상기 핀 헤드의 상면과 상기 핀 샤프트의 측면을 연결하도록 형성될 수 있다.
본 발명의 다른 측면에 따르면, 상면이 기판과 접촉하여 기판을 지지하는 리프트 핀; 상기 리프트 핀의 하단을 지지하는 지지부재; 및 상기 지지부재를 승강시키는 승강부재를 포함하되; 상기 리프트 핀은 상면에서 측면으로 이어지는 공기 방출 통로를 갖는 리프트 핀 유닛이 제공될 수 있다.
또한, 상기 리프트 핀은 핀 샤프트; 및 상기 핀 샤프트의 상단에 제공되며, 상기 핀 샤프트로부터 멀어질수록 직경이 커지는 접시 모양으로 형상지어진 핀 헤드를 포함할 수 있다.
또한, 상기 공기 방출 통로는 상기 핀 헤드의 상면과 상기 핀 헤드의 측면을 연결하도록 제공될 수 있다.
또한, 상기 공기 방출 통로는 상기 핀 헤드의 상면과 상기 핀 샤프트의 측면을 연결하도록 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시예에 의하면, 리프트 핀에 의한 기판 손상을 방지할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 종래 리프트 핀에 의한 기판 손상을 설명하기 위한 도면이다.
도 2는 본 발명의 실시예에 의한 기판 처리 설비를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 4a는 도 3에 도시된 지지 유닛에서 리프트 핀이 상승된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 4b는 지지 유닛에서 리프트 핀이 다운된 상태를 보여주는 단면도이다.
도 5는 핀홀과 리프트 핀의 구조를 설명하기 위한 요부 단면 사시도이다.
도 6은 리프트 핀을 보여주는 사시도이다.
도 7은 핀홀 내부의 공기가 빠져나가는 것을 보여주는 도면이다.
도 8은 공기 방출통로의 다른 예를 보여주는 리프트 핀의 단면도이다.
본 발명은 다양한 변환을 가할 수 있고 여러 가지 실시 예를 가질 수 있는 바, 특정 실시 예들을 도면에 예시하고 상세한 설명에서 상세하게 설명하고자 한다. 그러나, 이는 본 발명을 특정한 실시 형태에 대해 한정하려는 것이 아니며, 본 발명의 사상 및 기술 범위에 포함되는 모든 변환, 균등물 내지 대체물을 포함하는 것으로 이해되어야 한다. 본 발명을 설명함에 있어서 관련된 공지 기술에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 흐릴 수 있다고 판단되는 경우 그 상세한 설명을 생략한다.
본 출원에서 사용한 용어는 단지 특정한 실시예를 설명하기 위해 사용된 것으로, 본 발명을 한정하려는 의도가 아니다. 단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 본 출원에서, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
제1, 제2 등의 용어는 다양한 구성요소들을 설명하는데 사용될 수 있지만, 상기 구성요소들은 상기 용어들에 의해 한정되어서는 안 된다. 상기 용어들은 하나의 구성요소를 다른 구성요소로부터 구별하는 목적으로만 사용된다.
이하, 첨부한 도면들을 참조하여 본 발명에 따른 실시예들을 상세히 설명하기로 하며, 첨부 도면을 참조하여 설명함에 있어 도면 부호에 상관없이 동일하거나 대응하는 구성 요소는 동일한 참조번호를 부여하고 이에 대한 중복되는 설명은 생략하기로 한다.
도 2는 본 발명의 실시예에 따른 기판 처리 설비(10)를 간략하게 나타내는 평면도이다.
도 2를 참조하면, 기판 처리 설비(10)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 공정 처리부(30)를 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 공정 처리부(30)는 일 방향으로 배치된다. 이하, 설비 전방 단부 모듈(20)과 공정 처리부(30)가 배열된 방향을 제 1 방향(X)이라 정의하고, 상부에서 바라볼 때 제 1 방향(X)에 수직인 방향을 제 2 방향(Y)이라 정의한다.
설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 12) 및 이송프레임(21)을 가진다. 로드포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드포트(12)는 복수 개의 지지부(16)를 가진다. 각각의 지지부(16)는 제 2 방향(Y)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(14)(예를 틀어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(14)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송프레임(21)은 로드포트(12)와 공정 처리실(30) 사이에 배치된다. 이송프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드포트(12)와 공정 처리부(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(Y)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(14)와 공정처리실(30)간에 기판(W)을 이송한다.
공정처리실(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함한다.
로드락 챔버(40)는 이송프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다.
트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 도 1을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 프로세스 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 프로세스 챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송하는 제 2 이송로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)로 이송하거나, 공정처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 프로세스 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(60)간에 기판(W)을 이송한다. 도 1과 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(60)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.
프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(60)는 복수개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정처리가 진행된다. 프로세스 챔버(60)는 제 2 이송로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송받아 공정처리를 하고, 공정처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송로봇(53)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(60)에서 진행되는 공정처리는 서로 상이할 수 있다. 이하, 프로세스 챔버(60) 중 플라즈마 공정을 수행하는 기판 처리 장치(1000)에 대해서 상술한다.
도 3은 도 2의 기판 처리 장치(1000)를 개략적으로 나타내는 도면이다.
도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W) 상의 박막을 식각하거나 포토레지스트막을 제거하는 장비일 수 있다. 박막은 폴리 실리콘막, 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 또한, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다.
기판 처리 장치(1000)는 공정 챔버(processing chamber, 100), 배기 유닛(exhausting unit, 200), 플라즈마 발생 유닛(plasma supplying unit, 300), 유도 유닛(340)을 가진다.
공정 챔버(100)은 기판이 놓이고 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 배기 유닛(200)은 공정 챔버(100) 내부에 머무르는 공정 가스 및 기판 처리 과정에서 발생한 반응 부산물 등을 외부로 배출하고, 공정 챔버(100) 내 압력을 설정 압력으로 유지한다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 공정 챔버(100)의 외부에서 공정 가스로부터 플라즈마(plasma)를 생성시키고, 이를 공정 챔버(100)으로 공급한다.
공정 챔버(100)는 하우징(110), 지지 유닛(800), 그리고 배플 어셈블리(900)를 포함한다. 하우징(110)의 내부에는 기판 처리 공정을 수행하는 처리 공간(111)이 형성된다. 하우징(110)는 상부벽이 개방되고, 측벽에는 개구(도시되지 않음)가 형성될 수 있다. 기판은 개구를 통하여 하우징(110) 내부로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 하우징(110)의 바닥면에는 배출홀(112)이 형성된다. 배출홀(112)은 배기유닛(200)과 연결되며, 하우징(110) 내부에 머무르는 가스와 반응 부산물이 외부로 배출되는 통로를 제공한다. 배기 유닛(200)은 공정 챔버(100) 내부의 플라즈마 및 불순물을 흡입할 수 있도록 제공된다.
다시 도 3을 참조하면, 배플 어셈블리(900)는 공정 챔버 (100) 내에서 공정 가스의 흐름을 제어한다. 배플 어셈블리(900)는 지지 유닛(800)의 상부에 위치한다. 배플 어셈블리(900)는 관통홀들이 형성된 플레이트 형상으로 제공될 수 있다.
플라즈마 발생 유닛(300)은 하우징(110)의 상부에 위치한다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 공정가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 처리 공간(111)으로 공급한다. 플라즈마 발생 유닛(300)은 플라즈마 챔버(310), 공정 가스 공급부(320) 그리고 전력 인가부(330)를 포함한다.
플라즈마 챔버(310)에는 상면 및 하면이 개방된 방전 공간(311)이 내부에 형성된다. 방전 공간(311)은 지지판 위엔 놓이는 기판의 중심부에 대향되도록 제공될 수 있다. 플라즈마 챔버(310)의 상단은 가스 공급 포트(315)에 의해 밀폐된다. 가스 공급 포트(315)는 공정 가스 공급부(320)와 연결된다. 공정 가스는 가스 공급 포트(315)를 통해 방전 공간(311)으로 공급된다. 공정 가스는 이불화메탄(CH2F2, Difluoromethane), 질소(N2), 그리고 산소(O2)를 포함할 수 있다. 선택적으로 공정가스는 사불화탄소(CF4, Tetrafluoromethane) 등 다른 종류의 가스를 더 포함할 수 있다.
전력 인가부(330)는 방전 공간(311)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 인가부(330)는 안테나(331)와 전원(332)을 포함한다.
안테나(331)는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 안테나로, 코일 형상으로 제공된다. 안테나(331)는 플라즈마 챔버(310) 외부에서 플라즈마 챔버(310)에 복수회 감긴다. 안테나(331)는 방전 공간(311)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(310)에 감긴다. 안테나(331)의 일단은 전원(332)과 연결되고, 타단은 접지된다.
전원(332)은 안테나(331)에 고주파 전류를 공급한다. 안테나(331)에 공급된 고주파 전력은 방전 공간(311)에 인가된다. 고주파 전류에 의해 방전 공간(311)에는 유도 전기장이 형성되고, 방전 공간(311) 내 제 1 공정가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환된다.
전력 인가부의 구조는 상술한 예에 한정되지 않고, 공정 가스로부터 플라즈마를 발생시키기 위한 다양한 구조가 사용될 수 있다.
유도 유닛(340)는 플라즈마 챔버(310)와 하우징(110) 사이에 위치한다. 유도 유닛(340)는 하우징(110)의 개방된 상면을 밀폐하며, 하단에 하우징(110)과 배플(130)이 결합한다. 유도 유닛(340)의 내부에는 유입공간(341)이 형성된다. 유입 공간(341)은 방전 공간(311)과 처리 공간(111)을 연결하며, 방전 공간(311)에서 생성된 플라즈마가 처리 공간(111)으로 공급되는 통로로 제공한다.
유입 공간(341)은 유입구(341a)와 확산 공간(341b)을 포함할 수 있다. 유입구(341a)는 방전 공간(311)의 하부에 위치하며, 방전 공간(311)과 연결된다. 방전 공간(311)에서 생성된 플라즈마는 유입구(341a)를 통해 유입된다. 확산 공간(341b)은 유입구(341a)의 하부에 위치하며, 유입구(341a)와 처리 공간(111)을 연결한다. 확산 공간(341b)은 아래로 갈수록 단면적이 점차 넓어진다. 확산 공간(341b)은 역 깔때기 형상을 가진 수 있다. 유입구(341a)에서 공급된 플라즈마는 확산 공간(341b)을 통과하는 동안 확산된다.
지지 유닛(800)은 기판(W)을 지지한다. 지지 유닛(800)는 서셉터(810) 그리고 리프트 핀 유닛(840)을 포함한다.
도 4a는 도 3에 도시된 지지 유닛에서 리프트 핀이 상승된 상태를 보여주는 단면도이고, 도 4b는 지지 유닛에서 리프트 핀이 다운된 상태를 보여주는 단면도이며, 도 5 및 도 6은 핀홀과 리프트 핀의 구조를 설명하기 위한 도면들이다.
도 3 내지 도 6을 참조하면, 서셉터(810)는 처리 공간(111) 내에 위치되며 원판 형상으로 제공된다. 기판(W)은 서셉터(810)의 상면에 놓인다. 서셉터(810)의 상면은 기판보다 큰 크기로 제공될 수 있다. 서셉터(810) 내부에는 가열 부재가 제공될 수 있다. 일 예로, 가열 부재는 열선으로 제공될 수 있다. 가열 부재는 기판(W)을 약 섭씨 300 도 또는 그 이상까지 가열할 수 있도록 제공된다. 또한, 서셉터(810)의 내부에는 냉각 부재가 제공될 수 있다. 일 예에 의하면, 냉각 부재는 냉각수가 흐르는 냉각라인으로 제공될 수 있다. 가열 부재는 기판(W)을 기 설정된 온도로 가열하고, 냉각 부재는 기판(W)을 강제 냉각시킨다.
서셉터(810)에는 상하방향으로 관통된 핀홀(820)이 형성될 수 있다. 핀홀(820)에는 리프트 핀(850)이 위치될 수 있다. 핀 홀(820)은 복수 개 형성될 수 있다. 핀 홀(820)은 서셉터(810)의 원주 방향으로 복수 개 배치될 수 있다. 예를 들어, 3개의 핀 홀(820)은 서셉터(810)의 원주 방향으로 120도 간격으로 떨어져 배치될 수 있다.
핀홀(820)은 핀 샤프트(852)가 위치되는 샤프트 공간(822)과, 핀 헤드(854)가 위치되는 헤드 공간(824)을 포함할 수 있다. 헤드 공간(824)은 대략 원뿔을 뒤집어 놓은 형상으로 이 부분에는 리프트 핀의 핀 헤드(854)가 끼워지게 된다. 헤드 공간(824)은 핀 헤드(854)의 경사진 측면(856)보다 작은 경사각을 갖는 경사진 내측면(825)을 갖는다.
리프트 핀 유닛(840)은 상승 및 하강 움직임을 통해 서셉터(810)에 기판(W)을 로딩하거나, 서셉터(810)으로부터 기판(W)을 언로딩한다.
일 예로, 리프트 핀 유닛(840)은 리프트 핀(850), 지지부재(860), 그리고 승강부재(870)를 포함할 수 있다.
리프트 핀(850)은 복수 개 제공되며, 핀 홀(820)들 각각의 내부에 수용된다.
리프트 핀(850)은 핀 샤프트(852)와 핀 헤드(854)를 포함한다. 핀 샤프트(852)는 동일한 직경으로 형성된다. 핀 헤드(854)는 핀 샤프트(852)의 상단에 제공되고, 핀 샤프트(852)로부터 멀어질수록 직경이 커지는 접시 모양으로 형상지어진다. 핀 헤드(854)는 기판의 저면을 지지하는 상면(855)과 경사진 측면(856)을 갖는다. 리프트 핀(850)은 자유 낙하 방식으로 다운 이동될 수 있다. 자유 낙하되는 리프트 핀(850)은 핀 헤드의 상면 가장자리가 핀 홀의 내측면(825)에 걸리게 되면서 핀홀 아래로 빠지지 않는다. 리프트 핀(850)은 상승 이동시 지지부재(860)에 의해 지지된 상태로 상승 이동될 수 있다. 리프트 핀(850)들의 하단은 지지부재(860)에 의해 지지될 수 있다. 지지부재(860)는 승강 부재(870)에 의해 업다운된다.
리프트 핀(850)은 핀홀(820)의 내부 공기가 외부로 배출될 수 있도록 공기 방출통로(858)를 갖는다. 공기 방출통로(858)는 핀 헤드(854)의 상면(855)과 핀 헤드의 측면(856)을 연결하도록 형성될 수 있다.
도 7은 핀홀 내부의 공기가 빠져나가는 것을 보여주는 도면이다.
도 7에서와 같이, 기판(W)은 리프트 핀(850)의 다운 이동에 의해 서셉터(810) 상면에 안착된다. 이 상태에서 공정 챔버(100) 내부를 진공 상태로 만들기 위한 펌핑이 이루어지게 되면, 핀홀(820) 내부 공기는 도면에 표시된 화살표와 같이 리프트 핀(850)에 형성된 공기 방출통로(858)을 통해 자연스럽게 빠져나가게 된다. 따라서, 공정 챔버에서의 펌핑 과정에서 리프트 핀의 움직임에 의한 기판 데미지를 방지할 수 있다.
도 8은 공기 방출통로의 다른 예를 보여주는 리프트 핀의 단면도이다.
도 8에서와 같이, 공기 방출통로(858a)는 핀 헤드(854)의 상면(855)과 핀 샤프트(852)의 측면(853)을 연결하도록 형성될 수 있다. 그리고, 공기 방출통로(858a)가 핀 샤프트(852) 측면에 형성된 경우 핀 헤드(854)의 경사진 측면(856)과 헤드 공간의 경사진 내측면(825)은 동일한 경사면을 가질 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
100: 공정 챔버 200 : 배기 유닛
300 : 플라즈마 발생 유닛 800 : 지지 유닛
810 : 서셉터 840 : 리프트 핀 유닛

Claims (11)

  1. 기판을 지지하는 기판 지지 유닛에 있어서,
    기판을 지지하고, 상하방향으로 핀홀이 형성된 서셉터;
    상기 핀홀을 따라 승강하도록 제공되는 리프트 핀;
    상기 리프트 핀을 지지하는 지지부; 및
    상기 지지부를 상하 방향으로 이동시키는 구동부를 포함하되,
    상기 리프트 핀은
    상기 핀홀의 내부 공기가 외부로 배출될 수 있는 공기 방출통로를 갖는 기판 지지 유닛.
  2. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 핀은
    핀 샤프트; 및
    상기 핀 샤프트보다 큰 직경을 갖고, 상기 핀 샤프트의 상단에 제공되는 핀 헤드를 포함하며,
    상기 공기 방출통로는 상기 핀 헤드에 형성되는 기판 지지 유닛.
  3. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 핀은
    핀 샤프트의 상단에 제공되고, 핀 샤프트로부터 멀어질수록 직경이 커지는 접시 모양으로 형상지어진 핀 헤드를 포함하되;
    상기 핀 헤드는 기판의 저면을 지지하는 상면과 경사진 측면을 포함하며,
    상기 공기 방출통로는 상기 핀 헤드의 상면과 상기 핀 헤드의 측면을 연결하도록 형성되는 기판 지지 유닛.
  4. 제 3 항에 있어서,
    상기 핀홀은
    상기 핀 샤프트가 위치되는 샤프트 공간과, 상기 핀 헤드가 위치되는 헤드 공간을 포함하되;
    상기 헤드 공간은 상기 핀 헤드의 경사진 측면보다 작은 경사각을 갖는 경사진 내측면을 갖는 기판 지지 유닛.
  5. 제 4 항에 있어서,
    상기 헤드 공간의 상부 직경은 상기 핀 헤드의 상면 직경보다 큰 기판 지지 유닛.
  6. 제 1 항에 있어서,
    상기 리프트 핀은
    핀 샤프트의 상단에 제공되고, 핀 샤프트로부터 멀어질수록 직경이 커지는 접시 모양으로 형상지어진 핀 헤드를 포함하되;
    상기 핀 헤드는 기판의 저면을 지지하는 상면과 경사진 측면을 포함하며,
    상기 공기 방출통로는 상기 핀 헤드의 상면과 상기 핀 샤프트의 측면을 연결하도록 형성되는 기판 지지 유닛.
  7. 상면이 기판과 접촉하여 기판을 지지하는 리프트 핀;
    상기 리프트 핀의 하단을 지지하는 지지부재; 및
    상기 지지부재를 승강시키는 승강부재를 포함하되;
    상기 리프트 핀은
    상면에서 측면으로 이어지는 공기 방출 통로를 갖는 리프트 핀 유닛.
  8. 제 7 항에 있어서,
    상기 리프트 핀은
    핀 샤프트; 및
    상기 핀 샤프트의 상단에 제공되며, 상기 핀 샤프트로부터 멀어질수록 직경이 커지는 접시 모양으로 형상지어진 핀 헤드를 포함하는 리프트 핀 유닛.
  9. 제 8 항에 있어서,
    상기 공기 방출 통로는
    상기 핀 헤드의 상면과 상기 핀 헤드의 측면을 연결하도록 제공되는 리프트 핀 유닛.
  10. 제 8 항에 있어서,
    상기 공기 방출 통로는
    상기 핀 헤드의 상면과 상기 핀 샤프트의 측면을 연결하도록 제공되는 리프트 핀 유닛.
  11. 서셉터의 핀홀에 삽입되는 리프트 핀은 핀 샤프트; 및 상기 핀 샤프트의 상단에 제공되며, 상기 핀 샤프트로부터 멀어질수록 직경이 커지는 접시 모양으로 형상지어진 핀 헤드를 포함하며,
    상기 핀홀 내부 공기가 외부로 배출될 수 있는 공기 방출통로를 갖는 리프트 핀 유닛.
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