TWI686885B - 升降銷總成、具有升降銷總成之基板處理裝置及用於將一基板與該基板安放於其上之一基板支撐件分離之方法 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種升降銷總成及一種基板處理裝置。該升降銷總成包含：一第一升降銷，其至少一個部分支撐一基板之一底部表面，該第一升降銷係可提升的；及一第二升降銷，其經組態以導引該第一升降銷，該第二升降銷穿過一基板支撐件提升。

Description

升降銷總成、具有升降銷總成之基板處理裝置及用於將一基板與該基板安放於其上之一基板支撐件分離之方法
本發明係關於一種升降銷總成，且更特定而言，係關於一種能夠防止一升降銷被損壞之升降銷總成及一種具有該升降銷總成之基板處理裝置。
一般而言，一種用於製造半導體器件或液晶顯示器件之程序包含：一薄膜沈積程序，其用於在一晶圓或玻璃基板上沈積由一介電材料形成之一薄膜；一光微影程序，其用於藉由使用一光敏材料曝露薄膜之一選定區；一蝕刻程序，其移除選定區內之薄膜，藉此形成一所要圖案；及一清潔程序，其用於移除剩餘物。此處，上文所闡述之程序必須重複執行。此外，可在一反應室內執行該程序中之每一者，其中形成最佳環境以執行對應程序。
用於支撐一基板之一基板支撐件及用於注入一處理氣體之一氣體注入單元可在反應室內經安置以彼此面對。此處，複數個通孔垂直穿過基板支撐件。一升降銷耦合至通孔中之每一者。亦即，升降銷自基板支撐件之一下側插入。一頭部安置於升降銷之一上部端上且由安置於基板支撐件之一頂部表面上之一鉤狀突出部支撐。升降銷可用於將一基板裝載於基板支撐件上或自基板支撐件卸載該基板。
然而，當基板支撐件下降時，基板支撐件可在升降銷之一下部 部分接觸反應室之一底部表面之後進一步下降一預定距離。此處，升降銷可傾斜，且因此被在升降銷接觸通孔時發生之一過度力損壞。當升降銷被損壞時，恰當地支撐基板可係困難的。因此，在電漿處理設備之情形中，電漿可係不穩定的。另外，當升降銷被損壞時，必須停止該裝備之操作以用於替換受損壞升降銷。因此，生產率可能降低，而且安放於升降銷上之基板可被損壞或折斷。此外，當基板被損壞時，基板處理裝置之其他組件可相繼地被電漿損壞。
為減小升降銷之損壞，耐久性必須得以改良。因此，一升降銷導引件中之一結構固定於基板支撐件之通孔內，且已提議升降銷沿著升降銷導引件之內側提升。在註冊號為10-1218570之韓國專利中揭示此結構。此外，其為其中最小化升降銷導引件與升降銷之間的一接觸區或藉由使用一直接摩擦減小部件(例如一軸承)減小升降銷導引件與升降銷之間的一摩擦力之一結構。
本發明提供一種能夠防止一升降銷被損壞之升降銷總成及一種使用升降銷總成之基板處理裝置。
本發明亦提供一種環繞且保護自一基板支撐件向下突出之一升降銷中之至少一者以防止該升降銷被損壞的升降銷總成及一種具有升降銷總成之基板處理裝置。
根據一例示性實施例，一種升降銷總成包含：一第一升降銷，其至少一個部分支撐一基板之一底部表面，該第一升降銷係可提升的；及第二升降銷，其經組態以導引該第一升降銷，該第二升降銷穿過一基板支撐件提升。
其中該第二升降銷導引該第一升降銷之該提升之一區段可大於該基板支撐件之一厚度。
根據另一例示性實施例，一種升降銷總成包含：一第一升降 銷，其至少一個部分支撐一基板之一底部表面，該第一升降銷係可提升的；及一第二升降銷，其經組態以在該第一升降銷提升時容納該第一升降銷之一部分，該第二升降銷係可相對於一基板支撐件提升。
其中該第二升降銷導引該第一升降銷之該提升之一區段可大於該基板支撐件之一厚度。
在與該第二升降銷比較時該第一升降銷可首先自該基板支撐件之一頂部表面突出。
該第一升降銷及該第二升降銷可相繼地自該基板支撐件之一頂部表面突出。
可同時執行該第一升降銷相對於該基板支撐件之該上升及該第二升降銷相對於該基板支撐件的該下降。
可同時執行該第一升降銷相對於該基板支撐件之該下降及該第二升降銷相對於該基板支撐件之該上升。
該升降銷總成可進一步包含安置於該第一升降銷之一外表面與該第二升降銷之一內表面之間的至少一個第一潤滑單元。
該升降銷總成可進一步包含安置於該第二升降銷與該基板支撐件之一通孔之間的至少一個第二潤滑單元。
該升降銷總成可進一步包含安置於該第一升降銷之一下部部分上且具有大於該第一升降銷之一直徑之一長度的一接觸部件。
該升降銷總成可進一步包含安置於該第二升降銷之一下部部分上且具有大於該第二升降銷之一主體之寬度的一寬度的一接觸部件。
該第二升降銷之至少一個部分可由一導電材料或一絕緣材料形成。
根據又一例示性實施例，一種升降銷總成包含：一基板支撐件；一第一升降銷，其經組態以支撐安放於該基板支撐件上之一基板，該第一升降銷係可相對於該基板支撐件提升；一第一升降銷導引 件，其經組態以導引該第一升降銷之該提升，該第一升降銷導引件係可相對於該基板支撐件提升。
該升降銷總成可進一步包含經組態以導引該第一升降銷導引件之該提升之一第二升降銷導引件，該第二升降銷導引件安置於該基板支撐件與該第一升降銷之間。
其中該第一升降銷導引件導引該第一升降銷之該提升之一區段可大於該基板支撐件之一厚度。
在與該第一升降銷導引件比較時該第一升降銷可首先自該基板支撐件之一頂部表面突出。
該第一升降銷及該第一升降銷導引件可相繼地自該基板支撐件之一頂部表面突出。
可同時執行該第一升降銷相對於該基板支撐件之該上升及該第一升降銷導引件相對於該基板支撐件之該下降。
可同時執行該第一升降銷相對於該基板支撐件之該下降及該第一升降銷導引件相對於該基板支撐件之該上升。
可同時執行該第一升降銷導引件相對於該基板支撐件之該上升及該基板支撐件之下降。
根據又一例示性實施例，一種基板處理裝置包含：一反應室；一基板支撐件，其安置於該反應室內以支撐一基板，該基板支撐件具有複數個通孔；及複數個升降銷總成，其穿過該基板支撐件之該等通孔以支撐該基板之部分，其中該升降銷總成中之每一者包含：一第一升降銷，其至少一個部分支撐該基板之一底部表面，該第一升降銷係可提升的；及一第二升降銷，其經組態以導引該第一升降銷之該提升，該第二升降銷可穿過該等通孔中之每一者提升。
根據再一例示性實施例，一種基板處理裝置包含：一反應室；一基板支撐件，其安置於該反應室內以支撐一基板，該基板支撐件具 有複數個通孔；及複數個升降銷總成，其穿過該基板支撐件之該等通孔以支撐該基板之部分，其中該等升降銷總成中之每一者包含：一第一升降銷，其至少一個部分支撐該基板之一底部表面，該第一升降銷係可提升的；及第二升降銷，其經組態以在該第一升降銷提升時容納該第一升降銷之一部分，該第二升降銷係可相對於該基板支撐件提升。
根據甚至再一例示性實施例，一種用於將基板與該基板安放於其上之一基板支撐件分離之方法包含：準備一反應室；準備安置於該反應室內且具有複數個通孔之一基板支撐件；準備穿過該基板支撐件之該等通孔以支撐該基板之部分之複數個升降銷總成；允許該基板支撐件及該複數個升降銷總成下降；允許該複數個升降銷總成中之每一者之一第一升降銷接觸該反應室之一內壁；藉由該第一升降銷將該基板之該至少一個部分與該基板支撐件分離；及允許該複數個升降銷總成中之每一者之一第二升降銷接觸該反應室之該內壁，其中該升降銷總成包含：該第一升降銷，其至少一個部分支撐該基板之一底部表面，該第一升降銷係可提升的；及該第二升降銷，其經組態以導引該第一升降銷之該提升，該第二升降銷係可相對於該基板支撐件提升。
根據甚至再一例示性實施例，一種用於將一基板與該基板安放於其上之一基板支撐件分離之方法包含：準備一反應室；準備安置於該反應室內且具有複數個通孔之一基板支撐件；準備穿過該基板支撐件之該等通孔以支撐該基板之部分之複數個升降銷總成；允許該基板支撐件及該複數個升降銷總成下降；允許該複數個升降銷總成中之每一者之一第一升降銷接觸該反應室之一內壁；藉由該第一升降銷將該基板之至少一個部分與該基板支撐件分離；及允許該複數個升降銷總成中之每一者之一第二升降銷接觸該反應室之該內壁，其中該升降銷總成包含：該第一升降銷，其至少一個部分支撐該基板之一底部表 面，該第一升降銷係可提升的；及該第二升降銷，其經組態以在該第一升降銷提升時容納該第一升降銷之一部分，該第二升降銷係可相對於該基板支撐件提升。
100:反應室
100a:主體
100b:蓋
100c:底部表面
110:基板入口
120:氣體供應孔
130:排氣孔
200:基板支撐件
210:基板升降機
220:通孔/貫通部分
230:鉤狀突出部
250:突出部
300:升降銷/升降銷總成
310:第一升降銷/第一銷
312:第一頭部
314:桿
316:突出部
320:第二升降銷/第二銷
322:第二頭部/頭部
324:主體
326:鉤狀突出部
328:突出部
330:潤滑單元
335:潤滑單元
337:潤滑單元
340:接觸部件
350:接觸部件
400:氣體注入單元
410:注入孔
420:絕緣體
500:電源供應單元
600:氣體供應單元
610:氣體供應源
620:氣體供應管
700:排氣單元
710:排氣器件
720:排氣管
S:基板
可依據結合附圖進行的以下說明更詳細地理解例示性實施例，在附圖中：圖1係根據一例示性實施例之一基板處理裝置之一剖面圖；圖2係圖解說明根據例示性實施例之一升降銷總成與一基板支撐件之間的一耦合狀態之一部分剖面圖；圖3係根據一例示性實施例之升降銷總成之一剖面圖；圖4至圖7係用於闡釋根據一例示性實施例之升降銷總成之一操作之剖面圖；及圖8至圖11係根據另一例示性實施例之一升降銷總成之剖面圖。
在下文，將參考附圖詳細闡述特定實施例。然而，本發明可以不同形式來體現且不應被解釋為限於本文中所闡明之實施例。相反地，提供此等實施例使得本發明將係透徹及完整的，且將向熟習此項技術者充分地傳達本發明之範疇。
圖1係根據一例示性實施例之一基板處理裝置之一剖面圖，圖2係圖解說明根據一例示性實施例之一升降銷總成與一基板支撐件之間的一耦合狀態之一部分剖面圖，且圖3係根據一例示性實施例之升降銷總成之一剖面圖。
參考圖1，根據一例示性實施例之一基板處理裝置可包含：一反應室100，其具有一預定反應空間；一基板支撐件200，其安置於反應室100之一側中以支撐一基板10；一升降銷300，其用於將基板10安放於基板支撐件200上或將基板10與基板支撐件200分離；一氣體注入單 元400，其安置於反應室100之面對基板支撐件200之另一側中以注入一處理氣體；一電源供應單元500，其供應用於在反應室100內產生電漿之一電力；及一氣體供應單元600，其將處理氣體供應至反應室100中。此外，可進一步提供用於在一預定壓力下排空反應室100之內側之一排氣單元700。
反應室100可具有帶有一預定空間之一圓柱形形狀。反應室100可根據基板之一形狀具有各種形狀，舉例而言，具有一個六面體形狀。此外，反應室100可包含：一主體100a，其包含一大致正方形形狀平面及自該平面向上延伸之一側壁且具有一預定反應空間；及一蓋100b，其具有一大致正方形形狀且安置於主體100a上以密封反應室100。基板支撐件200及氣體注入單元400可安置於反應室100內以彼此面對。此外，反應室100可在第一區域中具有一基板入口110，透過基板入口110裝載或卸載基板10。此外，連接至將處理氣體供應至反應室100中之氣體供應單元600之一氣體供應孔120界定於反應室100之一第二區域中。此外，一排氣孔130可界定於反應室100之一第三區域中以調整反應室100之一內壓力，且排氣單元700可連接至排氣孔130。舉例而言，基板入口110可界定於反應室100之一個側表面之一中心區域中且具有足以允許基板10可透過其接達之一大小。氣體供應孔120可穿過蓋100b之一預定區域，且排氣孔130可在低於基板支撐件200之一位置處穿過反應室100之一側表面。
基板支撐件200可安置於反應室100內，且裝載至反應室100中之基板10可安放於基板支撐件200上。基板支撐件200可經安置處於面對氣體注入單元400之一位置處。舉例而言，基板支撐件200可安置於反應室100之一內下側中，且氣體注入單元400可安置於反應室100之一內上側中。此處，基板10可包含用於製造一半導體之一矽基板。另一選擇係，基板10可包含用於製造一平板顯示器之一玻璃基板。而且， 基板支撐件200可包含一靜電吸盤以藉由使用一靜電力吸附且維持基板10使得安放且支撐基板10。另一選擇係，基板支撐件200可透過真空吸附或一機械力來支撐基板10。此外，基板支撐件200可具有對應於基板10之形狀之一形狀，舉例而言，一圓形或正方形形狀。此外，基板支撐件200可具有大於基板10之大小之一大小。用於使基板支撐件200提升之一基板升降機210可安置於基板支撐件200之一下部部分上。基板升降機210可經提供以支撐基板支撐件200之至少一個區域，舉例而言，一中心區域。當基板10安放於基板支撐件200上時，基板支撐件200可移動以接近氣體注入單元400。此外，一加熱器(未展示)可提供於基板支撐件200中。該加熱器可產生具有一預定溫度之熱以加熱基板10使得容易地對基板10執行一薄膜沈積程序。另外，一冷卻水供應通道(未展示)可提供於基板支撐件200中以供應冷卻水，藉此降低基板10之一溫度。此外，複數個升降銷總成300從中穿過之複數個通孔220可界定於基板支撐件200中。此外，支撐該複數個升降銷總成之一鉤狀突出部230安置於通孔220上面。基板支撐件200可由具有優良導熱性之一材料形成。舉例而言，基板支撐件200可由碳化矽(SiC)、塗佈有SiC之石墨、氮化矽(Si3N4)、氮化鋁(AlN)及不透明石英中之一者形成。
複數個升降銷總成300可安置於基板支撐件200之該複數個通孔內以將基板安放於基板支撐件200上或將基板與基板支撐件200分離。亦即，升降銷總成300中之每一者之至少一個部分可自基板支撐件之一頂部表面突出以支撐透過基板入口110裝載之基板10且將安放於基板支撐件200上之基板10與基板支撐件200分離。為此，升降銷總成300可在該程序期間安置於基板支撐件200之通孔220內。另一方面，當程序開始或完成時，升降銷總成300可隨著基板支撐件200下降而向上突出。而且，如圖2中所圖解說明，根據一例示性實施例之升降銷 總成300包含：一第一升降銷310，其至少一個部分接觸基板10；及一可提升第二升降銷320，其插入至基板支撐件200之通孔220中以接觸通孔220之一內表面且環繞第一升降銷310以導引第一升降銷310之提升。下文將詳細地闡述升降銷總成300。
氣體注入單元400可安置於反應室100之一內上側中以將處理氣體注入至基板10上。氣體注入單元400可包含一蓮蓬頭型注入單元及一注入型注入單元。在當前實施例中，蓮蓬頭型注入單元將被闡述為氣體注入單元400。蓮蓬頭型氣體注入單元400可具有一預定空間。此外，蓮蓬頭型氣體注入單元400可具有：一上部部分，其連接至氣體供應單元600；及一下部部分，其中界定用於將處理氣體注入至基板10上之複數個注入孔410。氣體注入單元400可具有對應於基板10之形狀之一形狀，舉例而言，一大致圓形或正方形形狀。此外，用於均勻地分佈自氣體供應單元600供應之處理氣體之一分佈板(未展示)可進一步提供於氣體注入單元400中。該分佈板可毗鄰於一氣體流入單元安置，該氣體流入單元連接至處理氣體供應單元600以透過其將處理氣體引入。該分佈板可具有一預定板形狀。亦即，該分佈板可經安置以與氣體注入單元400之一頂部表面間隔一預定距離。此外，該分佈板可具有複數個通孔。因此，自氣體供應單元600供應之處理氣體可由於提供分佈板而均勻地分佈於氣體注入單元400內。因此，處理氣體可穿過注入孔410向下均勻地注入。此外，氣體注入單元400可由諸如鋁之一導電材料形成。此處，氣體注入單元400可經安置以與反應室100之側壁及蓋100b間隔一預定距離。此外，一絕緣體420可安置於氣體注入單元400與反應室100之間。當氣體注入單元400由導電材料形成時，氣體注入單元400可用作自電源供應單元500接收一電力之一上部電極。
電源供應單元500可供應用於激發供應至反應室100中之處理氣 體以使處理氣體電漿化之一電力。亦即，電源供應單元500可穿過反應室100且接著連接至氣體注入單元400以供應一高頻率電力以用於產生電漿。電源供應單元500可包含一高頻率電源及一匹配器。舉例而言，高頻率電源可產生大約13.56MHz之一高頻率電力，且匹配器可偵測反應室100之一阻抗以產生具有與阻抗之一虛分量相反之一相位的一阻抗虛分量，藉此將一最大電力供應至反應室中使得虛分量與為一實分量之純電阻相同且因此產生最佳電漿。電源供應單元500可將一高頻率電力施加至氣體注入單元400中，且基板支撐件200可經接地以允許反應室100內之處理氣體電漿化。
氣體供應單元600可包含用於供應複數個處理氣體中之每一者之一氣體供應源610及用於將該處理氣體自氣體供應源610供應至反應室100中之氣體供應管620。該處理氣體可包含一薄膜沈積氣體及一蝕刻氣體。此外，例如H2、Ar及類似物之一惰性氣體可與處理氣體一起經供應。用於控制該處理氣體之供應之一閥及質量流量計可安置於氣體供應源610與氣體供應管620之間。
排氣單元700可包含一排氣器件710及連接至反應室100之排氣孔130之一排氣管720。諸如一渦輪分子泵之一真空泵可用作排氣器件710。因此，反應室100之內側可形成於一減壓氛圍中，舉例而言，反應室100可經組態以抽吸大約0.1毫托或更少之一壓力。複數個排氣孔可界定於反應室100之在基板支撐件200下方對應之一側表面以及反應室100之一底部表面中。因此，可提供複數個排氣管720，且接著複數個排氣管720可分別連接至複數個排氣孔130。而且，為減少排出處理氣體所花費之一時間，可進一步提供複數個排氣管720及排氣器件710。
將參考圖2及圖3詳細地闡述根據一例示性實施例之升降銷總成。
根據一例示性實施例之升降銷總成300可包含：第一升降銷，其至少一個部分支撐基板10；及第二升降銷320，其將第一升降銷310容納於其中且具有接觸基板支撐件200之通孔之一側表面之一外部分。亦即，第二升降銷320可插入至基板支撐件200之通孔220中，且第一升降銷310可插入至第二升降銷320中。而且，第一升降銷310可具有大於第二升降銷320之長度之一長度。
第一升降銷310可用於在基板10裝載至反應室100中時將基板10安放於基板支撐件200之一頂部表面上或在基板10自反應室100卸載時將基板10與基板支撐件200之頂部表面分離。第一升降銷310可包含具有一大致圓柱形形狀之一第一頭部312及自第一頭部312向下突出一預定長度之一桿314。此處，桿314可具有小於第一頭部312之直徑之一直徑，且一突出部316可安置於第一頭部312與桿314之間的一連接部分上。亦即，具有大於桿314之直徑之一直徑之第一頭部312可具有自桿314突出以形成突出部316之一底部表面。第一升降銷310之突出部316對應於第二銷320之一鉤狀突出部326。亦即，第一升降銷310之突出部316可由第二升降銷320之鉤狀突出部326支撐以防止第一升降銷310與第二升降銷320分離。
第二升降銷320可插入至基板支撐件400之通孔220中。此外，第二升降銷320可具有大致圓柱形形狀使得第一升降銷310插入於其中。第二升降銷320可包含安置於其一上部部分上之一第二頭部322及安置於第二頭部下方且具有預定長度之一主體324。此外，一貫通部分可沿一縱向方向垂直穿過第二頭部322及主體324中之每一者之一中心部分，且第一升降銷310可插入至貫通部分中。第一升降銷310之第一頭部312容納至第二頭部322中。亦即，第二頭部322可具有對應於第一頭部312之一外直徑之一內直徑使得第一頭部312容納於其中。此處，第二升降銷320之第二頭部322可具有大於第一頭部312之一外直徑之 一內直徑以防止第二頭部322與第一頭部312之一側表面發生摩擦。此外，第一升降銷310之桿314可容納至主體324中以允許桿314垂直移動。舉例而言，一貫通部分可經提供使得主體具有大於桿314之一直徑之一內直徑。此處，主體324可具有小於桿314的之一長度且大於基板支撐件200之一厚度之一垂直長度。亦即，第二升降銷320之第二頭部322可具有與第一升降銷310之第一頭部312相同之垂直長度，且第二升降銷320之主體324可具有小於第一升降銷310之桿314之長度之一長度。因此，當第一頭部312由第二升降銷320之第二頭部322支撐時，桿314可自主體324向下突出。第二升降銷320具有在第二頭部322之一下部部分與主體324之一上部部分之間的鉤狀突出部326。亦即，第二頭部322之貫通部分可具有大於主體324之貫通部分之內直徑之一內直徑。因此，主體324之上部部分可曝露至第二頭部322之貫通部分之一下側以形成鉤狀突出部326。第一升降銷310之突出部316可由第二升降銷320之鉤狀突出部326支撐。此外，當第一升降銷310之第一頭部312由第二升降銷320之鉤狀突出部326支撐時，第一頭部312及第二頭部322之表面可維持在相同高度。第二升降銷320之第二頭部322可具有大於主體324之寬度之一寬度以自主體324向外突出。一突出部328可安置於第二頭部322之外側與主體324之外側之間。突出部328可由安置於基板支撐件400之貫通部分220之一上部部分上之鉤狀突出部230支撐。亦即，基板支撐件400可具有帶有等於或大於第二升降銷320之第二頭部之寬度之寬度的鉤狀突出部230以支撐第二升降銷320之第二頭部322。此外，點接觸第一升降銷310之一潤滑單元330可安置於主體324內側(亦即，貫通部分之一內壁上)以最小化在使第一升降銷310提升時產生之一摩擦力。此處，潤滑單元330可包含一滾珠。然而，潤滑單元330可不限於滾珠。另一選擇係，潤滑單元330可具有相對於第一升降銷310之一中心軸垂直安置之一圓柱形形狀。此外， 潤滑單元330(亦即，滾珠)安放於其中之一安放孔可界定於第二升降銷320之一內壁中。此處，滾珠可經插入使得滾珠之一部分突出至安放孔之外側(亦即，朝向第二升降銷320)以點接觸第一升降銷310。此外，三個或三個以上滾珠可對稱地安置於同一平面上。舉例而言，四個滾珠可安置於同一平面上。此處，四個滾珠可以相同距離安置且朝向第一升降銷310以相同高度突出。
由於第一升降銷310及第二升降銷320中之每一者之至少一個部分曝露至處理氣體，因此第一升降銷310及第二升降銷320可由具有抗腐蝕性之一陶瓷或絕緣材料形成。亦即，第一銷310及第二銷320可由相同材料形成。然而，第一升降銷310及第二升降銷320可由彼此不同之材料形成。因此，第一升降銷310及第二升降銷320可具有彼此不同之機械強度。亦即，第二升降銷320可具有大於或小於第一升降銷310之機械強度之一機械強度。此外，第二升降銷320之至少一個部分可由與基板支撐件200相同之材料形成以最小化與加熱器構建於其中之基板支撐件200之熱不平衡。舉例而言，第二升降銷320之主體324可由與基板支撐件200相同之材料形成。此外，第二升降銷320可由不導致具有相對較高電位之基板支撐件200與具有相對較低電位之反應室100之下部部分之間的異常放電之一材料形成。亦即，第二升降銷320可由一絕緣材料形成。另一選擇係，第二升降銷320可用作用於將非均勻地集中至基板支撐件200中之電荷放電之一路徑，亦即，一接地線。為此，第二升降銷320可由一導電材料形成。
圖4至圖7係用於闡釋根據一例示性實施例之升降銷總成之操作之剖面圖。
參考圖4，當基板支撐件200上升時，第二升降銷320之突出部328可由基板支撐件200之鉤狀突出部230支撐，且第一升降銷310之突出部316可鉤在第二升降銷320之鉤狀突出部326上以上升。亦即，當 基板支撐件200上升時，第一升降銷310及第二升降銷320全部皆可上升。
參考圖5，當基板支撐件200下降時，第一升降銷310之一下部部分可接觸反應室100之一底部表面100c。亦即，由於第一升降銷310之桿314具有大於第二升降銷320之主體324之長度之一長度，因此當基板支撐件200下降時，第一升降銷310之桿314之一底部表面可首先接觸反應室100之底部表面100c。此處，由於在第一升降銷310接觸反應室100之底部表面100c之後第二升降銷320之主體324環繞第一升降銷310之桿312，因此桿312不可傾斜且亦不可接觸通孔220之內側以防止第一升降銷310被損壞。
參考圖6，當基板支撐件200在第一升降銷310之下部部分接觸反應室100之底部表面100c之後連續下降時，第二升降銷320之主體324之下部部分可接觸反應室100之底部表面100c，且第一升降銷310之第一頭部312可自基板支撐件200之表面向上突出。亦即，在與第二升降銷320比較時第一升降銷310可首先自基板支撐件200之頂部表面突出。此處，由於第二升降銷320連續下降，因此可同時執行第一升降銷310相對於基板支撐件200之上升及第二升降銷320相對於基板支撐件200之下降。而且，由於第二升降銷320接觸反應室100之底部表面100c同時環繞第一升降銷310，因此第一升降銷310不可傾斜。
參考圖7，當基板支撐件200連續下降時，第二升降銷320之一部分(亦即，頭部322及主體324之一部分)可自基板支撐件200向上突出。亦即，第一升降銷310及第二升降銷320可相繼地自基板支撐件200之頂部表面突出。
如上文所闡述，根據一例示性實施例之升降銷總成可包含第二升降銷320，第二升降銷320環繞支撐基板10之第一升降銷310之外側。此外，由於第二升降銷320與第一升降銷310一起垂直提升，因此 即使第一升降銷310接觸反應室100之底部表面100c，第一升降銷310不可傾斜且亦不可接觸基板支撐件200之通孔之內側表面。因此，其可防止第一升降銷310傾斜及因此被施加至其之一壓力損壞。在當前實施例中闡述其中在基板S由第一升降銷310支撐之後基板S與基板支撐件200分離之情形。然而，為支撐所裝載基板S，第二升降銷320及第一升降銷310可在基板S由自基板支撐件200突出之第一升降銷310支撐之後相繼地向上移動，且接著基板支撐件200向上移動。此處，可同時執行第二升降銷320相對於基板支撐件200之上升及第一升降銷310相對於基板支撐件200之下降。
可以各種方式修改根據一例示性實施例之升降銷總成300。仍參考圖8至11闡述各種實施例。
圖8係圖解說明根據另一例示性實施例之一升降銷總成與一基板支撐件之間的一耦合狀態之一部分剖面圖。一潤滑單元355可進一步安置於一基板支撐件200之一通孔220內側。亦即，一安放孔(未展示)可界定於基板支撐件200之通孔220內側，且具有一滾珠形狀之潤滑單元335可經提供使得潤滑單元335之至少一個部分插入至安放孔中。由於提供潤滑單元335，因此第二升降銷320不可接觸通孔220之一內表面以更平穩地上升或下降。
此外，在根據又一例示性實施例之一升降銷總成300中，如圖9中所圖解說明，一接觸部件340可安置於第一升降銷310之一下部部分(亦即，一桿314之一下部部分)上。接觸部件340可具有大於第一升降銷310之桿314之寬度之一寬度。舉例而言，接觸部件340可具有等於或大於第二升降銷320之一主體324之寬度之一寬度。接觸部件340可由不同於第一升降銷310之第一頭部312及桿314之彼等材料之一材料形成。亦即，接觸部件340之至少一個部分可由一聚合物材料形成以在接觸部件340接觸一反應室100之一底部表面100c時吸收一衝擊力且 防止粒子發生。接觸部件340可在基板支撐件200下降時接觸反應室100之底部表面100c。此處，由於提供接觸部件340，因此第一升降銷310之重心可降低。因此，當第一升降銷310向下移動時，接觸部件340可導引第一升降銷310使得第一升降銷310垂直移動。
此外，在根據又一例示性實施例之一升降銷總成300中，如圖10中所圖解說明，一接觸部件350可安置於一第二升降銷320之一下部部分(亦即，一主體324之一下部部分)上。此處，接觸部件350可具有大於第二升降銷320之主體324之寬度之一寬度。接觸部件350可由不同於一第二頭部322及主體324之彼等材料之一材料形成。舉例而言，接觸部件350之至少一個部分可由一聚合物材料形成以在接觸部件340接觸一反應室100之一底部表面100c時吸收一衝擊力且防止粒子發生。在升降銷總成300中，當一基板支撐件200下降時，第一升降銷310之一下部部分可首先接觸一反應室100之底部表面100c，且接著安置於第二升降銷320之一下部部分上之接觸部件350可接觸反應室100之底部表面100c。此處，由於提供接觸部件350，因此第二升降銷320之重心可降低。因此，第二升降銷320可在不搖晃之情況下向下移動。亦即，第二升降銷320可以一垂直狀態向下移動。
如圖11中所圖解說明，基板支撐件200可包含自基板支撐件200之一下部部分向下突出一預定高度之一突出部250。此處，一通孔可界定於突出部250中在與基板支撐件200之一通孔220相同之位置處。一潤滑單元337可進一步安置於突出部250與第二升降銷320之間在通孔內。亦即，一安放孔(未展示)可界定於突出部250之通孔內側，且可提供具有一滾珠形狀之潤滑單元337使得潤滑單元335之至少一個部分插入至安放孔中。由於提供潤滑單元337，因此第二升降銷320不可接觸突出部250之一內表面以更平穩地上升或下降。
在根據各種實施例之升降銷總成中，第二升降銷可經提供以環 繞其至少一個部分支撐基板之第一升降銷之外側，且第一升降銷可穿過第二升降銷提升。此外，第二升降銷可穿過基板支撐件之通孔提升。當第一升降銷接觸反應室之底部表面時，由於第二升降銷環繞第一升降銷，因此第一升降銷不可傾斜且不可接觸基板支撐件之通孔之內表面。
因此，可防止升降銷之損壞以防止基板及基板處理裝置之組件被損壞。因此，升降銷之替換週期可經延長以改良生產率。
如上文所闡述，已關於上述實施例具體闡述了本發明之技術理念，但應注意，僅出於圖解說明提供前述實施例而非限制本發明。各種實施例可經提供以允許熟習此項技術者理解本發明的範圍，但本發明不限於此。
200:基板支撐件
220:通孔/貫通部分
230:鉤狀突出部
310:第一升降銷/第一銷
312:第一頭部
314:桿
316:突出部
320:第二升降銷/第二銷
322:第二頭部/頭部
324:主體
326:鉤狀突出部
328:突出部
330:潤滑單元

Claims (10)

  1. 一種升降銷總成，其包括：一第一升降銷，其至少一個部分支撐一基板之一底部表面，該第一升降銷係可提升的；及一第二升降銷，其經組態以導引該第一升降銷，該第二升降銷穿過一基板支撐件提升。
  2. 如請求項1之升降銷總成，其進一步包括安置於該第一升降銷之一外表面與該第二升降銷之一內表面之間的至少一個第一潤滑單元。
  3. 如請求項2之升降銷總成，其進一步包括安置於該第二升降銷與該基板支撐件之一通孔之間的至少一個第二潤滑單元。
  4. 如請求項1之升降銷總成，其進一步包括安置於該第一升降銷之一下部部分上且具有大於該第一升降銷之一直徑之一長度的一接觸部件。
  5. 如請求項1之升降銷總成，其進一步包括安置於該第二升降銷之一下部部分上且具有大於該第二升降銷之一主體之寬度之一寬度的一接觸部件。
  6. 如請求項1之升降銷總成，其中該第二升降銷之至少一個部分由一導電材料或一絕緣材料形成。
  7. 一種基板處理裝置，其包括：一反應室；一基板支撐件，其安置於該反應室內以支撐一基板，該基板支撐件具有複數個通孔；及複數個升降銷總成，其穿過該基板支撐件之該等通孔以支撐該基板之部分， 其中該等升降銷總成中之每一者包括：一第一升降銷，其至少一個部分支撐該基板之一底部表面，該第一升降銷係可提升的；及一第二升降銷，其經組態以導引該第一升降銷之該提升，該第二升降銷可穿過該等通孔中之每一者提升。
  8. 一種基板處理裝置，其包括：一反應室；一基板支撐件，其安置於該反應室內以支撐一基板，該基板支撐件具有複數個通孔；及複數個升降銷總成，其穿過該基板支撐件之該等通孔以支撐該基板之部分，其中該等升降銷總成中之每一者包括：一第一升降銷，其至少一個部分支撐該基板之一底部表面，該第一升降銷係可提升的；及一第二升降銷，其經組態以在該第一升降銷提升時容納該第一升降銷之一部分，該第二升降銷可相對於該基板支撐件提升。
  9. 一種用於將一基板與該基板安放於其上之一基板支撐件分離之方法，該方法包括：準備一反應室；準備安置於該反應室內且具有複數個通孔之一基板支撐件；準備穿過該基板支撐件之該等通孔以支撐該基板之部分之複數個升降銷總成；允許該基板支撐件及該複數個升降銷總成下降；允許該複數個升降銷總成中之每一者之一第一升降銷接觸該反應室之一內壁； 藉由該第一升降銷將該基板之至少一個部分與該基板支撐件分離；及允許該複數個升降銷總成中之每一者之一第二升降銷接觸該反應室之該內壁，其中該升降銷總成包括：該第一升降銷，其至少一個部分支撐該基板之一底部表面，該第一升降銷係可提升的；及該第二升降銷，其經組態以導引該第一升降銷之該提升，該第二升降銷可相對於該基板支撐件提升。
  10. 一種用於將一基板與該基板安放於其上之一基板支撐件分離之方法，該方法包括：準備一反應室；準備安置於該反應室內且具有複數個通孔之一基板支撐件；準備穿過該基板支撐件之該等通孔以支撐該基板之部分之複數個升降銷總成；允許該基板支撐件及該複數個升降銷總成下降；允許該複數個升降銷總成中之每一者之一第一升降銷接觸該反應室之一內壁；藉由該第一升降銷將該基板之至少一個部分與該基板支撐件分離；及允許該複數個升降銷總成中之每一者之一第二升降銷接觸該反應室之該內壁，其中該升降銷總成包括：該第一升降銷，其至少一個部分支撐該基板之一底部表面，該第一升降銷係可提升的；及該第二升降銷，其經組態以在該第一升降銷提升時容納該第 一升降銷之一部分，該第二升降銷可相對於該基板支撐件提升。
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