KR102215641B1 - 리프트 핀 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 - Google Patents

리프트 핀 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치 Download PDF

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Abstract

본 발명은 적어도 일부가 기판의 하면을 지지하며, 승하강 가능한 제 1 리프트 핀과, 제 1 리프트 핀의 승하강을 가이드하며, 기판 지지대를 통하여 승하강 가능한 제 2 리프트 핀을 포함하는 리프트 핀 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.

Description

리프트 핀 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치{Lift pin assembly and substrate processing apparatus having the same}
본 발명은 리프트 핀 어셈블리에 관한 것으로, 특히 리프트 핀의 파손을 방지할 수 있는 리프트 핀 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
일반적으로 반도체 소자 또는 액정표시 소자를 제조하기 위해서는 웨이퍼 또는 글래스 등의 기판 상에 유전체 물질 등의 박막을 증착하는 박막 증착 공정, 감광성 물질을 이용하여 박막의 선택된 영역을 노출시키는 포토리소그라피 공정, 선택된 영역의 박막을 제거하여 목적하는 대로 패터닝하는 식각 공정, 잔류물을 제거하기 위한 세정 공정 등을 수차례 반복하여야 하는데, 이들 각 공정은 해당 공정을 위해 최적의 환경이 조성된 반응 챔버 내부에서 진행된다.
반응 챔버 내부에는 기판을 지지하는 기판 지지대와 공정 가스를 분사하는 가스 분사부가 대향 마련된다. 여기서, 기판 지지대에는 상하를 관통하는 복수의 관통홀이 형성되고, 각 관통홀에는 리프트 핀이 결합된다. 즉, 리프트 핀은 기판 지지대의 하부로부터 삽입되며, 리프트 핀의 상단에는 헤드가 형성되어 기판 지지대 상면의 걸림턱에 지지된다. 이러한 리프트 핀은 기판을 기판 지지대에 안치하거나 반출하는데 이용된다.
그런데, 기판 지지대가 하강할 때 리프트 핀의 하부가 반응 챔버의 저면에 닿은 후에도 기판 지지대는 일정 거리를 더 하강하게 되는데, 이때 리프트 핀이 기울어질 수 있고, 그에 따라 리프트 핀이 관통홀과 접촉할 때 과도한 힘을 받아서 리프트 핀이 파손될 수 있다. 리프트 핀이 파손되면 기판을 제대로 지지하지 못하게 되고, 플라즈마 처리 장비의 경우 플라즈마를 불안정하게 하는 원인을 제공한다. 또한, 리프트 핀이 파손되면 파손된 리프트 핀을 교체하기 위하여 장비 가동을 중단시켜야 하므로 생산성에 큰 지장을 초래할 뿐만 아니라, 상부에 안치된 기판도 손상을 입거나 파손될 가능성이 커진다. 그리고, 기판이 파손되면 플라즈마에 의하여 기판 처리 장비의 다른 부품들이 연쇄적으로 손상될 수 있다.
이러한 리프트 핀의 손상을 줄이면서 사용 내구성을 늘리는 방안으로 기판 지지대의 관통홀 내에 리프트 핀 가이드가 고정되고, 리프트 핀 가이드 내부를 따라 리프트 핀이 승하강하는 구조가 제안되었다. 이러한 예가 한국등록특허 제10-1218570호에 제시되어 있다. 또한, 리프트 핀 가이드와 리프트 핀 사이의 접촉 면적을 최소화하거나, 이들 사이에 베어링과 같은 직접적인 마찰 저감 부재를 이용하여 리프트 핀 가이드와 리프트 핀 사이의 마찰력을 감소시키는 구조가 제시되었다.
본 발명은 리프트 핀의 손상을 방지할 수 있는 리프트 핀 어셈블리 및 이를 이용한 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명은 기판 지지대의 하측으로 돌출된 리프트 핀의 적어도 일부를 감싸 보호하도록 함으로써 리프트 핀의 손상을 방지할 수 있는 리프트 핀 어셈블리 및 이를 구비하는 기판 처리 장치를 제공한다.
본 발명의 제 1 양태에 따른 리프트 핀 어셈블리는 적어도 일부가 기판의 하면을 지지하며, 승하강 가능한 제 1 리프트 핀; 및 상기 제 1 리프트 핀을 가이드하며, 기판 지지대를 통하여 승하강 가능한 제 2 리프트 핀을 포함한다.
또한, 본 발명의 제 2 양태에 따른 리프트 핀 어셈블리는 적어도 일부가 기판의 하면을 지지하며, 승하강 가능한 제 1 리프트 핀; 및 상기 제 1 리프트 핀의 승하강의 일부를 수용하며, 기판 지지대에 대하여 승하강 가능한 제 2 리프트 핀을 포함한다.
상기 제 2 리프트 핀의 상기 제 1 리프트 핀의 승하강을 가이드하는 구간은 상기 기판 지지대의 두께보다 크다.
상기 제 1 리프트 핀은 상기 기판 지지대의 상면으로부터 상기 제 2 리프트 핀보다 먼저 돌출된다.
상기 제 1 리프트 핀과 상기 제 2 리프트 핀은 상기 기판 지지대의 상면으로부터 순차적으로 돌출된다.
상기 기판 지지대에 대하여 상기 제 1 리프트 핀의 상승과 상기 제 2 리프트 핀의 하강이 동시에 이루어진다.
상기 기판 지지대에 대하여 상기 제 1 리프트 핀의 하강과 상기 제 2 리프트 핀의 상승이 동시에 이루어진다.
상기 제 1 리프트 핀의 외면과 상기 제 2 리프트 핀의 내면 사이에 마련된 적어도 하나의 제 1 윤활 수단을 더 포함한다.
상기 제 2 리프트 핀과 상기 기판 지지대의 관통홀 사이에 마련된 적어도 하나의 제 2 윤활 수단을 더 포함한다.
상기 제 1 리프트 핀의 하부에 마련되고, 상기 제 1 리프트 핀의 직경보다 더 큰 길이를 갖는 접촉 부재를 더 포함한다.
상기 제 2 리프트 핀의 하부에 마련되고, 상기 제 2 리프트 핀의 몸체보다 넓은 폭으로 마련된 접촉 부재를 더 포함한다.
상기 제 2 리프트 핀은 적어도 일부가 도전성 재질 또는 절연성 재질로 마련된다.
본 발명의 제 3 양태에 따른 리프트 핀 어셈블리는 기판 지지대; 상기 기판 지지대에 안치되는 기판을 지지하며, 상기 기판 지지대에 대하여 승하강 가능한 제 1 리프트 핀; 및 상기 제 1 리프트 핀의 승하강을 가이드하며, 상기 기판 지지대에 대하여 승하강 가능한 제 1 리프트 핀 가이드를 포함한다.
상기 제 1 리프트 핀 가이드의 승하강을 가이드하며, 상기 기판 지지대와 상기 제 1 리프트 핀 가이드 사이에 위치하는 제 2 리프트 핀 가이드를 더 포함한다.
상기 제 1 리프트 핀 가이드의 상기 제 1 리프트 핀의 승하강 가이드 구간은 상기 기판 지지대의 두께보다 더 크다.
상기 제 1 리프트 핀은 상기 기판 지지대의 상면으로부터 상기 제 1 리프트 핀 가이드보다 먼저 돌출된다.
상기 제 1 리프트 핀과 상기 제 1 리프트 핀 가이드는 상기 기판 지지대의 상면으로부터 순차적으로 돌출된다.
상기 기판 지지대에 대하여 상기 제 1 리프트 핀의 상승과 상기 제 1 리프트 핀 가이드의 하강이 동시에 이루어진다.
상기 기판 지지대에 대하여 상기 제 1 리프트 핀의 하강과 상기 제 1 리프트 핀 가이드의 상승이 동시에 이루어진다.
상기 기판 지지대에 대하여 상기 제 1 리프트 핀 가이드의 상승과 상기 기판 지지대의 하강이 동시에 이루어진다.
본 발명의 제 4 양태에 따른 기판 처리 장치는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내부에 마련되어 기판이 지지되며, 복수의 관통홀이 마련된 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대의 관통홀을 통해 마련되어 상기 기판의 일부를 지지하는 복수의 리프트 핀 어셈블리를 포함하고, 상기 리프트 핀 어셈블리는 적어도 일부가 상기 기판의 하면을 지지하며, 승하강 가능한 제 1 리프트 핀과, 상기 제 1 리프트 핀의 승하강을 가이드하며 상기 관통홀을 통하여 승하강 가능한 제 2 리프트 핀을 포함한다.
본 발명의 제 5 양태에 따른 기판 처리 장치는 반응 챔버; 상기 반응 챔버 내부에 마련되어 기판이 지지되며, 복수의 관통홀이 마련된 기판 지지대; 및 상기 기판 지지대의 관통홀을 통해 마련되어 상기 기판의 일부를 지지하는 복수의 리프트 핀 어셈블리를 포함하고, 상기 리프트 핀 어셈블리는 적어도 일부가 상기 기판의 하면을 지지하며, 승하강 가능한 제 1 리프트 핀과, 상기 제 1 리프트 핀의 승하강의 일부를 수용하며, 상기 기판 지지대에 대하여 승하강 가능한 제 2 리프트 핀을 포함한다.
본 발명의 제 6 양태에 따른 기판 분리 방법은 기판이 안치된 기판 지지대에서 기판을 분리하는 방법으로서, 반응 챔버를 준비하는 단계; 상기 반응 챔버 내부에 마련되어 복수의 관통홀이 마련된 기판 지지대를 준비하는 단계; 상기 기판 지지대의 관통홀을 통해 마련되어 상기 기판의 일부를 지지하는 복수의 리프트 핀 어셈블리를 준비하는 단계; 상기 기판 지지대와 상기 복수의 리프트 핀 어셈블리를 하강하는 단계; 상기 복수의 리프트 핀 어셈블리의 제 1 리프트 핀이 상기 반응 챔버의 내벽에 접촉하는 단계; 상기 제 1 리프트 핀에 의해서 상기 기판의 적어도 일부가 상기 기판 지지대로부터 분리되는 단계; 및 상기 복수의 리프트 핀 어셈블리의 제 2 리프트 핀이 상기 반응 챔버의 내벽에 접촉하는 단계를 포함하고, 상기 리프트 핀 어셈블리는 적어도 일부가 상기 기판의 하면을 지지하며, 승하강 가능한 제 1 리프트 핀과, 상기 제 1 리프트 핀의 승하강을 가이드하며, 기판 지지대에 대하여 승하강 가능한 제 2 리프트 핀을 포함한다.
본 발명의 제 7 양태에 따른 기판 분리 방법은 기판이 안치된 기판 지지대에서 기판을 분리하는 방법으로서, 반응 챔버를 준비하는 단계; 상기 반응 챔버 내부에 마련되어 복수의 관통홀이 마련된 기판 지지대를 준비하는 단계; 상기 기판 지지대의 관통홀을 통해 마련되어 상기 기판의 일부를 지지하는 복수의 리프트 핀 어셈블리를 준비하는 단계; 상기 기판 지지대와 상기 복수의 리프트 핀 어셈블리를 하강하는 단계; 상기 복수의 리프트 핀 어셈블리의 제 1 리프트 핀이 상기 반응 챔버의 내벽에 접촉하는 단계; 상기 제 1 리프트 핀에 의해서 상기 기판의 적어도 일부가 상기 기판 지지대로부터 분리되는 단계; 및 상기 복수의 리프트 핀 어셈블리의 제 2 리프트 핀이 상기 반응 챔버의 내벽에 접촉하는 단계를 포함하고, 상기 리프트 핀 어셈블리는 적어도 일부가 상기 기판의 하면을 지지하며, 승하강 가능한 제 1 리프트 핀과, 상기 제 1 리프트 핀의 승하강의 일부를 수용하며, 기판 지지대에 대하여 승하강 가능한 제 2 리프트 핀을 포함한다.
본 발명의 실시 예들에 따른 리프트 핀 어셈블리는 적어도 일부가 기판을 지지하는 제 1 리프트 핀의 외부를 감싸도록 제 2 리프트 핀이 마련되고, 제 1 리프트 핀이 제 2 리프트 핀을 통해 승하강하며, 제 2 리프트 핀이 기판 지지대의 관통홀을 통해 승하강할 수 있다. 제 1 리프트 핀이 반응 챔버의 저면과 접촉할 때 제 2 리트프 핀이 제 1 리프트 핀을 감싸고 있으므로 제 1 리프트 핀이 기울어지지 않고 기판 지지대의 관통홀의 내측면과 접촉되지도 않는다.
따라서, 리프트 핀의 파손을 방지할 수 있고, 그에 따라 기판의 손상 및 처리 장치의 부품 손상을 방지할 수 있으며, 리프트 핀의 교체 주기가 길어져 생산성을 향상시킬 수 있다.
도 1은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도.
도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리와 기판 지지대의 결합 상태를 도시한 부분 단면도.
도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리의 단면도 및 단면 사시도.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리의 구동을 설명하기 위한 단면도.
도 8 내지 도 11은 본 발명의 다른 실시 예들에 따른 리트프핀 어셈블리의 단면도.
이하, 첨부된 도면을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명하기로 한 다. 그러나, 본 발명은 이하에서 개시되는 실시 예에 한정되는 것이 아니라 서로 다른 다양한 형태로 구현될 것이며, 단지 본 실시 예들은 본 발명의 개시가 완전하도록 하며, 통상의 지식을 가진 자에게 발명의 범주를 완전하게 알려주기 위해 제공되는 것이다.
도 1은 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 장치의 단면도이고, 도 2는 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리와 기판 지지대의 결합 상태를 도시한 부분 단면도이며, 도 3은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리의 단면 사시도이다.
도 1을 참조하면, 본 발명에 따른 기판 처리 장치는 소정의 반응 공간이 마련된 반응 챔버(100)와, 반응 챔버(100)의 일측에 마련되어 기판(10)을 지지하는 기판 지지대(200)와, 기판 지지대(200) 상에 기판(10)을 안치 또는 분리하기 위한 리프트 핀(300)과, 기판 지지대(200)와 대향되는 반응 챔버(100)의 타측에 마련되어 공정 가스를 분사하는 가스 분사부(400)와, 반응 챔버(100) 내부에 플라즈마를 발생시키기 위한 전원을 공급하는 전원부(500)와, 반응 챔버(100) 내에 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(600)를 포함할 수 있다. 또한, 반응 챔버(100) 내부를 소정의 압력으로 배기하기 위한 배기부(700)를 더 포함할 수 있다.
반응 챔버(100)는 내부에 소정의 공간이 마련되는 통 형상으로 마련된다. 이러한 반응 챔버(100)는 기판의 형상에 따라 다양한 형상으로 마련될 수 있는데, 예를 들어 육면체 형상으로 마련될 수 있다. 또한, 반응 챔버(100)는 대략 사각형의 평면부 및 평면부로부터 상향 연장된 측벽부를 포함하여 소정의 반응 공간을 가지는 몸체(100a)와, 대략 사각형으로 몸체(100a) 상에 위치하여 반응 챔버(100)를 기밀하게 유지하는 덮개(100b)를 포함할 수 있다. 반응 챔버(100)의 내부에는 기판 지지대(200)와 가스 분사부(400)가 서로 대향되도록 마련될 수 있다. 또한, 반응 챔버(100)는 제 1 영역에 기판(10)이 인입 및 인출되는 기판 출입구(110)가 마련될 수 있다. 그리고, 반응 챔버(100)의 제 2 영역에는 반응 챔버(100) 내부로 공정 가스를 공급하는 가스 공급부(600)와 연결된 가스 공급구(120)가 마련될 수 있다. 또한, 반응 챔버(100)의 내부 압력을 조절하기 위해 반응 챔버(100)의 제 3 영역에는 배기구(130)가 마련되고 배기구(130)에 배기부(700)가 연결될 수 있다. 예를 들어, 기판 출입구(110)는 반응 챔버(100)의 일 측면의 중앙 영역에 기판(10)이 출입할 수 있는 정도의 크기로 마련될 수 있고, 가스 공급구(120)는 덮개(100b)의 소정 영역을 관통하여 마련될 수 있으며, 배기구(130)는 기판 지지대(200)보다 낮은 위치의 반응 챔버(100)의 측면을 관통하여 마련될 수 있다.
기판 지지대(200)는 반응 챔버(100)의 내부에 마련되며, 반응 챔버(100) 내부로 유입되는 기판(10)이 안착된다. 이러한 기판 지지대(200)는 가스 분사부(400)와 대향하는 위치에 설치되는데, 예를 들어 반응 챔버(100) 내부의 하측에 기판 지지대(200)가 마련되고, 반응 챔버(100) 내부의 상측에 가스 분사부(400)가 마련될 수 있다. 여기서, 기판(10)은 반도체 제조용 실리콘 기판이 이용될 수 있고, 평판 디스플레이 제조용 유리 기판이 이용될 수도 있다. 또한, 기판 지지대(200)는 기판(10)이 안착되어 지지될 수 있도록 예를 들어 정전척 등이 마련되어 기판(10)을 정전력에 의해 흡착 유지할 수도 있고, 진공 흡착이나 기계적 힘에 의해 기판(10)을 지지할 수도 있다. 또한, 기판 지지대(200)는 기판(10) 형상과 대응되는 형상, 예를 들어 원형 또는 사각형으로 마련될 수 있으며, 기판(10)보다 크게 제작될 수 있다. 기판 지지대(200) 하부에는 기판 지지대(200)를 승하강 이동시키는 기판 승강기(210)가 마련될 수 있다. 기판 승강기(210)는 기판 지지대(200)의 적어도 일 영역, 예를 들어 중앙 영역을 지지하도록 마련되고, 기판 지지대(200) 상에 기판(10)이 안착되면 기판 지지대(200)를 가스 분사부(400)와 근접하도록 이동시킨다. 또한, 기판 지지대(200) 내부에는 히터(미도시)가 장착될 수 있다. 히터는 소정 온도로 발열하여 기판(10)을 가열함으로써 박막 증착 공정 등이 기판(10) 상에 용이하게 실시되도록 한다. 뿐만 아니라 전극부(200) 내부에는 냉각수 공급로(미도시)가 마련되어 냉각수가 공급되어 기판(10)의 온도를 낮출 수 있다. 그리고, 기판 지지대(200)에는 복수의 리프트 핀 어셈블리(300)가 관통하는 복수의 관통홀(220)이 형성될 수 있고, 관통홀(220)의 상측에는 복수의 리프트 핀 어셈블리(300)를 지지하는 걸림턱(230)이 마련될 수 있다. 한편, 기판 지지대(200)는 열 전도성이 우수한 물질로 제작될 수 있다. 예를 들어, 기판 지지대(200)는 실리콘 카바이드(SiC), 실리콘 카바이드(SiC)가 코팅된 그래파이트(graphite), 실리콘 나이트라이드(Si3N4), 알루미늄 나이트라이드(AlN) 또는 불투명 석영(opaque quartz) 중 어느 하나의 재질로 제작될 수 있다.
복수의 리프트 핀 어셈블리(300)은 기판 지지대(200)의 복수의 관통홀(220) 내에 마련되어 기판 지지대(200) 상에 기판(10)이 안치 또는 분리되도록 한다. 즉, 리프트 핀 어셈블리(300)는 적어도 일부가 기판 지지대(200)의 상부 표면보다 돌출되어 기판 출입구(110)를 통해 유입되는 기판(10)이 지지되도록 하고, 기판 지지대(200) 상에 안치된 기판(10)을 기판 지지대(200)로부터 분리되도록 한다. 이를 위해 리프트 핀 어셈블리(300)는 공정 중에는 기판 지지대(200)의 관통홀(220) 내에 위치하며, 공정이 시작되기 이전 및 공정이 완료된 후 기판 지지대(200)의 하강에 의해 기판 지지대(200)의 상부로 돌출된다. 또한, 본 발명의 일 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리(300)는 도 2에 도시된 바와 같이 적어도 일부가 기판(10)과 접촉하는 제 1 리프트 핀(310)과, 기판 지지대(200)의 관통홀(220)에 삽입되어 관통홀(220)의 내면과 접촉되고 제 1 리프트 핀(310)을 외부에서 감싸 제 1 리프트 핀(310)의 승하강을 가이드하며 승하강 가능한 제 2 리프트 핀(320)을 포함한다. 이러한 리프트 핀 어셈블리(300)에 대해서는 이후 더욱 상세하게 설명한다.
가스 분사부(400)는 반응 챔버(100) 내부의 상측에 마련되어 기판(10)을 향해 공정 가스를 분사한다. 가스 분사부(400)는 샤워헤드 타입으로 마련될 수도 있고, 인젝터 타입으로 마련될 수도 있는데, 본 실시 예는 샤워헤드 타입의 가스 분사부(400)에 대해 설명한다. 샤워헤드 타입의 가스 분사부(400)는 내부에 소정의 공간이 마련되며, 상측은 가스 공급부(600)와 연결되고, 하측에는 기판(10)에 공정 가스를 분사하기 위한 복수의 분사홀(410)이 형성된다. 가스 분사부(400)는 기판(10) 형상에 대응되는 형상으로 제작되는데, 대략 원형 또는 사각형으로 제작될 수 있다. 또한, 가스 분사부(400) 내부에는 가스 공급부(600)로부터 공급되는 공정 가스를 고르게 분포시키기 위한 분배판(미도시)이 더 마련될 수 있다. 분배판은 공정 가스 공급부(600)와 연결되어 공정 가스가 유입되는 가스 유입부에 인접하게 마련되고, 소정의 판 형상으로 마련될 수 있다. 즉, 분배판는 가스 분사부(400)의 상측면과 소정 간격 이격되어 마련될 수 있다. 또한, 분배판은 판 상에 복수의 관통홀이 형성될 수도 있다. 이렇게 분배판이 마련됨으로써 가스 공급부(600)로부터 공급되는 공정 가스는 가스 분사부(400) 내부에 고르게 분포될 수 있고, 그에 따라 가스 분사부(400)의 분사홀(410)을 통해 하측으로 고르게 분사될 수 있다. 또한, 가스 분사부(400)는 알루미늄 등의 도전 물질을 이용하여 제작될 수 있고, 반응 챔버(100)의 측벽부 및 덮개(100b)와 소정 간격 이격되어 마련될 수 있다. 이때, 가스 분사부(400)과 반응 챔버(100) 사이에는 절연체(420)가 마련될 수 있다. 이렇게 가스 분사부(400)가 도전 물질로 제작되는 경우 전원부(500)로부터 전원을 공급받는 상부 전극으로 작용할 수도 있다.
전원부(500)는 반응 챔버(100) 내에 공급된 공정 가스를 플라즈마 상태로 여기시키기 위한 전원을 공급한다. 즉, 전원부(500)는 반응 챔버(100)를 관통하여 가스 분사부(400)에 연결될 수 있으며, 플라즈마를 발생시키기 위한 고주파 전원을 공급한다. 이러한 전원부(500)는 고주파 전원 및 정합기를 포함할 수 있다. 고주파 전원은 예를 들어 13.56㎒의 고주파 전원을 생성하고, 정합기는 반응 챔버(100)의 임피던스를 검출하여 임피던스의 허수 성분과 반대 위상의 임피던스 허수 성분을 생성함으로써 임피던스가 실수 성분인 순수 저항과 동일하도록 반응 챔버(100) 내에 최대 전력을 공급하고, 그에 따라 최적의 플라즈마를 발생시키도록 한다. 한편, 전원부(500)가 가스 분사부(400)에 고주파 전원을 인가하고 기판 지지대(200)가 접지되어 반응 챔버(100) 내부에 공정 가스의 플라즈마가 생성될 수 있다.
가스 공급부(600)는 복수의 공정 가스를 각각 공급하는 가스 공급원(610)과, 가스 공급원(610)으로부터 공정 가스를 반응 챔버(100) 내부로 공급하는 가스 공급관(620)을 포함할 수 있다. 공정 가스는 박막 증착 가스, 식각 가스 등을 포함할 수 있다. 또한, 공정 가스와 더불어 H2, Ar 등의 불활성 가스가 공급될 수 있다. 한편, 가스 공급원(610)과 가스 공급관(620) 사이에는 공정 가스의 공급을 제어하는 밸브 및 질량 흐름기 등이 마련될 수 있다.
배기부(700)는 배기 장치(710)와 반응 챔버(100)의 배기구(130)와 연결된 배기관(720)을 포함할 수 있다. 배기 장치(710)는 터보 분자 펌프 등의 진공 펌프가 사용될 수 있으며, 이에 따라 반응 챔버(100) 내부를 소정의 감압 분위기, 예를 들어 0.1mTorr 이하의 압력까지 진공 흡입할 수 있도록 구성될 수 있다. 배기구(130)가 기판 지지대(200) 하측의 반응 챔버(100) 측면 뿐만 아니라 반응 챔버(100)의 하면에 복수 설치될 수도 있고 그에 따라 배기관(720)은 복수 마련되어 배기구(130)와 연결될 수 있다. 또한, 배기되는 시간을 줄이기 위해 복수의 배기관(720) 및 배기 장치(710)가 더 설치될 수도 있다.
도 2 및 도 3을 이용하여 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리를 상세하게 설명하면 다음과 같다.
본 발명의 제 1 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리(300)는 적어도 일부가 기판(10)을 지지하는 제 1 리프트 핀(310)과, 내부에서 제 1 리프트 핀(310)을 수용하며, 외부는 기판 지지대(200)의 관통홀(220)의 측면과 접촉되는 제 2 리프트 핀(320)을 포함할 수 있다. 즉, 제 2 리프트 핀(320)이 기판 지지대(200)의 관통홀(220)에 삽입되고, 제 1 리프트 핀(310)이 제 2 리프트 핀(320) 내에 삽입된다. 또한, 제 1 리프트 핀(310)은 제 2 리프트 핀(320)보다 길게 마련될 수 있다.
제 1 리프트 핀(310)은 기판(10)이 반응 챔버(100) 내부로 인입될 때 기판 지지대(200)의 상면에 기판(10)을 안착시키거나, 기판(10)이 반응 챔버(100) 외부로 인출될 때 기판(10)을 기판 지지대(200)의 상면으로부터 이격시키는데 이용된다. 이러한 제 1 리프트 핀(310)은 대략 원기둥 형상의 제 1 헤드(312)와, 제 1 헤드(312)로부터 하부로 소정 길이 돌출된 스템(314)을 포함할 수 있다. 이때, 스템(314)은 제 1 헤드(312)에 비해 작은 직경으로 마련되며, 제 1 헤드(312)와 스템(314)의 연결 부위에는 단턱부(316)가 형성된다. 즉, 스템(314)보다 큰 직경의 제 1 헤드(312)는 그 하부면이 스템(314)보다 돌출되어 단턱부(316)를 형성한다. 제 1 리프트 핀(310)의 단턱부(316)는 제 2 리프트 핀(320)의 걸림턱(326)에 대응된다. 즉, 제 1 리프트 핀(310)의 단턱부(316)는 제 2 리프트 핀(320)의 걸림턱(326)에 지지되어 제 1 리프트 핀(310)이 제 2 리프트 핀(320)으로부터 이탈되는 것을 방지한다.
제 2 리프트 핀(320)는 지판 지지대(400)의 관통홀(220)에 삽입되며, 대략 원형의 통 형상으로 마련되어 내부에 제 1 리프트 핀(310)이 삽입된다. 이러한 제 2 리프트 핀(320)는 상측에 마련된 제 2 헤드(322)와, 제 2 헤드(322)의 하측에 마련되며 소정의 길이를 갖는 몸체(324)를 포함한다. 또한, 제 2 헤드(322)와 몸체(324)에는 길이 방향의 중앙부에 상하 관통되는 관통부가 마련되고, 관통부에 제 1 리프트 핀(310)이 삽입될 수 있다. 제 2 헤드(322)는 그 내부에 제 1 리프트 핀(310)의 제 1 헤드(312)가 수용된다. 즉, 제 2 헤드(322)는 제 1 헤드(312)의 외경에 대응되는 내경을 갖고, 그에 따라 내부에 제 1 헤드(312)가 수용된다. 이때, 제 2 리프트 핀(320)의 제 2 헤드(322)는 내경이 제 1 헤드(312)의 외경보다 크게 마련되어 제 1 헤드(312)가 측면과 마찰되지 않도록 하는 것이 바람직하다. 또한, 몸체(324)는 내부에 제 1 리프트 핀(310)의 스템(314)이 수용되고, 스템(314)이 상하 방향으로 이동할 수 있도록 예를 들어 스템(314)의 직경보다 큰 내경을 갖도록 관통부가 마련된다. 이때, 몸체(324)의 상하 길이는 스템(314)의 길이보다 짧고, 기판 지지대(200)의 두께보다는 길다. 즉, 제 2 리프트 핀(320)는 제 2 헤드(322)의 상하 길이가 제 1 리프트 핀(310)의 제 1 헤드(312)의 상하 길이와 동일하고, 몸체(324)의 상하 길이는 제 1 리프트 핀(310)의 스템(314)의 길이보다 짧다. 따라서, 제 2 리프트 핀(320)의 제 2 헤드(322)에 제 1 헤드(312)가 지지되면 스템(314)이 몸체(324) 하측으로 돌출된다. 한편, 제 2 리프트 핀(320)은 제 2 헤드(322)의 하부와 몸체(324)의 상부 사이에 걸림턱(326)이 마련된다. 즉, 제 2 헤드(322)의 관통부의 내경이 몸체(324)의 관통부의 내경보다 크고, 그에 따라 제 2 헤드(322)의 관통부 하측에 몸체(324)의 상부가 노출되어 걸림턱(326)이 마련된다. 이러한 제 2 리프트 핀(320)의 걸림턱(326)에 제 1 리프트 핀(310)의 단턱부(316)가 지지된다. 또한, 제 1 리프트 핀(310)의 제 1 헤드(312)가 제 2 리프트 핀(320)의 걸림턱(326)에 지지되는 경우 제 1 헤드(312)와 제 2 헤드(322)는 그 표면이 동일 높이를 유지한다. 한편, 제 2 리프트 핀(320)은 제 2 헤드(322)가 몸체(324)보다 큰 폭으로 마련되고, 그에 따라 몸체(324)보다 외측으로 돌출된다. 이렇게 돌출된 제 2 헤드(322)의 외측과 몸체(324)의 외측 사이에 단턱부(328)가 마련되고, 이러한 단턱부(328)는 기판 지지대(400)의 관통홀(220) 상부에 마련된 걸림턱(230)에 지지된다. 즉, 기판 지지대(400)에는 제 2 리프트 핀(320)의 제 2 헤드(322)의 폭과 같거나 큰 폭을 갖는 걸림턱(230)이 마련되어 제 2 리프트 핀(320)의 제 2 헤드(322)가 지지된다. 또한, 몸체(324)의 내측, 즉 관통부의 내벽에는 제 1 리프트 핀(310)과 점 접촉하는 윤활 수단(330)이 구비되어 제 1 리프트 핀(310)의 승강 시 발생되는 마찰력을 최소화할 수 있다. 이때, 윤활 수단(330)은 볼을 포함할 수 있다. 그러나, 윤활 수단(330)은 볼에 한정되지 않으며, 다른 예로 제 1 리프트 핀(310)의 중심축과 수직으로 배치되는 원기둥 형상의 윤활 수단도 가능하다. 또한, 제 2 리프트 핀(320)의 내측벽에는 윤활 수단(330), 즉 볼이 안착되는 안착공이 형성될 수 있다. 이때, 볼은 안착공의 외부, 즉 제 2 리프트 핀(320) 측으로 일부 돌출되도록 삽입되어 제 1 리프트 핀(310)과 점접촉하게 된다. 또한, 볼은 동일한 평면상에 3개 이상이 서로 대칭적으로 구비되는 것이 더욱 바람직하다. 예를 들어, 동일한 평면 상에 4개의 볼이 구비되며, 4개의 볼은 서로 등간격으로 배치되고, 제 1 리프트 핀(310) 측으로 돌출되는 높이 또한 동일하다.
한편, 제 1 및 제 2 리프트 핀(310, 320)은 적어도 일부가 공정 가스에 항상 노출될 수 있으므로 내식성이 강한 세라믹 재질 또는 절연 재질로 제작될 수 있다. 즉, 제 1 및 제 2 리프트 핀(310, 320)는 동일 재질로 제작될 수 있다. 그러나, 제 1 및 제 2 리프트 핀(310, 320)는 다른 재질로 제작될 수 있고, 그에 따라 제 1 및 제 2 리프트 핀(310, 320)은 기계적인 강도가 다를 수 있다. 즉, 제 2 리프트 핀(320)의 기계적 강도가 제 1 리프트 핀(310)보다 클 수도 있고, 작을 수도 있다. 또한, 제 2 리프트 핀(320)은 히터가 내장된 기판 지지대(200)의 열적 불균형을 최소화하도록 하기 위해 적어도 일부가 기판 지지대(200)와 동일 재질로 제작될 수 있다. 예를 들어, 제 2 리프트 핀(320)의 몸체(324)가 기판 지지대(200)와 동일 재질로 제작될 수 있다. 그리고, 제 2 리프트 핀(320)은 전위가 높은 기판 지지대(200)와 전위가 낮은 반응 챔버(100) 하부 사이에서 이상 방전이 발생되지 않도록 재질이 선택될 수 있다. 즉, 제 2 리프트 핀(320)은 절연 재질로 제작될 수 있다. 물론, 제 2 리프트 핀(320)이 기판 지지대(200)에 불균일하게 집중된 전하를 배출시키는 경로, 즉 접지 라인 역할을 할 수 있고, 이를 위해 제 2 리프트 핀(320)는 도전 재질로 제작될 수 있다.
도 4 내지 도 7은 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리의 구동 방법을 설명하기 위한 단면도이다.
도 4를 참조하면, 기판 지지대(200)가 상승하면, 지판 지지대(200)의 걸림턱(230)에 제 2 리프트 핀(320)의 단턱부(328)가 지지되고, 제 2 리프트 핀(320)의 걸림턱(326)에 제 1 리프트 핀(310)이 단턱부(316)가 걸려 상승하게 된다. 즉, 기판 지지대(200)가 상승할 때 제 1 및 제 2 리프트 핀(310, 320)이 모두 상승하게 된다.
도 5를 참조하면, 기판 지지대(200)가 하강하면, 제 1 리프트 핀(310)의 하부가 반응 챔버(100)의 저면(100c)에 접촉하게 된다. 즉, 제 1 리프트 핀(310)의 스템(314)이 제 2 리프트 핀(320)의 몸체(324)보다 길게 제작되기 때문에 기판 지지대(200)가 하강하면 제 1 리프트 핀(310)의 스템(314) 하부면이 반응 챔버(100)의 저면(100c)에 먼저 접촉하게 된다. 이때, 제 1 리프트 핀(310)이 반응 챔버(100)의 저면(100c)에 접촉된 후에도 제 2 리프트 핀(320)의 몸체(324)가 제 1 리프트 핀(310)의 스템(312)을 감싸고 있으므로 스템(312)이 기울어지지 않고, 스템(312)이 기판 지지대(200)의 관통홀(220) 내측과 접촉하지 않으므로 제 1 리프트 핀(310)이 파손되지 않는다.
도 6을 참조하면, 제 1 리프트 핀(310)의 하부가 반응 챔버(100)의 저면(100c)에 접촉된 후에도 기판 지지대(200)가 계속 하강하면, 제 2 리프트 핀(320)의 몸체(324) 하부가 반응 챔버(100)의 저면(100c)에 접촉되고, 제 1 리프트 핀(310)의 제 1 헤드(312)가 기판 지지대(200)의 표면보다 상측으로 돌출된다. 즉, 제 1 리프트 핀(310)이 제 2 리프트 핀(320)보다 기판 지지대(200)의 상면으로 먼저 돌출된다. 이때, 제 2 리프트 핀(320)은 계속해서 하강되므로 기판 지지대(200)에 대하여 제 1 리프트 핀(310)의 상승과 제 2 리프트 핀(320)의 하강이 동시에 이루어진다. 또한, 제 2 리프트 핀(320)이 제 1 리프트 핀(310)을 감싸면서 반응 챔버(100)의 저면(100c)에 접촉하므로 제 1 리프트 핀(310)이 기울어지지 않는다.
도 7을 참조하면, 기판 지지대(200)가 계속 하강하면, 제 2 리프트 핀(320)의 일부, 즉 헤드(322)와 몸체(324)의 일부가 기판 지지대(200)보다 상측으로 돌출된다. 즉, 기판 지지대(200)의 상면으로 제 1 리프트 핀(310) 및 제 2 리프트 핀(320)이 순차적으로 돌출된다.
상기한 바와 같이 본 발명의 제 1 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리(300)는 기판(10)을 지지하는 제 1 리프트 핀(310)의 외부를 감싸도록 제 2 리프트 핀(320)이 마련되고, 제 2 리프트 핀(320)이 제 1 리프트 핀(310)과 함께 상하로 승하강할 수 있으므로 제 1 리프트 핀(310)이 반응 챔버(100)의 저면(100c)에 접촉되는 경우에도 제 1 리프트 핀(310)이 기울어지지 않고 기판 지지대(200)의 관통홀(220)의 내측면과 접촉되지도 않는다. 따라서, 제 1 리프트 핀(310)이 기울어지고, 그에 가해지는 압력에 의해 제 1 리프트 핀(310)이 파손되는 것을 방지할 수 있다. 한편, 상기 실시 예는 제 1 리프트 핀(310) 상에 기판(S)이 지지된 후 지판 지지대(200)로부터 기판(S)을 분리시키는 경우를 설명하였다. 그러나, 인입되는 기판(S)을 지지하기 위해서는 기판 지지대(200)로부터 돌출된 제 1 리프트 핀(310)에 기판(S)이 지지된 후 기판 지지대(200)가 상측으로 이동한 후 제 2 리프트 핀(320) 및 제 1 리프트 핀(310)의 순서로 상측으로 이동하게 된다. 이때, 기판 지지대(200)에 대하여 제 2 리프트 핀(320)의 상승과 제 1 리프트 핀(310)의 하강이 동시에 이루어질 수도 있다.
본 발명에 따른 리프트 핀 어셈블리(300)는 다양하게 변형 가능하며, 이러한 본 발명의 다양한 실시 예들을 도 8 내지 도 11을 이용하여 설명하면 다음과 같다.
도 8은 본 발명의 제 2 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리와 기판 지지대의 결합을 도시한 부분 단면도로서, 기판 지지대(200)의 관통홀(220) 내측에 윤활 수단(335)이 더 마련된다. 즉, 기판 지지대(200)의 관통홀(220) 내측에 안착공(미도시)이 마련되고, 안착공에 적어도 일부가 삽입되도록 볼 형상의 윤활 수단(335)이 마련될 수 있다. 윤활 수단(335)이 마련됨으로써 제 2 리프트 핀(320)의 관통홀(220)의 내면과 접촉하지 않으면서 더욱 원활하게 승하강이 가능하게 된다.
또한, 본 발명의 제 3 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리(300)는 도 9에 도시된 바와 같이 제 1 리프트 핀(310)의 하부, 즉 스템(314)의 하부에 접촉 부재(340)가 마련될 수 있다. 접촉 부재(340)는 제 1 리프트 핀(310)의 스템(314)의 폭보다 넓게 마련될 수 있다. 예를 들어, 접촉 부재(340)는 제 2 리프트 핀(320)의 몸체(324)과 같거나 넓은 폭으로 마련될 수 있다. 이러한 접촉 부재(340)는 제 1 리프트 핀(310)의 제 1 헤드(312) 및 스템(314)과 다른 재질로 마련될 수 있다. 즉, 접촉 부재(340)가 반응 챔버(100)의 저면(100c)과 접촉할 때 충격을 흡수하고, 파티클이 발생되지 않도록 하기 위해 예를 들어 적어도 일부가 폴리머 재질로 마련될 수 있다. 이러한 접촉 부재(340)는 기판 지지대(200)가 하강하면 반응 챔버(100)의 저면(100c)에 접촉하게 된다. 이때, 접촉 부재(340)가 마련됨으로써 제 1 리프트 핀(310)의 무게 중심이 낮아지게 되고, 그에 따라 제 1 리프트 핀(310)의 하측으로 이동될 때 제 1 리프트 핀(310)이 수직을 이루도록 유도할 수 있다.
그리고, 본 발명의 제 4 실시 예에 따른 리프트 핀 어셈블리(300)는 도 10에 도시된 바와 같이 제 2 리프트 핀(320)의 하부, 즉 몸체(324)의 하부에 접촉 부재(350)가 마련될 수 있다. 여기서, 접촉 부재(350)는 제 2 리프트 핀(320)의 몸체(324)의 폭보다 넓게 마련될 수 있다. 한편, 접촉 부재(350)는 제 2 리프트 핀(320)의 제 2 헤드(322) 및 몸체(324)와 다른 재질로 마련될 수 있는데, 접촉 부재(350)가 반응 챔버(100)의 저면(100c)과 접촉할 때 충격을 흡수하고, 파티클이 발생되는 것을 방지하기 위해 예를 들어 적어도 일부가 폴리머 재질로 마련될 수 있다. 이러한 리프트 핀 어셈블리(300)는 기판 지지대(200)가 하강하면, 제 1 리프트 핀(310)의 하부가 반응 챔버(100)의 저면(100c)에 먼저 접촉되고, 이어서 제 2 리프트 핀(320) 하부의 접촉 부재(350)가 반응 챔버(100)의 저면(100c)에 접촉된다. 여기서, 접촉 부재(350)가 마련되기 때문에 제 2 리프트 핀(320)의 무게 중심이 낮아지게 되고, 그에 따라 제 2 리프트 핀(320)이 흔들림없이 하측으로 이동될 수 있도록 할 수 있다. 즉, 제 2 리프트 핀(320)이 수직을 유지하며 하측 방향으로 이동할 수 있다.
한편, 도 11에 도시된 바와 같이 기판 지지대(200)는 하부에 소정의 높이로 하측으로 돌출된 돌출부(250)가 마련된다. 이때, 돌출부(250) 내에도 기판 지지대(200)의 관통홀(220)과 동일 위치에 관통홀이 형성되고, 관통홀의 제 2 리프트 핀(320)과의 사이에는 윤활 수단(337)이 더 마련될 수 있다. 즉, 돌출부(250)의 관통홀 내측에 안착공(미도시)이 마련되고, 안착공에 적어도 일부가 삽입되도록 볼 형상의 윤활 수단(337)이 마련될 수 있다. 윤활 수단(337)이 마련됨으로써 제 2 리프트 핀(320)이 돌출부(250)의 내면과 접촉하지 않으면서 더욱 원활하게 승하강이 가능하게 된다.
본 발명의 기술적 사상은 상기 실시 예에 따라 구체적으로 기술되었으나, 상기 실시 예는 그 설명을 위한 것이며, 그 제한을 위한 것이 아님을 주지해야 한다. 또한, 본 발명의 기술분야에서 당업자는 본 발명의 기술 사상의 범위 내에서 다양한 실시 예가 가능함을 이해할 수 있을 것이다.
100 : 반응 챔버 200 : 기판 지지대
300 : 리프트 핀 어셈블리 400 : 가스 분사부
500 : 전원부 600 : 가스 공급부
700 : 배기부 310 : 제 1 리프트 핀
320 : 제 2 리프트 핀

Claims (25)

  1. 기판 지지대;
    상기 기판 지지대에 안치되는 기판을 지지하며, 상기 기판 지지대에 대하여 승하강 가능한 제 1 리프트 핀;
    상기 제 1 리프트 핀의 승하강을 가이드하며, 상기 기판 지지대에 대하여 승하강 가능한 제 1 리프트 핀 가이드를 포함하고,
    상기 제 1 리프트 핀은, 상기 기판 지지대의 하강에 의하여 상기 기판 지지대가 마련된 반응 챔버의 저면에 접촉되어 상기 기판 지지대로부터 돌출되게 설치되고,
    상기 제 1 리프트 핀 가이드는, 상기 기판 지지대의 하강에 의해 상기 반응 챔버의 저면에 접촉되어 상기 기판 지지대로부터 돌출되게 설치되는 리프트 핀 어셈블리.
  2. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 가이드의 승하강을 가이드하며, 상기 기판 지지대와 상기 제 1 리프트 핀 가이드 사이에 위치하는 제 2 리프트 핀 가이드를 더 포함하는 리프트 핀 어셈블리.
  3. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 가이드의 상기 제 1 리프트 핀의 승하강 가이드 구간은 상기 기판 지지대의 두께보다 더 큰 리프트 핀 어셈블리.
  4. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀은 상기 기판 지지대의 상면으로부터 상기 제 1 리프트 핀 가이드보다 먼저 돌출되는 리프트 핀 어셈블리.
  5. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀과 상기 제 1 리프트 핀 가이드는 상기 기판 지지대의 상면으로부터 순차적으로 돌출되는 리프트 핀 어셈블리.
  6. 청구항 1에 있어서, 상기 기판 지지대에 대하여 상기 제 1 리프트 핀의 상승과 상기 제 1 리프트 핀 가이드의 하강이 동시에 이루어지는 리프트 핀 어셈블리.
  7. 청구항 1에 있어서, 상기 기판 지지대에 대하여 상기 제 1 리프트 핀의 하강과 상기 제 1 리프트 핀 가이드의 상승이 동시에 이루어지는 리프트 핀 어셈블리.
  8. 청구항 1에 있어서, 상기 기판 지지대에 대하여 상기 제 1 리프트 핀 가이드의 상승과 상기 기판 지지대의 하강이 동시에 이루어지는 리프트 핀 어셈블리.
  9. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀의 외면과 상기 제 1 리프트 핀 가이드의 내면 사이에 마련된 적어도 하나의 제 1 윤활 수단을 더 포함하는 리프트 핀 어셈블리.
  10. 청구항 9에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 가이드와 상기 기판 지지대의 관통홀 사이에 마련된 적어도 하나의 제 2 윤활 수단을 더 포함하는 리프트 핀 어셈블리.
  11. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀의 하부에 마련되고, 상기 제 1 리프트 핀의 직경보다 더 큰 길이를 갖는 접촉 부재를 더 포함하는 리프트 핀 어셈블리.
  12. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 가이드의 하부에 마련되고, 상기 제 1 리프트 핀 가이드의 몸체보다 넓은 폭으로 마련된 접촉 부재를 더 포함하는 리프트 핀 어셈블리.
  13. 청구항 1에 있어서, 상기 제 1 리프트 핀 가이드는 적어도 일부가 도전성 재질 또는 절연성 재질로 마련된 리프트 핀 어셈블리.
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  22. 반응 챔버;
    상기 반응 챔버 내부에 마련되어 기판이 지지되며, 복수의 관통홀이 마련된 기판 지지대; 및
    상기 기판 지지대의 관통홀을 통해 마련되어 상기 기판의 일부를 지지하는 복수의 리프트 핀 어셈블리를 포함하고,
    상기 리프트 핀 어셈블리는 적어도 일부가 상기 기판의 하면을 지지하며, 승하강 가능한 제 1 리프트 핀과,
    상기 제 1 리프트 핀의 승하강을 가이드하며 상기 관통홀을 통하여 승하강 가능한 제 2 리프트 핀을 포함하고,
    상기 제 1 리프트 핀은, 상기 기판 지지대의 하강에 의하여 상기 반응 챔버의 저면에 접촉되어 상기 기판 지지대로부터 돌출되게 설치되고,
    상기 제 2 리프트 핀은, 상기 기판 지지대의 하강에 의해 상기 반응 챔버의 저면에 접촉되어 상기 기판 지지대로부터 돌출되게 설치되는 기판 처리 장치.
  23. 반응 챔버;
    상기 반응 챔버 내부에 마련되어 기판이 지지되며, 복수의 관통홀이 마련된 기판 지지대; 및
    상기 기판 지지대의 관통홀을 통해 마련되어 상기 기판의 일부를 지지하는 복수의 리프트 핀 어셈블리를 포함하고,
    상기 리프트 핀 어셈블리는 적어도 일부가 상기 기판의 하면을 지지하며, 승하강 가능한 제 1 리프트 핀과,
    상기 제 1 리프트 핀의 승하강의 일부를 수용하며, 상기 기판 지지대에 대하여 승하강 가능한 제 2 리프트 핀을 포함하고,
    상기 제 1 리프트 핀은, 상기 기판 지지대의 하강에 의하여 상기 반응 챔버의 저면에 접촉되어 상기 기판 지지대로부터 돌출되게 설치되고,
    상기 제 2 리프트 핀은, 상기 기판 지지대의 하강에 의해 상기 반응 챔버의 저면에 접촉되어 상기 기판 지지대로부터 돌출되게 설치되는 기판 처리 장치.
  24. 기판이 안치된 기판 지지대에서 기판을 분리하는 방법으로서,
    반응 챔버를 준비하는 단계;
    상기 반응 챔버 내부에 마련되어 복수의 관통홀이 마련된 기판 지지대를 준비하는 단계;
    상기 기판 지지대의 관통홀을 통해 마련되어 상기 기판의 일부를 지지하는 복수의 리프트 핀 어셈블리를 준비하는 단계;
    상기 기판 지지대와 상기 복수의 리프트 핀 어셈블리를 하강하는 단계;
    상기 복수의 리프트 핀 어셈블리의 제 1 리프트 핀이 상기 반응 챔버의 내벽에 접촉하는 단계;
    상기 제 1 리프트 핀에 의해서 상기 기판의 적어도 일부가 상기 기판 지지대로부터 분리되는 단계; 및
    상기 복수의 리프트 핀 어셈블리의 제 2 리프트 핀이 상기 반응 챔버의 내벽에 접촉하는 단계를 포함하고,
    상기 리프트 핀 어셈블리는 적어도 일부가 상기 기판의 하면을 지지하며, 승하강 가능한 제 1 리프트 핀과,
    상기 제 1 리프트 핀의 승하강을 가이드하며, 기판 지지대에 대하여 승하강 가능한 제 2 리프트 핀을 포함하고,
    상기 제 1 리프트 핀은, 상기 기판 지지대의 하강에 의하여 상기 반응 챔버의 저면에 접촉되어 상기 기판 지지대로부터 돌출되게 설치되고,
    상기 제 2 리프트 핀은, 상기 기판 지지대의 하강에 의해 상기 반응 챔버의 저면에 접촉되어 상기 기판 지지대로부터 돌출되게 설치되는 기판 분리 방법.
  25. 기판이 안치된 기판 지지대에서 기판을 분리하는 방법으로서,
    반응 챔버를 준비하는 단계;
    상기 반응 챔버 내부에 마련되어 복수의 관통홀이 마련된 기판 지지대를 준비하는 단계;
    상기 기판 지지대의 관통홀을 통해 마련되어 상기 기판의 일부를 지지하는 복수의 리프트 핀 어셈블리를 준비하는 단계;
    상기 기판 지지대와 상기 복수의 리프트 핀 어셈블리를 하강하는 단계;
    상기 복수의 리프트 핀 어셈블리의 제 1 리프트 핀이 상기 반응 챔버의 내벽에 접촉하는 단계;
    상기 제 1 리프트 핀에 의해서 상기 기판의 적어도 일부가 상기 기판 지지대로부터 분리되는 단계; 및
    상기 복수의 리프트 핀 어셈블리의 제 2 리프트 핀이 상기 반응 챔버의 내벽에 접촉하는 단계를 포함하고,
    상기 리프트 핀 어셈블리는 적어도 일부가 상기 기판의 하면을 지지하며, 승하강 가능한 제 1 리프트 핀과,
    상기 제 1 리프트 핀의 승하강의 일부를 수용하며, 기판 지지대에 대하여 승하강 가능한 제 2 리프트 핀을 포함하고,
    상기 제 1 리프트 핀은, 상기 기판 지지대의 하강에 의하여 상기 반응 챔버의 저면에 접촉되어 상기 기판 지지대로부터 돌출되게 설치되고,
    상기 제 2 리프트 핀은, 상기 기판 지지대의 하강에 의해 상기 반응 챔버의 저면에 접촉되어 상기 기판 지지대로부터 돌출되게 설치되는 기판 분리 방법.
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