KR102334531B1 - 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 - Google Patents

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법 Download PDF

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Abstract

본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 공정 처리부와; 상기 공정 처리부로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생부를 포함하고, 상기 공정 처리부는, 처리 공간을 가지는 하우징과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛과 상기 플라즈마 발생부 사이에 배치되는 배플 유닛을 포함하고, 상기 배플 유닛은, 복수의 제1홀이 형성된 제1배플과; 상기 제1배플이 놓이고, 상기 제1배플을 냉각시키는 냉각 블록과; 상기 냉각 블록을 승강하는 승강 샤프트를 포함할 수 있다.

Description

기판 처리 장치 및 기판 처리 방법{Substrate processing apparatus and substrate processing method}
본 발명은 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법에 관한 것으로, 보다 상세하게는 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 기판 처리 장치에 관한 것이다.
플라즈마는 이온이나 라디칼, 그리고 전자 등으로 이루어진 이온화된 가스 상태를 말하며, 매우 높은 온도나, 강한 전계 혹은 고주파 전자계(RF Electromagnetic Fields)에 의해 생성된다. 반도체 소자 제조 공정은 플라즈마를 사용하여 기판 상의 박막을 제거하는 애싱 또는 식각 공정을 포함한다. 애싱 또는 식각 공정은 플라즈마에 함유된 이온 및 라디칼 입자들이 기판 상의 막과 충돌 또는 반응함으로써 수행된다.
일반적으로 옥사이드 막과 같은 기판 상의 박막을 제거하는 공정은, 플라즈마를 공급하여 박막을 제거하는 플라즈마 처리 공정과 플라즈마 처리 공정에서 발생되는 부산물을 가열하여 휘발시키는 가열 처리 공정을 포함한다. 플라즈마 처리 공정은 저온의 분위기에서 수행되고, 가열 처리 공정은 비교적 고온의 분위기에서 수행되므로, 각각의 처리 공정은 별도의 챔버에서 수행된다. 이 경우 플라즈마 처리 공정이 수행된 기판을 가열 처리 공정을 수행하는 챔버로 반송하여야 하므로 공정 처리 시간을 증가시킨다.
본 발명은 기판 처리 시간을 단축할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 기판을 효율적으로 처리할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
또한, 본 발명은 배플의 온도가 설정 온도보다 높아지는 것을 최소화 할 수 있는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법을 제공하는 것을 일 목적으로 한다.
본 발명이 해결하고자 하는 과제가 상술한 과제들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 과제들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명의 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확하게 이해될 수 있을 것이다.
본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 공정 처리부와; 상기 공정 처리부로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생부를 포함하고, 상기 공정 처리부는, 처리 공간을 가지는 하우징과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛과 상기 플라즈마 발생부 사이에 배치되는 배플 유닛을 포함하고, 상기 배플 유닛은, 복수의 제1홀이 형성된 제1배플과; 상기 제1배플이 놓이고, 상기 제1배플을 냉각시키는 냉각 블록과; 상기 냉각 블록을 승강하는 승강 샤프트를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 냉각 블록은, 링 형상을 가지고, 상기 제1배플의 가장자리 영역이 놓이고, 냉각 유체가 흐르는 유로가 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 유닛은, 복수의 벨로우즈를 포함하되, 상기 승강 샤프트는, 상기 벨로우즈 내에 제공되고, 내부에 상기 냉각 유체가 흐르고 상기 유로와 연통하는 유체 채널이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 승강 샤프트는, 복수로 제공되고, 상기 승강 샤프트 중 어느 하나에는 상기 냉각 유체를 상기 유로로 공급하는 공급 채널이 형성되고, 상기 승강 샤프트 중 다른 하나에는 상기 유로로부터 상기 냉각 유체를 외부로 배출하는 배출 채널이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 냉각 블록은, 외측 상면의 높이가 내측 상면의 높이보다 높도록 단차지고, 상기 제1배플은, 그 가장자리 영역이 상기 냉각 블록의 상기 내측 상면에 놓일 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 유닛은, 상기 제1배플 내에 제공되는 히터와; 상기 히터에 전력을 인가하는 전원을 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 유닛은, 상기 제1배플의 온도를 측정하는 온도 측정 센서를 더 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 유닛은, 상기 히터와 상기 전원을 연결하는 전력 공급 라인과; 상기 제1배플과 상기 온도 측정 센서를 연결하는 인터페이스 라인을 포함하고, 상기 전력 공급 라인은, 복수의 상기 벨로우즈 중 어느 하나에 삽입되고, 상기 인터페이스 라인은, 복수의 상기 벨로우즈 중 다른 하나에 삽입될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 전력 공급 라인, 그리고 상기 인터페이스 라인이 삽입된 벨로우즈와 상기 승강 샤프트가 제공되는 벨로우즈는 서로 상이할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 제어기를 더 포함하고, 상기 제어기는, 상기 온도 측정 센서가 측정하는 상기 제1배플의 온도 값에 근거하여 상기 전력의 크기를 조절할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 장치는, 제어기를 더 포함하고, 상기 지지 유닛은, 기판을 승강시키는 리프트 핀을 포함하고, 상기 제어기는, 상기 플라즈마로 기판을 처리시 상기 제1배플과 상기 지지 유닛에 지지된 기판 사이의 간격을 제1간격으로 조절하고, 상기 제1배플로 기판을 가열시 상기 제1배플과 상기 지지 유닛에 지지된 기판 사이의 간격을 제2간격으로 조절하도록 상기 지지 유닛과 상기 배플 유닛을 제어하되, 상기 제2간격은 상기 제1간격보다 작을 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 유닛은, 상기 제1배플보다 상부에 배치되고, 복수의 제2홀이 형성되고, 그 높이가 고정되는 제2배플을 포함하고, 상기 제1배플은, 상부가 개방된 원통 형상을 가지고, 상기 원통의 바닥면에 상기 제1홀들이 형성되고, 상부에서 바라 볼 때, 상기 제2배플보다 큰 직경으로 제공될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 제2배플은, 그 상면의 높이가 가장자리 영역에서 중심 영역으로 갈수록 높아질 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 방법을 제공한다. 기판을 처리하는 방법은, 상기 플라즈마를 공급하여 상기 기판을 처리하는 플라즈마 처리 단계와; 상기 기판을 가열하는 가열 처리 단계를 포함하고, 상기 플라즈마 처리 단계와 상기 가열 처리 단계는 상기 하우징에서 수행되고, 상기 가열 처리 단계에는, 상기 기판을 상승시키고, 상기 제1배플을 하강시키되, 상기 제1배플은 가열되어 상기 기판으로 열을 전달할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 가열 처리 단계에는, 상기 제1배플의 온도 값을 측정하고, 상기 온도 값에 근거하여 상기 제1배플에 인가되는 전력의 크기를 조절할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 냉각 블록에 형성된 유로로 냉각 유체를 전달하여 상기 제1배플을 냉각시킬 수 있다.
또한, 본 발명은 기판을 처리하는 장치를 제공한다. 기판을 처리하는 장치는, 기판이 수납된 캐리어가 안착되는 로드 포트를 가지는 설비 전방 단부 모듈과; 상기 설비 전방 단부 모듈로부터 기판을 반송 받아 기판을 처리하는 처리 모듈을 포함하고, 상기 처리 모듈은, 기판을 반송하는 트랜스퍼 챔버와; 상기 트랜스퍼 챔버와 인접하게 배치되고, 기판을 처리하는 프로세스 챔버를 포함하고, 상기 프로세스 챔버는, 기판이 처리되는 공간을 제공하는 공정 처리부와; 상기 공정 처리부로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생부를 포함하고, 상기 공정 처리부는, 처리 공간을 가지는 하우징과; 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과; 상기 지지 유닛과 상기 플라즈마 발생부 사이에 배치되는 배플 유닛을 포함하고, 상기 배플 유닛은, 복수의 제1홀이 형성된 제1배플과; 상기 제1배플이 놓이고, 상기 제1배플을 냉각시키는 냉각 블록과; 상기 냉각 블록을 승강하는 승강 샤프트를 포함할 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 냉각 블록은, 링 형상을 가지고, 상기 제1배플의 가장자리 영역이 놓이고, 냉각 유체가 흐르는 유로가 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 유닛은, 복수의 벨로우즈를 포함하되, 상기 승강 샤프트는, 상기 벨로우즈 내에 제공되고, 내부에 상기 냉각 유체가 흐르고 상기 유로와 연통하는 유체 채널이 형성될 수 있다.
일 실시 예에 의하면, 상기 배플 유닛은, 상기 제1배플보다 상부에 배치되고, 복수의 제2홀이 형성되고, 그 높이가 고정되는 제2배플을 포함하고, 상기 제1배플은, 상부가 개방된 원통 형상을 가지고, 상기 원통의 바닥면에 상기 제1홀들이 형성되고, 상부에서 바라 볼 때, 상기 제2배플보다 큰 직경으로 제공될 수 있다.
본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판 처리 시간을 단축할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 기판을 효율적으로 처리할 수 있다.
또한, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 배플의 온도가 설정 온도보다 높아지는 것을 최소화 할 수 있다.
본 발명의 효과가 상술한 효과들로 한정되는 것은 아니며, 언급되지 아니한 효과들은 본 명세서 및 첨부된 도면으로부터 본 발명이 속하는 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 명확히 이해될 수 있을 것이다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다.
도 2는 도 1의 프로세스 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 3은 도 2의 배플 유닛의 일부를 상부에서 바라본 도면이다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 도면이다.
도 5는 도 4의 플라즈마 처리 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
도 6은 도 4의 가열 처리 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
아래에서는 첨부한 도면을 참고로 하여 본 발명의 실시 예에 대하여 본 발명이 속하는 기술 분야에서 통상의 지식을 가진 자가 용이하게 실시할 수 있도록 상세히 설명한다. 그러나 본 발명은 여러 가지 상이한 형태로 구현될 수 있으며 여기에서 설명하는 실시 예에 한정되지 않는다. 또한, 본 발명의 바람직한 실시예를 상세하게 설명함에 있어, 관련된 공지 기능 또는 구성에 대한 구체적인 설명이 본 발명의 요지를 불필요하게 흐릴 수 있다고 판단되는 경우에는 그 상세한 설명을 생략한다. 또한, 유사한 기능 및 작용을 하는 부분에 대해서는 도면 전체에 걸쳐 동일한 부호를 사용한다.
어떤 구성요소를 '포함'한다는 것은, 특별히 반대되는 기재가 없는 한 다른 구성요소를 제외하는 것이 아니라 다른 구성요소를 더 포함할 수 있다는 것을 의미한다. 구체적으로, "포함하다" 또는 "가지다" 등의 용어는 명세서상에 기재된 특징, 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것이 존재함을 지정하려는 것이지, 하나 또는 그 이상의 다른 특징들이나 숫자, 단계, 동작, 구성요소, 부품 또는 이들을 조합한 것들의 존재 또는 부가 가능성을 미리 배제하지 않는 것으로 이해되어야 한다.
단수의 표현은 문맥상 명백하게 다르게 뜻하지 않는 한, 복수의 표현을 포함한다. 또한 도면에서 요소들의 형상 및 크기 등은 보다 명확한 설명을 위해 과장될 수 있다.
이하 도 1 내지 도 6을 참조하여 본 발명의 실시 예를 상세히 설명한다.
도 1은 본 발명의 기판 처리 장치를 개략적으로 보여주는 도면이다. 도 1을 참조하면, 기판 처리 장치(1)는 설비 전방 단부 모듈(equipment front end module, EFEM)(20) 및 처리 모듈(30)을 가진다. 설비 전방 단부 모듈(20)과 처리 모듈(30)은 일 방향으로 배치된다.
설비 전방 단부 모듈(20)은 로드 포트(load port, 10) 및 이송 프레임(21)을 가진다. 로드 포트(10)는 제1방향(11)으로 설비 전방 단부 모듈(20)의 전방에 배치된다. 로드 포트(10)는 복수 개의 지지부(6)를 가진다. 각각의 지지부(6)는 제 2 방향(12)으로 일렬로 배치되며, 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된 캐리어(4)(예를 들어, 카세트, FOUP등)가 안착된다. 캐리어(4)에는 공정에 제공될 기판(W) 및 공정 처리가 완료된 기판(W)이 수납된다. 이송 프레임(21)은 로드 포트(10)와 처리 모듈(30) 사이에 배치된다. 이송 프레임(21)은 그 내부에 배치되고 로드 포트(10)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송하는 제 1 이송로봇(25)을 포함한다. 제 1 이송로봇(25)은 제 2 방향(12)으로 구비된 이송 레일(27)을 따라 이동하여 캐리어(4)와 처리 모듈(30)간에 기판(W)을 이송한다.
처리 모듈(30)은 설비 전방 단부 모듈(20)로부터 기판(W)을 반송받아 기판(W)을 처리할 수 있다. 처리 모듈(30)은 로드락 챔버(40), 트랜스퍼 챔버(50), 그리고 프로세스 챔버(60)를 포함한다.
로드락 챔버(40)는 이송 프레임(21)에 인접하게 배치된다. 일 예로, 로드락 챔버(40)는 트랜스퍼 챔버(50)와 설비 전방 단부 모듈(20)사이에 배치될 수 있다. 로드락 챔버(40)는 공정에 제공될 기판(W)이 프로세스 챔버(60)로 이송되기 전, 또는 공정 처리가 완료된 기판(W)이 설비 전방 단부 모듈(20)로 이송되기 전 대기하는 공간을 제공한다.
트랜스퍼 챔버(50)는 기판(W)을 반송할 수 있다. 트랜스퍼 챔버(50)는 로드락 챔버(40)에 인접하게 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 다각형의 몸체를 갖는다. 도 1을 참조하면, 트랜스퍼 챔버(50)는 상부에서 바라볼 때, 오각형의 몸체를 갖는다. 몸체의 외측에는 로드락 챔버(40)와 복수개의 프로세스 챔버(60)들이 몸체의 둘레를 따라 배치된다. 몸체의 각 측벽에는 기판(W)이 출입하는 통로(미도시)가 형성되며, 통로는 트랜스퍼 챔버(50)와 로드락 챔버(40) 또는 프로세스 챔버(60)들을 연결한다. 각 통로에는 통로를 개폐하여 내부를 밀폐시키는 도어(미도시)가 제공된다. 트랜스퍼 챔버(50)의 내부공간에는 로드락 챔버(40)와 프로세스 챔버(60)들간에 기판(W)을 이송하는 제 2 이송로봇(53)이 배치된다. 제 2 이송로봇(53)은 로드락 챔버(40)에서 대기하는 미처리된 기판(W)을 프로세스 챔버(60)로 이송하거나, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 로드락 챔버(40)로 이송한다. 그리고, 복수개의 프로세스 챔버(60)에 기판(W)을 순차적으로 제공하기 위하여 프로세스 챔버(60)간에 기판(W)을 이송한다. 도 1과 같이, 트랜스퍼 챔버(50)가 오각형의 몸체를 가질 때, 설비 전방 단부 모듈(20)과 인접한 측벽에는 로드락 챔버(40)가 각각 배치되며, 나머지 측벽에는 프로세스 챔버(60)들이 연속하여 배치된다. 트랜스퍼 챔버(50)는 상기 형상뿐만 아니라, 요구되는 공정 모듈에 따라 다양한 형태로 제공될 수 있다.
프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)에 인접하게 배치될 수 있다. 프로레스 챔버(60)는 기판(W)을 처리할 수 있다. 프로세스 챔버(60)는 트랜스퍼 챔버(50)의 둘레를 따라 배치된다. 프로세스 챔버(60)는 복수개 제공될 수 있다. 각각의 프로세스 챔버(60)내에서는 기판(W)에 대한 공정 처리가 진행된다. 프로세스 챔버(60)는 제 2 이송로봇(53)으로부터 기판(W)을 이송 받아 공정 처리를 하고, 공정 처리가 완료된 기판(W)을 제 2 이송로봇(53)으로 제공한다. 각각의 프로세스 챔버(60)에서 진행되는 공정 처리는 서로 상이할 수 있다.
이하, 프로세스 챔버(60) 중 플라즈마 처리 공정과 가열 처리 공정을 수행하는 기판 처리 장치(1000)에 대해서 상술한다.
도 2는 도 1의 프로세스 챔버에 제공되는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 3은 도 2의 배플 유닛의 일부를 상부에서 바라본 도면이다. 도 2와 도 3을 참조하면, 기판 처리 장치(1000)는 플라즈마를 이용하여 기판(W) 상에 소정의 공정을 수행한다. 일 예로, 기판 처리 장치(1000)는 기판(W) 상의 박막을 식각 또는 애싱할 수 있다. 박막은 폴리 실리콘막, 실리콘 산화막, 그리고 실리콘 질화막 등 다양한 종류의 막일 수 있다. 또한, 박막은 자연 산화막이나 화학적으로 생성된 산화막일 수 있다.
기판 처리 장치(1000)는 공정 처리부(200), 배플 유닛(300), 플라즈마 발생부(400), 배기부(600), 그리고 제어기(900)를 포함할 수 있다.
공정 처리부(200)는 기판(W)이 놓이고 공정이 수행되는 공간을 제공한다. 플라즈마 발생부(400)는 공정 처리부(200)의 외부에서 공정 가스로부터 플라즈마(Plasma)를 생성시키고, 이를 공정 처리부(200)로 공급한다. 배플 유닛(300)은 공정 처리부(200)와 플라즈마 발생부(400) 사이에 배치될 수 있다. 배플 유닛(300)은 플라즈마 발생부(400)에서 공정 처리부(200)로 공급하는 플라즈마(P)가 기판(W)으로 균일하게 전달될 수 있도록 한다. 배기부(600)는 공정 처리부(200) 내부에 머무르는 가스 및 기판 처리 과정에서 발생한 반응 부산물 등을 외부로 배출하고, 공정 처리부(200) 내의 압력을 설정 압력으로 유지한다.
공정 처리부(200)는 하우징(210), 그리고 지지 유닛(230)을 포함할 수 있다.
하우징(210)은 내부에 처리 공간(212)을 가질 수 있다. 처리 공간(212)에서는 기판(W)이 처리될 수 있다. 하우징(210)은 상부가 개방되고, 측벽에는 개구(미도시)가 형성될 수 있다. 기판(W)은 개구를 통하여 하우징(210) 내부로 출입한다. 개구는 도어(미도시)와 같은 개폐 부재에 의해 개폐될 수 있다. 또한, 하우징(210)의 바닥면에는 배기홀(214) 형성된다. 처리 공간(212)의 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스는 배기홀(214)을 통해 외부로 배기될 수 있다. 배기홀(214)은 후술하는 배기부(600)가 포함하는 구성들과 연결될 수 있다.
지지 유닛(230)은 처리 공간(212)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 유닛(230)은 지지 플레이트(232), 지지축(234), 그리고 리프트 핀(236)을 포함할 수 있다. 지지 플레이트(232)는 처리 공간(212)에서 기판(W)을 지지할 수 있다. 지지 플레이트(232)는 기판(W)이 안착되는 안착면을 가질 수 있다. 지지 플레이트(232)는 상부에서 바라볼 때 원판 형상을 가질 수 있다. 지지 플레이트(232)의 하면은 지지축(234)과 연결될 수 있다. 지지 플레이트(232)는 지지축(234)에 의해 지지될 수 있다.
지지축(234)은 대상물을 이동시킬 수 있다. 예컨대, 지지축(234)은 기판(W)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 일 예로, 지지축(234)은 지지 플레이트(232)와 결합되고, 지지 플레이트(232)를 승하강 시켜 기판(W)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 리프트 핀(236)은 기판(W)을 상하 방향으로 이동시킬 수 있다. 리프트 핀(236)은 복수로 제공될 수 있다. 리프트 핀(236)은 기판(W)의 하면을 지지하여 기판(W)을 승강 시킬 수 있다.
배플 유닛(300)은 공정 처리부(200)와 플라즈마 발생부(400) 사이에 배치될 수 있다. 배플 유닛(300)은 지지 유닛(230)과 플라즈마 발생부(400) 사이에 배치될 수 있다. 플라즈마 발생부(400)에서 발생하는 플라즈마(P)와 공정 가스는 배플 유닛(300)을 통해 기판(W)으로 균일하게 전달될 수 있다. 배플 유닛(300)은 배플 챔버(310), 제1배플(320), 제2배플(330), 냉각 블록(340), 승강 샤프트(350), 벨로우즈(360), 전원(370), 그리고 온도 측정 센서(380)를 포함할 수 있다.
배플 챔버(310)는 제1배플(320)과 제2배플(330)을 지지할 수 있다. 배플 챔버(310)는 하우징(210)의 상부에 배치될 수 있다. 배플 챔버(310)는 확산 챔버(440)의 하부에 배치될 수 있다. 배플 챔버(310)는 하우징(210)과 확산 챔버(440) 사이에 배치될 수 있다. 배플 챔버(310)는 상부에서 바라볼 때 하우징(210)과 대응하는 형상을 가질 수 있다. 배플 챔버(310)는 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 배플 챔버(310)는 단면에서 바라 볼 때 하면이 개방된 형상을 가질 수 있다.
제1배플(320)은 지지 유닛(230)보다 상부에 배치될 수 있다. 제1배플(320)에는 복수의 제1홀(322)이 형성될 수 있다. 제1배플(320)은 상부가 개방된 통 형상을 가질 수 있다. 제1배플(320)은 상부가 개방된 원통 형상을 가질 수 있다. 복수의 제1홀(322)은 제1배플(320)의 상기 원통의 바닥면에 형성될 수 있다. 제1배플(320) 가장자리 영역의 하면은 내측 하면이 외측 하면보다 낮도록 단차질 수 있다. 제1배플(320)의 외측 하면은 후술하는 냉각 블록(340)에 놓일 수 있다. 제1배플(320)에는 히터(미도시)가 제공될 수 있다. 히터는 제1배플(320) 내에 제공될 수 있다. 제1배플(320)에 제공되는 히터는 후술하는 전원(370)과 연결될 수 있다.
제2배플(330)은 지지 유닛(230)보다 상부에 배치될 수 있다. 제2배플(330)은 제1배플(320)보다 상부에 배치될 수 있다. 제2배플(330)은 그 높이가 고정될 수 있다. 제2배플(330)에는 복수의 제2홀(332)이 형성될 수 있다. 제2배플(330)은 상부에서 바라볼 때 판 형상을 가질 수 있다. 제2배플(330)은 상부에서 바라볼 때 원판 형상을 가질 수 있다. 제2배플(330)은 단면에서 바라볼 때 그 상면의 높이가 가장자리 영역에서 중심 영역으로 갈수록 높아질 수 있다. 제2배플(330)은 단면에서 바라볼 때 그 상면이 가장자리 영역에서 중심 영역으로 갈수록 상향 경사지는 형상을 가질 수 있다. 이에, 플라즈마(P)가 기판(W)의 전 영역으로 균일하게 전달될 수 있다. 제2배플(330)은 배플 챔버(310)에 고정 결합될 수 있다. 제2배플(330)은 배플 챔버(310)에 나사 등과 같은 결합 수단으로 고정될 수 있다. 또한, 제2배플(330)은 상부에서 바라볼 때 제1배플(320)보다 작은 직경으로 제공될 수 있다. 즉, 제1배플(320)은 상부에서 바라볼 때 제2배플(330)보다 큰 직경으로 제공될 수 있다.
냉각 블록(340)은 제1배플(320)을 냉각시킬 수 있다. 냉각 블록(340)은 상부에서 바라볼 때 링 형상을 가질 수 있다. 냉각 블록(340)은 상부에서 바라볼 때 원형의 링 형상을 가질 수 있다. 냉각 블록(340)은 그 외측 상면(346)의 높이가 내측 상면(344)의 높이보다 높도록 단차질 수 있다. 제1배플(320)은 냉각 블록(340)의 내측 상면(344)에 놓일 수 있다. 또한, 냉각 블록(340)에는 유로(342)가 형성될 수 있다. 유로(342)에는 냉각 유체가 흐를 수 있다. 냉각 유체는 냉각수 또는 냉각 가스일 수 있다. 유로(342)는 단면에서 바라볼 때 원 형상을 가질 수 있다. 유로(342)는 후술하는 유체 채널(352)과 연통될 수 있다.
승강 샤프트(350)는 배플 챔버(310)에 형성된 개구에 삽입될 수 있다. 승강 샤프트(350)는 배플 챔버(310)에 형성된 개구에 상하 방향으로 움직일 수 있도록 삽입될 수 있다. 승강 샤프트(350)는 냉각 블록(340)을 승강시킬 수 있다. 승강 샤프트(350)는 제1배플(320)을 승강시킬 수 있다. 승강 샤프트(350)는 냉각 블록(340)을 승강시키고, 냉각 블록(340)에 놓인 제1배플(320)을 상하 방향으로 이동 시킬 수 있다. 승강 샤프트(350)는 냉각 블록(340)과 연결될 수 있다. 승강 샤프트(350)는 복수로 제공될 수 있다. 복수로 제공되는 승강 샤프트(350)는 서로 이격되어 제공될 수 있다. 승강 샤프트(350)들은 서로 동일한 간격으로 이격되도록 제공될 수 있다. 예컨대, 승강 샤프트(350)는 3 개로 제공되어, 냉각 블록(340)을 3 축 지지할 수 있다.
승강 샤프트(350)들 중 일부에는 유체 채널(352)이 형성될 수 있다. 유체 채널(352)은 냉각 블록(340)에 형성되는 유로(342)와 연통할 수 있다. 유체 채널(352)의 종류로는 유로(342)에 냉각 유체를 공급하는 공급 채널 유로(342)로부터 냉각 유체를 외부로 배출하는 배출 채널을 포함할 수 있다. 승강 샤프트(350)들 중 어느 하나에는 공급 채널이 형성될 수 있다. 승강 샤프트(350)들 중 다른 하나에는 배출 채널이 형성될 수 있다. 공급 채널은 냉각 유체를 공급하는 유체 공급원(354)과 연결될 수 있다. 유체 공급원(354)은 유체 공급 라인(356)을 통해 공급 채널과 연결될 수 있다. 배출 채널은 유체 배출 라인(358)과 연결될 수 있다. 또한, 승강 샤프트(350)들 중 일부에는 유체 채널(352)이 형성되지 않을 수 있다. 예컨대, 승강 샤프트(350)가 3 개가 제공되는 경우, 승강 샤프트(350)는 공급 채널이 형성되는 승강 샤프트, 배출 채널이 형성되는 승강 샤프트, 유체 채널이 형성되지 않는 승강 샤프트를 포함할 수 있다.
벨로우즈(360)는 승강 샤프트(350)를 감싸도록 제공될 수 있다. 승강 샤프트(350)는 벨로우즈(360) 내에 제공될 수 있다. 승강 샤프트(350)의 일부는 벨로우즈(360) 내에 제공될 수 있다. 승강 샤프트(350)가 처리 공간(212)에 노출되는 영역은 벨로우즈(360)로 감싸질 수 있다. 벨로우즈(360)는 승강 샤프트(350)가 이동되더라도, 처리 공간(212)이 외부 공간에 대하여 기밀성을 유지할 수 있도록 한다. 벨로우즈(360)는 탄성을 가지는 재질로 제공될 수 있다.
벨로우즈(360)는 복수로 제공될 수 있다. 복수로 제공되는 벨로우즈(360)는 서로 이격되어 제공될 수 있다. 예컨대, 벨로우즈(360)는 5 개로 제공될 수 있다. 설명의 편의를 위해, 복수의 벨로우즈(360)를 제1벨로우즈(361), 제2벨로우즈(362), 제3벨로우즈(363), 제4벨로우즈(364), 제5벨로우즈(365)로 구분하면, 제1벨로우즈(361), 제2벨로우즈(362), 제3벨로우즈(363) 내에는 승강 샤프트(350)가 제공될 수 있다. 제1벨로우즈(361) 내에는 공급 채널이 형성되는 승강 샤프트(350)가 제공될 수 있다. 제2벨로우즈(362) 내에는 배출 채널이 형성되는 승강 샤프트(350)가 제공될 수 있다. 제3벨로우즈(363)에는 유체 채널(352)이 형성되지 않는 승강 샤프트(350)가 제공될 수 있다. 제4벨로우즈(364) 내에는 후술하는 전력 공급 라인(372)이 제공될 수 있다. 제5벨로우즈(365)에는 후술하는 인터페이스 라인(382)이 제공될 수 있다. 상술한 실시 예는, 하나의 예시에 불과하고 벨로우즈(360)의 개수, 배치, 벨로우즈(360) 내에 제공되는 기재는 다양하게 변형될 수 있다.
전원(370)은 제1배플(320)에 제공되는 히터와 연결될 수 있다. 전원(370)은 히터에 전력을 인가할 수 있다. 전원(370)이 히터에 전력을 인가하면 제1배플(320)의 온도는 상승할 수 있다. 전원(370)과 히터를 연결하는 전력 공급 라인(372)은 복수의 벨로우즈(360) 중 어느 하나에 삽입될 수 있다. 예컨대, 상술한 예와 같이 전력 공급 라인(372)은 제4벨로우즈(364) 내에 삽입될 수 있다. 즉, 전력 공급 라인(372)이 제공되는 벨로우즈는 승강 샤프트가 제공되는 벨로우즈와 서로 상이할 수 있다.
온도 측정 센서(380)는 제1배플(320)의 온도를 측정할 수 있다. 온도 측정 센서(380)는 제1배플(320)의 온도를 측정하고, 측정 값을 후술하는 제어기(900)로 전달할 수 있다. 온도 측정 센서(380)와 제1배플(320)은 인터페이스 라인(382)을 통해 연결될 수 있다. 인터페이스 라인(382)은 복수의 벨로우즈(360) 중 다른 하나에 삽입될 수 있다. 예컨대, 상술한 예와 같이 인터페이스 라인(382)은 제5벨로우즈(365) 내에 삽입될 수 있다. 즉, 인터페이스 라인(382)이 제공되는 벨로우즈는 승강 샤프트가 제공되는 벨로우즈와 서로 상이할 수 있다.
플라즈마 발생부(400)는 하우징(210)의 상부에 위치되어 플라즈마 발생 유닛으로 제공된다. 플라즈마 발생부(400)는 공정 가스를 방전시켜 플라즈마를 생성하고, 생성된 플라즈마를 처리 공간(212)으로 공급한다. 플라즈마 발생부(400)는 플라즈마 챔버(410), 가스 공급 유닛(420), 전력 인가 유닛(430), 그리고 확산 챔버(440)를 포함한다.
플라즈마 챔버(410)에는 상면 및 하면이 개방된 플라즈마 발생 공간(412)이 내부에 형성된다. 플라즈마 챔버(410)의 상단은 가스 공급 포트(414)에 의해 밀폐된다. 가스 공급 포트(414)는 가스 공급 유닛(420)과 연결된다. 공정 가스는 가스 공급 포트(414)를 통해 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급된다. 플라즈마 발생 공간(412)으로 공급된 가스는 배플(250)을 거쳐 처리 공간(212)으로 유입된다.
전력 인가 유닛(430)은 플라즈마 발생 공간(412)에 고주파 전력을 인가한다. 전력 인가 유닛(430)은 안테나(432), 전원(434)을 포함한다.
안테나(432)는 유도 결합형 플라즈마(ICP) 안테나로, 코일 형상으로 제공된다. 안테나(432)는 플라즈마 챔버(410) 외부에서 플라즈마 챔버(410)에 복수 회 감긴다. 안테나(432)는 플라즈마 발생 공간(412)에 대응하는 영역에서 플라즈마 챔버(410)에 감긴다. 전원(434)은 안테나(432)에 고주파 전력을 공급한다. 안테나(432)에 공급된 고주파 전력은 플라즈마 발생 공간(412)에 인가된다. 고주파 전류에 의해 플라즈마 발생 공간(412)에는 유도 전기장이 형성되고, 플라즈마 발생 공간(412)내 공정 가스는 유도 전기장으로부터 이온화에 필요한 에너지를 얻어 플라즈마 상태로 변환된다.
확산 챔버(440)는 플라즈마 챔버(410)에서 발생된 플라즈마를 확산시킨다. 확산 챔버(440)는 확산 공간(442)을 가질 수 있다. 확산 챔버(440)는 전체적으로 역 깔대기 형상을 가질 수 있고, 상부와 하부가 개방된 구성을 가질 수 있다. 플라즈마 챔버(410)에서 발생된 플라즈마는 확산 챔버(440)를 거치면서 확산되고, 배플(250)을 거쳐 처리 공간(212)으로 유입될 수 있다.
배기부(600)는 공정 처리부(200) 내부의 플라즈마 및 불순물을 흡입할 수 있도록 제공된다. 배기부(600)는 배기 라인(602), 그리고 감압 부재(604)를 포함할 수 있다. 배기 라인(602)은 하우징(210)의 바닥면에 형성된 배기홀(214)과 연결된다. 또한, 배기 라인(602)은 감압을 제공하는 감압 부재(604)와 연결될 수 있다. 이에, 감압 부재(604)는 처리 공간(212)에 감압을 제공할 수 있다. 감압 부재(604)는 펌프 일 수 있다. 감압 부재(604)는 처리 공간(212)에 잔류하는 플라즈마 및 불순물을 하우징(210)의 외부로 배출할 수 있다. 또한, 감압 부재(604)는 처리 공간(212)의 압력을 기 설정된 압력으로 유지하도록 감압을 제공할 수 있다.
제어기(900)는 기판 처리 장치(1000)를 제어할 수 있다. 제어기(900)는 후술하는 기판 처리 방법을 수행할 수 있도록 기판 처리 장치(1000)를 제어할 수 있다. 제어기(900)는 후술하는 플라즈마 처리 공정, 그리고 가열 처리 공정을 수행하도록 기판 처리 장치(1000)를 제어할 수 있다. 예컨대, 제어기(900)는 공정 처리부(200), 배플 유닛(300), 플라즈마 발생부(400), 그리고 배기부(600)를 제어할 수 있다.
도 4는 본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법을 보여주는 도면이고, 도 5는 도 4의 플라즈마 처리 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이고, 도 6은 도 4의 가열 처리 단계를 수행하는 기판 처리 장치를 보여주는 도면이다.
본 발명의 일 실시 예에 따른 기판 처리 방법은 플라즈마 처리 단계(S10), 그리고 가열 처리 단계(S20)를 포함할 수 있다. 플라즈마 처리 단계(S10)는 기판(W)으로 플라즈마(P)를 전달하여 기판(W)을 처리하는 단계이다.
플라즈마 처리 단계(S10)에는 가스 공급 유닛(420)은 플라즈마 발생 챔버(410)의 플라즈마 발생 공간(412)으로 공정 가스를 공급하고, 전력 인가 유닛(430)은 고주파 전자계를 형성한다. 가스 공급 유닛(420)이 공급한 공정 가스는 고주파 전자계에 의해 플라즈마 상태로 여기된다. 플라즈마(P)와 공정 가스는 플라즈마 발생 공간(412)과 확산 공간(442)을 거쳐 처리 공간(212)으로 공급될 수 있다. 처리 공간(212)으로 공급된 플라즈마(P)와 공정 가스는 기판(W)으로 전달될 수 있다. 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스는 기판(W)을 처리할 수 있다. 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스는 기판(W) 상에 형성된 박막을 제거할 수 있다. 기판(W) 상에 형성된 박막은 옥사이드(Oxide) 막 일 수 있다. 또한, 플라즈마 처리 단계(S10)에는 기판(W)과 제1배플(320) 사이의 간격을 제1간격(G1)으로 조절할 수 있다. 플라즈마 처리 단계(S10)에는 제1배플(320)의 높이를 상승시키고, 기판(W)을 리프트 핀(236)이 하강시킬 수 있다. 이때, 제1배플(320)은 상부가 개방된 원통 형상을 가지게 되므로, 제1배플(320)이 상승시 제2배플(330)이 제1배플(320) 내로 삽입될 수 있다. 이에, 확산 공간(442)에서 처리 공간(212)으로 유입되는 플라즈마(P) 및/또는 공정 가스가 기판(W)의 외측으로 흐르는 것을 최소화 할 수 있고, 기판(W) 처리 효율이 낮아지는 것을 최소화 할 수 있다.
가열 처리 단계(S20)에는 기판(W)을 가열할 수 있다. 가열 처리 단계(S20)에는 플라즈마 처리 단계(S10)에서 발생되는 공정 부산물을 휘발시킬 수 있다. 가열 처리 단계(S20)에는 전원(370)이 전력 공급 라인(372)을 통해 제1배플(320)에 제공되는 히터로 전력을 인가할 수 있다. 전력이 히터로 인가되면 히터는 발열할 수 있다. 이에, 제1배플(320)의 온도는 상승할 수 있다. 또한, 가열 처리 단계(S20)에는 제1배플(320)이 하강할 수 있다. 또한, 가열 처리 단계(S20)에는 리프트 핀(236)이 기판(W)을 상승시킬 수 있다. 이에, 가열 처리 단계(S20)에는 기판(W)과 제1배플(320) 사이의 간격이 제2간격(G2)으로 조절될 수 있다. 제2간격(G2)은 제1간격(G1)보다 작을 수 있다. 제2간격(G2)은 1 mm 이상 4 mm 이하의 간격일 수 있다. 가열 처리 단계(S20)에서 제1배플(320)과 기판(W) 사이의 간격을 좁게하여 기판(W)에 대한 가열 처리 효율을 높일 수 있다. 또한, 제1배플(320)이 상하 방향으로 이동하면서 처리 공간(212)에 잔류하는 플라즈마(P)와 충돌하면서 열 간섭이 발생할 수 있다. 즉, 제1배플(320)이 이동하면서 제1배플(320)의 온도가 설정 온도보다 높아질 수 있다. 그러나, 본 발명의 일 실시 예에 의하면, 제1배플(320)은 냉각 블록(340)에 놓인다. 냉각 블록(340)에 형성된 유로(342)에는 냉각 유체가 흐르면서 제1배플(320)을 냉각시킨다. 이에, 제1배플(320)의 온도가 설정 온도보다 높아지는 것을 최소화 할 수 있다. 이에, 제1배플(320)의 온도 균일성을 높일 수 있다. 또한, 가열 처리 단계(S20)에는 온도 측정 센서(380)가 제1배플(320)의 온도를 측정할 수 있다. 온도 측정 센서(380)가 측정하는 온도 값은 제어기(900)로 전달할 수 있다. 제어기(900)는 온도 측정 센서(380)가 측정하는 온도 값에 근거하여 전원(370)이 인가하는 전력의 크기를 조절할 수 있다. 이에, 제1배플(320)의 온도 균일성을 더욱 높일 수 있다.
상술한 예에서는 기판에 대하여, 애싱 공정을 수행하는 장치를 예로 들어 설명하였다. 그러나 이와 달리 플라즈마를 이용하여 기판을 처리하는 장치에 적용될 있다. 예컨대, 상술한 배플 유닛, 이를 포함하는 기판 처리 장치 및 기판 처리 방법은 플라즈마를 이용하여 증착 공정이나 식각 공정을 수행하는 장치에 적용될 수 있다.
이상의 상세한 설명은 본 발명을 예시하는 것이다. 또한 전술한 내용은 본 발명의 바람직한 실시 형태를 나타내어 설명하는 것이며, 본 발명은 다양한 다른 조합, 변경 및 환경에서 사용할 수 있다. 즉 본 명세서에 개시된 발명의 개념의 범위, 저술한 개시 내용과 균등한 범위 및/또는 당업계의 기술 또는 지식의 범위내에서 변경 또는 수정이 가능하다. 전술한 실시예는 본 발명의 기술적 사상을 구현하기 위한 최선의 상태를 설명하는 것이며, 본 발명의 구체적인 적용 분야 및 용도에서 요구되는 다양한 변경도 가능하다. 따라서 이상의 발명의 상세한 설명은 개시된 실시 상태로 본 발명을 제한하려는 의도가 아니다. 또한 첨부된 청구범위는 다른 실시 상태도 포함하는 것으로 해석되어야 한다.
하우징 : 210
처리 공간 : 212
지지 유닛 : 230
지지 플레이트 : 232
지지축 : 234
리프트 핀 : 236
배플 유닛 : 300
배플 챔버 : 310
제1배플 : 320
제1홀 : 322
제2배플 : 330
제2홀 : 332
냉각 블록 : 340
유로 : 342
내측 상면 : 344
외측 상면 : 346
승강 샤프트 : 350
유체 채널 : 352
유체 공급원 : 354
유체 공급 라인 : 356
유체 배출 라인 : 358
벨로우즈 : 360
제1벨로우즈 : 361
제2벨로우즈 : 362
제3벨로우즈 : 363
제4벨로우즈 : 364
제5벨로우즈 : 365
전원 : 370
전력 공급 라인 : 372
온도 측정 센서 : 380
인터페이스 라인 : 382
플라즈마 발생부 : 400
플라즈마 챔버 : 410
플라즈마 발생 공간 : 412
가스 공급 포트 : 414
가스 공급 유닛 : 420
가스 공급원 : 422
가스 공급 라인 : 424
전력 인가 유닛 : 430
안테나 : 432
전원 : 434
확산 챔버 : 440
확산 공간 : 442
제어기 : 900

Claims (20)

  1. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판이 처리되는 공간을 제공하는 공정 처리부와;
    상기 공정 처리부로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생부를 포함하고,
    상기 공정 처리부는,
    처리 공간을 가지는 하우징과;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛과 상기 플라즈마 발생부 사이에 배치되는 배플 유닛을 포함하고,
    상기 배플 유닛은,
    복수의 제1홀이 형성된 제1배플과;
    상기 제1배플이 놓이고, 상기 제1배플을 냉각시키는 냉각 블록과;
    상기 냉각 블록을 승강하는 승강 샤프트와;
    복수의 벨로우즈를 포함하고,
    상기 냉각 블록은,
    링 형상을 가지고,
    상기 제1배플의 가장자리 영역이 놓이고,
    냉각 유체가 흐르는 유로가 형성되고,
    상기 승강 샤프트는,
    상기 벨로우즈 내에 제공되고,
    내부에 상기 냉각 유체가 흐르고 상기 유로와 연통하는 유체 채널이 형성되는 기판 처리 장치.
  2. 삭제
  3. 삭제
  4. 제1항에 있어서,
    상기 승강 샤프트는,
    복수로 제공되고,
    상기 승강 샤프트 중 어느 하나에는 상기 냉각 유체를 상기 유로로 공급하는 공급 채널이 형성되고,
    상기 승강 샤프트 중 다른 하나에는 상기 유로로부터 상기 냉각 유체를 외부로 배출하는 배출 채널이 형성되는 기판 처리 장치.
  5. 제1항에 있어서,
    상기 냉각 블록은,
    외측 상면의 높이가 내측 상면의 높이보다 높도록 단차지고,
    상기 제1배플은,
    그 가장자리 영역이 상기 냉각 블록의 상기 내측 상면에 놓이는 기판 처리 장치.
  6. 제1항에 있어서,
    상기 배플 유닛은,
    상기 제1배플 내에 제공되는 히터와;
    상기 히터에 전력을 인가하는 전원을 포함하는 기판 처리 장치.
  7. 제6항에 있어서,
    상기 배플 유닛은,
    상기 제1배플의 온도를 측정하는 온도 측정 센서를 더 포함하는 기판 처리 장치.
  8. 제7항에 있어서,
    상기 배플 유닛은,
    상기 히터와 상기 전원을 연결하는 전력 공급 라인과;
    상기 제1배플과 상기 온도 측정 센서를 연결하는 인터페이스 라인을 포함하고,
    상기 전력 공급 라인은,
    복수의 상기 벨로우즈 중 어느 하나에 삽입되고,
    상기 인터페이스 라인은,
    복수의 상기 벨로우즈 중 다른 하나에 삽입되는 기판 처리 장치.
  9. 제8항에 있어서,
    상기 전력 공급 라인, 그리고 상기 인터페이스 라인이 삽입된 벨로우즈와 상기 승강 샤프트가 제공되는 벨로우즈는 서로 상이한 기판 처리 장치.
  10. 제7항에 있어서,
    상기 장치는,
    제어기를 더 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 온도 측정 센서가 측정하는 상기 제1배플의 온도 값에 근거하여 상기 전력의 크기를 조절하는 기판 처리 장치.
  11. 제7항에 있어서,
    상기 장치는,
    제어기를 더 포함하고,
    상기 지지 유닛은,
    기판을 승강시키는 리프트 핀을 포함하고,
    상기 제어기는,
    상기 플라즈마로 기판을 처리시 상기 제1배플과 상기 지지 유닛에 지지된 기판 사이의 간격을 제1간격으로 조절하고,
    상기 제1배플로 기판을 가열시 상기 제1배플과 상기 지지 유닛에 지지된 기판 사이의 간격을 제2간격으로 조절하도록 상기 지지 유닛과 상기 배플 유닛을 제어하되,
    상기 제2간격은 상기 제1간격보다 작은 기판 처리 장치.
  12. 제1항, 그리고 제4항 내지 제11항 중 어느 한 항에 있어서,
    상기 배플 유닛은,
    상기 제1배플보다 상부에 배치되고, 복수의 제2홀이 형성되고, 그 높이가 고정되는 제2배플을 포함하고,
    상기 제1배플은,
    상부가 개방된 원통 형상을 가지고, 상기 원통의 바닥면에 상기 제1홀들이 형성되고,
    상부에서 바라 볼 때, 상기 제2배플보다 큰 직경으로 제공되는 기판 처리 장치.
  13. 제12항에 있어서,
    상기 제2배플은,
    그 상면의 높이가 가장자리 영역에서 중심 영역으로 갈수록 높아지는 기판 처리 장치.
  14. 기판을 처리되는 공간을 제공하는 공정 처리부와 상기 공정 처리부로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생부를 포함하고, 상기 공정 처리부는 처리 공간을 가지는 하우징과 상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과 상기 지지 유닛과 상기 플라즈마 발생부 사이에 배치되는 배플 유닛을 포함하고, 상기 배플 유닛은 복수의 제1홀이 형성된 제1배플과 상기 제1배플이 놓이고, 상기 제1배플을 냉각시키는 냉각 블록과 상기 냉각 블록을 승강하는 승강 샤프트를 포함하는 기판 처리 장치를 이용하여 기판을 처리하는 방법에 있어서,
    상기 플라즈마를 공급하여 상기 기판을 처리하는 플라즈마 처리 단계와;
    상기 기판을 가열하는 가열 처리 단계를 포함하고,
    상기 플라즈마 처리 단계와 상기 가열 처리 단계는 상기 하우징에서 수행되고,
    상기 가열 처리 단계에는,
    상기 기판을 상승시키고, 상기 제1배플을 하강시키되,
    상기 제1배플은 가열되어 상기 기판으로 열을 전달하는 기판 처리 방법.
  15. 제14항에 있어서,
    상기 가열 처리 단계에는,
    상기 제1배플의 온도 값을 측정하고,
    상기 온도 값에 근거하여 상기 제1배플에 인가되는 전력의 크기를 조절하는 기판 처리 방법.
  16. 제14항 또는 제15항에 있어서,
    상기 냉각 블록에 형성된 유로로 냉각 유체를 전달하여 상기 제1배플을 냉각시키는 기판 처리 방법.
  17. 기판을 처리하는 장치에 있어서,
    기판이 수납된 캐리어가 안착되는 로드 포트를 가지는 설비 전방 단부 모듈과;
    상기 설비 전방 단부 모듈로부터 기판을 반송 받아 기판을 처리하는 처리 모듈을 포함하고,
    상기 처리 모듈은,
    기판을 반송하는 트랜스퍼 챔버와;
    상기 트랜스퍼 챔버와 인접하게 배치되고, 기판을 처리하는 프로세스 챔버를 포함하고,
    상기 프로세스 챔버는,
    기판이 처리되는 공간을 제공하는 공정 처리부와;
    상기 공정 처리부로 플라즈마를 공급하는 플라즈마 발생부를 포함하고,
    상기 공정 처리부는,
    처리 공간을 가지는 하우징과;
    상기 처리 공간에서 기판을 지지하는 지지 유닛과;
    상기 지지 유닛과 상기 플라즈마 발생부 사이에 배치되는 배플 유닛을 포함하고,
    상기 배플 유닛은,
    복수의 제1홀이 형성된 제1배플과;
    상기 제1배플이 놓이고, 상기 제1배플을 냉각시키는 냉각 블록과;
    상기 냉각 블록을 승강하는 승강 샤프트와;
    복수의 벨로우즈를 포함하고,
    상기 냉각 블록은,
    링 형상을 가지고,
    상기 제1배플의 가장자리 영역이 놓이고,
    냉각 유체가 흐르는 유로가 형성되고,
    상기 승강 샤프트는,
    상기 벨로우즈 내에 제공되고,
    내부에 상기 냉각 유체가 흐르고 상기 유로와 연통하는 유체 채널이 형성되는 기판 처리 장치.
  18. 삭제
  19. 삭제
  20. 제17항에 있어서,
    상기 배플 유닛은,
    상기 제1배플보다 상부에 배치되고, 복수의 제2홀이 형성되고, 그 높이가 고정되는 제2배플을 포함하고,
    상기 제1배플은,
    상부가 개방된 원통 형상을 가지고, 상기 원통의 바닥면에 상기 제1홀들이 형성되고,
    상부에서 바라 볼 때, 상기 제2배플보다 큰 직경으로 제공되는 기판 처리 장치.
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