JPH08321470A - 処理装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【目的】 半導体ウエハに対して高い面内均一性でＣＶ
Ｄ等の熱処理やエッチングを行うと共に、狭い設置面積
で高いスル−プットの得られる処理装置を提供するこ
と。 【構成】 チャンバユニット収納部２の複数段の載置棚
２０に、１枚または２枚の熱処理またはエッチングを行
える枚葉式の処理チャンバユニット１をガイドレ−ル２
１に沿って着脱できるように設けると共に、チャンバユ
ニット収納部２に隣接して、各処理チャンバユニット１
に共通のロ−ドロック室４、５を設ける。処理チャンバ
ユニット１は、ロ−ドロック室４、５側のウエハ搬送口
と着脱自在に気密に接続する接続部と、チャンバユニッ
ト収納部２側のガス配管、用力線に対して着脱自在に接
続できる接続部とを備えている。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、被処理基板に対して熱
処理あるいはエッチング処理するための処理装置に関す
る。

【０００２】

【従来の技術】半導体製造プロセスの中に、半導体ウエ
ハ（以下「ウエハ」という）のシリコンの表面を酸化し
これにより酸化膜（絶縁膜）を得る酸化処理や、成膜ガ
スの成分を気相化学反応を利用して蒸着するＣＶＤ（Ｃ
ｈｅｍｉｃａｌ ｖａｐｏｒｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎ）処
理などの熱処理あるいはハロゲン化ガスなどによりエッ
チングするドライエッチングなどがある。熱処理を行う
熱処理装置としてバッチ式である縦型熱処理装置や枚葉
式の熱処理装置が知られている。

【０００３】この縦型熱処理装置は、例えば多段に保持
溝が形成されたウエハボートなどと呼ばれる保持具に多
数のウエハを棚状に配列し、このウエハボートを、加熱
炉内の縦型の反応管内にロードして各ウエハを一括して
熱処理するものである。また枚葉式の熱処理装置は、真
空チャンバにロードロック室を接続し、ロードロック室
を介して真空チャンバ内の載置台上に１枚のウエハＷを
搬入し、真空チャンバ内に処理ガスを供給して例えばＣ
ＶＤ処理あるいはエッチングを行い、こうして１枚づつ
ウエハを熱処理するものである。

【０００４】

【発明が解決しようとする課題】しかしながら縦型熱処
理装置は、反応管内に先に搬入されたウエハと後に搬入
されたウエハとでは熱履歴が異なるため、例えば数十オ
ングストローム程度の極薄のゲート酸化膜を得ようとす
る場合には面間（ウエハ間）の均一性が悪く、高い歩留
まりが得られない。またウエハ同士が狭い間隔で重なっ
ているため、ウエハの面内温度や面内の処理ガスの流れ
について高い均一性を得ることが困難であるため、かな
り薄い成膜を行う場合には膜厚について十分な面内均一
性が得られないという問題がある。

【０００５】これに対し枚葉式の熱処理装置は、１枚づ
つウエハを処理するため面内の処理均一性が高いが、そ
の反面１台についてのスループットが低く、このため高
いスループットが得ようとすると多数台の装置を並べて
設置しなければならず広いエリアが必要になるという問
題がある。

【０００６】本発明は、このような事情のもとになされ
たものであり、その目的は、バッチ式の装置及び枚葉式
の装置の双方の利点を持ち、面内均一性の高い処理を行
うことができ、しかも高いスループットが得られる処理
装置を提供することにある。

【０００７】

【課題を解決するための手段】請求項１の発明は、複数
段の載置部を有する基枠部と、１枚または２枚の被処理
基板に対して処理ガスにより熱処理あるいはエッチング
を行なうように構成され、前記載置部に夫々着脱自在に
設けられた複数の枚葉式処理チャンバユニットと、前記
基枠部側に設けられ、前記処理チャンバユニットに着脱
自在に気密に接続されるロ−ドロック室と、を備えたこ
とを特徴とする。

【０００８】請求項２の発明は、複数段の載置部を有す
る基枠部と、１枚または２枚の被処理基板に対して処理
ガスにより熱処理あるいはエッチングを行なうように構
成され、前記載置部に夫々着脱自在に設けられた複数の
枚葉式処理チャンバユニットと、この処理チャンバユニ
ット及び前記基枠部側のガス配管を互いに着脱自在に接
続するためのガス配管接続部と、前記処理チャンバユニ
ット及び前記基枠部側の用力線を互いに着脱自在に接続
するための用力線接続部と、前記基枠部側に設けられ、
前記処理チャンバユニットに着脱自在に気密に接続され
るロ−ドロック室と、を備えたことを特徴とする。

【０００９】請求項３の発明は、請求項１または２の発
明において、ロ−ドロック室は、複数の処理チャンバユ
ニットに対して共通なものであることを特徴とする。

【００１０】請求項４の発明は、複数段の載置部を有す
る基枠部と、１枚または２枚の被処理基板に対して処理
ガスにより熱処理あるいはエッチングを行なうように構
成され、前記載置部に夫々着脱自在に設けられた複数の
枚葉式処理チャンバユニットと、この処理チャンバユニ
ット及び前記基枠部側のガス配管を互いに着脱自在に接
続するためのガス配管接続部と、前記処理チャンバユニ
ット及び前記基枠部側の用力線を互いに着脱自在に接続
するための用力線接続部と、前記基枠部側に設けられる
と共に前記処理チャンバユニットに着脱自在に気密に接
続され、複数の処理チャンバユニットに対して共通な第
１のロ−ドロック室と、この第１のロ−ドロック室と大
気側との間に設けられた第２のロ−ドロック室と、を備
えたことを特徴とする。

【００１１】請求項５の発明は、請求項３または４の発
明において、複数の処理チャンバユニットに対して共通
なロ−ドロック室内には、複数の処理チャンバユニット
との間で一括して被処理基板の受け渡しができる搬送手
段が設けられていることを特徴とする。

【００１２】請求項６の発明は、請求項１、２、３、
４、または５の発明において、処理チャンバユニットが
載置部に対してスライドできるように、載置部にガイド
機構を設けたことを特徴とする。

【００１３】

【作用】枚葉式処理チャンバユニットにより１枚づつあ
るいは２枚づつ熱処理またはエッチングを行うため、面
内均一性の高い処理を行うことができ、またこの処理チ
ャンバユニットを複数段重ねて１つの装置として構成し
ているので高いスループットを得ながら設置エリアが狭
くて済む。そして処理チャンバユニットが基枠部に対し
て着脱自在なので、処理チャンバユニットについてメン
テナンスを行うときには、ガス配管や用力線を外すと共
にロードロック室から切り離して基枠から取り外して行
うことができる。この場合処理チャンバユニットをガイ
ド機構によりスライドさせて載置部に着脱できるように
すれば非常に便利である。従ってメンテナンス作業が容
易であり、また例えばロードロック室を共通化した場合
において一の処理チャンバユニットにトラブルが生じた
ときには別の処理チャンバユニットを載置部に載置する
ことにより装置の稼働率の低下を少なくすることができ
る。

【００１４】

【実施例】図１は本発明の実施例に係る処理装置の裏面
側から見た外観を示す図である。この処理装置は、枚葉
式処理チャンバユニット１を複数段に重ねて載置するた
めの載置部例えば載置棚１０が例えば４段設けられた基
枠部をなすチャンバユニット収納部２と、このチャンバ
ユニット収納部２の正面側（図１では奥側）に配置され
た用力系ユニット収納部３と、前記チャンバユニット収
納部２の左右に夫々設置されたロードロック室４、５と
を備えている。

【００１５】はじめに枚葉式処理チャンバユニット１の
構造について図２及び図３を参照しながら述べると、こ
の処理チャンバユニット１は、左右両側面が開口してい
る例えば石英よりなる箱型の反応容器１１を備えてお
り、この反応容器１１の左右両端部付近を除く周囲を、
間隔を介して囲むように断熱体１２が設けられている。

【００１６】この断熱体１２の外周部付近には図３に示
すように水冷パイプ１２ａが設けられると共に、断熱体
１２の内周面には、反応容器１１内を加熱して均熱雰囲
気を形成するように抵抗発熱線よりなるヒータ１３が例
えばフック手段により着脱自在に取り付けられている。
ヒータ１３は図３に示すように上下両面と前後（ロード
ロック室４、５側を左右とした場合）両面に設けられて
おり、この場合例えば所定の加熱温度より高い温度を高
温とすると、上下のヒータ１３は高温処理用としてまた
前後のヒータ１３は低温処理用として使い分けるように
してもよい。

【００１７】前記反応容器１１の左右両端部には、図２
及び図４に示すように例えばアルミニウムなどの金属材
の内面側にアルミナ等の断熱層を積層してなるキャップ
体６１が夫々装着されている。このキャップ体６１に
は、ウエハの搬送口をなす、横に細長の開口部６２が形
成されると共に、この開口部６２の周縁部を取り囲むよ
うに外面側に角型のリング状体６３が取り付けられてい
る。一方チャンバユニット収納部１の両側壁には夫々ロ
ードロック室４、５に連通する開口部６４が形成されて
おり（図２参照）、前記両側壁の内側には、この開口部
６４を囲み、処理チャンバユニット１に向かって伸縮す
る金属ベローズ６５が気密に設けられている。

【００１８】この金属ベローズ６５の先端部には、前記
キャップ体６１側のリング状体６３に気密に外嵌される
角型のリング状態６６が取り付けられており、両リング
状体６３、６６を嵌合し例えば図示しないネジ止めを行
うことにより、図示しないＯリングなどと呼ばれるシー
ル材のシール作用により気密に接続されるようになって
いる。これら両リング体６３、６６及び金属ベローズ６
５は、この例において、処理チャンバユニット１側のウ
エハ搬送口６２とロードロック室３、４側のウエハ搬送
口６４とを気密に着脱自在に接続するための搬送口接続
部をなすものである。

【００１９】前記反応容器１１内には、例えば４本の棒
状突起よりなるウエハ載置部１４が設けられると共に、
左右両側に夫々処理ガス供給管１５及び排気管１６が接
続されている（図２参照）。処理ガス供給管１５及び排
気管１６は、キャップ体６１を通して外部に引き出さ
れ、反応容器１１と一体になったガラス管に図４に示す
ように金属管１７（排気管１６側の金属管１７は隠れて
見えない）を接合して構成される。 これら金属管１７
の先端部には夫々接続部１５ａ及び１６ａが取り付けら
れている。一方チャンバユニット収納部２と用力系ユニ
ット収納部３との間の板面３１からは、夫々接続部３
２、３３を有するフレキシブルな処理ガス供給管３４、
３５が伸び出しており、板面３１側の接続部３２、３３
は、夫々チャンバユニット収納部２側の接続部１５ａ、
１６ａと着脱自在に接続されるように構成されている。
この例では、これら接続部（３２、１５ａ）及び（３
３、１６ａ）は、ガス配管接続部に相当するものであ
る。前記処理ガス供給管３４及び排気管３５は、夫々用
力系ユニット収納部３内の図示しないガス供給制御ユニ
ット及び真空ポンプに接続されている。

【００２０】また前記処理チャンバユニット１の前面側
（図４中手前側）には、ヒータ１３への電力供給を行う
ための電気配線の接続部１８及び冷却水を通流する水冷
パイプ１２ａ（図３参照）の接続部１９が取り付けられ
ている。そして前記板面３１からは夫々先端に接続部３
６、３７を備えた電気配線３８及びフレキシブルな水冷
パイプ３９が伸び出しており、これら接続部３６、３７
は、処理チャンバユニット１側の接続部１８、１９と着
脱自在に接続されるようになっている。これら接続部
（１８、３８）及び（１９、３９）は、この例では用力
線接続部に相当するものである。

【００２１】前記処理チャンバユニット１の下面には、
図２に示すように載置棚２０に前後に沿って設けられた
ガイド機構例えばガイドレール２１に案内されるガイド
部２２が取り付けられており、前記ガイドレール２１に
は、処理チャンバユニット１をガイドレール２１に沿っ
て載置棚２０に載置したときに位置決めする例えばスト
ッパなどからなる位置決め部が形成されている。

【００２２】次いで前記ロードロック室４、５に関して
図５及び図６を参照しながら述べる。ロードロック室
４、５は夫々ローダ側及びアンローダ側のロードロック
室であり、大気側雰囲気と処理チャンバユニット１内雰
囲気とを遮断するためのものである。ロードロック室
４、５はロードロック室５が冷却プレート４０を備えて
いる点を除けば同一構成であり、アンローダ側のロード
ロック室５を代表して詳述すると、このロードロック室
５内にはロードロック室５と前記処理チャンバユニット
１との間でウエハを搬送する搬送ロボット７Ｂが設けら
れている。

【００２３】この搬送ロボット７Ｂは、チャンバユニッ
ト収納部２との間の板面に形成された４段のウエハ搬送
口６４に対応する高さ位置にて支柱７１に設けられた４
段のアーム機構７２と、支柱７１を鉛直軸のまわりに回
転させ、また上下動させるための駆動部７３とを備えて
いる。アーム機構７２は、基台７４にアーム７５を進退
自在に設けてなるものである。

【００２４】ロードロック室５内には、前記アーム７５
とウエハの受け渡しができる位置に、冷却プレート７６
及び受け渡し棚７７Ｂが設置されている。冷却プレート
７６は、前記アーム７５の高さ位置に対応する位置に４
段設けられている。受け渡し棚７７Ｂは前後が開口し、
４枚のウエハを収納できるように両側部に４段の溝が形
成されており、ロードロック室５内の前面側に配置され
ている。この受け渡し棚７７Ｂは、昇降プレート７７ａ
の上に載置され、昇降プレート７７ａは、ボールネジ７
７ｂの回動によりガイド棒７７Ｃにガイドされながら昇
降できるように構成されている。前記ボールネジ７７ｂ
は、ロードロック室５の壁部に固定された固定板７７ｄ
と駆動部７７ｅとの間に垂直に架設されている。

【００２５】前記ロードロック室５は４段の処理チャン
バユニット１に対して共通なものであるが、このロード
ロック室５と大気側との間には、図５に示すようにアー
ム機構５１を備えた小さなロードロック室５２Ｂがゲー
トバルブＧ１（図５では開いている状態なので図示して
いない）を介して気密に接続されており、ロードロック
室５２Ｂの大気側にはゲートバルブＧ２が設けられてい
る。前記アーム機構５１は、前記アーム機構７２と同様
の構成であるが４枚のアーム５３を備えていて４枚のウ
エハＷを一括して保持し、受け渡し棚７７Ｂと大気側の
ウエハカセットＣとの間でウエハの受け渡しができるよ
うに構成されている。なおロードロック室５及び５２Ｂ
は、この実施例ではアンローダ側の第１のロードロック
室及び第２のロードロック室に相当するものである。

【００２６】前記第１のロードロック室５とチャンバユ
ニット収納部２との間には、搬送口６４を開閉するゲー
トバルブＧ３が設けられている。またロードロック室５
及び５２Ｂには排気管５４、５５が接続され、これら排
気管５４、５５は、夫々バルブＶ１、Ｖ２を介して図示
しない真空ポンプに接続されている。

【００２７】以上アンローダ側のロードロック室５及び
５２に関して述べたがローダ側のロードロック室４につ
いても、冷却プレート７６が存在しない以外は同様の構
成である。またロードロック室５及び５２に関する主要
な部分については、符号の末尾に「Ｂ」を付してあり、
ローダ側のロードロック室４においては、それらに対応
する部分の符号の末尾に「Ａ」を付してある。

【００２８】次に上述実施例の作用について述べる。先
ずゲートバルブＧ１、Ｇ３を閉じて、ローダ側及びアン
ローダ側の第１のロードロック室４、５内及び処理チャ
ンバユニット１の反応容器１１内を所定の真空度まで真
空排気する。そしローダ側の第２のロードロック室５２
Ａを大気に開放し、アーム５３により大気側のカセット
Ｃ内から４枚のウエハＷを一括して受け取り、第２のロ
ードロック室５２Ａ内に搬入する。この受け渡しは例え
ばカセットＣのステージを昇降させることにより行うこ
とができる。しかる後大気側のゲートバルブＧ２を閉じ
てからロードロック室５２Ａ内を真空排気し、ゲートバ
ルブＧ１を開いてアーム５３上の４枚のウエハＷを第１
のロードロック室４内の受け渡し棚７７Ａに一括して受
け渡す。

【００２９】続いて受け渡し棚７７Ａをウエハ搬送ロボ
ット７Ａの各アーム７５に対応する高さ位置に順次上昇
させ、各アーム７５に受け渡し棚７７Ａ上のウエハが１
枚づつ受け渡される。次いで支柱７１がアーム７５とウ
エハ搬送口６４とが対向する位置まで回転すると共にゲ
ートバルブＧ３が開き、アーム７５が伸び出して搬送口
６４、６２を通じてウエハＷを反応容器１１内のウエハ
載置部１４上に受け渡す。この受け渡しは支柱７１を上
下動させることにより行われる。

【００３０】こうして反応容器１１内にウエハＷが搬入
された後、ヒータ１３によりウエハＷを所定温度に加熱
すると共に排気管１６により真空排気しながら処理ガス
供給管１５から例えば成膜ガスを供給し、ウエハＷ表面
に対してＣＶＤ処理を行って所定の薄膜を形成する。こ
うして４段の処理チャンバユニット１により熱処理例え
ばＣＶＤ処理が同時に行われた後、アンローダ側のロー
ドロック室５内のウエハ搬送ロボット７Ｂにより既述し
た搬入動作と逆の動作で大気側のカセットＣに搬出され
る。ただし処理チャンバユニット１内のウエハＷは一旦
冷却プレート７６に載置されて冷却された後受け渡し棚
７７Ｂに搬送される。

【００３１】このような実施例によれば枚葉式の処理チ
ャンバユニット１により１枚づつ熱処理を行っているの
で枚葉式熱処理装置の利点である面内均一性の高い熱処
理を行うことができると共に、処理チャンバユニット１
を多段化して同時に例えば４枚のウエハを処理するので
高いスループットが得られ、しかも装置の専有面積が狭
くて済む。また各段の処理チャンバユニット１に対して
ロードロック室４、５を共通化しているため、排気系や
搬送系を共通化できるなど装置構成が簡単になる。この
場合共通のロードロック室（第１のロードロック室４、
５）と大気との間に第２のロードロック室５２Ａ、５２
Ｂを設ければ、大きな共通の第１のロードロック室４、
５については、ウエハの搬入、搬出の際に大気に開放し
なくて済むので、真空引きに伴うスループットの低下と
いうおそれもない。

【００３２】そして各処理チャンバユニット１は載置棚
２０に対して着脱自在であり、ロードロック室４、５側
のウエハの搬送口、チャンバユニット収納部２側のガス
配管及び用力線に対しても各接続部により着脱できるた
め、処理チャンバユニット１のメンテナンス作業がやり
やすいし、また例えば４段の処理チャンバユニット１の
うちの１つにトラブルが生じた場合、替え用の処理チャ
ンバユニット１と交換することにより装置の稼働率の低
下を避けることができる。この場合載置棚２０にガイド
レールなどのガイド機構を設けて処理チャンバユニット
１をスライドさせるようにすれば処理チャンバユニット
１の着脱が容易である。

【００３３】以上において処理チャンバユニット１の載
置部は処理チャンバユニット１の下面を保持する構成に
限らず、例えば処理チャンバユニット１の側面を保持す
る構成であってもよい。また処理チャンバユニット１と
ロードロック室４、５とを接続する金属ベローズ６５
は、例えば二重化してその間に気体を供給、抜き取るこ
とによりベローズ６５を伸縮させる構成としてもよい。

【００３４】更に共通化されたロードロック室４、５内
のウエハ搬送ロボットについては、例えば進退自在なア
ームを複数段設けると共に各段のアーム内のピッチ（上
下方向のピッチ）を変えられるような構成とし、ウエハ
カセット内のウエハをアームで複数枚同時に抜き取った
後アーム間のピッチを広げて、各処理チャンバユニット
内に同時にウエハを搬入するようにしてもよい。また各
段の処理チャンバユニットに対してロードロック室を共
通化せず、各段の処理チャンバユニット毎にロードロッ
ク室を設けてもよく、この場合各処理チャンバユニット
内の熱処理のタイミングは必ずしも同時でなくともよ
い。なお被処理基板はウエハに限らず液晶ディスプレイ
基板であってもよい。

【００３５】ここで処理チャンバユニット１としては、
図８に示すように水冷パイプ８０を有する断熱体８１と
反応容器１１との間の空間に、反応容器１１の上下、前
後を囲むように複数の反射板８２、８３、８４を互に間
隔をおいて重ねて配置し、内側の反射板８２にヒータ１
３を着脱自在に設けた構造のものを用いてもよい。また
枚葉式の処理チャンバユニット１は、１枚のウエハを処
理するものに限らず、図９に示すように２段型のウエハ
載置部８５を用い、２枚のウエハＷをこのウエハ載置部
８５に重ねて載置し、ウエハＷ間に整流板８６を介設す
るようにしてもよい。

【００３６】更にまた処理チャンバユニット１で行う処
理は、ＣＶＤに限らず酸化処理などの他の熱処理であっ
てもよいし、あるいはウエハを冷却して行われるプラズ
マエッチングであってもよい。酸化処理を常圧で行う場
合ロードロック室も常圧雰囲気とされるが、この場合ロ
ードロック室内を不活性ガス雰囲気とし、処理チャンバ
ユニット１内への大気の混入や、高温のウエハ表面上の
自然酸化膜の抑制を図ることが望ましい。プラズマエッ
チングを行う処理チャンバユニット１としては、例えば
図１０に示すようにアルミニウム製の排気口９０を備え
た真空チャンバ９１内に、上部電極を兼ねたガス供給部
９２と下部電極を兼ねたウエハ載置台９３とを対向配置
し、電極９２、９３間に高周波電源部から高周波電力を
印加してプラズマを発生させるものを用いることができ
る。

【００３７】

【発明の効果】以上のように本発明によれば被処理基板
に対して面内均一性の高い処理を行うことができて高い
歩留まりが得られると共に、広い面積を必要とせずに高
いスループットを得ることができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の実施例に係る処理装置の外観を示す斜
視図である。

【図２】本発明の実施例で用いられる処理チャンバユニ
ットを示す縦断正面図である。

【図３】本発明の実施例で用いられる処理チャンバユニ
ットを示す縦断側面図である

【図４】本発明の実施例で用いられる処理チャンバユニ
ットとチャンバユニット収納部側のガス配管などとの接
続の様子を示す斜視図である。

【図５】本発明の実施例に係る処理装置の内部を示す概
略平面図である。

【図６】アンローダ側のロードロック室を示す斜視図で
ある。

【図７】本発明の実施例に係る処理装置の内部を示す概
略側面図である。

【図８】処理チャンバユニットの他の例を示す縦断正面
図である。

【図９】処理チャンバユニットの更に他の例を示す縦断
正面図である。

【図１０】処理チャンバユニットの更にまた他の例を示
す縦断正面図である。

【符号の説明】

１ 処理チャンバユニット １１ 反応容器 Ｗ 半導体ウエハ ２ チャンバユニット収納部 ２０ 載置棚 ３ 用力系ユニット収納部 ３２、１５ａ ガス供給管の接続部 ３３、１６ａ 排気管の接続部 ３８、１８ 電気配線の接続部 ３９、１９ 水冷パイプの接続部 ４、５ 第１のロ−ドロック室 ５２Ａ、５２Ｂ 第２のロ−ドロック室 ６３、６６ ウエハ搬送口の接続部 ７Ａ、７Ｂ ウエハ搬送ロボット

Claims (6)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 複数段の載置部を有する基枠部と、 １枚または２枚の被処理基板に対して処理ガスにより熱
   処理あるいはエッチングを行なうように構成され、前記
   載置部に夫々着脱自在に設けられた複数の枚葉式処理チ
   ャンバユニットと、 前記基枠部側に設けられ、前記処理チャンバユニットに
   着脱自在に気密に接続されるロ−ドロック室と、を備え
   たことを特徴とする処理装置。
2. 【請求項２】 複数段の載置部を有する基枠部と、 １枚または２枚の被処理基板に対して処理ガスにより熱
   処理あるいはエッチングを行なうように構成され、前記
   載置部に夫々着脱自在に設けられた複数の枚葉式処理チ
   ャンバユニットと、 この処理チャンバユニット及び前記基枠部側のガス配管
   を互いに着脱自在に接続するためのガス配管接続部と、 前記処理チャンバユニット及び前記基枠部側の用力線を
   互いに着脱自在に接続するための用力線接続部と、 前記基枠部側に設けられ、前記処理チャンバユニットに
   着脱自在に気密に接続されるロ−ドロック室と、を備え
   たことを特徴とする処理装置。
3. 【請求項３】 ロ−ドロック室は、複数の処理チャンバ
   ユニットに対して共通なものであることを特徴とする請
   求項１または２記載の処理装置。
4. 【請求項４】 複数段の載置部を有する基枠部と、 １枚または２枚の被処理基板に対して処理ガスにより熱
   処理あるいはエッチングを行なうように構成され、前記
   載置部に夫々着脱自在に設けられた複数の枚葉式処理チ
   ャンバユニットと、 この処理チャンバユニット及び前記基枠部側のガス配管
   を互いに着脱自在に接続するためのガス配管接続部と、 前記処理チャンバユニット及び前記基枠部側の用力線を
   互いに着脱自在に接続するための用力線接続部と、 前記基枠部側に設けられると共に前記処理チャンバユニ
   ットに着脱自在に気密に接続され、複数の処理チャンバ
   ユニットに対して共通な第１のロ−ドロック室と、 この第１のロ−ドロック室と大気側との間に設けられた
   第２のロ−ドロック室と、を備えたことを特徴とする処
   理装置。
5. 【請求項５】 複数の処理チャンバユニットに対して共
   通なロ−ドロック室内には、複数の処理チャンバユニッ
   トとの間で一括して被処理基板の受け渡しができる搬送
   手段が設けられていることを特徴とする請求項３または
   ４記載の処理装置。
6. 【請求項６】 処理チャンバユニットが載置部に対して
   スライドできるように、載置部にガイド機構を設けたこ
   とを特徴とする請求項１、２、３、４、または５記載の
   処理装置。