JPH04349929A - 真空装置 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は半導体基板や液晶基板の
処理などに利用される真空装置に関するものである。

【０００２】

【従来の技術】半導体デバイスや液晶パネルなどの製造
に必要な基板へのイオン注入、ドライエッチング、成膜
処理などの各種の処理を行うための真空装置の典型的な
ものは、図８（Ａ）に示すようにプロセスチァンバ（Ｐ
Ｃ）と称される処理室を単独で配置したものや、（Ｂ）
に示すように処理室の前後にロードロックチァンバ（Ｌ
Ｌ）と称される２個の予備室（ＬＬ１，ＬＬ２）を被処
理基板の搬入用と処理済み基板の搬出用として配置した
ものや、（Ｃ）に示すように処理室の前後にカセットチ
ァンバ（ＣＣ）と称される基板の貯蔵室（ＣＣ１，ＣＣ
２）を被処理基板の搬入用と処理済み基板の搬出用とし
て配置したものや、（Ｄ）に示すように処理室の前後に
配置した予備室（ＬＬ１，ＬＬ２）の更に前後に貯蔵室
（ＣＣ１，ＣＣ２）を配置したものなどがある。チァン
バ（真空室）どうし及び最外側のチァンバと大気圧との
間にはゲートバルブ（Ｇ）と称される自動開閉機構が形
成され、図示しない被処理基板の搬送機構や排気機構な
どと連携して自動的な開閉が行われる。基板の搬入用と
搬出用に真空室を共用する場合には、（Ｂ），（Ｃ），
（Ｄ）において、処理室の片側にだけ搬入／搬出用の予
備室や貯蔵室が設置される。

【０００３】図８（Ｄ）に示す形態の真空装置について
半導体ウエハの処理用を例にとって説明を補足すると、
図９に示すように、中央の処理室（ＰＣ）内には被処理
半導体ウエハを載置するための載置台５１が設置され、
搬入側の貯蔵室（ＣＣ１）内には複数枚の被処理半導体
ウエハ（Ｗ）を収納するカセット５３が配置され、これ
らの中間に配置される搬入側の予備室（ＬＬ１）内には
カセット５３内の被処理半導体ウエハ（Ｗ）を処理室内
の載置台５１まで搬送する多関節アームなどの搬送機構
（搬送ロボット）５２が設置される。処理済みの半導体
ウエハの搬出側の経路についても同様にして、搬出側の
貯蔵室（ＣＣ２）内には複数枚の処理済み半導体ウエハ
（Ｗ）を収納するカセット５３’が配置され、これらの
中間に配置される搬出側の予備室（ＬＬ２）内には処理
室内の載置台５１から処理済み半導体ウエハをカセット
５３’内に搬送する搬送機構５２’が設置される。各チ
ァンバは排気機構５５，５６，５６’，５７，５７’に
よって排気が行われる。

【０００４】図８（Ａ）の形態はチァンバが一つで足り
るため最も小型・簡易ではあるが、被処理基板の出し入
れのたびに処理室（ＰＣ）内を大気圧に戻さなければな
らないため再び高真空の状態まで排気するのに時間がか
かり、スループットなどと称される処理効率が低下する
という問題がある。図８（Ｂ）の形態はチァンバが３個
必要になるものの、被処理基板の出し入れのたびに処理
室内を大気圧に戻さなくても済むことと、処理室内の処
理と並行して搬入側の予備室（ＬＬ１）への次の被処理
基板の搬入と搬出側の予備室（ＬＬ２）からの処理済み
基板の搬出が行えることのため、処理効率が向上する。 図８（Ｃ）の形態は、複数枚の被処理あるいは処理済み
基板に対して１回だけ貯蔵室（ＣＣ１，ＣＣ２）を大気
圧に戻せばよいことから排気の回数が減少し、スループ
ットが更に向上する。更に、図８（Ｄ）の形態は、予備
室（ＬＬ１，ＬＬ２）と処理室（ＰＣ）間の被処理基板
の搬送と処理室内での処理と並行して貯蔵室（ＣＣ１，
ＣＣ２）へのカセットの搬入／搬出が行えることからス
ループットが更に向上すると共に、予備室（ＬＬ１，Ｌ
Ｌ２）を常時清浄な真空状態に保つことも可能となる。

【０００５】

【発明が解決しようとする課題】図８に示した従来の真
空装置では、最外側のものについてはチァンバ内を処理
の進行に伴う一定の頻度で大気圧に戻さなければならな
いため、内部を再び高真空状態まで排気するための時間
がかかりスループットが低下するという問題がある。特
に、外気に含まれる水分がチァンバ内壁に付着すると、
排気の際の気化熱で排出の困難な氷片に変化して排気に
時間がかかりスループットが低下するという問題がある
。これを防止するためにチァンバ内に大気圧への開放に
先立って窒素などの不活性ガスを充填し、被処理基板の
搬入／搬出中は外部に吹き流すなどの対策が講じられて
いるが、大気中を高速の分子速度で飛行する水分子を十
分に阻止することは困難であり、あまり効果がないとい
う問題がある。

【０００６】また、処理室での処理がＣＶＤなどの成膜
処理の場合、処理に使用した材料ガスやこれらから生じ
た反応ガスなどが微量ながら処理室内に残留し、この残
留ガスが被処理基板や処理済み基板の搬入／搬出の際に
予備室や貯蔵室側に流れ込んでその内壁などに付着し、
室内を汚染してしまい不良品を発生させかねないという
問題もある。

【０００７】更に、搬入待ちの被処理基板自体の表面に
も大気と接触している間に水分子など種々の分子が吸着
される。このような被処理基板をチァンバ内に搬入して
排気を開始しても表面の吸着分子は速やかには遊離され
ないため、高真空状態への到達に時間がかかりスループ
ットが低下するという問題もある。

【０００８】

【課題を解決するための手段】本発明の真空装置は、厚
肉の壁面で囲まれる外側真空室と、薄肉の壁面で囲まれ
る内側真空室と、この内側真空室の薄肉の壁面を加熱す
る加熱手段と、必要な場合には内側真空室の薄肉の壁面
を冷却する冷却手段とを備えている。上記加熱手段は、
内側真空室の扉が開放される直前の時点からこの扉が開
放され再び閉鎖されたのち所定の時間が経過した時点ま
でにわたって作動する。上記真空装置は、例えば、処理
室に隣接して配置される予備室又はこの予備室若しくは
処理室に隣接して配置される貯蔵室を構成する。

【０００９】

【実施例】図１は、本発明の一実施例の真空装置のうち
主要部分のみを断面図によって示す要部断面図であり、
１は外側真空室、２は内側真空室、３は電熱線、４は冷
却水管、５ａ，６ａは排気管路、５ｂ，６ｂ，６ｃは排
気管路を開閉するための排気バルブ、７はドライポンプ
、８はターボ分子ポンプ、９，１０はゲートバルブ、１
１は制御部である。

【００１０】外側の真空室１は、ステンレス鋼やアルミ
ニュウム合金などを素材とする厚肉の壁面で囲まれ、そ
の外壁面に作用する大気圧と内壁面に作用する数十万分
の１気圧との差に等しいほぼ１気圧の高圧力差に耐え得
る大きな強度を備えている。一方、内側の真空室２は、
ステンレス鋼などを素材とする薄肉の壁面で囲まれ、そ
の外壁面に作用する数十万分の１気圧と内壁面に作用す
るほぼゼロ気圧との差に等しいほぼ数十万分の１気圧の
低圧力に耐え得る小さな強度を備えている。この内側の
真空室２の薄肉の壁面の外側には、ヒータ３と冷却水の
管路４が適宜な間隔で巻回されている。

【００１１】外側の真空室１の内部は、その壁面と内側
の真空室２の壁面とによって気密状態に保たれると共に
排気管路５ａと排気バルブ５ｂとを介してドライポンプ
７に接続され、１０万分の１気圧（１０ー２Ｔｏｒｒ　
）程度の減圧状態にまで排気が行われる。一方、内側の
真空室２の内部は、その壁面とゲートバルブ９，１０と
によって気密状態に保持され、排気の初期段階では排気
管路６ａと排気バルブ６ｃ，５ｂとを介してドライポン
プ５ｂに接続されたのち、最終的には排気バルブ６ｂを
介してターボ分子ポンプ８に接続され、１０ー９Ｔｏｒ
ｒ　程度の高真空状態への排気が行われる。なお、ター
ボ分子ポンプ８の排気側はドライポンプ７に接続されて
いる。

【００１２】制御部１１は、ゲートバルブ９，１０の開
閉と被処理基板の搬入／処理済み基板の搬出を制御する
開閉・搬送制御部１１ｂと、排気ポンプの起動／停止や
排気管路の排気バルブの開閉によって排気動作を制御す
る排気制御部１１ｃと、内側真空室２の外壁面上に巻回
された電熱線３や冷却水管４への給電や給水の制御によ
って内側真空室の壁面の温度を制御する温度制御部１１
ｄと、上記各部を所定のタイミングのもとに連携させる
中央制御部１１ａとから構成されている。

【００１３】図１の真空装置を構成する外側真空室１と
内側真空室２とによる二重構造の真空室は、図８と図９
で説明した処理室（プロセスチァンバ）、予備室（ロー
ドロックチァンバ）あるいは貯蔵室（カセットチァンバ
）のうちのどの種類に該当するものであってもよい。 煩雑化を避けるために図示は省略されているが、上記ど
の種類の真空室であるかに応じてその内側真空室２の内
部には被処理基板の載置台、搬送ロボット、カセットな
どが収容されることになる。

【００１４】図２は、図１の真空装置のゲートバルブ９
の外側が大気に接している場合において、被処理基板の
搬入や処理済み基板の搬出に際し制御部１１によって制
御されるゲートバルブ９の開閉状態、内外真空室内の圧
力、内側真空室２の壁面の温度が時間と共にどのように
変化するかの一例を示す概念図である。まず、初期状態
では、ゲートバルブ９と１０とが閉じられると共に排気
バルブ５ｂと６ｂとが開かれることにより、外側真空室
１内は１０ー２Ｔｏｒｒ　程度の低真空の状態に保たれ
ると共に内側真空室２内は１０ー９Ｔｏｒｒ　程度の高
真空の状態に保たれる。なお、図２の例ではゲートバル
ブ１０は常時閉状態に保たれる。

【００１５】被処理基板の搬入や処理済み基板の搬出の
ためのゲートバルブ９の開放に先立つ時刻ｔ０において
、電熱線３への給電が開始され、内側真空室２の壁面温
度が室温近傍の値から１４０ｏ　Ｃ程度の高温まで急速
に高められる。内側真空室２内に収容されているカセッ
ト、搬送ロボット、載置台などの温度も高温になった壁
面からの輻射熱によって上昇する。この後、時刻ｔ１に
おいて排気バルブ５ｂ、６ｂが閉鎖されることにより内
外の真空室１，２が排気系から切り離され、引き続き、
リークバルブ（図示せず）の開放により外側真空室１と
内側真空室２の内部に同時に窒素ガスが導入され各室内
が大気圧に戻される。この後、時刻ｔ２において、ゲー
トバルブ９が閉鎖状態から開放状態になり、高温に保た
れている内側真空室２内への被処理基板の搬入やここか
らの処理済み基板の搬出が行われる。この基板の搬入や
搬出が終了すると、時刻ｔ３において、ゲートバルブ９
が閉鎖されると共に排気バルブ５ｂと６ｃが同時に開放
され、内外の真空室内の排気が同時に開始される。内側
の真空室については、ドライポンプ７による初期の排気
が終了すると、排気バルブ６ｃが閉鎖されて排気バルブ
６ｂが開放され、ターボ分子ポンプ８による排気が開始
される。内外の真空室１と２の排気が多少進行した時刻
ｔ４において、電熱線３への給電が停止されると共に冷
却水管４への冷却水の給水が開始されることにより、内
側真空室２の壁面温度が急速に低下せしめられる。

【００１６】上述のように、内側の真空室内の温度がゲ
ートバルブ９の開放前に開始される壁面の加熱によって
予め高められているので、ゲートバルブ９の開放に伴い
室内が大気に晒された場合でも、壁面や、室内に収容さ
れているカセット，搬送ロボット，載置台などへの水分
の付着が有効に防止される。また、内側真空室２を薄手
の壁面で構成することにより壁面の熱容量を小さくして
あるので、温度の急激な上昇と下降が可能となりスルー
プットが大幅に向上する。また、内外の真空室が完全に
遮断されているため、ターボ分子ポンプなど高真空用の
排気装置の負荷が軽減されて排気時間が短縮され、スル
ープットが更に向上する。

【００１７】以上、他方のゲートバルブ１０を閉じたま
ま大気圧側に接する一方のゲートバルブ９のみを開閉す
る場合を例にとって本発明の真空装置を説明した。これ
に対して、他方のゲートバルブ１０が成膜処理用などの
他の真空室に連結されている場合において、大気圧側の
ゲートバルブ９を閉じたままゲートバルブ１０のみを開
閉する場合にも、他の真空室から流れ込む材料ガスや反
応ガスの付着を防止するために図２と同様のタイミング
で温度制御を行えばよい。すなわち、ゲートバルブ１０
の開放の直前から一旦開放され再び閉鎖されたのち所定
期間までにわたって内側真空室２の壁面の加熱を行えば
よい。

【００１８】図３は、本発明の他の実施例の真空装置の
うち主要部分のみを断面図によって示す要部断面図であ
り、図中、１は外側真空室、２は内側真空室、３は電熱
線、４は冷却水管、５ａ，６ａは排気管路、５ｂ，６ｂ
，６ｃは排気管路を開閉するための排気バルブ、７はド
ライポンプ、８はターボ分子ポンプ、９，１０はゲート
バルブ、１１は制御部、２０は載置台である。この実施
例の真空装置は、内部に載置台２０を収容する処理室（
プロセスチァンバ）を例示している。

【００１９】載置台２０は、図４の分解部分斜視図に示
すように、冷却機構付き円形プレート２１と、これに積
層される加熱機構付き円形プレート２２とから構成され
る。冷却機構付き円形プレート２１は、互いに密着して
積層される上下のプレート２１ａ，２１ｂ、これら上下
のプレート間に形成される冷却水の通路２１ｃ及びこの
冷却水の通路に連なる給水口２１ｄ，排水口２１ｅから
構成されている。円形プレート２２は、絶縁性セラミッ
クの外被２２ａと、この外被の内部に埋め込まれた導電
性セラミックの電熱体２２ｂとから構成されている。

【００２０】制御部１１内の温度制御部１１ｄは、図１
の実施例において内部真空室２の壁面に対し図２に示す
タイミングのもとに実行したと同様の温度制御を、図３
の内部真空室２の壁面と載置台２０とに対し行う。すな
わち、基板の搬入や搬出のためのゲートバルブ９や１０
の開放に先立って、電熱線３と導電セラミックの電熱体
２２ｂへの通電が開始され、内側真空室２の壁面と載置
台２０の温度が室温近傍の値から１４０ｏ　Ｃ程度まで
急速に高められる。この後、ゲートバルブ９や１０が開
放され、内側真空室２内への被処理基板の搬入やここか
らの処理済み基板の搬出が行われる。この基板の搬入や
搬出が終了すると、ゲートバルブ９や１０が閉じられ、
所定時間後に電熱線３と電熱体２２ｂへの給電が停止さ
れると共に冷却水管４と冷却水の給水口２１ｄへの冷却
水の給水が開始されることにより、真空室２の壁面と載
置台２０の温度が急速に低下せしめられる。

【００２１】このように、載置台２０が内側真空室２の
壁面からの輻射熱だけでなく電熱体２２ｂへの給電によ
り直接加熱されることにより載置台２０の温度が速やか
に上昇せしめられる。この結果、載置台２０に載置され
た被処理基板の温度も速やかに上昇し、基板表面に付着
した水分などの蒸発などによる付着物の遊離が促進され
る。この結果、内側の真空室内の真空度が短時間で所定
値に到達でき、スループットが向上する。

【００２２】図５は、本発明の他の実施例の真空装置の
うち主要部分のみを断面図によって示す要部断面図であ
り、図中、図１や図３と同一の参照符号を付した構成要
素はこれらの図に関して既に説明した構成要素と同一の
ものであり、これらについての重複する説明は省略する
。

【００２３】この真空装置は、載置台３０を内蔵する二
重構造の処理室（プロセスチァンバ）を主体とするもの
として例示されており、厚肉の外側真空室１と薄肉の内
側真空室２の壁面のそれぞれの中央部分には石英などを
素材とする透光性の窓１ａと２ａが嵌め込まれると共に
、その上方の真空室外部には赤外線ランプ１３と反射鏡
１４とによる赤外線照射による加熱機構が形成されてい
る。載置台３０は平坦な頂面を形成しながら隆起する円
環状の外縁部分が周辺部に形成された円形のプレート３
１と、上記外縁部分の頂面から遠隔操作によって上方に
突出され下方に後退せしめられる複数本のピン３２ａ，
３２ｂ・・と、内外真空室の外部からプレート３１の中
央部に連なりこの中央部に液体窒素を噴出する冷媒噴射
管３３とから形成されている。

【００２４】図５の真空装置では、図示は省略している
が図１や図３の真空装置と同様の制御部１１が併設され
ており、この制御部１１内の温度制御部は、図１の実施
例において内部真空室２の壁面について図２に示すタイ
ミングに従って行ったと同様の温度制御を、図５の内部
真空室２の壁面と載置台３０に対して行う。

【００２５】すなわち、基板の搬入や搬出のためのゲー
トバルブ９や１０の開放に先立って電熱線３と赤外線ラ
ンプ１３への給電が開始され、内側真空室２の壁面と載
置台３０の温度とが室温近傍の値から１４０ｏ　Ｃ程度
まで急速に高められる。この後、ゲートバルブ９や１０
が開放され、内側真空室２内への被処理基板の搬入や処
理済み基板の搬出が行われる。搬入され載置台に載置さ
れた基板は、赤外線照射による加熱機構によって加熱さ
れる。この加熱期間においては、載置台３０のピン３２
ａ，３２ｂ・・がその外縁部の頂面から上方に突出せし
められ、被処理基板Ｗとプレート３１間の伝導による熱
抵抗が増大せしめられることにより、被処理基板Ｗの温
度が短時間で高温に達する。この基板の搬入や搬出が終
了すると、ゲートバルブ９や１０が閉鎖され、この閉鎖
から所定時間後に電熱線３と赤外線ランプ１３への給電
が停止されると共に冷却水管４への給水と冷媒噴射管３
３への液体窒素の供給が開始されることにより、真空室
２の壁面と載置台３０と被処理基板Ｗの温度が急速に低
下せしめられる。この温度降下期間にはピン３２ａ，３
２ｂ・・・が外縁部の頂面の下方に後退せしめられ頂面
と被処理基板Ｗの周辺部が接触せしめられ、この接触面
間に生ずる適宜な大きさの排気抵抗のもとで冷却と不要
となった窒素ガスの排気が行われる。

【００２６】図６は、本発明の他の実施例の真空装置の
うち主要部分のみを断面図によって示す要部断面図であ
る。図５が載置台３０を収容する処理室であるのに対し
て図６では搬送機構４０を収容する予備室である点や、
搬送機構４０には冷却機構が附加されていない点などが
図５の場合と異なっている。被処理基板や処理済み基板
を載置する搬送機構４０の最上部には図５の載置台のピ
ン３２ａ，３２ｂ・・・に相当するピン４１ａ，４１ｂ
・・・が植設置されており、赤外線の照射による加熱中
は、基板と搬送機構４０の最上部との熱的な絶縁が行わ
れる。

【００２７】以上、処理室内の載置台や予備室内の搬送
機構を内側真空室の壁面と共に図２のタイミングで加熱
あるいは冷却する構成を例示した。しかしながら、貯蔵
室内のカセットを内側真空室の壁面と共に図２のタイミ
ングで加熱あるいは冷却する構成とすることもできる。

【００２８】さらに、内側の真空室２の壁面に冷却水管
を巻回しこれに冷却水を供給することによって壁面を冷
却する構成を例示した。しかしながら、上記冷却水の代
わりに液体窒素を注入したり、あるいは、外側真空室内
に液体窒素の蒸気や冷却空気を直接注入することにより
行ってもよい。

【００２９】また、処理室、予備室、貯蔵室を二重構造
とせずにそれぞれに収容される載置台、搬送ロボット、
カセットのみを図２のタイミングで加熱・冷却する構成
としても排気特性を改善できる。

【００３０】また、内側真空室の壁面を内蔵の載置台な
どの内蔵装置と共に加熱・冷却する構成を例示したが、
壁面と載置台などの収容装置の両者から冷却機構を省略
し輻射のみによる放射冷却を行わせることもできる。

【００３１】

【発明の効果】以上詳細に説明したように、本発明の真
空装置は、１気圧の圧力に耐え得る大きな強度の厚肉の
外側チァンバと、薄肉で熱容量の小さな内側チァンバと
の二重構造とし、内側チァンバの壁面に対する加熱手段
を備える構成であるから、内側真空チァンバが大気圧に
晒される直前からこの扉が開放され再び閉鎖されたのち
所定の期間が経過するまで加熱手段を動作させることに
より、水分などの付着が有効に防止され、迅速な排気が
可能となりスループットが大幅に向上する。

【００３２】また、本発明の真空装置では内外の真空室
が完全に分離されているため、内側の真空室内を高真空
状態まで排気する排気ポンプの負荷が軽減され、排気時
間の短縮に伴いスループットが更に向上するという利点
もある。

【００３３】図７は、上記本発明の効果を裏付ける実験
データであり、図１の構成について得られた実測値であ
る。横軸は、内側の真空室２を大気に晒したのちゲート
バルブ９を閉じて排気を開始した時点を原点とする分単
位の経過時間であり、縦軸はＴｏｒｒ　を単位とする真
空度である。（１）は、ゲートバルブ９の開放の直前か
らこれが再び閉鎖され排気が開始された後までの３分間
だけ内側真空室２の壁面を１４０ｏ　Ｃに保った場合の
排気曲線である。（２）は上記加熱をまったく行わない
場合の排気曲線である。（３）は、大気圧に晒している
間は全く加熱を行わずに、排気の開始後２０分経過した
時点から約６０分間にわたって内側真空室２の壁面を１
４０ｏ　Ｃに保った場合の排気曲線であり、ベーキング
（空焼き）の排気特性などとして知られている。このベ
ーキングの場合には大気圧に晒す前からの加熱を行って
いないため水分の付着が予防できず、本発明による（３
）の排気特性に比べると排気時間が大幅に増加している
。

【図面の簡単な説明】

【図１】本発明の一実施例の真空装置のうち主要部分の
みを断面図によって示す要部断面図である。

【図２】図１の大気圧側に接するゲートバルブ９の開閉
状態、内外真空室内の圧力、内側真空室２の壁面の温度
が時間と共にどのように変化するかの一例を示す概念図
である。

【図３】本発明の他の実施例の真空装置のうち主要部分
のみを断面図によって示す要部断面図である。

【図４】図３中の載置台２０の構成を示す分解部分斜視
図である。

【図５】本発明の他の実施例の真空装置のうち主要部分
のみを断面図によって示す要部断面図である。

【図６】本発明の他の実施例の真空装置のうち主要部分
のみを断面図によって示す要部断面図である。

【図７】本発明の効果を裏付ける排気特性の実験データ
である。

【図８】単一又は複数の真空室から成る真空装置の典型
的な構成を説明するための概念図である。

【図９】図８（Ｄ）に該当する真空装置の構成を示す断
面図である。

【符号の説明】

１　　　　　　　　外側真空室 ２　　　　　　　　内側真空室 １ａ，２ａ　　　　　透光性の窓 ３　　　　　　　　電熱線 ４　　　　　　　　冷却水管 ５ａ，６ａ　　排気管路 ５ｂ，６ｂ　　排気バルブ ７　　　　　　　　ドライポンプ ８　　　　　　　　ターボ分子ポンプ ９，１０　　　　ゲートバルブ １１　　　　　　　　制御部 １３　　　　　　　　赤外線ランプ １４　　　　　　　　反射鏡 ２０，３０　　　　　載置台 ４０　　　　　　　　搬送機構

Claims (4)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】厚肉の壁面で囲まれた外側真空室と、薄肉
   の壁面で囲まれる内側真空室と、この内側真空室の薄肉
   の壁面を加熱する加熱手段とを備えたことを特徴とする
   真空装置。
2. 【請求項２】厚肉の壁面で囲まれる外側真空室と、薄肉
   の壁面で囲まれる内側真空室と、この内側真空室の薄肉
   の壁面を加熱する加熱手段と、前記内側真空室の薄肉の
   壁面を冷却する冷却手段とを備えたことを特徴とする真
   空装置。
3. 【請求項３】前記加熱手段は、前記内側真空室の扉が開
   放される直前の時点からこの扉が開放され再び閉鎖され
   たのち所定の時間が経過した時点までにわたって作動す
   ることを特徴とする請求項２又は３記載の真空装置。
4. 【請求項４】処理室に隣接して配置される予備室又はこ
   の予備室若しくは前記処理室に隣接して配置される貯蔵
   室であることを特徴とする請求項１乃至３記載の真空装
   置。