JP5010620B2 - プロセス装置 - Google Patents

Description

本発明は、半導体などのプロセス装置に係る。より詳細には、大型基板上での完全軸対称なプロセスを実現し、高周波プラズマプロセスに適用する場合は高周波の損失が少ないプロセス装置に関する。

従来、半導体プロセス装置としては以下のような技術が知られている。
（１）図９及び図９の１０−１０断面図である図１０に示すように、多角形の搬送室１０１の各辺（側部）にプロセス室１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃをそれぞれゲートバルブ１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃを介して接続した構造を有するプロセス装置である。

このプロセス装置においては、図１０に示すように、搬送室１０１内にはウエハなどの被処理体１０７の受け渡しを行うためのアーム１０５が設けられている。このアーム１０５は回転可能であり、また伸縮可能な構造を有している。

被処理体１０７の受け渡しに際してゲートバルブ１０４ａ、１０４ｂを開閉することにより行う。

また従来、他のプロセス装置としては以下のような技術が知られている。
（２）図１１に示すように、バッフル板と呼ばれる複数の穴の空いた板２０６でプロセス室２０１を上下に仕切り、バッフル板２０６で仕切られて形成されたプロセス室２０１の下側の空間２０２の側面に真空ポンプ２０７を設けておく構造を有するプロセス装置である。

ここでバッフル板２０６は、プロセス室２０１に連通せしめて設けられているガス導入管２０８から導入され、プロセスガスを被処理体２０９周辺から均一に排気することを目的として設けられたものである。

すなわち、もしバッフル板２０６を設けておかないと、プロセスガスは排気ポンプ２０７が設けられた側に偏って流れてしまい、被処理体２０９に対して均一な処理ができなくなってしまうからである。特に被処理体の径が２００ｍｍ以上になるとかかるガスの流れの偏りによる処理の不均一性が顕著に現れる。

なお、図１１において２０３は、プロセス室２０１の側面に、ゲートバルブ２０４を介して接続されている搬送室である。

（３）図１２に示すように、プロセス室３０１を形成する容器の底面に、複数の排気孔３０６を外部と通じて形成し、この排気孔３０６にフレキシブルな排気管３０２を接続し、さらに排気管３０２に真空ポンプ３０７を接続したプロセス装置である。

なお、図１１において２０３は、プロセス室２０１の側面に、ゲートバルブ２０４を介して接続されている搬送室である。また、３０５は被処理体を保持するためのステージ、３０８はプロセスガス導入管である。

しかし、上記従来技術には、次のような問題がある。上記（１）の技術では、ゲートバルブ１０４ｂの接続されるプロセス室１０１の側面に被処理体が通る大きな孔を形成しなければならないため、プロセス室１０１の形状が軸対称からはずれる。

プロセス室１０１の形状が軸対称からはずれるとプロセスガスの流れに乱れが生じる。また、プラズマプロセスの場合はプラズマ形状に乱れが生じてしまう。その結果、被処理体に対する処理の不均一性をもたらす。特に、ウェーハサイズが直径２００ｍｍを超えるとこの問題が顕著になってくる。

一方、かかるプロセスガスの流れやプラズマ形状の乱れによる影響を抑えるためにはプロセス室１０１を大きくしてプロセス室１０１を形成する壁を被処理体から遠ざければよいが、プロセス室１０１を大きくすると、プロセス室の占有面積が大きくなってしまう。

また、上記（１）の技術では、プロセス室１０１とゲートバルブ１０４ａ，１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄとが絶縁性のＯリング（図示せず）を介して接触しているため、高周波励起プラズマにおいてはプロセス室１０１を形成する壁を流れる高周波電流がゲートバルブ１０４ａ，１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄ部で広く遮断される。ゲートバルブ１０４ａ，１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄから流れる分の高周波電流は、ゲートバルブ１０４ａ，１０４ｂ、１０４ｃ、１０４ｄのベローズなどで大きく損失するため、全体として高周波電力の損失が大きくなってしまう。また、高周波電流の流れが非対称になることにより、壁のプラズマポテンシャルが非対称になり、プラズマ形状が不均一になりやすかった。

上記（２）の技術では、バッフル板２０６の存在のために排気ラインのコンダクタンスが低下し、大流量のガスを効率よく流すことができなかった。

上記（３）の技術では、複数の排気管３０２がプロセス室３０１の下に伸びており、プロセス室３０１の下の空間が排気管３０２により占められてしまう。そのため、例えば、被処理体３０９を載置するためのステージ３０５などのメンテナンスを行うための空間が狭くなっていた。

本発明は、ガスの流れやプラズマ形状を均一にすることが可能であり、かつ、装置の占有面積が小さなプロセス装置を提供することを目的とする。

本発明は、高周波プラズマプロセスで投入した高周波電力の損失を減らし、効率的にプラズマを発生、維持させることが可能なプロセス装置を提供することを目的とする。

本発明は、排気ラインのコンダクタンスを大きく絞らずにウェーハ周辺から大量のプロセスガスを均一に排気することが可能なプロセス装置を提供することを目的とする。

本発明は、排気ラインをコンパクトにしてプロセス室の下方においけるメンテナンスのための空間を広く取ることが可能なプロセス装置を提供することを目的とする。

本発明のプロセス装置は、被処理体を搬送するための搬送室と、該搬送室の上部にゲート
を介して設けられたプロセス室と、外部からシールされ、被処理体を載置する載置部を有
するステージと、搬送室と外部とをシールしつつ、該ステージの載置部をゲートを介して
搬送室とプロセス室との間を出入するように移動させるための手段と、該載置部がプロセ
ス室内にあるときに搬送室とプロセス室とをシールするための手段とを有することを特徴
とする。
また、本発明のプロセス装置は、複数のプロセス室と、前記複数のプロセス室の下方に設けられた搬送室と、前記複数のプロセス室と搬送室とを区切るゲートバルブとで構成されるプロセス装置において、前記プロセス室の底面には、被処理体の中心に関して軸対称をなして形成された複数の排気孔が設けられ、さらに、該それぞれの排気孔に連通する鉛直方向に配置された複数の排気通路と、該複数の排気通路同士を、側面にて、連通する複数の横穴とが前記プロセス装置の下方に配置され、前記複数の排気通路の少なくとも１つには、真空ポンプが接続されていることを特徴とするプロセス装置である。

本発明では、プロセス室の下方に搬送室が設けられている。そのためプロセス室と搬送室とのゲートは、プロセス室の下方に存在し、プロセス室の側面には存在しない。

そのため、プロセス室の形状を軸対称に形成することができ、プロセス室を大きくせずともガスの流れに乱れが生じることを防止することができる。また、プラズマプロセスの場合はプラズマ形状の乱れを防止することができる。その結果、被処理体が２００ｍｍ径を超える大口径であっても処理を均一に行うことができる。

ゲートバルブはプロセス室の側面には存在しないため、従来技術で生じていた、高周波励起プラズマにおいてはプロセス室１０１を形成する壁を流れる高周波電流がゲートバルブ１０４ａ，１０４ｂ部で広く遮断されるということはなく、高周波電力の損失を小さくすることができる。

本発明では、ゲートバルブはプロセス室の下方に存在するため、それにより高周波電力の損失の発生を完全には除去できないが、高周波電流の流れは対称であり、従って、プラズマポテンシャルも対称であり、プロセス室においては均一なプラズマを得ることが可能となり、２００ｍｍを超える大口径の被処理体に対しても均一な処理を行うことができる。

本発明において、搬送室と外部とをシールしつつ、該ステージの載置部をゲートを介して搬送室とプロセス室との間を出入するように移動させるための手段としては、搬送室側壁とステージとの間に設けられたベローズを用いることが好ましい。

また、載置部がプロセス室内にある状態、すなわち、ステージを上昇させ、プロセス室に被処理体を搬入し成膜などのプロセス処理を行っているときにおける搬送室とプロセス室とのシールは例えば次ぎのように行えばよい。

すなわち、ステージ側面に、ゲートの径より大きな径を有するフランジを設けておき、さらに、このフランジの上面に溝を形成し、その溝内にＯリングを載置しておけばよい。ステージを上昇させるとこのＯリングはプロセス室の下面と接触し、簡単な構造でプロセス室と搬送室との間のシールが確保される。

本発明のプロセス装置は、プロセス室と、該プロセス室の底面に、被処理体の中心に関して略軸対称をなして形成された複数の排気孔と、該それぞれの排気孔に連通する複数の排気通路と、該複数の排気通路同士を連通する横穴と、を該プロセス室の下方に有し、該横穴の少なくとも１つに真空ポンプを接続したことを特徴とする。

本発明では、バッフル板を設ける代わりに、被処理体の中心に関して略軸対称をなして複数の排気孔及びこの排気孔に連通する排気通路をプロセス室下のブロックに形成する。排気孔の数は奇数、偶数を問わない。また、４個以上がより均一性のある排気を行う上からは好ましい。この孔の大きさとしては、プロセス室のコンダクタンスの約５倍以上のコンダクタンスとなるようすることが好ましい。

このような排気孔及び排気通路を被処理体の周囲に軸対称をなすように形成することにより均一排気が可能となる。また、バッファ板を用いることもないため排気ラインのコンダクタンスの低下という問題もなく大流量のガスを効率よく流すことができる。

また、チューブ管も用いられていためメインテナンスを用意に行うことができる。

本発明によれば次の諸々の効果を達成することができる。
（１）ガスの流れやプラズマ形状を均一にすることが可能であり、かつ、装置の占有面積が小さなプロセス装置を提供することができる。
（２）、高周波プラズマプロセスで投入した高周波電力の損失を減らし、効率的にプラズマを発生、維持させることが可能なプロセス装置を提供することができる。
（３）排気ラインのコンダクタンスを大きく絞らずにウェーハ周辺から大量のプロセスガスを均一に排気することが可能なプロセス装置を提供することができる。
（４）排気ラインをコンパクトにしてプロセス室の下方においけるメンテナンスのための空間を広く取ることが可能なプロセス装置を提供することができる。

また、占有面積が少なく、そのためクリーンルーム内に複数の装置を設置することが可能である。生産ラインにおいては、大量のウエハを処理可能な大型半導体生産ラインを構築する代わりに、月産３０００〜５０００枚の比較的小さなラインをパラレルに数ラインもつ並列分散型半導体生産ラインとすることが好ましい。こうすることにより改良されたプロセスで生産ラインをアップバージョンすることが非常にやりやすくなる。

実施例１に係るプロセス装置の平面図である。 図１の２−２断面図である。 実施例１に係るプロセス装置の操作行程図である。 実施例１に係るプロセス装置の操作行程図である。 実施例１に係るプロセス装置の操作行程図である。 実施例１に係るプロセス装置の操作行程図である。 実施例１に係るプロセス装置の平面図である。 図７の８−８断面図である。 従来例に係るプロセス装置の平面図である。 図９の１０−１０断面図である。 他の従来例に係るプロセス装置の側断面図である。 他の従来例に係るプロセス装置の側断面図である。 実施例３に係るプロセス装置の断面図である。 実施例３に係るプロセス装置の操作手順をしめすプロセス図である。

（実施例１）
図１及び図２に本実施例に係るプロセス装置を示す。

本例のプロセス装置は、被処理体４１５を搬送するための搬送室４０２と、搬送室４０２の上部にゲート４１６（図４）を介して設けられたプロセス室４０３と、外部からシールされ、被処理体４１５を載置する載置部４１２を有するステージ４０６と、搬送室４０２と外部とをシールしつつ、ステージ４０６の載置部４１２をゲート４１６を介して搬送室４０２とプロセス室４０３との間を出入するように移動させるための手段４１０と、載置部４１２がプロセス室４０３内にあるときに搬送室４０２とプロセス室４０３とをシールするための手段（４１３，４１４）と、を有する。

以下、本発明の実施例をより詳細に説明する。
図２に示す２００ｍｍウェーハプラズマプロセスクラスターツールは１台の搬送室４０２とその上に設置された１台のローダー／アンローダー室４０１と３台のラジアルラインスロットアンテナを用いたマイクロ波励起プラズマプロセス室４０３からなる。

搬送室４０２はアルミニウム製で、中央にウエハ搬送ロボット（メックス社製ＵＴＶ−２５００Ｈ）４０５が設置されている。搬送室４０２はターボ分子ポンプ（セイコー精機社製ＳＴＰ−３００）（図示せず）で真空引きしている。

ローダー／アンローダー室４０１はアルミニウム製で、６枚までウェーハがセットできるカセットが中に入る。ローダー／アンローダー室４０１内は、ターボ分子ポンプ（セイコー精機社製ＳＴＰ−３００）（図示せず）で真空引きする。またカセット取り出しのためのリークポートが設置されている。

また、カセット載置台４１８には昇降機構４１０がついており、スロット番号を指定するとそのスロットが搬送ロボット４０５のアームの高さになるよう自動調節する。なお、昇降機構４１０はカセット愛知大４１８の底面に一端が取り付けられ、搬送室４０２の底面に他の一端が取り付けられているベローズ４１０により構成されている。

ローダー／アンローダー室４０１と搬送室４０２との間の真空シールは、カセット載置台４１８の上面に取り付けられたＯリング４１７によってなされる。

プロセス室４０３はアルミニウム製で、上部には２．４５ＧＨｚのマイクロ波をチャンバー内に均一に導入するラジアルラインスロットアンテナ４１９が設置されている。

ウエハステージ４０６は表面がアルミナでコーティングされており、ヒーター、温度センサー、リフトピン、静電チャック、高周波バイアス印加機構などの周辺機構が取り付けてある。これらの周辺機構は必要に応じてメインテナンスが行われる。

ウエハステージ４０６の被処理体載置部４１２の側面にはゲート４１６の径より大きな径を有するフランジ４１３が設けてあり、このフランジ４１３の上面にはＯリング４１４が設けてある。

本例では、フランジ４１３の底面にベローズ４１０の一端を溶接固着してある。また、ベローズ４１０の他端は搬送室４０２の底面に溶接固着してある。従って、搬送室４０２はこのベローズにより大気からシールされる。また、このベローズ４１０の伸縮によりウエハステージ４０６の上下移動が行われる。

ベローズ４１０を伸ばすとウエハステージ４０６は上方に移動しフランジ４１３の上（及びＯリング４１４）がプロセス室４０３の外部底面に当接する。これにより搬送室４０２とプロセス室４０３との間のシールが行われる。また、ベローズ４１０を縮ませるとウエハステージ４０６は下降する。ウエハステージ４０６は、その上面が搬送アームの高さになるように下降する。

プロセス室４０３は一般にブロックの内部を彫り込み加工することにより形成するが本例でも彫り込み加工により形成している。本例ではさらに、プロセス室４０３を彫り込み加工した後、プロセス室４０３の底面に複数個の排気孔４０８とこの排気孔４０８にそれぞれ連通する排気通路４２１を形成した。本例では排気孔４０８は、ウエハステージ４０６の周りに４個形成した。プロセスガスの均一な排気を行う上から、４個の排気孔４０８は、被処理体４１５の中心を軸とする軸対称の位置に形成してある。

また、各排気通路４２１同士を連通せしめるために横穴４０７を形成してある。横穴４０７は、搬送室４０２の角部底面に形成された外部に開口する真空ポンプ口４０９に連通せしめてある。真空ポンプ口４０９にはターボ分子ポンプ（セイコー精機社製ＳＴＰ−６００Ｈ）（図示せず）が接続されている。

以下にクラスターツールの操作手順について説明する。ローダー／アンローダー室４０１を大気圧にリークし、直径２００ｍｍのシリコンウェーハをセットしたカセット４０４をローダー／アンローダー室４０１内に置き、真空引きする。

次に、図３に示すように、ベローズ４１０を縮ませることによりカセット４０４を下降させる。

次に図４に示すように、ベローズ４１０を縮ませることによりプロセス室４０３のウェーハステージ４０６を下降させ、搬送ロボット４０５を用いてウェーハ４１５をカセット４０４からウェーハステージ４０６のリフトピンの上に移し替える。

次に、図５に示すように、カセット４０４は上昇させ、ウェーハステージ４０６のリフトピンを格納して、ウェーハ４１５をウェーハステージ４０６の上面に載せる。

次に図６に示すようにウェーハステージ４０６を上昇させ、ウェーハ４１５がプロセス室４０３の中に置かれる。プロセス室４０３と搬送室４０２の間はウェーハステージ４０６の側面に形成されたフランジ４１３に置かれたＯリング４１４でシールされる。

引き続きプロセス室４０３内でウェーハ４１５が処理され、上で述べたのと逆の工程でウェーハ４１５がカセット４０４に戻される。

ローダー／アンローダーとプロセス室が搬送室の横に設置され、ローダー／アンローダーと搬送室との間、および搬送室とプロセス室との間の真空シールにゲートバルブを用いている図９に示す従来のクラスターツールと比べて、本発明の構造を有するクラスターツールは、装置占有面積が約３分の１と小さくすることができた。

図１に示すプロセス装置を用いて、ウェーハステージに高周波を印加して、プラズマを発生させた。プロセス室４０３の上部はラジアルラインスロットアンテナの代わりに石英板を置き、上部からプラズマの発光強度を測定できるようにした。

ウェーハステージ４０６に印加した高周波は、周波数が１３．５６ＭＨｚ、電力が２０００Ｗとした。プロセス室４０３にはアルゴンガスをガス供給管４１１を介して１００ｓｃｃｍ供給し、プロセス室４０３内の圧力は２０ｍＴｏｒｒとした。

同様のプロセス条件で図９に示す従来のクラスターツールのプロセス室でも同様の条件でプラズマを発生させた。

同じ高周波電力を投入したにもかかわらず、本発明の装置で発生させたプラズマの発光強度は、従来の装置と比べて約１０％強くなっており、高周波電力が効率よくプラズマに与えられていることが確認された。

また、プラズマ密度の分布は、従来の装置ではチャンバー内壁のゲートバルブに通じる穴側に偏っていたが、本例のプロセス装置では、軸対称なプラズマが生成できていることが目視で確認された。

本例のプロセス装置と、図１１に示すバッフル板２０６を有する従来プロセス装置について、同じターボ分子ポンプ（セイコー精機社製ＳＴＰ−６００Ｈ、排気速度６００Ｌ／ｓｅｃ）を用いてアルゴンガスを排気した。流量５０００ｓｃｃｍの場合のチャンバー圧力は、従来の装置で０．５Ｔｏｒｒであるのに対し、本発明の装置では０．２Ｔｏｒｒとより高真空度まで引くことが出来た。

したがって、排気ラインのコンダクタンスが本発明の装置では小さく、同じプロセス圧力の場合には本例のプロセス装置の方が大量のガスを流せることが確認された。

また、本例のプロセス装置は、プロセス室４０３の排気を図１２に示すように各排気孔３０６に排気管３０２を接続して真空ポンプ３０７につないだ場合と比べて、プロセス室４０３下のスペースが広く空いて、メンテナンスしやすくなった。

（実施例２）
図７及び図８に基づいて実施例２に係るプロセス装置を説明する。本例のプロセス装置は、プロセス室２０１と、プロセス室２０１の底面に、被処理体２０９の中心に関して略軸対称をなして形成された複数の排気孔４０８と、それぞれの排気孔４０８に連通する複数の排気通路４２１と、複数の排気通路４２１同士を連通する横穴４０７と、をプロセス室２０１の下方に有し、横穴４０７の少なくとも１つに真空ポンプ２０７を接続してある。

本例のプロセス装置について実施例１と同様に、従来のプロセス装置と比較した。

本例のプロセス装置と、図１１に示すバッフル板２０６を有する従来プロセス装置について、同じターボ分子ポンプ（セイコー精機社製ＳＴＰ−６００Ｈ、排気速度６００Ｌ／ｓｅｃ）を用いてアルゴンガスを排気した。流量５０００ｓｃｃｍの場合のチャンバー圧力は、従来の装置で０．５Ｔｏｒｒであるのに対し、本発明の装置では０．３Ｔｏｒｒとより高真空度まで引くことが出来た。

したがって、排気ラインのコンダクタンスが本発明の装置では小さく、同じプロセス圧力の場合には本例のプロセス装置の方が大量のガスを流せることが確認された。

また、本例のプロセス装置は、プロセス室４０３の排気を図１２に示すように各排気孔３０６に排気管３０２を接続して真空ポンプ３０７につないだ場合と比べて、プロセス室４０３下のスペースが広く空いて、メンテナンスしやすくなった。

（実施例３）
本例のプロセス装置を図１３に示す。本例では、プロセス室の上壁１０ａに開口を有し、プロセス室の内部から隔離された状態でプロセス室を上下に移動し、上方の位置において開口を封止する構造を有する導入本体１１が設けられ、導入本体１１の上部に弾性支持体５を介して載置部４が設けられ、載置部４は、被処理物キャリア９を吸着・脱着可能に構成されている。

以下より詳細に説明する。被処理物であるウエハ１を搬送するウエハキャリア９は、ウエハ１を収納する収納ボックス３と、収納ボックス３内をシールする蓋２とからなっている。

本例では、収納ボックス３の底面にはフランジ３ａが形成され、フランジ３ａを含めた収納ボックス３の底面の幅はプロセス室に設けられた開口の径とほぼ同じ径となっている。蓋２にもフランジ３ａが形成されており、フランジ２ａを含めた蓋２の径は収納ボックス３の底面の径より少し大きく形成されており、フランジ２ａの底面がフランジ３ａの上面に当接してウエハキャリア内が封止される。なお、ウエハキャリア内は排気口（図示せず）により排気され減圧状態に保持される。

導入本体１１は上部に外部フランジ１１ａを有している。外部フランジ１１ａはプロセス室上壁に形成された開口より大きな径を有している。また、外部フランジ１１ａの底面とプロセス室下壁１０ｂとの間にベローズ６が固着されている。従って、ベローズの伸縮に伴い導入本体６は上下動する。また、導入本体１１自体はプロセス室の外部にありプロセス室からは隔離されている。導入本体１１が上方に位置したときには、外部フランジ１１ａはプロセス室上壁１０aに当接し、開口は封止される。

導入本体１１の上方には、弾性支持体（バネ）を介して載置部４が設けられている。この載置部４にウエハキャリア９の収納ボックス３が載置される。図１３に示す例では、導入本体１１に内部フランジ１１ｂを設け、内部フランジ１１ｂの上面にバネ５を設けてある。内部フランジ１１には連通口１３が形成されており、この連通口１３を介して載置部４の下の空間と、導入本体１１内の空間１２とが連通している。導入本体１２には排気ポート７が形成され、導入本体１１の内部の空間１２は排気ポート７を介して排気可能となっている。

なお、本例では、載置部４は電磁マグネットにより構成されており、電磁マグネットのｏｎ、ｏｆｆにより収納ボックス３の底面を吸着・脱着することができる。

次に、図１４を用いてウエハの導入手順を説明する。図１４（１）は、ウエハキャリア９を載置前の状態を示している。導入本体１１は上方に位置しており、外部フランジ１１ａはプロセス室上壁に当接し開口は封止されている。

図１４（２）は、ウエハキャリア９を載置部４に載置するとともに電磁スイッチをｏｎとしてウエハキャリア９の収納ボックスを載置部上面に吸着させた状態を示している。ウエハキャリア９の内部は減圧状態であるため収納ボックスの底面を載置部４に吸着させただけでは、収納ボックスは蓋からは脱離しない。

図１４（３）では、導入本体１１の内部を排気ポート７を介して排気した状態を示している。導入本体１１の内部の空間１２を減圧状態にすると収納ボックス３と蓋２とは脱離し、蓋２はフランジ２ａにおいてプロセス室上壁１０ａに保持されるが、収納ボックス３は自重のため下降する。

図１４（４）はベローズが縮の状態であり、収納ボックス２は下降してアーム３０の高さとなった状態を示している。この状態でウエハをアームに引き渡す。蓋２のフランジ２ａはプロセス室上壁１０ａに当接しており、そのため、プロセス室は外部から封止される。

図１４（５）は、ウエハの処理が終了し、収納ボックスを戻す状態を示している。ウエハ処理が終了した場合導入本体１１の内部の空間１２を大気圧に戻し、ベローズ６を伸びの状態にする。収納ボックスの３のフランジの上面は、蓋２のフランジの下面に当接し、また、外部フランジ１１ａの上面は、プロセス室上壁の下面に当接し、これによりプロセス室は外部から封止される。

次に電磁スイッチをｏｆｆにして、ウエハキャリア９を載置部４から脱離し、別の場所に搬送する。

以上のような手順でウエハのプロセス室内に導入すれば、ウエハは大気にさらされることなく、コンタミネーションの無いウエハに成膜などを行うことができることとなる。

１ ウエハ、
２ 蓋、
２ａ フランジ、
３ 収納ボックス、
３ａ フランジ、
４ 載置部（マグネット）、
５ 弾性支持体（バネ）、
６ ベローズ、
７ 排気ポート、
９ ウエハキャリア、
１０ａ プロセス室上壁、
１０ｂ プロセス室下壁、
１０ｃ プロセス室側壁、
１１ 導入本体、
１１ａ 外部フランジ、
１１ｂ 内部フランジ、
１２ 空間、
１０１ 搬送室、
１０２ａ，１０２ｂ，１０２ｃ プロセス室、
１０４ａ，１０４ｂ，１０４ｃ ゲートバルブ、
１０５ アーム、
１０７ 被処理体、
２０６ バッフル板、
２０１ プロセス室、
２０３ 搬送室、
２０７ 真空ポンプ、
２０８ ガス導入管、
２０９ 被処理体、
２０４ ゲートバルブ、
３０１ プロセス室、
３０２ 排気管、
３０５ ステージ、
３０６ 排気孔、
３０７ 真空ポンプ、
３０８ プロセスガス導入管、
４０１ ローダー／アンローダー室、
４０２ 搬送室、
４０３ プロセス室、
４０４ カセット、
４０５ 搬送ロボット、
４０６ ステージ、
４０７ 横穴、
４０８ 排気孔、
４０９ 真空ポンプ口、
４１０ 移動させるための手段・昇降機構（ベローズ）、
４１２ 載置部、
４１３ フランジ、
４１４ Ｏリング、
４１５ 被処理体（ウエハ）、
４１６ ゲート、
４１７ Ｏリング、
４１８ カセット載置台、
４１９ ラジアルラインスロットアンテナ、
４１５ ウエハ、
４２１ 排気通路。

Claims (1)

1. 複数のプロセス室と、
   前記複数のプロセス室の下方に設けられた搬送室と、
   前記複数のプロセス室と搬送室とを区切るゲートバルブとで構成されるプロセス装置において、
   前記プロセス室の底面には、被処理体の中心に関して軸対称をなして形成された複数の排気孔が設けられ、
   さらに、該それぞれの排気孔に連通する鉛直方向に配置された複数の排気通路と、
   該複数の排気通路同士を、側面にて、連通する複数の横穴とが前記プロセス装置の下方に配置され、
   前記複数の排気通路の少なくとも１つには、真空ポンプが接続されていることを特徴とするプロセス装置。

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