JP5013484B2 - 半導体製造装置のクリーニング方法および半導体製造装置 - Google Patents
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Description
また、本発明の他の一様態は、真空の処理室を備えた半導体製造装置をクリーニングする方法であって、前記処理室の洗浄後に、前記処理室を真空排気すると同時に又は所定の間隔をおいて前記処理室内にパージガスを導入し、このパージガスを導入しながら前記処理室を排気ポンプで真空排気するようにし、前記パージガスの導入量と前記排気ポンプによる排気量を調整して前記真空排気処理における前記排気ポンプの吸入圧力を所定の圧力値に保つようにして前記真空排気処理を行ない、洗浄によって前記処理室内に付着した残留水分を除去することを特徴とする。
[他の実施形態]
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、次に例示するような他の実施形態も含むものである。例えば、上記実施形態では、半導体製造装置の例として、アッシング装置を取り上げているが、本発明はこれに限定されるものではなく、ドライエッチング装置、CVD装置あるいはスパッタ装置などの半導体製造装置のクリーニングにも適用可能である。
1a…電極
2…ガス導入口
3…排気口
4…圧力制御装置
5…ポンプ
6…圧力計
7…ガス供給手段
8…ガス制御手段
Claims (5)
- 真空の処理室を備えた半導体製造装置をクリーニングする方法であって、
前記処理室の洗浄後に、前記処理室を排気ポンプで真空排気し、
前記排気ポンプの吸入圧力が所定の値より下がった場合に、前記真空排気を行いながら前記処理室内にパージガスを導入するようにして前記真空排気処理を行ない、洗浄によって前記処理室内に付着した残留水分を除去することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。 - 真空の処理室を備えた半導体製造装置をクリーニングする方法であって、
前記処理室の洗浄後に、前記処理室を真空排気すると同時に又は所定の間隔をおいて前記処理室内にパージガスを導入し、
このパージガスを導入しながら前記処理室を排気ポンプで真空排気するようにし、前記パージガスの導入量と前記排気ポンプによる排気量を調整して前記真空排気処理における前記排気ポンプの吸入圧力を所定の圧力値に保つようにして前記真空排気処理を行ない、洗浄によって前記処理室内に付着した残留水分を除去することを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。 - 前記真空排気処理は前記処理室を排気ポンプで真空排気するようにし、その時の吸入圧力は、5Pa以上1000Pa以下であることを特徴とする請求項1または2記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
- 真空の処理室を備えた半導体製造装置において、
前記処理室の真空排気を行なうポンプと、
前記ポンプの吸入圧力測定手段と、
前記処理室内にパージガスを導入するガス供給手段と、
を有し、
前記処理室の洗浄後において前記ポンプによる前記処理室の真空排気が行われ、前記吸入圧力測定手段による前記ポンプの吸入圧力が所定値以下となったときに、前記真空排気を行いながら前記ガス供給手段による前記パージガスの供給が行なわれるよう制御され、洗浄によって前記処理室内に付着した残留水分を除去することを特徴とする半導体製造装置。 - 真空の処理室を備えた半導体製造装置において、
前記処理室の真空排気を行なうポンプと、
前記ポンプの吸入圧力測定手段と、
前記処理室内にパージガスを導入するガス供給手段と、
前記ガス供給手段による前記パージガスの流量を制御するガス制御手段と、
を有し、
前記処理室の洗浄後において前記ガス供給手段による前記処理室への前記パージガスの導入と前記ポンプによる前記処理室の排気とが同時に行なわれるように制御され、前記吸入圧力測定手段の検出値が所定圧力値以上となるように前記ガス制御手段による前記パージガス供給量が制御され、洗浄によって前記処理室内に付着した残留水分を除去することを特徴とする半導体製造装置。
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