JP2006210671A - 半導体製造装置のクリーニング方法 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】 真空の処理室1と、ガス導入口2と、排気口3とを備える。処理室1内部には、ウェハを載置し処理するステージ1aが設けられ、このステージ1aは処理室外部の高周波電源と接続されている。排気口3の下流側には、処理室1の排気量を制御する圧力制御装置4および圧力計6と、処理室1内の空気を排気するポンプ5とが設けられている。洗浄後の処理室1内を真空排気する場合に、ガス導入口2から水分を含んでいないパージガスを流し、同時にポンプ5を稼動させ真空排気を行い、かつ使用しているポンプ5を排気速度が大きい範囲で使用する。
【選択図】 図1
Description
以上のような態様では、吸入圧力が1Paの場合は、排気速度が最大排気速度の30%となり、洗浄後、処理室内が清浄度試験の規格内に入るまでに相当時間を要するが、これをガスを導入し、排気ポンプの吸入圧力を5Pa以上として最大排気速度の80%以上の範囲で排気することとすれば、上記規格内に入るまでに排気時間を1/3以下に短縮することができる。
以上のような態様では、処理室内のパージガスを排気ポンプで真空排気した場合、当初すなわち処理室内が高圧時には排気効率が良いが、低圧になるに従って排気効率が下がるから、この低圧になったところで、パージガスを導入することにより、吸入圧力を上げて排気速度を高く保つことができる。そのため、処理室内壁に吸着した残留水分を効率よく排気することが可能となる。
以上のような態様では、パージガスの導入量と真空排気の排気量を調整して、排気ポンプの吸入圧力を一定範囲に保つことによって、吸入圧力の低下による排気効率の低下を防止し、処理室内壁に吸着した残留水分等を短時間で排気することが可能となる。
(数1)
経験則上、この試験値が10-4Pa・m3/sec以下であれば、半導体装置等の製造に悪影響を及ぼさないことが知られており、本実施形態においても、これを清浄度試験の合格規格値としている。
なお、本発明は上記実施形態に限定されるものではなく、次に例示するような他の実施形態も含むものである。例えば、上記実施形態では、半導体製造装置の例として、アッシング装置を取り上げているが、本発明はこれに限定されるものではなく、ドライエッチング装置、CVD装置あるいはスパッタ装置などの半導体製造装置のクリーニングにも適用可能である。
1a…電極
2…ガス導入口
3…排気口
4…圧力制御装置
5…ポンプ
6…圧力計
7…ガス供給手段
8…ガス制御手段
Claims (4)
- 真空の処理室を備えた半導体製造装置をクリーニングする方法であって、
前記処理室の洗浄後に、前記処理室を真空排気すると同時に又は所定の間隔をおいて前記処理室内にパージガスを導入し、
前記真空排気処理における排気ポンプの吸入圧力を1Pa以上10000Pa以下とすることを特徴とする半導体製造装置のクリーニング方法。 - 前記排気ポンプの吸入圧力は、5Pa以上1000Pa以下であることを特徴とする請求項1記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
- 前記真空排気処理における排気ポンプの吸入圧力が所定の値より下がった場合に前記パージガスを導入することを特徴とする請求項1又は2記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
- 前記パージガスの導入量と前記排気量を調整して前記真空排気処理における排気ポンプの吸入圧力を所定の圧力値に保つことを特徴とする請求項1又は2記載の半導体製造装置のクリーニング方法。
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JP2016122795A (ja) * | 2014-12-25 | 2016-07-07 | 東京エレクトロン株式会社 | 真空引き方法及び真空処理装置 |
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2005
- 2005-01-28 JP JP2005021137A patent/JP2006210671A/ja active Pending
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