TWI452274B - 耦接至基板製程腔室之壓力計的使用期限延長方法 - Google Patents

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Description

耦接至基板製程腔室之壓力計的使用期限延長方法
本發明之實施例大體上有關於基板製程設備，更明確而言是有關此類製程設備中所使用之壓力計的使用期限延長方法及裝置。
在處理基板期間，製程腔室會接觸多種製程氣體，例如蝕刻或沉積製程中所使用的氣體。由於此類製程會使得諸如由製程氣體與基板相互作用而形成的污染物沉積在腔室室壁以及其他腔室構件上。因此，在期望的時間執行清潔製程以去除製程腔室中的這些污染物。不幸的是，本案發明人發現在經歷這類清潔製程後，壓力計通常會失效。本案發明人發現到，雖然在清潔製程之後會移除製程腔室中的清潔劑，但即使在清潔製程本身過程中已將壓力計隔離，留在腔室中的殘餘水份仍會腐蝕壓力計。本案發明人亦在腔室打開的其它時候(例如更換零件、檢查或類似情況)發現到類似的壓力計故障情形。因此，本案發明人相信，當打開使壓力計與製程腔室耦接的管以使壓力計暴露於製程腔室時，該製程腔室中未完全去除的殘餘水份(例如清潔製程殘留的水份或腔室暴露於空氣中而殘留的水份)會與該管中沉積的副產物反應，而導致壓力計受腐蝕並且故障。
因此，本案發明人提出限制製程腔室因清潔而導致與該製程腔室耦接之壓力計受到損害的方法。
本案揭示一種耦接至製程腔室之壓力計的使用期限延長方法。在某些實施例中，耦接至製程腔室之壓力計的使用期限延長方法可包含以下步驟：隔離該壓力計與該製程腔室之製程體積；當壓力計與製程腔室之製程體積隔離時，提高該製程體積之水份含量至高於一期望的水份程度；降低該製程體積之水份含量至等於或低於該期望的水份程度，其中該製程體積在該期望的水份程度下具有約2毫托耳/分鐘(mTorr/min)或更低的洩露速率；以及到達該期望的水份程度之後，使該壓力計暴露於該製程體積。
某些實施例中，耦接至製程腔室之壓力計的使用期限延長方法可包括以下步驟：隔離該壓力計與該製程腔室之製程體積；當該壓力計與該製程腔室之製程體積隔離時，提高該製程體積之水份含量至高於一期望水份程度；去除該已隔離之壓力計的污染物；以及當去除該已隔離之壓力計的污染物之後，使該壓力計暴露於該製程體積中。
某些實施例中，耦接至製程腔室之壓力計的使用期限延長方法可包含以下步驟：隔離該壓力計與該製程腔室之製程體積；當該壓力計與該製程腔室之製程體積隔離時，提高該製程體積之水份含量至高於一期望的水份程度；使一氣體流入該已隔離之壓力計中，以於該壓力計內提供一第一壓力，該第一壓力比一第二壓力更大，其中該第二壓力係用以隔離壓力計與製程腔室而在隔離閥打開之前該製程腔室中的壓力；以及打開該隔離閥，使得該氣體的流動方向係從該壓力計流向該製程腔室。
在某些實施例中，可藉著於該製程腔室中執行清潔製程或允許空氣進入該製程體積中而提高該製程腔室的水份含量。
本發明之其它或進一步實施例係說明如下。
本案揭示一種耦接至製程腔室之壓力計的使用期限延長方法。在諸多實施例的一或多個實施例中，該發明方法可有利地減少壓力計受損。在某些實施例中，該發明方法可藉著減少壓力計接觸到在清潔製程之後或製程腔室暴露於空氣中之後而殘留於製程腔室內的水份(例如可使來自清潔製程或因暴露於空氣中所產生的水份含量減少到一期望程度，或避免腔室中的水份進入使該壓力計與該腔室耦接的導管中)，而有利地減少壓力計受損。在某些實施例中，該些發明方法可藉著減少製程腔室及/或使該壓力計與製程腔室連接之管中的污染物量，而有利於減少壓力計受損。
第1圖係根據本發明部分實施例，繪示一種耦接至製程腔室之壓力計的使用期限延長方法100之流程圖。以下參照第2~3圖中所示之示範性製程腔室200描述該方法100。本發明之新穎方法可用於任一種具有使壓力計暴露於水份、製程環境副產物、清潔殘餘物或上述物質之組合物下而受到腐蝕之結構的適當製程腔室或製程系統中。
方法100始於步驟102，步驟102係例如在清潔製程腔之製程體積表面的污染物之前，或使製程體積暴露於空氣中之前(例如因清潔零件、檢查、維修、更換設備或諸如此類者而暴露於空氣中)，先隔離壓力計與製程腔室之製程體積。例如，在製程腔室中處理基板可能產生該些污染物。舉例而言，如第2圖所示般，可藉著關閉位於製程體積204與壓力計202之間的隔離閥206而使壓力計202與製程腔室200的製程體積204隔離開。隔離閥206的製程腔室端可設置在通口219的末端處，其中通口219流體連通地耦接至該製程體積204。
例如，可能有污染物沉積在製程腔室200的內部表面，例如沉積於腔室室壁或腔室構件上(例如，基板支撐件208或諸如此類者)。該些污染物可能來自蝕刻、沉積製程或這類製程。舉例而言，污染物可能包含殘留的製程氣體、基板(例如置於基板支撐件208上的基板210)與製程氣體反應生成之副產物或諸如此類者。在某些實施例中，污染物至少包含聚合物、溴化氫(HBr)或氯氣(Cl2 )之至少其中一者。
在腔室製程期間，當於處理基板期間(例如在蝕刻或沉積製程期間)使隔離閥206保持開啟以監控壓力時，在製程腔室200之構件與室壁以及通口219上發現的污染物亦可能累積在壓力計202的內部表面上。該些污染物亦可能累積在一導管220上，該導管220使壓力計202與製程腔室200耦接(或者壓力計可包含該導管220而使導管成為壓力計的一部份)。因此，當於步驟102處壓力計202與製程腔室200之製程體積204隔離時，污染物可能沉積在壓力計202、導管220、通口219或製程腔室200其中一者上。
在某些實施例中，於步驟102處隔離該壓力計202之前，可使用淨化氣體清洗製程體積204及壓力計202。例如，可自一氣體來源(例如以下將討論的氣體來源214)提供淨化氣體至製程體積及/或導管220。再者，當淨化氣體流動時，可關閉隔離閥206以隔離壓力計202與製程體積204。隔離閥206被關閉後，淨化氣體可持續流動，並且腔室200可排氣(vent，例如通向大氣)以開始執行下述清潔製程。
接著於步驟104中提高該製程體積的水份含量至高於一期望水份程度。端視將於該製程體積內執行製程或程序而可能直接或間接地提高製程體積的水份含量。例如，當壓力計202與製程體積204隔離時(例如，藉著關閉隔離閥206而隔離壓力計202與製程體積204)，可在製程腔室200中執行清潔製程以去除製程腔室200之內部表面及/或構件上的污染物。清潔製程可為所屬技術領域中任何已知用於去除製程腔室之污染物的適當溼式或乾式清潔製程。例如，該些清潔製程包括使製程腔室200的內部表面及/或構件暴露於一或多種清潔劑下，例如暴露於一或多種下列清潔劑：異丙醇(IPA)、水(H2 O)、丙酮或諸如此類者或上述物質之組合物。在可擇一選用(alternatively)或併用地(in combination with)的情況下，使該清潔製程包含例如在清洗該製程體積204、通口219、導管220及壓力計202之後並且在打開製程腔室200使得製程體積204通向大氣之前，使該製程腔室200排氣。製程腔室可在大氣下進行檢修、更換或清洗老舊零件，等等。
本案發明人發現清潔製程雖有利地去除製程腔室200之內部表面及/或構件的污染物但可能在製程腔室200中留下夠多的水份含量而造成壓力計202受損。此外，本案發明人發現使製程體積暴露於空氣中亦造成製程腔室200中具有非期望的高水份程度而可能損害壓力計202。例如，清潔劑可能含水而在製程體積中留下水份，及/或使製程腔室200通向大氣可能讓大氣中的環境水份進入製程體積204中。舉例而言，若使製程體積204暴露於剛完成清潔製程後的水份含量之程度下，或甚至是暴露在清潔製程完成後過約30秒的水份含量之程度下，壓力計202、通口219或導管220上的污染物可能會與水份反應而導致腐蝕壓力計202，或者水份本身或是水份與污染物的組合就可能腐蝕壓力計202。
因此，在某些實施例中以及如步驟106所述般，待完成步驟104的清潔製程之後(或是在打開製程腔室使其通向大氣後又密封該製程腔室以後)，降低製程體積204的水份含量至低於一期望水份程度。例如，某些實施例中，該期望水份程度約為完成步驟104之清潔製程後所存在之初始水份含量的10%或更低。一些實施例中，製程體積204在該期望水份程度下具有約2毫托耳/分鐘或更低的洩露速率。例如，該洩露速率可定義為：當正在抽空製程體積204之真空幫浦(例如下述之真空幫浦212)關閉時，該製程腔室200中的壓力升高速率。該洩露速率可能由周遭大氣洩露至腔室中(雖然腔室可能密封)以及清潔製程所殘留的殘餘水份共同造成。例如，在緊接在清潔製程腔室200的步驟104之後以及在降低水份含量的步驟106之前的洩露速率可能約10毫托耳/分鐘。
可以任何方式使水份含量降至期望程度。例如，於完成清潔製程之後，可利用與製程腔室200耦接且流體連通地耦接至製程體積204的真空幫浦抽空製程體積204以降低製程體積204中的壓力。真空幫浦212可藉著降低該製程腔室200中的壓力而去除製程體積204中的水份含量。例如在某些實施例中，該抽空步驟可持續進行直到該製程體積內到達期望的壓力大小為止。某些實施例中，該期望的壓力大小約為110毫托耳。在某些實施例中，待到達該期望壓力大小之後，允許經過一段期望時間之後才打開隔離閥206並且暴露出壓力計202。例如在某些實施例中，該期望時間可約5分鐘。
在可擇一選用或併用的情況下，例如將來自氣體來源214(與製程腔室200耦接)的淨化氣體流入製程體積214中，以幫助去除製程體積中的水份。舉例而言，淨化氣體可能是任何合適的氣體，例如乾燥氣體(如，含少量或不含水份)，例如氮氣(N2 )、氬氣(Ar)、氦氣(He)、乾淨乾燥空氣(CDA)、毒性氣體、無毒性氣體、惰性氣體、非惰性氣體或諸如此類者。在藉由真空幫浦210去除水份時，淨化氣體可有所幫助。再者，可重復清洗該製程體積，例如使淨化氣體流入該製程體積且隨後使用真空幫浦210從該製程體積204中移除該淨化氣體的過程，而重復執行期望的次數或執行上述過程，直到達成期望的水份程度為止。
有數種方法可用於判斷達到期望水份程度的終點。例如，可抽吸或以抽吸配合清洗該製程體積一段期望時間。可藉由一或多項因子(例如製程體積204之大小、幫浦212的抽吸力、來自氣體來源214之淨化氣體的流率等等)來決定該段時間的長度。可根據上述或其他因子經實驗判斷或模型模擬來決定該期望時間長度。
或者，可將一終點偵測系統216耦接至製程腔室200，並且該終點偵測系統216用以監控水份含量，以判斷何時達到該期望水份程度。例如，終點偵測系統216可能是下列儀器之其中一種或多種：光學光譜儀、質譜儀或任何適用於判斷存在於製程體積204中之水份含量的偵測系統。當達到期望水分程度時，該終點偵測系統216可提供訊號。例如，該訊號可能是視覺或聲音警報。在可擇一選用或併用的情況下，使該終點偵測系統216與該製程腔室的控制器218耦接。因此控制器218可根據從終點偵測系統216所接收到的數據提供訊號，以指示已到達期望水份程度。在可擇一選用或併用的情況下，該控制器218在判斷出已到達期望水份程度之後，可僅僅維持控制製程腔室200的運作。
控制器218通常可包含中央處理單元(CPU)、記憶體及支援電路。CPU可為任一型可用於工業設定的通用電腦處理器。支援電路可耦接至CPU並且可包含快取記憶體、時鐘電路、輸入/輸出子系統、電源供應器及諸如此類者。軟體常式(例如本文中所揭示用以減少損害壓力計202的方法)可儲存於控制器218的記憶體中，並且當利用CPU執行該軟體常式時，可使該CPU轉變為特殊用途電腦(控制器)。亦可利用位於遠離製程腔室200之處的第二控制器(未示出)儲存及/或執行該些軟體常式，或者可於不同之腔室構件的各別控制器(未示出)中儲存或執行該些軟體常式。
在判斷(或根據所經過的時間推測)到達期望水份程度之後，於步驟108中，可例如藉著開啟隔離閥206使壓力計暴露於製程體積中，以準備監控後續製程中的製程腔室內部壓力。某些實施例中，與該製程腔室200耦接的控制器218可開啟該隔離閥206。或者，可手動開啟隔離閥206。
除了上述方法100之外，可使用其它用以減少或限制壓力計202受損的技術來取代該方法100或與方法100併用。例如，第4圖係根據本發明一些實施例繪示耦接至製程腔室之壓力計的使用期限延長方法400之流程圖。該方法400可單獨使用或與方法100(及/或本文中揭示之其它方法)合併使用。
方法400始於步驟402，步驟402係去除該已隔離之壓力計202上的部份或所有污染物。例如在步驟402中，隔離閥206係如以上方法100之步驟102中所述般處於關閉位置。此外，當壓力計202與製程體積204隔離時且在步驟402去除污染物之前、之後或在去除污染物之前及之後均使腔室200經歷清潔製程(或暴露於空氣中)。可利用任何適當製程(例如下述之一或多種製程)去除壓力計202上的污染物。
例如在某些實施例中以及如第3圖所繪示般，該已隔離的壓力計202可脫離製程腔室200。壓力計202可在任何適當位置處脫離製程腔室200，例如第3圖中繪示在隔離閥206處脫離製程腔室200。可於不含水份的環境中加熱該已脫離的壓力計202，例如在乾燥氣體(例如氬氣(Ar)、氦氣(He)或氮氣(N2 ))或上述任何附加乾燥氣體存在下加熱該已脫離之壓力計202，以去除污染物。舉例而言，可加熱壓力計202至足以使該些污染物揮發的溫度。在一些實施例中，可於外部的真空腔室或於任何不含水份之適當加熱環境中執行該壓力計202的加熱步驟。例如，可在低壓環境中加熱壓力計202。壓力計202可經加熱一段時間，該加熱時間需足以去除部份或所有污染物。待完成該加熱製程之後，可使以去除污染物的壓力計202重新附接至製程腔室200。
或者，可提供加熱器224用以加熱該壓力計202。例如，壓力計202可包裹於一加熱毯中或具有一撓性加熱器元件(未示出)，或一加熱器222亦可設置於鄰近壓力計202及/或導管220處或耦接至壓力計202及/或導管220。例如，可使一電阻加熱器元件纏繞在導管220周圍或設置於鄰近導管220之處以加熱導管220及/或壓力計202。在此類實施例中，壓力計可保持與製程腔室200耦接，雖然也仍可卸除壓力計202。
在與加熱該壓力計202之步驟擇一使用或併用下，亦可利用與壓力計202流體連通耦接的真空幫浦來去除壓力計202的污染物，該真空幫浦係例如第2圖所示之真空幫浦212或一耦接至該壓力計202(或導管220)的獨立幫浦(未示出)。某些實施例中，例如從氣體來源214流出的淨化氣體與真空幫浦212兩者可擇一使用或兩者併用以幫助去除壓力計202之表面上的污染物。壓力計202的抽吸和清洗步驟係實質類似於上述用以去除製程腔室200之製程體積204中之水份的抽吸和清洗步驟。
待完成該清潔製程之後，或已使製程腔室與大氣隔離之後，接著可於步驟404中(例如藉著開啟隔離閥206)使得該已在步驟402中去除污染物的壓力計202暴露於製程體積204中。在某些實施例中，例如與上述方法100併用時，如步驟106所描述般，待水份含量已降至該期望程度之後，可使該已於步驟402中去除污染物的壓力計202暴露於製程體積204。
方法100和方法400兩者可擇一使用或兩者併用，第5圖係根據本發明一些實施例，繪示一種耦接至製程腔室之壓力計的使用期限延長方法500之流程圖。該方法500始於步驟502，步驟502係將一氣體(例如來自氣體來源214的淨化氣體)流入壓力計202中，使得相較於完成清潔製程或例如在步驟104中將該製程腔室與大氣隔離之後並且在打開隔離閥之前該製程腔室200之製程體積204中的第二壓力，導管220及壓力計202中的第一壓力更大。例如在某些實施例中，可藉著關閉隔離閥206以隔離壓力計202，隨後將氣體來源214提供的淨化氣體流入該已隔離之導管220及壓力計202中，直至到達第一壓力為止。或者，若方法500與方法100或400其中一者或兩者併用時，可於步驟106中，製程體積204內的水份已含量降至期望程度及/或已於步驟402中去除壓力計的污染物之後，執行步驟502。或者可在步驟102之前執行步驟502，其中於步驟502中，在隔離該壓力計202與製程體積204之前，先使用一淨化氣體清洗製程體積204和壓力計202，以於該壓力計202中提供第一壓力。
壓力計202中的第一壓力可大於製程腔室200之製程體積204中的第二壓力，使得於步驟504開啟隔離閥206時，該氣流可自壓力計202流向製程體積204，從而實質防止任何(在清潔製程、暴露於空氣或使水份含量降至期望程度之後所殘留的)殘餘水份進入壓力計202，以及/或是把留在壓力計202或導管220中的任何水份或污染物推入製程體積204中。一些實施例中，該第一壓力可例如約10托耳(Torr)以及該第二壓力可例如約0.5托耳或更低。在一些實施例中，第一壓力可能比第二壓力高出9.5托耳或更多，或者第一壓力比第二壓力高出足夠的壓差以防止迴流進入壓力計202中。
因此，本文已揭示數種耦接至製程腔室之壓力計的使用期限延長方法。該些新穎方法係藉著使該些因清潔製程或因製程體積暴露於空氣中所產生的水份含量降至一期望程度，以及/或藉著減少存在於該製程腔室及/或壓力計中的污染物，而有利地限制壓力計受損。例如，該些新穎方法可藉著去除在清潔製程或暴露於空氣中而留在製程體積中的水份(如方法100所示)，或藉著去除壓力計202的污染物(如方法400所述)，或是藉著防止水份在隔離閥開啟時進入壓力計中(如方法500所述)而限制該壓力計的受損。方法100、400、500及其變化或等效態樣皆可各別或合併用以限制壓力計202受損，從而延長壓力計202之使用期限。
上述內容雖已指出本發明的多個實施例，但在不偏離本發明基本範圍的情況下當可做出本發明之其它與進一步之實施例。
100．．．方法
102、104、106、108．．．步驟
200．．．製程腔室
202．．．壓力計
204．．．製程體積
206．．．隔離閥
208．．．基板支撐件
210．．．基板
212．．．真空幫浦
214．．．氣體來源
216．．．終點偵測系統
218．．．控制器
219．．．通口
220．．．導管
222、224．．．加熱器
400．．．方法
402、404．．．步驟
500．．．方法
502、504．．．步驟
本發明之實施例係已簡短總結且進一步詳細討論如上，並可參照附圖中所繪示之本發明示範實施例而了解本發明。然而應注意的是，該些附圖僅繪示本發明之代表性實施例，因此不應視為本發明範圍之限制，因本發明可能容許其它等效實施例。
第1圖係根據本發明某些實施例，繪示耦接至基板製程腔室之壓力計的使用期限延長方法之流程圖。
第2圖繪示一製程腔室之概要圖，可根據文中揭示之發明方法的某些實施例使用該製程腔室。
第3圖繪示一活動式壓力計的局部概要圖，可根據本文中揭示之發明方法的某些實施例使用該活動式壓力計。
第4圖係根據本發明某些實施例，繪示耦接至基板製程腔室之壓力計的使用期限延長方法之流程圖。
第5圖係根據本發明某些實施例，繪示耦接至基板製程腔室之壓力計的使用期限延長方法之流程圖。
為便於理解，盡可能地使用相同元件符號代表該些圖式中共有的相同元件。為求圖式清晰，該些圖式未按比例繪製且經簡化。應理解無需進一步詳細說明，即可將一實施例的元件及特徵有利地併入其他實施例中。
100．．．方法
102、104、106、108．．．步驟

Claims (18)

  1. 一種延長耦接至一製程腔室之壓力計的使用期限的方法，該方法包含以下步驟：隔離該壓力計與該製程腔室之一製程體積；當該壓力計與該製程腔室之該製程體積隔離時，提高該製程體積之一水份含量至高於一期望的水份程度；降低該製程體積之該水份含量至等於或低於該期望的水份程度，其中該製程體積在該期望的水份程度下具有約2毫托耳/分鐘或更低的一洩露速率；在到達該期望的水份程度之後，暴露該壓力計於該製程體積；以及使用一加熱器加熱該壓力計，以從該壓力計去除至少某些污染物。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中隔離該壓力計之步驟更包括以下步驟：當對該製程體積提供一淨化氣體時，隔離該壓力計，以及更包括以下步驟：在隔離該壓力計與該製程體積之前，使用一淨化氣體清洗該製程體積及該壓力計；以及在隔離該壓力計之後，排氣(vent)該製程體積。
  3. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括以下步驟：使用一終點偵測系統監控該水分含量，以判斷何時 到達該期望的水份程度，或等待一段時間以判斷何時到達該期望的水份程度。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中降低該製程體積之該水份含量的步驟包括以下步驟：使用與該製程體積流體連通地耦接(fluidly couple)的一真空幫浦從該製程體積移除水份，直到該製程體積到達一期望的壓力程度為止。
  5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中暴露該壓力計於該製程體積之步驟更包括以下步驟：在等待一段期望的時間而到達該期望的壓力程度之後，暴露該壓力計於該製程體積。
  6. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中降低該製程體積之該水份含量的步驟更包括以下步驟：將一淨化氣體流入該製程體積；以及使用該真空幫浦移除該淨化氣體，以從該製程體積移除水份。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之方法，更包括以下步驟：在加熱該壓力計以從該壓力計去除至少某些污染物之前，從該製程腔室脫離(detach)該已隔離之壓力計；以及 在去除至少某些該等污染物之後，重新附接(reattach)該壓力計於該製程腔室。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中重新附接該壓力計之步驟更包括以下步驟：在到達該期望的水份含量之後，重新附接該壓力計於該製程腔室。
  9. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中提高該製程腔室之該水份含量的步驟包含至少下列一者的步驟：於該製程腔室中執行一清潔製程；或允許空氣進入該製程體積。
  10. 一種延長耦接至一製程腔室之一壓力計的使用期限之方法，該方法包含以下步驟：隔離該壓力計與該製程腔室之一製程體積；當該壓力計與該製程腔室之該製程體積隔離時，提高該製程體積之一水份含量至高於一期望的水份程度；使用與該已隔離之壓力計流體連通地耦接的一真空幫浦從該已隔離之壓力計去除污染物；以及在從該已隔離之壓力計去除污染物之後，暴露該壓力計於該製程體積。
  11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中從該已隔 離之壓力計去除污染物之步驟更包括以下步驟：流入一淨化氣體於該壓力計，以從該壓力計表面去除該等污染物，並且使用該真空幫浦移除該淨化氣體，以從該已隔離之壓力計去除該等污染物。
  12. 如申請專利範圍第10項所述之方法，更包括以下步驟：降低該製程體積之該水份含量至該期望的水份程度或低於該期望的水份程度，其中該製程體積在該期望的水份程度下具有約2毫托耳/分鐘或更低的一洩露速率；以及在到達該期望的水份程度之後，暴露該壓力計於該製程體積。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中降低該製程體積之該水份含量的步驟包括以下步驟：使用與該製程體積流體連通地耦接的一真空幫浦從該製程體積去除水份；以及可隨意願地(optionally)，流入一淨化氣體於該製程體積，並且利用該真空幫浦移除該淨化氣體，以從該製程體積去除水份。
  14. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中提高該製程腔室之該水份含量的步驟包括至少下列一者的步驟： 於該製程腔室中執行一清潔製程；或允許空氣進入該製程體積。
  15. 一種延長耦接至一製程腔室之壓力計的使用期限之方法，該方法包含以下步驟：隔離該壓力計與該製程腔室之一製程體積；當該壓力計與該製程腔室之該製程體積隔離時，提高該製程體積之一水份含量至高於一期望的水份程度；流入一氣體於該壓力計，以提供該壓力計的一第一壓力，該第一壓力係大於該製程體積的一第二壓力，該流入的步驟之發生係在一隔離閥的關閉之後與打開之前，該隔離閥係用以隔離該壓力計與該製程腔室；以及打開該隔離閥，使得該氣體的一流動方向係從該壓力計流向該製程腔室。
  16. 如申請專利範圍第15項所述之方法，更包括以下步驟：降低該製程體積之一水份含量至一期望的水份程度，其中該製程體積在該期望的水份程度下具有約2毫托耳/分鐘或更低的一洩露速率；以及在到達該期望的水份程度之後，暴露該壓力計於該製程體積。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之方法，其中降低該製 程體積之該水份含量的步驟包括以下步驟：使用與該製程體積流體連通地耦接的一真空幫浦，從該製程體積去除水份，直到該製程體積到達該第二壓力為止；以及可隨意願地，流入一淨化氣體於該製程體積，並且使用該真空幫浦移除該淨化氣體，以從該製程體積移除水份。
  18. 如申請專利範圍第15項所述之方法，其中提高該製程腔室之該水份含量的步驟包含至少下列一者的步驟：於該製程腔室中執行一清潔製程；或允許空氣進入該製程體積。
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