WO2018051463A1 - 基板処理装置 - Google Patents

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vacuum
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processing apparatus
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Inventor
浩明 徳永
Original Assignee
堺ディスプレイプロダクト株式会社
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    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
    • H01L21/18—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer the devices having semiconductor bodies comprising elements of Group IV of the Periodic Table or AIIIBV compounds with or without impurities, e.g. doping materials
    • H01L21/30—Treatment of semiconductor bodies using processes or apparatus not provided for in groups H01L21/20 - H01L21/26
    • H01L21/324—Thermal treatment for modifying the properties of semiconductor bodies, e.g. annealing, sintering

Definitions

  • the present invention relates to a substrate processing apparatus including a chamber that heat-treats a substrate in a reduced pressure state, and a housing that houses the chamber.
  • Moisture, gas, etc. are easily attached to TFT substrates used for liquid crystal panels. As described above, moisture, gas, and the like attached to the TFT substrate or the like cause bubbles in the liquid crystal in the liquid crystal layer forming step, and thus need to be removed in advance.
  • a substrate processing apparatus that quickly removes moisture, gas, and the like attached by performing a deaeration process together with a heat treatment in a vacuum on a TFT substrate or the like is used.
  • the temperature outside the substrate processing apparatus may be significantly lower than the target temperature in the heat treatment.
  • the temperature difference between the external temperature and the target temperature is large, it is difficult to raise the temperature in the substrate processing apparatus to the target temperature because it is influenced by the external temperature.
  • Patent Document 1 a heat insulating material attached to a wall surface or a component in a vacuum processing chamber that is depressurized to a predetermined pressure range, the vacuum processing chamber being depressurized to a predetermined pressure.
  • the heat insulating material which exhibits high heat insulation is disclosed.
  • the heat insulating material only serves to reduce the influence of the external temperature of the apparatus, and the external temperature becomes a vacuum process using the heat insulating material as a medium. There is no difference in being able to conduct into the room, and the influence of external temperature cannot be eliminated.
  • the present invention has been made in view of such circumstances, and the object of the present invention is to provide a vacuum section around the chamber of the substrate processing apparatus for performing the heat treatment of the substrate, so that the temperature in the chamber is increased.
  • An object of the present invention is to provide a substrate processing apparatus capable of preventing the influence of temperature outside the substrate processing apparatus.
  • the substrate processing apparatus has a vacuum section between the casing and the chamber in the substrate processing apparatus including a chamber for performing heat treatment on the substrate in a reduced pressure state and a casing for housing the chamber. It is characterized by that.
  • FIG. 1 is an external view schematically showing a configuration of a substrate processing apparatus 100 according to the first embodiment.
  • the substrate processing apparatus 100 is a so-called vacuum deaeration apparatus that performs a deaeration process while performing a heat treatment on a target substrate.
  • the substrate processing apparatus 100 performs the heating process and the deaeration process on the TFT substrate related to the liquid crystal panel prior to the liquid crystal layer forming process.
  • the substrate processing apparatus 100 includes a plurality of chambers 2, 2,... 2 on which a TFT substrate S to be processed is placed, and a housing 1 that houses the plurality of chambers 2, 2,.
  • the vertical direction in the drawing is referred to as the vertical direction
  • the horizontal direction in the drawing is referred to as the horizontal direction.
  • FIG. 2 is a longitudinal sectional view taken along line AA in FIG.
  • the housing 1 has, for example, a rectangular parallelepiped shape and accommodates five chambers 2.
  • the housing 1 is provided with shutters 30, 30,... By opening and closing the shutter 30, the TFT substrate S can be placed in each chamber 2 or taken out from the chamber 2.
  • casing 1 is provided with the 1st through-hole 21, 21, ... 21 by which the discharge pipes 3,3, ... mentioned later are inserted in the back surface on the opposite side to the said front.
  • the present embodiment is not limited to this, and the number of chambers 2 may be more than five or less than five. good.
  • a direction perpendicular to the front surface and the back surface of the housing 1 is referred to as a front-rear direction.
  • the chamber 2 has a flat rectangular box shape whose upper surface and lower surface are larger than other surfaces, and the TFT substrate S is placed inside the chamber 2.
  • the chamber 2 is provided with an introduction port 7 on the front side in the front-rear direction, and is connected to the shutter 30 via the introduction port 7.
  • a mounting table 5 on which the TFT substrate S is mounted is provided inside the chamber 2.
  • the mounting table 5 is configured so that heat treatment can be performed on the mounted TFT substrate S.
  • You may provide the mechanism which heat-processes TFT substrate S with the mounting base 5 instead of the mounting base 5 separately.
  • a heater for heating the TFT substrate S from above may be provided.
  • the chamber 2 is provided with a discharge pipe 3 on the rear surface in the front-rear direction.
  • the discharge pipe 3 extends through the first through hole 21 of the housing 1. Specifically, one end of the discharge pipe 3 communicates with the inside of the chamber 2, and the other end of the discharge pipe 3 communicates with the outside of the housing 1.
  • the discharge pipe 3 is provided with a valve 4, and the discharge pipe 3 can be opened and closed by appropriately operating the valve 4.
  • a vacuum pump is connected to the other end of the discharge pipe 3 via a hose or the like, and the deaeration process in the chamber 2 is performed by evacuating by operating the vacuum pump. That is, the discharge pipe 3 discharges the gas in the chamber 2 and the moisture adhering to the TFT substrate S to the outside of the housing 1 during the degassing process (see the black arrow in FIG. 2). .
  • the five chambers 2 are juxtaposed in the vertical direction, and in the adjacent chambers 2, the upper surface of the lower chamber 2 is adjacent to the lower surface of the upper chamber 2.
  • the five chambers 2 arranged side by side are hereinafter referred to as a chamber portion 2A.
  • a vacuum part 61 is provided between the casing 1 and the chamber 2 (chamber part 2A).
  • the vacuum part 61 is provided so as to surround the periphery of the chamber part 2A.
  • a vacuum chamber 6 is formed along the periphery of the chamber portion 2A, and the vacuum chamber 6 has a vacuum portion 61 inside. That is, the inside of the vacuum chamber 6 is maintained in a vacuum state.
  • the chamber part 2A is isolated from the housing 1 by the vacuum part 61.
  • moisture, gas, and the like attached to the TFT substrate S can be quickly removed by performing the deaeration process together with the heating process. As a result, it is possible to prevent bubbles from being generated in the liquid crystal due to moisture, gas, and the like attached to the TFT substrate S in the liquid crystal layer forming step.
  • the temperature outside the substrate processing apparatus 100 may be lower than the temperature of the chamber portion 2A, that is, the target temperature (eg, 70 ° C. to 100 ° C.) in such heat treatment.
  • the room temperature is usually about 25 ° C., which is much lower than the target temperature.
  • a measure is generally taken to attach a heat insulating material to the outside of the housing 1 or to attach a heat insulating material to the inside of the housing 1 or the outside of the chamber portion 2A.
  • heat insulating materials include those that can cause dust, such as glass fiber, it is not desirable to use heat insulating materials on the outside of the housing 1 for use in a clean room.
  • the substrate processing apparatus 100 has only the vacuum part 61 between the chamber part 2A and the housing 1, and the chamber part 2A has the vacuum part 61. It is isolated from the housing 1 by. That is, there is no medium between the chamber part 2A and the housing 1 that conducts the temperature outside the housing 1 to the chamber part 2A. Therefore, the outside temperature of the housing 1 does not affect the temperature (heat treatment) in the chamber 2, and the inside of the chamber portion 2A can be efficiently raised to the target temperature.
  • the vacuum chamber 6 is formed along the periphery of the chamber portion 2A and the vacuum portion 61 surrounds the chamber portion 2A has been described as an example.
  • the present embodiment is limited to this. Not a thing.
  • the configuration of the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment is not limited to the above description.
  • a mechanism for heat-treating the TFT substrate S may be separately provided together with the mounting table 5 or instead of the mounting table 5.
  • a heater for heating the TFT substrate S from above may be provided.
  • a vacuum chamber 6 vacuum portion 61 may be provided between the chamber 2 and the chamber 2 in the chamber portion 2A.
  • FIG. 3 is an enlarged view showing a portion corresponding to the broken-line circle in FIG. 2 in the substrate processing apparatus 100 according to the second embodiment.
  • the substrate processing apparatus 100 has substantially the same configuration as that of the first embodiment, but differs in the configuration of the vacuum chamber 6.
  • the housing 1 has, for example, a rectangular parallelepiped shape and accommodates five chambers 2, and includes shutters 30, 30,... Further, the housing 1 is provided with a second through hole 22 into which a vacuum pulling tube 62 described later is inserted in the lower part of the back surface opposite to the front surface in the front-rear direction.
  • the chamber 2 is provided with an introduction port 7 on the front side in the front-rear direction, and a mounting table 5 on which the TFT substrate S is mounted. Further, the chamber 2 is provided with a discharge pipe 3 on a surface facing the back surface of the housing 1, and the discharge pipe 3 is provided with a valve 4. The discharge pipe 3 discharges the gas in the chamber 2 and the moisture adhering to the TFT substrate S to the outside of the housing 1 during the degassing process (see black arrows in FIG. 3). Since the structure of the chamber 2 is the same as that of Embodiment 1, detailed description is abbreviate
  • a vacuum part 61 is provided between the casing 1 and the chamber 2 (chamber part 2A).
  • the vacuum part 61 is provided so as to surround the periphery of the chamber part 2A.
  • the vacuum chamber 6 is formed along the periphery of the chamber portion 2A, and the vacuum portion 61 is formed inside the vacuum chamber 6 as necessary.
  • the vacuum chambers 6 are provided above and below the chamber portion 2A in the vertical direction and on the left and right sides of the chamber portion 2A in the horizontal direction.
  • a vacuum chamber 6 is also formed between the rear surface of the housing 1 and the chamber portion 2A.
  • a vacuum chamber 6 is formed between the front surface of the housing 1 and the chamber portion 2 ⁇ / b> A except for a portion occupied by the introduction port 7.
  • a vacuum pulling tube 62 is provided in the vacuum chamber 6 so as to correspond to the second through hole 22 of the housing 1.
  • the evacuation tube 62 is provided so as to be inserted through the second through hole 22 of the housing 1.
  • one end of the vacuum suction pipe 62 communicates with the inside of the vacuum chamber 6, and the other end of the vacuum suction pipe 62 communicates with the outside of the housing 1 through the second through hole 22.
  • the vacuum pulling tube 62 is provided with a valve 63, and the vacuum pulling tube 62 can be opened and closed by appropriately operating the valve 63.
  • the vacuum drawing tube 62 discharges the gas in the vacuum chamber 6 to the outside of the vacuum chamber 6, and forms a vacuum part 61 in the vacuum chamber 6.
  • a vacuum pump is connected to the other end of the vacuum drawing pipe 62 via a hose or the like, and the vacuum chamber 6 is evacuated by operating the vacuum pump to perform vacuum drawing. Can do. That is, the evacuation tube 62 discharges the gas in the vacuum chamber 6 to the outside of the housing 1 during vacuum evacuation (see the white arrow in FIG. 3), thereby forming the vacuum part 61 in the vacuum chamber 6. In other words, the user can provide the vacuum part 61 as needed.
  • the user can provide the vacuum unit 61 between the chamber unit 2A and the housing 1 as necessary. Further, by providing the vacuum part 61 between the chamber part 2A and the casing 1, the outside temperature of the casing 1 is prevented from affecting the temperature in the chamber 2, and the inside of the chamber part 2A is efficiently contained in the chamber part 2A. Can be raised to the target temperature.
  • the user can adjust the degree of vacuum in the vacuum unit 61, that is, the vacuum chamber 6, as necessary.
  • (Embodiment 3) 4 is an enlarged view showing a portion corresponding to the broken-line circle in FIG. 2 in the substrate processing apparatus 100 according to the third embodiment.
  • the substrate processing apparatus 100 according to the present embodiment has substantially the same configuration as that of the second embodiment.
  • the chamber 2 is provided with an introduction port 7 on the front side in the front-rear direction and on the inner side with a mounting table 5. Further, the chamber 2 is provided with a discharge pipe 3 on a surface facing the back surface of the housing 1, and the discharge pipe 3 is provided with a valve 4. The discharge pipe 3 discharges the gas in the chamber 2 and the moisture adhering to the TFT substrate S to the outside of the housing 1 during the degassing process (see black arrows in FIG. 4). Since the configuration of the chamber 2 is the same as that of the first embodiment, detailed description thereof is omitted.
  • a vacuum pulling tube 62 is provided in the vacuum chamber 6 so as to correspond to the second through hole 22 of the housing 1.
  • the evacuation tube 62 is provided so as to be inserted through the second through hole 22 of the housing 1.
  • one end of the vacuum pulling tube 62 communicates with the inside of the vacuum chamber 6, and the other end of the vacuum pulling tube 62 is extended to the outside of the housing 1 through the second through hole 22, and is connected to the discharge tube 3.
  • the other end of the vacuum drawing pipe 62 is connected to the vacuum pump side from the valve 4 in the discharge pipe 3.
  • the vacuum pulling tube 62 is provided with a valve 63, and the vacuum pulling tube 62 can be opened and closed by appropriately operating the valve 63.
  • a vacuum pump is connected to the other end of the discharge pipe 3 via a hose or the like, and the deaeration process in the chamber 2 is performed by evacuating by operating the vacuum pump. That is, the discharge pipe 3 discharges the gas in the chamber 2 and the moisture adhering to the TFT substrate S to the outside of the housing 1 during the degassing process (see the black arrow in FIG. 4). . At this time, the evacuation tube 62 discharges the gas in the vacuum chamber 6 to the outside of the housing 1 (see the white arrow in FIG. 4), and the vacuum section 61 is provided in the vacuum chamber 6.
  • the degassing and vacuuming are performed with one vacuum pump.
  • the vacuum pump is operated, and only the valve 63 is opened with the valve 4 closed.
  • the deaeration process and the vacuuming can be performed simultaneously.
  • the user can provide the vacuum unit 61 between the chamber unit 2A and the housing 1 as necessary. Further, by providing the vacuum part 61 between the chamber part 2A and the casing 1, the outside temperature of the casing 1 is prevented from affecting the temperature in the chamber 2, and the inside of the chamber part 2A is efficiently contained in the chamber part 2A. Can be raised to the target temperature.
  • the user can adjust the degree of vacuum in the vacuum chamber 6 as necessary.
  • the vacuum chamber 61 is formed along the periphery of the chamber portion 2A, and the vacuum portion 61 is formed by evacuating the inside of the vacuum chamber 6, and the housing 1 and the chamber 2 (chamber portion 2A)
  • the present invention is not limited to this.
  • the inside of the housing 1 may be a sealed space, and after the chamber portion 2A is accommodated inside the housing 1, the inside of the housing 1 may be in a vacuum state. In such a case, the vacuum chamber 6 can be omitted, and the manufacturing cost can be reduced.
  • vacuum in the above description should be interpreted as including “reduced pressure”.

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Abstract

減圧状態で基板（Ｓ）に加熱処理を行うチャンバー（２）と、チャンバー（２）を収容する筐体（１）とを備える基板処理装置（１００）において、筐体（１）及びチャンバー（２）の間に真空室（６）を設け、真空室（６）の内側に真空部（６１）を形成することにより、基板（Ｓ）の加熱処理を行なうチャンバー（２）内の温度に、基板処理装置（１００）の外部の温度の影響が及ぼすことを防ぐ。

Description

基板処理装置
　本発明は、減圧状態で基板に加熱処理を行うチャンバーと、該チャンバーを収容する筐体とを備える基板処理装置に関する。
　液晶パネルに用いられるＴＦＴ基板等においては水分、ガスなどが容易に付着される。このように、ＴＦＴ基板等に付着された水分、ガスなどは液晶層形成工程にて液晶内に気泡を発生させる原因となるので予め除去する必要がある。
　これに対して、一般的には、ＴＦＴ基板等に対して真空中において加熱処理と共に脱気処理を行なうことによって付着された水分、ガスなどを素早く除去する基板処理装置が用いられる。
　しかし、使用環境によっては、基板処理装置の外部の温度が加熱処理における目標温度を大きく下回る場合がある。このように外部の温度と前記目標温度との温度差が大きい場合は、外部の温度の影響を受けるので、基板処理装置内の温度を前記目標温度まで上げにくくなる。
　このような問題に対して、特許文献１においては、所定の圧力範囲に減圧される真空処理室内の壁面又は構成部品に取り付けられる断熱材であって、真空処理室が所定圧力に減圧された状態で高い断熱性を発揮する断熱材について開示している。
特開２０１４－２０４２２号公報
　しかしながら、特許文献１に係る断熱材を用いた真空処理室において、断熱材は当該装置の外部の温度の影響を下げる役割をなすのみであり、断熱材が媒体となって外部の温度が真空処理室内に伝導され得ることに違いはなく、外部の温度の影響を無くすことはできない。
　本発明は、斯かる事情に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、基板の加熱処理を行なう基板処理装置のチャンバーの周囲に真空部を設けることにより、チャンバー内の温度に、基板処理装置外部の温度の影響が及ぼすことを防ぐことができる基板処理装置を提供することにある。
　本実施例に係る基板処理装置は、減圧状態で基板に加熱処理を行うチャンバーと、該チャンバーを収容する筐体とを備える基板処理装置において、前記筐体及び前記チャンバーの間に真空部を有することを特徴とする。
　本実施例によれば、基板の加熱処理を行なうチャンバー内の温度に、基板処理装置外部の温度が影響を及ぼすことを防ぐことができる。
実施の形態１に係る基板処理装置の構成を概略的に示す外観図である。 図１のＡ－Ａ線による縦断面図である。 実施の形態２に係る基板処理装置において、図２の破線の円に該当する部分を拡大して示す拡大図である。 実施の形態３に係る基板処理装置において、図２の破線の円に該当する部分を拡大して示す拡大図である。
　以下に、本発明の実施の形態に係る基板処理装置について、図面に基づいて詳述する。
（実施の形態１）
　図１は実施の形態１に係る基板処理装置１００の構成を概略的に示す外観図である。基板処理装置１００は対象の基板に対して加熱処理を行いつつ、脱気処理を行う、いわゆる真空脱気装置である。例えば、基板処理装置１００は、液晶層形成工程に先立って、液晶パネルに係るＴＦＴ基板に対して前記加熱処理及び脱気処理を行う。
　基板処理装置１００は、処理すべきＴＦＴ基板Ｓが載置される複数のチャンバー２，２，…２と、複数のチャンバー２，２，…２を収容する筐体１とを備えている。以下の説明においては、説明の便宜上、図面視上下方向を縦方向と言い、図面視左右方向を横方向と言う。
　図２は図１のＡ－Ａ線による縦断面図である。
　筐体１は、例えば、直方体形状であり、５つのチャンバー２を収容している。筐体１は正面に各チャンバー２を開閉するシャッター３０，３０，…３０を備えている。シャッター３０を開閉することにより、各チャンバー２内にＴＦＴ基板Ｓを載置させ、又はチャンバー２から取り出すことが出来る。また、筐体１は、前記正面と反対側の背面に、後述する排出管３，３，…３が挿通される第１貫通孔２１，２１，…２１が設けられている。
　以下においては、チャンバー２が５つである場合を例に挙げて説明するが、本実施の形態はこれに限るものでなく、チャンバー２が５つより多くてもよく、５つより少なくても良い。以下、筐体１の前記正面及び背面に対して垂直な方向を前後方向と言う。
　チャンバー２は、上面及び下面が他の面より大きい扁平な直方体の箱状をなしており、チャンバー２の内側にＴＦＴ基板Ｓが載置される。チャンバー２は前後方向における前側に導入口７が設けられており、導入口７を介してシャッター３０に繋がっている。
　また、チャンバー２の内側には、ＴＦＴ基板Ｓが載置される載置台５が設けられている。載置台５は、載置されたＴＦＴ基板Ｓに対して加熱処理を行うことが出来るように構成されている。なお、これに限るものでなく、載置台５と共に又は載置台５の代わりに、ＴＦＴ基板Ｓを加熱処理する機構を別途設けても良い。例えば、上方からＴＦＴ基板Ｓを加熱処理するヒーターを設けても良い。
　更に、チャンバー２には、前後方向において後側の面に排出管３が設けられている。排出管３は筐体１の第１貫通孔２１を挿通して延設されている。詳しくは、排出管３の一端はチャンバー２内に連通しており、排出管３の他端は筐体１の外側に連通している。排出管３にはバルブ４が設けられており、バルブ４を適宜操作することによって排出管３を開閉できる。
　図示しないが、排出管３の他端には、ホース等を介して真空ポンプが接続されており、真空ポンプを稼働させて真空引きを行うことによって、チャンバー２内の脱気処理を行なう。すなわち、排出管３は、前記脱気処理の際、チャンバー２内の気体、及び、ＴＦＴ基板Ｓに付着していた水分等を筐体１の外側に排出する（図２の黒塗り矢印参照）。
　５つのチャンバー２は縦方向に並設されており、隣り合うチャンバー２においては、下方のチャンバー２の上面が、上方のチャンバー２の下面と隣接している。このように並設された５つのチャンバー２を、以下においてはチャンバー部２Ａと言う。
　本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、筐体１とチャンバー２（チャンバー部２Ａ）との間に真空部６１を設けている。真空部６１はチャンバー部２Ａの周囲を囲繞するように設けられている。詳しくは、チャンバー部２Ａの周囲に沿って真空室６が形成されており、真空室６は内側に真空部６１を有している。すなわち、真空室６の内側は真空状態に維持されている。
　具体的には、縦方向においてチャンバー部２Ａの上下に、また、横方向においてチャンバー部２Ａの左右に真空室６が設けられている。また、筐体１の前記背面とチャンバー部２Ａとの間にも真空室６が形成されている。更に、筐体１の前記正面とチャンバー部２Ａとの間においても、導入口７によって占められる部分を除いて、真空室６が形成されている。換言すれば、真空室６は、筐体１とチャンバー部２Ａとの間にて、筐体１の内側面とチャンバー部２Ａの外側面に沿って形成されている。真空室６は例えばステンレス鋼等からなる。
　以上のような構成を有することから、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、チャンバー部２Ａが真空部６１によって筐体１と隔離されている。
　基板処理装置１００を用いた前記脱気処理の際、チャンバー２のシャッター３０を開けて、導入口７を通して、チャンバー２内にＴＦＴ基板Ｓを入れ、ＴＦＴ基板Ｓが載置台５上に載置される。次いで、載置台５によってＴＦＴ基板Ｓに対し加熱処理が行われる。この際、前記真空ポンプを稼働させ、バルブ４を開けることによって前記脱気処理が開始され、ＴＦＴ基板Ｓに付着していた水分等が筐体１の外側に排出される。
　このように、基板処理装置１００においては、加熱処理と共に脱気処理を行なうことにより、ＴＦＴ基板Ｓに付着されている水分、ガスなどを素早く除去することが出来る。ひいては、液晶層形成工程にて、ＴＦＴ基板Ｓに付着されている水分、ガスなどに起因し、液晶内に気泡が発生することを未然に防止できる。
　一方、使用環境によっては、基板処理装置１００の外部の温度がチャンバー部２Ａの温度、すなわち、斯かる加熱処理における目標温度（例えば７０℃～１００℃）より低い場合がある。クリーンルームの場合、通常室内温度が２５℃程度であり、前記目標温度を大きく下回る。このように筐体１の外側温度と前記目標温度との間の温度差が大きい場合は、外側温度の影響を受け、チャンバー部２Ａ内を前記目標温度まで上げにくくなるので、無駄に電力消費が大きくなる。
　このような問題を解決するために、筐体１の外側に断熱材を付け、又は、筐体１の内側かチャンバー部２Ａの外側に断熱材を付ける対策が一般に採られている。しかし、断熱材としてはガラス繊維のように埃の原因となり得るものが含まれるので、筐体１の外側に断熱材を付けることはクリーンルームでの使用には望ましくない。
　また、筐体１の内側かチャンバー部２Ａの外側に断熱材を付ける場合においても、筐体１の外側温度の影響を減らす役割をなすのみであり、断熱材が媒体となって外側温度がチャンバー２に伝導され得ることに違いはなく、加熱処理において外側温度の影響を無くすことはできない。
　これに対して、本実施の形態に係る基板処理装置１００は、上述したように、チャンバー部２Ａと筐体１との間に真空部６１が存在するのみであり、チャンバー部２Ａは真空部６１によって筐体１と隔離されている。すなわち、チャンバー部２Ａと筐体１との間には、筐体１の外側の温度をチャンバー部２Ａに伝導する媒体が存在しない。従って、筐体１の外側温度がチャンバー２内の温度（加熱処理）に影響を及ぼすことはなく、効率的にチャンバー部２Ａ内を前記目標温度まで上げることが出来る。
　以上において、真空室６がチャンバー部２Ａの周囲に沿って形成され、真空部６１がチャンバー部２Ａの周囲を囲繞している場合を例にあげて説明したが、本実施の形態はこれに限るものでない。例えば、真空室６（真空部６１）が筐体１内の一部にのみ形成されるように構成しても良い。
　詳しくは、真空室６（真空部６１）が、チャンバー部２Ａの上部（図１の６ａ）、チャンバー部２Ａの下部（図１の６ｄ）、チャンバー部２Ａの左部（図１の６ｂ）若しくはチャンバー部２Ａの右部（図１の６ｃ）の何れかに設けられても良く、これらの組み合わせに係る箇所に設けられても良い。
　また、本実施の形態に係る基板処理装置１００の構成は以上の記載に限るものでない。
例えば、載置台５と共に又は載置台５の代わりに、ＴＦＴ基板Ｓを加熱処理する機構を別途設けても良い。具体的には、上方からＴＦＴ基板Ｓを加熱処理するヒーターを設けても良い。更に、チャンバー部２Ａにおいて、チャンバー２とチャンバー２との間にも真空室６（真空部６１）を設けても良い。
（実施の形態２）
　図３は実施の形態２に係る基板処理装置１００において、図２の破線の円に該当する部分を拡大して示す拡大図である。
　本実施の形態に係る基板処理装置１００は実施の形態１と略同じ構成有しているが、真空室６の構成において相違する。
　実施の形態１と同様に、筐体１は、例えば、直方体形状であって５つのチャンバー２を収容しており、正面に各チャンバー２を開閉するシャッター３０，３０，…３０を備えている。また、筐体１には、前後方向において前記正面と反対側の背面の下部に、後述する真空引き管６２が挿通される第２貫通孔２２が設けられている。
　チャンバー２は、前後方向において前側に導入口７が設けられており、内側にはＴＦＴ基板Ｓが載置される載置台５が設けられている。また、チャンバー２は、筐体１の前記背面と対向する面に排出管３が設けられており、排出管３にはバルブ４が設けられている。排出管３は、前記脱気処理の際、チャンバー２内の気体、及び、ＴＦＴ基板Ｓに付着していた水分等を筐体１の外側に排出する（図３の黒塗り矢印参照）。チャンバー２の構成は実施の形態１と同様であるので、詳しい説明を省略する。
　本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、筐体１とチャンバー２（チャンバー部２Ａ）との間に真空部６１を設けている。真空部６１はチャンバー部２Ａの周囲を囲繞するように設けられている。詳しくは、チャンバー部２Ａの周囲に沿って真空室６が形成されており、必要に応じて真空室６の内側に真空部６１が形成される。
　詳しくは、縦方向においてチャンバー部２Ａの上下に、また、横方向においてチャンバー部２Ａの左右に真空室６が設けられている。また、筐体１の前記背面とチャンバー部２Ａとの間にも真空室６が形成されている。更に、筐体１の前記正面とチャンバー部２Ａとの間においても、導入口７によって占められる部分を除いて、真空室６が形成されている。
　更に、真空室６には、筐体１の第２貫通孔２２に対応するよう真空引き管６２が設けられている。真空引き管６２は筐体１の第２貫通孔２２を挿通するように設けられている。詳しくは、真空引き管６２の一端は真空室６内に連通しており、真空引き管６２の他端は第２貫通孔２２を介して筐体１の外側に連通している。また、真空引き管６２にはバルブ６３が設けられており、バルブ６３を適宜操作することによって真空引き管６２を開閉できる。
　真空引き管６２は、真空室６内の気体を真空室６の外側に排出させ、真空室６内に真空部６１を形成する。図示しないが、真空引き管６２の他端には、ホース等を介して真空ポンプが接続されており、真空ポンプを稼働させて真空引きを行うことによって、真空室６内を真空状態にすることができる。すなわち、真空引き管６２は、真空引きの際、真空室６内の気体を筐体１の外側に排出し（図３の白抜き矢印参照）、真空室６内に真空部６１を形成する。換言すれば、ユーザは必要に応じて真空部６１を設けることができる。
　以上のような構成を有することから、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、ユーザが必要に応じて、チャンバー部２Ａと筐体１との間に真空部６１を設けることができる。また、チャンバー部２Ａと筐体１との間に真空部６１を設けることによって、筐体１の外側温度がチャンバー２内の温度に影響を及ぼすことを防ぎ、効率的にチャンバー部２Ａ内を前記目標温度まで上げることが出来る。
　また、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、必要に応じてユーザが真空部６１、すなわち、真空室６の内の真空度を調整することができる。
　実施の形態１と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
（実施の形態３）
　図４は実施の形態３に係る基板処理装置１００において、図２の破線の円に該当する部分を拡大して示す拡大図である。本実施の形態に係る基板処理装置１００は実施の形態２と略同じ構成有している。
　実施の形態２と同様に、筐体１は、例えば、５つのチャンバー２を収容しており、正面に各チャンバー２を開閉するシャッター３０，３０，…３０を備えている。また、筐体１には、前記背面の下部に第２貫通孔２２が設けられている。
　チャンバー２は、前後方向の前側に導入口７が設けられており、内側には載置台５が設けられている。また、チャンバー２は、筐体１の前記背面と対向する面に排出管３が設けられており、排出管３にはバルブ４が設けられている。排出管３は、前記脱気処理の際、チャンバー２内の気体、及び、ＴＦＴ基板Ｓに付着していた水分等を筐体１の外側に排出する（図４の黒塗り矢印参照）。チャンバー２の構成は実施の形態１と同様であるので、詳しい説明を省略する。
　本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、筐体１とチャンバー２（チャンバー部２Ａ）との間に真空部６１を設けている。真空部６１はチャンバー部２Ａの周囲を囲繞するように設けられている。詳しくは、チャンバー部２Ａの周囲に沿って真空室６が形成されており、必要に応じて真空室６の内側に真空部６１が形成される。
　更に、真空室６には、筐体１の第２貫通孔２２に対応するよう真空引き管６２が設けられている。真空引き管６２は筐体１の第２貫通孔２２を挿通するように設けられている。詳しくは、真空引き管６２の一端は真空室６内に連通しており、真空引き管６２の他端は第２貫通孔２２を介して筐体１の外側に延設され、排出管３に連通している。より詳しくは、真空引き管６２の他端は、排出管３においてバルブ４より前記真空ポンプ側に接続されている。また、真空引き管６２にはバルブ６３が設けられており、バルブ６３を適宜操作することによって真空引き管６２を開閉できる。
　図示しないが、排出管３の他端には、ホース等を介して真空ポンプが接続されており、真空ポンプを稼働させて真空引きを行うことによって、チャンバー２内の脱気処理を行なう。すなわち、排出管３は、前記脱気処理の際、チャンバー２内の気体、及び、ＴＦＴ基板Ｓに付着していた水分等を筐体１の外側に排出する（図４の黒塗り矢印参照）。この際、真空引き管６２は、真空室６内の気体を筐体１の外側に排出し（図４の白抜き矢印参照）、真空室６内に真空部６１を設ける。
　本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、脱気処理用の真空ポンプと、真空引き用の真空ポンプとを別に設ける必要がなく、一つの真空ポンプにて脱気処理及び真空引きを行うことができる。
　例えば、脱気処理のみを行う場合は、前記真空ポンプを稼働させ、バルブ６３を閉にした状態でバルブ４のみを開にすれば良い。また、真空引きのみを行う場合は、前記真空ポンプを稼働させ、バルブ４を閉にした状態でバルブ６３のみを開にすれば良い。なお、前記真空ポンプを稼働させ、バルブ６３及びバルブ４を共に開にすることによって、脱気処理及び真空引きを同時に行うこともできる。
　以上のような構成を有することから、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、ユーザが必要に応じて、チャンバー部２Ａと筐体１との間に真空部６１を設けることができる。また、チャンバー部２Ａと筐体１との間に真空部６１を設けることによって、筐体１の外側温度がチャンバー２内の温度に影響を及ぼすことを防ぎ、効率的にチャンバー部２Ａ内を前記目標温度まで上げることが出来る。
　また、本実施の形態に係る基板処理装置１００においては、必要に応じてユーザが真空室６の内の真空度を調整することができる。
　実施の形態１又は２と同様の部分については、同一の符号を付して詳細な説明を省略する。
　以上においては、チャンバー部２Ａの周囲に沿って真空室６を形成して真空室６の内側を真空状態にすることによって真空部６１を形成し、筐体１とチャンバー２（チャンバー部２Ａ）との間に真空部６１を設けることについて説明したが、本発明はこれに限るものでない。
　筐体１の内側を密閉空間にし、筐体１の内側にチャンバー部２Ａを収容した後、筐体１内を真空状態にする構成であっても良い。斯かる場合、真空室６を省くことができ、製造コストを下げることができる。
　なお、以上の記載における「真空」は「減圧」を含む意味として解釈すべきである。
　１　筐体
　２　チャンバー
　２Ａ　チャンバー部
　３　排出管
　６　真空室
　６１　真空部
　６２　真空引き管
　１００　基板処理装置
　Ｓ　ＴＦＴ基板

Claims (5)

  1. 　減圧状態で基板に加熱処理を行うチャンバーと、該チャンバーを収容する筐体とを備える基板処理装置において、
    　前記筐体及び前記チャンバーの間に真空部を有することを特徴とする基板処理装置。
  2. 　複数のチャンバーが並設されたチャンバー部を備え、
    　前記真空部は前記チャンバー部の周囲を囲繞していることを特徴とする請求項１に記載の基板処理装置。
  3. 　前記チャンバー部の周囲に沿って形成された真空室を備え、
    　前記真空室内に前記真空部を有することを特徴とする請求項１又は２に記載の基板処理装置。
  4. 　前記チャンバー内の気体を排出する排出管と、
    　前記真空室の真空引きを行う真空引き管とを備えることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
  5. 　前記チャンバー内の気体を排出する排出管と、
    　前記真空室の真空引きを行う真空引き管とを備え、
    　前記真空引き管は、一端が前記真空室と接続され、他端が前記排出管と接続されていることを特徴とする請求項３に記載の基板処理装置。
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